JP5104052B2 - 抵抗素子、ニューロン素子、及びニューラルネットワーク情報処理装置 - Google Patents
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Description
π電子共役系からなる平面形又は略平面形構造を有する骨格部に側鎖部が結合してな るπ電子共役系分子が、前記側鎖部において電極に吸着されることによって、前記骨格 部の前記平面形又は前記略平面形構造が前記電極に対してほぼ平行になるように配置さ れた被吸着分子を形成しており、
少なくとも前記被吸着分子と前記電極とからなる構造体が、前記平面形又は前記略平 面形構造に交差する方向に電流を流す機能を有する、
機能性分子素子である。
(2)信号によって引き起こされる電圧変化の大きさ
(3)信号によって引き起こされる効果の持続時間
そしてその結果、
(4)信号は学習効果を生じるか。
X=w1x1+w2x2+・・・+wnxn
で定義される重み付け信号wixiの総和(ネット値)Xを求め、出力部230へ出力する。総和(ネット値)Xは入力信号によって生じる軸索電位の上昇に対応する。
X<θの場合、Y=0
X=θまたはX>θの場合、Y=1
を出力する。
Y=1/(1+exp(−aX))
である例を示している。シグモイド型関数は、入力Xに対して非線形な特性をもつが、Xの増加によって0から1まで単調に増加する関数である。式中のaは関数の傾きの急峻さを決めるパラメータであり、aが大きくなるほど、関数Yはステップ関数に近づく。また、上式を
Y=1/(1+exp(−a(X−θ)))
に変更すれば、シグモイド型関数にしきい値θを導入することができる。
X=w1x1+w2x2+・・・+wnxn
で定義される総和(ネット値)Xに対応する電圧信号を出力回路30へ出力する。
前記第1の抵抗素子が、前記入力部において前記入力信号から前記重み付け信号を作 り出す素子として用いられ、
前記入力信号の受信に際し前記抵抗素子を流れた電流によって前記抵抗素子の抵抗が 減少し、この結果、後続の入力信号の受信に際し前記抵抗素子を流れる電流が流れやす くなることによって、学習効果が得られる
ことを特徴とする、第1のニューロン素子に係わり、また、
前記第2の抵抗素子が、前記入力部において前記入力信号から前記重み付け信号を作 り出す素子として用いられ、
前記入力信号の受信がないと、前記抵抗素子の前記抵抗が徐々に増加していく
ことを特徴とする、第2のニューロン素子に係わるものである。
複数の電極が対向して配置された対向電極が形成されており、π電子共役系からなる 略平面形構造を有する骨格部に側鎖部が結合してなるπ電子共役系分子が、前記側鎖部 において前記電極に吸着されることによって、前記骨格部の前記略平面形構造が前記対 向電極に対してほぼ平行になるように配置された被吸着分子が、前記対向電極のいずれ に対しても形成され、
少なくとも前記被吸着分子と前記対向電極とからなる構造体が、前記対向電極間に印 加された印加電圧に応じて、前記略平面形構造に交差する方向に電流を流す機能を有す る
のがよい。
一般式(1):
実施の形態1では、主として、請求項1〜10に関わる例として、機能性分子素子からなる抵抗素子の例について説明する。
図3(a)は、機能性分子素子10の作製に用いた、π電子共役系分子1の構造式であり、図3(b)は、機能性分子素子10の作製の際に用いた溶媒であるテトラヒドロフラン(THF)の構造式である。図3(a)に示したπ電子共役系分子は、フレキシブルな側鎖部43として、パラ位にドデシル基−C12H25が結合したフェニル基を有するビラジエノン誘導体の亜鉛錯体である。
機能性分子素子10は、電気的測定を行う前に、π電子共役系分子1に所定の配向状態をとらせるための前処理として、−2Vから+2Vまでのバイアス電圧を2時間以上をかけて印加する。この際、π電子共役系分子1を所定の配向状態に導くためには、印加するバイアス電圧を50mVずつ増加させていくのが重要である。そこで、初めに−2Vのバイアス電圧を印加し、1ステップにつき50mVずつバイアス電圧を増加させ、80ステップ後に+2Vのバイアス電圧になるようにする。この後、室温下において機能性分子素子10の電流電圧特性を測定する。
(1)電流の絶対値は、ある時間を経過した後に、時間とともに上昇を開始する。
(2)上昇後の電流値は、電圧の正負に対して非対称となる。
(3)上昇後の電流値の時間依存性は、概ね線形である。ただし、この上に時間ととも に増減する成分が加わっている。
実施の形態2では、主として、請求項11〜13に関わる例として、入力部に前記抵抗素子として機能性分子素子を備えたニューロン素子の例について説明する。
X=w1x1+w2x2+・・・+wnxn
で定義される総和(ネット値)Xに対応する電圧信号を出力回路へ出力する。
4…配列構造体、5、6…電極、7…π電子共役系分子、
8…π電子共役系分子7の骨格部の略円盤面、9…被吸着分子、10…入力部、
11…機能性分子素子、20…加算部、21…OPアンプ(演算増幅器)、
22…帰還抵抗、50…ニューロン素子、100…神経細胞(ニューロン)、
101…細胞体、102…樹状突起、103…軸索、104…神経終末端、
105…シナプス、105a…入力側シナプス、105b…出力側シナプス、
106…入力側神経細胞、107…入力信号、108…出力信号、
109…出力側神経細胞、200…ニューロン素子、210…入力部、220…加算部、
230…出力部、300…階層型ネットワーク、301…ニューロン素子、
302…結合荷重w、310…入力層、320…中間層、330…出力層、
400…ホップフィールドネットワーク、401…ニューロン素子、
402…結合荷重wij、550…ニューロン素子、510…入力部、
511…入力回路、512…トランジスタ、513…ゲート端子、
550…ニューロン素子
Claims (13)
- 有機機能性分子によって構成された機能性分子素子からなる抵抗体を有し、この抵抗体の両側に電圧を印加して前記抵抗体中に電流を通じると、前記抵抗体の抵抗が減少する履歴現象を示し、
前記機能性分子素子において、
複数の電極が対向して配置された対向電極が形成されており、π電子共役系からなる 略平面形構造を有する骨格部に側鎖部が結合してなるπ電子共役系分子が、前記側鎖部 において前記電極に吸着されることによって、前記骨格部の前記略平面形構造が前記対 向電極に対してほぼ平行になるように配置された被吸着分子が、前記対向電極のいずれ に対しても形成され、
少なくとも前記被吸着分子と前記対向電極とからなる構造体が、前記対向電極間に印 加された印加電圧に応じて、前記略平面形構造に交差する方向に電流を流す機能を有す る、
抵抗素子。 - 前記機能性分子素子において、
前記構造体の一部として、前記被吸着分子と同種のπ電子共役系分子又は/及び別種 のπ電子共役系分子が、前記被吸着分子の前記骨格部に対し、前記骨格部における分子 間π−πスタッキングによって一方向に積み重なった配列構造体が、前記対向電極間に 形成されており、
前記構造体は、前記配列構造体の積層方向に電流を流す機能を有する、
請求項1に記載した抵抗素子。 - 前記機能性分子素子において、前記π電子共役系分子の前記側鎖部がフレキシブルな構造を有している、請求項1に記載した抵抗素子。
- 前記π電子共役系分子の前記側鎖部が、アルキル基、アルコキシ基、シラニル基、或いはアルキル基、アルコキシ基、又はシラニル基が結合した芳香族環からなる、請求項3に記載した抵抗素子。
- 前記機能性分子素子において、前記π電子共役系分子が、中心金属イオンとリニアテトラピロール誘導体との錯体である、請求項1に記載した抵抗素子。
- 少なくとも前記π電子共役系分子が、下記一般式(1)で表されるビラジエノン誘導体である、請求項5に記載した抵抗素子。
一般式(1):
- 電圧の印加を停止し、電流を通じないでおくと、前記抵抗体の抵抗が通電前の抵抗値に向かって徐々に増加する、請求項1に記載した抵抗素子。
- 抵抗体の両側に電圧を印加しないでおくと、前記抵抗体の抵抗が徐々に増加する、請求項1に記載した抵抗素子。
- 複数の入力信号を受け取り、各入力信号に対し、入力信号とその入力信号に対する結合荷重との積である重み付け信号を作り出す入力部と、複数の前記重み付け信号の総和を求める加算部と、前記総和の関数として出力信号を出力する出力部とを有し、
請求項1〜8のいずれか1項に記載した抵抗素子が、前記入力部において前記入力信 号から前記重み付け信号を作り出す素子として用いられ、
前記入力信号の受信に際し前記抵抗素子を流れた電流によって前記抵抗素子の抵抗が 減少し、この結果、後続の入力信号の受信に際し前記抵抗素子を流れる電流が流れやす くなることによって、学習効果が得られる、
ニューロン素子。 - 前記入力信号の受信がないと、前記抵抗素子の前記抵抗が前記学習効果を得る前の抵抗値に向かって徐々に増加し、前記学習効果が失われていく、請求項9に記載したニューロン素子。
- 請求項9又は10に記載したニューロン素子の複数個が接続されて形成されている、ニューラルネットワーク情報処理装置。
- 前記ニューロン素子が複数の層に配置され、前記ニューロン素子同士が前記層間で結合され、階層型ニューラルネットワーク情報処理装置として構成されている、請求項11に記載したニューラルネットワーク情報処理装置。
- すべての前記ニューロン素子が互いに結合され、1つの層を形成する相互結合型ニューラルネットワーク情報処理装置として構成されている、請求項11に記載したニューラルネットワーク情報処理装置。
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