JP5101069B2 - 高圧力蒸着及び低圧力エッチング処理の組み合わせにおける均一プラズマのためのｉｐｖｄのためのｉｃｐ源 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハの製造での使用のための誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源に関わる。本発明は、特に、広い圧力範囲にわたってプラズマ均一性が好ましいものである状況での比較的高圧力なイオン化物理的気相蒸着（ｉＰＶＤ）と比較的低圧力なエッチング連続処理とシステムに関係し、さらに、無網状蒸着（ＮＮＤ）および低網状蒸着（ＬＮＤ）をもたらす同時的な蒸着とエッチング処理に関係する。

高アスペクト比とサブミクロンで特徴付けられた半導体ウェハ上への薄膜の蒸着のためには、イオン化物理的気相蒸着（ｉＰＶＤ）が最も有用であるということが分かった。特許文献１、特許文献２、特許文献３、および特許文献４に記載された特徴をもった装置は、特に連続的または同時的な蒸着およびエッチング処理に対してよく適している。連続的な蒸着とエッチング処理は、真空を破ることなく、またはチャンバからチャンバにウェハを移動させなることなく同じ処理チャンバ内で一基板に適用されうる。この装置の形状は、イオン化ＰＶＤモードからエッチングモードへの、またはエッチングモードからイオン化ＰＶＤモードへの速やかな移行が可能である。この装置の形状は、蒸着モードの際のイオン化ＰＶＤ処理制御パラメータと、エッチングモードの際のエッチング処理制御パラメータとの同時的な最適化をも可能にする。

このイオン化ＰＶＤの利点について、その性能を最大限利用するのには依然としていくつかの制約条件がある。例えば、既存のハードウェアは、広いプロセスウインドウ(process window)上で、蒸着とエッチング処理双方の均一性を同時に最適化することが可能ではない。環状のターゲットは、平面状蒸着均一性のための優れた条件を提供する一方で、均一なエッチング処理のための広範囲の低圧力プラズマを生成するのに広範囲の誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を使用することは、幾何学構造的に制限される。軸方向に基板に整列されたＩＣＰ源(ICP source：ＩＣＰソース)は、ターゲットからスパッタリングされた金属蒸気をイオン化させ、またウェハ中央における特徴(または形状：feature)を満たすのに最適である一方で、それは、組み合わせられた蒸着およびエッチング処理、または無網状蒸着（ＮＮＤ：no-net-deposition）や低網状蒸着（ＬＮＤ：low-not-deposition）での均一なエッチングを提供しないような、軸方向にピークをもつ高濃度プラズマプロフィールを作り出す。これらの処理では、ウェハの増加したバイアスでエッチングが起こるので、蒸着された金属は、蒸着の間に平面領域から除去されるが、一方、特徴(または形状：feature)の側壁には残留する。この網（ネット）処理(net process)は、その特徴(または形状：feature)の底部に薄膜の蒸着物を残留させる。

特許文献２のｉＰＶＤ源は高い金属比と均一な金属蒸着物を提供する。エッチングは特許文献５のようなｉＰＶＤ処理と組み合わせることができる。この組み合わせが低網状蒸着処理または無網状蒸着処理を実現するのに使われるとき、ウェハのスパッタ−エッチング(sputter-etching)の連続的またはパルス状いずれかの処理ステップが使われうる。しかしながら、コンパクトで中央に配置されたＲＦコイルおよびバッフル(baffle：調節部材)によって、エッチングのために通常好まれる低い圧力においてプラズマがチャンバ中央の方に集中する傾向に起因して、不均一なプラズマがエッチングの間にもたらされる可能性がある。

研究者らは誘導結合プラズマ源内のプラズマプロフィールに対するチャンバ幾何学構成と圧力の影響を調査してきた。高圧力（数十ｍＴｏｒｒ）において均一なプラズマプロフィールを実現するために、ＲＦコイルが円筒形状のチャンバ周囲の方に置かれた。また、低圧力動作の間に、プラズマプロフィールは、エッジから中央へのプラズマ濃度比が０．４〜０．５である状態で、ＲＦコイルの位置にかかわらずドーム形の傾向となる、ということも示された。

したがって、スパッタ−エッチングのために比較的低圧力（例えば約６ｍＴｏｒｒ）の、また均一な金属蒸着のために、またＬＮＤ処理とＮＮＤ処理のために比較的高圧力（例えば約６５ｍＴｏｒｒ）の、両方における均一なプラズマを生成することができるｉＰＶＤ源を提供する必要が残っている。
米国特許第６,２８７,４３５号明細書 米国特許第６,０８０,２８７号明細書 米国特許第６,１９７,１６５号明細書 米国特許第６,１３２,５６４号明細書 米国特許第６,７５５,９４５号明細書 米国特許第６,７１９,８８６号明細書

本発明の目的は、比較的低圧力および比較的高圧力の両方において均一なプラズマを生成することができるｉＰＶＤ源を提供することである。

本発明の他の目的は、スパッタ−エッチングのための金属蒸着に対する均一なプラズマを提供することである。

本発明の原理によれば、ｉＰＶＤ源には、ＩＣＰアンテナと、チャンバの周囲に向かって高エネルギー電子を捕獲するよう構成された周囲の磁界が提供され、それによって低いチャンバ圧力またはエッチングの間のチャンバ中央における高エネルギー電子の集中が低減する。本発明の実施の形態では、周囲の磁界を使用して連続的な蒸着とエッチング処理、およびＮＮＤ処理とＬＮＤ処理を含む同時的な蒸着−エッチング処理でのプラズマ均一性を改善する。

本発明のこれらおよび他の目的と利点は、本発明の例示的な実施形態の詳細な説明から容易に一層明らかとなるであろう。

ｉＰＶＤ処理装置１０の一実施形態を図１に示す。装置１０は、底部にあって処理のためにウェハ１５を上に保持するサポート１４、およびプラズマ源(plasma source：プラズマソース)３０とコーティング材料源(coating material source：コーティング材料ソース)４０を含む源(source：ソース)２０を備えた真空処理チャンバ１２を含む。コーティング材料源４０は、チャンバ１２上にあり、また真空チャンバ１２と連通するスパッタリング表面４４を持ったスパッタリングターゲット４２を含む。ターゲット４２は、チャンバ１２を囲むチャンバ壁１１における開口にマウントされ、そのチャンバ１２はターゲット４２とは非電導性であるか、またはそれから絶縁されている。通常、冷却システム（図示せず）も提供される。材料源４０は、ターゲット４２の頂部（後部）側にマグネトロン磁石（図示せず）をも含むことができ、その磁石は固定または回転磁石のような可動の磁石を含みうる。材料源４０には、ターゲット４２のスパッタリング表面４４に近接して閉じ込められたスパッタリングプラズマを形成するための、通常は直流（ＤＣ）電気エネルギーのスパッタリング電力源(sputtering power source)（やはり図示せず）も提供される。

プラズマ源３０は、チャンバ壁１１の円筒形状の側壁部を形成する誘電体ウインドウ３２、誘電体ウインドウ３２の外部を囲むらせん形コイルとして示されたＲＦアンテナ３４、および、チャンバ１２内部からのコーティングによる汚染から誘電体ウインドウ３２をシールドする円筒形状で、軸方向にスロットを設けた導電性の蒸着バッフル３６を含む。アンテナ３４はチャンバ１２中に誘導ＲＦエネルギーを結合し、チャンバ１２に高濃度プラズマを形成するよう設定される。

プラズマ源３０は、チャンバ１２外側のプラズマ源３０の外周の周りに間隔を置いて多くの磁石５０を有する。示された実施形態では、反対の極５１と５２を持つ磁石５０は、磁石の極軸がそれぞれの極の間に軸方向に延在し、極５１と５２の間に延びる磁界７０内で誘電体ウインドウ３２におけるチャンバ壁１１の各部分を取り囲むように同じ方向に整列した状態で、チャンバ１２の周囲に近接して隔てられている。磁石５０は例えば馬蹄形に形成でき、一対の棒磁石５３と５４を含み、極の一つが、誘電体ウインドウ３２に近接して置かれた極５１または５２のいずれか一つであるように、また他方の極が磁心材料５６のバーに隣接する状態で、配置された一対の極を備える。磁石５０は、好ましくは、銅、銀、またはニッケルの薄層によってＲＦシールドされ、少なくとも空冷される。磁石５０には、冷却システム（図示せず）をも提供できる。例えば、磁石５０はウォータージャケット(water jacket)の内部に、または隣接して置くことができる。

図１に示した実施形態において、永久磁界７０は極５１，５２の間に軸方向に延在し、チャンバ１２内部でかつシールド３６内部のアンテナ３４の導体の周りに弧を描き、ウインドウ３２の内側の周りに円周状の磁気トンネルを形成する。低圧力、特に、例えば約２０ｍＴｏｒｒを下回るエッチングに使われるレベルにおいて、磁界はコイル３４近くの高エネルギーの電子を捕獲して、チャンバ１２を横切って流れることを妨げ、その状況で、それらがチャンバ１２の中央近くに集中するようになる、と信じられている。そしてこれらの電子は、チャンバ周囲において、よりイオン化させるようになる。このエッジで重み付けされたイオン化は、プラズマイオン濃度が中央でドーム化の少ない状況、または集中がより少ない状況で、チャンバ１２全体に、より均一なプラズマ分布を提供することになる。

さらに、高圧力、特に、例えば約３０ｍＴｏｒｒを上回る圧力でのｉＰＶＤに使われるレベルにおいて、頻繁な衝突が十分に電子の動きをランダム化するので、それらは磁界の影響を感じず、そしてプラズマ濃度分布は磁石アセンブリの付加によって変化しない状態のままである、と信じられている。しかしながら、このような場合、それは、チャンバ１２を横切ってコイル付近の領域からチャンバ中央に向かって高エネルギー電子が流れることを避ける背景ガス(background gas：バックグラウンドガス)との頻繁な衝突となる。それよりむしろ、それらは、結局のところチャンバ全体に導くことになるランダムな動きをするだろうが、しかしコイルの近くでそのエネルギーの大部分を消散させることになるこのような遅いペースで、再びエッジで強化されたイオン化を提供する。

もし低圧力コーティング処理を使用するか、または蒸着の間に磁界を除去する他の理由があるならば、永久磁石またはその一部は、エッチングおよび蒸着のそれぞれの間に所定位置にまたは所定位置から置き換えるように動かすことができる。電気的にオン・オフを切り替えることのできる電磁石をその代わりに使用できるが、永久磁石ほどの効果はなく、実際的でない。

磁界の形状よりむしろコイル３４近くの磁界の存在が、上述と類似の利点を提供するはずである。例えば、図５に示すような部分で構成された磁石５５ａが、コイル３４のさらに限定された部分を囲む軸方向に向けられたトンネルを規定する多くの磁石先端(casp：カスプ)をその磁界５５ａが作るように、外側に間隔を置いて、チャンバ１２の周りに提供できる。磁石５５の磁界は、低圧力においてプラズマを平らにするように、シールド３６内のウインドウ３２の内側近くに電子を保持する何らかの効果を、チャンバ１２内で持つことになる。プラズマ平坦化の効果を引き起こすのに他の磁石形状も使うことができる。

最高３０ｃｍの直径のウェハのために設計された源２０の最大半径として、５０．５ｃｍが可能であり、それは現在の多くのｉＰＶＤモジュールよりかなりより小さい。このような源２０は、平らなターゲットおよび円錐台形のターゲットを含んだ種々の形のターゲットを含むことができる。約１０度から水平までの円錐角を持った円錐台形ターゲットは、特に実用性が期待できる。現在のｉＰＶＤモジュールの大きさは、ウェハの上にプラズマを可能な限り均一に保つ要求によって、また半径方向の同時二極性電界を低減する要求によって操作されていた。その目的を達成するために、大きな空間がウェハ１５の周りに提供されていた。本発明の上述の実施形態による源２０によれば、プラズマは設計的に均一となり、そして半径方向の同時二極性電界は非常に小さくなる。チャンバの半径上の唯一の制約は、金属輸送と壁に対する損失であって、その状況はチャンバ直径の縮小がバッフル上に蒸着される金属の割合を増加させることである。

小さな処理容量の理由から、必要とされるＲＦ電力は、現在の典型的なｉＰＶＤシステムにおける５．５ｋＷａｔｔ未満とできる。より小さなサイズのものはコイルインダクタンスをも低減し、１３．５６ＭＨｚにおける動作をより容易に達成させる。コイルの巻き数またはアンテナ３４もまた最適化できる。２ＭＨｚにおける動作が特に有用であると期待される。

バッフル３６には、好ましくは、スロット３８を通してウインドウ３２にコーティング材料の流れることを防ぐための山形(chevron)をした断面を備えるスロット３８が提供される。円筒形状のバッフル３６は、源がチャンバの端部にアンテナを備えた状態で使われる円形のバッフルよりも遥かに大きな表面積を持っている。これは、通過する減少させたパワー流れと組み合わせて、バッフル３２への熱負荷を減らす。このようなバッフル３２は、冷却シンク(sink)との接触によって十分に冷却でき、チャンバ壁の一部とできる。状況に応じて、バッフルは、図２に示したようにバッフルの上端と底部に沿ってチャンネルを通る水流によって冷却することができる。

バッフル３６には、図４に示すように、チャンバ壁１１においてバッフル３６を連結する上側サポートフランジ６０も提供できる。壁１１において、バッフル３６がチャンバ壁１１と異なる電位が維持されるのかどうかに応じて、バッフル３６は壁１１から絶縁されるか、または電気的に接続されることが可能である。通常、バッフルフランジ６０はウインドウ３２とチャンバ壁１１との間にあり、チャンバ壁１１から良好にＲＦ接地される。

フランジ６０は、その頂部周りに上部冷却流体チャンネル６１を持ち、冷却流体が流入口６２を通って供給される。図３に示すように、チャンネル６１は、バッフル３６底部のリムにおける下側の冷却流体チャンネル６４に繋がる２つのスロット３８の間に縦チャンネル６３を通して接続されている。下側のチャンネル６４は、さらに、リム６０における流体流出口６６への別の２つのスロット３８の間に他の縦チャンネル６５を通して接続されている。フランジ６０のリムにおける流入口６１と流出口６６によって、チャンバ１２の真空中ではなくむしろ標準圧力における雰囲気中で、水か他の液体供給が可能となる。水はまず流入口６２から流れ込み、そしてバッフルの上側リング６１を通り、それからバッフルリブの１つにある縦チャンネル６３に沿って下側リング６４に流れ込む。下側リング６４での横断が完了した後、水は縦チャンネル６５に沿って頂部のリング６１に流れ込み、そしてその場所で最終的に流出口６６を介してバッフル３６から流れ出る。

源２０はチャンバシールドを必要としない。その代わりに、壁１１の露出した部分はアルミニウムから作られ、そして、その内側表面が材料付着力を促進するように処理された状態で水冷される。そして壁１１は定期的に洗浄でき、通常は、その壁が洗浄された壁に取り替えられ、そして取り外された壁が洗浄および修理に送られる。

この源２０は、整備の見地からいくつかの利点を持っている。ターゲット４２はＲＦ源３０から分離される。それによって、ターゲット４２を交換することは、プラズマと材料源を組み合せる設計よりも遥かに単純で迅速である。同様に、チャンバ壁１１は取り外して洗浄することができる。しかも、この部分は、ターゲットを取り外して交換するためのホイスト（引き上げ装置）の必要性を排除するのに十分な軽さである。小さなフットプリント(footprint：占有面積)と単純なコイル設計もまたコストを低減する。

ｉＰＶＤタイプの半導体ウェハ処理装置についての例は、特許文献２、特許文献１、特許文献６に記載されている。本発明の例は図１の装置１０との関連で記載されているにもかかわらず、他のタイプのシステムにさえも適用できる。

本発明の特定の模範的な実施形態のみを上記で詳細に記述してきたが、当技術分野の当業者ならば、本発明の新規な教示と利点から実質的に逸脱することなく、多くの修正が上記模範的な実施形態において可能である、ということが容易に理解できるであろう。したがって、そのような修正のすべてが本発明の範囲の中に含まれることを意味する。

本発明の一実施形態による源を持つ処理装置の断面斜視図である。 図１の処理装置の源の蒸着バッフルの一部の斜視図である。 図２のバッフルに対する冷却チャンネル形状を示す概略図である。 図１の一部を通して図２のバッフルを示す図である。 図１に示す実施形態に対する代案の磁石形状を示す斜視図である。

符号の説明

１０ ｉＰＶＤ処理装置
１１ チャンバ壁
１２ 真空チャンバ
１４ サポート
１５ ウェハ
２０ 源
３０ プラズマ源
３２ 誘電体ウインドウ
３４ ＲＦアンテナ（コイル）
３６ バッフル
３８ スロット
４０ コーティング源
４２ スパッタリングターゲット
４４ スパッタリング表面
５０ 磁石
５１，５２ 極
５３ 棒磁石
５５ 磁石
５５ａ 磁界
５６ 磁心材料
６０ バッフルフランジ
６１ 冷却流体チャンネル
６２ 流入口
６３ 縦チャンネル
６４ 冷却流体チャンネル
６５ 縦チャンネル
６６ 流出口
７０ 永久磁界

Claims (13)

1. 真空処理チャンバの周りに２つの端部と誘電性側壁とを持ち、内部にプラズマ領域を囲む真空処理チャンバと、
   前記真空処理チャンバの一端にある前記真空処理チャンバ内のスパッタリングターゲットと、
   前記真空処理チャンバの他端にある基板サポートと、
   前記真空処理チャンバの誘電性側壁を囲む真空処理チャンバのアンテナを持ち、該アンテナが、前記プラズマ領域内のプラズマを誘導するために前記誘電性側壁を通してＲＦエネルギーを結合するように操作可能であるような、高濃度で誘導的に結合されたプラズマ源と、
   前記真空処理チャンバの誘電性側壁の外側にあり、前記誘電性側壁に対して配置された反対の磁極を持ち、前記反対の磁極の間に前記プラズマ領域を通して延在する磁界を持ち、前記アンテナの少なくとも一部と前記真空処理チャンバの誘電性側壁の内側に隣接する前記プラズマ領域の一部とを、プラズマ領域を通して延在する磁界の向きが下部から上部に向かうように、下部から囲む永久磁石アセンブリと、
   前記プラズマ領域内にプラズマを形成して、イオン化物理的気相蒸着（ｉＰＶＤ）処理によって前記スパッタリングターゲットから前記基板サポート上のウェハ上に材料をスパッタし、イオン化し、および蒸着するために、また前記ウェハから少なくともいくらかの蒸着された材料をエッチングするために、前記スパッタリングターゲット、前記アンテナ、および前記基板サポートに電力を供給する装置を操作するようにプログラムされたコントローラと、
   を有することを特徴とするｉＰＶＤ半導体ウェハ処理装置。
2. 蒸着モードおよびエッチングモードを含む複数のモードで、前記ｉＰＶＤ半導体ウェハ処理装置を操作するようにプログラムされた前記コントローラと、
   前記スパッタリングターゲットから前記真空処理チャンバの中の処理スペースにコーティング材料をスパッタリングし、前記アンテナから前記処理スペースにＲＦエネルギーを結合することによって、高い濃度のプラズマを形成し、前記処理スペースの高い濃度のプラズマ中でスパッタされたコーティング材料をイオン化させ、そして前記処理スペースから前記基板サポート上のウェハ上へイオン化しスパッタされたコーティング材料を蒸着することを含む蒸着モードと、
   前記アンテナから前記処理スペースにＲＦエネルギーを結合することによって、高い濃度のプラズマを形成し、前記処理スペースの高い濃度のプラズマ中でプロセスガスをイオン化させ、前記イオン化されたプロセスガスによって前記基板サポート上の前記ウェハから少なくともいくらかの蒸着されたコーティング材料をエッチングすることを含むエッチングモードと、
   をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 前記コントローラは、第１のモードと第２のモードを含んだ複数のモードにおいて前記ｉＰＶＤ半導体ウェハ処理装置を動作させるようプログラムされ、
   前記第１のモードは、前記処理スペースにおいて３０ｍＴｏｒｒ以上の圧力を保持することを含み、
   前記第２のモードは、前記処理スペースにおいて１０ｍＴｏｒｒ以下の圧力を保持することを含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
4. 前記永久磁石アセンブリは、前記真空処理チャンバの外側に複数の磁石を含み、前記複数の磁石は、前記真空処理チャンバの前記誘電性側壁の内側周囲を囲むように延在する磁気トンネルを生成するように、それぞれ前記誘電性側壁の軸方向に整列されて同じ方向に方向付けられた、前記誘電性側壁の軸方向に離間したＮ極およびＳ極を持つことを特徴とする請求項１に記載の装置。
5. 前記永久磁石アセンブリは、前記誘電性側壁の外側で前記真空処理チャンバを囲む一対の反対の環状磁極を持ち、その磁界は、前記真空処理チャンバの外側の周りの前記アンテナの少なくとも一巻を、磁界の向きが下部から上部に向かうようにその下部で囲み、また前記真空処理チャンバの誘電性側壁の内側の周りの少なくとも一部のプラズマ領域を、磁界の向きが下部から上部に向かうようにその下部で囲む環状の磁気トンネルを形成するように、前記反対の磁極と前記プラズマ領域との間に延在し、それによって前記アンテナに近接する前記誘電性側壁の内側のプラズマ領域において、および前記環状の磁気トンネル内において誘導された高い濃度のプラズマが、前記真空処理チャンバの誘電性側壁に隣接する磁界によって少なくとも部分的に閉じ込められる
   ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
6. 真空処理チャンバの周りに２つの端部と誘電性側壁とを持ち、内部にプラズマ領域を囲む真空処理チャンバと、
   前記真空処理チャンバの一端にある前記真空処理チャンバ内のスパッタリングターゲットと、
   前記真空処理チャンバの他端にある基板サポートと、
   前記真空処理チャンバの誘電性側壁を囲む真空処理チャンバのアンテナを持ち、前記プラズマ領域内のプラズマを誘導するために前記誘電性側壁を通してＲＦエネルギーを結合するように操作可能な高濃度で誘導的に結合されたプラズマ源と、
   前記チャンバの外側で前記アンテナを囲む環状の永久磁石アセンブリであって、前記環状の永久磁石アセンブリは、複数の、前記誘電性側壁の軸方向に整列され磁極を持ち、前記チャンバの周りの、相隣り合う磁極間で極性が交替し、また反対の磁極の間に延在して一連の前記誘電性側壁の軸方向の磁気トンネルを生成する磁界を持ち、またそれぞれの磁気トンネルは前記アンテナの少なくとも一部、前記誘電性側壁の少なくとも一部、および前記プラズマ領域の少なくとも一部を囲み、前記真空処理チャンバの周囲の少なくとも一部の周りに延在するような、永久磁石アセンブリと、
   前記プラズマ領域内にプラズマを形成して、イオン化物理的気相蒸着（ｉＰＶＤ）処理によって前記スパッタリングターゲットから前記基板サポート上のウェハ上に材料をスパッタし、イオン化し、および蒸着するために、また前記ウェハから少なくともいくらかの蒸着された材料をエッチングするために、前記スパッタリングターゲット、前記アンテナ、および前記基板サポートに電力を供給する装置を操作するようにプログラムされたコントローラと、
   を有することを特徴とするｉＰＶＤ半導体ウェハ処理装置。
7. 真空処理チャンバ内で複数の処理においてウェハを処理する段階であって、イオン化物理的気相蒸着（ｉＰＶＤ）処理およびエッチング処理を含んだ段階と、
   ｉＰＶＤ処理であって、
   スパッタリングターゲットから前記真空処理チャンバ内の処理スペースに、コーティング材料をスパッタリングする段階と、
   アンテナから前記処理スペースにＲＦエネルギーを結合することによって、高い濃度のプラズマを形成する段階と、
   前記処理スペースの高い濃度のプラズマ中でスパッタされたコーティング材料をイオン化させる段階と、
   前記処理スペースからウェハ上へイオン化したスパッタ材料を蒸着する段階と、
   を含む処理と、
   エッチング処理であって、
   前記アンテナから前記処理スペースにＲＦエネルギーを結合することによって、高い濃度のプラズマを形成する段階と、
   前記処理スペースの高い濃度のプラズマ中でプロセスガスをイオン化させる段階と、
   前記真空処理チャンバの誘電性側壁の周辺付近の少なくともいくらかの高い濃度のプラズマを磁気的に閉じ込める段階と、
   前記イオン化されたプロセスガスによって基板サポート上の前記ウェハをエッチングする段階と、
   を含む処理と、
   を有し、前記コントローラが、高アスペクト比で、サブミクロンによって特徴付けられたウェハ上に薄膜を蒸着するように請求項１に記載のｉＰＶＤ半導体ウェハ処理装置を操作するようにプログラムされることを特徴とする方法。
8. 前記ｉＰＶＤ処理と前記エッチング処理とは連続的に行なわれる
   ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
9. 前記ｉＰＶＤ処理と前記エッチング処理とは同時的に行なわれる
   ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
10. 前記真空処理チャンバの周りの永久磁石アセンブリの磁界が、前記エッチング処理の間の前記真空処理チャンバの周辺付近の少なくともいくらかの高い濃度のプラズマを閉じ込める
    ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
11. 前記ｉＰＶＤ処理の間に第１の圧力に前記真空処理チャンバを保持し、前記エッチング処理の間に第２のより低い圧力に前記真空処理チャンバを保持するように操作可能な真空システムをさらに有する
    ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
12. 前記第１の圧力は少なくとも３０ｍＴｏｒｒであり、前記第２の圧力は１０ｍＴｏｒｒ未満である
    ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
13. 前記第１の圧力は６５ｍＴｏｒｒであり、前記第２の圧力は５ｍＴｏｒｒである
    ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。

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