JP5099026B2

JP5099026B2 - Method for selectively forming diamond film and CMP pad conditioner

Info

Publication number: JP5099026B2
Application number: JP2009016669A
Authority: JP
Inventors: 雅大矢野
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2009-01-28
Filing date: 2009-01-28
Publication date: 2012-12-12
Anticipated expiration: 2029-01-28
Also published as: JP2010173882A

Description

本発明は、ダイヤモンド膜の選択的形成方法及びこのダイヤモンド膜を切刃に用いたＣＭＰパッドコンディショナーに関する。 The present invention relates to a method for selectively forming a diamond film and a CMP pad conditioner using the diamond film as a cutting edge.

近年、常圧の化学気相蒸着（ＣＶＤ）法によりダイヤモンド膜を形成する技術が開発され、ダイヤモンド膜を電子デバイスや工具等に利用する研究が活発に行われている。このようなダイヤモンド膜は、用途に応じて、母体である基板や切刃等の表面に選択的に形成される場合がある（特許文献１〜３参照）。 In recent years, a technique for forming a diamond film by an atmospheric pressure chemical vapor deposition (CVD) method has been developed, and research on using the diamond film for an electronic device, a tool, or the like has been actively conducted. Such a diamond film may be selectively formed on the surface of a base, a substrate, or a cutting blade depending on the application (see Patent Documents 1 to 3).

ダイヤモンド膜を選択的に形成する手法として、例えば、特許文献１には、基体（母体）の表面にダイヤモンド膜の生成を阻止する性質の膜（以下「阻止膜」とする）を選択的に形成して前記表面をマスキング（マスキング領域）し、この阻止膜に被覆されていない非マスキング領域にのみダイヤモンド膜を成膜する技術が記載されている。 As a method for selectively forming a diamond film, for example, in Patent Document 1, a film having a property of preventing the formation of a diamond film (hereinafter referred to as “blocking film”) is selectively formed on the surface of a base body (matrix). Then, a technique is described in which the surface is masked (masking region), and a diamond film is formed only in a non-masking region that is not covered with the blocking film.

一方、半導体産業の進展とともに、金属、半導体、セラミックスなどの表面を高精度に仕上げる加工方法の必要性が高まっており、特に、半導体ウェーハでは、その集積度の向上とともにナノメーターオーダーの表面仕上げが要求されている。このような高精度の表面仕上げに対応するために、半導体ウェーハに対して、多孔性のＣＭＰパッドを用いたＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシュ）研磨が一般に行われている。 On the other hand, with the progress of the semiconductor industry, there is an increasing need for processing methods that finish metal, semiconductor, ceramics, and other surfaces with high precision. It is requested. In order to cope with such high-precision surface finishing, CMP (Chemical Mechanical Polish) polishing using a porous CMP pad is generally performed on a semiconductor wafer.

半導体ウェーハ等の研磨に用いられるＣＭＰパッドは、研磨時間が経過していくにつれ目詰まりや圧縮変形を生じ、その表面状態が次第に変化していく。すると、研磨速度の低下や不均一研磨等の好ましくない現象が生じるので、ＣＭＰパッドの表面を定期的に研削加工することにより、ＣＭＰパッドの表面状態を一定に保って、良好な研磨状態を維持する工夫が行われている。 A CMP pad used for polishing a semiconductor wafer or the like is clogged or compressively deformed as the polishing time elapses, and its surface state gradually changes. As a result, undesired phenomena such as a decrease in polishing rate and non-uniform polishing occur. By periodically grinding the surface of the CMP pad, the surface state of the CMP pad is kept constant and a good polishing state is maintained. Ingenuity to do is done.

ＣＭＰパッドを研削加工するために用いられるＣＭＰパッドコンディショナーは、例えば、円板状の基板（母体）と、この基板のＣＭＰパッド側を向く表面に形成された複数の切刃とを有している。これらの切刃として、前述のダイヤモンド膜が用いられることがある。 A CMP pad conditioner used for grinding a CMP pad has, for example, a disk-shaped substrate (matrix) and a plurality of cutting blades formed on the surface of the substrate facing the CMP pad side. . As these cutting blades, the aforementioned diamond film may be used.

このように、ダイヤモンド膜をＣＭＰパッドコンディショナーの切刃に用いる場合は、ダイヤモンド膜の表面（すなわちダイヤモンド膜において母体側とは反対側を向く表面）に凹部を形成すると、該凹部により研磨用のスラリーの供給が効率よく行われ、切粉等の研削屑の排出性が高められて、ＣＭＰパッドに対する研削性能が向上するので好ましい。また、前記表面に凹部を形成することで相対的に該表面から突出する凸部が形成される場合には、切れ味がより高められる。 Thus, when a diamond film is used for the cutting edge of a CMP pad conditioner, if a recess is formed on the surface of the diamond film (that is, the surface facing the opposite side of the base in the diamond film), a slurry for polishing is formed by the recess. Is efficiently performed, and the discharging performance of grinding waste such as chips is enhanced, so that the grinding performance for the CMP pad is improved, which is preferable. Moreover, when the convex part which protrudes relatively from this surface is formed by forming a concave part in the said surface, sharpness is raised more.

特開平５−２０９２７０号公報JP-A-5-209270 特開平６−２４７７９４号公報JP-A-6-247794 特開平７−６９７９３号公報JP 7-69793 A

しかしながら、特許文献１のように、母体の表面に前記阻止膜を選択的に形成し前記マスキング領域とし、前記非マスキング領域にダイヤモンド膜を成膜する場合、このダイヤモンド膜の表面は、凹部のない平面となる。つまり、前記阻止膜における前記非マスキング領域側を向く壁面、すなわち母体の表面に立設する該阻止膜の壁面にはダイヤモンド膜が生成されないので、ダイヤモンド膜は、母体の表面に平行に積層するように生成されていき、該ダイヤモンド膜の表面が平面に形成される。 However, as in Patent Document 1, when the blocking film is selectively formed on the surface of the base to form the masking region and a diamond film is formed in the non-masking region, the surface of the diamond film has no recess. It becomes a plane. That is, since a diamond film is not formed on the wall surface of the blocking film facing the non-masking region side, that is, the wall surface of the blocking film standing on the surface of the mother body, the diamond film is laminated in parallel to the surface of the mother body. The surface of the diamond film is formed into a flat surface.

このようなダイヤモンド膜の表面に凹部を形成するための手法としては、例えば、このダイヤモンド膜の表面に対して選択的にマスキングを施し、該表面における非マスキング領域をエッチングにより削って、凹部を形成することが考えられる。しかしながら、この場合、ダイヤモンド膜の表面におけるコンタミネーションが考えられ、また、洗浄等の工程が増え製造が煩雑になるという課題が生じる。 As a method for forming a concave portion on the surface of such a diamond film, for example, the surface of the diamond film is selectively masked, and a non-masking region on the surface is etched to form a concave portion. It is possible to do. However, in this case, contamination on the surface of the diamond film is conceivable, and there arises a problem that the number of steps such as cleaning increases and the manufacturing becomes complicated.

一方、母体の表面に、ダイヤモンド膜の生成を助長する性質の膜（以下「助長膜」とする）を選択的に形成してマスキングする手法が考えられる。この場合、ダイヤモンド膜は、非マスキング領域における母体の表面の部分と、この部分の周縁部に立設する前記助長膜の壁面とに夫々生成されていくこととなり、ダイヤモンド膜の表面には自然に凹部が形成される。しかしながら、マスキング領域における前記助長膜の母体側とは反対側を向く表面にもダイヤモンド膜が形成されてしまい、好ましくない。つまり、前記助長膜の表面にダイヤモンド膜が形成されると、非マスキング領域のダイヤモンド膜と、マスキング領域のダイヤモンド膜とが互いに連結してしまうことが考えられる。 On the other hand, a method of selectively forming and masking a film having a property of promoting the formation of a diamond film (hereinafter referred to as “enhancement film”) on the surface of the base is conceivable. In this case, the diamond film is generated on the surface portion of the base in the non-masking region and on the wall surface of the facilitating film erected on the peripheral edge of this portion. A recess is formed. However, a diamond film is also formed on the surface of the masking region facing away from the matrix side of the facilitating film, which is not preferable. That is, when a diamond film is formed on the surface of the facilitating film, it is considered that the diamond film in the non-masking region and the diamond film in the masking region are connected to each other.

このようにダイヤモンド膜同士が連結すると、所望の形状のダイヤモンド膜が得られなくなる。また、薬液により前記助長膜を取り除く際に、該助長膜がダイヤモンド膜に被覆されて除去できなくなったり、この助長膜を除去した後に、ダイヤモンド膜の内部が中空に形成されてしまったりするという問題が生じる。 When diamond films are connected in this way, a diamond film having a desired shape cannot be obtained. Further, when removing the facilitating film with a chemical solution, the facilitating film is covered with the diamond film and cannot be removed, or after removing the facilitating film, the inside of the diamond film is formed in a hollow state. Occurs.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ダイヤモンド膜の表面にマスキング及びエッチングを施すことなく簡便に凹部を形成できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びこのダイヤモンド膜を切刃に用いたＣＭＰパッドコンディショナーを提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of such circumstances, and a method for selectively forming a diamond film capable of easily forming a recess without masking and etching the surface of the diamond film, and a cutting edge for the diamond film. An object of the present invention is to provide a CMP pad conditioner used in the above.

前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
すなわち本発明に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法は、母体の表面に、薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜の生成を助長する性質の第１膜と、前記第１膜上に配されるとともにダイヤモンド膜の生成を阻止する性質の第２膜と、を選択的に形成して、該表面を、非マスキング領域を有しつつ前記第１、第２膜によりマスキングする工程と、ＣＶＤ法により、非マスキング領域における前記表面の部分と、この部分の周縁部に立設する前記第１膜の壁面とにダイヤモンド膜を生成させて、このダイヤモンド膜の前記母体側とは反対側を向く表面に凹部を形成する工程と、前記薬液により前記第１膜とともに前記第２膜を前記母体の表面から取り除く工程と、を備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the present invention proposes the following means.
That is, according to the method for selectively forming a diamond film according to the present invention, a first film having a property that can be removed by a chemical solution and promotes the formation of the diamond film is disposed on the surface of the base. And selectively forming a second film having a property of preventing the formation of a diamond film, and masking the surface with the first and second films while having a non-masking region, and a CVD method. The diamond film is generated on the surface portion in the non-masking region and the wall surface of the first film standing on the peripheral edge of the portion, and the surface of the diamond film faces away from the base side. And a step of removing the second film from the surface of the base body together with the first film by the chemical solution.

本発明に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法によれば、まず、母体の表面に、ダイヤモンド膜の生成を助長する性質の第１膜と、この第１膜上に配され、ダイヤモンド膜の生成を阻止する性質の第２膜と、が選択的に形成される。つまり、母体の表面には、第１、第２膜により被覆されたマスキング領域と、第１、第２膜に被覆されずに露出した非マスキング領域とが形成される。 According to the method for selectively forming a diamond film according to the present invention, first, a first film having a property that promotes the formation of a diamond film on the surface of the matrix and the diamond film is formed on the first film. And a second film having a blocking property is selectively formed. That is, a masking region covered with the first and second films and a non-masking region exposed without being covered with the first and second films are formed on the surface of the mother body.

次いで、ＣＶＤ法によりダイヤモンド膜を成膜すると、ダイヤモンド膜は、非マスキング領域における母体の表面の部分と、この部分の周縁部に立設する第１膜の壁面とに夫々生成されていく。このように生成された非マスキング領域のダイヤモンド膜には、その母体側とは反対側を向く表面に自然に凹部が形成される。 Next, when a diamond film is formed by the CVD method, the diamond film is generated on the surface portion of the base in the non-masking region and on the wall surface of the first film standing on the periphery of this portion. In the diamond film in the non-masking region thus generated, a concave portion is naturally formed on the surface facing the side opposite to the base side.

よって、ダイヤモンド膜の表面に容易に凹部を形成することができる。すなわち、前記凹部を形成するために、ダイヤモンド膜の表面を選択的にマスキングしエッチングを施すような必要がないことから、製造工程が簡便となり、また、ダイヤモンド膜の表面におけるコンタミネーションが防止される。
尚、前述のダイヤモンド膜の成膜の際、第１膜の前記壁面に連なる第２膜の壁面には、ダイヤモンド膜は生成されない。 Therefore, the concave portion can be easily formed on the surface of the diamond film. That is, since it is not necessary to selectively mask and etch the surface of the diamond film in order to form the recess, the manufacturing process is simplified and contamination on the surface of the diamond film is prevented. .
Note that when the diamond film is formed, the diamond film is not formed on the wall surface of the second film that is continuous with the wall surface of the first film.

一方、マスキング領域においては、第２膜の表面（すなわち第２膜における母体側とは反対側を向く表面）に僅かにダイヤモンド膜が載る場合がある。このように第２膜の表面にダイヤモンド膜が載った場合であっても、この第２膜上のダイヤモンド膜と、非マスキング領域に生成されたダイヤモンド膜とは、第２膜の前記壁面において互いに離間されていることから、前記ダイヤモンド膜同士が連結してしまうことがない。 On the other hand, in the masking region, a diamond film may be slightly placed on the surface of the second film (that is, the surface facing the side opposite to the mother side in the second film). Thus, even when the diamond film is placed on the surface of the second film, the diamond film on the second film and the diamond film formed in the non-masking region are mutually on the wall surface of the second film. Since they are separated from each other, the diamond films are not connected to each other.

従って、前記ダイヤモンド膜同士が連結してしまい、所望のダイヤモンド膜の形状が得られなくなるようなことがない。また、第１、第２膜を取り除く際、第１、第２膜がダイヤモンド膜に被覆されて除去できなくなったり、第１、第２膜を除去した後に、ダイヤモンド膜の内部が中空に形成されてしまったりすることがない。よって、所望のダイヤモンド膜が精度よく確実に形成される。 Therefore, the diamond films are not connected to each other, and a desired diamond film shape cannot be obtained. Further, when removing the first and second films, the first and second films cannot be removed because they are covered with the diamond film, or the interior of the diamond film is formed hollow after the first and second films are removed. There is no such thing. Therefore, a desired diamond film can be formed accurately and reliably.

また、ダイヤモンド膜が形成された後は、薬液により第１膜を取り除くことで、第１膜上に形成された第２膜も該第１膜と共に容易に除去できるので、ダイヤモンド膜の製造がより簡便に行える。 Further, after the diamond film is formed, the second film formed on the first film can be easily removed together with the first film by removing the first film with a chemical solution. It can be done easily.

また、本発明に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法において、前記マスキングする工程は、前記母体の表面に、前記第１膜及び前記第２膜の膜厚の和よりも厚膜に設定された感光性樹脂膜を選択的に形成し、前記感光性樹脂膜及び露出した前記表面の部分に前記第１、第２膜を順次成膜し、前記感光性樹脂膜を前記母体の表面から取り除くことにより、該母体の表面に前記第１、第２膜を選択的に形成することとしてもよい。
また、本発明に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法において、前記マスキングする工程は、前記母体の表面に、前記第１、第２膜を順次成膜し、前記第２膜上に、感光性樹脂膜を選択的に形成し、露出した前記第２膜の部分及びこの部分に対応する前記第１膜の部分をエッチングすることにより、前記母体の表面に前記第１、第２膜を選択的に形成することとしてもよい。 In the method for selectively forming a diamond film according to the present invention, the masking step may be performed by exposing the surface of the base to a photosensitive film set to be thicker than the sum of the thicknesses of the first film and the second film. By selectively forming a photosensitive resin film, sequentially forming the first and second films on the photosensitive resin film and the exposed surface portion, and removing the photosensitive resin film from the surface of the mother body. The first and second films may be selectively formed on the surface of the mother body.
In the method for selectively forming a diamond film according to the present invention, in the masking step, the first and second films are sequentially formed on the surface of the base, and a photosensitive resin is formed on the second film. By selectively forming a film and etching the exposed portion of the second film and the portion of the first film corresponding to the exposed portion, the first and second films are selectively formed on the surface of the mother body. It is good also as forming.

本発明に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法によれば、比較的容易に、かつ、確実に、母体の表面に第１、第２膜を選択的に形成して、該表面を、非マスキング領域を有しつつ第１、第２膜によりマスキングすることができる。従って、前述のダイヤモンド膜が簡便に精度よく形成できる。 According to the method for selectively forming a diamond film according to the present invention, the first and second films are selectively formed on the surface of the base material relatively easily and reliably, and the surface is formed into a non-masking region. Can be masked by the first and second films. Therefore, the aforementioned diamond film can be formed easily and accurately.

また、本発明は、基板に形成された複数の切刃を用いて、前記基板に対向配置されたＣＭＰパッドに研削加工を施すＣＭＰパッドコンディショナーであって、前記切刃として、前述のダイヤモンド膜の選択的形成方法により形成された前記ダイヤモンド膜を用いることを特徴とする。 The present invention also provides a CMP pad conditioner that uses a plurality of cutting blades formed on a substrate to grind a CMP pad disposed opposite to the substrate, and the cutting blade is made of the diamond film described above. The diamond film formed by a selective formation method is used.

本発明に係るＣＭＰパッドコンディショナーによれば、前述のダイヤモンド膜の選択的形成方法により形成された前記ダイヤモンド膜からなる切刃を用いているので、ＣＭＰパッドに対する研削性能が高められる。すなわち、ダイヤモンド膜の表面に凹部が形成されていることから、該凹部により研磨用のスラリーの供給が効率よく行われ、切粉等の研削屑の排出性が高められて、ＣＭＰパッドに対する研削性能が向上する。また、前記表面に凹部を形成することで相対的に該表面から突出する凸部が形成されるような場合には、切れ味がより高められる。 According to the CMP pad conditioner of the present invention, since the cutting blade made of the diamond film formed by the above-described method for selectively forming a diamond film is used, the grinding performance for the CMP pad can be improved. That is, since the concave portion is formed on the surface of the diamond film, the slurry for polishing is efficiently supplied by the concave portion, and the discharging performance of grinding scraps such as chips is enhanced, so that the grinding performance for the CMP pad is improved. Will improve. Moreover, when the convex part which protrudes relatively from this surface is formed by forming a concave part in the said surface, sharpness is raised more.

本発明に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法によれば、ダイヤモンド膜の表面にマスキング及びエッチングを施すことなく簡便に凹部を形成できる。
また、本発明に係るＣＭＰパッドコンディショナーによれば、前記ダイヤモンド膜を切刃に用いているので、研削性能が高められる。 According to the method for selectively forming a diamond film according to the present invention, it is possible to easily form a recess without masking and etching the surface of the diamond film.
Further, according to the CMP pad conditioner according to the present invention, the diamond film is used for the cutting blade, so that the grinding performance is improved.

本発明の第１の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法により形成された切刃を有するＣＭＰパッドコンディショナーを示す部分側断面図である。It is a fragmentary sectional side view which shows the CMP pad conditioner which has a cutting blade formed by the selective formation method of the diamond film which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成手順を説明する図である。It is a figure explaining the selective formation procedure of the diamond film concerning the 1st embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成手順を説明する図である。It is a figure explaining the selective formation procedure of the diamond film concerning the 1st embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法により形成されたダイヤモンド膜を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the diamond film formed by the selective formation method of the diamond film which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成手順を説明する図である。It is a figure explaining the selective formation procedure of the diamond film which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成手順を説明する図である。It is a figure explaining the selective formation procedure of the diamond film which concerns on the 2nd Embodiment of this invention.

第１の実施形態に係るＣＭＰパッドコンディショナー１０は、基板に形成された複数の切刃を用いて、基板に対向配置されたＣＭＰパッドに研削加工を施すものである。
ＣＭＰパッドコンディショナー１０は、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）からなり略円板状をなす基板１を有している。また、図１に示すように、基板１のＣＭＰパッド側を向く表面１Ａには、切刃２が該表面１Ａから突出して複数形成されている。 The CMP pad conditioner 10 according to the first embodiment uses a plurality of cutting blades formed on a substrate to perform grinding on the CMP pad disposed to face the substrate.
The CMP pad conditioner 10 includes a substrate 1 made of, for example, silicon carbide (SiC) and having a substantially disc shape. Further, as shown in FIG. 1, a plurality of cutting edges 2 project from the surface 1A on the surface 1A facing the CMP pad side of the substrate 1.

これらの切刃２は、有底円筒状又は丸皿状に夫々形成されており、切刃２のＣＭＰパッド側を向く表面２Ａにおける中央部分には、凹部２Ｂが夫々形成されている。これらの切刃２は、後述するダイヤモンド膜の選択的形成方法により成膜されたダイヤモンド膜Ｄを用いて形成されている。 Each of the cutting edges 2 is formed in a bottomed cylindrical shape or a round dish shape, and a concave portion 2B is formed in a central portion of the surface 2A of the cutting edge 2 facing the CMP pad side. These cutting edges 2 are formed by using a diamond film D formed by a diamond film selective forming method described later.

次に、ダイヤモンド膜の選択的形成方法、及び、これを用いて切刃２を基板１の表面１Ａに形成する手順について説明する。
まず、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、母体である基板１の表面１Ａに、感光性樹脂膜１１を均一に塗布する。感光性樹脂膜１１としては、有機溶剤により表面１Ａから取り除くことが可能な材料を用いる。また、感光性樹脂膜１１の膜厚Ｔａは、例えば、２０μｍ程度に設定される。 Next, a method for selectively forming a diamond film and a procedure for forming the cutting edge 2 on the surface 1A of the substrate 1 using the method will be described.
First, as shown in FIGS. 2A and 2B, a photosensitive resin film 11 is uniformly applied to the surface 1A of the base substrate 1. As the photosensitive resin film 11, a material that can be removed from the surface 1A by an organic solvent is used. The film thickness Ta of the photosensitive resin film 11 is set to about 20 μm, for example.

次いで、図２（ｃ）に示すように、この感光性樹脂膜１１をパターニングする。詳しくは、表面１Ａ上において、感光性樹脂膜１１を、ダイヤモンド膜を成膜する部位に対応して残すように、選択的に除去する。 Next, as shown in FIG. 2C, the photosensitive resin film 11 is patterned. Specifically, the photosensitive resin film 11 is selectively removed on the surface 1A so as to remain corresponding to the portion where the diamond film is formed.

次に、真空蒸着装置を用いて、図３（ｄ）に示すように、選択的に形成された感光性樹脂膜１１及び該感光性樹脂膜１１に被覆されずに露出した表面１Ａの部分に、第１膜１２、第２膜１３を順次蒸着し成膜する。第１膜１２は、フッ酸等の薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜の生成を助長する性質の材料からなり、例えば、ＳｉＯ_２を用いることができる。また、第２膜１３は、ダイヤモンド膜の生成を阻止する性質の材料からなり、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３を用いることができる。 Next, using a vacuum deposition apparatus, as shown in FIG. 3D, the selectively formed photosensitive resin film 11 and the exposed portion of the surface 1 A that is not covered with the photosensitive resin film 11. The first film 12 and the second film 13 are sequentially deposited to form a film. The first film 12 is made of a material that can be removed by a chemical solution such as hydrofluoric acid and promotes the formation of a diamond film. For example, SiO ₂ can be used. The second film 13 is made of a material having a property of preventing the formation of a diamond film, and for example, Al ₂ O ₃ can be used.

また、例えば、第１膜１２の膜厚は１０μｍ程度とされ、第２膜１３の膜厚は第１膜１２よりも薄膜の０．５μｍ程度に設定される。詳しくは、第２膜１３の膜厚は、ダイヤモンド膜の成膜時に蒸散せず、かつ、ダイヤモンド膜の生成を阻止できる程度に設定されていればよい。また、第１膜１２及び第２膜１３の膜厚の和Ｔｂは、感光性樹脂膜１１の前記膜厚Ｔａよりも小さい値に設定される。 Further, for example, the film thickness of the first film 12 is set to about 10 μm, and the film thickness of the second film 13 is set to about 0.5 μm which is thinner than the first film 12. Specifically, the film thickness of the second film 13 may be set to such an extent that it does not evaporate during the formation of the diamond film and can prevent the formation of the diamond film. The sum Tb of the film thicknesses of the first film 12 and the second film 13 is set to a value smaller than the film thickness Ta of the photosensitive resin film 11.

次に、有機溶剤による洗浄を行い、残存した感光性樹脂膜１１を表面１Ａから取り除く。詳しくは、感光性樹脂膜１１の上部及び側部には第１膜１２及び第２膜１３が夫々配されているが、前述のように、前記膜厚Ｔａは前記膜厚Ｔｂよりも大きい値に設定されている。従って、感光性樹脂膜１１は、基板１の表面１Ａに直接成膜された第１膜１２上における第２膜１３の基板１側とは反対側を向く表面１３Ａよりも、前記反対側へ突出して形成されている。つまり、感光性樹脂膜１１において基板１の表面１Ａに立設された壁面１１Ｃの上端部が露出しているので、この上端部から感光性樹脂膜１１が溶解して、確実に除去されるようになっている。また、この際、感光性樹脂膜１１の上部に形成された第１膜１２及び第２膜１３の部分も、図３（ｅ）に示すように、この感光性樹脂膜１１が除去されるのに伴って取り除かれる。 Next, cleaning with an organic solvent is performed to remove the remaining photosensitive resin film 11 from the surface 1A. Specifically, the first film 12 and the second film 13 are disposed on the upper and side portions of the photosensitive resin film 11, respectively. As described above, the film thickness Ta is larger than the film thickness Tb. Is set to Therefore, the photosensitive resin film 11 protrudes to the opposite side from the surface 13A facing the opposite side of the second film 13 on the first film 12 directly formed on the surface 1A of the substrate 1. Is formed. That is, since the upper end portion of the wall surface 11C standing on the surface 1A of the substrate 1 is exposed in the photosensitive resin film 11, the photosensitive resin film 11 is dissolved from the upper end portion so as to be surely removed. It has become. At this time, the photosensitive resin film 11 is also removed from the portions of the first film 12 and the second film 13 formed on the photosensitive resin film 11 as shown in FIG. It is removed along with.

このような工程を経て、第１膜１２及び第２膜１３が、基板１の表面１Ａに選択的に形成される（マスキング工程）。つまり、基板１の表面１Ａには、第１膜１２及び第２膜１３に被覆されたマスキング領域と、第１膜１２及び第２膜１３に被覆されずに露出した非マスキング領域とが夫々形成される。 Through such a process, the first film 12 and the second film 13 are selectively formed on the surface 1A of the substrate 1 (masking process). That is, a masking region covered with the first film 12 and the second film 13 and a non-masking region exposed without being covered with the first film 12 and the second film 13 are formed on the surface 1A of the substrate 1, respectively. Is done.

次いで、図３（ｆ）に示すように、ダイヤモンド成膜装置を用い、ＣＶＤ法により、前記非マスキング領域における表面１Ａの部分と、この部分の周縁部に立設する第１膜１２の壁面１２Ｃとにダイヤモンド膜Ｄを生成させる。ダイヤモンド膜Ｄの膜厚は、成膜時間により制御することができ、例えば、５μｍ程度に設定される。前記非マスキング領域において、このように、表面１Ａの前記部分と壁面１２Ｃとにダイヤモンド膜Ｄを夫々生成させていくと、このダイヤモンド膜Ｄの基板１側とは反対側を向く表面２Ａに凹部２Ｂが形成される。 Next, as shown in FIG. 3 (f), a diamond film forming apparatus is used to form a portion of the surface 1A in the non-masking region and a wall surface 12C of the first film 12 standing on the peripheral portion of this portion by the CVD method. And a diamond film D is formed. The film thickness of the diamond film D can be controlled by the film formation time, and is set to about 5 μm, for example. In the non-masking region, when the diamond film D is formed on the portion of the surface 1A and the wall surface 12C in this way, the concave portion 2B is formed on the surface 2A of the diamond film D facing the substrate 1 side. Is formed.

また、前記マスキング領域においては、第２膜１３の表面１３Ａに、僅かにダイヤモンド膜Ｄが載る。また、第２膜１３において、第１膜１２の壁面１２Ｃに連なるように形成される壁面１３Ｃには、ダイヤモンド膜Ｄは生成されない。 In the masking region, the diamond film D is slightly placed on the surface 13A of the second film 13. In the second film 13, the diamond film D is not generated on the wall surface 13 C formed so as to be continuous with the wall surface 12 C of the first film 12.

次いで、フッ酸を用いて、基板１の表面１Ａから第１膜１２を取り除く。尚、前述のように、第１膜１２上には第２膜１３及びダイヤモンド膜Ｄが形成されているが、第１膜１２が除去されることにより、図３（ｇ）に示すように、第１膜１２と共にこれらの第２膜１３及びダイヤモンド膜Ｄも表面１Ａから取り除かれる。
このように、基板１の表面１Ａに、凹部２Ｂを有するダイヤモンド膜Ｄが選択的に複数形成され、これらのダイヤモンド膜Ｄが、ＣＭＰパッドコンディショナー１０の切刃２に用いられる。 Next, the first film 12 is removed from the surface 1A of the substrate 1 using hydrofluoric acid. As described above, the second film 13 and the diamond film D are formed on the first film 12, but by removing the first film 12, as shown in FIG. The second film 13 and the diamond film D together with the first film 12 are also removed from the surface 1A.
As described above, a plurality of diamond films D having the recesses 2 B are selectively formed on the surface 1 A of the substrate 1, and these diamond films D are used for the cutting blade 2 of the CMP pad conditioner 10.

また、このようなダイヤモンド膜Ｄからなる切刃２は、種々の形状に設定可能である。すなわち、第１膜１２及び第２膜１３を基板１の表面１Ａにおいて種々に選択的に形成し、ダイヤモンド膜Ｄ（２）を、例えば、図４（ａ）に示すように、有底円筒状又は丸皿形状に形成したり、図４（ｂ）に示すように、有底角筒状又は升形状に形成したりできる。また、図４（ｃ）に示すように、ダイヤモンド膜Ｄを略円筒状に形成するとともに、その表面２Ａに、周方向に沿って延びる環状の凹部２Ｂを形成することとしてもよい。 Moreover, the cutting edge 2 which consists of such a diamond film | membrane D can be set to various shapes. That is, the first film 12 and the second film 13 are variously selectively formed on the surface 1A of the substrate 1, and the diamond film D (2) is formed into a bottomed cylindrical shape as shown in FIG. 4A, for example. Alternatively, it can be formed into a round plate shape, or can be formed into a bottomed rectangular tube shape or a bowl shape as shown in FIG. As shown in FIG. 4C, the diamond film D may be formed in a substantially cylindrical shape, and an annular recess 2B extending along the circumferential direction may be formed on the surface 2A.

以上説明したように、本実施形態に係るダイヤモンド膜Ｄの選択的形成方法によれば、母体である基板１の表面１Ａに、ダイヤモンド膜Ｄの生成を助長する性質の第１膜１２と、この第１膜１２上に配され、ダイヤモンド膜Ｄの生成を阻止する性質の第２膜１３と、が選択的に形成され、表面１Ａには、第１膜１２及び第２膜１３により被覆されたマスキング領域と、被覆されずに露出した非マスキング領域とが形成される。
次いで、ＣＶＤ法によりダイヤモンド膜Ｄを成膜すると、ダイヤモンド膜Ｄは、非マスキング領域における基板１の表面１Ａの部分と、この部分の周縁部に立設する第１膜１２の壁面１２Ｃとに夫々生成されていく。このように生成された非マスキング領域のダイヤモンド膜Ｄには、その表面２Ａに自然に凹部２Ｂが形成される。 As described above, according to the method of selectively forming the diamond film D according to the present embodiment, the first film 12 having the property of promoting the formation of the diamond film D on the surface 1A of the base substrate 1 and the A second film 13 disposed on the first film 12 and having a property of preventing the formation of the diamond film D is selectively formed, and the surface 1A is covered with the first film 12 and the second film 13. A masking region and an unmasked region exposed without being covered are formed.
Next, when the diamond film D is formed by the CVD method, the diamond film D is respectively formed on the surface 1A portion of the substrate 1 in the non-masking region and the wall surface 12C of the first film 12 standing on the peripheral edge of this portion. It will be generated. In the diamond film D in the non-masking region thus generated, a concave portion 2B is naturally formed on the surface 2A.

よって、従来のように、表面２Ａに凹部を形成するため、例えば、成膜したダイヤモンド膜の表面に選択的にマスキングを施し、この表面における非マスキング領域をエッチングにより削って凹部を形成するような煩雑な工程を得ることなく、ダイヤモンド膜に容易に凹部を形成することができる。また、ダイヤモンド膜にマスキング及びエッチングを施す必要がないことから、ダイヤモンド膜の表面におけるコンタミネーションが防止される。 Therefore, in order to form a recess in the surface 2A as in the prior art, for example, the surface of the formed diamond film is selectively masked, and the non-masking region on this surface is etched to form a recess. The concave portion can be easily formed in the diamond film without obtaining a complicated process. Further, since it is not necessary to mask and etch the diamond film, contamination on the surface of the diamond film is prevented.

また、ダイヤモンド膜Ｄの成膜時に、マスキング領域において、第２膜１３の表面１３Ａに僅かにダイヤモンド膜Ｄが載るが、この第２膜１３上のダイヤモンド膜Ｄと、非マスキング領域に生成されたダイヤモンド膜Ｄとは、第２膜１３の壁面１３Ｃにおいて互いに離間されていることから、前記ダイヤモンド膜Ｄ同士が連結してしまうことがない。従って、これらのダイヤモンド膜Ｄ同士が連結してしまい、所望のダイヤモンド膜Ｄの形状が得られなくなるようなことがない。また、第１膜１２及び第２膜１３を表面１Ａから取り除く際、第１膜１２及び第２膜１３がダイヤモンド膜Ｄに被覆されて除去できなくなったり、第１膜１２及び第２膜１３を除去した後に、ダイヤモンド膜Ｄの内部が中空に形成されてしまったりすることがない。よって、所望のダイヤモンド膜Ｄが精度よく確実に形成される。 Further, when the diamond film D is formed, the diamond film D is slightly placed on the surface 13A of the second film 13 in the masking region, but the diamond film D on the second film 13 and the non-masking region are generated. Since the diamond films D are separated from each other on the wall surface 13C of the second film 13, the diamond films D are not connected to each other. Therefore, the diamond films D are not connected to each other, and a desired diamond film D shape cannot be obtained. Further, when the first film 12 and the second film 13 are removed from the surface 1A, the first film 12 and the second film 13 are covered with the diamond film D and cannot be removed, or the first film 12 and the second film 13 are removed. After the removal, the inside of the diamond film D is not formed hollow. Therefore, the desired diamond film D can be formed accurately and reliably.

また、ダイヤモンド膜Ｄが成膜された後は、フッ酸により第１膜１２を取り除くことで、第１膜１２上に形成された第２膜１３及び不要なダイヤモンド膜Ｄも該第１膜１２と共に容易に除去できるので、ダイヤモンド膜Ｄの製造がより簡便に行える。 Further, after the diamond film D is formed, the first film 12 is removed by hydrofluoric acid, so that the second film 13 formed on the first film 12 and the unnecessary diamond film D are also formed in the first film 12. At the same time, the diamond film D can be easily manufactured.

また、基板１の表面１Ａに感光性樹脂膜１１を選択的に形成し、第１膜１２及び第２膜１３を成膜した後、感光性樹脂膜１１を除去することで第１膜１２及び第２膜１３を表面１Ａに選択的に形成することとしているので、該表面１Ａに対するマスキングが精度よく確実に行える。また、製造工程が簡便となる。 In addition, the photosensitive resin film 11 is selectively formed on the surface 1A of the substrate 1, the first film 12 and the second film 13 are formed, and then the photosensitive resin film 11 is removed to remove the first film 12 and Since the second film 13 is selectively formed on the surface 1A, the masking on the surface 1A can be performed accurately and reliably. Moreover, the manufacturing process is simplified.

また、本実施形態に係るＣＭＰパッドコンディショナー１０によれば、前述のダイヤモンド膜Ｄからなる切刃２を用いているので、ＣＭＰパッドに対する研削性能が高められる。すなわち、ダイヤモンド膜Ｄの表面２Ａに凹部２Ｂが形成されているので、該凹部２Ｂにより研磨用のスラリーの供給が効率よく行われ、切粉等の研削屑の排出性が高められて、ＣＭＰパッドに対する研削性能が向上する。 Further, according to the CMP pad conditioner 10 according to the present embodiment, since the cutting blade 2 made of the diamond film D is used, the grinding performance for the CMP pad can be improved. That is, since the recess 2B is formed on the surface 2A of the diamond film D, the polishing slurry can be efficiently supplied by the recess 2B, and the discharging performance of grinding debris such as chips can be improved. Grinding performance against is improved.

また、前記表面２Ａに凹部２Ｂを形成した際に、相対的に該表面２Ａから突出する凸部が形成されるような場合には、切れ味がより高められる。詳しくは、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）におけるダイヤモンド膜Ｄの上端外縁部、及び、図４（ｃ）における上端内縁部には、前記凸部が夫々形成されており、該凸部により研削性能がさらに向上する。 Moreover, when the convex part which protrudes relatively from this surface 2A is formed when the concave part 2B is formed in the said surface 2A, sharpness is improved more. Specifically, the convex portions are respectively formed on the outer edge of the upper end of the diamond film D in FIGS. 4A, 4B, and 4C, and the inner edge of the upper end in FIG. 4C. The grinding performance is further improved by the convex portion.

次に、本発明の第２の実施形態に係るダイヤモンド膜の選択的形成方法について説明する。
尚、前述の第１の実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。 Next, a method for selectively forming a diamond film according to the second embodiment of the present invention will be described.
In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same member as the above-mentioned 1st Embodiment, and the description is abbreviate | omitted.

まず、真空蒸着装置を用いて、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、母体である基板１の表面１Ａに、第１膜１２及び第２膜１３を順次蒸着し成膜する。
次いで、図５（ｃ）に示すように、第２膜１３の表面１３Ａに感光性樹脂膜１１を均一に塗布する。 First, as shown in FIGS. 5A and 5B, a first film 12 and a second film 13 are sequentially deposited on the surface 1A of the base substrate 1 by using a vacuum deposition apparatus.
Next, as shown in FIG. 5C, the photosensitive resin film 11 is uniformly applied to the surface 13 A of the second film 13.

次いで、図６（ｄ）に示すように、この感光性樹脂膜１１をパターニングする。詳しくは、感光性樹脂膜１１を、ダイヤモンド膜を成膜する部位以外の部分に対応して残すように、選択的に除去する。 Next, as shown in FIG. 6D, the photosensitive resin film 11 is patterned. Specifically, the photosensitive resin film 11 is selectively removed so as to remain corresponding to portions other than the portion where the diamond film is formed.

次いで、ドライエッチングを施し、第２膜１３において感光性樹脂膜１１に被覆されずに露出した部分、及び、前記部分に対応する第１膜１２の部分を取り除くとともに、図６（ｅ）に示すように、基板１の表面１Ａにおいてダイヤモンド膜を成膜させる部分を露出させる。尚、このドライエッチングとしては、リアクティブイオンエッチングを用いることが好ましい。 Next, dry etching is performed to remove the exposed portion of the second film 13 that is not covered with the photosensitive resin film 11 and the portion of the first film 12 corresponding to the portion, as shown in FIG. As described above, the portion where the diamond film is formed on the surface 1A of the substrate 1 is exposed. Note that reactive ion etching is preferably used as this dry etching.

このような工程を経て、第１膜１２、第２膜１３及び感光性樹脂膜１１が、基板１の表面１Ａに選択的に形成される（マスキング工程）。つまり、基板１の表面１Ａには、第１膜１２、第２膜１３及び感光性樹脂膜１１に被覆されたマスキング領域と、第１膜１２、第２膜１３及び感光性樹脂膜１１に被覆されずに露出した非マスキング領域とが夫々形成される。
次に、有機溶剤による洗浄を行い、残存した感光性樹脂膜１１を表面１３Ａから取り除く。すなわち、アセトン、メタノール等の薬品を用い、有機洗浄により、マスキング領域に残された感光性樹脂膜１１を第２膜１３上から除去する。 Through such steps, the first film 12, the second film 13, and the photosensitive resin film 11 are selectively formed on the surface 1A of the substrate 1 (masking step). That is, on the surface 1A of the substrate 1, the masking region covered with the first film 12, the second film 13, and the photosensitive resin film 11, and the first film 12, the second film 13, and the photosensitive resin film 11 are covered. A non-masking region exposed without being formed is formed.
Next, cleaning with an organic solvent is performed to remove the remaining photosensitive resin film 11 from the surface 13A. That is, the photosensitive resin film 11 left in the masking region is removed from the second film 13 by organic cleaning using chemicals such as acetone and methanol.

次いで、図６（ｆ）に示すように、ダイヤモンド成膜装置を用い、ＣＶＤ法により、前記非マスキング領域における表面１Ａの部分と、この部分の周縁部に立設する第１膜１２の壁面１２Ｃとにダイヤモンド膜Ｄを生成させる。前記非マスキング領域において、このように、表面１Ａの前記部分と壁面１２Ｃとにダイヤモンド膜Ｄを夫々生成させていくと、このダイヤモンド膜Ｄの基板１側とは反対側を向く表面２Ａに凹部２Ｂが形成される。
尚、前述の、残存した感光性樹脂膜１１を有機洗浄により表面１３Ａから除去する手法の代わりに、このダイヤモンド膜Ｄの成膜時に、前記感光性樹脂膜１１を蒸散により表面１３Ａから除去することとしても構わない。すなわち、ダイヤモンド膜Ｄの成膜時には、基板１が加熱され、例えば、８００℃程度にまで温度上昇するので、この加熱に伴って前記感光性樹脂膜１１を蒸散させるとともに、第２膜１３上から取り除くようにしても構わない。 Next, as shown in FIG. 6F, a diamond film forming apparatus is used and a CVD method is used to form a portion of the surface 1A in the non-masking region and a wall surface 12C of the first film 12 standing on the peripheral portion of this portion. And a diamond film D is formed. In the non-masking region, when the diamond film D is formed on the portion of the surface 1A and the wall surface 12C in this way, the concave portion 2B is formed on the surface 2A of the diamond film D facing the substrate 1 side. Is formed.
In place of the above-described method of removing the remaining photosensitive resin film 11 from the surface 13A by organic cleaning, the photosensitive resin film 11 is removed from the surface 13A by evaporation during the formation of the diamond film D. It does not matter. That is, when the diamond film D is formed, the substrate 1 is heated, for example, the temperature rises to about 800 ° C., and the photosensitive resin film 11 evaporates along with this heating, and from above the second film 13. It may be removed.

次いで、図６（ｇ）に示すように、フッ酸を用いて、基板１の表面１Ａから第１膜１２を取り除くとともに、該第１膜１２上に配された第２膜１３及び不要なダイヤモンド膜Ｄを除去する。
このように、基板１の表面１Ａに、凹部２Ｂを有するダイヤモンド膜Ｄが選択的に複数形成され、これらのダイヤモンド膜Ｄが、ＣＭＰパッドコンディショナー１０の切刃２に用いられる。 Next, as shown in FIG. 6G, the first film 12 is removed from the surface 1A of the substrate 1 using hydrofluoric acid, and the second film 13 and unnecessary diamond disposed on the first film 12 are removed. Film D is removed.
As described above, a plurality of diamond films D having the recesses 2 B are selectively formed on the surface 1 A of the substrate 1, and these diamond films D are used for the cutting blade 2 of the CMP pad conditioner 10.

以上説明したように、本実施形態に係るダイヤモンド膜Ｄの選択的形成方法によれば、比較的容易に、かつ、確実に、基板１の表面１Ａに第１膜１２及び第２膜１３を選択的に形成して、該表面１Ａを、非マスキング領域を有しつつ第１膜１２及び第２膜１３によりマスキングすることができる。従って、この表面１Ａに、凹部２Ｂを有するダイヤモンド膜Ｄを簡便に精度よく形成できる。 As described above, according to the method for selectively forming the diamond film D according to the present embodiment, the first film 12 and the second film 13 are selected on the surface 1A of the substrate 1 relatively easily and reliably. Thus, the surface 1A can be masked by the first film 12 and the second film 13 while having a non-masking region. Therefore, the diamond film D having the recesses 2B can be easily and accurately formed on the surface 1A.

尚、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、前述の実施形態では、凹部２Ｂを有するダイヤモンド膜ＤをＣＭＰパッドコンディショナー１０の切刃２に用いることとして説明したが、ダイヤモンド膜Ｄを、それ以外の電子デバイスや工具等に形成し用いることとしてもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the diamond film D having the recess 2B has been described as being used for the cutting blade 2 of the CMP pad conditioner 10, but the diamond film D is formed and used for other electronic devices, tools, and the like. It is good.

また、前述の実施形態では、ＳｉＣからなる基板１を母体として、基板１上にダイヤモンド膜Ｄを成膜することとしたが、この母体として、ＳｉＣ以外の炭化タングステン（ＷＣ）や窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）又はそれ以外の化合物や金属等を用いても構わない。 In the embodiment described above, the substrate 1 made of SiC is used as a base material, and the diamond film D is formed on the substrate 1. As this base material, tungsten carbide (WC) other than SiC or silicon nitride (Si ₃ N ₄ ) or other compounds or metals may be used.

また、第１膜１２にＳｉＯ_２を用い、第２膜１３にＡｌ_２Ｏ_３を用いることとして説明したが、これらに限定されるものではない。すなわち、第１膜１２は、薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜Ｄの生成を助長する性質の材料であればよく、ＳｉＯ_２以外の白金（Ｐｔ）等であってもよい。また、第２膜１３は、ダイヤモンド膜Ｄの生成を阻止する性質の材料であればよく、Ａｌ_２Ｏ_３以外の酸化アルミ（ＡｌＯ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、チタン（Ｔｉ）等であってもよい。尚、第２の実施形態の第２膜１３にＡｌＯを用いる場合、図６（ｄ）において非マスキング領域に配された第２膜１３の部分を、熱リン酸により選択的に取り除くこととしてもよい。 Further, the SiO ₂ used in the first film 12 has been described as the use of _Al 2 _{O 3} in the second layer 13, but is not limited thereto. That is, the first film 12 may be a material that can be removed by a chemical solution and has a property of promoting the formation of the diamond film D, and may be platinum (Pt) other than SiO ₂ . The second film 13 may be any material that prevents the formation of the diamond film D, such as aluminum oxide (AlO) other than Al ₂ O ₃ , strontium titanate (SrTiO ₃ ), titanium (Ti), and the like. There may be. When AlO is used for the second film 13 of the second embodiment, the portion of the second film 13 arranged in the non-masking region in FIG. 6D may be selectively removed with hot phosphoric acid. Good.

また、第１膜１２を除去可能な薬液として、フッ酸を用いることとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、薬液として、フッ酸以外のフッ素系薬品、例えば、バッファードフッ酸等を用いても構わない。
また、感光性樹脂膜１１、第１膜１２、第２膜１３及びダイヤモンド膜Ｄの各膜厚は、前述の実施形態において説明した数値に限定されるものではない。 Further, although hydrofluoric acid is used as the chemical solution that can remove the first film 12, the present invention is not limited to this. That is, a fluorine-based chemical other than hydrofluoric acid, such as buffered hydrofluoric acid, may be used as the chemical solution.
Further, the film thicknesses of the photosensitive resin film 11, the first film 12, the second film 13, and the diamond film D are not limited to the numerical values described in the above embodiments.

また、第２の実施形態では、第２膜１３において感光性樹脂膜１１に被覆されずに露出した部分、及び、前記部分に対応する第１膜１２の部分をドライエッチングにより取り除くこととしたが、これに限らず、ウェットエッチングにより取り除くこととしても構わない。 In the second embodiment, the portion of the second film 13 exposed without being covered with the photosensitive resin film 11 and the portion of the first film 12 corresponding to the portion are removed by dry etching. Not limited to this, it may be removed by wet etching.

１基板（母体）
１Ａ基板の表面
２切刃（ダイヤモンド膜）
２Ａ切刃の表面
２Ｂ凹部
１０ＣＭＰパッドコンディショナー
１１感光性樹脂膜
１２第１膜
１２Ｃ第１膜の壁面
１３第２膜
Ｄダイヤモンド膜
Ｔａ感光性樹脂膜の膜厚
Ｔｂ第１膜及び第２膜の膜厚の和 1 Substrate (matrix)
1A Substrate surface 2 Cutting edge (diamond film)
2A Surface of cutting edge 2B Recess 10 CMP pad conditioner 11 Photosensitive resin film 12 First film 12C Wall surface of first film 13 Second film D Diamond film Ta Film thickness of photosensitive resin film Tb First film and second film Sum of film thickness

Claims

A first film that can be removed by a chemical solution on the surface of the mother body and that promotes the formation of a diamond film, and a second film that is disposed on the first film and prevents the formation of the diamond film And selectively masking the surface with the first and second films while having a non-masking region;
By CVD, a diamond film is formed on the surface portion in the non-masking region and the wall surface of the first film standing on the periphery of the portion, and the side opposite to the base side of the diamond film is formed. Forming a recess on the facing surface;
Removing the second film together with the first film from the surface of the mother body with the chemical solution.

A method of selectively forming a diamond film according to claim 1,
The masking step selectively forms on the surface of the base material a photosensitive resin film set to be thicker than the sum of the thicknesses of the first film and the second film,
The first and second films are sequentially formed on the photosensitive resin film and the exposed surface portion,
A method for selectively forming a diamond film, wherein the first and second films are selectively formed on a surface of the mother body by removing the photosensitive resin film from the surface of the mother body.

A method of selectively forming a diamond film according to claim 1,
In the masking step, the first and second films are sequentially formed on the surface of the mother body,
A photosensitive resin film is selectively formed on the second film,
Etching the exposed portion of the second film and the portion of the first film corresponding to this portion to selectively form the first and second films on the surface of the matrix A method for selectively forming a film.

A CMP pad conditioner that uses a plurality of cutting blades formed on a substrate to grind a CMP pad disposed opposite to the substrate,
A CMP pad conditioner using the diamond film formed by the method for selectively forming a diamond film according to claim 1 as the cutting edge.