JP5098065B2 - Al系超伝導フォトン検出器の製造方法、Al系超伝導フォトン検出器 - Google Patents
Al系超伝導フォトン検出器の製造方法、Al系超伝導フォトン検出器 Download PDFInfo
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Description
2、102 サファイア基板
4、104 STJ素子
10、110 下部超伝導Al層
12、112 絶縁層
14、114 上部超伝導Al層
16、116 保護膜16
18、118 上部配線
20、120 下部配線
30 エッチング装置
32 チャンバー
34 平板電極
35 高周波電源
36 ガス導入配管
38 排気配管
40 電磁コイル
Claims (7)
- 超伝導フォトン検出器用の基板に、超伝導材料としてAl薄膜を積層する工程と、
前記Al薄膜上に、レジスト処理によるマスクを形成する工程と、
前記基板及び前記Al薄膜をチャンバー内に収容して、エッチング用ガスであるCF4を導入する工程と、
前記エッチング用ガスの圧力が10Pa以下の状態で、プラズマ発生手段によって前記チャンバー内にプラズマを発生させる工程と、
プラズマ高密度化手段によって、前記チャンバー内の前記プラズマの密度を向上させる工程と、
密度が向上された前記プラズマを用いて、前記Al薄膜をエッチングする工程と、
を有することを特徴とするAl系超伝導フォトン検出器の製造方法。 - 前記Al薄膜の厚みが、100nmから300nmであることを特徴とする請求項1記載のAl系超伝導フォトン検出器の製造方法。
- 前記プラズマ高密度化手段によって、プラズマ密度を1011cm−3以上且つ1013cm−3以下に設定することを特徴とする請求項1または2記載のAl系超伝導フォトン検出器の製造方法。
- 前記プラズマ高密度化手段によって磁場を発生させ、該磁場によって前記プラズマ密度を向上させることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載のAl系超伝導フォトン検出器の製造方法。
- エッチング時に前記Al薄膜にバイアス電圧を印加することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載のAl系超伝導フォトン検出器の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に積層される第1Al薄膜層と、
前記第1Al薄膜層上に積層される第2Al薄膜層と、
前記第1Al薄膜層と第2Al薄膜層の間に介在する絶縁層と、
を備えるAl系超伝導フォトン検出器であって、
前記第1又は第2Al薄膜が、請求項1乃至5のいずれか記載の前記製造方法によってエッチングされていることを特徴とするAl系超伝導フォトン検出器。 - 前記第1及び第2Al薄膜層が正規分布形状となっていることを特徴とする請求項6記載のAl系超伝導フォトン検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005252043A JP5098065B2 (ja) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | Al系超伝導フォトン検出器の製造方法、Al系超伝導フォトン検出器 |
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JP2007067210A JP2007067210A (ja) | 2007-03-15 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5098065B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2612282B2 (ja) * | 1987-11-06 | 1997-05-21 | 新日本製鐵株式会社 | 光センサー |
JPH07240533A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Fujitsu Ltd | 放射線検出装置 |
JP3353517B2 (ja) * | 1995-01-24 | 2002-12-03 | ソニー株式会社 | Al系金属層のプラズマエッチング方法 |
JP3459983B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2003-10-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 超伝導トンネル接合検出器 |
JP3740107B2 (ja) * | 2002-09-19 | 2006-02-01 | 独立行政法人理化学研究所 | 超伝導トンネル接合素子 |
JP4224374B2 (ja) * | 2002-12-18 | 2009-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置の処理方法およびプラズマ処理方法 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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