JP5091198B2 - 集積光デバイス - Google Patents
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- 酸化シリコンからなる下部クラッド層の上に形成されたシリコンからなるスラブ層および第1コアと、
この第1コアの一部を挟んで前記スラブ層に形成されたp型半導体領域およびn型半導体領域を備える光変調部と、
前記第1コアの一端に設けられた光強度検出部と、
この光強度検出部を囲って前記スラブ層に形成された前記下部クラッド層に達する溝部と、
前記第1コアの前記溝部で分離された間に配置され、前記溝部による前記第1コアの2つの端部の各々に接続して互いに離間する第2コアおよび第3コアと、
前記第2コアおよび前記第3コアの間を中心として一部の前記第2コアおよび一部の前記第3コアを覆うスポットサイズ変換部コアと、
少なくとも前記スラブ層の上に形成された上部クラッド層と
を少なくとも備え、
前記第2コアおよび前記第3コアは、前記スポットサイズ変換部コアに覆われた領域で、前記第2コアおよび前記第3コアの間の間隙に向かって先細りに形成され、
前記スポットサイズ変換部コアおよび前記上部クラッド層は絶縁材料から構成されていることを特徴とする集積光デバイス。 - 請求項1記載の集積光デバイスにおいて、
前記上部クラッド層は、前記溝部を充填して形成されていることを特徴とする集積光デバイス。 - 請求項1記載の集積光デバイスにおいて、
前記溝部は、酸化シリコン,窒化シリコン,および酸窒化シリコンの中より選択された材料で充填されていることを特徴とする集積光デバイス。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の集積光デバイスにおいて、
前記第2コアおよび前記第3コアの先端部の幅は、前記第1コアよりなる導波路を導波する光の波長の1/4よりも小さいことを特徴とする集積光デバイス。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の集積光デバイスにおいて、
前記第1コア,第2コア,および第3コアの高さおよび幅は、所望とする光をシリコン中に伝搬させた時の波長の1.2倍より小さいことを特徴とする集積光デバイス。
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