JP5089426B2 - Alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition and metal base circuit board using the same - Google Patents

Alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition and metal base circuit board using the same Download PDF

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Description

本発明は、アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いた金属ベース回路基板に関する。   The present invention relates to an alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition and a metal base circuit board using the same.

従来から、液晶表示装置は、様々の分野で使用されており、特にパーソナルコンピューターやテレビ等の電子産業分野では数多く使用されてきた。これらの液晶表示装置のなかで、特に直下型のバックライトシステムを採用しているものは、液晶パネルの背面にバックライトを配置しており、該バックライトは光源からの出射光を導光板に入射させ、その伝播した光を導光板の表面側からプリズムシート等を介して出射させることによって、液晶パネルの背面を全体的に照射するようにしている。バックライトの光源としては、CFL(冷陰極管)といわれる小型の蛍光管や発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)を使用したものが多い。以下、発光ダイオード(LED)はLEDと記す。しかし、近年環境面への配慮から、水銀を使用しているCFLに替わってLEDを光源としたバックライトが広がりつつある。   Conventionally, liquid crystal display devices have been used in various fields, and in particular, have been used in many fields in the electronic industry such as personal computers and televisions. Among these liquid crystal display devices, particularly those that employ a direct type backlight system, a backlight is disposed on the back of the liquid crystal panel, and the backlight uses the light emitted from the light source as a light guide plate. Incident light is transmitted, and the propagated light is emitted from the front surface side of the light guide plate through a prism sheet or the like, so that the entire back surface of the liquid crystal panel is irradiated. As a light source of the backlight, a small fluorescent tube called a CFL (cold cathode tube) or a light emitting diode (LED) is often used. Hereinafter, the light emitting diode (LED) is referred to as LED. However, in recent years, due to environmental considerations, backlights using LEDs as light sources are spreading instead of CFLs using mercury.

加えて、テレビ向けの液晶表示装置のさらなる大面積化が望まれており、このためには大光量が必要である。従って、可能な限り多くの光量を液晶部分に供給する必要がある。このため、バックライトから供給する光量を最大化するためには、LEDからの出射光のみならず反射光を有効利用する必要がある。反射光を有効利用するためには、光反射シートを用いることが一般的である。   In addition, it is desired to further increase the area of a liquid crystal display device for television, and for this purpose, a large amount of light is required. Therefore, it is necessary to supply as much light as possible to the liquid crystal part. For this reason, in order to maximize the amount of light supplied from the backlight, it is necessary to effectively use not only the emitted light from the LED but also the reflected light. In order to effectively use the reflected light, it is common to use a light reflecting sheet.

従来、光源としてLEDを用いた直下型バックライト用の光反射シートの使用法としてはプリント回路基板上にLEDパッケージを実装し、さらに、該プリント回路基板上に光反射シートを貼り付けていた。このように、プリント回路基板と光反射シートは別々の物とされていた(特許文献1)。   Conventionally, as a method of using a light reflection sheet for a direct type backlight using LEDs as a light source, an LED package is mounted on a printed circuit board, and a light reflection sheet is pasted on the printed circuit board. As described above, the printed circuit board and the light reflecting sheet are different from each other (Patent Document 1).

また従来のソルダーレジスト膜を有するプリント配線板は、LEDの光の利用効率を上げるための光反射シート代替までには至っていない(特許文献2〜9)。   Moreover, the conventional printed wiring board which has a soldering resist film has not reached the substitute of the light reflection sheet for raising the utilization efficiency of the light of LED (patent documents 2-9).

特開2006−310014号公報JP 2006-310014 A 特公平1−54390号公報Japanese Patent Publication No. 1-54390 特公平7−17737号公報Japanese Patent Publication No. 7-17737 特開平9−183920号公報JP-A-9-183920 特開2005−108896号公報JP 2005-108896 A 特開2005−311233号公報JP 2005-31233 A 特開2006−96962号公報JP 2006-96962 A 特開2007−101830号公報JP 2007-101830 A 特開2007−322546号公報JP 2007-322546 A

しかしながら、従来、直下型バックライト用のLEDパッケージ実装用プリント回路基板には、光反射機能がないため、バックライト用のプリント回路基板として使用する場合は、LEDパッケージ実装後に光反射シートを貼り付ける必要があった。このため、製造時の工数及び必要部材の増加により、製造プロセス上取り扱いが煩雑になり、不便であるという問題があった。   However, conventionally, a printed circuit board for mounting an LED package for a direct type backlight does not have a light reflecting function. Therefore, when used as a printed circuit board for a backlight, a light reflecting sheet is pasted after mounting the LED package. There was a need. For this reason, there has been a problem that the number of man-hours and necessary members at the time of manufacture are complicated and handling is complicated in the manufacturing process, which is inconvenient.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、光反射率の高い白色の塗膜を安定して製造可能なアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いたまったく新しい金属ベース回路基板の提供を目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition capable of stably producing a white coating film having a high light reflectance, and at all using the same. The purpose is to provide a new metal-based circuit board.

本発明によれば、(A)有機混合物と、(B)無機混合物と、(C)溶剤と、を含むアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物であって、
上述の(A)有機混合物が、
(A−1)カルボキシル基および(メタ)アクリロイル基含有ポリマーと、
(A−2)アクリル系化合物と、
(A−3)光重合開始剤と、
(A−4)エポキシ化合物と、
を含有し、
上述の(B)無機混合物が、
(B−1)屈折率1.4〜2.5かつ平均粒子長径1.0〜20μmの第1の無機物質と、
(B−2)屈折率2.5〜3.0かつ平均粒子長径0.1〜0.5μmの第2の無機物質と、
を含有し、
(A)/(B)の体積%比が、70/30〜30/70であり、
(B−1)/(B−2)の体積%比が、5/95〜80/20であり、
(B)/((A)+(B)+(C))の体積%比が、20/100〜50/100であり、
上述の(A−2)アクリル系化合物の配合量は、(A−1)中の(メタ)アクリロイル基1mol当量に対して、(A−2)中のアクリロイル基が、0.2〜5.0mol当量となるように配合されており、
上述の(A−3)光重合開始剤の配合量は、((A−1)+(A−2))中の(メタ)アクリロイル基1mol当量に対して、(A−3)光重合開始剤が、0.1〜5.0mol当量となるよう配合されており、
上述の(A−4)エポキシ化合物の配合量は、((A−1)+(A−2))中の(カルボキシル基+水酸基)1mol当量に対して、(A−4)中のエポキシ基0.5〜3.0mol当量となるよう配合されている、
アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物が提供される。
According to the present invention, there is provided an alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition comprising (A) an organic mixture, (B) an inorganic mixture, and (C) a solvent,
The above-mentioned (A) organic mixture is
(A-1) a carboxyl group and a (meth) acryloyl group-containing polymer;
(A-2) an acrylic compound;
(A-3) a photopolymerization initiator;
(A-4) an epoxy compound;
Containing
The above-mentioned (B) inorganic mixture is
(B-1) a first inorganic substance having a refractive index of 1.4 to 2.5 and an average particle major axis of 1.0 to 20 μm;
(B-2) a second inorganic substance having a refractive index of 2.5 to 3.0 and an average particle length of 0.1 to 0.5 μm;
Containing
(A) / (B) volume% ratio is 70 / 30-30 / 70,
The volume percentage ratio of (B-1) / (B-2) is 5 / 95-80 / 20,
The volume% ratio of (B) / ((A) + (B) + (C)) is 20/100 to 50/100,
The blending amount of the above-mentioned (A-2) acrylic compound is such that the acryloyl group in (A-2) is 0.2 to 5 with respect to 1 mol equivalent of the (meth) acryloyl group in (A-1). It is formulated to be 0 mol equivalent,
The blending amount of the above (A-3) photopolymerization initiator is (A-3) photopolymerization start relative to 1 mol equivalent of (meth) acryloyl group in ((A-1) + (A-2)). The agent is blended to be 0.1 to 5.0 mol equivalent,
The compounding quantity of the above-mentioned (A-4) epoxy compound is the epoxy group in (A-4) with respect to 1 mol equivalent of (carboxyl group + hydroxyl group) in ((A-1) + (A-2)). Formulated to be 0.5-3.0 mol equivalent,
An alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition is provided.

このような配合組成によれば、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができるアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物が得られる。そのため、このソルダーレジスト組成物を用いれば、LEDの光の利用効率を上げるための光反射シートに代替し得る、光反射率の高いソルダーレジスト膜を備えるバックライト用のプリント回路基板を製造安定性よく作製することが可能になる。   According to such a composition, an alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition capable of forming a coating film having high light reflectance with good production stability can be obtained. Therefore, if this solder resist composition is used, a printed circuit board for a backlight including a solder resist film having a high light reflectance, which can be substituted for a light reflecting sheet for increasing the light utilization efficiency of LED, is manufactured. It becomes possible to produce well.

また、本発明によれば、金属箔と、金属箔上に設けられている絶縁層と、絶縁層上に設けられている回路と、上述のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて絶縁層および回路上に設けられている白色膜と、を備える金属ベース回路基板が提供される。   Further, according to the present invention, a metal foil, an insulating layer provided on the metal foil, a circuit provided on the insulating layer, and the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition described above There is provided a metal base circuit board comprising an insulating layer and a white film provided on a circuit using an object.

このような回路基板は、光反射シートを貼り付けなくても、金属ベース回路基板のみで反射光を有効利用することができるため、製造工程の簡易化や必要部材の削減等により生産性の向上等を図ることができる。   Such a circuit board can effectively use reflected light only with a metal-based circuit board without attaching a light reflecting sheet, thereby improving productivity by simplifying the manufacturing process and reducing necessary components. Etc. can be achieved.

本発明によれば、ソルダーレジスト組成物の組成を上述の配合とすることにより、光反射率の高い白色のソルダーレジスト塗膜を製造安定性よく形成することができ、そのためLED実装後に光反射シートを貼り付けなくても、金属ベース回路基板のみで反射光を有効利用することができる。   According to the present invention, by setting the composition of the solder resist composition as described above, a white solder resist coating film having a high light reflectance can be formed with good production stability. Even if it is not attached, the reflected light can be effectively used only by the metal base circuit board.

<用語の説明>
本明細書において、アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物とは、フォトマスク等によるマスキングによる非露光部分をアルカリ水溶液で取り除き、その後熱および/または光により硬化させてソルダーレジスト膜を形成することができる、アルカリ現像が可能であって、かつ、光硬化および/または熱硬化が可能なソルダーレジスト組成物を意味する。
<Explanation of terms>
In the present specification, the alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition is a solder resist film in which a non-exposed portion by masking with a photomask or the like is removed with an alkaline aqueous solution and then cured with heat and / or light. Means a solder resist composition capable of alkali development and capable of photocuring and / or heat curing.

本明細書において、ソルダーレジスト組成物とは、回路基板等の半田付けを行う時に、半田付けが不要な部分を保護するためのコーティング材を意味する。   In this specification, a solder resist composition means a coating material for protecting a portion that does not require soldering when soldering a circuit board or the like.

本明細書において、(メタ)アクリロイルとは、メタアクリロイルとアクリロイルの総称である。   In this specification, (meth) acryloyl is a general term for methacryloyl and acryloyl.

本明細書において、「〜」なる記載は、定義される範囲の下限及び上限の数値も含み、「下限数値以上であって上限数値以下」の範囲を意味する。   In the present specification, the description “to” includes numerical values of the lower limit and the upper limit of the defined range, and means a range of “more than the lower limit value and less than the upper limit value”.

本明細書において、分子量とは、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー(以下、GPCという)等で測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量を意味する。   In the present specification, the molecular weight means a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (hereinafter referred to as GPC) or the like.

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

<ソルダーレジスト組成物> <Solder resist composition>

本実施形態に係るアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、(A)有機混合物と、(B)無機混合物と、(C)溶剤と、を含む。   The alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition according to the present embodiment includes (A) an organic mixture, (B) an inorganic mixture, and (C) a solvent.

ここで、上述の(A)有機混合物は、(A−1)カルボキシル基および(メタ)アクリロイル基含有ポリマーと、(A−2)アクリル系化合物と、(A−3)光重合開始剤と、(A−4)エポキシ化合物と、を含有する。   Here, the above-mentioned (A) organic mixture comprises (A-1) a carboxyl group and (meth) acryloyl group-containing polymer, (A-2) an acrylic compound, (A-3) a photopolymerization initiator, (A-4) an epoxy compound.

また、上述の(B)無機混合物は、(B−1)屈折率1.4〜2.5かつ平均粒子長径1.0〜20μmの第1の無機物質と、(B−2)屈折率2.5〜3.0かつ平均粒子長径0.1〜0.5μmの第2の無機物質と、を含有する。   The above-mentioned (B) inorganic mixture includes (B-1) a first inorganic substance having a refractive index of 1.4 to 2.5 and an average particle major axis of 1.0 to 20 μm, and (B-2) a refractive index of 2. And a second inorganic substance having an average particle length of 0.1 to 0.5 μm.

また、上述の(A)〜(C)の配合組成については、(A)/(B)の体積%比が、70/30〜30/70であり、(B−1)/(B−2)の体積%比が、5/95〜80/20であり、(B)/((A)+(B)+(C))の体積%比が、20/100〜50/100である。   Moreover, about the compounding composition of the above-mentioned (A)-(C), the volume% ratio of (A) / (B) is 70 / 30-30 / 70, (B-1) / (B-2) ) Is 5/95 to 80/20, and (B) / ((A) + (B) + (C)) is 20/100 to 50/100.

さらに、上述の(A−2)アクリル系化合物の配合量は、(A−1)中の(メタ)アクリロイル基1mol当量に対して、(A−2)中のアクリロイル基が、0.2〜5.0mol当量となるように配合されている。   Furthermore, the blending amount of the above-described (A-2) acrylic compound is such that the acryloyl group in (A-2) is 0.2 to 1 mol equivalent of (meth) acryloyl group in (A-1). It is mix | blended so that it may become 5.0 mol equivalent.

そして、上述の(A−3)光重合開始剤の配合量は、((A−1)+(A−2))中の(メタ)アクリロイル基1mol当量に対して、(A−3)光重合開始剤が、0.1〜5.0mol当量となるよう配合されている。   And the compounding quantity of the above-mentioned (A-3) photoinitiator is (A-3) light with respect to 1 mol equivalent of the (meth) acryloyl group in ((A-1) + (A-2)). The polymerization initiator is blended so as to be 0.1 to 5.0 mol equivalent.

また、上述の(A−4)エポキシ化合物の配合量は、((A−1)+(A−2))中の(カルボキシル基+水酸基)1mol当量に対して、(A−4)中のエポキシ基0.5〜3.0mol当量となるよう配合されている。   Moreover, the compounding quantity of the above-mentioned (A-4) epoxy compound is (A-4) in (A-4) with respect to 1 mol equivalent of (carboxyl group + hydroxyl group) in ((A-1) + (A-2)). It mix | blends so that it may become 0.5-3.0 mol equivalent of epoxy groups.

本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、このような配合組成を採っているため、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができる。そのため、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いれば、LEDの光の利用効率を上げるための光反射シートに代替し得る、光反射率の高いソルダーレジスト膜を備えるバックライト用のプリント回路基板を製造安定性よく作製することが可能になる。   Since the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment adopts such a composition, a coating film having a high light reflectance can be formed with good production stability. Therefore, if the alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment is used, it can be replaced with a light reflecting sheet for increasing the light utilization efficiency of the LED, and the solder resist film having a high light reflectance. A printed circuit board for a backlight including the above can be manufactured with high manufacturing stability.

<(A)有機混合物>
本実施形態に用いる(A)有機混合物は、(A−1)カルボキシル基および(メタ)アクリロイル基含有ポリマーと、(A−2)アクリル系化合物と、(A−3)光重合開始剤と、(A−4)エポキシ化合物と、を含有する。このように、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、4種類の有機化合物をバランスよく配合した有機混合物を用いているため、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができる。
<(A) Organic mixture>
The (A) organic mixture used in the present embodiment includes (A-1) a carboxyl group and (meth) acryloyl group-containing polymer, (A-2) an acrylic compound, (A-3) a photopolymerization initiator, (A-4) an epoxy compound. Thus, since the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment uses an organic mixture in which four kinds of organic compounds are blended in a well-balanced manner, a coating film with high light reflectance is used. It can be formed with good production stability.

また、本実施形態に用いる(A)有機混合物は、(A−1)〜(A−4)に加えて、さらに(A−5)アミン類および/または酸無水物を併用することもできる。(A−5)アミン類および/または酸無水物を併用すると、硬化が促進されより好ましい。   In addition to (A-1) to (A-4), the (A) organic mixture used in the present embodiment may further contain (A-5) amines and / or acid anhydrides. (A-5) When amines and / or acid anhydrides are used in combination, curing is promoted, which is more preferable.

<(A−1)カルボキシル基および(メタ)アクリロイル基含有ポリマー>
(A−1)カルボキシル基および(メタ)アクリロイル基含有ポリマーは、特に限定されず、カルボキシル基および(メタ)アクリロイル基を分子中に有するポリマーを意味する。
<(A-1) carboxyl group and (meth) acryloyl group-containing polymer>
The (A-1) carboxyl group and (meth) acryloyl group-containing polymer is not particularly limited, and means a polymer having a carboxyl group and a (meth) acryloyl group in the molecule.

(A−1)カルボキシル基および(メタ)アクリロイル基含有ポリマーとしては、例えば、新中村化学工業(株)製のエポキシアクリレート、製品名NKオリゴ FA−7440/PGMAc、ダイセル・サイテック(株)製の酸基含有アクリレート、製品名CYCLOMER(ACA200M、ACA230AA、ACAZ250、ACAZ251、ACAZ300、ACAZ320)等を挙げることができる。なおこれらは(C)溶剤との混合物になっており、好ましくは芳香族環を含まないダイセル・サイテック(株)製、製品名CYCLOMERがよい。これらのカルボキシル基および(メタ)アクリロイル基含有ポリマーは単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the (A-1) carboxyl group- and (meth) acryloyl group-containing polymer include epoxy acrylate manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., product name NK Oligo FA-7440 / PGMAc, manufactured by Daicel-Cytec Corporation. Acid group-containing acrylates, product names CYCLOMER (ACA200M, ACA230AA, ACAZ250, ACAZ251, ACAZ300, ACAZ320) and the like can be mentioned. In addition, these are a mixture with (C) solvent, Preferably the product name CYCLOMER by Daicel Cytec Co., Ltd. which does not contain an aromatic ring is good. These carboxyl group and (meth) acryloyl group-containing polymers can be used alone or in combination of two or more.

(A−1)カルボキシル基および(メタ)アクリロイル基含有ポリマーは、その樹脂酸価が30〜150mgKOH/gの範囲にあることが好ましい。樹脂酸価が30mgKOH/g以上の場合、弱アルカリ水溶液での未露光部分の除去が容易である。また、樹脂酸価が150mgKOH/g以下であれば、硬化被膜の耐水性、電気特性等が向上される。   The (A-1) carboxyl group and (meth) acryloyl group-containing polymer preferably has a resin acid value in the range of 30 to 150 mgKOH / g. When the resin acid value is 30 mgKOH / g or more, it is easy to remove the unexposed portion with a weak alkaline aqueous solution. Moreover, if the resin acid value is 150 mgKOH / g or less, the water resistance, electrical characteristics, etc. of the cured coating are improved.

また、(A−1)カルボキシル基および(メタ)アクリロイル基含有ポリマーの重量平均分子量は、5,000〜100,000の範囲にあることが好ましい。重量平均分子量が5,000以上であれば、指触乾燥性が良好である。また、重量平均分子量が100,000以下であれば、現像性、貯蔵安定性が向上される。   The weight average molecular weight of the (A-1) carboxyl group- and (meth) acryloyl group-containing polymer is preferably in the range of 5,000 to 100,000. If the weight average molecular weight is 5,000 or more, the dryness to touch is good. Moreover, if a weight average molecular weight is 100,000 or less, developability and storage stability will be improved.

<(A−2)アクリル系化合物>
(A−2)アクリル系化合物は、特に限定されず、アクリル化合物及び/又はメタアクリル化合物を意味する。
<(A-2) Acrylic compound>
(A-2) The acrylic compound is not particularly limited, and means an acrylic compound and / or a methacrylic compound.

(A−2)アクリル系化合物としては、例えば、エチレングリコール、メトキシテトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールなどのグリコールのモノ又はジアクリレート類;ヘキサンジオール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリス−ヒドロキシエチルイソシアヌレートなどの多価アルコール又はこれらのエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイド付加物の多価アクリレート類;2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシブチルアクリレートなどのヒドロキシアルキルアクリレート類;N,N−ジメチルアクリルアミド、N−メチロールアクリルアミドなどのアクリルアミド類;N,N−ジメチルアミノエチルアクリレートなどのアミノアルキルアクリレート類;フェノキシアクリレート、ビスフェノールAジアクリレート及び、これらのフェノール類のエチレンオキサイドあるいはプロピレンオキサイド付加物などのアクリレート類;グルセリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルなどのグリシジルエーテルのアクリレート類;メラミンアクリレート;及び/又は上記アクリレート類に対応するメタクリレート類、トリシクロデシルメタクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールグリシジルエーテルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステルのアクリル酸変性物等を挙げることができる。これらのアクリル系化合物は単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   (A-2) Examples of acrylic compounds include mono- or diacrylates of glycols such as ethylene glycol, methoxytetraethylene glycol, polyethylene glycol, and propylene glycol; hexanediol, trimethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol, Polyhydric alcohols such as tris-hydroxyethyl isocyanurate or polyhydric acrylates of these ethylene oxide or propylene oxide adducts; hydroxyalkyl acrylates such as 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxybutyl acrylate; N, N-dimethyl Acrylamides such as acrylamide and N-methylolacrylamide; aminoal such as N, N-dimethylaminoethyl acrylate Acrylates such as phenoxy acrylate, bisphenol A diacrylate, and ethylene oxide or propylene oxide adducts of these phenols; glycidyl ether acrylates such as glycerin diglycidyl ether and trimethylolpropane triglycidyl ether; And / or methacrylates corresponding to the above acrylates, tricyclodecyl methacrylate, tricyclodecane dimethanol diacrylate, tricyclodecane dimethanol dimethacrylate, 1,6-hexanediol glycidyl ether acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate And acrylic acid-modified products of hexahydrophthalic acid diglycidyl esterThese acrylic compounds can be used alone or in combination of two or more.

<(A−3)光重合開始剤>
(A−3)光重合開始剤は、特に限定されず、光の照射によりモノマーやオリゴマーの重合を開始させることが可能な化合物を意味する。
<(A-3) Photopolymerization initiator>
(A-3) The photopolymerization initiator is not particularly limited, and means a compound capable of initiating polymerization of monomers and oligomers by light irradiation.

(A−3)光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシ−2−フェニルアセトフェノン、1,1−ジクロロアセトフェノン等のアセトフェノン類;ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾインとベンゾインアルキルエーテル類;(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−ペンチルホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、エチル−2,4,6−トリメチルベンゾイルフェニルフォスフィネイト等のフォスフィンオキサイド類;2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−(ジメチルアミノ)−2−[(4−メチルフェニル)メチル]−1−[4−(4−モルフォリニル)フェニル]−1−ブタノン等のアミノアルキルフェノン類;2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−タ−シャリ−ブチルアントラキノン、1−クロロアントラキノン等のアントラキノン類;2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン類;アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタ−ル等のケタール類;ベンゾフェノン等のベンゾフェノン類;又はキサントン類;各種パーオキサイド類、チタノセン系開始剤などが挙げられ、これらの光重合開始剤は単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。なおこれらの光重合開始剤は、N,N−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、N,N−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等の光増感剤等と併用しても良い。   (A-3) Examples of the photopolymerization initiator include acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 1 1,2-dichloroacetophenone and other acetophenones; benzoin and benzoin alkyl ethers such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin isopropyl ether; (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-pentylphosphine oxide Bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, ethyl-2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphine Phosphine oxides such as Ito; 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) Aminoalkylphenones such as) -butanone-1,2- (dimethylamino) -2-[(4-methylphenyl) methyl] -1- [4- (4-morpholinyl) phenyl] -1-butanone; Anthraquinones such as methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone; 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-diisopropyl Thioxanthones such as thioxanthone; acetophenone dimethyl ketal; Ketals such as benzyl dimethyl ketal; benzophenones such as benzophenone; or xanthones; various peroxides, titanocene initiators, and the like. These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more. Can be used. These photopolymerization initiators include photosensitizers such as N, N-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, N, N-dimethylaminobenzoic acid isoamyl ester, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, triethylamine, and triethanolamine. You may use together.

<(A−4)エポキシ化合物>
(A−4)エポキシ化合物は、特に限定されず、エポキシ環を含有する化合物を意味する。
<(A-4) Epoxy compound>
(A-4) The epoxy compound is not particularly limited, and means a compound containing an epoxy ring.

(A−4)エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型またはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格エポキシ樹脂、ナフタレン骨格エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、環式脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格を持つトリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ化合物は、単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。   (A-4) As the epoxy compound, for example, bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, phenol novolak type or cresol novolak type epoxy resin or the like, Bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, biphenyl skeleton epoxy resin, naphthalene skeleton epoxy resin, trisphenol methane type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin glycidyl ether type epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin, Glycidyl ester type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, heterocyclic epoxy resin such as triglycidyl isocyanurate having triazine skeleton, bixylenol type epoxy resin, Rate type epoxy resin, glyoxal type epoxy resin, rubber-modified epoxy resins, silicone-modified epoxy resins, such as ε- caprolactone-modified epoxy resin. These epoxy compounds can be used alone or in combination of two or more.

<(A−5)アミン類および/または酸無水物>
(A−5)アミン類および/または酸無水物は、アミン類のみ、酸無水物のみ、さらにアミン類および酸無水物の混合物のいずれであってもよい。
<(A-5) Amines and / or acid anhydrides>
(A-5) The amines and / or acid anhydrides may be amines only, acid anhydrides only, or a mixture of amines and acid anhydrides.

このような(A−5)アミン類としては、公知のものを使用することができる。アミン類としては、例えば、メラミン、ジシアンジアミド、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、m−キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、2−メチルペンタメチレンジアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、イソフォロンジアミン、1,3−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、ノルボルネンアミン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、ラロミン、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニルジアミン、ジアミノジスルフォン、ポリオキシプロピレンジアミン、ポリオキシプロピレントリアミン、ポリシクロヘキシルポリアミン混合物、N−アミノエチルピペラジン等を挙げることができる。これらのアミン類は単独で又は2種以上の混合物として用いることができる。   As such (A-5) amines, known ones can be used. Examples of amines include melamine, dicyandiamide, diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, m-xylenediamine, trimethylhexamethylenediamine, 2-methylpentamethylenediamine, diethylaminopropylamine, isophoronediamine, 1,3. -Bisaminomethylcyclohexane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, norborneneamine, 1,2-diaminocyclohexane, lalomine, diaminodiphenylmethane, metaphenyldiamine, diaminodisulfone, polyoxypropylenediamine, polyoxypropylenetriamine, polycyclohexyl Examples thereof include polyamine mixtures and N-aminoethylpiperazine. These amines can be used alone or as a mixture of two or more.

このような(A−5)酸無水物としては、公知のものを使用することができる。酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス(アンヒドロトリメリテート)、グリセロールトリス(アンヒドロトリメリテート)、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水マレイン酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物、アルキルスチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリアゼライン酸無水物、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物等を挙げることができる。これらの酸無水物は単独で又は2種以上の混合物として用いることができる。   As such (A-5) acid anhydride, a publicly known thing can be used. Examples of the acid anhydride include phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, ethylene glycol bis (anhydrotrimellitate), glycerol tris (anhydrotrimellitate), anhydrous Maleic acid, tetrahydromaleic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylendomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylbutenyltetrahydrophthalic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydro Phthalic anhydride, succinic anhydride, methylcyclohexene dicarboxylic acid anhydride, alkylstyrene-maleic anhydride copolymer, polyazeline acid anhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic acid An acid anhydride etc. can be mentioned. These acid anhydrides can be used alone or as a mixture of two or more.

<(A)有機混合物の配合組成>
繰り返しになるが、本実施形態に用いる(A)有機混合物は、(A−1)カルボキシル基および(メタ)アクリロイル基含有ポリマーと、(A−2)アクリル系化合物と、(A−3)光重合開始剤と、(A−4)エポキシ化合物と、を含有する。このように、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、4種類の有機化合物をバランスよく配合した有機混合物を用いているため、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができる。
<(A) Composition of organic mixture>
To repeat, the (A) organic mixture used in this embodiment comprises (A-1) a carboxyl group and (meth) acryloyl group-containing polymer, (A-2) an acrylic compound, and (A-3) light. A polymerization initiator and (A-4) an epoxy compound are contained. Thus, since the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment uses an organic mixture in which four kinds of organic compounds are blended in a well-balanced manner, a coating film with high light reflectance is used. It can be formed with good production stability.

このように4種類の有機化合物をバランスよく配合した有機混合物において、(A−2)アクリル系化合物の配合量は、(A−1)中の(メタ)アクリロイル基1mol当量に対して、(A−2)アクリル系化合物中のアクリロイル基0.2〜5.0mol当量となるよう配合するのが好ましい。(A−2)アクリル系化合物中のアクリロイル基0.2当量以上では、光硬化性が向上し、露光、現像後のパターン形成が容易となり好ましい。逆に(A−2)アクリル系化合物中のアクリロイル基5.0mol当量以下の場合だと、ソルダーレジスト組成物の非露光部分をアルカリ水溶液で取除くことが容易となり、現像残りが抑制しやすくなり好ましい。   Thus, in the organic mixture which mix | blended four types of organic compounds with sufficient balance, the compounding quantity of (A-2) acrylic compound is (A) with respect to 1 mol equivalent of the (meth) acryloyl group in (A-1). -2) It is preferable to mix | blend so that it may become 0.2-5.0 mol equivalent of acryloyl groups in an acryl-type compound. (A-2) When the acryloyl group in the acrylic compound is 0.2 equivalent or more, photocurability is improved, and pattern formation after exposure and development is facilitated. Conversely, when (A-2) the acryloyl group in the acrylic compound is 5.0 mol equivalent or less, it becomes easy to remove the non-exposed portion of the solder resist composition with an alkaline aqueous solution, and the residual development is easily suppressed. preferable.

また、(A−3)光重合開始剤の配合量は、((A−1)+(A−2))中の(メタ)アクリロイル基1mol当量に対して、(A−3)光重合開始剤0.1〜5.0mol当量となるよう配合するのが好ましい。(A−3)光重合開始剤0.1mol当量以上では、光硬化性が向上し、露光、現像後のパターン形成が容易となり好ましい。逆に(A−3)光重合開始剤5.0mol当量以下の場合だと、耐熱変色性が向上し、また硬化後の塗膜に亀裂が発生し難くなり好ましい。   Moreover, the compounding quantity of (A-3) photoinitiator is (A-3) photopolymerization start with respect to 1 mol equivalent of (meth) acryloyl group in ((A-1) + (A-2)). It is preferable to mix | blend so that it may become 0.1-5.0 mol equivalent of agent. (A-3) When the photopolymerization initiator is 0.1 mol equivalent or more, photocurability is improved, and pattern formation after exposure and development is facilitated. Conversely, (A-3) a photopolymerization initiator of 5.0 mol equivalent or less is preferred because the heat discoloration is improved and cracks are hardly generated in the cured coating film.

そして、(A−4)エポキシ化合物の配合量は、((A−1)+(A−2))中の(カルボキシル基+水酸基)1mol当量に対して、(A−4)エポキシ化合物に含有するエポキシ基0.5〜3.0mol当量となるよう配合するのが好ましい。(A−4)エポキシ化合物に含有するエポキシ基0.5mol当量以上では、熱硬化性が向上し、また(A−1)カルボキシル基および(メタ)アクリロイル基含有ポリマー中のカルボン酸基+水酸基および(A−2)アクリル系化合物中のカルボキシル基および水酸基が未反応の状態で残る割合が少なくなるため、硬化塗膜の耐湿性、電気特性、はんだ特性、耐薬品性が向上するため好ましい。逆に(A−4)エポキシ化合物に含有するエポキシ基3.0mol当量以下の場合だと、ソルダーレジスト組成物の非露光部分をアルカリ水溶液で取除くことが容易となり、現像残りが発生し難くなり好ましい。   And the compounding quantity of (A-4) epoxy compound is contained in (A-4) epoxy compound with respect to 1 mol equivalent of (carboxyl group + hydroxyl group) in ((A-1) + (A-2)). The epoxy group is preferably blended so as to be 0.5 to 3.0 mol equivalent. (A-4) When the epoxy group contained in the epoxy compound is 0.5 mol equivalent or more, the thermosetting property is improved, and (A-1) carboxyl group and hydroxyl group in the carboxyl group- and (meth) acryloyl group-containing polymer and (A-2) Since the proportion of the carboxyl group and hydroxyl group remaining in the unreacted state in the acrylic compound is reduced, it is preferable because the moisture resistance, electrical properties, solder properties, and chemical resistance of the cured coating film are improved. On the contrary, when the epoxy group contained in the epoxy compound (A-4) is 3.0 mol equivalent or less, it becomes easy to remove the non-exposed portion of the solder resist composition with an alkaline aqueous solution, and the development residue is hardly generated. preferable.

また、繰り返しになるが、本実施形態に用いる(A)有機混合物では、(A−5)アミン類および/または酸無水物を併用すると、インキ特性がより向上し塗膜がより均一にきれいに塗膜ができ、また、硬化が促進されより好ましい。このとき、(A−5)アミン類およびまたは酸無水物の配合量は、(A−4)エポキシ化合物に含有するエポキシ基1当量に対して、アミン類中のアミン当量(第一アミン+第二アミン+第三アミン)および/または酸無水物中の無水酸当量の合計が1当量以下となるよう配合するのが好ましい。1当量以下であると耐熱変色性、耐光変色性が向上し、また硬化後、塗膜に亀裂が発生し難くなるため好ましい。   In addition, as described above, in the (A) organic mixture used in this embodiment, when (A-5) amines and / or acid anhydrides are used in combination, the ink characteristics are improved and the coating film is more uniformly and cleanly applied. A film is formed, and curing is accelerated, which is more preferable. At this time, the compounding amount of (A-5) amine and / or acid anhydride is (A-4) amine equivalent (primary amine + primary amine in amine) with respect to 1 equivalent of epoxy group contained in the epoxy compound. It is preferable to add so that the total of the anhydride equivalents in the (diamine + tertiary amine) and / or acid anhydride is 1 equivalent or less. When it is 1 equivalent or less, heat discoloration resistance and light discoloration resistance are improved, and cracks are less likely to occur in the coating film after curing.

<(B)無機混合物>
本実施形態に用いる(B)無機混合物は、(B−1)屈折率1.4〜2.5かつ平均粒子長径1.0〜20μmの第1の無機物質と、(B−2)屈折率2.5〜3.0かつ平均粒子長径0.1〜0.5μmの第2の無機物質と、を含有する。このように、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、(B−1)屈折率が小さく平均粒子長径が大きい無機物質と、(B−2)屈折率が大きく平均粒子長径が小さい無機物質と、の2種類をバランスよく配合した無機混合物を用いているため、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができる。このように、平均粒子長径が大きい粗粒子と平均粒子長径が小さい微粒子を混合することにより各々を単独で用いた場合よりも高充填が可能となり、無機粒子を高充填することによる塗布性の低下を抑制することができる。また、屈折率が小さい無機物質は平均粒子長径が大きい方が反射率が高くなる傾向があり、屈折率の大きい無機物質は平均粒子長径が小さい方が反射率が大きくなる傾向がある。そのため、適度な範囲で特定の屈折率を持った平均粒子長径が大きい粗粒子と平均粒子長径が小さい微粒子を混合併用することにより、塗布性能の低下を抑制しつつ、反射率を向上させることができ、実用可能な配合組成の絶妙なバランスの上に反射率が高い白色のソルダーレジスト膜の作製が可能になったのである。
<(B) Inorganic mixture>
The (B) inorganic mixture used in the present embodiment includes (B-1) a first inorganic substance having a refractive index of 1.4 to 2.5 and an average particle major axis of 1.0 to 20 μm, and (B-2) a refractive index. And a second inorganic substance having an average particle length of 0.1 to 0.5 μm. As described above, the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment includes (B-1) an inorganic substance having a small refractive index and a large average particle length, and (B-2) a refractive index. Since an inorganic mixture in which two types of inorganic substance having a large average particle length and a small average particle size are mixed in a balanced manner is used, a coating film having high light reflectance can be formed with good production stability. In this way, by mixing coarse particles having a large average particle length and fine particles having a small average particle length, it becomes possible to achieve a higher filling than when each of them is used alone, and the coating properties are reduced by highly filling inorganic particles. Can be suppressed. Further, an inorganic material having a small refractive index tends to have a higher reflectance when the average particle length is larger, and an inorganic material having a larger refractive index tends to have a higher reflectance when the average particle length is smaller. Therefore, it is possible to improve the reflectivity while suppressing a decrease in coating performance by using a mixture of coarse particles having a large average particle length with a specific refractive index within a reasonable range and fine particles having a small average particle length. Thus, it became possible to produce a white solder resist film having a high reflectivity on an exquisite balance of practical composition.

また、本実施形態に用いる(B)無機混合物は、(B−3)第3の無機物質として、屈折率1.4〜2.5かつ平均粒子長径0.1〜0.5μmの無機物質を併用すると、反射率がより高くなるため好ましい。   Moreover, (B) inorganic mixture used for this embodiment is (B-3) an inorganic substance with a refractive index of 1.4 to 2.5 and an average particle length of 0.1 to 0.5 μm as the third inorganic substance. Use in combination is preferable because the reflectance becomes higher.

<(B−1)第1の無機物質>
(B−1)第1の無機物質は、特に限定されず、屈折率1.4(好ましくは1.5以上)〜2.5(好ましくは2.0以下)かつ平均粒子長径1.0〜20μmの白色の無機物質を使用することができる。(B−1)第1の無機物質の屈折率が1.4以上または1.5以上であれば、平均粒子長径20μm以下の無機物質で反射率が低下しない傾向があり好ましい。一方、(B−1)第1の無機物質の屈折率が2.5以下または2.0以下であれば、平均粒子長径1μm以上の無機物質を用いても反射率が低下しない傾向があり好ましい。
<(B-1) First inorganic substance>
(B-1) The first inorganic substance is not particularly limited, and has a refractive index of 1.4 (preferably 1.5 or more) to 2.5 (preferably 2.0 or less) and an average particle length of 1.0 to 1.0. A 20 μm white inorganic substance can be used. (B-1) If the refractive index of a 1st inorganic substance is 1.4 or more or 1.5 or more, there exists a tendency for a reflectance not to fall with an inorganic substance with an average particle major axis of 20 micrometers or less, and it is preferable. On the other hand, if the refractive index of the (B-1) first inorganic substance is 2.5 or less or 2.0 or less, the reflectance tends not to decrease even when an inorganic substance having an average particle major axis of 1 μm or more is used, which is preferable. .

(B−1)屈折率1.4〜2.5かつ平均粒子長径1.0〜20μmの無機物質としては、例えば、二酸化珪素(屈折率1.5)、硫酸バリウム(屈折率1.6)、酸化マグネシウム(屈折率1.7)、酸化アルミニウム(屈折率1.8)、酸化亜鉛(屈折率2.0)、タルク(屈折率1.6)、マイカ(屈折率1.6)が挙げられ、これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。   (B-1) As an inorganic substance having a refractive index of 1.4 to 2.5 and an average particle length of 1.0 to 20 μm, for example, silicon dioxide (refractive index 1.5), barium sulfate (refractive index 1.6). , Magnesium oxide (refractive index 1.7), aluminum oxide (refractive index 1.8), zinc oxide (refractive index 2.0), talc (refractive index 1.6), mica (refractive index 1.6). These can be used alone or in combination of two or more.

具体的には、堺化学工業(株)製の大粒子硫酸バリウム・製品名BMH−60、板状硫酸バリウム・製品名A、HF、H、HM、HL、HP、HG、日本タルク(株)製のタルク・製品名MS−P、MS、SWE、SW、SSS、NTL、L−1、K−1、L−G、P−2、P−3、P−4、P−6、P−8、C−31、(株)山口雲母工業所製のマイカ・製品名A−11、SJ−005、SJ−010、堺化学工業(株)製の酸化亜鉛・製品名 LPZINC−2、LPZINC−3、LPZINC−11、神島化学工業(株)製の酸化マグネシウム・製品名スターマグP、HP−30、HP−30A、協和化学工業(株)製の酸化マグネシウム・製品名キョーワマグ30、キョーワマグ150、パイロキスマ5Q、電気化学工業(株)製の二酸化珪素・製品名FS−5DC、FS−3DC、FB−5DC、FB−3SDC、FB−5SDX、FB−1SDX、電気化学工業(株)製の酸化アルミニウム・製品名DAM−03、DAM−05、DAM−10、DAW−03、DAW−05、DAW−10、ASFP−30等を使用することができる。   Specifically, large particle barium sulfate manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., product name BMH-60, plate-like barium sulfate, product name A, HF, H, HM, HL, HP, HG, Nippon Talc Co., Ltd. Product talc and product names MS-P, MS, SWE, SW, SSS, NTL, L-1, K-1, LG, P-2, P-3, P-4, P-6, P- 8, C-31, mica manufactured by Yamaguchi Mica Industry Co., Ltd., product names A-11, SJ-005, SJ-010, zinc oxide manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., product names LPZINC-2, LPZINC- 3, LPZINC-11, Magnesium oxide manufactured by Kamishima Chemical Co., Ltd., product name Starmag P, HP-30, HP-30A, Magnesium oxide / Product names manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd. Kyowa Mag 30, Kyowa Mag 150, Pyroxuma 5Q, manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. Silicon dioxide, product names FS-5DC, FS-3DC, FB-5DC, FB-3SDC, FB-5SDX, FB-1SDX, aluminum oxide manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. Product names DAM-03, DAM-05, DAM-10, DAW-03, DAW-05, DAW-10, ASFP-30, etc. can be used.

<(B−2)第2の無機物質>
(B−2)第2の無機物質は、特に限定されず、屈折率2.5〜3.0かつ平均粒子長径0.1〜0.5μmの白色の無機物質を好適に使用することができる。(B−2)第2の無機物質の屈折率が2.5以上、3.0以下であれば、平均粒子長径0.1〜0.5μmで反射率が高くなる傾向があるため好ましい。
<(B-2) Second inorganic substance>
(B-2) The second inorganic substance is not particularly limited, and a white inorganic substance having a refractive index of 2.5 to 3.0 and an average particle major axis of 0.1 to 0.5 μm can be preferably used. . (B-2) If the refractive index of a 2nd inorganic substance is 2.5 or more and 3.0 or less, since there exists a tendency for a reflectance to become high with an average particle major axis of 0.1-0.5 micrometer, it is preferable.

(B−2)屈折率2.5〜3.0かつ平均粒子長径0.1〜0.5μmの白色の無機物質としては、ルチル型酸化チタン(屈折率2.7)が挙げられる。具体的には、石原産業(株)製CR−50、CR50−2、CR−57、CR−60、CR−60−2、CR−63、CR−67、CR−58、CR−58−2、CR−Super70、CR−80、CR−85、CR−90、CR−90−2、CR−93、CR−95、CR−953、CR−97、UT771、PF−690、PF−691、PF−711、PF−739、PF−740、PC−3、S−305、堺化学工業(株)製SR−1、R−42、R−45M、R−650、R−32、R−5N、GTR−100、GTR−300、R−62N、R−7E、R−44、R−3L、R−11P、R−21、R−25、TCR−52、R−310、D−918、FTR−700、富士チタン工業(株)製TR−600、TR−700、TR−750、TR−840、TR−900、テイカ(株)製JR−301、JR−403、JR−405、JR−600A、JR−605、JR−600E、JR−603、JR−805、JR−806、JR−701、JRNC、JR−800、JR、チタン工業(株)製KA−10、KA−20、KA−30、KR−310、KR−380、KV−200等を使用することができる。これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。   (B-2) As a white inorganic substance having a refractive index of 2.5 to 3.0 and an average particle length of 0.1 to 0.5 μm, rutile type titanium oxide (refractive index of 2.7) can be mentioned. Specifically, CR-50, CR50-2, CR-57, CR-60, CR-60-2, CR-63, CR-67, CR-58, CR-58-2 manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd. , CR-Super70, CR-80, CR-85, CR-90, CR-90-2, CR-93, CR-95, CR-953, CR-97, UT771, PF-690, PF-691, PF -711, PF-739, PF-740, PC-3, S-305, SR-1, R-42, R-45M, R-650, R-32, R-5N, manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd. GTR-100, GTR-300, R-62N, R-7E, R-44, R-3L, R-11P, R-21, R-25, TCR-52, R-310, D-918, FTR- 700, TR-600, TR-700 manufactured by Fuji Titanium Industry Co., Ltd. R-750, TR-840, TR-900, manufactured by Takeka Co., Ltd. JR-301, JR-403, JR-405, JR-600A, JR-605, JR-600E, JR-603, JR-805, JR -806, JR-701, JRNC, JR-800, JR, KA-10, KA-20, KA-30, KR-310, KR-380, KV-200 manufactured by Titanium Industry Co., Ltd. may be used. it can. These can be used alone or in combination of two or more.

<(B−3)第3の無機物質>
(B−3)第3の無機物質は、特に限定されず、屈折率1.4〜2.5かつ平均粒子長径0.1〜0.5μmの無機物質を好適に使用可能である。単独使用では反射率が低いが、(B−1)、(B−2)と併用することにより反射率が上がる。
<(B-3) Third inorganic substance>
(B-3) The third inorganic substance is not particularly limited, and an inorganic substance having a refractive index of 1.4 to 2.5 and an average particle major axis of 0.1 to 0.5 μm can be suitably used. Although the reflectance is low when used alone, the reflectance increases when used in combination with (B-1) and (B-2).

このような(B−3)屈折率1.4〜2.5かつ平均粒子長径0.1〜0.5μmの無機物質としては、公知のものを使用することができる。例えば二酸化珪素(屈折率1.5)、硫酸バリウム(屈折率1.6)、酸化マグネシウム(屈折率1.7)、酸化アルミニウム(屈折率1.8)、酸化亜鉛(屈折率2.0)が挙げられ、これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。   As such (B-3) inorganic substance having a refractive index of 1.4 to 2.5 and an average particle length of 0.1 to 0.5 μm, a publicly known one can be used. For example, silicon dioxide (refractive index 1.5), barium sulfate (refractive index 1.6), magnesium oxide (refractive index 1.7), aluminum oxide (refractive index 1.8), zinc oxide (refractive index 2.0). These may be used alone or in combination of two or more.

具体的には、堺化学工業(株)製硫酸バリウム・製品名B−30、B−31、B−32、B−33、B−34、B−35、B−35T、ハクスイテック(株)製の酸化亜鉛・製品名F−1、岩谷化学工業(株)製の酸化マグネシウム・製品名MTK−30、MJ−30、電気化学工業(株)製の二酸化珪素・製品名SFP−20M、電気化学工業(株)製の酸化アルミニウム・製品名ASFP−20、等を使用することができる。   Specifically, barium sulfate manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd. Product names B-30, B-31, B-32, B-33, B-34, B-35, B-35T, Hakusuikku Co., Ltd. Zinc oxide, product name F-1, magnesium oxide manufactured by Iwatani Chemical Industry Co., Ltd., product names MTK-30, MJ-30, silicon dioxide manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., product name SFP-20M, electrochemistry Aluminum oxide manufactured by Kogyo Co., Ltd., product name ASFP-20, and the like can be used.

本実施形態に用いる(B)無機混合物に含まれる、(B−1)第1の無機物質、(B−2)第2の無機物質および(B−3)第3の無機物質の粒子長径は、いずれも光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡等により直接観察、測定することができる。粒子長径は粒子を平面上に置いた粒子の平面図において、輪郭に接し、短径(粒子の平面図について、輪郭に接する最短間隔の二つの平行線間の距離)を決定する平行線に直角方向の二つの平行線間の距離である(改訂二版 粉体理論と応用、昭和54年5月12日発行、発行所 丸善株式会社より)。ここで平均粒子長径は粒子100個以上の長径を測定した平均値である。   The particle major axis of (B-1) the first inorganic substance, (B-2) the second inorganic substance, and (B-3) the third inorganic substance contained in the (B) inorganic mixture used in the present embodiment is These can be directly observed and measured with an optical microscope, a scanning electron microscope, or the like. The particle major axis is perpendicular to the parallel line that determines the minor axis (distance between two parallel lines at the shortest distance in contact with the contour in the plan view of the particle) in the plan view of the particle with the particle placed on a plane. This is the distance between two parallel lines of direction (Revised 2nd edition, Powder Theory and Application, issued on May 12, 1979, published by Maruzen Co., Ltd.). Here, the average particle major axis is an average value obtained by measuring the major axis of 100 or more particles.

<(B)無機混合物の配合組成>
繰り返しになるが、本実施形態に用いる(B)無機混合物は、(B−1)屈折率1.4〜2.5かつ平均粒子長径1.0〜20μmの第1の無機物質と、(B−2)屈折率2.5〜3.0かつ平均粒子長径0.1〜0.5μmの第2の無機物質と、を含有する。このように、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、(B−1)屈折率が小さく平均粒子長径が大きい無機物質と、(B−2)屈折率が大きく平均粒子長径が小さい無機物質と、の2種類をバランスよく配合した無機混合物を用いているため、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができる。
<(B) Composition of inorganic mixture>
Again, the (B) inorganic mixture used in the present embodiment includes (B-1) a first inorganic substance having a refractive index of 1.4 to 2.5 and an average particle length of 1.0 to 20 μm, and (B -2) a second inorganic substance having a refractive index of 2.5 to 3.0 and an average particle major axis of 0.1 to 0.5 μm. As described above, the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment includes (B-1) an inorganic substance having a small refractive index and a large average particle length, and (B-2) a refractive index. Since an inorganic mixture in which two types of inorganic substance having a large average particle length and a small average particle size are mixed in a balanced manner is used, a coating film having high light reflectance can be formed with good production stability.

このように2種類の無機化合物をバランスよく配合した無機混合物において、(B−1)/(B−2)の体積%比は、5/95〜80/20であることが好ましい。(B−1)および(B−2)の合計体積中の(B−1)の体積比が5%以上だとソルダーレジスト組成物に無機物質(B)を容易に高含量配合することができる。また無機物質高配合した場合にもインキ特性の低下を抑制し、基板に均一にきれいにソルダーレジスト組成物を塗布することができる。(B−1)の体積比が80%以下であると、後述するソルダーレジスト組成物の溶剤(C)を揮発乾燥後、または硬化後、塗膜に亀裂ができることを抑制する、また塗膜と基板の密着性が低下することを抑制するので塗膜不良が減少する。   Thus, in the inorganic mixture which mix | blended two types of inorganic compounds with sufficient balance, it is preferable that the volume% ratio of (B-1) / (B-2) is 5 / 95-80 / 20. When the volume ratio of (B-1) in the total volume of (B-1) and (B-2) is 5% or more, a high content of the inorganic substance (B) can be easily added to the solder resist composition. . In addition, even when an inorganic substance is blended in a high amount, a decrease in ink characteristics can be suppressed, and the solder resist composition can be applied to the substrate uniformly and cleanly. When the volume ratio of (B-1) is 80% or less, the solvent (C) of the solder resist composition to be described later is prevented from being cracked in the coating film after volatile drying or after curing, and the coating film Since it suppresses that the adhesiveness of a board | substrate falls, a coating-film defect reduces.

また、繰り返しになるが、本実施形態に用いる(B)無機混合物は、(B−3)第3の無機物質として、屈折率1.4〜2.5かつ平均粒子長径0.1〜0.5μmの無機物質を併用すると、反射率がより高くなるため好ましい。このとき、(B−1)/(B−2)/(B−3)の体積%比が、5/95/0(0を含まない)〜80/5/15となることが更に好ましい。(B−1)、(B−2)および(B−3)の合計体積のうち(B−3)の体積%が0を超えると、更に反射率が高くなるため好ましい。また、先述の合計体積のうち(B−3)の体積%が15%以下であれば、硬化後の塗膜が基板から剥離することを抑制することができる。   Moreover, although it repeats, (B) inorganic mixture used for this embodiment is a refractive index of 1.4-2.5 and average particle | grain major axis 0.1-0. It is preferable to use an inorganic substance having a thickness of 5 μm because the reflectance becomes higher. At this time, it is more preferable that the volume ratio of (B-1) / (B-2) / (B-3) is 5/95/0 (excluding 0) to 80/5/15. Of the total volume of (B-1), (B-2), and (B-3), it is preferable that the volume percentage of (B-3) exceeds 0 because the reflectance is further increased. Moreover, if the volume% of (B-3) is 15% or less among the above-mentioned total volume, it can suppress that the coating film after hardening peels from a board | substrate.

<(C)溶剤>
(C)溶剤は、特に限定されず、本実施形態のソルダーレジスト組成物における粘度の調整や塗膜の物性制御等の目的で用いられ、公知の有機溶剤を使用できる。
<(C) Solvent>
(C) A solvent is not specifically limited, It uses for the objective of adjustment of the viscosity in the soldering resist composition of this embodiment, the physical property control of a coating film, etc., and can use a well-known organic solvent.

(C)溶剤としては、例えばメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロプレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類;酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート及び上記グリコールエーテル類のエステル化物などのエステル類;エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール類;オクタン、デカンなどの脂肪族炭化水素類;メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類;トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;石油ナフサ、水添石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテルなどの石油系溶剤等を使用することができる。これらの溶剤は単独で又は2種以上の混合物として用いることができる。   Examples of the solvent (C) include methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol. Glycol ethers such as monoethyl ether; esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate and esterified products of the above glycol ethers; alcohols such as ethanol, propanol, ethylene glycol and propylene glycol; Aliphatic hydrocarbons such as octane and decane; methyl ethyl ketone, cyclohexano Ketones such as; may be used petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha, solvent naphtha, petroleum solvents such as petroleum ether: toluene, xylene, aromatic hydrocarbons such as tetramethyl benzene. These solvents can be used alone or as a mixture of two or more.

<全体の配合組成>
繰り返しになるが、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物では、(A)有機混合物と、(B)無機混合物と、(C)溶剤と、の全体の配合組成における3種類の主要な構成成分のバランスがよいため、光反射率の高い塗膜を製造安定性よく形成することができる。
<Overall blending composition>
Again, in the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment, the total composition of (A) an organic mixture, (B) an inorganic mixture, and (C) a solvent. Since the balance of the three main constituents in is good, a coating film with high light reflectance can be formed with good production stability.

すなわち、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物では、(A)有機混合物/(B)無機混合物の体積%比は、70/30〜30/70、即ち溶剤(C)揮発乾燥、更に硬化後の塗膜(A)+(B)中の無機物質(B)の体積%は30〜70となることが好ましい。硬化塗膜中の(B)が30体積%以上だと満足な反射率が得られ、70以下であれば硬化後の塗膜が基板から剥離しにくい。   That is, in the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment, the volume% ratio of (A) organic mixture / (B) inorganic mixture is 70/30 to 30/70, that is, the solvent ( C) It is preferable that the volume% of the inorganic substance (B) in the coating film (A) + (B) after volatile drying and curing is 30 to 70. When (B) in the cured coating is 30% by volume or more, a satisfactory reflectance is obtained, and when it is 70 or less, the cured coating is difficult to peel off from the substrate.

さらに、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物では、(B)/((A)+(B)+(C))の体積%比が、20/100〜50/100であることが好ましい。((A)+(B)+(C))中の(B)の体積%が20%以上だと塗膜の厚みの制御が容易となり、また満足な反射率が得られ、50%以下であればソルダーレジスト組成物の粘度が高くなり過ぎず、基板に均一にきれいに塗布することができる。   Furthermore, in the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition of this embodiment, the volume% ratio of (B) / ((A) + (B) + (C)) is 20/100 to 50. / 100 is preferable. If the volume percentage of (B) in ((A) + (B) + (C)) is 20% or more, the thickness of the coating film can be easily controlled, and satisfactory reflectance can be obtained. If so, the viscosity of the solder resist composition does not become too high and can be applied uniformly and cleanly to the substrate.

<その他の成分>
さらに、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物では、必要に応じて、硬化促進剤、熱重合禁止剤、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、カップリング剤、難燃助剤等が、硬化塗膜中の(B−1)、(B−2)、(B−3)の全体積%が30〜70となる範囲内で添加できる。
<Other ingredients>
Furthermore, in the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment, a curing accelerator, a thermal polymerization inhibitor, a thickener, an antifoaming agent, a leveling agent, and a coupling agent are added as necessary. A flame retardant aid or the like can be added within a range where the total volume% of (B-1), (B-2), and (B-3) in the cured coating film is 30 to 70.

<ソルダーレジスト膜の形成>
本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、液状、ペースト状の形態で提供することが好ましい。このような形態であれば、金属ベース回路基板への塗布性能が優れているからである。
<Formation of solder resist film>
The alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition of this embodiment is preferably provided in a liquid or paste form. This is because the coating performance on the metal base circuit board is excellent in such a form.

本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、必要があれば溶剤等で希釈して塗布方法に適した粘度に調整することができる。これを、回路を形成された金属ベース基板に、スクリーン印刷法、カーテンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の方法により塗布する。次に例えば70〜90℃の温度で組成物中に含まれる(C)溶剤を揮発乾燥させることにより、タックの無い塗膜を形成できる。   The alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment can be adjusted to a viscosity suitable for the coating method by diluting with a solvent or the like if necessary. This is applied to a metal base substrate on which a circuit is formed by a method such as a screen printing method, a curtain coating method, a spray coating method, or a roll coating method. Next, a tack-free coating film can be formed by evaporating and drying the solvent (C) contained in the composition at a temperature of 70 to 90 ° C., for example.

その後、フォトマスクを通して選択的に紫外線(300〜450nm等)等の活性エネルギー線により露光し、未露光部を希アルカリ水溶液により現像してレジストパターンを形成することにより、本発明の金属ベース回路基板を得ることができる。ここで用いられる露光するための照射光源としては、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ又はメタルハライドランプ等を用いることができる。また、活性光線としてレーザー光線なども用いることができる。また、ここで用いられる希アルカリ水溶液としては、0.5〜5重量%の炭酸ナトリウム水溶液が一般的であるが、他のアルカリ、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、アミン類等の水溶液を用いることもできる。   Then, the metal base circuit board of the present invention is formed by selectively exposing through a photomask with active energy rays such as ultraviolet rays (300 to 450 nm, etc.) and developing the unexposed portion with a dilute alkaline aqueous solution to form a resist pattern. Can be obtained. As an irradiation light source for exposure used here, a low-pressure mercury lamp, a medium-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a xenon lamp, a metal halide lamp, or the like can be used. Moreover, a laser beam etc. can be used as an actinic ray. The dilute alkaline aqueous solution used here is generally 0.5 to 5% by weight sodium carbonate aqueous solution, but other alkalis such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, potassium carbonate, sodium phosphate. An aqueous solution of sodium silicate, ammonia, amines, etc. can also be used.

このようにして得られた塗膜を更に100〜200℃で熱硬化させることによりソルダーレジスト塗膜を形成させる。   The coating film thus obtained is further thermally cured at 100 to 200 ° C. to form a solder resist coating film.

本実施形態のソルダーレジスト組成物を用いて、上述のような方法によって形成されたソルダーレジスト膜は、後述する実施例で示すように、高反射率を有することがわかった。   It turned out that the soldering resist film formed by the above methods using the soldering resist composition of this embodiment has a high reflectance as shown in the Example mentioned later.

<金属ベース回路基板>
更に、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて白色膜を設けることにより、光反射シートを貼り付ける必要のない金属ベース回路基板を得ることができる。
<Metal base circuit board>
Furthermore, by providing a white film using the alkali developing photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment, a metal base circuit board that does not require a light reflecting sheet can be obtained.

以下、図を用いて更に本発明を詳しく説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

図1は、本実施形態の金属ベース回路基板の一例である。本実施形態の金属ベース回路基板においては、金属箔1と絶縁層2及び回路3とからなる金属ベース回路基板上に高反射率の白色膜4を、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて形成したものであり、複数のLEDパッケージ5が半田接合部6などにより接合搭載されている。本実施形態の金属ベース回路基板は、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて形成した白色膜が高反射率を有することが特徴であり、400〜800nmの可視光領域に対して80%以上の反射率、さらに好ましい実施態様においては、460nm(青色)と525nm(黄色)及び620nm(赤色)に対して80%以上の反射率を持つことが好ましい。   FIG. 1 is an example of a metal base circuit board according to the present embodiment. In the metal base circuit board according to the present embodiment, the white film 4 having a high reflectance is formed on the metal base circuit board including the metal foil 1, the insulating layer 2, and the circuit 3, and the alkali development type photocuring property / It is formed using a thermosetting solder resist composition, and a plurality of LED packages 5 are joined and mounted by solder joints 6 or the like. The metal base circuit board of the present embodiment is characterized in that a white film formed using the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment has a high reflectance, and is 400 to 800 nm. In the preferred embodiment, it has a reflectance of 80% or more for 460 nm (blue), 525 nm (yellow) and 620 nm (red).

すなわち、要約すれば、本実施形態の金属ベース回路基板は、金属箔1と、金属箔1上に設けられている絶縁層2と、絶縁層2上に設けられている回路3と、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて絶縁層2および回路3上に設けられている白色膜4と、を備える金属ベース回路基板であるということになる。   That is, in summary, the metal base circuit board of the present embodiment includes the metal foil 1, the insulating layer 2 provided on the metal foil 1, the circuit 3 provided on the insulating layer 2, and the present embodiment. It is a metal base circuit board provided with the white film 4 provided on the insulating layer 2 and the circuit 3 using the alkali development type photocurable and thermosetting solder resist composition of the form.

本実施形態の金属ベース回路基板は、上記構成を有しており、しかも絶縁層2の熱伝導率が1〜4W/mKで、導体回路3と金属箔1との間の耐電圧が1.5kV以上、望ましく2kV以上という、高い放熱性と耐電圧特性を有しており、LED光源から発生する熱を、効率よく金属ベース回路基板裏面側に放熱し、さらに、外部に放熱することにより、LEDパッケージ実装回路基板の蓄熱を低減し、LEDの温度上昇を小さくすることにより、LEDの発光効率低下を抑制することができる。このため、光反射機能を持つ高反射率の白色膜4の効果とあわせて、明るく且つ長寿命のバックライトを提供することができる。   The metal base circuit board of the present embodiment has the above-described configuration, and the insulating layer 2 has a thermal conductivity of 1 to 4 W / mK, and the withstand voltage between the conductor circuit 3 and the metal foil 1 is 1. It has high heat dissipation and withstand voltage characteristics of 5 kV or more, desirably 2 kV or more, and heat generated from the LED light source is efficiently dissipated to the back side of the metal base circuit board, and further to the outside, By reducing the heat storage of the LED package mounting circuit board and reducing the temperature rise of the LED, it is possible to suppress a decrease in the light emission efficiency of the LED. For this reason, it is possible to provide a bright and long-life backlight together with the effect of the high reflectance white film 4 having a light reflection function.

本実施形態において、金属箔1としては、良好な熱伝導性を持つ銅および銅合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金、鉄ならびにステンレスなどが使用可能である。また、金属箔1の厚みとしては、9μm以上400μm以下のものが使用できる。金属箔1の厚みが9μm以上あれば金属ベース回路基板の剛性が低下するために実使用に適さなくなることもないし、厚みが400μm以下の場合は厚みが増し小型化や薄型化にも有用である。   In the present embodiment, as the metal foil 1, copper and copper alloy, aluminum and aluminum alloy, iron, stainless steel, and the like having good thermal conductivity can be used. Moreover, as thickness of the metal foil 1, the thing of 9 micrometers or more and 400 micrometers or less can be used. If the thickness of the metal foil 1 is 9 μm or more, the rigidity of the metal base circuit board is lowered, so that it is not suitable for actual use. If the thickness is 400 μm or less, the thickness increases and is useful for miniaturization and thinning. .

本実施形態において、絶縁層2の厚さは、80μm以上200μm以下が好ましい。80μm以上であれば電気絶縁性が確保できるし、200μm以下で熱放散性が十分に達成できるし、小型化や薄型化に寄与できる。   In the present embodiment, the thickness of the insulating layer 2 is preferably 80 μm or more and 200 μm or less. If it is 80 μm or more, electric insulation can be secured, and if it is 200 μm or less, heat dissipation can be sufficiently achieved, and it can contribute to miniaturization and thickness reduction.

絶縁層2は、通常熱硬化性樹脂を用いるが、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル系樹脂などが使用できる。中でも、無機フィラーを含みながらも、硬化状態において、金属箔1と回路3との接合力及び絶縁性に優れた後述する二官能性エポキシ樹脂と重付加型硬化剤とを主成分としたものが好ましい。重付加型硬化剤としては、機械的及び電気的性質に優れた酸無水物類やフェノール類が好ましく、熱硬化性樹脂に含まれるエポキシ樹脂のエポキシ当量に対して活性水素等量が0.8〜1倍となるように添加することが絶縁層の機械的及び電気的性質を確保するため好ましい。   For the insulating layer 2, a thermosetting resin is usually used, and as the thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, a silicone resin, an acrylic resin, or the like can be used. Among them, what contains a bifunctional epoxy resin (described later) and a polyaddition type curing agent, which are excellent in bonding strength and insulation between the metal foil 1 and the circuit 3 in the cured state, while containing an inorganic filler, are the main components. preferable. As the polyaddition type curing agent, acid anhydrides and phenols excellent in mechanical and electrical properties are preferable, and the active hydrogen equivalent is 0.8 equivalent to the epoxy equivalent of the epoxy resin contained in the thermosetting resin. It is preferable to add so as to be ˜1 times in order to ensure the mechanical and electrical properties of the insulating layer.

エポキシ樹脂としては、2官能性エポキシ樹脂であるビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、ビスフェノールSジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、ヘキサヒドロビスフェノールAジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネロペンチルグリコールジグリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸ジグリシジルエステル等を使用したものが望ましい。   Epoxy resins include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether, bisphenol S diglycidyl ether, resorcinol diglycidyl ether, hexahydrobisphenol A diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, nero Those using pentyl glycol diglycidyl ether, phthalic acid diglycidyl ester, dimer acid diglycidyl ester or the like are desirable.

重付加型硬化剤としては、酸無水物類の無水フタル酸、テトラヒドロメチル無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水メチルナジック酸、フェノール類であるフェノールノボラック等が望ましい。   As the polyaddition type curing agent, acid anhydrides such as phthalic anhydride, tetrahydromethyl phthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, trimellitic anhydride, methyl nadic anhydride, and phenol novolak as phenols are desirable.

また、上述のエポキシ樹脂と重付加型硬化剤の硬化反応を促進するため硬化触媒を加えても良い。硬化触媒としてはイミダゾール系が好ましく、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−メチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ〔1,2−a〕ベンズイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−〔2’−メチルイミダゾリル−(1’)〕−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−〔2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)〕−エチル−s−トリアジン、1−シアノメチル−2−メチルイミダゾール等が好ましい。その添加量は、所望の硬化速度を得るために任意に変更してよい。   Further, a curing catalyst may be added to accelerate the curing reaction between the above-described epoxy resin and polyaddition type curing agent. The curing catalyst is preferably an imidazole type, such as 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-methyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl. -4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 2-phenyl-4,5 -Dihydroxymethylimidazole, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ')]-Ethyl-s-triazine, 1-cyanomethyl-2-methylimidazole It is preferred. The amount added may be arbitrarily changed in order to obtain a desired curing rate.

絶縁層2を構成する熱硬化性樹脂中の塩化物イオン濃度は、1000ppm以下であることが好ましく、500ppm以下であることがより好ましい。硬化性樹脂組成物中の塩化物イオン濃度が1000ppm以下であれば、高温下、直流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こりにくく、電気絶縁性の低下が抑制される。   The chloride ion concentration in the thermosetting resin constituting the insulating layer 2 is preferably 1000 ppm or less, and more preferably 500 ppm or less. If the chloride ion concentration in the curable resin composition is 1000 ppm or less, the migration of ionic impurities hardly occurs at high temperature and under direct current voltage, and the decrease in electrical insulation is suppressed.

絶縁層2に含有される無機フィラーとしては、電気絶縁性で熱伝導性の良好なものが好ましく、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素などが用いられる。絶縁層2中の無機フィラーの含有量は、50〜75体積%が好ましく、無機フィラーの粒度は平均粒径が0.6〜2.4μm及び5〜20μmの2種類のものを含有していることが好ましい。平均粒径が大きい粗粒子と平均粒径が小さい微粒子を混合することにより各々を単独で用いた場合よりも高充填が可能となり、良好な熱伝導性を得ることが可能となる。また、粒子形状は破砕、球状、鱗片状のものがある。無機フィラー含有量は50体積%以下であるとLEDパッケージを使用したバックライト用の回路基板として必要な熱伝導性を得ることが困難であり、75%以上であると絶縁材が高粘度化し絶縁材の塗工が困難となり、機械的性質及び電気的性質の問題が生じ易い。また、無機フィラー中のナトリウムイオン濃度は、500ppm以下であることが好ましく、100ppm以下であることがより好ましい。無機フィラー中のナトリウムイオン濃度が500ppm以下であれば、高温下、直流電圧下においてもイオン性不純物の移動が抑制され、電気絶縁性が低下することを抑制できる。   The inorganic filler contained in the insulating layer 2 is preferably an electrically insulating and heat conductive material, and for example, silica, alumina, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride or the like is used. The content of the inorganic filler in the insulating layer 2 is preferably 50 to 75% by volume, and the particle size of the inorganic filler contains two types having an average particle size of 0.6 to 2.4 μm and 5 to 20 μm. It is preferable. By mixing coarse particles having a large average particle diameter and fine particles having a small average particle diameter, it becomes possible to achieve higher filling than when each of them is used alone, and good thermal conductivity can be obtained. Moreover, there are particle shapes such as crushed, spherical and scale-like. If the inorganic filler content is 50% by volume or less, it is difficult to obtain the thermal conductivity required for a circuit board for a backlight using an LED package, and if it is 75% or more, the insulating material becomes highly viscous and insulated. Coating of the material becomes difficult, and problems of mechanical properties and electrical properties are likely to occur. Moreover, it is preferable that the sodium ion concentration in an inorganic filler is 500 ppm or less, and it is more preferable that it is 100 ppm or less. If the sodium ion concentration in the inorganic filler is 500 ppm or less, the migration of ionic impurities is suppressed even at high temperatures and under direct voltage, and the electrical insulation can be prevented from being lowered.

回路3の厚みは、9μm以上140μm以下であることが好ましく、9μm以上であれば回路としての機能が十分達成できるし、140μm以下でならば厚みが増し過ぎて小型化や薄型化が難しくなることもない。   The thickness of the circuit 3 is preferably 9 μm or more and 140 μm or less, and if it is 9 μm or more, the function as a circuit can be sufficiently achieved, and if it is 140 μm or less, the thickness increases excessively, making it difficult to reduce the size and thickness. Nor.

<作用効果>   <Effect>

本実施形態に係るアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物をおよびそれを用いた金属ベース回路基板は、本発明者等が、高反射率の白色のソルダーレジスト塗膜を製造安定性よく形成するために、鋭意検討した結果、ソルダーレジスト組成物に含有される有機混合物・無機混合物の配合組成、無機混合物に含まれる無機物質の屈折率、粒径、含有量を所定の範囲に調整することにより高反射率の白色のソルダーレジスト塗膜を製造安定性よく形成することができることを見出し、完成したものである。   The alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition according to the present embodiment and a metal base circuit board using the same are manufactured and stable by the present inventors. As a result of diligent investigation to form with good properties, the composition of the organic mixture / inorganic mixture contained in the solder resist composition, the refractive index, particle size, and content of the inorganic substance contained in the inorganic mixture within a predetermined range It has been found out by adjusting that a white solder resist coating film having a high reflectance can be formed with good production stability.

すなわち、本実施形態に係るソルダーレジスト組成物は、有機混合物・無機混合物の配合組成、無機物質の屈折率、粒径、含有量を所定の範囲に調整されたソルダーレジスト組成物であって、露光後、フォトマスク等によるマスキングによる非露光部分をアルカリ水溶液で取除き、その後熱・光により硬化させることにより、高反射率の白色のソルダーレジスト塗膜を製造安定性よく形成することができるアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物である。   That is, the solder resist composition according to the present embodiment is a solder resist composition in which the blending composition of the organic mixture / inorganic mixture, the refractive index, the particle size, and the content of the inorganic substance are adjusted within a predetermined range, and exposure After that, by removing the non-exposed part by masking with photomask etc. with alkaline aqueous solution and then curing with heat and light, it is possible to form a white solder resist coating film with high reflectivity with good manufacturing stability. This is a mold photocurable / thermosetting solder resist composition.

また、本実施形態に係る金属ベース回路基板は、非紫外線照射光源としてLEDを使用した直下型バックライト用の金属ベース回路基板及び光反射シートであり、詳しくは上述のソルダーレジスト組成物を用いて得られた光反射シート代替の高反射率の白色塗膜を有する高反射率白色金属ベース回路基板である。   Further, the metal base circuit board according to the present embodiment is a metal base circuit board for a direct type backlight using an LED as a non-ultraviolet irradiation light source and a light reflection sheet. Specifically, the above-described solder resist composition is used. It is a high reflectivity white metal base circuit board having a high reflectivity white coating film instead of the obtained light reflection sheet.

すなわち、本実施形態に係る金属ベース回路基板は、金属箔上に絶縁層を形成し、絶縁層上に回路を形成した金属ベース回路基板であって、絶縁層及び回路上に上述のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて白色膜を設けた金属ベース回路基板である。本実施形態に係る金属ベース回路基板では、好ましくは、白色膜の可視光の460nm、525nm、及び620nmの反射率がいずれも80〜95%である。また、本実施形態に係る金属ベース回路基板では、好ましくは、絶縁層の熱伝導率が1〜4W/mKである。また、本実施形態に係る金属ベース回路基板では、好ましくは、絶縁層が二官能性エポキシ樹脂を含有する。   That is, the metal base circuit board according to the present embodiment is a metal base circuit board in which an insulating layer is formed on a metal foil and a circuit is formed on the insulating layer, and the above-described alkali development type is formed on the insulating layer and the circuit. It is a metal base circuit board provided with a white film using a photocurable / thermosetting solder resist composition. In the metal base circuit board according to the present embodiment, preferably, the reflectances of visible light of the white film at 460 nm, 525 nm, and 620 nm are all 80 to 95%. In the metal base circuit board according to the present embodiment, preferably, the thermal conductivity of the insulating layer is 1 to 4 W / mK. In the metal base circuit board according to the present embodiment, preferably, the insulating layer contains a bifunctional epoxy resin.

また、本実施形態に係る金属ベース回路基板では、好ましくは、絶縁層が酸無水物若しくはフェノール類を含有し、二官能エポキシ樹脂のエポキシ当量に対して活性水素当量が0.8〜1倍となるように酸無水物若しくはフェノール類を含有する。さらに、本実施形態に係る金属ベース回路基板では、好ましくは、絶縁層が熱硬化性樹脂を25〜50体積%含有し、残部として0.6〜2.4μm及び5〜20μmの2種類の平均粒径を持ち、かつ形状が球状、破砕状若しくは鱗片状の無機フィラーを含む。
Further, the metal base circuit board according to the present embodiment, preferably, the insulating layer comprises an acid anhydride or a phenol, 0.8 times active hydrogen equivalent of the epoxy equivalent of the difunctional epoxy resin To contain acid anhydrides or phenols. Furthermore, in the metal base circuit board according to the present embodiment, preferably, the insulating layer contains 25 to 50% by volume of a thermosetting resin, and the balance is an average of two types of 0.6 to 2.4 μm and 5 to 20 μm. An inorganic filler having a particle size and having a spherical shape, crushed shape, or scale shape is included.

本実施形態に係る金属ベース回路基板によれば、反射率の高い白色のソルダーレジスト塗膜を形成することができ、またLED実装後に光反射シートを貼り付けなくても、金属ベース回路基板のみで反射光を有効利用することができる。言い換えれば、電子部品の実装という従来のプリント回路基板の機能に加えて、光反射機能という新しい機能を持った回路基板が得られる。光反射機能を持った本実施形態の金属ベース回路基板を、例えば、LEDを用いた直下型バックライト用のプリント回路基板として使用するときは、金属ベース回路基板上の高反射率の白色塗膜を光反射シートとして使用すればよいので、高価な光反射シートを使用せずともよく、バックライト製造時の工数及び必要部材の低減することができ、コストダウンにつながる。   According to the metal base circuit board according to the present embodiment, a white solder resist coating film having a high reflectance can be formed, and even if the light reflection sheet is not attached after LED mounting, only the metal base circuit board can be formed. The reflected light can be used effectively. In other words, in addition to the conventional printed circuit board function of mounting electronic components, a circuit board having a new function of light reflection function can be obtained. When the metal base circuit board of the present embodiment having a light reflection function is used as a printed circuit board for a direct type backlight using LEDs, for example, a high-reflectance white coating film on the metal base circuit board Can be used as a light reflecting sheet, so that an expensive light reflecting sheet does not have to be used, and the number of man-hours and necessary members for manufacturing the backlight can be reduced, leading to cost reduction.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.

例えば、上記実施の形態では、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて白色膜を設けた回路基板を金属ベース回路基板であるとしたが、特に金属ベース回路基板に限定する趣旨ではない。   For example, in the above embodiment, the circuit board provided with the white film using the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment is a metal base circuit board. It is not intended to be limited to circuit boards.

すなわち、本実施形態のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、金属ではないコア基板上にプリプレグ等を積層してなる通常の回路基板に塗布した場合であっても、同様に反射率の高い白色のソルダーレジスト塗膜を形成することができる。そのため、この場合であっても、LEDを用いた直下型バックライト用のプリント回路基板として使用するときは、通常の回路基板上の高反射率の白色塗膜を光反射シートとして使用すればよいので、高価な光反射シートを使用せずともよく、バックライト製造時の工数及び必要部材の低減することができ、コストダウンにつながる。   That is, the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition of the present embodiment is the same even when applied to a normal circuit board in which a prepreg or the like is laminated on a non-metal core substrate. A white solder resist coating film having a high reflectance can be formed. Therefore, even in this case, when used as a printed circuit board for a direct type backlight using an LED, a high reflectance white coating film on a normal circuit board may be used as a light reflecting sheet. Therefore, it is not necessary to use an expensive light reflecting sheet, and the number of man-hours and necessary members at the time of manufacturing the backlight can be reduced, leading to cost reduction.

以下、本発明を実施例によりさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further, this invention is not limited to these.

実施例1〜13、比較例1〜16について、表1〜表4に示した配合量(質量部)に従って各成分を配合・撹拌後、3本ロールを用いて分散・混練させてアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を調合した。   For Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 16, each component was blended and stirred according to the blending amount (parts by mass) shown in Tables 1 to 4, and then dispersed and kneaded using three rolls to develop the alkali. A photocurable / thermosetting solder resist composition was prepared.

調合した実施例1〜13、比較例1〜16の組成物を、スクリーン印刷法により硬化後の膜厚が約25μmとなるよう下記に示す金属ベース回路基板上に塗布した。   The prepared compositions of Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 16 were applied on the metal base circuit board shown below so that the film thickness after curing was about 25 μm by the screen printing method.

金属ベース回路基板は35μm厚の銅箔上に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製、「EP−828」)対し、硬化剤としてフェノールノボラック(大日本インキ化学工業社製、「TD−2131」)を加え、平均粒子径が1.2μmである破砕状粗粒子の酸化珪素(龍森社製、「A−1」)と平均粒子径が10μmである破砕状粗粒子の酸化珪素(龍森社製、「5X」)を合わせて絶縁層中56体積%(球状粗粒子と球状微粒子は質量比が7:3)となるように配合し、硬化後の厚さが100μmになるように絶縁層を形成し、つぎに200μm厚のアルミ箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の無機フィラー全体でナトリウムイオン濃度が50ppm以下である金属ベース基板を得た。さらに、得られた金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエッチングした後、エッチングレジストを除去して銅回路を形成して得た。この時、銅回路上のLEDパッケージ実装部分には白色塗膜を形成しない。   The metal base circuit board is a 35 μm thick copper foil on a bisphenol A type epoxy resin (Japan Epoxy Resin, “EP-828”), and a phenol novolak (Dainippon Ink Chemical Industries, “TD-”) as a curing agent. 2131 "), and crushed coarse particles of silicon oxide having an average particle size of 1.2 μm (manufactured by Tatsumori,“ A-1 ”) and crushed coarse particles of silicon oxide having an average particle size of 10 μm ( “5X” manufactured by Tatsumori Co., Ltd.) is combined so that the volume of the insulating layer is 56% by volume (spherical coarse particles and spherical fine particles have a mass ratio of 7: 3), and the thickness after curing is 100 μm. An insulating layer is then formed, and then a 200 μm thick aluminum foil is laminated and heated to thermally cure the insulating layer, thereby obtaining a metal base substrate having a sodium ion concentration of 50 ppm or less in the entire inorganic filler in the insulating layer. It was. Further, the obtained metal base substrate was obtained by masking a predetermined position with an etching resist and etching the copper foil, and then removing the etching resist to form a copper circuit. At this time, a white coating film is not formed on the LED package mounting portion on the copper circuit.

ソルダーレジスト組成物塗布後、80℃で30分間乾燥させた。次に400mJ/cmの積算光量で紫外線露光し、28℃1%の炭酸ナトリウム水溶液を現像液として非露光部の除去を行い、続いて150℃60分間の条件下で熱硬化を行った。 After applying the solder resist composition, it was dried at 80 ° C. for 30 minutes. Next, UV exposure was performed with an integrated light amount of 400 mJ / cm 2, the non-exposed portion was removed using a 1% sodium carbonate aqueous solution at 28 ° C. as a developer, and then thermosetting was performed at 150 ° C. for 60 minutes.

露光は松下電工製紫外線硬化装置ANUP7324を用いて行った。積算光量測定はTOPCON社UVチェッカーUVR−T1を用いて行った。膜厚の測定はサンコウ電子研究所製過電流膜厚計EDY−1000を用いて行った。反射率の測定は横河M&C製分光測色計CD100を用いて行った。   The exposure was performed using an ultraviolet curing apparatus ANUP7324 manufactured by Matsushita Electric Works. The integrated light quantity measurement was performed using a TOPCON UV checker UVR-T1. The film thickness was measured using an overcurrent film thickness meter EDY-1000 manufactured by Sanko Electronic Laboratory. The reflectance was measured using a spectrocolorimeter CD100 manufactured by Yokogawa M & C.

(A−1)−1:ダイセル・サイテック(株)製 CYCLOMER ACA200M、固形分47〜50wt%、溶媒プロピレングリコールモノメチルエーテル、樹脂密度1.2g/cm、樹脂酸価106〜121、重量平均分子量10000〜17000、二重結合当量(アクリロイル基当量)450
(A−1)−2:ダイセル・サイテック(株)製 CYCLOMER ACAZ251、固形分44.5〜46.5wt%、溶媒ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、密度1.1g/cm、樹脂密度1.2g/cm、樹脂酸価58〜74、重量平均分子量10000〜18000、二重結合当量(アクリロイル基当量)380
(A−1)−3:ダイセル・サイテック(株)製 CYCLOMER ACA230AA、固形分51〜55wt%、溶媒プロピレングリコールモノメチルエーテル、密度1.1g/cm、樹脂密度1.2g/cm、樹脂酸価33〜47、二重結合当量(アクリロイル基当量)450
(A-1) -1: CYCLOMER ACA200M manufactured by Daicel Cytec Co., Ltd., solid content 47-50 wt%, solvent propylene glycol monomethyl ether, resin density 1.2 g / cm 3 , resin acid value 106-121, weight average molecular weight 10000-17000, double bond equivalent (acryloyl group equivalent) 450
(A-1) -2: Daicel Cytec Co., Ltd. CYCLOMER ACAZ251, solid content 44.5-46.5 wt%, solvent dipropylene glycol monomethyl ether, density 1.1 g / cm 3 , resin density 1.2 g / cm 3 , resin acid value 58 to 74, weight average molecular weight 10000 to 18000, double bond equivalent (acryloyl group equivalent) 380
(A-1) -3: CYCLOMER ACA230AA manufactured by Daicel Cytec Co., Ltd., solid content 51 to 55 wt%, solvent propylene glycol monomethyl ether, density 1.1 g / cm 3 , resin density 1.2 g / cm 3 , resin acid 33-47, double bond equivalent (acryloyl group equivalent) 450

(A−2)−1:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、二重結合当量(アクリロイル基当量)96.3、密度1.155g/cm、分子量578 (A-2) -1: dipentaerythritol hexaacrylate, double bond equivalent (acryloyl group equivalent) 96.3, density 1.155 g / cm 3 , molecular weight 578

(A−3)−1:ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド チバジャパン(株)製 IRGACURE819 分子量419
(A−3)−2:2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン チバジャパン(株)製 IRGACURE907 密度1.2g/cm、分子量279
(A−3)−3:2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、チバジャパン(株)製 DAROCUR TPO 分子量350
(A-3) -1: Bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide Ciba Japan Co., Ltd. IRGACURE819 Molecular weight 419
(A-3) -2: 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one Ciba Japan Co., Ltd. IRGACURE907 density 1.2 g / cm 3 , molecular weight 279
(A-3) -3: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, Ciba Japan Co., Ltd. DAROCUR TPO Molecular weight 350

(A−4)−1:水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシ樹脂レジン(株)製 YX−8000エポキシ当量205、密度1.2   (A-4) -1: Hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, Japan Epoxy Resin Co., Ltd. YX-8000 epoxy equivalent 205, density 1.2

(A−5)−1:メラミン 分子量126.12 、密度1.57g/cm、1分子内に第1アミン3当量、第3アミン3当量含有、アミン当量21
(A−5)−2:ジシアンジアミド 分子量84.08 、密度1.4g/cm、1分子内に第1アミン1当量、第2アミン2当量、第3アミン1当量含有、アミン当量21
(A−5)−3:3or4−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸、日立化成工業(株)製HN5500 密度1.16g/cm、分子量168、酸無水物当量168
(A-5) -1: Melamine molecular weight 126.12, density 1.57 g / cm 3 , 3 equivalents of primary amine, 3 equivalents of tertiary amine in one molecule, amine equivalent 21
(A-5) -2: Dicyandiamide molecular weight 84.08, density 1.4 g / cm 3 , 1 equivalent of primary amine, 2 equivalents of secondary amine, 1 equivalent of tertiary amine, 1 amine equivalent 21
(A-5) -3: 3or4-methyl-hexahydrophthalic anhydride, HN5500 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., density 1.16 g / cm 3 , molecular weight 168, acid anhydride equivalent 168

(B−1)−1:大粒子硫酸バリウム、堺化学工業(製)製 BMH−60 平均粒子長径6μm、密度4.5g/cm
(B−1)−2:板状硫酸バリウム、堺化学工業(製)製 A 平均粒子長径6μm、密度4.5g/cm
(B-1) -1: Large particle barium sulfate, manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd. BMH-60 Average particle major axis 6 μm, density 4.5 g / cm 3
(B-1) -2: Plate-like barium sulfate, manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd. A Average particle major axis 6 μm, density 4.5 g / cm 3

(B−2)−1:酸化チタン、石原産業(株)製CR−90 平均粒子長径0.25μm、密度4.2g/cm (B-2) -1: Titanium oxide, CR-90 manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd. Average particle major axis 0.25 μm, density 4.2 g / cm 3

(B−3)−1:硫酸バリウム、堺化学工業(株)製バリエースB−30 平均粒子長径0.3μm、密度4.5g/cm (B-3) -1: Barium sulfate, Sakai Chemical Industry Co., Ltd. Variace B-30 Average particle major axis 0.3 μm, density 4.5 g / cm 3

(C)−1:ジプロピレングリコールモノメチルエーテル 密度0.95g/cm
消泡剤:信越化学工業(株)KS−66 密度1.01g/cm
(C) -1: Dipropylene glycol monomethyl ether density 0.95 g / cm 3
Antifoaming agent: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KS-66 density 1.01 g / cm 3

ソルダーレジスト組成物は下記の評価を行った。
塗布性:ソルダーレジスト組成物の基板への塗布性能。
現像性:塗布後、80℃で30分間乾燥、紫外線露光後、28℃1%の炭酸ナトリウム水溶液での非露光部の除去性および紫外線露光部の光硬化残存性目視観察。
硬化塗膜外観:硬化塗膜の外観(亀裂の有無・塗膜表面粗さ等)目視観察。
密着性:硬化塗膜と基板の密着性目視観察。
◎:良好
○:ほぼ良好
△:やや不良
×:不良
The solder resist composition was evaluated as follows.
Application property: Application performance of a solder resist composition to a substrate.
Developability: After coating, dried at 80 ° C. for 30 minutes, exposed to ultraviolet light, and then visually observed for removal of non-exposed areas and 1% of sodium-carbonate aqueous solution at 28 ° C. in 1% aqueous solution.
Cured coating film appearance: Visual observation of cured coating film appearance (presence of cracks, coating film surface roughness, etc.).
Adhesion: Visual observation of the adhesion between the cured coating and the substrate.
◎: Good ○: Almost good △: Somewhat bad ×: Bad

更に良好に形成された硬化塗膜について反射率の測定を行った。なお反射率は、絶縁層上に比べてより低い反射率を示す銅回路上に設けた塗膜部分の反射率を測定した。評価結果を表1〜表4に示す。   Further, the reflectance of the cured coating film formed satisfactorily was measured. In addition, the reflectance measured the reflectance of the coating-film part provided on the copper circuit which shows a lower reflectance than on an insulating layer. The evaluation results are shown in Tables 1 to 4.

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表1〜表4から明らかなように、本実施例1〜13においては、特定の屈折率および特定の平均粒子長径の無機物質を併用することにより、無機物質を高含有量配合しても塗布性、現像性、硬化塗膜外観、密着性に優れ、また高反射率のソルダーレジスト組成物として優れることがわかる。   As can be seen from Tables 1 to 4, in Examples 1 to 13, by using an inorganic substance having a specific refractive index and a specific average particle major axis in combination, it can be applied even if a high content of the inorganic substance is blended. It can be seen that it is excellent in properties, developability, appearance of cured coating film and adhesion, and is excellent as a solder resist composition having high reflectivity.

以上、本発明を実施例に基づいて説明した。この実施例はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。   In the above, this invention was demonstrated based on the Example. It is to be understood by those skilled in the art that this embodiment is merely an example, and that various modifications are possible and that such modifications are within the scope of the present invention.

本発明のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いた金属ベース回路基板は、LEDパッケージを実装する金属ベース基板表面に高反射率の白色塗膜を形成しているので、通常のプリント回路基板と類似の構成のまま光反射機能を有している。このため、高価な光反射シートを使用しなくてもLED光源の反射光を液晶部分に供給することができる。また、液晶バックライト製造時の工数を削減することもでき、効率的であり、LED用の金属ベース回路基板として産業上極めて有用である。 The alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition of the present invention and the metal base circuit board using the same form a white coating film having a high reflectance on the surface of the metal base board on which the LED package is mounted. Therefore, it has a light reflection function with a configuration similar to that of a normal printed circuit board. For this reason, the reflected light of the LED light source can be supplied to the liquid crystal part without using an expensive light reflecting sheet. Moreover, the man-hour at the time of liquid-crystal backlight manufacture can also be reduced, it is efficient, and it is very useful industrially as a metal base circuit board for LED.

本発明に係る金属ベース回路基板の一例の断面図である。It is sectional drawing of an example of the metal base circuit board based on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 金属箔
2 絶縁層
3 回路
4 白色膜
5 LEDパッケージ
6 半田接合部
1 Metal foil 2 Insulating layer 3 Circuit 4 White film
5 LED package 6 Solder joint

Claims (11)

(A)有機混合物と、(B)無機混合物と、(C)溶剤と、を含むアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物であって、
前記(A)有機混合物が、
(A−1)カルボキシル基および(メタ)アクリロイル基含有ポリマ−と、
(A−2)アクリル系化合物と、
(A−3)光重合開始剤と、
(A−4)エポキシ化合物と、
を含有し、
前記(B)無機混合物が、
(B−1)均粒子長径1.0〜20μmを有し、硫酸バリウム、二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、タルク、マイカから選ばれる単独または二種類以上の組み合わせからなる第1の無機物質と、
(B−2)均粒子長径0.1〜0.5μmを有する酸化チタンからなる第2の無機物質と、
を含有し、
(A)/(B)の体積%比が、70/30〜30/70であり、
(B−1)/(B−2)の体積%比が、5/95〜80/20であり、
(B)/((A)+(B)+(C))の体積%比が、20/100〜50/100であり、
前記(A−2)アクリル系化合物の配合量は、(A−1)中の(メタ)アクリロイル基1mol当量に対して、(A−2)中のアクリロイル基が、0.2〜5.0mol当量となるように配合されており、
前記(A−3)光重合開始剤の配合量は、((A−1)+(A−2))中の(メタ)アクリロイル基1mol当量に対して、(A−3)光重合開始剤が、0.1〜5.0mol当量となるよう配合されており、
前記(A−4)エポキシ化合物の配合量は、((A−1)+(A−2))中の(カルボキシル基+水酸基)1mol当量に対して、(A−4)中のエポキシ基0.5〜3.0mol当量となるよう配合されている、
アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
(A) an organic mixture, (B) an inorganic mixture, and (C) a solvent, an alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition,
Said (A) organic mixture is
(A-1) a carboxyl group and a (meth) acryloyl group-containing polymer;
(A-2) an acrylic compound;
(A-3) a photopolymerization initiator;
(A-4) an epoxy compound;
Containing
The (B) inorganic mixture is
(B-1) has a mean particle diameter 1.0 to 20, first made of barium sulfate, silicon dioxide, aluminum oxide, zinc oxide, magnesium oxide, talc, from one or two or more combinations selected from mica Of inorganic substances,
A second inorganic material composed of titanium oxide having a (B-2) average particle diameter 0.1 to 0.5 [mu] m,
Containing
(A) / (B) volume% ratio is 70 / 30-30 / 70,
The volume percentage ratio of (B-1) / (B-2) is 5 / 95-80 / 20,
The volume% ratio of (B) / ((A) + (B) + (C)) is 20/100 to 50/100,
The blending amount of the (A-2) acrylic compound is such that the acryloyl group in (A-2) is 0.2 to 5.0 mol with respect to 1 mol equivalent of the (meth) acryloyl group in (A-1). It is formulated to be equivalent,
The blending amount of the (A-3) photopolymerization initiator is (A-3) photopolymerization initiator with respect to 1 mol equivalent of the (meth) acryloyl group in ((A-1) + (A-2)). Is blended to be 0.1 to 5.0 mol equivalents,
The compounding amount of the (A-4) epoxy compound is 0 epoxy group in (A-4) with respect to 1 mol equivalent of (carboxyl group + hydroxyl group) in ((A-1) + (A-2)). .5 to 3.0 mol equivalent,
Alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition.
前記(B)無機混合物が、(B−3)均粒子長径0.1〜0.5μmを有し、硫酸バリウム、二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムから選ばれる単独または二種類以上の組み合わせからなる第3の無機物質をさらに含有し、
(B−1)/(B−2)/(B−3)の体積%比が、5/95/0(0を含まない)〜80/5/15である、請求項1記載のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
(B) the inorganic mixture, (B-3) having a mean particle diameter 0.1 to 0.5 [mu] m, barium sulfate, silicon dioxide, aluminum oxide, zinc oxide, alone is selected from magnesium oxide or two or more A third inorganic material comprising a combination of
The alkali development according to claim 1, wherein the volume percentage ratio of (B-1) / (B-2) / (B-3) is from 5/95/0 (excluding 0) to 80/5/15. Type photo-curable and thermosetting solder resist composition.
前記(A)有機混合物が、(A−5)アミン類および/または酸無水物をさらに含有する、請求項1又は2記載のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。   The alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition according to claim 1 or 2, wherein the (A) organic mixture further contains (A-5) amines and / or acid anhydrides. 前記(B−1)第1の無機物質が、硫酸バリウム、二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、タルク、マイカから選ばれる単独または二種類以上の組み合わせからなる無機物質であり、
前記(B−2)第2の無機物質が、ルチル型酸化チタンであり、
前記(B−3)第3の無機物質が、硫酸バリウム、二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムから選ばれる単独または二種類以上の組み合わせからなる無機物質である、請求項1乃至3いずれかに記載のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
The (B-1) first inorganic substance is an inorganic substance composed of one or a combination of two or more selected from barium sulfate, silicon dioxide, aluminum oxide, zinc oxide, magnesium oxide, talc and mica,
The (B-2) second inorganic substance is rutile titanium oxide,
The (B-3) third inorganic substance is an inorganic substance consisting of barium sulfate, silicon dioxide, aluminum oxide, zinc oxide, magnesium oxide, or a single or a combination of two or more. An alkali development type photo-curable / thermosetting solder resist composition according to claim 1.
金属箔と、
前記金属箔上に設けられている絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられている回路と、
請求項1乃至4いずれかに記載のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて前記絶縁層および前記回路上に設けられている白色膜と、
を備える金属ベース回路基板。
Metal foil,
An insulating layer provided on the metal foil;
A circuit provided on the insulating layer;
A white film provided on the insulating layer and the circuit using the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition according to any one of claims 1 to 4,
A metal-based circuit board comprising:
前記白色膜の460nm、525nmおよび620nmにおける反射率が、いずれも80%以上である、請求項5記載の金属ベース回路基板。   The metal base circuit board according to claim 5, wherein the white film has a reflectance at 460 nm, 525 nm, and 620 nm of 80% or more. 前記絶縁層の熱伝導率が、1〜4W/mKである、請求項5または6記載の金属ベース回路基板。   The metal base circuit board according to claim 5 or 6, wherein the insulating layer has a thermal conductivity of 1 to 4 W / mK. 前記絶縁層が、二官能性エポキシ樹脂を含有する、請求項5乃至7いずれかに記載の金属ベース回路基板。   The metal base circuit board according to claim 5, wherein the insulating layer contains a bifunctional epoxy resin. 前記絶縁層が、酸無水物またはフェノール類をさらに含有する、請求項8に記載の金属ベース回路基板。   The metal base circuit board according to claim 8, wherein the insulating layer further contains an acid anhydride or a phenol. 前記二官能エポキシ樹脂のエポキシ当量に対して、活性水素当量が0.8〜1倍となるように、前記酸無水物または前記フェノール類を含有する、請求項9記載の金属ベース回路基板。 The epoxy equivalent weight of the difunctional epoxy resin, so that the active hydrogen equivalent weight is 0.8 to 1 times, containing an acid anhydride or said phenol, the metal base circuit board according to claim 9 . 前記絶縁層が、熱硬化性樹脂を25〜50体積%含有し、残部として0.6〜2.4μmおよび5〜20μmの2種類の平均粒子長径を持ち、かつ形状が球状、破砕状若しくは鱗片状の無機フィラーを含有する、請求項5乃至10いずれかに記載の金属ベース回路基板。   The insulating layer contains 25 to 50% by volume of a thermosetting resin, the balance has two types of average particle lengths of 0.6 to 2.4 μm and 5 to 20 μm, and the shape is spherical, crushed, or scaly The metal base circuit board according to any one of claims 5 to 10, comprising a shaped inorganic filler.
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