JP2009194222A - White alkali-developable photocurable and thermosetting solder resist composition, and metal-base circuit substrate using the same - Google Patents

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Takemi Oguma
武美 小熊
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-reflectance alkali-developable photocurable and thermosetting solder resist composition, and a metal-base circuit substrate using the same having a high reflection function. <P>SOLUTION: The white alkali-developable photocurable and thermosetting solder resist composition comprises (A) a carboxyl-containing (meth)acrylate having no aromatic ring, (B) a (meth)acryl compound, (C) a photopolymerization initiator, (D) an epoxy compound, (E) a curing agent for thermosetting, (F) a curing catalyst for thermosetting, (G) inorganic powder, and (H) an organic solvent. The metal-base circuit substrate comprises an insulating layer formed on metal foil, and a circuit formed on the insulating layer wherein a white film is formed on the insulating layer and the circuit using the solder resist composition. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物、及びそれを用いた金属ベース回路基板に関する。   The present invention relates to a white alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition and a metal base circuit board using the same.

従来から、液晶表示装置は、様々の分野で使用されており、特にパーソナルコンピューターやテレビ等の電子産業分野では数多く使用されてきた。これらの液晶表示装置のなかで、特に直下型のバックライトシステムを採用しているものは、液晶パネルの背面にバックライトを配置しており、該バックライトは光源からの出射光を導光板に入射させ、その伝播した光を導光板の表面側からプリズムシート等を介して出射させることによって、液晶パネルの背面を全体的に照射するようにしている。バックライトの光源としては、CFL(冷陰極管)といわれる小型の蛍光管や発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)を使用したものが多い。しかし、近年環境面への配慮から、水銀を使用しているCFLに替わってLEDを光源としたバックライトが広がりつつある。   Conventionally, liquid crystal display devices have been used in various fields, and in particular, have been used in many fields in the electronic industry such as personal computers and televisions. Among these liquid crystal display devices, particularly those that employ a direct type backlight system, a backlight is disposed on the back of the liquid crystal panel, and the backlight uses the light emitted from the light source as a light guide plate. Incident light is transmitted, and the propagated light is emitted from the front surface side of the light guide plate through a prism sheet or the like, so that the entire back surface of the liquid crystal panel is irradiated. As a light source of the backlight, a small fluorescent tube called a CFL (cold cathode tube) or a light emitting diode (LED) is often used. However, in recent years, due to environmental considerations, backlights using LEDs as light sources are spreading instead of CFLs using mercury.

加えて、テレビ向けの液晶表示装置のさらなる大面積化が望まれており、このためには大光量が必要である。従って、可能な限り多くの光量を液晶部分に供給する必要がある。このため、バックライトから供給する光量を最大化するためには、LEDからの出射光のみならず反射光を有効利用する必要がある。反射光を有効利用するためには、光反射シートを用いることが一般的である。   In addition, it is desired to further increase the area of a liquid crystal display device for television, and for this purpose, a large amount of light is required. Therefore, it is necessary to supply as much light as possible to the liquid crystal part. For this reason, in order to maximize the amount of light supplied from the backlight, it is necessary to effectively use not only the emitted light from the LED but also the reflected light. In order to effectively use the reflected light, it is common to use a light reflecting sheet.

従来、光源としてLEDを用いた直下型バックライト用の光反射シートの使用法としてはプリント回路基板上にLEDパッケージを実装し、さらに、該プリント回路基板上に光反射シートを貼り付けていた。このように、プリント回路基板と光反射シートは別々の物とされていた(特許文献1)。   Conventionally, as a method of using a light reflection sheet for a direct type backlight using LEDs as a light source, an LED package is mounted on a printed circuit board, and a light reflection sheet is pasted on the printed circuit board. As described above, the printed circuit board and the light reflecting sheet are different from each other (Patent Document 1).

また従来のソルダーレジスト膜を有するプリント配線板は、LEDの光の利用効率を上げるための光反射シート代替までには至っていない(特許文献2〜9)。   Moreover, the conventional printed wiring board which has a soldering resist film has not reached the substitute of the light reflection sheet for raising the utilization efficiency of the light of LED (patent documents 2-9).

特開2006−310014号公報JP 2006-310014 A 特公平1−54390号公報Japanese Patent Publication No. 1-54390 特公平7−17737号公報Japanese Patent Publication No. 7-17737 特開平9−183920号公報JP-A-9-183920 特開2005−108896号公報JP 2005-108896 A 特開2005−311233号公報JP 2005-31233 A 特開2006−96962号公報JP 2006-96962 A 特開2007−101830号公報JP 2007-101830 A 特開2007−322546号公報JP 2007-322546 A

従来、直下型バックライト用のLEDパッケージ実装用プリント回路基板には、光反射機能がないため、バックライト用のプリント回路基板として使用する場合は、LEDパッケージ実装後に光反射シートを貼り付ける必要があった。このため、製造時の工数及び必要部材の増加により、製造プロセス上取り扱いが煩雑になり、不便であるという問題があった。   Conventionally, a printed circuit board for mounting an LED package for a direct type backlight has no light reflecting function. Therefore, when used as a printed circuit board for a backlight, it is necessary to attach a light reflecting sheet after mounting the LED package. there were. For this reason, there has been a problem that the number of man-hours and necessary members at the time of manufacture are complicated and handling is complicated in the manufacturing process, which is inconvenient.

本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、光反射率の高い白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物、及びそれを用いた全く新しい金属ベース回路基板の提供を目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a white alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition having a high light reflectance, and a completely new metal base circuit board using the same. Objective.

本発明によれば、(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレートと、(B)(メタ)アクリル化合物と、(C)光重合開始剤と、(D)エポキシ化合物と、(E)熱硬化用硬化剤と、(F)熱硬化用硬化触媒と、(G)無機粉末と、(H)有機溶剤と、を含むことを特徴とする白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物が提供される。   According to the present invention, (A) a carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring, (B) a (meth) acrylic compound, (C) a photopolymerization initiator, (D) an epoxy compound, (E) a thermosetting curing agent, (F) a curing catalyst for thermosetting, (G) an inorganic powder, and (H) an organic solvent. A thermosetting solder resist composition is provided.

このような組成によれば、光反射率の高い塗膜を形成することができるソルダーレジスト組成物が得られる。これらの結果、電子部品の高品質化や信頼性の向上等を図ることができる。   According to such a composition, the soldering resist composition which can form a coating film with high light reflectance is obtained. As a result, it is possible to improve the quality of electronic parts and improve reliability.

更に本発明によれば、金属箔上に絶縁層を形成し、該絶縁層上に回路を形成した金属ベース回路基板において、上記絶縁層と、上記回路上とに上記アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いてソルダーレジスト膜を形成して得られる金属ベース回路基板が提供される。   Furthermore, according to the present invention, in a metal base circuit board in which an insulating layer is formed on a metal foil and a circuit is formed on the insulating layer, the alkali development type photo-curing property is formed on the insulating layer and the circuit. There is provided a metal base circuit board obtained by forming a solder resist film using a thermosetting solder resist composition.

このような回路基板は、光反射シートを貼り付けなくても、金属ベース回路基板のみで反射光を有効利用することができるため、製造工程の簡易化や必要部材の削減等により生産性の向上等を図ることができる。   Such a circuit board can effectively use reflected light only with a metal-based circuit board without attaching a light reflecting sheet, thereby improving productivity by simplifying the manufacturing process and reducing necessary components. Etc. can be achieved.

本発明によれば、ソルダーレジスト組成物の組成を上記配合とすることにより、光反射率の高いソルダーレジスト塗膜を形成することができ、またLED実装後に光反射シートを貼り付けなくても、金属ベース回路基板のみで反射光を有効利用することができる。   According to the present invention, by setting the composition of the solder resist composition as described above, it is possible to form a solder resist coating film having a high light reflectance, and without attaching a light reflecting sheet after LED mounting, The reflected light can be effectively used only with the metal base circuit board.

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

<用語の説明>
本明細書において、白色とは、400〜800nmの可視光領域において、連続的に高い反射率、例えば反射光に対する入射光の光強度の比において80%以上、で反射されることを意味する。
本明細書において、アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物とは、
アルカリ現像が可能であって、且つ、光硬化及び/又は熱硬化が可能なソルダーレジスト組成物を意味する。
本明細書において、ソルダーレジスト組成物とは、回路基板等の半田付けを行う時に、半田付けが不要な部分を保護するための耐熱性コーティング材を意味する。
本明細書において、(メタ)アクリレートとは、メタアクリレートとアクリレートの総称である。
本明細書において、「〜」なる記載は、定義される範囲の下限及び上限の数値も含み、「下限数値以上であって上限数値以下」の範囲を意味する。
本明細書において、分子量とは、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー(以下、GPCという)等で測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量を意味する。
<Explanation of terms>
In the present specification, white means that the light is continuously reflected at a high reflectance in the visible light region of 400 to 800 nm, for example, 80% or more in the ratio of the light intensity of the incident light to the reflected light.
In the present specification, the alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition is:
It means a solder resist composition capable of alkali development and capable of photocuring and / or heat curing.
In this specification, the solder resist composition means a heat-resistant coating material for protecting a portion that does not require soldering when soldering a circuit board or the like.
In this specification, (meth) acrylate is a general term for methacrylate and acrylate.
In the present specification, the description “to” includes numerical values of the lower limit and the upper limit of the defined range, and means a range of “more than the lower limit value and less than the upper limit value”.
In the present specification, the molecular weight means a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (hereinafter referred to as GPC) or the like.

<実施の形態>
<ソルダーレジスト組成物>
本発明の一実施形態に係る白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレートと、(B)(メタ)アクリル化合物と、(C)光重合開始剤と、(D)エポキシ化合物と、(E)熱硬化用硬化剤と、(F)熱硬化用硬化触媒と、(G)無機粉末と、(H)有機溶剤と、を含む。
<Embodiment>
<Solder resist composition>
A white alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition according to an embodiment of the present invention includes (A) a carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring, and (B) (meth). An acrylic compound, (C) a photopolymerization initiator, (D) an epoxy compound, (E) a thermosetting curing agent, (F) a thermosetting curing catalyst, (G) an inorganic powder, and (H) An organic solvent.

上記組成によれば、光反射率の高いソルダーレジスト塗膜を形成することができるソルダーレジスト組成物を提供することができる。   According to the said composition, the soldering resist composition which can form a soldering resist coating film with a high light reflectance can be provided.

<(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレート>
上記(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレートは、とくに限定されず、芳香環を持たず、カルボキシル基を有する樹脂であればよい。
上記(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレートとしては、例えば、ダイセル・サイテック(株)製の酸基含有アクリレート、製品名CYCLOMER(ACA200M、ACA230AA、ACAZ250、ACAZ251、ACAZ300、ACAZ320)、大阪有機化学工業(株)の製品名AGOR4120、ORGA4060等を挙げることができる。これらの芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレートは単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
<(A) Carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring>
The (A) carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring is not particularly limited as long as the resin does not have an aromatic ring and has a carboxyl group.
Examples of the (A) carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring include acid group-containing acrylate manufactured by Daicel-Cytec Co., Ltd., product names CYCLOMER (ACA200M, ACA230AA, ACAZ250, ACAZ251, ACAZ300, and ACAZ320). ), Product names AGOR4120, ORGA4060, etc. of Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd. can be mentioned. These carboxyl group-containing (meth) acrylates having no aromatic ring can be used alone or in combination of two or more.

上記(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレートは、その樹脂酸価が30mgKOH/g〜150mgKOH/gの範囲にあることが好ましい。樹脂酸価が30mgKOH/g以上の場合、弱アルカリ水溶液での未露光部分の除去が容易である。また、樹脂酸価が150mgKOH/g以下であれば、硬化被膜の耐水性、電気特性等が向上される。   The (A) carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring preferably has a resin acid value in the range of 30 mgKOH / g to 150 mgKOH / g. When the resin acid value is 30 mgKOH / g or more, it is easy to remove the unexposed portion with a weak alkaline aqueous solution. Moreover, if the resin acid value is 150 mgKOH / g or less, the water resistance, electrical characteristics, etc. of the cured coating are improved.

また、上記(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレートの重量平均分子量は、5,000〜100,000の範囲にあることが好ましい。重量平均分子量が5,000以上であれば、指触乾燥性が良好である。また、重量平均分子量が100,000以下であれば、現像性、貯蔵安定性が向上される。   Moreover, it is preferable that the weight average molecular weight of the said (A) carboxyl group-containing (meth) acrylate which does not have an aromatic ring exists in the range of 5,000-100,000. If the weight average molecular weight is 5,000 or more, the dryness to touch is good. Moreover, if a weight average molecular weight is 100,000 or less, developability and storage stability will be improved.

<(B)(メタ)アクリル化合物>
上記(B)(メタ)アクリル化合物は、特に限定されず、アクリル化合物及び/又はメタアクリル化合物を意味する。
上記(B)(メタ)アクリル化合物としては、例えば、エチレングリコール、メトキシテトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールなどのグリコールのモノ又はジアクリレート類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチルアクリレートなどのヒドロキシアルキルアクリレート類;N,N−ジメチルアクリルアミド、N−メチロールアクリルアミドなどのアクリルアミド類;N,N−ジメチルアミノエチルアクリレートなどのアミノアルキルアクリレート類;ヘキサンジオール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリス−ヒドロキシエチルイソシアヌレートなどの多価アルコール又はこれらのエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイド付加物の多価アクリレート類;フェノキシアクリレート、ビスフェノールAジアクリレート及び、これらのフェノール類のエチレンオキサイドあるいはプロピレンオキサイド付加物などのアクリレート類;グルセリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルなどのグリシジルエーテルのアクリレート類;メラミンアクリレート;及び/又は上記アクリレート類に対応するメタクリレート類、トリシクロデシルメタクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールグリシジルエーテルアクリレート、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステルのアクリル酸変性物、テトラヒドロフルフリルアクリレート、末端アクリロイル基シルセスキオキサン誘導体等を挙げることができる。これらの(メタ)アクリル化合物は単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、末端アクリロイル基シルセスキオキサン誘導体等が透明性に優れるため好ましい。
<(B) (Meth) acrylic compound>
The (B) (meth) acrylic compound is not particularly limited, and means an acrylic compound and / or a methacrylic compound.
Examples of the (B) (meth) acryl compound include mono- or diacrylates of glycols such as ethylene glycol, methoxytetraethylene glycol, polyethylene glycol, and propylene glycol; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl Hydroxyalkyl acrylates such as acrylate; acrylamides such as N, N-dimethylacrylamide and N-methylolacrylamide; aminoalkyl acrylates such as N, N-dimethylaminoethyl acrylate; hexanediol, trimethylolpropane, pentaerythritol, di Polyhydric alcohols such as pentaerythritol and tris-hydroxyethyl isocyanurate, or their ethylene oxide or propylene ox Polyhydric acrylates of idoid adducts; Phenoxy acrylate, bisphenol A diacrylate and acrylates such as ethylene oxide or propylene oxide adducts of these phenols; Glycidyl such as glycerin diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether Acrylates of ethers; melamine acrylates; and / or methacrylates corresponding to the above acrylates, tricyclodecyl methacrylate, tricyclodecane dimethanol diacrylate, tricyclodecane dimethanol dimethacrylate, 1,6-hexanediol glycidyl ether acrylate , Acrylic acid modification of hexahydrophthalic acid diglycidyl ester, tetrahydrofurfuryl acrylate, It can be exemplified acryloyl group silsesquioxane derivatives. These (meth) acrylic compounds can be used alone or in combination of two or more. Among these, terminal acryloyl group silsesquioxane derivatives and the like are preferable because of excellent transparency.

上記(B)(メタ)アクリル化合物の配合量は、上記(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレート100質量部対して好ましくは300〜850質量部、特に好ましくは400〜800質量部である。上記(B)(メタ)アクリル化合物の配合量が300質量部以上又は400質量部以上の場合、耐熱性が向上する。一方、上記(B)(メタ)アクリル化合物の配合量が、850質量部以下又は800質量部以下の場合、アルカリ現像時の白色膜溶解性が向上するため好ましい。   The blending amount of the (B) (meth) acrylic compound is preferably 300 to 850 parts by weight, particularly preferably 400 to 800, with respect to 100 parts by weight of the (A) carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring. Part by mass. When the blending amount of the (B) (meth) acrylic compound is 300 parts by mass or more or 400 parts by mass or more, the heat resistance is improved. On the other hand, when the blending amount of the (B) (meth) acrylic compound is 850 parts by mass or less or 800 parts by mass or less, the solubility of the white film during alkali development is improved, which is preferable.

<(C)光重合開始剤>
上記(C)光重合開始剤は、特に限定されず、光の照射によりモノマーやオリゴマーの重合を開始させることが可能な化合物を含む。
上記(C)光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシ−2−フェニルアセトフェノン、1,1−ジクロロアセトフェノン等のアセトフェノン類;ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾインとベンゾインアルキルエーテル類;2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−(ジメチルアミノ)−2−[(4−メチルフェニル)メチル]−1−[4−(4−モルフォリニル)フェニル]−1−ブタノン等のアミノアルキルフェノン類;2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−ターシャリーブチルアントラキノン、1−クロロアントラキノン等のアントラキノン類;2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン類;アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール等のケタール類;ベンゾフェノン等のベンゾフェノン類;又はキサントン類;(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−ペンチルホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、エチル−2,4,6−トリメチルベンゾイルフェニルフォスフィネイト等のフォスフィンオキサイド類;各種パーオキサイド類、チタノセン系開始剤などが挙げられる。また、これらは、N,N−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、N,N−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等の三級アミン類のような光増感剤等と併用しても良い。上記(C)光重合開始剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
<(C) Photopolymerization initiator>
The (C) photopolymerization initiator is not particularly limited, and includes a compound capable of initiating polymerization of monomers and oligomers by light irradiation.
Examples of the (C) photopolymerization initiator include acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 1, Acetophenones such as 1-dichloroacetophenone; benzoin and benzoin alkyl ethers such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether; 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopro Pan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1, 2- (dimethylamino) -2-[(4-methylphenyl) methyl] -1- [4- (4-morpholinyl) phenyl] -1 Aminoalkylphenones such as butanone; anthraquinones such as 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tertiarybutylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone; 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2- Thioxanthones such as chlorothioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; ketals such as acetophenone dimethyl ketal and benzyldimethyl ketal; benzophenones such as benzophenone; or xanthones; (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4 -Pentylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, Phosphine oxide such as chill-2,4,6-trimethyl benzoyl phenyl phosphinothricin Nate; various peroxides, and the like titanocene initiators. These are also light such as tertiary amines such as N, N-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, N, N-dimethylaminobenzoic acid isoamyl ester, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, triethylamine, triethanolamine and the like. You may use together with a sensitizer etc. The said (C) photoinitiator can be used individually or in combination of 2 or more types.

上記(C)光重合開始剤の配合量は、上記(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレートと上記(B)(メタ)アクリル化合物の合計を100質量部としたとき、好ましくは2質量部〜6質量部、より好ましくは3質量部〜5質量部である。上記(C)光重合開始剤の配合量が2質量部以上又は3質量部以上であれば、光硬化性が高く、露光・現像後のパターン形成が容易になるので好ましい。また、上記(C)光重合開始剤の配合量が6質量部以下又は5質量部以下であれば、厚膜硬化性に優れるため好ましい。   The blending amount of the (C) photopolymerization initiator is 100 parts by mass of the total of the (A) carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring and the (B) (meth) acrylic compound. Preferably they are 2 mass parts-6 mass parts, More preferably, they are 3 mass parts-5 mass parts. When the blending amount of the (C) photopolymerization initiator is 2 parts by mass or more or 3 parts by mass or more, the photocurability is high and pattern formation after exposure / development is facilitated. Moreover, if the compounding quantity of the said (C) photoinitiator is 6 mass parts or less or 5 mass parts or less, since it is excellent in thick film sclerosis | hardenability, it is preferable.

<(D)エポキシ化合物>
上記(D)エポキシ化合物は、特に限定されず、エポキシ環を含有する化合物を含む。
上記(D)エポキシ化合物としては、公知慣用の各種エポキシ樹脂、例えば、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ジグリシジルフタレート樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート(例えば日産化学(株)製のTEPIC−H(S−トリアジン環骨格面に対し3個のエポキシ基が同一方向に結合した構造をもつβ体)や、TEPIC(β体と、S−トリアジン環骨格面に対し1個のエポキシ基が他の2個のエポキシ基と異なる方向に結合した構造をもつα体との混合物)等)などの複素環式エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型またはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビスフェノールAのノボラック型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、アミノ基含有エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ化合物は、単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
<(D) Epoxy compound>
The (D) epoxy compound is not particularly limited, and includes a compound containing an epoxy ring.
Examples of the epoxy compound (D) include various known and commonly used epoxy resins such as bisphenol S-type epoxy resin, diglycidyl phthalate resin, triglycidyl isocyanurate (for example, TEPIC-H (S-triazine ring manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.). Β-form having a structure in which three epoxy groups are bonded in the same direction to the skeleton plane, and TEPIC (beta-form, one epoxy group for the S-triazine ring skeleton plane is the other two epoxy groups. Etc.), etc., etc.), bixylenol type epoxy resins, biphenol type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, hydrogenated bisphenol A type epoxy resins, Bisphenol F type resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, phenol novolac type or Resole novolac epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin, bisphenol A novolac epoxy resin, chelate epoxy resin, glyoxal epoxy resin, amino group-containing epoxy resin, rubber-modified epoxy resin, dicyclopentadiene phenolic epoxy resin, silicone Examples thereof include modified epoxy resins and ε-caprolactone-modified epoxy resins. These epoxy compounds can be used alone or in combination of two or more.

上記した中でも、芳香環を有さないエポキシ樹脂を用いることがより好ましい。中でも、脂環式エポキシ樹脂は、低波長〜高波長領域での透明性を有しているため、無機粉末の反射率を効率よく利用することができ、高反射率のものとすることができる。   Among the above, it is more preferable to use an epoxy resin having no aromatic ring. Among them, since the alicyclic epoxy resin has transparency in a low wavelength region to a high wavelength region, the reflectance of the inorganic powder can be efficiently used, and the high reflectance can be achieved. .

上記脂環式エポキシ樹脂としては、ダイセル化学工業(株)の製品名セロキサイド2021P及びセルヴィーナスB0134等が挙げることができる。これらの脂環式エポキシ樹脂は単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the alicyclic epoxy resin include product names Celoxide 2021P and Servenus B0134 manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd. These alicyclic epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.

上記(D)エポキシ化合物の配合量は、上記(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレート100質量部に対して好ましくは90〜400質量部、特に好ましくは150〜300質量部である。上記(D)エポキシ化合物の配合量が400質量部以下又は300質量部以下であれば、現像液での未露光部分の溶解性の低下や現像残り等が発生しにくくなり、実用上の使用に適している。一方、上記(D)エポキシ化合物の配合量が90質量部以上又は150質量部以上であれば、硬化塗膜の電気特性、半田耐熱性、耐薬品性等が向上される。   The blending amount of the (D) epoxy compound is preferably 90 to 400 parts by weight, particularly preferably 150 to 300 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (A) carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring. It is. If the blending amount of the (D) epoxy compound is 400 parts by mass or less or 300 parts by mass or less, it is difficult to cause a decrease in solubility of the unexposed part in the developing solution or development residue, and the practical use. Is suitable. On the other hand, when the blending amount of the (D) epoxy compound is 90 parts by mass or more or 150 parts by mass or more, the electrical characteristics, solder heat resistance, chemical resistance, etc. of the cured coating film are improved.

<(E)熱硬化用硬化剤>
上記(E)熱硬化用硬化剤は、特に限定されず、常温あるいは高温条件下で硬化反応を開始させることのできる化合物を含む。
上記(E)熱硬化用硬化剤としては、公知のアミン類又は酸無水物を用いることができる。
<(E) Curing agent for thermosetting>
The (E) thermosetting curing agent is not particularly limited, and includes a compound capable of initiating a curing reaction under normal temperature or high temperature conditions.
As the (E) thermosetting curing agent, known amines or acid anhydrides can be used.

アミン類としては、例えばメラミン、ジシアンジアミド、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、m−キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、2−メチルペンタメチレンジアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、イソフォロンジアミン、1,3−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、ノルボルネンアミン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、ラロミン、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニルジアミン、ジアミノジスルフォン、ポリオキシプロピレンジアミン、ポリオキシプロピレントリアミン、ポリシクロヘキシルポリアミン混合物、N−アミノエチルピペラジン等を挙げることができる。これらのアミン類は単独で又は2種以上の混合物として用いることができる。   Examples of amines include melamine, dicyandiamide, diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, m-xylenediamine, trimethylhexamethylenediamine, 2-methylpentamethylenediamine, diethylaminopropylamine, isophoronediamine, 1,3- Bisaminomethylcyclohexane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, norborneneamine, 1,2-diaminocyclohexane, laromine, diaminodiphenylmethane, metaphenyldiamine, diaminodisulfone, polyoxypropylenediamine, polyoxypropylenetriamine, polycyclohexylpolyamine A mixture, N-aminoethyl piperazine, etc. can be mentioned. These amines can be used alone or as a mixture of two or more.

上記した中でも、芳香環を有さないこと、保存安定性、後述するが塗膜を形成する際に、途中の加熱工程時に溶解しないこと、このような条件からジシアンジアミドを用いることが好ましい。   Among the above, it is preferable to use dicyandiamide because it does not have an aromatic ring, storage stability, and will not be dissolved during the heating step during the formation of the coating film as described later.

ジシアンジアミドの配合量は、上記エポキシ化合物100質量部に対して3〜6質量部、好ましくは4〜5質量部である。ジシアンジアミドの配合量が3質量部以上又は4質量部以上であれば、塗膜の硬化性が向上し、電気特性、半田耐熱性、耐薬品性が充分に得られる。一方、ジシアンジアミドの配合量が、6質量部以下又は5質量部以下であれば、塗膜の変色、塗膜の亀裂等が発生しにくくなるため好ましい。   The amount of dicyandiamide is 3 to 6 parts by mass, preferably 4 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the epoxy compound. When the blending amount of dicyandiamide is 3 parts by mass or more or 4 parts by mass or more, the curability of the coating film is improved, and electrical characteristics, solder heat resistance, and chemical resistance are sufficiently obtained. On the other hand, when the amount of dicyandiamide is 6 parts by mass or less or 5 parts by mass or less, discoloration of the coating film, cracking of the coating film, and the like are less likely to occur.

酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス(アンヒドロトリメリテート)、グリセロールトリス(アンヒドロトリメリテート)、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水マレイン酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物、アルキルスチレン−無水マレイン酸共重合体ポリアゼライン酸無水物、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、3又は4−メチル−1,2,3,6−テトラヒドロ無水フタル酸3又は4−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸メチル−3,6エンドメチレン−1,2,3,6−テトラヒドロ無水フタル酸等を挙げることができる。これらの酸無水物は単独で又は2種以上の混合物として用いることができる。   Examples of acid anhydrides include phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, ethylene glycol bis (anhydro trimellitate), glycerol tris (anhydro trimellitate), maleic anhydride , Tetrahydromaleic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylendomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylbutenyltetrahydrophthalic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride Acid, succinic anhydride, methylcyclohexene dicarboxylic acid anhydride, alkylstyrene-maleic anhydride copolymer polyazeline acid anhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic acid anhydride, 3 or 4-methyl-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride 3 or 4-methyl-hexahydromethyl phthalic anhydride-3,6 endomethylene-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride, etc. Can be mentioned. These acid anhydrides can be used alone or as a mixture of two or more.

酸無水物の配合量は、酸無水物当量をエポキシ当量で除し、さらに100を乗じた値が、エポキシ樹脂100質量部に対しての配合量である。但し、硬化促進剤を併用する場合は、酸無水物当量をエポキシ当量で除し、さらに100を乗じた値に、さらに、0.9〜0.95を乗じた値がエポキシ樹脂100質量部に対しての配合量である。   The compounding amount of the acid anhydride is obtained by dividing the acid anhydride equivalent by the epoxy equivalent and further multiplying by 100 to 100 parts by mass of the epoxy resin. However, when a curing accelerator is used in combination, the acid anhydride equivalent is divided by the epoxy equivalent, and further multiplied by 100, and further multiplied by 0.9 to 0.95 is 100 parts by mass of the epoxy resin. It is the blending amount.

<(F)熱硬化用硬化触媒>
上記(F)熱硬化用硬化触媒は、特に限定されず、熱硬化反応を促進させることができる化合物を含む。
上記(F)熱硬化用硬化触媒として、硬化促進性の観点から、イミダゾール系が好ましく、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−メチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジルー2−フェニルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ〔1,2―a〕ベンズイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−〔2’−メチルイミダゾリル−(1’)〕−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−〔2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)〕−エチル−s−トリアジン、1−シアノメチル−2−メチルイミダゾール等が好ましい。その添加量は、所望の硬化速度を得るために任意に変更してよい。
<(F) Curing catalyst for thermosetting>
The (F) thermosetting curing catalyst is not particularly limited, and includes a compound capable of promoting the thermosetting reaction.
As said (F) curing catalyst for thermosetting, an imidazole type is preferable from a viewpoint of hardening acceleration, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-methyl -4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2 -A] benzimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino -6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 1-silane Anomethyl-2-methylimidazole and the like are preferred. The amount added may be arbitrarily changed in order to obtain a desired curing rate.

<(G)無機粉末>
上記(G)無機粉末は、特に限定されず、白色の無機化合物を使用することができる。
上記(G)無機粉末としては、例えば、ルチル型酸化チタン、硫酸バリウム、酸化ジルコニウム、タルク、マイカ、二酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム及び酸化アルミニウムから選ばれるが、ルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウムは必須である。好ましい無機粉末の配合として、ルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、タルクの組み合わせ、ルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、マイカの組み合わせ、ルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、タルク、マイカの組み合わせ及びルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、硫酸バリウムの組み合わせがある。
<(G) Inorganic powder>
The (G) inorganic powder is not particularly limited, and a white inorganic compound can be used.
The inorganic powder (G) is, for example, selected from rutile type titanium oxide, barium sulfate, zirconium oxide, talc, mica, silicon dioxide, zinc oxide, magnesium oxide and aluminum oxide. It is essential. As a preferred inorganic powder blend, rutile type titanium oxide, zirconium oxide, talc combination, rutile type titanium oxide, zirconium oxide, mica combination, rutile type titanium oxide, zirconium oxide, talc, mica combination and rutile type titanium oxide, There is a combination of zirconium oxide and barium sulfate.

また、上記無機粉末(G)を、ルチル型酸化チタン、硫酸バリウム、酸化ジルコニウムを単体でまたは2種以上の組み合わせで含むことが好ましい。かかる組み合わせによれば、製膜性及び隠蔽性に優れるため、優れた光反射率を有する塗膜が形成される。   Moreover, it is preferable that the said inorganic powder (G) contains a rutile type titanium oxide, barium sulfate, and a zirconium oxide in single substance or in combination of 2 or more types. According to such a combination, since the film forming property and the concealing property are excellent, a coating film having excellent light reflectance is formed.

また、上記無機粉末(G)を、ルチル型酸化チタン、硫酸バリウム、酸化ジルコニウムを2種以上の組み合わせで含むことが好ましい。かかる組み合わせによれば、製膜性及び隠蔽性に優れるため、優れた光反射率を有する塗膜が形成される。   Moreover, it is preferable that the said inorganic powder (G) contains a rutile type titanium oxide, barium sulfate, and a zirconium oxide in combination of 2 or more types. According to such a combination, since the film forming property and the concealing property are excellent, a coating film having excellent light reflectance is formed.

また、より好ましくは、上記(G)無機粉末は、ルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、硫酸バリウムの組み合わせである。かかる組み合わせによれば、製膜性及び隠蔽性に優れるため、更に優れた光反射率を有する塗膜が形成される。   More preferably, the (G) inorganic powder is a combination of rutile titanium oxide, zirconium oxide, and barium sulfate. According to such a combination, since the film forming property and the concealing property are excellent, a coating film having a further excellent light reflectance is formed.

上記(G)無機粉末の配合量は、上記(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレート、上記(B)(メタ)アクリル化合物、上記(D)エポキシ化合物の合計を100質量部としたとき、好ましくは350〜700質量部、より好ましくは360〜680質量部である。上記(G)無機粉末の配合量が350質量部以上であれば、低波長側の反射率の低下が抑制される。一方700質量部以下又は680質量部以下であれば、塗膜強度が向上され、亀裂等の発生が抑制されるため好ましい。   The blending amount of the (G) inorganic powder is 100 masses of the total of the (A) carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring, the (B) (meth) acryl compound, and the (D) epoxy compound. Parts, preferably 350 to 700 parts by mass, more preferably 360 to 680 parts by mass. When the blending amount of the inorganic powder (G) is 350 parts by mass or more, the decrease in reflectance on the low wavelength side is suppressed. On the other hand, if it is 700 mass parts or less or 680 mass parts or less, since the coating-film intensity | strength is improved and generation | occurrence | production of a crack etc. is suppressed, it is preferable.

上記(G)無機粉末が、ルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、硫酸バリウムの組み合わせである場合、それぞれの粉末の配合割合(質量%)は、ルチル型酸化チタン42〜52%、好ましくは47%、酸化ジルコニウム19〜29%、好ましくは24%、及び硫酸バリウム24〜34%、好ましくは29%であってよい。当該配合割合によれば、更に優れた光反射率を有する塗膜が形成される。   When the (G) inorganic powder is a combination of rutile type titanium oxide, zirconium oxide, and barium sulfate, the blending ratio (% by mass) of each powder is rutile type titanium oxide 42 to 52%, preferably 47%, Zirconium oxide may be 19-29%, preferably 24%, and barium sulfate 24-34%, preferably 29%. According to the said mixture ratio, the coating film which has the further outstanding light reflectivity is formed.

ルチル型酸化チタンとしては、例えば、石原産業(株)製CR−50、CR50−2、CR−57、CR−60、CR−60−2、CR−63、CR−67、CR−58、CR−58−2、CR−Super70、CR−80、CR−85、CR−90、CR−90−2、CR−93、CR−95、CR−953、CR−97、UT771、PF−690、PF−691、PF−711、PF−739、PF−740、PC−3、S−305、堺化学工業(株)製SR−1、R−42、R−45M、R−650、R−32、R−5N、GTR−100、GTR−300、R−62N、R−7E、R−44、R−3L、R−11P、R−21、R−25、TCR−52、R−310、D−918、FTR−700、富士チタン工業(株)製TR−600、TR−700、TR−750、TR−840、TR−900、テイカ(株)製JR−301、JR−403、JR−405、JR−600A、JR−605、JR−600E、JR−603、JR−805、JR−806、JR−701、JRNC、JR−800、チタン工業(株)製KA−10、KA−20、KA−30、KR−310、KR−380、KV−200等を使用することができる。これらは単独または2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the rutile type titanium oxide include CR-50, CR50-2, CR-57, CR-60, CR-60-2, CR-63, CR-67, CR-58, CR manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd. -58-2, CR-Super70, CR-80, CR-85, CR-90, CR-90-2, CR-93, CR-95, CR-953, CR-97, UT771, PF-690, PF -691, PF-711, PF-739, PF-740, PC-3, S-305, Sakai Chemical Industry Co., Ltd. SR-1, R-42, R-45M, R-650, R-32, R-5N, GTR-100, GTR-300, R-62N, R-7E, R-44, R-3L, R-11P, R-21, R-25, TCR-52, R-310, D- 918, FTR-700, TR made by Fuji Titanium Industry Co., Ltd. 600, TR-700, TR-750, TR-840, TR-900, manufactured by Takeka Co., Ltd. JR-301, JR-403, JR-405, JR-600A, JR-605, JR-600E, JR-603 , JR-805, JR-806, JR-701, JRNC, JR-800, KA-10, KA-20, KA-30, KR-310, KR-380, KV-200, etc. manufactured by Titanium Industry Co., Ltd. Can be used. These can be used alone or in combination of two or more.

酸化ジルコニウムとしては、例えば、第一稀元素化学工業(株)製EP、SPZ、SOPT、DK−3CH、UEP、RC−100、NNC、WG−8S等を使用することができる。これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。   As the zirconium oxide, for example, EP, SPZ, SOPT, DK-3CH, UEP, RC-100, NNC, WG-8S, etc. manufactured by Daiichi Rare Element Chemical Co., Ltd. can be used. These can be used alone or in combination of two or more.

硫酸バリウムとしては、例えば、堺化学工業(株)製B−30、B−31、B−32、B−33、B−34、B−35、B−35T等を使用することができる。これらは単独または2種類以上を組み合わせて用いることができる。   As barium sulfate, Sakai Chemical Industry Co., Ltd. B-30, B-31, B-32, B-33, B-34, B-35, B-35T etc. can be used, for example. These can be used alone or in combination of two or more.

タルクとしては、例えば、日本タルク(株)製MS−P、MS、SWE、SW、SSS、NTL、L−1、K−1、L−G、P−2、P−3、P−4、P−6、P−8、C−31等を使用することができる。これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of talc include MS-P, MS, SWE, SW, SSS, NTL, L-1, K-1, LG, P-2, P-3, P-4, manufactured by Nippon Talc Co., Ltd. P-6, P-8, C-31, etc. can be used. These can be used alone or in combination of two or more.

マイカとしては、例えば、(株)山口雲母工業所製のマイカ・製品名A−11、SJ−005、SJ−010等を使用することができる。これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。   As the mica, for example, mica / product names A-11, SJ-005, SJ-010 manufactured by Yamaguchi Mica Industry Co., Ltd. can be used. These can be used alone or in combination of two or more.

二酸化ケイ素としては、例えば、電気化学工業(株)製・製品名FB−5DC、FB−3SDC、FB−5SDX、FB−3SDX、FB−1SDX、SFP−20M、SFP−30M、酸化アルミニウムとしては、電気化学工業(株)製・製品名DAM−03、DAM−05、DAM−10、DAW−03、DAW−05、DAW−10、ASFP−30等を使用することができる。   As silicon dioxide, for example, manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. and product names FB-5DC, FB-3SDC, FB-5SDX, FB-3SDX, FB-1SDX, SFP-20M, SFP-30M, and aluminum oxide, Electrochemical Industry Co., Ltd. product names DAM-03, DAM-05, DAM-10, DAW-03, DAW-05, DAW-10, ASFP-30, and the like can be used.

酸化亜鉛としては、例えば、ハクスイテック(株)製・製品名F−1、F−2、F−3等を使用することができる。これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。酸化マグネシウムとしては、例えば、岩谷化学工業(株)製・製品名MTK−30、MJ−30、協和化学工業(株)製・製品名キョーワマグシリーズのキョウワマグ150、キョーワマグ30、キョーワマグMFシリーズのMF−150、MF−30、パイロキスマシリーズの5301、5301K、3320、500−04R等を使用することができる。これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。   As zinc oxide, for example, Hakusuikku Co., Ltd. product name F-1, F-2, F-3 etc. can be used. These can be used alone or in combination of two or more. Examples of magnesium oxide include Iwatani Chemical Industry Co., Ltd., product names MTK-30, MJ-30, Kyowa Chemical Industry Co., Ltd., product names Kyowa Mag Series Kyowa Mug 150, Kyowa Mug 30, and Kyowa Mug MF Series MF. -150, MF-30, Pyroxuma series 5301, 5301K, 3320, 500-04R, etc. can be used. These can be used alone or in combination of two or more.

<(H)有機溶剤>
上記(H)有機溶剤は、特に限定されず、上記組成物の粘度の調整や塗膜の物性制御等の目的で用いられ、公知の有機溶剤を使用できる。
上記(H)有機溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類;トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロプレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類;酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート及び上記グリコールエーテル類のエステル化物などのエステル類;エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール類;オクタン、デカンなどの脂肪族炭化水素類;石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ、ソルベントナフサなどの石油系溶剤等を挙げることができる。これらの溶剤は単独で又は2種以上の混合物として用いることができる。
<(H) Organic solvent>
The (H) organic solvent is not particularly limited, and is used for the purpose of adjusting the viscosity of the composition or controlling the physical properties of the coating film, and a known organic solvent can be used.
Examples of the (H) organic solvent include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and tetramethylbenzene; methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl carbitol, butyl carbitol, Glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether; ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate and Esters such as esterified products of the above glycol ethers; ethanol, propanol, ethylene Recall, alcohols such as propylene glycol; may be mentioned petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha, a petroleum solvent or the like, such as solvent naphtha; octane, aliphatic hydrocarbons such as decane. These solvents can be used alone or as a mixture of two or more.

上記(H)有機溶剤の配合量は、上記(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレート、上記(B)(メタ)アクリル化合物、上記(D)エポキシ化合物、上記(G)無機粉末の合計を100質量部に対して5〜30質量部、好ましくは10〜20質量部である。上記有機溶剤の使用目的は、アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を塗布しやすい状態にするためだけでなく、乾燥させることにより造膜せしめ、フォトマスクを塗膜に接触させる接触方式の露光方式を用いるためである。   The blending amount of the (H) organic solvent is (A) a carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring, the (B) (meth) acryl compound, the (D) epoxy compound, and the (G). The total amount of the inorganic powder is 5 to 30 parts by mass, preferably 10 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass. The purpose of use of the organic solvent is not only to make the alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition easy to apply, but also to form a film by drying and to bring the photomask into contact with the coating film. This is because a contact-type exposure method is used.

<その他成分>
さらに、必要に応じて、公知の増感剤、熱重合禁止剤、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、表面調整剤、カップリング剤、難燃助剤等が使用できる。
<Other ingredients>
Furthermore, a known sensitizer, thermal polymerization inhibitor, thickener, antifoaming agent, leveling agent, surface conditioner, coupling agent, flame retardant aid and the like can be used as necessary.

上記アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、液状、ペースト状の形態で提供することができる。   The alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition can be provided in a liquid or paste form.

上記アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、必要に応じて、(H)有機溶剤で希釈して塗布方法に適した粘度に調整する。これを、回路形成されたプリント配線板に、スクリーン印刷法、カーテンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の方法により塗布し、例えば70〜90℃の温度で組成物中に含まれる有機溶剤を揮発乾燥させることにより、タックフリーの塗膜を形成できる。その後、フォトマスクを通して選択的に紫外線(300〜450nm等)等の活性エネルギー線により露光し、未露光部を希アルカリ水溶液により現像してレジストパターンを形成することにより、上記金属ベース回路基板を得ることができる。ここで用いられる希アルカリ水溶液としては、0.5〜5重量%の炭酸ナトリウム水溶液が一般的であるが、他のアルカリ水溶液を使用することも可能である。他の希アルカリ水溶液としては、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、アミン類等のアルカリ水溶液を挙げることができる。また、露光するための照射光源としては、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ又はメタルハライドランプなどを用いることができる。その他、レーザー光線なども活性光線として利用できる。   The alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition is adjusted to a viscosity suitable for the coating method by diluting with an (H) organic solvent, if necessary. This is applied to a printed wiring board on which a circuit is formed by a method such as a screen printing method, a curtain coating method, a spray coating method, or a roll coating method, and an organic solvent contained in the composition at a temperature of 70 to 90 ° C., for example. A tack-free coating film can be formed by evaporating and drying. Then, the said metal base circuit board is obtained by exposing with active energy rays, such as ultraviolet rays (300-450 nm etc.) selectively through a photomask, and developing an unexposed part with a dilute alkaline aqueous solution, and forming a resist pattern. be able to. The dilute alkaline aqueous solution used here is generally 0.5 to 5% by weight sodium carbonate aqueous solution, but other alkaline aqueous solutions can also be used. Examples of other dilute alkaline aqueous solutions include alkaline aqueous solutions of potassium hydroxide, sodium hydroxide, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, ammonia, amines, and the like. As an irradiation light source for exposure, a low-pressure mercury lamp, a medium-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a xenon lamp, a metal halide lamp, or the like can be used. In addition, a laser beam can also be used as an actinic beam.

このようにして得られた塗膜を更に約100〜200℃で熱硬化させることによりソルダーレジスト塗膜を形成させることができる。   A solder resist coating film can be formed by further thermally curing the coating film thus obtained at about 100 to 200 ° C.

上記ソルダーレジスト組成物を用いて形成されたソルダーレジスト膜は、高反射率を有することがわかった。   It turned out that the soldering resist film formed using the said soldering resist composition has a high reflectance.

<金属ベース回路基板>
更に上記アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて白色膜を設けることにより、光反射シートを貼り付ける必要のない金属ベース回路基板を得ることができる。
<Metal base circuit board>
Furthermore, by providing a white film using the alkali development type photocurable / thermosetting solder resist composition, it is possible to obtain a metal base circuit board that does not require a light reflecting sheet.

図1は、本発明の一実施態様において、上記金属ベース回路基板の構成を説明するための断面図である。上記金属ベース回路基板は、金属箔1と絶縁層2及び回路3とからなる金属ベース回路基板上に、高反射率の白色膜4を上記白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて形成したものであり、複数のLEDパッケージ5が半田接合部6などにより接合搭載されている。   FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a configuration of the metal base circuit board in an embodiment of the present invention. The metal base circuit board has a white film 4 having a high reflectance on the metal base circuit board composed of the metal foil 1, the insulating layer 2 and the circuit 3, and the white alkali development type photo-curable / thermo-curable solder resist. The LED package 5 is formed by using a composition, and a plurality of LED packages 5 are bonded and mounted by solder bonding portions 6 or the like.

上記金属ベース回路基板は、本発明の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて形成した白色膜が高反射率を有することが特徴であり、400〜800nmの可視光領域に対して85%以上の反射率、さらに好ましい実施態様においては、460nm(青色)と525nm(黄色)及び620nm(赤色)に対して85%以上の反射率と持つことが好ましい。   The metal base circuit board is characterized in that a white film formed using the white alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition of the present invention has a high reflectance, and is visible at 400 to 800 nm. It is preferable to have a reflectance of 85% or more with respect to the light region, and in a more preferable embodiment, a reflectance of 85% or more with respect to 460 nm (blue), 525 nm (yellow), and 620 nm (red).

上記金属ベース回路基板は、上記構成を有しており、しかも絶縁層の熱伝導率が1〜4W/mKで、導体回路と金属箔との間の耐電圧が1.5kV以上、望ましくは2kV以上という、高い放熱性と耐電圧特性を有しており、LED光源から発生する熱を効率よく金属ベース回路基板裏面側に放熱し、さらに、外部に放熱することにより、LEDパッケージ実装回路基板の蓄熱を低減し、LEDの温度上昇を小さくすることにより、LEDの発光効率低下を抑制することができる。このため、光反射機能を持つ高反射率の白色膜4の効果とあわせて、明るく且つ長寿命のバックライトを提供することができる。   The metal base circuit board has the above-described configuration, the insulating layer has a thermal conductivity of 1 to 4 W / mK, and a withstand voltage between the conductor circuit and the metal foil is 1.5 kV or more, preferably 2 kV. It has high heat dissipation and withstand voltage characteristics as described above, and efficiently dissipates the heat generated from the LED light source to the back side of the metal base circuit board and further dissipates it to the outside. Decreasing the luminous efficiency of the LED can be suppressed by reducing the heat storage and reducing the temperature rise of the LED. For this reason, it is possible to provide a bright and long-life backlight together with the effect of the high reflectance white film 4 having a light reflection function.

上記金属箔1としては、良好な熱伝導性を持つ銅および銅合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金、鉄ならびにステンレスなどが使用可能である。また、上記金属箔1の厚みとしては、9μm以上400μm以下のものが使用できる。上記金属箔1の厚みが9μm以上あれば金属ベース回路基板の剛性が低下するために実使用に適さなくなることもないし、厚みが400μm以下の場合は厚みが減少し小型化や薄型化にも有用である。   As the metal foil 1, copper and copper alloy, aluminum and aluminum alloy, iron and stainless steel having good thermal conductivity can be used. Moreover, as thickness of the said metal foil 1, a thing of 9 micrometers or more and 400 micrometers or less can be used. If the thickness of the metal foil 1 is 9 μm or more, the rigidity of the metal base circuit board is reduced, so that it is not suitable for actual use. If the thickness is 400 μm or less, the thickness is reduced and useful for miniaturization and thinning. It is.

上記絶縁層2の厚さは、80μm以上200μm以下が好ましい。80μm以上であれば電気絶縁性が確保できるし、200μm以下で熱放散性が十分に達成できるし、小型化や薄型化に寄与できる。   The thickness of the insulating layer 2 is preferably 80 μm or more and 200 μm or less. If it is 80 μm or more, electric insulation can be secured, and if it is 200 μm or less, heat dissipation can be sufficiently achieved, and it can contribute to miniaturization and thickness reduction.

上記絶縁層2は通常熱硬化性樹脂を用いるが、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などが使用できる。中でも、無機粉末を含みながらも、硬化状態において、上記金属箔1と上記回路3との接合力及び絶縁性に優れた後述する二官能性エポキシ樹脂と重付加型硬化剤とを主成分としたものが好ましい。重付加型硬化剤としては、機械的及び電気的性質に優れた酸無水物類やフェノール類が好ましく、熱硬化性樹脂に含まれるエポキシ樹脂のエポキシ当量に対して活性水素等量が0.8〜1倍となるように添加することが上記絶縁層2の機械的及び電気的性質を確保するため好ましい。   Although the said insulating layer 2 uses a thermosetting resin normally, an epoxy resin, a phenol resin, a silicone resin, an acrylic resin etc. can be used as a thermosetting resin. Among them, the main component is a bifunctional epoxy resin and a polyaddition type curing agent, which will be described later, which are excellent in bonding strength and insulation between the metal foil 1 and the circuit 3 in a cured state while containing inorganic powder. Those are preferred. As the polyaddition type curing agent, acid anhydrides and phenols excellent in mechanical and electrical properties are preferable, and the active hydrogen equivalent is 0.8 equivalent to the epoxy equivalent of the epoxy resin contained in the thermosetting resin. It is preferable to add so as to be ˜1 times in order to ensure the mechanical and electrical properties of the insulating layer 2.

エポキシ樹脂としては、二官能性エポキシ樹脂であるビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、ビスフェノールSジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、ヘキサヒドロビスフェノールAジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネロペンチルグリコールジグリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸ジグリシジルエステル等を使用したものが望ましい。   Epoxy resins include bifunctional epoxy resins bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether, bisphenol S diglycidyl ether, resorcinol diglycidyl ether, hexahydrobisphenol A diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, nero Those using pentyl glycol diglycidyl ether, phthalic acid diglycidyl ester, dimer acid diglycidyl ester or the like are desirable.

重付加型硬化剤としては、酸無水物類の無水フタル酸、テトラヒドロメチル無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水メチルナジック酸、フェノール類であるフェノールノボラック等が望ましい。   As the polyaddition type curing agent, acid anhydrides such as phthalic anhydride, tetrahydromethyl phthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, trimellitic anhydride, methyl nadic anhydride, and phenol novolak as phenols are desirable.

また、上記エポキシ樹脂と重付加型硬化剤の硬化反応を促進するため硬化触媒を加えても良い。硬化触媒としてはイミダゾール系が好ましく、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−メチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、2,3ージヒドロー1H−ピロロ〔1,2−a〕ベンズイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−〔2’−メチルイミダゾリル−(1’)〕−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−〔2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)〕−エチル−s−トリアジン、1−シアノメチル−2−メチルイミダゾール等が好ましい。その添加量は、所望の硬化速度を得るために任意に変更してよい。   Further, a curing catalyst may be added to accelerate the curing reaction between the epoxy resin and the polyaddition type curing agent. The curing catalyst is preferably an imidazole type, such as 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-methyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl. -4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxy Methylimidazole, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1') ] -Ethyl-s-triazine, 1-cyanomethyl-2-methylimidazole It is preferred. The amount added may be arbitrarily changed in order to obtain a desired curing rate.

上記絶縁層2を構成する熱硬化性樹脂中の塩化物イオン濃度は、1000ppm以下であることが好ましく、500ppm以下であることがより好ましい。硬化性樹脂組成物中の塩化物イオン濃度が1000ppm以下であれば、高温下、直流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こりにくく、電気絶縁性の低下が抑制される。   The chloride ion concentration in the thermosetting resin constituting the insulating layer 2 is preferably 1000 ppm or less, and more preferably 500 ppm or less. If the chloride ion concentration in the curable resin composition is 1000 ppm or less, the migration of ionic impurities hardly occurs at high temperature and under direct current voltage, and the decrease in electrical insulation is suppressed.

上記絶縁層2に含有される無機粉末としては、電気絶縁性で熱伝導性の良好なものが好ましく、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素などが用いられる。上記絶縁層2は熱硬化性樹脂を25〜50体積%含有するのが好ましい。また、上記絶縁層2中の無機粉末の含有量は、50〜75体積%が好ましく、無機粉末の粒度は平均粒径が0.6〜2.4μm及び5〜20μmの2種類のものを含有していることが好ましい。平均粒径が大きい粗粒子と平均粒径が小さい微粒子を混合することにより各々を単独で用いた場合よりも高充填が可能となり、良好な熱伝導性を得ることが可能となる。また、粒子形状は破砕、球状、鱗片状のものがある。無機粉末含有量は50体積%以下であるとLEDパッケージを使用したバックライト用の回路基板として必要な熱伝導性を得ることが困難であり、75%以上であると絶縁材が高粘度化し絶縁材の塗工が困難となり、機械的性質及び電気的性質の問題が生じ易い。また、無機粉末中のナトリウムイオン濃度は、500ppm以下であることが好ましく、100ppm以下であることがより好ましい。無機粉末中のナトリウムイオン濃度が500ppmを超えると、高温下、直流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こり、電気絶縁性が低下する傾向を示す場合がある。   The inorganic powder contained in the insulating layer 2 is preferably one having electrical insulation and good thermal conductivity. For example, silica, alumina, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, or the like is used. The insulating layer 2 preferably contains 25-50% by volume of a thermosetting resin. In addition, the content of the inorganic powder in the insulating layer 2 is preferably 50 to 75% by volume, and the particle size of the inorganic powder includes two types having an average particle size of 0.6 to 2.4 μm and 5 to 20 μm. It is preferable. By mixing coarse particles having a large average particle diameter and fine particles having a small average particle diameter, it becomes possible to achieve higher filling than when each of them is used alone, and good thermal conductivity can be obtained. Moreover, there are particle shapes such as crushed, spherical and scale-like. If the inorganic powder content is 50% by volume or less, it is difficult to obtain the thermal conductivity necessary for a circuit board for a backlight using an LED package, and if it is 75% or more, the insulating material becomes highly viscous and insulated. Coating of the material becomes difficult, and problems of mechanical properties and electrical properties are likely to occur. Further, the sodium ion concentration in the inorganic powder is preferably 500 ppm or less, and more preferably 100 ppm or less. If the concentration of sodium ions in the inorganic powder exceeds 500 ppm, the migration of ionic impurities may occur at high temperatures and under DC voltage, and the electrical insulation properties may tend to decrease.

上記回路3の厚みは、9μm以上140μm以下であることが好ましく、9μm以上であれば回路としての機能が十分達成できるし、140μm以下でならば厚みが増し過ぎて小型化や薄型化が難しくなることもない。   The thickness of the circuit 3 is preferably 9 μm or more and 140 μm or less. If the thickness is 9 μm or more, the function as a circuit can be sufficiently achieved. If the thickness is 140 μm or less, the thickness is excessively increased and it is difficult to reduce the size and thickness. There is nothing.

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は実施例により限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited by an Example.

実施例1〜5及び比較例1〜2の配合量を表1に示す。中の数字は重量(グラム)を示す。   Table 1 shows the blending amounts of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2. The numbers inside indicate weight (grams).

Figure 2009194222
Figure 2009194222

CYCLOMER ACAZ251:ダイセル・サイテック(株)製
AGOR4120:大阪有機化学工業(株)製
AC−SQ:末端アクリロイル基シルセスキオキサン誘導体 東亞合成(株)製
ライトエステルHO:2−ヒドキシエチルメタクリレート 共栄社化学(株)製
FA−513M:トリシクロデシルメタクリレート 日立化成工業(株)製
デコナールアクリレートDA722:ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステルのアクリル酸変性物 ナガセケムテックス(株)製
EA−5521:1,6−ヘキサンジオールグリシジルエーテルアクリレート 新中村化学工業(株)製
ライトアクリレートDPE−6A:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート 共栄社化学(株)製
セルヴィーナスB0134:脂環式エポキシ樹脂 ダイセル化学工業(株)製
セロキサイド2021P:脂環式エポキシ樹脂 ダイセル化学工業(株)製
YX−8000:水添ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂 ジャパンエポキシレジン(株)製
YX−4000H:テトラメチルビフェノール型固形エポキシ樹脂 ジャパンエポキシレジン(株)製
CR−90:ルチル型酸化チタン 石原産業(株)製
EP:酸化ジルコニウム 第一稀元素化学工業(株)製
B−30:硫酸バリウム 堺化学工業(株)製
SFP−20M:二酸化ケイ素 電気化学工業(株)製
P−3:タルク 日本タルク(株)製
H−320:水酸化アルミニウム 昭和電工(株)製
ダロキュアTPO:2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド チバジャパン(株)製
DICY7:ジシアンジアミド ジャパンエポキシレジン(株)製
HN−5500:3or4―メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸 日立化成工業(株)製
TBZ:2,3ージヒドロー1H―ピロロ〔1,2―a〕ベンズイミダゾール 四国化成工業(株)製
TMSOX:3−エチル(トリメトキシシリルプロポキシメチル)オキセタン 東亞合成(株)製
KS−66:信越化学工業(株)製
BYK−300:ビックケミー・ジャパン(株)製
CYCLOMER ACAZ251: manufactured by Daicel Cytec Co., Ltd. AGOR4120: manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd. AC-SQ: terminal acryloyl group silsesquioxane derivative manufactured by Toagosei Co., Ltd. Light ester HO: 2-hydroxyethyl methacrylate Kyoeisha Chemical Co., Ltd. FA-513M: Tricyclodecyl methacrylate manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. Deconal acrylate DA722: Acrylic acid modified product of hexahydrophthalic acid diglycidyl ester EA-5521: 1,6 manufactured by Nagase ChemteX Corporation -Hexanediol glycidyl ether acrylate Shin Nakamura Chemical Co., Ltd. Light acrylate DPE-6A: Dipentaerythritol hexaacrylate Kyoeisha Chemical Co., Ltd. Servenus B0134: Alicyclic epoxy resin Die Cell Chemical Industry Co., Ltd. Celoxide 2021P: Alicyclic Epoxy Resin Daicel Chemical Industries, Ltd. YX-8000: Hydrogenated Bisphenol A Type Liquid Epoxy Resin Japan Epoxy Resin Co., Ltd. YX-4000H: Tetramethylbiphenol Type Solid Epoxy resin Made by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. CR-90: Rutile type titanium oxide Made by Ishihara Sangyo Co., Ltd. EP: Zirconium oxide Made by Daiichi Rare Element Chemical Industry Co., Ltd. B-30: Barium sulfate Made by Sakai Chemical Industry Co., Ltd. SFP-20M: silicon dioxide manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. P-3: talc manufactured by Nippon Talc Co., Ltd. H-320: aluminum hydroxide manufactured by Showa Denko Co., Ltd. Darocur TPO: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphos Fin oxide Ciba Japan Co., Ltd. DICY7: Dicyandiamide Di Hap-5 Epoxy Resin Co., Ltd. HN-5500: 3 or 4-methyl-hexahydrophthalic anhydride Hitachi Chemical Co., Ltd. TBZ: 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. ) TMSOX: 3-ethyl (trimethoxysilylpropoxymethyl) oxetane manufactured by Toagosei Co., Ltd. KS-66: manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. BYK-300: manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.

表1に示した配合量に従って各成分を配合・撹拌後、3本ロールを用いて分散・混練させて高反射率アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を調合した。   Each component was blended and stirred according to the blending amounts shown in Table 1, and then dispersed and kneaded using three rolls to prepare a high reflectance alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition.

調合した実施例1〜5、比較例1〜2の組成物を、スクリーン印刷法により硬化後の膜厚が20〜25μmとなるよう下記に示す金属ベース回路基板上に塗布した。   The prepared compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 were applied on the metal base circuit board shown below so that the film thickness after curing was 20 to 25 μm by the screen printing method.

金属ベース回路基板は35μm厚の銅箔上に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製、「EP−828」)対し、硬化剤としてフェノールノボラック(大日本インキ化学工業社製、「TD−2131」)を加え、平均粒子径が1.2μmである破砕状粗粒子の二酸化ケイ素(龍森社製、「A−1」)と平均粒子径が10μmである破砕状粗粒子の二酸化ケイ素(龍森社製、「5X」)を合わせて絶縁層中56体積%(球状粗粒子と球状微粒子は質量比が7:3)となるように配合し、硬化後の厚さが100μmになるように絶縁層を形成し、つぎに200μm厚のアルミ箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の無機粉末全体でナトリウムイオン濃度が50ppm以下である金属ベース基板を得た。さらに、得られた金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエッチングした後、エッチングレジストを除去して銅回路を形成して得た。この時、銅回路上のLEDパッケージ実装部分には白色塗膜を形成しない。   The metal base circuit board is a 35 μm thick copper foil on a bisphenol A type epoxy resin (Japan Epoxy Resin, “EP-828”), and a phenol novolak (Dainippon Ink Chemical Industries, “TD-”) as a curing agent. 2131 "), and crushed coarse particles of silicon dioxide having an average particle size of 1.2 μm (manufactured by Tatsumori Co., Ltd.,“ A-1 ”) and crushed coarse particles of silicon dioxide having an average particle size of 10 μm ( “5X” manufactured by Tatsumori Co., Ltd.) is combined so that the volume of the insulating layer is 56% by volume (spherical coarse particles and spherical fine particles have a mass ratio of 7: 3), and the thickness after curing is 100 μm. A metal base substrate in which an insulating layer is formed, and then an aluminum foil having a thickness of 200 μm is laminated and the insulating layer is thermally cured by heating, so that the total concentration of sodium ions in the insulating layer is 50 ppm or less. Got. Further, the obtained metal base substrate was obtained by masking a predetermined position with an etching resist and etching the copper foil, and then removing the etching resist to form a copper circuit. At this time, a white coating film is not formed on the LED package mounting portion on the copper circuit.

ソルダーレジスト組成物塗布後、80℃で30分間乾燥させた。次に400mJ/cmの積算光量で紫外線露光し、28℃1%の炭酸ナトリウム水溶液を現像液として非露光部の除去を行い、続いて150℃60分間の条件下で熱硬化を行った。 After applying the solder resist composition, it was dried at 80 ° C. for 30 minutes. Next, UV exposure was performed with an integrated light amount of 400 mJ / cm 2, the non-exposed portion was removed using a 1% sodium carbonate aqueous solution at 28 ° C. as a developer, and then thermosetting was performed at 150 ° C. for 60 minutes.

露光は松下電工製紫外線硬化装置ANUP7324を用いて行った。積算光量測定はTOPCON社UVチェッカーUVR−T1を用いて行った。膜厚の測定はサンコウ電子研究所製過電流膜厚計EDY−1000を用いて行った。反射率の測定は横河M&C製分光測色計CD100を用い行った。   The exposure was performed using an ultraviolet curing apparatus ANUP7324 manufactured by Matsushita Electric Works. The integrated light quantity measurement was performed using a TOPCON UV checker UVR-T1. The film thickness was measured using an overcurrent film thickness meter EDY-1000 manufactured by Sanko Electronic Laboratory. The reflectance was measured using a spectrocolorimeter CD100 manufactured by Yokogawa M & C.

ソルダーレジスト組成物は次の評価を行った。露光・硬化後の塗膜及び耐熱性試験として260℃で1分間処理した状態の塗膜の反射率の測定を行った。なお反射率は、絶縁層上に比べてより低い反射率を示す銅回路上に設けた塗膜部分の反射率を測定した。評価結果を表2に示す。   The solder resist composition was evaluated as follows. The reflectance of the coating film after exposure and curing and the coating film in a state treated at 260 ° C. for 1 minute as a heat resistance test were measured. In addition, the reflectance measured the reflectance of the coating-film part provided on the copper circuit which shows a lower reflectance than on an insulating layer. The evaluation results are shown in Table 2.

Figure 2009194222
Figure 2009194222

<実験の考察>
表2から明らかなように、本発明の組成物を用いた実施例においては、無機粉末としてルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム及び硫酸バリウム及び透明性の高いアクリル化合物及び脂環式エポキシ樹脂を用いることにより、製膜後及び耐熱性試験後であっても反射率85%以上と高反射率のソルダーレジスト組成物として優れることがわかる。
<Experimental considerations>
As is clear from Table 2, in the examples using the composition of the present invention, rutile type titanium oxide, zirconium oxide and barium sulfate, highly transparent acrylic compounds and alicyclic epoxy resins are used as inorganic powders. Thus, it can be seen that the film is excellent as a solder resist composition having a reflectance of 85% or more and a high reflectance even after film formation and after a heat resistance test.

以上、本発明の実施例に基づいて説明した。この実施例はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。   In the above, it demonstrated based on the Example of this invention. It is to be understood by those skilled in the art that this embodiment is merely an example, and that various modifications are possible and that such modifications are within the scope of the present invention.

本発明の高反射率アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いた金属ベース回路基板は、LEDパッケージを実装する金属ベース基板表面に高反射率の白色塗膜を形成しているので、通常のプリント回路基板と類似の構成のまま光反射機能を有している。このため、高価な光反射シートを使用しなくてもLED光源の反射光を液晶部分に供給することができる。また、液晶バックライト製造時の工数を削減することもでき、効率的であり、LED用の金属ベース回路基板として産業上極めて有用である。   The highly reflective alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition of the present invention and a metal base circuit board using the same form a white film with high reflectivity on the surface of the metal base board on which the LED package is mounted. Therefore, it has a light reflection function with a configuration similar to that of a normal printed circuit board. For this reason, the reflected light of the LED light source can be supplied to the liquid crystal part without using an expensive light reflecting sheet. Moreover, the man-hour at the time of liquid-crystal backlight manufacture can also be reduced, it is efficient, and it is very useful industrially as a metal base circuit board for LED.

本発明の一実施形態に係る金属ベース回路基板の構成を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the structure of the metal base circuit board which concerns on one Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 金属箔
2 絶縁層
3 回路
4 白色膜
5 LEDパッケージ
6 半田接合部
1 Metal Foil 2 Insulating Layer 3 Circuit 4 White Film 5 LED Package 6 Solder Joint

Claims (13)

(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレートと、(B)(メタ)アクリル化合物と、(C)光重合開始剤と、(D)エポキシ化合物と、(E)熱硬化用硬化剤と、(F)熱硬化用硬化触媒と、(G)無機粉末と、(H)有機溶剤と、を含むことを特徴とする白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。   (A) Carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring, (B) (meth) acryl compound, (C) photopolymerization initiator, (D) epoxy compound, and (E) for thermosetting A white alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition comprising a curing agent, (F) a curing catalyst for thermosetting, (G) an inorganic powder, and (H) an organic solvent. object. 前記無機粉末(G)が、ルチル型酸化チタン、硫酸バリウム、酸化ジルコニウム、タルク、マイカ、二酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム又は酸化アルミニウムを単体でまたは2種以上の組み合わせで含むことを特徴とする請求項1に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。   The inorganic powder (G) contains rutile type titanium oxide, barium sulfate, zirconium oxide, talc, mica, silicon dioxide, zinc oxide, magnesium oxide or aluminum oxide alone or in combination of two or more. The white alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition according to claim 1. 前記無機粉末(G)が、ルチル型酸化チタン、硫酸バリウム、酸化ジルコニウムを単体でまたは2種以上の組み合わせで含むことを特徴とする請求項1に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。   2. The white alkali-developable photocurable heat of claim 1, wherein the inorganic powder (G) contains rutile titanium oxide, barium sulfate, and zirconium oxide alone or in combination of two or more. A curable solder resist composition. 前記無機粉末(G)が、ルチル型酸化チタン、硫酸バリウム、酸化ジルコニウムを2種以上の組み合わせで含むことを特徴とする請求項1に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。   2. The white alkali-developable photocurable / thermosetting solder according to claim 1, wherein the inorganic powder (G) contains rutile type titanium oxide, barium sulfate, and zirconium oxide in a combination of two or more. Resist composition. 前記(G)無機粉末の配合量が、前記(A)芳香環を有さないカルボキシル基含有(メタ)アクリレート、前記(B)アクリル化合物、前記(D)エポキシ化合物の合計を100質量部としたとき、350質量部以上700質量部以下であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。   The blending amount of the (G) inorganic powder is 100 parts by mass of the total of the (A) carboxyl group-containing (meth) acrylate having no aromatic ring, the (B) acrylic compound, and the (D) epoxy compound. The white alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition according to claim 1, wherein the composition is 350 parts by mass or more and 700 parts by mass or less. 前記(B)(メタ)アクリル化合物が、末端アクリロイル基シルセスオキサン誘導体を含むことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。   The white alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist according to any one of claims 1 to 5, wherein the (B) (meth) acrylic compound contains a terminal acryloyl group silsesoxane derivative. Composition. 可視光の460nm、525nm及び620nmにおいて、反射率がいずれも85%以上であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。   The white alkali-developable photocurable / thermosetting property according to any one of claims 1 to 6, wherein the reflectance is 85% or more at 460 nm, 525 nm and 620 nm of visible light. Solder resist composition. 金属箔上に絶縁層を形成し、該絶縁層上に回路を形成した金属ベース回路基板において、前記絶縁層と、前記回路上とに請求項1ないし7のいずれか一項に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いてソルダーレジスト膜を形成して得られる金属ベース回路基板。   In the metal base circuit board which formed the insulating layer on the metal foil and formed the circuit on the insulating layer, the white layer according to any one of claims 1 to 7 on the insulating layer and the circuit A metal base circuit board obtained by forming a solder resist film using an alkali developing type photo-curable / thermosetting solder resist composition. 前記絶縁層の熱伝導率が1W/mK以上4W/mK以下である請求項8に記載の金属ベース回路基板。   The metal base circuit board according to claim 8, wherein the insulating layer has a thermal conductivity of 1 W / mK or more and 4 W / mK or less. 前記絶縁層が酸無水物若しくはフェノール類を含有する請求項8に記載の金属ベース回路基板。   The metal base circuit board according to claim 8, wherein the insulating layer contains an acid anhydride or a phenol. 前記絶縁層が二官能性エポキシ樹脂を含有する請求項8ないし9のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。   The metal base circuit board according to any one of claims 8 to 9, wherein the insulating layer contains a bifunctional epoxy resin. 前記二官能型エポキシ樹脂のエポキシ当量に対して活性水素当量が0.8倍以上1倍以下となるように酸無水物若しくはフェノール類を含有する請求項11に記載の金属ベース回路基板。   The metal base circuit board according to claim 11, comprising an acid anhydride or a phenol such that an active hydrogen equivalent is 0.8 times or more and 1 time or less with respect to an epoxy equivalent of the bifunctional epoxy resin. 前記絶縁層が熱硬化性樹脂を25体積%以上50体積%以下含有し、残部が0.6μm以上2.4μm以下及び5μm以上20μm以下の2種類の平均粒径を持ち、且つ形状が球状、破砕状若しくは鱗片状の無機粉末である請求項8ないし11のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。   The insulating layer contains 25% by volume or more and 50% by volume or less of a thermosetting resin, the balance has two average particle sizes of 0.6 μm or more and 2.4 μm or less and 5 μm or more and 20 μm or less, and the shape is spherical, The metal base circuit board according to claim 8, wherein the metal base circuit board is a crushed or scaly inorganic powder.
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