KR101040781B1 - Solder resist composition and printed wiring board formed using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고반사율이며 고해상도의 솔더 레지스트 조성물, 및 상기 조성물을 이용하여 형성되는 솔더 레지스트를 갖는 인쇄 배선판을 제공한다.The present invention provides a printed wiring board having a high reflectivity and high resolution solder resist composition, and a solder resist formed using the composition.

본 발명의 솔더 레지스트 조성물은 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지와, 비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와, 모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와, 광 중합성 단량체와, 산화티탄과, 에폭시 화합물과, 유기 용제를 포함하는 것을 특징으로 한다. The soldering resist composition of this invention is resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group in 1 molecule, a bisacylphosphine oxide type photoinitiator, a monoacylphosphine oxide type photoinitiator, a photopolymerizable monomer, and oxidation Titanium, an epoxy compound, and the organic solvent are contained, It is characterized by the above-mentioned.

인쇄 배선판, 솔더 레지스트 조성물, 에틸렌성 불포화기, 카르복실기, 비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제, 모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제, 광 중합성 단량체, 산화티탄, 에폭시 화합물, 유기 용제 Printed wiring board, soldering resist composition, ethylenically unsaturated group, carboxyl group, bisacylphosphine oxide type photoinitiator, monoacylphosphine oxide type photoinitiator, photopolymerizable monomer, titanium oxide, epoxy compound, organic solvent

Description

솔더 레지스트 조성물 및 이것을 이용하여 형성되는 인쇄 배선판{SOLDER RESIST COMPOSITION AND PRINTED WIRING BOARD FORMED USING THE SAME}Solder resist composition and printed wiring board formed using this {SOLDER RESIST COMPOSITION AND PRINTED WIRING BOARD FORMED USING THE SAME}

본 발명은 인쇄 배선판의 영구 마스크로서의 사용에 적합하고, 또한 고반사율의 솔더 레지스트를 형성할 수 있는 솔더 레지스트 조성물, 및 이 솔더 레지스트 조성물을 이용하여 형성되는 솔더 레지스트를 갖는 인쇄 배선판에 관한 것이다. The present invention relates to a printed wiring board having a solder resist composition suitable for use as a permanent mask of a printed wiring board and capable of forming a high reflectivity solder resist, and a solder resist formed using the solder resist composition.

인쇄 배선판이란 전자 기기 등에 사용되는 것으로, 전자 부품을 탑재한 판(보드)과 그 위에 깔려진 회로로 이루어진다. 이 회로를 형성하는 방법으로서는 다양한 것이 있고, 예를 들면 적층판에 접합시킨 동박의 불필요한 부분을 에칭에 의해 제거하여 회로 배선을 형성하는 방법이 있다. 그리고, 인쇄 배선판에 전자 부품을 납땜에 의해 실장함으로써, 전기적 접속이 행해진다. 또한, 본 명세서에 있어서는, 인쇄 배선판이란 회로를 형성한 것 및 형성한 회로에 전자 부품을 실장한 것 양쪽을 가리킨다. 그리고, 이 전자 부품의 납땜시에 회로를 보호하는 보호막으로서 솔더 레지스트가 사용되고 있다. 이 솔더 레지스트는 솔더 레지스트 조성물을 기재에 도포하고, 경화시켜 형성된다.A printed wiring board is used for electronic devices, etc., and consists of a board (board) in which an electronic component was mounted, and the circuit laid on it. There are various methods of forming this circuit, for example, there is a method of forming a circuit wiring by removing an unnecessary portion of a copper foil bonded to a laminate by etching. And electrical connection is performed by mounting an electronic component by soldering on a printed wiring board. In addition, in this specification, a printed wiring board refers to both the thing which formed the circuit and the thing which mounted the electronic component in the formed circuit. And a soldering resist is used as a protective film which protects a circuit at the time of soldering this electronic component. This soldering resist is formed by apply | coating a soldering resist composition to a base material, and hardening.

또한 솔더 레지스트는 전자 부품의 납땜시, 납땜이 필요한 장소 이외에 땜납 이 부착되는 것을 방지함과 동시에, 인쇄 배선판 상의 도체를 공기에 노출하지 않도록 하기 위해서, 산소나 습분에 의한 도체의 열화를 방지한다. 또한 솔더 레지스트는 인쇄 배선판의 영구 보호막으로서도 기능한다. 따라서, 솔더 레지스트에는 밀착성, 전기 절연성, 땜납 내열성, 내용제성, 내약품성 등의 특성이 요구된다.In addition, the solder resist prevents the deterioration of the conductor by oxygen or moisture in order to prevent the solder from being attached to the printed circuit board in addition to the place where the solder is to be soldered and to prevent the conductor from being exposed to air. In addition, a soldering resist functions also as a permanent protective film of a printed wiring board. Therefore, the solder resist requires properties such as adhesion, electrical insulation, solder heat resistance, solvent resistance, and chemical resistance.

또한, 인쇄 배선판은 배선의 고밀도화 실현을 위해, 미세화(파인화), 다층화 및 원 보드화가 진행되고 있고, 그의 실장 방식도 표면 실장 기술(SMT)로 추이되고 있다. 그 때문에, 솔더 레지스트에 대해서도 파인화, 고해상성, 고정밀도, 및 고신뢰성의 요구가 높아지고 있다.Further, in order to realize a higher density of wirings, printed wiring boards are progressing in miniaturization (fineness), multilayering, and original boards, and their mounting methods are also being changed by surface mounting technology (SMT). For this reason, demands on the pinning, high resolution, high precision, and high reliability also increase for solder resists.

또한 최근, 휴대 단말, 퍼스널 컴퓨터, 및 텔레비젼 등의 액정 디스플레이의 백 라이트, 조명 기구의 광원 등, 및 저전력으로 발광하는 발광 다이오드(LED)를 솔더 레지스트가 피복 형성된 인쇄 배선판에 직접 실장하는 용도가 늘어나고 있다. 따라서, 이 LED 등의 광을 효율적으로 이용하기 위해서, 고반사율의 솔더 레지스트를 갖는 인쇄 배선판이 요구되고 있다.Also, in recent years, applications for directly mounting a light emitting diode (LED), which emits light at low power, such as a backlight of a liquid crystal display such as a portable terminal, a personal computer, a television, and a light fixture, and a solder resist are increasingly used. have. Therefore, in order to utilize light, such as LED efficiently, the printed wiring board which has a high reflectivity soldering resist is calculated | required.

이 고반사율의 솔더 레지스트로서는 산화티탄 등의 백색 안료를 함유하는 것을 들 수 있다.As this high reflectivity soldering resist, what contains white pigments, such as a titanium oxide, is mentioned.

여기서, 솔더 레지스트의 패턴(이하, 「패턴」이라고 함)을 형성하는 방법에는 다양한 것이 있고, 그 중에서도 미세한 패턴을 정확하게 형성할 수 있는 포토리소그래피법이 자주 이용된다. 그리고, 특히 환경면으로의 배려 등으로부터, 알칼리 현상형의 포토리소그래피법이 그 주류로 되어 있다.Here, there are a variety of methods for forming a pattern of solder resist (hereinafter referred to as a "pattern"), and among them, a photolithography method capable of accurately forming a fine pattern is often used. In particular, the alkali development type photolithography method has become a mainstream of environmental considerations.

특허 문헌 1 및 특허 문헌 2에는 노볼락형 에폭시 수지에 불포화 모노카르복 실산을 반응시키고, 추가로 다염기산 무수물을 부가시킨 반응 생성물을 베이스 중합체로 하는 알칼리 수용액에서 현상 가능한 솔더 레지스트 조성물이 개시되어 있다.Patent Literature 1 and Patent Literature 2 disclose solder resist compositions that can be developed in an aqueous alkali solution using a reaction product obtained by reacting an unsaturated monocarboxylic acid with a novolak-type epoxy resin and further adding polybasic anhydride.

이 포토리소그래피법에서는 수지 조성물에 UV 광 등을 조사하여 패터닝을 행한다. 그러나, 상기 고반사율의 솔더 레지스트를 형성하는 경우, 그의 형성에 이용하는 솔더 레지스트 조성물에 포함되는 산화티탄 등이 노광시에 광을 흡수하거나 반사하거나 해버리기 때문에, 솔더 레지스트 조성물이 경화에 필요한 광을 충분히 흡수할 수 없고, 그의 해상성이 저하된다는 문제가 있었다. 그 때문에, 이러한 솔더 레지스트 조성물에 대해서는 포토리소그래피법에 의한 고정밀한 패턴의 형성은 곤란하였다.In this photolithography method, the resin composition is irradiated with UV light or the like to perform patterning. However, when forming the high reflectivity solder resist, since the titanium oxide or the like contained in the solder resist composition used for the formation absorbs or reflects the light at the time of exposure, the solder resist composition sufficiently absorbs the light necessary for curing. There was a problem that it could not be absorbed and the resolution thereof was lowered. Therefore, formation of the high precision pattern by the photolithographic method was difficult about such a soldering resist composition.

<특허 문헌 1> 일본 특허 공고 (평)1-54390호 공보<Patent Document 1> Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-54390

<특허 문헌 2> 일본 특허 공고 (평)7-17737호 공보<Patent Document 2> Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-17737

본 발명의 목적은 산화티탄을 다량으로 함유하더라도 해상성이 우수하고, 또한 고반사율의 솔더 레지스트를 형성할 수 있는 솔더 레지스트 조성물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a soldering resist composition which is excellent in resolution and capable of forming a soldering resist having a high reflectance even when a large amount of titanium oxide is contained.

또한, 본 발명의 다른 목적은 고반사율이며 고정밀한 솔더 레지스트를 갖는 인쇄 배선판을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a printed wiring board having a high reflectivity and a high precision solder resist.

본 발명에서는 광 중합 개시제로서 비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와 모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제를 병용한다. 이에 따라, 산화티탄을 다량으로 함유하는 반사율이 높은 솔더 레지스트 조성물이라도, 해상성이 우수하고, 고정밀한 패턴을 형성할 수 있다.In this invention, a bisacyl phosphine oxide type photoinitiator and a monoacyl phosphine oxide type photoinitiator are used together as a photoinitiator. As a result, even in a high-reflective soldering resist composition containing a large amount of titanium oxide, it is possible to form an excellent pattern with excellent resolution.

즉, 본 발명의 솔더 레지스트 조성물은 (1) 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지와, 비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와, 모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와, 광 중합성 단량체와, 산화티탄과, 에폭시 화합물과, 유기 용제를 포함하는 것을 특징으로 한다.That is, the soldering resist composition of this invention (1) resin which contains an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group in 1 molecule, a bisacyl phosphine oxide type photoinitiator, a monoacylphosphine oxide type photoinitiator, and photopolymerization It is characterized by containing a monomer, titanium oxide, an epoxy compound, and an organic solvent.

(2) 또한, 본 발명의 솔더 레지스트 조성물은 (1)에 더하여 티오크산톤계 광 중합 증감제를 포함하는 것을 특징으로 한다.(2) Furthermore, the soldering resist composition of this invention contains a thioxanthone type photoinitiator in addition to (1).

(3) 또한 본 발명의 솔더 레지스트 조성물은 (1)에 더하여 산화 방지제를 포함하는 것을 특징으로 한다.(3) In addition, the soldering resist composition of this invention is characterized by including antioxidant in addition to (1).

(4) 구체적으로는 산화티탄은 루틸형 산화티탄인 것을 특징으로 한다.(4) Specifically, titanium oxide is characterized by rutile titanium oxide.

(5) 더욱 구체적으로는 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지가 카르복실기 함유 (메트)아크릴계 공중합 수지와 1 분자 중에 옥시란환과 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물과의 반응에 의해 얻어지는 카르복실기를 갖는 공중합계 수지인 것을 특징으로 하고, 또한, 1 분자 중에 옥시란환과 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물은 지방족 중합성 단량체로부터 생성되는 화합물인 것이 바람직하다.(5) More specifically, a resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group in one molecule has a carboxyl group obtained by reaction of a carboxyl group-containing (meth) acrylic copolymer resin with a compound having an oxirane ring and an ethylenically unsaturated group in one molecule. It is preferable that it is a copolymer resin, and the compound which has an oxirane ring and ethylenically unsaturated group in 1 molecule is a compound produced from an aliphatic polymerizable monomer.

(6) 또한, 본 발명은 이들 솔더 레지스트 조성물을 이용하여 형성되는 솔더 레지스트를 갖는 인쇄 배선판인 것을 특징으로 한다.(6) The present invention is also characterized in that it is a printed wiring board having a solder resist formed using these solder resist compositions.

(7) 또한, 본 발명은 에틸렌성 불포화기의 반응물과, 비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와, 모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와, 산화티탄과, 에폭시 화합물과 카르복실기의 반응물을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄 배선판에 형성된 솔더 레지스트인 것을 특징으로 한다. (7) The present invention also includes a reactant of an ethylenically unsaturated group, a bisacylphosphine oxide photopolymerization initiator, a monoacylphosphine oxide photopolymerization initiator, titanium oxide, a reactant of an epoxy compound and a carboxyl group. It is characterized in that the solder resist formed on the printed wiring board.

본 발명에 따르면, 다량으로 산화티탄을 함유하고 반사율이 높음에도 불구하고, 해상성이 우수하고, 또한 고정밀한 패턴을 형성할 수 있는 솔더 레지스트 조성물의 제공을 가능하게 한다.According to the present invention, it is possible to provide a solder resist composition which contains a large amount of titanium oxide and has a high reflectance, which is excellent in resolution and can form a high-precision pattern.

또한, 본 발명에 따르면, 고정밀하고, 또한 수지의 열화를 억제하여 고반사율을 장기간 유지할 수 있는 솔더 레지스트를 갖는 인쇄 배선판의 제공을 가능하게 한다. Moreover, according to this invention, it becomes possible to provide the printed wiring board which has a high precision and the soldering resist which can suppress deterioration of resin and can maintain high reflectance for a long time.

이하, 본 발명을 자세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 솔더 레지스트 조성물은 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지와, 비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와, 모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와, 광 중합성 단량체와, 산화티탄과, 에폭시 화합물과, 유기 용제를 포함한다.The soldering resist composition of this invention is resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group in 1 molecule, a bisacylphosphine oxide type photoinitiator, a monoacylphosphine oxide type photoinitiator, a photopolymerizable monomer, and oxidation Titanium, an epoxy compound, and an organic solvent are included.

또한, 이하에 있어서 본건 도막이란, 본 발명의 솔더 레지스트 조성물을 이용하여 형성한 도막을 말한다.In addition, below, this coating film means the coating film formed using the soldering resist composition of this invention.

〔1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지〕[Resin containing ethylenically unsaturated group and carboxyl group in 1 molecule]

1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지(이하, 「광 경화성 수지」라고 함)로서는 1 분자 내에 광 경화성을 위한 에틸렌성 불포화기와 약 알칼리 수용액에 의한 현상을 가능하게 하는 카르복실기를 갖는 수지일 수 있고, 특정한 것으로 한정되지 않는다. 이러한 광 경화성 수지는 이하의 (1) 내지 (3)에 열거하는 수지(올리고머 또는 중합체의 어느 것일 수도 있음)를 바람직하게 사용할 수 있다. 즉,The resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group in one molecule (hereinafter referred to as "photocurable resin") may be a resin having a carboxyl group which enables development by an ethylenically unsaturated group and a weak alkali aqueous solution for photocurability in one molecule. It may be, but is not limited to a specific one. Such photocurable resin can use preferably resin (it may be any of an oligomer or a polymer) listed to the following (1)-(3). In other words,

(1) 카르복실기 함유 (메트)아크릴계 공중합 수지와 1 분자 중에 옥시란환과 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물과의 반응에 의해 얻어지는 감광성의 카르복실기 함유 수지.(1) Photosensitive carboxyl group-containing resin obtained by reaction of carboxyl group-containing (meth) acrylic-type copolymer resin and the compound which has an oxirane ring and an ethylenically unsaturated group in 1 molecule.

(2) 1 분자 중에 1개의 에폭시기와 1개의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과의 공중합체에 대하여 불포화 모노카르복실산을 반응시켜, 이 반응에 의해 생성된 제2급의 수산기에 대하여 포화 또는 불포화 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 감광성의 카르복실기 함유 수지.(2) Unsaturated monocarboxylic acid is reacted with the copolymer of the compound which has one epoxy group and one unsaturated double bond, and the compound which has unsaturated double bond in 1 molecule, and is the secondary grade produced by this reaction. Photosensitive carboxyl group-containing resin obtained by making saturated or unsaturated polybasic acid anhydride react with a hydroxyl group.

(3) 수산기 함유 중합체에 대하여 포화 또는 불포화 다염기산 무수물을 반응시킨 후, 이 반응에 의해 생성된 카르복실산에 대하여 1 분자 중에 1개의 에폭시기와 1개의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 감광성의 수산기 및 카르복실기 함유 수지.(3) A photosensitive compound obtained by reacting a saturated or unsaturated polybasic acid anhydride with a hydroxyl group-containing polymer and then reacting a carboxylic acid produced by this reaction with a compound having one epoxy group and one unsaturated double bond in one molecule. Hydroxyl group and carboxyl group-containing resin.

이들 중에서도, (1)의 감광성의 카르복실기 함유 수지 중, 카르복실기 함유 (메트)아크릴계 공중합 수지와 1 분자 중에 옥시란환과 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물과의 반응에 의해 얻어지는 카르복실기를 갖는 공중합계 수지가 광 경화성 수지로서 바람직하게 이용된다.Among these, in the photosensitive carboxyl group-containing resin of (1), the copolymer type resin which has a carboxyl group obtained by reaction with a carboxyl group-containing (meth) acrylic-type copolymer resin and the compound which has an oxirane ring and an ethylenically unsaturated group in 1 molecule is photocurable It is preferably used as the resin.

카르복실기 함유 (메트)아크릴계 공중합 수지는 (메트)아크릴산에스테르와 1 분자 중에 1개의 불포화기와 1개 이상의 카르복실기를 갖는 화합물을 공중합시켜 얻어진다. (메트)아크릴산에스테르로서는 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르류, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 등의 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르류, 메톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 이소옥틸옥시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트 등의 글리콜 변성 (메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용하거나, 복수를 혼합하여 이용할 수도 있다. 또한, 본 명세서 중에서 (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 총칭하는 용어이고, 다른 유사의 표현에 대해서도 동일하다.The carboxyl group-containing (meth) acrylic copolymer resin is obtained by copolymerizing (meth) acrylic acid ester with a compound having one unsaturated group and one or more carboxyl groups in one molecule. As (meth) acrylic acid ester, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, Meth) acrylic acid alkyl esters, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate, caprolactone-modified 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, etc. Hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid esters, methoxydiethylene glycol (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, isooctyloxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylic Glycol modified (meth) acrylates, such as a rate and a methoxy polyethyleneglycol (meth) acrylate, etc. are mentioned. These may be used alone, or may be used by mixing a plurality. In addition, in this specification, a (meth) acrylate is a term which generically refers to an acrylate and a methacrylate, and is the same also about the expression of another similarity.

또한, 1 분자 중에 1개의 불포화기와 1개 이상의 카르복실기를 갖는 화합물로서는 아크릴산, 메타크릴산, 불포화기와 카르복실산의 사이가 쇄 연장된 변성 불포화 모노카르복실산(β-카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 2-아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 락톤 변성 등에 의해 에스테르 결합 을 갖는 불포화 모노카르복실산, 에테르 결합을 갖는 변성 불포화 모노카르복실산), 말레산 등의 카르복실기를 분자 중에 복수 포함하는 것 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용하거나, 복수를 혼합하여 이용할 수도 있다.Moreover, as a compound which has one unsaturated group and one or more carboxyl groups in 1 molecule, the modified unsaturated monocarboxylic acid ((beta) -carboxyethyl (meth) acrylate which chain extended between acrylic acid, methacrylic acid, an unsaturated group, and a carboxylic acid is extended). , 2-acryloyloxyethyl succinic acid, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid, unsaturated monocarboxylic acid having ester linkage by lactone modification, etc., modified unsaturated monocarboxylic acid having ether linkage), maleic acid, etc. The thing containing two or more carboxyl groups in a molecule | numerator, etc. are mentioned. These may be used alone, or may be used by mixing a plurality.

1 분자 중에 옥시란환과 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물로서는 지방족 단량체로부터 생성되는 화합물을 이용하는 것이 바람직하다. 특히, 지방족 중합성 단량체로부터 생성되는 화합물을 이용하면, 광 경화성 수지의 방향환에 기인하는 광에 의한 경화물의 열화가 억제되기 때문에 바람직하다. 지방족 단량체로부터 생성되는 화합물로서는 글리시딜(메트)아크릴레이트, α-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실에틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실부틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아미노아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 1 분자 중에 옥시란환과 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물은 단독으로 이용하거나 복수를 혼합하여 이용할 수도 있다.It is preferable to use the compound produced from an aliphatic monomer as a compound which has an oxirane ring and ethylenically unsaturated group in 1 molecule. In particular, when the compound produced | generated from an aliphatic polymerizable monomer is used, since deterioration of the hardened | cured material by the light resulting from the aromatic ring of photocurable resin is suppressed, it is preferable. Examples of the compound produced from aliphatic monomers include glycidyl (meth) acrylate, α-methylglycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth) acrylate, and 3,4-epoxycyclohexylethyl. (Meth) acrylate, 3, 4- epoxycyclohexyl butyl (meth) acrylate, 3, 4- epoxycyclohexyl methylamino acrylate, 3, 4- epoxycyclohexyl methyl (meth) acrylate, etc. are mentioned. . The compound which has an oxirane ring and ethylenically unsaturated group in 1 molecule may be used individually, or may be used in mixture of multiple.

광 경화성 수지는 그의 산가가 50 내지 200 mgKOH/g의 범위에 있는 것이 필요하다. 광 경화성 수지의 산가가 50 mgKOH/g 미만인 경우, 약 알칼리 수용액에서의 본건 도막의 미노광 부분의 제거가 어렵다. 또한, 광 경화성 수지의 산가가 200 mgKOH/g를 초과하면, 솔더 레지스트의 내수성, 전기 특성이 떨어지는 등의 문제가 생긴다. 또한, 광 경화성 수지의 중량 평균 분자량은 5,000 내지 100,000의 범위에 있는 것이 바람직하다. 광 경화성 수지의 중량 평균 분자량이 5,000 미만이면, 본건 도막의 지촉 건조성이 현저히 떨어지는 경향이 있다. 또한, 광 경화성 수지의 중량 평균 분자량이 100,000을 초과하면, 본건 도막의 현상성, 및 솔더 레지스트 조성물의 저장 안정성이 현저히 악화되기 때문에 바람직하지 않다.The photocurable resin needs to have its acid value in the range of 50-200 mgKOH / g. When the acid value of photocurable resin is less than 50 mgKOH / g, removal of the unexposed part of this coating film in weak alkali aqueous solution is difficult. In addition, when the acid value of the photocurable resin exceeds 200 mgKOH / g, problems such as poor water resistance and electrical characteristics of the solder resist occur. Moreover, it is preferable that the weight average molecular weight of photocurable resin exists in the range of 5,000-100,000. When the weight average molecular weight of photocurable resin is less than 5,000, there exists a tendency for the touch drying property of this coating film to fall remarkably. Moreover, when the weight average molecular weight of photocurable resin exceeds 100,000, since the developability of this coating film and the storage stability of a soldering resist composition deteriorate remarkably, it is unpreferable.

〔비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제〕[Bisacylphosphine oxide type photoinitiator]

비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제(이하, 「BAPO」라고 함)로서는 비스-(2,6-디클로로벤조일)페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디클로로벤조일)-2,5-디메틸페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디클로로벤조일)-4-프로필페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디클로로벤조일)-1-나프틸포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디메톡시벤조일)페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디메톡시벤조일)-2,5-디메틸페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, (2,5,6-트리메틸벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 그 중에서도 비스-(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드(시바ㆍ재팬(주) 제조, 상품명; 이르가큐어 819)가 입수하기 쉽다.As a bisacyl phosphine oxide type photoinitiator (henceforth "BAPO"), bis- (2, 6- dichloro benzoyl) phenyl phosphine oxide, bis- (2, 6- dichloro benzoyl)-2, 5- dimethyl Phenylphosphine oxide, bis- (2,6-dichlorobenzoyl) -4-propylphenylphosphine oxide, bis- (2,6-dichlorobenzoyl) -1-naphthylphosphine oxide, bis- (2,6- Dimethoxybenzoyl) phenylphosphine oxide, bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphineoxide, bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,5-dimethyl Phenyl phosphine oxide, bis- (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, (2,5,6-trimethylbenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide, and the like. Among them, bis- (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (Shiba Japan Co., Ltd. make, brand name; Irgacure 819) is easy to obtain.

〔모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제〕[Monoacyl phosphine oxide type photoinitiator]

모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제(이하, 「MAPO」라고 함)로서는 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 2,6-디메톡시벤조일디페닐포스핀옥사이드, 2,6-디클로로벤조일디페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스핀산 메틸에스테르, 2-메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 피발로일페닐포스핀산 이소프로필에스테르 등을 들 수 있다. 그 중에서도 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드(시바ㆍ재팬(주) 제조, 상품명; 다로큐어 TPO)가 입수하기 쉽다.As a monoacyl phosphine oxide type photoinitiator (henceforth "MAPO"), 2,4,6- trimethyl benzoyl diphenyl phosphine oxide, 2, 6- dimethoxy benzoyl diphenyl phosphine oxide, 2, 6- Dichlorobenzoyldiphenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphinic acid methyl ester, 2-methylbenzoyldiphenylphosphine oxide, pivaloylphenylphosphinic acid isopropyl ester and the like. Especially, 2,4,6- trimethyl benzoyl diphenyl phosphine oxide (Shiba Japan Co., Ltd. make, brand name; Tarocure TPO) is easy to obtain.

본 발명은 BAPO와 MAPO의 병용에 의해, 산화티탄을 배합한 고반사율의 솔더 레지스트 조성물의 도막이라도, 상기 도막을 투과하는 소량의 광에 의해 이것을 경화시킬 수 있기 때문에, 상기 도막을 이용하여 고반사율이면서 고정밀한 패턴을 형성할 수 있다. 또한 추가로, BAPO와 MAPO의 배합 비율을 변경함으로써, 본 발명의 솔더 레지스트 조성물의 감광성의 미조정을 행할 수 있다. 즉, 기재에 형성된 패턴의 단면 형상에 있어서, 상기 패턴의 기재면측의 심부 경화성이 부족하여 언더컷이 나오기 쉬울 때에는 BAPO의 배합 비율을 크게 한다. 또한, 본건 도막의 표면 경화성의 부족에 의해, 현상 후의 패턴의 표면 상태가 나쁠 때에는 MAPO의 배합 비율을 크게 한다. BAPO와 MAPO의 배합 비율은 90:10 내지 1:99, 바람직하게는 80:20 내지 2:98이다. 이 배합 비율의 범위 외에서는 BAPO와 MAPO의 병용에 의한 효과가 적어지고, 본건 도막이 경화에 필요한 광 감도를 얻을 수 없기 때문에, 고정밀한 패턴 형성을 할 수 없게 된다. 또한, BAPO와 MAPO의 합계 배합량은 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 30 질량부, 보다 바람직하게는 2 내지 25 질량부이다. BAPO와 MAPO의 합계 배합량이 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 1 질량부 미만인 경우, 본건 도막의 광 경화성이 저하되고, 노광ㆍ현상 후의 패턴 형성이 곤란해지기 때문에 바람직하지 않다. 또한, BAPO와 MAPO의 합계 배합량이 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 30 질량부를 초과하는 경우, 광 중합 개시제 유래의 도막의 착색이 커지고, 또한 단가 상승의 원인이 되기 때문에 바람직하지 않다.In the present invention, even when a coating film of a high reflectivity solder resist composition containing titanium oxide is cured by using BAPO and MAPO together, it can be cured by a small amount of light passing through the coating film. While it is possible to form a precise pattern. Moreover, the photosensitive fine adjustment of the soldering resist composition of this invention can be performed by changing the compounding ratio of BAPO and MAPO further. That is, in the cross-sectional shape of the pattern formed in the base material, when the undercut is easy to come out due to the lack of core hardening property on the base surface side of the pattern, the blending ratio of BAPO is increased. Moreover, when the surface state of the pattern after image development is bad because of lack of surface hardening property of this coating film, the compounding ratio of MAPO is made large. The blending ratio of BAPO and MAPO is 90:10 to 1:99, preferably 80:20 to 2:98. Outside the range of this mixing | blending ratio, the effect by combined use of BAPO and MAPO decreases, and since the optical sensitivity required for hardening of this coating film cannot be obtained, high-precision pattern formation cannot be performed. Moreover, the total compounding quantity of BAPO and MAPO becomes like this. Preferably it is 1-30 mass parts, More preferably, it is 2-25 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins. When the total compounding quantity of BAPO and MAPO is less than 1 mass part with respect to 100 mass parts of photocurable resins, since the photocurability of this coating film falls and the pattern formation after exposure and image development becomes difficult, it is unpreferable. Moreover, when the total compounding quantity of BAPO and MAPO exceeds 30 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins, since coloring of the coating film derived from a photoinitiator becomes large and it becomes a cause of unit price increase, it is unpreferable.

〔광 중합성 단량체〕[Photopolymerizable Monomer]

광 중합성 단량체로서는 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시부틸아크릴 레이트 등의 히드록시알킬아크릴레이트류; 에틸렌글리콜, 메톡시테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜의 모노 또는 디아크릴레이트류; N,N-디메틸아크릴아미드, N-메틸올아크릴아미드 등의 아크릴아미드류; N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트 등의 아미노알킬아크릴레이트류; 헥산디올, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리스-히드록시에틸이소시아누레이트 등의 다가 알코올 또는 이들 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드 부가물의 다가 아크릴레이트류; 페녹시아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트, 및 이들 페놀류의 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드 부가물 등의 아크릴레이트류; 글리세린디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르 등의 글리시딜에테르의 아크릴레이트류; 멜라민아크릴레이트; 및/또는 상기 아크릴레이트류에 대응하는 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다.As a photopolymerizable monomer, Hydroxyalkyl acrylates, such as 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxybutyl acrylate; Mono or diacrylates of glycols such as ethylene glycol, methoxy tetraethylene glycol, polyethylene glycol and propylene glycol; Acrylamides such as N, N-dimethylacrylamide and N-methylolacrylamide; Aminoalkyl acrylates such as N, N-dimethylaminoethyl acrylate; Polyhydric alcohols such as hexanediol, trimethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol, tris-hydroxyethyl isocyanurate or polyhydric acrylates of these ethylene oxide or propylene oxide adducts; Acrylates such as phenoxyacrylate, bisphenol A diacrylate, and ethylene oxide or propylene oxide adducts of these phenols; Acrylates of glycidyl ethers such as glycerin diglycidyl ether and trimethylolpropane triglycidyl ether; Melamine acrylate; And / or methacrylates corresponding to the acrylates.

광 중합성 단량체의 배합량은 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 바람직하게는 10 내지 100 질량부, 보다 바람직하게는 20 내지 80 질량부이다. 광 중합성 단량체의 배합량이 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 100 질량부를 초과하면, 형성된 솔더 레지스트의 물성이 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 광 중합성 단량체의 배합량이 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 10 질량부 미만이면, 본건 도막이 충분한 광 경화성을 갖지 않기 때문에, 고정밀한 패턴이 얻어지지 않는다.The compounding quantity of a photopolymerizable monomer becomes like this. Preferably it is 10-100 mass parts, More preferably, it is 20-80 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins. When the compounding quantity of a photopolymerizable monomer exceeds 100 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins, since the physical property of the formed soldering resist falls, it is unpreferable. Moreover, since this coating film does not have sufficient photocurability, when the compounding quantity of a photopolymerizable monomer is less than 10 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins, a high precision pattern is not obtained.

〔산화티탄〕[Titanium oxide]

산화티탄은 아나타스형 산화티탄도 루틸형 산화티탄도 사용할 수 있지만, 특 히 루틸형 산화티탄이 바람직하다. 아나타스형 산화티탄은 루틸형 산화티탄과 비교하여 자외선 영역과 가시광 영역의 경계 부근의 반사율이 높기 때문에, 백색도와 반사율의 점에서는 백색 안료로서 바람직하다. 그러나, 아나타스형 산화티탄은 광 촉매 활성을 갖기 때문에, 이 광활성에 의해 솔더 레지스트 조성물의 수지의 변색을 야기하는 경우가 있다. 이에 대하여 루틸형 산화티탄은, 백색도는 아나타스형 산화티탄과 비교하여 약간 떨어지지만, 광활성을 거의 갖지 않기 때문에 솔더 레지스트 조성물의 수지의 열화를 억제할 수 있고, 안정된 솔더 레지스트를 얻을 수 있다.Titanium oxide may be either anatase titanium oxide or rutile titanium oxide, but rutile titanium oxide is particularly preferable. Since the anatase titanium oxide has a higher reflectance near the boundary between the ultraviolet region and the visible region than the rutile titanium oxide, it is preferable as a white pigment in terms of whiteness and reflectance. However, since the anatase titanium oxide has a photocatalytic activity, this photoactivity may cause discoloration of the resin of the solder resist composition. On the other hand, the rutile titanium oxide is slightly inferior to the anatase titanium oxide, but has little photoactivity, so that deterioration of the resin of the solder resist composition can be suppressed, and a stable solder resist can be obtained.

루틸형 산화티탄으로서는 구체적으로는 타이페크 R-820, 타이페크 R-830, 타이페크 R-930, 타이페크 R-550, 타이페크 R-630, 타이페크 R-680, 타이페크 R-670, 타이페크 R-680, 타이페크 R-670, 타이페크 R-780, 타이페크 R-850, 타이페크 CR-50, 타이페크 CR-57, 타이페크 CR-80, 타이페크 CR-90, 타이페크 CR-93, 타이페크 CR-95, 타이페크 CR-97, 타이페크 CR-60, 타이페크 CR-63, 타이페크 CR-67, 타이페크 CR-58, 타이페크 CR-85, 타이페크 UT771(이시하라 산교(주) 제조), 타이퓨어 R-100, 타이퓨어 R-101, 타이퓨어 R-102, 타이퓨어 R-103, 타이퓨어 R-104, 타이퓨어 R-105, 타이퓨어 R-108, 타이퓨어 R-900, 타이퓨어 R-902, 타이퓨어 R-960, 타이퓨어 R-706, 타이퓨어 R-931(듀폰(주) 제조), 티톤(TITION) R-25, 티톤 R-21, 티톤 R-32, 티톤 R-7E, 티톤 R-5N, 티톤 R-61N, 티톤 R-62N, 티톤 R-42, 티톤 R-45M, 티톤 R-44, 티톤 R-49S, 티톤 GTR-100, 티톤 GTR-300, 티톤 D-918, 티톤 TCR-29, 티톤 TCR-52, 티톤 FTR-700(사카이 가가꾸 고교(주) 제조) 등을 들 수 있다.Specific examples of the rutile titanium oxide include Typek R-820, Taipek R-830, Taipek R-930, Taipek R-550, Taipek R-630, Taipek R-680, Taipek R-670, Taipek R-680, Taipek R-670, Taipek R-780, Taipek R-850, Taipek CR-50, Taipek CR-57, Taipek CR-80, Taipek CR-90, Taipek CR-93, Taipe CR-95, Taipe CR-97, Taipe CR-60, Taipe CR-63, Taipe CR-67, Taipe CR-58, Taipe CR-85, Taipe UT771 ( Ishihara Sangyo Co., Ltd.), Tai Pure R-100, Tai Pure R-101, Tai Pure R-102, Tai Pure R-103, Tai Pure R-104, Tai Pure R-105, Tai Pure R-108, Tie Pure R-900, Tie Pure R-902, Tie Pure R-960, Tie Pure R-706, Tie Pure R-931 (manufactured by DuPont), T-Tone R-25, T-Tone R-21, Teton R-32, Teton R-7E, Teton R-5N, Teton R-61N, Teton R-62N, Teton R-42, Teton R-45M, Teton R-44, Teton R-49S, Teton GTR-100,Tone GTR-300, Teton D-918, Teton-TCR 29, TCR-Teton 52, Teton FTR-700 and the like (the Sakai Kagaku Kogyo Co., Ltd.).

또한, 아나타스형 산화티탄으로서는 TA-100, TA-200, TA-300, TA-400, TA-500(후지 티탄 고교(주) 제조), 타이페크 A-100, 타이페크 A-220, 타이페크 W-10(이시하라 산교(주) 제조), 티타닉스(TITANIX) JA-1, 티타닉스 JA-3, 티타닉스 JA-4, 티타닉스 JA-5(테이카(주) 제조), 크로노스(KRONOS) KA-10, 크로노스 KA-15, 크로노스 KA-20, 크로노스 KA-30(티탄 고교(주) 제조), A-100, A-100, A-100, SA-1, SA-1L(사카이 가가꾸 고교(주) 제조) 등을 들 수 있다.As the anatase titanium oxide, TA-100, TA-200, TA-300, TA-400, TA-500 (manufactured by Fuji Titanium Co., Ltd.), Typek A-100, Typek A-220, Thai Pec W-10 (manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.), Titanics (TITANIX) JA-1, Titanics JA-3, Titanics JA-4, Titanics JA-5 (Teika Co., Ltd.), Chronos ( KRONOS) KA-10, Chronos KA-15, Chronos KA-20, Chronos KA-30 (manufactured by Titanium High School), A-100, A-100, A-100, SA-1, SA-1L (Sakai Kagaku Kogyo Co., Ltd.) etc. are mentioned.

산화티탄의 배합량은 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 바람직하게는 50 내지 450 질량부, 보다 바람직하게는 60 내지 350 질량부이다. 산화티탄의 배합량이 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 450 질량부를 초과하면, 본 발명의 솔더 레지스트 조성물의 광 경화성이 저하되고, 경화 심도가 낮아지기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 산화티탄의 배합량이 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 50 질량부 미만이면, 상기 솔더 레지스트 조성물의 은폐력이 작아져, 고반사율의 솔더 레지스트를 얻을 수 없다.The compounding quantity of titanium oxide becomes like this. Preferably it is 50-450 mass parts, More preferably, it is 60-350 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins. When the compounding quantity of titanium oxide exceeds 450 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins, since the photocurability of the soldering resist composition of this invention falls and hardening depth will become low, it is unpreferable. On the other hand, when the compounding quantity of titanium oxide is less than 50 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins, the hiding power of the said soldering resist composition becomes small and a high reflectivity soldering resist cannot be obtained.

〔에폭시 화합물〕Epoxy Compound

에폭시 화합물로서는 비스페놀 S형 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트(닛산 가가꾸 고교(주) 제조의 테픽(TEPIC)-H(S-트리아진환 골격면에 대하여 3개의 에폭시기가 동일 방향으로 결합한 구조를 갖는 β체)나, 테픽(β체와, S-트리아진환 골격면에 대하여 1개의 에폭시기가 다른 2개의 에폭시기와 상이한 방향으로 결합한 구조를 갖는 α체와의 혼합물) 등) 등의 복소환식 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 테트라글 리시딜크실레노일에탄 수지 등의 희석제에 난용성인 에폭시 수지나, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 또는 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 에폭시 수지, 킬레이트형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 아미노기 함유 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔페놀릭형 에폭시 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지 등의 희석제에 가용성인 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는 단독으로 또는 복수를 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the epoxy compound include three bisphenol S-type epoxy resins, diglycidyl phthalate resins, and triglycidyl isocyanurate (Tepic (TEPIC) -H (S-triazine ring skeleton surface manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.). Β-body having a structure in which an epoxy group is bonded in the same direction) or tepic (a mixture of β-body and α-body having a structure in which one epoxy group is bonded in a different direction to two epoxy groups having different epoxy groups with respect to the S-triazine ring skeleton) Epoxy resins that are poorly soluble in diluents such as heterocyclic epoxy resins, bixylenol type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, tetraglycidyl xylenoylethane resins, and the like, bisphenol A type epoxy resins and hydrogenated bisphenol A types Epoxy resin, bisphenol F resin, brominated bisphenol A epoxy resin, phenol novolac or cresol novolac epoxy resin, alicyclic epoxy resin, bisphenol A Diluents such as volac type epoxy resin, chelate type epoxy resin, glyoxal type epoxy resin, amino group-containing epoxy resin, rubber modified epoxy resin, dicyclopentadienephenolic epoxy resin, silicone modified epoxy resin, ε-caprolactone modified epoxy resin Epoxy resin which is soluble in, etc. are mentioned. These epoxy resins can be used individually or in combination of many.

에폭시 화합물의 배합량은 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 바람직하게는 5 내지 70 질량부, 보다 바람직하게는 5 내지 60 질량부이다. 에폭시 화합물의 배합량이 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 70 질량부를 초과하면, 본건 도막에 대해서 현상액에서의 미노광 부분의 용해성이 저하되어, 현상 잔여물이 발생하기 쉬워지기 때문에 패턴의 형성이 어렵게 된다. 한편, 에폭시 화합물의 배합량이 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 5 질량부 미만이면, 광 경화성 수지의 카르복실기가 미반응의 상태로 솔더 레지스트에 잔존하기 때문에, 솔더 레지스트의 전기 특성, 땜납 내열성, 내약품성이 충분히 얻어지기 어렵게 된다.The compounding quantity of an epoxy compound becomes like this. Preferably it is 5-70 mass parts, More preferably, it is 5-60 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins. When the compounding quantity of an epoxy compound exceeds 70 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins, the solubility of the unexposed part in a developing solution will fall with respect to this coating film, and developing residue will become easy to generate, and it becomes difficult to form a pattern. . On the other hand, when the compounding quantity of an epoxy compound is less than 5 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins, since the carboxyl group of photocurable resin remains in a solder resist in the unreacted state, the electrical characteristics, solder heat resistance, and chemical resistance of a soldering resist are This becomes difficult to obtain sufficiently.

또한, 광 경화성 수지의 카르복실기와 에폭시 화합물의 에폭시기란 개환 중합에 의해 반응한다. 그리고 이 경우, 유기 용제나 솔더 레지스트 조성물의 다른 물질에 대하여 이용성(易溶性)의 에폭시 수지를 상기 조성물에 배합하면, 본건 도막을 형성할 때의 건조의 열에 의해서, 상기 카르복실기와 에폭시기의 가교가 진행 되기 쉬워진다. 따라서, 상기 가교 반응을 억제하여 건조하는 시간을 길게 잡고 싶은 경우, 유기 용제나 상기 조성물의 다른 물질에 대하여 난용성의 에폭시 수지를 단독으로, 또는 이용성의 에폭시 수지와 함께 배합하는 것이 바람직하다.Moreover, it reacts by ring-opening polymerization with the carboxyl group of photocurable resin and the epoxy group of an epoxy compound. In this case, when the water-soluble epoxy resin is mix | blended with the said composition with respect to the other substance of an organic solvent or a soldering resist composition, the crosslinking of the said carboxyl group and an epoxy group advances by the heat of drying at the time of forming a coating film. It becomes easy to be. Therefore, when it is desired to take a long time to suppress the crosslinking reaction and to dry, it is preferable to mix the poorly water-soluble epoxy resin alone or in combination with the water-soluble epoxy resin with respect to the organic solvent and other substances of the composition.

유기 용제는 본 발명의 솔더 레지스트 조성물을 기재 등에 도포하기 쉬운 상태로 하는 것, 및 유기 용제를 함유하는 상기 조성물을 기재 등에 도포, 건조시켜 도막을 형성하기 위해서 이용된다. 유기 용제로서는 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류; 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸카르비톨, 부틸카르비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디프로프렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 상기 글리콜에테르류의 에스테르화물 등의 에스테르류; 에탄올, 프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알코올류; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소류; 석유 에테르, 석유 나프타, 수소 첨가 석유 나프타, 용매 나프타 등의 석유계 용제 등을 들 수 있다.An organic solvent is used in order to make the soldering resist composition of this invention easy to apply | coat to a base material etc., and to apply | coat and dry the said composition containing an organic solvent to a base material etc., and to form a coating film. As an organic solvent, Ketones, such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone; Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and tetramethylbenzene; Methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether Glycol ethers such as these; Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, and esterified products of the glycol ethers; Alcohols such as ethanol, propanol, ethylene glycol and propylene glycol; Aliphatic hydrocarbons such as octane and decane; Petroleum solvents such as petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha, solvent naphtha and the like.

유기 용제는 단독으로 또는 복수의 혼합물로서 사용할 수 있다. 유기 용제의 배합량은 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여, 20 내지 300 질량부가 바람직하다.The organic solvent can be used alone or as a plurality of mixtures. As for the compounding quantity of an organic solvent, 20-300 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of photocurable resins.

본 발명의 솔더 레지스트 조성물에는 노광시의 광에 대한 감도를 향상시키는 목적으로, 티오크산톤계 광 중합 증감제를 배합할 수 있다.A thioxanthone type photopolymerization sensitizer can be mix | blended with the soldering resist composition of this invention for the purpose of improving the sensitivity with respect to the light at the time of exposure.

BAPO와 MAPO를 병용한 조성물에 티오크산톤계 광 중합 증감제를 배합하면, 상기 조성물의 광 감도의 향상이라는 효과를 보다 높일 수 있다. 티오크산톤계 광 중합 증감제로서는 티오크산톤, 2-에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등을 들 수 있다.When a thioxanthone type photopolymerization sensitizer is mix | blended with the composition which used BAPO and MAPO together, the effect of the improvement of the light sensitivity of the said composition can be heightened more. As thioxanthone type photopolymerization sensitizer, thioxanthone, 2-ethyl thioxanthone, 2-isopropyl thioxanthone, 2-chloro thioxanthone, 2, 4- dimethyl thioxanthone, 2, 4- diethyl Thioxanthone, 2, 4- diisopropyl thioxanthone, etc. are mentioned.

티오크산톤계 광 중합 증감제의 배합량은 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 바람직하게는 0.05 내지 2 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 1 질량부이다. 티오크산톤계 광 중합 증감제의 배합량이 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 0.05 질량부 미만에서는 본 발명의 솔더 레지스트 조성물의 감도 향상의 효과가 적다. 또한, 티오크산톤계 광 중합 증감제의 배합량이 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 2 질량부를 초과하면 티오크산톤 유래의 도막의 착색이 커진다.The compounding quantity of a thioxanthone type photoinitiator is preferably 0.05-2 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins, More preferably, it is 0.1-1 mass part. When the compounding quantity of a thioxanthone type photoinitiator is less than 0.05 mass part with respect to 100 mass parts of photocurable resins, the effect of the sensitivity improvement of the soldering resist composition of this invention is small. Moreover, when the compounding quantity of a thioxanthone type photopolymerization sensitizer exceeds 2 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins, coloring of the coating film derived from thioxanthone will become large.

본 발명의 솔더 레지스트 조성물에는 솔더 레지스트의 열 열화에 의한 변색을 적게 하는 목적으로, 산화 방지제를 배합할 수 있다. 산화 방지제로서는 바람직하게는 힌더드 페놀계 화합물이 이용되지만, 이것으로 한정되지 않는다. 힌더드 페놀계 화합물로서는 노크랙 200, 노크랙 M-17, 노크랙 SP, 노크랙 SP-N, 노크랙 NS-5, 노크랙 NS-6, 노크랙 NS-30, 노크랙 300, 노크랙 NS-7, 노크랙 DAH(이상 모두 오우치 신코 가가꾸 고교(주) 제조); MARK AO-30, MARK AO-40, MARK AO-50, MARK AO-60, MARK AO-616, MARK AO-635, MARK AO-658, MARK AO-15, MARK AO-18, MARK 328, MARK AO-37(이상 모두 아데카아가스 가가꾸(주) 제조); 이르가녹스 245, 이르가녹스 259, 이르가녹스 565, 이르가녹스 1010, 이르가녹스 1035, 이르가녹스 1076, 이르가녹스 1081, 이르가녹스 1098, 이르가녹스 1222, 이르가녹스 1330, 이르가녹스 1425WL(이상 모두 시바ㆍ재팬(주) 제조) 등을 들 수 있다.Antioxidant can be mix | blended with the soldering resist composition of this invention in order to reduce discoloration by the thermal deterioration of a soldering resist. As the antioxidant, a hindered phenol compound is preferably used, but is not limited thereto. As a hindered phenol type compound, the no crack 200, the no crack M-17, the no crack SP, the no crack SP-N, the no crack NS-5, the no crack NS-6, the no crack NS-30, the no crack 300, the no crack NS-7, no crack DAH (all are manufactured by Ouchi Shinko Chemical Co., Ltd.); MARK AO-30, MARK AO-40, MARK AO-50, MARK AO-60, MARK AO-616, MARK AO-635, MARK AO-658, MARK AO-15, MARK AO-18, MARK 328, MARK AO -37 (all of which are manufactured by Adeka Gas Chemical Co., Ltd.); Irganox 245, Irganox 259, Irganox 565, Irganox 1010, Irganox 1035, Irganox 1076, Irganox 1081, Irganox 1098, Irganox 1222, Irganox 1330, Irganox 1425WL (all are manufactured by Shiva Japan Co., Ltd.).

산화 방지제의 배합량은 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 바람직하게는 0.4 내지 25 질량부, 보다 바람직하게는 0.8 내지 15 질량부이다. 산화 방지제의 배합량이 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 0.4 질량부 미만인 경우, 솔더 레지스트의 열 열화에 의한 변색 방지 효과가 적다. 또한, 산화 방지제의 배합량이 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 25 질량부를 초과하는 경우, 본건 도막의 현상성이 저하되어, 패터닝에 문제점이 생긴다.The compounding quantity of antioxidant becomes like this. Preferably it is 0.4-25 mass parts, More preferably, it is 0.8-15 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins. When the compounding quantity of antioxidant is less than 0.4 mass part with respect to 100 mass parts of photocurable resins, the discoloration prevention effect by the thermal deterioration of a soldering resist is small. Moreover, when the compounding quantity of antioxidant exceeds 25 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins, developability of this coating film falls and a problem arises in patterning.

또한, 본 발명의 솔더 레지스트 조성물에는 광 열화의 감소를 목적으로서, 힌더드 아민계 광 안정제를 배합할 수 있다.Moreover, a hindered amine light stabilizer can be mix | blended with the soldering resist composition of this invention for the purpose of reducing light deterioration.

힌더드 아민계 광 안정제로서는 티누빈 622LD, 티누빈 144; 치마소르브(CHIMASSORB) 944LD, CHIMASSORB 119FL(이상 모두 시바ㆍ재팬(주) 제조); MARK LA-57, LA-62, LA-67, LA-63, LA-68(이상 모두 아데카아가스 가가꾸(주) 제조); 서놀 LS-770, LS-765, LS-292, LS-2626, LS-1114, LS-744(이상 모두 산쿄 라이프텍(주) 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the hindered amine light stabilizer include Tinuvin 622LD and Tinuvin 144; CHIMASSORB 944LD and CHIMASSORB 119FL (both manufactured by Shiba Japan Co., Ltd.); MARK LA-57, LA-62, LA-67, LA-63, LA-68 (all of which are manufactured by Adekagas Chemical Co., Ltd.); Sunol LS-770, LS-765, LS-292, LS-2626, LS-1114, LS-744 (all are manufactured by Sankyo Lifetech Co., Ltd.) and the like.

힌더드 아민계 광 안정제의 배합량은 광 경화성 수지 100 질량부에 대하여 0.1 내지 10 질량부인 것이 바람직하다.It is preferable that the compounding quantity of a hindered amine light stabilizer is 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of photocurable resins.

또한, 본 발명의 솔더 레지스트 조성물에는 산화티탄의 분산성, 침강성의 개선을 목적으로서 분산제를 배합할 수 있다. 분산제로서는 안티-테라(ANTI-TERRA)-U, 안티-테라-U100, 안티-테라-204, 안티-테라-205, 디스퍼비크(DISPERBYK)-101, 디스퍼비크-102, 디스퍼비크-103, 디스퍼비크-106, 디스퍼비크-108, 디스퍼비크-109, 디스퍼비크-110, 디스퍼비크-111, 디스퍼비크-112, 디스퍼비크-116, 디스퍼비크-130, 디스퍼비크-140, 디스퍼비크-142, 디스퍼비크-145, 디스퍼비크-161, 디스퍼비크-162, 디스퍼비크-163, 디스퍼비크-164, 디스퍼비크-166, 디스퍼비크-167, 디스퍼비크-168, 디스퍼비크-170, 디스퍼비크-171, 디스퍼비크-174, 디스퍼비크-180, 디스퍼비크-182, 디스퍼비크-183, 디스퍼비크-185, 디스퍼비크-184, 디스퍼비크-2000, 디스퍼비크-2001, 디스퍼비크-2009, 디스퍼비크-2020, 디스퍼비크-2025, 디스퍼비크-2050, 디스퍼비크-2070, 디스퍼비크-2096, 디스퍼비크-2150, BYK-P104, BYK-P104S, BYK-P105, BYK-9076, BYK-9077, BYK-220S(빅케미ㆍ재팬(주) 제조), 디스팔론 2150, 디스팔론 1210, 디스팔론 KS-860, 디스팔론 KS-873N, 디스팔론 7004, 디스팔론 1830, 디스팔론 1860, 디스팔론 1850, 디스팔론 DA-400N, 디스팔론 PW-36, 디스팔론 DA-703-50(구스모또 가세이(주) 제조), 플로렌 G-450, 플로렌 G-600, 플로렌 G-820, 플로렌 G-700, 플로렌 DOPA-44, 플로렌 DOPA-17(교에샤 가가꾸(주) 제조)을 들 수 있다.Moreover, a dispersing agent can be mix | blended with the soldering resist composition of this invention for the purpose of the improvement of the dispersibility and settling property of titanium oxide. As dispersants, anti-terra (ANTI-TERRA) -U, anti-terra-U100, anti-terra-204, anti-terra-205, DISPERBYK-101, dispervik-102, dispervik- 103, DISPERVIK-106, DISPERVIK-108, DISPERVIK-109, DISPERVIK-110, DISPERVIK-111, DISPERVIK-112, DISPERVIK-116, DISPERVIK-130, Dispervik-140, dispervik-142, dispervik-145, dispervik-161, dispervik-162, dispervik-163, dispervik-164, dispervik-166, disper Vik-167, Dispervik-168, Dispervik-170, Dispervik-171, Dispervik-174, Dispervik-180, Dispervik-182, Dispervik-183, Dispervik- 185, DISPERVIK-184, DISPERVIK-2000, DISPERVIK-2001, DISPERVIK-2009, DISPERVIK-2020, DISPERVIK-2025, DISPERVIK-2050, DISPERVIK-2070, DISPERVIK-2096, DISPERVIK-2150, BYK-P104, BYK-P104S, BYK-P105, BYK-9076, BYK-9077, BYK-220S Pan Co., Ltd.), Dispalon 2150, Dispalon 1210, Dispalon KS-860, Dispalon KS-873N, Dispalon 7004, Dispalon 1830, Dispalon 1860, Dispalon 1850, Dispalon DA-400N, Dispalon Fallon PW-36, Dispalon DA-703-50 (manufactured by Kusumoto Kasei Co., Ltd.), Floren G-450, Floren G-600, Floren G-820, Floren G-700, Floren DOPA -44 and Floren DOPA-17 (made by Kyoesha Chemical Co., Ltd.) are mentioned.

상기 목적을 유효하게 달성하기 위해서, 분산제의 배합량은 산화티탄 100 질량부에 대하여 0.1 내지 10 질량부, 바람직하게는 0.5 내지 5 질량부로 하는 것이 좋다.In order to achieve the said objective effectively, the compounding quantity of a dispersing agent shall be 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of titanium oxide, Preferably it is 0.5-5 mass parts.

또한, 본 발명의 솔더 레지스트 조성물에는 경화 촉진제, 열 중합 금지제, 증점제, 소포제, 레벨링제, 커플링제, 난연 조제 등을 배합할 수 있다.Moreover, a hardening accelerator, a thermal polymerization inhibitor, a thickener, an antifoamer, a leveling agent, a coupling agent, a flame retardant adjuvant, etc. can be mix | blended with the soldering resist composition of this invention.

이하에 본 발명의 솔더 레지스트 조성물의 사용예로서, 상기 조성물을 이용 하여 제조하는 인쇄 배선판에 대해서 설명한다.Hereinafter, as a use example of the soldering resist composition of this invention, the printed wiring board manufactured using the said composition is demonstrated.

우선, 본 발명의 솔더 레지스트 조성물을 도포 방법에 알맞은 점도로 조정한다.First, the soldering resist composition of this invention is adjusted to the viscosity suitable for a coating method.

다음으로, 점도 조정한 조성물을 회로 형성된 인쇄 배선판에 스크린 인쇄법, 커튼 코팅법, 분무 코팅법, 또는 롤 코팅법 등의 방법에 의해 도포한다. 그 후, 인쇄 배선판에 도포한 조성물에 포함되는 유기 용제를 70 내지 90 ℃의 온도에서 휘발 건조시켜 도막을 형성한다.Next, the viscosity-adjusted composition is applied to a printed circuit board having a circuit formed by a method such as a screen printing method, a curtain coating method, a spray coating method, or a roll coating method. Then, the organic solvent contained in the composition apply | coated to the printed wiring board is volatilized at the temperature of 70-90 degreeC, and a coating film is formed.

그 후, 이 도막에 대하여 포토마스크를 통해서, 선택적으로 활성 에너지선에 의해 노광을 행한다. 그리고, 노광 후의 상기 도막의 미노광부를 알칼리 수용액을 이용하여 현상하여 패턴을 형성한다. 또한 그 후, 상기 패턴을 100 ℃ 내지 200 ℃의 열로 열 경화함으로써, 본 발명의 솔더 레지스트 조성물을 이용하여 형성되는 패턴을 갖는 인쇄 배선판, 즉 본 발명의 인쇄 배선판을 제조할 수 있다.Thereafter, the coating film is selectively exposed to light by an active energy ray through a photomask. And the unexposed part of the said coating film after exposure is developed using aqueous alkali solution, and a pattern is formed. Moreover, after that, the pattern is heat-cured by heat at 100 ° C to 200 ° C, whereby a printed wiring board having a pattern formed using the solder resist composition of the present invention, that is, the printed wiring board of the present invention can be produced.

또한, 상기 도막을 노광하기 위한 조사 광원으로서는 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 크세논 램프 또는 메탈할라이드 램프 등을 사용할 수 있다. 그 밖에, 레이저 광선 등도 활성 광선으로서 이용할 수 있다.As the irradiation light source for exposing the coating film, a low pressure mercury lamp, a medium pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, a xenon lamp or a metal halide lamp can be used. In addition, a laser beam etc. can also be used as an active ray.

또한, 상기 도막의 현상에 이용하는 현상액으로서의 알칼리 수용액은 0.5 내지 5 질량%의 탄산나트륨 수용액이 일반적이지만, 다른 알칼리 수용액을 사용하는 것도 가능하다. 다른 알칼리 수용액으로서는 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산칼륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 암모니아, 아민류 등의 알칼리 수용액을 들 수 있다.In addition, although the aqueous alkali solution as a developing solution used for image development of the said coating film is 0.5-5 mass% sodium carbonate aqueous solution, other alkaline aqueous solution can also be used. As another alkali aqueous solution, aqueous alkali solution, such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, ammonia, amines, is mentioned.

<실시예><Examples>

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated concretely, this invention is not limited to this.

수지 용액 1의 합성:Synthesis of Resin Solution 1:

교반기, 온도계, 환류 냉각기, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 2 리터 분리 플라스크에 용매(디에틸렌글리콜디메틸에테르) 900 g, 및 중합 개시제(t-부틸퍼옥시2-에틸헥사노에이트, 닛본 유시(주) 제조, 상품명; 퍼부틸 O) 21.4 g을 가하고 90 ℃로 가열하였다. 가열 후, 상기 플라스크에 메타크릴산 309.9 g, 메타크릴산메틸 116.4 g, 락톤 변성 2-히드록시에틸메타크릴레이트(다이셀 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명; 프라크셀 FM1) 109.8 g, 및 중합 개시제(비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카르보네이트, 닛본 유시(주) 제조, 상품명; 퍼로일 TCP) 21.4 g을 3시간 걸쳐 적하하여 가하였다. 또한 상기 혼합물을 6시간 숙성함으로써, 카르복실기 함유 공중합 수지를 얻었다. 또한, 이들 반응은 질소 분위기하에서 행하였다.900 g of solvent (diethylene glycol dimethyl ether) and a polymerization initiator (t-butylperoxy 2-ethylhexanoate, Nisbon Yushi) in a 2-liter separation flask equipped with a stirrer, a thermometer, a reflux cooler, a dropping funnel and a nitrogen introduction tube. (Manufactured by Co., Ltd.), 21.4 g of perbutyl O) were added, and it heated at 90 degreeC. After heating, 309.8 g of methacrylic acid, 116.4 g of methyl methacrylate, 109.8 g of lactone-modified 2-hydroxyethyl methacrylate (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., trade name; Praccell FM1) were added to the flask after heating. 21.4 g of polymerization initiators (bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, manufactured by Nippon Yushi Co., Ltd., brand name; perroyl TCP) were added dropwise over 3 hours. Moreover, the carboxyl group-containing copolymer resin was obtained by aged the said mixture for 6 hours. In addition, these reactions were performed in nitrogen atmosphere.

다음으로, 이 카르복실기 함유 공중합 수지에 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트(다이셀 가가꾸(주) 제조, 상품명; 사이크로마 A200) 363.9 g, 개환 촉매(디메틸벤질아민) 3.6 g, 중합 억제제(하이드로퀴논모노메틸에테르) 1.80 g을 가하고, 이들을 100 ℃로 가열하여 교반함으로써 에폭시의 개환 부가 반응을 행하였다. 교반 종료로부터 16시간 후, 상기 교반물로부터, 고형분의 산가가 108.9 mgKOH/g이며 중량 평균 분자량이 25,000인 방향환을 갖지 않는 카르복실기 함유 수지를 53.8 질량%(불휘발분) 포함하는 용액을 얻었다. 이하, 이 반응 용액을 수지 용액 1로 부른다.Next, 363.9 g of 3,4-epoxycyclohexyl methyl acrylate (made by Daicel Chemical Corporation, brand name; Cycroma A200), 3.6 g of a ring-opening catalyst (dimethylbenzylamine), and a polymerization inhibitor are then used for this carboxyl group-containing copolymer resin. 1.80 g of (hydroquinone monomethyl ether) were added, and the ring-opening addition reaction of epoxy was performed by heating and stirring these at 100 degreeC. After 16 hours from the end of stirring, the solution containing 53.8 mass% (non-volatile content) of the carboxyl group-containing resin which does not have the aromatic ring whose acid value of solid content is 108.9 mgKOH / g and a weight average molecular weight is 25,000 was obtained. Hereinafter, this reaction solution is called resin solution 1.

실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3의 배합:Formulations of Examples 1-5 and Comparative Examples 1-3:

표 1의 기재에 따라서 각 성분을 배합한 것을 교반하고, 추가로 이것을 3축 롤로 분산시켜 솔더 레지스트 조성물(실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 3)을 제조하였다. 또한, 표 1 중의 숫자는 질량부를 나타낸다.What mix | blended each component according to description of Table 1 was stirred, and also this was disperse | distributed with the triaxial roll, and the soldering resist composition (Examples 1-5, Comparative Examples 1-3) was manufactured. In addition, the number in Table 1 represents a mass part.

Figure 112009037112131-pat00001
Figure 112009037112131-pat00001

광 중합 개시제 1: 비스-(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 이르가큐어 819(시바ㆍ재팬(주) 제조)Photoinitiator 1: bis- (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide Irgacure 819 (made by Shiba Japan Co., Ltd.)

광 중합 개시제 2: 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 다로큐어 TPO(시바ㆍ재팬(주) 제조)Photoinitiator 2: 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide Darocure TPO (made by Shiba Japan Co., Ltd.)

광 중합 개시제 3: 이르가큐어 907(시바ㆍ재팬(주) 제조)Photoinitiator 3: Irgacure 907 (made by Shiba Japan Co., Ltd.)

광 중합성 단량체: 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트Photopolymerizable monomer: dipentaerythritol hexaacrylate

산화티탄(루틸형): CR-수퍼(Super) 70(이시하라 산교(주) 제조)Titanium oxide (rutile type): CR-Super 70 (manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.)

에폭시 화합물(비페닐형): YX-4000(재팬 에폭시 레진(주) 제조)Epoxy compound (biphenyl type): YX-4000 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)

증감제: 2,4-디에틸티오크산톤 카야큐어 DETX-S(닛본 가야꾸(주)제조)Sensitizer: 2,4-diethyl thioxanthone kayakure DETX-S (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

산화 방지제: 이르가녹스 1010(시바·재팬(주) 제조)Antioxidant: Irganox 1010 (made by Shiba Japan Co., Ltd.)

유기 용제: 카르비톨아세테이트Organic Solvent: Carbitol Acetate

소포제: 실리콘 오일 KS-66(신에쓰 가가꾸 고교(주) 제조)Defoamer: Silicone oil KS-66 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

각 솔더 레지스트 조성물을 이용하여 형성되는 솔더 레지스트의 모든 성질을 조사하기 위해서, 이하의 조건으로 시험을 행하고, 평가를 하였다.In order to investigate all the properties of the soldering resist formed using each soldering resist composition, it tested on the following conditions and evaluated.

(1) 해상성(1) resolution

각 솔더 레지스트 조성물을 그의 도막의 막 두께가 40 ㎛가 되도록, 100 메쉬 폴리에스테르(바이어스제)의 판을 사용하고, 스크린 인쇄법으로 FR-4 구리를 바른 적층판(크기: 100 mm×150 mm, 두께: 1.6 mm)에 베타(기판 전체 면)에서 인쇄하였다. 그리고, 상기 FR-4 구리를 바른 적층판을 열풍 순환식 건조로에서 건조(온도: 80 ℃, 시간: 10분)시켜 상기 각 솔더 레지스트 조성물의 도막을 형성하였다. 또한, 상기 각 도막에 상기와 동일한 방법으로 각 솔더 레지스트 조성물을 거듭 인쇄하고, 열풍 순환식 건조로에서 건조(온도: 80 ℃, 시간: 20분)시켜, 시험용 도막을 형성하였다. 그 후, 인쇄 배선판용 노광기 HMW-680GW((주)오크 세이사꾸쇼 제조)를 이용하고, 80 ㎛ 및 100 ㎛의 라인을 묘화시키는 마스크 패턴을 사용하여, 500 mJ/㎠와 700 mJ/㎠의 2 조건의 적산 광량으로 상기 시험용 도막을 자외선 노광하였다. 또한 그 후, 이 노광한 시험용 도막에 대해서 1 질량%의 탄산나트륨 수용액(온도: 30 ℃)을 현상액으로서, 인쇄 배선판용 현상기를 이용하여 60초간 현상하였다. 계속해서, 현상한 각 시험용 도막에 대해서 열풍 순환식 건조로에서 열 경화(온도: 150 ℃, 시간: 60분)을 행하여, 각 시험편을 제조하였다. 이들 시험편에 잔존하고 있는 라인폭을 확인하고, 이하의 평가 방법을 이용하여 해상성을 평가하였다. 그의 결과를 표 2에 나타내었다.Each soldering resist composition used the board of 100 mesh polyester (Bias) so that the film thickness of the coating film might be 40 micrometers, The laminated board which coated FR-4 copper by the screen printing method (size: 100mm * 150mm, Thickness: 1.6 mm) in beta (full substrate). The FR-4 copper-clad laminate was dried in a hot air circulation drying furnace (temperature: 80 ° C., time: 10 minutes) to form a coating film of each solder resist composition. Moreover, each soldering resist composition was repeatedly printed on each said coating film by the same method as the above, and it dried in the hot air circulation type drying furnace (temperature: 80 degreeC, time: 20 minutes), and formed the test coating film. Subsequently, 500 mJ / cm &lt; 2 &gt; and 700 mJ / cm &lt; 2 &gt; The said test coating film was ultraviolet-ray-exposed with the accumulated light quantity of 2 conditions. Then, 1 mass% of sodium carbonate aqueous solution (temperature: 30 degreeC) was developed for 60 second using the developer for printed wiring boards as a developing solution with respect to this exposed test coating film. Subsequently, each test piece was manufactured by thermosetting (temperature: 150 degreeC, time: 60 minutes) with respect to each test coating film which developed. The line width which remained in these test pieces was confirmed, and the resolution was evaluated using the following evaluation methods. The results are shown in Table 2.

◎ 500 mJ/㎠의 노광 조건에서 80 ㎛의 라인이 잔존하고 있는 것◎ 80 μm lines remain under 500 mJ / cm 2 exposure conditions

○ 700 mJ/㎠의 노광 조건에서 80 ㎛의 라인이 잔존하고 있는 것○ 80 µm remaining lines under exposure conditions of 700 mJ / cm 2

△ 700 mJ/㎠의 노광 조건에서 100 ㎛의 라인이 잔존하고 있지만, 현상시에 막 감소가 보인 것100 µm lines remain under exposure conditions of Δ700 mJ / cm 2, but a decrease in film is observed during development

× 상기한 어느 쪽의 조건에서도 100 ㎛의 라인이 잔존하지 않는 것X 100 µm lines do not remain under any of the above conditions

Figure 112009037112131-pat00002
Figure 112009037112131-pat00002

표 2에 기재된 바와 같이, 실시예 1 내지 5는 전부 라인이 잔존하고 있기 때문에, 해상성이 좋은 것을 알 수 있었다. 비교예 1에는 비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제를 사용하고, 비교예 2에서는 모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제를 사용하고, 비교예 3에는 우레탄계의 광 중합 개시제를 사용하였지만, 충분히 라인이 남지 않는 결과가 되었다.As shown in Table 2, since all the lines remain in Examples 1-5, it turned out that resolution is good. Although the bisacyl phosphine oxide type photoinitiator was used for the comparative example 1, the monoacyl phosphine oxide type photoinitiator was used for the comparative example 2, and the urethane type photoinitiator was used for the comparative example 3, It left no result.

(2) 내광 내열 변색성(2) light resistance heat discoloration

실시예 1 내지 5의 솔더 레지스트 조성물을 그의 도막의 막 두께가 40 ㎛가 되도록, 100 메쉬 폴리에스테르(바이어스제)의 판을 사용하고, 스크린 인쇄법으로 FR-4 구리를 바른 적층판(크기: 100 mm× 150 mm, 두께: 1.6 mm)에 베타(기판 전체 면)에서 패턴을 인쇄하였다. 그리고, 상기 FR-4 구리를 바른 적층판을 열풍 순환식 건조로에서 건조(온도: 80 ℃, 시간: 30분)시켜 상기 각 솔더 레지스트 조성물의 도막을 형성하였다. 또한, 인쇄 배선판용 노광기 HMW-680GW((주)오크 세이사꾸쇼 제조)를 이용하고, 30 mm 변(角)의 네가티브 패턴을 남기도록, 700 mJ/㎠의 적산 광량으로 상기 각 도막을 자외선 노광하였다. 그 후, 이 노광한 각 도막에 대해서, 1 질량%의 탄산나트륨 수용액(온도: 30 ℃)을 현상액으로서, 인쇄 배선판용 현상기를 이용하여 60초간 현상하였다. 계속해서, 현상한 각 도막에 대해서 열풍 순환식 건조로에서 열 경화(온도: 150 ℃, 시간: 60분)을 행하여, 특성 시험용의 각 시험편을 제조하였다.In the soldering resist composition of Examples 1-5, the laminated board which coated FR-4 copper by the screen printing method using the board of 100 mesh polyester (Bias) so that the film thickness of the coating film might be 40 micrometers (size: 100) mm × 150 mm, thickness: 1.6 mm) and printed the pattern in beta (substrate whole surface). The FR-4 copper-clad laminate was dried in a hot air circulation drying furnace (temperature: 80 ° C., time: 30 minutes) to form a coating film of each solder resist composition. Furthermore, each coating film was exposed to ultraviolet rays using an integrated light quantity of 700 mJ / cm 2 so as to leave a negative pattern of 30 mm side using an exposure machine HMW-680GW (manufactured by Oak Seisakusho Co., Ltd.) for a printed wiring board. It was. Then, about each exposed coating film, 1 mass% sodium carbonate aqueous solution (temperature: 30 degreeC) was developed for 60 second using the developing machine for printed wiring boards as a developing solution. Then, about each developed coating film, it thermosetted (hot: 150 degreeC, time: 60 minutes) in the hot-air circulation type drying furnace, and produced each test piece for characteristic tests.

상기 각 시험편에 대해서, 색채 색차계 CR-400(코니카 미놀타 센싱(주) 제조)을 이용하여 XYZ 표색계의 Y 값 및 L*a*b* 표색계의 각 값을 초기 값으로서 측정하였다. 그 후, 컨베어형 UV 조사기 QRM-2082-E-01((주)오크 세이사꾸쇼 제조)을 이용하고, 메탈할라이드 램프, 콜드미러, 80 W/cm×3등, 컨베어스피드 6.5 m/분(적산 광량 1000 mJ/㎠)의 조건으로, 상기 각 시험편에 UV를 20회 반복하여 조사하였다. 또한 그 후, 부품 실장용의 컨베어식 가열로를 이용하여, 상기 각 시험편을 2회 반복하여 가열하였다. 가열 후의 각 시험편에 대해서 초기 값과 동일한 조건으로 색차를 측정하여, 각 시험편의 열화 상태를 평가하였다. 또한, 육안으로도 상기 각 시험편을 평가하였다. 그의 결과를 표 3에 나타내었다. 또한, 상기 가열로의 온도는 도 1에 나타내었다.About each said test piece, each value of the Y value and L * a * b * colorimeter of the XYZ colorimeter was measured as the initial value using the chromatic colorimeter CR-400 (made by Konica Minolta Sensing Co., Ltd.). Then, using a conveyor-type UV irradiator QRM-2082-E-01 (manufactured by Oak Seisakusho Co., Ltd.), a metal halide lamp, cold mirror, 80 W / cm × 3 lights, conveyor speed 6.5 m / min ( Each test piece was repeatedly irradiated with UV 20 times on the conditions of accumulated light quantity 1000 mJ / cm <2>. Furthermore, after that, each said test piece was repeatedly heated twice using the conveyor heating furnace for component mounting. About each test piece after heating, the color difference was measured on the conditions similar to an initial value, and the deterioration state of each test piece was evaluated. In addition, each said test piece was evaluated also visually. The results are shown in Table 3. In addition, the temperature of the heating furnace is shown in FIG.

표 3에 있어서, Y는 XYZ 표색계의 반사율을 나타내고, L*은 L*a*b* 표색계의 명도를 나타낸다. ΔE*ab는 L*a*b*의 각 값에 대해서, 열화 시험 후의 값과 초기 값의 차의 제곱을 하여, 그의 총합의 평방근을 취한 것이다. a*는 적색 방향, -a*은 녹색 방향, b*은 황색 방향, -b*은 청색 방향을 나타내고, 제로에 가까울수록 채도가 없는 것을 나타낸다. ΔE*ab는 색의 변화를 나타내고, 이 값이 작을수록 색의 변화도 작은 것을 나타낸다.In Table 3, Y represents the reflectance of the XYZ color system, and L * represents the brightness of the L * a * b * color system. (DELTA) E * ab squares the difference of the value after a deterioration test, and an initial value with respect to each value of L * a * b *, and takes the square root of the sum total. a * represents a red direction, -a * represents a green direction, b * represents a yellow direction, -b * represents a blue direction, and it is indicated that there is no saturation closer to zero. ΔE * ab indicates a change in color, and the smaller this value, the smaller the change in color.

또한, 가열 후의 육안 평가는 이하와 같다.In addition, visual evaluation after a heating is as follows.

◎ 변색 없음◎ No discoloration

○ 거의 변색 없음○ almost no discoloration

△ 약간 변색 있음△ There is a slight discoloration

× 분명한 변색 있음× There is a clear discoloration

Figure 112009037112131-pat00003
Figure 112009037112131-pat00003

표 3에 기재된 대로, 실시예 1 내지 5는 가열 후의 ΔE*ab의 값 및 육안 평가에 대해서도 변색이 적다.As shown in Table 3, Examples 1-5 have little discoloration also about the value of (DELTA) E * ab and visual evaluation after a heating.

(3) 땜납 내열성(3) solder heat resistance

실시예 1 내지 5에 대해서, (2)와 동일한 방법으로 제조한 각 시험편에 로진계 플럭스를 도포하고, 260 ℃의 땜납 조에서 10초간 플로우시켰다. 그 후, 상기 각 시험편을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 세정하고, 건조시켰다. 그 후, 건조시킨 각 시험편에 대해서 셀로판 점착 테이프에 의한 박리 테스트를 행하고, 경화 도막(이하, 본 실시예에서는 「도막」이라고 함)의 박리에 대해서 이하의 평가 방법을 이용하여 평가하였다. 그의 결과를 표 4에 나타내었다.For Examples 1 to 5, a rosin-based flux was applied to each test piece produced in the same manner as in (2), and flowed for 10 seconds in a solder bath at 260 ° C. Then, each said test piece was wash | cleaned with propylene glycol monomethyl ether acetate, and it dried. Then, the peeling test by the cellophane adhesive tape was performed about each dried test piece, and the peeling of a cured coating film (henceforth a "coating film" in this Example) was evaluated using the following evaluation methods. The results are shown in Table 4.

○ 도막의 박리나 변색 없음○ No peeling or discoloration of the coating

× 도막의 박리나 변색 있음× Peeling or discoloration of the coating

(4) 내용제성(4) solvent resistance

실시예 1 내지 5에 대해서, (2)와 동일한 방법으로 제조한 각 시험편을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 30분간 침지하고, 건조시켰다. 그 후, 건조시킨 각 시험편에 대해서 셀로판 점착 테이프에 의한 박리 테스트를 행하고, 도막의 박리와 변색에 대해서 이하의 평가 방법을 이용하여 평가하였다. 그의 결과를 표 4에 나타내었다.About Examples 1-5, each test piece manufactured by the method similar to (2) was immersed in propylene glycol monomethyl ether acetate for 30 minutes, and it dried. Then, the peeling test by the cellophane adhesive tape was performed about each dried test piece, and peeling and discoloration of a coating film were evaluated using the following evaluation methods. The results are shown in Table 4.

○ 도막의 박리나 변색이 없었음○ No peeling or discoloration of coating

× 도막의 박리나 변색이 있었음× There was peeling or discoloration of the coating

(5) 연필 경도 시험(5) pencil hardness test

실시예 1 내지 5에 대해서, (2)와 동일한 방법으로 제조한 각 시험편에 코어의 앞이 평평하게 되도록 갈아진 B 내지 9H의 연필을 약 45°의 각도로 압박하여 도막의 박리가 생기지 않는 연필의 경도를 기록하고, 이하의 평가 방법을 이용하여 평가하였다. 그의 결과를 표 4에 나타내었다.For Examples 1 to 5, the pencils of B-9H, which were ground so that the front of the core was flat on each test piece manufactured in the same manner as in (2), were pressed at an angle of about 45 ° so that no peeling of the coating film occurred. The hardness of was recorded and evaluated using the following evaluation methods. The results are shown in Table 4.

○···도막의 박리나 변색 없음○ ... no peeling or discoloration of the coating film

×···도막의 박리나 변색 있음× ··· There is peeling or discoloration of coating

(6) 절연 저항 시험(6) insulation resistance test

실시예 1 내지 5에 대해서, FR-4 구리를 바른 적층판 대신에 IPC B-25 테스트 패턴의 빗형 전극 B 쿠폰을 이용하고, 그것 이외는 (2)와 동일한 조건 및 방법으로 시험편을 제조하였다. 이 각 시험편에 DC500V의 바이어스를 인가하여, 절연 저항치를 측정하였다. 그의 결과를 표 4에 나타내었다.In Examples 1 to 5, comb-shaped Electrode B coupons of the IPC B-25 test pattern were used in place of the laminated plates coated with FR-4 copper, and test specimens were prepared under the same conditions and methods as in (2). DC500V bias was applied to each test piece, and insulation resistance value was measured. The results are shown in Table 4.

Figure 112009037112131-pat00004
Figure 112009037112131-pat00004

표 4의 기재로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 솔더 레지스트 조성물을 이용한 실시예 1 내지 5는 솔더 레지스트에 요구되는 양호한 내열성, 내용제성, 밀착성 및 전기 절연성을 갖는 것을 알 수 있었다.As is clear from the description of Table 4, it was found that Examples 1 to 5 using the solder resist composition of the present invention had good heat resistance, solvent resistance, adhesion, and electrical insulation required for the solder resist.

이상으로부터, 본 실시예에 따르면, 고반사율의 솔더 레지스트를 형성할 수 있는 솔더 레지스트 조성물을 얻을 수 있었다. 또한, 상기 조성물은 산화티탄을 다량으로 배합하고 있더라도 노광에 의해 고정밀한 패턴을 형성할 수 있고, 양호한 해상성을 갖는 것을 알 수 있었다. 또한, 상기 조성물을 이용하여 형성한 솔더 레지스트는 광이나 열에 의한 변색이 적고, 땜납 내열성도 갖는 것이었다. As mentioned above, according to the present Example, the soldering resist composition which can form the high reflectivity soldering resist was obtained. Moreover, even if the said composition is mix | blended with a large amount of titanium oxide, it turned out that a high-definition pattern can be formed by exposure and it has favorable resolution. Moreover, the soldering resist formed using the said composition had little discoloration by light and heat, and also had solder heat resistance.

도 1은 실시예의 내광 내열 변색성의 평가에서 이용한 가열로 온도의 시간적 변화를 나타내는 그래프이다. 1 is a graph showing a temporal change of a furnace temperature used in evaluation of light resistance to heat discoloration of an example.

Claims (8)

1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지와,Resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group in one molecule, 비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와,Bisacyl phosphine oxide type photoinitiator, 모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와,Monoacyl phosphine oxide type photoinitiator, 광 중합성 단량체와,Photopolymerizable monomer, 산화티탄과,Titanium oxide, 에폭시 화합물과,An epoxy compound, 유기 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트 조성물. A soldering resist composition comprising an organic solvent. 제1항에 있어서, 산화티탄이 루틸형 산화티탄인 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트 조성물. The soldering resist composition according to claim 1, wherein the titanium oxide is rutile titanium oxide. 제1항에 있어서, 티오크산톤계 광 중합 증감제를 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트 조성물. The soldering resist composition of Claim 1 containing a thioxanthone type photopolymerization sensitizer. 제1항에 있어서, 산화 방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트 조성물.The soldering resist composition of claim 1 comprising an antioxidant. 제1항에 있어서, 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지가 카르복실기 함유 (메트)아크릴계 공중합 수지와 1 분자 중에 옥시란환과 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물과의 반응에 의해 얻어지는 카르복실기를 갖는 공중합계 수지인 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트 조성물. The air according to claim 1, wherein the resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group in one molecule has a carboxyl group obtained by the reaction of a carboxyl group-containing (meth) acrylic copolymer resin with a compound having an oxirane ring and an ethylenically unsaturated group in one molecule. It is total resin, The soldering resist composition characterized by the above-mentioned. 제5항에 있어서, 1 분자 중에 옥시란환과 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물이 지방족 중합성 단량체로부터 생성되는 화합물인 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트 조성물. The soldering resist composition of Claim 5 whose compound which has an oxirane ring and ethylenically unsaturated group in 1 molecule is a compound produced from an aliphatic polymerizable monomer. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 솔더 레지스트 조성물을 이용하여 형성되는 솔더 레지스트를 갖는 인쇄 배선판.The printed wiring board which has a soldering resist formed using the soldering resist composition of any one of Claims 1-6. 에틸렌성 불포화기의 반응물과,Reactants of ethylenically unsaturated groups, 비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와,Bisacyl phosphine oxide type photoinitiator, 모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와,Monoacyl phosphine oxide type photoinitiator, 산화티탄과,Titanium oxide, 에폭시 화합물과 카르복실기의 반응물을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄 배선판에 형성된 솔더 레지스트.A soldering resist formed on a printed wiring board, comprising a reactant of an epoxy compound and a carboxyl group.
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