JP5080729B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子、特に有機電界発光素子（ＥＬ素子）に関する。

今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。有機ＥＬ素子の重要な特性として耐久性があり、有機ＥＬ素子の耐久性を向上させる試みが検討されている。耐久性を改良する手段としては、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）を正孔注入層に用いた発光素子が知られている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照。）が、量子効率が低く、さらなる改良が求められていた。

一方、近年の有機ＥＬ素子開発においては、外部量子効率向上の研究が種々行われており、中でも、トリスフェニルピリジンイリジウム錯体（例えば、特許文献２参照。）、及び、オクタエチルポルフィリン白金錯体などの白金錯体（例えば、特許文献３、４参照。）などのりん光発光材料を含有する素子が高い効率を達し、着目されている。
しかしながら、これらのりん光材料を含有する素子は耐久性の点で満足のいくものではなく、さらなる改良が求められていた。また、従来の白金錯体（例えば、特許文献３、４参照。）は、発光色が橙〜赤色に限られており、フルカラー、及び、マルチカラーディスプレイ用途に必要な青〜緑色の短波長の発光が得られない問題点があった。
さらに、では、三座配位子の金属錯体系りん光材料について報告されている（例えば、特許文献５、６、７および非特許文献２、３）が、耐久性は十分満足の行くものではなかった。
また最近、６座のイリジウム錯体系りん光材料、６座のアルミニウム錯体系ホスト材料に関し開示された（特許文献８）が、その素子耐久性はいまだ満足のいくものではない。
特開昭５７−５１７８１号公報 国際公開第００／０７０６５５号パンフレット 米国特許第６，３０３，２３８Ｂ１号明細書 米国特許第６，６５３，５６４Ｂ１号明細書 国際公開第０４／０３９７８１号パンフレット 国際公開第０４／０３９９１４号パンフレット 特開２００２−３６３５５２号公報 国際公開第０４／０８１０１７号パンフレット 「アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）」，１５，６９，（１９９６） 「ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ）， ２００４年，１２６巻， ４９５８−４９７１頁． 「ジャーナル・オブ・ジ・ケミカル・ソサイエティー・ダルトン・トランザクションズ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ， Ｄａｌｔｏｎ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ）」， ２００２年， ３２３４−３２４０頁．

本発明の目的は、発光特性、耐久性が良好な発光素子の提供にある。

上記課題は下記手段によって達成された。

＜１＞一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（３−Ａ）で表される５座以上の配位子を有する金属錯体の少なくとも１種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。


（一般式（３−Ａ）中、Ｍ³で表される金属イオンはイリジウムイオンを表し、Ｌ³¹ 、Ｌ ³³ 、Ｌ ³⁵ はそれぞれ独立にピリジン配位子を表し、Ｌ ³² 、Ｌ ³⁴ 、Ｌ ³⁶ はそれぞれ独立にベンゼン配位子からなる基を表し、Ｙ³¹は、アルキレン基及び酸素原子連結基の組み合わせからなる連結基を表し、Ｙ³²、Ｙ³³、Ｙ³⁴、Ｙ³⁵は単結合を表す。）
＜２＞前記金属錯体がりん光を発光する金属錯体であり、かつ該金属錯体を発光層に含有することを特徴とする＜１＞に記載の有機電界発光素子。

本発明によれば、高効率発光可能であり、耐久性にも優れる発光素子を提供することができる。

本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有し、後述の一般式（３−Ａ）で表される５座以上の配位子を有する金属錯体の少なくとも１種を有機層に含有することを特徴とする。
該一対の電極間の有機層に５座以上に多座化された金属錯体を含有することにより、電荷に対する安定性が向上し、駆動耐久性が従来の化合物に対して著しく向上する効果がある。また、発光の量子収率、励起状態での安定性も向上し、発光材料として用いた場合には、発光効率の向上と耐久性の向上の効果を奏することができる。
以下に本発明における５座以上の配位子を有する金属錯体（以下、「本発明の錯体」という）について、その構造等について詳細に説明する。

本発明の金属錯体の金属イオンは特に限定されないが、１価ないし４価の金属イオンが好ましく、１価ないし３価の金属イオンがより好ましく、２価または３価の金属イオンが更に好ましい。
金属イオンの具体例としては、アルミニウムイオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、ガリウムイオン、ルテニウムイオン、ロジウムイオン、パラジウムイオン、銀イオン、セリウムイオン、ユーロピウムイオン、タングステンイオン、レニウムイオン、オスミウムイオン、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、鉛イオン、亜鉛イオンなどが挙げられる。

本発明の錯体を電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）材料、電荷ブロッキング層（正孔ブロッキング層、電子ブロッキング層）材料、励起子ブロッキング層材料、及び発光層のホスト材料として用いる場合、金属イオンとしては、アルミニウムイオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、ガリウムイオン、ルテニウムイオン、ロジウムイオン、パラジウムイオン、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、鉛イオンが好ましく、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、ロジウムイオン、パラジウムイオン、イリジウムイオン、白金イオン、金イオンがより好ましく、イリジウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオンが更に好ましい。

本発明の錯体を発光材料として用いる場合、金属イオンとして好ましくは、白金イオン、金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、タングステンイオン、銅イオンであり、より好ましくは白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオンであり、更に好ましくは白金イオン、イリジウムイオンであり、特に好ましくはイリジウムイオンである。
前記金属イオンに配位する部分の原子としては特に限定はないが、好ましくは酸素原子、窒素原子、炭素原子、硫黄原子、りん原子、ハロゲン原子であり、より好ましくは酸素原子、窒素原子、炭素原子、硫黄原子、りん原子、塩素原子であり、更に好ましくは酸素原子、窒素原子、炭素原子、りん原子であり、特に好ましくは酸素原子、窒素原子、炭素原子である。

前記配位子の配位基の構造としては特に限定はないが、例えば芳香族炭化水素環配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、更に好ましくは炭素数６〜１６であり、例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントラセン配位子などが挙げられる。）、ヘテロ環配位子（（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、更に好ましくは炭素数１〜１２であり、特に好ましくは芳香族ヘテロ環配位子である。好ましいヘテロ環配位子の具体例としては、例えばフラン配位子、チオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、及び、それらを含む縮環体（例えばインドール配位子、キノリン配位子、イソキノリン配位子、キノキサリン配位子、プリン配位子、カルバゾール配位子、フェナントロリン配位子、ベンゾチアゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など）およびこれらの互変異性体）などが挙げられる。これらのヘテロ環配位子はヘテロ環内のヘテロ原子または炭素原子のいずれで金属イオンに配位しても良い。）、

アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ配位子（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、

カルボキシラト配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルボキシラト、メチルカルボキシラト、フェニルカルボキシラト、ナフチルカルボキシラト、ピリジンカルボキラト、キノリンカルボキシラトなどが挙げられる。）、エーテル配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばジアルキルエーテル配位子（ジメチルエーテル、ジエチルエーテルなど）、ジアリールエーテル配位子（例えばジフェニルエーテルなど）、フリル配位子などが挙げられる。）、

アミノ配位子（アルキルアミノ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノなどが挙げられる。）、アリールアミノ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１０であり、例えばフェニルアミノなどが挙げられる。）、ヘテロ環アミノ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリ
ジルアミノ、ピラジルアミノ、ピリミジルアミノ、キノリルアミノ、イソキノリルアミノ、キノキサリルアミノ、カルバゾリルアミノ、チエニルアミノ、フリルアミノ、チアゾリルアミノ、オキサゾリルアミノ、ピラゾリルアミノ、トリアゾリルアミノなどが挙げられる。）、アシルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシ
カルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ配位子（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、トリフルオロメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ、ペンタフルオロベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。））、

カルボニル配位子（例えばケトン配位子、エステル配位子、アミド配位子など）、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば２−ピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル配位子（例えばチオケトン配位子、チオエステル配位子などが挙げられる。）、チオエーテル配位子（例えばジアルキルチオエーテル配位子、ジアリールチオエーテル配位子、チオフリル配位子などが挙げられる。）、及び上記の組み合せからなる基などが挙げられる。

配位基として好ましくは、芳香族炭化水素環配位子、芳香族へテロ環配位子（例えばフラン配位子、チオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、及び、それらを含む縮環配位子（例えば、キノリン配位子、イソキノリン配位子、フェナントロリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、及び、これらの互変異性体など）、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、エーテル配位子、アルキルチオ配位子、アリールチオ配位子、アルキルアミノ配位子、アリールアミノ配位子、アシルアミノ配位子、カルボキシラト配位子、及び、これらの組み合せからなる配位子であり、より好ましくは、芳香族炭素環配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、チオフェン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、キノリン配位子、イソキノリン配位子、ベンズイミダゾール配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、エーテル配位子、アルキルチオ配位子、アリールチオ配位子、アルキルアミノ配位子、アリールアミノ配位子、アシルアミノ配位子、カルボキシラト配位子、及び、これらの組み合せからなる基であり、更に好ましくは芳香族炭素環配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、キノリン配位子、イソキノリン配位子、ベンズイミダゾール配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、アルキルアミノ配位子、アリールアミノ配位子、アシルアミノ配位子、カルボキシラト配位子、及びこれらの組み合せからなる基である。

上記の配位子は可能な場合には置換基を有してもよい。置換基としては下記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。
＜置換基群Ａ＞アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、

アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、

アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えば
フェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、

アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、

カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、
例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、

スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。
）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、

シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、ト
リフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）

置換基を有する場合、これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基同士で連結して環を形成してもよい。

本発明の錯体として好ましくは一般式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、（６）および（７）で表される化合物である。

（一般式（１）中、Ｍ¹は金属イオンを表す。Ｌ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴、Ｌ¹⁵、Ｌ¹⁶およびＬ¹⁷はそれぞれ独立にＭ¹に配位する配位基を表す。Ｙ¹¹、Ｙ¹²、Ｙ¹³、Ｙ¹⁴およびＹ¹⁵はそれぞれは独立に単結合または連結基を表す。ｎ¹¹は０または１を表す。ｎ¹²は０〜４の整数を表す。）

（一般式（２）中、Ｍ²は金属イオンを表す。Ｌ²¹、Ｌ²²、Ｌ²³、Ｌ²⁴、Ｌ²⁵、Ｌ²⁶およびＬ²⁷はそれぞれ独立にＭ²に配位する配位基を表す。Ｙ²¹、Ｙ²²、Ｙ²³およびＹ²⁴はそれぞれは独立に単結合または連結基を表す。ｎ²¹は０または１を表す。ｎ²²は０〜４の整数を表す。）

一般式（３）中、Ｍ³は金属イオンを表す。Ｌ³¹、Ｌ³²、Ｌ³³、Ｌ³⁴、Ｌ³⁵、Ｌ³⁶およびＬ³⁷はそれぞれ独立にＭ³に配位する配位基を表す。Ｙ³¹、Ｙ³²、Ｙ³³、Ｙ³⁴およびＹ³⁵はそれぞれは独立に単結合または連結基を表す。ｎ³¹は０または１を表す。ｎ³²は０〜４の整数を表す。

（一般式（４）中、Ｍ⁴は金属イオンを表す。Ｌ⁴¹、Ｌ⁴²、Ｌ⁴³、Ｌ⁴⁴、Ｌ⁴⁵、Ｌ⁴⁶およびＬ⁴⁷はそれぞれ独立にＭ⁴に配位する配位基を表す。Ｙ⁴¹、Ｙ⁴²およびＹ⁴³はそれぞれ独立に単結合または連結基を表す。ｎ⁴¹、ｎ⁴²はそれぞれ独立に０または１を表すが、ｎ⁴¹とｎ⁴²の少なくともいずれか一方は１を表す。ｎ⁴³は０〜４の整数を表す。）

（一般式（５）中、Ｍ⁵は金属イオンを表す。Ｌ⁵¹、Ｌ⁵²、Ｌ⁵³、Ｌ⁵⁴、Ｌ⁵⁵、Ｌ⁵⁶およびＬ⁵⁷はそれぞれ独立にＭ⁵に配位する配位基を表す。Ｙ⁵¹、Ｙ⁵²およびＹ⁵³はそれぞれ独立に単結合または連結基を表す。ｎ⁵¹、ｎ⁵²はそれぞれ独立に０または１を表すが、ｎ⁵¹とｎ⁵²の少なくともいずれか一方は１を表す。ｎ⁵³は０〜４の整数を表す。）

（一般式（６）中、Ｍ⁶は金属イオンを表す。Ｌ⁶¹、Ｌ⁶²、Ｌ⁶³、Ｌ⁶⁴、Ｌ⁶⁵、Ｌ⁶⁶およびＬ⁶⁷はそれぞれ独立にＭ⁶に配位する配位基を表す。Ｙ⁶¹、Ｙ⁶²およびＹ⁶³はそれぞれ独立に単結合または連結基を表す。ｎ⁶¹は０または１を表す。ｎ⁶²は０〜４の整数を表す。）

（一般式（７）中、Ｍ⁷は金属イオンを表す。Ｌ⁷¹、Ｌ⁷²、Ｌ⁷³、Ｌ⁷⁴、Ｌ⁷⁵、Ｌ⁷⁶およびＬ⁷⁷はそれぞれ独立にＭ⁷に配位する配位基を表す。Ｙ⁷¹、Ｙ⁷²およびＹ⁷³はそれぞれ独立に単結合または連結基を表す。ｎ⁷¹、ｎ⁷²はそれぞれ独立に０または１を表すが、ｎ⁷¹とｎ⁷²の少なくともいずれか一方は１を表す。ｎ⁷³は０〜４の整数を表す。）

次に、一般式（１）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｍ¹で表される金属イオンは、前述の本発明の錯体の金属イオンと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｌ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴、Ｌ¹⁵、Ｌ¹⁶およびＬ¹⁷で表される配位基は、前述の本発明の錯体の配位基と同義である。Ｌ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴、Ｌ¹⁵、Ｌ¹⁶、Ｌ¹⁷は可能な場合には、それぞれ他のＬ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴、Ｌ¹⁵、Ｌ¹⁶、Ｌ¹⁷やＹ¹¹、Ｙ¹²、Ｙ¹³、Ｙ¹⁴、Ｙ¹⁵と相互に連結してもよい。

Ｙ¹¹、Ｙ¹²、Ｙ¹³、Ｙ¹⁴およびＹ¹⁵で表される連結基としては特に限定されないが、例えばアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロ環連結基、酸素原子連結基、硫黄原子連結基、ケイ素原子連結基、イミノ連結基、カルボニル連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。

Ｙ¹¹、Ｙ¹²、Ｙ¹³、Ｙ¹⁴、Ｙ¹⁵として好ましくは単結合、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロ環連結基、イミノ連結基、酸素原子連結基、硫黄原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基であり、更に好ましくは単結合、アルキレン基、含窒素芳香族ヘテロ環連結基、イミノ連結基、酸素原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基である。
Ｙ¹¹、Ｙ¹²、Ｙ¹³、Ｙ¹⁴、Ｙ¹⁵で表される連結基の具体例を以下に示す。

ｎ¹¹は０または１を表し、好ましくは１である。ｎ¹²は０〜４の整数を表し、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎ¹²が２〜４の整数の場合、複数のＬ¹⁷は同一または互いに異なっても良い。また複数のＬ¹⁷同士が連結して二座以上の多座配位子となっていてもよい。

一般式（１）で表される化合物のうち、好ましくは下記一般式（１−Ａ）で表される化合物であり、より好ましくは下記一般式（１−Ｂ）で表される化合物である。

一般式（１−Ａ）中、Ｍ¹、Ｌ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴、Ｌ¹⁵、Ｌ¹⁶、Ｙ¹¹、Ｙ¹²、Ｙ¹³、Ｙ¹⁴、Ｙ¹⁵は、それぞれ一般式（１）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（１−Ｂ）中、Ｍ¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁵、Ｌ¹⁶、Ｙ¹¹、Ｙ¹²、Ｙ¹³、Ｙ¹⁴、Ｙ¹⁵は、それぞれ一般式（１）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

次に、一般式（３）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｍ³で表される金属イオンは、前述の本発明の錯体の金属イオンと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｌ³¹、Ｌ³²、Ｌ³³、Ｌ³⁴、Ｌ³⁵、Ｌ³⁶およびＬ³⁷で表される配位基は、前述の本発明の錯体の配位基と同義である。Ｌ³¹、Ｌ³²、Ｌ³³、Ｌ³⁴、Ｌ³⁵、Ｌ³⁶、Ｌ³⁷は可能な場合には、それぞれ他のＬ³¹、Ｌ³²、Ｌ³³、Ｌ³⁴、Ｌ³⁵、Ｌ³⁶、Ｌ³⁷やＹ³¹、Ｙ³²、Ｙ³³、Ｙ³⁴、Ｙ³⁵と相互に連結してもよい。

Ｙ³¹、Ｙ³²、Ｙ³³、Ｙ³⁴およびＹ³⁵で表される連結基としては特に限定されないが、例えば一般式（１）におけるＹ¹¹〜Ｙ¹⁵で挙げたものが適用できる。
ｎ³¹は０または１を表し、好ましくは１である。ｎ³²は０〜４の整数を表し、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎ³²が２〜４の整数の場合、複数のＬ³⁷は同一または互いに異なっても良い。また複数のＬ³⁷同士が連結して二座以上の多座配位子となっていてもよい。

一般式（３）で表される化合物のうち、好ましくは下記一般式（３−Ａ）で表される化合物である。
本発明においては、下記一般式（３−Ａ）で表される５座以上の配位子を有する金属錯体の少なくとも１種を有機層に含有する。

（一般式（３−Ａ）中、Ｍ³、Ｌ³¹、Ｌ³²、Ｌ³³、Ｌ³⁴、Ｌ³⁵、Ｌ³⁶、Ｙ³¹、Ｙ³²、Ｙ³³、Ｙ³⁴、Ｙ³⁵は、それぞれ一般式（３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（３−Ａ）中、Ｍ³で表される金属イオンはイリジウムイオンを表し、Ｌ³¹ 、Ｌ ³³ 、Ｌ ³⁵ はそれぞれ独立にピリジン配位子を表し、Ｌ ³² 、Ｌ ³⁴ 、Ｌ ³⁶ はそれぞれ独立にベンゼン配位子からなる基を表し、Ｙ³¹は、アルキレン基及び酸素原子連結基の組み合わせからなる連結基を表し、Ｙ³²、Ｙ³³、Ｙ³⁴、Ｙ³⁵は単結合を表す。）

次に、一般式（４）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｍ⁴で表される金属イオンは、前述の本発明の錯体の金属イオンと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｌ⁴¹、Ｌ⁴²、Ｌ⁴³、Ｌ⁴⁴、Ｌ⁴⁵、Ｌ⁴⁶およびＬ⁴⁷で表される配位基は、前述の本発明の錯体の配位基と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｌ⁴¹、Ｌ⁴²、Ｌ⁴³、Ｌ⁴⁴、Ｌ⁴⁵、Ｌ⁴⁶およびＬ⁴⁷は可能な場合には、それぞれ他のＬ⁴¹、Ｌ⁴²、Ｌ⁴³、Ｌ⁴⁴、Ｌ⁴⁵、Ｌ⁴⁶およびＬ⁴⁷やＹ⁴¹、Ｙ⁴²、Ｙ⁴³と相互に連結してもよい。
ｎ⁴¹、ｎ⁴²はそれぞれ独立に０または１を表すが、ｎ⁴¹とｎ⁴²の少なくともいずれか一方は１を表す。ｎ⁴¹として好ましくは１であり、ｎ⁴²として好ましくは１である。ｎ⁴³は０〜４の整数を表し、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎ⁴³が２〜４の整数の場合、複数のＬ⁴⁷は同一または互いに異なっても良い。また複数のＬ⁴⁷同士が連結して二座以上の多座配位子となっていてもよい。

次に、一般式（５）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｍ⁵で表される金属イオンは、前述の本発明の錯体の金属イオンと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｌ⁵¹、Ｌ⁵²、Ｌ⁵³、Ｌ⁵⁴、Ｌ⁵⁵、Ｌ⁵⁶およびＬ⁵⁷で表される配位基は、前述の本発明の錯体の配位基と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｌ⁵¹、Ｌ⁵²、Ｌ⁵³、Ｌ⁵⁴、Ｌ⁵⁵、Ｌ⁵⁶およびＬ⁵⁷は可能な場合には、それぞれ他のＬ⁵¹、Ｌ⁵²、Ｌ⁵³、Ｌ⁵⁴、Ｌ⁵⁵、Ｌ⁵⁶およびＬ⁵⁷やＹ⁵¹、Ｙ⁵²、Ｙ⁵³と相互に連結してもよい。
ｎ⁵¹、ｎ⁵²はそれぞれ独立に０または１を表すが、ｎ⁵¹とｎ⁵²の少なくともいずれか一方は１を表す。ｎ⁵¹として好ましくは１であり、ｎ⁵²として好ましくは１である。ｎ⁵³は０〜４の整数を表し、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎ⁵³が２〜４の整数の場合、複数のＬ⁵⁷は同一または互いに異なっても良い。また複数のＬ⁵⁷同士が連結して二座以上の多座配位子となっていてもよい。

次に、一般式（６）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｍ⁶で表される金属イオンは、前述の本発明の錯体の金属イオンと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｌ⁶¹、Ｌ⁶²、Ｌ⁶³、Ｌ⁶⁴、Ｌ⁶⁵、Ｌ⁶⁶およびＬ⁶⁷で表される配位基は、前述の本発明の錯体の配位基と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｌ⁶¹、Ｌ⁶²、Ｌ⁶³、Ｌ⁶⁴、Ｌ⁶⁵、Ｌ⁶⁶およびＬ⁶⁷は可能な場合には、それぞれ他のＬ⁶¹、Ｌ⁶²、Ｌ⁶³、Ｌ⁶⁴、Ｌ⁶⁵、Ｌ⁶⁶およびＬ⁶⁷やＹ⁶¹、Ｙ⁶²、Ｙ⁶³と相互に連結してもよい。
ｎ⁶¹は０または１を表し、ｎ⁶¹として好ましくは１である。ｎ⁶²は０〜４の整数を表し、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎ⁶²が２〜４の整数の場合、複数のＬ⁶⁷は同一または互いに異なっても良い。また複数のＬ⁶⁷同士が連結して二座以上の多座配位子となっていてもよい。

次に、一般式（７）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｍ⁷で表される金属イオンは、前述の本発明の錯体の金属イオンと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｌ⁷¹、Ｌ⁷²、Ｌ⁷³、Ｌ⁷⁴、Ｌ⁷⁵、Ｌ⁷⁶およびＬ⁷⁷で表される配位基は、前述の本発明の錯体の配位基と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｌ⁷¹、Ｌ⁷²、Ｌ⁷³、Ｌ⁷⁴、Ｌ⁷⁵、Ｌ⁷⁶およびＬ⁷⁷は可能な場合には、それぞれ他のＬ⁷¹、Ｌ⁷²、Ｌ⁷³、Ｌ⁷⁴、Ｌ⁷⁵、Ｌ⁷⁶およびＬ⁷⁷やＹ⁷¹、Ｙ⁷²、Ｙ⁷³と相互に連結してもよい。
ｎ⁷¹、ｎ⁷²はそれぞれ独立に０または１を表すが、ｎ⁷¹とｎ⁷²の少なくともいずれか一方は１を表す。ｎ⁷¹として好ましくは１であり、ｎ⁷²として好ましくは１である。ｎ⁷³は０〜４の整数を表し、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎ⁷³が２〜４の整数の場合、複数のＬ⁷⁷は同一または互いに異なっても良い。また複数のＬ⁷⁷同士が連結して二座以上の多座配位子となっていてもよい。

次に、一般式（２）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｍ²で表される金属イオンは、前述の本発明の錯体の金属イオンと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｌ²¹、Ｌ²²、Ｌ²³、Ｌ²⁴、Ｌ²⁵、Ｌ²⁶およびＬ²⁷で表される配位基は、前述の本発明の錯体の配位基と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｌ²¹、Ｌ²²、Ｌ²³、Ｌ²⁴、Ｌ²⁵、Ｌ²⁶、Ｌ²⁷は可能な場合には、それぞれ他のＬ²¹、Ｌ²²、Ｌ²³、Ｌ²⁴、Ｌ²⁵、Ｌ²⁶、Ｌ²⁷やＹ²¹、Ｙ²²、Ｙ²³、Ｙ²⁴と相互に連結してもよい。

Ｙ²¹、Ｙ²²、Ｙ²³およびＹ²⁴で表される連結基としては特に限定されないが、例えば一般式（１）におけるＹ¹¹〜Ｙ¹⁵で挙げたものが適用できる。
ｎ²¹は０または１を表し、好ましくは１である。ｎ²²は０〜４の整数を表し、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎ²²が２〜４の整数の場合、複数のＬ²⁷は同一または互いに異なっても良い。また複数のＬ²⁷同士が連結して二座以上の多座配位子となっていてもよい。

一般式（２）で表される化合物のうち、好ましくは下記一般式（２−Ａ）で表される化合物である。

一般式（２−Ａ）中、Ｍ²、Ｌ²¹、Ｌ²²、Ｌ²³、Ｌ²⁴、Ｌ²⁵、Ｌ²⁶、Ｙ²¹、Ｙ²²、Ｙ²³、Ｙ²⁴は、それぞれ一般式（２）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（２−Ａ）で表される化合物のうち、好ましくは下記一般式（２−１）〜一般式（２−１３）で表される化合物である。

（一般式（２−１）〜一般式（２−１３）中、Ｍ²は金属イオンを表す。Ｙ²¹、Ｙ²³およびＹ²⁴は、それぞれ独立に単結合または連結基を表す。Ｌ²³、Ｌ²⁴、Ｌ²⁵およびＬ²⁶はそれぞれ独立にＭ²に配位する配位基を表す。Ａは、ＣＲ^A、ＮまたはＰを表し、Ｒ^Aは水素原子または置換基を表す。ＺはＮまたはＰを表す。ＸはＯ、Ｓ、ＮＲ^N1を表し、Ｒ^N1は水素原子または置換基を表す。ｎ^xは０または１を表す。ＱはＯ、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ^N2、ＣＲ^C1Ｒ^C2を表し、Ｒ^N2は、置換基を表す。Ｒ^C1、Ｒ^C2はそれぞれ独立に置換基を表す。ＧはＯまたはＳを表す。）

次に、一般式（２−１）〜（２−１３）について詳細に説明する。
Ｍ²、Ｙ²¹、Ｙ²³、Ｙ²⁴、Ｌ²³、Ｌ²⁴、Ｌ²⁵およびＬ²⁶は一般式（２）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ａは、ＣＲ^A、ＮまたはＰを表す。Ｒ^Aは水素原子または置換基を表し、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、フッ素原子、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基である。Ａとして好ましくはＣＲ^A、Ｎであり、さらに好ましくはＣＲ^Aである。
ＺはＮまたはＰを表し、好ましくはＮである。
ＸはＯ、Ｓ、ＮＲ^N1を表す。Ｒ^N1は水素原子または置換基を表す。Ｒ^N1で表される置換基としては、下記置換基群Ｂとして挙げたものが適用できる。
＜置換基群Ｂ＞アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、

アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、

アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、

スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、

ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）

Ｒ^N1で表される置換基として好ましくはアルキル基、スルホニル基である。Ｘとして好ましくは酸素原子、硫黄原子である。
ｎ^xは０または１を表す。Ｍ²が白金イオン、金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオンを表す場合、ｎ^xは好ましくは０であり、Ｍ²がアルミニウムイオン、ガリウムイオンを表す場合、ｎ^xは好ましくは１である。
ＧはＯまたはＳを表す。Ｇとして好ましくはＯである。
ＱはＯ、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ^N2、ＣＲ^C1Ｒ^C2を表す。Ｒ^N2としては、前記置換基群Ｂとして挙げたものが適用できる。Ｒ^N2で表される置換基として好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基である。Ｒ^C1、Ｒ^C2としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ｒ^C1、Ｒ^C2として好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基である。Ｑとして好ましくはＯ、Ｓ、ＮＲ^N2、ＣＲ^C1Ｒ^C2であり、より好ましくはＯ、Ｓ、ＮＲ^N2であり、さらに好ましくはＮＲ^N2である。

本発明の錯体は５座以上の配位子を有するが、中でも、５座〜１０座の配位子を有することが好ましく、５座〜８座がより好ましく、さらに好ましくは５座又は６座であり、６座が特に好ましい。上記５座〜１０座の範囲で配位子を有する錯体とすることにより、錯安定度が高くなり、それによって駆動耐久性や経時保存性が良化する。また、リン光量子収率が高くなり、その結果発光効率も高くなる。更に、５座以上の配位子を有する錯体はリン光寿命が短くなる傾向があり、これにより高電流駆動時の輝度、効率が高くなる。また、リン光寿命が短くなることにより、不安定な励起子状態になっている時間が短くなるため、耐久性も向上する。

本発明の錯体は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、錯体部分がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の錯体は低分子化合物が好ましい。

次に本発明の錯体の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。

本発明の錯体は、「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，５００８，（１９５２）」に記載の方法等、また後述の合成手法等を用いることにより合成することができる。
例えば、配位子、またはその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、又は溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。

本発明の錯体を合成する際の反応時間は反応の活性により異なり、特に限定されないが、１分以上５日以下が好ましく、５分以上３日以下がより好ましく、１０分以上１日以下がさらに好ましい。

本発明の錯体を合成する際の反応温度は反応の活性により異なり、特に限定されないが、０℃以上３００℃以下が好ましく、５℃以上２５０℃以下がより好ましく、１０℃以上２００℃以下がさらに好ましい。

本発明の錯体は、目的とする錯体の部分構造を形成している配位子を金属化合物に対し、好ましくは０．１当量〜２０当量、より好ましくは０．３当量〜１０当量、さらに好ましくは０．５当量〜６当量加えて合成することができる。前記の金属化合物としては、金属ハロゲン化物（例えば、塩化白金等）、金属アセテート（例えば、酢酸パラジウム等）、金属アセチルアセトナート（例えば、ユーロピウムアセチルアセトナート等）、又はそれらの水和物などがあげられる。

次に、本発明の錯体の代表的な合成法について６座配位子の合成を例に説明する。

前記６座配位子（上記スキームにおける化合物１４−１７）は、異なる３座配位子を連結することにより合成できる。
例えば、ベンゼン環上に、連結部位を有する１，３−ビス−（２−ピリジル）ベンゼン誘導体（３）は、１，３−ジブロモベンゼン誘導体（１）と２−（トリアルキルスタニル）ピリジンを出発原料として、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を行い、メチル基を脱保護する（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，７４１，１１，（１９４６）に記載の方法、ピリジン塩酸塩中で加熱する等の方法を用いる）ことにより合成できる。

ピリジン環上に連結部位を有する１，３−ビス（２−ピリジル）ベンゼン誘導体（８）は、３−ヒドロキシフェニルホウ酸を出発原料にして、２−ブロモピリジンと鈴木カップリング反応を行った後、塩基存在下、無水トリフルオロメタンスルホン酸と反応させ、水酸基をトリフラート（６）へ変換、ビスピナコールボランとカップリング反応（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６０，７５０８（１９９５）に記載の方法）を行い、３−（２−ピリジル）フェニルホウ酸誘導体（７）を得た後、さらに２−ブロモ−３−ヒドロキシピリジンと鈴木カップリング反応を行うことにより、合成できる。

ベンゼン環上に連結部位を有する２，６−ビフェニルピリジン誘導体（１１）は、２−フェニルピリジン（９）をジメチルアミノエタノール／ｎ−ブチルリチウムを用いて、ピリジン環上のα位をリチオ化し、４臭化炭素と反応させ、２−ブロモ−６−フェニルピリジン（１０）とした後、４−ヒドロキシフェニルホウ酸と鈴木カップリング反応を行うことによって合成できる。

置換基の種類、数、及び置換基の置換位置の異なる３座配位子は、上記の方法を用いることにより合成することができる。
６座配位子（１４）は、３座配位子（１１）とハロアルコール類（例えば、８−ブロモオクタノールなど）を塩基（炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、ピリジン、トリエチルアミン等）存在下で、反応させ、化合物（１２）とした後、水酸基を３臭化燐で、ブロモ化、３座配位子（３）とカップリング反応（塩基存在下でのエーテル結合導入反応）を行うことにより合成できる。

同様の方法で、対応した３座配位子を出発原料に用いることにより、３座配位子を２箇所で連結した６座配位子（１５〜１７）も合成することができる。

［発光素子］
次に、本発明の錯体を含有する発光素子に関して説明する。
本発明の発光素子は、陽極、陰極の一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等の有機化合物層や、保護層等を有していてもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。前記有機化合物層の少なくとも一層は、前記本発明の錯体を含有する。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
該本発明の錯体は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

本発明の発光素子は、前記本発明の金属錯体を電荷輸送材料として用いることが好ましく、正孔注入層及び／又は正孔輸送層に含有する態様が好ましい。
正孔注入層及び／又は正孔輸送層に含有させることにより、駆動電圧低下、耐久性向上、
発光効率向上などの効果が発現し易くなる傾向となる。
また、電子注入層及び／又は電子輸送層に含有する態様も好ましい態様である。
電子注入層及び／又は電子輸送層に含有させることにより、駆動電圧低下、耐久性向上、発光効率向上などの効果が発現し易くなる傾向となる。

本発明の発光素子は、本発明の錯体を利用する素子である点以外は通常の発光システム、駆動方法、利用形態などを用いることができる。
前記本発明の錯体を発光材料または正孔注入材料・正孔輸送材料または電子注入材料・電子輸送材料として用いる態様が好ましい。発光材料として用いる場合は、発光波長は特に限定はなく、紫外発光であっても赤外発光であっても良く、また蛍光発光であってもりん光発光であっても良い。

本発明の発光素子は、種々の公知の手法により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。

本発明の発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、１０％以上がより好ましく、１３％以上がさらに好ましい。
外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、２０℃で素子を駆動した時の１００〜３００ｃｄ／ｍ²付近（好ましくは２００〜３００ｃｄ／ｍ²）での外部量子効率の値を用いることができる。
本発明における外部量子効率の数値は、２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値をその値とした。
本発明においては、東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定し、２００ｃｄ／ｍ²における外部量子効率が算出できる。
具体的には、素子の外部量子効率は、発光輝度、発光スペクトル、電流密度を測定し、その結果と比視感度曲線から算出する。すなわち、電流密度値を用い、入力した電子数を算出することができる。そして、発光スペクトルと比視感度曲線（スペクトル）を用いた積分計算により、発光輝度を発光したフォトン数に換算した。これらから外部量子効率（％）は、「（発光したフォトン数／素子に入力した電子数）×１００」で計算する。

該発光スペクトルは、浜松ホトニクス社製のマルチ・チャンネル・アナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定することができる。
本発明の発光素子の発光スペクトルの発光極大波長は、４５０ｎｍより短波であることが高色純度の青色りん光発光素子を得る観点から好ましく、４１０ｎｍ〜４５０ｎｍがより好ましい。

また、本発明の発光素子の内部量子効率としては、３０％以上が好ましく、５０％以上がさらに好ましく、７０％以上がさらに好ましい。素子の内部量子効率は「内部量子効率＝外部量子効率／光取り出し効率」で算出される。
通常の有機ＥＬ素子では光取り出し効率は約２０％であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を２０％以上にすることが可能で有る。

本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式（特開２００３−２０８１０９号公報，２００３−２４８４４１号公報，２００３−２５７６５１号公報，２００３−２８２２６１号公報などに記載）であっても良い。

また、本発明の発光素子の駆動耐久性は、例えば、東洋テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型等を用いて、直流電圧を有機ＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８を用いて測定して、該初期輝度が半減するまでの時間（輝度半減時間）を測定することにより評価することができる。

本発明の有機電界発光素子は、青色蛍光発光化合物を含有しても良いし、また、青色蛍光化合物を含有する青色発光素子と該青色発光素子以外の発光素子を同時に用いて、マルチカラー発光デバイス、フルカラー発光デバイスを作製しても良い。

本発明の発光素子は、ホスト材料を用いることができるが、該ホスト材料は発光層に含有することが好ましい。
ホスト材料としては、本発明の錯体の他、アリールアミン誘導体（トリフェニルアミン誘導体、ベンジジン誘導体など）、芳香族炭化水素化合物（トリフェニルベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、フェナンスレン誘導体、ナフタレン誘導体、テトラフェニレン誘導体など）、芳香族含窒素ヘテロ環化合物（ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピラゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピロール誘導体など）、本発明の錯体以外の金属錯体（亜鉛錯体、アルミニウム錯体、ガリウム錯体など）が挙げられる。

本発明の発光素子は、陰極と発光層の間にイオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上（より好ましくは６．０ｅＶ以上）の化合物を含有する層を用いるのが好ましく、イオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上の電子輸送層を用いるのがより好ましい。

本発明の化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スプレーコート法、ディップコート法、含浸法、ロールコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ロールブラッシュ法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、スピンコート法、フローコート法、バーコート法、マイクログラビアコート法、エアードクターコート、ブレードコート法、スクイズコート法、トランスファーロールコート法、キスコート法、キャストコート法、エクストルージョンコート法、ワイヤーバーコート法、スクリ
ーンコート法等）、インクジェット法、印刷法、転写法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法が好ましい。上記のいずれかの形成方法によって基板上に本発明の錯体を含有する有機化合物層を形成するが、その厚さは特に制限するものではない。好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ〜５μｍである。

＜基材＞
本発明の発光素子で用いられる基材は、特に限定されないが、ジルコニア安定化イットリウム、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、テフロン（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子量材料であっても良い。

＜陽極＞
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。
陽極材料の具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ
（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。

陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。

＜陰極＞
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウムの積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法、転写法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。

＜有機化合物層＞
本発明の発光素子の有機化合物層は、前記５座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも含有するが、一層中に含有しても、また複数層に含有してもよい。
該有機化合物層中の該金属錯体の含有量としては、特に限定されるものではないが、駆動電圧低下、耐久性向上、発光効率向上の観点から、全固形分質量に対して、１〜１００質量％であることが好ましく、１０〜７０質量％がより好ましく、２０〜５０質量％が特に好ましい。

（発光層）
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよく、本発明における５座以上の配位子を有する金属錯体のほか、その他の化合物として、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノールの金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体、及び、白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、及び、それらの誘導体等が挙げられる。

発光層は、前記５座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも１種と、他の発光性化合物を含有することが耐久性向上、発光効率の点で好ましい。該他の発光性化合物としては、前記その他の化合物、及び公知の発光性化合物を必要に応じて選択することができる。

該公知の発光性化合物としては、蛍光発光性化合物、りん光発光性化合物、前記ホスト材料等が挙げられ、発光効率の点から、りん光発光性化合物であることが好ましい。

前記りん光発光化合物としては、特に限定されないが、遷移金属錯体が好ましく、イリジウム錯体、白金錯体、レニウム錯体、ルテニウム錯体、パラジウム錯体、ロジウム錯体、又は希土類錯体がより好ましく、イリジウム錯体、白金錯体がさらに好ましい。
また、特開２００２−２３５０７６、特開２００２−１７０６８４、特開２００３−１２３９８２、特開２００３−１３３０７４、ＵＳ６３０３２３８ Ｂ１、ＵＳ６０９７１４７、ＷＯ ００／５７６７６、ＷＯ ００／７０６５５、ＷＯ ０１／０８２３０、ＷＯ ０１／３９２３４ Ａ２、ＷＯ ０１／４１５１２ Ａ１、ＷＯ ０２／０２７１４ Ａ２、ＷＯ ０２／１５６４５ Ａ１、ＷＯ ０２／４４１８９ Ａ１、特開２００１−２４７８５９、特願２０００−３３５６１、特開２００２−１１７９７８、ＥＰ １２１１２５７、特開２００２−２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９、特願２００３−１５７０６６等の特許文献に記載のりん光発光化合物も好適に用いることができる。
前記５座以上の配位子を有する金属錯体をホスト材料として用いる発光素子である場合には、前記本発明の金属錯体の最低励起三重項エネルギー準位（Ｔ 1 準位）は、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ）以上、９５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３９８．０５Ｊ／ｍｏｌ）以下が好ましく、より好ましくは６７ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２８０．７３ｋＪ／ｍｏｌ）以上、９５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３９８．０５Ｊ／ｍｏｌ）以下であり、さらに好ましくは６９ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２８９．１１ｋＪ／ｍｏｌ）以上、９５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３９８．０５Ｊ／ｍｏｌ）以下であり、特に好ましくは７１ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２９７．４９ｋＪ／ｍｏｌ）以上、９５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３９８．０５Ｊ／ｍｏｌ）以下である。上記範囲とすることは、特に高発光効率、高輝度のりん光発光素子を得る観点から好ましく、さらに高色純度の青色りん光発光素子を得る観点から好ましい。

蛍光発光性化合物としては、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物（アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、ペンタセンなど）、８−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、およびこれらの誘導体などが挙げられる。

発光層における前記ホスト材料としては、一種であってもよいが、二種以上含有することが好ましい。
該ホスト材料が錯体であることが好ましく、該錯体としては、本発明の錯体の他、金属に配位する少なくとも１つの窒素原子または酸素原子または硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体が好ましい。金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオンである。
前記本発明の金属錯体がホスト材料であり、該金属錯体を発光層に含有する発光素子の場合は、素子の発光効率、耐久性の観点から、発光材料は四座配位子の白金錯体であることが好ましい。該四座配位子の白金錯体としては、国際公開第０４／１０８８５７号パンフレットに記載の白金錯体が挙げられる。

該金属錯体中に含まれる配位子としては種々の公知の配位子が有るが、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」 Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社 Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著 １９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」 裳華房社 山本明夫著 １９８２年発行 等に記載の配位子が挙げられる。
前記配位子として、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数３〜１５であり、単座配位子であっても２座以上の配位子であっても良い。好ましくは２座配位子である。例えばピリジン配位子、ビピリジル配位子、キノリノール配位子、ヒドロキシフェニルアゾール配位子（ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子）などが挙げられる）、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ、４−ビフェニルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アル
キルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、シロキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数３〜２５、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる）であり、より好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、シロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子が挙げられる。
このような金属錯体としては、具体的には、例えば以下の材料を挙げることができる。

上記のほか、特開２００２−３０５０８３号公報記載の例示化合物（Ｈ２〜Ｈ３４）、特開２００４−２２１０６２号公報記載の例示化合物（１−１）〜（１−６７）、特開２００４−２２１０６８号公報記載の例示化合物（Ｈ−１）〜（Ｈ−５１）に記載の金属錯体も好適に用いることができる。

発光層中の前記５座以上の配位子を有する金属錯体の含有量としては、発光効率、耐久性の観点から、全固形分質量に対して、０．０１〜５０質量％であることが好ましく、０．１〜２０質量％がより好ましく、１〜１０質量％が特に好ましい。
発光層中のホスト材料の含有量は、駆動電圧、発光効率、耐久性 の観点から、全固形分質量に対して、１０〜８０質量％であることが好ましく、２０〜７０質量％がより好ましく、３０〜６０質量％が特に好ましい。

発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。

発光層は単一化合物で形成されても良いし、複数の化合物で形成されても良い。また、発光層は一つであっても複数であっても良く、それぞれの層が異なる発光色で発光して、例えば、白色を発光しても良い。単一の発光層から白色を発光しても良い。発光層が複数の場合は、それぞれの発光層は単一材料で形成されていても良いし、複数の化合物で形成されていても良い。

（正孔注入層、正孔輸送層）
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、本発明の錯体の他、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン（膜）、本発明の一般式（１）で表される金属錯体、及び、それらの誘導体等が挙げられる。正孔注入層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５ｎｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは１ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは１ｎｍ〜１０ｎｍである。正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
正孔注入層及び／又は正孔輸送層中の前記５座以上の配位子を有する金属錯体の含有量としては、駆動電圧、耐久性、発光効率の観点から、全固形分質量に対して、１０〜８０質量％であることが好ましく、２０〜６０質量％がより好ましく、３０〜５０質量％が特に好ましい。

（電子注入層、電子輸送層）
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、本発明の錯体の他、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
電子注入層及び／又は電子輸送層中の前記５座以上の配位子を有する金属錯体の含有量としては、駆動電圧、耐久性、発光効率の観点から、全固形分質量に対して、１０〜８０質量％であることが好ましく、２０〜６０質量％がより好ましく、３０〜５０質量％が特に好ましい。

＜保護層＞
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、ＣａＦ₂等の金属フッ化物、ＳｉＮ_x、ＳｉＯ_xＮ_yなどの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。

以下、本発明について実施例を用いて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

［比較例１］
基材として厚みが０．７ｍｍガラス板を２．５ｃｍ角に切断し、真空チャンバ−内に導入し、ＳｎＯ₂含有率が１０重量％であるＩＴＯタ−ゲットを用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ（条件：基材温度１００℃、酸素圧１×１０^-3Ｐａ）により、透明電極としてのＩＴＯ薄膜（厚み０．２μｍ）を形成した。ＩＴＯ薄膜の表面抵抗は１０Ω／□であった。

次に、前記透明電極を形成した基板を洗浄容器に入れ、ＩＰＡ洗浄した後、これにＵＶ−オゾン処理を３０分行った。そして、該透明電極の表面に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルホン酸水分散物（ＢＡＹＥＲ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ：固形分１．３％）をスピンコートした後、１５０℃、２時間真空乾燥して厚みが１００ｎｍの正孔注入層を形成した。

次に正孔輸送材料兼ホスト材料としてのポリビニルカルバゾ−ル（Ｍｗ＝６３０００、アルドリッチ製）とＩｒ（ｐｐｙ）₃を４０：１の重量比でジクロロエタンに溶解して塗布液を調製した。

この塗布液を真空ラインにより、脱酸素ガス処理を行った。脱酸素処理後は、窒素ガスで真空ライン全体を置換し保存した。
この脱酸素ガス処理をした塗布液をスピンコーターを用いて前記正孔注入層の上に塗布し、室温で乾燥させることにより厚みが５０ｎｍの発光層を形成した。

この発光層の上に、Ｂａｌｑ₂を０．５ｎｍ／秒の速度で１０ｎｍ蒸着し、さらにこの上にＡｌｑ₃化合物を０．５ｎｍ／秒の速度で３０ｎｍ蒸着した。

さらにこの発光層上にパターニングしたマスク（発光面積が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウムを０．１ｎｍ／秒の速度で１ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを１．２ｎｍ／秒の速度で４００ｎｍ蒸着して背面電極を形成した。
前記透明電極（陽極として機能する）及び前記背面電極より、それぞれアルミニウムのリ−ド線を結線し、積層構造体を形成した。

ここで得られた積層構造体を、窒素ガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止容器で紫外線硬化型接着剤（長瀬チバ製、ＸＮＲ５４９３）を用いて封止した。
以上により、比較例１の有機電界発光素子を作製した。

該発光素子を用いて、以下の方法で評価した。
東洋テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流電圧を有機ＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。緑色の発光（５１９ｎｍ）が観測され、１０００ｃｄ／ｍ²時の外部量子効率（η₁₀₀₀）は６％であった。また初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ²となるまでの時間（輝度半減時間）を測定した結果、約６０時間であった。

［比較例２］
比較例１における発光層中のＩｒ（ｐｐｙ）₃を下記錯体Ｒ−１（三座配位子＋三座配位子）に変更した以外は比較例１と同様にして発光素子を作製し、比較例１と同じ方法で評価した。緑色の発光が観測され、１０００ｃｄ／ｍ²時の外部量子効率（η₁₀₀₀）は６％であった。また初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ²となるまでの時間（輝度半減時間）を測定した結果、約８０時間であった。

［実施例１］
比較例１における発光層中のＩｒ（ｐｐｙ）₃を本発明の錯体Ｋ−９に変更した以外は、比較例１と同様にして実施例１の発光素子を作製し、比較例１と同じ方法で評価した。
緑色の発光（５２６ｎｍ）が観測され、１０００ｃｄ／ｍ²時の外部量子効率（η₁₀₀₀）は１２％であった。また初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ²となるまでの時間（輝度半減時間）を測定した結果、約１８０時間であった。

［参考例２］
比較例１における発光層中のＩｒ（ｐｐｙ）₃ を錯体Ｋ−１９に変更した以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製し、比較例１と同じ方法で評価した。
青色の発光が観測され、１０００ｃｄ／ｍ²時の外部量子効率（η₁₀₀₀）は７％であった。また初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ²となるまでの時間（輝度半減時間）を測定した結果、約１７０時間であった。

［参考例３］
比較例１における発光層中のＩｒ（ｐｐｙ）₃を本発明の錯体Ｋ−４３に変更した以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製し、比較例１と同じ方法で評価した。
青色の発光が観測され、１０００ｃｄ／ｍ²時の外部量子効率（η₁₀₀₀）は５％であった。また初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ²となるまでの時間（輝度半減時間）を測定した結果、約２００時間であった。

［参考例４］
比較例１における発光層中のＩｒ（ｐｐｙ）₃を本発明の錯体Ｋ−５５に変更した以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製し、比較例１と同じ方法で評価した。
青色の発光が観測され、１０００ｃｄ／ｍ²時の外部量子効率（η₁₀₀₀）は６％であった。また初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ²となるまでの時間（輝度半減時間）を測定した結果、約２１０時間であった。

［参考例５］
比較例１における発光層中のＩｒ（ｐｐｙ）₃を本発明の錯体Ｋ−３３１に変更した以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製し、比較例１と同じ方法で評価した。
緑色の発光が観測され、１０００ｃｄ／ｍ²時の外部量子効率（η₁₀₀₀）は１０％であった。また初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ²となるまでの時間（輝度半減時間）を測定した結果、約１６０時間であった。

［参考例６］
比較例１における発光層中のＩｒ（ｐｐｙ）₃を本発明の錯体Ｋ−３６６に変更した以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製し、比較例１と同じ方法で評価した。
青色の発光が観測され、１０００ｃｄ／ｍ²時の外部量子効率（η₁₀₀₀）は１１％であった。また初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ²となるまでの時間（輝度半減時間）を測定した結果、約１８０時間であった。

比較例１（二座配位子）および比較例２（三座配位子＋三座配位子）に対して、実施例１、参考例２〜参考例６（５座以上の配位子）の発光素子は、発光効率および駆動耐久性の点で優れていることがわかる。

［比較例３］
比較例１と同様に洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ＮＰＤを５０ｎｍ蒸着し、この上にＣＢＰ及びＩｒ（ｐｐｙ）₃を１０：１の質量比で４０ｎｍ蒸着し、さらにこの上にＢａｌｑ₂を１０ｎｍ、さらにこの上にＡｌｑ₃を３０ｎｍ蒸着した。得られた有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなる）を設置し、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後アルミニウムを６０ｎｍ蒸着して比較例３の有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子に直流定電圧を印加したところ、緑色の発光（λｍａｘ＝５１４ｎｍ）が観測され、外部量子効率は６．４％であった。

［参考例７］
比較例３におけるＮＰＤの代わりに、本発明の錯体Ｋ−３１を用いた以外は比較例３と同様にして発光素子を作製した。比較例３と同様に評価したところ、緑色の発光（λｍａｘ＝５１４ｎｍ）が観測され、外部量子効率は８％であった。また初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ²となるまでの時間（輝度半減時間）は比較例３の素子の３倍であった。

比較例３と参考例７の比較により、錯体を正孔輸送層に用いた素子は、発光効率および駆動耐久性の点で優れていることがわかる。

［参考例８］
比較例３におけるＣＢＰの代わりに、錯体Ｋ−１２７を用いた以外は比較例３と同様にして参考例８の発光素子を作製した。比較例３と同様に評価したところ、緑色の発光（λｍａｘ＝５１１ｎｍ）が観測され、外部量子効率は１１％であった。また初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ²となるまでの時間（輝度半減時間）は比較例３の素子の２倍であった。

比較例３と参考例８の比較により、錯体をホスト材料に用いた素子は、発光効率および駆動耐久性の点で優れていることがわかる。

Claims (2)

1. 一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（３−Ａ）で表される５座以上の配位子を有する金属錯体の少なくとも１種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
   
   （一般式（３−Ａ）中、Ｍ³で表される金属イオンはイリジウムイオンを表し、Ｌ³¹ 、Ｌ ³³ 、Ｌ ³⁵ はそれぞれ独立にピリジン配位子を表し、Ｌ ³² 、Ｌ ³⁴ 、Ｌ ³⁶ はそれぞれ独立にベンゼン配位子からなる基を表し、Ｙ³¹は、アルキレン基及び酸素原子連結基の組み合わせからなる連結基を表し、Ｙ³²、Ｙ³³、Ｙ³⁴、Ｙ³⁵は単結合を表す。）
2. 前記金属錯体がりん光を発光する金属錯体であり、かつ該金属錯体を発光層に含有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。