JP5077656B2 - Pattern data processing method and system, and exposure method and apparatus - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 97
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims abstract description 63
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 13
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 42
- 241000153282 Theope Species 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 7
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000000556 factor analysis Methods 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- JLQUFIHWVLZVTJ-UHFFFAOYSA-N carbosulfan Chemical compound CCCCN(CCCC)SN(C)C(=O)OC1=CC=CC2=C1OC(C)(C)C2 JLQUFIHWVLZVTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
Description
本発明は、リソグラフィ工程で基板上に転写されるマスクパターンの処理技術に関する。さらに本発明は、所定のマスクパターンの処理技術によって作成されたマスクパターンを基板上に転写するための露光技術に関する。 The present invention relates to a technique for processing a mask pattern transferred onto a substrate in a lithography process. Furthermore, the present invention relates to an exposure technique for transferring a mask pattern created by a predetermined mask pattern processing technique onto a substrate.
例えば半導体集積回路又は液晶表示素子等のデバイス(電子デバイス、マイクロデバイス)を製造するためのリソグラフィ工程中で、レチクル又はフォトマスク等のマスクに形成されたパターンを光学系を介して基板としてのフォトレジストが塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)の各ショット領域に転写するために、ステッパ等の一括露光型の投影露光装置又はスキャニング・ステッパ(スキャナ)等の走査露光型の投影露光装置等の露光装置が使用されている。 For example, in a lithography process for manufacturing a device (electronic device, microdevice) such as a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display element, a pattern formed on a mask such as a reticle or photomask is used as a substrate via an optical system. In order to transfer to each shot area of a wafer (or glass plate, etc.) coated with a resist, a batch exposure type projection exposure apparatus such as a stepper or a scanning exposure type projection exposure apparatus such as a scanning stepper (scanner), etc. An exposure apparatus is used.
この種の露光装置において使用されるマスクパターンを作成するために、従来は、デバイスパターンに基づいてマスクパターンの初期形状を設計した後、露光装置の光学系の開口数、露光波長、及び照明光学系のコヒーレンスファクタ(σ値)よりなるパラメータを読み込み、このパラメータを用いてそのマスクパターン(初期形状)を転写したときの投影像を計算していた。そして、このように計算される投影像の形状がそのデバイスパターンと異なる場合に、そのマスクパターンの初期形状に対して所定の補正パターンを付加していた(例えば、特許文献1参照)。
従来のマスクパターンの作成方法においては、上記パラメータを用いてマスクパターンを転写したときの投影像がデバイスパターンに近づくようにマスクパターンを設計していた。しかしながら、実際の露光装置には上記パラメータの他に、もっと多くのパラメータがある。そのため、上記パラメータを用いて計算される投影像のみに基づいて、マスクパターンを設計し、このマスクパターンを用いて実際の露光装置で露光を行うと、得られるデバイスパターンと目標とする形状との間に許容範囲を超える誤差が生じやすかった。このような誤差が生じた場合には、再びマスクパターンの設計工程まで戻る必要があるため、マスクパターンの作成効率が低下するという問題があった。 In the conventional mask pattern creation method, the mask pattern is designed so that the projected image when the mask pattern is transferred using the above parameters approaches the device pattern. However, an actual exposure apparatus has many more parameters besides the above parameters. Therefore, when a mask pattern is designed based only on the projection image calculated using the above parameters, and exposure is performed with an actual exposure apparatus using this mask pattern, the resulting device pattern and the target shape An error exceeding the allowable range was likely to occur in the meantime. When such an error occurs, it is necessary to return to the mask pattern design process again, and there is a problem in that the mask pattern creation efficiency is reduced.
また、従来のマスクパターンの作成方法においては、上記パラメータの値は変化しない一定値であるものとしていた。しかしながら、こられのパラメータ中には露光装置の機種毎、あるいは露光装置の号機毎に値が変化するものがある。従って、マスクパターンの作成方法は、そのマスクパターンの露光を行う露光装置の機種または号機毎に最適化することが好ましい。 Further, in the conventional mask pattern creation method, the value of the parameter is a constant value that does not change. However, some of these parameters have different values for each type of exposure apparatus or for each number of exposure apparatus. Therefore, it is preferable to optimize the mask pattern creation method for each model or number of exposure apparatus that performs exposure of the mask pattern.
しかしながら、或る露光装置で露光対象とするマスクパターンが、必ずしもその露光装置用に最適化されたパターン形状になっていない場合があり、このような場合には、そのマスクパターンを露光することによって所望のデバイスパターンが得られるように露光装置側で何らかの対策を講じることが好ましい。
本発明はこのような問題点に鑑み、マスクパターンの作成効率を高めるとともに、必要に応じて実際にそのマスクパターンの露光を行う露光装置のパラメータを考慮したマスクパターン作成技術を提供することを目的とする。
However, there are cases where a mask pattern to be exposed in a certain exposure apparatus does not necessarily have a pattern shape optimized for the exposure apparatus. In such a case, the mask pattern is exposed by exposure. It is preferable to take some measures on the exposure apparatus side so as to obtain a desired device pattern.
SUMMARY OF THE INVENTION In view of such problems, the present invention has an object to provide a mask pattern creation technique that takes into account the parameters of an exposure apparatus that actually performs exposure of a mask pattern as necessary, while increasing the efficiency of mask pattern creation. And
また、本発明は、例えば他の露光装置のパラメータを用いて作成されたマスクパターンを用いて所望のデバイスパターンを得ることができる露光技術を提供することをも目的とする。 It is another object of the present invention to provide an exposure technique capable of obtaining a desired device pattern using a mask pattern created using parameters of another exposure apparatus, for example.
本発明によるパターンデータ処理方法は、マスクパターンの設計データを処理するパターンデータ処理方法において、その設計データに基づくマスクパターンが形成されたマスクを用いる実露光機(EX)の第1パラメータを用いて、シミュレーションによってテストパターン(45A〜45C)のその実露光機による光強度情報を求める第1工程(ステップ103)と、そのマスクパターンの像が形成される感光材料に関する第2パラメータと、その感光材料に対するその第1工程で求められたその実露光機による光強度情報とを用いて、シミュレーションによる感光材料の像の情報を取得する第2工程(ステップ104)と、その第2工程で取得されたそのシミュレーションによる感光材料の像の情報と、その実露光機を用いてそのテストパターンの像をその感光材料に形成した実際の感光材料の像の情報とに基づいて、そのシミュレーションによる感光材料の像とその実際の感光材料の像との形状誤差を求める第3工程(ステップ106)と、その第3工程で求められたその形状誤差が所定の許容範囲内に収まるように、そのシミュレーションにおけるその第1パラメータ及びその第2パラメータの少なくとも一方を変更する第4工程(ステップ108〜111)と、その形状誤差が所定の許容範囲内に収まったときのその第1パラメータ及びその第2パラメータの値を用いて、そのマスクパターンの設計を行う第5工程(ステップ121〜127)と、を有するものである。
The pattern data processing method according to the present invention is a pattern data processing method for processing mask pattern design data, using a first parameter of an actual exposure machine (EX) that uses a mask on which a mask pattern based on the design data is formed. , A first step (step 103) for obtaining light intensity information of the test pattern (45A to 45C) by the actual exposure machine by simulation, a second parameter relating to the photosensitive material on which an image of the mask pattern is formed, and the photosensitive material Using the light intensity information obtained by the actual exposure machine obtained in the first step, the second step (step 104) for obtaining information on the image of the photosensitive material by simulation, and the simulation obtained in the second step The information of the photosensitive material image by the sensor and the test using the actual exposure machine A third step (step 106) for obtaining a shape error between the image of the photosensitive material and the image of the actual photosensitive material by the simulation based on the information of the image of the actual photosensitive material formed on the photosensitive material. ) And a fourth step (
また、本発明によるパターンデータ処理システムは、マスクパターンの設計データを処理するパターンデータの処理システムにおいて、その設計データに基づくマスクパターンが形成されたマスクを用いる実露光機の第1パラメータを用いて、シミュレーションによってテストパターン(45A〜45C)のその実露光機による光強度情報を求める第1シミュレーション手段(64)と、そのマスクパターンの像が形成される感光材料に関する第2パラメータと、その第1シミュレーション手段によって求められたその実露光機による光強度情報とを用いて、シミュレーションによる感光材料の像の情報を求める第2シミュレーション手段(65)と、その第2シミュレーション手段によって求められたその感光材料の像の情報と、その実露光機を用いてそのテストパターンの像をその感光材料上に形成した実際の感光材料の像の情報とに基づいて、そのシミュレーションによる感光材料の像とその実際の感光材料の像との形状誤差を求める比較手段(68)と、その比較手段で求められたその形状誤差が所定の許容範囲内に収まるように、その第1シミュレーション手段及びその第2シミュレーション手段でそれぞれ用いるその第1パラメータ及びその第2パラメータの少なくとも一方を変更する変更手段(61)と、その比較手段によって求められたその形状誤差が所定の許容範囲内に収まったときのその第1及び第2パラメータの値を用いて、そのマスクパターンの設計を行うマスクパターン設計手段(70B)とを備えるものである。 The pattern data processing system according to the present invention uses a first parameter of an actual exposure machine that uses a mask on which a mask pattern based on the design data is formed in the pattern data processing system for processing the design data of the mask pattern. First simulation means (64) for obtaining light intensity information of the test pattern (45A to 45C) by the actual exposure machine by simulation, second parameters relating to the photosensitive material on which the image of the mask pattern is formed, and the first simulation The second simulation means (65) for obtaining information of the image of the photosensitive material by simulation using the light intensity information obtained by the actual exposure machine and the image of the photosensitive material obtained by the second simulation means. Information and its actual dew The shape error between the image of the photosensitive material and the actual image of the photosensitive material by the simulation is based on the information of the image of the actual photosensitive material formed on the photosensitive material. The comparison means (68) to be obtained, the first parameter used by the first simulation means and the second simulation means, and the first parameter so that the shape error obtained by the comparison means falls within a predetermined allowable range. The change means (61) for changing at least one of the two parameters, and the values of the first and second parameters when the shape error obtained by the comparison means falls within a predetermined allowable range, And a mask pattern design means (70B) for designing a mask pattern.
また、本発明による露光方法は、パターン及び光学系(PL)を介した露光光で基板を露光する露光方法であって、そのパターンが本発明のパターンデータ処理方法によって作成されたマスクパターンであるときに、その第5工程で用いられたその第1パラメータの値に基づいて、その光学系の開口数、その光学系の波面収差、そのパターンを照明する照明光学系のコヒーレンスファクタ、その露光光の中心波長、及びその露光光の波長幅の少なくとも一つを含むパラメータを調整し、そのパラメータを調整した後、その露光光でそのパターンを介してその基板を露光するものである。 The exposure method according to the present invention is an exposure method for exposing a substrate with exposure light via a pattern and an optical system (PL), and the pattern is a mask pattern created by the pattern data processing method of the present invention. Sometimes, based on the value of the first parameter used in the fifth step, the numerical aperture of the optical system, the wavefront aberration of the optical system, the coherence factor of the illumination optical system that illuminates the pattern, the exposure light A parameter including at least one of the center wavelength and the wavelength width of the exposure light is adjusted, and after adjusting the parameter, the substrate is exposed through the pattern with the exposure light.
また、本発明による露光装置は、パターン及び光学系(PL)を介した露光光で基板を露光する露光装置であって、その光学系の開口数、その光学系の波面収差、そのパターンを照明する照明光学系(20)のコヒーレンスファクタ、その露光光の中心波長、及びその露光光の波長幅の少なくとも一つのパラメータを調整するパラメータ調整手段(31)を備え、そのパターンが本発明のパターンデータ処理システムによって作成されたマスクパターンであるときに、そのパラメータ調整手段は、そのマスクパターン設計手段で用いられたその第1パラメータの値に基づいて、その少なくとも一つのパラメータを調整するものである。 An exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light via a pattern and an optical system (PL), and illuminates the numerical aperture of the optical system, the wavefront aberration of the optical system, and the pattern. coherence factor, the center wavelength of the exposure light, and at least one comprises a parameter adjusting means for adjusting (31) the parameters, pattern data of the pattern by the present invention a wavelength width of the exposure light of the illumination optical system (20) to When the mask pattern is created by the processing system, the parameter adjusting means adjusts at least one parameter based on the value of the first parameter used by the mask pattern designing means .
本発明のパターンデータ処理方法又はシステムによれば、テストパターンのシミュレーションによる像と実露光機による像とを比較して、マスクパターンの設計を行うため、シミュレーションによるパターンの像と実際に露光装置を用いて形成される像との誤差を小さくすることができる。従って、試行錯誤的にマスクパターンの設計を繰り返す回数を少なくでき、マスクパターンの作成効率を高めることができる。 According to the pattern data processing method or system of the present invention, in order to design a mask pattern by comparing a test pattern simulation image with an actual exposure machine image, the simulation pattern image and the exposure apparatus are actually used. It is possible to reduce an error from an image formed by using it. Therefore, it is possible to reduce the number of times the design of the mask pattern is repeated by trial and error, and it is possible to increase the efficiency of mask pattern creation.
また、本発明の露光方法又は露光装置によれば、実際の露光装置でマスクパターンを用いる際、露光装置のパラメータ値を、マスクパターン作成時に取得されたパラメータ値に調整することによって、露光装置をマスクパターンに最適な状態にすることができ、そのマスクパターンに対応する所望のデバイスパターンを得ることができる。 Further, according to the exposure method or the exposure apparatus of the present invention, when using a mask pattern in an actual exposure apparatus, the exposure apparatus is adjusted by adjusting the parameter value of the exposure apparatus to the parameter value acquired at the time of creating the mask pattern. A state optimal for the mask pattern can be obtained, and a desired device pattern corresponding to the mask pattern can be obtained.
以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図1〜図9を参照して説明する。
図1は、本例の一つ又は複数のコンピュータよりなるパターンデータ処理システムとしてのレチクルパターン作成システム60を示すブロック図であり、レチクルパターン作成システム60を構成する複数のブロックはコンピュータのソフトウエアで実行される機能である。なお、複数のブロックのうち、少なくとも一部をハードウェアで構成することも可能である。図1において、レチクルパターン作成システム60は、モデル設定システム70Aと回路設計シスム70Bとを備えている。
Hereinafter, an example of a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a block diagram showing a reticle
モデル設定システム70Aは、システム全体の動作を統括的に制御する制御部61と、パラメータ入力部62とを備えている。パラメータ入力部62には、露光装置(実露光機)の露光性能を規定するパラメータであるツールパラメータ(TP)、レチクルパターンが露光される感光材料を規定するパラメータである経験則パラメータ(EP)、及びシミュレーション用のテストパターンの形状等の情報が不図示の入力装置又は通信回線(電子メール、インターネット等)を介して入力される。なお、露光装置は、本例のレチクルパターン作成システム60で作成したレチクルパターンの使用が予定されている装置である。入力されたパラメータ等の情報はパラメータファイル63に記録される。本例のツールパラメータTPの一例は以下のTPi(i=1〜12)である。
The
[表1](ツールパラメータTP)
TP1)投影光学系の開口数(NA)
TP2)照明光学系のコヒーレンスファクタ(σ値、又は輪帯照明の場合には、その輪帯比を含む)
TP3)露光波長及び波長幅(半値幅、又はE95(レーザのスペクトル中の95%のエネルギーが集中しているスペクトル幅)を含む)
TP4)液浸露光時に投影光学系とウエハ(基板)との間に供給される液体の温度
TP5)投影光学系の波面収差
TP6)アポダイゼーション:点光源の像の光強度分布
TP7)偏光収差(一例としてジョーンズマトリックスで規定)
TP8)偏光状態(一例としてストークスパラメータで規定)
TP9)二次光源のピューピルグラム(Pupilgram):例えば4極照明時の偏心した4つの二次光源の強度分布の、理想的な分布(矩形状分布)からのずれ量
TP10)熱収差:投影光学系において露光光の照射熱によって生じる収差
TP11)MSD(Moving Standard Deviation):レチクルステージ(マスクステージ)とウエハステージ(基板ステージ)との相対的な振動による位置ずれ量
TP12)フレア:主にローカルフレア
[Table 1] (Tool parameter TP)
TP1) Numerical aperture (NA) of projection optical system
TP2) Coherence factor of illumination optical system (sigma value or, in the case of annular illumination, includes the annular ratio)
TP3) Exposure wavelength and wavelength width (including full width at half maximum or E95 (spectrum width where 95% of energy in the laser spectrum is concentrated))
TP4) Temperature of the liquid supplied between the projection optical system and the wafer (substrate) during immersion exposure TP5) Wavefront aberration of the projection optical system TP6) Apodization: light intensity distribution of the image of the point light source TP7) Polarization aberration (example) As prescribed by Jones Matrix)
TP8) Polarization state (defined by Stokes parameter as an example)
TP9) Pupilgram of secondary light source: For example, the amount of deviation of the intensity distribution of four decentered secondary light sources during quadrupole illumination from the ideal distribution (rectangular distribution) TP10) Thermal aberration: Projection Aberration caused by irradiation heat of exposure light in optical system TP11) MSD (Moving Standard Deviation): Amount of positional deviation due to relative vibration between reticle stage (mask stage) and wafer stage (substrate stage) TP12) Flare: mainly local Flare
なお、これらのツールパラメータTP中で、露光装置において或る程度調整又は補正可能なものは、TP1〜TP5である。
また、経験則パラメータEPの一例は、感光材料としてのレジスト(フォトレジスト)の種類、露光光に対する感度、現像工程で現像するときの感度、化学増幅型レジストの場合の使用条件(温度等)、PEB(Post Exposure Bake)のベーク条件(温度、時間等)等である。
Of these tool parameters TP, those that can be adjusted or corrected to some extent in the exposure apparatus are TP1 to TP5.
Examples of empirical parameters EP include the type of resist (photoresist) as a photosensitive material, the sensitivity to exposure light, the sensitivity when developing in the development process, the use conditions (temperature, etc.) in the case of a chemically amplified resist, PEB (Post Exposure Bake) baking conditions (temperature, time, etc.).
さらに、モデル設定システム70Aは、ツールパラメータTPで規定される露光装置を用いて上記のテストパターンを露光した場合の光学像の光強度分布を計算によって求める光学像シミュレーション部64と、経験則パラメータを用いてその光学像に対応する現像後のレジスト像の形状を計算によって求めるレジスト像シミュレーション部65と、実露光機の露光データ入力部66と、比較部68と、誤差要因解析部69とを備えている。露光データ入力部66には、テストパターンを実露光機でレジストが塗布されたウエハ上に露光し、そのレジストを現像して得られるレジスト像の形状等のデータである露光データが、不図示の入力装置又は通信回線(電子メール、インターネット等)を介して入力される。入力された露光データは露光データファイル67に記録される。比較部68は、レジスト像シミュレーション部65から供給されるレジスト像と露光データ入力部66から供給される実際のレジスト像との形状を比較し、比較結果を制御部61に供給する。誤差要因解析部69は、それらの形状の差が許容範囲を超えた場合に、その要因がツールパラメータおよび経験則パラメータのどのパラメータであるかの解析を行う。
Further, the
制御部61(フィードバック手段)は、それらの形状誤差が許容範囲を超えた場合に、誤差要因解析部69からの分析結果に応じて制御可能なパラメータの値を可変範囲内で変える。そして、制御部61は、光学像シミュレーション部64又はレジスト像シミュレーション部65にシミュレーションを繰り返して実行させる。最終的に2つのレジスト像の形状の差が許容範囲内になったときのパラメータTP,EPの値はパラメータファイル63に記録されるとともに、次に回路設計を行う回路設計システム70Bの制御部71(図2参照)に送信される。
The control unit 61 (feedback means) changes the value of the controllable parameter within the variable range according to the analysis result from the error
図2は、図1の制御部61から供給されるパラメータTP,EPを用いて光近接効果補正(OPC:Optical Proximity Correction)等を行いながらレチクルパターンの設計を行う回路設計システム70Bを示すブロック図である。この図2において、回路設計システム70Bは、システム全体の動作を統括的に制御する制御部71と、設計対象のデバイスパターンの形状データが入力されるデバイスパターンデータ入力部72と、上記のパラメータTP,EPに基づいて、入力されたデバイスパターンにOPC処理を行い、レチクルパターンを設計する回路パターン設計部74と、露光結果予測部75と、実露光機の露光データ入力部76と、比較部78とを備えている。設計対象のデバイスパターンの形状データはデータファイル73に記録される。露光結果予測部75は、シミュレーションによって、設計されたレチクルパターンを実露光機でレジスト上に露光して、このレジストを現像して形成されるレジストパターンの形状(設計対象のデバイスパターンにほぼ等しい)を予測する。
FIG. 2 is a block diagram showing a
実露光機の露光データ入力部76には、試作されたレチクルパターンを実露光機で露光して得られるレジスト像の形状等の露光データが入力される。このレチクルパターンは、回路パターン設計部74でレチクルパターンが設計された後、実際に、そのレチクルパターンをブランクスに形成されたものである。入力された露光データは露光データファイル77に記録される。比較部78は、露光結果予測部75から供給されるレジスト像と露光データ入力部76から供給される実際のレジスト像との形状を比較し、比較結果を制御部71に供給する。制御部71は、それらの形状誤差が許容範囲を超えた場合に、回路パターン設計部74にレチクルパターンの設計を繰り返して実行させる。最終的に2つのレジスト像の形状の差が許容範囲内になったときのレチクルパターンの形状データは、データファイル73に記録されるとともに、次にレチクルの量産を行うレチクル製造部80に送信される。
The exposure
次に、図3は、図1のレチクルパターン作成システム60によって作成されたレチクルパターンの露光を行うためのスキャニング・ステッパよりなる走査露光型の露光装置(投影露光装置)EXの概略構成を示す。この図3において、露光装置EXは、露光光源1と、露光光源1からの露光光ILを用いて転写用のパターンが形成されたレチクルR(マスク)を照明する照明光学系20と、レチクルRを駆動するレチクルステージRSTと、レチクルRのパターンの像をウエハW(基板)上に投影する光学系PLと、ウエハWを駆動するウエハステージWSTと、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータよりなる主制御系31と、露光量制御系32と、ステージ制御系33と、その他の処理系等とを備えている。
Next, FIG. 3 shows a schematic configuration of a scanning exposure type exposure apparatus (projection exposure apparatus) EX comprising a scanning stepper for performing exposure of the reticle pattern created by the reticle
本例では、露光光源1としてはArFエキシマレーザ光源(波長193nm)が使用されている。なお、露光光源は、ArFエキシマレーザ光源に代えて、KrFエキシマレーザ光源(波長247nm)、F2 レーザ光源(波長157nm)などの紫外パルスレーザ光源、YAGレーザの高調波発生光源、固体レーザ(半導体レーザなど)の高調波発生装置、又は水銀ランプ(i線等)なども使用できる。露光量制御系32は、露光光源1の露光光ILの中心波長、波長幅(例えば半値幅)、発振周波数、平均パルスエネルギー、発光タイミング等を制御する。主制御系31は、ホストコンピュータ34との間で露光条件等のデータの送受信を行う。
In this example, an ArF excimer laser light source (wavelength 193 nm) is used as the exposure
露光光ILは、照明光学系20において、露光光源1からミラー2を介して入射して、レンズ3A及び3Bによって断面形状が所定形状に整形される。整形された露光光ILは、ミラー4を介してレボルバ5に固定された回折光学素子6Aに入射して、照明光学系20の瞳面で所定の光量分布(円形分布、輪帯状分布、4極分布等)が得られるように複数方向に回折される。レボルバ5には、別の回折特性を持つ回折光学素子6B,6C等も取り付けられている。駆動部5aを介してレボルバ5の回転角を制御することで、設定された照明条件に対応して、露光光ILの光路上に回折光学素子6A,6B等の何れかが設置される。
In the illumination
図1において、回折光学素子6Aを通過した露光光ILは、リレーレンズ7により集光され、アキシコン系よりなる1対のプリズム8及び9を経てオプティカル・インテグレータとしてのフライアイレンズ10の入射面に集光される。フライアイレンズ10の射出面が照明光学系20の瞳面である。また、プリズム8及び9の間隔を制御することで、その射出面における光量分布を半径方向に調整でき、コヒーレンスファクタ(σ値)を調整できる。なお、フライアイレンズ10の近傍に、光量分布が大きい領域が開口とされた開口絞り12A,12B,12C,12D等が形成された開口絞り板11を配置してもよい。
In FIG. 1, the exposure light IL that has passed through the diffractive
フライアイレンズ10を通過した露光光ILは、リレーレンズ13Aを経て、レチクルR上の照明領域21Rを規定する固定ブラインド(固定視野絞り)14A、及び照明領域21Rの走査方向及びこれに直交する非走査方向の幅を制御する可動ブラインド(可動視野絞り)14Bを順次通過する。可動ブラインド14Bは、レチクルRのパターン面(レチクル面)とほぼ共役な面に配置され、固定ブラインド14Aは、そのレチクル面と共役な面から僅かにデフォーカスされた面に配置されている。ブラインド14A,14Bを通過した露光光ILは、サブコンデンサレンズ13B、光路折り曲げ用のミラー15、及びメインコンデンサレンズ16を経て、レチクルRのパターン領域の照明領域21Rを均一な照度分布で照明する。レンズ3A,3Bからメインコンデンサレンズ16までの部材を含んで照明光学系20が構成されている。
The exposure light IL that has passed through the fly-
露光光ILのもとで、レチクルRの照明領域21R内のパターンは、両側テレセントリックの投影光学系PLを介して投影倍率β(βは例えば1/4,1/5等)で、ウエハW上の一つのショット領域上の非走査方向に細長い投影領域に投影される。
投影光学系PLは、可変開口絞りを備えている。さらに、投影光学系PLには、例えば投影光学系を構成する複数のレンズエレメント中の所定のレンズエレメントを光軸方向に駆動するか、又は光軸に垂直な軸の周りに傾斜させることによって、投影光学系PLの波面収差を制御又は調整する結像特性補正機構(不図示)も備えられている。主制御系31は、その可変開口絞り及び/又は結像特性補正機構を介して投影光学系PLの開口数及び/又は波面収差を制御又は調整することができる。露光対象の基板としてのウエハWは、本例ではシリコン又はSOI(silicon on insulator)等の半導体からなる円板状の基材の表面にレジスト(感光材料)を塗布したものである。
Under the exposure light IL, the pattern in the
Projection optical system PL includes a variable aperture stop. Furthermore, in the projection optical system PL, for example, a predetermined lens element in a plurality of lens elements constituting the projection optical system is driven in the optical axis direction or tilted around an axis perpendicular to the optical axis. An imaging characteristic correction mechanism (not shown) that controls or adjusts the wavefront aberration of the projection optical system PL is also provided. The
本例の光学系PLは例えば屈折型の投影光学系であるが、反射屈折型の投影光学系等も使用できる。以下、光学系PLを投影光学系PLとして説明する。図3において、投影光学系PLの光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクルR及びウエハWの走査方向に直交する非走査方向に沿ってX軸を取り、その走査方向に沿ってY軸を取って説明する。
先ず、レチクルRはレチクルステージRST上に吸着保持される。レチクルステージRSTはレチクルベース24上でY方向に一定速度で移動すると共に、例えば同期誤差(又はレチクルRのパターン像とウエハW上の露光中のショット領域との位置ずれ量)を補正するようにX方向、Y方向、及びZ軸周りの回転方向に微動して、レチクルRの走査を行う。レーザ干渉計25X及び25Yは、例えば投影光学系PLを基準として少なくともレチクルステージRSTのX方向、Y方向の位置を分解能0.1nm程度で計測するとともに、Z軸周りの回転角を計測する。これらの計測値はステージ制御系33及び主制御系31に供給される。ステージ制御系33は、その計測値及び主制御系31からの制御情報に基づいて、不図示の駆動機構(リニアモータなど)を介してレチクルステージRSTの位置及び速度を制御する。
The optical system PL of this example is, for example, a refractive projection optical system, but a catadioptric projection optical system or the like can also be used. Hereinafter, the optical system PL will be described as the projection optical system PL. In FIG. 3, the Z axis is taken in parallel to the optical axis of the projection optical system PL, and the X axis along the non-scanning direction orthogonal to the scanning direction of the reticle R and the wafer W during scanning exposure in a plane perpendicular to the Z axis. In the following description, the Y axis is taken along the scanning direction.
First, reticle R is sucked and held on reticle stage RST. The reticle stage RST moves at a constant speed in the Y direction on the
また、本例の露光装置EXは、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系PLを構成する最も像面側(ウエハW側)の光学素子(不図示)を取り囲むように、局所液浸機構の一部を構成するノズルユニット40が設けられている。そして、走査露光時には、液体供給装置41から供給管42を介してノズルユニット40内の流路に純水等の露光光ILを透過する液体LQが供給される。本例の液体LQの温度は所定の可変範囲内で制御可能である。投影光学系PLとウエハWとの間の露光領域を囲む局所的な空間(局所液浸空間)が所定温度の液体LQで満たされる。また、そのように供給された液体LQは、ノズルユニット40内の流路、回収管44を介して液体回収装置43によって回収される。液体供給装置41及び液体回収装置43は主制御系31によって制御される。なお、本例の液浸機構としては、例えば国際公開第99/49504号パンフレット、又は国際公開第2004/053955号パンフレット等に開示されている液浸機構も使用できる。
Further, since the exposure apparatus EX of this example performs exposure applying the liquid immersion method, the exposure apparatus EX is locally arranged so as to surround an optical element (not shown) on the most image plane side (wafer W side) constituting the projection optical system PL. A
図3において、ウエハWは、ウエハホルダ(不図示)を介してウエハステージWST上に保持される。ウエハステージWSTはウエハベース26上でY方向に一定速度で移動すると共に、X方向、Y方向にステップ移動するXYステージ27と、Zチルトステージ28とを備えている。Zチルトステージ28は、不図示のオートフォーカスセンサによるウエハWのZ方向の位置の計測値に基づいて、ウエハWのフォーカシング及びレベリングを行う。ウエハステージWSTのXY平面内での位置、及びX軸、Y軸、Z軸の回りの回転角等はレーザ干渉計29X,29Yによって計測され、この計測値及び主制御系31からの制御情報に基づいて、ステージ制御系33は不図示の駆動機構(リニアモータなど)を介してウエハステージWSTの動作を制御する。
In FIG. 3, wafer W is held on wafer stage WST via a wafer holder (not shown). Wafer stage WST includes an
また、投影光学系PLの側面にはウエハW上のアライメントマークを計測するためのオフ・アクシス方式のアライメントセンサALGが配置されており、この検出結果に基づいて主制御系31はウエハWのアライメントを行う。
露光時には、レチクルステージRST及びウエハステージWSTを駆動して、露光光ILを照射した状態でレチクルRとウエハW上の一つのショット領域とを走査方向SD(Y方向)に同期走査する動作と、ウエハステージWSTを駆動してウエハWをX方向、Y方向にステップ移動する動作とが繰り返される。これによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハW上の各ショット領域にレチクルRのパターン像が露光される。
Further, an off-axis type alignment sensor ALG for measuring an alignment mark on the wafer W is disposed on the side surface of the projection optical system PL. Based on the detection result, the
At the time of exposure, the reticle stage RST and the wafer stage WST are driven, and the reticle R and one shot area on the wafer W are synchronously scanned in the scanning direction SD (Y direction) while being irradiated with the exposure light IL; The operation of stepwise moving wafer W in the X direction and Y direction by driving wafer stage WST is repeated. Thereby, the pattern image of the reticle R is exposed to each shot area on the wafer W by the step-and-scan method.
次に、図4(A)は、図1のモデル設定システム70Aで使用されるテストパターンの一例を示し、図4(A)のX軸、Y軸は図3の露光装置EXのレチクルステージRST上でのX軸、Y軸と同じ方向である。このテストパターンは、X方向に比較的粗いピッチでライン状の透過パターンを配置したライン・アンド・スペースパターン(以下、L&Sパターンと言う)45Aと、露光装置EXの解像限界に近いピッチのL&Sパターン45Bと、X方向及びY方向に伸びた孤立線パターン45Cとを含んでいる。
Next, FIG. 4A shows an example of a test pattern used in the
次に、図5及び図6のフローチャートを参照して、パターンデータ処理方法としての、本例の図1のレチクルパターン作成システム60でレチクルパターンを作成する処理の一例につき説明する。本例では、図3の露光装置EXによって露光されるレチクルに形成されるレチクルパターン(回路パターン)を作成するものとする。、また、露光装置EXは最新機種であるものとする。本例のレチクルパターンの作成処理は、図5に示すように露光装置を規定するツールパラメータTP及び現像工程を規定する経験則パラメータEPの値を設定して、光学像モデル及びレジスト像モデルを設定するモデル設定処理と、図6に示すように、設定されたモデル(パラメータTP,EPの値)に基づいて実デバイスの回路パターン用のレチクルパターンを設計する回路設計処理とに大別される。
Next, an example of processing for creating a reticle pattern by the reticle
先ず、モデル設定が開始されると、図5のステップ101において、図1のモデル設定システム70Aのパラメータ入力部62に、図3の露光装置EXと同じ機種でほぼ製造日が最も新しい1台又は製造日が新しい順に選択された複数台(例えば初期ロット)の露光装置のツールパラメータ(TP)(露光装置が複数台の場合にはその平均値)と、レチクルパターンが露光される感光材料を規定する経験則パラメータ(EP)と、図4(A)のテストパターンの形状等の情報とが入力される。入力されたパラメータTP,EPの値は制御部61に供給され、テストパターンの形状等の情報は光学像シミュレーション部64に供給される。次のステップ102において、制御部61は、パラメータTP,EPの初期値(ここでは入力された値そのもの)をそれぞれ光学像シミュレーション部64及びレジスト像シミュレーション部65に設定する。
First, when model setting is started, in
次のステップ103において、光学像シミュレーション部64は、シミュレーションによって、設定されたツールパラメータTPで規定される光学像モデル(ほぼ露光装置EXに近いモデル)を用いて図4(A)のテストパターン45A〜45Cを露光した場合の光学像の光強度分布を求め、この光学像の情報をレジスト像シミュレーション部65に供給する。次のステップ104において、レジスト像シミュレーション部65は、シミュレーションによって、その光学像をその経験則パラメータEPで規定されるレジスト像モデル(レジスト)上に投影し、その後現像を行って得られるレジスト像の形状を求める。このようにして得られる計算上のレジスト像の一例は、図4(B)の線幅がそれぞれdc1,dc2,dc3,dc4のレジストパターン46A,46B,46Cである。なお、説明の便宜上、投影光学系は等倍の正立像を投影するものとしている。
In the
また、これまでの動作と並行して、図3の露光装置EXにおいても、図4(A)のテストパターン45A〜45Cをステップ104で用いられる経験則パラメータEPと同じ条件でレジストが塗布されたウエハ上に露光し、露光後のウエハを経験則パラメータEPと同じ条件で現像する。図4(C)に示すように、実際の線幅がそれぞれde1,de2,de3,de4のレジストパターン47A,47B,47Cが得られている。複数台の露光装置EXで露光を行った場合には、線幅の平均値が改めて線幅de1〜de4とされる。
In parallel with the operation so far, also in the exposure apparatus EX of FIG. 3, the resist is applied to the
そして、図5のステップ105では、図1の実露光機の露光データ入力部66が、その露光装置EXの露光によって形成されたレジストパターン47A〜47Cの形状データ(線幅de1〜de4)を読み込む。次のステップ106において、比較部68は、ステップ104で計算によって得られた図4(B)のレジストパターン46A〜46Cの線幅dci(i=1〜4)と、ステップ105で実際の露光によって得られた図4(C)のレジストパターン47A〜47Cの線幅deiとの比較を行うために、次式から両者の偏差の絶対値である形状誤差δ1iを求めて制御部61に供給する。
In
δ1i=|dci−dei| …(1)
次のステップ107において、形状誤差δ1i(i=1〜4)の少なくとも一つが予め定められている許容値ε1i以上であるときには、ステップ108に移行して、ツールパラメータTPの値に変更があるかどうかが判定される。具体的に、図3の露光装置EXの製造台数が増加して、最新の所定台数の露光装置EXのツールパラメータTPの平均値の値が、それまでに設定されていたツールパラメータTPの値に比べて大きく変化する場合がある。この場合には、ステップ111に移行して、ツールパラメータTPの値を最新の露光装置EXで計測された値に変更して、ステップ103の光学像のシミュレーション以降の動作が繰り返される。
δ1i = | dci-dei | (1)
In the
また、ステップ108でツールパラメータTPの値が変更されていない場合には、ステップ109に移行して、図1の誤差要因解析部69が形状誤差δ1i(i=1〜4)に基づいて誤差要因を解析する。具体的に、図4(A)のテストパターン45A〜45Cのうち、L&Sパターン45B(密集線)及び孤立線パターン45Cの両方で形状誤差δ12〜δ14が許容値以上になったときには、レジスト像モデルに要因があると判定される。この場合には、ステップ110に移行して、経験則パラメータEPの一部の値が可変範囲内で変更されてレジスト像シミュレーション部65に設定された後、ステップ104に移行して、レジストパターンの形状の再計算以降の動作が繰り返される。
If the value of the tool parameter TP has not been changed in
また、ステップ109において、図4(A)の孤立線パターン45Cの形状誤差δ13,δ14のみが許容値以上になったときには、光学像モデルに要因があると判定される。この場合には、ステップ111に移行して、ツールパラメータTP内の可変パラメータのうちの一部のパラメータの値が可変範囲内で変更されて光学像シミュレーション部64に設定された後、ステップ103に移行して、光学像の再計算以降の動作が繰り返される。これによって、パラメータTP,EPの最適化が行われる。
In
そして、ステップ107において、全ての形状誤差δ1i(i=1〜4)が許容値ε1iよりも小さくなった場合には、制御部61は、ステップ112に移行して、現在のツールパラメータTP及び経験則パラメータEPの値をパラメータファイル63に格納するとともに、図2の回路設計システム70Bの制御部71に送信する。これによって、光学像モデル及びレジスト像モデルが完成したことになり、図6のステップ120において回路設計が開始される。
If all the shape errors δ1i (i = 1 to 4) become smaller than the allowable value ε1i in
次に、図2の回路設計システム70Bにおいて、図6のステップ120で回路設計が開始されると、先ずステップ121において、図2のデバイスパターンデータ入力部72は実デバイスの回路パターンの形状データ(以下、マスク設計データともいう)を読み込み、形状データを回路パターン設計部74に供給する。また、制御部71に図1の制御部61から供給されたパラメータTP,EPの値は回路パターン設計部74及び露光結果予測部75に供給されるとともに、デバイスパターンデータ入力部72を介してデータファイル73に記録される。
Next, in the
なお、マスク設計データ、すなわちレチクルパターン描画用のパターンデータとは、半導体集積回路等の製造におけるリソグラフィ工程で使用されるレチクル(フォトマスクを含む)上に形成すべき回路パターンを構成する各パターンの位置情報、形状情報、透過率情報を含む情報である。
また、マスク設計データは、レチクルパターン描画用のパターンデータに限らず、パターンの形状が可変可能な可変マスクで用いられるパターンデータを用いることも可能である。なお、可変マスクには、例えばガラス基板上に液晶で微細な多数のそれぞれ開閉自在の窓部を形成し、液晶で各窓部の開閉をすることによって、そのガラス基板上に所望の回路パターンを表示する構成が含まれる。
Note that mask design data, that is, pattern data for reticle pattern drawing, refers to each pattern constituting a circuit pattern to be formed on a reticle (including a photomask) used in a lithography process in manufacturing a semiconductor integrated circuit or the like. This is information including position information, shape information, and transmittance information.
Further, the mask design data is not limited to the pattern data for drawing the reticle pattern, and it is also possible to use pattern data used in a variable mask whose pattern shape is variable. In the variable mask, for example, a large number of fine openable and closable windows are formed on a glass substrate, and a desired circuit pattern is formed on the glass substrate by opening and closing each window with liquid crystal. Contains the configuration to display.
なお、マスク設計データとしては、上述の如く、レチクル上にパターンを形成した際に、透過部となる部分の値が1であり、遮光部となる部分の値が0である2値データをビットマップ状に配列したビットマップデータ形式(ラスターデータ形式ともいう)を使用できる。また、マスク設計データとしては、上記のビットマップデータ形式で表されるパターンを、微小な四角形や三角形に分割し、その頂点のX、Y座標値を記載した形式(例えばGDS2形式)等のベクトルデータ形式のデータを使用することも可能である。 As the mask design data, as described above, when the pattern is formed on the reticle, binary data in which the value of the portion that becomes the transmissive portion is 1 and the value of the portion that becomes the light shielding portion is 0 is bit. A bitmap data format (also called a raster data format) arranged in a map can be used. As the mask design data, a vector such as a format (for example, GDS2 format) in which the pattern expressed in the bitmap data format is divided into minute rectangles and triangles and the X and Y coordinate values of the vertices are described. It is also possible to use data in data format.
次のステップ122において、図2の回路パターン設計部74は、上記のパラメータTP,EPに基づいてOPCを考慮した実デバイスの回路パターンを得るためのパターン設計を行い、その設計データを露光結果予測部5に供給する。
具体的に、投影像の光学的近接効果であるOPE(Optical Proximity Effect)を説明するために、図7(A)に示すテストパターンを図3の露光装置EXによってウエハ上に投影する場合を想定する。このテストパターンは、例えばテストレチクルTR上で、同じ線幅Dのラインパターン52,54及び55を、X方向に異なるピッチP1,P2及びほぼ孤立線とみなせる状態で配置したL&Sパターン51,53及び孤立線パターンである。このテストパターンを露光装置EXによってウエハTRW上に投影し、その後のウエハTRW上のレジストを現像する。現像処理によって、図7(B)に示すように、異なる線幅d1,d2のラインパターン52W,54WをX方向に配列したレジストパターン51W,53Wと、線幅d3の孤立線パターンよりなるレジストパターン55Wとが得られる。このようにOPEによって、同じ線幅のパターンであってもピッチによってレジストパターンの線幅が異なってくる。
In the
Specifically, in order to explain an optical proximity effect (OPE) that is an optical proximity effect of a projected image, it is assumed that the test pattern shown in FIG. 7A is projected onto the wafer by the exposure apparatus EX shown in FIG. To do. This test pattern includes, for example, L &
図8の曲線C1は、図3の露光装置EXによって同じ線幅で異なるピッチの種々のL&Sパターンの像を露光した場合に、露光装置EXのツールパラメータTPによって計算されるOPE特性の一例を示す。図8の横軸はウエハ上での投影像のパターンピッチ(nm)、縦軸はウエハ上での投影像の線幅(nm)である。図8の曲線C1では、パターンピッチが500nm付近で線幅が小さくなっている。 A curve C1 in FIG. 8 shows an example of the OPE characteristic calculated by the tool parameter TP of the exposure apparatus EX when images of various L & S patterns having the same line width and different pitches are exposed by the exposure apparatus EX in FIG. . In FIG. 8, the horizontal axis represents the pattern pitch (nm) of the projected image on the wafer, and the vertical axis represents the line width (nm) of the projected image on the wafer. In the curve C1 of FIG. 8, the line width is small when the pattern pitch is around 500 nm.
図2の回路パターン設計部74では、例えば図8のOPE特性を計算によって求めた後、最終的に得られる回路パターンの線幅が図6のステップ121で入力された線幅になるように、OPE特性を相殺するようにレチクルパターンの線幅を調整する。さらに、不要な光学像が生じる場合には、その光学像を相殺するような補助パターンを付加する。
実デバイスに必要な回路パターンの形状を図9(A)の回路パターン48及び49であるとすると、回路パターン設計部74では、一例として図9(B)に示すような回路パターン48を投影光学系の投影倍率の逆数で拡大した像48Rに対して線幅が僅かに細いレチクルパターン56、及び回路パターン49を投影光学系の投影倍率の逆数で拡大した像49Rに対して線幅が僅かに太いレチクルパターン57を生成する。なお、説明の便宜上、投影倍率を等倍で、正立像が投影されるものとしている。さらに、レチクルパターン56及び57のみでは不要な光学像が形成される場合に、その不要な光学像を相殺するために、補助パターン56A及び57Aを付加している。
In the circuit
Assuming that the circuit patterns necessary for the actual device are the
次の図6のステップ123において、露光結果予測部75は、設計されたレチクルパターンをツールパラメータTPで規定された露光装置で、経験則パラメータEPで規定される感光材料上に露光する。その後、露光結果予測部75は、その感光材料を現像して得られるレジストパターンの形状(線幅をDci(i=1,2,…)とする)を予測する。この予測されるレジストパターンの形状は、ステップ121で入力される実デバイスの回路パターンの形状とほぼ等しい。
Next, in
また、ステップ122で設計された後に試作されたレチクルパターンを図3の露光装置EXを用いて、ステップ123で用いられる経験則パラメータEPと同じ条件でレジストが塗布されたウエハ上に露光する。そして、露光後のウエハを経験則パラメータEPと同じ条件で現像することによって、図9(C)に示すように、実際の線幅がそれぞれDe1,De2等のレジストパターン56W,57W等が得られる。複数台の露光装置EXで露光を行った場合には、線幅の平均値が改めて線幅De1,De2等とされる。
Further, the reticle pattern that has been designed in
そして、図6のステップ124では、図2の実露光機の露光データ入力部76が、その露光装置EXの露光によって形成されたレジストパターン56W,57W等の形状データ(線幅De1,De2等)を読み込む。次のステップ125において、図2の比較部78は、ステップ123で計算によって得られたレジストパターンの線幅Dci(i=1,2,…)と、ステップ124で実際の露光によって得られた図9(C)のレジストパターンの線幅Deiとの比較を行うために、次式から両者の偏差の絶対値である形状誤差δ2iを求めて制御部71に供給する。
Then, in
δ2i=|Dci−Dei| …(2)
次のステップ126において、形状誤差δ2iの少なくとも一つが予め定められている許容値ε2i以上であるときには、制御部71は、回路パターン設計部74にレチクルパターンの再設計を実行させる。
そして、ステップ126において、全ての形状誤差δ2iが許容値ε2iよりも小さくなった場合には、制御部71は、ステップ127に移行して、現在のレチクルパターン(回路パターン)のデータをデータファイル73に格納するとともに、ステップ128において、そのレチクルパターンのデータを不図示のレチクルの製造装置に送信する。これによって、実デバイスの回路パターンに対応したレチクルパターンが完成したことになり、レチクルの量産が開始される。
δ2i = | Dci−Dei | (2)
In the
If all the shape errors δ2i become smaller than the allowable value ε2i in
その後、図5及び図6の作成方法によって作成されたレチクルパターンを図3の露光装置EXで露光する場合について説明する。露光装置EXでレチクルパターンを露光する前に、ステップ101で読み込まれた露光装置のツールパラメータの値に対して、現時点における露光装置EXのパラメータ値が変更されているかどうか確認する。露光装置EXのパラメータ値が変更されていた場合には、一例として、ステップ101で読み込まれた露光装置のツールパラメータの値に調整する。この場合、レチクルパターンの形状は、このツールパラメータに対して最適化されているからである。露光装置のツールパラメータの値を調整した後、そのレチクルパターンを作成した時に指定した経験則パラメータEPで規定される感光材料上に、露光装置EXを用いてそのレチクルパターンを露光して、現像を行う。そうすることによって、所望のデバイスの回路パターンを高精度に形成することができる。
After that, a case where the reticle pattern created by the creation method of FIGS. 5 and 6 is exposed by the exposure apparatus EX of FIG. 3 will be described. Before exposing the reticle pattern with the exposure apparatus EX, it is checked whether the parameter values of the exposure apparatus EX at the present time are changed with respect to the tool parameter values of the exposure apparatus read at
上述のように、本例のレチクルパターン作成方法及びレチクルパターン作成システム60によれば、テストパターン45A〜45Cのシミュレーションによるレジストパターンと、露光装置EXによるレジストパターンとを比較して、レチクルパターン作成システムに入力するツールパラメータTPの値を設定しているため、レチクルパターンの設計時に、シミュレーションによってレチクルパターンから予測される像(レジストパターン)と実際に露光装置EXを用いて形成される像(レジストパターン)との誤差が小さくなる。従って、試行錯誤的に例えば図6のステップ122〜126に示すようにレチクルパターンの設計を繰り返す回数を少なくでき、レチクルパターンの作成効率が高い。
As described above, according to the reticle pattern creation method and reticle
また、そのツールパラメータTPには、露光装置の機種又は号機毎に異なるパラメータ(例えば表1のパラメータTP6〜TP12等)が含まれている。従って、例えば試作から量産に移行しつつあるような露光装置に関しても、実際にそのレチクルパターン作成方法で作成されたレチクルパターンの露光を行う露光装置のツールパラメータを考慮でき、その露光装置に最適化されたレチクルパターンを設計できる。 Further, the tool parameter TP includes parameters (for example, parameters TP6 to TP12 in Table 1) that are different for each type of exposure apparatus or each number. Therefore, for example, with regard to an exposure apparatus that is moving from trial production to mass production, the tool parameters of the exposure apparatus that actually performs exposure of the reticle pattern created by the reticle pattern creation method can be taken into consideration and optimized for the exposure apparatus. Reticle reticle patterns can be designed.
なお、図5及び図6の作成方法によって作成されたレチクルパターンを、図3の露光装置EXで露光する場合に、図3の露光装置EXのツールパラメータTPの値が図5のステップ101で格納された値TPD(即ち、図6のステップ121で回路設計時に使用されるツールパラメータTPの値TPD)と異なる場合には、露光装置EPのツールパラメータTPのうちの可変パラメータ(例えば表1のパラメータTP1〜TP5)の値をその回路設計時に使用されたツールパラメータTPの値TPDに合わせるようにしてもよい。
Note that when the reticle pattern created by the creation method of FIGS. 5 and 6 is exposed by the exposure apparatus EX of FIG. 3, the value of the tool parameter TP of the exposure apparatus EX of FIG. 3 is stored in
また、そのように可変パラメータの値を直接制御する場合の他に、図10に示すように、図6のステップ122及び123で回路設計時に使用されるツールパラメータTPの値TPDから予測される曲線C1で示すOPE特性に対して、図3の露光装置EPのツールパラメータTPから予測される曲線C2で示すOPE特性が外れている場合には、露光装置EXのツールパラメータTPの値を他の結像特性に実質的に影響を与えない範囲で調整することによって、曲線C2を曲線C1に合わせるようにしてもよい。具体的に、露光装置EXにおいて、例えばコヒーレンスファクタ(σ値)を微調整することによって、曲線C2上の点C2Dを曲線C1に近付け、開口数NAを微調整することによって、曲線C2上の点C2Bを曲線C1に近付けることによって、OPE特性を合わせることができる。この結果、そのレチクルパターンを露光装置EXで露光することによって、所望のデバイスパターンを得ることができる。
In addition to the case of directly controlling the value of the variable parameter as described above, as shown in FIG. 10, a curve predicted from the value TPD of the tool parameter TP used at the time of circuit design in
なお、上記の実施形態における図1のレチクルパターン作成システム60を用いてレチクルパターンの作成を行う者がデバイスメーカであるならば、パラメータ入力部62で取得する露光装置のパラメータ、及び露光データ入力部66で取得する実際の感光材料の像の情報は、露光装置メーカから記録媒体や、通信回線(電子メール、インターネット)を介して取得してもよい。
また、上記の実施形態では、実際に感光材料を現像した後に形成される感光材料の像(レジストパターン)とシミュレーションによる感光材料の像とを比較部68で比較している。しかしながら、その代わりに実際にテストパターンを投影して形成される感光材料上の潜像と、シミュレーションによる感光材料上の像(潜像)とを比較してもよい。このように潜像を対象とする場合には、経験則パラメータEP(第2パラメータ)として、レジスト感度、露光光に対する感度を考慮してシミュレーションを行えば良い。
If the person who creates the reticle pattern using the reticle
In the above embodiment, the
また、本発明の「シミュレーションによる感光材料の像の情報」には、光強度分布が含まれ、「実際の感光材料の像の情報」には、走査型電子顕微鏡(SEM)で計測した計測値、イメージセンサで撮像された撮像データなども含まれる。
また、上記の実施形態におけるレチクルパターンのOPC処理には、ラインパターンの両先端部を中央部に比べて相対的に太くする処理も含まれる。
また、OPC処理を施したパターンとして、例えばマスクパターンのコーナー部若しくは隣り合うパターンから所定間隔以上離れている部分に補正用パターンを追加したマスクパターン、リソグラフィ・シミュレータ若しくは実験データに基づいて補正パターンを生成したマスクパターン、パターンの角が丸くなるのを防止する「シェリフ・パターン」若しくは「ハンマーヘッド・パターン」等のパターン、又はパターンの線幅変動を補正する「バイアス」などを加えたマスクパターン等もある。
The “information of the photosensitive material image by simulation” of the present invention includes a light intensity distribution, and the “information of the actual photosensitive material image” includes a measurement value measured by a scanning electron microscope (SEM). Also, image data captured by an image sensor is included.
In addition, the reticle pattern OPC process in the above embodiment includes a process of making both end portions of the line pattern relatively thicker than the central portion.
Further, as a pattern subjected to OPC processing, for example, a correction pattern based on a mask pattern obtained by adding a correction pattern to a corner portion of a mask pattern or a portion that is separated from an adjacent pattern by a predetermined distance or more, a lithography simulator, or experimental data. Generated mask patterns, patterns such as “sheriff pattern” or “hammer head pattern” that prevent pattern corners from being rounded, or mask patterns that include “bias” that corrects line width variation of the pattern, etc. There is also.
なお、本発明は、走査露光型の投影露光装置のみならず、一括露光型の投影露光装置で露光する場合にも同様に適用することができる。また、本発明は、投影光学系と基板との間に液体を供給しないドライ型の露光装置、又は露光光として軟X線等の極端紫外光(EUV(Extreme Ultravolet )光)を用いる露光装置等で露光する場合にも適用できる。
また、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイスを製造する場合、この半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、このステップに基づいてレチクルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを形成するステップ、上記の実施形態の露光装置によりレチクルのパターンを基板(ウエハ)に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、並びに検査ステップ等を経て製造される。
The present invention can be similarly applied not only to exposure with a scanning exposure type projection exposure apparatus but also with a batch exposure type projection exposure apparatus. The present invention also relates to a dry type exposure apparatus that does not supply a liquid between the projection optical system and the substrate, or an exposure apparatus that uses extreme ultraviolet light (EUV (Extreme Ultravolet) light) such as soft X-rays as exposure light. It can also be applied to the case where exposure is performed.
Further, when a semiconductor device is manufactured using the exposure apparatus of the above-described embodiment, the semiconductor device includes a step of designing a function and performance of the device, a step of manufacturing a reticle based on this step, and a wafer from a silicon material. A substrate processing step including a step of forming, a step of exposing a reticle pattern to the substrate (wafer) by the exposure apparatus of the above-described embodiment, a step of developing the exposed substrate, a heating (curing) of the developed substrate, and an etching step The device is manufactured through a device assembly step (including a dicing process, a bonding process, and a packaging process) and an inspection step.
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレート等に形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置の製造プロセスや、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、MEMS(Microelectromechanical Systems:微小電気機械システム)、セラミックスウエハ等を基板として用いる薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスの製造プロセスにも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、製造工程にも適用することができる。 Further, the present invention is not limited to application to a semiconductor device manufacturing process, for example, a manufacturing process of a display device such as a liquid crystal display element formed on a square glass plate or the like, or a plasma display, or imaging. The present invention can be widely applied to manufacturing processes of various devices such as devices (CCD, etc.), micromachines, MEMS (Microelectromechanical Systems), thin film magnetic heads using ceramic wafers as substrates, and DNA chips. Furthermore, the present invention can also be applied to a manufacturing process when manufacturing a mask (photomask, reticle, etc.) on which mask patterns of various devices are formed using a photolithography process.
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。 In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, Of course, a various structure can be taken in the range which does not deviate from the summary of this invention.
EX…露光装置、60…レチクルパターン作成システム、61…制御部、62…パラメータ入力部、64…光学像シミュレーション部、65…レジスト像シミュレーション部、66…実露光機の露光データ入力部、68…比較部、69…誤差要因解析部、70A…モデル設定システム、70B…回路設計システム
EX ... exposure apparatus, 60 ... reticle pattern generation system, 61 ... control unit, 62 ... parameter input unit, 64 ... optical image simulation unit, 65 ... resist image simulation unit, 66 ... exposure data input unit of actual exposure machine, 68 ...
Claims (17)
前記設計データに基づくマスクパターンが形成されたマスクを用いる実露光機の第1パラメータを用いて、シミュレーションによってテストパターンの前記実露光機による光強度情報を求める第1工程と、
前記マスクパターンの像が形成される感光材料に関する第2パラメータと、前記感光材料に対する前記第1工程で求められた前記実露光機による光強度情報とを用いて、シミュレーションによる感光材料の像の情報を取得する第2工程と、
前記第2工程で取得された前記シミュレーションによる感光材料の像の情報と、前記実露光機を用いて前記テストパターンの像を前記感光材料に形成した実際の感光材料の像の情報とに基づいて、前記シミュレーションによる感光材料の像と前記実際の感光材料の像との形状誤差を求める第3工程と、
前記第3工程で求められた前記形状誤差が所定の許容範囲内に収まるように、前記シミュレーションにおける前記第1パラメータ及び前記第2パラメータの少なくとも一方を変更する第4工程と、
前記形状誤差が所定の許容範囲内に収まったときの前記第1パラメータ及び前記第2パラメータの値を用いて、前記マスクパターンの設計を行う第5工程と、を有することを特徴とするパターンデータ処理方法。 In a pattern data processing method for processing mask pattern design data,
A first step of obtaining light intensity information by the actual exposure machine of a test pattern by simulation using a first parameter of an actual exposure machine using a mask on which a mask pattern based on the design data is formed;
Information on the image of the photosensitive material by simulation using the second parameter relating to the photosensitive material on which the image of the mask pattern is formed and the light intensity information obtained by the actual exposure machine obtained in the first step for the photosensitive material. A second step of acquiring
Based on the information of the image of the photosensitive material obtained by the simulation obtained in the second step and the information of the image of the actual photosensitive material formed on the photosensitive material by using the actual exposure machine. A third step of obtaining a shape error between the image of the photosensitive material by the simulation and the image of the actual photosensitive material;
A fourth step of changing at least one of the first parameter and the second parameter in the simulation so that the shape error obtained in the third step falls within a predetermined allowable range;
And a fifth step of designing the mask pattern using the values of the first parameter and the second parameter when the shape error falls within a predetermined allowable range. Processing method.
前記第4工程は、前記形状誤差が前記許容範囲を超えたときに、前記シミュレーションにおける前記可変のパラメータの値を変更して、前記第1工程又は第2工程から前記第3工程までの動作を繰り返すことを特徴とする請求項1に記載のパターンデータ処理方法。 At least one of the first parameter and the second parameter includes a variable parameter and a non-variable parameter ,
In the fourth step, when the shape error exceeds the allowable range, the value of the variable parameter in the simulation is changed, and the operations from the first step or the second step to the third step are performed. The pattern data processing method according to claim 1, wherein the pattern data processing method is repeated.
前記実際の感光材料の像の情報は、前記複数の実露光機を用いて形成される感光材料の像に関する値の平均値を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパターンデータ処理方法。 The first parameter includes an average value related to light intensity information of a plurality of actual exposure machines,
3. The pattern according to claim 1, wherein the information of the actual photosensitive material image includes an average value of values relating to the photosensitive material image formed by using the plurality of actual exposure machines. Data processing method.
前記第1パラメータは、可変のパラメータとして、前記液浸露光装置の前記液体の温度を含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法。 The actual exposure machine is an immersion exposure apparatus that supplies a liquid between an optical system and a substrate to be exposed, and exposes the substrate with exposure light through the optical system and the liquid.
The pattern data processing method according to claim 1, wherein the first parameter includes a temperature of the liquid of the immersion exposure apparatus as a variable parameter.
前記設計データに基づくマスクパターンが形成されたマスクを用いる実露光機の第1パラメータを用いて、シミュレーションによってテストパターンの前記実露光機による光強度情報を求める第1シミュレーション手段と、
前記マスクパターンの像が形成される感光材料に関する第2パラメータと、前記第1シミュレーション手段によって求められた前記実露光機による光強度情報とを用いて、シミュレーションによる感光材料の像の情報を求める第2シミュレーション手段と、
前記第2シミュレーション手段によって求められた前記感光材料の像の情報と、前記実露光機を用いて前記テストパターンの像を前記感光材料上に形成した実際の感光材料の像の情報とに基づいて、前記シミュレーションによる感光材料の像と前記実際の感光材料の像との形状誤差を求める比較手段と、
前記比較手段で求められた前記形状誤差が所定の許容範囲内に収まるように、前記第1シミュレーション手段及び前記第2シミュレーション手段でそれぞれ用いる前記第1パラメータ及び前記第2パラメータの少なくとも一方を変更する変更手段と、
前記比較手段によって求められた前記形状誤差が所定の許容範囲内に収まったときの前記第1及び第2パラメータの値を用いて、前記マスクパターンの設計を行うマスクパターン設計手段とを備えることを特徴とするパターンデータ処理システム。 In a pattern data processing system for processing mask pattern design data,
First simulation means for obtaining light intensity information by the actual exposure machine of the test pattern by simulation using a first parameter of an actual exposure machine using a mask on which a mask pattern based on the design data is formed;
A second parameter for obtaining the image information of the photosensitive material by simulation is obtained by using the second parameter relating to the photosensitive material on which the image of the mask pattern is formed and the light intensity information by the actual exposure machine obtained by the first simulation means. 2 simulation means;
Based on the information of the image of the photosensitive material obtained by the second simulation means and the information of the image of the actual photosensitive material formed on the photosensitive material by using the actual exposure machine. Comparing means for obtaining a shape error between the image of the photosensitive material by the simulation and the image of the actual photosensitive material;
At least one of the first parameter and the second parameter used in the first simulation unit and the second simulation unit is changed so that the shape error obtained by the comparison unit falls within a predetermined allowable range. Change means,
Mask pattern design means for designing the mask pattern using the values of the first and second parameters when the shape error obtained by the comparison means falls within a predetermined allowable range. Characteristic pattern data processing system.
前記変更手段は、前記比較手段によって求められた形状誤差が前記許容範囲を超えたときに、前記可変のパラメータの値を変更して、前記第1シミュレーションへの前記第1パラメータの供給又は前記第2シミュレーション手段への前記第2パラメータの供給を行うことを特徴とする請求項11に記載のパターンデータ処理システム。 At least one of the first parameter and the second parameter includes a variable parameter and a non-variable parameter ,
The changing unit changes the value of the variable parameter when the shape error obtained by the comparing unit exceeds the allowable range, and supplies the first parameter to the first simulation or the first parameter. The pattern data processing system according to claim 11, wherein the second parameter is supplied to two simulation means.
前記パターンが請求項1から請求項10のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法によって作成されたマスクパターンであるときに、
前記第5工程で用いられた前記第1パラメータの値に基づいて、前記光学系の開口数、前記光学系の波面収差、前記パターンを照明する照明光学系のコヒーレンスファクタ、前記露光光の中心波長、及び前記露光光の波長幅の少なくとも一つを含むパラメータを調整し、
前記パラメータを調整した後、前記露光光で前記パターンを介して前記基板を露光することを特徴とする露光方法。 An exposure method for exposing a substrate with exposure light through a pattern and an optical system,
When the pattern is a mask pattern created by the pattern data processing method according to any one of claims 1 to 10,
Based on the value of the first parameter used in the fifth step, the numerical aperture of the optical system, the wavefront aberration of the optical system, the coherence factor of the illumination optical system that illuminates the pattern, and the center wavelength of the exposure light And adjusting a parameter including at least one of the wavelength widths of the exposure light,
An exposure method comprising: exposing the substrate through the pattern with the exposure light after adjusting the parameters.
前記光学系の開口数、前記光学系の波面収差、前記パターンを照明する照明光学系のコヒーレンスファクタ、前記露光光の中心波長、及び前記露光光の波長幅の少なくとも一つのパラメータを調整するパラメータ調整手段を備え、
前記パターンが請求項11から請求項15のいずれか一項に記載のパターンデータ処理システムによって作成されたマスクパターンであるときに、前記パラメータ調整手段は、前記マスクパターン設計手段で用いられた前記第1パラメータの値に基づいて、前記少なくとも一つのパラメータを調整することを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light via a pattern and an optical system,
Parameter adjustment for adjusting at least one parameter of the numerical aperture of the optical system, the wavefront aberration of the optical system, the coherence factor of the illumination optical system that illuminates the pattern, the center wavelength of the exposure light, and the wavelength width of the exposure light With means ,
When the pattern is a mask pattern created by the pattern data processing system according to any one of claims 11 to 15, the parameter adjusting means is the first used by the mask pattern designing means . An exposure apparatus that adjusts the at least one parameter based on a value of one parameter .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007159979A JP5077656B2 (en) | 2007-06-18 | 2007-06-18 | Pattern data processing method and system, and exposure method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007159979A JP5077656B2 (en) | 2007-06-18 | 2007-06-18 | Pattern data processing method and system, and exposure method and apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008310228A JP2008310228A (en) | 2008-12-25 |
JP5077656B2 true JP5077656B2 (en) | 2012-11-21 |
Family
ID=40237852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007159979A Active JP5077656B2 (en) | 2007-06-18 | 2007-06-18 | Pattern data processing method and system, and exposure method and apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5077656B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10151972B2 (en) | 2016-12-06 | 2018-12-11 | Toshiba Memory Corporation | Manufacturing method of photomask and recording medium |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120116329A (en) * | 2010-02-20 | 2012-10-22 | 가부시키가이샤 니콘 | Light source optimizing method, exposure method, device manufacturing method, program, exposure apparatus, lithography system, light source evaluation method, and light source modulation method |
NL2008285A (en) * | 2011-03-11 | 2012-09-12 | Asml Netherlands Bv | Method of controlling a lithographic apparatus, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and method of improving a mathematical model of a lithographic process. |
JP6108693B2 (en) | 2012-06-08 | 2017-04-05 | キヤノン株式会社 | Pattern creation method |
KR102685228B1 (en) * | 2017-03-31 | 2024-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | Pattern calculation apparatus, pattern calculation method, mask, exposure apparatus, device production method, computer program, and recording medium |
DE102017220872B4 (en) * | 2017-11-22 | 2022-02-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and system for qualifying a mask for microlithography |
US10578963B2 (en) * | 2018-04-23 | 2020-03-03 | Asml Us, Llc | Mask pattern generation based on fast marching method |
WO2021061277A1 (en) * | 2019-09-23 | 2021-04-01 | Applied Materials, Inc. | Lithography simulation and optical proximity correction |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3413984B2 (en) * | 1994-09-14 | 2003-06-09 | 株式会社日立製作所 | Photomask manufacturing method |
JPH10232484A (en) * | 1997-02-21 | 1998-09-02 | Toppan Printing Co Ltd | Device for designing photomask pattern and method therefor |
JP2002175969A (en) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Hitachi Ltd | Method of testing pattern and data processing system |
JP2003264140A (en) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Nikon Corp | Method for approximating eid function in charged particle beam exposure apparatus, method for correcting approximation effect and method for deciding reticle pattern |
JP2004053683A (en) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Fujitsu Ltd | Method and apparatus for managing pattern forming process |
JP4247104B2 (en) * | 2003-12-18 | 2009-04-02 | 株式会社東芝 | Pattern verification method, pattern verification system |
JP2005215588A (en) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Sony Corp | Method for manufacturing phase shift mask and phase shift mask |
JP4351928B2 (en) * | 2004-02-23 | 2009-10-28 | 株式会社東芝 | Mask data correction method, photomask manufacturing method, and mask data correction program |
JP2007103841A (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
JP2007140485A (en) * | 2005-10-18 | 2007-06-07 | Sharp Corp | Parameter extracting device and parameter extracting method in simulation, mask pattern data created by the method, photomask created from the mask pattern data, and semiconductor device |
-
2007
- 2007-06-18 JP JP2007159979A patent/JP5077656B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10151972B2 (en) | 2016-12-06 | 2018-12-11 | Toshiba Memory Corporation | Manufacturing method of photomask and recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008310228A (en) | 2008-12-25 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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