JP5068021B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、アクティブマトリックス型の表示装置に関する。特に表示領域と同じ基板上に駆動回路を形成した駆動回路一体型の表示装置に好適なものである。
画素部にスイッチング素子を備えた、TFT(Thin Film Transistor)方式の液晶表示装置は、パソコン等の表示装置として広く使用されている。また、TFT方式の表示装置は、携帯装置等の表示装置にも利用されている。携帯装置に用いられるの表示装置は、従来の液晶表示装置に比べて、さらに小型で、低消費電力な性能を要求されている。
小型化に有効な構造を有する表示装置として、画素部を形成した基板上に、画素部に信号を供給する駆動回路をも形成する所謂駆動回路一体型の表示装置が知られている。
表示装置に回路を内蔵する場合、内部回路の電圧レベルと、外部装置からの入力信号の電圧レベルとが異なるという問題が生じる。この問題の解決のために電圧レベルを変換するレベルシフト回路が用いられる。
特許文献1には、駆動回路一体型の表示装置において用いられるレベルシフト回路の記載がある。
特開2003−302946号公報
駆動回路一体型の表示装置において、駆動回路をポリシリコントランジスタで構成する場合に、ポリシリコントランジスタはしきい値が高く、また、そのバラツキも大きいため、通常のシリコントランジスタで使用されているレベルシフト回路では動作しないという問題があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、小型の表示装置において、最適な駆動回路を実現する技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
同一基板上に画素電極と、画素電極に映像信号を供給するスイッチング素子と、スイッチング素子に映像信号を供給する駆動回路とを有し、駆動回路はレベルシフト回路を有し、レベルシフト回路はトランジスタを有し、トランジスタをオン状態として、ソース端子に入力信号を入力し、入力信号がロウレベルの場合にドレイン端子はロウレベルとなり、入力信号がしきい値以下のハイレベルの場合でも、ドレイン端子はしきい値以上の電圧をハイレベルとして出力する。
ポリシリコンを半導体層に用いた駆動回路において、駆動回路を構成するトランジスタのしきい値より低電圧の入力信号を使用することが可能となる。
表示パネルを有する表示装置であって、表示パネルに画素電極をマトリクス状に設け、該画素電極毎に映像信号を供給するようにスイッチング素子を設ける。また表示パネルには、スイッチング素子に映像信号を供給する映像信号線と、スイッチング素子のオン・オフを制御する走査信号を供給する走査信号線と、映像信号線に映像信号を供給する駆動回路とを設ける。
表示パネルの入力部にはレベルシフト回路としてトランジスタを設け、トランジスタのドレイン端子には抵抗を接続し、抵抗を介してドレイン端子に電圧を供給する。また、トランジスタのゲート端子にはトランジスタがオン状態となるように電圧を供給して、トランジスタをオン状態とし、トランジスタのソース端子には入力信号を入力する。
オン状態のトランジスタでは、入力信号がロウレベルの場合には、トランジスタに流れる電流によりドレイン端子に接続した抵抗で電圧降下が生じてドレイン端子からロウレベルが出力する。ソース端子にハイレベルの入力信号が入力した場合には、入力信号によりソース端子の電圧が上昇し、トランジスタに流れる電流が減少することで、電圧降下が減少してドレイン端子からハイレベルの電圧を出力する。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図1は、本発明の実施例の表示装置の基本構成を示すブロック図である。同図に示すように、表示装置100は、表示パネル1と、制御回路3とから構成される。
表示パネル1は、透明なガラス、またはプラスチック等の絶縁基板や、半導体基板からなる素子基板2を備えている。素子基板2には、マトリクス状に画素8が配置され表示領域9が形成されている。(図1では図が複雑になることを避け、1個の画素を記載し他は省略している。)画素8には画素電極11、スイッチング素子10、メモリ素子40が設けられる。
表示領域9の周辺には、素子基板2の端辺に沿って駆動回路部5が形成されている。駆動回路部5は素子基板2にスイッチング素子10と同様の工程で形成される。
駆動回路部5からは走査信号線20が表示領域に伸びていて、走査信号線20はスイッチング素子10の制御端子と電気的に接続している。そして駆動回路部5は、走査信号線20にスイッチング素子10をオン・オフする制御信号(走査信号とも呼ぶ)を出力する。
また、駆動回路部5からは映像信号線25が表示領域9に伸びており、映像信号線25はスイッチング素子10の入力端子に接続している。映像信号線25には駆動回路部5から、映像信号が出力し、走査信号によりオン状態となったスイッチング素子10を介して、映像信号が画素電極11に書き込まれる。
表示パネル1には、フレキシブル基板30が接続しており、フレキシブル基板30には制御回路3が搭載されている。制御回路3は駆動回路部5に設けられた駆動回路を制御する機能を有しており、表示パネル1にフレキシブル基板30を介して制御信号及び、映像信号等を供給する。
フレキシブル基板30には表示用配線31が設けられており、入力端子35を介して表示パネル1に電気的に接続している。表示用配線31を介して制御回路3から表示パネル1を制御する信号が供給される。
駆動回路部5にはレベルシフト回路50が設けられており、制御回路3から入力する映像信号、制御信号の電圧レベルを変換する。
次に、図2を用いてレベルシフト回路50を説明する。レベルシフト回路50はトランジスタ51とインバータ62から構成される。図2のトランジスタ51はn型トランジスタを示しているが、p型トランジスタでも極性を逆転することで同様のレベルシフト回路50を形成することが可能である。
トランジスタ51のドレイン端子53には、ドレイン抵抗55が接続され、ドレイン抵抗55を介してドレイン端子53には電源電圧Vddが電源線61から供給されている。なお、ドレイン抵抗55の抵抗値をRdで表す。
トランジスタ51のゲート端子52はトランジスタ51のしきい値Vth以上の電圧が供給されており、トランジスタ51はオン状態となっている。図2ではn型トランジスタであることからゲート端子52には電源電圧Vddが印加されている。
トランジスタ51のソース端子54にはソース抵抗56が接続されている。ソース抵抗の1方の端部は接地電位に接続されている。また、ソース端子54には入力端子57が接続され入力信号が入力する。
ドレイン端子53にはインバータ回路62が2段接続されており、トランジスタ51の出力を電力増幅している。
前述したように、トランジスタ51はオン状態であり、トランジスタ51には電流が流れている。ドレイン端子53に流れ込む電流をIdとすると、ドレイン端子53の電圧は、Vdd−(Rd×Id)で表される。
入力端子57に入力する信号がロウレベルの場合に、Vdd−(Rd×Id)<Vthとなるようにすることで、ドレイン端子53からはしきい値Vth以下の電圧が出力することになる。
次に、入力端子57に入力信号のハイレベルの電圧が入力した場合に、入力信号のハイレベルがしきい値Vth以下の場合でも、ソース端子54の電圧が上昇することで、トランジスタ51を流れる電流が減少し、ドレイン電流Idが減少する。
このとき、Vdd−(Rd×Id')<Vthとなるような抵抗値Rdに、ドレイン抵抗55を形成すると、ドレイン端子53からインバータ回路62や内蔵の駆動回路部5を構成するトランジスタのしきい値Vth以上の電圧が出力することとなる。
図2に示すレベルシフト回路50を用いることで、ハイレベルが内部回路のしきい値Vthよりも低電圧の入力信号が入力する場合でも、内部回路を駆動可能な値に電圧レベルを変換することが可能である。
また、低電圧出力の制御装置3の場合でもレベルシフト回路50を表示パネル1側に設けることができると、制御回路3側が表示パネル1に合せて出力回路やレベルシフト回路を用意する必要がなく、回路設計上での柔軟性が向上する。
ただし、図2に記載のレベルシフト回路50では、ドレイン抵抗53の値により回路の動作点が決まることになる。ポリシリトランジスタではしきい値電圧Vthが高く、また、ばらつきも大きいため、トランジスタに流れる電流により入力信号がロウレベルのときでも出力電圧がハイレベルのままや、逆に入力信号がハイレベルの場合でも、出力電圧がハイレベルにまで上がらずにロウレベルとなることがある。
これは、レベルシフト回路50の動作点によるものであり、入力信号がハイレベルで出力信号がロウレベルとなる場合には、ドレイン抵抗55を大きくして電圧低下分を増加させて出力電圧がロウレベルに落ちるようにすることで問題を解消できる。
また、トランジスタ51のしきい値が変動して、入力信号がロウレベルで出力信号がハイレベルとなる時は、ドレイン抵抗55を小さくすることで、出力電圧はハイレベルとすることができる。
このようにドレイン抵抗55の値を調節することで、しきい値Vthのばらつきにより生じる問題を解消することが可能であるが、多数のレベルシフト回路毎にドレイン抵抗55を調節することは困難である。
そこで、図3に示す回路のようにしきい値Vthのばらつきに対応する回路を用いることとした。
図3は、1つの入力信号に対して、ドレイン抵抗55の抵抗値が異なる複数(n個)のレベルシフト回路50を備えたものである。
レベルシフト回路50−1はドレイン抵抗55−1を有し、レベルシフト回路50−2はドレイン抵抗55−2を有し、レベルシフト回路50−nはドレイン抵抗55−nを有している。
n個のレベルシフト回路50は値の異なるドレイン抵抗55を有しているので、n個の動作点を有するレベルシフト回路に入力信号が入力することとなる。
レベルシフト回路63はソース端子54に入力信号のハイレベルHinが印加されている点が異なるが、レベルシフト回路50と同様の構成をしている。レベルシフト回路63はソース端子54に入力信号のハイレベルHinが印加されているので、出力電圧はハイレベルを出力することになるが、ドレイン抵抗55による出力電圧がしきい値を超えてないものは、ロウレベルの電圧を出力することとなる。
すなわち、しきい値等のバラツキにより動作点がしきい値を超えないドレイン抵抗55を有するレベルシフト回路63は、ロウレベルの電圧を出力することになる。よって動作が不良なレベルシフト回路63はロウレベルを出力し、動作が良好なレベルシフト回路63はハイレベルを出力する。
同様にレベルシフト回路64のソース端子54には入力信号のロウレベルLinが印加されている。そのため、しきい値等のバラツキにより動作点がしきい値を超えるドレイン抵抗55を有するレベルシフト回路64は、ハイレベルの電圧を出力することになる。よって動作が不良なレベルシフト回路64はハイレベルを出力し、動作が良好なレベルシフト回路64はロウレベルを出力する。
動作の良好なレベルシフト回路63からはハイレベルが出力し、動作が良好なレベルシフト回路64からはロウレベルが出力するので、各出力を排他的論理和回路65で演算すると、入力信号がロウレベルとハイレベルとで動作点が良好なレベルシフト回路を選別することが可能となる。
レベルシフト回路50とレベルシフト回路63、64のドレイン抵抗55を同じ値にし、基板上の近接した位置に形成して各レベルシフト回路の特性を揃えると、レベルシフト回路50の内で、正しく動作しているものを選別して出力を取り出すことができる。
図3では、排他的論理和回路65の出力をアンド回路66で上側の排他的論理和回路65の反転出力と演算をして選別している。
上側の出力を反転しているので、上側から下側に向けてドレイン抵抗55の値を減少させている場合には、レベルシフト回路63、64が初めに良好動作となるドレイン抵抗55を有するレベルシフト回路50を選別することとなる。
なお、符号67はクロックインバータで、アンド回路66の出力側からの入力がハイレベルの場合にインバータとして動作し、ロウレベルの場合にはハイインピーダンスとなる。
図3ではn個のレベルシフト回路50を並列に並べたが、並べる数nは2か3でも十分に実用的である。n=3の場合は設定した動作領域と、動作点が上側にずれた場合と、下にずれた場合の3つの動作点の回路を設けることになる。
また、n=2の場合は、しきい値が上側にずれる場合の対策回路と、下側にずれる場合の対策回路とに分けられるが、図4はしきい値が低電圧側にずれる場合を対策するものである。
図4のレベルシフト回路63のソース端子54には入力信号のハイレベルが印加されている。レベルシフト回路60−1とレベルシフト回路63にはドレイン抵抗55−1が接続されている。また、レベルシフト回路60−2に接続したドレイン抵抗55−2は、ドレイン抵抗55−1よりも小さな値としている。
ドレイン抵抗55−1を接続したレベルシフト回路63が、入力信号のハイレベルで正常動作する場合は、レベルシフト回路63はハイレベルを出力するので、クロックドインバータ67-Uによりレベルシフト回路60−1が選択される。
トランジスタ51のしきい値が低電圧側に変動した場合には、トランジスタ51を流れる電流が増加する。そのため、ドレイン抵抗55−1での電圧降下が増加し、レベルシフト回路63はロウレベルを出力するので、クロックドインバータ67-Dによりレベルシフト回路60−2が選択される。
レベルシフト回路60−2はドレイン抵抗55−2が小さく動作点が高く設定され、ドレイン抵抗55−2での電圧降下が小さいため、トランジスタ51のしきい値が低電圧側に変動した場合でも、ハイレベルを出力することが可能である。
次に図5にしきい値が高電圧側にずれる場合の対策回路を示す。図5のレベルシフト回路64のソース端子54には入力信号のロウレベルが印加されている。レベルシフト回路60−1とレベルシフト回路64にはドレイン抵抗55−1が接続されている。また、レベルシフト回路60−3に接続したドレイン抵抗55−3は、ドレイン抵抗55−1よりも大きな値としている。
ドレイン抵抗55−1が接続されたレベルシフト回路63−1が入力信号のロウレベルで正常動作する場合は、レベルシフト回路60−1が選択される。
しきい値が高く変動した場合には、ドレイン抵抗55−3が大きく動作点が低く設定されたレベルシフト回路60−3が選択されることになる。
図2から図5に示したレベルシフト回路50では、しきい値が大きく、またバラツク等の問題がある回路でも、正常に動作するレベルシフト回路を実現することができる。ただし前述したように、トランジスタ51はオン状態で使用されるため、消費電力が大きくなるという問題を有している。
図6に消費電力を抑えた回路を示す。図6に示す回路はイネーブル端子59を備えており、外部からイネーブル信号を受けた場合にトランジスタ51をオン状態とするようになっている。
図1に示す入力端子35にイネーブル端子59に接続するイネーブル入力端子を設けることで、信号入力と同期してトランジスタ51をオン状態とすることができ、消費電力を抑えることが可能となる。
本実施例によれば、しきい値が大きく、さらに、バラツクという問題を有する回路であっても、回路内に低電圧入力信号に対応したレベルシフト回路を設けることが可能となる。
本発明の実施例の表示装置を示す概略ブロック図である。 本発明の実施例のレベルシフト回路を示す概略回路図である。 本発明の実施例のレベルシフト回路を示す概略回路図である。 本発明の実施例のレベルシフト回路を示す概略回路図である。 本発明の実施例のレベルシフト回路を示す概略回路図である。 本発明の実施例のレベルシフト回路を示す概略回路図である。
符号の説明
1…表示パネル、2…表示領域、3…コントローラ、5…駆動回路、8…画素部、10…スイッチング素子(薄膜トランジスタ)11…画素電極、12…対向電極、20…走査信号線、25…映像信号線、30…フレキシブルプリント基板、50…レベルシフト回路、51…トランジスタ、52…ゲート端子、53…ドレイン端子、54…ソース領域、55…ドレイン抵抗、56…ソース抵抗、57…入力端子、58…入力信号ハイレベル端子、59…イネーブル端子、60…入力レベルシフト回路、61…電源電圧線、62…インバータ回路、63…ハイレベル用レベルシフト回路、64…ロウレベル用レベルシフト回路、65…排他的論理和回路、66…アンド回路、67…クロックドインバータ回路、69…イネーブル回路、100…表示装置。

Claims (4)

  1. 表示パネルと、
    上記表示パネルに形成された駆動回路と、
    上記駆動回路に設けられたレベルシフト回路と、を備え、
    上記レベルシフト回路は、
    トランジスタと、
    上記トランジスタのドレイン端子に接続されたドレイン抵抗と、
    上記トランジスタのドレイン端子に前記ドレイン抵抗を介して接続され、高電圧が印加される高電圧線と、
    上記トランジスタのソース端子に接続された入力信号線と、を有し、
    上記トランジスタのゲート端子には、上記トランジスタを導通させる電圧が印加され、
    上記トランジスタのしきい値電圧以下のハイレベル電圧が上記入力信号線に入力されることにより、ドレイン端子上記しきい値電圧以上の電圧を出力することを特徴とする表示装置。
  2. 上記レベルシフト回路は、
    上記トランジスタのソース端子に接続されたソース抵抗と、
    上記トランジスタのソース端子に前記ソース抵抗を介して接続され、低電圧が印加される低電圧線と、を更に有する、ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  3. 請求項1又は2に記載のレベルシフト回路である第1レベルシフト回路及び第2レベルシフト回路と、
    上記第1レベルシフト回路と上記第2レベルシフト回路とを切替えるスイッチング回路と、を備え、
    上記第1レベルシフト回路の上記ドレイン抵抗の抵抗値と、上記第2レベルシフト回路の上記ドレイン抵抗の抵抗値とは異なっている、ことを特徴とする表示装置。
  4. 請求項1に記載のレベルシフト回路である第3レベルシフト回路を更に備え、
    上記スイッチング回路には、上記第3レベルシフト回路の出力が入力され、
    上記第3レベルシフト回路の上記トランジスタのしきい値がシフトすることにより上記第3レベルシフト回路の出力が変化し、上記第1レベルシフト回路と上記第2レベルシフト回路とを切替える、ことを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
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