JP5066011B2

JP5066011B2 - Polishing equipment

Info

Publication number: JP5066011B2
Application number: JP2008161254A
Authority: JP
Inventors: 正也関; 圭瑞高橋; 宏明草; 賢也伊藤
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2007-07-18
Filing date: 2008-06-20
Publication date: 2012-11-07
Anticipated expiration: 2028-06-20
Also published as: JP2009039853A; TW200911453A; TWI433754B

Description

本発明は、半導体ウエハなどの基板を研磨する研磨装置に関し、特に研磨テープを用いて基板のノッチ部を研磨する研磨装置に関するものである。 The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a substrate such as a semiconductor wafer, and more particularly to a polishing apparatus for polishing a notch portion of a substrate using a polishing tape.

半導体製造における歩留まり向上の観点から、半導体ウエハの周縁部の表面状態の管理が近年注目されている。半導体製造工程では、多くの材料がウエハ上に成膜され、積層されていくため、製品には使用されない周縁部には不必要な材料や表面荒れが形成される。近年では、ウエハの周縁部のみをアームで保持してウエハを搬送する方法が一般的になってきている。このような背景のもとでは、周縁部に残存した不要物質が種々の工程を経ていく間に剥離してデバイス表面に付着し、歩留まりを低下させてしまう。そこで、研磨装置を用いて、ウエハの周縁部を研磨して不要な銅膜や表面荒れを除去することが従来から行われている。 In recent years, management of the surface state of the peripheral portion of a semiconductor wafer has attracted attention from the viewpoint of improving the yield in semiconductor manufacturing. In the semiconductor manufacturing process, many materials are deposited on a wafer and stacked, so that unnecessary materials and surface roughness are formed on the peripheral portions that are not used in products. In recent years, a method of carrying a wafer by holding only the peripheral edge of the wafer with an arm has become common. Under such a background, unnecessary substances remaining at the peripheral edge are peeled off and adhered to the surface of the device during various processes, thereby reducing the yield. Therefore, it has been conventionally performed to remove unnecessary copper film and surface roughness by polishing the peripheral portion of the wafer using a polishing apparatus.

基板の周縁部には、一般に、ベベル部とノッチ部が形成される。ベベル部とは、基板の周縁部において角取りされた部分であり、基板の欠けやパーティクルの発生などを防止するためのものである。ノッチ部とは、基板の方向（周方向の位置）を特定しやすくするために基板の周縁に形成された切り欠きである。以下、基板のノッチ部の研磨に用いられる従来の研磨装置について説明する。 In general, a bevel portion and a notch portion are formed in the peripheral portion of the substrate. The bevel portion is a portion rounded off at the peripheral portion of the substrate, and is intended to prevent chipping of the substrate and generation of particles. The notch portion is a notch formed at the periphery of the substrate in order to easily specify the direction of the substrate (position in the circumferential direction). Hereinafter, a conventional polishing apparatus used for polishing the notch portion of the substrate will be described.

この種の研磨装置は、研磨テープにテンション（張力）を付与した状態で該研磨テープの研磨面を基板のノッチ部に摺接させることで該ノッチ部を研磨する。研磨中、研磨テープはノッチ部の形状に沿って変形するため、研磨テープの幅全体がノッチ部に密着する。しかしながら、研磨テープのテンションの大きさや研磨テープの曲げ反発力の大きさによっては、研磨テープがノッチ部の一部のみと接触し、ノッチ部全体を研磨するためには多くの時間を必要としていた。 This type of polishing apparatus polishes the notch portion by bringing the polishing surface of the polishing tape into sliding contact with the notch portion of the substrate in a state where tension is applied to the polishing tape. During polishing, the polishing tape is deformed along the shape of the notch, so that the entire width of the polishing tape is in close contact with the notch. However, depending on the magnitude of the tension of the polishing tape and the bending repulsion force of the polishing tape, the polishing tape contacts only a part of the notch part, and it takes a lot of time to polish the entire notch part. .

特許文献１（特開２００４−２４１４３４号公報）には、円盤状のローラを研磨テープの裏側から押圧することで基板のノッチ部を研磨する研磨装置が開示されている。しかしながら、この研磨装置では、研磨テープの移動に伴って上記ローラが回転するため、研磨テープがローラに対して横ずれすることがある。また、ローラの外周の長さは、ローラごとに僅かに異なる場合があり、この寸法誤差のために研磨テープの張力が一定にならないという問題があった。 Japanese Patent Laid-Open No. 2004-241434 discloses a polishing apparatus that polishes a notch portion of a substrate by pressing a disk-shaped roller from the back side of the polishing tape. However, in this polishing apparatus, since the roller rotates as the polishing tape moves, the polishing tape may shift laterally with respect to the roller. In addition, the length of the outer circumference of the roller may be slightly different for each roller, and this dimensional error has caused a problem that the tension of the polishing tape is not constant.

特開２００４−２４１４３４号公報JP 2004-241434 A 特開２００６−３０３１１２号公報JP 2006-303112 A ＷＯ２００６−１１２５３０公報WO2006-112530 特開２００３−７７８７２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-77872 特開２００３−２３４３１４号公報JP 2003-234314 A 特開２００４−９８２１８号公報JP 2004-98218 A 特開２００２−９３７５５号公報JP 2002-93755 A ＷＯ２００６−０４１１９６公報WO2006-041196 特開２００１−２３９４４５号公報JP 2001-239445 A 特開２００１−３４７４４４号公報JP 2001-347444 A 特許第３０８１１４０号公報Japanese Patent No. 3081140 特許第３３９１００１号公報Japanese Patent No. 3391001

本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、研磨テープを基板のノッチ部全体に押し当てることができ、かつ研磨テープに対してパッドが横にずれることがない研磨装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a polishing apparatus capable of pressing the polishing tape against the entire notch portion of the substrate and preventing the pad from shifting laterally with respect to the polishing tape. The purpose is to do.

上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、研磨テープの研磨面と基板とを相対移動させることにより基板のノッチ部を研磨する研磨装置において、基板を保持する基板保持部と、前記研磨テープをその長手方向に送るテープ送り機構と、前記研磨テープを基板のノッチ部に押圧する研磨ヘッドとを備え、前記研磨ヘッドは、前記研磨テープの進行方向をガイドするガイド部材と、前記研磨テープの裏側に配置された、ループ形状を有するバックパッドとを有し、前記バックパッドは、前記ループ形状を維持しつつ、その長手方向に進行可能なように、複数の滑車で保持されていることを特徴とする。 In order to achieve the above-described object, one aspect of the present invention provides a substrate holding unit that holds a substrate in a polishing apparatus that polishes a notch portion of a substrate by relatively moving a polishing surface of a polishing tape and a substrate; a tape feeding mechanism for sending the polishing tape in its longitudinal direction, and a polishing head for pressing the polishing tape notch portion of the substrate, said polishing head, the traveling direction of the polishing tape and the guide to Ruga id member A back pad having a loop shape disposed on the back side of the polishing tape, and the back pad is held by a plurality of pulleys so as to be able to advance in the longitudinal direction while maintaining the loop shape. It is characterized by being.

本発明の好ましい態様は、前記バックパッドは、同心状に配置された複数の円筒部材から構成されることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数の滑車のうちの少なくとも１つは移動可能に構成された可動滑車であり、該可動滑車を移動させることにより前記バックパッドのテンションが調整されることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記研磨ヘッドを、前記研磨テープの前記進行方向に沿って往復運動させる往復運動機構をさらに備えたことを特徴とする。 In a preferred aspect of the present invention, the back pad includes a plurality of cylindrical members arranged concentrically.
In a preferred aspect of the present invention, at least one of the plurality of pulleys is a movable pulley configured to be movable, and the tension of the back pad is adjusted by moving the movable pulley. To do.
In a preferred aspect of the present invention, the polishing head further includes a reciprocating mechanism that reciprocates the polishing head along the traveling direction of the polishing tape.

本発明の他の態様は、研磨テープの研磨面と基板とを相対移動させることにより基板のノッチ部を研磨する研磨装置において、基板を保持する基板保持部と、前記研磨テープをその長手方向に送るテープ送り機構と、前記研磨テープを基板のノッチ部に押圧する研磨ヘッドとを備え、前記研磨ヘッドは、前記研磨テープの進行方向をガイドするガイド部材と、前記研磨テープの裏面側に配置された、直線状に延びるバックパッドとを有し、前記バックパッドは、異なる複数の横断面形状を有し、前記ガイド部材によってガイドされた前記研磨テープの進行方向と略平行に配置されることを特徴とする。 Another aspect of the present invention is a polishing apparatus for polishing a notch portion of a substrate by relatively moving the polishing surface of the polishing tape and the substrate, and a substrate holding portion for holding the substrate, and the polishing tape in the longitudinal direction. A tape feeding mechanism for feeding, and a polishing head for pressing the polishing tape against the notch portion of the substrate, the polishing head being disposed on the back side of the polishing tape, a guide member for guiding the traveling direction of the polishing tape A back pad extending linearly, and the back pad has a plurality of different cross-sectional shapes and is arranged substantially parallel to the traveling direction of the polishing tape guided by the guide member. Features.

本発明の好ましい態様は、前記複数の横断面形状のうちの少なくとも１つは、ノッチ部の形状に沿った形状を有することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数の横断面形状のうちの少なくとも１つは、円弧状の形状を有することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記研磨ヘッドを、前記研磨テープの前記進行方向に沿って往復運動させる往復運動機構をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の他の態様は、研磨テープの研磨面と基板とを相対移動させることにより基板のノッチ部を研磨する研磨装置において、基板を保持する基板保持部と、前記研磨テープをその長手方向に送るテープ送り機構と、前記研磨テープを基板のノッチ部に押圧する研磨ヘッドとを備え、前記研磨ヘッドは、前記研磨テープの進行方向をガイドするガイド部材と、前記研磨テープの裏面側に配置された、直線状に延びるバックパッドと、前記バックパッドが固定される支持部材と、前記支持部材を、その一端または該一端近傍の点を中心として回転可能とする支点構造と、前記支持部材の他端を前記研磨テープに向かって押圧する押圧部材とを備え、前記バックパッドは、前記ガイド部材によってガイドされた前記研磨テープの進行方向と略平行に配置されることを特徴とする。 In a preferred aspect of the present invention, at least one of the plurality of cross-sectional shapes has a shape along the shape of the notch portion.
In a preferred aspect of the present invention, at least one of the plurality of cross-sectional shapes has an arc shape.
In a preferred aspect of the present invention, the polishing head further includes a reciprocating mechanism that reciprocates the polishing head along the traveling direction of the polishing tape.
Another aspect of the present invention is a polishing apparatus for polishing a notch portion of a substrate by relatively moving the polishing surface of the polishing tape and the substrate, and a substrate holding portion for holding the substrate, and the polishing tape in the longitudinal direction. A tape feeding mechanism for feeding, and a polishing head for pressing the polishing tape against the notch portion of the substrate, the polishing head being disposed on the back side of the polishing tape, a guide member for guiding the traveling direction of the polishing tape A back pad extending linearly; a support member to which the back pad is fixed; a fulcrum structure that allows the support member to rotate about one end thereof or a point near the one end; and a pressing member for pressing against an end to the abrasive tape, wherein the back pad is substantially parallel to the traveling direction of the polishing tape that has been guided by the guide member Characterized in that it is arranged.

本発明の他の態様は、研磨テープの研磨面と基板とを相対移動させることにより基板のノッチ部を研磨する研磨装置において、基板を保持する基板保持部と、前記研磨テープをその長手方向に送るテープ送り機構と、前記研磨テープを基板のノッチ部に押圧する研磨ヘッドとを備え、前記研磨ヘッドは、前記研磨テープの進行方向をガイドするガイド部材と、前記研磨テープの裏面側に配置された、直線状に延びるバックパッドと、前記バックパッドが固定される支持部材と、前記支持部材を前記研磨テープに向かって押圧する複数の押圧部材とを備え、前記バックパッドは、前記ガイド部材によってガイドされた前記研磨テープの進行方向と略平行に配置されることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記支持部材の可動方向を、前記研磨テープに向かう方向に規制するガイド機構をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記支持部材および前記押圧部材を覆うカバーを備えたことを特徴とする。 Another aspect of the present invention is a polishing apparatus for polishing a notch portion of a substrate by relatively moving the polishing surface of the polishing tape and the substrate, and a substrate holding portion for holding the substrate, and the polishing tape in the longitudinal direction. A tape feeding mechanism for feeding, and a polishing head for pressing the polishing tape against the notch portion of the substrate, the polishing head being disposed on the back side of the polishing tape, a guide member for guiding the traveling direction of the polishing tape A back pad extending linearly; a support member to which the back pad is fixed; and a plurality of pressing members that press the support member toward the polishing tape. The back pad is supported by the guide member. It is characterized by being arranged substantially parallel to the direction of travel of the guided abrasive tape .
In a preferred aspect of the present invention, the guide member further includes a guide mechanism for restricting a movable direction of the support member to a direction toward the polishing tape.
In a preferred aspect of the present invention, a cover for covering the support member and the pressing member is provided.

本発明の他の態様は、基板を保持する基板保持部と、基板に研磨テープを押し当てて基板の周縁部を研磨する第１の研磨ユニットと、基板に研磨テープを押し当てて基板の周縁部を研磨する第２の研磨ユニットと、前記第１の研磨ユニットおよび前記第２の研磨ユニットを収容するハウジングとを備え、前記第１の研磨ユニットは上記研磨ヘッドを有し、前記第１の研磨ユニットおよび前記第２の研磨ユニットは、前記基板保持部に保持された基板の表面と平行に移動可能に構成されていることを特徴とする研磨装置である。 Another aspect of the present invention includes a substrate holding unit that holds a substrate, a first polishing unit that presses a polishing tape against the substrate to polish the peripheral portion of the substrate, and a peripheral edge of the substrate that presses the polishing tape against the substrate. A second polishing unit for polishing a portion, and a housing for housing the first polishing unit and the second polishing unit, wherein the first polishing unit has the polishing head, and the first polishing unit The polishing apparatus is characterized in that the polishing unit and the second polishing unit are configured to be movable in parallel with the surface of the substrate held by the substrate holding unit.

本発明の好ましい態様は、前記第２の研磨ユニットは、上記研磨ヘッドを有することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第２の研磨ユニットは、前記研磨テープを基板のベベル部に押し当てて該ベベル部を研磨する研磨ヘッドを有することを特徴とする。 In a preferred aspect of the present invention, the second polishing unit includes the polishing head.
In a preferred aspect of the present invention, the second polishing unit includes a polishing head that presses the polishing tape against a bevel portion of a substrate to polish the bevel portion.

本発明の他の態様は、上記研磨装置と、上記研磨装置により研磨された基板を洗浄する洗浄モジュールとを備えたことを特徴とする基板処理装置である。 Another aspect of the present invention is a substrate processing apparatus comprising the polishing apparatus and a cleaning module that cleans a substrate polished by the polishing apparatus.

本発明によれば、バックパッドにより研磨テープの研磨面をノッチ部全体に摺接させることができるので、研磨速度を向上させることができる。また、２つのガイド部材により研磨テープの進行方向がガイドされるので、研磨テープに対してバックパッドが横にずれることが防止できる。 According to the present invention, the polishing surface of the polishing tape can be brought into sliding contact with the entire notch portion by the back pad, so that the polishing rate can be improved. Moreover, since the advancing direction of the polishing tape is guided by the two guide members, it is possible to prevent the back pad from shifting laterally with respect to the polishing tape.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る研磨装置を示す平面図である。図２は図１に示す研磨装置の断面図である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a polishing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view of the polishing apparatus shown in FIG.

図１および図２に示すように、本実施形態に係る研磨装置は、ウエハＷを保持するためのウエハステージ２３を有するウエハステージユニット（基板保持部）２０と、ウエハステージユニット２０をウエハステージ２３の上面（ウエハ保持面）と平行な方向に移動させるためのステージ移動機構３０と、ウエハステージ２３に保持されたウエハＷのノッチ部Ｖを研磨するノッチ研磨ユニット４０とを備えている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the polishing apparatus according to this embodiment includes a wafer stage unit (substrate holding unit) 20 having a wafer stage 23 for holding a wafer W, and the wafer stage unit 20 as a wafer stage 23. And a notch polishing unit 40 for polishing the notch portion V of the wafer W held on the wafer stage 23.

ウエハステージユニット２０、ステージ移動機構３０、ノッチ研磨ユニット４０は、ハウジング１１内に収容されている。このハウジング１１は仕切板１４によって２つの空間、すなわち上室（研磨室）１５と下室（機械室）１６とに区画されている。上述したウエハステージ２３およびノッチ研磨ユニット４０は上室１５内に配置され、ステージ移動機構３０は下室１６内に配置されている。上室１５の側壁には開口部１２が形成されており、この開口部１２は図示しないエアシリンダにより駆動されるシャッター１３により閉じられる。 Wafer stage unit 20, stage moving mechanism 30, and notch polishing unit 40 are accommodated in housing 11. The housing 11 is divided into two spaces, that is, an upper chamber (polishing chamber) 15 and a lower chamber (machine chamber) 16 by a partition plate 14. The wafer stage 23 and the notch polishing unit 40 described above are disposed in the upper chamber 15, and the stage moving mechanism 30 is disposed in the lower chamber 16. An opening 12 is formed in the side wall of the upper chamber 15, and the opening 12 is closed by a shutter 13 driven by an air cylinder (not shown).

ウエハＷは、開口部１２を通じてハウジング１１の内外に搬入および搬出される。ウエハＷの搬送は、搬送ロボットのような既知のウエハ搬送機構（図示せず）により行われる。ウエハステージ２３の上面には複数の溝２６が形成されている。ウエハステージ２３の下部には、垂直に延びる第１の中空シャフト２７Ａが固定されており、溝２６は第１の中空シャフト２７Ａおよびパイプ３１を介して図示しない真空ポンプに連通している。 The wafer W is carried into and out of the housing 11 through the opening 12. The wafer W is transferred by a known wafer transfer mechanism (not shown) such as a transfer robot. A plurality of grooves 26 are formed on the upper surface of the wafer stage 23. A vertically extending first hollow shaft 27A is fixed to the lower portion of the wafer stage 23, and the groove 26 communicates with a vacuum pump (not shown) via the first hollow shaft 27A and a pipe 31.

第１の中空シャフト２７Ａは軸受２８によって回転可能に支持され、さらにプーリｐ１，ｐ２およびベルトｂ１を介してモータｍ１に連結されている。第１の中空シャフト２７Ａはロータリージョイント３２を介してパイプ３１に接続されている。真空ポンプを駆動すると、溝２６に真空が形成され、これによりウエハＷがウエハステージ２３の上面に保持される。ウエハＷは、ウエハステージ２３の上面に保持された状態でモータｍ１により回転する。すなわち、本実施形態では、モータｍ１、プーリｐ１，ｐ２、ベルトｂ１および第１の中空シャフト２７Ａにより、ウエハステージ２３を回転させるステージ回転機構が構成される。 The first hollow shaft 27A is rotatably supported by a bearing 28, and is connected to the motor m1 via pulleys p1 and p2 and a belt b1. The first hollow shaft 27 A is connected to the pipe 31 via the rotary joint 32. When the vacuum pump is driven, a vacuum is formed in the groove 26, whereby the wafer W is held on the upper surface of the wafer stage 23. The wafer W is rotated by the motor m1 while being held on the upper surface of the wafer stage 23. That is, in the present embodiment, a stage rotating mechanism that rotates the wafer stage 23 is configured by the motor m1, the pulleys p1 and p2, the belt b1, and the first hollow shaft 27A.

上記パイプ３１は第２の中空シャフト２７Ｂの内部を通って上記真空ポンプに連結されている。この第２の中空シャフト２７Ｂは垂直に延び、第１の中空シャフト２７Ａと平行に配置されている。ウエハステージ２３の上面に保持されたウエハＷの周縁部は、第２の中空シャフト２７Ｂの延長線上に位置している。第２の中空シャフト２７Ｂは円筒状の軸台２９により回転自在に支持されている。軸台２９は、仕切板１４に形成された貫通孔１７を通って延びている。第１の中空シャフト２７Ａは旋回アーム３６を介して第２の中空シャフト２７Ｂに連結されている。 The pipe 31 is connected to the vacuum pump through the inside of the second hollow shaft 27B. The second hollow shaft 27B extends vertically and is arranged in parallel with the first hollow shaft 27A. The peripheral edge of the wafer W held on the upper surface of the wafer stage 23 is located on the extension line of the second hollow shaft 27B. The second hollow shaft 27B is rotatably supported by a cylindrical shaft base 29. The shaft base 29 extends through the through hole 17 formed in the partition plate 14. The first hollow shaft 27A is connected to the second hollow shaft 27B via the turning arm 36.

軸台２９の下端は支持板３４に固定されている。支持板３４は、第１の可動板３３Ａの下面に固定されている。第１の可動板３３Ａの上面は第１のリニアガイド３５Ａを介して第２の可動板３３Ｂの下面に連結されている。これにより、第１の可動板３３Ａは第２の可動板３３Ｂに対して相対移動が可能となっている。第２の可動板３３Ｂの上面は、第１のリニアガイド３５Ａに対して垂直に延びる第２のリニアガイド３５Ｂを介して仕切板１４の下面に連結されている。これにより、第２の可動板３３Ｂは仕切板１４に対して相対移動が可能となっている。このような配置により、第２の中空シャフト２７Ｂ、第１の中空シャフト２７Ａ、およびウエハステージ２３は、このウエハステージ２３の上面と平行な方向に移動可能となっている。 The lower end of the shaft base 29 is fixed to the support plate 34. The support plate 34 is fixed to the lower surface of the first movable plate 33A. The upper surface of the first movable plate 33A is connected to the lower surface of the second movable plate 33B via the first linear guide 35A. Thereby, the first movable plate 33A can be moved relative to the second movable plate 33B. The upper surface of the second movable plate 33B is connected to the lower surface of the partition plate 14 via a second linear guide 35B extending perpendicularly to the first linear guide 35A. As a result, the second movable plate 33 B can be moved relative to the partition plate 14. With such an arrangement, the second hollow shaft 27 B, the first hollow shaft 27 A, and the wafer stage 23 can move in a direction parallel to the upper surface of the wafer stage 23.

第１の可動板３３Ａにはボールねじｂ２が連結され、このボールねじｂ２はモータｍ２に連結されている。モータｍ２を回転させると、第１の可動板３３Ａは第１のリニアガイド３５Ａの長手方向に沿って移動する。同様に、第２の可動板３３Ｂには、図示しないボールねじが連結され、このボールねじにはモータｍ３が連結されている。モータｍ３を回転させると、第２の可動板３３Ｂは第２のリニアガイド３５Ｂの長手方向に沿って移動する。したがって、ステージ移動機構３０は、第１の可動板３３Ａ、第１のリニアガイド３５Ａ、第２の可動板３３Ｂ、第２のリニアガイド３５Ｂ、図示しないボールねじ、ボールねじｂ２、およびモータｍ２，ｍ３により構成される。なお、図２においては、ステージ移動機構３０のモータｍ２によるウエハステージ２３の移動方向を矢印Ｙで示している。 A ball screw b2 is connected to the first movable plate 33A, and this ball screw b2 is connected to a motor m2. When the motor m2 is rotated, the first movable plate 33A moves along the longitudinal direction of the first linear guide 35A. Similarly, a ball screw (not shown) is connected to the second movable plate 33B, and a motor m3 is connected to the ball screw. When the motor m3 is rotated, the second movable plate 33B moves along the longitudinal direction of the second linear guide 35B. Accordingly, the stage moving mechanism 30 includes the first movable plate 33A, the first linear guide 35A, the second movable plate 33B, the second linear guide 35B, a ball screw (not shown), the ball screw b2, and the motors m2 and m3. Consists of. In FIG. 2, the moving direction of the wafer stage 23 by the motor m2 of the stage moving mechanism 30 is indicated by an arrow Y.

支持板３４にはモータｍ４が固定されている。このモータｍ４は、プーリｐ３，ｐ４およびベルトｂ３を介して第２の中空シャフト２７Ｂに連結されている。モータｍ４は第２の中空シャフト２７Ｂを所定の角度だけ時計周りおよび反時計回りに交互に回転させるように動作する。これにより、ウエハステージ２３上のウエハＷは、上から見て第２の中空シャフト２７Ｂを中心に水平面内でスイングする。後述する研磨ポイントは第２の中空シャフト２７Ｂの延長線上に位置する。したがって、モータｍ４、プーリｐ３，ｐ４およびベルトｂ３は、研磨ポイントを中心にウエハＷを旋回させる旋回機構を構成する。 A motor m4 is fixed to the support plate. The motor m4 is connected to the second hollow shaft 27B via pulleys p3 and p4 and a belt b3. The motor m4 operates so as to alternately rotate the second hollow shaft 27B clockwise and counterclockwise by a predetermined angle. As a result, the wafer W on the wafer stage 23 swings in the horizontal plane around the second hollow shaft 27B as viewed from above. A polishing point to be described later is located on an extension line of the second hollow shaft 27B. Therefore, the motor m4, the pulleys p3 and p4, and the belt b3 constitute a turning mechanism that turns the wafer W around the polishing point.

図２に示すように、ノッチ研磨ユニット４０は、研磨テープ４１をウエハＷのノッチ部に押圧する研磨ヘッド４２と、研磨テープ４１を研磨ヘッド４２に供給する供給リール４５ａと、研磨ヘッド４２に繰り出された研磨テープ４１を巻き取る回収リール４５ｂとを備えている。供給リール４５ａおよび回収リール４５ｂは、研磨装置のハウジング１１に設けられたリール室４６に収容されている。 As shown in FIG. 2, the notch polishing unit 40 extends to the polishing head 42, a polishing head 42 that presses the polishing tape 41 against the notch portion of the wafer W, a supply reel 45 a that supplies the polishing tape 41 to the polishing head 42, and the polishing head 42. And a recovery reel 45b for winding the polished polishing tape 41. The supply reel 45a and the recovery reel 45b are accommodated in a reel chamber 46 provided in the housing 11 of the polishing apparatus.

研磨ヘッド４２は、テープ送り機構４３を有している。このテープ送り機構４３はテープ送りローラと保持ローラとを備えており、テープ送りローラと保持ローラとの間に研磨テープ４１を挟むことにより研磨テープ４１を把持し、テープ送りローラを回転させることにより研磨テープ４１を送ることができるようになっている。研磨テープ４１は、テープ送り機構４３によって供給リール４５ａから引き出され、研磨ヘッド４２に向かう。研磨ヘッド４２は研磨テープ４１の研磨面をウエハＷのノッチ部に接触させる。そして、ノッチ部と接触した後、研磨テープ４１は回収リール４５ｂに巻き取られるようになっている。図２に示すように、ウエハＷの上方および下方には研磨液供給ノズル５８がそれぞれ配置されており、研磨液や冷却水などがウエハＷに供給されるようになっている。 The polishing head 42 has a tape feeding mechanism 43. The tape feeding mechanism 43 includes a tape feeding roller and a holding roller, and holds the polishing tape 41 by sandwiching the polishing tape 41 between the tape feeding roller and the holding roller, and rotates the tape feeding roller. The polishing tape 41 can be fed. The polishing tape 41 is drawn from the supply reel 45 a by the tape feeding mechanism 43 and heads toward the polishing head 42. The polishing head 42 brings the polishing surface of the polishing tape 41 into contact with the notch portion of the wafer W. Then, after coming into contact with the notch portion, the polishing tape 41 is wound around the recovery reel 45b. As shown in FIG. 2, polishing liquid supply nozzles 58 are respectively arranged above and below the wafer W so that polishing liquid, cooling water, and the like are supplied to the wafer W.

研磨装置は、ハウジング１１内に配置されたウエハチャック機構８０を更に備えている。このウエハチャック機構８０は、上記ウエハ搬送機構によりハウジング１１内に搬入されたウエハＷを受け取ってウエハステージ２３に載置し、またウエハＷをウエハステージ２３から取り上げて上記ウエハ搬送機構に渡すように構成されている。なお、図１にはウエハチャック機構８０の一部のみが示されている。 The polishing apparatus further includes a wafer chuck mechanism 80 disposed in the housing 11. The wafer chuck mechanism 80 receives the wafer W carried into the housing 11 by the wafer transfer mechanism and places it on the wafer stage 23, and picks up the wafer W from the wafer stage 23 and passes it to the wafer transfer mechanism. It is configured. Note that only a part of the wafer chuck mechanism 80 is shown in FIG.

図３は、ウエハチャック機構のチャックハンドを示す平面図である。図３に示すように、ウエハチャック機構８０は、複数のコマ８３を有する第一のチャックハンド８１と、複数のコマ８３を有する第二のチャックハンド８２とを有している。これらの第一及び第二のチャックハンド８１，８２は、図示しない開閉機構により互いに近接および離間する方向（矢印Ｔで示す）に移動する。また、第一及び第二のチャックハンド８１，８２は、図示しないチャック移動機構によりウエハステージ２３に保持されたウエハＷの表面に垂直な方向に移動する。 FIG. 3 is a plan view showing a chuck hand of the wafer chuck mechanism. As shown in FIG. 3, the wafer chuck mechanism 80 includes a first chuck hand 81 having a plurality of tops 83 and a second chuck hand 82 having a plurality of tops 83. The first and second chuck hands 81 and 82 are moved in the direction of approaching and separating from each other (indicated by an arrow T) by an opening / closing mechanism (not shown). The first and second chuck hands 81 and 82 are moved in a direction perpendicular to the surface of the wafer W held on the wafer stage 23 by a chuck moving mechanism (not shown).

ウエハ搬送機構のハンド１００は、ウエハＷを第一及び第二のチャックハンド８１，８２の間の位置にまで搬送する。そして、第一及び第二のチャックハンド８１，８２を互いに近接する方向に移動させると、これら第一及び第二のチャックハンド８１，８２のコマ８３がウエハＷの周縁部に接触する。これにより、ウエハＷが第一及び第二のチャックハンド８１，８２に挟持される。このときのウエハＷの中心とウエハステージ２３の中心（ウエハステージ２３の回転軸）とは一致するように構成されている。したがって、第一及び第二のチャックハンド８１，８２はセンタリング機構としても機能する。 The hand 100 of the wafer transfer mechanism transfers the wafer W to a position between the first and second chuck hands 81 and 82. Then, when the first and second chuck hands 81 and 82 are moved in directions close to each other, the top 83 of the first and second chuck hands 81 and 82 comes into contact with the peripheral portion of the wafer W. As a result, the wafer W is held between the first and second chuck hands 81 and 82. At this time, the center of the wafer W and the center of the wafer stage 23 (the rotation axis of the wafer stage 23) are configured to coincide with each other. Therefore, the first and second chuck hands 81 and 82 also function as a centering mechanism.

図４は図２の研磨ヘッド４２を示す拡大図である。図４に示すように、研磨ヘッド４２は、研磨テープ４１の進行方向をガイドする２つのガイドローラ５７ａ，５７ｂと、研磨テープ４１の裏側に配置されたバックパッド５０とを備えている。ガイドローラ５７ａ，５７ｂは研磨ヘッド４２の先端に配置され、研磨ポイント（ウエハＷと研磨テープ４１との接触ポイント）の上方および下方に配置されている。このような配置により、研磨テープ４１はウエハステージ２３に保持されたウエハＷの表面と垂直な方向にガイドローラによりガイドされる。なお、研磨面は、ウエハＷに対向する側の研磨テープ４１の表面である。 FIG. 4 is an enlarged view showing the polishing head 42 of FIG. As shown in FIG. 4, the polishing head 42 includes two guide rollers 57 a and 57 b that guide the traveling direction of the polishing tape 41, and a back pad 50 disposed on the back side of the polishing tape 41. The guide rollers 57a and 57b are disposed at the tip of the polishing head 42, and are disposed above and below the polishing point (the contact point between the wafer W and the polishing tape 41). With this arrangement, the polishing tape 41 is guided by a guide roller in a direction perpendicular to the surface of the wafer W held on the wafer stage 23. The polishing surface is the surface of the polishing tape 41 on the side facing the wafer W.

バックパッド５０はループ形状（環状）を有し、複数の滑車５９ａ，５９ｂ，５９ｃ，５９ｄ，５９ｅにより保持されている。したがって、バックパッド５０は、その長手方向に移動自在となっている。これらの滑車５９ａ〜５９ｅは基台６１に回転自在に取り付けられている。滑車５９ｄはその位置が調整可能に構成された可動滑車であり、この滑車５９ｄを移動させることにより、バックパッド５０のテンション（張力）が調整可能となっている。滑車５９ａ，５９ｂは、ガイドローラ５７ａ，５７ｂと同様に、研磨ポイントの上方および下方に配置され、ガイドローラ５７ａ，５７ｂにそれぞれ近接して配置されている。このような配置により、バックパッド５０の一部は、ガイドローラ５７ａ，５７ｂによってガイドされた研磨テープ４１の進行方向と平行に直線状に延びる。 The back pad 50 has a loop shape (annular shape) and is held by a plurality of pulleys 59a, 59b, 59c, 59d, and 59e. Therefore, the back pad 50 is movable in the longitudinal direction. These pulleys 59 a to 59 e are rotatably attached to the base 61. The pulley 59d is a movable pulley whose position is adjustable, and the tension of the back pad 50 can be adjusted by moving the pulley 59d. As with the guide rollers 57a and 57b, the pulleys 59a and 59b are arranged above and below the polishing point, and are arranged close to the guide rollers 57a and 57b, respectively. With this arrangement, a part of the back pad 50 extends linearly in parallel with the traveling direction of the polishing tape 41 guided by the guide rollers 57a and 57b.

図５（ａ）乃至図５（ｄ）はバックパッド５０の断面の例を示す図である。図５（ａ）はバックパッド５０が軟らかい円筒部材からなる一重構造の例を示す。図５（ｂ）はバックパッド５０が同心状に配置された２つの円筒部材５０ａ，５０ｂからなる二重壁構造の例を示す。この例では、内側の円筒部材５０ａは硬質の材料から形成され、外側の円筒部材５０ｂは軟質の材料から形成されている。このような構成にすることで、外側の軟らかい円筒部材５０ｂで研磨テープ４１をノッチ部の形状に沿って変形させつつ、内側の硬い円筒部材５０ａで研磨テープ４１をノッチ部に押し当てることができる。図５（ｃ）は二重壁構造の変形例であり、円筒部材５０ｃの外周面を皮膜５０ｄで覆った構造を示す。この円筒部材５０ｃの内部には、加圧した気体や液体などの加圧流体が注入されている。図５（ｄ）は三重壁構造の例であり、図５（ｂ）に示す構成と図５（ｃ）に示す構成を組み合わせた例を示す。なお、バックパッド５０を構成する材料の例としては、シリコンゴム、シリコンスポンジ、フッ素ゴムなどの弾性材が挙げられる。 FIG. 5A to FIG. 5D are diagrams showing examples of cross sections of the back pad 50. FIG. 5A shows an example of a single structure in which the back pad 50 is made of a soft cylindrical member. FIG. 5B shows an example of a double wall structure including two cylindrical members 50a and 50b in which the back pad 50 is disposed concentrically. In this example, the inner cylindrical member 50a is made of a hard material, and the outer cylindrical member 50b is made of a soft material. With such a configuration, the polishing tape 41 can be pressed against the notch portion with the inner hard cylindrical member 50a while the polishing tape 41 is deformed along the shape of the notch portion with the outer soft cylindrical member 50b. . FIG. 5C shows a modification of the double wall structure, in which the outer peripheral surface of the cylindrical member 50c is covered with a film 50d. A pressurized fluid such as a pressurized gas or liquid is injected into the cylindrical member 50c. FIG. 5D is an example of a triple wall structure, and shows an example in which the configuration shown in FIG. 5B is combined with the configuration shown in FIG. Examples of the material constituting the back pad 50 include elastic materials such as silicon rubber, silicon sponge, and fluorine rubber.

ノッチ研磨ユニット４０は、ガイドローラ５７ａ，５７ｂによってガイドされた研磨テープ４１の進行方向に沿って研磨ヘッド４２を直線的に往復運動させる往復運動機構を有している。図６は往復運動機構を説明するための上面図であり、図７（ａ）乃至図７（ｄ）は図６のVII-VII線断面図である。 The notch polishing unit 40 has a reciprocating mechanism that linearly reciprocates the polishing head 42 along the traveling direction of the polishing tape 41 guided by the guide rollers 57a and 57b. 6 is a top view for explaining the reciprocating mechanism, and FIGS. 7A to 7D are cross-sectional views taken along line VII-VII in FIG.

図６に示すように、研磨ヘッド４２は可動アーム７１の一端部に固定され、可動アーム７１の他端部にはカムシャフト７２が配置されている。可動アーム７１は支持アーム７３にリニアガイド７４を介して支持されており、このリニアガイド７４によって可動アーム７１は支持アーム７３に対して直線運動するようにガイドされている。支持アーム７３にはカムシャフト７２を駆動するためのモータＭ１が取り付けられており、モータＭ１の回転軸はプーリｐ１１，ｐ１２とベルトｂ１０を介してカムシャフト７２に連結されている。モータＭ１の回転軸およびカムシャフト７２は、支持アーム７３に固定された軸受７５Ａ，７５Ｂによって回転自在に支持されている。カムシャフト７２は、軸受７５Ｂの中心線から偏心した偏心シャフト７２ａを有している。この偏心シャフト７２ａの先端にはカム７６が取り付けられている。カム７６は可動アーム７１の端部に形成されたコの字形状の溝７７にはめ込まれている（図７（ａ）参照）。 As shown in FIG. 6, the polishing head 42 is fixed to one end portion of the movable arm 71, and a camshaft 72 is disposed on the other end portion of the movable arm 71. The movable arm 71 is supported by the support arm 73 via the linear guide 74, and the movable arm 71 is guided by the linear guide 74 so as to linearly move with respect to the support arm 73. A motor M1 for driving the camshaft 72 is attached to the support arm 73, and the rotating shaft of the motor M1 is connected to the camshaft 72 via pulleys p11 and p12 and a belt b10. The rotating shaft of the motor M1 and the camshaft 72 are rotatably supported by bearings 75A and 75B fixed to the support arm 73. The camshaft 72 has an eccentric shaft 72a that is eccentric from the center line of the bearing 75B. A cam 76 is attached to the tip of the eccentric shaft 72a. The cam 76 is fitted in a U-shaped groove 77 formed at the end of the movable arm 71 (see FIG. 7A).

このような構成において、モータＭ１を回転すると、プーリｐ１１，ｐ１２およびベルトｂ１０を介してカムシャフト７２が回転する。偏心シャフト７２ａは軸受７５Ｂの中心線に対して偏心回転するので、偏心シャフト７２ａに取り付けられたカム７６も偏心回転する。その結果、図７（ａ）乃至図７（ｄ）に示すように、溝７７内でカム７６が偏心回転することにより可動アーム７１は直線往復運動し、可動アーム７１の先端に取り付けられた研磨ヘッド４２が直線往復運動する。 In such a configuration, when the motor M1 is rotated, the camshaft 72 is rotated via the pulleys p11 and p12 and the belt b10. Since the eccentric shaft 72a rotates eccentrically with respect to the center line of the bearing 75B, the cam 76 attached to the eccentric shaft 72a also rotates eccentrically. As a result, as shown in FIGS. 7A to 7D, the movable arm 71 linearly reciprocates due to the eccentric rotation of the cam 76 in the groove 77, and the polishing attached to the tip of the movable arm 71. The head 42 reciprocates linearly.

また、研磨ヘッド４２および往復運動機構全体が一体的にウエハＷの表面に対して傾斜できるように、支持アーム７３は図６に示す支持軸７８により支持されている。支持軸７８は、ノッチ研磨ユニット４０のハウジング９７に固定された軸受７５Ｃに回転自在に支持されている。支持軸７８はプーリｐ１３，ｐ１４およびベルトｂ１１を介して動力源としてのモータＭ２の回転軸に連結されている。研磨ポイントは支持軸７８の中心線Ｌｔ上に位置している。したがって、モータＭ２により支持軸７８を回転させることにより、研磨ヘッド４２および往復運動機構全体を研磨点を中心として回転させる（すなわち傾斜させる）ことができる。本実施形態においては、研磨ポイントを中心として研磨ヘッド４２を傾斜させる傾斜機構は、支持軸７８、プーリｐ１３，ｐ１４、ベルトｂ１１、およびモータＭ２により構成される。 Further, the support arm 73 is supported by a support shaft 78 shown in FIG. 6 so that the polishing head 42 and the entire reciprocating mechanism can be integrally tilted with respect to the surface of the wafer W. The support shaft 78 is rotatably supported by a bearing 75C fixed to the housing 97 of the notch polishing unit 40. The support shaft 78 is connected to a rotation shaft of a motor M2 as a power source via pulleys p13 and p14 and a belt b11. The polishing point is located on the center line Lt of the support shaft 78. Therefore, by rotating the support shaft 78 by the motor M2, the polishing head 42 and the entire reciprocating mechanism can be rotated (that is, inclined) around the polishing point. In the present embodiment, the tilt mechanism that tilts the polishing head 42 around the polishing point is constituted by the support shaft 78, the pulleys p13 and p14, the belt b11, and the motor M2.

供給リール４５ａおよび回収リール４５ｂは、研磨テープ４１がたるまないように、図示しないモータを用いて研磨テープ４１に適度なテンション（張力）を付与している。テープ送り機構４３は、研磨テープ４１を供給リール４５ａから回収リール４５ｂへ一定の速度で送るようになっている。このテープ送り速度は、毎分数ミリメートル〜数十ミリメートル（例えば、３０ｍｍ〜５０ｍｍ／ｍｉｎ）である。一方、研磨ヘッド４２が上下に往復運動する速度は、毎分数百回という高速である。したがって、研磨ヘッド４２の往復運動の速度に対して、テープ送り速度はほとんど無視することができる。 The supply reel 45a and the recovery reel 45b apply an appropriate tension (tension) to the polishing tape 41 using a motor (not shown) so that the polishing tape 41 does not sag. The tape feeding mechanism 43 is configured to feed the polishing tape 41 from the supply reel 45a to the recovery reel 45b at a constant speed. The tape feed speed is several millimeters to several tens of millimeters per minute (for example, 30 mm to 50 mm / min). On the other hand, the speed at which the polishing head 42 reciprocates up and down is as high as several hundred times per minute. Therefore, the tape feeding speed can be almost ignored with respect to the reciprocating speed of the polishing head 42.

研磨テープ４１としては、研磨面となるその片面に、例えば、ダイヤモンド粒子やＳｉＣ粒子などの砥粒をベースフィルムに接着した研磨テープ４１を用いることができる。研磨テープ４１に接着する砥粒は、ウエハＷの種類や要求される性能に応じて選択されるが、例えば平均粒径０．１μｍ〜５．０μｍの範囲にあるダイヤモンド粒子やＳｉＣ粒子を用いることができる。また、砥粒を接着させていない帯状の研磨布でもよい。また、ベースフィルムとしては、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレートなどの可撓性を有する材料からなるフィルムが使用できる。 As the polishing tape 41, for example, the polishing tape 41 in which abrasive grains such as diamond particles and SiC particles are bonded to a base film can be used on one side which becomes a polishing surface. The abrasive particles to be bonded to the polishing tape 41 are selected according to the type of wafer W and the required performance. For example, diamond particles or SiC particles having an average particle size of 0.1 μm to 5.0 μm are used. Can do. Further, a strip-shaped polishing cloth to which abrasive grains are not bonded may be used. Moreover, as a base film, the film which consists of material which has flexibility, such as polyester, a polyurethane, a polyethylene terephthalate, can be used, for example.

次に、上述のように構成された研磨装置の動作ついて説明する。ウエハＷは、図示しないウエハ搬送機構により開口部１２を通ってハウジング１１内に搬入される。ウエハチャック機構８０はウエハ搬送機構のハンド１００（図３参照）からウエハＷを受け取り、第一及び第二のチャックハンド８１，８２によりウエハＷを把持する。ウエハ搬送機構のハンド１００はウエハＷを第一及び第二のチャックハンド８１，８２に受け渡した後、ハウジング１１の外に移動し、次いでシャッター１３が閉じられる。ウエハＷを保持したウエハチャック機構８０はウエハＷを下降させ、ウエハステージ２３の上面に載置する。そして、図示しない真空ポンプを駆動してウエハＷをウエハステージ２３の上面に吸着させる。 Next, the operation of the polishing apparatus configured as described above will be described. The wafer W is carried into the housing 11 through the opening 12 by a wafer transfer mechanism (not shown). The wafer chuck mechanism 80 receives the wafer W from the hand 100 (see FIG. 3) of the wafer transfer mechanism, and holds the wafer W by the first and second chuck hands 81 and 82. The hand 100 of the wafer transfer mechanism transfers the wafer W to the first and second chuck hands 81 and 82 and then moves out of the housing 11, and then the shutter 13 is closed. The wafer chuck mechanism 80 holding the wafer W lowers the wafer W and places it on the upper surface of the wafer stage 23. Then, a vacuum pump (not shown) is driven to attract the wafer W to the upper surface of the wafer stage 23.

その後、ウエハステージ２３は、ウエハＷとともにステージ移動機構３０によって研磨ヘッド４２の近傍まで移動する。次に、モータｍ１によりウエハステージ２３を回転させて、ウエハＷのノッチ部を研磨ヘッド４２に対向させる。次いで研磨液供給ノズル５８からウエハＷに研磨液の供給を開始する。研磨液の供給流量が所定の値になった時点で、ウエハＷを研磨テープ４１と接触する位置までステージ移動機構３０によって移動させる。そして、往復運動機構により研磨ヘッド４２を往復運動させる。これにより研磨テープ４１をその進行方向と平行な方向にオシレートさせ、研磨テープ４１の研磨面をノッチ部に摺接させる。このようにして、ウエハＷのノッチ部が研磨される。必要に応じて、傾斜機構により研磨ヘッド４２をノッチ部（研磨ポイント）を中心に傾けたり、旋回機構により研磨ヘッド４２をノッチ部を中心に旋回させてもよい。 Thereafter, the wafer stage 23 is moved to the vicinity of the polishing head 42 by the stage moving mechanism 30 together with the wafer W. Next, the motor m1 rotates the wafer stage 23 so that the notch portion of the wafer W faces the polishing head 42. Next, supply of the polishing liquid from the polishing liquid supply nozzle 58 to the wafer W is started. When the supply flow rate of the polishing liquid reaches a predetermined value, the wafer W is moved by the stage moving mechanism 30 to a position where it comes into contact with the polishing tape 41. Then, the polishing head 42 is reciprocated by a reciprocating mechanism. As a result, the polishing tape 41 is oscillated in a direction parallel to the traveling direction, and the polishing surface of the polishing tape 41 is brought into sliding contact with the notch portion. In this way, the notch portion of the wafer W is polished. If necessary, the polishing head 42 may be tilted about the notch portion (polishing point) by an inclination mechanism, or the polishing head 42 may be rotated about the notch portion by a turning mechanism.

研磨中は、研磨テープ４１の裏面とバックパッド５０とは互いに接触し、バックパッド５０は研磨テープ４１をその裏面側からウエハＷのノッチ部に対して押圧する。このとき、研磨テープ４１とバックパッド５０はノッチ部の形状に沿って変形し、かつ撓み、これにより研磨テープ４１の研磨面がノッチ部全体に接触する。したがって、ノッチ部の研磨に要する時間を短縮することができる。また、研磨中にテープ送り機構４３によって送られる研磨テープ４１の動きに従って、バックパッド５０は研磨テープ４１との摩擦により移動するので、研磨テープ４１に過度な負荷がかかることがない。したがって、研磨テープ４１の切断を防止することができる。さらに、研磨テープ４１の進行方向はガイドローラ５７ａ，５７ｂによりガイドされているので、研磨テープ４１に対してバックパッド５０が横にずれることが防止される。また、滑車５９ｄの位置を調整することにより、バックパッド５０のテンションを予め調整することができるので、バックパッド５０の製品間の寸法誤差に起因するテンションの差異をなくすことができる。 During polishing, the back surface of the polishing tape 41 and the back pad 50 come into contact with each other, and the back pad 50 presses the polishing tape 41 against the notch portion of the wafer W from the back surface side. At this time, the polishing tape 41 and the back pad 50 are deformed and bent along the shape of the notch portion, whereby the polishing surface of the polishing tape 41 contacts the entire notch portion. Therefore, the time required for polishing the notch can be shortened. Further, since the back pad 50 moves due to friction with the polishing tape 41 according to the movement of the polishing tape 41 sent by the tape feeding mechanism 43 during polishing, an excessive load is not applied to the polishing tape 41. Therefore, cutting of the polishing tape 41 can be prevented. Furthermore, since the advancing direction of the polishing tape 41 is guided by the guide rollers 57a and 57b, the back pad 50 is prevented from being shifted laterally with respect to the polishing tape 41. Further, since the tension of the back pad 50 can be adjusted in advance by adjusting the position of the pulley 59d, a difference in tension caused by a dimensional error between products of the back pad 50 can be eliminated.

本実施形態では、バックパッド５０、滑車５９ａ〜５９ｅ、および基台６１は、１つのユニットとしてのバックパッドアセンブリを構成している。このバックパッドアセンブリは、着脱可能に構成されている。したがって、バックパッドアセンブリを交換することにより、古いバックパッドを新しいものに換えることができる。また、バックパッドを以下に示す他の実施形態のタイプのものに換えることもできる。 In the present embodiment, the back pad 50, the pulleys 59a to 59e, and the base 61 constitute a back pad assembly as one unit. The back pad assembly is configured to be detachable. Therefore, by replacing the back pad assembly, the old back pad can be replaced with a new one. Further, the back pad can be replaced with other types of embodiments described below.

次に、本発明の第２の実施形態について図８を参照して説明する。図８は本発明の第２の実施形態に係る研磨装置の研磨ヘッドを示す拡大図である。図９（ａ）は図８のＡ−Ａ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、およびＥ−Ｅ線断面を示す図であり、図９（ｂ）は図８のＢ−Ｂ線断面およびＤ−Ｄ線断面を示す図である。なお、特に説明しない本実施形態の構成および動作は、上述した第１の実施形態と同様であるので、その重複する説明を省略する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is an enlarged view showing a polishing head of a polishing apparatus according to the second embodiment of the present invention. 9A is a view showing a cross section taken along line AA, CC, and EE in FIG. 8, and FIG. 9B is a cross section taken along line BB in FIG. It is a figure which shows the D line cross section. Note that the configuration and operation of the present embodiment that are not specifically described are the same as those of the first embodiment described above, and thus redundant description thereof is omitted.

図８に示すように、本実施形態に係る研磨ヘッド６５は、直線状に延びる棒状のバックパッド６０と、該バックパッド６０を貫通する芯棒（支持部材）６３とを有している。芯棒６３の両端部は、上部ホルダー６７および下部ホルダー６８にそれぞれ保持され、これら上部および下部ホルダー６７，６８は軸６７ａ，６８ｂを中心にそれぞれ回転可能となっている。バックパッド６０は、ガイドローラ５７ａ，５７ｂによってガイドされた研磨テープ４１の進行方向（長手方向）と平行に配置されている。バックパッド６０は、シリコンゴム、シリコンスポンジ、フッ素ゴムなどの弾性材から構成されている。 As shown in FIG. 8, the polishing head 65 according to the present embodiment includes a rod-like back pad 60 that extends linearly, and a core rod (support member) 63 that passes through the back pad 60. Both ends of the core rod 63 are held by an upper holder 67 and a lower holder 68, respectively, and the upper and lower holders 67 and 68 are rotatable about shafts 67a and 68b, respectively. The back pad 60 is disposed in parallel with the traveling direction (longitudinal direction) of the polishing tape 41 guided by the guide rollers 57a and 57b. The back pad 60 is made of an elastic material such as silicon rubber, silicon sponge, or fluorine rubber.

図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、バックパッド６０は、その上下方向の位置によって異なる横断面形状（研磨テープ４１の進行方向に対して垂直な断面の形状）を有している。より具体的には、バックパッド６０の中央部と両端部では、押圧面（研磨テープ４１をノッチ部に対して押圧する面）はやや尖った横断面形状を有しており、ノッチ部の形状に沿った形状となっている。一方、端部と中央部との中間部では、押圧面は緩やかな円弧状の横断面形状を有している。すなわち、バックパッド６０の中央部と両端部は、それ以外の部分よりも尖った押圧面を有している。 As shown in FIGS. 9A and 9B, the back pad 60 has a different cross-sectional shape (a cross-sectional shape perpendicular to the traveling direction of the polishing tape 41) depending on the vertical position thereof. ing. More specifically, at the center and both ends of the back pad 60, the pressing surface (the surface that presses the polishing tape 41 against the notch portion) has a slightly sharp cross-sectional shape, and the shape of the notch portion It is a shape along. On the other hand, in the intermediate portion between the end portion and the central portion, the pressing surface has a gentle arc-shaped cross section. That is, the center part and both ends of the back pad 60 have a pressing surface that is sharper than other parts.

このような構成によれば、往復運動機構により研磨ヘッド６５を往復運動させると、ウエハＷを押圧するバックパッド６０の横断面形状が、図９（ａ）に示す形状と図９（ｂ）に示す形状との間で連続的に変化する。したがって、バックパッド６０は、研磨テープ４１をノッチ部全体に押し当てることができる。また、上述の傾斜機構により研磨ヘッド６５を傾けた場合でも、見かけ上変化するノッチ部の形状にバックパッド６０の横断面形状を追従させることができる。さらに、研磨中はバックパッド６０がノッチ部の形状に追従して変形するので、研磨テープ４１の研磨面をノッチ部全体に確実に押圧することができる。なお、この実施形態では、バックパッド６０の横断面形状は、バックパッド６０の縦方向の位置によって連続的に変化しているが、断続的に変化するように構成してもよい。 According to such a configuration, when the polishing head 65 is reciprocated by the reciprocating mechanism, the cross-sectional shape of the back pad 60 that presses the wafer W changes to the shape shown in FIG. 9A and FIG. 9B. It changes continuously with the shape shown. Therefore, the back pad 60 can press the polishing tape 41 against the entire notch portion. Even when the polishing head 65 is tilted by the tilt mechanism described above, the cross-sectional shape of the back pad 60 can follow the shape of the notch portion that apparently changes. Further, since the back pad 60 is deformed following the shape of the notch during polishing, the polishing surface of the polishing tape 41 can be reliably pressed against the entire notch. In this embodiment, the cross-sectional shape of the back pad 60 continuously changes depending on the position of the back pad 60 in the vertical direction, but may be configured to change intermittently.

図１０は本発明の第２の実施形態に係る研磨装置の研磨ヘッドの他の例を示す拡大図である。図１１（ａ）は図１０のＡ−Ａ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、およびＥ−Ｅ線断面を示す図であり、図１１（ｂ）は図１０のＢ−Ｂ線断面およびＤ−Ｄ線断面を示す図である。図１１（ａ）に示すように、この例のバックパッド７０の中央部と両端部は、図９（ａ）に示したバックパッド６０よりも、より尖った押圧面を有している。したがって、押圧面の先端部は、研磨テープ４１をノッチ部の最も深い部分に確実に押し当てることができる。 FIG. 10 is an enlarged view showing another example of the polishing head of the polishing apparatus according to the second embodiment of the present invention. 11A is a view showing a cross section taken along the line AA, a cross section taken along the line CC, and a cross section taken along the line EE in FIG. 10, and FIG. 11B is a cross section taken along the line BB in FIG. It is a figure which shows the D line cross section. As shown in FIG. 11A, the center portion and both end portions of the back pad 70 of this example have a sharper pressing surface than the back pad 60 shown in FIG. Therefore, the tip of the pressing surface can reliably press the polishing tape 41 against the deepest part of the notch.

次に、本発明の第３の実施形態について図１２を参照して説明する。図１２は本発明の第３の実施形態に係る研磨装置の研磨ヘッドを示す拡大図である。なお、特に説明しない本実施形態の構成および動作は、上述した第２の実施形態と同様であるので、その重複する説明を省略する。 Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 12 is an enlarged view showing a polishing head of a polishing apparatus according to the third embodiment of the present invention. Note that the configuration and operation of the present embodiment that are not specifically described are the same as those of the second embodiment described above, and therefore redundant description thereof is omitted.

図１２に示すように、本実施形態に係る研磨ヘッド９０は、円形の断面形状を有したバックパッド９１を備えている。芯棒６３の下部は、上述の第２の実施形態と同様に、軸６８ａを中心に回転可能な下部ホルダー６８に固定されている。一方、芯棒６３の上部は、上部ホルダー９２に形成された孔９２ａに緩やかに嵌合されている。したがって、バックパッド９１は、全体として、軸６８ａを支点として所定の角度だけ回転可能となっている。芯棒６３の上部には、ばねホルダー９４が取り付けられている。このばねホルダー９４と上部ホルダー９２との間には、ばね（押圧部材）９５が配置されている。このばね９５により、バックパッド９１は研磨テープ４１に向かって付勢されている。 As shown in FIG. 12, the polishing head 90 according to this embodiment includes a back pad 91 having a circular cross-sectional shape. The lower part of the core rod 63 is fixed to a lower holder 68 that can rotate around a shaft 68a, as in the second embodiment. On the other hand, the upper portion of the core rod 63 is loosely fitted into a hole 92 a formed in the upper holder 92. Therefore, the back pad 91 is rotatable as a whole by a predetermined angle with the shaft 68a as a fulcrum. A spring holder 94 is attached to the upper portion of the core rod 63. A spring (pressing member) 95 is disposed between the spring holder 94 and the upper holder 92. The back pad 91 is biased toward the polishing tape 41 by the spring 95.

本実施形態では、バックパッド９１による研磨テープ４１のノッチ部に対する押圧力をばね９５によって正確に調整することができる。また、ばね９５と支点（軸６８ａ）とを研磨ポイントを中心として略対称的に配置したことにより、小さいばね９５で大きな押圧力を得ることができる。したがって、研磨ヘッド９０全体をコンパクトにすることができる。なお、支点（軸６８ａ）の位置は芯棒６３の下端近傍に限らず、芯棒６３の下端に直接支点となる軸を設けてもよい。また、上述した第２の実施形態に係るバックパッドを本実施形態に用いてもよい。 In this embodiment, the pressing force of the back pad 91 against the notch portion of the polishing tape 41 can be accurately adjusted by the spring 95. In addition, since the spring 95 and the fulcrum (shaft 68a) are disposed substantially symmetrically about the polishing point, a large pressing force can be obtained with the small spring 95. Therefore, the entire polishing head 90 can be made compact. Note that the position of the fulcrum (shaft 68 a) is not limited to the vicinity of the lower end of the core rod 63, and a shaft that directly serves as a fulcrum may be provided at the lower end of the core rod 63. Further, the back pad according to the second embodiment described above may be used in this embodiment.

次に、本発明の第４の実施形態について図１３（ａ）乃至図１３（ｃ）を参照して説明する。図１３（ａ）は本発明の第４の実施形態に係る研磨装置の研磨ヘッドを示す拡大図である。なお、特に説明しない本実施形態の構成および動作は、上述した第２の実施形態と同様であるので、その重複する説明を省略する。 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 13 (a) to 13 (c). FIG. 13A is an enlarged view showing a polishing head of a polishing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. Note that the configuration and operation of the present embodiment that are not specifically described are the same as those of the second embodiment described above, and therefore redundant description thereof is omitted.

図１３（ａ）に示すように、本実施形態に係る研磨ヘッド１０１は、矩形状の断面を有したバックパッド１０２を備えている。このバックパッド１０２は、上下に延びる支持部材６３に固定されている。支持部材６３の両端は、２つのばね（押圧部材）９５に保持されている。これらのばね９５はそれぞればねホルダー９４に保持されている。すなわち、支持部材６３とばねホルダー９４とはばね９５によって互いに連結されており、バックパッド１０２はばね９５により研磨テープ４１に向かって付勢されている。なお、ばね９５の数は２つに限られず、３つ以上であってもよい。 As shown in FIG. 13A, the polishing head 101 according to this embodiment includes a back pad 102 having a rectangular cross section. The back pad 102 is fixed to a support member 63 that extends vertically. Both ends of the support member 63 are held by two springs (pressing members) 95. Each of these springs 95 is held by a spring holder 94. That is, the support member 63 and the spring holder 94 are connected to each other by the spring 95, and the back pad 102 is urged toward the polishing tape 41 by the spring 95. The number of springs 95 is not limited to two, and may be three or more.

支持部材６３には直動ガイド機構１０３が連結されている。この直動ガイド機構１０３は、支持部材６３の可動方向（すなわちバックパッド１０２の可動方向）を、研磨テープ４１に向かう方向に規制するものである。すなわち、バックパッド１０２および支持部材６３は、ばね９５によって研磨テープ４１に向かって押圧され、その動きは直線的な動きとなる。 A linear motion guide mechanism 103 is connected to the support member 63. The linear guide mechanism 103 regulates the movable direction of the support member 63 (that is, the movable direction of the back pad 102) in a direction toward the polishing tape 41. That is, the back pad 102 and the support member 63 are pressed toward the polishing tape 41 by the spring 95, and the movement thereof is a linear movement.

ばねホルダー９４および直動ガイド機構１０３は基台６１に固定されている。この基台６１の位置は位置決めピン１０５によって固定されている。支持部材６３および２つのばね９５は、カバー１０４によって覆われている。より詳しくは、支持部材６３の前面および側面と、ばね９５の側面は、微小な隙間を介してカバー１０４によって覆われている。このカバー１０４はばねホルダー９４に固定されている。 The spring holder 94 and the linear motion guide mechanism 103 are fixed to the base 61. The position of the base 61 is fixed by positioning pins 105. The support member 63 and the two springs 95 are covered with a cover 104. More specifically, the front surface and the side surface of the support member 63 and the side surface of the spring 95 are covered with the cover 104 via a minute gap. This cover 104 is fixed to a spring holder 94.

図１３（ｂ）は図１３（ａ）に示すカバーの正面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ａ）に示す研磨装置の一部を上から見たときの断面図である。図１３（ｂ）および図１３（ｃ）に示すように、カバー１０４の前面には、バックパッド１０２よりもやや大きい矩形状の孔１０４ａが形成されている。バックパッド１０２は、この孔１０４ａを貫通して研磨テープ４１に向かって延びており、バックパッド１０２はカバー１０４に対して相対的に移動可能となっている。 13B is a front view of the cover shown in FIG. 13A, and FIG. 13C is a cross-sectional view of a part of the polishing apparatus shown in FIG. 13A as viewed from above. As shown in FIGS. 13B and 13C, a rectangular hole 104 a that is slightly larger than the back pad 102 is formed on the front surface of the cover 104. The back pad 102 extends through the hole 104 a toward the polishing tape 41, and the back pad 102 can move relative to the cover 104.

このような構成によれば、研磨ヘッド１０１が直線往復運動（オシレーション運動）しているときの、ウエハＷへの荷重の変動を少なくすることができる。したがって、良好な研磨を行うことができる。また、カバー１０４を設けたことにより、直動ガイド機構１０３などの摺動部材から発生する微小なゴミがウエハＷに付着することを防ぐことができ、清浄な研磨が可能となる。 According to such a configuration, it is possible to reduce the fluctuation of the load on the wafer W when the polishing head 101 is reciprocating linearly (oscillating). Therefore, good polishing can be performed. Further, by providing the cover 104, it is possible to prevent minute dust generated from a sliding member such as the linear motion guide mechanism 103 from adhering to the wafer W, and clean polishing is possible.

次に、本発明の第５の実施形態について図１４（ａ）乃至図１４（ｃ）を参照して説明する。図１４（ａ）は本発明の第５の実施形態に係る研磨装置の研磨ヘッド１０７を示す拡大図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）に示すカバーの正面図であり、図１４（ｃ）は図１４（ａ）に示す研磨装置の一部を上から見たときの断面図である。なお、特に説明しない本実施形態の構成および動作は、上述した第４の実施形態と同様であるので、その重複する説明を省略する。 Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 (a) to 14 (c). FIG. 14A is an enlarged view showing a polishing head 107 of a polishing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 14B is a front view of the cover shown in FIG. 14C is a cross-sectional view of a part of the polishing apparatus shown in FIG. Note that the configuration and operation of the present embodiment that are not specifically described are the same as those of the fourth embodiment described above, and thus redundant description thereof is omitted.

支持部材６３の上端および下端には、それぞれ凸部６３ａが形成されている。これらの凸部６３ａは、ばねホルダー９４に形成された凹部９４ａに嵌合されている。図１４（ｃ）に示すように、凹部９４ａは研磨テープ４１に向かって延びる長穴であり、凸部６３ａは凹部９４ａにスライド自在に嵌合されている。すなわち、支持部材６３の可動方向は、凸部６３ａおよび凹部９４ａによって、研磨テープ４１に向かう方向に規制される。したがって、凸部６３ａおよび凹部９４ａは、支持部材６３の可動方向を研磨テープ４１に向かう方向に規制するガイド機構を構成する。 Convex portions 63 a are respectively formed on the upper end and the lower end of the support member 63. These convex portions 63 a are fitted into concave portions 94 a formed in the spring holder 94. As shown in FIG. 14C, the concave portion 94a is a long hole extending toward the polishing tape 41, and the convex portion 63a is slidably fitted into the concave portion 94a. That is, the movable direction of the support member 63 is regulated in the direction toward the polishing tape 41 by the convex portion 63a and the concave portion 94a. Therefore, the convex portion 63 a and the concave portion 94 a constitute a guide mechanism that regulates the movable direction of the support member 63 in the direction toward the polishing tape 41.

次に、本発明の第６の実施形態について図１５を参照して説明する。図１５は本発明の第６の実施形態に係る研磨装置の一部を示す平面図である。なお、特に説明しない本実施形態の構成および動作は、上述した第１乃至第５の実施形態と同様であるので、その重複する説明を省略する。 Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a plan view showing a part of a polishing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention. Note that the configuration and operation of the present embodiment that are not specifically described are the same as those of the first to fifth embodiments described above, and thus redundant description thereof is omitted.

図１５に示すように、本実施形態の研磨装置は、ハウジング１１（図２参照）内に配置された第１のノッチ研磨ユニット４０Ａと第２のノッチ研磨ユニット４０Ｂとを備えている。第１のノッチ研磨ユニット４０Ａは、第１の実施形態に係る研磨ヘッド４２と、図示しない供給リール及び回収リールとを有している。第２のノッチ研磨ユニット４０Ｂは、第２の実施形態に係る研磨ヘッド６５と、図示しない供給リール及び回収リールとを有している。これら第１および第２のノッチ研磨ユニット４０Ａ，４０Ｂは、ウエハステージ２３（図２参照）上のウエハＷの表面に対して平行に移動自在であり、いずれの研磨ヘッド４２，６５もウエハＷのノッチ部Ｖにアクセス可能となっている。図１５は、第１のノッチ研磨ユニット４０Ａが研磨位置に配置されている一方で、第２のノッチ研磨ユニット４０Ｂが所定の待機位置で待機している状態を示している。 As shown in FIG. 15, the polishing apparatus of the present embodiment includes a first notch polishing unit 40A and a second notch polishing unit 40B disposed in the housing 11 (see FIG. 2). The first notch polishing unit 40A includes a polishing head 42 according to the first embodiment, and a supply reel and a recovery reel (not shown). The second notch polishing unit 40B includes a polishing head 65 according to the second embodiment, and a supply reel and a recovery reel (not shown). The first and second notch polishing units 40A and 40B are movable in parallel to the surface of the wafer W on the wafer stage 23 (see FIG. 2). The notch V can be accessed. FIG. 15 shows a state in which the first notch polishing unit 40A is disposed at the polishing position while the second notch polishing unit 40B is waiting at a predetermined standby position.

なお、研磨ヘッドは２つに限らず、３つ以上であってもよい。また、上述した第１乃至第５の実施形態から選択されたいずれの研磨ヘッドを用いることもできる。また、第１のノッチ研磨ユニット４０Ａと第２のノッチ研磨ユニット４０Ｂがそれぞれ研磨面の粗さの異なる研磨テープを用いることにより、異なるタイプの研磨を行うことができる。例えば、第１のノッチ研磨ユニット４０ＡによりウエハＷのノッチ部を粗研磨し、次に第２のノッチ研磨ユニット４０Ｂによりノッチ部を仕上げ研磨することができる。したがって、１つの研磨室内で異なるタイプの研磨を行うことができる。 The number of polishing heads is not limited to two and may be three or more. In addition, any polishing head selected from the first to fifth embodiments described above can be used. Further, different types of polishing can be performed by using the first notch polishing unit 40 A and the second notch polishing unit 40 B using polishing tapes having different roughness of the polishing surface. For example, the notch portion of the wafer W can be roughly polished by the first notch polishing unit 40A, and then the notch portion can be finish polished by the second notch polishing unit 40B. Therefore, different types of polishing can be performed in one polishing chamber.

次に、本発明の第７の実施形態について図１６を参照して説明する。図１６は本発明の第７の実施形態に係る研磨装置の一部を示す平面図である。図１７は図１６に示す研磨装置の側面図である。なお、特に説明しない本実施形態の構成および動作は、上述した第１乃至第５の実施形態と同様であるので、その重複する説明を省略する。 Next, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 16 is a plan view showing a part of a polishing apparatus according to the seventh embodiment of the present invention. FIG. 17 is a side view of the polishing apparatus shown in FIG. Note that the configuration and operation of the present embodiment that are not specifically described are the same as those of the first to fifth embodiments described above, and thus redundant description thereof is omitted.

図１６および図１７に示すように、本実施形態の研磨装置は、ハウジング１１（図２参照）内に配置されたノッチ研磨ユニット４０とベベル研磨ユニット１１０とを備えている。ノッチ研磨ユニット４０は第１の実施形態に係る研磨ヘッド４２と、図示しない供給リール及び回収リールとを有している。ベベル研磨ユニット１１０は、ウエハＷのベベル部に研磨テープ１１１の研磨面を押し当てて該ベベル部を研磨する研磨ヘッド１１２と、研磨テープ１１１を研磨ヘッド１１２に供給する図示しない供給リールと、研磨ヘッド１１２に供給された研磨テープ１１１を回収する図示しない回収リールとを有している。 As shown in FIGS. 16 and 17, the polishing apparatus of this embodiment includes a notch polishing unit 40 and a bevel polishing unit 110 disposed in the housing 11 (see FIG. 2). The notch polishing unit 40 includes a polishing head 42 according to the first embodiment, and a supply reel and a recovery reel (not shown). The bevel polishing unit 110 presses the polishing surface of the polishing tape 111 against the bevel portion of the wafer W to polish the bevel portion, a supply reel (not shown) that supplies the polishing tape 111 to the polishing head 112, and a polishing A recovery reel (not shown) that recovers the polishing tape 111 supplied to the head 112 is provided.

ノッチ研磨ユニット４０およびベベル研磨ユニット１１０は、ウエハステージ２３上のウエハＷの表面に対して平行に移動自在となっている。なお、ノッチ研磨ユニット４０は、上述した第１乃至第５の実施形態から選択されたいずれの研磨ヘッドを用いることもできる。本実施形態によれば、１つの研磨室内でノッチ部の研磨とベベル部の研磨を行うことができる。 The notch polishing unit 40 and the bevel polishing unit 110 are movable in parallel to the surface of the wafer W on the wafer stage 23. The notch polishing unit 40 can use any polishing head selected from the first to fifth embodiments described above. According to this embodiment, it is possible to polish the notch portion and the bevel portion in one polishing chamber.

次に、上述した研磨装置を備えた基板処理装置について図１８を参照して説明する。図１８に示すように、本基板処理装置は、複数のウエハＷを収容するウエハカセット１２５が載置されるロード／アンロードユニット１２０を有している。このロード／アンロードユニット１２０は、ハウジング１３０の側壁１３０ａに設けられている。ハウジング１３０内には、ウエハカセット１２５からウエハＷを取り出す第１の搬送ロボット１４０Ａが配置されている。 Next, a substrate processing apparatus provided with the above-described polishing apparatus will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 18, this substrate processing apparatus has a load / unload unit 120 on which a wafer cassette 125 that accommodates a plurality of wafers W is placed. The load / unload unit 120 is provided on the side wall 130 a of the housing 130. In the housing 130, a first transfer robot 140A for taking out the wafer W from the wafer cassette 125 is disposed.

本基板処理装置は、さらに、上述した第１乃至第７の実施形態から選択された１次研磨モジュール（研磨装置）１５０Ａと、上述した第１乃至第７の実施形態から選択された２次研磨モジュール（研磨装置）１５０Ｂと、研磨されたウエハＷを洗浄する１次洗浄モジュール１６０Ａと、１次洗浄モジュール１６０Ａで洗浄された基板をリンスし、乾燥させる２次洗浄モジュール１６０Ｂとを有している。これらの各モジュール１５０Ａ，１５０Ｂ，１６０Ａ，１６０Ｂは、ハウジング１３０内に収容されている。 The substrate processing apparatus further includes a primary polishing module (polishing apparatus) 150A selected from the first to seventh embodiments described above, and a secondary polishing selected from the first to seventh embodiments described above. A module (polishing apparatus) 150B, a primary cleaning module 160A for cleaning the polished wafer W, and a secondary cleaning module 160B for rinsing and drying the substrate cleaned by the primary cleaning module 160A. . Each of these modules 150A, 150B, 160A, 160B is accommodated in the housing 130.

１次洗浄モジュール１６０Ａは、ウエハＷの表面に洗浄液（例えば純水）を供給しつつ、回転するスポンジをウエハの周縁部（ノッチ部およびベベル部）に摺接させ、ウエハＷの周縁部を洗浄する装置である。２次洗浄モジュール１６０Ｂは、チャック機構によりウエハＷを把持し、ウエハＷを回転させながらリンス液（例えば純水）をウエハＷに供給し、その後、ウエハＷを高速で回転させてウエハＷを乾燥させる装置である。 The primary cleaning module 160A cleans the peripheral portion of the wafer W by supplying a cleaning liquid (for example, pure water) to the surface of the wafer W and sliding the rotating sponge to the peripheral portion (notch portion and bevel portion) of the wafer. It is a device to do. The secondary cleaning module 160B grips the wafer W by the chuck mechanism, supplies a rinsing liquid (for example, pure water) to the wafer W while rotating the wafer W, and then rotates the wafer W at high speed to dry the wafer W. It is a device to let you.

ハウジング１３０の内部には第２の搬送ロボット１４０Ｂが設けられている。この第２の搬送ロボット１４０Ｂは、そのハンド（図示せず）が１次研磨モジュール１５０Ａ、２次研磨モジュール１５０Ｂ、１次洗浄モジュール１６０Ａ、２次洗浄モジュール１６０Ｂに到達可能な位置に配置されている。第１の搬送ロボット１４０Ａと第２の搬送ロボット１４０Ｂとの間には仮置き台１４５が配置されている。 A second transfer robot 140 B is provided inside the housing 130. The second transfer robot 140B is disposed at a position where the hand (not shown) can reach the primary polishing module 150A, the secondary polishing module 150B, the primary cleaning module 160A, and the secondary cleaning module 160B. . A temporary table 145 is disposed between the first transfer robot 140A and the second transfer robot 140B.

次に、上述のように構成された基板処理装置の動作について説明する。まず、第１の搬送ロボット１４０Ａはウエハカセット１２５から１枚のウエハＷを取り出し、仮置き台１４５に置く。第２の搬送ロボット１４０Ｂは仮置き台１４５上のウエハＷを保持し、１次研磨モジュール１５０Ａに搬入する。１次研磨モジュール１５０Ａでは、ウエハＷのノッチ部（およびベベル部）が１次研磨される。第２の搬送ロボット１４０Ｂは、研磨されたウエハＷを１次研磨モジュール１５０Ａから取り出し、２次研磨モジュール１５０Ｂに搬入する。２次研磨モジュール１５０Ｂでは、ウエハＷのノッチ部（およびベベル部）が２次磨研磨される。 Next, the operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described. First, the first transfer robot 140A takes out one wafer W from the wafer cassette 125 and places it on the temporary placement table 145. The second transfer robot 140B holds the wafer W on the temporary placement table 145 and carries it into the primary polishing module 150A. In primary polishing module 150A, the notch portion (and bevel portion) of wafer W is primarily polished. The second transfer robot 140B takes the polished wafer W out of the primary polishing module 150A and loads it into the secondary polishing module 150B. In the secondary polishing module 150B, the notch portion (and the bevel portion) of the wafer W is subjected to secondary polishing.

第２の搬送ロボット１４０Ｂは、研磨されたウエハＷを２次研磨モジュール１５０Ｂから取り出し、１次洗浄モジュール１６０Ａに搬入する。１次洗浄モジュール１６０Ａでは、ウエハＷの周縁部（ノッチ部およびベベル部）が洗浄される。第２の搬送ロボット１４０Ｂは、洗浄されたウエハＷを１次洗浄モジュール１６０Ａから取り出し、２次洗浄モジュール１６０Ｂに搬入する。２次洗浄モジュール１６０Ｂでは、ウエハＷがリンスされ、さらに乾燥される。第２の搬送ロボット１４０Ｂは、乾燥されたウエハＷを２次洗浄モジュール１６０Ｂから取り出し、仮置き台１４５に置く。第１の搬送ロボット１４０Ａは、仮置き台１４５上のウエハＷを保持し、ウエハカセット１２５内にウエハＷを戻す。このようにしてウエハＷの一連の処理が行われる。 The second transfer robot 140B takes the polished wafer W out of the secondary polishing module 150B and loads it into the primary cleaning module 160A. In the primary cleaning module 160A, the peripheral edge portion (notch portion and bevel portion) of the wafer W is cleaned. The second transfer robot 140B takes out the cleaned wafer W from the primary cleaning module 160A and loads it into the secondary cleaning module 160B. In the secondary cleaning module 160B, the wafer W is rinsed and further dried. The second transfer robot 140B takes out the dried wafer W from the secondary cleaning module 160B and places it on the temporary placement table 145. The first transfer robot 140 A holds the wafer W on the temporary placement table 145 and returns the wafer W to the wafer cassette 125. In this way, a series of processing of the wafer W is performed.

これまで述べてきた実施形態は、この技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として説明されたものである。したがって、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。 The embodiments described so far have been described for the purpose of enabling the person skilled in the art to practice the present invention. Therefore, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be implemented in various forms within the scope of the technical idea.

本発明の一実施形態に係る研磨装置を示す平面図である。1 is a plan view showing a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図１に示す研磨装置の断面図である。It is sectional drawing of the grinding | polishing apparatus shown in FIG. ウエハチャック機構のチャックハンドを示す平面図である。It is a top view which shows the chuck hand of a wafer chuck mechanism. 図２の研磨ヘッドを示す拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view showing the polishing head of FIG. 2. 図５（ａ）乃至図５（ｄ）はバックパッドの断面の例を示す図である。FIG. 5A to FIG. 5D are diagrams showing examples of cross sections of the back pad. 往復運動機構を説明するための上面図である。It is a top view for demonstrating a reciprocation mechanism. 図７（ａ）乃至図７（ｄ）は図６のVII-VII線断面図である。7A to 7D are cross-sectional views taken along line VII-VII in FIG. 本発明の第２の実施形態に係る研磨装置の研磨ヘッドを示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the grinding | polishing head of the grinding | polishing apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図９（ａ）は図８のＡ−Ａ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、およびＥ−Ｅ線断面を示す図であり、図９（ｂ）は図８のＢ−Ｂ線断面およびＤ−Ｄ線断面を示す図である。9A is a view showing a cross section taken along line AA, CC, and EE in FIG. 8, and FIG. 9B is a cross section taken along line BB in FIG. It is a figure which shows the D line cross section. 本発明の第２の実施形態に係る研磨装置の研磨ヘッドの他の例を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the other example of the grinding | polishing head of the grinding | polishing apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図１１（ａ）は図１０のＡ−Ａ線断面、Ｃ−Ｃ線断面、およびＥ−Ｅ線断面を示す図であり、図１１（ｂ）は図１０のＢ−Ｂ線断面およびＤ−Ｄ線断面を示す図である。11A is a view showing a cross section taken along the line AA, a cross section taken along the line C-C, and a cross section taken along the line EE in FIG. 10, and FIG. It is a figure which shows the D line cross section. 本発明の第３の実施形態に係る研磨装置の研磨ヘッドを示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the grinding | polishing head of the grinding | polishing apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 図１３（ａ）は本発明の第４の実施形態に係る研磨装置の研磨ヘッドを示す拡大図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）に示すカバーの正面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ａ）に示す研磨装置の一部を上から見たときの断面図である。13A is an enlarged view showing a polishing head of a polishing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 13B is a front view of the cover shown in FIG. (C) is sectional drawing when a part of polishing apparatus shown to Fig.13 (a) is seen from the top. 図１４（ａ）は本発明の第５の実施形態に係る研磨装置の研磨ヘッドを示す拡大図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）に示すカバーの正面図であり、図１４（ｃ）は図１４（ａ）に示す研磨装置の一部を上から見たときの断面図である。FIG. 14A is an enlarged view showing a polishing head of a polishing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention, FIG. 14B is a front view of the cover shown in FIG. (C) is sectional drawing when a part of polishing apparatus shown to Fig.14 (a) is seen from the top. 本発明の第６の実施形態に係る研磨装置の一部を示す平面図である。It is a top view which shows a part of polishing apparatus which concerns on the 6th Embodiment of this invention. 本発明の第７の実施形態に係る研磨装置の一部を示す平面図である。It is a top view which shows a part of polishing apparatus which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 図１６に示す研磨装置の側面図である。FIG. 17 is a side view of the polishing apparatus shown in FIG. 16. 上述した研磨装置を備えた基板処理装置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the substrate processing apparatus provided with the grinding | polishing apparatus mentioned above.

Explanation of symbols

１１ハウジング
１２開口部
１３シャッター
１４仕切板
１５上室
１６下室
１７貫通孔
２０ウエハステージユニット
２３ウエハステージ
２６溝
２７Ａ，２７Ｂ中空シャフト
２８軸受
２９軸台
３０ステージ移動機構
３１パイプ
３２ロータリージョイント
３３Ａ，３３Ｂ可動板
３４支持板
３５Ａ，３５Ｂリニアガイド
３６旋回アーム
４０ノッチ研磨ユニット
４１，１１１研磨テープ
４２，６５，９０研磨ヘッド
４３テープ送り機構
４５ａ供給リール
４５ｂ回収リール
４６リール室
５０，６０，７０，９１バックパッド
５７ａ，５７ｂガイドローラ
５８研磨液供給ノズル
５９ａ〜５９ｅ滑車
６１基台
６３芯棒（支持部材）
６３ａ凸部
６７，９２上部ホルダー
６８下部ホルダー
７１可動アーム
７２カムシャフト
７３支持アーム
７４リニアガイド
７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃ軸受
７６カム
７７溝
７８支持軸
８０ウエハチャック機構
８１第一のチャックハンド
８２第二のチャックハンド
８３コマ
９４ばねホルダー
９４ａ凹部
９５ばね
９７ハウジング（固定部材）
１００ハンド
１０１，１０７研磨ヘッド
１０２バックパッド
１０３直動ガイド機構
１０４カバー
１０４ａ孔
１０５位置決めピン
１１０ベベル研磨ユニット
１１２研磨ヘッド
１２０ロード／アンロードユニット
１２５ウエハカセット
１３０ハウジング
１４０Ａ第１の搬送ロボット
１４０Ｂ第２の搬送ロボット
１４５仮置き台
１５０Ａ１次研磨モジュール
１５０Ｂ２次研磨モジュール
１６０Ａ１次洗浄モジュール
１６０Ｂ２次洗浄モジュール
Ｗウエハ
ｂ１，ｂ３，ｂ１０，ｂ１１ベルト
ｂ２ボールねじ
ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４，Ｍ１，Ｍ２モータ
ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４，ｐ１１〜ｐ１４プーリ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Housing 12 Opening part 13 Shutter 14 Partition plate 15 Upper chamber 16 Lower chamber 17 Through-hole 20 Wafer stage unit 23 Wafer stage 26 Groove 27A, 27B Hollow shaft 28 Bearing 29 Shaft base 30 Stage moving mechanism 31 Pipe 32 Rotary joints 33A, 33B Movable plate 34 Support plates 35A, 35B Linear guide 36 Swivel arm 40 Notch polishing unit 41, 111 Polishing tape 42, 65, 90 Polishing head 43 Tape feed mechanism 45a Supply reel 45b Recovery reel 46 Reel chamber 50, 60, 70, 91 Back Pads 57a and 57b Guide roller 58 Polishing liquid supply nozzles 59a to 59e Pulley 61 Base 63 Core rod (support member)
63a Convex portions 67, 92 Upper holder 68 Lower holder 71 Movable arm 72 Cam shaft 73 Support arm 74 Linear guide 75A, 75B, 75C Bearing 76 Cam 77 Groove 78 Support shaft 80 Wafer chuck mechanism 81 First chuck hand 82 Second Chuck hand 83 Top 94 Spring holder 94a Recess 95 Spring 97 Housing (fixing member)
100 Hand 101, 107 Polishing head 102 Back pad 103 Linear motion guide mechanism 104 Cover 104a Hole 105 Positioning pin 110 Bevel polishing unit 112 Polishing head 120 Load / unload unit 125 Wafer cassette 130 Housing 140A First transfer robot 140B Second Transport robot 145 Temporary table 150A Primary polishing module 150B Secondary polishing module 160A Primary cleaning module 160B Secondary cleaning module W Wafers b1, b3, b10, b11 Belt b2 Ball screws m1, m2, m3, m4, M1, M2 Motor p1, p2, p3, p4, p11 to p14 pulley

Claims

In a polishing apparatus for polishing a notch portion of a substrate by relatively moving the polishing surface of the polishing tape and the substrate,
A substrate holder for holding the substrate;
A tape feed mechanism for feeding the abrasive tape in its longitudinal direction;
A polishing head for pressing the polishing tape against the notch portion of the substrate,
The polishing head is
A guide member for guiding the advancing direction of the polishing tape;
A back pad disposed on the back side of the polishing tape and having a loop shape;
The polishing apparatus according to claim 1, wherein the back pad is held by a plurality of pulleys so as to be able to travel in the longitudinal direction while maintaining the loop shape.

The polishing apparatus according to claim 1, wherein the back pad includes a plurality of cylindrical members arranged concentrically.

The at least one of the plurality of pulleys is a movable pulley configured to be movable, and the tension of the back pad is adjusted by moving the movable pulley. Polishing equipment.

The polishing apparatus according to claim 1, further comprising a reciprocating mechanism that reciprocates the polishing head along the traveling direction of the polishing tape.

In a polishing apparatus for polishing a notch portion of a substrate by relatively moving the polishing surface of the polishing tape and the substrate,
A substrate holder for holding the substrate;
A tape feed mechanism for feeding the abrasive tape in its longitudinal direction;
A polishing head for pressing the polishing tape against the notch portion of the substrate,
The polishing head is
A guide member for guiding the advancing direction of the polishing tape;
A back pad disposed on the back side of the polishing tape and extending linearly;
The back pad is
Having a plurality of different cross-sectional shapes,
A polishing apparatus, wherein the polishing apparatus is disposed substantially parallel to a traveling direction of the polishing tape guided by the guide member.

The polishing apparatus according to claim 5 , wherein at least one of the plurality of cross-sectional shapes has a shape along a shape of the notch portion.

The polishing apparatus according to claim 5 , wherein at least one of the plurality of cross-sectional shapes has an arc shape.

In a polishing apparatus for polishing a notch portion of a substrate by relatively moving the polishing surface of the polishing tape and the substrate,
A substrate holder for holding the substrate;
A tape feed mechanism for feeding the abrasive tape in its longitudinal direction;
A polishing head for pressing the polishing tape against the notch portion of the substrate,
The polishing head is
A guide member for guiding the advancing direction of the polishing tape;
A linearly extending back pad disposed on the back side of the polishing tape;
A support member to which the back pad is fixed;
A fulcrum structure that allows the support member to rotate about one end thereof or a point near the one end; and
A pressing member that presses the other end of the support member toward the polishing tape ;
The polishing apparatus according to claim 1, wherein the back pad is disposed substantially in parallel with a traveling direction of the polishing tape guided by the guide member.

In a polishing apparatus for polishing a notch portion of a substrate by relatively moving the polishing surface of the polishing tape and the substrate,
A substrate holder for holding the substrate;
A tape feed mechanism for feeding the abrasive tape in its longitudinal direction;
A polishing head for pressing the polishing tape against the notch portion of the substrate,
The polishing head is
A guide member for guiding the advancing direction of the polishing tape;
A linearly extending back pad disposed on the back side of the polishing tape;
A support member to which the back pad is fixed;
A plurality of pressing members that press the supporting member toward the polishing tape ;
The polishing apparatus according to claim 1, wherein the back pad is disposed substantially in parallel with a traveling direction of the polishing tape guided by the guide member.

The polishing apparatus according to claim 9 , further comprising a guide mechanism that regulates a movable direction of the support member in a direction toward the polishing tape.

The polishing apparatus according to claim 10 , further comprising a cover that covers the support member and the pressing member.

A substrate holder for holding the substrate;
A first polishing unit for pressing a polishing tape against the substrate to polish the peripheral edge of the substrate;
A second polishing unit for pressing a polishing tape against the substrate to polish the peripheral edge of the substrate;
A housing for housing the first polishing unit and the second polishing unit;
The first polishing unit has the polishing head according to any one of claims 1 to 11 ,
The polishing apparatus, wherein the first polishing unit and the second polishing unit are configured to be movable in parallel with the surface of the substrate held by the substrate holding unit.

The polishing apparatus according to claim 12 , wherein the second polishing unit includes the polishing head according to any one of claims 1 to 11 .

The polishing apparatus according to claim 12 , wherein the second polishing unit includes a polishing head that presses the polishing tape against a bevel portion of a substrate to polish the bevel portion.

The polishing apparatus according to any one of claims 1 to 14 ,
A substrate processing apparatus, comprising: a cleaning module that cleans the substrate polished by the polishing apparatus.