JP5064821B2 - 磁気ディスクコントローラおよび方法 - Google Patents
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Description
20 磁気ディスク
30 ヘッド
40 ホスト
100 読み出し制御部
105 インデックス検出部
107 タイミング制御部
110 書き込み制御部
120 復調部
125 アドレス取得部
127 アドレス加算部
130 アドレス生成部
135 バッファ制御部
140 バッファユニット
141 第1バッファ
142 第2バッファ
143 第3バッファ
144 第1記憶領域
145 エラー検出コード生成部
146 第2記憶領域
150 変調部
152 読み出しキャッシュ
154 変調コア部
156 書き込みキャッシュ
160 インターフェース
165 変調方式決定部
200 インデックス
210、212、214、216、218、220 セクタ
600、602、604 フェーズ
800、805、810、815、820 タイミング
900、910、920、930、940、950、960 フェーズ
Claims (8)
- 磁気ディスクへのデータの書き込みを制御する磁気ディスクコントローラであって、
前記磁気ディスクへ書き込むべきデータを受け渡すインターフェースと、
前記インターフェースから受け取った、前記磁気ディスクの少なくとも1セクタに書き込むべきデータを一時的に、それぞれ格納する第1バッファおよび第2バッファと、
前記第1バッファおよび前記第2バッファに格納されたデータを、前記磁気ディスクに印加する信号を表す変調データに変調する変調部と、
前記インターフェースから受け取ったデータを、前記第1バッファおよび前記第2バッファの少なくとも一方のバッファに書き込んでいる間に、他方のバッファから前記データを読み出し、前記変調部を用いて変調してから再度前記他方のバッファに格納するバッファ制御部と
を備え、
前記変調部と前記第1バッファおよび前記第2バッファとの間のデータ幅Mは、前記インターフェースと前記第1バッファおよび前記第2バッファとの間のデータ幅Nの2倍以上である
磁気ディスクコントローラ。 - 前記変調部は、
前記データを変調する変調コア部と、
前記第1バッファまたは前記第2バッファから前記データ幅Mごとに前記データを読み出し、前記データ幅Mよりも小さいデータ幅毎に分割して前記変調コア部へ出力する読み出しキャッシュと、
前記変調コア部から複数回に分けて受け取ったデータをまとめて、前記データ幅Mのデータ毎に前記第1バッファまたは前記第2バッファに書き込む書き込みキャッシュと
を有する請求項1に記載の磁気ディスクコントローラ。 - 前記第1バッファおよび前記第2バッファから前記変調部へのデータ読み出し周期および前記変調部から前記第1バッファおよび前記第2バッファへのデータ書き込み周期の和が、前記インターフェースから前記第1バッファおよび前記第2バッファへのデータ書き込み周期と等しい
請求項1または請求項2に記載の磁気ディスクコントローラ。 - 前記第1バッファ、および前記第2バッファのそれぞれは、予め定められたシーケンスに従って、前記第1バッファおよび前記第2バッファの間で転送される部分データであって、前記第1バッファおよび前記第2バッファの1つに変調されずに格納され、その後、前記第1バッファおよび前記第2バッファの他の1つに変調されて格納され、その後前記磁気ディスクに書き込まれる部分データを格納する請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の磁気ディスクコントローラ。
- 第3バッファをさらに備え、
変調されていない前記データは、第1データ、第2データ、第3データおよび第4データの前半部分および後半部分を少なくとも含み、
変調された前記データは、前記第1データ、前記第2データ、前記第3データおよび前記第4データの前記前半部分および前記後半部分を少なくとも含み、
前記予め定められたシーケンスは、
前記第1データの前記前半部分が前記第1バッファに格納されている第1フェーズと、
前記第1データの前記後半部分が前記第1バッファに格納され、変調された前記第1データの前記前半部分が前記第2バッファに格納されている第2フェーズと、
前記第2データの前記前半部分が前記第1バッファに格納され、変調された前記第1データの前記前半部分が前記第2バッファに格納され、変調された前記第1データの前記後半部分が前記第2バッファに格納されている第3フェーズと、
前記第2データの前記後半部分が前記第1バッファに格納され、変調された前記第1データの前記後半部分が前記第2バッファに格納され、変調された前記第2データの前記前半部分が前記第3バッファに格納されている第4フェーズと、
前記第3データの前記前半部分が前記第1バッファに格納され、変調された前記第2データの前記前半部分が前記第3バッファに格納され、変調された前記第2データの前記後半部分が前記第3バッファに格納されている第5フェーズと、
前記第3データの前記後半部分が前記第1バッファに格納され、変調された前記第3データの前記前半部分が前記第2バッファに格納され、変調された前記第2データの前記後半部分が前記第3バッファに格納されている第6フェーズと、
前記第4データの前記前半部分が前記第1バッファに格納され、変調された前記第3データの前記前半部分が前記第2バッファに格納され、変調された前記第3データの前記後半部分が前記第2バッファに格納されている第7フェーズと
を少なくとも含む請求項4に記載の磁気ディスクコントローラ。 - 少なくとも1セクタ分の前記変調データを一時的に格納する第3バッファと、
前記第3バッファから前記変調データを読み出して前記磁気ディスクに書き込む書き込み制御部
をさらに備え、
前記第1バッファおよび前記第2バッファから前記変調部へのデータ読み出し周期および前記変調部から前記第1バッファおよび前記第2バッファへのデータ書き込み周期の和が、前記第3バッファから前記書き込み制御部へのデータの読み出し周期と等しい
請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の磁気ディスクコントローラ。 - 前記バッファ制御部は、前記第1バッファを前記第2バッファと同様に機能させ、前記第2バッファを前記第3バッファと同様に機能させ、前記第3バッファを前記第1バッファと同様に機能させることにより、前記第1バッファ、前記第2バッファ、および前記第3バッファをローテーションさせて利用する
請求項6に記載の磁気ディスクコントローラ。 - 磁気ディスクへのデータの書き込みを制御する方法であって、
前記磁気ディスクへ書き込むべきデータを受け渡すインターフェースから受け取った、前記磁気ディスクの少なくとも1セクタに書き込むべきデータを一時的に、第1バッファおよび第2バッファのそれぞれに格納する段階と、
前記第1バッファおよび前記第2バッファに格納されたデータを、前記磁気ディスクに印加する信号を表す変調データに変調部において変調する変調段階と、
前記インターフェースから受け取ったデータを、前記第1バッファおよび前記第2バッファの少なくとも一方のバッファに書き込んでいる間に、他方のバッファから前記データを読み出し、前記変調段階において変調されてから再度前記他方のバッファに格納するバッファ制御段階と
を備え、
前記変調部と前記第1バッファおよび前記第2バッファとの間のデータ幅Mは、前記インターフェースと前記第1バッファおよび前記第2バッファとの間のデータ幅Nの2倍以上である
方法。
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