JP5062059B2 - Polymer, photosensitive resin composition - Google Patents

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Description

本発明は、ポリマー、感光性樹脂組成物、永久レジスト用感光性フィルム、レジストパターンの形成方法、プリント配線板及びその製造方法、並びに、表面保護膜及び層間絶縁膜に関する。   The present invention relates to a polymer, a photosensitive resin composition, a photosensitive film for permanent resist, a method for forming a resist pattern, a printed wiring board and a method for producing the same, and a surface protective film and an interlayer insulating film.

従来、各種電子機器の小型化、軽量化に伴い、プリント配線板や半導体素子を内蔵するパッケージ基板には、回路パターンを形成する目的で感光性のソルダーレジストが用いられている。ソルダーレジストはソルダリング工程ではんだが不必要な部分に付着するのを防ぐ保護膜として、また永久マスクとして必要不可欠な材料である。ソルダーレジストの材料としては、微細なパターンを形成するための、良好な現像性及び高い解像度といった優れた感光特性とともに、優れた絶縁材料としての、良好な電気絶縁性や高耐溶剤性、高耐アルカリ性等の特性が要求される。また、かかるソルダーレジストは、プリント配線板やパッケージ基板の一部材としての物理特性、例えば、高い引張り強度、伸び率及び耐電食性等も求められている。   Conventionally, with the miniaturization and weight reduction of various electronic devices, a photosensitive solder resist has been used for the purpose of forming a circuit pattern on a package substrate containing a printed wiring board or a semiconductor element. The solder resist is an indispensable material as a protective film for preventing the solder from adhering to unnecessary portions in the soldering process and as a permanent mask. The solder resist material has excellent photosensitive properties such as good developability and high resolution for forming fine patterns, as well as good electrical insulation, high solvent resistance, and high resistance as an excellent insulating material. Characteristics such as alkalinity are required. Such solder resists are also required to have physical properties as a member of a printed wiring board or a package substrate, such as high tensile strength, elongation rate, and electric corrosion resistance.

近年のはんだのPbフリー化に伴い、上記諸特性に加えて、特にパッケージ基板に用いるソルダーレジストには、260℃程度の高温環境下における優れたはんだ耐熱性や高耐熱衝撃性、及び高温高湿環境下においてもソルダーレジストとして安定に機能する優れた耐湿熱性も求められている。また、特に微細な開口パターンを要するパッケージ基板用のソルダーレジストには、例えば−55℃〜125℃の温度サイクル試験(TCT)に対する耐性(耐熱衝撃性)が要求されている。   With the recent Pb-free soldering, in addition to the above characteristics, especially solder resists used for package substrates have excellent solder heat resistance, high thermal shock resistance, and high temperature and high humidity in a high temperature environment of about 260 ° C. There is also a need for excellent moisture and heat resistance that functions stably as a solder resist even in the environment. Further, a solder resist for a package substrate that requires a particularly fine opening pattern is required to have resistance (thermal shock resistance) to a temperature cycle test (TCT) of, for example, −55 ° C. to 125 ° C.

ソルダーレジストをプリント配線板等に形成する方法としては、液状フォトレジストを用いる方法もあるが、生産効率及びレジスト膜厚の均一性の観点から、特許文献1に開示されているような、いわゆるドライフィルム(ドライフィルムレジスト)を用いる方法が主流となりつつある。また、作業環境保全、地球環境保全の点から、弱アルカリ溶液で現像可能なアルカリ現像型のものが主流になっている。   As a method of forming a solder resist on a printed wiring board or the like, there is a method using a liquid photoresist. From the viewpoint of production efficiency and uniformity of resist film thickness, so-called dry resist as disclosed in Patent Document 1 is also available. A method using a film (dry film resist) is becoming mainstream. Also, from the viewpoint of work environment conservation and global environment conservation, an alkali development type that can be developed with a weak alkaline solution has become mainstream.

特許文献2には、耐熱性、耐湿熱性、密着性、機械特性に優れた硬化膜を得ることができ、プリント配線板、高密度多層板、半導体パッケージ等の製造に好適に用いられる感光性樹脂組成物を提供することを意図して、エポキシ化合物(a)と不飽和モノカルボン酸とのエステル化物に飽和又は不飽和多塩基酸無水物を反応させて得られたカルボキシル基を有する感光性樹脂(A)、カルボキシル基を有する感光性ポリアミド樹脂及びカルボキシル基を有する感光性ポリアミドイミド樹脂から選ばれる少なくとも1種の感光性樹脂(B)、エラストマー(C)、エポキシ硬化剤(D)、及び光重合開始剤(E)を含有する感光性樹脂組成物が提案されている。そして、この感光性樹脂組成物から形成されるソルダーレジストは耐溶剤性に優れていることが特許文献2に記載されている。   Patent Document 2 discloses a photosensitive resin that can obtain a cured film excellent in heat resistance, heat and humidity resistance, adhesion, and mechanical properties, and is suitably used for manufacturing printed wiring boards, high-density multilayer boards, semiconductor packages, and the like. Photosensitive resin having a carboxyl group obtained by reacting an esterified product of an epoxy compound (a) and an unsaturated monocarboxylic acid with a saturated or unsaturated polybasic acid anhydride for the purpose of providing a composition (A), at least one photosensitive resin (B) selected from a photosensitive polyamide resin having a carboxyl group and a photosensitive polyamideimide resin having a carboxyl group, an elastomer (C), an epoxy curing agent (D), and light A photosensitive resin composition containing a polymerization initiator (E) has been proposed. And it is described in patent document 2 that the solder resist formed from this photosensitive resin composition is excellent in solvent resistance.

また、特許文献3には、塗布面に対する印刷性、耐熱性、塗布面との密着性、耐薬品性、耐溶剤性、電気特性、機械的特性に優れた例えばソルダーレジスト膜等を形成することができる感光性樹脂組成物等の提供等を意図して、(A)特定構造を有するノボラックエポキシ樹脂及び特定構造を有するゴム変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂の混合物と該混合物のエポキシ当量当たり0.2〜1.2モルのエチレン性不飽和カルボン酸との反応生成物と、上記混合物のエポキシ当量当たり0.2〜1.0モルの多塩基酸及び/又はその無水物との反応生成物であってカルボキシル基を有する感光性プレポリマー、(B)光重合性反応性希釈剤、(C)光重合開始剤、及び(D)熱硬化性成分を含有する感光性樹脂組成物が提案されている。   Further, in Patent Document 3, for example, a solder resist film or the like excellent in printability, heat resistance, adhesion to the application surface, chemical resistance, solvent resistance, electrical properties, and mechanical properties on the application surface is formed. A mixture of a novolak epoxy resin having a specific structure and a rubber-modified bisphenol A type epoxy resin having a specific structure, and an epoxy equivalent of 0.2 Reaction product of -1.2 mol of ethylenically unsaturated carboxylic acid with 0.2-1.0 mol of polybasic acid and / or its anhydride per epoxy equivalent of the above mixture. A photosensitive resin composition containing a photosensitive prepolymer having a carboxyl group, (B) a photopolymerizable reactive diluent, (C) a photopolymerization initiator, and (D) a thermosetting component has been proposed. .

さらに、特許文献4には、永久マスクレジストとしての可とう性、はんだ耐熱性及び耐薬品性を低下させずに、高い耐湿絶縁性を示す永久マスクレジストの提供を意図して、アルカリ現像後の水洗工程において、水洗用の水に2価のカルシウムイオンなどの2価の無機イオンを含有させる手段が開示されている。   Furthermore, Patent Document 4 discloses a permanent mask resist that exhibits high moisture resistance insulation without lowering flexibility, solder heat resistance, and chemical resistance as a permanent mask resist. In the rinsing step, means for incorporating divalent inorganic ions such as divalent calcium ions into water for rinsing is disclosed.

一方、従来、ソルダーレジストの材料として、優れた耐熱性及び機械特性を有するポリイミド前駆体を用いた感光性樹脂組成物が知られている(例えば、特許文献5参照)。   On the other hand, conventionally, a photosensitive resin composition using a polyimide precursor having excellent heat resistance and mechanical properties is known as a solder resist material (see, for example, Patent Document 5).

特開昭54−1018号公報Japanese Patent Laid-Open No. 54-1018 特開平11−288087号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-288087 特開平9−5997号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-5997 特開2004−252485号公報JP 2004-252485 A 特開平11−217414号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-217414

しかしながら、本発明者らは、上記特許文献2、3に記載の従来の感光性樹脂組成物について詳細に検討を行ったところ、このような従来の感光性樹脂組成物から得られるソルダーレジストは、さらに優れた耐熱衝撃性の要求に充分対応できない可能性があることを見出した。   However, the present inventors have examined the conventional photosensitive resin composition described in Patent Documents 2 and 3 in detail, and the solder resist obtained from such a conventional photosensitive resin composition is: Furthermore, it has been found that there is a possibility that it cannot sufficiently meet the demand for excellent thermal shock resistance.

また、本発明者らは、上記特許文献2、3に記載の従来の感光性樹脂組成物からドライフィルムを形成すると、充分な貯蔵安定性が得られないことを見出した。すなわち、例えば特許文献2に開示される従来の感光性樹脂組成物は、(D)エポキシ硬化剤中のグリシジル基と、(A)又は(B)の感光性樹脂中のカルボキシル基とが常温で反応してしまう。そのため、これを液状レジストの材料として用いる際には、(A)及び(B)の感光性樹脂と(D)エポキシ硬化剤とをそれぞれ主剤と硬化剤とに分けた二液性のレジスト材料とすることにより、上述の反応を防止する。しかしながら、この感光性樹脂組成物をドライフィルムの材料として用いる場合、(A)及び(B)の感光性樹脂と(D)エポキシ硬化剤とを同じフィルム中に配合することとなるため、得られるドライフィルム中で上述の反応が進行し、充分な貯蔵安定性を示し難くなる。特許文献3に開示される感光性樹脂組成物も同様な問題点が存在する。   In addition, the present inventors have found that when a dry film is formed from the conventional photosensitive resin compositions described in Patent Documents 2 and 3, sufficient storage stability cannot be obtained. That is, for example, in the conventional photosensitive resin composition disclosed in Patent Document 2, (D) the glycidyl group in the epoxy curing agent and the carboxyl group in the photosensitive resin (A) or (B) are at room temperature. It reacts. Therefore, when this is used as a liquid resist material, a two-part resist material in which the photosensitive resin (A) and (B) and the epoxy curing agent (D) are divided into a main agent and a curing agent, respectively. By doing so, the above reaction is prevented. However, when this photosensitive resin composition is used as a material for a dry film, the photosensitive resin of (A) and (B) and the (D) epoxy curing agent are blended in the same film. The above-described reaction proceeds in the dry film, and it becomes difficult to show sufficient storage stability. The photosensitive resin composition disclosed in Patent Document 3 has similar problems.

さらに、本発明者らは、上記特許文献4に開示された手段を用いると、耐電食性については一定の効果を奏するものの、耐熱衝撃性についてはまだ不充分であることを見出した。   Furthermore, the present inventors have found that using the means disclosed in the above-mentioned Patent Document 4, although there is a certain effect with respect to electric corrosion resistance, it is still insufficient with respect to thermal shock resistance.

一方、本発明者らは、特許文献5に記載されたようなポリイミド前駆体を用いた感光性樹脂組成物はヘプタン酸ジエタノールアミド5重量%と炭酸ナトリウム0.5重量%という高アルカリ濃度の条件で現像できるものであり、弱アルカリ性での現像性は不充分であることを見出した。   On the other hand, the present inventors have found that a photosensitive resin composition using a polyimide precursor as described in Patent Document 5 is a high alkali concentration condition of 5 wt% heptanoic acid diethanolamide and 0.5 wt% sodium carbonate. It was found that the developability with weak alkalinity is insufficient.

そこで、本発明は、充分に高い耐熱性及び耐熱衝撃性を備えたソルダーレジストを形成でき、かつ、充分に優れた貯蔵安定性を示すドライフィルムを形成できる、弱アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物に使用可能なポリマー、及び、充分に高い耐熱性及び耐熱衝撃性を備えたソルダーレジストを形成でき、かつ、充分に優れた貯蔵安定性を示すドライフィルムを形成できる、弱アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明はまた、上記感光性樹脂組成物を用いた、永久レジスト用感光性フィルム、レジストパターンの形成方法、プリント配線板及びその製造方法、並びに、表面保護膜及び層間絶縁膜を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention provides a weakly alkali developable photosensitive resin composition capable of forming a solder resist having sufficiently high heat resistance and thermal shock resistance and capable of forming a dry film exhibiting sufficiently excellent storage stability. Sensitive to weak alkali development that can form polymers that can be used in products, and can form solder resists with sufficiently high heat resistance and thermal shock resistance, and can form dry films that exhibit sufficiently excellent storage stability. It aims at providing a conductive resin composition. The present invention also provides a photosensitive film for a permanent resist, a method for forming a resist pattern, a printed wiring board and a method for producing the same, and a surface protective film and an interlayer insulating film using the photosensitive resin composition. Objective.

本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の構造を有するポリマーを用いることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that the above object can be achieved by using a polymer having a specific structure, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は、下記一般式(1)で表わされる構造を含むポリマーを提供する。

Figure 0005062059


[式中、Xは四価の有機基を示し、Y、R及びRは各々独立に二価の有機基を示し、Rは水素原子、フェニル基又は炭素数1〜5のアルキル基を示し、nは1以上の整数を示す。] That is, this invention provides the polymer containing the structure represented by following General formula (1).
Figure 0005062059


[Wherein, X represents a tetravalent organic group, Y, R 1 and R 2 each independently represents a divalent organic group, and R represents a hydrogen atom, a phenyl group or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. N represents an integer of 1 or more. ]

かかるポリマーは、ポリイミド前駆体(ポリアミド酸)であり、加熱によってイミド化するため、熱硬化剤を用いなくても熱硬化でき、かつ、1%重量減少温度(耐熱性)が充分に高い。また、このポリイミド前駆体は構造中にアミド結合を有する化合物をジアミン成分として用いているため、アミド結合濃度が高く、種々の材料に対する接着力が高い。さらに、構造中にカルボキシル基を有するため、感光性樹脂組成物のベースポリマーとして用いた場合に、弱アルカリ水溶液で現像することが可能である。その結果、本発明のポリマーを含む感光性樹脂組成物を用いれば、充分に高い耐熱性及び耐熱衝撃性を備えたソルダーレジストを形成できる。また、本発明のポリマーを含有する一液性の感光性樹脂組成物、又はドライフィルムは貯蔵安定性が高く、長時間保存した後でも塗膜性、硬化膜の解像度及び耐熱性等の諸特性を充分良好に維持することができる。   Since such a polymer is a polyimide precursor (polyamic acid) and imidizes by heating, it can be thermally cured without using a thermosetting agent, and has a sufficiently high 1% weight loss temperature (heat resistance). Moreover, since this polyimide precursor uses a compound having an amide bond in the structure as a diamine component, the amide bond concentration is high and the adhesive strength to various materials is high. Further, since it has a carboxyl group in the structure, it can be developed with a weak alkaline aqueous solution when used as a base polymer of the photosensitive resin composition. As a result, if a photosensitive resin composition containing the polymer of the present invention is used, a solder resist having sufficiently high heat resistance and thermal shock resistance can be formed. In addition, the one-part photosensitive resin composition or dry film containing the polymer of the present invention has high storage stability, and various properties such as coating properties, cured film resolution, and heat resistance even after long-term storage. Can be maintained sufficiently satisfactorily.

本発明のイミド化ポリマーは、上記一般式(1)で表わされる構造を含むポリマーをイミド化してなるイミド化ポリマーである。かかるイミド化ポリマーは、1%重量減少温度(耐熱性)が高く、また、ジアミン成分を含むため接着力が高い。さらに、イミド化していないカルボキシル基を有する場合、アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物のベースポリマーとして用いることもできる。   The imidized polymer of the present invention is an imidized polymer obtained by imidizing a polymer containing the structure represented by the general formula (1). Such an imidized polymer has a high 1% weight loss temperature (heat resistance) and has a high adhesive force because it contains a diamine component. Furthermore, when it has the carboxyl group which is not imidized, it can also be used as a base polymer of the photosensitive resin composition in which alkali development is possible.

本願発明は、また、(A)上記ポリマー及び/又はイミド化ポリマーと、(B)光重合性化合物と、(C)光重合開始剤とを含有する、アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物を提供する。   The present invention also provides an alkali-developable photosensitive resin composition containing (A) the polymer and / or imidized polymer, (B) a photopolymerizable compound, and (C) a photopolymerization initiator. provide.

かかる感光性樹脂組成物の所定部分に光照射すると、露光部の光重合性化合物が重合し、未露光部の感光性樹脂組成物はアルカリ現像液を用いて選択的に溶出し除去することによって、所定のレジストパターンを形成することができる。さらに、ポリマーのイミド化によって、耐熱性の高い硬化物が得られる。その結果、本発明の感光性樹脂組成物を用いれば、充分に高い耐熱性と耐熱衝撃性を示すソルダーレジストを形成できる。また、上述したように、かかる感光性樹脂組成物を用いて、充分に優れた貯蔵安定性と高い接着性を示すドライフィルムを形成することができる。   When a predetermined portion of the photosensitive resin composition is irradiated with light, the photopolymerizable compound in the exposed portion is polymerized, and the photosensitive resin composition in the unexposed portion is selectively eluted and removed using an alkaline developer. A predetermined resist pattern can be formed. Furthermore, a cured product having high heat resistance is obtained by imidation of the polymer. As a result, if the photosensitive resin composition of the present invention is used, a solder resist exhibiting sufficiently high heat resistance and thermal shock resistance can be formed. Further, as described above, a dry film exhibiting sufficiently excellent storage stability and high adhesiveness can be formed using such a photosensitive resin composition.

ここで、上記(A)ポリマーの重量平均分子量が1万〜20万であることが好ましい。重量平均分子量が上記範囲内であれば、アルカリ現像液による現像性が良く、引張強度及び伸び率等の機械的特性に優れたソルダーレジストを形成することができる。   Here, the weight average molecular weight of the polymer (A) is preferably 10,000 to 200,000. When the weight average molecular weight is within the above range, it is possible to form a solder resist having good developability with an alkali developer and excellent mechanical properties such as tensile strength and elongation.

また、上記(B)光重合性化合物がアミド結合を有する化合物を含むことが好ましい。これにより、上記(A)ポリマーとの高い相溶性が得られ、均一な硬化膜を得ることが可能となる。均一な硬化膜を得ることにより、高い引張強度や伸び率などを安定して得られる。   Moreover, it is preferable that the said (B) photopolymerizable compound contains the compound which has an amide bond. Thereby, high compatibility with the said (A) polymer is obtained, and it becomes possible to obtain a uniform cured film. By obtaining a uniform cured film, high tensile strength and elongation can be stably obtained.

さらに、上記(B)光重合性化合物が、下記一般式(2)、(3)又は(4)で表わされる化合物を含むことが好ましい。これにより、さらに上記(A)ポリマーとの高い相溶性が得られ、高い耐熱性、引張強度、伸び率などを有する硬化膜を安定して得ることが可能となる。   Furthermore, it is preferable that the (B) photopolymerizable compound contains a compound represented by the following general formula (2), (3) or (4). Thereby, high compatibility with the said (A) polymer is obtained, and it becomes possible to obtain the cured film which has high heat resistance, tensile strength, elongation rate, etc. stably.

Figure 0005062059


Figure 0005062059


Figure 0005062059


[式(2)、(3)及び(4)中、Rは二価の有機基を示す。]
Figure 0005062059


Figure 0005062059


Figure 0005062059


[In the formulas (2), (3) and (4), R 3 represents a divalent organic group. ]

本発明はまた、支持体と、該支持体上に形成された上記感光性樹脂組成物を含有する感光層とを備える永久レジスト用感光性フィルムを提供する。かかる永久レジスト用感光性フィルムは、充分に優れた貯蔵安定性と高い接着性を示し、長時間保存した後でも塗膜性、硬化物の解像度及び耐熱性等の諸特性を充分良好に維持することができる。   The present invention also provides a photosensitive film for permanent resist comprising a support and a photosensitive layer containing the photosensitive resin composition formed on the support. Such a photosensitive film for a permanent resist exhibits sufficiently excellent storage stability and high adhesiveness, and sufficiently maintains various properties such as coating properties, resolution of cured products and heat resistance even after storage for a long time. be able to.

本発明はまた、絶縁基板と該絶縁基板上に形成された回路パターンを有する導体層とを備える積層基板の前記絶縁基板上に、前記導体層を覆うように上記感光性樹脂組成物からなる感光層を積層し、該感光層の所定部分に活性光線を照射して露光部を形成し、次いで、該露光部以外の部分を除去することを特徴とする、レジストパターンの形成方法を提供する。かかるレジストパターンの形成方法は、プリント配線板や半導体パッケージ等におけるレジストパターン、特に永久レジスト層の形成において好適に用いられる。かかる方法により得られたレジストパターンは、充分に高い耐熱性及び耐熱衝撃性を示すほか、引張強度や伸び率等の機械的特性、電気絶縁性、耐湿熱性、耐アルカリ性、耐溶剤性、はんだ耐熱性及び耐電解Ni/Auめっき性にも優れている。そのため、得られた永久レジストは表面保護膜及び層間絶縁膜として好適に用いられる。   The present invention also provides a photosensitive resin composition comprising the above photosensitive resin composition so as to cover the conductive layer on the insulating substrate of a laminated substrate including an insulating substrate and a conductive layer having a circuit pattern formed on the insulating substrate. A method for forming a resist pattern is provided, in which layers are laminated, an exposed portion is formed by irradiating a predetermined portion of the photosensitive layer with an actinic ray, and then a portion other than the exposed portion is removed. Such a resist pattern forming method is suitably used in forming a resist pattern, particularly a permanent resist layer, in a printed wiring board, a semiconductor package, or the like. Resist patterns obtained by such methods exhibit sufficiently high heat resistance and thermal shock resistance, as well as mechanical properties such as tensile strength and elongation, electrical insulation, moisture and heat resistance, alkali resistance, solvent resistance, and solder heat resistance. And excellent resistance to electrolytic Ni / Au plating. Therefore, the obtained permanent resist is preferably used as a surface protective film and an interlayer insulating film.

本発明はまた、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された回路パターンを有する導体層と、該導体層を覆うように前記絶縁基板上に形成された上記感光性樹脂組成物の硬化物からなる永久レジスト層と、を備えるプリント配線板を提供する。   The present invention also includes an insulating substrate, a conductor layer having a circuit pattern formed on the insulating substrate, and a cured product of the photosensitive resin composition formed on the insulating substrate so as to cover the conductor layer. A printed wiring board comprising a permanent resist layer.

本発明はまた、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された回路パターンを有する導体層と、該導体層を覆うように前記絶縁基板上に形成された永久レジスト層と、を備えるプリント配線板の製造方法であって、前記導体層を覆うように上記感光性樹脂組成物からなる感光層を積層し、該感光層の所定部分に活性光線を照射して露光部を形成し、次いで、該露光部以外の部分を除去することを特徴とする、プリント配線板の製造方法を提供する。   The present invention also includes an insulating substrate, a conductor layer having a circuit pattern formed on the insulating substrate, and a permanent resist layer formed on the insulating substrate so as to cover the conductor layer. A photosensitive layer composed of the photosensitive resin composition so as to cover the conductor layer, and irradiating a predetermined portion of the photosensitive layer with an actinic ray to form an exposed portion; A method for manufacturing a printed wiring board is provided, wherein a portion other than an exposed portion is removed.

本発明はさらに、上記感光性樹脂組成物の硬化物からなる表面保護膜及び層間絶縁膜を提供する。かかる表面保護膜及び層間絶縁膜は、充分に高い耐熱性と耐熱衝撃性を備えるほか、引張強度や伸び率等の機械的特性、電気絶縁性、耐湿熱性、耐アルカリ性、耐溶剤性、はんだ耐熱性及び耐電解Ni/Auめっき性にも優れている。   The present invention further provides a surface protective film and an interlayer insulating film made of a cured product of the photosensitive resin composition. Such surface protective film and interlayer insulating film have sufficiently high heat resistance and thermal shock resistance, mechanical properties such as tensile strength and elongation, electrical insulation, moisture and heat resistance, alkali resistance, solvent resistance, solder heat resistance And excellent resistance to electrolytic Ni / Au plating.

本発明によれば、充分に高い耐熱性及び耐熱衝撃性を備えたソルダーレジストを形成でき、かつ、充分に優れた貯蔵安定性を示すドライフィルムを形成できる、弱アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物に使用可能なポリマー、及び、充分に高い耐熱性及び耐熱衝撃性を備えたソルダーレジストを形成でき、かつ、充分に優れた貯蔵安定性を示すドライフィルムを形成できる、弱アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物を提供することができる。また、本発明によれば、上記感光性樹脂組成物を用いた、永久レジスト用感光性フィルム、レジストパターンの形成方法、プリント配線板及びその製造方法、並びに、表面保護膜及び層間絶縁膜を提供することができる。   According to the present invention, a weakly developable photosensitive resin composition capable of forming a solder resist having sufficiently high heat resistance and thermal shock resistance, and capable of forming a dry film exhibiting sufficiently excellent storage stability. Sensitive to weak alkali development that can form polymers that can be used in products, and can form solder resists with sufficiently high heat resistance and thermal shock resistance, and can form dry films that exhibit sufficiently excellent storage stability. A functional resin composition can be provided. In addition, according to the present invention, there are provided a photosensitive film for a permanent resist, a method for forming a resist pattern, a printed wiring board and a method for producing the same, and a surface protective film and an interlayer insulating film using the photosensitive resin composition. can do.

以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。また、本明細書における「(メタ)アクリル酸」とは「アクリル酸」及びそれに対応する「メタクリル酸」を意味し、「(メタ)アクリレート」とは「アクリレート」及びそれに対応する「メタクリレート」を意味する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as necessary. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios. In the present specification, “(meth) acrylic acid” means “acrylic acid” and “methacrylic acid” corresponding thereto, and “(meth) acrylate” means “acrylate” and “methacrylate” corresponding thereto. means.

[ポリマー]
本発明のポリマーは、ポリイミド前駆体(ポリアミド酸)であり、下記一般式(1)で表わされる構造を含む。

Figure 0005062059

[polymer]
The polymer of the present invention is a polyimide precursor (polyamic acid) and includes a structure represented by the following general formula (1).
Figure 0005062059

一般式(1)において、Xは四価の有機基を示し、下記一般式(5)、(6)、(7)、(8)又は(9)で表わされる基であることが好ましい。

Figure 0005062059


[式(5)中、Zは単結合、−O−、−S−、−C(O)−、−SO−、−CH−、
Figure 0005062059


を示し、R及びRは各々独立に水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜3のアルコキシ基を示し、p及びqは各々独立に1〜3の整数を示す。なお、pが2以上の場合、複数存在するRは同一でも異なっていてもよく、qが2以上の場合、複数存在するRは同一でも異なっていてもよい。] In the general formula (1), X represents a tetravalent organic group, and is preferably a group represented by the following general formula (5), (6), (7), (8) or (9).
Figure 0005062059


[In the formula (5), Z represents a single bond, —O—, —S—, —C (O) —, —SO 2 —, —CH 2 —,
Figure 0005062059


R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, and p and q each independently represents an integer of 1 to 3. In addition, when p is 2 or more, a plurality of R 4 may be the same or different, and when q is 2 or more, a plurality of R 5 may be the same or different. ]

Figure 0005062059


[式(6)中、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜3のアルコキシ基を示し、mは1〜2の整数を示す。なお、mが2の場合、複数存在するRは同一でも異なっていてもよい。]
Figure 0005062059


Wherein (6), R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms having 1 to 6 carbon atoms, m is an integer of 1-2. When m is 2, a plurality of R 6 may be the same or different. ]

Figure 0005062059


[式(7)中、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜3のアルコキシ基を示し、rは1〜4の整数を示す。なお、rが2以上の場合、複数存在するRは同一でも異なっていてもよい。]
Figure 0005062059


Wherein (7), R 7 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms having 1 to 6 carbon atoms, r is an integer of 1-4. When r is 2 or more, a plurality of R 7 may be the same or different. ]

Figure 0005062059


[式(8)中、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜3のアルコキシ基を示し、sは1〜6の整数を示す。なお、sが2以上の場合、複数存在するRは同一でも異なっていてもよい。]
Figure 0005062059


Wherein (8), R 8 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms having 1 to 6 carbon atoms, s is an integer of 1-6. When s is 2 or more, a plurality of R 8 may be the same or different. ]

Figure 0005062059


[式(9)中、R及びR10は各々独立に水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜3のアルコキシ基を示し、t及びuは各々独立に1〜4の整数を示す。なお、tが2以上の場合、複数存在するRは同一でも異なっていてもよく、uが2以上の場合、複数存在するR10は同一でも異なっていてもよい。]
Figure 0005062059


[In Formula (9), R 9 and R 10 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, and t and u each independently represent 1 to 4 carbon atoms. Indicates an integer. When t is 2 or more, a plurality of R 9 may be the same or different, and when u is 2 or more, a plurality of R 10 may be the same or different. ]

これらの中でも特に、Zが単結合、−O−若しくは−C(O)−である一般式(5)、又は一般式(6)が好ましい。   Among these, general formula (5) or general formula (6) in which Z is a single bond, —O— or —C (O) — is preferable.

Yは、2価の有機基を示し、置換基を有していてもよいアリーレン基、炭素数1〜10の枝分かれしていてもよいアルキレン基が好ましい。これらの中でも特に、フェニレン基、ピリジレン基が好ましい。   Y represents a divalent organic group, and an arylene group which may have a substituent and an alkylene group which may be branched having 1 to 10 carbon atoms are preferable. Among these, a phenylene group and a pyridylene group are particularly preferable.

及びRは、各々独立に二価の有機基を示し、置換基を有していてもよいアリーレン基、炭素数1〜20のアルキレン基が好ましく、フェニレン基が特に好ましい。 R 1 and R 2 each independently represent a divalent organic group, preferably an arylene group which may have a substituent, or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably a phenylene group.

Rは、水素原子、フェニル基又は炭素数1〜5のアルキル基を示し、水素原子であることが好ましい。   R represents a hydrogen atom, a phenyl group or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is preferably a hydrogen atom.

かかるポリマーは、一般式(1)で表わされる構造を繰り返し単位とするポリマーであることが好ましく、特に、Xが、Zが単結合、−O−若しくは−C(O)−である一般式(5)、又は一般式(6)、Yがフェニレン基又はピリジレン基、Rが水素原子、R及びRがフェニレン基である、一般式(1)で表わされる構造を繰り返し単位とするポリマーが好適に用いられる。 Such a polymer is preferably a polymer having a structure represented by the general formula (1) as a repeating unit. In particular, X is a general formula (wherein Z is a single bond, —O— or —C (O) —). 5), or general formula (6), Y is a phenylene group or pyridylene group, R is a hydrogen atom, R 1 and R 2 are phenylene groups, and a polymer having a repeating unit as a structure represented by general formula (1) Preferably used.

本発明のポリマーは、アミド結合を有するジアミン成分とテトラカルボン酸二酸無水物を重合することにより得ることができる。アミド結合を有するジアミン成分は、例えば下記一般式(10)で表されるビスオキサゾリンとアミノ酸から得ることが可能である。

Figure 0005062059


[式(10)中、Yは、二価の有機基を示し、Rは水素原子、フェニル基又は炭素数1〜5のアルキル基を示す。]そのうち、Yは、置換基を有していてもよいアリーレン基、炭素数1〜10の枝分かれしていてもよいアルキレン基であることが好ましい。 The polymer of the present invention can be obtained by polymerizing a diamine component having an amide bond and a tetracarboxylic dianhydride. The diamine component having an amide bond can be obtained, for example, from a bisoxazoline represented by the following general formula (10) and an amino acid.
Figure 0005062059


[In Formula (10), Y shows a divalent organic group, R shows a hydrogen atom, a phenyl group, or a C1-C5 alkyl group. Among them, Y is preferably an arylene group which may have a substituent or an alkylene group which may have 1 to 10 carbon atoms.

前記ビスオキサゾリンとしては、例えば、2,2’−(1,3−フェニレン)ビス−2−オキサゾリン、2,6−ビス(4−イソプロピル−2−オキサゾリン−2−イル)ピリジン、2−2’−イソプロピリデンビス(4−フェニル−2−オキサゾリン)、2−2’−イソプロピリデンビス(4−ターシャリーブチル−2−オキサゾリン)等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上併用して使用してもよい。   Examples of the bisoxazoline include 2,2 ′-(1,3-phenylene) bis-2-oxazoline, 2,6-bis (4-isopropyl-2-oxazolin-2-yl) pyridine, and 2-2 ′. -Isopropylidenebis (4-phenyl-2-oxazoline), 2-2'-isopropylidenebis (4-tertiarybutyl-2-oxazoline) and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

前記アミノ酸としては、例えば、p−アミノ安息香酸、3−アミノ安息香酸、2−アミノ安息香酸,グリシン、β−アラニン、フェニルアラニン、γ-アミノ酪酸、ロイシン、イソロイシン等が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を組み合わせて使用できる。   Examples of the amino acid include p-aminobenzoic acid, 3-aminobenzoic acid, 2-aminobenzoic acid, glycine, β-alanine, phenylalanine, γ-aminobutyric acid, leucine, and isoleucine. These can be used alone or in combination of two or more.

前記テトラカルボン酸二酸無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸無水物(4,4’−オキシジフタル酸二無水物)、2,3’,4,4’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上併用して使用してもよい。   Examples of the tetracarboxylic dianhydride include pyromellitic dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic anhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic anhydride. 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetra Carboxylic anhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyl ether tetracarboxylic anhydride (4,4′-oxydiphthalic dianhydride Product), 2,3 ′, 4,4′-biphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4 ′ -Diphenylsulfur Tetracarboxylic anhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic Examples thereof include acid dianhydride, 2,3,4,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

また、かかるポリマーにおいて、前記オキサゾリンとアミノ酸から得られるジアミン成分以外のジアミン成分を併用することができる。このようなジアミン成分としては、例えば、ポリオキシアルキレンジアミン(三井化学ファイン社製、商品名:「ジェファーミン」)、[3,4−ビス(1−アミノヘプチル)−6−ヘキシルー5−(1−オクテニル)]シクロヘキセン(コグニスジャパン社製、商品名「バーサミン551」)、1,4−ビス(1,1−ジメチル−5−アミノペンチル)ベンゼン、1,4−ビス(2−メトキシ−4−アミノペンチル)ベンゼン、前記芳香族炭化水素構造を有するジアミン化合物としては、例えば、4,4’−ジアミノジベンジルスルホキシド、ビス(4−アミノフェニル)ジエチルシラン、ビス(4−アミノフェニル)ジフェニルシラン、ビス(4−アミノフェニル)エチルホスフィンオキシド、ビス(4−アミノフェニル)フェニルホスフィンオキシド、ビス(4−アミノフェニル)−N−フェニルアミン、ビス(4−アミノフェニル)−N−メチルアミン、1,2−ジアミノナフタレン、1,4−ジアミノナフタレン、1,5−ジアミノナフタレン、1,6−ジアミノナフタレン、1,7−ジアミノナフタレン、1,8−ジアミノナフタレン、2,3−ジアミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタレン、1,4−ジアミノ−2−メチルナフタレン、1,5−ジアミノ−2−メチルナフタレン、1,3−ジアミノ−2−フェニルナフタレン、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノビフェニル、2,4−ジアミノトルエン、2,5−ジアミノトルエン、2,6−ジアミノトルエン、3,5−ジアミノトルエン、1−メトキシ−2,4−ジアミノベンゼン、1,3−ジアミノ−4,6−ジメチルベンゼン、1,4−ジアミノ−2,5−ジメチルベンゼン、1,4−ジアミノ−2−メトキシ−5−メチルベンゼン、1,4−ジアミノ−2,3,5,6−テトラメチルベンゼン、o−キシレンジアミン、m−キシレンジアミン、p−キシレンジアミン、9,10−ビス(4−アミノフェニル)アントラセン、4−アミノフェニル−3−アミノベンゾエート、1,1−ビス(4−アミノフェニル)−1−フェニル−2,2,2−トリフルオロエタン、1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−1−フェニル−2,2,2−トリフルオロエタン、1,3−ビス(3−アミノフェニル)デカフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,4−ビス(3−アミノフェニル)ブタ−1−エン−3−イン4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’,5,5’−テトラエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジメチル−5,5’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’ジエトキシ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、ビス(3−アミノフェニル)エーテル、ビス(4−アミノフェニル)エーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジエトキシ−4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルプロパン、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルプロパン、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノジフェニルプロパン、3,3’−ジエトキシ−4,4’−ジアミノジフェニルプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,3−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジエトキシ−4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、2,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,2−ビス(4−アミノフェニル)エタン、1,2−ビス(4−アミノフェニル)エタン、ビス(3−アミノフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェニル)スルホン、ビス(4−トルイジン)スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、4,4’−ジアミノビフェニル、9,9−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、3,3’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,4’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス4−(4−アミノフェノキシ)フェニルプロパン、1,3−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(5−アミノ−4−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン等が挙げられる。これらのジアミン成分は、1種を単独で又は2種以上併用して使用してもよい。   Moreover, in this polymer, diamine components other than the diamine component obtained from the said oxazoline and an amino acid can be used together. Examples of such a diamine component include polyoxyalkylene diamine (manufactured by Mitsui Chemicals Fine, trade name: “Jeffamine”), [3,4-bis (1-aminoheptyl) -6-hexyru 5- (1 -Octenyl)] cyclohexene (manufactured by Cognis Japan, trade name “Versamine 551”), 1,4-bis (1,1-dimethyl-5-aminopentyl) benzene, 1,4-bis (2-methoxy-4-) Examples of the aminopentyl) benzene and the diamine compound having an aromatic hydrocarbon structure include 4,4′-diaminodibenzyl sulfoxide, bis (4-aminophenyl) diethylsilane, bis (4-aminophenyl) diphenylsilane, Bis (4-aminophenyl) ethylphosphine oxide, bis (4-aminophenyl) phenylphosphine Oxide, bis (4-aminophenyl) -N-phenylamine, bis (4-aminophenyl) -N-methylamine, 1,2-diaminonaphthalene, 1,4-diaminonaphthalene, 1,5-diaminonaphthalene, 1, , 6-Diaminonaphthalene, 1,7-diaminonaphthalene, 1,8-diaminonaphthalene, 2,3-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 1,4-diamino-2-methylnaphthalene, 1,5-diamino 2-methylnaphthalene, 1,3-diamino-2-phenylnaphthalene, 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dichloro-4,4′-diaminobiphenyl, 2,4 -Diaminotoluene, 2,5-diaminotoluene, 2,6-diaminotoluene, 3,5-diaminotoluene, Methoxy-2,4-diaminobenzene, 1,3-diamino-4,6-dimethylbenzene, 1,4-diamino-2,5-dimethylbenzene, 1,4-diamino-2-methoxy-5-methylbenzene, 1,4-diamino-2,3,5,6-tetramethylbenzene, o-xylenediamine, m-xylenediamine, p-xylenediamine, 9,10-bis (4-aminophenyl) anthracene, 4-aminophenyl -3-aminobenzoate, 1,1-bis (4-aminophenyl) -1-phenyl-2,2,2-trifluoroethane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1 -Phenyl-2,2,2-trifluoroethane, 1,3-bis (3-aminophenyl) decafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydro Xylphenyl) hexafluoropropane, 1,4-bis (3-aminophenyl) but-1-ene-3-yne 4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, 3 , 3 ′, 5,5′-tetramethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3 ′, 5,5′-tetraethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-dimethyl-5,5 '-Diethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'diethoxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, bis (3-aminophenyl) ether, Bis (4-aminophenyl) ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diethyl-4,4′-diamino Phenyl ether, 3,3′-dimethoxy-4,4′-diaminodiphenyl ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 3, 3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diethoxy-4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3 ' -Dimethyl-4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diethoxy -4,4'-diaminodiphenylpropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane 1,3-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminodiphenyl sulfide 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 3,3′-dimethoxy-4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 3,3′-diethoxy-4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 2, , 4′-diaminodiphenyl sulfide, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,2-bis (4-aminophenyl) ethane, 1,2-bis ( 4-aminophenyl) ethane, bis (3-aminophenyl) sulfone, bis (4-aminophenyl) sulfone, bis (4-toluidine) sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, 4, 4′-diaminobiphenyl, 9,9-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] fluorene, 3,3′-diaminobiphenyl, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 3,4′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dimethoxy-4,4′-diaminobiphenyl, 4,4′- Bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 3,3′-diaminobenzophenone, 4,4′-dia Nobenzophenone, 2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) Hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis-4- (4-aminophenoxy) phenylpropane, 1,3-bis (3-aminophenyl) ) Hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (5-amino-4-methylphenyl) hexafluoropropane, and the like. These diamine components may be used alone or in combination of two or more.

また、かかるポリマーの合成において、通常、適当量の溶媒が用いられる。具体的には、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。塗膜の乾燥性をコントロールするため、これらの溶媒にポリマーが析出しない程度に揮発性の高い貧溶媒を組み合わせて使用できる。例えば、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン若しくはメチルシクロヘキサノン等のケトン化合物、トルエン、キシレン若しくはテトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素化合物、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル若しくはトリエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル化合物、上記グリコールエーテル化合物の酢酸エステル化合物等のエステル化合物、エチレングリコール若しくはプロピレングリコール等のアルコール化合物、又は、石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ若しくはソルベントナフサ等の石油系溶剤、これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用できる。   In the synthesis of such a polymer, an appropriate amount of solvent is usually used. Specific examples include dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, and γ-butyrolactone. In order to control the drying property of the coating film, a poor solvent having high volatility can be used in combination with such a solvent so that the polymer does not precipitate. For example, ketone compounds such as methyl isobutyl ketone, cyclohexanone or methylcyclohexanone, aromatic hydrocarbon compounds such as toluene, xylene or tetramethylbenzene, cellosolve, methyl cellosolve, butyl cellosolve, carbitol, methyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol Monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, glycol ether compounds such as dipropylene glycol diethyl ether or triethylene glycol monoethyl ether, ester compounds such as acetate compounds of the above glycol ether compounds, alcohol compounds such as ethylene glycol or propylene glycol, Or petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha or sorbene Petroleum solvents such as naphtha, which may be used alone or in combination of two or more thereof.

上記ポリイミド前駆体であるポリマーの重量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定することができる(標準ポリスチレンによる換算)。GPCの条件は以下のとおりである。
(GPC条件)
ポンプ:日立 L−7100型[(株)日立製作所製]
検出器:UV 日立 L−4000型UV[(株)日立製作所製]
RI:日立 L−7490型[(株)日立製作所製]
カラム:Gelpack GL−S300MDT−5(計2本)(日立化成工業(株)製、商品名)
カラムサイズ:8mmφ×300mm
溶離液:DMF/THF=1/1+リン酸0.06M+臭化リチウム0.06M
試料濃度:5mg/1mL
注入量:5μL
圧力:343Pa(35kgf/cm
流量:1.0mL/分
The weight average molecular weight (Mw) of the polymer that is the polyimide precursor can be measured by gel permeation chromatography (GPC) (in terms of standard polystyrene). The conditions for GPC are as follows.
(GPC conditions)
Pump: Hitachi L-7100 [manufactured by Hitachi, Ltd.]
Detector: UV Hitachi L-4000 type UV [manufactured by Hitachi, Ltd.]
RI: Hitachi L-7490 type [manufactured by Hitachi, Ltd.]
Column: Gelpack GL-S300MDT-5 (two in total) (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
Column size: 8mmφ × 300mm
Eluent: DMF / THF = 1/1 + phosphoric acid 0.06M + lithium bromide 0.06M
Sample concentration: 5 mg / 1 mL
Injection volume: 5 μL
Pressure: 343 Pa (35 kgf / cm 2 )
Flow rate: 1.0 mL / min

この測定法により求められるポリイミド前駆体のMwは、感光性樹脂組成物のベースポリマーとして用いられる場合に、希アルカリ水溶液などの現像液による現像性、並びに引張強度及び伸び率等の機械的特性の観点から、10000〜200000であることが好ましく、15000〜150000であることがより好ましく、30000〜100000であることが特に好ましい。   The Mw of the polyimide precursor obtained by this measurement method, when used as a base polymer of a photosensitive resin composition, develops with a developer such as a dilute alkaline aqueous solution, and mechanical properties such as tensile strength and elongation. From the viewpoint, it is preferably 10,000 to 200,000, more preferably 15,000 to 150,000, and particularly preferably 30,000 to 100,000.

なお、本発明のイミド化ポリマーは、上記一般式(1)で表わされる構造を含むポリマーをイミド化してなるイミド化ポリマーである。このイミド化ポリマーは、上記一般式(1)で表わされる構造を含むポリマーの一部をイミド化してなるものも含む。構造により異なるが、イミド化温度は100〜300℃の範囲である。   In addition, the imidized polymer of this invention is an imidized polymer formed by imidating the polymer containing the structure represented by the said General formula (1). This imidized polymer includes those obtained by imidizing a part of the polymer including the structure represented by the general formula (1). Although different depending on the structure, the imidization temperature is in the range of 100 to 300 ° C.

[感光性樹脂組成物]
本発明の感光性樹脂組成物は、(A)一般式(1)で表わされる構造を含むポリマーと、(B)光重合性化合物と、(C)光重合開始剤とを含有するものである。以下、本発明の感光性樹脂組成物の各構成要素について詳細に説明する。
[Photosensitive resin composition]
The photosensitive resin composition of the present invention contains (A) a polymer containing a structure represented by the general formula (1), (B) a photopolymerizable compound, and (C) a photopolymerization initiator. . Hereinafter, each component of the photosensitive resin composition of this invention is demonstrated in detail.

<(A)成分>
(A)ポリマーは、上記[ポリマー]にて述べたポリマー及び/又はイミド化ポリマーである。この(A)ポリマーは、感光性樹脂組成物においてベースポリマーとして用いられるものである。なお、(A)ポリマーは、一種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
<(A) component>
(A) The polymer is the polymer and / or imidized polymer described in [Polymer] above. This (A) polymer is used as a base polymer in the photosensitive resin composition. In addition, (A) polymer can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

<(B)成分>
(B)成分である光重合性化合物としては、特に限定されないが、分子内にエチレン性不飽和基を有するものが好ましく用いられる。例えば、分子内にアミド結合を有する(メタ)アクリレート化合物;ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物;多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物;グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物;分子内にウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物等のウレタンモノマー又はウレタンオリゴマーが挙げられ、これら以外にも、ノニルフェノキシポリオキシエチレンアクリレート;γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β’−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、β−ヒドロキシアルキル−β’−(メタ)アクリロイルオキシアルキル−o−フタレート等のフタル酸系化合物;(メタ)アクリル酸アルキルエステル、EO変性ノニルフェニル(メタ)アクリレート等が例示可能である。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
<(B) component>
Although it does not specifically limit as a photopolymerizable compound which is (B) component, What has an ethylenically unsaturated group in a molecule | numerator is used preferably. For example, a (meth) acrylate compound having an amide bond in the molecule; a bisphenol A (meth) acrylate compound; a compound obtained by reacting a polyhydric alcohol with an α, β-unsaturated carboxylic acid; a glycidyl group-containing compound , Compounds obtained by reacting β-unsaturated carboxylic acids; urethane monomers or urethane oligomers such as (meth) acrylate compounds having a urethane bond in the molecule; in addition to these, nonylphenoxy polyoxyethylene acrylate; Phthalic acid compounds such as γ-chloro-β-hydroxypropyl-β ′-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxyalkyl-β ′-(meth) acryloyloxyalkyl-o-phthalate; ) Acrylic acid alkyl ester, EO-modified nonylpheny (Meth) acrylate or the like can be exemplified. These may be used alone or in combination of two or more.

これらのうち、(A)ポリマーとの相溶性の観点から、特にアミド結合又はウレタン結合を有する化合物が好ましく用いられる。より好ましくは分子内にアミド結合を有する(メタ)アクリレート化合物が耐熱性の点から良好である。そのうち、下記一般式(2)、(3)又は(4)で表わされる化合物が特に好適に用いられる。   Among these, from the viewpoint of compatibility with the polymer (A), a compound having an amide bond or a urethane bond is particularly preferably used. More preferably, a (meth) acrylate compound having an amide bond in the molecule is preferable from the viewpoint of heat resistance. Of these, compounds represented by the following general formula (2), (3) or (4) are particularly preferably used.

Figure 0005062059
Figure 0005062059


Figure 0005062059
Figure 0005062059


Figure 0005062059
Figure 0005062059

上記一般式(2)、(3)及び(4)において、Rは二価の有機基を示し、好ましくは、炭素数1〜10のアルキレン基、置換基を有していてもよいアリレーン基、

Figure 0005062059


である。 In the above general formulas (2), (3) and (4), R 3 represents a divalent organic group, preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms and an arylene group which may have a substituent. ,
Figure 0005062059


It is.

前記一般式(2)及び一般式(3)で表される化合物は、前記ビスオキサゾリンと(メタ)アクリル酸から得ることができる。
また、一般式(4)で表される化合物は、2−ビニル−2−オキサゾリンとジカルボン酸から得ることができる。
前記ジカルボン酸としては、例えば、エタン二酸、プロパン二酸、ブタン二酸、ペンタン二酸、ヘキサン二酸、ヘプタン二酸、オクタン二酸、ノナン二酸、デカン二酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ビフェニル−2,2'−ジカルボン酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸等が挙げられる。
The compounds represented by the general formula (2) and the general formula (3) can be obtained from the bisoxazoline and (meth) acrylic acid.
Moreover, the compound represented by General formula (4) can be obtained from 2-vinyl-2-oxazoline and dicarboxylic acid.
Examples of the dicarboxylic acid include ethanedioic acid, propanedioic acid, butanedioic acid, pentanedioic acid, hexanedioic acid, heptanedioic acid, octanedioic acid, nonanedioic acid, decanedioic acid, phthalic acid, isophthalic acid, Examples include terephthalic acid, biphenyl-2,2′-dicarboxylic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, and the like.

ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物としては、例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリブトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシポリプロポキシ)フェニル)プロパン等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of bisphenol A-based (meth) acrylate compounds include 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane and 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolypropoxy). ) Phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolybutoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane, etc. Can be mentioned. These can be used alone or in combination of two or more.

2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパンとしては、例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシジエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘプタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシオクタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシノナエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシウンデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシドデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサデカエトキシ)フェニル)プロパン等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane include 2,2-bis (4-((meth) acryloxydiethoxy) phenyl) propane, 2,2- Bis (4-((meth) acryloxytriethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetraethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth)) Acryloxypentaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyheptaethoxy) phenyl) propane 2,2-bis (4-((meth) acryloxyoctaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxy nonaethoxy) ) Phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxydecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyundecaethoxy) phenyl) propane, 2, 2-bis (4-((meth) acryloxydodecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytridecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4- ( (Meth) acryloxytetradecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexa) Decaethoxy) phenyl) propane and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

これらのうち、2,2−ビス(4−(メタクリロキシペンタエトキシ)フェニル)プロパンは、BPE−500(製品名、新中村化学工業株式会社製)として商業的に入手可能であり、2,2−ビス(4−(メタクリロキシペンタデカエトキシ)フェニル)プロパンは、BPE−1300(商品名、新中村化学工業株式会社製)として商業的に入手可能である。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Of these, 2,2-bis (4- (methacryloxypentaethoxy) phenyl) propane is commercially available as BPE-500 (product name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.). -Bis (4- (methacryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane is commercially available as BPE-1300 (trade name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.). These can be used alone or in combination of two or more.

2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリプロポキシ)フェニル)プロパンとしては、例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシジプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘプタプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシオクタプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシノナプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシウンデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシドデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサデカプロポキシ)フェニル)プロパン等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。   Examples of 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolypropoxy) phenyl) propane include 2,2-bis (4-((meth) acryloxydipropoxy) phenyl) propane, 2,2- Bis (4-((meth) acryloxytripropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetrapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth)) Acryloxypentapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyheptapropoxy) phenyl) propane 2,2-bis (4-((meth) acryloxyoctapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acrylic) Xinonapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxydecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyundecapropoxy) phenyl) propane 2,2-bis (4-((meth) acryloxydodecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytridecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis ( 4-((meth) acryloxytetradecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypentadecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth)) And acryloxyhexadecapropoxy) phenyl) propane. These may be used alone or in combination of two or more.

2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシポリプロポキシ)フェニル)プロパンとしては、例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシジエトキシオクタプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラエトキシテトラプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサエトキシヘキサプロポキシ)フェニル)プロパン等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane include 2,2-bis (4-((meth) acryloxydiethoxyoctapropoxy) phenyl) propane, Examples include 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetraethoxytetrapropoxy) phenyl) propane and 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexaethoxyhexapropoxy) phenyl) propane. These can be used alone or in combination of two or more.

多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物としては、例えば、エチレン基の数が2〜14であるポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレン基の数が2〜14であるポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレン基の数が2〜14でありプロピレン基の数が2〜14であるポリエチレン・ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、EO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、PO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、EO・PO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。   Examples of the compound obtained by reacting a polyhydric alcohol with an α, β-unsaturated carboxylic acid include, for example, polyethylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups. Polypropylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups, trimethylolpropane di (meth) acrylate, tri Methylolpropane tri (meth) acrylate, EO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, PO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO / PO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetri (meth) A Examples thereof include acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.

なお、「EO」とは「エチレンオキシド」のことをいい、「PO」とは「プロピレンオキシド」のことをいう。また、「EO変性」とはエチレンオキシドユニット(−CH−CH−O−)のブロック構造を有することを意味し、「PO変性」とはプロピレンオキシドユニット(−CH−CH(CH)−O−)のブロック構造を有することを意味する。 “EO” refers to “ethylene oxide”, and “PO” refers to “propylene oxide”. Further, “EO modified” means having a block structure of ethylene oxide units (—CH 2 —CH 2 —O—), and “PO modified” means propylene oxide units (—CH 2 —CH (CH 3 )). -O-) having a block structure.

グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ(メタ)アクリレート、2,2−ビス(4−(メタ)アクリロキシ−2−ヒドロキシ−プロピルオキシ)フェニル等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the compound obtained by reacting a glycidyl group-containing compound with an α, β-unsaturated carboxylic acid include trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate, 2,2-bis (4- (meth) acryloxy- 2-hydroxy-propyloxy) phenyl and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

α,β−不飽和カルボン酸としては、例えば(メタ)アクリル酸等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the α, β-unsaturated carboxylic acid include (meth) acrylic acid. These can be used alone or in combination of two or more.

ウレタンモノマーとしては、例えば、β位にOH基を有する(メタ)アクリルモノマーとイソホロンジイソシアネート、2,6−トルエンジイソシアネート、2,4−トルエンジイソシアネート、1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート等のジイソシアネート化合物との付加反応物、トリス((メタ)アクリロキシテトラエチレングリコールイソシアネート)ヘキサメチレンイソシアヌレート、EO変性ウレタンジ(メタ)アクリレート、EO又はPO変性ウレタンジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of urethane monomers include (meth) acrylic monomers having an OH group at the β-position and diisocyanate compounds such as isophorone diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2,4-toluene diisocyanate, and 1,6-hexamethylene diisocyanate. Additional reaction products, tris ((meth) acryloxytetraethylene glycol isocyanate) hexamethylene isocyanurate, EO-modified urethane di (meth) acrylate, EO or PO-modified urethane di (meth) acrylate, and the like can be mentioned. These can be used alone or in combination of two or more.

さらに、(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチルエステル、(メタ)アクリル酸エチルエステル、(メタ)アクリル酸ブチルエステル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシルエステル等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Furthermore, examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include (meth) acrylic acid methyl ester, (meth) acrylic acid ethyl ester, (meth) acrylic acid butyl ester, (meth) acrylic acid 2-ethylhexyl ester, and the like. It is done. These can be used alone or in combination of two or more.

これら(B)成分は、1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて用いられる。   These (B) components are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

<(C)成分>
(C)成分である光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン;N,N’−テトラアルキル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン;2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノ−プロパノン−1等の芳香族ケトン;アルキルアントラキノン等のキノン類;ベンゾインアルキルエーテル等のベンゾインエーテル化合物;ベンゾイン、アルキルベンゾイン等のベンゾイン化合物;ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体;2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体;9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体;N−フェニルグリシン、N−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物、アシルフォスフィンオキサイド誘導体等が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。
<(C) component>
Examples of the photopolymerization initiator (C) include benzophenone; N, N′-tetraalkyl-4,4′-diaminobenzophenone; 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl). Aromatic ketones such as butanone-1,2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propanone-1; quinones such as alkylanthraquinones; benzoin ether compounds such as benzoin alkyl ethers; benzoin Benzoin compounds such as alkylbenzoin; benzyl derivatives such as benzyldimethyl ketal; 2,4,5-triarylimidazole dimer; 9-phenylacridine, 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane, etc. Acridine derivatives; N-phenylglycine, N-phenylglycine derivatives Coumarin compounds, acylphosphine oxide derivatives. These can be used singly or in combination of two or more.

<希釈剤>
感光性樹脂組成物は、通常、希釈剤中に溶解又は分散された状態で、感光性フィルムの製造や、レジストパターンの形成等に用いられる。希釈剤としては、希釈剤としては、(A)〜(C)成分を希釈できるものであれば特に限定されない。例えば、N−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、脂肪族アルコール、環式炭化水素、ケトン、ケトアルコール、アルキレングリコール、アルキレングリコールアルキルエーテル、それらのアセテート化合物、カルボン酸エステルが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。
<Diluent>
The photosensitive resin composition is usually used for production of a photosensitive film, formation of a resist pattern, or the like in a state dissolved or dispersed in a diluent. The diluent is not particularly limited as long as it can dilute the components (A) to (C). Examples include N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, dimethylformamide, dimethylacetamide, aliphatic alcohols, cyclic hydrocarbons, ketones, ketoalcohols, alkylene glycols, alkylene glycol alkyl ethers, acetate compounds thereof, and carboxylic acid esters. . These can be used alone or in combination of two or more.

脂肪族アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n−ブタノール、n−ペンタノール及びn−ヘキサノールが挙げられる。環式炭化水素としては、例えば、ベンジルアルコール、シクロヘキサン及びトルエンが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the aliphatic alcohol include methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, n-pentanol, and n-hexanol. Examples of the cyclic hydrocarbon include benzyl alcohol, cyclohexane, and toluene. These can be used alone or in combination of two or more.

ケトンとしては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルペンチルケトン、メチルヘキシルケトン、エチルブチルケトン、ジブチルケトン、シクロペンタノン及びシクロヘキサノンが挙げられる。ケトアルコールとしては、例えば、ジアセトンアルコール、3−ヒドロキシ−2−ブタノン、4−ヒドロキシ−2−ペンタノン及び6−ヒドロキシ−2−ヘキサノンが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the ketone include acetone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl pentyl ketone, methyl hexyl ketone, ethyl butyl ketone, dibutyl ketone, cyclopentanone and cyclohexanone. Examples of keto alcohols include diacetone alcohol, 3-hydroxy-2-butanone, 4-hydroxy-2-pentanone, and 6-hydroxy-2-hexanone. These can be used alone or in combination of two or more.

アルキレングリコールとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール及びプロピレングリコールが挙げられる。アルキレングリコールアルキルエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエーテル及びジプロピレングリコールアルキルエーテルが挙げられ、より具体的には、例えば、3−メトキシ−1−ブタノール、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ及びブチルセロソルブが挙げられる。アルキレングリコール又はアルキレングリコールアルキルエーテルのアセテート化合物としては、上述のアルキレングリコール又はアルキレングリコールアルキルエーテルのアセテート化合物であればよく、例えば、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールジアセテート、メチルセロソルブアセテート及びエチルセロソルブアセテートが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the alkylene glycol include ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, and propylene glycol. Examples of the alkylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol dialkyl ether, triethylene glycol alkyl ether, propylene glycol alkyl ether and dipropylene glycol alkyl ether. More specifically, for example, 3-methoxy- Examples include 1-butanol, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, and butyl cellosolve. The acetate compound of alkylene glycol or alkylene glycol alkyl ether may be any of the above-mentioned alkylene glycol or alkylene glycol alkyl ether acetate compounds, such as ethylene glycol monoacetate, ethylene glycol diacetate, propylene glycol monoacetate, propylene glycol diacetate. Examples include acetate, methyl cellosolve acetate, and ethyl cellosolve acetate. These can be used alone or in combination of two or more.

カルボン酸エステルとしては、例えば、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル及び酪酸エチルが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the carboxylic acid ester include ethyl formate, propyl formate, butyl formate, amyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, methyl butyrate and ethyl butyrate. These can be used alone or in combination of two or more.

<熱硬化性化合物>
その他、必須ではないが、120〜200℃の間で熱硬化反応可能な熱硬化性化合物を用いても良い。例えば、120〜200℃の間で熱硬化反応可能な、ブロックイソシアネート化合物、ビスマレイミド化合物、オキセタン化合物、ベンゾオキサジン化合物及びメラミン樹脂等が挙げられる。これらの中でも、はんだ耐熱性、耐無電解Ni/Auめっき性、耐電食性、耐熱衝撃性等の観点から、ブロックイソシアネート化合物、1分子中にグリシジル基を2個以上有するエポキシ化合物、ビスマレイミド化合物及びオキセタン化合物から選択される1種以上の化合物が好ましく、ブロックイソシアネート化合物、ビスマレイミド化合物及びオキセタン化合物から選択される1種以上の化合物が、樹脂ワニス又は感光性フィルムの安定性等の観点からより好ましい。構造中に(メタ)アクリレート部分とブロック化イソシアネート部分を有する化合物がさらにより好ましい。
<Thermosetting compound>
In addition, although it is not essential, you may use the thermosetting compound which can be thermoset between 120-200 degreeC. For example, a blocked isocyanate compound, a bismaleimide compound, an oxetane compound, a benzoxazine compound, a melamine resin, and the like that can be subjected to a thermosetting reaction at 120 to 200 ° C. Among these, from the viewpoint of solder heat resistance, electroless Ni / Au plating resistance, electric corrosion resistance, thermal shock resistance, etc., a block isocyanate compound, an epoxy compound having two or more glycidyl groups in one molecule, a bismaleimide compound, and One or more compounds selected from oxetane compounds are preferred, and one or more compounds selected from blocked isocyanate compounds, bismaleimide compounds and oxetane compounds are more preferred from the viewpoint of the stability of the resin varnish or the photosensitive film. . Even more preferred are compounds having (meth) acrylate moieties and blocked isocyanate moieties in the structure.

ブロックイソシアネート化合物は、イソシアネート化合物とブロック剤との反応により生成し、ブロック剤由来の基により一時的に不活性化されている化合物であり、所定温度に加熱するとそのブロック剤由来の基が解離し、イソシアネート基を生成する。ブロック剤と反応し得るイソシアネート化合物の具体例としては、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、ナフタレン−1,5−ジイソシアネート、o−キシリレンジイソシアネート、m−キシリレンジイソシアネート、2,4−トリレンダイマー等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、4,4−メチレンビス(シクロヘキシルイソシアネート)、イソホロンジイソシアネート等の脂肪族ポリイソシアネート、ビシクロヘプタントリイソシアネート等の脂環式ポリイソシアネートが挙げられる。   A blocked isocyanate compound is a compound that is generated by the reaction of an isocyanate compound and a blocking agent and is temporarily inactivated by a group derived from the blocking agent. When heated to a predetermined temperature, the group derived from the blocking agent is dissociated. To generate isocyanate groups. Specific examples of isocyanate compounds that can react with the blocking agent include 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, naphthalene-1,5-diisocyanate, and o-xylylene diene. Aromatic polyisocyanates such as isocyanate, m-xylylene diisocyanate, 2,4-tolylene dimer, aliphatic polyisocyanates such as hexamethylene diisocyanate, 4,4-methylenebis (cyclohexyl isocyanate), isophorone diisocyanate, bicycloheptane triisocyanate, etc. Of alicyclic polyisocyanate.

ブロック剤としては、活性水素を有しているものが好ましく、活性メチレン化合物、ジケトン化合物、オキシム化合物、フェノール化合物、アルカノール化合物及びカプロラクタム化合物などが挙げられる。具体的には、メチルエチルケトンオキシム、ε−カプロラクタムなどを用いることができる。   As a blocking agent, what has active hydrogen is preferable, and an active methylene compound, a diketone compound, an oxime compound, a phenol compound, an alkanol compound, a caprolactam compound, etc. are mentioned. Specifically, methyl ethyl ketone oxime, ε-caprolactam and the like can be used.

ブロックイソシアネート化合物は市販のものであってもよく、例えば、スミジュールBL−3175、BL−4165、BL−1100,BL−1265、デスモジュールTPLS−2957、TPLS−2062、TPLS−2957、TPLS−2078、TPLS−2117、デスモサーム2170、デスモサーム2265(以上、住友バイエルウレタン(株)製、商品名)、コロネート2512、コロネート2513、コロネート2520(以上、日本ポリウレタン工業(株)製、商品名)等が挙げられる。   The block isocyanate compound may be commercially available, for example, Sumidur BL-3175, BL-4165, BL-1100, BL-1265, Desmodur TPLS-2957, TPLS-2062, TPLS-2957, TPLS-2078. , TPLS-2117, Desmotherm 2170, Desmotherm 2265 (above, Sumitomo Bayer Urethane Co., Ltd., trade name), Coronate 2512, Coronate 2513, Coronate 2520 (above, Nihon Polyurethane Industry Co., Ltd., trade name) and the like. It is done.

また、ビスマレイミド化合物としては、分子中にマレイミド基を2個以上有する化合物である。   The bismaleimide compound is a compound having two or more maleimide groups in the molecule.

ビスマレイミド化合物の具体例としては、1−メチル−2,4−ビスマレイミドベンゼン、N,N’−m−フェニレンビスマレイミド、N,N’−p−フェニレンビスマレイミド、N,N’−m−トルイレンビスマレイミド、N,N’−4,4’−ビフェニレンビスマレイミド、N,N’−4,4’−〔3,3’−ジメチル−ビフェニレン〕ビスマレイミド、N,N’−4,4’−〔3,3’−ジメチルジフェニルメタン〕ビスマレイミド、N,N’−4,4’−〔3,3’−ジエチルジフェニルメタン〕ビスマレイミド、N,N’−4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、N,N’−4,4’−ジフェニルプロパンビスマレイミド、N,N’−4,4’−ジフェニルエーテルビスマレイミド、N,N’−3,3’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、N,N’−4,4’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、2,2−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−t−ブチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−s−ブチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,1−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕デカン、1,1−ビス〔2−メチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)−5−t−ブチルフェニル〕−2−メチルプロパン、4,4’−シクロヘキシリデン−ビス〔1−(4−マレイミドフェノキシ)−2−(1,1−ジメチルエチル)ベンゼン〕、4,4’−メチレン−ビス〔1−(4−マレイミドフェノキシ)−2,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)ベンゼン〕、4,4’−メチレン−ビス〔1−(4−マレイミドフェノキシ)−2,6−ジ−s−ブチルベンゼン〕、4,4’−シクロヘキシリデン−ビス〔1−(4−マレイミドフェノキシ)−2−シクロヘキシルベンゼン、4,4’−メチレンビス〔1−(マレイミドフェノキシ)−2−ノニルベンゼン〕、4,4’−(1−メチルエチリデン)−ビス〔1−(マレイミドフェノキシ)−2,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)ベンゼン〕、4,4’−(2−エチルヘキシリデン)−ビス〔1−(マレイミドフェノキシ)−ベンゼン〕、4,4’−(1−メチルヘプチリデン)−ビス〔1−(マレイミドフェノキシ)−ベンゼン〕、4,4’−シクロヘキシリデン−ビス〔1−(マレイミドフェノキシ)−3−メチルベンゼン〕、2,2−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔3−エチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−エチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、ビス〔3−メチル−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕メタン、ビス〔3,5−ジメチル−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕メタン、ビス〔3−エチル−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕メタン、3,8−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕−トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デカン、4,8−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕−トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デカン、3,9−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕−トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デカン、4,9−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕−トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デカン、1,8−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕メンタン、1,8−ビス〔3−メチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕メンタン、1,8−ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕メンタンなどを挙げることができる。これらのビスマレイミド化合物は常法により合成されてもよく、市販品を用いてもよい。   Specific examples of the bismaleimide compound include 1-methyl-2,4-bismaleimide benzene, N, N′-m-phenylene bismaleimide, N, N′-p-phenylene bismaleimide, N, N′-m- Toluylene bismaleimide, N, N′-4,4′-biphenylenebismaleimide, N, N′-4,4 ′-[3,3′-dimethyl-biphenylene] bismaleimide, N, N′-4,4 '-[3,3'-dimethyldiphenylmethane] bismaleimide, N, N'-4,4'-[3,3'-diethyldiphenylmethane] bismaleimide, N, N'-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, N, N′-4,4′-diphenylpropane bismaleimide, N, N′-4,4′-diphenyl ether bismaleimide, N, N′-3,3′-diphenylsulfone Bismaleimide, N, N′-4,4′-diphenylsulfone bismaleimide, 2,2-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-tert-butyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-s-butyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 1,1-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] Decane, 1,1-bis [2-methyl-4- (4-maleimidophenoxy) -5-tert-butylphenyl] -2-methylpropane, 4,4′-cyclohexylidene-bis [1- (4- Maleimidophenoxy) -2- (1,1-dimethylethyl) benzene], 4,4′-methylene-bis [1- (4-maleimidophenoxy) -2,6-bis (1,1- Methylethyl) benzene], 4,4′-methylene-bis [1- (4-maleimidophenoxy) -2,6-di-s-butylbenzene], 4,4′-cyclohexylidene-bis [1- ( 4-maleimidophenoxy) -2-cyclohexylbenzene, 4,4′-methylenebis [1- (maleimidophenoxy) -2-nonylbenzene], 4,4 ′-(1-methylethylidene) -bis [1- (maleimidophenoxy) ) -2,6-bis (1,1-dimethylethyl) benzene], 4,4 ′-(2-ethylhexylidene) -bis [1- (maleimidophenoxy) -benzene], 4,4 ′-( 1-methylheptylidene) -bis [1- (maleimidophenoxy) -benzene], 4,4′-cyclohexylidene-bis [1- (maleimidophenoxy) -3-methylbenzene 2, 2-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [3-methyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-Methyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [3,5-dimethyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3 , 5-Dimethyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [3-ethyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-ethyl -4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, bis [3-methyl- (4-maleimidophenoxy) phenyl Methane, bis [3,5-dimethyl- (4-maleimidophenoxy) phenyl] methane, bis [3-ethyl- (4-maleimidophenoxy) phenyl] methane, 3,8-bis [4- (4-maleimidophenoxy) Phenyl] -tricyclo [5.2.1.02,6] decane, 4,8-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] -tricyclo [5.2.1.02,6] decane, 3, 9-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] -tricyclo [5.2.1.02,6] decane, 4,9-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] -tricyclo [5. 2.1.02,6] decane, 1,8-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] menthane, 1,8-bis [3-methyl-4- (4-maleimidophenoxy) Phenyl] menthane, 1,8-bis [3,5-dimethyl-4- (4-maleimide phenoxy) phenyl] menthane and the like. These bismaleimide compounds may be synthesized by a conventional method, or commercially available products may be used.

これらのビスマレイミド化合物の中で、有害物質の生成を一層抑制する観点からは、分子内にハロゲン原子を有しない化合物が好ましい。   Among these bismaleimide compounds, a compound having no halogen atom in the molecule is preferable from the viewpoint of further suppressing the generation of harmful substances.

また、構造中に(メタ)アクリレート部分とブロック化イソシアネート部分を有する化合物としては、メタクリル酸−2−〔0−[1’メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノ〕エチル、アクリル酸−2−〔0−[1’メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノ〕エチル等が挙げられる。市販の化合物としてはカレンズMOI−BM(昭和電工(株)製、商品名)等が挙げられるが、これに限られるものではない。   Moreover, as a compound which has a (meth) acrylate part and a blocked isocyanate part in a structure, methacrylic acid-2- [0- [1'methylpropylideneamino] carboxyamino] ethyl, acrylic acid-2- [0- [1 ′ methylpropylideneamino] carboxyamino] ethyl and the like. Examples of commercially available compounds include, but are not limited to, Karenz MOI-BM (manufactured by Showa Denko KK, trade name).

これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

<各成分の含有量>
感光性樹脂組成物において、(A)成分の含有割合は、その感光性樹脂組成物からなる感光層を備える永久レジスト用感光性フィルムなどの感光性エレメントの端面からのしみ出しを防止する観点、並びに、より優れたはんだ耐熱性及び光感度を得る観点から、(A)成分と(B)成分との総量100質量部に対して、30〜70質量部であることが好ましく、45〜55質量部であることがより好ましい。
<Content of each component>
In the photosensitive resin composition, the content ratio of the component (A) is a viewpoint for preventing exudation from the end face of a photosensitive element such as a photosensitive film for permanent resist having a photosensitive layer made of the photosensitive resin composition, In addition, from the viewpoint of obtaining superior solder heat resistance and photosensitivity, it is preferably 30 to 70 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B), and 45 to 55 parts by mass. More preferably, it is a part.

(B)成分の含有割合は、(A)成分と(B)成分との総量100質量部に対して、10〜70質量部であることが好ましく、35〜55質量部であることがより好ましい。この含有割合が10質量部未満では、光感度が不充分となる傾向があり、70質量部を超えると、得られる硬化物が脆くなる傾向がある。   The content ratio of the component (B) is preferably 10 to 70 parts by mass and more preferably 35 to 55 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B). . If this content is less than 10 parts by mass, the photosensitivity tends to be insufficient, and if it exceeds 70 parts by mass, the resulting cured product tends to be brittle.

(C)成分の含有割合は、より優れた光感度及びはんだ耐熱性を得る観点から、(A)成分と(B)成分との総量100質量部に対して、0.1〜20質量部であることが好ましく、0.2〜10質量部であることがより好ましい。   (C) The content rate of a component is 0.1-20 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component from a viewpoint of obtaining the more outstanding photosensitivity and solder heat resistance. It is preferable that it is 0.2 to 10 parts by mass.

また、本実施形態の感光性樹脂組成物には、必要に応じて、メラミン樹脂若しくはイソシアネートのブロック体、ビスマレイミド等の熱硬化成分、マラカイトグリーン等の染料、トリブロモフェニルスルホン若しくはロイコクリスタルバイオレット等の光発色剤、熱発色防止剤若しくはp−トルエンスルホンアミド等の可塑剤、フタロシアニングリーン若しくはフタロシアニンブルー等のフタロシアニン系、アゾ系等の有機顔料若しくは二酸化チタン等の無機顔料、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム若しくは硫酸バリウム等の無機顔料からなる充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料あるいはイメージング剤などを(A)成分と(B)成分との総量100質量部に対して各々0.01〜20質量部程度含有することができる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。また、アクリル系共重合体、酸変性ビニル基含有エポキシ樹脂等の(A)成分以外のポリマー成分を併用してもよい。   In addition, the photosensitive resin composition of the present embodiment includes a melamine resin or isocyanate block, a thermosetting component such as bismaleimide, a dye such as malachite green, tribromophenyl sulfone or leuco crystal violet as necessary. Photo-coloring agent, thermo-coloring inhibitor or plasticizer such as p-toluenesulfonamide, phthalocyanine-based such as phthalocyanine green or phthalocyanine blue, azo-based organic pigments or inorganic pigments such as titanium dioxide, silica, alumina, talc, Component (A) includes fillers, antifoaming agents, flame retardants, stabilizers, adhesion-imparting agents, leveling agents, peeling accelerators, antioxidants, fragrances or imaging agents made of inorganic pigments such as calcium carbonate or barium sulfate. And (B) each with respect to 100 parts by mass in total It can contain about 0.01 to 20 parts by weight. These can be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may use together polymer components other than (A) component, such as an acryl-type copolymer and an acid-modified vinyl group containing epoxy resin.

本実施形態の感光性樹脂組成物によれば、良好な現像性及び高い解像度といった優れた感光特性を有し、べとつきの抑制された良好な塗膜を形成できる。これにより、充分に高い耐熱性及び耐熱衝撃性を備えたソルダーレジストを形成でき、しかも、充分に優れた貯蔵安定性を示すドライフィルムを形成できる。   According to the photosensitive resin composition of the present embodiment, it is possible to form a good coating film having excellent photosensitivity such as good developability and high resolution and with reduced stickiness. Thereby, it is possible to form a solder resist having sufficiently high heat resistance and thermal shock resistance, and it is possible to form a dry film exhibiting sufficiently excellent storage stability.

本実施形態の感光性樹脂組成物は、リジット配線板、フレキシブル配線板などのプリント配線板及びパッケージ基板などに備えられるソルダーレジストや層間絶縁膜、半導体の表面保護膜等に要求される特性や信頼性を満足することができる。そして、本実施形態の感光性樹脂組成物から得られるソルダーレジストは、耐熱衝撃性に充分優れていることに加えて、それと同様の要因により、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、耐電解Ni/Auめっき性、伸び率及び引張強度等の機械的特性、並びに耐電食性にも優れている。   The photosensitive resin composition of the present embodiment has characteristics and reliability required for a solder resist, an interlayer insulating film, a semiconductor surface protective film, etc. provided in a printed wiring board such as a rigid wiring board and a flexible wiring board and a package substrate. Can satisfy the sex. The solder resist obtained from the photosensitive resin composition of the present embodiment is sufficiently excellent in thermal shock resistance, and in addition to alkali resistance, solder heat resistance, and electrolytic Ni / Au plating due to the same factors. It has excellent mechanical properties such as properties, elongation and tensile strength, and electric corrosion resistance.

[永久レジスト用感光性フィルム]
本発明の永久レジスト用感光性フィルムは、支持体と、該支持体上に形成された上記感光性樹脂組成物を含有する感光層とを備えるものである。以下、本発明の永久レジスト用感光性フィルムの好適な実施形態について図1を参照しながら説明する。図1に示す永久レジスト用感光性フィルム1は、支持体11と、該支持体上に形成された上記感光性樹脂組成物を含有する感光層12と、感光層12上に積層された保護フィルム13とを備えるものである。
[Photosensitive film for permanent resist]
The photosensitive film for permanent resists of this invention is equipped with a support body and the photosensitive layer containing the said photosensitive resin composition formed on this support body. Hereinafter, a preferred embodiment of the photosensitive film for permanent resist of the present invention will be described with reference to FIG. The photosensitive film 1 for permanent resist shown in FIG. 1 includes a support 11, a photosensitive layer 12 containing the photosensitive resin composition formed on the support, and a protective film laminated on the photosensitive layer 12. 13.

感光層12は、上述の感光性樹脂組成物を溶剤(希釈剤)又は混合溶剤(希釈剤)に溶解して固形分30〜70質量%程度の溶液とした後に、かかる溶液を支持体11上に塗布して形成することが好ましい。感光層の厚みは、用途により異なるが、加熱及び/又は熱風吹き付けにより希釈剤を除去した乾燥後の厚みで、10〜100μmであることが好ましく、20〜60μmであることがより好ましい。この厚みが10μm未満では工業的に塗工(塗布)困難な傾向があり、100μmを超えると本発明により奏される上述の効果が小さくなりやすく、特に、機械的特性等の物理特性及び解像度が低下する傾向にある。   The photosensitive layer 12 is prepared by dissolving the above-described photosensitive resin composition in a solvent (diluent) or a mixed solvent (diluent) to obtain a solution having a solid content of about 30 to 70% by mass, and then applying the solution on the support 11. It is preferable to form by coating. Although the thickness of a photosensitive layer changes with uses, it is the thickness after drying which removed the diluent by heating and / or hot air spraying, and it is preferable that it is 10-100 micrometers, and it is more preferable that it is 20-60 micrometers. If the thickness is less than 10 μm, there is a tendency that it is difficult to apply (apply) industrially. If the thickness exceeds 100 μm, the above-described effect produced by the present invention tends to be small, and in particular, physical properties such as mechanical properties and resolution are low. It tends to decrease.

保護フィルム13としては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、テフロン(登録商標)フィルム、表面処理した紙等が挙げられる。保護フィルム13は、感光層12と支持体11との接着力よりも感光層12と保護フィルム13との接着力が小さいものであると好ましい。   Examples of the protective film 13 include polyethylene film, polypropylene film, Teflon (registered trademark) film, and surface-treated paper. The protective film 13 preferably has a smaller adhesive force between the photosensitive layer 12 and the protective film 13 than the adhesive force between the photosensitive layer 12 and the support 11.

永久レジスト用感光性フィルム1が備える支持体11としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムなどが挙げられる。   Examples of the support 11 provided in the photosensitive film 1 for permanent resist include polymer films having heat resistance and solvent resistance such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, and polyester.

支持体11の厚みは、5〜100μmであることが好ましく、10〜30μmであることがより好ましい。この厚みが5μm未満では現像前に支持体11を永久レジスト用感光性フィルム1から剥離する際に当該支持体が破れやすくなる傾向があり、また、100μmを超えると解像度及び可撓性が低下する傾向がある。本実施形態においては、上述したようなポリエステル樹脂を用いて感光層12を形成するので、支持体11の厚みが従来のものと比較してより厚い場合、例えば25μm超100μm以下の場合であっても、その可撓性及び解像度を維持することができる。   The thickness of the support 11 is preferably 5 to 100 μm, and more preferably 10 to 30 μm. If the thickness is less than 5 μm, the support 11 tends to be broken when the support 11 is peeled off from the photosensitive film 1 for permanent resist before development, and if it exceeds 100 μm, the resolution and flexibility are lowered. Tend. In the present embodiment, since the photosensitive layer 12 is formed using the polyester resin as described above, when the thickness of the support 11 is larger than that of the conventional one, for example, when the thickness is more than 25 μm and not more than 100 μm. Can maintain its flexibility and resolution.

上述したような支持体11と感光層12と保護フィルム13との3層からなる永久レジスト用感光性フィルム1は、例えば、そのまま貯蔵してもよく、又は保護フィルム13を介在させた上で巻芯にロール状に巻き取って保管することができる。   The photosensitive film 1 for permanent resist composed of three layers of the support 11, the photosensitive layer 12, and the protective film 13 as described above may be stored as it is, or wound with the protective film 13 interposed therebetween, for example. The core can be wound into a roll and stored.

本実施形態の永久レジスト用感光性フィルムは、常温でベースポリマーと反応してしまう熱硬化剤を含まないため、長時間保存した後でも塗膜性、硬化物の解像度及び耐熱衝撃性等の諸特性を充分良好に維持することができる充分な貯蔵安定性を示すことができる。また、感光層表面のべとつきが少ないことによって、高解像度かつ高密度のプリント配線板の効率的な生産を可能とする。   Since the photosensitive film for permanent resist of this embodiment does not contain a thermosetting agent that reacts with the base polymer at room temperature, various properties such as coating properties, resolution of cured products, and thermal shock resistance even after storage for a long time. Sufficient storage stability that can maintain the characteristics sufficiently good can be exhibited. Further, since the surface of the photosensitive layer is less sticky, it is possible to efficiently produce a high-resolution and high-density printed wiring board.

[レジストパターンの形成方法]
本発明のレジストパターンの形成方法は、絶縁基板と該絶縁基板上に形成された回路パターンを有する導体層とを備える積層基板の前記絶縁基板上に、前記導体層を覆うように上記感光性樹脂組成物からなる感光層を積層し、該感光層の所定部分に活性光線を照射して露光部を形成し、次いで、前記感光層の前記露光部以外の部分を除去することを特徴とする。
[Method of forming resist pattern]
According to another aspect of the present invention, there is provided a method for forming a resist pattern, the method comprising: forming the photosensitive resin on the insulating substrate of a laminated substrate including an insulating substrate and a conductor layer having a circuit pattern formed on the insulating substrate so as to cover the conductor layer. A photosensitive layer made of the composition is laminated, an actinic ray is irradiated to a predetermined portion of the photosensitive layer to form an exposed portion, and then a portion other than the exposed portion of the photosensitive layer is removed.

一実施形態では、上記感光性樹脂組成物からなる感光層として、上記永久レジスト用感光性フィルムの感光層を用いる。感光層の積層方法としては、上記永久レジスト用感光性フィルムにおける感光層を加熱しながら絶縁基板に圧着して積層する方法が挙げられる。基板上に形成された感光層は、感光性樹脂組成物が溶剤等の揮発成分を含む場合は、溶剤の大部分が除去された後の成分が主成分となる。また、永久レジスト用感光性フィルムが保護フィルムを備える場合は、感光層の形成前に保護フィルムを永久レジスト用感光性フィルムから剥離除去する。   In one Embodiment, the photosensitive layer of the said photosensitive film for permanent resists is used as a photosensitive layer which consists of the said photosensitive resin composition. Examples of the method for laminating the photosensitive layer include a method in which the photosensitive layer in the above-described permanent resist photosensitive film is laminated by pressing onto the insulating substrate while heating. When the photosensitive resin composition contains a volatile component such as a solvent, the photosensitive layer formed on the substrate is mainly composed of components after most of the solvent is removed. Moreover, when the photosensitive film for permanent resist is provided with a protective film, the protective film is peeled off from the photosensitive film for permanent resist before the formation of the photosensitive layer.

感光層を積層する絶縁基板の表面は、通常導体層の面であるが、その導体層以外の面であってもよい。永久レジスト用感光性フィルムにおける感光層を加熱しながら絶縁基板に圧着して積層する場合、感光層の加熱温度は70〜110℃とすることが好ましく、圧着圧力は0.1〜1.0MPa程度とすることが好ましく、周囲の気圧は4kPa以下とすることがより好ましいが、これらの条件には特に制限はない。また、感光層を上述のように70〜110℃に加熱すれば、予め絶縁基板及び導体層を予熱処理することは必要ではないが、積層性をさらに向上させるために、それらの予熱処理を行うこともできる。   The surface of the insulating substrate on which the photosensitive layer is laminated is usually the surface of the conductor layer, but may be a surface other than the conductor layer. In the case where the photosensitive layer in the photosensitive film for permanent resist is heated and laminated on the insulating substrate while being laminated, the heating temperature of the photosensitive layer is preferably 70 to 110 ° C., and the pressure is about 0.1 to 1.0 MPa. The ambient pressure is more preferably 4 kPa or less, but these conditions are not particularly limited. Further, if the photosensitive layer is heated to 70 to 110 ° C. as described above, it is not necessary to pre-heat the insulating substrate and the conductor layer in advance. However, in order to further improve the laminating property, the pre-heat treatment is performed. You can also.

このようにして感光層の積層が完了した後、露光工程において感光層の所定部分に活性光線を照射して露光部を形成せしめる。露光部の形成方法としては、アートワークと呼ばれるネガ又はポジマスクパターンを通して活性光線を画像状に照射する方法が挙げられる。この際、感光層上に存在する支持体が透明の場合には、そのまま活性光線を照射することができるが、不透明の場合には、支持体を除去した後に感光層に活性光線を照射する。   After the lamination of the photosensitive layer is completed in this way, an exposure part is formed by irradiating a predetermined portion of the photosensitive layer with an actinic ray in an exposure step. Examples of the method for forming the exposed portion include a method of irradiating actinic rays in an image form through a negative or positive mask pattern called an artwork. At this time, when the support on the photosensitive layer is transparent, it can be irradiated with actinic rays as it is, but when it is opaque, it is irradiated with actinic rays after removing the support.

活性光線の光源としては、公知の光源、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線を有効に放射するものが用いられる。また、写真用フラッド電球、太陽ランプ等の可視光を有効に放射するものも用いられる。   As the light source of actinic light, a known light source such as a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, or a xenon lamp that emits ultraviolet rays effectively is used. Moreover, what emits visible light effectively, such as a photographic flood light bulb and a solar lamp, is also used.

露光後、感光層上に支持体が存在している場合には、支持体を除去する。その後、ウエット現像等により感光層の露光部以外の部分を現像除去し、感光性樹脂組成物の硬化物からなるレジストパターンを形成する。ウエット現像の場合は、現像液を用いて、例えば、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング、スクラッピング等の公知の方法により現像する。なお、レジストパターン形成後に、1〜5J/cmの露光又は/及び100〜200℃、30分〜12時間の加熱(後加熱工程)による後硬化をさらに行ってもよい。 After the exposure, if a support is present on the photosensitive layer, the support is removed. Thereafter, a portion other than the exposed portion of the photosensitive layer is developed and removed by wet development or the like to form a resist pattern made of a cured product of the photosensitive resin composition. In the case of wet development, development is performed using a developer by a known method such as spraying, rocking immersion, brushing, or scraping. In addition, you may further perform post-curing by 1-5 J / cm < 2 > exposure or / and the heating (post-heating process) of 100-200 degreeC and 30 minutes-12 hours after resist pattern formation.

現像処理に用いられる現像液は、露光部にダメージを与えず、未露光部を選択的に溶出するものであれば、特に制限はなく、アルカリ現像液が安全かつ安定であり、操作性が良好であるため、好ましく用いられる。アルカリ現像液としては、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、4−ホウ酸ナトリウム、アンモニア、アミン類等の希アルカリ水溶液、あるいは希アルカリ水溶液と有機溶剤とのエマルジョン現像液を用いることもできる。例えば、20〜50℃の炭酸ナトリウムの希薄溶液(1〜5重量%水溶液)等が用いられる。   The developer used in the development process is not particularly limited as long as it does not damage the exposed area and selectively elutes the unexposed area. The alkaline developer is safe and stable, and has good operability. Therefore, it is preferably used. Examples of the alkali developer include dilute alkali aqueous solutions such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, sodium 4-borate, ammonia, amines, or dilute alkaline aqueous solutions. An emulsion developer with an organic solvent can also be used. For example, a dilute solution of sodium carbonate (1 to 5 wt% aqueous solution) at 20 to 50 ° C. is used.

本実施形態のレジストパターンの形成方法によって得られるレジストパターンは、本発明の感光性樹脂組成物の硬化物(硬化膜)からなるものであり、回路配線を基板にはんだ付けした後のその回路配線の保護膜としても機能し、半導体パッケージ用の永久マスク(ソルダーレジスト)として有用である。また、半導体素子などの電子部品の層間絶縁膜及び/又は表面保護層として、さらにカバーコート層としても有用である。このレジストパターンは充分に高い耐熱衝撃性を示すほか、引張強度や伸び率等の機械的特性、電気絶縁性、耐湿熱性、耐アルカリ性、耐溶剤性、はんだ耐熱性及び耐電解Ni/Auめっき性にも優れている。   The resist pattern obtained by the resist pattern forming method of the present embodiment is composed of a cured product (cured film) of the photosensitive resin composition of the present invention, and the circuit wiring after the circuit wiring is soldered to the substrate It is also useful as a permanent mask (solder resist) for semiconductor packages. Further, it is useful as an interlayer insulating film and / or a surface protective layer of an electronic component such as a semiconductor element, and further as a cover coat layer. This resist pattern exhibits sufficiently high thermal shock resistance, mechanical properties such as tensile strength and elongation, electrical insulation, wet heat resistance, alkali resistance, solvent resistance, solder heat resistance, and electrolytic Ni / Au plating resistance Also excellent.

また、上記レジストパターンを、例えばプリント配線板、フレキシブル配線板又は半導体パッケージ基板用のソルダーレジストとして用いる場合は、上述のレジストパターンの形成方法における現像終了後、はんだ耐熱性、耐薬品性等を向上させる目的で、高圧水銀ランプによる紫外線照射や加熱を行うことが好ましい。紫外線を照射させる場合は必要に応じてその照射量を調整することができ、例えば0.2〜10J/cm程度の照射量で照射を行うこともできる。また、レジストパターンを加熱する場合は、100〜170℃程度の範囲で15〜90分程行われることが好ましい。さらに紫外線照射と加熱とを同時に行うこともでき、いずれか一方を実施した後、他方を実施することもできる。紫外線の照射と加熱とを同時に行う場合、はんだ耐熱性、耐薬品性等を効果的に付与する観点から、60〜150℃に加熱することがより好ましい。光照射及び加熱の両方の処理により得られるレジストパターンの場合、上述の効果を一層有効に発揮できる。 In addition, when the resist pattern is used as, for example, a solder resist for a printed wiring board, a flexible wiring board, or a semiconductor package substrate, the solder heat resistance, chemical resistance, etc. are improved after completion of development in the resist pattern forming method. For this purpose, it is preferable to perform ultraviolet irradiation or heating with a high-pressure mercury lamp. In the case of irradiating ultraviolet rays, the irradiation amount can be adjusted as necessary. For example, the irradiation can be performed at an irradiation amount of about 0.2 to 10 J / cm 2 . Moreover, when heating a resist pattern, it is preferable to carry out for about 15 to 90 minutes in the range of about 100-170 degreeC. Furthermore, ultraviolet irradiation and heating can be performed at the same time, and after either one is performed, the other can be performed. When performing ultraviolet irradiation and heating simultaneously, it is more preferable to heat to 60 to 150 ° C. from the viewpoint of effectively imparting solder heat resistance, chemical resistance and the like. In the case of a resist pattern obtained by both light irradiation and heating, the above-described effects can be more effectively exhibited.

さらに、上記レジストパターンを、絶縁基板と、その絶縁基板上に形成された絶縁膜とを備えるパッケージ基板に用いることもできる。この場合、感光性樹脂組成物の硬化物からなるレジストパターンを絶縁膜として用いればよい。このようにしてレジストパターンを備えた基板は、その後、半導体素子などの実装(例えば、ワイヤーボンディング、はんだ接続)がなされ、そして、パソコン等の電子機器へ装着される。   Further, the resist pattern can be used for a package substrate including an insulating substrate and an insulating film formed on the insulating substrate. In this case, a resist pattern made of a cured product of the photosensitive resin composition may be used as the insulating film. The substrate provided with the resist pattern in this manner is then mounted with a semiconductor element or the like (for example, wire bonding or solder connection), and is mounted on an electronic device such as a personal computer.

[プリント配線板及びその製造方法]
本発明のプリント配線板は、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された回路パターンを有する導体層と、該導体層を覆うように前記絶縁基板上に形成された上記感光性樹脂組成物の硬化物からなる永久レジスト層とを備えるものである。以下、本発明のプリント配線板の好適な実施形態について図2を参照しながら説明する。図2は、本実施形態のプリント配線板を示す模式断面図である。
[Printed wiring board and manufacturing method thereof]
The printed wiring board of the present invention comprises an insulating substrate, a conductor layer having a circuit pattern formed on the insulating substrate, and the photosensitive resin composition formed on the insulating substrate so as to cover the conductor layer. And a permanent resist layer made of a cured product. Hereinafter, a preferred embodiment of the printed wiring board of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the printed wiring board of the present embodiment.

図2に示すプリント配線板2は、絶縁基板22と、絶縁基板22の一方面上に形成された回路パターンを有する導体層23と、絶縁基板22の他方面上に形成された回路パターンを有しない導体層21と、回路パターンを有する導体層23を覆うように絶縁基板22上に形成されたソルダーレジスト241とを備えている。また、ソルダーレジスト241は、上記感光性樹脂組成物の硬化物からなり、ソルダーレジスト241は、回路パターンを有する導体層23の少なくとも一部が露出するように開口部26を有している。   The printed wiring board 2 shown in FIG. 2 has an insulating substrate 22, a conductor layer 23 having a circuit pattern formed on one surface of the insulating substrate 22, and a circuit pattern formed on the other surface of the insulating substrate 22. And a solder resist 241 formed on the insulating substrate 22 so as to cover the conductor layer 23 having a circuit pattern. The solder resist 241 is made of a cured product of the photosensitive resin composition, and the solder resist 241 has an opening 26 so that at least a part of the conductor layer 23 having a circuit pattern is exposed.

プリント配線板2は、開口部26を有しているため、CSPやBGA等の実装部品を、回路パターンを有する導体層23にはんだ等により接合することができ、いわゆる表面実装が可能となる。ソルダーレジスト241は、接合のためのはんだ付けの際に、導体層の不必要な部分にはんだが付着することを防ぐためのソルダーレジストとしての役割を有しており、また、実装部品接合後においては、導体層23を保護するための永久マスクとして機能する。   Since the printed wiring board 2 has the opening 26, a mounting component such as CSP or BGA can be joined to the conductor layer 23 having a circuit pattern by solder or the like, and so-called surface mounting becomes possible. The solder resist 241 has a role as a solder resist for preventing the solder from adhering to unnecessary portions of the conductor layer during soldering for joining. Functions as a permanent mask for protecting the conductor layer 23.

次に、プリント配線板2の製造方法の一例について、概略的に説明する。図3は、図2に示したプリント配線板2の製造方法について模式的に示す工程図である。なお、図3(a)は一方面に回路パターンを有する導体層23と他方面に回路パターンを有しない導体層21とを備えるプリント配線板用基材3であり、図3(b)、図3(c)及び(d)は、それぞれ絶縁基板22上へ感光層24を積層した後のプリント配線板用基材4、感光層24へ活性光線を照射している様子及び現像後のプリント配線板2を示す。   Next, an example of a method for manufacturing the printed wiring board 2 will be schematically described. FIG. 3 is a process diagram schematically showing a method of manufacturing the printed wiring board 2 shown in FIG. FIG. 3A shows a printed wiring board substrate 3 including a conductor layer 23 having a circuit pattern on one side and a conductor layer 21 having no circuit pattern on the other side, and FIG. 3 (c) and 3 (d) show the printed wiring board substrate 4 after the photosensitive layer 24 is laminated on the insulating substrate 22, the state in which the photosensitive layer 24 is irradiated with actinic rays, and the printed wiring after development. The plate 2 is shown.

まず、両面金属張積層板(例えば、両面銅張積層板等)の片面をエッチングする公知の方法等により、図3(a)に示すように絶縁基板22上に導体層23のパターンを形成させ、導体層23が形成されたプリント配線板用基材3を得る。次に、図3(b)に示すように導体層23が形成されたプリント配線板用基材3上に、導体層23を覆うようにして本発明に係る感光性樹脂組成物からなる感光層24を形成し、感光層24が積層されたプリント配線板用基材4を得る。次に、図3(c)に示すように積層された感光層24に所定のパターンを有するフォトマスク5を介して活性光線を照射することにより感光層24の所定部分を硬化させる。最後に、未露光部を除去(例えばアルカリ現像等)することによって、図3(d)に示すように開口部26を有するソルダーレジスト241を形成させることでプリント配線板2を得る。なお、ソルダーレジスト241は、感光性樹脂組成物が有機溶剤等の揮発成分を含有している場合は、かかる揮発成分の大部分が除去された後の感光性樹脂組成物の硬化物である。   First, the pattern of the conductor layer 23 is formed on the insulating substrate 22 as shown in FIG. 3A by a known method of etching one side of a double-sided metal-clad laminate (for example, a double-sided copper-clad laminate). Then, the printed wiring board substrate 3 on which the conductor layer 23 is formed is obtained. Next, as shown in FIG. 3B, a photosensitive layer made of the photosensitive resin composition according to the present invention on the printed wiring board substrate 3 on which the conductor layer 23 is formed so as to cover the conductor layer 23. 24 is obtained, and the printed wiring board substrate 4 on which the photosensitive layer 24 is laminated is obtained. Next, as shown in FIG. 3C, a predetermined portion of the photosensitive layer 24 is cured by irradiating the laminated photosensitive layer 24 with actinic rays through the photomask 5 having a predetermined pattern. Finally, the printed wiring board 2 is obtained by removing a non-exposed portion (for example, alkali development) to form a solder resist 241 having an opening 26 as shown in FIG. In addition, when the photosensitive resin composition contains volatile components, such as an organic solvent, the soldering resist 241 is a cured product of the photosensitive resin composition after most of the volatile components are removed.

なお、絶縁基板22上への感光層24の積層、活性光線の照射及び未露光部の除去は、上述のレジストパターンの形成方法における場合と同様の方法により行うことができる。   In addition, lamination | stacking of the photosensitive layer 24 on the insulated substrate 22, irradiation of actinic light, and removal of an unexposed part can be performed by the method similar to the case in the formation method of the above-mentioned resist pattern.

このようにして得られたプリント配線板2におけるソルダーレジスト241は、本実施形態の感光性樹脂組成物の硬化物(硬化膜)からなるものであり、充分に高い耐熱衝撃性を示すほか、引張強度や伸び率等の機械的特性、電気絶縁性、耐湿熱性、耐アルカリ性、耐溶剤性、はんだ耐熱性及び耐電解Ni/Auめっき性にも優れている。このソルダーレジスト241は光照射及び加熱の両方の処理により得られるものであると、はんだ耐熱性、耐薬品性等の効果を一層有効に発揮できる。   The solder resist 241 in the printed wiring board 2 obtained in this way is made of a cured product (cured film) of the photosensitive resin composition of the present embodiment, and exhibits sufficiently high thermal shock resistance, as well as tensile strength. Excellent mechanical properties such as strength and elongation, electrical insulation, heat and humidity resistance, alkali resistance, solvent resistance, solder heat resistance and electrolytic Ni / Au plating resistance. If the solder resist 241 is obtained by both light irradiation and heating, effects such as solder heat resistance and chemical resistance can be more effectively exhibited.

[表面保護膜及び層間絶縁膜]
本発明の表面保護膜及び層間絶縁膜は、本発明の感光性樹脂組成物の硬化物(硬化膜)からなるものである。一実施形態では、表面保護膜及び層間絶縁膜は本発明のレジストパターンの形成方法によって、半導体素子の表面(表面保護膜)や、多層配線板や半導体パッケージなど層間(層間絶縁膜)に形成することができる。
[Surface protective film and interlayer insulating film]
The surface protective film and interlayer insulating film of the present invention are made of a cured product (cured film) of the photosensitive resin composition of the present invention. In one embodiment, the surface protective film and the interlayer insulating film are formed on the surface of the semiconductor element (surface protective film), and between the layers (interlayer insulating film) such as a multilayer wiring board and a semiconductor package by the resist pattern forming method of the present invention. be able to.

図4は本発明の感光性樹脂組成物の硬化物を層間絶縁膜として用いた半導体パッケージの一例を示す模式断面図である。図4に示す半導体パッケージ100では、シリコンウェハ(基板)10上にアルミニウム等の金属からなる電極20が設けられている。シリコンウェハ10及び電極20は層間絶縁膜3により覆われているが、電極20上の層間絶縁膜30の一部は除去されており、その部分から電極2に接続された銅等の金属からなる再配線40が引き出されている。また、再配線40には銅等の金属からなるポスト部5が接続されている。そして、層間絶縁膜30、再配線40及びポスト部50は、ポスト部50の一端のみが露出するように封止樹脂60により封止されている。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor package using a cured product of the photosensitive resin composition of the present invention as an interlayer insulating film. In the semiconductor package 100 shown in FIG. 4, an electrode 20 made of a metal such as aluminum is provided on a silicon wafer (substrate) 10. Although the silicon wafer 10 and the electrode 20 are covered with the interlayer insulating film 3, a part of the interlayer insulating film 30 on the electrode 20 is removed and is made of a metal such as copper connected to the electrode 2 from the part. The rewiring 40 is drawn out. The rewiring 40 is connected to a post portion 5 made of a metal such as copper. The interlayer insulating film 30, the rewiring 40, and the post portion 50 are sealed with a sealing resin 60 so that only one end of the post portion 50 is exposed.

この半導体パッケージ100において、層間絶縁膜30は上述した本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成されている。そのため、層間絶縁膜30は解像度よく厚膜化が達成されており、且つ、充分に高い耐熱性及び耐熱衝撃性、さらに優れた絶縁性も有している。   In the semiconductor package 100, the interlayer insulating film 30 is formed using the above-described photosensitive resin composition of the present invention. Therefore, the interlayer insulating film 30 has been increased in thickness with high resolution, and has sufficiently high heat resistance and thermal shock resistance, as well as excellent insulating properties.

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。   The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment.

例えば、本発明の永久レジスト用感光性フィルムの別の実施形態において、保護フィルム13を備えずに、図1における感光層12及び支持体11のみを備えるものであってもよい。また、本発明のプリント配線板は絶縁基板上又は絶縁基板の両側に導電層及び絶縁層を交互に複数層積層した多層プリント配線板であってもよく、その場合、本発明の感光性樹脂組成物の硬化物は、導電層間を確実に絶縁するための層間絶縁膜として機能する。   For example, in another embodiment of the photosensitive film for permanent resist of the present invention, the protective film 13 may not be provided, and only the photosensitive layer 12 and the support 11 in FIG. The printed wiring board of the present invention may be a multilayer printed wiring board in which a plurality of conductive layers and insulating layers are alternately laminated on the insulating substrate or on both sides of the insulating substrate. The cured product of the product functions as an interlayer insulating film for reliably insulating the conductive layers.

以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these Examples.

本発明のポリイミド前駆体((A)成分)及び光重合性化合物((B)成分)を以下の方法により調製した。   The polyimide precursor (component (A)) and photopolymerizable compound (component (B)) of the present invention were prepared by the following method.

(合成例1) ポリイミド前駆体((A)成分)の合成(P1)
撹拌機、還流冷却機、温度計及び乾燥窒素ガス導入管を備えたフラスコに、充分に乾燥した2,2’−(1,3−フェニレン)ビス−2−オキサゾリン(三國製薬製)を44.1g(0.204モル)、p−アミノ安息香酸を55.9g(0.408モル)、脱水γ−ブチロラクトン(以下GBL)を60g仕込み、150℃,8時間加熱撹拌を行い、アミド結合を有するジアミンモノマーを得た。この反応液を精製水やエタノール等で再沈・精製後、真空乾燥し、粉末状で目的物であるアミド結合を有するジアミンモノマー(M1)を得た。

Figure 0005062059

(Synthesis Example 1) Synthesis of polyimide precursor (component (A)) (P1)
44. Fully dried 2,2 ′-(1,3-phenylene) bis-2-oxazoline (manufactured by Mikuni Pharmaceutical Co., Ltd.) in a flask equipped with a stirrer, reflux condenser, thermometer and dry nitrogen gas inlet tube. 1 g (0.204 mol), 55.9 g (0.408 mol) of p-aminobenzoic acid and 60 g of dehydrated γ-butyrolactone (hereinafter referred to as GBL) are charged and stirred at 150 ° C. for 8 hours to have an amide bond. A diamine monomer was obtained. This reaction solution was reprecipitated and purified with purified water, ethanol, or the like, and then vacuum-dried to obtain a diamine monomer (M1) having an amide bond as a target product in a powder form.
Figure 0005062059

撹拌機、還流冷却機を備えたフラスコに、充分に乾燥したアミド結合を有するジアミンモノマー(M1)を3.06g、オキシジフタル酸二無水物(ODPA)を1.94g、ジメチルアセトアミド5gを仕込み、室温で8時間撹拌を行い、(A)成分であるアミド結合を有するポリイミド前駆体(P1)を得た。得られたポリイミド前駆体は、下記に示す繰り返し構造を有し、その重量平均分子量は69000であった。

Figure 0005062059

A flask equipped with a stirrer and reflux condenser was charged with 3.06 g of a sufficiently dried diamine monomer (M1) having an amide bond, 1.94 g of oxydiphthalic dianhydride (ODPA), and 5 g of dimethylacetamide at room temperature. Was stirred for 8 hours to obtain a polyimide precursor (P1) having an amide bond as component (A). The obtained polyimide precursor had the repeating structure shown below, and its weight average molecular weight was 69000.
Figure 0005062059

(合成例2) ポリイミド前駆体((A)成分)の合成(P2)
撹拌機、還流冷却機を備えたフラスコに、充分に乾燥した上記アミド結合を有するジアミンモノマー(M1)を2.17g、オキシジフタル酸二無水物(ODPA)を1.96g、ジェファーミンD400(三井化学ファイン)0.86g、ジメチルアセトアミド5gを仕込み、室温で8時間撹拌を行い、(A)成分であるアミド結合を有するポリイミド前駆体(P2)を得た。得られたポリイミド前駆体は、下記に示す繰り返し構造を有し、その重量平均分子量は70000であった。

Figure 0005062059

(Synthesis Example 2) Synthesis of polyimide precursor (component (A)) (P2)
In a flask equipped with a stirrer and a reflux condenser, 2.17 g of the sufficiently dried diamine monomer (M1) having an amide bond, 1.96 g of oxydiphthalic dianhydride (ODPA), Jeffamine D400 (Mitsui Chemicals) Fine) 0.86 g and dimethylacetamide 5 g were charged and stirred at room temperature for 8 hours to obtain a polyimide precursor (P2) having an amide bond as component (A). The obtained polyimide precursor had the repeating structure shown below, and its weight average molecular weight was 70000.
Figure 0005062059

(合成例3) ポリイミド前駆体((A)成分)の合成(P3)
撹拌機、還流冷却機を備えたフラスコに、充分に乾燥した上記アミド結合を有するジアミンモノマー(M1)を2.14g、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)を2.01g、ジェファーミンD400(三井化学ファイン)0.85g、ジメチルアセトアミド5gを仕込み、室温で8時間撹拌を行い、(A)成分であるアミド結合を有するポリイミド前駆体(P3)を得た。得られたポリイミド前駆体は、下記に示す繰り返し構造を有し、その重量平均分子量は40000であった。

Figure 0005062059

(Synthesis Example 3) Synthesis of polyimide precursor (component (A)) (P3)
In a flask equipped with a stirrer and a reflux condenser, 2.14 g of a sufficiently dried diamine monomer having an amide bond (M1), 2.01 g of benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA), and Jeffamine D400 ( Mitsui Chemicals Fine) 0.85 g and dimethylacetamide 5 g were charged and stirred at room temperature for 8 hours to obtain a polyimide precursor (P3) having an amide bond as component (A). The obtained polyimide precursor had the repeating structure shown below, and its weight average molecular weight was 40000.
Figure 0005062059

(合成例4) ポリイミド前駆体(比較例)の合成(P4)
撹拌機、還流冷却機を備えたフラスコに、充分に乾燥した4,4’−[イソプロピリデンビス(p−フェニレンオキシ)]ジアニリン(BAPP)を1.96g、オキシジフタル酸二無水物(ODPA)を2.11g、ジェファーミンD400(三井化学)0.93g、ジメチルアセトアミド5gを仕込み、室温で8時間撹拌を行い、アミド結合を有するポリイミド前駆体(P4)を得た。得られたポリイミド前駆体は、下記に示す繰り返し構造を有し、その重量平均分子量は45000であった。

Figure 0005062059

(Synthesis Example 4) Synthesis of Polyimide Precursor (Comparative Example) (P4)
In a flask equipped with a stirrer and a reflux condenser, 1.96 g of sufficiently dried 4,4 ′-[isopropylidenebis (p-phenyleneoxy)] dianiline (BAPP) and oxydiphthalic dianhydride (ODPA) were added. 2.11 g, Jeffamine D400 (Mitsui Chemicals) 0.93 g, and dimethylacetamide 5 g were charged and stirred at room temperature for 8 hours to obtain a polyimide precursor (P4) having an amide bond. The obtained polyimide precursor had the repeating structure shown below, and its weight average molecular weight was 45,000.
Figure 0005062059

(合成例5) ポリイミド前駆体(比較例)の合成(P5)
撹拌機、還流冷却機を備えたフラスコに、充分に乾燥した4,4’−[イソプロピリデンビス(p−フェニレンオキシ)]ジアニリン(BAPP)を1.93g、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)を2.16g、ジェファーミンD400(三井化学)0.91g、ジメチルアセトアミド5gを仕込み、室温で8時間撹拌を行い、アミド結合を有するポリイミド前駆体(P5)を得た。得られたポリイミド前駆体の重量平均分子量は43000であった。

Figure 0005062059

(Synthesis Example 5) Synthesis of a polyimide precursor (Comparative Example) (P5)
In a flask equipped with a stirrer and a reflux condenser, 1.93 g of sufficiently dried 4,4 ′-[isopropylidenebis (p-phenyleneoxy)] dianiline (BAPP), benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA) ) 2.16 g, Jeffamine D400 (Mitsui Chemicals) 0.91 g, and dimethylacetamide 5 g were stirred at room temperature for 8 hours to obtain a polyimide precursor (P5) having an amide bond. The weight average molecular weight of the obtained polyimide precursor was 43,000.
Figure 0005062059

(合成例6) 光重合性化合物((B)成分)の合成(PM1)
撹拌機、還流冷却機、温度計及び乾燥空気導入管を備えたフラスコに、充分に乾燥した2,2’−(1,3−フェニレン)ビス−2−オキサゾリン(三國製薬製)を21.6g(0.1モル)、メタクリル酸を17.2g(0.2モル)、ハイドロキノンを0.02g仕込み、100℃,8時間加熱撹拌後を行い、アミド結合を有するジメタクリレートモノマー(PM1)を得た。
(Synthesis Example 6) Synthesis of photopolymerizable compound (component (B)) (PM1)
In a flask equipped with a stirrer, reflux condenser, thermometer, and dry air introduction tube, 21.6 g of 2,2 ′-(1,3-phenylene) bis-2-oxazoline (manufactured by Mikuni Pharmaceutical Co., Ltd.) that was sufficiently dried. (0.1 mol), 17.2 g (0.2 mol) of methacrylic acid and 0.02 g of hydroquinone were added, and after heating and stirring at 100 ° C. for 8 hours, a dimethacrylate monomer (PM1) having an amide bond was obtained. It was.

(合成例7) 光重合性化合物((B)成分)の合成(PM2)
撹拌機、還流冷却機、温度計及び乾燥空気導入管を備えたフラスコに、充分に乾燥した2,2’−(1,3−フェニレン)ビス−2−オキサゾリン(三國製薬製)を21.6g(0.1モル)、アクリル酸を14.4g(0.2モル)、ハイドロキノンを0.02g仕込み、100℃,8時間加熱撹拌後を行い、アミド結合を有するジアクリレートモノマー(PM2)を得た。
(Synthesis Example 7) Synthesis of photopolymerizable compound (component (B)) (PM2)
In a flask equipped with a stirrer, reflux condenser, thermometer, and dry air introduction tube, 21.6 g of 2,2 ′-(1,3-phenylene) bis-2-oxazoline (manufactured by Mikuni Pharmaceutical Co., Ltd.) that was sufficiently dried. (0.1 mol), 14.4 g (0.2 mol) of acrylic acid and 0.02 g of hydroquinone were added, and after heating and stirring at 100 ° C. for 8 hours, a diacrylate monomer (PM2) having an amide bond was obtained. It was.

(合成例8) 光重合性化合物((B)成分)の合成(PM3)
撹拌機、還流冷却機、温度計及び乾燥空気導入管を備えたフラスコに、充分に乾燥したテレフタル酸(和光純薬製)を16.6g(0.1モル)、2−ビニル−2−オキサゾリンを19.4g(0.2モル)、ハイドロキノンを0.02g仕込み、100℃,8時間加熱撹拌後を行い、アミド結合を有するジビニルモノマー(PM3)を得た。
(Synthesis Example 8) Synthesis of Photopolymerizable Compound (Component (B)) (PM3)
In a flask equipped with a stirrer, reflux condenser, thermometer and dry air introduction tube, 16.6 g (0.1 mol) of sufficiently dried terephthalic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), 2-vinyl-2-oxazoline Was charged with 19.4 g (0.2 mol) and 0.02 g of hydroquinone and heated and stirred at 100 ° C. for 8 hours to obtain a divinyl monomer (PM3) having an amide bond.

(実施例1〜5)
表1に示す配合成分と配合比(単位:質量部)にしたがって、材料を混合することにより、実施例1〜5の感光性樹脂組成物を得た。

Figure 0005062059

(Examples 1-5)
The photosensitive resin composition of Examples 1-5 was obtained by mixing a material according to the compounding component and compounding ratio (unit: mass part) shown in Table 1.
Figure 0005062059

(比較例1)
(A)成分を合成例4のP4に変えた以外は実施例2と同様な方法により、比較例1の感光性樹脂組成物を得た。
(Comparative Example 1)
A photosensitive resin composition of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 2 except that the component (A) was changed to P4 of Synthesis Example 4.

(比較例2)
(A)成分を合成例5のP5に変えた以外は実施例2と同様な方法により、比較例2の感光性樹脂組成物を得た。
(Comparative Example 2)
A photosensitive resin composition of Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 2 except that the component (A) was changed to P5 of Synthesis Example 5.

(比較例3)
(A)成分をメタクリル酸メチル(85重量%)とメタクリル酸(15重量%)の共重合体100重量部(不揮発分50重量%)とし、(B)成分をFA−321M 50重量部のみとした。それ以外は実施例1と同様な方法により、比較例3の感光性樹脂組成物を得た。
(Comparative Example 3)
The component (A) is 100 parts by weight (nonvolatile content 50% by weight) of a copolymer of methyl methacrylate (85% by weight) and methacrylic acid (15% by weight), and the component (B) is only 50 parts by weight of FA-321M. did. Otherwise, the photosensitive resin composition of Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1.

(比較例4)
(A)成分をテトラヒドロ無水フタル酸変性フェノール樹脂100重量部(不揮発分50重量%)とし、(B)成分をFA−321M 50重量部のみ、更に熱硬化剤としてエポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン製、品番1001)20重量部を用いた以外は実施例1と同様な方法により、比較例4の感光性樹脂組成物を得た。
(Comparative Example 4)
The component (A) is 100 parts by weight of tetrahydrophthalic anhydride modified phenolic resin (non-volatile content 50% by weight), the component (B) is only 50 parts by weight of FA-321M, and an epoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin, No. 1001) A photosensitive resin composition of Comparative Example 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that 20 parts by weight were used.

[光感度の評価]
実施例1〜5及び比較例1〜2の感光性樹脂組成物を支持体である16μm厚のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(商品名:G2−16、帝人社製)上に均一に塗布することにより感光層を形成し、それを熱風対流式乾燥機を用いて100℃で約10分間乾燥した。感光層の乾燥後の膜厚は、25μmであった。続いて、感光層の支持体と接している側とは反対側の表面上に、ポリエチレンフィルム(商品名:NF−13、タマポリ社製)を保護フィルムとして貼り合わせ、永久レジスト用感光性フィルムを得た。
[Evaluation of light sensitivity]
Applying the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 uniformly onto a 16 μm-thick polyethylene terephthalate (PET) film (trade name: G2-16, manufactured by Teijin Limited) as a support. Then, a photosensitive layer was formed by using a hot air convection dryer at 100 ° C. for about 10 minutes. The film thickness after drying of the photosensitive layer was 25 μm. Subsequently, a polyethylene film (trade name: NF-13, manufactured by Tamapoly Co., Ltd.) is bonded as a protective film on the surface of the photosensitive layer opposite to the side in contact with the support, and a photosensitive film for permanent resist is attached. Obtained.

12μm厚の銅箔をガラスエポキシ基材に積層したプリント配線板用基材(商品名:E−679、日立化成工業社製)の銅表面を砥粒ブラシで研磨し、水洗後、乾燥した。このプリント配線板用基板の研磨した銅箔上に連続式真空ラミネータ(商品名:HLM−V570、日立化成工業社製)を用いて、ヒートシュー温度100℃、ラミネート速度0.5m/分、気圧4kPa以下、圧着圧力0.3MPaの条件の下、上記永久レジスト用感光性フィルムを、その感光層と銅箔とが密着するようにポリエチレンフィルムを剥離しつつ積層し、評価用積層体を得た。   The copper surface of a printed wiring board substrate (trade name: E-679, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) in which a 12 μm thick copper foil was laminated on a glass epoxy substrate was polished with an abrasive brush, washed with water, and dried. Using a continuous vacuum laminator (trade name: HLM-V570, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) on the polished copper foil of the printed wiring board substrate, a heat shoe temperature of 100 ° C., a laminating speed of 0.5 m / min, atmospheric pressure Under the conditions of 4 kPa or less and pressure bonding pressure of 0.3 MPa, the photosensitive film for permanent resist was laminated while peeling the polyethylene film so that the photosensitive layer and the copper foil were in close contact with each other to obtain a laminate for evaluation. .

得られた評価用積層体のPETフィルム上に、ネガとしてストーファー21段ステップタブレットを有するフォトツールを密着させ、オーク製作所社製HMW−201GX型露光機を使用して、該ストーファー21段ステップタブレットの現像後の残存ステップ段数が8.0となるエネルギー量で露光を行った。続いて、評価用積層体を常温で1時間静置し、PETフィルムを剥離した後、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液を60秒間スプレーして現像を行い、さらに80℃で10分間加熱(乾燥)した。光感度を評価する数値として、上記エネルギー量を用いた。この数値が低いほど、光感度が高いことを示す。結果を表2に示した。なお、表2中、「現像不可」とは、1質量%炭酸ナトリウム水溶液によって未露光部の感光性樹脂組成物を溶出することができず、現像できなかったことを意味する。(ご確認下さい   A photo tool having a stove 21-step tablet as a negative is closely attached to the obtained PET film of the laminate for evaluation, and the stove 21-step is used by using an HMW-201GX type exposure machine manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd. The exposure was performed with an energy amount such that the number of steps remaining after development of the tablet was 8.0. Subsequently, the evaluation laminate was allowed to stand at room temperature for 1 hour, the PET film was peeled off, developed by spraying a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. for 60 seconds, and further heated at 80 ° C. for 10 minutes ( Dried). The above energy amount was used as a numerical value for evaluating the photosensitivity. The lower this value, the higher the photosensitivity. The results are shown in Table 2. In Table 2, “Undevelopable” means that the unexposed photosensitive resin composition could not be eluted with a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution, and development was not possible. (Please check it

[解像度の評価]
上記評価用積層体のPETフィルム上に、ストーファー21段ステップタブレットを有するフォトツールと、解像度評価用ネガとしてライン幅/スペース幅が30/30〜200/200(単位:μm)の配線パターンを有するフォトツールとを密着させ、オーク製作所社製HMW−201GX型露光機を用いて、ストーファー21段ステップタブレットの現像後の残存ステップ段数が8.0となるエネルギー量で露光を行った。続いて、評価用積層体を常温で1時間静置し、PETフィルムを剥離した後、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液を60秒間スプレーして現像を行い、さらに80℃で10分間加熱(乾燥)した。解像度は、現像処理によって矩形のレジスト形状が得られたライン幅間のスペース幅の最も小さい値(単位:μm)により評価した。この値が小さいほど、解像度に優れていることを示す。結果を表2に示した。
[Resolution evaluation]
On the PET film of the laminate for evaluation described above, a photo tool having a 21-step stove tablet and a wiring pattern having a line width / space width of 30/30 to 200/200 (unit: μm) as a negative for resolution evaluation The photo tool was closely adhered, and exposure was performed using an HMW-201GX type exposure machine manufactured by Oak Seisakusho Co., Ltd. with an energy amount such that the number of remaining step steps after development of the stove 21-step step tablet was 8.0. Subsequently, the evaluation laminate was allowed to stand at room temperature for 1 hour, the PET film was peeled off, developed by spraying a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. for 60 seconds, and further heated at 80 ° C. for 10 minutes ( Dried). The resolution was evaluated based on the smallest value (unit: μm) of the space width between the line widths in which a rectangular resist shape was obtained by development processing. It shows that it is excellent in the resolution, so that this value is small. The results are shown in Table 2.

[塗膜性の評価]
上記評価用積層体に対して露光を行わずに、該評価用積層体のPETフィルムを剥離し、露出した感光層表面に指を軽く押し付け、指に対する張り付き程度を以下の基準で評価した。すなわち、指に対する張り付きが認められない、又は、ほとんど認められないものは「A」とし、指に対する張り付きが認められるものは「B」とした。結果を表2に示した。
[Evaluation of coating properties]
Without exposing the said evaluation laminated body, the PET film of this evaluation laminated body was peeled, the finger | toe was lightly pressed on the exposed photosensitive layer surface, and the sticking degree with respect to the finger was evaluated on the following references | standards. That is, “A” indicates that sticking to the finger is not recognized or hardly recognized, and “B” indicates that sticking to the finger is recognized. The results are shown in Table 2.

[はんだ耐熱性の評価]
上記評価用積層体のPETフィルム上に、ストーファー21段ステップタブレットを有するフォトツールと、ネガとして2mm角の矩形パターンを有するフォトツールとを密着させ、オーク製作所社製HMW−201GX型露光機を使用して、該ストーファー21段ステップタブレットの現像後の残存ステップ段数が8.0となるエネルギー量で露光を行った。次いで、常温で1時間静置した後、該積層体のPETフィルムを剥離し、光感度評価の場合と同様の現像液及び現像条件でスプレー現像を行い、80℃で10分間加熱(乾燥)した。続いて、オーク製作所社製紫外線照射装置を使用して1J/cmのエネルギー量で感光層に対する紫外線照射を行った。さらに感光層を160℃で60分間加熱処理を行うことにより、2mm角の矩形開口部を有するソルダーレジストを形成した評価用パッケージ基板を得た。
[Evaluation of solder heat resistance]
On the PET film of the evaluation laminate, a phototool having a stove 21-step tablet and a phototool having a 2 mm square rectangular pattern as a negative are brought into close contact, and an HMW-201GX type exposure machine manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd. is used. In use, exposure was performed with an energy amount such that the number of remaining step steps after development of the stove 21-step tablet was 8.0. Next, after standing at room temperature for 1 hour, the PET film of the laminate was peeled off, spray development was performed under the same developer and development conditions as in the photosensitivity evaluation, and heated (dried) at 80 ° C. for 10 minutes. . Subsequently, the photosensitive layer was irradiated with ultraviolet rays with an energy amount of 1 J / cm 2 using an ultraviolet irradiation device manufactured by Oak Seisakusho. Further, the photosensitive layer was heat-treated at 160 ° C. for 60 minutes to obtain an evaluation package substrate on which a solder resist having a 2 mm square opening was formed.

次いで、該評価用パッケージ基板にロジン系フラックス(商品名:MH−820V、タムラ化研社製)を塗布した後、260℃のはんだ浴中に30秒間浸漬してはんだ処理を行った。   Next, after applying a rosin flux (trade name: MH-820V, manufactured by Tamura Kaken Co., Ltd.) to the evaluation package substrate, it was immersed in a solder bath at 260 ° C. for 30 seconds for soldering.

このようにしてはんだめっきを施された評価用パッケージ基板上のソルダーレジストのクラック発生状況並びに基板からのソルダーレジストの浮き程度及び剥離程度を目視により観察し、次の基準で評価した。すなわち、ソルダーレジストのクラックの発生が認められず、ソルダーレジストの浮き及び剥離も認められないものは「A」とし、それらのいずれかが認められるものは「B」とした。結果を表2に示した。   In this way, the crack generation state of the solder resist on the evaluation package substrate subjected to the solder plating and the degree of lifting and peeling of the solder resist from the substrate were visually observed and evaluated according to the following criteria. That is, “A” was given when no cracking of the solder resist was observed and no solder resist was lifted or peeled off, and “B” was given when any of them was observed. The results are shown in Table 2.

[耐熱衝撃性の評価]
はんだ耐熱性の評価に用いたはんだめっきを施された評価用パッケージ基板を、−55℃の大気中に15分間晒した後、180℃/分の昇温速度で昇温し、次いで125℃の大気中に15分間晒した後、180℃/分の降温速度で降温する熱サイクルを1500回繰り返した。このような環境下に晒した後の評価用パッケージ基板のソルダーレジストのクラック及び剥離程度を100倍の金属顕微鏡により観察し、次の基準で評価した。すなわち、ソルダーレジストのクラック及び剥離を確認できなかったものは「A」とし、それらのいずれかを確認できたものは「B」とした。結果を表2に示した。
[Evaluation of thermal shock resistance]
After the evaluation package substrate subjected to solder plating used for the evaluation of solder heat resistance is exposed to the atmosphere of −55 ° C. for 15 minutes, the temperature is increased at a temperature increase rate of 180 ° C./min, and then the temperature of 125 ° C. After being exposed to the atmosphere for 15 minutes, a heat cycle in which the temperature was lowered at a rate of temperature reduction of 180 ° C./min was repeated 1500 times. The crack and peeling degree of the solder resist on the evaluation package substrate after being exposed to such an environment were observed with a 100-fold metal microscope and evaluated according to the following criteria. That is, “A” indicates that the solder resist could not be cracked and peeled, and “B” indicates that any of them could be confirmed. The results are shown in Table 2.

[耐電食性の評価]
12μm厚の銅箔をガラスエポキシ基材に積層したプリント配線板用基材(商品名:E−679、日立化成工業社製)の銅箔にエッチングを施して、ライン幅/スペース幅が50μm/50μmであり、互いのラインが接触しておらず、互いに対向した同一面上の櫛形電極を得た。この基板の櫛形電極上に連続式真空ラミネータ(商品名:HLM−V570、日立化成工業社製)を用いて、ヒートシュー温度100℃、ラミネート速度0.5m/分、気圧4kPa以下、圧着圧力0.3MPaの条件の下、上記永久レジスト用感光性フィルムを、その感光層と櫛形電極とが密着するようにポリエチレンフィルムを剥離しつつ積層し、さらに上述と同様の条件で耐電食性評価用積層体を得た。
[Evaluation of electric corrosion resistance]
Etching is performed on the copper foil of a printed wiring board substrate (trade name: E-679, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) in which a 12 μm thick copper foil is laminated on a glass epoxy substrate, and the line width / space width is 50 μm / A comb-shaped electrode on the same surface opposed to each other was obtained, which was 50 μm and the lines were not in contact with each other. Using a continuous vacuum laminator (trade name: HLM-V570, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) on the comb-shaped electrode of this substrate, a heat shoe temperature of 100 ° C., a laminating speed of 0.5 m / min, an atmospheric pressure of 4 kPa or less, and a pressure of pressure 0 .3 MPa under the condition of 3 MPa, the above-mentioned photosensitive film for permanent resist was laminated while peeling off the polyethylene film so that the photosensitive layer and the comb-shaped electrode were in close contact with each other. Got.

得られた耐電食性評価用積層体のPETフィルム上に、ネガとしてストーファー21段ステップタブレットを有するフォトツールを密着させ、オーク製作所社製HMW−201GX型露光機を使用して、該ストーファー21段ステップタブレットの現像後の残存ステップ段数が8.0となるエネルギー量で露光を行った。続いて、該耐電食性評価用積層体を常温で1時間静置し、PETフィルムを剥離した後、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液を60秒間スプレーして現像を行い、さらに80℃で10分間加熱(乾燥)した。続いて、オーク製作所社製紫外線照射装置を使用して1J/cmのエネルギー量で感光層に対する紫外線照射を行い、さらに160℃で60分間加熱処理を行うことにより、ソルダーレジストを形成した。 A phototool having a stove 21-step tablet as a negative is brought into close contact with the PET film of the obtained laminate for evaluation of electric corrosion resistance, and the stove 21 is used using an HMW-201GX type exposure machine manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd. The exposure was performed with an energy amount such that the number of steps remaining after development of the stepped tablet was 8.0. Subsequently, the laminate for evaluation of electric corrosion resistance was allowed to stand at room temperature for 1 hour, the PET film was peeled off, developed by spraying with a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. for 60 seconds, and further at 80 ° C. for 10 hours. Heated (dried) for minutes. Subsequently, using a UV irradiation device manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd., the photosensitive layer was irradiated with ultraviolet rays with an energy amount of 1 J / cm 2 and further subjected to heat treatment at 160 ° C. for 60 minutes to form a solder resist.

加熱後の耐電食性評価用積層体の櫛形電極間に電圧が印加されるように、ポリテトラフルオロエチレン製のシールド線をSn/Pbはんだによりそれらの櫛形電極に接続した後、評価用積層体に5Vの電圧を印可した状態で、該評価用積層体を130℃、85%RHの超加速高温高湿寿命試験(HAST)槽内に200時間静置した。その後の評価用積層体のソルダーレジストのマイグレーションの発生程度を100倍の金属顕微鏡により観察し、次の基準で評価した。すなわち、ソルダーレジストのマイグレーションの発生を確認できなかったものは「A」とし、確認できたものは「B」とした。結果を表2に示した。   After connecting the polytetrafluoroethylene shield wire to the comb electrodes with Sn / Pb solder so that a voltage is applied between the comb electrodes of the laminate for evaluation of electric corrosion resistance after heating, In a state where a voltage of 5 V was applied, the laminate for evaluation was allowed to stand in a super accelerated high temperature high humidity life test (HAST) bath at 130 ° C. and 85% RH for 200 hours. The degree of migration of the solder resist in the subsequent evaluation laminate was observed with a 100-fold metal microscope and evaluated according to the following criteria. That is, “A” indicates that the solder resist migration could not be confirmed, and “B” indicates that it was not confirmed. The results are shown in Table 2.

[貯蔵安定性の評価]
上述したように実施例1〜5及び比較例1〜4の感光性樹脂組成物を用いて得られた永久レジスト用感光性フィルムを大気中、5℃で1ヶ月静置した。次いで、静置後の永久レジスト用感光性フィルムを用いて光感度評価の場合と同様にして評価用積層体を得た。そして、はんだ耐熱性評価におけるものと同様にして、2mm角の矩形開口部を有するソルダーレジストを形成した評価用基板を得た。評価用基板に形成されたソルダーレジストのパターンを実体顕微鏡で観察し、未露光部に樹脂の残存が認められないものを「A」、樹脂の残存が認められるものを「B」とした。結果を表2に示した。
[Evaluation of storage stability]
As described above, the photosensitive film for permanent resist obtained using the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 was allowed to stand at 5 ° C. for 1 month in the air. Subsequently, the evaluation laminated body was obtained like the case of light sensitivity evaluation using the photosensitive film for permanent resists after stationary. And the board | substrate for evaluation which formed the soldering resist which has a 2 mm square rectangular opening part similarly to the thing in the solder heat resistance evaluation was obtained. The pattern of the solder resist formed on the evaluation substrate was observed with a stereomicroscope, and “A” indicates that no resin remains in the unexposed area, and “B” indicates that resin remains. The results are shown in Table 2.

[ガラス転移温度の評価]
上述したように実施例1〜5及び比較例1〜4の感光性樹脂組成物を用いて得られた永久レジスト用感光性フィルムを、上記と同様の条件で露光、加熱して感光層を硬化した硬化膜を得た。該硬化膜のガラス転移温度をTMA(セイコーインスツルメンツ製TMA-1型)を用い引張りモード、昇温速度5℃/分、荷重5gで測定した。結果を表2に示した。
[Evaluation of glass transition temperature]
As described above, the photosensitive film for permanent resist obtained using the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 is exposed and heated under the same conditions as described above to cure the photosensitive layer. A cured film was obtained. The glass transition temperature of the cured film was measured by using TMA (TMA-1 type manufactured by Seiko Instruments Inc.) in a tensile mode, a temperature rising rate of 5 ° C./min, and a load of 5 g. The results are shown in Table 2.

[硬化膜の物性評価]
上述したように実施例1〜5及び比較例1〜4の感光性樹脂組成物を用いて得られた永久レジスト用感光性フィルムを、上記と同様の条件で露光、加熱して感光層を硬化した硬化膜を得た。該硬化膜の1%熱重量減少温度は、熱天秤(セイコーインスツルメンツ製TG−DTA300)で空気雰囲気中昇温速度10℃/分で重量が1%減少した温度を測定した。また、引張強度及び伸び率は膜厚20μm、幅10mm、チャック間長20mmのサンプルをテンシロン引張り試験機(オリエンテック社製UCT−5T型)で試験温度25℃、引張り速度5mm/分の条件で測定した。結果を表2に示した。
[Evaluation of physical properties of cured film]
As described above, the photosensitive film for permanent resist obtained using the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 is exposed and heated under the same conditions as described above to cure the photosensitive layer. A cured film was obtained. The 1% thermogravimetric decrease temperature of the cured film was measured by a thermobalance (TG-DTA300 manufactured by Seiko Instruments Inc.) at a temperature at which the weight decreased by 1% at a heating rate of 10 ° C./min in an air atmosphere. In addition, the tensile strength and elongation rate of a sample having a film thickness of 20 μm, a width of 10 mm, and a length between chucks of 20 mm were measured with a Tensilon tensile tester (UCT-5T type manufactured by Orientec Co., Ltd.) at a test temperature of 25 ° C. and a tensile speed of 5 mm / min. It was measured. The results are shown in Table 2.

Figure 0005062059
Figure 0005062059

本発明の永久レジスト用感光性フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows one Embodiment of the photosensitive film for permanent resists of this invention. 本発明のプリント配線板の一実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows one Embodiment of the printed wiring board of this invention. 本発明のプリント配線板の製造方法の一実施形態を示す模式工程図である。It is a schematic process drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board of this invention. 本発明の感光性樹脂組成物の硬化物を層間絶縁膜として用いた半導体パッケージの一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows an example of the semiconductor package which used the hardened | cured material of the photosensitive resin composition of this invention as an interlayer insulation film.

符号の説明Explanation of symbols

1…永久レジスト用感光性フィルム、2…プリント配線板、3、4…プリント配線板用基材、5…フォトマスク、11…支持体、12、24…感光層、13…保護フィルム、21…回路パターンを有しない導体層、22…絶縁基板、23…回路パターンを有する導体層、26…開口部、241…ソルダーレジスト、10…シリコンウェハ(基板)、20…電極、30…層間絶縁膜、40…再配線、50…ポスト部、60…封止樹脂、100…半導体パッケージ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photosensitive film for permanent resists, 2 ... Printed wiring board, 3, 4 ... Base material for printed wiring boards, 5 ... Photomask, 11 ... Support body, 12, 24 ... Photosensitive layer, 13 ... Protective film, 21 ... Conductor layer having no circuit pattern, 22 ... insulating substrate, 23 ... conductor layer having circuit pattern, 26 ... opening, 241 ... solder resist, 10 ... silicon wafer (substrate), 20 ... electrode, 30 ... interlayer insulating film, 40: rewiring, 50: post portion, 60: sealing resin, 100: semiconductor package.

Claims (12)

下記一般式(1)で表わされる構造を含むポリマー。
Figure 0005062059


[式中、Xは四価の有機基を示し、Y、R及びRは各々独立に二価の有機基を示し、Rは水素原子、フェニル基又は炭素数1〜5のアルキル基を示し、nは1以上の整数を示す。]
A polymer comprising a structure represented by the following general formula (1).
Figure 0005062059


[Wherein, X represents a tetravalent organic group, Y, R 1 and R 2 each independently represents a divalent organic group, and R represents a hydrogen atom, a phenyl group or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. N represents an integer of 1 or more. ]
請求項1記載のポリマーをイミド化してなる、イミド化ポリマー。   An imidized polymer obtained by imidizing the polymer according to claim 1. (A)請求項1及び/又は2記載のポリマーと、
(B)光重合性化合物と、
(C)光重合開始剤と
を含有する、アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物。
(A) the polymer according to claim 1 and / or 2,
(B) a photopolymerizable compound;
(C) A photosensitive resin composition containing a photopolymerization initiator and capable of alkali development.
前記(A)ポリマーの重量平均分子量が1万〜20万である、請求項3記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition of Claim 3 whose weight average molecular weights of the said (A) polymer are 10,000-200000. 前記(B)光重合性化合物がアミド結合を有する化合物を含む、請求項3又は4記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition of Claim 3 or 4 in which the said (B) photopolymerizable compound contains the compound which has an amide bond. 前記(B)光重合性化合物が、下記一般式(2)、(3)又は(4)で表わされる化合物を含む、請求項3〜5のいずれか一項記載の感光性樹脂組成物。
Figure 0005062059


Figure 0005062059


Figure 0005062059


[式(2)、(3)及び(4)中、Rは二価の有機基を示す。]
The photosensitive resin composition as described in any one of Claims 3-5 in which the said (B) photopolymerizable compound contains the compound represented by the following general formula (2), (3) or (4).
Figure 0005062059


Figure 0005062059


Figure 0005062059


[In the formulas (2), (3) and (4), R 3 represents a divalent organic group. ]
支持体と、該支持体上に形成された請求項3〜6のいずれか一項記載の感光性樹脂組成物からなる感光層とを備える、永久レジスト用感光性フィルム。   A photosensitive film for permanent resist, comprising: a support; and a photosensitive layer made of the photosensitive resin composition according to any one of claims 3 to 6 formed on the support. 絶縁基板と該絶縁基板上に形成された回路パターンを有する導体層とを備える積層基板の前記絶縁基板上に、前記導体層を覆うように請求項3〜6のいずれか一項記載の感光性樹脂組成物からなる感光層を積層し、該感光層の所定部分に活性光線を照射して露光部を形成し、次いで、前記感光層の前記露光部以外の部分を除去することを特徴とする、レジストパターンの形成方法。   The photosensitive property as described in any one of Claims 3-6 so that the said conductor layer may be covered on the said insulated substrate of a laminated substrate provided with the insulated substrate and the conductor layer which has a circuit pattern formed on this insulated substrate. Laminating a photosensitive layer made of a resin composition, irradiating a predetermined portion of the photosensitive layer with actinic rays to form an exposed portion, and then removing portions other than the exposed portion of the photosensitive layer And a resist pattern forming method. 絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された回路パターンを有する導体層と、該導体層を覆うように前記絶縁基板上に形成された請求項3〜6のいずれか一項記載の感光性樹脂組成物の硬化物からなる永久レジスト層と、を備えるプリント配線板。   The photosensitive resin according to claim 3, formed on the insulating substrate so as to cover the insulating substrate, a conductor layer having a circuit pattern formed on the insulating substrate, and the conductor layer. A printed wiring board comprising: a permanent resist layer made of a cured product of the composition. 絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された回路パターンを有する導体層と、該導体層を覆うように前記絶縁基板上に形成された永久レジスト層と、を備えるプリント配線板の製造方法であって、
前記絶縁基板上に、前記導体層を覆うように請求項3〜6のいずれか一項記載の感光性樹脂組成物からなる感光層を積層し、該感光層の所定部分に活性光線を照射して露光部を形成し、次いで、該露光部以外の部分を除去することを特徴とする、プリント配線板の製造方法。
A printed wiring board manufacturing method comprising: an insulating substrate; a conductor layer having a circuit pattern formed on the insulating substrate; and a permanent resist layer formed on the insulating substrate so as to cover the conductor layer. And
A photosensitive layer made of the photosensitive resin composition according to any one of claims 3 to 6 is laminated on the insulating substrate so as to cover the conductor layer, and a predetermined portion of the photosensitive layer is irradiated with actinic rays. Forming an exposed portion, and then removing portions other than the exposed portion.
請求項3〜6のいずれか一項記載の感光性樹脂組成物の硬化物からなる、表面保護膜。   The surface protection film which consists of hardened | cured material of the photosensitive resin composition as described in any one of Claims 3-6. 請求項3〜6のいずれか一項記載の感光性樹脂組成物の硬化物からなる、層間絶縁膜。
The interlayer insulation film which consists of a hardened | cured material of the photosensitive resin composition as described in any one of Claims 3-6.
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