JP2008180992A - Photosensitive resin composition, photosensitive film for permanent resist, resist pattern forming method, printed wiring board and semiconductor package - Google Patents

Photosensitive resin composition, photosensitive film for permanent resist, resist pattern forming method, printed wiring board and semiconductor package Download PDF

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顕浩 佐々木
Rika Nokita
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin composition which enables a permanent resist to be formed, the permanent resist having thermal shock resistance and electric corrosion resistance of sufficiently high levels, and which exhibits sufficiently excellent storage stability in the state of a dry film. <P>SOLUTION: The photosensitive resin composition comprises (A) a polymer including a structure represented by formula (1) (wherein Z denotes -OH, -NH-R<SP>5</SP>or -O-R<SP>6</SP>, and R<SP>5</SP>and R<SP>6</SP>are each a group having an ethylenically unsaturated bond, an alkyl group which may have a substituent or a phenyl group which may have a substituent), (B) a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated group, and (C) a photopolymerization initiator. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、感光性樹脂組成物、永久レジスト用感光性フィルム、レジストパターンの形成方法、プリント配線板及び半導体パッケージに関する。   The present invention relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive film for permanent resist, a method for forming a resist pattern, a printed wiring board, and a semiconductor package.

プリント配線板や、半導体チップを搭載するためのパッケージ基板においては、回路パターンを形成する目的で感光性樹脂組成物によって形成されたソルダーレジストが用いられている。   In a printed circuit board and a package substrate for mounting a semiconductor chip, a solder resist formed of a photosensitive resin composition is used for the purpose of forming a circuit pattern.

ソルダーレジストを形成する方法としては、液状フォトレジストを用いる方法もあるが、生産効率及びレジスト膜厚の均一性の観点から、特許文献1に開示されているような、いわゆるドライフィルムレジストを用いる方法が主流となりつつある。ドライフィルムレジストの材料として、例えば特許文献2には、耐熱性、耐湿熱性、密着性、機械特性に優れた硬化膜を得ることができ、プリント配線板、高密度多層板、半導体パッケージ等の製造に好適に用いられる感光性樹脂組成物を提供することを意図して、エポキシ化合物(a)と不飽和モノカルボン酸とのエステル化物に飽和又は不飽和多塩基酸無水物を反応させて得られたカルボキシル基を有する感光性樹脂(A)、カルボキシル基を有する感光性ポリアミド樹脂及びカルボキシル基を有する感光性ポリアミドイミド樹脂から選ばれる少なくとも1種の感光性樹脂(B)、エラストマー(C)、エポキシ硬化剤(D)及び光重合開始剤(E)を含有する感光性樹脂組成物が提案されている。特許文献2によると、この感光性樹脂組成物から形成されるソルダーレジストは耐溶剤性に優れている旨記載されている。   As a method for forming the solder resist, there is a method using a liquid photoresist, but from the viewpoint of production efficiency and uniformity of the resist film thickness, a method using a so-called dry film resist as disclosed in Patent Document 1. Is becoming mainstream. As a dry film resist material, for example, in Patent Document 2, a cured film having excellent heat resistance, heat and humidity resistance, adhesion, and mechanical properties can be obtained, and production of printed wiring boards, high-density multilayer boards, semiconductor packages, and the like. It is obtained by reacting an esterified product of an epoxy compound (a) and an unsaturated monocarboxylic acid with a saturated or unsaturated polybasic acid anhydride for the purpose of providing a photosensitive resin composition suitably used for At least one photosensitive resin (B) selected from a photosensitive resin having a carboxyl group (A), a photosensitive polyamide resin having a carboxyl group, and a photosensitive polyamideimide resin having a carboxyl group, an elastomer (C), an epoxy A photosensitive resin composition containing a curing agent (D) and a photopolymerization initiator (E) has been proposed. According to Patent Document 2, it is described that the solder resist formed from this photosensitive resin composition is excellent in solvent resistance.

また、特許文献3には、塗布面に対する印刷性、耐熱性、塗布面との密着性、耐薬品性、耐溶剤性、電気特性、機械的特性に優れたソルダーレジスト膜等を形成することができる感光性樹脂組成物の提供を意図して、特定構造を有するノボラックエポキシ樹脂及び特定構造を有するゴム変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂の混合物と該混合物のエポキシ当量当たり0.2〜1.2モルのエチレン性不飽和カルボン酸との反応生成物と、上記混合物のエポキシ当量当たり0.2〜1.0モルの多塩基酸及び/又はその無水物との反応生成物であってカルボキシル基を有する感光性プレポリマーと、光重合性反応性希釈剤と、光重合開始剤と、熱硬化性成分とを含有する感光性樹脂組成物が提案されている。   In Patent Document 3, a solder resist film having excellent printability, heat resistance, adhesion to the coated surface, chemical resistance, solvent resistance, electrical properties, and mechanical properties on the coated surface can be formed. A mixture of a novolak epoxy resin having a specific structure and a rubber-modified bisphenol A type epoxy resin having a specific structure and 0.2 to 1.2 mol per epoxy equivalent of the mixture is intended to provide a photosensitive resin composition Photosensitive product having a carboxyl group, which is a reaction product of a reaction product with an ethylenically unsaturated carboxylic acid and 0.2 to 1.0 mole of a polybasic acid and / or an anhydride thereof per epoxy equivalent of the above mixture. A photosensitive resin composition containing an adhesive prepolymer, a photopolymerizable reactive diluent, a photopolymerization initiator, and a thermosetting component has been proposed.

更に、特許文献4には、永久レジストとしての可とう性、はんだ耐熱性及び耐薬品性を低下させずに高い耐湿絶縁性を示す永久レジストの提供を意図して、アルカリ現像後の水洗工程において、水洗用の水に2価のカルシウムイオンなどの2価の無機イオンを含有させる手段が開示されている。
特開昭54−1018号公報 特開平11−288087号公報 特開平9−5997号公報 特開2004−252485号公報
Furthermore, Patent Document 4 intends to provide a permanent resist exhibiting high moisture resistance insulation without deteriorating flexibility, solder heat resistance and chemical resistance as a permanent resist, and in a water washing step after alkali development. Means for containing divalent inorganic ions such as divalent calcium ions in water for washing is disclosed.
Japanese Patent Laid-Open No. 54-1018 Japanese Patent Laid-Open No. 11-288087 Japanese Patent Laid-Open No. 9-5997 JP 2004-252485 A

しかしながら、本発明者らは、上記特許文献2、3に記載の感光性樹脂組成物について詳細に検討を行ったところ、これら感光性樹脂組成物から得られるソルダーレジスト(永久レジスト)は、耐熱衝撃性の点で未だ満足できるレベルにないことが明らかになった。また、これら感光性樹脂組成物を用いて形成されたドライフィルムは、十分な貯蔵安定性を有しないことも明らかとなった。貯蔵安定性が不足すると、ドライフィルムの状態で長時間保存したときに、塗膜性、解像度及び耐熱衝撃性等の諸特性を十分良好に維持することが困難になる。   However, the present inventors have examined the photosensitive resin compositions described in Patent Documents 2 and 3 in detail. As a result, the solder resist (permanent resist) obtained from these photosensitive resin compositions has a thermal shock resistance. It became clear that the level of sex was not yet satisfactory. Moreover, it became clear that the dry film formed using these photosensitive resin compositions does not have sufficient storage stability. If the storage stability is insufficient, it is difficult to sufficiently maintain various properties such as coating properties, resolution, and thermal shock resistance when stored for a long time in a dry film state.

更には、上記特許文献4に開示された手段を用いると、耐電食性については一定の効果を奏するものの、耐熱衝撃性については未だ十分でないことが本発明者らの検討の結果明らかとなった。   Furthermore, when the means disclosed in the above-mentioned Patent Document 4 is used, it has been clarified as a result of the examination by the present inventors that although there is a certain effect with respect to electric corrosion resistance, the thermal shock resistance is still insufficient.

そこで、本発明は、耐熱衝撃性及び耐電食性の点で十分に高いレベルを達成する永久レジストを形成することが可能であり、且つ、ドライフィルムの状態で十分に優れた貯蔵安定性を示す感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention is capable of forming a permanent resist that achieves a sufficiently high level in terms of thermal shock resistance and electric corrosion resistance, and is a photosensitive film that exhibits sufficiently excellent storage stability in a dry film state. It aims at providing a conductive resin composition.

一つの側面において、本発明は感光性樹脂組成物に関する。本発明に係る感光性樹脂組成物は、(A)下記一般式(1)で表される構造を含むポリマーと、(B)エチレン性不飽和基を有する光重合性化合物と、(C)光重合開始剤とを含有する。   In one aspect, the present invention relates to a photosensitive resin composition. The photosensitive resin composition according to the present invention includes (A) a polymer containing a structure represented by the following general formula (1), (B) a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated group, and (C) light. A polymerization initiator.

Figure 2008180992
Figure 2008180992

式(1)中、R及びRはそれぞれ独立にイソブチレン単位、スチレン単位、メチルビニルエーテル単位又は(メタ)アクリル酸エステル単位を示し、Rは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロヘキシル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を示し、Zは−OH、−NH−R又は−O−Rを示し、R及びRはエチレン性不飽和結合を有する基、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基であり、n及びmはそれぞれ独立に1以上の整数を示す。 In formula (1), R 1 and R 3 each independently represent an isobutylene unit, a styrene unit, a methyl vinyl ether unit or a (meth) acrylate unit, and R 2 may have a hydrogen atom or a substituent. alkyl group, a phenyl group which may have a even better cyclohexyl group or a substituent substituted, Z is -OH, indicates -NH-R 5 or -O-R 6, R 5 And R 6 is a group having an ethylenically unsaturated bond, an alkyl group which may have a substituent or a phenyl group which may have a substituent, and n and m are each independently an integer of 1 or more Indicates.

上記本発明に係る感光性樹脂組成物は、上記特定構造のポリマーを、上記(B)〜(C)成分と組合わせて用いたことにより、耐熱衝撃性及び耐電食性の点で十分に高いレベルを達成する永久レジストを形成することが可能であり、且つ、ドライフィルムの状態で十分に優れた貯蔵安定性を示すものとなった。   The photosensitive resin composition according to the present invention has a sufficiently high level in terms of thermal shock resistance and electric corrosion resistance by using the polymer having the specific structure in combination with the components (B) to (C). It was possible to form a permanent resist that achieves the above, and exhibited sufficiently excellent storage stability in the dry film state.

上記効果を特に顕著なものとするため、式(1)においてn/(n+m)は0.1〜0.7であることが好ましい。   In order to make the above effect particularly remarkable, n / (n + m) is preferably 0.1 to 0.7 in the formula (1).

上記ポリマーは、単独で光又は加熱により反応してガラス転移温度が120℃〜200℃である架橋体を生成するものであることが好ましい。これにより、より優れた耐熱性、耐薬品性、耐熱衝撃性及び耐電食性が得られる。   The polymer is preferably one that reacts alone by light or heating to produce a crosslinked product having a glass transition temperature of 120 ° C to 200 ° C. Thereby, more excellent heat resistance, chemical resistance, thermal shock resistance and electric corrosion resistance can be obtained.

上記ポリマーは、100〜350mgKOH/gの酸価を有することが好ましい。これにより、感光性樹脂組成物の希アルカリ水溶液による現像性や、硬化後の電気絶縁性が更に向上する。   The polymer preferably has an acid value of 100 to 350 mgKOH / g. Thereby, the developability by the dilute alkaline aqueous solution of the photosensitive resin composition and the electrical insulation after curing are further improved.

上記ポリマーは、10000〜200000の重量平均分子量を有することが好ましい。これにより、感光性樹脂組成物の希アルカリ水溶液による現像性や、硬化物の引張強度及び伸び率等の機械的特性がより一層良好なものとなる。   The polymer preferably has a weight average molecular weight of 10,000 to 200,000. Thereby, the developability of the photosensitive resin composition with a dilute alkali aqueous solution and the mechanical properties such as the tensile strength and elongation of the cured product are further improved.

本発明の感光性樹脂組成物は、(D)加熱により硬化する熱硬化性化合物を更に含有していてもよい。この熱硬化性化合物は、(メタ)アクリレート基及びブロック化イソシアネート基を有する化合物であることが好ましい。これにより、(A)成分のポリマー中のカルボキシル基と熱硬化性化合物との反応が常温において抑制される。その結果、ドライフィルムの状態での貯蔵安定性向上の効果がより一層顕著なものとなる。更にこの場合、感光性樹脂組成物に光照射すると、(B)成分の光重合性化合物とともに(D)成分の熱硬化性化合物中の(メタ)アクリレート基も重合する。そして、光照射後の加熱により熱硬化性化合物のブロック化イソシアネート基と(A)成分のカルボキシル基が反応して三次元架橋構造が形成される。その結果、永久レジストの耐熱性及び耐熱衝撃性がより一層優れたものとなる。   The photosensitive resin composition of the present invention may further contain (D) a thermosetting compound that is cured by heating. This thermosetting compound is preferably a compound having a (meth) acrylate group and a blocked isocyanate group. Thereby, reaction with the carboxyl group in the polymer of (A) component and a thermosetting compound is suppressed at normal temperature. As a result, the effect of improving the storage stability in the dry film state becomes even more remarkable. Further, in this case, when the photosensitive resin composition is irradiated with light, the (meth) acrylate group in the thermosetting compound (D) is polymerized together with the photopolymerizable compound (B). And the blocked isocyanate group of a thermosetting compound and the carboxyl group of (A) component react by the heating after light irradiation, and a three-dimensional crosslinked structure is formed. As a result, the heat resistance and thermal shock resistance of the permanent resist are further improved.

別の側面において、本発明は永久レジストを形成するために用いられる永久レジスト用感光性フィルムに関する。本発明に係る永久レジスト用感光性フィルムは、上記本発明に係る感光性樹脂組成物からなる感光層を備える。本発明に係る永久レジスト用感光性フィルムは、耐熱衝撃性及び耐電食性の点で十分に高いレベルを達成するソルダーレジストを形成することが可能であり、且つ、十分に優れた貯蔵安定性を示す。   In another aspect, the present invention relates to a photosensitive film for permanent resist used for forming a permanent resist. The photosensitive film for permanent resist according to the present invention includes a photosensitive layer made of the photosensitive resin composition according to the present invention. The photosensitive film for permanent resist according to the present invention can form a solder resist that achieves a sufficiently high level in terms of thermal shock resistance and electric corrosion resistance, and exhibits sufficiently excellent storage stability. .

更に別の側面において、本発明はレジストパターンの形成方法に関する。本発明に係る形成方法は、絶縁基板及び該絶縁基板上に設けられ回路パターンが形成された導体層を有する積層基板の当該導体層側の面上に当該導体層を覆う感光層を形成するステップと、感光層の所定部分に活性光線を照射してから感光層の一部を除去して、導体層の一部が露出する開口部が形成されたレジストパターンを形成させるステップと、を備える。上記感光層は、上記本発明に係る感光性樹脂組成物からなる。   In still another aspect, the present invention relates to a method for forming a resist pattern. The forming method according to the present invention includes a step of forming a photosensitive layer covering the conductor layer on a surface of the laminated substrate having the insulating substrate and the conductor layer provided on the insulating substrate and having a circuit pattern formed thereon. And a step of irradiating a predetermined part of the photosensitive layer with actinic rays and then removing a part of the photosensitive layer to form a resist pattern in which an opening exposing a part of the conductor layer is formed. The photosensitive layer is composed of the photosensitive resin composition according to the invention.

更に別の側面において、本発明はプリント配線板に関する。本発明に係るプリント配線板は、絶縁基板及び該絶縁基板上に設けられ回路パターンが形成された導体層を有する積層基板と、積層基板の当該導体層側の面上に設けられ当該導体層の一部が露出する開口部が形成された永久レジスト層と、を備える。上記永久レジスト層は、上記本発明に係る感光性樹脂組成物の硬化物からなる。   In still another aspect, the present invention relates to a printed wiring board. A printed wiring board according to the present invention includes an insulating substrate, a laminated substrate having a conductor layer provided on the insulating substrate and having a circuit pattern formed thereon, and a conductor layer provided on the surface of the laminated substrate on the conductor layer side. And a permanent resist layer in which an opening partly exposed is formed. The permanent resist layer is made of a cured product of the photosensitive resin composition according to the present invention.

更に別の側面において、本発明は半導体パッケージに関する。本発明に係る半導体パッケージは、絶縁基板及び該絶縁基板上に設けられ回路パターンが形成された導体層を有する積層基板と積層基板の当該導体層側の面上に設けられ当該導体層の一部が露出する開口部が形成された永久レジスト層とを含むパッケージ基板と、該パッケージ基板に搭載された半導体チップと、を備える。上記永久レジスト層は、上記本発明に係る感光性樹脂組成物の硬化物からなる。   In yet another aspect, the present invention relates to a semiconductor package. A semiconductor package according to the present invention includes a laminated substrate having an insulating substrate and a conductor layer provided on the insulating substrate and having a circuit pattern formed thereon, and a part of the conductor layer provided on the surface of the laminated substrate on the conductor layer side. And a semiconductor chip mounted on the package substrate. The package substrate includes a permanent resist layer in which an opening exposing the substrate is formed. The permanent resist layer is made of a cured product of the photosensitive resin composition according to the present invention.

本発明によれば、耐熱衝撃性及び耐電食性の点で十分に高いレベルを達成する永久レジストを形成することが可能であり、且つ、ドライフィルムの状態で十分に優れた貯蔵安定性を示す感光性樹脂組成物が提供される。本発明に係る感光性樹脂組成物により形成される永久レジストは、光感度、解像度、はんだ耐熱性及び機械的強度の点でも優れる。   According to the present invention, it is possible to form a permanent resist that achieves a sufficiently high level in terms of thermal shock resistance and electric corrosion resistance, and a photosensitivity exhibiting sufficiently excellent storage stability in a dry film state. A functional resin composition is provided. The permanent resist formed by the photosensitive resin composition according to the present invention is excellent in terms of photosensitivity, resolution, solder heat resistance, and mechanical strength.

以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。また、本明細書における「(メタ)アクリル酸」とは「アクリル酸」及びそれに対応する「メタクリル酸」を意味し、「(メタ)アクリレート」とは「アクリレート」及びそれに対応する「メタクリレート」を意味する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as necessary. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios. In the present specification, “(meth) acrylic acid” means “acrylic acid” and “methacrylic acid” corresponding thereto, and “(meth) acrylate” means “acrylate” and “methacrylate” corresponding thereto. means.

本実施形態に係る感光性樹脂組成物は、(A)上記一般式(1)で表される構造から実質的に構成されるポリマーと、(B)エチレン性不飽和基を有する光重合性化合物と、(C)光重合開始剤とを含有する。   The photosensitive resin composition according to the present embodiment includes (A) a polymer substantially composed of a structure represented by the general formula (1), and (B) a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated group. And (C) a photopolymerization initiator.

(A)成分のポリマー(以下場合により「無水マレイン酸系共重合体」という。)は式(1)で表される構造を含む。言い換えると、(A)成分のポリマーは下記式(11)で表される構成単位と、下記式(12)で表される構成単位とを有する。それぞれの構成単位はブロックを形成していてもよいし、互いにランダムに結合していてもよい。マレイン酸系共重合体中に含まれる複数の構成単位はR〜R及びZが互いに同じものであてもよいし、R〜R及びZが互いに異なる構成単位が混在していてもよい。式(11)及び(12)中、R〜R及びZは式(1)中のR〜R及びZと同義である。無水マレイン酸系共重合体は、通常、その末端部分を除いて式(1)の構造から構成される。 The polymer of the component (A) (hereinafter sometimes referred to as “maleic anhydride copolymer”) includes a structure represented by the formula (1). In other words, the polymer of the component (A) has a structural unit represented by the following formula (11) and a structural unit represented by the following formula (12). Each structural unit may form a block, or may be bonded to each other at random. A plurality of structural units contained in the maleic acid-based copolymer is may be addressed by those same R 1 to R 3 and Z together also R 1 to R 3 and Z are different from each other structural units a mix Good. In the formula (11) and (12), R 1 to R 3 and Z have the same meanings as R 1 to R 3 and Z in formula (1). The maleic anhydride-based copolymer is usually composed of the structure of the formula (1) except for its terminal portion.

Figure 2008180992
Figure 2008180992

式(1)における式(11)の割合、すなわちn/(n+m)はそれぞれ独立に1以上の整数を示す。式(1)においてn/(n+m)(以下場合により「イミド化率」という。)は0.1〜0.7であることが好ましい。イミド化率が0.1〜0.7の範囲内にない場合、本発明による効果の程度が小さくなる傾向にある。同様の観点から、イミド化率は0.3〜0.5であることがより好ましい。   The ratio of the formula (11) in the formula (1), that is, n / (n + m) independently represents an integer of 1 or more. In the formula (1), n / (n + m) (hereinafter sometimes referred to as “imidation rate”) is preferably 0.1 to 0.7. When the imidation ratio is not within the range of 0.1 to 0.7, the degree of the effect according to the present invention tends to be small. From the same viewpoint, the imidation rate is more preferably 0.3 to 0.5.

式(1)において、Zは−OH、−NH−R又は−O−Rを示す。R及びRはエチレン性不飽和結合を有する基、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基である。R及びRは、典型的には(メタ)アクリロイルオキシ基を有する基((メタ)アクリロイルオキシアルキル基等)である。 In the formula (1), Z represents —OH, —NH—R 5 or —O—R 6 . R 5 and R 6 are a group having an ethylenically unsaturated bond, an alkyl group which may have a substituent, or a phenyl group which may have a substituent. R 5 and R 6 are typically groups having a (meth) acryloyloxy group (such as a (meth) acryloyloxyalkyl group).

及びRはそれぞれ独立にイソブチレン単位、スチレン単位、メチルビニルエーテル単位又は(メタ)アクリル酸エステル単位を示す。これらの中でもイソブチレン単位が特に好ましい。Rは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロヘキシル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を示す。Rは水素原子又はカルボキシフェニル基であることが好ましい。 R 1 and R 3 each independently represent an isobutylene unit, a styrene unit, a methyl vinyl ether unit or a (meth) acrylic acid ester unit. Among these, an isobutylene unit is particularly preferable. R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group that may have a substituent, a cyclohexyl group that may have a substituent, or a phenyl group that may have a substituent. R 2 is preferably a hydrogen atom or a carboxyphenyl group.

Zは−OH、−NH−R又は−O−Rを示し、R及びRはエチレン性不飽和結合を有する基、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基であり、n及びmはそれぞれ独立に1以上の整数を示す。 Z represents —OH, —NH—R 5 or —O—R 6 , and R 5 and R 6 each have a group having an ethylenically unsaturated bond, an alkyl group which may have a substituent, or a substituent. And n and m each independently represents an integer of 1 or more.

例えばZが−NH−R又は−O−Rであって、R及びRがエチレン性不飽和結合を有する基である場合、マレイン酸系共重合体は、単独で光又は加熱により反応して架橋体を生成する。この架橋体のガラス転移温度は好ましくは120〜200℃であり、より好ましくは130〜180℃である。 For example, when Z is —NH—R 5 or —O—R 6 , and R 5 and R 6 are groups having an ethylenically unsaturated bond, the maleic acid-based copolymer can be obtained by light or heating alone. Reacts to form a crosslinked product. The glass transition temperature of this crosslinked product is preferably 120 to 200 ° C, more preferably 130 to 180 ° C.

マレイン酸系共重合体の重量平均分子量(Mw)は、10000〜200000であることが好ましく、15000〜150000であることがより好ましく、30000〜100000であることが特に好ましい。無水マレイン酸系共重合体のMwが上記範囲内にあることにより、感光性樹脂組成物の希アルカリ水溶液による現像性や、硬化物の引張強度及び伸び率等の機械的特性がより一層良好なものとなる。   The weight average molecular weight (Mw) of the maleic acid copolymer is preferably 10,000 to 200,000, more preferably 15,000 to 150,000, and particularly preferably 30,000 to 100,000. When the Mw of the maleic anhydride copolymer is within the above range, the developability of the photosensitive resin composition with a dilute alkaline aqueous solution and the mechanical properties such as tensile strength and elongation of the cured product are further improved. It will be a thing.

このように比較的高分子量の無水マレイン酸系共重合体を用いる場合であっても、感光性樹脂組成物は希アルカリ現像液に対する十分に高い溶解性を有する。特に、無水マレイン酸系共重合体が、R又はRとしてメチルビニルエーテル単位を含んでいる場合、又は、Zがエチレンオキサイド基を含む基である構成単位を含む場合、その溶解性が向上する傾向にある。 Thus, even when a relatively high molecular weight maleic anhydride copolymer is used, the photosensitive resin composition has a sufficiently high solubility in a dilute alkali developer. In particular, when the maleic anhydride-based copolymer contains a methyl vinyl ether unit as R 1 or R 3 , or when Z contains a constituent unit that is a group containing an ethylene oxide group, the solubility is improved. There is a tendency.

上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定される、標準ポリスチレンによる換算値である。重量平均分子量を決定するためのGPCは、例えば以下の条件で測定される。
ポンプ:L−7100型((株)日立製作所製)
検出器:UV L−4000型UV((株)日立製作所製)
RI L−7490型((株)日立製作所製)
カラム:Gelpack GL−S300MDT−5(計2本)(日立化成工業(株)製、商品名)
カラムサイズ:8mmφ×300mm
溶離液:DMF/THF=1/1 + リン酸0.06M + 臭化リチウム0.06M
試料濃度:5mg/1mL
注入量:5μL
圧力:343Pa(35kgf/cm
流量:1.0mL/分
The said weight average molecular weight is the conversion value by a standard polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC). GPC for determining the weight average molecular weight is measured, for example, under the following conditions.
Pump: L-7100 type (manufactured by Hitachi, Ltd.)
Detector: UV L-4000 type UV (manufactured by Hitachi, Ltd.)
RI L-7490 (manufactured by Hitachi, Ltd.)
Column: Gelpack GL-S300MDT-5 (two in total) (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
Column size: 8mmφ × 300mm
Eluent: DMF / THF = 1/1 + 0.06M phosphoric acid + 0.06M lithium bromide
Sample concentration: 5 mg / 1 mL
Injection volume: 5 μL
Pressure: 343 Pa (35 kgf / cm 2 )
Flow rate: 1.0 mL / min

無水マレイン酸系共重合体の酸価は、希アルカリ水溶液による現像性、並びに、得られる硬化膜(ソルダーレジスト)の電気絶縁性の観点から、100〜350mgKOH/gであることが好ましい。   The acid value of the maleic anhydride-based copolymer is preferably 100 to 350 mgKOH / g from the viewpoints of developability with a dilute aqueous alkali solution and electrical insulation of the resulting cured film (solder resist).

無水マレイン酸系共重合体の酸価は、以下の方法により測定することができる。まず無水マレイン酸系共重合体溶液約1gを精秤し、その溶液にN−メチルピロリドンを30g添加する。次いで、指示薬であるフェノールフタレインをその溶液に適量添加して、0.1NのKOH水溶液を用いて滴定を行う。滴定結果から以下の式:   The acid value of the maleic anhydride copolymer can be measured by the following method. First, about 1 g of a maleic anhydride copolymer solution is precisely weighed, and 30 g of N-methylpyrrolidone is added to the solution. Next, an appropriate amount of phenolphthalein as an indicator is added to the solution, and titration is performed using a 0.1N aqueous KOH solution. From the titration result the following formula:

A=10×Vf×56.1/(Wp×I)
を用いて酸価を算出する。式中Aは酸価(mgKOH/g)を示し、Vfはフェノールフタレインの滴定量(mL)を示し、Wpは無水マレイン酸系共重合体溶液質量(g)を示し、Iは無水マレイン酸系共重合体溶液中の不揮発分の割合(質量%)を示す。
A = 10 × Vf × 56.1 / (Wp × I)
Is used to calculate the acid value. In the formula, A represents the acid value (mgKOH / g), Vf represents the titration amount (mL) of phenolphthalein, Wp represents the maleic anhydride copolymer solution mass (g), and I represents maleic anhydride. The ratio (mass%) of the non volatile matter in a system copolymer solution is shown.

マレイン酸系共重合体は、例えば、無水マレイン酸とイソブチレン、スチレン又はメチルビニルエーテルとの共重合体中の酸無水物基を部分的にイミド化するステップと、共重合体中に残った酸無水物基に対してアミン化合物、アルコール、エポキシ化合物又は水を反応させるステップとを含む方法で得ることができる。酸無水物基のイミド化は、例えば、アンモニア又はアミン化合物との反応によりアミド酸化し、これを熱的又は化学的に閉環してイミド化する方法で行われる。あるいは、無水マレイン酸とマレイミドとイソブチレン、スチレン又はメチルビニルエーテルとを共重合するステップと、生成した共重合体中の酸無水物基に対してアミン化合物、アルコール、エポキシ化合物又は水を反応させるステップとを含む方法でマレイン酸系共重合体を得ることもできる。   The maleic acid-based copolymer includes, for example, a step of partially imidating an acid anhydride group in a copolymer of maleic anhydride and isobutylene, styrene, or methyl vinyl ether, and an acid anhydride remaining in the copolymer. And reacting an amine compound, an alcohol, an epoxy compound or water with a physical group. The imidization of the acid anhydride group is carried out, for example, by a method in which amide oxidation is performed by reaction with ammonia or an amine compound, and this is thermally or chemically closed to imidize. Alternatively, a step of copolymerizing maleic anhydride, maleimide, and isobutylene, styrene, or methyl vinyl ether, and a step of reacting an acid anhydride group in the produced copolymer with an amine compound, an alcohol, an epoxy compound, or water. A maleic acid copolymer can also be obtained by a method comprising

酸無水物基とアミン化合物との反応により式(1)中のZが−NH−Rであるアミド酸が生成する。酸無水物基とアルコール又はエポキシ化合物との反応により式(1)中のZが−O−Rであるハーフエステルが生成する。酸無水物基と水との反応により式(1)中のZが−OHであるジカルボン酸が生成する。酸無水物基と反応させるアルコールとしては、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート及びエチレングリコールモノメチルエーテルが挙げられる。酸無水物基と反応させるエポキシ化合物としてはグリシジルメタクリレートが挙げられる。 Reaction of an acid anhydride group with an amine compound produces an amic acid in which Z in Formula (1) is —NH—R 5 . A half ester in which Z in formula (1) is —O—R 6 is produced by the reaction of an acid anhydride group with an alcohol or an epoxy compound. The reaction of the acid anhydride group with water produces a dicarboxylic acid in which Z in Formula (1) is —OH. Examples of the alcohol to be reacted with the acid anhydride group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and ethylene glycol monomethyl ether. Examples of the epoxy compound to be reacted with the acid anhydride group include glycidyl methacrylate.

無水マレイン酸系共重合体の合成の際、通常、適当量の溶媒が用いられる。具体的には、例えば、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン及びメチルシクロヘキサノン等のケトン化合物、トルエン、キシレン及びテトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素化合物、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル及びトリエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル化合物、該グリコールエーテル化合物の酢酸エステル化合物等のエステル化合物、エチレングリコール及びプロピレングリコール等のアルコール化合物、石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ及びソルベントナフサ等の石油系溶剤、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、並びにγ−ブチロラクトンが挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。   In synthesizing the maleic anhydride copolymer, an appropriate amount of solvent is usually used. Specifically, for example, ketone compounds such as methyl isobutyl ketone, cyclohexanone and methylcyclohexanone, aromatic hydrocarbon compounds such as toluene, xylene and tetramethylbenzene, cellosolve, methyl cellosolve, butyl cellosolve, carbitol, methylcarbitol, butyl Carbitol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, glycol ether compounds such as dipropylene glycol diethyl ether and triethylene glycol monoethyl ether, ester compounds such as acetate compounds of the glycol ether compounds, ethylene glycol and propylene glycol Petroleum such as alcohol compounds such as petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha and solvent naphtha Solvent, dimethylformamide, N- methylpyrrolidone, and γ- butyrolactone. These are used singly or in combination of two or more.

(B)成分である分子内にエチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物は、最も典型的には(メタ)アクリレート基を有する。なお、(A)成分がエチレン性不飽和結合を有する場合、(A)成分とは異なる光重合性化合物が(B)成分として用いられる。光重合性化合物としては、ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物、多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、ウレタン結合及び(メタ)アクリレート基を有するウレタンモノマー又はウレタンオリゴマー、並びに、(メタ)アクリル酸等のα,β−不飽和カルボン酸が挙げられる。これら以外にも、ノニルフェノキシポリオキシエチレンアクリレート、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β’−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート及びβ−ヒドロキシアルキル−β’−(メタ)アクリロイルオキシアルキル−o−フタレート等のフタル酸系化合物、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、並びにEO変性ノニルフェニル(メタ)アクリレートが例示可能である。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。   The photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond in the molecule as the component (B) most typically has a (meth) acrylate group. In addition, when (A) component has an ethylenically unsaturated bond, the photopolymerizable compound different from (A) component is used as (B) component. Photopolymerizable compounds include bisphenol A-based (meth) acrylate compounds, compounds obtained by reacting polyhydric alcohols with α, β-unsaturated carboxylic acids, and glycidyl group-containing compounds with α, β-unsaturated carboxylic acids. Examples include compounds obtained by reaction, urethane monomers or urethane oligomers having a urethane bond and a (meth) acrylate group, and α, β-unsaturated carboxylic acids such as (meth) acrylic acid. Besides these, nonylphenoxy polyoxyethylene acrylate, γ-chloro-β-hydroxypropyl-β ′-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate and β-hydroxyalkyl-β ′-(meth) acryloyloxyalkyl- Illustrative are phthalic acid compounds such as o-phthalate, (meth) acrylic acid alkyl esters, and EO-modified nonylphenyl (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.

ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物の具体例としては、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリブトキシ)フェニル)プロパン及び2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシポリプロポキシ)フェニル)プロパンが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Specific examples of bisphenol A-based (meth) acrylate compounds include 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypoly). Propoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolybutoxy) phenyl) propane and 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane Can be mentioned. These can be used alone or in combination of two or more.

2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパンとしては、例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシジエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘプタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシオクタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシノナエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシウンデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシドデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタデカエトキシ)フェニル)プロパン及び2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサデカエトキシ)フェニル)プロパンが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane include 2,2-bis (4-((meth) acryloxydiethoxy) phenyl) propane, 2,2- Bis (4-((meth) acryloxytriethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetraethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth)) Acryloxypentaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyheptaethoxy) phenyl) propane 2,2-bis (4-((meth) acryloxyoctaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxy nonaethoxy) ) Phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxydecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyundecaethoxy) phenyl) propane, 2, 2-bis (4-((meth) acryloxydodecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytridecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4- ( (Meth) acryloxytetradecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane and 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexa) Decaethoxy) phenyl) propane. These can be used alone or in combination of two or more.

これらのうち、2,2−ビス(4−(メタクリロキシペンタエトキシ)フェニル)プロパンは、BPE−500(製品名、新中村化学工業株式会社製)として商業的に入手可能であり、2,2−ビス(4−(メタクリロキシペンタデカエトキシ)フェニル)プロパンは、BPE−1300(商品名、新中村化学工業株式会社製)として商業的に入手可能である。   Of these, 2,2-bis (4- (methacryloxypentaethoxy) phenyl) propane is commercially available as BPE-500 (product name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.). -Bis (4- (methacryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane is commercially available as BPE-1300 (trade name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.).

2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリプロポキシ)フェニル)プロパンとしては、例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシジプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘプタプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシオクタプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシノナプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシウンデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシドデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタデカプロポキシ)フェニル)プロパン及び2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサデカプロポキシ)フェニル)プロパンが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。   Examples of 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolypropoxy) phenyl) propane include 2,2-bis (4-((meth) acryloxydipropoxy) phenyl) propane, 2,2- Bis (4-((meth) acryloxytripropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetrapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth)) Acryloxypentapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyheptapropoxy) phenyl) propane 2,2-bis (4-((meth) acryloxyoctapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acrylic) Xinonapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxydecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyundecapropoxy) phenyl) propane 2,2-bis (4-((meth) acryloxydodecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytridecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis ( 4-((meth) acryloxytetradecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypentadecapropoxy) phenyl) propane and 2,2-bis (4-((meth)) Acryloxyhexadecapropoxy) phenyl) propane. These may be used alone or in combination of two or more.

2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシポリプロポキシ)フェニル)プロパンとしては、例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシジエトキシオクタプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラエトキシテトラプロポキシ)フェニル)プロパン及び2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサエトキシヘキサプロポキシ)フェニル)プロパンが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane include 2,2-bis (4-((meth) acryloxydiethoxyoctapropoxy) phenyl) propane, Examples include 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetraethoxytetrapropoxy) phenyl) propane and 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexaethoxyhexapropoxy) phenyl) propane. These can be used alone or in combination of two or more.

多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物としては、例えば、エチレン基の数が2〜14であるポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレン基の数が2〜14であるポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレン基の数が2〜14でありプロピレン基の数が2〜14であるポリエチレン・ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、EO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、PO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、EO・PO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート及びジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。   Examples of the compound obtained by reacting a polyhydric alcohol with an α, β-unsaturated carboxylic acid include, for example, polyethylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups. Polypropylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups, trimethylolpropane di (meth) acrylate, tri Methylolpropane tri (meth) acrylate, EO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, PO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO / PO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetri (meth) A Examples include acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.

なお、「EO」は「エチレンオキシド」を意味し、「PO」は「プロピレンオキシド」を意味する。また、「EO変性」はエチレンオキシドユニット(−CH−CH−O−)のブロック構造が含まれることを意味し、「PO変性」はプロピレンオキシドユニット(−CH−CH(CH)−O−)のブロック構造が含まれることを意味する。 “EO” means “ethylene oxide” and “PO” means “propylene oxide”. In addition, “EO modification” means that a block structure of an ethylene oxide unit (—CH 2 —CH 2 —O—) is included, and “PO modification” means a propylene oxide unit (—CH 2 —CH (CH 3 ) — It means that a block structure of O-) is included.

グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ(メタ)アクリレート、2,2−ビス(4−(メタ)アクリロキシ−2−ヒドロキシ−プロピルオキシ)フェニル等が拳げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the compound obtained by reacting a glycidyl group-containing compound with an α, β-unsaturated carboxylic acid include trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate, 2,2-bis (4- (meth) acryloxy- 2-hydroxy-propyloxy) phenyl and the like are fisted. These can be used alone or in combination of two or more.

ウレタンモノマーとしては、例えば、β位にOH基を有する(メタ)アクリルモノマーとイソホロンジイソシアネート、2,6−トルエンジイソシアネート、2,4−トルエンジイソシアネート及び1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート等のジイソシアネート化合物との付加反応物、トリス((メタ)アクリロキシテトラエチレングリコールイソシアネート)ヘキサメチレンイソシアヌレート、EO変性ウレタンジ(メタ)アクリレート、EO又はPO変性ウレタンジ(メタ)アクリレートが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of urethane monomers include (meth) acrylic monomers having an OH group at the β-position and diisocyanate compounds such as isophorone diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2,4-toluene diisocyanate, and 1,6-hexamethylene diisocyanate. Examples include addition reaction products, tris ((meth) acryloxytetraethylene glycol isocyanate) hexamethylene isocyanurate, EO-modified urethane di (meth) acrylate, EO or PO-modified urethane di (meth) acrylate. These can be used alone or in combination of two or more.

(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチルエステル、(メタ)アクリル酸エチルエステル、(メタ)アクリル酸ブチルエステル、(メタ)アクリル酸−2−エチルヘキシルエステルが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include (meth) acrylic acid methyl ester, (meth) acrylic acid ethyl ester, (meth) acrylic acid butyl ester, and (meth) acrylic acid-2-ethylhexyl ester. These can be used alone or in combination of two or more.

(C)成分の光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、N,N’−テトラアルキル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン及び2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノ−プロパノン−1等の芳香族ケトン、アルキルアントラキノン等のキノン類、ベンゾインアルキルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン及びアルキルベンゾイン等のベンゾイン化合物、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体、N−フェニルグリシン、N−フェニルグリシン誘導体、並びにクマリン系化合物が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the (C) component photopolymerization initiator include benzophenone, N, N′-tetraalkyl-4,4′-diaminobenzophenone, and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl)-. Aromatic ketones such as butanone-1,2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propanone-1, quinones such as alkylanthraquinones, benzoin ether compounds such as benzoin alkyl ether, benzoin and Benzoin compounds such as alkylbenzoin, benzyl derivatives such as benzyldimethyl ketal, 2,4,5-triarylimidazole dimer, 9-phenylacridine, acridine such as 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane Derivatives, N-phenylglycine, N-phenylglycine derivatives Body, and coumarin compounds. These can be used singly or in combination of two or more.

感光性樹脂組成物は、(D)120〜200℃の加熱により硬化する熱硬化性化合物を含有していてもよい。この熱硬化性化合物は、加熱により反応して架橋構造を形成する架橋性官能基を複数有する。はんだ耐熱性、耐無電解Ni/Auめっき性、耐電食性及び耐熱衝撃性の観点からは、熱硬化性化合物は、ブロック化イソシアネート化合物、エポキシ化合物、ビスマレイミド化合物、オキセタン化合物及びメラミン化合物からなる群より選ばれる1種以上であることが好ましい。貯蔵安定性の観点からは、熱硬化性化合物は、ブロック化イソシアネート化合物、ビスマレイミド化合物及びオキセタン化合物からなる群より選ばれる1種以上であることが好ましい。特に、(メタ)アクリレート基及びブロック化イソシアネート基を有する化合物が好ましい。   The photosensitive resin composition may contain the thermosetting compound which hardens | cures by (D) 120-200 degreeC heating. This thermosetting compound has a plurality of crosslinkable functional groups that react by heating to form a crosslinked structure. From the viewpoint of solder heat resistance, electroless Ni / Au plating resistance, electric corrosion resistance and thermal shock resistance, the thermosetting compound is a group consisting of a blocked isocyanate compound, an epoxy compound, a bismaleimide compound, an oxetane compound and a melamine compound. It is preferable that it is 1 or more types selected from more. From the viewpoint of storage stability, the thermosetting compound is preferably at least one selected from the group consisting of a blocked isocyanate compound, a bismaleimide compound and an oxetane compound. In particular, a compound having a (meth) acrylate group and a blocked isocyanate group is preferable.

ブロック化イソシアネート化合物に含まれるブロック化イソシアネート基は、イソシアネート基がブロック剤との反応により保護されて一時的に不活性化された基である。所定温度に加熱されたときにそのブロック剤が解離してイソシアネート基が生成する。   The blocked isocyanate group contained in the blocked isocyanate compound is a group in which the isocyanate group is protected by reaction with a blocking agent and temporarily deactivated. When heated to a predetermined temperature, the blocking agent is dissociated to produce isocyanate groups.

ブロック剤と反応させるイソシアネート化合物としては、芳香族ポリイソシアネート、脂肪族ポリイソシアネート又は脂環式ポリイソシアネートが用いられる。芳香族ポリイソシアネートの具体例としては、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、ナフタレン−1,5−ジイソシアネート、o−キシリレンジイソシアネート、m−キシリレンジイソシアネート及び2,4−トリレンダイマーが挙げられる。脂肪族ポリイソシアネートの具体例としては、ヘキサメチレンジイソシアネート、4,4−メチレンビス(シクロヘキシルイソシアネート)及びイソホロンジイソシアネートが挙げられる。脂環式ポリイソシアネートの具体例としてはビシクロヘプタントリイソシアネートが挙げられる。   As the isocyanate compound to be reacted with the blocking agent, aromatic polyisocyanate, aliphatic polyisocyanate, or alicyclic polyisocyanate is used. Specific examples of the aromatic polyisocyanate include 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, naphthalene-1,5-diisocyanate, o-xylylene diisocyanate, m- Examples include xylylene diisocyanate and 2,4-tolylene dimer. Specific examples of the aliphatic polyisocyanate include hexamethylene diisocyanate, 4,4-methylenebis (cyclohexyl isocyanate) and isophorone diisocyanate. Specific examples of the alicyclic polyisocyanate include bicycloheptane triisocyanate.

ブロック剤は活性水素を有していることが好ましい。ブロック剤としては、活性メチレン化合物、ジケトン化合物、オキシム化合物、フェノール化合物、アルカノール化合物及びカプロラクタム化合物が挙げられる。具体的には、メチルエチルケトンオキシム、ε−カプロラクタム等をブロック剤として用いることができる。   The blocking agent preferably has active hydrogen. Examples of the blocking agent include active methylene compounds, diketone compounds, oxime compounds, phenol compounds, alkanol compounds, and caprolactam compounds. Specifically, methyl ethyl ketone oxime, ε-caprolactam or the like can be used as a blocking agent.

ブロック化イソシアネート化合物は市販品として入手可能である。例えば、スミジュールBL−3175、BL−4165、BL−1100、BL−1265、デスモジュールTPLS−2957、TPLS−2062、TPLS−2957、TPLS−2078、TPLS−2117、デスモサーム2170、デスモサーム2265(以上、住友バイエルウレタン(株)製、商品名)、コロネート2512、コロネート2513、コロネート2520(以上、日本ポリウレタン工業(株)製、商品名)が挙げられる。   The blocked isocyanate compound is available as a commercial product. For example, Sumidur BL-3175, BL-4165, BL-1100, BL-1265, Death Module TPLS-2957, TPLS-2062, TPLS-2957, TPLS-2078, TPLS-2117, Desmotherm 2170, Desmotherm 2265 (above, Sumitomo Bayer Urethane Co., Ltd., trade name), Coronate 2512, Coronate 2513, Coronate 2520 (above, Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., trade name).

(メタ)アクリレート基及びブロック化イソシアネート基を有するブロック化イソシアネート化合物としては、メタクリル酸−2−[0−(1’−メチルプロピリデンアミノ)カルボキシアミノ]エチル、アクリル酸−2−[0−(1’−メチルプロピリデンアミノ)カルボキシアミノ]エチル等が挙げられる。例えば、カレンズMOI−BM(昭和電工(株)製、商品名)が市販品として入手可能である。   Examples of the blocked isocyanate compound having a (meth) acrylate group and a blocked isocyanate group include methacrylic acid-2- [0- (1′-methylpropylideneamino) carboxyamino] ethyl, acrylic acid-2- [0- ( 1'-methylpropylideneamino) carboxyamino] ethyl and the like. For example, Karenz MOI-BM (manufactured by Showa Denko KK, trade name) is available as a commercial product.

ビスマレイミド化合物は分子中にマレイミド基を2個以上有する化合物である。ビスマレイミド化合物の具体例としては、1−メチル−2,4−ビスマレイミドベンゼン、N,N’−m−フェニレンビスマレイミド、N,N’−p−フェニレンビスマレイミド、N,N’−m−トルイレンビスマレイミド、N,N’−4,4’−ビフェニレンビスマレイミド、N,N’−4,4’−[3,3’−ジメチル−ビフェニレン]ビスマレイミド、N,N’−4,4’−[3,3’−ジメチルジフェニルメタン]ビスマレイミド、N,N’−4,4’−[3,3’−ジエチルジフェニルメタン]ビスマレイミド、N,N’−4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、N,N’−4,4’−ジフェニルプロパンビスマレイミド、N,N’−4,4’−ジフェニルエーテルビスマレイミド、N,N’−3,3’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、N,N’−4,4’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、2,2−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−t−ブチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−s−ブチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、1,1−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]デカン、1,1−ビス[2−メチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)−5−t−ブチルフェニル]−2−メチルプロパン、4,4’−シクロヘキシリデン−ビス[1−(4−マレイミドフェノキシ)−2−(1,1−ジメチルエチル)ベンゼン]、4,4’−メチレン−ビス[1−(4−マレイミドフェノキシ)−2,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)ベンゼン]、4,4’−メチレン−ビス[1−(4−マレイミドフェノキシ)−2,6−ジ−s−ブチルベンゼン]、4,4’−シクロヘキシリデン−ビス[1−(4−マレイミドフェノキシ)−2−シクロヘキシルベンゼン、4,4’−メチレンビス[1−(マレイミドフェノキシ)−2−ノニルベンゼン]、4,4’−(1−メチルエチリデン)−ビス[1−(マレイミドフェノキシ)−2,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)ベンゼン]、4,4’−(2−エチルヘキシリデン)−ビス[1−(マレイミドフェノキシ)−ベンゼン]、4,4’−(1−メチルヘプチリデン)−ビス[1−(マレイミドフェノキシ)−ベンゼン]、4,4’−シクロヘキシリデン−ビス[1−(マレイミドフェノキシ)−3−メチルベンゼン]、2,2−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3−メチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−メチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3,5−ジメチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3,5−ジメチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3−エチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−エチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、ビス[3−メチル−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3,5−ジメチル−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3−エチル−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]メタン、3,8−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、4,8−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、3,9−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、4,9−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、1,8−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]メンタン、1,8−ビス[3−メチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]メンタン及び1,8−ビス[3,5−ジメチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]メンタンが挙げられる。これらのビスマレイミド化合物は常法により合成することもできるし、市販品を入手することもできる。   A bismaleimide compound is a compound having two or more maleimide groups in the molecule. Specific examples of the bismaleimide compound include 1-methyl-2,4-bismaleimide benzene, N, N′-m-phenylene bismaleimide, N, N′-p-phenylene bismaleimide, N, N′-m- Toluylene bismaleimide, N, N′-4,4′-biphenylenebismaleimide, N, N′-4,4 ′-[3,3′-dimethyl-biphenylene] bismaleimide, N, N′-4,4 '-[3,3'-dimethyldiphenylmethane] bismaleimide, N, N'-4,4'-[3,3'-diethyldiphenylmethane] bismaleimide, N, N'-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, N, N′-4,4′-diphenylpropane bismaleimide, N, N′-4,4′-diphenyl ether bismaleimide, N, N′-3,3′-diphenylsulfone Bismaleimide, N, N′-4,4′-diphenylsulfone bismaleimide, 2,2-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-tert-butyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-s-butyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 1,1-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] Decane, 1,1-bis [2-methyl-4- (4-maleimidophenoxy) -5-tert-butylphenyl] -2-methylpropane, 4,4′-cyclohexylidene-bis [1- (4- Maleimidophenoxy) -2- (1,1-dimethylethyl) benzene], 4,4′-methylene-bis [1- (4-maleimidophenoxy) -2,6-bis (1,1- Methylethyl) benzene], 4,4′-methylene-bis [1- (4-maleimidophenoxy) -2,6-di-s-butylbenzene], 4,4′-cyclohexylidene-bis [1- ( 4-maleimidophenoxy) -2-cyclohexylbenzene, 4,4′-methylenebis [1- (maleimidophenoxy) -2-nonylbenzene], 4,4 ′-(1-methylethylidene) -bis [1- (maleimidophenoxy) ) -2,6-bis (1,1-dimethylethyl) benzene], 4,4 ′-(2-ethylhexylidene) -bis [1- (maleimidophenoxy) -benzene], 4,4 ′-( 1-methylheptylidene) -bis [1- (maleimidophenoxy) -benzene], 4,4′-cyclohexylidene-bis [1- (maleimidophenoxy) -3-methylbenzene , 2,2-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [3-methyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-Methyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [3,5-dimethyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3 , 5-Dimethyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [3-ethyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-ethyl -4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, bis [3-methyl- (4-maleimidophenoxy) phenyl Methane, bis [3,5-dimethyl- (4-maleimidophenoxy) phenyl] methane, bis [3-ethyl- (4-maleimidophenoxy) phenyl] methane, 3,8-bis [4- (4-maleimidophenoxy) Phenyl] -tricyclo [5.2.1.02,6] decane, 4,8-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] -tricyclo [5.2.1.02,6] decane, 3, 9-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] -tricyclo [5.2.1.02,6] decane, 4,9-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] -tricyclo [5. 2.1.02,6] decane, 1,8-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] menthane, 1,8-bis [3-methyl-4- (4-maleimidophenoxy) Phenyl] menthane and 1,8-bis [3,5-dimethyl-4- (4-maleimide phenoxy) phenyl] menthane and the like. These bismaleimide compounds can be synthesized by conventional methods, or commercially available products can be obtained.

これらのビスマレイミド化合物の中で、有害物質の生成を一層抑制する観点からは、分子内にハロゲン原子を有しないものが好ましい。   Among these bismaleimide compounds, those having no halogen atom in the molecule are preferable from the viewpoint of further suppressing the generation of harmful substances.

メラミン化合物としてはアルコキシメチル化メラミンが好ましい。アルコキシメチル化メラミンは、メラミンのアミノ基の水素原子の一部又は全部がアルコキシメチル基(好ましくはC1−10アルコキシメチル基、より好ましくはC1−4アルコキシメチル基)で置換された構造を有する。このアルコキシメチル化の程度は特に限定されないが、好ましくは30%以上、より好ましくは70%以上の水素原子がアルコキシメチル基で置換される。この場合、炭素数が異なるアルコキシメチル基によって水素原子が置換されていてもよい。、アルコキシメチル化メラミンは、通常メラミンとアルデヒドとを酸性条件下で反応させて得られるが、モノマーと同時に重合度が2〜5の低重合体も得られる。本実施形態にあっては、アルコキシメチル化メラミンのモノマー比率が60%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましい。 As the melamine compound, alkoxymethylated melamine is preferable. The alkoxymethylated melamine has a structure in which part or all of the hydrogen atoms of the amino group of melamine are substituted with an alkoxymethyl group (preferably a C 1-10 alkoxymethyl group, more preferably a C 1-4 alkoxymethyl group). Have. The degree of alkoxymethylation is not particularly limited, but preferably 30% or more, more preferably 70% or more of hydrogen atoms are substituted with alkoxymethyl groups. In this case, the hydrogen atom may be substituted by an alkoxymethyl group having a different carbon number. Alkoxymethylated melamine is usually obtained by reacting melamine and aldehyde under acidic conditions, but a low polymer having a polymerization degree of 2 to 5 can be obtained simultaneously with the monomer. In this embodiment, the monomer ratio of alkoxymethylated melamine is preferably 60% or more, and more preferably 80% or more.

アルコキシメチル化メラミンの具体例としては、メトキシメチル化メラミン、エトキシメチル化メラミン、プロポキシメチル化メラミン及びブトキシメチル化メラミンが挙げられる。   Specific examples of the alkoxymethylated melamine include methoxymethylated melamine, ethoxymethylated melamine, propoxymethylated melamine and butoxymethylated melamine.

市販されているアルコキシメチル化メラミンを利用することも可能である。例えばサイメル(登録商標)300(三井サイアナミッド社製、メトキシメチル化メラミン、モノマー比率85%)、303(三井サイアナミッド社製、メトキシメチル化メラミン、モノマー比率60%)、ニカラックMW−30HM(三和ケミカル社製、メトキシメチル化メラミン、モノマー比率95%)及びニカラックMW−40(三和ケミカル社製、メトキシおよびブトキシ混合メチル化メラミン)が挙げられる。   Commercially available alkoxymethylated melamine can also be used. For example, Cymel (registered trademark) 300 (manufactured by Mitsui Cyanamid, methoxymethylated melamine, monomer ratio 85%), 303 (manufactured by Mitsui Cyanamid, methoxymethylated melamine, monomer ratio 60%), Nicalak MW-30HM (Sanwa Chemical) And Mikaru MW-40 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd., methoxy and butoxy mixed methylated melamine).

これらのメラミンを単独でまたは複数組み合わせて用いることができる。   These melamines can be used alone or in combination.

(A)成分の含有割合は、感光性樹脂組成物からなる感光層を備える感光性フィルムの端面からのしみ出しを防止する観点、並びに、より優れたはんだ耐熱性及び光感度を得る観点から、(A)成分及び(B)成分の合計量100質量部に対して、30〜70質量部であることが好ましく、45〜55質量部であることがより好ましい。   The content ratio of the component (A) is from the viewpoint of preventing exudation from the end face of a photosensitive film provided with a photosensitive layer made of a photosensitive resin composition, and from the viewpoint of obtaining better solder heat resistance and photosensitivity. It is preferable that it is 30-70 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, and it is more preferable that it is 45-55 mass parts.

(B)成分の含有割合は、(A)成分及び(B)成分の合計量100質量部に対して、10〜70質量部であることが好ましく、35〜55質量部であることがより好ましい。この含有割合が10質量部未満では光感度が低下する傾向があり、70質量部を超えると硬化後に形成される硬化体が脆くなる傾向がある。   The content ratio of the component (B) is preferably 10 to 70 parts by mass and more preferably 35 to 55 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B). . If this content is less than 10 parts by mass, the photosensitivity tends to decrease, and if it exceeds 70 parts by mass, the cured product formed after curing tends to become brittle.

(C)成分の含有割合は、より優れた光感度及びはんだ耐熱性を得る観点から、(A)成分及び(B)成分の合計量100質量部に対して、0.1〜20質量部であることが好ましく、0.2〜10質量部であることがより好ましい。   The content ratio of the component (C) is 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B) from the viewpoint of obtaining more excellent photosensitivity and solder heat resistance. It is preferable that it is 0.2 to 10 parts by mass.

(D)成分の含有割合は、光感度、解像度等の感光特性を向上させる観点、耐熱衝撃性、耐電食性、貯蔵安定性を更に高める観点から、(A)成分及び(B)成分の合計量100質量部に対して、5〜40質量部であることが好ましく、10〜30質量部であることがより好ましい。   The content ratio of the component (D) is the total amount of the component (A) and the component (B) from the viewpoint of improving the photosensitivity such as photosensitivity and resolution, and from the viewpoint of further improving the thermal shock resistance, electric corrosion resistance, and storage stability. It is preferable that it is 5-40 mass parts with respect to 100 mass parts, and it is more preferable that it is 10-30 mass parts.

感光性樹脂組成物を液状の状態で使用する場合、感光性樹脂組成物は(E)成分として希釈剤を更に含有することが好ましい。この場合、(E)成分の含有割合は、感光性樹脂組成物の全量に対して5〜40質量%であることが好ましい。また、感光性樹脂組成物をフィルム状に成形した感光層を有する感光性フィルムの場合も、感光層を形成するために用いられた希釈剤が感光性樹脂組成物中に含まれることがある。この場合、希釈剤の含有割合は、通常、感光層の全量に対して3質量%以下である。   When using the photosensitive resin composition in a liquid state, the photosensitive resin composition preferably further contains a diluent as the component (E). In this case, it is preferable that the content rate of (E) component is 5-40 mass% with respect to the whole quantity of the photosensitive resin composition. Moreover, also in the case of the photosensitive film which has the photosensitive layer which shape | molded the photosensitive resin composition in the film form, the diluent used in order to form a photosensitive layer may be contained in the photosensitive resin composition. In this case, the content ratio of the diluent is usually 3% by mass or less with respect to the total amount of the photosensitive layer.

希釈剤は、他の成分を溶解又は分散可能な溶剤であれば特に限定されない。希釈剤としては、例えば、脂肪族アルコール、環式炭化水素、ケトン、ケトアルコール、アルキレングリコール、アルキレングリコールアルキルエーテル、それらのアセテート化合物及びカルボン酸エステルが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   The diluent is not particularly limited as long as it is a solvent capable of dissolving or dispersing other components. Examples of the diluent include aliphatic alcohols, cyclic hydrocarbons, ketones, keto alcohols, alkylene glycols, alkylene glycol alkyl ethers, acetate compounds and carboxylic acid esters thereof. These can be used alone or in combination of two or more.

脂肪族アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n−ブタノール、n−ペンタノール及びn−ヘキサノールが挙げられる。環式炭化水素としては、例えば、ベンジルアルコール、シクロヘキサン及びトルエンが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the aliphatic alcohol include methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, n-pentanol, and n-hexanol. Examples of the cyclic hydrocarbon include benzyl alcohol, cyclohexane, and toluene. These can be used alone or in combination of two or more.

ケトンとしては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルペンチルケトン、メチルヘキシルケトン、エチルブチルケトン、ジブチルケトン、シクロペンタノン及びシクロヘキサノンが挙げられる。ケトアルコールとしては、例えば、ジアセトンアルコール、3−ヒドロキシ−2−ブタノン、4−ヒドロキシ−2−ペンタノン及び6−ヒドロキシ−2−ヘキサノンが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the ketone include acetone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl pentyl ketone, methyl hexyl ketone, ethyl butyl ketone, dibutyl ketone, cyclopentanone and cyclohexanone. Examples of keto alcohols include diacetone alcohol, 3-hydroxy-2-butanone, 4-hydroxy-2-pentanone, and 6-hydroxy-2-hexanone. These can be used alone or in combination of two or more.

アルキレングリコールとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール及びプロピレングリコールが挙げられる。アルキレングリコールアルキルエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエーテル及びジプロピレングリコールアルキルエーテルが挙げられ、より具体的には、例えば、3−メトキシ−1−ブタノール、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ及びブチルセロソルブが挙げられる。アルキレングリコール又はアルキレングリコールアルキルエーテルのアセテート化合物としては、上述のアルキレングリコール又はアルキレングリコールアルキルエーテルのアセテート化合物であればよく、例えば、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールジアセテート、メチルセロソルブアセテート及びエチルセロソルブアセテートが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the alkylene glycol include ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, and propylene glycol. Examples of the alkylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol dialkyl ether, triethylene glycol alkyl ether, propylene glycol alkyl ether and dipropylene glycol alkyl ether. More specifically, for example, 3-methoxy- Examples include 1-butanol, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, and butyl cellosolve. The acetate compound of alkylene glycol or alkylene glycol alkyl ether may be any of the above-mentioned alkylene glycol or alkylene glycol alkyl ether acetate compounds, such as ethylene glycol monoacetate, ethylene glycol diacetate, propylene glycol monoacetate, propylene glycol diacetate. Examples include acetate, methyl cellosolve acetate, and ethyl cellosolve acetate. These can be used alone or in combination of two or more.

カルボン酸エステルとしては、例えば、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル及び酪酸エチルが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the carboxylic acid ester include ethyl formate, propyl formate, butyl formate, amyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, methyl butyrate and ethyl butyrate. These can be used alone or in combination of two or more.

希釈剤としては、上述のものの他、例えば、γ−ブチロラクトン、フェニルセロソルブ、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、テトラヒドロフラン、乳酸メチル、乳酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル又は炭酸プロピレンを用いてもよい。   As the diluent, for example, γ-butyrolactone, phenyl cellosolve, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, dioxane, tetrahydrofuran, methyl lactate, ethyl lactate, methyl benzoate, ethyl benzoate, or propylene carbonate may be used. .

感光性樹脂組成物は、必要に応じて他の成分を更に含有していてもよい。例えば、マラカイトグリーン等の染料、トリブロモフェニルスルホン及びロイコクリスタルバイオレット等の光発色剤、熱発色防止剤、p−トルエンスルホンアミド等の可塑剤、有機顔料若しくは無機顔料、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム及び硫酸バリウム等の充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、並びにイメージング剤が感光性樹脂組成物に添加され得る。有機顔料としてはフタロシアニングリーン及びフタロシアニンブルー等のフタロシアニン系顔料や、アゾ系顔料がある。無機顔料としては二酸化チタンがある。アクリル系共重合体、酸変性ビニル基含有エポキシ樹脂等の(A)成分以外のポリマーを(A)成分と併用してもよい。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。これら追加の成分の含有割合は、(A)成分及び(B)成分の合計量100質量部に対して各々0.01〜20質量部程度であることが好ましい。   The photosensitive resin composition may further contain other components as necessary. For example, dyes such as malachite green, photochromic agents such as tribromophenylsulfone and leucocrystal violet, thermochromic inhibitors, plasticizers such as p-toluenesulfonamide, organic pigments or inorganic pigments, silica, alumina, talc, carbonic acid Fillers such as calcium and barium sulfate, antifoaming agents, flame retardants, stabilizers, adhesion-imparting agents, leveling agents, peeling accelerators, antioxidants, fragrances, and imaging agents can be added to the photosensitive resin composition. . Organic pigments include phthalocyanine pigments such as phthalocyanine green and phthalocyanine blue, and azo pigments. Inorganic pigments include titanium dioxide. A polymer other than the component (A) such as an acrylic copolymer or an acid-modified vinyl group-containing epoxy resin may be used in combination with the component (A). These can be used alone or in combination of two or more. It is preferable that the content rate of these additional components is about 0.01-20 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, respectively.

本実施形態に係る感光性樹脂組成物を用いてレジストパターンを形成することにより、十分に高い耐熱衝撃性を備えたソルダーレジスト(永久レジスト層)が得られる。しかも、十分に優れた貯蔵安定性を示すドライフィルム(感光性フィルム)を形成できる。さらには、良好な現像性及び高い解像度といった優れた感光特性を有するものであり、べとつきの抑制された良好な塗膜を形成できる。   By forming a resist pattern using the photosensitive resin composition according to the present embodiment, a solder resist (permanent resist layer) having sufficiently high thermal shock resistance can be obtained. In addition, a dry film (photosensitive film) exhibiting sufficiently excellent storage stability can be formed. Furthermore, it has excellent photosensitive properties such as good developability and high resolution, and can form a good coating film with reduced stickiness.

本実施形態に係る感光性樹脂組成物により形成される硬化膜は、リジット配線板及びフレキシブル配線板等のプリント配線板、又はパッケージ基板のソルダーレジストや、層間絶縁膜、半導体の保護膜として特に有用なものである。本実施形態に係る感光性樹脂組成物によれば、これら用途に要求される各種特性や信頼性に関して高いレベルを達成可能である。更には、本実施形態に係る感光性樹脂組成物から形成されるソルダーレジストは、耐熱衝撃性に十分優れていることに加えて、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、耐電解Ni/Auめっき性、伸び率及び引張強度等の機械的特性、並びに耐電食性の点でも優れている。   The cured film formed by the photosensitive resin composition according to the present embodiment is particularly useful as a printed wiring board such as a rigid wiring board and a flexible wiring board, or as a solder resist for a package substrate, an interlayer insulating film, or a semiconductor protective film. It is a thing. According to the photosensitive resin composition according to the present embodiment, a high level can be achieved with respect to various properties and reliability required for these applications. Furthermore, the solder resist formed from the photosensitive resin composition according to the present embodiment is sufficiently excellent in thermal shock resistance, in addition to alkali resistance, solder heat resistance, electrolytic Ni / Au plating resistance, elongation. It is also excellent in terms of mechanical properties such as rate and tensile strength, and electric corrosion resistance.

図1は、感光性フィルムの一実施形態を示す端面図である。図1に示す感光性フィルム1は、支持体11と、支持体11上に設けられ感光性樹脂組成物からなる感光層12と、感光層12上に積層された保護フィルム13とを備える。   FIG. 1 is an end view showing an embodiment of a photosensitive film. A photosensitive film 1 shown in FIG. 1 includes a support 11, a photosensitive layer 12 provided on the support 11 and made of a photosensitive resin composition, and a protective film 13 laminated on the photosensitive layer 12.

支持体11としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムが好適に用いられる。   As the support 11, for example, a polymer film having heat resistance and solvent resistance, such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, and polyester, is preferably used.

支持体11の厚みは、5〜100μmであることが好ましく、10〜30μmであることがより好ましい。この厚みが5μm未満では現像前に支持体11を感光性フィルム1から剥離する際に支持体11が破れやすくなる傾向があり、また、100μmを超えると解像度及び可撓性が低下する傾向がある。   The thickness of the support 11 is preferably 5 to 100 μm, and more preferably 10 to 30 μm. If the thickness is less than 5 μm, the support 11 tends to be broken when the support 11 is peeled off from the photosensitive film 1 before development, and if it exceeds 100 μm, the resolution and flexibility tend to decrease. .

感光層12は、上述の実施形態に係る感光性樹脂組成物から構成される。感光層12は、例えば、上述の希釈剤によって希釈された感光性樹脂組成物を支持体に塗布するステップと、塗布された感光性樹脂組成物を乾燥するステップとを含む方法により支持体11上に形成される。支持体に塗布される感光性樹脂組成物は、全体の30〜70質量%の希釈剤を含むことが好ましい。これにより、(D)成分の熱硬化性化合物がエポキシ化合物等の難溶性のものである場合でも、(D)成分が微細な固形粒子の状態で良好に分散し、しかも(A)成分中のカルボキシル基と(D)成分との反応が更に抑制される傾向にあり、その結果、感光性フィルムの貯蔵安定性がより一層改善される。感光性樹脂組成物の乾燥は、例えば、加熱及び/又は熱風吹き付けにより行われる。   The photosensitive layer 12 is comprised from the photosensitive resin composition which concerns on the above-mentioned embodiment. The photosensitive layer 12 is formed on the support 11 by a method including, for example, a step of applying a photosensitive resin composition diluted with the above-described diluent to the support and a step of drying the applied photosensitive resin composition. Formed. The photosensitive resin composition applied to the support preferably contains 30 to 70% by mass of the diluent. As a result, even when the thermosetting compound of component (D) is a poorly soluble compound such as an epoxy compound, component (D) is well dispersed in the form of fine solid particles, and in component (A) The reaction between the carboxyl group and the component (D) tends to be further suppressed, and as a result, the storage stability of the photosensitive film is further improved. Drying of the photosensitive resin composition is performed by, for example, heating and / or hot air blowing.

感光層12の厚みは、用途により異なるが、乾燥後に10〜100μmであることが好ましく、20〜60μmであることがより好ましい。この厚みが10μm未満では工業的に塗工が困難な傾向があり、100μmを超えると本発明により奏される上述の効果が小さくなりやすい。特に、機械的特性等の物理特性及び解像度が低下する傾向にある。   Although the thickness of the photosensitive layer 12 changes with uses, it is preferable that it is 10-100 micrometers after drying, and it is more preferable that it is 20-60 micrometers. If this thickness is less than 10 μm, coating tends to be difficult industrially, and if it exceeds 100 μm, the above-described effects produced by the present invention tend to be small. In particular, physical properties such as mechanical properties and resolution tend to decrease.

保護フィルム13としては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、テフロン(登録商標)フィルム、表面処理した紙等が好適に用いられる。保護フィルム13は、感光層12との間の接着力が、感光層12と支持体11との接着力よりも小さいものであることが好ましい。   As the protective film 13, a polyethylene film, a polypropylene film, a Teflon (registered trademark) film, a surface-treated paper, or the like is preferably used. The protective film 13 preferably has an adhesive force between the photosensitive layer 12 and a smaller adhesive force than the photosensitive layer 12 and the support 11.

本発明に係る感光性フィルムは上記実施形態のような構成に限定されるものではない。例えば、保護フィルム13を用いることなく、感光性フィルムが感光層12及び支持体11のみから構成されていてもよい。   The photosensitive film which concerns on this invention is not limited to a structure like the said embodiment. For example, the photosensitive film may be composed of only the photosensitive layer 12 and the support 11 without using the protective film 13.

本実施形態に係る感光性フィルムは、長時間保存した後でも塗膜性、硬化膜の解像度及び耐熱衝撃性等の諸特性を十分良好に維持することができる十分な貯蔵安定性を示す。また、感光層表面のべとつきが少ないため、高解像度かつ高密度のプリント配線板の効率的な生産が可能となる。   The photosensitive film which concerns on this embodiment shows sufficient storage stability which can maintain various characteristics, such as a coating film property, the resolution of a cured film, and a thermal shock resistance, even after preserve | saving for a long time. Further, since the surface of the photosensitive layer is less sticky, it is possible to efficiently produce a high-resolution and high-density printed wiring board.

本実施形態に係る感光性樹脂組成物又は感光性フィルムを用いてレジストパターンを形成することができる。レジストパターンは、例えば、絶縁基板及び該絶縁基板上に設けられ回路パターンが形成された導体層を有する積層基板の当該導体層側の面上に当該導体層を覆う感光層を形成するステップと、感光層の所定部分に活性光線を照射してから感光層の一部を除去して、導体層の一部が露出する開口部が形成されたレジストパターンを形成させるステップとを備える方法により形成される。   A resist pattern can be formed using the photosensitive resin composition or photosensitive film according to the present embodiment. The resist pattern includes, for example, a step of forming a photosensitive layer covering the conductor layer on a surface of the laminated substrate having an insulating substrate and a conductive layer provided on the insulating substrate and having a circuit pattern formed thereon; Irradiating a predetermined part of the photosensitive layer with actinic rays and then removing a part of the photosensitive layer to form a resist pattern in which an opening exposing a part of the conductor layer is formed. The

感光層の形成方法としては、感光性樹脂組成物を直接塗工する方法や、予め感光性フィルムを準備してその感光層を加熱しながら積層基板に圧着してこれを積層する方法がある。感光性樹脂組成物が希釈剤等の揮発成分を含む場合、その大部分は除去される。また、感光性フィルムが保護フィルムを有する場合は、保護フィルムは感光層の積層前に感光性フィルムから剥離される。   As a method for forming the photosensitive layer, there are a method in which a photosensitive resin composition is directly applied, and a method in which a photosensitive film is prepared in advance, and the photosensitive layer is heated and pressure-bonded to a laminated substrate and laminated. When the photosensitive resin composition contains a volatile component such as a diluent, most of it is removed. Moreover, when a photosensitive film has a protective film, a protective film is peeled from the photosensitive film before lamination | stacking of a photosensitive layer.

感光性フィルムの感光層を加熱しながら積層基板に圧着する場合、加熱温度は好ましくは70〜110℃であり、圧着圧力は好ましくは0.1〜1.0MPa程度であり、周囲の気圧は好ましくは4kPa以下である。積層性を更に向上させるために、積層基板を予熱してもよい。   When pressure-bonding to the laminated substrate while heating the photosensitive layer of the photosensitive film, the heating temperature is preferably 70 to 110 ° C., the pressing pressure is preferably about 0.1 to 1.0 MPa, and the ambient atmospheric pressure is preferable. Is 4 kPa or less. In order to further improve the lamination property, the laminated substrate may be preheated.

形成された感光層の所定部分に対して活性光線が照射される。照射された部分に露光部が形成される。例えば、アートワークと呼ばれるネガ又はポジマスクパターンを通して活性光線を画像状に照射する方法により、感光層の所定部分に対して活性光線を照射することが可能である。照射の際、感光層に支持体が積層されていてもよい。   Actinic rays are applied to a predetermined portion of the formed photosensitive layer. An exposed portion is formed in the irradiated portion. For example, it is possible to irradiate a predetermined portion of the photosensitive layer with actinic rays by a method of irradiating actinic rays in an image form through a negative or positive mask pattern called an artwork. At the time of irradiation, a support may be laminated on the photosensitive layer.

活性光線の光源としては、公知の光源、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線を有効に放射するものが用いられる。また、写真用フラッド電球、太陽ランプ等の可視光を有効に放射するものも用いられる。   As the light source of actinic light, a known light source such as a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, or a xenon lamp that emits ultraviolet rays effectively is used. Moreover, what emits visible light effectively, such as a photographic flood light bulb and a solar lamp, is also used.

露光後、感光層上に支持体が存在している場合には、支持体を除去する。その後、ウエット現像、ドライ現像等により感光層の露光部以外の部分を除去して、感光性樹脂組成物の硬化体からなるレジストパターンが形成される。ウエット現像の場合は、アルカリ性水溶液、水系現像液、有機溶剤等の現像液を用いて、例えば、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング、スクラッピング等の公知の方法により現像する。なお、レジストパターン形成後に、1〜5J/cmの露光又は/及び100〜200℃、30分〜12時間の加熱(後加熱工程)による後硬化を更に行ってもよい。 After the exposure, if a support is present on the photosensitive layer, the support is removed. Thereafter, a portion other than the exposed portion of the photosensitive layer is removed by wet development, dry development, or the like to form a resist pattern made of a cured product of the photosensitive resin composition. In the case of wet development, development is performed by a known method such as spraying, rocking immersion, brushing, and scraping using a developer such as an alkaline aqueous solution, an aqueous developer, and an organic solvent. Note that after the resist pattern is formed, post-curing may be further performed by exposure at 1 to 5 J / cm 2 or / and heating at 100 to 200 ° C. for 30 minutes to 12 hours (post-heating step).

現像液としては、安全かつ安定であり、操作性が良好なものが好ましく用いられ、例えば、20〜50℃の炭酸ナトリウムの希薄溶液(1〜5重量%水溶液)等が用いられる。現像処理に用いられる現像液は、露光部にダメージを与えず、未露光部を選択的に溶出するものであれば、その種類については特に制限はなく、樹脂組成物の現像タイプによって決定され、準水系現像液、溶剤現像液等一般的なものを用いることができる。例えば、特開平7−234524号公報に記載されるような水と有機溶剤とを含むエマルジョン現像液を使用することができる。特に有用なエマルジョン現像液としては、例えば、有機溶剤成分としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、2,2−ブトキシエトキシエタノール、乳酸ブチル、乳酸シクロヘキシル、安息香酸エチル、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート等の有機溶剤を10〜40質量%含有するエマルジョン現像液を挙げることができる。また、アルカリ現像液を用いる場合には、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、4―ホウ酸ナトリウム、アンモニア、アミン類等のアルカリ水溶液と上記有機溶剤とのエマルジョン現像液を用いることもできる。 形成されたレジストパターンは、例えばソルダーレジストや永久レジストとして機能する。このレジストパターンは十分に高い耐熱衝撃性を示すほか、引張強度や伸び率等の機械的特性、電気絶縁性、耐湿熱性、耐アルカリ性、耐溶剤性、はんだ耐熱性及び耐電解Ni/Auめっき性にも優れている。よって、半導体パッケージ用の永久マスク(ソルダーレジスト)として有用である。この場合、レジストパターンを備えた基板はパッケージ基板として用いられる。パッケージ基板にはワイヤーボンディング、はんだ接続等の方法で半導体チップが実装される。半導体パッケージはパソコン等の電子機器へ装着される。   As the developer, a developer that is safe and stable and has good operability is preferably used. For example, a dilute solution (1 to 5% by weight aqueous solution) of sodium carbonate at 20 to 50 ° C. is used. The developer used in the development process is not particularly limited as long as it selectively elutes the unexposed part without damaging the exposed part, and is determined by the development type of the resin composition, Common ones such as a semi-aqueous developer and a solvent developer can be used. For example, an emulsion developer containing water and an organic solvent as described in JP-A-7-234524 can be used. Particularly useful emulsion developers include, for example, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol ethyl ether acetate, 2,2-butoxyethoxyethanol, butyl lactate, cyclohexyl lactate, ethyl benzoate, and 3-methyl-3 as organic solvent components. An emulsion developer containing 10 to 40% by mass of an organic solvent such as methoxybutyl acetate can be mentioned. When an alkaline developer is used, an alkaline aqueous solution such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, 4-sodium borate, ammonia, amines and the above organic solvent are used. It is also possible to use an emulsion developer. The formed resist pattern functions as, for example, a solder resist or a permanent resist. This resist pattern exhibits sufficiently high thermal shock resistance, mechanical properties such as tensile strength and elongation, electrical insulation, wet heat resistance, alkali resistance, solvent resistance, solder heat resistance, and electrolytic Ni / Au plating resistance Also excellent. Therefore, it is useful as a permanent mask (solder resist) for semiconductor packages. In this case, the substrate provided with the resist pattern is used as a package substrate. A semiconductor chip is mounted on the package substrate by a method such as wire bonding or solder connection. The semiconductor package is attached to an electronic device such as a personal computer.

図2は、プリント配線板の一実施形態を示す端面図である。図2に示すプリント配線板2は、絶縁基板22、絶縁基板22の一方面上に設けられ回路パターンが形成された導体層23、及び絶縁基板22の他方面上に設けられ回路パターンが形成されていない導体層21を備える積層基板20と、積層基板20の導体層23側の面上に設けられた永久レジスト層24とを備える。永久レジスト層24は、上記実施形態に係る感光性樹脂組成物の硬化物からなる。永久レジスト層24は、導体層23の一部が露出する開口部26が形成されたパターンを有するレジストパターンである。   FIG. 2 is an end view showing an embodiment of the printed wiring board. The printed wiring board 2 shown in FIG. 2 has an insulating substrate 22, a conductor layer 23 provided on one surface of the insulating substrate 22, and a circuit pattern formed on the other surface of the insulating substrate 22. A multilayer substrate 20 including the conductor layer 21 that is not provided, and a permanent resist layer 24 provided on the surface of the multilayer substrate 20 on the conductor layer 23 side. The permanent resist layer 24 is made of a cured product of the photosensitive resin composition according to the above embodiment. The permanent resist layer 24 is a resist pattern having a pattern in which an opening 26 from which a part of the conductor layer 23 is exposed is formed.

プリント配線板2は、開口部26を有しているため、CSPやBGA等の実装部品を導体層23にはんだ等により接合することができる。すなわち表面実装が可能である。永久レジスト層24は、接合のためのはんだ付けの際に、導体層23の不必要な部分にはんだが付着することを防ぐためのソルダーレジストとしての役割を有している。また、永久レジスト層24は、実装後に導体層23を保護するための永久マスクとしても機能する。   Since the printed wiring board 2 has the opening 26, a mounting component such as CSP or BGA can be joined to the conductor layer 23 with solder or the like. That is, surface mounting is possible. The permanent resist layer 24 has a role as a solder resist for preventing solder from adhering to unnecessary portions of the conductor layer 23 during soldering for bonding. The permanent resist layer 24 also functions as a permanent mask for protecting the conductor layer 23 after mounting.

永久レジスト層24は、十分に高い耐熱衝撃性を示すほか、引張強度や伸び率等の機械的特性、電気絶縁性、耐湿熱性、耐アルカリ性、耐溶剤性、はんだ耐熱性及び耐電解Ni/Auめっき性にも優れている。永久レジスト層24は光照射及び加熱の両方の処理により形成されている場合、上記効果が一層顕著に発揮される。   The permanent resist layer 24 exhibits sufficiently high thermal shock resistance, mechanical properties such as tensile strength and elongation, electrical insulation, wet heat resistance, alkali resistance, solvent resistance, solder heat resistance, and electrolytic Ni / Au resistance. Excellent plating ability. When the permanent resist layer 24 is formed by both light irradiation and heating treatments, the above-described effects are more remarkably exhibited.

本発明に係るプリント配線板は上記実施形態の構成に限定されるものではない。例えば、本発明に係るプリント配線板は、絶縁基板の片側又は両側に導電層及び絶縁層を交互に複数層積層した多層プリント配線板であってもよい。この場合、本発明の感光性樹脂組成物から形成される硬化膜は、導電層間を確実に絶縁するための層間絶縁膜として機能する。   The printed wiring board according to the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment. For example, the printed wiring board according to the present invention may be a multilayer printed wiring board in which a plurality of conductive layers and insulating layers are alternately laminated on one side or both sides of an insulating substrate. In this case, the cured film formed from the photosensitive resin composition of the present invention functions as an interlayer insulating film for reliably insulating the conductive layers.

図3は、プリント配線板の製造方法の一実施形態を端面図により示す工程図である。本実施形態に係る製造方法は、絶縁基板22、絶縁基板22の一方面上に設けられ回路パターンが形成された導体層23、及び絶縁基板22の他方面上に設けられ回路パターンが形成されていない導体層21を備える積層基板20を準備するステップ(図3(a))と、積層基板20の導体層23側の面上に未硬化の感光性樹脂組成物からなる感光層24aを形成するステップ(図3(b))と、感光層24aの所定部分に対して活性光線を照射するステップ(図3(c))と、感光層24aの所定部分を除去して感光性樹脂組成物の硬化物からなるレジストパターンを永久レジスト層24として形成させるステップ(図3(d))とを備える。   FIG. 3 is a process diagram showing an embodiment of a method for manufacturing a printed wiring board as an end view. In the manufacturing method according to the present embodiment, the insulating substrate 22, the conductor layer 23 provided on one surface of the insulating substrate 22, and the circuit pattern is formed on the other surface of the insulating substrate 22. A step (FIG. 3A) of preparing a laminated substrate 20 having no conductive layer 21, and forming a photosensitive layer 24 a made of an uncured photosensitive resin composition on the surface of the laminated substrate 20 on the conductive layer 23 side. A step (FIG. 3B), a step of irradiating a predetermined portion of the photosensitive layer 24a with actinic rays (FIG. 3C), a predetermined portion of the photosensitive layer 24a is removed, and the photosensitive resin composition Forming a resist pattern made of a cured product as a permanent resist layer 24 (FIG. 3D).

積層基板20は、例えば、両面金属張積層板(例えば、両面銅張積層板)の片面をエッチングする方法により得られる。感光層24aの形成(図3(b))からレジストパターン(永久レジスト層24)の形成(図3(d))までの工程は、上述のレジストパターンの形成方法と同様の方法で行うことができる。   The laminated substrate 20 is obtained by, for example, a method of etching one side of a double-sided metal-clad laminate (for example, a double-sided copper-clad laminate). The steps from the formation of the photosensitive layer 24a (FIG. 3B) to the formation of the resist pattern (permanent resist layer 24) (FIG. 3D) are performed in the same manner as the resist pattern forming method described above. it can.

永久レジスト層24のはんだ耐熱性、耐薬品性等を更に向上させる目的で、現像後のレジストパターンに対して紫外線照射や加熱を行うことが好ましい。紫外線照射は、例えば0.2〜10J/cm程度の照射量で行われる。また、レジストパターンを加熱する場合は、100〜170℃程度の範囲で15〜90分程加熱することが好ましい。紫外線照射と加熱とを同時に又は順々に行うこともできる。紫外線照射と加熱とを同時に行う場合、はんだ耐熱性、耐薬品性等を効果的に付与する観点から、60〜150℃に加熱することがより好ましい。 In order to further improve the solder heat resistance, chemical resistance, etc. of the permanent resist layer 24, it is preferable to irradiate the resist pattern after development with ultraviolet rays or heat. Ultraviolet irradiation is performed, for example, at an irradiation dose of about 0.2 to 10 J / cm 2 . Moreover, when heating a resist pattern, it is preferable to heat for about 15 to 90 minutes in the range of about 100-170 degreeC. Ultraviolet irradiation and heating can be performed simultaneously or sequentially. When performing ultraviolet irradiation and heating simultaneously, it is more preferable to heat to 60 to 150 ° C. from the viewpoint of effectively imparting solder heat resistance, chemical resistance and the like.

以下、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

合成例1(P1)
撹拌機、還流冷却機、温度計及び乾燥窒素ガス導入管が取り付けられたフラスコを準備した。そこに、部分的にイミド化したイソブチレン−無水マレイン酸共重合体(クラレ製、無水マレイン酸部分のイミド化率:40モル%、「イソバン304」(商品名))を40g、2−ヒドロキシエチルメタクリレートを20g、及び脱水ジメチルホルムアミド(DMF)を60g仕込んだ。イソバン340は予め十分に乾燥したものを用いた。そして、60℃で4時間加熱しながら攪拌し、その後更に90℃で2時間加熱しながら撹拌して、側鎖としてメタクリロイルオキシエチルオキシ基が導入された無水マレイン酸系共重合体(以下「無水マレイン酸系共重合体P1」という。)のDMF溶液を得た。得られた無水マレイン酸系共重合体P1の重量平均分子量は65000であり、酸価は220mgKOH/gであった。また、溶液中の固形分は50質量%であった。
Synthesis Example 1 (P1)
A flask equipped with a stirrer, reflux condenser, thermometer, and dry nitrogen gas inlet tube was prepared. Then, 40 g of 2-hydroxyethyl, a partially imidized isobutylene-maleic anhydride copolymer (manufactured by Kuraray, imidation ratio of maleic anhydride portion: 40 mol%, “Isoban 304” (trade name)) 20 g of methacrylate and 60 g of dehydrated dimethylformamide (DMF) were charged. Isoban 340 was sufficiently dried in advance. Then, the mixture was stirred while heating at 60 ° C. for 4 hours, and further stirred while heating at 90 ° C. for 2 hours, and a maleic anhydride copolymer having a methacryloyloxyethyloxy group introduced as a side chain (hereinafter “anhydrous”). A DMF solution of maleic acid copolymer P1 ”) was obtained. The obtained maleic anhydride copolymer P1 had a weight average molecular weight of 65,000 and an acid value of 220 mgKOH / g. Moreover, solid content in a solution was 50 mass%.

合成例2(P2)
撹拌機、還流冷却機、温度計及び乾燥窒素ガス導入管が取り付けられたフラスコを準備した。そこに、部分的にイミド化したイソブチレン−無水マレイン酸共重合体(クラレ製、無水マレイン酸部分のイミド化率:40モル%、「イソバン304」(商品名)を40g、エチレングリコールモノメチルエーテルを60g仕込んだ。イソバン340は予め十分に乾燥したものを用いた。そして、60℃で4時間加熱しながら撹拌し、その後更に90℃で2時間加熱しながら撹拌して、側鎖としてメトキシエチルオキシ基が導入された無水マレイン酸系共重合体(以下「無水マレイン酸系共重合体P2」という。)をの溶液を得た。得られた無水マレイン酸系共重合体P2の重量平均分子量は63000であり、酸価は250mgKOH/gであった。また、溶液中の固形分は40質量%であった。
Synthesis example 2 (P2)
A flask equipped with a stirrer, reflux condenser, thermometer, and dry nitrogen gas inlet tube was prepared. Then, a partially imidized isobutylene-maleic anhydride copolymer (manufactured by Kuraray, imidation ratio of maleic anhydride part: 40 mol%, 40 g of “Isoban 304” (trade name), ethylene glycol monomethyl ether 60 g of isoban 340 was used, which had been sufficiently dried in advance, and stirred with heating at 60 ° C. for 4 hours and then with heating at 90 ° C. for 2 hours, and methoxyethyloxy as a side chain. A solution of a maleic anhydride copolymer into which groups were introduced (hereinafter referred to as “maleic anhydride copolymer P2”) was obtained.The weight average molecular weight of the obtained maleic anhydride copolymer P2 was The acid value was 250 mg KOH / g, and the solid content in the solution was 40% by mass.

合成例3(P3)
撹拌機、還流冷却機、温度計及び乾燥窒素ガス導入管が取り付けられたフラスコを準備した。そこに、メチルビニルエーテルと無水マレイン酸の共重合体(IPS製、「ガントレッツAN−119」(商品名))を50g、p−アミノ安息香酸を20g、DMFを100g仕込んだ。ガントレッツAN−119は予め十分に乾燥したものを用いた。そして、60℃で4時間加熱しながら撹拌し、その後グリシジルメタクリレートを20g添加し、更に90℃で2時間加熱しながら撹拌して、メタクリル基が導入された無水マレイン酸系共重合体(以下「無水マレイン酸共重合体P3」という。)のDMF溶液を得た。得られた無水マレイン酸系共重合体P3の重量平均分子量は98000であり、酸価は200mgKOH/gであった。また、溶液中の固形分は49質量%であった。
Synthesis example 3 (P3)
A flask equipped with a stirrer, reflux condenser, thermometer, and dry nitrogen gas inlet tube was prepared. Thereto, 50 g of a copolymer of methyl vinyl ether and maleic anhydride (manufactured by IPS, “GANTREZ AN-119” (trade name)), 20 g of p-aminobenzoic acid, and 100 g of DMF were charged. Gantrez AN-119 was sufficiently dried in advance. Then, the mixture was stirred while heating at 60 ° C. for 4 hours, and then 20 g of glycidyl methacrylate was added, and further stirred while heating at 90 ° C. for 2 hours to obtain a maleic anhydride copolymer into which a methacryl group was introduced (hereinafter referred to as “ A DMF solution of maleic anhydride copolymer P3 ”) was obtained. The obtained maleic anhydride copolymer P3 had a weight average molecular weight of 98,000 and an acid value of 200 mgKOH / g. Moreover, solid content in a solution was 49 mass%.

感光性樹脂組成物の調製
表1に示す成分及び配合比(質量比)を混合して、実施例1〜5の感光性樹脂組成物溶液を得た。
Preparation of photosensitive resin composition The components and blending ratio (mass ratio) shown in Table 1 were mixed to obtain photosensitive resin composition solutions of Examples 1 to 5.

Figure 2008180992
Figure 2008180992

表1中の各成分の内容を以下に示す。
FA321M:EO変性ビスフェノールAジメタクリレート(日立化成工業株式会社製)
NK-DCP:トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート(新中村化学工業製)
I-369:(チバ・スペシャリティー・ケミカルズ製)
EGME:エチレングリコールモノメチルエーテル
MOI-BM:メタクリル酸−2−[0−(1’−メチルプロピリデンアミノ)カルボキシアミノ]エチル
MW30HM:ヘキサメトキシメチロールメラミン(三和ケミカル製)
The contents of each component in Table 1 are shown below.
FA321M: EO-modified bisphenol A dimethacrylate (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
NK-DCP: Tricyclodecane dimethanol dimethacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)
I-369: (Ciba Specialty Chemicals)
EGME: Ethylene glycol monomethyl ether
MOI-BM: Methacrylic acid-2- [0- (1′-methylpropylideneamino) carboxyamino] ethyl
MW30HM: Hexamethoxymethylolmelamine (manufactured by Sanwa Chemical)

比較例1
無水マレイン酸系共重合体P1を酸変性エポキシアクリレートである「ZFR−1158」(日本化薬製)に代えた他は実施例1と同様の組成を有する感光性樹脂組成物溶液を調製した。
Comparative Example 1
A photosensitive resin composition solution having the same composition as in Example 1 was prepared except that the maleic anhydride copolymer P1 was replaced with “ZFR-1158” (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), which is an acid-modified epoxy acrylate.

比較例2
無水マレイン酸系共重合体P1に代えてビスフェノールA型エポキシ樹脂である「エピコート1004」(ジャパンエポキシレジン製)を用い、MOI−IBMを配合しなかったことの他は実施例1と同様の組成を有する感光性樹脂組成物溶液を調製した。
Comparative Example 2
The same composition as in Example 1 except that “Epicoat 1004” (manufactured by Japan Epoxy Resin), which is a bisphenol A type epoxy resin, was used in place of the maleic anhydride copolymer P1, and MOI-IBM was not blended. A photosensitive resin composition solution was prepared.

感光性フィルムの作製
上記で調製した各感光性樹脂組成物溶液を、支持体としての16μm厚のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(G2−16、帝人社製、商品名)上に均一に塗布した。塗布した溶液を熱風対流式乾燥機中で100℃で約10分間の加熱により乾燥して、未硬化の感光性樹脂組成物からなる感光層(膜厚:25μm)を形成させた。
Production of Photosensitive Film Each photosensitive resin composition solution prepared above was uniformly coated on a 16 μm-thick polyethylene terephthalate (PET) film (G2-16, trade name, manufactured by Teijin Limited) as a support. The applied solution was dried by heating at 100 ° C. for about 10 minutes in a hot air convection dryer to form a photosensitive layer (film thickness: 25 μm) made of an uncured photosensitive resin composition.

続いて、感光層の支持体と接している側とは反対側の表面上に、ポリエチレンフィルム(NF−13、タマポリ社製、商品名)を保護フィルムとして貼り合わせ、感光性フィルムを得た。   Subsequently, on the surface of the photosensitive layer opposite to the side in contact with the support, a polyethylene film (NF-13, product name, manufactured by Tamapoly Co., Ltd.) was bonded as a protective film to obtain a photosensitive film.

評価用積層体の作製
12μm厚の銅箔をガラスエポキシ基材に積層したプリント配線板用基材(E−679、日立化成工業社製、商品名)の銅表面を砥粒ブラシで研磨し、水洗後、乾燥した。このプリント配線板用基板の研磨した銅箔上に、上記感光性フィルムを、ポリエチレンフィルムを剥離しながらその感光層と銅箔とが密着するように連続式真空ラミネータ(HLM−V570、日立化成工業社製、商品名)を用いて積層して、評価用積層体を得た。積層は、ヒートシュー温度:100℃、ラミネート速度:0.5m/分、気圧:4kPa以下、圧着圧力:0.3MPaの条件で行った。
Preparation of Evaluation Laminate The copper surface of a printed wiring board substrate (E-679, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name) obtained by laminating a 12 μm thick copper foil on a glass epoxy substrate was polished with an abrasive brush. After washing with water, it was dried. A continuous vacuum laminator (HLM-V570, Hitachi Chemical Co., Ltd.) is placed on the polished copper foil of the printed wiring board substrate so that the photosensitive layer and the copper foil are in close contact with each other while peeling the polyethylene film. The laminate for evaluation was obtained by stacking using a product name of the company. Lamination was performed under the conditions of heat shoe temperature: 100 ° C., laminating speed: 0.5 m / min, atmospheric pressure: 4 kPa or less, and pressure bonding pressure: 0.3 MPa.

光感度の評価
得られた評価用積層体のPETフィルム上に、ストーファー21段ステップタブレットを有するフォトツールをネガとして密着させ、該ストーファー21段ステップタブレットの現像後の残存ステップ段数が8.0となるエネルギー量で、オーク製作所社製HMW−201GX型露光機を使用して露光を行った。その後、評価用積層体を常温で一時間静置した。そして、PETフィルムを剥離し、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液を60秒間スプレーして現像を行い、更に80℃で10分間の加熱により乾燥した。上記エネルギー量を光感度の指標とした。この数値が低いほど光感度が高いことを示す。結果を表2に示す。
Evaluation of Photosensitivity A phototool having a 21-step Stofer step tablet is adhered as a negative on the PET film of the obtained laminate for evaluation, and the number of remaining step steps after development of the 21-step Stepper tablet is 8. Exposure was performed using an HMW-201GX type exposure machine manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd. with an energy amount of zero. Thereafter, the evaluation laminate was allowed to stand at room temperature for 1 hour. Then, the PET film was peeled off, developed by spraying a 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. for 60 seconds, and further dried by heating at 80 ° C. for 10 minutes. The energy amount was used as an index of photosensitivity. A lower value indicates higher photosensitivity. The results are shown in Table 2.

解像度の評価
ストーファー21段ステップタブレットを有するフォトツールと、解像度評価用ネガとしてライン幅/スペース幅が30/30〜200/200(単位:μm)の配線パターンを有するフォトツールとを評価用積層体のPETフィルム上に密着させ、上述した露光機を用いて、ストーファー21段ステップタブレットの現像後の残存ステップ段数が8.0となるエネルギー量で露光を行った。露光後、評価用積層体を常温で一時間静置した。その後、PETフィルムを剥離し、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液を60秒間スプレーして現像を行い、更に80℃で10分間の加熱により乾燥した。現像処理によって断面矩形のレジスト形状が形成された部分におけるライン幅間のスペース幅の最も小さい値(単位:μm)を指標として解像度を評価した。この値が小さいほど解像度に優れていることを示す。結果を表2に示す。
Evaluation of resolution Stacking for evaluation with a photo tool having a stove 21-step tablet and a photo tool having a wiring pattern with a line width / space width of 30/30 to 200/200 (unit: μm) as a negative for resolution evaluation The film was brought into close contact with the body PET film and exposed using the above-described exposure apparatus with an energy amount such that the number of remaining steps after development of the stove 21-step tablet was 8.0. After the exposure, the evaluation laminate was allowed to stand at room temperature for 1 hour. Thereafter, the PET film was peeled off, developed by spraying a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. for 60 seconds, and further dried by heating at 80 ° C. for 10 minutes. The resolution was evaluated using the smallest value (unit: μm) of the space width between the line widths in the portion where the resist shape having a rectangular cross section was formed by the development process. The smaller this value, the better the resolution. The results are shown in Table 2.

塗膜性の評価
未露光の評価用積層体のPETフィルムを剥離し、露出した感光層表面に指を軽く押し付け、そのときの指に対する張り付き程度に基づいて、以下の基準で塗膜性を評価した。結果を表2に示す。
「A」:指に対する張り付きが認められない、または、ほとんど認められない
「B」:指に対する張り付きが認められる
Evaluation of coating properties Peel off the PET film of the unexposed evaluation laminate, lightly press the finger against the exposed photosensitive layer surface, and evaluate the coating properties according to the following criteria based on the degree of sticking to the finger at that time did. The results are shown in Table 2.
“A”: Sticking to the finger is not or hardly recognized “B”: Sticking to the finger is recognized

はんだ耐熱性の評価
ストーファー21段ステップタブレットを有するフォトツールと、ネガとして2mm角の矩形パターンを有するフォトツールとを評価用積層体のPETフィルム上に密着させ、上述した露光機を使用して、該ストーファー21段ステップタブレットの現像後の残存ステップ段数が8.0となるエネルギー量で露光を行った。露光後、常温で1時間静置した。その後、積層体からPETフィルムを剥離し、光感度評価の場合と同様の現像液及び現像条件でスプレー現像を行い、80℃で10分間の加熱により乾燥した。続いて、オーク製作所社製紫外線照射装置を使用して1J/cmのエネルギー量で感光層に対して紫外線を照射した。照射後、更に感光層を160℃で60分間加熱して、2mm角の矩形の開口部が形成されたソルダーレジストを有する評価用パッケージ基板を得た。
Evaluation of soldering heat resistance A phototool having a 21-step tablet with a stopher and a phototool having a rectangular pattern of 2 mm square as a negative are brought into close contact with the PET film of the evaluation laminate, and the above-described exposure apparatus is used. Then, the exposure was performed with an energy amount such that the number of remaining step steps after development of the stove 21-step tablet was 8.0. After exposure, it was allowed to stand at room temperature for 1 hour. Thereafter, the PET film was peeled from the laminate, spray development was performed under the same developer and development conditions as in the photosensitivity evaluation, and drying was performed by heating at 80 ° C. for 10 minutes. Subsequently, the photosensitive layer was irradiated with ultraviolet rays with an energy amount of 1 J / cm 2 using an ultraviolet irradiation device manufactured by Oak Seisakusho. After the irradiation, the photosensitive layer was further heated at 160 ° C. for 60 minutes to obtain an evaluation package substrate having a solder resist in which a rectangular opening of 2 mm square was formed.

次いで、該パッケージ基板にロジン系フラックス(MH−820V、タムラ化研社製、商品名)を塗布し、その後、260℃のはんだ浴中に30秒間浸漬してはんだめっき処理を行った。   Next, rosin-based flux (MH-820V, manufactured by Tamura Kaken Co., Ltd., trade name) was applied to the package substrate, and then immersed in a solder bath at 260 ° C. for 30 seconds to perform solder plating.

はんだめっき処理後のパッケージ基板上のソルダーレジストにおけるクラック発生状況、並びに基板からのソルダーレジストの浮き程度及び剥離程度を目視により観察した。観察結果に基づいて、次の基準ではんだ耐熱性を評価した。結果を表2に示す。
「A」:ソルダーレジストのクラック、浮き及び剥離が認められないもの
「B]:ソルダーレジストのクラック、浮き及び剥離が認められたもの
The state of crack generation in the solder resist on the package substrate after the solder plating treatment, and the degree of floating and peeling of the solder resist from the substrate were visually observed. Based on the observation results, the solder heat resistance was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 2.
“A”: No cracking, floating and peeling of the solder resist “B”: No cracking, floating and peeling of the solder resist

耐熱衝撃性の評価
はんだ耐熱性の評価においてはんだめっきを施された評価用パッケージ基板に対して、−55℃の大気中で15分間、180℃/分の昇温速度で昇温、125℃の大気中で15分間、及び180℃/分の降温速度で降温から構成される熱サイクルによる処理を1500回繰り返した。熱サイクル試験後の評価用パッケージ基板のソルダーレジストにおけるクラック及び剥離程度を100倍の金属顕微鏡により観察した。観察結果に基づいて、次の基準で耐熱衝撃性を評価した。結果を表2に示す。
「A」:ソルダーレジストのクラック及び剥離が認められないもの
「B]:ソルダーレジストのクラック及び剥離が認められたもの
Evaluation of thermal shock resistance The evaluation package substrate subjected to solder plating in the evaluation of solder heat resistance was heated in the atmosphere of −55 ° C. for 15 minutes at a temperature increase rate of 180 ° C./min, and 125 ° C. The treatment by the thermal cycle composed of the temperature decrease for 15 minutes in the air and the temperature decrease rate of 180 ° C./min was repeated 1500 times. The crack and peeling degree in the solder resist of the evaluation package substrate after the thermal cycle test were observed with a 100-fold metal microscope. Based on the observation results, the thermal shock resistance was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 2.
"A": No cracking or peeling of solder resist was observed "B": No cracking or peeling of solder resist was observed

耐電食性の評価
12μm厚の銅箔をガラスエポキシ基材に積層したプリント配線板用基材(E−679、日立化成工業社製、商品名)の銅箔にエッチングを施して、ライン幅/スペース幅が50μm/50μmであり、互いのラインが接触しておらず、互いに対向した同一面上の櫛形電極を形成させた。この櫛形電極上に、連続式真空ラミネータ(HLM−V570、日立化成工業社製、商品名)を用いてヒートシュー温度100℃、ラミネート速度0.5m/分、気圧4kPa以下、圧着圧力0.3MPaの条件の下、上記感光性フィルムをその感光層と櫛形電極とが密着するようにポリエチレンフィルムを剥離しつつ積層し、更に上述と同様の条件で耐電食性評価用積層体を得た。
Evaluation of electric corrosion resistance Line width / space by etching copper foil of printed wiring board substrate (E-679, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., product name) in which 12μm thick copper foil is laminated on glass epoxy substrate The width was 50 μm / 50 μm, the lines were not in contact with each other, and comb electrodes on the same surface opposed to each other were formed. On this comb-shaped electrode, using a continuous vacuum laminator (HLM-V570, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name), a heat shoe temperature of 100 ° C., a laminating speed of 0.5 m / min, an atmospheric pressure of 4 kPa or less, a pressure of pressure bonding of 0.3 MPa Under the above conditions, the photosensitive film was laminated while peeling the polyethylene film so that the photosensitive layer and the comb electrode were in close contact with each other, and a laminate for evaluation of electric corrosion resistance was obtained under the same conditions as described above.

得られた耐電食性評価用積層体のPETフィルム上に、ネガとしてストーファー21段ステップタブレットを有するフォトツールを密着させ、オーク製作所社製HMW−201GX型露光機を使用して、該ストーファー21段ステップタブレットの現像後の残存ステップ段数が8.0となるエネルギー量で露光を行った。露光後、評価用積層体を常温で一時間静置した。その後、PETフィルムを剥離し、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液を60秒間スプレーして現像を行い、更に80℃で10分間の加熱により乾燥した。続いて、オーク製作所社製紫外線照射装置を使用して1J/cmのエネルギー量で感光層に対して紫外線を照射した。照射後、更に160℃で60分間の加熱処理を行うことにより、ソルダーレジストを形成させた。 A phototool having a stove 21-step tablet as a negative is brought into close contact with the PET film of the obtained laminate for evaluation of electric corrosion resistance, and the stove 21 is used using an HMW-201GX type exposure machine manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd. The exposure was performed with an energy amount such that the number of steps remaining after development of the stepped tablet was 8.0. After the exposure, the evaluation laminate was allowed to stand at room temperature for 1 hour. Thereafter, the PET film was peeled off, developed by spraying a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. for 60 seconds, and further dried by heating at 80 ° C. for 10 minutes. Subsequently, the photosensitive layer was irradiated with ultraviolet rays with an energy amount of 1 J / cm 2 using an ultraviolet irradiation device manufactured by Oak Seisakusho. After the irradiation, a solder resist was formed by further heat treatment at 160 ° C. for 60 minutes.

ソルダーレジストが形成された耐電食性評価用積層体の櫛形電極に、ポリテトラフルオロエチレン製のシールド線をSn/Pbはんだにより接続し、櫛形電極間に5Vの電圧を印可した。その状態で、該評価用積層体を130℃、85%RHの超加速高温高湿寿命試験(HAST)槽内に200時間静置した。静置後の評価用積層体のソルダーレジストにおけるマイグレーションの発生程度を100倍の金属顕微鏡により観察し、次の基準で評価した。結果を表2に示す。
「A」:ソルダーレジストにおけるマイグレーションの発生を確認できなかったもの
「B」:ソルダーレジストにおけるマイグレーションの発生を確認できたもの
A shield wire made of polytetrafluoroethylene was connected by Sn / Pb solder to the comb-shaped electrode of the laminate for evaluation of electric corrosion resistance on which the solder resist was formed, and a voltage of 5 V was applied between the comb-shaped electrodes. In this state, the laminate for evaluation was allowed to stand for 200 hours in a super accelerated high temperature high humidity life test (HAST) bath at 130 ° C. and 85% RH. The degree of migration in the solder resist of the evaluation laminate after standing was observed with a 100-fold metal microscope and evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 2.
“A”: The occurrence of migration in the solder resist could not be confirmed. “B”: The occurrence of migration in the solder resist could be confirmed.

貯蔵安定性の評価
上述のようにして得られた感光性フィルムを大気中、5℃で1ヶ月静置した。静置後の感光性フィルムを用いて、上述と同様にして評価用積層体を得た。そして、はんだ耐熱性の評価の場合と同様にして、2mm角の矩形開口部が形成されたソルダーレジストを有する評価用パッケージ基板を得た。評価用パッケージ基板に形成されたソルダーレジストのパターンを実体顕微鏡で観察して貯蔵安定性を評価した。未露光部に樹脂の残存が認められないものを「A」、樹脂の残存が認められるものを「B」とした。結果を表2に示す。
Evaluation of Storage Stability The photosensitive film obtained as described above was allowed to stand in the atmosphere at 5 ° C. for 1 month. Using the photosensitive film after standing, a laminate for evaluation was obtained in the same manner as described above. Then, in the same manner as in the evaluation of solder heat resistance, an evaluation package substrate having a solder resist in which a rectangular opening of 2 mm square was formed was obtained. The storage resist pattern was evaluated by observing the solder resist pattern formed on the evaluation package substrate with a stereomicroscope. “A” indicates that no resin remains in the unexposed area, and “B” indicates that resin remains. The results are shown in Table 2.

ガラス転移温度の評価
各感光性フィルムに対して上記と同様の条件で露光及び加熱し、感光層を硬化して支持体上に硬化膜を形成させた。該硬化膜のガラス転移温度をTMA(セイコーインスツルメンツ製)で測定した。結果を表2に示す。
Evaluation of Glass Transition Temperature Each photosensitive film was exposed and heated under the same conditions as described above, and the photosensitive layer was cured to form a cured film on the support. The glass transition temperature of the cured film was measured with TMA (manufactured by Seiko Instruments). The results are shown in Table 2.

硬化膜の物性評価
各感光性フィルムに対して上記と同様の条件で露光及び加熱し、感光層を硬化して支持体上に硬化膜を形成させた。該硬化膜の引張強度及び伸び率を、JIS K 7127「プラスチックフィルム及びシートの引張試験方法」に準拠して測定した。結果を表2に示す。
Evaluation of physical properties of cured film Each photosensitive film was exposed and heated under the same conditions as described above to cure the photosensitive layer to form a cured film on the support. The tensile strength and elongation of the cured film were measured according to JIS K 7127 “Plastic Film and Sheet Tensile Test Method”. The results are shown in Table 2.

Figure 2008180992
以上の実験結果から明らかなように、本実施形態に係る感光性樹脂組成物によれば、耐熱衝撃性及び耐電食性の点で十分に高いレベルを達成するソルダーレジスト(永久レジスト層)を形成することが可能である。また、ドライフィルムである感光性フィルムの状態で十分に優れた貯蔵安定性を得ることも可能である。更には、本実施形態に係る感光性樹脂組成物は、光感度、解像度、塗膜性及び機械的強度の点でも高いレベルを達成可能である。
Figure 2008180992
As is clear from the above experimental results, according to the photosensitive resin composition according to the present embodiment, a solder resist (permanent resist layer) that achieves a sufficiently high level in terms of thermal shock resistance and electric corrosion resistance is formed. It is possible. It is also possible to obtain sufficiently excellent storage stability in the state of a photosensitive film that is a dry film. Furthermore, the photosensitive resin composition according to the present embodiment can achieve a high level in terms of photosensitivity, resolution, coating properties, and mechanical strength.

感光性フィルムの一実施形態を示す端面図である。It is an end view which shows one Embodiment of a photosensitive film. プリント配線板の一実施形態を示す端面図である。It is an end view which shows one Embodiment of a printed wiring board. プリント配線板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。It is process drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of a printed wiring board.

符号の説明Explanation of symbols

1…感光性フィルム、2…プリント配線板、11…支持体、12…感光層、13…保護フィルム、20…積層基板、21…導体層、22…絶縁基板、23…導体層、24…永久レジスト層、24a…感光層、26…開口部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photosensitive film, 2 ... Printed wiring board, 11 ... Support body, 12 ... Photosensitive layer, 13 ... Protective film, 20 ... Laminated substrate, 21 ... Conductive layer, 22 ... Insulating substrate, 23 ... Conductive layer, 24 ... Permanent Resist layer, 24a ... photosensitive layer, 26 ... opening.

Claims (11)

(A)下記一般式(1):
Figure 2008180992
[式中、
及びRはそれぞれ独立にイソブチレン単位、スチレン単位、メチルビニルエーテル単位又は(メタ)アクリル酸エステル単位を示し、
は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロヘキシル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を示し、
Zは−OH、−NH−R又は−O−Rを示し、R及びRはエチレン性不飽和結合を有する基、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基であり、
n及びmはそれぞれ独立に1以上の整数を示す。]
で表される構造を含むポリマーと、
(B)エチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物と、
(C)光重合開始剤と、
を含有する感光性樹脂組成物。
(A) The following general formula (1):
Figure 2008180992
[Where:
R 1 and R 3 each independently represent an isobutylene unit, a styrene unit, a methyl vinyl ether unit or a (meth) acrylic acid ester unit;
R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, a cyclohexyl group which may have a substituent or a phenyl group which may have a substituent,
Z represents —OH, —NH—R 5 or —O—R 6 , and R 5 and R 6 each have a group having an ethylenically unsaturated bond, an alkyl group which may have a substituent, or a substituent. An optionally substituted phenyl group,
n and m each independently represent an integer of 1 or more. ]
A polymer comprising a structure represented by:
(B) a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond;
(C) a photopolymerization initiator;
Containing a photosensitive resin composition.
n/(n+m)=0.1〜0.7である、請求項1記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition of Claim 1 which is n / (n + m) = 0.1-0.7. 前記ポリマーが、単独で光又は加熱により反応してガラス転移温度が120〜200℃である架橋体を生成する、請求項1又は2記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition of Claim 1 or 2 with which the said polymer reacts by light or a heating independently, and produces | generates the crosslinked body whose glass transition temperature is 120-200 degreeC. 前記ポリマーが100〜350mgKOH/gの酸価を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition as described in any one of Claims 1-3 in which the said polymer has an acid value of 100-350 mgKOH / g. 前記ポリマーが10000〜200000の重量平均分子量を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition as described in any one of Claims 1-4 whose said polymer has a weight average molecular weight of 10,000-200000. (D)加熱により硬化する熱硬化性化合物を更に含有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。   (D) The photosensitive resin composition as described in any one of Claims 1-5 which further contains the thermosetting compound hardened | cured by heating. 前記熱硬化性化合物が(メタ)アクリレート基及びブロック化イソシアネート基を有する、請求項6記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition of Claim 6 in which the said thermosetting compound has a (meth) acrylate group and a blocked isocyanate group. 請求項1〜7のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなる感光層を備える永久レジスト用感光性フィルム。   The photosensitive film for permanent resist provided with the photosensitive layer which consists of the photosensitive resin composition as described in any one of Claims 1-7. 絶縁基板及び該絶縁基板上に設けられ回路パターンが形成された導体層を有する積層基板の当該導体層側の面上に当該導体層を覆う感光層を形成するステップと、
前記感光層の所定部分に活性光線を照射してから前記感光層の一部を除去して、前記導体層の一部が露出する開口部が形成されたレジストパターンを形成させるステップと、を備え、
前記感光層が請求項1〜7のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなる、レジストパターンの形成方法。
Forming a photosensitive layer covering the conductor layer on a surface of the laminated substrate having an insulating substrate and a conductive layer provided on the insulating substrate and having a circuit pattern formed thereon; and
Irradiating a predetermined part of the photosensitive layer with actinic rays and then removing a part of the photosensitive layer to form a resist pattern in which an opening exposing a part of the conductor layer is formed. ,
A method for forming a resist pattern, wherein the photosensitive layer comprises the photosensitive resin composition according to claim 1.
絶縁基板及び該絶縁基板上に設けられ回路パターンが形成された導体層を有する積層基板と、
前記積層基板の当該導体層側の面上に設けられ当該導体層の一部が露出する開口部が形成された永久レジスト層と、を備え、
前記永久レジスト層が、請求項1〜7のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物の硬化物からなる、プリント配線板。
A laminated substrate having an insulating substrate and a conductor layer provided on the insulating substrate and having a circuit pattern formed thereon;
A permanent resist layer provided on the surface of the laminated substrate on the conductor layer side and having an opening in which a part of the conductor layer is exposed; and
The printed wiring board in which the said permanent resist layer consists of the hardened | cured material of the photosensitive resin composition as described in any one of Claims 1-7.
絶縁基板及び該絶縁基板上に設けられ回路パターンが形成された導体層を有する積層基板と前記積層基板の当該導体層側の面上に設けられ当該導体層の一部が露出する開口部が形成された永久レジスト層とを含むパッケージ基板と、
該パッケージ基板に搭載された半導体チップと、を備え、
前記永久レジスト層が、請求項1〜7のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物の硬化物からなる、半導体パッケージ。
A laminated substrate having an insulating substrate and a conductive layer provided on the insulating substrate, on which a circuit pattern is formed, and an opening provided on the surface of the laminated substrate on the side of the conductive layer are exposed. A package substrate comprising a permanent resist layer formed;
A semiconductor chip mounted on the package substrate,
The semiconductor package in which the said permanent resist layer consists of the hardened | cured material of the photosensitive resin composition as described in any one of Claims 1-7.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009009107A (en) * 2007-05-25 2009-01-15 Toray Ind Inc Photosensitive resin composition
WO2010125721A1 (en) * 2009-04-27 2010-11-04 太陽インキ製造株式会社 Photo-curable and heat-curable resin composition
JP2011117988A (en) * 2009-11-30 2011-06-16 Hitachi Chem Co Ltd Resin composition for forming optical waveguide, resin film for forming optical waveguide using the composition, and optical waveguide using these
CN104216228A (en) * 2013-05-29 2014-12-17 住友电木株式会社 Negative photosensitive resin composition, electronic device and polymer
JP2015059182A (en) * 2013-09-19 2015-03-30 新中村化学工業株式会社 Resin composition, adhesive agent and manufacturing method of resin composition
KR20170056497A (en) 2014-04-30 2017-05-23 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 Photosensitive resin material and resin film
JP2017133023A (en) * 2011-07-15 2017-08-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Semiconductor package resin composition and usage method thereof
CN107870506A (en) * 2016-09-26 2018-04-03 康达智株式会社 Pattern forms piece, pattern manufacture device, method of manufacturing pattern and pattern fabrication schedule
CN109983404A (en) * 2016-12-08 2019-07-05 富士胶片株式会社 The manufacturing method of transfer film, electrode protective membrane, laminated body, capacitive input device and touch panel
JP2019174851A (en) * 2014-01-22 2019-10-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Extreme ultraviolet light source

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06295060A (en) * 1992-10-29 1994-10-21 Ajinomoto Co Inc Photosensitive resin composition or photosensitive thermosetting resin composition, and photosolder resist composition using these
JP2004294999A (en) * 2003-03-28 2004-10-21 Nippon Shokubai Co Ltd Photosensitive resin composition
JP2006047952A (en) * 2004-04-09 2006-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive composition, photosensitive film, permanent pattern and method for forming the same
WO2006109890A1 (en) * 2005-04-13 2006-10-19 Tamura Kaken Corporation Photosensitive resin composition, printed wiring board, and semiconductor package substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06295060A (en) * 1992-10-29 1994-10-21 Ajinomoto Co Inc Photosensitive resin composition or photosensitive thermosetting resin composition, and photosolder resist composition using these
JP2004294999A (en) * 2003-03-28 2004-10-21 Nippon Shokubai Co Ltd Photosensitive resin composition
JP2006047952A (en) * 2004-04-09 2006-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive composition, photosensitive film, permanent pattern and method for forming the same
WO2006109890A1 (en) * 2005-04-13 2006-10-19 Tamura Kaken Corporation Photosensitive resin composition, printed wiring board, and semiconductor package substrate

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009009107A (en) * 2007-05-25 2009-01-15 Toray Ind Inc Photosensitive resin composition
WO2010125721A1 (en) * 2009-04-27 2010-11-04 太陽インキ製造株式会社 Photo-curable and heat-curable resin composition
JP2010256729A (en) * 2009-04-27 2010-11-11 Taiyo Ink Mfg Ltd Photocurable thermosetting resin composition, its dry film and cured product, and printed wiring board using the same
CN102414617A (en) * 2009-04-27 2012-04-11 太阳控股株式会社 Photo-curable and heat-curable resin composition
CN102414617B (en) * 2009-04-27 2014-04-30 太阳控股株式会社 Photo-curable and heat-curable resin composition
JP2011117988A (en) * 2009-11-30 2011-06-16 Hitachi Chem Co Ltd Resin composition for forming optical waveguide, resin film for forming optical waveguide using the composition, and optical waveguide using these
JP2017133023A (en) * 2011-07-15 2017-08-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Semiconductor package resin composition and usage method thereof
CN104216228A (en) * 2013-05-29 2014-12-17 住友电木株式会社 Negative photosensitive resin composition, electronic device and polymer
JP2015007762A (en) * 2013-05-29 2015-01-15 住友ベークライト株式会社 Negative photosensitive resin composition, electronic device, and polymer
CN104216228B (en) * 2013-05-29 2019-11-19 住友电木株式会社 Negative light-sensitive resin combination, electronic device and polymer
JP2015059182A (en) * 2013-09-19 2015-03-30 新中村化学工業株式会社 Resin composition, adhesive agent and manufacturing method of resin composition
JP2019174851A (en) * 2014-01-22 2019-10-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Extreme ultraviolet light source
US9874813B2 (en) 2014-04-30 2018-01-23 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Photosensitive resin material and resin film
KR20170056497A (en) 2014-04-30 2017-05-23 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 Photosensitive resin material and resin film
CN107870506A (en) * 2016-09-26 2018-04-03 康达智株式会社 Pattern forms piece, pattern manufacture device, method of manufacturing pattern and pattern fabrication schedule
JP2018054665A (en) * 2016-09-26 2018-04-05 カンタツ株式会社 Pattern forming sheet, pattern manufacturing device, pattern manufacturing method, and pattern manufacturing program
CN109983404A (en) * 2016-12-08 2019-07-05 富士胶片株式会社 The manufacturing method of transfer film, electrode protective membrane, laminated body, capacitive input device and touch panel
CN109983404B (en) * 2016-12-08 2022-10-28 富士胶片株式会社 Transfer film, electrode protection film, laminate, capacitive input device, and method for manufacturing touch panel
US11762291B2 (en) 2016-12-08 2023-09-19 Fujifilm Corporation Transfer film, electrode protective film, laminate, capacitive input device, and manufacturing method of touch panel

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