JP5061235B2 - 黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、電磁妨害遮蔽のための導電パターンとして機能を十分に発揮するために低い比抵抗を維持しつつ、黒化処理され、ディスプレイ装置のコントラストにも影響のない電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法およびそれにより製造された電磁妨害遮蔽ガラスに関する。
本出願は２００７年５月１０日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第２００７−００４５２７８号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。
従来においては、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）から発生する有害な電磁波を遮蔽するために銅材質のメッシュパターンをフォトリソグラフィー方式により製造した。
しかし、フォトリソグラフィー方式は、工程が複雑で、原材料費用も高く、製造費用が高いため、ＰＤＰフィルタの原材料のうちの最も高価である。
しかし、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）市場においては、ＰＤＰとＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の競争が激しくなる状況であるために低価の原材料を開発する必要があり、このために導電ペーストをスクリーン印刷やオフセット印刷などの印刷方法によりメッシュパターンに印刷する技術が開発されている。
印刷方法を利用して製造した電磁妨害遮蔽フィルムがその特性を十分に発揮するためには、印刷に用いられた導電ペーストの比抵抗が十分に低い必要性がある。
このために金属粉末を含む導電ペーストの使用が開発されているが、前記導電ペーストを用いてオフセット印刷方法により導電パターンを印刷する場合、金属光沢によりＰＤＰからの光や外部光などが反射してコントラストに良くない影響を与えるために導電パターンの黒化処理が求められる。
そこで、本発明は、フィルム形態の電磁妨害遮蔽部を省略し、ガラス板面に直接電磁妨害遮蔽部を形成して構造および製造工程を簡素化することができ、焼成温度を自由に調節して十分に焼成できることにより、最適な伝導度を有するだけでなく、ガラス上に形成した導電パターンを簡便に黒化させることができる電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法およびそれにより製造された黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスを提供することを目的とする。
特に、導電パターンを固定するための焼成ステップを通し、別途の黒化処理ステップを経ることなく、面抵抗が上昇することなく、導電パターンとガラスとの間の界面が黒化される電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法およびそれにより製造された黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスを提供することができる。
また、黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスに反射防止フィルム、近赤外線遮蔽フィルム、および色補正フィルムなどをさらに付着して製造したＰＤＰフィルタおよびそれを含むＰＤＰ装置を提供することができる。
本発明は、（ａ）スズ（Ｓｎ）成分が拡散しているガラスの表面に導電ペーストを用いて導電パターンを形成するステップ；および（ｂ）前記導電パターンが形成されたガラスを焼成するステップを含むことを特徴とする黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法を提供する。
本発明は、少なくとも片面にスズ成分が拡散しているガラスおよび前記スズ成分が拡散しているガラス表面に形成された導電パターンを含み、前記導電パターンが形成された前記ガラスの焼成により前記導電パターンと前記ガラスとの間の界面は黒化されていることを特徴とする黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスを提供する。
本発明に係る黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラス；および前記黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの前側面または後側面に付着され、反射防止フィルム、近赤外線遮蔽フィルム、および色補正フィルムのうちから選択される少なくとも一つのフィルムを含むことを特徴とするＰＤＰフィルタを提供する。
本発明に係るＰＤＰフィルタを含むＰＤＰ装置を提供する。
本発明によれば、面抵抗が上昇することなく、導電パターンとガラスとの間の界面を黒化させることにより、金属光沢によるコントラストの問題を解消することができる電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法およびそれにより製造された電磁妨害遮蔽ガラスが提供される。
また、ガラスに導電パターンを固定するための焼成ステップにおいて黒化処理が進行され、別途の黒化工程が必要ないため、電磁妨害遮蔽ガラスの製造工程および装置の簡素化により生産性の向上を図ることができる。
本発明に係る黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法は、（ａ）スズ（Ｓｎ）成分が拡散しているガラスの表面に導電ペーストを用いて導電パターンを形成するステップ；および（ｂ）前記導電パターンが形成されたガラスを焼成するステップを含む。
前記（ａ）ステップにおいて、前記スズ成分が拡散しているガラスは、比重の大きい溶融スズの上部に溶融したガラスを注入して、凹凸のない板ガラスを生産する通常のフロート法（ｆｌｏａｔ ｐｒｏｃｅｓｓ）により製造することができる。
特に、前記導電パターンは前記スズ成分が拡散しているガラス表面に形成されることが好ましく、前記導電パターンをその反対面に形成する場合には別途の黒化処理が必要である。
前記ガラス表面にスズが存在する場合、ハロゲンランプ下で照らしてみればかすんで見えることによって確認することができ、そのカッティング（ｃｕｔｔｉｎｇ）された面を見てみればスズがある面の場合に滑らかである。
前記スズ成分が拡散しているガラスにおいて、焼成前に前記ガラスのスズはＳｎ2+またはＳｎ4+のイオン状態で存在する。
前記スズ成分が拡散しているガラスにおいて、前記スズの含量は数ｐｐｍであってもよく、好ましくは０超過〜１０００ｐｐｍであるが、これに限定されない。前記スズ成分の量が少ないとしても色を帯びる表面反応であるために十分な作用効果を表すことができる。
前記ガラスは少なくとも一つの表面にスズ成分が拡散しているものであれば組成および厚さは特に限定されないが、０．５ｍｍ〜５ｍｍの厚さであることが好ましい。
前記導電ペーストは特に限定されないが、銅、銀、金、およびアルミニウムのうちから選択された１種以上の金属粉末；有機溶媒に高分子バインダーを溶解させた有機バインダー樹脂液；および導電ペーストとガラスとの付着力を向上させるためのガラスフリット（Ｇｌａｓｓ Ｆｒｉｔ）を含むことができる。
前記導電ペーストは、金属粉末として、電気伝導性に優れ、低い比抵抗を有する銀（Ａｇ）粉末を含むことが好ましい。前記銀（Ａｇ）粉末を含む導電ペーストにおいて、焼成前に銀（Ａｇ）成分はバルクシルバー（ｂｕｌｋ ｓｉｌｖｅｒ）の粒子状態で存在し、焼成が完了した後には前記導電ペーストに含まれた有機物は除去され、銀（Ａｇ）が残っている状態となり、この状態で黒化が行われる。
前記導電ペーストは、金属粉末７０〜９０重量％；ガラスフリット０．１〜１５重量％；および高分子バインダーと有機溶媒を含む有機バインダー樹脂液５〜３０重量％を含むことが好ましい。
前記有機バインダー樹脂液のうちの前記高分子バインダーの含量は、前記有機溶媒と前記高分子バインダーの重量の和の２０〜８０重量％であることが好ましい。
前記導電ペーストは、例えば、高分子バインダーを有機溶媒に溶解させて有機バインダー樹脂液を製造し、ここに、ガラスフリットを添加し、最後に金属粉末を添加した後に混練し、３段ロールミルを利用して固まっていた金属粉末とガラスフリットが均一に分散するように製造することができる。
前記有機溶媒としては、ブチルカルビトールアセテート（Ｂｕｔｙｌ Ｃａｒｂｉｔｏｌ Ａｃｅｔａｔｅ）、カルビトールアセテート（Ｃａｒｂｉｔｏｌ Ａｃｅｔａｔｅ）、シクロヘキサノン（Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）、セロソルブアセテート（Ｃｅｌｌｏｓｏｌｖｅ Ａｃｅｔａｔｅ）、テルピネオール（Ｔｅｒｐｉｎｅｏｌ）、およびジエチレングリコールモノブチルエーテル（Ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｇｌｙｃｏｌ Ｍｏｎｏｂｕｔｙｌ Ｅｔｈｅｒ）のうちから選択して用いることが好ましい。
前記高分子バインダーは、前記導電ペーストで前記導電パターンを形成した時に前記導電パターンの形状を維持させる役割をし、セルロース（Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）系樹脂、アクリル（Ａｃｒｙｌ）系樹脂、およびビニル（Ｖｉｎｙｌ）系樹脂などのうちから選択して用いることができる。
前記金属粉末を含む導電ペーストで導電パターンを形成する場合、金属光沢によりＰＤＰモジュールからの光と外部光が反射してコントラストに影響を及ぼすために黒化処理が求められる。
前記導電ペーストにカーボンブラックや黒色染料を添加してペーストの色を黒くして印刷する方法を考慮することができるが、カーボンブラックは銀をはじめとする金属に比べて比抵抗が高く、黒色染料は非導電性であるため、前記導電ペースト内で不純物として作用して、最終製品において面抵抗の上昇をもたらして電磁妨害の遮蔽性能が低下し得る。
そこで、前記問題を解決するために、本発明は、導電パターンを形成する基材としてスズ成分が拡散しているガラスを用いると同時に、導電パターンとガラスを焼成するステップを行い、面抵抗が上昇することなく、黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスを完成したのである。具体的に説明すれば次の通りである。
通常のフロート法により板ガラスを製造する場合、溶融スズ（ｍｏｌｔｅｎ ｔｉｎ）からＳｎ2+がガラスに拡散する。
フロート法によれば、窒素を主成分とする還元雰囲気下のフロート槽（ｂａｔｈ）に収容された６００〜１０５０℃の溶融スズ上に溶融ガラスを連続的に供給し、このガラスを延伸した後、溶融スズから脱着し冷却する方法により板ガラスを製造する。
この場合、溶融スズ上で製造される間、スズ（Ｓｎ0）は極めて小さい量で存在する酸素によって酸化し、Ｓｎ2+状態でガラス内部のＮａ+とのイオン交換反応により浸透し、浸透速度はＳｎ0またはＳｎ4+に比べて遥かに速い。
浸透し始まった前記Ｓｎ2+はガラス内部に存在するＦｅ3+との酸化還元反応によりＳｎ4+になったりもする（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｏｌｉｄｓ，２００１，２８２，１８８）。
したがって、表面においてはＳｎ2+の状態で主に存在し、Ｓｎ0またはＳｎ4+の状態は微量に存在する。この時、Ｓｎ2+の拡散される深さは溶融スズに接触するガラス面を基準に、ソーダ石灰ガラスの場合に２０μｍまでに浸透する（Ｊ．Ｎｏｎｃｒｙｓｔ．Ｓｏｌｉｄｓ，２０００，２６３，１３３）。
前記Ｓｎ2+が拡散しているガラス表面に前記導電ペーストで前記導電パターンを形成し、前記導電パターンを固定するために高温焼成する場合、ガラス面に拡散しているＳｎ2+は焼成過程で生成された前記導電ペーストのうちの金属粉末のイオンと反応をする。例えば、金属粉末として銀（Ａｇ）粉末を用い、金属粉末のイオンがＡｇ+である場合には下記の反応式１のように反応する。
前記反応によってＡｇ+がＡｇ0コロイド粒子に還元され、これは、黄褐色に変色する。この時、Ａｇ+の熱による拡散によって導電パターンの横面が変色し得るが、このような熱拡散の問題は工程温度を適切に調節すれば最小化することができる。
銀（Ａｇ）成分を含む導電パターンの場合、Ａｇ+の熱拡散による問題を最小化するために４００〜７００℃、好ましくは５００〜６５０℃で焼成することができる。
また、熱拡散問題を最小化するために焼成時間をさらに調節することができ、５００〜６５０℃で６０〜５００秒間、好ましくは６００〜６５０℃で１２０〜３００秒間焼成することができる。
このような現象は他の金属粉末を含む導電ペーストにも現れる。代表的な例が金属粉末として銅粉末を含むペーストである。銅も銀のように溶融スズのスズ成分と下記反応式２のように反応してルビー色を帯びる。
前記ルビー色はスペクトル上で遊離銅イオンによって約４５０ｎｍにおいて、そして（Ｃｕ0）nナノクリスタルによって約５７０ｎｍにおいて吸収スペクトルを示す（ｒｅｆ．Ｊ．Ｎｏｎｃｒｙｓｔ．Ｓｏｌｉｄｓ，２００６，３５，５３４）。
前記原理によって導電パターンとガラスとの間の界面を暗く変化させることにより、具体的には、表面にスズ成分が存在する銀ナノ粒子（ｓｉｌｖｅｒ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ）が前記導電パターンとガラスとの間の界面に存在することにより、導電パターンに含まれた金属成分による反射度を下げるだけでなく、導電パターンとガラスとの間の界面を着色する物質が金属成分であるために面抵抗の上昇も発生しない。
また、着色されたガラスフリットを含む導電ペーストを用いてスズ成分が拡散しているガラス上に導電パターンを形成した後に高温で焼成すれば、さらに面抵抗が上昇することなく、導電パターンとガラスとの間の界面をより黒化させることができる。
スズ成分が拡散しているガラス表面の反対面に導電パターンを形成する場合には、着色されたガラスフリットを用いて導電パターンとガラス基材との間の界面を黒化することができる。
前記ガラスフリットの着色成分は黒色だけに限定されず、灰色などの無彩色または茶色を含んで人間の視線に拒否感のない範囲内で黒化効果のある全ての色を用いることができる。
前記着色されたガラスフリットの着色成分としてはマンガン系またはコバルト系の着色成分を用いることができる。例えば、着色成分として、ＭｎＯおよびＣｏＯを用いることができる。
前記（ａ）ステップにおいて、前記導電パターンは印刷方法により形成することができる。ガラス表面に導電パターンを印刷する方法としてはオフセット印刷方法、スクリーン印刷方法、グラビア印刷方法、およびインクジェット印刷方法のうちから選択することができ、これらに限定されず、ガラス表面に直接印刷できる方法であれば当業者に公知された全ての印刷方法を利用することができる。
ここで、前記オフセット印刷方法は、凹凸が形成された平板またはローラの凹部に前記導電ペーストを充填するステップと；前記平板またはローラに印刷ブランケットを接触させ、前記導電ペーストを前記平板またはローラの前記凹部から前記印刷ブランケットに転写するステップ；および前記印刷ブランケットを前記ガラス表面に接触させ、前記導電ペーストを前記印刷ブランケットから前記ガラス表面に転写し、前記ガラス表面に電磁妨害遮蔽部として導電パターンを形成するステップとを含むことができる。ここで、凹凸の凹部の代わりに凸部を利用することもできる。
前記（ｂ）ステップにおいて、焼成を、前述したように導電パターンをガラス表面上に形成した後、４００〜７００℃で進行すれば、導電ペーストに含まれたガラスフリットが軟化して導電パターンとガラスとの間の付着力が向上する。
焼成温度が４００℃未満である場合には、導電ペーストに含まれている金属粉末、例えば、銀成分が溶けてガラスに融着するのに問題が生じ得る。さらには、焼成温度が４００℃未満である場合には、ガラスフリットがろくに溶けず、有機物が除去されないため、銀とガラスとの付着が良くない。
焼成温度が７００℃を超過する場合には、ガラスの曲げまたは表面凹凸による歪み点が発生するなどのガラス変形が生じ得るためにディスプレイ用として適用し難い。
一方、本発明に係る黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスは、少なくとも片面にスズ成分が拡散しているガラスおよび前記スズ成分が拡散しているガラス表面に形成された導電パターンを含み、前記導電パターンが形成された前記ガラスの焼成により前記導電パターンと前記ガラスとの間の界面は黒化されていることを特徴とする。前述した実施状態による内容が全て適用される。
本発明に係る黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスにおいて、前記導電パターンと前記ガラスとの間の界面は黒化されるが、これは、少なくとも片面にスズ成分が拡散しており、その面に導電パターンが形成されたガラスを焼成すれば、溶融スズと導電パターンに含まれた金属との反応によって形成されるのである。
本発明に係るＰＤＰフィルタは、前記黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラス；および前記黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの前側面または後側面に付着され、反射防止フィルム、近赤外線遮蔽フィルム、および色補正フィルムのうちから選択される少なくとも一つのフィルムを含む。
本発明に係るＰＤＰ装置は、前記ＰＤＰフィルタ；および前記ＰＤＰフィルタが取り付けられたプラズマディスプレイパネルを含む。
前記ＰＤＰフィルタは一対の基板からなる前記プラズマディスプレイパネルの前方に備えられることができる。
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明の保護範囲が下記実施例だけに限定されるものではない。
［実施例：黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造］
（１）導電ペーストの製造
有機バインダー樹脂液中に高分子バインダーであるエチルセルロースの含量が、高分子バインダーであるエチルセルロースと有機溶媒であるブチルカルビトールアセテートの重量の和の４０重量％になるように、高分子バインダーであるエチルセルロースを有機溶媒であるブチルカルビトールアセテート（Ｂｕｔｙｌ Ｃａｒｂｉｔｏｌ Ａｃｅｔａｔｅ）に溶解して有機バインダー樹脂液を製造し、これは、全体導電ペースト重量の２０重量％になるようにした。
（１）導電ペーストの製造
有機バインダー樹脂液中に高分子バインダーであるエチルセルロースの含量が、高分子バインダーであるエチルセルロースと有機溶媒であるブチルカルビトールアセテートの重量の和の４０重量％になるように、高分子バインダーであるエチルセルロースを有機溶媒であるブチルカルビトールアセテート（Ｂｕｔｙｌ Ｃａｒｂｉｔｏｌ Ａｃｅｔａｔｅ）に溶解して有機バインダー樹脂液を製造し、これは、全体導電ペースト重量の２０重量％になるようにした。
前記有機バインダー樹脂液にガラスフリットを全体導電ペースト重量の５重量％ほど添加し、最後に金属粉末として銀（Ａｇ）粉末を全体導電ペースト重量の７５重量％ほど添加した後に混練した。
その次、３段ロールミルを利用して固まっていた銀粉末とガラスフリットを均一に分散させ、ロールミルにより分散した導電ペーストの形状を有したことを確認した後にこれを回収した。
（２）導電パターンの印刷および焼成
フロート法により製造されたガラス基材上に前記方法により製造された銀導電ペーストを凹版オフセット印刷方法によって導電パターンとして形成し、６００℃で５分間焼成した後に常温に冷却し、黒化処理された導電パターンを有する電磁妨害遮蔽ガラスを製造した。
フロート法により製造されたガラス基材上に前記方法により製造された銀導電ペーストを凹版オフセット印刷方法によって導電パターンとして形成し、６００℃で５分間焼成した後に常温に冷却し、黒化処理された導電パターンを有する電磁妨害遮蔽ガラスを製造した。
前記ガラスはＮａ2Ｏを１ｗｔ％以上含むソーダ石灰ガラスであり、窒素を主成分とする還元雰囲気下のフロート槽（ｂａｔｈ）に収容された６００〜１０５０℃の溶融スズ上に溶融ガラスを連続的に供給して製造される通常のフロート法によって製造された。
（３）黒化度および面抵抗の検定
実施例により製作された製品に対して面抵抗および黒化度を測定した。面抵抗は三菱化学のＭＣＰ−Ｔ６００を利用して測定し、黒化度Ｌは導電パターンの反射度（５５０ｎｍ）を島津製作所のＵＶ−３６００を利用して測定した後、反射度からＬ値を算出した。ヘイズ（ｈａｚｅ）はＨＲ−１００で測定し、その結果は表１に示す。
実施例により製作された製品に対して面抵抗および黒化度を測定した。面抵抗は三菱化学のＭＣＰ−Ｔ６００を利用して測定し、黒化度Ｌは導電パターンの反射度（５５０ｎｍ）を島津製作所のＵＶ−３６００を利用して測定した後、反射度からＬ値を算出した。ヘイズ（ｈａｚｅ）はＨＲ−１００で測定し、その結果は表１に示す。
［比較例：黒化処理のない電磁妨害遮蔽ガラスの製造］
スズ成分が拡散しているガラス表面の反対面に導電パターンを形成することを除いては、実施例と同じ導電ペーストおよび印刷方法により導電パターンを形成し、焼成後、実施例と同じ方法により黒化度および面抵抗を測定した。
スズ成分が拡散しているガラス表面の反対面に導電パターンを形成することを除いては、実施例と同じ導電ペーストおよび印刷方法により導電パターンを形成し、焼成後、実施例と同じ方法により黒化度および面抵抗を測定した。
その結果を表１に実施例の結果と共に示す。
表１に示すように、本発明に係る電磁妨害遮蔽ガラスの場合、比較例より低い反射率および優れた黒化度（Ｌ）を示した（黒化度Ｌはその値が小さいほどより黒いという意味である）。
すなわち、比較例で製作された電磁妨害遮蔽ガラスの場合、スズ成分が拡散していないガラス面に導電パターンを形成するため、面抵抗は実施例の場合と同一であるが、導電パターンに含まれた銀（Ａｇ）成分の変化がないため、銀成分による反射率が実施例より大きい値を有する。すなわち、比較例の場合、スズと銀成分の反応を介した黒化処理がなされないことにより、実施例より大きい反射率を示すのである。
このように、スズ成分が拡散しているガラス表面に導電パターンを形成し焼成することにより、ガラスのスズと導電パターンの金属の反応によって黒化処理された本発明に係る電磁妨害遮蔽ガラスは、比較例に比べ、面抵抗が上昇することなく、導電パターンに含まれた金属成分による反射率が低く、優れた黒化度を提供することが分かる。
Claims (19)
- （ａ）スズ（Ｓｎ 2+ ）成分が拡散しているガラスの表面に銅および銀のうちから選択された１種以上の金属粉末を含む導電ペーストを用いて導電パターンを形成するステップ；および
（ｂ）前記導電パターンが形成されたガラスを焼成し、表面にスズ（Ｓｎ 2+ ）成分が存在する金属ナノ粒子が前記ガラスと前記導電パターンとの界面に存在するように黒化処理するステップ
を含むことを特徴とする黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法。 - 前記（ａ）ステップにおいて、前記スズ成分が拡散しているガラスはフロート法によって製造されることを特徴とする、請求項１に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法。
- 前記導電ペーストは、金属粉末、高分子バインダー、およびガラスフリットを有機溶媒に分散させて製造することを特徴とする、請求項１に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法。
- 前記有機溶媒は、ブチルカルビトールアセテート（Ｂｕｔｙｌ Ｃａｒｂｉｔｏｌ Ａｃｅｔａｔｅ）、カルビトールアセテート（Ｃａｒｂｉｔｏｌ Ａｃｅｔａｔｅ）、シクロヘキサノン（Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）、セロソルブアセテート（Ｃｅｌｌｏｓｏｌｖｅ Ａｃｅｔａｔｅ）、テルピネオール（Ｔｅｒｐｉｎｅｏｌ）、およびジエチレングリコールモノブチルエーテル（Ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｇｌｙｃｏｌ Ｍｏｎｏｂｕｔｙｌ Ｅｔｈｅｒ）からなる群から選択されることを特徴とする、請求項３に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法。
- 前記導電ペーストは、前記金属粉末７０〜９０重量％；前記ガラスフリット０．１〜１５重量％；および前記高分子バインダーと前記有機溶媒を含む有機バインダー樹脂液５〜３０重量％を含み、
前記有機バインダー樹脂液のうちの前記高分子バインダーの含量は、前記有機溶媒と前記高分子バインダーの重量の和の２０〜８０重量％であることを特徴とする、請求項３に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法。 - 前記ガラスフリットは着色されたガラスフリットを含むことを特徴とする、請求項３に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法。
- 前記（ａ）ステップにおいて、前記導電パターンは印刷方法によって形成されることを特徴とする、請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法。
- 前記印刷方法は、オフセット印刷方法、インクジェット印刷方法、グラビア印刷方法、およびスクリーン印刷方法からなる群から選択されることを特徴とする、請求項７に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法。
- 前記オフセット印刷方法は、凹凸が形成された平板またはローラの凹部に前記導電ペーストを充填するステップ；前記平板またはローラに印刷ブランケットを接触させ、前記導電ペーストを前記平板またはローラの前記凹部から前記印刷ブランケットに転写するステップ；および前記印刷ブランケットを前記ガラス表面に接触させ、前記導電ペーストを前記印刷ブランケットから前記ガラス表面に転写し、前記ガラス表面に前記導電パターンを形成するステップを含むことを特徴とする、請求項８に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法。
- 前記（ｂ）ステップにおいて、焼成は４００〜７００℃で行われることを特徴とする、
請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの製造方法。 - （ｉ）少なくとも片面にスズ（Ｓｎ 2+ ）成分が拡散しているガラスおよび（ｉｉ）前記スズ（Ｓｎ 2+ ）成分が拡散しているガラス表面に形成された導電パターンを含み、前記ガラスと前記導電パターンとの界面に、焼成によって形成された、表面にスズ（Ｓｎ 2+ ）成分が存在する金属ナノ粒子が存在することを特徴とする黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラス。
- 前記導電パターンは、金属粉末、高分子バインダー、およびガラスフリットを有機溶媒に分散させて製造した導電ペーストを用いて形成されることを特徴とする、請求項１１に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラス。
- 前記有機溶媒は、ブチルカルビトールアセテート（Ｂｕｔｙｌ Ｃａｒｂｉｔｏｌ Ａｃｅｔａｔｅ）、カルビトールアセテート（Ｃａｒｂｉｔｏｌ Ａｃｅｔａｔｅ）、シクロヘキサノン（Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）、セロソルブアセテート（Ｃｅｌｌｏｓｏｌｖｅ Ａｃｅｔａｔｅ）、テルピネオール（Ｔｅｒｐｉｎｅｏｌ）、およびジエチレングリコールモノブチルエーテル（Ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｇｌｙｃｏｌ Ｍｏｎｏｂｕｔｙｌ Ｅｔｈｅｒ）からなる群から選択されることを特徴とする、請求項１２に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラス。
- 前記導電ペーストは、前記金属粉末７０〜９０重量％；前記ガラスフリット０．１〜１５重量％；および前記高分子バインダーと前記有機溶媒を含む有機バインダー樹脂液５〜３０重量％を含み、
前記有機バインダー樹脂液のうちの前記高分子バインダーの含量は、前記有機溶媒と前記高分子バインダーの重量の和の２０〜８０重量％であることを特徴とする、請求項１２に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラス。 - 前記ガラスフリットは着色されたガラスフリットを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラス。
- 前記導電パターンは、前記スズ成分が拡散しているガラス表面に印刷方法によって形成されることを特徴とする、請求項１１に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラス。
- 前記黒化層は、前記導電パターンが形成された前記ガラスを４００〜７００℃で焼成して形成することを特徴とする、請求項１１に記載の黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラス。
- 請求項１１〜１７のうちのいずれか一項による黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラス；および
前記黒化処理された電磁妨害遮蔽ガラスの前側面または後側面に付着され、反射防止フィルム、近赤外線遮蔽フィルム、および色補正フィルムからなる群から選択される少なくとも一つのフィルム
を含むことを特徴とするＰＤＰフィルタ。 - 請求項１８によるＰＤＰフィルタを含むＰＤＰ装置。
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