JP5052300B2 - プローブ・ベースのデータ記憶デバイスにおけるデータを記録および再生するための方法、コンピュータ・プログラム、および装置、ならびにプローブ・ベースのデータ記憶デバイス - Google Patents
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Description
記憶表面上のw≦Mの間隔で離間する各プローブ位置において、一連の書き込み信号を印加することによって、記録信号内のn>1個の連続ビット・シーケンスである第1値を記録するステップであって、Mは前記インデントの結合距離で、前記記憶表面でn個の読み戻しサンプル位置に亘るグルーブを形成するステップと、
前記読み戻しサンプル位置に対応するタイミングで、前記記録信号に対応する読み戻し信号をサンプリングするステップであって、前記インデントの干渉しきい値Dに対して前記読み戻しサンプル位置間隔がs<Dとなるステップと、
を含む。
Mをインデントの結合距離として記憶表面上のw≦Mの間隔で離間する各プローブ位置において、一連の書き込み信号を印加して、記憶表面でn個の読み戻しサンプル位置に亘るグルーブを形成することによって、記録信号内のn>1個の連続ビット・シーケンスである第1値を記録し、
Dをインデントの干渉しきい値として読み戻しサンプル位置間隔sがs<Dとなるように、読み戻しサンプル位置に対応するタイミングで、記録信号に対応する読み戻し信号のサンプリングを制御する、
ようになっている。
記憶表面と、
記憶表面に対して移動可能な少なくとも1つのプローブを含み、記憶表面に対して書き込み・読み出しをする読み出し/書き込みメカニズムであって、書き込み信号の印加が、プローブによって記憶表面にインデントを形成させる読み出し/書き込みメカニズムと、
Mをインデントの結合距離として記憶表面上のw≦Mの間隔で離間する各プローブ位置において、一連の書き込み信号を印加して、記憶表面でn個の読み戻しサンプル位置に亘るグルーブを形成することによって、記録信号内のn>1個の連続ビット・シーケンスである第1値の記録を行う読み出し/書き込みメカニズムを制御する制御器と、
Dをインデントの干渉しきい値として読み戻しサンプル位置間隔sがs<Dとなるように、読み戻しサンプル位置に対応するタイミングで、記録信号に対応する読み戻し信号をサンプリングするサンプラと、
を含むプローブ・ベースのデータ記憶デバイスを提供する。
図3および図4を参照して説明した模範的な記録方式を実験的に試験して、既知のd=1の記録方式と比較した。全ての実験は、単一のカンチレバー試験台において、同一の単一プローブ/先端を用いて行った。既知の方式にd=1の符号化を適用したが、試験した実施形態においてユーザ・データに対する符号化を行っていないので、有効な線記録密度は異なっている。同一のシンボル・ピッチsに対し、d=1のシステムと比べて、本実施形態は50%高い密度を達成した。2つの方式を同一基準で比較するために、異なった密度で記録実験を数回行った。各記録方法およびデータ密度に対して、少なくとも10,000個のシンボル、すなわち各500個のシンボルの20トラックを記録し、また読み戻した。シンボル・ピッチは、本発明の実施形態に対しては、30.8、20.5、および15.4nmであり、d=1の方法に対しては、20.5、15.4、12.8、および10.3nmであった。これらの数値は、825から1650Kbit/inの範囲の線密度に相当する。トラックのピットが41.0nmに固定されていたので、相当する面密度は511から1022Gbit/in2の範囲である。全ての場合で、書き込み電圧を5.2V、および静電電圧を9.0Vに固定して、その両方を、D/2−間隔およびD/4−間隔の各パルスに対して、128μsおよび64μsの時間を有する6.0μsの期間のパルスで印加した。電子的ノイズおよび媒体ノイズの効果を低減するための読み戻し信号を平均するために、書き込みに用いたデータ・パターンは、各トラックで繰り返されたシーケンスを含んだ。
2 読み出し/書き込みメカニズム
4 サンプラ
5 記憶表面
6 制御器
7 コーダ
8 デコーダ
Claims (13)
- 書き込み信号の印加がプローブ・ベースのデータ記憶デバイス(1)のプローブによるインデントの形成を記憶表面(5)に生じさせる前記デバイス(1)におけるデータの記録/再生の方法であって、前記方法は、
Mを前記インデントの結合距離として前記記憶表面(5)上のw≦Mの間隔で離間する各プローブ位置において、一連の書き込み信号を印加して、前記記憶表面でn個の読み戻しサンプル位置に亘るグルーブを形成することによって、記録信号内のn>1個の連続ビット・シーケンスである第1値を記録するステップと、
前記読み戻しサンプル位置に対応するタイミングで、前記記録信号に対応する読み戻し信号をサンプリングするステップであって、前記インデントの干渉しきい値Dに対して前記読み戻しサンプル位置間隔sがs<Dとなるステップと、
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記記憶表面(5)上の対応する読み戻しサンプル位置において単一の書き込みパルスを印加することによって、前記記録信号内の前記第1値の隔離されたビットを記録するステップを含む方法。
- 請求項1から2のいずれかに記載の方法であって、前記記憶表面(5)の隣接するインデント間の各ランドの長さが<Dとなるように、前記記録信号内の前記第1値とは別の連続ビットの最大個数を制約するよう入力信号を符号化することによって、前記記録信号を生成するステップを含む方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記記録信号内の前記第1値とは別の連続ビットの最大個数が2に制約されるよう、前記入力信号を符号化するステップを含む方法。
- 請求項1から4のいずれかに記載の方法であって、前記記録信号内の前記第1値の連続ビットの最大個数を所定の数値に制約するよう入力信号を符号化することによって、前記記録信号を生成するステップを含む方法。
- 書き込み信号の印加がプローブ・ベースのデータ記憶デバイス(1)のプローブにより記憶表面(5)にインデントを形成させる前記デバイス(1)の処理を制御する命令を含むコンピュータ・プログラムであって、前記プログラムは、請求項1から5のいずれかに記載のデータ記録/再生方法を実行するよう、前記デバイス(1)を制御するようになっているコンピュータ・プログラム。
- 書き込み信号の印加がプローブ・ベースのデータ記憶デバイス(1)のプローブにより記憶表面(5)にインデントを形成させる前記デバイス(1)においてデータの記録/再生を制御する装置(6)であって、前記装置(6)は、
Mを前記インデントの結合距離として前記記憶表面(5)上のw≦Mの間隔で離間する各プローブ位置において、一連の書き込み信号を印加して、前記記憶表面でn個の読み戻しサンプル位置に亘るグルーブを形成することによって、記録信号内のn>1個の連続ビット・シーケンスである第1値の記録を行い、
Dを前記インデントの干渉しきい値として読み戻しサンプル位置間隔sがs<Dとなるように、前記読み戻しサンプル位置に対応するタイミングで、前記記録信号に対応する読み戻し信号のサンプリングを制御する、
ようになっている装置。 - 請求項7に記載の装置であって、前記記憶表面(5)上の対応する読み戻しサンプル位置に単一の書き込みパルスを印加することによって、前記記録信号内の前記第1値の隔離されたビットの記録を行うようにさらになっている装置。
- 請求項7から8のいずれかに記載の装置であって、前記装置(6、7、8)は、前記記憶表面(5)の隣接するインデント間の各ランドの長さが<Dとなるように、前記記録信号内の前記第1値とは別の連続ビットの最大個数を制約するよう入力信号を符号化することによって、さらに前記記録信号を生成するようになっている装置。
- 請求項9に記載の装置であって、前記入力信号の前記符号化は、前記記録信号内の前記第1値とは別の連続ビットの最大個数を2に制約する装置。
- 請求項7から10のいずれかに記載の装置であって、さらに、前記装置(6、7、8)は、前記記録信号内の前記第1値の連続ビットの最大個数を所定の数値に制約するよう入力信号を符号化することによって、前記記録信号を形成するようになっている装置。
- 請求項7から11のいずれかに記載の装置であって、前記第1値のビットは値「1」のビットである装置。
- 記憶表面(5)と、
前記記憶表面(5)に対して移動可能な少なくとも1つのプローブを含み、前記記憶表面(5)に対し書き込み・読み出しをする読み出し/書き込みメカニズム(2)であって、書き込み信号の印加が、前記プローブによって、前記記憶表面にインデントを形成させるメカニズム(2)と、
Mを前記インデントの結合距離として前記記憶表面(5)上のw≦Mの間隔で離間する各プローブ位置において、一連の書き込み信号を印加して、前記記憶表面でn個の読み戻しサンプル位置に亘るグルーブを形成することによって、記録信号内のn>1個の連続ビット・シーケンスである第1値の記録を行うように前記読み出し/書き込みメカニズム(2)を制御する制御器(6)と、
前記読み戻しサンプル位置に対応するタイミングで、前記記録信号に対応する読み戻し信号をサンプリングするサンプラ(4)であって、前記インデントの干渉しきい値Dに対して前記読み戻しサンプル位置間隔sがs<Dとなる、サンプラ(4)と、
を含む、プローブ・ベースのデータ記憶デバイス(1)。
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