JP5040385B2 - Polishing method - Google Patents
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Description
本発明は、試料を研磨して薄膜化する研磨装置及び方法に関し、微細なデバイスが形成された半導体チップの一部を試料とする場合等に適用して好適である。 The present invention relates to a polishing apparatus and method for polishing a sample to form a thin film, and is suitably applied to a case where a part of a semiconductor chip on which a fine device is formed is used as a sample.
従来より、例えば半導体デバイスの電気特性や元素分布等の評価を正確に行なうべく、AFM(Atomic Force Microscope:原子間力顕微鏡)、TEM(Transmission Electron Microscope:透過型電子顕微鏡)、SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry:二次イオン質量分析法)等の物理分析技術が用いられる。このような物理分析技術に供し、正確な分析を行なうには、試料である半導体チップ等を極薄状態に薄膜化することが必要である。 Conventionally, for example, AFM (Atomic Force Microscope), TEM (Transmission Electron Microscope), SIMS (Secondary Ion Mass) are used to accurately evaluate electrical characteristics and element distribution of semiconductor devices. A physical analysis technique such as Spectrometry (secondary ion mass spectrometry) is used. In order to perform such a physical analysis technique and perform an accurate analysis, it is necessary to thin a semiconductor chip or the like as a sample into an extremely thin state.
通常、上記のような薄膜試料を作製するには、試料表面を研磨加工して薄膜化する研磨装置が用いられる。この研磨装置は、試料を研磨する研磨板を備えた研磨部と、試料を固定保持し、研磨板の研磨表面に対して試料を接触させる試料保持部とを備えて構成されている。研磨時には、例えば試料である半導体チップの裏面を回転する研磨板の表面に接触させ、半導体チップのデバイス構造を残したまま目的の位置を露出させる。この場合、全体の試料の厚みを1μm以下程度にまで削ることを要する。このように、ミリメートルオーダーのサイズの半導体チップを1μm以下程度の厚みに削る場合、研磨を終了した試料の表面において、極めて高い平坦度が要求される。 Usually, in order to produce the thin film sample as described above, a polishing apparatus that polishes the sample surface to form a thin film is used. This polishing apparatus includes a polishing unit including a polishing plate for polishing a sample, and a sample holding unit that holds the sample fixedly and brings the sample into contact with the polishing surface of the polishing plate. At the time of polishing, for example, the back surface of a semiconductor chip as a sample is brought into contact with the surface of a rotating polishing plate, and the target position is exposed while leaving the device structure of the semiconductor chip. In this case, it is necessary to reduce the thickness of the entire sample to about 1 μm or less. As described above, when a semiconductor chip having a size on the order of millimeters is cut to a thickness of about 1 μm or less, extremely high flatness is required on the surface of the sample that has been polished.
しかしながら、従来の研磨装置では、研磨時に研磨部及び試料保持部の双方が共に回転し、試料保持部に支持された試料を研磨部に対して相対的に研磨する構成を採ることから、試料において研磨方向、接触角及び研磨速度が常に一定でない。そのため、試料の研磨面に研磨痕や応力ムラが発生し易く、特にシリコンのような脆い材質の試料では容易に劈開が発生し、結果として割れが生じてしまう。また、薄膜化された試料が得られたとしても、試料の研磨面に研磨傷が生じてしまい、十分な表面平坦度が得られないことから、試料表面における分析評価の可能な領域が極めて狭くなるという問題がある。 However, the conventional polishing apparatus employs a configuration in which both the polishing unit and the sample holding unit rotate during polishing and the sample supported by the sample holding unit is polished relative to the polishing unit. Polishing direction, contact angle and polishing rate are not always constant. For this reason, polishing marks and stress unevenness are likely to occur on the polished surface of the sample. In particular, a sample made of a brittle material such as silicon is easily cleaved, resulting in cracks. Moreover, even if a thinned sample is obtained, a polishing flaw occurs on the polished surface of the sample, and sufficient surface flatness cannot be obtained. There is a problem of becoming.
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、試料の研磨面における研磨痕や応力ムラの発生を抑え、試料表面の極めて広い範囲において十分な平坦度が得られて分析評価の可能な領域の大幅な拡大化を実現し、信頼性の高い薄膜化された試料を得ることができる研磨方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, suppresses the occurrence of polishing marks and stress unevenness on the polished surface of the sample, and can provide sufficient flatness over an extremely wide range of the sample surface for analysis evaluation. It is an object of the present invention to provide a polishing method that can realize a large enlargement of such a region and obtain a highly reliable thin film sample.
本発明の研磨方法は、試料を研磨して薄膜化する研磨方法であって、前記試料が固定され、前記試料を研磨する研磨表面内で移動自在とされた前記試料台が、前記研磨表面内の所定部位で位置固定され、前記試料の前記研磨表面との任意の接触点における研磨方向を一定不変とされた状態で、前記試料を研磨して薄膜化する。 The polishing method of the present invention is a polishing method for polishing a sample to form a thin film, wherein the sample stage is fixed and is movable within a polishing surface for polishing the sample. The sample is polished and thinned in a state where the position is fixed at a predetermined portion of the sample and the polishing direction at an arbitrary contact point with the polishing surface of the sample is kept constant.
本発明によれば、試料の研磨面における研磨痕や応力ムラの発生を抑え、試料表面の極めて広い範囲において十分な平坦度が得られて分析評価の可能な領域の大幅な拡大化を実現し、信頼性の高い薄膜化された試料を得ることができる。 According to the present invention, the generation of polishing marks and stress unevenness on the polished surface of the sample is suppressed, and sufficient flatness is obtained over a very wide range of the sample surface, thereby realizing a large enlargement of the area that can be analyzed and evaluated. A highly reliable thin film sample can be obtained.
−本発明の基本骨子−
本発明者は、試料を研磨する研磨表面を備えた研磨部と、研磨表面に対して試料を接触させる試料保持部とを備えた研磨装置において、研磨時における試料の研磨痕や応力ムラの発生が、研磨表面内の研磨速度と試料が固定される試料台との速度差及び研磨表面の局所的凹凸に起因する摩擦力の試料表面におけるバラツキに起因するものであることを見出した。更に、研磨時に研磨表面に対して試料保持部が言わばランダムに移動することから、研磨方向が試料の劈開面に平行となる場合(瞬間的な場合も含む)があり、このときに試料が劈開して割れが発生することを見出した。
-Basic outline of the present invention-
The present inventor uses a polishing unit having a polishing surface for polishing a sample, and a sample holding unit for bringing the sample into contact with the polishing surface. However, the present inventors have found that this is due to the difference in speed between the polishing speed in the polishing surface and the sample stage on which the sample is fixed, and the variation in the friction force caused by local irregularities on the polishing surface on the sample surface. Furthermore, since the sample holder moves randomly relative to the polishing surface during polishing, the polishing direction may be parallel to the cleaved surface of the sample (including momentary cases). At this time, the sample is cleaved. And found that cracking occurs.
本発明では、上記の考察に基づき、試料保持部に、試料台を研磨表面に対して移動自在とし、試料台を研磨表面内の任意の位置で固定する試料台設置機構を設ける。この場合、研磨時において、研磨部の研磨方向(研磨部が回転駆動する研磨板である場合には、試料の研磨表面との接触点における回転接線方向)、研磨方向に対する接触角及び研磨速度が常に一定に保たれる。この構成では、試料の研磨表面における研磨方向、接触角及び研磨速度を適宜調節して研磨することにより、試料の研磨面における研磨痕や応力ムラの発生を抑止することができる。従って、試料表面の極めて広い範囲において十分な平坦度が得られて分析評価の可能な領域の大幅な拡大化を実現し、信頼性の高い薄膜化された試料を得ることができる。 In the present invention, based on the above consideration, the sample holder is provided with a sample stage installation mechanism that allows the sample stage to move with respect to the polishing surface and fixes the sample stage at an arbitrary position within the polishing surface. In this case, at the time of polishing, the polishing direction of the polishing part (in the case where the polishing part is a rotationally driven polishing plate, the rotational tangent direction at the contact point with the polishing surface of the sample), the contact angle with respect to the polishing direction, and the polishing rate are Always kept constant. In this configuration, the polishing direction and the contact angle on the polishing surface of the sample, the polishing angle, and the polishing rate are appropriately adjusted to suppress the occurrence of polishing marks and stress unevenness on the polishing surface of the sample. Accordingly, sufficient flatness can be obtained in a very wide range of the sample surface, and the region where analysis and evaluation can be performed can be greatly enlarged, and a highly reliable thin sample can be obtained.
接触角を適宜調節するには、試料保持部に、試料台に固定された試料の研磨表面内における研磨方向に対する設置角度を調節する角度調節機構を付加すれば良い。この場合、角度調節機構に、試料台に隣接して、設置角度を視認自在とする角度スケールを設けることが好適である。この角度調節機構により、作業者は接触角を容易且つ正確に任意値に設定し、試料の劈開等の発生を確実に防止することができる。試料がシリコンのような脆い材質である場合、容易に劈開が発生し、結果として割れが生じてしまうが、接触角の調節により試料の劈開発生の懸念が払拭される。 In order to adjust the contact angle as appropriate, an angle adjusting mechanism for adjusting the installation angle with respect to the polishing direction in the polishing surface of the sample fixed to the sample table may be added to the sample holding unit. In this case, it is preferable that the angle adjusting mechanism is provided with an angle scale adjacent to the sample stage so that the installation angle is visible. With this angle adjustment mechanism, the operator can easily and accurately set the contact angle to an arbitrary value, and reliably prevent the occurrence of cleaving of the sample. When the sample is made of a brittle material such as silicon, cleavage easily occurs, resulting in cracking. However, the adjustment of the contact angle eliminates the concern of the sample cracker.
なお、特許文献1には、試料の周囲にダミー試料を貼付し、両者の厚みの差から研磨角度を調節する技術が開示されている。また、特許文献2には、微小な試料片をエネルギービームを用いて平面状に加工する技術が開示されている。しかしながら、前者の技術では、試料の研磨を行なうために当該試料に加えてダミー試料を設ける必要がある。従って、本発明とは異なる発明であり、余計な手間がかかるとともに、試料構成の複雑化を招くことは必至である。また、後者の技術では、試料表面の平坦化にエネルギービームを用いるという、本発明とは異なる発明であり、本発明に比較して迂遠な構成を採るものであると言える。
Patent Document 1 discloses a technique in which a dummy sample is attached around a sample and the polishing angle is adjusted based on the difference in thickness between the two.
−本発明を適用した好適な実施形態−
以下、本発明を適用した好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
-Preferred embodiment to which the present invention is applied-
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings.
(研磨装置の構成)
図1は、本実施形態による研磨装置の概略構成をその動作と共に示す斜視図である。図2は、研磨装置の構成要素である試料保持部の概略構成を示す平面図である。なお、試料保持部2の構成部材である試料台設置機構12については、便宜上、図1では図示を省略する。
この研磨装置は、図1(a)に示すように、試料10を研磨加工する研磨板を有する研磨部1と、研磨板の研磨表面1aに対して試料10を接触させる試料保持部2とを備えて構成されている。
(Configuration of polishing equipment)
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of the polishing apparatus according to the present embodiment together with its operation. FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of a sample holder which is a component of the polishing apparatus. In addition, about the sample
As shown in FIG. 1 (a), this polishing apparatus includes a polishing unit 1 having a polishing plate for polishing a
研磨部1は、円板形状の板状部材である研磨板を有しており、研磨板の研磨表面1aに試料10を接触させて回転駆動(図1には一例として、研磨表面1aの回転方向を矢印A1で示す。)することにより試料10を所望の厚みに薄膜化する。なお、研磨部としては、円板形状のものに代わって、例えば矩形状の板状部材とし、これを所定方向に揺動させて試料10を研磨加工するようにしても良い。
試料10としては、主に半導体チップ等を想定している。半導体チップを構成する主材料であるシリコンは比較的脆い材質であり、劈開が生じ易いものである。
The polishing unit 1 has a polishing plate that is a disk-shaped plate member, and is rotated by bringing the
As the
試料保持部2は、試料10が固定される試料台11と、試料台11を研磨表面1aに対して移動自在とし、試料台11を研磨表面1a内の任意の位置で固定する試料台設置機構12と、試料台11に固定された試料10の研磨表面1a内における研磨方向に対する設置角度を調節する角度調節機構13と、試料台11を研磨表面1aに対して水平となるように調節する水平調節機構14とを備えて構成されている。ここで、試料台11、角度調節機構13、及び水平調節機構14が試料保持部2の本体2aに設けられている。
The
試料台設置機構12は、例えば図2に示すように、本体2aを把持するチャッキング部材12aと、チャッキング部材12aを面内で自在に並進移動させ、所定位置でチャッキング部材12aを固定するアーム部材12bとを有して構成されている。
研磨加工時には、チャッキング部材12aにより本体2aを側面から把持し、アーム部材12bにより本体2aを研磨部1の研磨表面1a内で並進移動(図1には一例として、研磨表面1aの半径方向への移動を矢印A2で示す。)させ、研磨表面1a上の所定位置で固定する。
For example, as shown in FIG. 2, the sample
During polishing, the
試料10の研磨表面1aに対する研磨方向を固定化することにより、試料10の研磨表面1aとの接触部位(接触点)における研磨速度又はトルクが一定となる。更に、研磨表面1aと試料10との接触角が一定となるため、研磨に伴う摩擦力が試料10の表面上で一定となる。従って、試料10の表面における研磨痕や応力ムラの発生を抑止され、試料10の表面の極めて広い範囲において十分な平坦度が得られて分析評価の可能な領域の大幅な拡大化を実現し、信頼性の高い薄膜化された試料を得ることができる。本実施形態では、例えば1ミリメートル角の試料10を1μm以下の厚みとなるまで、割れを防ぎつつ平坦に試料10を加工研磨することができる。
By fixing the polishing direction with respect to the
試料台11は、棒状部材であり、先端部位に試料10が設置されるように構成されている。先端部位には、図1(b)に示すように、試料10の一辺を合わせて貼付するためのグリッド11aが形成されている。更に、試料台11の側面には、グリッド11aに対応した設置マーカーとなるノッチ11bが形成されている。
The
角度調節機構13は、試料台11に隣接して設けられ、研磨方向を基準とした設置角度を視認自在とする角度スケール13aを有しており、角度スケール13aに対して試料台11を適宜回転移動させることにより、設置角度を所望値に設定することができる。
研磨加工時には、試料10をその一辺がグリッド11aと適宜重なるように貼付し、ノッチ11bが角度スケール13aにおける設置角度の基準位置(0°)に調節される。この状態で設置角度を所望値に設定すれば良い。
The
At the time of polishing, the
なお、角度調節機構13における角度調節は、操作者が手動で行なうようにしても良いが、微小角度の調節を正確に行なうべく、例えば図3に示すように、角度調節機構13に設置角度の自動調節機構21を接続し、自動調節機構21により試料台11を適宜回転移動させ、設置角度を所望値に設定するように構成しても好適である。更には、角度スケール13aを設ける代わりに(或いは角度スケール13aに加えて)、例えばモニター22を自動調節機構22と接続し、モニター22により設置角度の所望値を自動調節機構21に指示し、自動調節機構21の駆動により試料台11の設置角度を設定するように構成しても良い。
The angle adjustment in the
水平調節機構14は、研磨表面1aに対して試料台11を支持調節する一対の支持棒14a,14bと、各支持棒14a,14bの研磨表面1aからの高さを調節するマイクロメータ14cとを備えて構成されている。マイクロメータ14cにより各支持棒14a,14bの高さを適宜調節することにより、試料台11に固定された試料10の研磨表面1aへの接触状態を制御する。
The
本実施形態では、試料10が半導体チップ等の比較的脆く劈開が生じ易い材質のものである場合に、試料10の研磨加工時において、角度調節機構13により、研磨方向に対して試料10の劈開面を傾斜させた状態に設定する。試料台設置機構12により、この状態で試料10を研磨表面1aに対して固定保持し、研磨を開始する。
In the present embodiment, when the
図4(a)に示すように、設置角度が0°である場合、研磨方向と試料10の劈開面とは平行となり、試料10に劈開が発生し易くなる。これは、従来技術のように試料10を研磨表面1aに対して移動自在の状態で研磨加工する際に、試料10が研磨表面1a上でランダムに移動した結果、研磨方向が試料10の劈開面に平行(試料10の一辺10aと垂直)となった場合に相当する。
As shown in FIG. 4A, when the installation angle is 0 °, the polishing direction and the cleavage surface of the
これに対して、研磨方向に対して試料10の劈開面を傾斜させた状態で試料10を研磨表面1aに対して固定保持し、研磨する場合、研磨方向と試料10の劈開面とは非平行となり、試料10には劈開が発生し難くなる。
図4(b)に示すように、具体的に本実施形態では、角度調節機構13により、設置角度(試料10の一辺10aの研磨方向に対する垂直状態を0°とする。)を10°以上45°以下の範囲内の値に設定する。このように設置角度を調節して試料10を研磨加工することにより、脆い材質の試料10でも数μm程度の厚みまで割れを生ぜしめることなく、試料10を1μm以下まで薄膜化することができる。
On the other hand, when the
As shown in FIG. 4B, specifically, in the present embodiment, the
図5(a)に示すように、例えばシリコンの(110)面の劈開を防止するには、試料10を基準位置(劈開面(0°)の位置)から7°程度以上傾斜させれば良いことが経験的に判っている。この方向は結晶学的に見て(110)方向から近いランダム方向である。試料台11への試料10の貼付精度等を考慮してマージンを加えれば、研磨加工時における試料10の劈開を防止できる設置角度の下限値は10°程度であると認められる。なお、上記ではシリコンの(110)面の劈開を例に採って説明したが、他の材料や他の結晶面についても同様の議論が成立する。
As shown in FIG. 5A, for example, in order to prevent cleavage of the (110) plane of silicon, the
一方、図5(b)の左図に示すように、研磨加工時における試料10の劈開を防止できる設置角度の上限値は45°程度である。これは、試料10の結晶における対称性から得られる値である、即ち、図5(b)の右図に示すように、設置角度を45°より大値(図示の例では60°)とすると、設置角度の劈開面に対する他方の角度が45°未満(図示の例では30°)となるためである。
On the other hand, as shown in the left diagram of FIG. 5B, the upper limit of the installation angle that can prevent the cleavage of the
(研磨方法)
以下、上述した研磨装置を用いて試料10を研磨する方法について説明する。
図6は、本実施形態による研磨方法を工程順に示すフロー図である。図7は、本実施形態による研磨方法における研磨加工の様子を示す模式図である。
(Polishing method)
Hereinafter, a method for polishing the
FIG. 6 is a flowchart showing the polishing method according to the present embodiment in the order of steps. FIG. 7 is a schematic view showing a state of polishing in the polishing method according to the present embodiment.
先ず、図7(a)に示すように、複数の素子パターン20が形成された半導体基板30から、例えば1mm角程度のサイズに試料片3を切り出す。そして、所定の接着剤38を用いてガラス板39に試料片3を貼付し、試料10を作製する。試料10を作製する際には、当該研磨が表面研磨であるか裏面研磨であるかにより、ガラス板39への貼付面が異なる。表面研磨を行なう場合を図7(b)に、裏面面研磨を行なう場合を図7(c)にそれぞれ示す。前者の場合には試料10の裏面が貼付面となり、後者の場合には試料10の表面が貼付面となる。
First, as shown in FIG. 7A, the
試料10においては、素子パターン20として例えばMOSトランジスタが形成されている。このMOSトランジスタは、STI素子分離構造31で活性領域が確定され、当該活性領域にゲート絶縁膜32を介したゲート電極33と、その両側にソース/ドレイン領域34とが形成され、これらを覆うように層間絶縁膜35aが形成され、層間絶縁膜35aに形成されたコンタクト孔36を介してソース/ドレイン領域34と電気的に接続された配線37が形成され、配線37を覆う層間絶縁膜35bが形成されて、概略構成されている。
In the
上記のように作製した試料10のガラス板39を、試料台11のグリッド11aに合わせ、例えばワックスを用いて貼付する(ステップS1)。
続いて、試料10が貼付された試料台11を、試料保持部2の本体2aに設置する(ステップS2)。
続いて、試料台11が設置された試料保持部2を試料台設置機構12に設置し、試料保持部2を研磨部1の研磨表面1aに接触させて固定保持する(ステップS3)。
The
Subsequently, the sample table 11 to which the
Subsequently, the
続いて、研磨部1により、研磨板を回転駆動して試料10の試し研磨を行なう(ステップS4)。
続いて、試し研磨の結果に基づき、試料10の表面に生じた研磨痕を例えば光学顕微鏡や走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察し、当該研磨痕の方向(研磨方向)と劈開方向との角度差を測定する(ステップS5)。
Subsequently, the polishing section 1 drives the polishing plate to perform trial polishing of the sample 10 (step S4).
Subsequently, based on the result of the trial polishing, the polishing mark generated on the surface of the
続いて、ステップS5において研磨方向と劈開方向との角度差を測定した結果、当該角度差が例えば10°以上45°以下か否かを判定する(ステップS6)。
ステップS6において、当該角度差が例えば10°以上45°以下であると判定されたならば、試料10の設置角度が規定範囲であり、試料10に劈開が生じ難い状態であると認められるため、ステップS8へ進む。
Subsequently, as a result of measuring the angle difference between the polishing direction and the cleavage direction in step S5, it is determined whether or not the angle difference is, for example, not less than 10 ° and not more than 45 ° (step S6).
In step S6, if it is determined that the angle difference is, for example, 10 ° or more and 45 ° or less, the installation angle of the
一方、ステップS6において、当該角度差が例えば10°より小値(或いは45°より大値)と判定されたならば、試料10の設置角度が規定範囲から外れており、試料10に劈開が生じ易い状態であると認められるため、角度調節機構13により試料10の設置角度が規定値内の所望値となるように、試料台11を回転させて調節する(ステップS7)。そして、再びステップS4の試し研磨を行なう。
On the other hand, if it is determined in step S6 that the angle difference is smaller than, for example, 10 ° (or larger than 45 °), the installation angle of the
続いて、設置角度が規定値と判断された試料10において、水平調節機構14により、研磨部1の研磨表面1aとの接触状態、即ち水平度を調節する(ステップS8)。
続いて、粗仕上げ用の研磨液及び研磨板を用い、研磨部1により、研磨板を回転駆動して試料10の粗研磨を行なう(ステップS9)。この粗研磨処理の際に、必要であれば、水平調節機構14により試料10の水平度を微調整しながら当該粗研磨処理を行なう。
Subsequently, in the
Subsequently, the polishing plate 1 is rotationally driven by the polishing unit 1 using a polishing liquid and a polishing plate for rough finishing, and the
続いて、ステップS9において粗研磨を行なった試料10の厚みを測定し、当該厚みが例えば10μm以下か否かを判定する(ステップS10)。
ステップS10において、当該厚みが10μm以下と判定されたならば、試料10の研磨表面1aに対する水平度が許容範囲にあると認められるため、ステップS11へ進む。
一方、ステップS10において、当該厚みが10μmより大値と判定されたならば、試料10の研磨表面1aに対する水平度が許容範囲になく不十分であると認められるため、再びステップS8で試料10の水平度の調節を行なう。
Subsequently, the thickness of the
If it is determined in step S10 that the thickness is 10 μm or less, it is recognized that the level of the
On the other hand, if it is determined in step S10 that the thickness is larger than 10 μm, it is recognized that the level of the
続いて、試料10の水平度が許容範囲にあると認められた場合には、精密仕上げ用の研磨液及び研磨板を用い、研磨部1により、研磨板を回転駆動して試料10の精密研磨を行なう(ステップS11)。この精密研磨処理の際に、必要であれば、水平調節機構14により試料10の水平度を微調整しながら当該精密研磨処理を行なう。
Subsequently, when it is recognized that the level of the
続いて、ステップS11において精密研磨を行なった試料10の厚みを測定し、当該厚みが例えば1μm以下か否か、或いは試料1の表面から目的物(例えば配線37の一部等)が露出したか否かを判定する(ステップS12)。
Subsequently, the thickness of the
ステップS12において、当該厚みが1μm以下、或いは試料1の表面から目的物が露出したと判定されたならば、試料10の研磨結果が良好であると認められるため、当該研磨処理を終了する。
一方、ステップS12において、当該厚みが1μmより大値、或いは試料1の表面から目的物が未だ露出していないと判定されたならば、試料10の研磨結果が不十分であると認められるため、水平調節機構14により再び研磨部1の水平度を調節する(ステップS13)。そして、再度ステップS11の精密研磨処理を行なう。
If it is determined in step S12 that the thickness is 1 μm or less or the object is exposed from the surface of the sample 1, the polishing result of the
On the other hand, if it is determined in step S12 that the thickness is greater than 1 μm, or the object is not yet exposed from the surface of the sample 1, it is recognized that the polishing result of the
以上説明したように、本実施形態によれば、試料10の研磨面における研磨痕や応力ムラの発生を抑え、試料10の表面の極めて広い範囲において十分な平坦度が得られて分析評価の可能な領域の大幅な拡大化を実現し、信頼性の高い薄膜化された試料を得ることができる。この構成により、AFMやTEM、SIMS等による微細化したデバイスの広範囲且つ正確な評価が可能になり、1つの試料の観察評価によって多くの情報が得ることができる。
As described above, according to the present embodiment, generation of polishing marks and stress unevenness on the polished surface of the
1 研磨部
1a 研磨表面
2 試料保持部
2a 本体
10 試料
11 試料台
11a ノッチ
11b グリッド
12 試料台設置機構
12a チャッキング部材
12b アーム部材
13 角度調節機構
13a 角度スケール
14 水平調節機構
14a,14b 支持棒
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (4)
前記試料が固定され、前記試料を研磨する研磨表面内で移動自在とされた試料台が、前記研磨表面内の所定部位で位置固定され、前記試料の前記研磨表面との任意の接触点における研磨方向を一定不変とされた状態で、前記試料を研磨して薄膜化することを特徴とする研磨方法。 A polishing method for polishing a sample to form a thin film,
The sample is fixed, specimen table which is movable in a polishing surface for polishing the sample, at any point of contact with the fixed in position at a predetermined site within the polishing surface, the polishing surface of the sample A polishing method comprising polishing the sample to form a thin film in a state where the polishing direction is constant.
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