JP5040315B2 - 検査方法、検査システムおよび検査装置 - Google Patents
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Description
まず、検査の原理について説明する。
ウェーハ上の欠陥(ここでは異物およびCOP)は、レーザ散乱測定によって検出することができる。レーザ散乱測定によって検出されるウェーハ上の欠陥を異物とCOPとに弁別する際には、それらにレーザ光を照射したときに得られる散乱光強度に基づいて弁別する弁別線が用いられる。
まず、上記のように、標準粒子付着ウェーハを用いて、図1に示したような参照弁別線を設定した後、異物付着ウェーハのレーザ散乱測定を行い、図1に示したように、その欠陥(異物およびCOP)について得られた散乱光強度をプロットし、その近似線を設定する。近似線は、参照弁別線と同様に一次関数によって表すことができるほか、多次の関数によって表すこともできる。
弁別線を用いて、製品ウェーハの検査を行う場合には、次のような流れで行うことができる。
ステップS6において、製品ウェーハで検出された欠陥を異物とCOPとに弁別する場合には、製品ウェーハ上の欠陥について得られた散乱光強度が、弁別線より上側か下側かによって、その欠陥を異物とCOPとに弁別する。すなわち、図4に示すように、散乱光強度が弁別線より上側になる欠陥(図中○で表示)は異物と判定し、散乱光強度が弁別線より下側になる欠陥(図中□で表示)はCOPと判定する。
図5は検査システムの一例の概念図である。
検査装置10は、このようにして設定された弁別線を用い、上記のように、レビューを行うウェーハ(例えば製品ウェーハ)において検出された欠陥を異物とCOPとに弁別して、異物の検査データのみをレビューSEM20に送信し、レビューSEM20は、その異物の検査データを用いて、そのウェーハのレビューを行う。
図6は検査装置の構成例を示す図である。
抽出手段15は、記憶手段12によって記憶された異物付着ウェーハの測定データのうち、参照弁別線および近似線を用いて選択される特定の測定データ、およびそれに該当する欠陥の検査データを抽出する。また、抽出手段15は、記憶手段12によって記憶された製品ウェーハの検査データのうち、レビューSEM20においてレビューを行うべき異物についての検査データを抽出する。
レビューSEM20は、図7に示すように、通信手段21、記憶手段22、SEM測定手段23、欠陥判定手段24、抽出手段25および出力手段26を有する。
出力手段26は、SEM測定手段23によって生成されたSEMデータを、適当な処理を施し、表示装置や印刷装置等に出力する。
まず、検査装置10の処理フローについて説明する。なお、ここでは、はじめに弁別線を設定し、その弁別線を用いて製品ウェーハ上の欠陥を弁別して、その製品ウェーハ上の異物をレビューする場合について説明する。
検査装置10では、弁別線を設定するため、まず、標準粒子付着ウェーハのレーザ散乱測定による欠陥検出処理が行われる。
標準粒子付着ウェーハに対する欠陥検出処理後、検査装置10は、参照弁別線設定手段13により、標準粒子付着ウェーハの測定データを用い、参照弁別線を設定する(ステップS12)。得られた参照弁別線のデータは、記憶手段12により記憶される。
その際、検査装置10は、欠陥検出手段11により、異物付着ウェーハに対するレーザ光の低角度照射時の測定データを取得し(ステップS13)、続いて、その異物付着ウェーハに対するレーザ光の高角度照射時の測定データを取得する(ステップS14)。異物付着ウェーハの測定データは、記憶手段12により記憶される。
また、異物付着ウェーハは、例えば、このステップS13,S14の欠陥検出処理が終了した段階で、レビューSEM20へと搬送される。
その際、検査装置10は、欠陥検出手段11により、製品ウェーハに対するレーザ光の低角度照射時の測定データを取得し(ステップS20)、続いて、その製品ウェーハに対するレーザ光の高角度照射時の測定データを取得する(ステップS21)。製品ウェーハの測定データは、記憶手段12により記憶される。
また、製品ウェーハは、例えば、このステップS20,S21の欠陥検出処理が終了した段階で、レビューSEM20へと搬送される。
ここで、図9はマップの一例を示す図である。検査装置10は、弁別データを用い、製品ウェーハ上で検出された欠陥を異物とCOPとに分け、図9に示すような、製品ウェーハ上の異物の存在位置を示したマップ(異物マップ)と、COPの存在位置を示したマップ(COPマップ)とを、それぞれ出力する。
図8に戻り、製品ウェーハについての弁別データの生成後、検査装置10は、抽出手段15により、その弁別データを用い、記憶手段12により記憶された製品ウェーハの欠陥の検査データのうち、異物の検査データのみを抽出し(ステップS24)、通信手段16により、その抽出した製品ウェーハの異物の検査データをレビューSEM20へ送信する(ステップS25)。
まず、レビューSEM20には、検査装置10から、その欠陥検出処理を終えた異物付着ウェーハが搬送される。
レビューSEM20は、通信手段21により、上記図8のステップS25で検査装置10から送信される製品ウェーハの異物の検査データを受信する(ステップS35)。受信された異物の検査データは、記憶手段22により記憶される。
一般に、コンピュータは、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、HDD(Hard Disk Drive)、グラフィック処理部、入力I/F(Interface)、通信I/F等によって構成され、これらはバスを介して接続される。ここで、CPUは、HDDに格納されているプログラムに記述された処理を実行する。ROMは、CPUが実行する基本的なプログラムやデータを格納する。RAMは、CPUが実行途中のプログラムやデータを格納する。HDDには、CPUが実行するOS(Operating System)やアプリケーションプログラム、各種データ等が格納される。グラフィック処理部は、CPUからの描画命令に従って表示装置に画像を表示させる。入力I/Fには、マウスやキーボードが接続され、これらによってユーザが入力した情報を受信し、バスを介してCPUに送信する。通信I/Fは、各コンピュータ間のLAN(Local Area Network)接続のためのインタフェースである。
所定の粒子に光を照射して散乱光強度を測定し、
複数種の欠陥に光を照射して散乱光強度を測定し、
前記複数種の欠陥のうち、前記所定の粒子から測定された散乱光強度を用いて選択される一部の欠陥について、種類の判定を行い、
前記判定に基づいて、前記複数種の欠陥から測定された散乱光強度の前記種類による境界値を示す弁別線を設定し、
設定された前記弁別線を用いて、前記被検査体の欠陥を弁別することを特徴とする検査方法。
前記所定の粒子から測定された散乱光強度の境界値を示す参照弁別線を設定し、
前記複数種の欠陥から測定された散乱光強度の近似線を設定し、
前記複数種の欠陥のうち、前記参照弁別線と前記近似線との間の散乱光強度を示す前記一部の欠陥について、前記種類の判定を行うことを特徴とする付記1記載の検査方法。
前記複数種の欠陥に光を照射して散乱光強度を測定する際には、前記複数種の欠陥に光を前記第1,第2の角度で照射してそれぞれ散乱光強度を測定することを特徴とする付記1〜3のいずれかに記載の検査方法。
前記被検査体に光を照射して散乱光強度を測定し、
前記被検査体の欠陥から測定された散乱光強度と前記弁別線との比較を行い、
前記比較に基づいて、前記被検査体の欠陥を弁別することを特徴とする付記1〜4のいずれかに記載の検査方法。
所定の粒子に光を照射して散乱光強度を測定する手段と、
複数種の欠陥に光を照射して散乱光強度を測定する手段と、
前記複数種の欠陥のうち、前記所定の粒子から測定された散乱光強度を用いて選択される一部の欠陥について、種類の判定を行う手段と、
前記判定に基づいて、前記複数種の欠陥から測定された散乱光強度の前記種類による境界値を示す弁別線を設定する手段と、
設定された前記弁別線を用いて、前記被検査体の欠陥を弁別する手段と、
を有することを特徴とする検査システム。
前記種類の判定を行う手段は、前記複数種の欠陥のうち、設定された前記参照弁別線と前記近似線との間の散乱光強度を示す前記一部の欠陥について、前記種類の判定を行うことを特徴とする付記7記載の検査システム。
前記複数種の欠陥に光を照射して散乱光強度を測定する手段は、前記複数種の欠陥に光を前記第1,第2の角度で照射してそれぞれ散乱光強度を測定することを特徴とする付記7〜9のいずれかに記載の検査システム。
(付記13) 被検査体の欠陥の検査に用いる検査装置において、
所定の粒子に光を照射して散乱光強度を測定する手段と、
複数種の欠陥に光を照射して散乱光強度を測定する手段と、
前記複数種の欠陥のうち、前記所定の粒子から測定された散乱光強度を用いて選択される一部の欠陥に関するデータを抽出する手段と、
抽出された前記一部の欠陥に関するデータを評価装置に送信する手段と、
前記評価装置から送信される、前記一部の欠陥の種類の判定結果を示すデータを受信する手段と、
受信した前記判定結果を示すデータを用いて、前記複数種の欠陥から測定された散乱光強度の前記種類による境界値を示す弁別線を設定する手段と、
設定された前記弁別線を用いて、前記被検査体の欠陥を弁別する手段と、
を有することを特徴とする検査装置。
前記一部の欠陥に関するデータを抽出する手段は、前記複数種の欠陥のうち、設定された前記参照弁別線と前記近似線との間の散乱光強度を示す前記一部の欠陥に関するデータを抽出することを特徴とする付記13記載の検査装置。
前記複数種の欠陥に光を照射して散乱光強度を測定する手段は、前記複数種の欠陥に光を前記第1,第2の角度で照射してそれぞれ散乱光強度を測定することを特徴とする付記13または14に記載の検査装置。
10 検査装置
11 欠陥検出手段
12,22 記憶手段
13 参照弁別線設定手段
14 近似線設定手段
15,25 抽出手段
16,21 通信手段
17 弁別線設定手段
18 弁別手段
19,26 出力手段
20 レビューSEM
23 SEM測定手段
24 欠陥判定手段
Claims (6)
- 粒径既知の所定粒子が付着した第1被検査体の前記所定粒子に、第1角度で光を照射して第1散乱光強度を測定し、第2角度で光を照射して第2散乱光強度を測定し、
前記第1散乱光強度と前記第2散乱光強度の第1比率を求め、
複数種の欠陥を有する第2被検査体の前記複数種の欠陥にそれぞれ、前記第1角度で光を照射して第3散乱光強度を測定し、前記第2角度で光を照射して第4散乱光強度を測定し、
前記複数種の欠陥についてそれぞれ測定された前記第3散乱光強度と前記第4散乱光強度の比率の近似値を示す第2比率を求め、
前記複数種の欠陥のうち、前記第1比率と前記第2比率とを用いて選択される一部の欠陥について、評価装置を用いて欠陥種類の判定を行い、
前記判定に基づいて前記欠陥種類による境界値を示す第3比率を設定し、
第3被検査体の欠陥に、前記第1角度で光を照射して第5散乱光強度を測定し、前記第2角度で光を照射して第6散乱光強度を測定し、
前記第5散乱光強度と前記第6散乱光強度の第4比率を求め、
前記第3比率と前記第4比率との比較を行い、前記比較に基づいて前記第3被検査体の欠陥の種類を弁別する
ことを特徴とする検査方法。 - 前記判定を行う際には、前記複数種の欠陥のうち、前記第1比率と前記第2比率の間の散乱光強度の比率を示す一部の欠陥について、前記評価装置を用いて前記欠陥種類の判定を行うことを特徴とする請求項1に記載の検査方法。
- 粒径既知の所定粒子が付着した第1被検査体の前記所定粒子に、第1角度で光を照射して第1散乱光強度を測定し、第2角度で光を照射して第2散乱光強度を測定する手段と、
前記第1散乱光強度と前記第2散乱光強度の第1比率を求める手段と、
複数種の欠陥を有する第2被検査体の前記複数種の欠陥にそれぞれ、前記第1角度で光を照射して第3散乱光強度を測定し、前記第2角度で光を照射して第4散乱光強度を測定する手段と、
前記複数種の欠陥についてそれぞれ測定された前記第3散乱光強度と前記第4散乱光強度の比率の近似値を示す第2比率を求める手段と、
前記複数種の欠陥のうち、前記第1比率と前記第2比率とを用いて選択される一部の欠陥について、評価装置を用いて欠陥種類の判定を行う手段と、
前記判定に基づいて前記欠陥種類による境界値を示す第3比率を設定する手段と、
第3被検査体の欠陥に、前記第1角度で光を照射して第5散乱光強度を測定し、前記第2角度で光を照射して第6散乱光強度を測定する手段と、
前記第5散乱光強度と前記第6散乱光強度の第4比率を求める手段と、
前記第3比率と前記第4比率との比較を行い、前記比較に基づいて前記第3被検査体の欠陥の種類を弁別する手段と
を含むことを特徴とする検査システム。 - 前記判定を行う手段は、前記複数種の欠陥のうち、前記第1比率と前記第2比率の間の散乱光強度の比率を示す一部の欠陥について、前記評価装置を用いて前記欠陥種類の判定を行うことを特徴とする請求項3に記載の検査システム。
- 粒径既知の所定粒子が付着した第1被検査体の前記所定粒子に、第1角度で光を照射して第1散乱光強度を測定し、第2角度で光を照射して第2散乱光強度を測定する手段と、
前記第1散乱光強度と前記第2散乱光強度の第1比率を求める手段と、
複数種の欠陥を有する第2被検査体の前記複数種の欠陥にそれぞれ、前記第1角度で光を照射して第3散乱光強度を測定し、前記第2角度で光を照射して第4散乱光強度を測定する手段と、
前記複数種の欠陥についてそれぞれ測定された前記第3散乱光強度と前記第4散乱光強度の比率の近似値を示す第2比率を求める手段と、
前記複数種の欠陥のうち、前記第1比率と前記第2比率とを用いて選択される一部の欠陥に関する第1データを抽出する手段と、
抽出された前記第1データを評価装置に送信する手段と、
前記第1データに基づいて前記評価装置で生成され、前記評価装置から送信される、前記一部の欠陥の欠陥種類の判定結果を示す第2データを受信する手段と、
受信した前記第2データを用いて、前記欠陥種類による境界値を示す第3比率を設定する手段と、
第3被検査体の欠陥に、前記第1角度で光を照射して第5散乱光強度を測定し、前記第2角度で光を照射して第6散乱光強度を測定する手段と、
前記第5散乱光強度と前記第6散乱光強度の第4比率を求める手段と、
前記第3比率と前記第4比率との比較を行い、前記比較に基づいて前記第3被検査体の欠陥の種類を弁別する手段と
を含むことを特徴とする検査装置。 - 前記第1データを抽出する手段は、前記複数種の欠陥のうち、前記第1比率と前記第2比率の間の散乱光強度の比率を示す一部の欠陥に関するデータを抽出することを特徴とする請求項5に記載の検査装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007002430A JP5040315B2 (ja) | 2007-01-10 | 2007-01-10 | 検査方法、検査システムおよび検査装置 |
US11/971,384 US7679737B2 (en) | 2007-01-10 | 2008-01-09 | Method, system and apparatus of inspection |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007002430A JP5040315B2 (ja) | 2007-01-10 | 2007-01-10 | 検査方法、検査システムおよび検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008170222A JP2008170222A (ja) | 2008-07-24 |
JP5040315B2 true JP5040315B2 (ja) | 2012-10-03 |
Family
ID=39593973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007002430A Expired - Fee Related JP5040315B2 (ja) | 2007-01-10 | 2007-01-10 | 検査方法、検査システムおよび検査装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7679737B2 (ja) |
JP (1) | JP5040315B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2567202B1 (en) * | 2010-03-23 | 2022-12-07 | Ophir Optronics Solutions Ltd. | Beam scattering laser monitoring apparatus |
US9293298B2 (en) | 2013-12-23 | 2016-03-22 | Kla-Tencor Corp. | Defect discovery and inspection sensitivity optimization using automated classification of corresponding electron beam images |
JP6256413B2 (ja) * | 2015-05-27 | 2018-01-10 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの評価方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6010716A (ja) | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Nec Home Electronics Ltd | 半導体ウエ−ハ試験方法 |
JP3686160B2 (ja) * | 1995-04-10 | 2005-08-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ウエハ表面検査方法および検査装置 |
DE10083372B4 (de) * | 1999-10-14 | 2010-02-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. | Verfahren zum Untersuchen der Oberfläche von Halbleiterwafern |
JP3996728B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2007-10-24 | 株式会社日立製作所 | 表面検査装置およびその方法 |
JP2002098645A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 基板の表面検査装置及び表面検査方法 |
US6809809B2 (en) * | 2000-11-15 | 2004-10-26 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
JP4230674B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2009-02-25 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
US6760100B2 (en) * | 2001-03-12 | 2004-07-06 | Ade Corporation | Method and apparatus for classifying defects occurring at or near a surface of a smooth substrate |
-
2007
- 2007-01-10 JP JP2007002430A patent/JP5040315B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-01-09 US US11/971,384 patent/US7679737B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7679737B2 (en) | 2010-03-16 |
JP2008170222A (ja) | 2008-07-24 |
US20080165352A1 (en) | 2008-07-10 |
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Hamamatsu et al. | Apparatus and method for inspecting defects |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080729 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091009 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120625 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |