JP5026062B2 - テスト方法 - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の第1の実施の形態について説明する。図1は、実施の形態1におけるテスト方法について説明する説明図である。まず、図1(a)及び図1(b)に示すように、複数の凹部102b,凹部102c,凹部102d,凹部102eからなるテストパターン領域を備えたテスト基板101を用意する。これらは同一の間隔で周期的に配置されている。テスト基板101は、例えば、単結晶シリコンから構成された円板状のウェハである。テスト基板101には、上述した各凹部よりなる複数のテストパターン領域が、例えばマトリクス状(周期的)に配列されて設けられている。図1は、1組のテストパターン領域を示している。
これらのことから明らかなように、図1(a)〜図1(e)を用いて説明した本実施の形態におけるテスト方法により、プラズマの基板面内分布情報を得ることができる。
次に、本発明における第2の実施の形態について説明する。本実施の形態2では、前述した実施の形態1のテスト方法に加え、さらに、徐々に保護膜110を除去することで、保護膜110の膜厚分布を測定するようにした。より詳細に説明する。例えば、保護膜110をエッチングするエッチャントとしてアルゴンガスのプラズマを生成し、このアルゴンガスプラズマに保護膜110を曝し、スパッタ効果により保護膜110を徐々にエッチングする。エッチングのレートを小さく(遅く)し、保護膜110を少量ずつ複数回エッチングし、各階毎にテスト基板101の表面を観察する。
Claims (5)
- 主表面に異なる寸法の複数の凹部が形成されたテスト基板を用意する第1工程と、
前記凹部の上に前記凹部の開口面積より小さい貫通孔を備えたマスク層が、前記テスト基板の主表面に形成された状態とする第2工程と、
前記マスク層が形成された前記テスト基板を所望のプラズマに曝す第3工程と、
前記マスク層を除去した後、前記テスト基板の主表面から前記凹部を観察する第4工程と
を備えることを特徴とするテスト方法。 - 請求項1記載のテスト方法において、
前記第3工程では、前記プラズマに曝すことで、前記プラズマに含まれる元素からなる堆積物が、少なくとも前記凹部の内部に形成された状態とし、
前記第4工程では、前記堆積物の状態を観察する
ことを特徴とするテスト方法。 - 請求項1記載のテスト方法において、
前記第3工程では、前記テスト基板を、第1プラズマと第2プラズマとに交互に繰り返し曝し、第1プラズマに曝すことで、前記プラズマに含まれる元素からなる堆積物が、少なくとも前記凹部の内部に形成された状態とし、前記第2プラズマに曝すことで、少なくとも前記凹部の内部の一部をエッチング加工し、
前記第4工程では、前記堆積物の状態及び前記エッチング加工により前記凹部の内部に形成された加工部の形状の少なくとも1つを観察する
ことを特徴とするテスト方法。 - 請求項1記載のテスト方法において、
前記第3工程では、前記プラズマに曝すことで、少なくとも前記凹部の内部の一部をエッチング加工し、
前記第4工程では、前記エッチング加工により前記凹部の内部に形成された加工部の形状を観察する
ことを特徴とするテスト方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のテスト方法において、
前記堆積物を所定時間エッチングする第5工程と、
再度、前記堆積物の状態を観察する第6工程と
を備えることを特徴とするテスト方法。
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