JP4996583B2 - 表面にグラファイトナノ構造層を有するセルロース炭化物構造体およびその合成方法 - Google Patents
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Description
バイオ素材の活用例として最も著しい技術開発および応用分野としては、例えばトウモロコシなどのセルロース繊維を用いたバイオエタノール合成技術、および高分子/天然繊維複合材料技術がある。
特に、既存の炭素−炭素複合体およびガラス繊維−炭素複合体とは異なり、バイオ素材を用いた複合体は、高性能の環境親和的複合体を完成することができるため、関連技術の開発のために多くの国で技術開発に全力を尽くしており、最近では機械的、物理的、電気的特性を向上させるためにナノスケールのセルロースナノ繊維を製造し、これを複合材料として使用しようとする研究が盛んに行われている。
ところが、既存のセルロースを用いた炭素複合体に対する研究について考察すると、特許文献1および特許文献2などで開示するように、セルロースをナノ炭素チューブなどの炭素前駆体と一緒に熱処理し、或いは金属やアルコールなどの別途の混合材料を一緒に使用し、或いは別途の前処理過程を必要とするなどの複雑な段階を含んでおり、効率性が低下するという問題点があった。
本発明の他の目的は、高温環境でも活用可能な新しい構造のグラファイト炭化物をセルロース繊維の本来構造の損傷を最小化しながら、セルロース繊維の表面上に均一なグラファイト表面を形成して機械的、電気的特性を向上させた炭化物構造体を提供することにある。
本発明の別の目的は、多様な用途で使用可能な新しい構造の炭化物を天然セルロース繊維から簡便に生産するために、1次熱処理されたセルロース炭化物の表面に2次熱処理過程によって非常に薄いグラファイト層を直接形成する、炭化物の合成方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、高温の雰囲気中でも活用可能な新しい構造のグラファイト炭化物を得るように、セルロース繊維の本来構造の損傷を最小化しながら炭化物を得、この表面上に均一なグラファイト表面を形成して機械的、電気的特性を向上させた、炭化物の合成方法を提供することにある。
また、本発明の他の観点によれば、i)セルロース繊維入りの反応炉を加熱する第1段階と、ii)前記加熱された反応炉の温度を一定に維持しながら1次炭化物を生成する第2段階と、iii)前記1次炭化物が生成された反応炉を冷却する第3段階と、iv)前記冷却した1次炭化物入りの反応炉を加熱する第4段階と、v)前記加熱された反応炉の温度を一定に維持しながら2次炭化物を生成する第5段階と、vi)前記2次炭化物が生成された反応炉を冷却する第6段階とを含む、表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法を提供することにある。
ここで、前記第1段階の加熱は100%水素環境下で5〜12.5℃/minの昇温速度で行われることを特徴とする。
前記第2段階の1次炭化物の生成は100%水素環境下、1500℃で1〜2時間行われることを特徴とする。
前記第3段階の冷却は、i)100%水素環境下で200℃まで冷却する段階、およびii)100%窒素環境の下で常温まで冷却する段階によって行われることを特徴とする。
前記第4段階の加熱は100%アルゴン環境下で5〜12.5℃/minの昇温速度で行われることを特徴とする。
前記第5段階の2次炭化物の生成は100%アルゴン環境下、2200℃で5〜10時間行われることを特徴とする。
前記第6段階の冷却は100%アルゴン環境下で常温まで行われることを特徴とする。
前記第1段階と前記第4段階の加熱前に、酸素を除去するために30分間真空ポンプを作動させる段階をさらに含むことを特徴とする。
このような本発明は、例えば2次電池や燃料電池などのエネルギー電極用素材として積極使用できるうえ、触媒支持体としての高性能ガスセンサー用および反応用素材としても活用可能である。
本発明は、特に触媒支持体としても優れた特性を持つため、これを用いた高温、還元反応装置として活用可能であると予測されるうえ、有害物質処理剤への応用が予想される有用な発明であって、産業的波及効果が期待される発明である。
これを具体的に説明すると、表面にグラファイトナノ層が形成された炭化物を生成するために、セルロース繊維を準備する。セルロース繊維は殆どサイズ100〜200μmのもので、多様な形状を持つ。
準備されたセルロース繊維は、蒸留水に十分浸漬して奇麗に洗浄し、常温で十分乾燥させる。
実験が準備されると、反応炉は所望の熱処理温度まで上昇させるが、この際、反応炉の温度は1500℃まで5〜12.5℃/minの昇温速度で制御される。
常温から反応炉には水素を100%供給し、熱処理温度に到達すると、冷却して200℃未満では窒素に転換して常温にまで冷却し、実験終了時点まで雰囲気ガス(水素)の量を変化させない。
前記熱処理温度にまで反応炉の温度が上昇すると、反応を約1〜2時間維持した後、ゆっくり冷却する。
これにより、セルロース繊維から新しい構造の1次炭化物を準備する段階が終了する。
本発明では、セルロース超極細繊維として、好ましくはヘネッケン(henequen)、ケナフ(kenaf)またはエノコログサ(Setaria viridis)を使用した。
実験が準備されると、反応炉は所望の熱処理温度まで上昇させるが、この際、反応炉の温度は2200℃まで5〜12.5℃/minの昇温速度で制御される。
常温から反応炉には水素を100%供給し、熱処理温度に到達すると、冷却して実験終了時点まで雰囲気ガス(水素)の量を変化させない。
所望の温度まで反応炉の温度が上昇すると、反応を約5〜10時間維持した後、ゆっくり冷却する。
こうしてセルロース繊維から得た新しい構造の1次炭化物から、グラファイトナノ層が表面に形成された2次炭化物を生成することが可能な実験が終了する。この際、グラファイトナノ表面層の厚さは約50〜100nmである。
(実施例1)
図2は本発明の実施例に係るセルロース繊維の高温多段熱処理によって得た新しい構造の炭化物に対するSEMイメージを示す。実験に使用された試料はミクロンサイズのヘネッケン繊維である。ここで、1次熱処理温度は1500℃、2次熱処理温度は2200℃であり、反応維持時間はそれぞれ1時間と6時間であった。
図2の(a)は最終熱処理された試料の本体を示す。図2の(a)より、ヘネッケン原試料から見られる微小管(マイクロチューブル)構造およびが多く損傷していない表面層を確認することができる。
図2の(b)は炭化したヘネッケン本体の側面の表面を示す。図2の(b)より、粗くて不規則なナノ層からなる表面を確認することができる。
このような構造はヘネッケンの微小管平面の表面を示す図2の(c)および(d)からも確認できる。
図3は本発明の実施例に係るセルロース繊維の高温多段熱処理によって得た新しい構造の炭化物に対するTEMイメージを示す。
図3の(a)は炭化したヘネッケンセルロース繊維の表面を示す。ここで、濃い明暗の部分はヘネッケン繊維の本体であり、相対的に薄い明暗の部分はヘネッケンの表面に形成されたグラファイトナノ層を示す。形成されたナノ層は50〜100nm程度と確認された。
図3の(b)および(c)は図3の(a)に示した表面の一部に対する高倍率TEMイメージを示す。図3の(b)および(c)に示すように、非常に結晶性の良い炭素層が観察されるが、これら間の面間距離は0.3399nmと測定される。これは、グラファイトの面間距離である0.3348nmに非常に近似したものと評価される。図3の(d)は前記ナノ層に対する回折パターンを示す。図3の(d)に示すように、グラファイトの面間距離に該当する部分から多くの点が観察される。
図4は本発明の実施例に係るセルロース繊維の高温多段熱処理によって得た新しい構造の炭化物に対するラマン分析(Raman analysis)を示すグラフである。
図4に示すように、熱処理温度が増加するほど、ラマングラフの形状が多く変わると確認される。500℃と900℃ではD−lineに該当するピークは無晶質炭素と同じ形状を示した。ところが、1500℃ではD−lineピークの形状が無晶質炭素のそれから多少変化する形状を示した。2200℃では、熱処理されたセルロース試料の場合には多重壁炭素ナノチューブから観察される形態のラマンピーク形状を示した。また、2200℃では、D−lineピークとG−lineピークの比率において1500℃の場合より多く向上した結果を示した。
本発明は上述した特定の好適な実施例に限定されないことは言うまでもない。当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲で請求する本発明の要旨から外れることなく、多様な変形を加え得るのは明らかであり。それらの変形例も特許請求の範囲に記載された範囲内に属する。
Claims (16)
- セルロース繊維から直接炭化したグラファイトナノ表面層を有し、
前記グラファイトナノ表面層の厚さが50〜100nmであり、
前記セルロース繊維が、木材および非木材バイオ素材の中から選ばれた少なくとも一つであることを特徴とする、セルロース炭化物構造体。 - 前記セルロース繊維が、ヘネッケン(henequen)、ケナフ(kenaf)およびエノコログサ(Setaria viridis)から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする、請求項1に記載のセルロース炭化物構造体。
- i)木材および非木材バイオ素材の中から選ばれた少なくとも一つであるセルロース繊維入りの反応炉を加熱する第1段階と、
ii)前記加熱された反応炉の温度を一定に維持しながら1次炭化物を生成する第2段階と、
iii)前記1次炭化物が生成された反応炉を冷却する第3段階と、
iv)前記冷却した1次炭化物入りの反応炉を加熱する第4段階と、
v)前記加熱された反応炉の温度を一定に維持しながら2次炭化物を生成する第5段階と、
vi)前記2次炭化物が生成された反応炉を冷却する第6段階とを含み、
表面に厚さが50〜100nmのグラファイトナノ層を有することを特徴とする、表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。 - 前記第1段階の加熱が100%水素環境下で行われることを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
- 前記第1段階の加熱が5〜12.5℃/minの昇温速度で行われることを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
- 前記第2段階の1次炭化物の生成が100%水素環境下で行われることを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
- 前記第2段階の1次炭化物の生成が1500℃で行われることを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
- 前記第2段階の1次炭化物の生成が1〜2時間行われることを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
- 前記第3段階の冷却が、i)水素環境下で200℃まで冷却する段階、およびii)100%窒素環境下で常温まで冷却する段階によって行われることを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
- 前記第4段階の加熱が100%アルゴン環境下で行われることを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
- 前記第4段階の加熱が5〜12.5℃/minの昇温速度で行われることを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
- 前記第5段階の2次炭化物の生成が100%アルゴン環境下で行われることを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
- 前記第5段階の2次炭化物の生成が2200℃で行われることを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
- 前記第5段階の2次炭化物の生成が5〜10時間行われることを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
- 前記第6段階の冷却が100%アルゴン環境下で常温まで行われることを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
- 前記第1段階と前記第4段階の加熱前に、酸素を除去するために30分間真空ポンプを作動させる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項3に記載の表面にグラファイトナノ層を有するセルロース炭化物構造体の合成方法。
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