JP4989695B2 - AC / DC converter and equipment - Google Patents

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Description

本発明は、交流電源からの入力電流に含まれる高調波電流を抑制し、直流電圧を制御する交流直流変換装置並びにこの交流直流変換装置を備えた機器に関する。   The present invention relates to an AC / DC converter that suppresses a harmonic current contained in an input current from an AC power source and controls a DC voltage, and an apparatus including the AC / DC converter.

従来の交流直流変換装置として、2つのスイッチング素子を設け、同時に2つのスイッチング素子を低周波のPWM動作させることで入力電流を略正弦波状に制御して高調波電流を抑制し、直流電圧の電圧値をフィードバック制御により任意の値に制御して力率改善を図るものが知られている。この従来例では、5kHz以下の低周波のPWMにてスイッチング素子を動作させて入力電流を略正弦波化させることで力率改善を図る。出力する直流電圧を任意の値に制御し、入力電流を略正弦波にするため、基準電圧と検出した電圧との制御値で直流電圧制御を行い、この制御を元に正弦波波形のコンバータ電圧指令を生成して、電源電圧との電圧差に基づいて入力電流を制御する。これにより、高調波電流を激減させるとともに力率改善を図ることができる。また、出力される直流電圧をフィードバック制御によって任意の電圧値に制御できるので、高周波PWM制御より安価で、電源半周期に1回または数回のスイッチ制御よりもリアクタを小型化することが出来る(例えば、特許文献1参照)。   As a conventional AC / DC converter, two switching elements are provided, and the two switching elements are simultaneously operated by a low-frequency PWM to control the input current in a substantially sinusoidal shape to suppress the harmonic current, thereby reducing the voltage of the DC voltage. It is known to improve the power factor by controlling the value to an arbitrary value by feedback control. In this conventional example, the power factor is improved by operating the switching element at a low frequency PWM of 5 kHz or less to make the input current substantially sinusoidal. In order to control the output DC voltage to an arbitrary value and make the input current approximately sinusoidal, DC voltage control is performed with the control value of the reference voltage and the detected voltage, and the converter voltage with a sinusoidal waveform based on this control A command is generated and the input current is controlled based on the voltage difference from the power supply voltage. Thereby, the harmonic current can be drastically reduced and the power factor can be improved. In addition, since the output DC voltage can be controlled to an arbitrary voltage value by feedback control, it is less expensive than high-frequency PWM control, and the reactor can be made smaller than switch control once or several times in a power supply half cycle ( For example, see Patent Document 1).

また、スイッチング素子にスーパージャンクション構造のMOSFETを用いて、スイッチング素子と並列にコンデンサーを接続したソフトスイッチングを行うものも知られている。この従来例は、スーパージャンクションMOSFET(以下、SJ−MOSFETと称する)と呼ばれる素子を用いることで通電損失を低減する技術であり、MOSFETの端子間の浮遊容量が大きい特徴を有するスーパージャンクション構造を利用して、ソフトスイッチングに用いるコンデンサーをこの浮遊容量に代替えさせるようにしたものである。これにより、コンデンサーを省略することができる(例えば、特許文献2参照)。   In addition, there is also known a device that uses a super junction structure MOSFET as a switching element and performs soft switching in which a capacitor is connected in parallel with the switching element. This conventional example is a technique for reducing energization loss by using an element called a super junction MOSFET (hereinafter referred to as SJ-MOSFET), and uses a super junction structure having a large stray capacitance between MOSFET terminals. Thus, the capacitor used for soft switching is replaced with this stray capacitance. Thereby, a capacitor | condenser can be abbreviate | omitted (for example, refer patent document 2).

さらに、高効率・小型・低ノイズとなる電源を実現可能となるように、パワーMOSFETをスーパージャンクション構造にすると共に、スーパージャンクション構造の欠点である内蔵ダイオードのリカバリー特性が悪く、リカバリー損失が大きい点を改善するため、ユニポーラ素子であるショットキーバリアダイオードを並列化することでリカバリーの低損失化を図るものが知られている(例えば、特許文献3参照)。   Furthermore, the power MOSFET has a super junction structure so that a power supply with high efficiency, small size, and low noise can be realized, and the recovery characteristic of the built-in diode, which is a drawback of the super junction structure, is poor and the recovery loss is large. In order to improve the above, it is known to reduce the loss of recovery by parallelizing Schottky barrier diodes which are unipolar elements (see, for example, Patent Document 3).

国際公開第2009/028053号(第3頁〜第13頁、第1図、第3図〜第8図)International Publication No. 2009/028053 (pages 3 to 13, FIGS. 1 and 3 to 8) 特開2000−156978号公報(第2頁〜第3頁、第1図〜第2図)Japanese Patent Laid-Open No. 2000-156978 (pages 2 to 3, FIGS. 1 to 2) 特開2006−24690号公報(第3頁〜第5頁、第1図)Japanese Patent Laid-Open No. 2006-24690 (pages 3 to 5, FIG. 1)

しかし、特許文献1に記載された従来例では、低周波のPWMではあるものの、常時PWM動作するため、高周波PWM制御方式よりは損失が少ないが、電源半周期に1回または数回のスイッチ動作する交流直流変換装置よりも損失が大きいといった課題があった。   However, in the conventional example described in Patent Document 1, although it is a low-frequency PWM, since it always performs a PWM operation, there is less loss than the high-frequency PWM control method, but the switch operation is performed once or several times in a power supply half cycle. There is a problem that the loss is larger than that of the AC / DC converter.

また、スーパージャンクションは、その構造によりオン抵抗が低いため、導通損失低減が実現できる一方、MOSFETの端子間の浮遊容量が大きいため、リカバリー特性が悪い点に課題がある。
しかしながら、特許文献2に記載の従来例では、その浮遊容量を利用することでリカバリー特性の改善を図ることについては配慮されていない。
In addition, the super junction has a low on-resistance due to its structure, so that conduction loss can be reduced. On the other hand, since the stray capacitance between the terminals of the MOSFET is large, there is a problem in that recovery characteristics are poor.
However, in the conventional example described in Patent Document 2, consideration is not given to improving the recovery characteristics by utilizing the stray capacitance.

また、特許文献3に記載の従来例は、ショットキーバリアダイオードをSJ−MOSFETに並列接続することでリカバリー特性を改善しようとするものであるが、内蔵ダイオードとショットキーバリアダイオードが並列接続されているだけであり、MOSFET半導体自体としては改善が図られている訳ではない。   The conventional example described in Patent Document 3 attempts to improve recovery characteristics by connecting a Schottky barrier diode in parallel to an SJ-MOSFET. However, the built-in diode and the Schottky barrier diode are connected in parallel. However, the MOSFET semiconductor itself is not improved.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は損失の少ない高効率な交流直流変換装置並びにこの交流直流変換装置を備えた機器を得ることにある。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to obtain a highly efficient AC / DC converter with little loss and a device including the AC / DC converter.

この発明に係る交流直流変換装置は、交流電源にリアクタを介して接続される整流器と、この整流器の出力端子間に直列に接続された2つのコンデンサーと、寄生ダイオードである第1のダイオードを内部に有し、スーパージャンクション構造を有する素子であるFETと、前記第1のダイオードに流れる電流のうち、前記第1のダイオードの順方向の電流を通流させないよう電流を遮断する第2のダイオードとで構成された2組の双方向スイッチと、制御手段と、を備え、前記2組の双方向スイッチのそれぞれに設けられた整流器の入力端子同士を接続することで前記2組の双方向スイッチを直列接続し、前記2組の双方向スイッチの接続点と前記2つのコンデンサーの接続点とを接続し、前記制御手段は、前記交流電源から流れる電流から無効電流を抽出し、前記無効電流が零となるように前記2組の双方向スイッチを動作させ、少なくとも一方のFETがオフする際、前記オフするFETから前記整流器に前記交流電源から流れる電流が転流するものである。 An AC / DC converter according to the present invention includes a rectifier connected to an AC power source via a reactor, two capacitors connected in series between output terminals of the rectifier, and a first diode that is a parasitic diode. possess the, the FET is a device having a super junction structure, among the current flowing through the first diode, a second diode for blocking the current so as not to flow through the forward current of the first diode The two sets of bidirectional switches are configured by connecting the input terminals of the rectifiers provided in each of the two sets of bidirectional switches. Connected in series, connecting the connection point of the two sets of bidirectional switches and the connection point of the two capacitors, the control means is a current flowing from the AC power supply The reactive current is extracted, and the two sets of bidirectional switches are operated so that the reactive current becomes zero. When at least one FET is turned off, the current flowing from the AC power source to the rectifier from the turned-off FET is It is a commutation.

この発明によれば、交流直流変換装置は、交流電源にリアクタを介して接続される整流器と、この整流器の出力端子間に直列に接続された2つのコンデンサーと、寄生ダイオードである第1のダイオードを内部に有し、スーパージャンクション構造を有する素子であるFETと、前記第1のダイオードに流れる電流のうち、前記第1のダイオードの順方向の電流を通流させないよう電流を遮断する第2のダイオードとで構成された2組の双方向スイッチと、制御手段と、を備え、前記2組の双方向スイッチのそれぞれに設けられた整流器の入力端子同士を接続することで前記2組の双方向スイッチを直列接続し、前記2組の双方向スイッチの接続点と前記2つのコンデンサーの接続点とを接続し、前記制御手段は、前記交流電源から流れる電流から無効電流を抽出し、前記無効電流が零となるように前記2組の双方向スイッチを動作させ、少なくとも一方のFETがオフする際、前記オフするFETから前記整流器に前記交流電源から流れる電流が転流するので、FETの欠点であるリカバリー特性を必要としない、言い換えるとFETが内蔵する第1のダイオード(寄生ダイオード)へ電流が流れないので、FET(SJ−MOSFET)の有する低オン抵抗のメリットのみ享受でき、デメリットが無い好適な回路構成を構築できる。従って、半導体素子が通流時に発生する通流損を上記FETの低オン抵抗特性を利用することで低減するため、高効率な交流直流変換装置を得ることができる。 According to the present invention, an AC / DC converter includes a rectifier connected to an AC power source via a reactor, two capacitors connected in series between output terminals of the rectifier, and a first diode that is a parasitic diode. was closed in the interior, the FET is a device having a superjunction structure, the one of the current flowing through the first diode, the second breaking current so as not to flow through the forward current of the first diode Two sets of bidirectional switches composed of diodes and control means, and the two sets of bidirectional switches by connecting the input terminals of the rectifiers provided in each of the two sets of bidirectional switches. The switches are connected in series, the connection point of the two sets of bidirectional switches and the connection point of the two capacitors are connected, and the control means When the two sets of bidirectional switches are operated so that the reactive current becomes zero and at least one FET is turned off, the current flowing from the AC power source to the rectifier from the turned off FET Therefore, since the current does not flow to the first diode (parasitic diode) built in the FET, the low on-resistance of the FET (SJ-MOSFET) is not required. Therefore, it is possible to construct a suitable circuit configuration without any demerits. Therefore, since the current loss generated when the semiconductor element flows is reduced by using the low on-resistance characteristics of the FET, a highly efficient AC / DC converter can be obtained.

本発明に係る交流直流変換装置の実施の形態1を示す回路ブロック図である。1 is a circuit block diagram showing a first embodiment of an AC / DC converter according to the present invention. 本発明の実施の形態1における交流直流変換装置の動作原理を説明するための理想状態での回路図である。It is a circuit diagram in the ideal state for demonstrating the principle of operation of the alternating current direct current converter in Embodiment 1 of this invention. 本発明に係る交流直流変換装置の実施の形態1における制御手段の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the control means in Embodiment 1 of the alternating current direct current converter which concerns on this invention. 本発明に係る交流直流変換装置の実施の形態1における他の制御手段の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the other control means in Embodiment 1 of the alternating current direct current converter which concerns on this invention. 本発明に係る交流直流変換装置の実施の形態2を示す回路ブロック図である。It is a circuit block diagram which shows Embodiment 2 of the alternating current direct current converter which concerns on this invention. 本発明に係る交流直流変換装置の実施の形態3を示す回路ブロック図である。It is a circuit block diagram which shows Embodiment 3 of the alternating current direct current converter which concerns on this invention.

実施の形態1.
図1は、本発明に係る交流直流変換装置の実施の形態1を示す回路ブロック図である。図1に示すように、交流直流変換装置は、交流電源1、整流器2、第1のスイッチ手段3、第2のスイッチ手段4、リアクタ5、第1のコンデンサー6、第2のコンデンサー7、直流負荷8から構成されている。
整流器2は交流電源1の交流を整流するためのものである。第1のスイッチ手段3は整流器2の入力端子に一方が接続されるものである。第2のスイッチ手段4は整流器2の他方の入力端子に一方が接続されるものである。リアクタ5は交流電源1と第1のスイッチ手段3または第2のスイッチ手段4の間に挿入されるものである。第1のコンデンサー6は整流器2の出力端子に一方が接続されるものである。第2のコンデンサー7は整流器2の他方の出力端子に一方が接続されるものである。直流負荷8は整流器2の出力に接続されるものであり、第1のスイッチ手段3、第2のスイッチ手段4、第1のコンデンサー6、第2のコンデンサー7、これらの各々の他端は共に接続されている。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a circuit block diagram showing Embodiment 1 of an AC / DC converter according to the present invention. As shown in FIG. 1, the AC / DC converter includes an AC power source 1, a rectifier 2, a first switch unit 3, a second switch unit 4, a reactor 5, a first capacitor 6, a second capacitor 7, a DC unit. It consists of a load 8.
The rectifier 2 is for rectifying the AC of the AC power source 1. One of the first switch means 3 is connected to the input terminal of the rectifier 2. One of the second switch means 4 is connected to the other input terminal of the rectifier 2. The reactor 5 is inserted between the AC power source 1 and the first switch means 3 or the second switch means 4. One of the first capacitors 6 is connected to the output terminal of the rectifier 2. One of the second capacitors 7 is connected to the other output terminal of the rectifier 2. The DC load 8 is connected to the output of the rectifier 2, and the first switch means 3, the second switch means 4, the first capacitor 6, the second capacitor 7, and the other end of each of them are both It is connected.

また、第1のスイッチ手段3及び第2のスイッチ手段4を動作させる制御手段20が具備されており、制御手段20は、直流電圧検出器21および入力電流検出器22の検出値(直流電圧Vdc、入力電流Is)、電源ゼロクロス検出器23からの電源位相信号θを元に第1のスイッチ手段3および第2のスイッチ手段4を動作させる。   Moreover, the control means 20 which operates the 1st switch means 3 and the 2nd switch means 4 is comprised, and the control means 20 is the detection value (DC voltage Vdc) of the DC voltage detector 21 and the input current detector 22. The first switch means 3 and the second switch means 4 are operated based on the input current Is) and the power supply phase signal θ from the power supply zero cross detector 23.

また、第1のコンデンサー6と並列に、ダイオード10と抵抗12が、第2のコンデンサー7と並列にダイオード11と抵抗13が接続され、ダイオード10およびダイオード11は第1のコンデンサー6と第2のコンデンサー7と極性が逆極性となっている。
ダイオード10及びダイオード11はコンデンサー6の電圧と、コンデンサー7の電圧が逆極性になるのを防止するために設けられており、抵抗12及び抵抗13はコンデンサー6の電圧と、コンデンサー7の電圧とのアンバランスを抑制するために設けられている。
A diode 10 and a resistor 12 are connected in parallel with the first capacitor 6, and a diode 11 and a resistor 13 are connected in parallel with the second capacitor 7, and the diode 10 and the diode 11 are connected to the first capacitor 6 and the second capacitor 6. The polarity is opposite to that of the capacitor 7.
The diode 10 and the diode 11 are provided to prevent the voltage of the capacitor 6 and the voltage of the capacitor 7 from being reversed in polarity, and the resistor 12 and the resistor 13 are the voltage of the capacitor 6 and the voltage of the capacitor 7. It is provided to suppress unbalance.

さらに、第1のスイッチ手段3は、SJ―MOSFET3aとダイオード整流器3bから構成される双方向スイッチ手段であり、第2のスイッチ手段4もSJ―MOSFET4aとダイオード整流器4bから構成される双方向スイッチ手段である。尚、SJ―MOSFETのスーパージャンクション構造とは、通常のMOSFETよりも深いP層を持つ構造であることが、特許文献3の図1にも開示され、深いP層がn層と広く接することで低オン抵抗でありながら高い電圧耐力を有することが知られている。
なお、請求項との対応付けを行うために、SJ―MOSFETはFETを構成し、SJ―MOSFETの構造から内蔵する寄生ダイオードは第1のダイオードを構成し、ダイオード整流器は第2のダイオードを構成する。
Further, the first switch means 3 is a bidirectional switch means composed of an SJ-MOSFET 3a and a diode rectifier 3b, and the second switch means 4 is also a bidirectional switch means composed of an SJ-MOSFET 4a and a diode rectifier 4b. It is. Note that the super junction structure of the SJ-MOSFET is a structure having a P layer deeper than that of a normal MOSFET, which is also disclosed in FIG. 1 of Patent Document 3, and the deep P layer is in wide contact with the n layer. It is known to have a high voltage resistance while having a low on-resistance.
In order to associate with the claims, the SJ-MOSFET constitutes an FET, the parasitic diode built in the structure of the SJ-MOSFET constitutes a first diode, and the diode rectifier constitutes a second diode. To do.

図2は本発明の実施の形態1における交流直流変換装置の動作原理を説明するための理想状態での回路構成図である。
次に、本実施の形態1における交流直流変換装置の動作原理について、図1及び図2を用いて説明する。図1において、交流電源1の両端電圧をVs、リアクタ5に流れる電流をIとする。図2における交流電源1およびリアクタ5は図1に示すものと同様であり、交流直流変換装置を仮想交流電源9とする。2つのスイッチ手段3および4を相補的に動作させることで図2に示すような仮想交流電源9が実現される。ここで、仮想交流電源9の両端電圧をVc*とする
FIG. 2 is a circuit configuration diagram in an ideal state for explaining the operation principle of the AC / DC converter according to Embodiment 1 of the present invention.
Next, the operation principle of the AC / DC converter according to Embodiment 1 will be described with reference to FIGS. In FIG. 1, the voltage across the AC power supply 1 is Vs, and the current flowing through the reactor 5 is I. The AC power source 1 and the reactor 5 in FIG. 2 are the same as those shown in FIG. 1, and the AC / DC converter is a virtual AC power source 9. A virtual AC power supply 9 as shown in FIG. 2 is realized by operating the two switch means 3 and 4 in a complementary manner. Here, the voltage across the virtual AC power supply 9 is Vc *.

交流電源1の電圧と仮想交流電源9の電圧との差電圧によって、リアクタ5に流れる電流Iが決まる。仮想交流電源9より出力される電圧Vc*が、正弦波状に出力されれば、リアクタ5に流れる電流、言い換えると入力電流は正弦波化された電流が流れ、高調波電流が抑制される。また、入力電流と交流電源1との位相差がゼロとなると、電源力率は100%となることから、仮想交流電源9における振幅|Vc*|と交流電源1との位相差φを適切に制御して正弦波電圧を出力すれば、入力電流の高調波を抑制し、力率向上を実現できる。   The current I flowing through the reactor 5 is determined by the voltage difference between the voltage of the AC power supply 1 and the voltage of the virtual AC power supply 9. If the voltage Vc * output from the virtual AC power supply 9 is output in a sine wave shape, the current flowing through the reactor 5, in other words, the input current flows as a sine wave, and the harmonic current is suppressed. Further, when the phase difference between the input current and the AC power supply 1 becomes zero, the power factor becomes 100%. Therefore, the amplitude | Vc * | in the virtual AC power supply 9 and the phase difference φ between the AC power supply 1 are appropriately set. If controlled to output a sinusoidal voltage, the harmonics of the input current can be suppressed and power factor improvement can be realized.

整流器2の出力端子間である直流電圧を任意の指令値に制御することができ、さらに前記仮想交流電源9の電圧Vc*を制御することができる制御ブロックの一例を図3に示す。   FIG. 3 shows an example of a control block capable of controlling the DC voltage between the output terminals of the rectifier 2 to an arbitrary command value and further controlling the voltage Vc * of the virtual AC power supply 9.

図3は本発明の実施の形態1における制御手段20の構成を示すブロック図である。
次に、制御手段20の内部構成について図3を用いて説明する。直流電圧検出器21によって検出された直流電圧Vdcを予め設定された所定値である直流電圧指令値Vdc*に制御するため、直流電圧の検出値と指令値の差分をPI制御器30に入力する。PI制御器30は、直流電圧を所定値に制御するべく、電流指令値Ip*を出力する。
FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the control means 20 in Embodiment 1 of the present invention.
Next, the internal configuration of the control means 20 will be described with reference to FIG. In order to control the DC voltage Vdc detected by the DC voltage detector 21 to a DC voltage command value Vdc * which is a predetermined value set in advance, a difference between the detected value of the DC voltage and the command value is input to the PI controller 30. . The PI controller 30 outputs a current command value Ip * to control the DC voltage to a predetermined value.

入力電流検出器22にて検出した入力電流の瞬時値Isと電源ゼロクロス検出器23にて検出した電源位相θをPQ変換器31へ入力する。PQ変換器31は、入力電流の有効電力成分(P軸成分)と入力電流の無効電力成分(Q軸成分)とに分離し、電源力率が100%となるように無効電力成分Iqは0となるようにPI制御器33で制御すると共に、有効電力成分Ipは、PI制御器30の出力値Ip*となるようにPI制御器34で制御する。   The instantaneous value Is of the input current detected by the input current detector 22 and the power supply phase θ detected by the power supply zero cross detector 23 are input to the PQ converter 31. The PQ converter 31 separates the active power component (P-axis component) of the input current and the reactive power component (Q-axis component) of the input current, and the reactive power component Iq is 0 so that the power source power factor becomes 100%. And the active power component Ip is controlled by the PI controller 34 so as to become the output value Ip * of the PI controller 30.

PI制御器33の出力Vp*とPI制御器34の出力Vq*を電源位相θで逆PQ変換器35にて逆変換する。この結果、電源力率が100%、換言すると電流の無効電力成分が0、および、予め設定された直流電圧となる仮想交流電源9の両端電圧の指令値Vc*が得られる。   The inverse PQ converter 35 inversely converts the output Vp * of the PI controller 33 and the output Vq * of the PI controller 34 at the power supply phase θ. As a result, the power factor is 100%, in other words, the reactive power component of the current is 0, and the command value Vc * of the voltage across the virtual AC power supply 9 that is a preset DC voltage is obtained.

また、図4に制御手段20の他の実施の構成の一例を示す。図4は特許文献1に記載の力率=100%の時に電圧電流のベクトル関係が直交する性質を利用したものであり、詳細説明は特許文献1に記載されている。
なお、図4で示されるwは角速度を表す。
FIG. 4 shows an example of another configuration of the control means 20. FIG. 4 utilizes the property that the voltage-current vector relationship is orthogonal when the power factor described in Patent Document 1 is 100%, and a detailed description thereof is described in Patent Document 1.
In addition, w shown in FIG. 4 represents an angular velocity.

このように図3、図4の構成にて図1に示す交流直流変換装置を動作させることは可能である。このとき、低周波のPWMにて常時スイッチング動作していることとなるため、スイッチングに伴う導通損失およびスイッチング損失が発生する。従って、オン時の抵抗が低いSJ−MOSFETを適用することで導通損失を低減できる。更に言えば、低周波のPWMであるため、例えば10kHz以下などであれば、導通損失の方がスイッチング損失よりも支配的になる。よって、低周波のPWMが実現出来る制御構成であるため、SJ−MOSEFTの利点である低オン抵抗を最大限有効に利用することができる。   In this way, it is possible to operate the AC / DC converter shown in FIG. 1 with the configuration shown in FIGS. At this time, since the switching operation is always performed with the low-frequency PWM, conduction loss and switching loss accompanying switching occur. Therefore, the conduction loss can be reduced by applying the SJ-MOSFET having a low ON resistance. Furthermore, since it is a low-frequency PWM, for example, if it is 10 kHz or less, the conduction loss is more dominant than the switching loss. Therefore, since the control configuration can realize low-frequency PWM, the low on-resistance, which is an advantage of SJ-MOSEFT, can be used to the maximum extent possible.

SJ−MOSFETは、オン抵抗が低い代償としてリカバリー特性が悪いといった欠点を有するため、広く実用化されていない。本発明は、SJ−MOSFETの特性を最大限利用可能な回路構成を得るものである。   SJ-MOSFETs have the disadvantage of poor recovery characteristics as a compensation for low on-resistance, and thus have not been widely put into practical use. The present invention provides a circuit configuration that can utilize the characteristics of SJ-MOSFETs to the maximum.

MOSFETは、その構造上、形成される寄生ダイオードが存在するが、SJ−MOSFETの場合、その寄生ダイオードのリカバリーが遅いことがその欠点の原因である。寄生ダイオードのリカバリーが遅いというのは、寄生ダイオードに順方向の電流が流れている状態において、MOSFETのオンによりMOSFETのトランジスタ側に電流が流れるべき時に、寄生ダイオードにも逆方向の電流が流れるということを表している。   A MOSFET has a parasitic diode formed due to its structure, but in the case of an SJ-MOSFET, the recovery of the parasitic diode is a cause of the drawback. The slow recovery of the parasitic diode means that in the state where the forward current flows through the parasitic diode, the reverse current also flows through the parasitic diode when the current should flow to the transistor side of the MOSFET when the MOSFET is turned on. Represents that.

理想的なダイオードは、逆方向の電流を瞬時に遮断するが、SJ−MOSFETの寄生ダイオードは逆方向の電流を遮断するまでの時間が遅い。だが一方、SJ−MOSFETの寄生ダイオードはリカバリーが遅いと言ってもダイオード特性が無い訳ではない。ダイオード特性が発揮されている、言いかえると、逆方向の電流を遮断している状態であれば、SJ−MOSFETの寄生ダイオードは悪影響を与えないことを示している。   An ideal diode instantaneously cuts off the reverse current, but the parasitic diode of the SJ-MOSFET has a slow time until the reverse current is cut off. On the other hand, the parasitic diode of the SJ-MOSFET does not have a diode characteristic even if the recovery is slow. In other words, if the diode characteristic is exhibited, in other words, if the reverse current is cut off, the parasitic diode of the SJ-MOSFET has no adverse effect.

従って、SJ−MOSFETの寄生ダイオードに電流を流さなければ、リカバリーの発生も無く、リカバリーの遅いことによる悪影響を排除することができる。MOSFETの寄生ダイオードに電流が流れる状態は、所謂、還流と呼ばれる現象であり、誘導性負荷などによる位相遅れやトランジスタのOFF時の電流経路として電流が流れてしまうので、還流電流が流れない回路を構成すれば良い。   Therefore, if no current is passed through the parasitic diode of the SJ-MOSFET, there is no occurrence of recovery, and adverse effects due to slow recovery can be eliminated. The state where the current flows through the parasitic diode of the MOSFET is a so-called phenomenon called recirculation, and the current flows as a current path when the transistor is turned off due to phase delay due to inductive load or the like. What is necessary is just to comprise.

そこで、図1の回路構成にて説明する。第1のスイッチ手段3および第2のスイッチ手段4は、双方向スイッチ手段であるが、SJ−MOSFET3aとSJ−MOSFET4aは、逆方向の電流を遮断するダイオード整流器3bと4bを介して接続されている。このダイオード整流器3bと4bは、SJ−MOSFET3aとSJ−MOSFET4aの寄生ダイオードに電流が流れることを遮断する機能を有する。   Therefore, description will be made with reference to the circuit configuration of FIG. The first switch means 3 and the second switch means 4 are bidirectional switch means, but the SJ-MOSFET 3a and SJ-MOSFET 4a are connected via diode rectifiers 3b and 4b that cut off current in the reverse direction. Yes. The diode rectifiers 3b and 4b have a function of blocking current from flowing through the parasitic diodes of the SJ-MOSFET 3a and SJ-MOSFET 4a.

さらに、SJ−MOSFET3aもしくはSJ−MOSFET4aがオフした場合、誘導性要素であるリアクタ5に流れる電流が流れ続けようとする場合、整流器2がオンするため、SJ−MOSFET3aもしくはSJ−MOSFET4aの寄生ダイオードに電流が流れ無くとも、電流経路が確保され、整流器2に転流する。   Further, when the SJ-MOSFET 3a or SJ-MOSFET 4a is turned off, when the current flowing through the reactor 5 that is an inductive element continues to flow, since the rectifier 2 is turned on, the parasitic diode of the SJ-MOSFET 3a or SJ-MOSFET 4a Even if no current flows, a current path is secured and commutates to the rectifier 2.

以上より、本実施の形態1によれば、SJ−MOSFETの欠点ともいうべき寄生ダイオードへ電流が流れないので、SJ-MOSFETの有する低オン抵抗のメリットのみ享受でき、デメリットが無いと好適な回路構成を構築し、半導体素子が通流時に発生する通流損を低減し、高効率な交流直流変換装置を得ることができる。また、本発明の交流直流変換装置は、低周波のPWMにて動作するため、PWMスイッチングによるスイッチング損失よりも半導体がオンしているときの導通損失が支配的であり、本発明の交流直流変換装置の制御構成にも好適であり、高効率な交流直流変換装置を得ることが出来る。   As described above, according to the first embodiment, current does not flow to the parasitic diode, which can be said to be a defect of the SJ-MOSFET. Therefore, only the merit of the low on-resistance possessed by the SJ-MOSFET can be enjoyed, and a circuit that is suitable if there is no demerit. By constructing the structure, it is possible to reduce the conduction loss generated when the semiconductor element is flowing, and to obtain a highly efficient AC / DC converter. In addition, since the AC / DC converter of the present invention operates at a low frequency PWM, the conduction loss when the semiconductor is on is more dominant than the switching loss due to PWM switching. It is also suitable for the control configuration of the apparatus, and a highly efficient AC / DC converter can be obtained.

実施の形態2.
実施の形態1では、SJ−MOSFETの寄生ダイオードへの電流を遮断するダイオード整流器を第1のスイッチ手段と第2のスイッチ手段のそれぞれに設けたが、これを1つだけ設けて、第1のスイッチ手段と第2のスイッチ手段が共用するように構成してもよい。本実施の形態2ではこのような形態について説明する。
図2〜図4は本実施の形態2でも用いられる。
図5は、本発明に係る交流直流変換装置の実施の形態2を示す回路ブロック図である。
図5において、図1の第1のスイッチ手段3、第2のスイッチ手段4をそれぞれ第1のSJ−MOSFET31a、第2のSJ−MOSFET41aに置き換え、これらに1つのダイオード整流器14を接続させている以外は図1の構成と同じである。
Embodiment 2. FIG.
In the first embodiment, the diode rectifier that cuts off the current to the parasitic diode of the SJ-MOSFET is provided in each of the first switch means and the second switch means. However, only one diode rectifier is provided, You may comprise so that a switch means and a 2nd switch means may be shared. This embodiment will be described in the second embodiment.
2 to 4 are also used in the second embodiment.
FIG. 5 is a circuit block diagram showing Embodiment 2 of the AC / DC converter according to the present invention.
In FIG. 5, the first switch means 3 and the second switch means 4 in FIG. 1 are replaced with the first SJ-MOSFET 31a and the second SJ-MOSFET 41a, respectively, and one diode rectifier 14 is connected thereto. Otherwise, the configuration is the same as that of FIG.

図5の基本回路は、双方向スイッチ手段3、4ではなくなるが、スイッチ素子であるSJ-MOSFET3a、4aの動作は図1と図5では変わらなく、ダイオード整流器14が単方向通流スイッチ素子のSJ−MOSFET3a、4aを等価的に双方向スイッチ手段に変換していることから、上述と同等効果を有することは言うまでも無い。   Although the basic circuit of FIG. 5 is not the bidirectional switch means 3 and 4, the operation of the switch elements SJ-MOSFETs 3a and 4a is the same as in FIGS. 1 and 5, and the diode rectifier 14 is a unidirectional flow switch element. Needless to say, the SJ-MOSFETs 3a and 4a are equivalently converted into bidirectional switch means, and thus have the same effect as described above.

図5において、SJ−MOSFET3aと4aの寄生ダイオードに電流が流れる経路に、ダイオード整流器14を配置している。そのため、寄生ダイオードに電流が流れない構成であることがいえる。さらに、SJ−MOSFET3aと4aがオフする際、誘導性要素のリアクタ5の電流が流れ続ける電流経路として整流器2がオンすることでリアクタの電流経路が確保され、整流器2に転流する。   In FIG. 5, a diode rectifier 14 is arranged in a path through which current flows in the parasitic diodes of the SJ-MOSFETs 3a and 4a. Therefore, it can be said that the current does not flow through the parasitic diode. Furthermore, when the SJ-MOSFETs 3a and 4a are turned off, the rectifier 2 is turned on as a current path through which the current in the reactor 5 of the inductive element continues to flow, so that the current path of the reactor is secured and commutated to the rectifier 2.

以上のように、本実施の形態2によれば、SJ−MOSFETの寄生ダイオードに電流が流れる経路を持たないよう寄生ダイオード電流遮断要素および誘導性要素に流れる電流経路を確保する転流要素を持つことで、SJ−MOSFETの低オン抵抗の利点のみ享受することができる。   As described above, according to the second embodiment, the parasitic diode current blocking element and the commutation element that secures the current path flowing through the inductive element are provided so as not to have a path through which the current flows through the parasitic diode of the SJ-MOSFET. Thus, only the advantage of the low on-resistance of the SJ-MOSFET can be enjoyed.

また、SJ−MOSFET3a、4aのオン動作時に、電流が流れる経路のダイオードの数が、図1の半分となり、ダイオードの通流損失が図1の回路構成に対して、1/2に低減できる。これにより、交流直流変換装置の変換効率を向上できる効果を有する。   Further, when the SJ-MOSFETs 3a and 4a are turned on, the number of diodes in the path through which the current flows is half that in FIG. 1, and the diode conduction loss can be reduced to ½ that of the circuit configuration in FIG. This has the effect of improving the conversion efficiency of the AC / DC converter.

実施の形態3.
図2〜図4は本実施の形態3でも用いられる。
図6は、本発明に係る交流直流変換装置の実施の形態3を示す回路ブロック図である。
図6において、図1の第1のスイッチ手段3、第2のスイッチ手段4をそれぞれ第1のスイッチ手段32、第2のスイッチ手段42に置き換えている以外は図1の構成と同じである。
第1のスイッチ手段32は、第1のSJ−MOSFET32aと第2のSJ−MOSFET32cを逆並列に接続し、第1のブロッキングダイオード32bを第1のSJ−MOSFET32aと直列接続するとともに、第2のブロッキングダイオード32dを第2のSJ−MOSFET32cと直列接続することで双方向スイッチを構成する。
第2のスイッチ手段42の構成についても同様であり、第3のSJ−MOSFET42aと第4のSJ−MOSFET42cを逆並列に接続し、第3のブロッキングダイオード42bを第3のSJ−MOSFET42aと直列接続するとともに、第4のブロッキングダイオード42dを第4のSJ−MOSFET42cと直列接続することで双方向スイッチを構成する。
このようにSJ−MOSFETとダイオード整流器から構成される双方向スイッチ手段ではなく、SJ−MOSFET2つを逆並列に接続し、ブロッキングダイオードをSJ−MOSFETと直列接続するような双方向スイッチを構成することで、寄生ダイオードに流れる電流を遮断可能となり、SJ−MOSFETの低オン抵抗という利点のみを享受することが出来る。
Embodiment 3 FIG.
2 to 4 are also used in the third embodiment.
FIG. 6 is a circuit block diagram showing Embodiment 3 of the AC / DC converter according to the present invention.
6 is the same as the configuration of FIG. 1 except that the first switch means 3 and the second switch means 4 of FIG. 1 are replaced with the first switch means 32 and the second switch means 42, respectively.
The first switch means 32 connects the first SJ-MOSFET 32a and the second SJ-MOSFET 32c in antiparallel, connects the first blocking diode 32b in series with the first SJ-MOSFET 32a, and the second SJ-MOSFET 32a. A bidirectional switch is configured by connecting the blocking diode 32d in series with the second SJ-MOSFET 32c.
The same applies to the configuration of the second switch means 42. The third SJ-MOSFET 42a and the fourth SJ-MOSFET 42c are connected in antiparallel, and the third blocking diode 42b is connected in series with the third SJ-MOSFET 42a. In addition, a bidirectional switch is configured by connecting the fourth blocking diode 42d in series with the fourth SJ-MOSFET 42c.
Thus, instead of the bidirectional switch means composed of the SJ-MOSFET and the diode rectifier, a bidirectional switch is constructed in which two SJ-MOSFETs are connected in antiparallel and a blocking diode is connected in series with the SJ-MOSFET. Thus, the current flowing through the parasitic diode can be cut off, and only the advantage of the low on-resistance of the SJ-MOSFET can be enjoyed.

また、図6にはSJ−MOSFET3a、3c、4a、4cのソース端子にダイオード3b、3d、4b、4dのアノード端子が接続するように記載しているが、ドレイン端子にカソード端子が接続するような構成であっても同等にSJ−MOSFETの利点のみを享受する効果を得られることは言うまでも無い。
更に言えば、図示していないが、2個のSJ−MOSFETのソース側を接続し、SJ-MOSFETと並列にダイオードを接続する双方向スイッチを構成しても同等効果を有することは言うまでも無い。
またさらに、SJ−MOSFETの低オン抵抗の特性を利用して、逆方向(換言すると、寄生ダイオードに電流が流れる方向)に電流が流れる際、SJ−MOSFETがオンするようPWM信号をゲートソース間に入力すると、寄生ダイオードではなくFET側を逆方向の電流が流れる特性(一般的には同期整流特性と称す)を利用して寄生ダイオードに電流を流さないようにPWM制御を構成しても同等の効果を奏することは言うまでもない。
FIG. 6 shows that the anode terminals of the diodes 3b, 3d, 4b, and 4d are connected to the source terminals of the SJ-MOSFETs 3a, 3c, 4a, and 4c, but the cathode terminal is connected to the drain terminal. Needless to say, even with a simple structure, it is possible to obtain the effect of enjoying only the advantages of the SJ-MOSFET.
Furthermore, although not shown, it goes without saying that the same effect can be obtained by configuring a bidirectional switch in which the sources of two SJ-MOSFETs are connected and a diode is connected in parallel with the SJ-MOSFET. No.
Furthermore, by utilizing the low on-resistance characteristic of the SJ-MOSFET, when the current flows in the reverse direction (in other words, the direction in which the current flows in the parasitic diode), the PWM signal is transmitted between the gate and the source so that the SJ-MOSFET is turned on. Even if the PWM control is configured so that current does not flow through the parasitic diode using the characteristic that current flows in the reverse direction on the FET side instead of the parasitic diode (generally called synchronous rectification characteristics) Needless to say, the effects of

尚、図1、図5、図6ではN型チャネルとして記載しているが、P型チャネルで構成しても何らSJ−MOSFETの効果を損ねるものではない。   1, 5, and 6, the N-type channel is described. However, even if the P-type channel is used, the effect of the SJ-MOSFET is not impaired.

本発明の活用例として、直流で電力消費を行う負荷向けの電源装置に利用可能である。特に、直流交流変換装置であるインバータの電源装置として利用でき、永久磁石電動機を駆動するインバータに適用することによる省エネの実現、安価でノイズの少ない交流直流変換装置の構成などから、空気調和機や冷凍機、洗濯乾燥機のほか、冷蔵庫、除湿器、ヒートポンプ式給湯機、ショーケース、掃除機など家電製品全般に適用可能であり、ファンモータや換気扇、手乾燥機などへの適用も可能である。
以上の製品を総称して機器と呼ぶ。
As an application example of the present invention, the present invention can be used for a power supply device for a load that consumes power by direct current. In particular, it can be used as a power supply device for an inverter that is a DC / AC converter, and it can be applied to an inverter that drives a permanent magnet motor, realizing energy savings, a low-cost, low-noise AC / DC converter configuration, etc. In addition to refrigerators and washing dryers, it can be applied to household appliances such as refrigerators, dehumidifiers, heat pump water heaters, showcases, and vacuum cleaners, and can also be applied to fan motors, ventilation fans, hand dryers, etc. .
The above products are collectively called equipment.

1 交流電源、2 整流器、3 第1のスイッチ手段、3a 第1のSJ−MOSFET、3b 第1のダイオード整流器、4 第2のスイッチ手段、4a 第2のSJ−MOSFET、4b 第2のダイオード整流器、5 リアクタ、6 第1のコンデンサー、7 第2のコンデンサー、8 負荷、14 ダイオード整流器、20 制御手段、31a 第1のSJ−MOSFET、32 第1のスイッチ手段、32a 第1のSJ−MOSFET、32b 第1のブロッキングダイオード、32c 第2のSJ−MOSFET、32d 第2のブロッキングダイオード、41a 第2のSJ−MOSFET、42 第2のスイッチ手段、42a 第3のSJ−MOSFET、42b 第3のブロッキングダイオード、42c 第4のSJ−MOSFET、42d 第4のブロッキングダイオード。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 AC power supply, 2 Rectifier, 3 1st switch means, 3a 1st SJ-MOSFET, 3b 1st diode rectifier, 4 2nd switch means, 4a 2nd SJ-MOSFET, 4b 2nd diode rectifier 5 Reactor, 6 First capacitor, 7 Second capacitor, 8 Load, 14 Diode rectifier, 20 Control means, 31a First SJ-MOSFET, 32 First switch means, 32a First SJ-MOSFET, 32b first blocking diode, 32c second SJ-MOSFET, 32d second blocking diode, 41a second SJ-MOSFET, 42 second switch means, 42a third SJ-MOSFET, 42b third blocking Diode, 42c Fourth SJ-MOSFET, 4 d fourth blocking diode.

Claims (5)

交流電源にリアクタを介して接続される整流器と、
この整流器の出力端子間に直列に接続された2つのコンデンサーと、
寄生ダイオードである第1のダイオードを内部に有し、スーパージャンクション構造を有する素子であるFETと、前記第1のダイオードに流れる電流のうち、前記第1のダイオードの順方向の電流を通流させないよう電流を遮断する第2のダイオードとで構成された2組の双方向スイッチと、
制御手段と、を備え、
前記2組の双方向スイッチのそれぞれに設けられた整流器の入力端子同士を接続することで前記2組の双方向スイッチを直列接続し、前記2組の双方向スイッチの接続点と前記2つのコンデンサーの接続点とを接続し、
前記制御手段は、前記交流電源から流れる電流から無効電流を抽出し、前記無効電流が零となるように前記2組の双方向スイッチを動作させ、少なくとも一方のFETがオフする際、前記オフするFETから前記整流器に前記交流電源から流れる電流が転流することを特徴とする交流直流変換装置。
A rectifier connected to an AC power source via a reactor;
Two capacitors connected in series between the output terminals of this rectifier,
A first diode is a parasitic diode possess inside, the FET is a device having a super junction structure, among the current flowing through the first diode, not flow through the forward current of the first diode Two sets of bidirectional switches composed of a second diode that interrupts the current,
Control means,
The two sets of bidirectional switches are connected in series by connecting the input terminals of rectifiers provided in each of the two sets of bidirectional switches, and the connection points of the two sets of bidirectional switches and the two capacitors To the connection point of
The control means extracts a reactive current from a current flowing from the AC power source, operates the two sets of bidirectional switches so that the reactive current becomes zero, and turns off when at least one FET is turned off. An AC to DC converter characterized in that a current flowing from the AC power source is commutated from an FET to the rectifier.
交流電源にリアクタを介して接続される整流器と、
この整流器の出力端子間に直列に接続された2つのコンデンサーと、
寄生ダイオードである第1のダイオードを内部に有し、スーパージャンクション構造を有する素子である2つのFETと、
前記第1のダイオードに流れる電流のうち、前記第1のダイオードの順方向の電流を通流させないよう電流を遮断するダイオードブリッジと、
前記ダイオードブリッジの2つの出力同士を接続することで前記2つのFETを直列に接続して構成されたスイッチ手段と、
制御手段と、を備え、
前記スイッチ手段を構成する前記ダイオードブリッジの入力端子と前記整流器の入力端子とを接続し、前記2つのFETの接続点と前記2つのコンデンサーの接続点とを接続し、
前記制御手段は、前記交流電源から流れる電流から無効電流を抽出し、前記無効電流が零となるように前記スイッチ手段を動作させ、少なくとも一方のFETがオフする際、前記オフするFETから前記整流器に交流電源から流れる電流が転流することを特徴とする交流直流変換装置。
A rectifier connected to an AC power source via a reactor;
Two capacitors connected in series between the output terminals of this rectifier,
A first diode is a parasitic diode possess inside, two FET is an element having a super junction structure,
A diode bridge that cuts off a current from flowing through the first diode so as not to pass a forward current of the first diode ;
Switch means configured by connecting the two FETs in series by connecting two outputs of the diode bridge;
Control means,
Connecting the input terminal of the diode bridge and the input terminal of the rectifier constituting the switch means, connecting the connection point of the two FETs and the connection point of the two capacitors;
The control means extracts a reactive current from a current flowing from the AC power supply, operates the switch means so that the reactive current becomes zero, and when at least one FET is turned off, the FET that turns off the rectifier An AC / DC converter characterized in that the current flowing from the AC power source is commutated.
交流電源にリアクタを介して接続される整流器と、
この整流器の出力端子間に直列に接続された2つのコンデンサーと、
寄生ダイオードである第1のダイオードを内部に有し、スーパージャンクション構造を有する素子であるFETと、前記第1のダイオードに流れる電流のうち、前記第1のダイオードの順方向の電流を通流させないよう電流を遮断する第2のダイオードとを直列接続し、前記直列回路を逆並列に接続して構成された2組の双方向スイッチと、
制御手段と、を備え、
前記2組の双方向スイッチを直列接続し、前記直列接続した2組の双方向スイッチを前記整流器の入力端子間に接続し、前記2組の双方向スイッチの接続点と前記2つのコンデンサーの接続点とを接続し、
前記制御手段は、前記交流電源から流れる電流から無効電流を抽出し、前記無効電流が零となるように前記2組の双方向スイッチを動作させ、少なくとも一方のFETがオフする際、前記オフするFETから前記整流器に交流電源から流れる電流が転流することを特徴とする交流直流変換装置。
A rectifier connected to an AC power source via a reactor;
Two capacitors connected in series between the output terminals of this rectifier,
A first diode is a parasitic diode possess inside, the FET is a device having a super junction structure, among the current flowing through the first diode, not flow through the forward current of the first diode Two sets of bidirectional switches configured by connecting in series a second diode that cuts off the current, and connecting the series circuit in antiparallel,
Control means,
The two sets of bidirectional switches are connected in series, the two sets of bidirectional switches connected in series are connected between the input terminals of the rectifier, and the connection point of the two sets of bidirectional switches and the connection of the two capacitors Connect the dots,
The control means extracts a reactive current from a current flowing from the AC power source, operates the two sets of bidirectional switches so that the reactive current becomes zero, and turns off when at least one FET is turned off. An AC to DC converter characterized in that a current flowing from an AC power source is commutated from an FET to the rectifier.
前記FETのスイッチング周波数を10kHz以下にしたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の交流直流変換装置。   4. The AC / DC converter according to claim 1, wherein a switching frequency of the FET is set to 10 kHz or less. 請求項1乃至のいずれかに記載の交流直流変換装置を備えたことを特徴とする機器。 Apparatus characterized by comprising a AC-DC converter according to any one of claims 1 to 4.
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