JP4983745B2 - Pressure adjusting device, treatment system using the same, and pressure adjusting method - Google Patents

Pressure adjusting device, treatment system using the same, and pressure adjusting method Download PDF

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本発明は、半導体ウエハ等を処理するために、例えばクラスタツール化されたマルチチャンバ型の処理システムにおける処理室(チャンバ)間の圧力を調整する圧力調整装置及びこれを用いた処理システムに関する。   The present invention relates to a pressure adjusting device for adjusting a pressure between processing chambers (chambers) in a multi-chamber type processing system, for example, clustered to process a semiconductor wafer or the like, and a processing system using the same.

一般に、半導体集積回路を製造するためには、例えばシリコン基板よりなる半導体ウエハに対して成膜処理、酸化拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の各種の処理が繰り返し施される。そして、上述した一連の処理を施す際、処理の効率化を図り、且つ半導体ウエハの大気搬送を避けるために、例えば上記した一連の処理を行なうための枚葉式の同種、或いは異種の処理室を複数個集合させて結合してクラスター化し、1つの処理が終了した半導体ウエハを大気中に晒すことなく次の異なる処理を行なう処理室へ搬送して次々と連続処理を行うようにした、いわゆるクラスター化されたマルチチャンバ型の処理システムが知られている(例えば特許文献1、2)。   In general, in order to manufacture a semiconductor integrated circuit, various processes such as a film forming process, an oxidation diffusion process, an annealing process, and an etching process are repeatedly performed on a semiconductor wafer made of, for example, a silicon substrate. When performing the above-described series of processes, for example, in order to improve the efficiency of the process and avoid atmospheric transfer of the semiconductor wafer, for example, a single-wafer type of the same or different processing chamber for performing the above-described series of processes. A plurality of semiconductor wafers are combined and clustered to form a cluster so that a semiconductor wafer which has been subjected to one process is transferred to a processing chamber where a different process is performed without being exposed to the atmosphere, and is continuously processed one after another. A clustered multi-chamber processing system is known (for example, Patent Documents 1 and 2).

例えばこの種のマルチチャンバ型の処理システムは、常時真空状態に維持されている共通の搬送室に、成膜用の処理室やエッチング用の処理室が、それぞれゲートバルブを介して共通に接続され、この搬送室に対しては小容量で必要に応じて真空状態又は大気圧状態になされるロードロック室がゲートバルブを介して連結され、搬送室の真空状態を破ることなくロードロック室との間で半導体ウエハの搬入・搬出を行ない得るようになっている。   For example, in this type of multi-chamber processing system, a film processing chamber and an etching processing chamber are commonly connected to a common transfer chamber that is always kept in a vacuum state via a gate valve. The load lock chamber is connected to the transfer chamber through a gate valve with a small capacity and in a vacuum state or an atmospheric pressure state as necessary, and the load lock chamber can be connected to the transfer chamber without breaking the vacuum state of the transfer chamber. It is possible to carry in and out semiconductor wafers.

また、このロードロック室には、半導体ウエハ表面の自然酸化を防止するために例えばNガス等の不活性ガス雰囲気になされており、このロードロック室に はゲートバルブを介して常時略大気圧状態になされた大気側の搬送室が連結されており、この装置へ取り込んだ半導体ウエハをロードロック室との間で搬入・搬出できるようになっている。 In addition, in this load lock chamber, an inert gas atmosphere such as N 2 gas is used to prevent natural oxidation of the semiconductor wafer surface. The atmosphere-side transfer chamber that is in the state is connected, and the semiconductor wafer taken into the apparatus can be transferred into and out of the load lock chamber.

特開平8−291384号公報JP-A-8-291384 特開平11−186355号公報JP-A-11-186355

ところで、半導体ウエハの製造工程にあっては、非常に僅かなゴミ、すなわちパーティクルが存在していても、ミクロンオーダの線幅の加工を行なうことから容易に不良品となってしまい、このようなパーティクルをどのように排除するかが大きな課題となっている。   By the way, in the manufacturing process of a semiconductor wafer, even if a very small amount of dust, that is, particles are present, it becomes a defective product easily due to processing of a line width of micron order. How to eliminate particles is a big issue.

このような状況下において、大きな問題となるのは、上記した各室間に亘って半導体ウエハを搬送する際に、各室間に生じている圧力差により2つの室を連通した時に圧力差に起因して気流が一方の室に流れ込み、このために、パーティクルが巻き上げられて半導体ウエハに付着してしまうという点や一方の室内のパーティクルや汚染物質が他方の室内に流れ込んで拡散させてしまうという点である。そのため、上記圧力差を解消するために、真空状態と大気圧状態に繰り返しなされるロードロック室と常時略大気圧状態に維持される大気側の搬送室とを連通させる際には、ロードロック室内にN ガスを供給してロードロック室内に設けた圧力計が略大気圧を検出したところで両室を区画するゲートバルブを開いて両室を連通させるようになっている。 Under such circumstances, a major problem is that when the semiconductor wafer is transferred between the chambers, the pressure difference is generated when the two chambers are communicated with each other due to the pressure difference generated between the chambers. As a result, the airflow flows into one chamber, which causes particles to roll up and adhere to the semiconductor wafer, and that particles and contaminants in one chamber flow into the other chamber and diffuse. Is a point. Therefore, in order to eliminate the pressure difference, when the load lock chamber that is repeatedly maintained in the vacuum state and the atmospheric pressure state and the atmosphere-side transfer chamber that is always maintained at the substantially atmospheric pressure state are communicated, so that the communicating both chambers by opening the gate valve which divides the two chambers where the pressure gauge is provided in the load lock chamber by supplying N 2 gas is substantially detects the atmospheric pressure.

しかし、大気圧程度の圧力下においては僅かな圧力差でもって容易に気流が移動してしまうが、大気圧程度の圧力レンジをカバーする圧力計は、精度の高いものは非常に高価で、且つ圧力計で差圧ゼロを検知したとしても、この測定誤差による圧力差に起因して、両室間を連通する毎に気流が流れてパーティクルを巻き上げてしまうという恐れがあった。   However, the airflow easily moves with a slight pressure difference under a pressure of about atmospheric pressure, but the pressure gauge covering the pressure range of about atmospheric pressure is very expensive with high accuracy, and Even if the pressure gauge detects zero differential pressure, there is a risk that the air current flows and rolls up particles every time the two chambers communicate with each other due to the pressure difference due to this measurement error.

また、他の従来の連通方法としては、図10に示すような方法も知られている。すなわち、大気側の搬送室2とロードロック室4とを連通するように、途中に開閉弁6が介設された連通管8を設けておき、ロードロック室4の大気圧復帰時には、ロードロック室4内にN ガスを導入して行き、ここに設けた圧力計10が略大気圧を検出した時に、弁制御部12が上記開閉弁6を開状態とする。これにより連通管8を介して圧力が高い室から低い室へ僅かにガスが移動することで、両室2、4間の僅かな差圧を解消することができ、この後に両室2、4間を仕切っていたゲートバルブ14を開くようにする(例えば特許文献2)。 As another conventional communication method, a method as shown in FIG. 10 is also known. That is, a communication pipe 8 having an on-off valve 6 is provided in the middle so that the transfer chamber 2 on the atmosphere side and the load lock chamber 4 communicate with each other. When N 2 gas is introduced into the chamber 4 and the pressure gauge 10 provided therein detects a substantially atmospheric pressure, the valve control unit 12 opens the on-off valve 6. As a result, the gas slightly moves from the high pressure chamber to the low pressure chamber via the communication pipe 8, so that the slight pressure difference between the two chambers 2 and 4 can be eliminated. The gate valve 14 that partitions the space is opened (for example, Patent Document 2).

しかしながら、この場合にも、上記圧力計10の誤差等に伴って、一方の室内の雰囲気が連通管8を介して他方の室内へ移動することを避けることは困難であり、特に、パーティクルがより発生し易い状況にある大気側の搬送室2内の雰囲気が、ロードロック室4内へ侵入してパーティクルの拡散を引き起こす恐れが存在する、といった問題がここでもあった。   However, in this case as well, it is difficult to avoid the atmosphere in one room from moving to the other room via the communication pipe 8 due to the error of the pressure gauge 10 and the like. There is also a problem here that the atmosphere in the transfer chamber 2 on the atmosphere side that is likely to occur may enter the load lock chamber 4 to cause the diffusion of particles.

このような問題は、上記した大気側の搬送室2とロードロック室4との間のみならず、ロードロック室と真空状態の搬送室との間及び真空状態の搬送室と各処理室との間にも、程度の差はあるが存在していた。   Such a problem occurs not only between the above-described atmospheric-side transfer chamber 2 and the load lock chamber 4, but also between the load lock chamber and the vacuum transfer chamber, and between the vacuum transfer chamber and each processing chamber. There were some differences between them.

特に、半導体集積回路の更なる高密度、高微細化が進んできている今日において、僅かなパーティクルが存在しても歩留まり低下の原因となり、上記した問題点の早期の解決が望まれている。   In particular, as semiconductor integrated circuits are now becoming increasingly dense and highly miniaturized, the presence of a small number of particles can cause a decrease in yield, and an early solution of the above problems is desired.

本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、2つの部屋を連通する際に、一方の部屋の雰囲気を他方の部屋へ流入させることなく両部屋の差圧をゼロにすることが可能な圧力調整装置、これを用いた処理システム及び圧力調整方法を提供することにある。   The present invention has been devised to pay attention to the above problems and to effectively solve them. An object of the present invention is to use a pressure adjusting device capable of reducing the differential pressure between two rooms to zero without causing the atmosphere of one room to flow into the other room when the two rooms communicate with each other. It is to provide a processing system and a pressure adjusting method.

請求項1の発明は、開閉可能になされた開閉ドアを介して連通された、圧力差が生ずることのある第1の部屋と第2の部屋の圧力調整装置において、前記第1の部屋と前記第2の部屋とを連通する連通路と、前記連通路の途中に介設された第1及び第2の開閉弁と、前記連通路の前記第1及び前記第2の開閉弁との間に接続されて、前記連通路に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路と、前記ガス供給通路の途中に介設されたガス開閉弁と、前記開閉ドアを開く直前に、前記第1及び第2の開閉弁を閉じた状態で前記連通路内に前記清浄ガスを貯め込み、次に、前記貯め込んだ前記清浄ガスを前記第1及び第2の部屋へ供給するために前記第1及び第2の開閉弁を開くように制御する弁制御部と、を備えるように構成したことを特徴とする圧力調整装置である。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a pressure adjusting device for a first chamber and a second chamber, which are communicated via an openable / closable opening / closing door and in which a pressure difference is generated. Between the communication passage communicating with the second chamber, the first and second on-off valves interposed in the middle of the communication passage, and the first and second on-off valves of the communication passage A gas supply passage connected to supply a clean gas having a predetermined pressure to the communication passage, a gas on-off valve interposed in the middle of the gas supply passage, and the first and In order to store the clean gas in the communication passage with the second on-off valve closed, and then supply the stored clean gas to the first and second chambers. And a valve control unit that controls to open the second on-off valve. A pressure adjustment device for.

このように、第1の部屋と第2の部屋とを連通する連通路と、連通路の途中に介設された第1及び第2の開閉弁と、連通路の第1及び第2の開閉弁との間に接続されて、連通路に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路と、ガス供給通路の途中に介設されたガス開閉弁と、開閉ドアを開く直前に、第1及び第2の開閉弁を閉じた状態で連通路内に清浄ガスを貯め込み、次に、貯め込んだ清浄ガスを第1及び第2の部屋へ供給するために第1及び第2の開閉弁を開くように制御する弁制御部とを設け、開閉ドア、例えばゲートバルブを開いて両部屋を連通する直前に、前記連通路内に貯め込んだ清浄ガスを両部屋へそれぞれ供給して圧力を平衡させるようにしたので、2つの部屋を連通する際に、一方の部屋の雰囲気を他方の部屋へ流入させることなく両部屋の差圧をゼロにすることができる。   As described above, the communication path communicating the first room and the second room, the first and second opening / closing valves interposed in the middle of the communication path, and the first and second opening / closing of the communication path. A gas supply passage connected between the valve and supplying clean gas having a predetermined pressure to the communication passage; a gas on-off valve interposed in the middle of the gas supply passage; The first and second on-off valves store the clean gas in the communication passage with the second on-off valve closed and then supply the stored clean gas to the first and second chambers. And a valve control unit that controls to open the chamber, and immediately before opening the open / close door, for example, the gate valve, to communicate the two chambers, the clean gas stored in the communication passage is supplied to both chambers to increase the pressure. Since it was made to equilibrate, when two rooms communicate, the atmosphere of one room flows into the other room A differential pressure of both the room can be reduced to zero without.

従って、開閉ドアを開いて両部屋を連通した際に、パーティクルの巻き上げを阻止することができるのみならず、一方の部屋に存在するパーティクルや汚染物質が他の部屋に拡散することを防止することができる。   Therefore, when opening and closing doors and communicating with both rooms, not only can the particles be prevented from rolling up, but also particles and contaminants in one room can be prevented from diffusing into other rooms. Can do.

請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記弁制御部は、前記第1及び第2の開閉弁を開いた後、所定の時間経過した時に前記開閉ドアを開くように制御することを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1又は2の発明において、前記弁制御部は、前記第1及び第2の開閉弁を開いた後は、前記開閉ドアを開くまでは前記第1及び第2の開閉弁の開状態を維持するように制御することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the valve control unit controls the open / close door to open when a predetermined time elapses after the first and second open / close valves are opened. It is characterized by.
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, after the first and second on-off valves are opened, the valve control unit does not open the first and second doors until the open / close door is opened. Control is performed to maintain the open state of the on-off valve.

請求項4の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発明において、前記弁制御部は、前記第1の開閉弁と前記第2の開閉弁とを同時に開くように制御することを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発明において、前記第1の部屋と前記第2の部屋の内、少なくともいずれか一方の部屋に圧力計が設けられており、前記弁制御部は前気圧力計の検出値に基づいて開弁の制御を行うことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to third aspects, the valve control unit controls the first on-off valve and the second on-off valve to open simultaneously. It is characterized by that.
The invention of claim 5 is the invention according to any one of claims 1 to 4, wherein a pressure gauge is provided in at least one of the first room and the second room. The valve control unit controls the valve opening based on the detected value of the front air pressure gauge.

請求項6の発明は、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発明において、前記清浄ガスの所定の圧力は、前記第1及び第2の開閉弁を開く前の前記第1及び第2の部屋の各圧力よりも高く設定されていることを特徴とする。
請求項7の発明は、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発明において、前記連通路には、前記第1の開閉弁と前記第2の開閉弁との間において容積増加タンクが接続されていることを特徴とする。
The invention of claim 6 is the invention according to any one of claims 1 to 5, wherein the predetermined pressure of the clean gas is the first and second before the first and second on-off valves are opened. It is characterized by being set higher than each pressure in the second room.
The invention according to claim 7 is the invention according to any one of claims 1 to 6, wherein the communication passage has a volume increasing tank between the first on-off valve and the second on-off valve. It is connected.

請求項8の発明は、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の発明において、前記ガス供給通路の前記ガス開閉弁よりも下流側には、容積増加タンクが接続されていることを特徴とする。
請求項9の発明は、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の発明において、前記第1の部屋と前記第2の部屋は、被処理体に対して減圧雰囲気で処理を行うための処理システムにおける大気側搬送室と、該大気側搬送室に連設されて大気圧雰囲気と減圧雰囲気とを繰り返すロードロック室であることを特徴とする。
The invention according to claim 8 is the invention according to any one of claims 1 to 7, wherein a volume increasing tank is connected to the gas supply passage downstream of the gas on-off valve. And
The invention according to claim 9 is the invention according to any one of claims 1 to 8, wherein the first chamber and the second chamber are for performing processing in a reduced-pressure atmosphere on the object to be processed. An atmosphere-side transfer chamber in the processing system and a load-lock chamber that is connected to the atmosphere-side transfer chamber and repeats an atmospheric pressure atmosphere and a reduced-pressure atmosphere.

請求項10の発明は、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の発明において、前記第1の部屋と前記第2の部屋は、被処理体に対して減圧雰囲気で処理を行うための処理システムにおける減圧側搬送室と、該減圧側搬送室に連設されて大気圧雰囲気と減圧雰囲気とを繰り返すロードロック室であることを特徴とする。
請求項11の発明は、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の発明において、前記第1の部屋と前記第2の部屋は、被処理体に対して減圧雰囲気で処理を行うための処理システムにおける減圧側搬送室と、該減圧側搬送室に連設されて減圧雰囲気下で前記被処理体に対して実際に処理を施す処理室であることを特徴とする。
The invention according to claim 10 is the invention according to any one of claims 1 to 8, wherein the first chamber and the second chamber are used for processing the object to be processed in a reduced pressure atmosphere. A decompression-side transfer chamber in the processing system, and a load-lock chamber that is connected to the decompression-side transfer chamber and repeats an atmospheric pressure atmosphere and a reduced-pressure atmosphere.
The invention of claim 11 is the invention according to any one of claims 1 to 8, wherein the first chamber and the second chamber are for performing processing in a reduced-pressure atmosphere on the object to be processed. A decompression-side transfer chamber in the processing system, and a processing chamber that is connected to the decompression-side transfer chamber and that actually processes the object to be processed in a reduced-pressure atmosphere.

請求項12の発明は、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の発明において、前記開閉ドアは、ゲートバルブであることを特徴とする。
請求項13の発明は、請求項1乃至12のいずれか一項に記載の発明において、前記清浄ガスは、清浄空気、N ガス及び希ガスの内の1以上ガスであることを特徴とする。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to eleventh aspects, the open / close door is a gate valve.
The invention of claim 13 is the invention according to any one of claims 1 to 12, wherein the clean gas is one or more of clean air, N 2 gas, and rare gas. .

請求項14の発明は、被処理体に処理を施すための処理システムにおいて、前記被処理体に処理を実際に施す1又は複数の処理室と、前記処理室に、開閉可能になされた開閉ドアを設けた開口を介して共通に連結される減圧側搬送室と、前記減圧側搬送室に、開閉可能になされた開閉ドアを設けた開口を介して連結されて大気圧雰囲気と減圧雰囲気とが繰り返されるロードロック室と、前記ロードロック室に、開閉可能になされた開閉ドアを設けた開口を介して連結される大気側搬送室と、前記減圧側搬送室に設けられて前記被処理体を搬送する第1の搬送機構と、前記大気側搬送室に設けられて前記被処理体を搬送する第2の搬送機構と、請求項1乃至13のいずれか一項に記載の圧力調整装置と、システム全体の動作を制御するシステム制御部と、を備えたことを特徴とする処理システムである。   The invention according to claim 14 is a processing system for performing processing on an object to be processed, one or a plurality of processing chambers that actually perform processing on the object to be processed, and an opening / closing door that can be opened and closed in the processing chamber. A decompression-side transfer chamber commonly connected via an opening provided with an opening, and an atmospheric pressure atmosphere and a reduced-pressure atmosphere connected to the decompression-side transfer chamber via an opening provided with an openable / closable door. A load lock chamber repeated; an atmosphere-side transfer chamber connected to the load lock chamber through an opening provided with an openable / closable door; and the decompression-side transfer chamber provided with the object to be processed. A first transfer mechanism that transfers, a second transfer mechanism that is provided in the atmosphere-side transfer chamber and transfers the object to be processed, and the pressure adjusting device according to any one of claims 1 to 13; System that controls the operation of the entire system And control unit, a processing system comprising the.

請求項15の発明は、開閉可能になされた開閉ドアを介して連通された、圧力差が生ずることのある第1の部屋と第2の部屋の圧力調整装置であって、前記第1の部屋と前記第2の部屋とを連通する連通路と、前記連通路の途中に介設された第1及び第2の開閉弁と、前記連通路の前記第1及び前記第2の開閉弁との間に接続されて、前記連通路に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路と、前記ガス供給通路の途中に介設されたガス開閉弁と、を有する圧力調整装置を用いて行われる圧力調整方法において、前記第1及び第2の開閉弁を閉じた状態で前記連通路内に前記清浄ガスを貯め込む工程と、前記第1及び第2の開閉弁を開いて前記貯め込んだ前記清浄ガスを前記第1及び第2の部屋へ供給する工程と、を備えるようにしたことを特徴とする圧力調整方法である。   A fifteenth aspect of the present invention is a pressure adjusting device for a first chamber and a second chamber, which are communicated via an openable / closable door, and in which a pressure difference is generated, wherein the first chamber A communication passage that communicates with the second chamber, first and second on-off valves interposed in the middle of the communication passage, and the first and second on-off valves of the communication passage It is performed using a pressure regulator having a gas supply passage that is connected between the gas supply passage and supplies a clean gas having a predetermined pressure to the communication passage, and a gas on-off valve that is provided in the middle of the gas supply passage. In the pressure adjusting method, the step of storing the clean gas in the communication passage in a state where the first and second on-off valves are closed, and the first and second on-off valves are opened and stored. Supplying clean gas to the first and second chambers. Which is a pressure adjusting method characterized.

本発明に係る圧力調整装置、これを用いた処理システム及び圧力調整方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
開閉可能になされた開閉ドアを介して連通された、圧力差が生ずることのある第1の部屋と第2の部屋の圧力調整装置において、第1の部屋と第2の部屋とを連通する連通路と、連通路の途中に介設された第1及び第2の開閉弁と、連通路の第1及び第2の開閉弁との間に接続されて、連通路に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路と、ガス供給通路の途中に介設されたガス開閉弁と、開閉ドアを開く直前に、第1及び第2の開閉弁を閉じた状態で連通路内に清浄ガスを貯め込み、次に、貯め込んだ清浄ガスを第1及び第2の部屋へ供給するために第1及び第2の開閉弁を開くように制御する弁制御部とを設け、開閉ドア、例えばゲートバルブを開いて両部屋を連通する直前に、前記連通路内に貯め込んだ清浄ガスを両部屋へそれぞれ供給して圧力を平衡させるようにしたので、2つの部屋を連通する際に、一方の部屋の雰囲気を他方の部屋へ流入させることなく両部屋の差圧をゼロにすることができる。
According to the pressure adjusting device, the processing system using the pressure adjusting device, and the pressure adjusting method according to the present invention, the following excellent effects can be obtained.
In the pressure regulators of the first and second rooms that are connected to each other through the openable / closable door and that may cause a pressure difference, the communication between the first room and the second room is established. A clean gas having a predetermined pressure is connected between the passage, the first and second on-off valves provided in the middle of the communication passage, and the first and second on-off valves of the communication passage. A gas supply passage for supplying gas, a gas on-off valve interposed in the middle of the gas supply passage, and a clean gas in the communication passage with the first and second on-off valves closed immediately before opening the opening / closing door And a valve control unit for controlling the opening of the first and second on-off valves to supply the stored clean gas to the first and second chambers, and an open / close door such as a gate Immediately before opening the valve to connect the two rooms, the clean gas stored in the communication passage is sent to both rooms. Since so as to balance the pressure and supplies, when communicating two rooms, the pressure difference between both chambers without flowing the atmosphere of one room to the other room can be made zero.

従って、開閉ドアを開いて両部屋を連通した際に、パーティクルの巻き上げを阻止することができるのみならず、一方の部屋に存在するパーティクルや汚染物質が他の部屋に拡散することを防止することができる。   Therefore, when opening and closing doors and communicating with both rooms, not only can the particles be prevented from rolling up, but also particles and contaminants in one room can be prevented from diffusing into other rooms. Can do.

以下に、本発明に係る圧力調整装置、これを用いた処理システム及び圧力調整方法の好適な一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明に係る処理システムの一例を示す概略構成図、図2は大気側搬送室とロードロック室との間に設けた圧力調整装置で示す図、図3は減圧側搬送室とロードロック室との間に設けた圧力調整装置を示す図、図4は減圧側搬送室と処理室の間に設けた圧力調整装置を示す図である。
Hereinafter, a preferred embodiment of a pressure adjusting device, a processing system using the pressure adjusting device, and a pressure adjusting method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a processing system according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a pressure adjusting device provided between an atmosphere side transfer chamber and a load lock chamber, and FIG. 3 is a pressure reduction side transfer chamber and a load. FIG. 4 is a view showing a pressure adjusting device provided between the lock chamber and FIG. 4 is a view showing a pressure adjusting device provided between the decompression side transfer chamber and the processing chamber.

<処理システムの説明>
まず、上記処理システムについて説明する。
図1に示すように、この処理システム22は、複数、例えば第1〜第4の4つの処理室24a、24b、24c、24dと、略六角形状の減圧側搬送室26と、ロードロック機能を有する第1及び第2のロードロック室28a、28bと、細長い大気側搬送室30とを主に有している。
<Description of processing system>
First, the processing system will be described.
As shown in FIG. 1, this processing system 22 has a plurality of, for example, first to fourth four processing chambers 24a, 24b, 24c, 24d, a substantially hexagonal decompression-side transfer chamber 26, and a load lock function. The first and second load lock chambers 28a and 28b and the elongated atmosphere-side transfer chamber 30 are mainly included.

具体的には、略六角形状の上記減圧側搬送室26の4辺に上記各処理室24a〜24dが接合され、残りの2つの辺に、上記第1及び第2のロードロック室28a、28bがそれぞれ接合される。そして、この第1及び第2のロードロック室28a、28bに、上記大気側搬送室30が共通に接続される。ここでは上記第1の処理室24a、第2の処理室24b、第3の処理室24c、第4の処理室24dでは例えば成膜処理、エッチング処理、酸化拡散処理等の減圧雰囲気下で行われる同種、或いは異種の処理が半導体ウエハである被処理体に対して行われる。   Specifically, the processing chambers 24a to 24d are joined to four sides of the substantially hexagonal decompression-side transfer chamber 26, and the first and second load lock chambers 28a and 28b are joined to the remaining two sides. Are joined together. The atmosphere-side transfer chamber 30 is commonly connected to the first and second load lock chambers 28a and 28b. Here, the first processing chamber 24a, the second processing chamber 24b, the third processing chamber 24c, and the fourth processing chamber 24d are performed in a reduced pressure atmosphere such as a film forming process, an etching process, and an oxidation diffusion process. The same type or different types of processing are performed on a target object that is a semiconductor wafer.

上記減圧側搬送室26と上記4つの各処理室24a〜24dとの間は、それぞれ気密に開閉可能になされた開閉ドアであるゲートバルブG1、G2、G3、G4を介在して接合されて、クラスタツール化されており、必要に応じて減圧側搬送室26内と連通可能になされている。また、上記減圧側搬送室26と上記第1及び第2の各ロードロック室28a、28bとの間も、それぞれ気密に開閉可能になされた開閉ドアであるゲートバルブG5、G6を介在して接合されて、必要に応じて減圧側搬送室26内と連通可能になされている。   The decompression-side transfer chamber 26 and the four processing chambers 24a to 24d are joined via gate valves G1, G2, G3, and G4 that are open / close doors that can be opened and closed in an airtight manner, respectively. A cluster tool is formed so that it can communicate with the inside of the decompression side transfer chamber 26 as necessary. Further, the decompression-side transfer chamber 26 and the first and second load lock chambers 28a and 28b are also joined via gate valves G5 and G6 which are open / close doors that can be opened and closed in an airtight manner. Thus, it can communicate with the inside of the decompression side transfer chamber 26 as necessary.

ここで、この減圧側搬送室26内は常時真空引きされて、不活性ガス、例えばN ガスの所定の減圧雰囲気に維持されている。また、上記第1及び第2の各ロードロック室28a、28bと上記大気側搬送室30との間も、それぞれ気密に開閉可能になされた開閉ドアであるゲートバルブG7、G8が介在されている。この第1及び第2のロードロック室28a、28bは真空引きによる減圧雰囲気、及び大気圧雰囲気が半導体ウエハの搬出入に伴って繰り返される。そして、半導体ウエハWは各ゲートバルブG1〜G8を開いた状態で搬出入させることなる。 Here, the inside of the decompression side transfer chamber 26 is always evacuated and maintained in a predetermined decompression atmosphere of an inert gas, for example, N 2 gas. Gate valves G7 and G8, which are open / close doors that can be opened and closed in an airtight manner, are interposed between the first and second load lock chambers 28a and 28b and the atmosphere-side transfer chamber 30, respectively. . In the first and second load lock chambers 28a and 28b, a reduced-pressure atmosphere by evacuation and an atmospheric atmosphere are repeated as the semiconductor wafer is carried in and out. The semiconductor wafer W is loaded and unloaded with the gate valves G1 to G8 opened.

また、上記第1〜第4の各処理室24a〜24d内には、半導体ウエハWを載置するための載置台34a、34b、34c、34dがそれぞれ設けられ、上記第1及び第2のロードロック室28a、28b内には、半導体ウエハWを一時的に載置するための載置テーブル36a、36bがそれぞれ設けられている。   Further, in each of the first to fourth processing chambers 24a to 24d, mounting tables 34a, 34b, 34c and 34d for mounting the semiconductor wafer W are provided, respectively, and the first and second loads are provided. In the lock chambers 28a and 28b, mounting tables 36a and 36b for temporarily mounting the semiconductor wafer W are provided, respectively.

また上記第1〜第4の各処理室24a〜24dには、処理に必要なガスを供給する、例えばシャワーヘッド等のガス導入部(図示せず)や室内を真空引きする真空排気系(図示せず)や半導体ウエハを加熱する加熱手段(図示せず)等が必要に応じてそれぞれ設けられている。   The first to fourth processing chambers 24a to 24d are supplied with a gas necessary for processing, for example, a gas introduction section (not shown) such as a shower head or a vacuum exhaust system (see FIG. (Not shown), heating means (not shown) for heating the semiconductor wafer, and the like are provided as necessary.

更には、上記第1〜第4の各処理室24a〜24dには、この室内の圧力を検出する圧力計38a、38b、38c、38dがそれぞれ設けられ、第1及び第2の各ロードロック室28a、28bにもこの室内の圧力を検出する圧力計40a、40dがそれぞれ設けられている。また、上記減圧側搬送室26にもこの室内の圧力を検出する圧力計42が設けられている。   Furthermore, each of the first to fourth processing chambers 24a to 24d is provided with pressure gauges 38a, 38b, 38c and 38d for detecting the pressure in the chamber, and the first and second load lock chambers. Pressure gauges 40a and 40d for detecting the pressure in the room are also provided on 28a and 28b, respectively. The pressure reducing side transfer chamber 26 is also provided with a pressure gauge 42 for detecting the pressure in the chamber.

また、第1及び第2のロードロック室28a、28bには、大気圧復帰時の不活性ガスとして例えばN ガスを導入するために開閉弁が介設されたガス導入系44a、44bと、必要時に各室内の雰囲気を真空引きするために開閉弁が介設された排気系46a、46bとがそれぞれ接続されている。 Further, in the first and second load lock chambers 28a and 28b, gas introduction systems 44a and 44b each provided with an on-off valve for introducing, for example, N 2 gas as an inert gas when returning to atmospheric pressure, Exhaust systems 46a and 46b provided with on-off valves are connected to evacuate the atmosphere in each room when necessary.

そして、この減圧側搬送室26内においては、上記2つの各ロードロック室28a、28b及び4つの各処理室24a〜24dにアクセスできる位置に、屈伸及び旋回可能になされた多関節アームよりなる第1の搬送機構50が設けられており、これは、互いに反対方向へ独立して屈伸できる2つのピック50a、50bを有しており、一度に2枚の半導体ウエハを取り扱うことができるようになっている。尚、上記第1の搬送機構50として1つのみのピックを有しているものも用いることができる。   In the decompression-side transfer chamber 26, the second load lock chambers 28a and 28b and the four processing chambers 24a to 24d can be accessed at positions where the articulated arms can be bent and extended. One transport mechanism 50 is provided, which has two picks 50a and 50b that can bend and stretch independently in opposite directions, and can handle two semiconductor wafers at a time. ing. Note that the first transport mechanism 50 having only one pick can be used.

上記大気側搬送室30は、横長の箱体により形成されており、この横長の一側には、被処理体である半導体ウエハを導入するための1つ乃至複数の、図示例では3つの搬入口が設けられ、各搬入口には、開閉可能になされた開閉蓋52が設けられる。そして、この各搬入口に対応させて、導入ポート54がそれぞれ設けられ、ここにそれぞれ1つずつカセット容器56を載置できるようになっている。各カセット容器56には、複数枚、例えば25枚の半導体ウエハWを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっている。この大気側搬送室30内は、この処理システムが設置されているクリーンルーム内の清浄空気を取り込んでダウンフローが形成されており、略大気圧状態が維持されている。   The atmosphere-side transfer chamber 30 is formed by a horizontally long box, and one or a plurality of, in the illustrated example, three carry-in portions for introducing a semiconductor wafer to be processed are provided on one side of the horizontally long. An opening is provided, and an opening / closing lid 52 that can be opened and closed is provided at each carry-in entrance. An introduction port 54 is provided corresponding to each of the carry-in ports, and a cassette container 56 can be placed one by one here. Each cassette container 56 can accommodate a plurality of, for example, 25 semiconductor wafers W placed in multiple stages at equal pitches. In the atmosphere-side transfer chamber 30, a downflow is formed by taking in clean air in a clean room in which the processing system is installed, and a substantially atmospheric pressure state is maintained.

この大気側搬送室30内には、半導体ウエハWをその長手方向に沿って搬送するための大気側搬送機構である第2の搬送機構58が設けられる。この第2の搬送機構58は、屈伸及び旋回可能になされた2つのピック58a、58bを有しており、一度に2枚の半導体ウエハWを取り扱い得るようになっている。この第2の搬送機構58は、大気側搬送室30内の導入ポート側に長さ方向に沿って延びるように設けた案内レール60上にスライド移動可能に支持されている。   In the atmosphere-side transfer chamber 30, a second transfer mechanism 58, which is an atmosphere-side transfer mechanism for transferring the semiconductor wafer W along its longitudinal direction, is provided. The second transport mechanism 58 has two picks 58a and 58b that can be bent and stretched and swiveled, and can handle two semiconductor wafers W at a time. The second transfer mechanism 58 is slidably supported on a guide rail 60 provided on the introduction port side in the atmosphere-side transfer chamber 30 so as to extend along the length direction.

また、大気側搬送室30の一方の端部には、半導体ウエハの位置合わせを行なうオリエンタ62が設けられる。上記オリエンタ62は、駆動モータによって回転される回転台62aを有しており、この上に半導体ウエハWを載置した状態で回転するようになっている。この回転台62aの外周には、半導体ウエハWの周縁部を検出するための光学センサ62bが設けられ、これにより半導体ウエハWの位置決め切り欠き、例えばノッチやオリエンテーションフラットの位置方向や半導体ウエハWの中心の位置ずれ量を検出できるようになっている。   Further, an orienter 62 for aligning the semiconductor wafer is provided at one end of the atmosphere-side transfer chamber 30. The orienter 62 has a turntable 62a that is rotated by a drive motor, and rotates with the semiconductor wafer W mounted thereon. An optical sensor 62b for detecting the peripheral edge of the semiconductor wafer W is provided on the outer periphery of the turntable 62a. Thereby, the positioning notch of the semiconductor wafer W, for example, the position direction of the notch or the orientation flat, the position of the semiconductor wafer W, or the like. The amount of misalignment at the center can be detected.

そして、上述のように形成した処理システムの各ゲートバルブの部分に、これを跨ぐようにして本発明に係る圧力調整装置が設けられる。具体的には、上記減圧側搬送室26と第1から第4の各処理室24a〜24dとの間に介在されるゲートバルブG1〜G4の部分に対応させて圧力調整装置A1、A2、A3、A4がそれぞれ設けられており、減圧側搬送室26と第1〜第2の各ロードロック室28a、28bとの間に介在されるゲートバルブG5、G6の部分に対応させて圧力調整装置A5、A6がそれぞれ設けられており、更に大気側搬送室30と第1〜第2の各ロードロック室28a、28bとの間に介在されるゲートバルブG7、G8に対応させて圧力調整装置A7、A8がそれぞれ設けられる。   And the pressure regulator which concerns on this invention is provided in the part of each gate valve of the processing system formed as mentioned above so that this may be straddled. Specifically, the pressure regulators A1, A2, A3 corresponding to the gate valves G1-G4 interposed between the decompression-side transfer chamber 26 and the first to fourth processing chambers 24a-24d. , A4 are respectively provided, and the pressure adjusting device A5 corresponds to the gate valves G5, G6 interposed between the decompression side transfer chamber 26 and the first and second load lock chambers 28a, 28b. , A6 are provided respectively, and pressure regulators A7, A7, corresponding to gate valves G7, G8 interposed between the atmosphere-side transfer chamber 30 and the first to second load lock chambers 28a, 28b, A8 is provided.

ここで上記圧力調整装置A1〜A8は、基本的には略同じ構成になされている。特に、上記ゲートバルブG1〜G4に対応して設けた圧力調整装置A1〜A4同士は全く同じ構成になされており、また、ゲートバルブG5、G6に対応して設けた圧力調整装置A5、A6同士は全く同じ構成になされており、更に、上記ゲートバルブG7、G8に対応して設けた圧力調整装置A7、A8同士は全く同じ構成になされている。   Here, the pressure adjusting devices A1 to A8 basically have substantially the same configuration. In particular, the pressure regulators A1 to A4 provided corresponding to the gate valves G1 to G4 have the same configuration, and the pressure regulators A5 and A6 provided corresponding to the gate valves G5 and G6. The pressure regulators A7 and A8 provided in correspondence with the gate valves G7 and G8 have the same configuration.

従って、ここでは4つの圧力調整装置A1〜A4については、その内の1つの圧力調整装置A1を例にとって説明し、2つの圧力調整装置A5、A6については一方の圧力調整装置A5を例にとって説明し、残りの2つの圧力調整装置A7、A8については一方の圧力調整装置A7を例にとって説明する。これらの圧力調整装置A1〜A4同士、A5とA6同士、A7とA8同士は、それぞれ全く同じような作用(動作)をする。   Therefore, here, the four pressure regulators A1 to A4 will be described by taking one pressure regulator A1 as an example, and the two pressure regulators A5 and A6 will be explained by taking one pressure regulator A5 as an example. The remaining two pressure adjusting devices A7 and A8 will be described by taking one pressure adjusting device A7 as an example. These pressure adjusting devices A1 to A4, A5 and A6, and A7 and A8 each have the same action (operation).

まず、図2は大気側搬送室30と第1のロードロック室28aとの間に介在されるゲートバルブG7に対応させて設けた圧力調整装置A7を模式的に示しており、図3は減圧側搬送室26と第1のロードロック室28aとの間に介在されるゲートバルブG5に対応させて設けた圧力調整装置A5を模式的に示しており、図4は減圧側搬送室26と第1の処理室24aとの間に介在されるゲートバルブG1に対応させて設けた圧力調整装置A1を模式的に示す。図2乃至図4の各図では、同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。   First, FIG. 2 schematically shows a pressure adjusting device A7 provided corresponding to a gate valve G7 interposed between the atmosphere-side transfer chamber 30 and the first load lock chamber 28a, and FIG. FIG. 4 schematically shows a pressure adjusting device A5 provided corresponding to a gate valve G5 interposed between the side transfer chamber 26 and the first load lock chamber 28a. 1 schematically shows a pressure adjusting device A1 provided in correspondence with a gate valve G1 interposed between one processing chamber 24a. 2 to 4, the same reference numerals are given to the same components, and the description thereof is omitted.

<圧力調整装置A7の構成>
まず、図2に示すように、この圧力調整装置A7は、第1の部屋である大気側搬送室30と第2の部屋である第1のロードロック室28aとを跨ぐようにして設けられている。すなわち、この圧力調整装置A7は、第1の部屋である大気側搬送室30と第2の部屋である第1のロードロック室28aとを連通する連通路66と、この連通路66の途中に介設された第1及び第2の開閉弁68、70と、上記連通路66の上記第1の開閉弁68と第2の開閉弁70との間に接続されて、所定の圧力の清浄ガスを供給するためのガス供給通路72と、このガス供給通路72の途中に介設されたガス開閉弁74と、上記各開閉弁68、70、74等を制御する例えばコンピュータ等よりなる弁制御部76とにより主に構成されている。
<Configuration of pressure adjusting device A7>
First, as shown in FIG. 2, the pressure adjusting device A7 is provided so as to straddle the atmosphere-side transfer chamber 30 that is the first chamber and the first load lock chamber 28a that is the second chamber. Yes. That is, the pressure adjusting device A7 includes a communication path 66 that connects the atmosphere-side transfer chamber 30 that is the first room and the first load lock chamber 28a that is the second room, and a midway in the communication path 66. A clean gas having a predetermined pressure is connected between the first and second on-off valves 68, 70 provided between the first on-off valve 68 and the second on-off valve 70 of the communication passage 66. A gas supply passage 72 for supplying the gas, a gas on-off valve 74 provided in the middle of the gas supply passage 72, and a valve control unit comprising, for example, a computer for controlling the on-off valves 68, 70, 74, etc. 76.

ここで、上記第1の部屋や第2の部屋の名称は、ロードロック室や搬送室等の各室を単に抽象的に表すための標記であり、この点は他の圧力調整装置においても同様である。具体的には、上記連通路66は、所定の内径になされた配管等よりなり、その両端のガス出口は、上記大気側搬送室30内及び第1のロードロック室28a内にそれぞれ臨んでおり、ガスを放出できるようになっている。上記第1の開閉弁68は、大気側搬送室30側に接近させて設けており、第2の開閉弁70は第1のロードロック室28a側に接近させて設けている。   Here, the names of the first room and the second room are simply used to represent each room such as a load lock room and a transfer room in an abstract manner, and this point is also applied to other pressure adjusting devices. It is. Specifically, the communication passage 66 is made of piping or the like having a predetermined inner diameter, and gas outlets at both ends thereof face the atmosphere-side transfer chamber 30 and the first load lock chamber 28a, respectively. The gas can be released. The first on-off valve 68 is provided close to the atmosphere-side transfer chamber 30 side, and the second on-off valve 70 is provided close to the first load lock chamber 28a side.

また、上記ガス供給通路72も、所定の内径になされた配管等よりなり、ここでは清浄ガスとして所定の圧力になされたN ガスを供給できるようになっている。このN ガスの圧力は、上記大気側搬送室30内及び第1のロードロック室28a内の圧力よりも高い圧力に設定されている。例えば第1のロードロック室28a内は、半導体ウエハWの搬出入に伴って減圧雰囲気と大気圧雰囲気とを交互に繰り返されるのに対して、大気側搬送室30内はクリーンルームの清浄空気を取り込んでダウンフローが形成されて略大気圧になっているので、上記N ガスの圧力は大気圧よりも大きい、例えば0.2MPa程度に設定されている。 Further, the gas supply passage 72 is also made of a pipe or the like having a predetermined inner diameter, and here, N 2 gas having a predetermined pressure can be supplied as a clean gas. The pressure of the N 2 gas is set to a pressure higher than the pressure in the atmosphere-side transfer chamber 30 and the first load lock chamber 28a. For example, in the first load lock chamber 28a, the reduced-pressure atmosphere and the atmospheric pressure atmosphere are alternately repeated as the semiconductor wafer W is loaded and unloaded, whereas the atmosphere-side transfer chamber 30 takes in clean air from the clean room. Therefore, the N 2 gas pressure is set to be higher than the atmospheric pressure, for example, about 0.2 MPa.

また、上記弁制御部76は、上記第1のロードロック室28a内に設けた圧力計40aの検出値を入力しており、そして、開閉ドアであるゲートバルブG7を開く直前に、上記第1及び第2の開閉弁68、70を閉じた状態で上記連通路66内にN ガスを貯め込み、大気側搬送室30内と第1のロードロック室28a内の圧力差が圧力計40aの検出値に基づいてゼロ、又は微小になった時に、ガス開閉弁74を閉じた状態で第1及び第2の開閉弁68、70を同時に開いて上記貯め込んだN ガスを大気側搬送室30内と第1のロードロック室28a内へ共に放出するようになっている。 Further, the valve control unit 76 inputs the detection value of the pressure gauge 40a provided in the first load lock chamber 28a, and immediately before opening the gate valve G7 which is an opening / closing door, the first control unit 76a. The N 2 gas is stored in the communication passage 66 with the second on-off valves 68 and 70 closed, and the pressure difference between the atmosphere side transfer chamber 30 and the first load lock chamber 28a is When it becomes zero or very small based on the detected value, the first and second on-off valves 68 and 70 are simultaneously opened while the gas on-off valve 74 is closed, and the stored N 2 gas is transferred to the atmosphere-side transfer chamber. 30 and the first load lock chamber 28a.

この結果、いずれか一方の室内から他方の室内へ雰囲気ガスが流れることを防止し得るようになっている。この場合、ガス供給通路72にあっては、これに介設したガス開閉弁74よりも下流側の通路部分でも上記N ガスが貯め込まれた状態となっている。従って、上記連通路66内の容積(第1と第2の開閉弁68、70間)やガス供給通路72内の容積(ガス開閉弁74よりも下流側)やN ガスの圧力は、上記第1及び第2の開閉弁68、70を共に開いて連通状態にした時に大気側搬送室30から第1のロードロック室28a側へ、或いはその逆方向へ雰囲気が流出しないような大きさにそれぞれ設定されている。 As a result, the atmospheric gas can be prevented from flowing from one of the chambers to the other chamber. In this case, in the gas supply passage 72, the N 2 gas is stored in the passage portion on the downstream side of the gas on-off valve 74 interposed therebetween. Accordingly, the volume in the communication passage 66 (between the first and second on-off valves 68 and 70), the volume in the gas supply passage 72 (downstream from the gas on-off valve 74), and the pressure of N 2 gas are as described above. When the first and second on-off valves 68 and 70 are both opened to communicate with each other, the atmosphere does not flow out from the atmosphere-side transfer chamber 30 to the first load-lock chamber 28a side or vice versa. Each is set.

<圧力調整装置A5の構成>
次に、圧力調整装置A5は、図3に示すように、第1の部屋である減圧側搬送室26と第2の部屋である第1のロードロック室28aとの間に設けた開閉ドアであるゲートバルブG5を跨ぐようにして設けられている。この圧力調整装置A5の基本的構造は、先に図2を参照して説明した圧力調整装置A7と同じである。そして、ここでは減圧側搬送室26内と第1のロードロック室28a内に、共に圧力計42、40aを設けていることから、両圧力計42、40aの検出値は共に弁制御部76へ入力されている。
<Configuration of pressure adjusting device A5>
Next, as shown in FIG. 3, the pressure adjusting device A5 is an open / close door provided between the decompression-side transfer chamber 26 that is the first chamber and the first load lock chamber 28a that is the second chamber. It is provided so as to straddle a certain gate valve G5. The basic structure of the pressure adjusting device A5 is the same as the pressure adjusting device A7 described above with reference to FIG. Here, since the pressure gauges 42 and 40a are provided in the decompression side transfer chamber 26 and the first load lock chamber 28a, the detected values of both the pressure gauges 42 and 40a are both sent to the valve controller 76. Have been entered.

そして、上記両圧力計42、40aの検出値が同一又は微小な差になったことを確認してから、減圧側搬送室26内と第1のロードロック室28a内とを連通するために前述したような第1及び第2の開閉弁68、70等の弁操作が行われることになる。   Then, after confirming that the detected values of the two pressure gauges 42 and 40a are the same or slightly different, the above-described operation is performed in order to communicate the inside of the decompression side transfer chamber 26 and the inside of the first load lock chamber 28a. The valve operations of the first and second on-off valves 68 and 70 as described above are performed.

<圧力調整装置A1の構成>
次に、圧力調整装置A1は、図4に示すように、第1の部屋である減圧側搬送室26と第2の部屋である第1の処理室24aとの間に設けた開閉ドアであるゲートバルブG1を跨ぐようにして設けられている。この圧力調整装置A1の基本的構造は、先に図2を参照して説明した圧力調整装置A7と同じである。そして、ここでは減圧側搬送室26内と第1の処理室24a内に、共に圧力計42、38aを設けていることから、両圧力計42、38aの検出値は共に弁制御部76へ入力されている。
<Configuration of pressure adjusting device A1>
Next, as shown in FIG. 4, the pressure adjusting device A1 is an open / close door provided between the decompression-side transfer chamber 26 that is the first chamber and the first processing chamber 24a that is the second chamber. It is provided so as to straddle the gate valve G1. The basic structure of the pressure adjusting device A1 is the same as the pressure adjusting device A7 described above with reference to FIG. Here, since the pressure gauges 42 and 38a are provided in the decompression-side transfer chamber 26 and the first processing chamber 24a, both detected values of the pressure gauges 42 and 38a are input to the valve controller 76. Has been.

そして、上記両圧力計42、38aの検出値が同一又は微小な差になったことを確認してから、減圧側搬送室26内と第1の処理室24a内とを連通するために前述したような第1及び第2の開閉弁68、70等の弁操作が行われることになる。   Then, after confirming that the detected values of the two pressure gauges 42 and 38a are the same or slightly different, the above-described operation is performed in order to communicate the inside of the decompression side transfer chamber 26 and the inside of the first processing chamber 24a. Such valve operations such as the first and second on-off valves 68 and 70 are performed.

図1に戻って、このように構成された処理システム22の全体の動作、例えば第1〜第4の各処理室24a〜24dにおける半導体ウエハに対する各種の処理、半導体ウエハWの搬入・搬出操作等は、例えばコンピュータ等よりなるシステム制御部80により制御されることになり、また、各圧力調整装置A1〜A8の各弁制御部76は、上記システム制御部80の支配下で動作する。この場合、上記各ゲートバルブG1〜G8は、上記弁制御部76が開閉動作を行うようにしてもよいし、或いは弁制御部76が、弁操作完了信号を上記システム制御部80に通知した時に、システム制御部80が行うようにしてもよい。   Returning to FIG. 1, the overall operation of the processing system 22 configured as described above, for example, various processes for semiconductor wafers in the first to fourth processing chambers 24 a to 24 d, and loading / unloading operations of the semiconductor wafer W, etc. Is controlled by a system control unit 80 formed of, for example, a computer, and each valve control unit 76 of each pressure adjusting device A1 to A8 operates under the control of the system control unit 80. In this case, each of the gate valves G1 to G8 may be configured such that the valve control unit 76 performs an opening / closing operation, or when the valve control unit 76 notifies the system control unit 80 of a valve operation completion signal. The system control unit 80 may perform this.

また、上記処理システム22の制御に必要なコンピュータに読み取り可能なプログラムは、記憶媒体82に記憶されている。この記憶媒体82は、例えばフレキシブルディスク、CD(Compact Disc)、CD−ROM、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはDVD等よりなる。   A computer-readable program necessary for controlling the processing system 22 is stored in the storage medium 82. The storage medium 82 includes, for example, a flexible disk, a CD (Compact Disc), a CD-ROM, a hard disk, a flash memory, or a DVD.

次に、以上のように構成された処理システム22における概略的な動作及び本発明の圧力調整装置の動作について説明する。まず、導入ポート54に設置されたカセット容器56からは、未処理の半導体ウエハWが第2の搬送機構58により大気圧状態になっている大気側搬送室30内に取り込まれ、この取り込まれた半導体ウエハWは大気側搬送室30の一端に設けたオリエンタ62へ搬送されて、ここで位置決めがなされる。   Next, a schematic operation in the processing system 22 configured as described above and an operation of the pressure adjusting device of the present invention will be described. First, from the cassette container 56 installed in the introduction port 54, the unprocessed semiconductor wafer W is taken into the atmospheric-side transfer chamber 30 which is in the atmospheric pressure state by the second transfer mechanism 58, and is taken in. The semiconductor wafer W is transferred to an orienter 62 provided at one end of the atmosphere-side transfer chamber 30, where it is positioned.

位置決めがなされた半導体ウエハWは、上記第2の搬送機構58により再度搬送され、ゲートバルブG7又はゲートバルブG8を用いて第1及び第2のロードロック室28a、28bの内のいずれか一方のロードロック室内へ搬入される。このロードロック室内が真空引きされた後に、そのロードロック室のゲートバルブG5又はゲートバルブG6を開き、予め真空引きされた減圧側搬送室26内の第1の搬送機構50を用いて、上記ロードロック室内の半導体ウエハWが減圧側搬送室26内に取り込まれる。   The semiconductor wafer W that has been positioned is transferred again by the second transfer mechanism 58, and either one of the first and second load lock chambers 28a and 28b using the gate valve G7 or the gate valve G8. It is carried into the load lock room. After the load lock chamber is evacuated, the gate valve G5 or the gate valve G6 of the load lock chamber is opened, and the load is applied using the first transfer mechanism 50 in the decompression side transfer chamber 26 that has been evacuated in advance. The semiconductor wafer W in the lock chamber is taken into the decompression side transfer chamber 26.

そして、この減圧側搬送室26内へ取り込まれた未処理の半導体ウエハは、第1の処理室24a〜第4の処理室24dまで搬入・搬出を繰り返しながら搬送され、その都度、各処理室内で必要とされる所定の処理が施される。そして、減圧側搬送室26と第1から第4の各処理室24a〜24d間で半導体ウエハWの搬入・搬出が行われる時には、その都度、各ゲートバルブG1〜G4が開閉動作されることになる。   Then, the unprocessed semiconductor wafer taken into the decompression-side transfer chamber 26 is transferred while being repeatedly loaded and unloaded from the first process chamber 24a to the fourth process chamber 24d, and in each process chamber, each time. Necessary predetermined processing is performed. When the semiconductor wafer W is loaded / unloaded between the decompression-side transfer chamber 26 and the first to fourth processing chambers 24a to 24d, the gate valves G1 to G4 are opened / closed each time. Become.

このように、上記第1〜第4の処理室24a〜24d内にて、半導体ウエハWに対してそれぞれ所定の処理を施したならば、この処理済みの半導体ウエハWは、いずれか一方のロードロック室28a又は28b、大気側搬送室30を経由して導入ポート54の処理済み半導体ウエハ用のカセット容器56内へ収容されることになる。また、上述のように処理済みの半導体ウエハWを搬出する時にも、搬出経路途中の各ゲートバルブは開閉されることになる。   As described above, if a predetermined process is performed on the semiconductor wafer W in each of the first to fourth processing chambers 24a to 24d, the processed semiconductor wafer W is loaded on any one of the loads. It is accommodated in the cassette container 56 for processed semiconductor wafers in the introduction port 54 via the lock chamber 28 a or 28 b and the atmosphere-side transfer chamber 30. Also, when the processed semiconductor wafer W is unloaded as described above, each gate valve in the unloading path is opened and closed.

さて、上述のようにして、未処理の半導体ウエハWが処理システム22の内部に取り込まれて搬入され、そして、処理済みの半導体ウエハWが搬出される際、この半導体ウエハWの経路途中に存在するゲートバルブは、半導体ウエハWが通過する際にその都度開閉されるが、その時、本発明の圧力調整装置を用いてこのゲートバルブの両側に位置する部屋(室)間の圧力調整を行って、パーティクルの巻き上げや汚染の拡散を防止するようになっている。   Now, as described above, when the unprocessed semiconductor wafer W is taken in and loaded into the processing system 22 and the processed semiconductor wafer W is unloaded, it exists in the middle of the path of the semiconductor wafer W. The gate valve is opened and closed each time the semiconductor wafer W passes. At that time, the pressure between the chambers (chambers) located on both sides of the gate valve is adjusted using the pressure regulator of the present invention. , Preventing the rolling of particles and the spread of contamination.

この本発明の圧力調整装置を用いて行われる圧力調整方法について、図5乃至図8を参照して以下に説明する。図5は大気側搬送室とロードロック室との間のゲートバルブを開くときの圧力調整方法の一例を示すフローチャート、図6は減圧側搬送室とロードロック室との間のゲートバルブを開くときの圧力調整方法の一例を示すフローチャート、図7は減圧側搬送室と処理室との間のゲートバルブを開くときの圧力調整方法の一例を示すフローチャート、図8は圧力調整装置の第1及び第2の開閉弁を開いた時の第1及び第2の各部屋の圧力変化の一例を模式的に示すグラフである。   A pressure adjusting method performed using the pressure adjusting device of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 5 is a flowchart showing an example of a pressure adjustment method when the gate valve between the atmosphere-side transfer chamber and the load lock chamber is opened, and FIG. 6 is when the gate valve between the decompression-side transfer chamber and the load lock chamber is opened. 7 is a flowchart showing an example of the pressure adjustment method, FIG. 7 is a flowchart showing an example of the pressure adjustment method when the gate valve between the decompression side transfer chamber and the processing chamber is opened, and FIG. It is a graph which shows typically an example of the pressure change of each of the 1st and 2nd room when two on-off valves are opened.

<大気側搬送室とロードロック室との間の圧力調整>
まず、図2及び図5を参照して、減圧雰囲気下の第1のロードロック室28aと大気圧状態になっている大気側搬送室30との間のゲートバルブG7を開く際の圧力調整方法について説明する。尚、各弁の弁操作は前述したように弁制御部76からの指令によって行われる。
<Pressure adjustment between the atmosphere side transfer chamber and the load lock chamber>
First, referring to FIG. 2 and FIG. 5, a pressure adjustment method when opening the gate valve G7 between the first load lock chamber 28a in a reduced pressure atmosphere and the atmospheric-side transfer chamber 30 in the atmospheric pressure state. Will be described. In addition, valve operation of each valve is performed by the command from the valve control part 76 as mentioned above.

まず、通常の待機時には、圧力調整装置A7の連通路66の途中に介設されている第1及び第2の開閉弁68、70は共に閉状態になされており、また、ガス供給通路72の途中に介設されているガス開閉弁74は開状態になされている。従って、高い圧力に設定されている清浄ガスであるN ガスは上記ガス供給通路72内に充填されているのみならず、上記連通路66内においても第1及び第2の開閉弁68、70まではN ガスが充填された状態となっている。 First, at the time of normal standby, both the first and second on-off valves 68 and 70 provided in the middle of the communication passage 66 of the pressure adjusting device A7 are closed, and the gas supply passage 72 The gas on-off valve 74 provided in the middle is opened. Therefore, the N 2 gas, which is a clean gas set at a high pressure, is not only filled in the gas supply passage 72 but also in the communication passage 66, the first and second on-off valves 68, 70. Up to this, it is in a state filled with N 2 gas.

さて、このような状態で、ゲートバルブG7を開く場合には、その前に、まず、ステップS1にて、上記第1及び第2の開閉弁68、70の閉状態を確認すると共に、ガス供給通路72のガス開閉弁74の開状態を確認し、上述したように連通路66まで清浄ガスであるN ガスが到達してこの連通路66内に充填されていることを確認する。 Before opening the gate valve G7 in such a state, first, in step S1, first, the closed state of the first and second on-off valves 68 and 70 is confirmed and the gas supply is performed. The open state of the gas on-off valve 74 in the passage 72 is confirmed, and it is confirmed that the N 2 gas, which is a clean gas, reaches the communication passage 66 and is filled in the communication passage 66 as described above.

次に、連通路66までN ガスが充填されていることを確認したならば、上記ガス開閉弁74を閉じる(S2)。これにより、第1及び第2の開閉弁68、70及びガス開閉弁74間に上記高い圧力のN ガスが貯め込まれることになる。具体的には、このN ガスは第1及び第2の開閉弁68、70よりも上流側部分の連通路66内及びガス開閉弁74よりも下流側部分のガス供給通路72内に孤立化されて貯め込まれることになる。 Next, if it is confirmed that the communication passage 66 is filled with N 2 gas, the gas on-off valve 74 is closed (S2). As a result, the high pressure N 2 gas is stored between the first and second on-off valves 68 and 70 and the gas on-off valve 74. Specifically, the N 2 gas is isolated in the communication passage 66 in the upstream portion of the first and second on-off valves 68 and 70 and in the gas supply passage 72 in the downstream portion of the gas on-off valve 74. Will be saved.

次に、低圧側の部屋、すなわちここでは第1のロードロック室28a内に、ガス導入系44aの開閉弁44a’を開いてN ガスを徐々に導入して内部圧力を昇圧して行く(S3)。尚、上記ガス導入系44aのN ガス源と上記ガス供給通路72のN ガス源とは同じガス源を用いてもよい。 Next, the on-off valve 44a ′ of the gas introduction system 44a is opened in the low pressure side chamber, that is, the first load lock chamber 28a in this case, and N 2 gas is gradually introduced to increase the internal pressure ( S3). The same gas source may be used as the N 2 gas source of the gas introduction system 44a and the N 2 gas source of the gas supply passage 72.

上記した内部圧力の上昇は、第1のロードロック室28a内に設けた圧力計40aによりリアルタイムで検出されており、この検出値はシステム制御部80(図1参照)に入力される一方、弁制御部76にも入力されており、圧力計40aの検出値が略大気圧に到達したか否かがチェックされている(S4)。従って、検出値が略大気圧に到達するまでは、低圧側の部屋である第1のロードロック室28a内の昇圧が継続して行われる(S4のNO)。   The increase in the internal pressure is detected in real time by a pressure gauge 40a provided in the first load lock chamber 28a, and this detected value is input to the system control unit 80 (see FIG. 1), while the valve It is also input to the controller 76, and it is checked whether or not the detected value of the pressure gauge 40a has reached substantially atmospheric pressure (S4). Accordingly, the pressure in the first load lock chamber 28a, which is the low pressure side chamber, is continuously increased until the detected value reaches substantially atmospheric pressure (NO in S4).

そして、上記圧力計40aの検出値が略大気圧に到達したならば(S4のYES)、次に、ガス導入系44aの開閉弁44a’を閉じて昇圧を停止する(S5)。この場合、検出値が大気圧よりも僅かに低い圧力となった時に、昇圧を停止するのが好ましい。この開閉弁の操作は、弁制御部76の指令で行ってもよいが、実際には例えばシステム制御部80の指令で行う。   If the detected value of the pressure gauge 40a reaches substantially atmospheric pressure (YES in S4), the on-off valve 44a 'of the gas introduction system 44a is then closed to stop the pressure increase (S5). In this case, it is preferable to stop the pressure increase when the detected value is slightly lower than the atmospheric pressure. The on-off valve operation may be performed by a command from the valve control unit 76, but actually, for example, a command from the system control unit 80 is performed.

これにより、大気側搬送室30内と第1のロードロック室28a内の圧力は略同圧、すなわち略大気圧程度になっており、両室間の差圧は略ゼロに近いはずであるが、実際には、圧力計40aの誤差等により、ある程度の差圧が発生している場合が多く、この状態でゲートバルブG7を開くと、その差圧に起因するガスの移動でパーティクルを巻き上げる恐れや汚染の拡散を生ずる恐れ等が存在する。   As a result, the pressure in the atmosphere-side transfer chamber 30 and the first load lock chamber 28a are approximately the same pressure, that is, approximately atmospheric pressure, and the differential pressure between both chambers should be approximately zero. Actually, there are many cases where a certain amount of differential pressure is generated due to an error of the pressure gauge 40a, etc. When the gate valve G7 is opened in this state, there is a risk that particles are wound up due to gas movement caused by the differential pressure. There is a risk of contamination spreading.

そこで、本発明では、上述のように昇圧を停止したならば、次に、上記第1及び第2の開閉弁68、70を同時に開き(S6)、これにより、上記連通路66やガス開閉弁74よりも下流側部分のガス供給通路72に貯め込んでいた清浄ガスである高い圧力のN ガスを開放して大気側搬送室30内と第1のロードロック室28a内とに同時に供給する。両室30、28a内の圧力が同じになって平衡状態となり、ガスの流れが安定化するまで第1及び第2の開閉弁68、70を開いた状態で所定の時間経過させる(S7のNO)。 Therefore, in the present invention, if the pressure increase is stopped as described above, then the first and second on-off valves 68 and 70 are simultaneously opened (S6), whereby the communication passage 66 and the gas on-off valve are thereby opened. The high-pressure N 2 gas, which is a clean gas stored in the gas supply passage 72 at the downstream side of 74, is released and simultaneously supplied into the atmosphere-side transfer chamber 30 and the first load lock chamber 28a. . The pressures in the two chambers 30 and 28a become the same and become an equilibrium state, and a predetermined time elapses with the first and second on-off valves 68 and 70 opened until the gas flow is stabilized (NO in S7). ).

この際、上記貯め込まれていたN ガスの圧力は、第1及び第2の開閉弁68、70を開く直前の大気側搬送室30内の圧力や第1のロードロック室28a内の圧力よりも十分に高く、且つ連通路66内の体積やガス開閉弁74よりも下流側部分のガス供給通路72の体積も十分に大きく設定されているので、いずれか一方の室内の雰囲気ガスが連通路66を通って他方の室内へ流入することはない。特に、ロードロック室に対してパーティクルが発生し易い大気側搬送室30内の雰囲気が連通路66を通って第1のロードロック室28a側へ流れることを、確実に防止することができる。 At this time, the pressure of the stored N 2 gas is the pressure in the atmosphere-side transfer chamber 30 or the pressure in the first load lock chamber 28a just before opening the first and second on-off valves 68 and 70. And the volume of the communication passage 66 and the volume of the gas supply passage 72 at the downstream side of the gas on-off valve 74 are set sufficiently large. It does not flow into the other room through the passage 66. In particular, it is possible to reliably prevent the atmosphere in the atmosphere-side transfer chamber 30 where particles are likely to be generated in the load lock chamber from flowing through the communication path 66 toward the first load lock chamber 28a.

ここで上記各室等の容積と圧力関係について説明する。図2中において、圧力調整前、すなわち第1及び第2の開閉弁68、70を開く直前の大気側搬送室30内の圧力及び体積をそれぞれP1、V1とし、第1のロードロック室28a内の圧力及び体積をP2、V2とし、清浄ガスであるN ガスの圧力をP3とし、第1及び第2の開閉弁68、70間の連通路66の体積とガス開閉弁74よりも下流側部分のガス供給通路72の体積との総和をV3とする。 Here, the relationship between the volume of each chamber and the like and the pressure will be described. In FIG. 2, the pressure and volume in the atmosphere-side transfer chamber 30 before pressure adjustment, that is, immediately before opening the first and second on-off valves 68 and 70, are P1 and V1, respectively, and the inside of the first load lock chamber 28a. And the pressure of N 2 gas, which is a clean gas, is P3, and the downstream side of the volume of the communication passage 66 between the first and second on-off valves 68 and 70 and the gas on-off valve 74 is P2 and V2. The sum total with the volume of the partial gas supply passage 72 is V3.

そして、第1及び第2の開閉弁68、70を同時に開いて調圧して平衡状態になった時の圧力をPとすると、以下の式が成立する。尚、厳密には、V1には第1の開閉弁68よりも下流側部分の連通路66の体積が含まれ、V2には第2の開閉弁70よりも下流側部分の連通路66の体積が含まれる。   Then, when the pressure when the first and second on-off valves 68 and 70 are simultaneously opened and adjusted to be in an equilibrium state is P, the following equation is established. Strictly speaking, V1 includes the volume of the communication passage 66 in the downstream portion of the first opening / closing valve 68, and V2 includes the volume of the communication passage 66 in the downstream portion of the second opening / closing valve 70. Is included.

P1・V1+P2・V2+P3・V3=P(V1+V2+V3)
(但し、P>P1,P>P2、好ましくはP1>P2)
P=(P1・V1+P2・V2+P3・V3)/(V1+V2+V3)
従って、システムの設計段階で、上記V1、V2は定まっているので、この圧力調整装置の設計時に上記圧力Pや体積V3を、上記関係式を満たすように決定することになる。
P1 · V1 + P2 · V2 + P3 · V3 = P (V1 + V2 + V3)
(However, P> P1, P> P2, preferably P1> P2)
P = (P1 · V1 + P2 · V2 + P3 · V3) / (V1 + V2 + V3)
Therefore, since V1 and V2 are determined at the design stage of the system, the pressure P and the volume V3 are determined so as to satisfy the relational expression when the pressure regulator is designed.

また、上記した第1及び第2の開閉弁68、70を開状態にした時以降の圧力変化の一例は図8に示されており、この図8に示すように大気側搬送室30内と第1のロードロック室28a内の圧力は弁の開動作と同時に平衡状態の圧力Pに向かって上昇して行くことになる。ただし、大気側搬送室30内は前述したようにクリーンルーム内の清浄空気を取り込んでダウンフローを形成しているので、大気側搬送室30内の圧力はある程度の時間をかけて最終的には大気圧に戻ることになる。この場合、第1のロードロック室28a内の雰囲気が連通路66を介して大気側搬送室30内へ流れ込むことを防止するために、圧力Pと圧力P1、P2との差は必要以上に大きく設定しないようにする。   An example of the pressure change after the first and second on-off valves 68 and 70 are opened is shown in FIG. 8, and as shown in FIG. The pressure in the first load lock chamber 28a increases toward the equilibrium pressure P simultaneously with the opening of the valve. However, since the inside of the atmosphere-side transfer chamber 30 takes in the clean air in the clean room as described above to form a downflow, the pressure in the atmosphere-side transfer chamber 30 eventually becomes large over a certain period of time. It will return to atmospheric pressure. In this case, in order to prevent the atmosphere in the first load lock chamber 28a from flowing into the atmosphere-side transfer chamber 30 through the communication path 66, the difference between the pressure P and the pressures P1 and P2 is larger than necessary. Do not set.

また、この場合、好ましくは上述したようにP1>P2となるように設定して、第1のロードロック室28a内の圧力を大気側搬送室30内よりも僅かだけ低く設定しておけば、第1のロードロック室28a内に僅かなN ガスが供給されるだけで、ここの圧力は略大気圧になるので、第1のロードロック室28a内の雰囲気が連通路66を介して大気側搬送室30内へ逆流することを確実に防止することができる。また、第1及び第2の開閉弁68、70を開状態にしてから上記圧力Pに平衡状態になるまでの時間T1は連通路66の内径にもよるが、例えば数秒程度であり、ステップS7ではこの時間T1だけ経過するのを待つことになる。 In this case, preferably, as described above, P1> P2 is set so that the pressure in the first load lock chamber 28a is set slightly lower than that in the atmosphere-side transfer chamber 30. Since only a small amount of N 2 gas is supplied into the first load lock chamber 28 a and the pressure here becomes substantially atmospheric pressure, the atmosphere in the first load lock chamber 28 a is aired through the communication path 66. Backflow into the side transfer chamber 30 can be reliably prevented. Further, the time T1 from when the first and second on-off valves 68 and 70 are opened to when the pressure P is brought into an equilibrium state depends on the inner diameter of the communication path 66, but is, for example, about several seconds, step S7. Then, it will wait until this time T1 passes.

また、ステップS6では、第1及び第2の開閉弁68、70を同時に開くように設定したが、この”同時”とは時間的に厳密な意味で同時性を要求するものではなく、両開閉弁68、70の開動作に僅かな時間差があってもその同時性は確保されているものであり、例えば両開閉弁68、70の開動作に上記平衡までの時間T1の1/2程度の時間差内であれば同時性が確保されている。   In step S6, the first and second on-off valves 68 and 70 are set to open at the same time. However, this "simultaneous" does not require simultaneity in a strict sense in terms of time. Even if there is a slight time difference in the opening operation of the valves 68 and 70, the synchronism is ensured. For example, the opening operation of both the on-off valves 68 and 70 is about ½ of the time T1 until the above-described equilibrium. If it is within the time difference, simultaneity is ensured.

以上のように、大気側搬送室30内と第1のロードロック室28a内の圧力とが平衡状態になったならば、開閉ドアであるゲートバルブG7を開き、両室内を連通することになる(S8)。これ以降は、大気側搬送室30側から第1のロードロック室28a内に向けて、或いはその逆方向に向けて半導体ウエハWを搬送することになる。また、この時に、第1及び第2の開閉弁68、70も閉状態にする。以上のようにして、一連の圧力調整方法が完了することになる。   As described above, when the pressure in the atmosphere-side transfer chamber 30 and the pressure in the first load lock chamber 28a are in an equilibrium state, the gate valve G7 which is an open / close door is opened, and both chambers are communicated. (S8). Thereafter, the semiconductor wafer W is transferred from the atmosphere-side transfer chamber 30 side into the first load lock chamber 28a or in the opposite direction. At this time, the first and second on-off valves 68 and 70 are also closed. As described above, a series of pressure adjustment methods is completed.

このように、第1の部屋、例えば大気側搬送室30と第2の部屋、例えば第1のロードロック室28aとを連通する連通路66と、連通路66の途中に介設された第1及び第2の開閉弁68、70と、連通路66の第1及び第2の開閉弁68、70との間に接続されて、連通路66に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路72と、ガス供給通路72の途中に介設されたガス開閉弁74と、開閉ドア、例えばゲートバルブG7を開く直前に、第1及び第2の開閉弁68、70を閉じた状態で連通路66内に清浄ガスを貯め込み、次に、貯め込んだ清浄ガスを第1及び第2の部屋30、28aへ供給するために第1及び第2の開閉弁68、70を開くように制御する弁制御部76とを設け、開閉ドア、例えばゲートバルブG7を開いて両部屋を連通する直前に、連通路内に貯め込んだ清浄ガスを両部屋へそれぞれ供給して圧力を平衡させるようにしたので、2つの部屋を連通する際に、一方の部屋の雰囲気を他方の部屋へ流入させることなく両部屋の差圧をゼロにすることができる。   As described above, the communication path 66 that connects the first chamber, for example, the atmosphere-side transfer chamber 30 and the second chamber, for example, the first load lock chamber 28a, and the first path that is provided in the middle of the communication path 66. And a gas supply passage that is connected between the second on-off valves 68 and 70 and the first and second on-off valves 68 and 70 of the communication passage 66 and supplies clean gas having a predetermined pressure to the communication passage 66. 72, a gas on-off valve 74 provided in the middle of the gas supply passage 72, and a communication passage in a state where the first and second on-off valves 68 and 70 are closed immediately before opening the on-off door, for example, the gate valve G7. The clean gas is stored in 66, and then the first and second on-off valves 68 and 70 are controlled to open in order to supply the stored clean gas to the first and second chambers 30 and 28a. A valve control unit 76, and an open / close door such as a gate valve G7 is opened Immediately before communicating the house, the clean gas stored in the communication passage was supplied to both rooms so that the pressures were balanced, so when communicating between the two rooms, the atmosphere in one room was changed to the other. The differential pressure between the two rooms can be made zero without flowing into the room.

従って、開閉ドア、例えばゲートバルブG7を開いて両部屋を連通した際に、パーティクルの巻き上げを阻止することができるのみならず、一方の部屋に存在するパーティクルや汚染物質が他の部屋に拡散することを防止することができる。   Therefore, when the open / close door, for example, the gate valve G7 is opened and the two rooms communicate with each other, not only the particles can be prevented from being rolled up, but also the particles and contaminants existing in one room diffuse into the other room. This can be prevented.

<ロードロック室と減圧側搬送室との間の圧力調整>
次に、図3及び図6を参照して大気圧下の第1のロードロック室28aと低圧雰囲気下の減圧側搬送室26との間のゲートバルブG5を開く際の圧力調整方法について説明する。尚、各弁の弁操作は、前述したように弁制御部76からの指令によって行われる。また、ここでの基本的な動作は、図5において説明した方法と同じである。また、ここでは圧力調整装置A5が用いられることになる。そして、図3中において、減圧側搬送室26には、内部雰囲気を排気する排気系88と内部に不活性ガス、例えばN ガスを供給するガス供給系90が設けられている。
<Pressure adjustment between load lock chamber and decompression side transfer chamber>
Next, a pressure adjustment method when opening the gate valve G5 between the first load lock chamber 28a under atmospheric pressure and the decompression-side transfer chamber 26 under low pressure will be described with reference to FIGS. . In addition, valve operation of each valve is performed by the command from the valve control part 76 as mentioned above. The basic operation here is the same as the method described in FIG. Here, the pressure adjusting device A5 is used. In FIG. 3, the decompression-side transfer chamber 26 is provided with an exhaust system 88 for exhausting the internal atmosphere and a gas supply system 90 for supplying an inert gas, for example, N 2 gas.

まず、通常の待機時には、圧力調整装置A5の連通路66の途中に介設されている第1及び第2の開閉弁68、70は共に閉状態になされており、また、ガス供給通路72の途中に介設されているガス開閉弁74は開状態になされている。従って、高い圧力に設定されている清浄ガスであるN ガスは上記ガス供給通路72内に充填されているのみならず、上記連通路66内においても第1及び第2の開閉弁68、70まではN ガスが充填された状態となっている。 First, during normal standby, the first and second on-off valves 68 and 70 provided in the middle of the communication passage 66 of the pressure adjusting device A5 are both closed, and the gas supply passage 72 The gas on-off valve 74 provided in the middle is opened. Therefore, the N 2 gas, which is a clean gas set at a high pressure, is not only filled in the gas supply passage 72 but also in the communication passage 66, the first and second on-off valves 68, 70. Up to this, it is in a state filled with N 2 gas.

さて、このような状態で、ゲートバルブG5を開く場合には、その前に、まず、ステップS11にて、上記第1及び第2の開閉弁68、70の閉状態を確認すると共に、ガス供給通路72のガス開閉弁74の開状態を確認し、上述したように連通路66まで清浄ガスであるN ガスが到達してこの連通路66内に充填されていることを確認する。 Before opening the gate valve G5 in such a state, first, in step S11, the closed state of the first and second on-off valves 68 and 70 is confirmed and the gas supply is performed. The open state of the gas on-off valve 74 in the passage 72 is confirmed, and it is confirmed that the N 2 gas, which is a clean gas, reaches the communication passage 66 and is filled in the communication passage 66 as described above.

次に、連通路66までN ガスが充填されていることを確認したならば、上記ガス開閉弁74を閉じる(S12)。これにより、第1及び第2の開閉弁68、70及びガス開閉弁74間に上記高い圧力のN ガスが貯め込まれることになる。具体的には、このN ガスは第1及び第2の開閉弁68、70よりも上流側部分の連通路66内及びガス開閉弁74よりも下流側部分のガス供給通路72内に孤立化されて貯め込まれることになる。 Next, if it is confirmed that the communication passage 66 is filled with N 2 gas, the gas on-off valve 74 is closed (S12). As a result, the high pressure N 2 gas is stored between the first and second on-off valves 68 and 70 and the gas on-off valve 74. Specifically, the N 2 gas is isolated in the communication passage 66 in the upstream portion of the first and second on-off valves 68 and 70 and in the gas supply passage 72 in the downstream portion of the gas on-off valve 74. Will be saved.

次に、高圧側の部屋、すなわちここでは第1のロードロック室28a内の雰囲気を、排気系46aの開閉弁46a’を開いて徐々に真空排気して内部圧力を降圧して行く(S13)。尚、上記ガス供給系90のN ガス源と上記ガス供給通路72のN ガス源とは同じガス源を用いてもよい。 Next, the atmosphere in the high pressure side chamber, that is, the first load lock chamber 28a in this case, is gradually evacuated by opening the on-off valve 46a ′ of the exhaust system 46a to reduce the internal pressure (S13). . It is also possible to use the same gas source and N 2 gas source of the N 2 gas source and the gas supply passage 72 of the gas supply system 90.

上記した内部圧力の降下は、第1のロードロック室28a内に設けた圧力計40aによりリアルタイムで検出されており、これと同時に、減圧側搬送室26内に設けた圧力計42によりこの内部の圧力もリアルタイムで検出されている。これらの検出値はシステム制御部80(図1参照)に入力される一方、弁制御部76にも入力されており、両圧力計40a、42の検出値が略同じになったか否かがチェックされている(S14)。従って、両検出値が略同じになるまでは、低圧側の部屋である第1のロードロック室28a内の降圧が継続して行われる(S14のNO)。尚、周知のように、減圧側搬送室26内は、他の室と比較して容量が大きいので圧力の昇降に時間を要すことになり、そのため、一連の処理中ではこの減圧側搬送室26内は一定の圧力の減圧雰囲気下に維持されている。   The above-described drop in internal pressure is detected in real time by a pressure gauge 40a provided in the first load lock chamber 28a, and at the same time, a pressure gauge 42 provided in the decompression side transfer chamber 26 simultaneously detects this internal pressure drop. Pressure is also detected in real time. While these detection values are input to the system control unit 80 (see FIG. 1), they are also input to the valve control unit 76 to check whether the detection values of both pressure gauges 40a and 42 are substantially the same. (S14). Therefore, the pressure in the first load lock chamber 28a, which is the low pressure side room, is continuously reduced until the two detection values are substantially the same (NO in S14). As is well known, the decompression-side transfer chamber 26 has a larger capacity than other chambers, so that it takes time to increase and decrease the pressure. The inside 26 is maintained in a reduced pressure atmosphere at a constant pressure.

そして、上記両圧力計40a、42の検出値が略同じになったならば(S14のYES)、次に、排気系46aの開閉弁46a’を閉じて降圧を停止する(S15)。この開閉弁の操作は、弁制御部76の指令で行ってもよいが、実際には例えばシステム制御部80の指令で行う。   If the detected values of the two pressure gauges 40a and 42 are substantially the same (YES in S14), the on-off valve 46a 'of the exhaust system 46a is closed to stop the pressure reduction (S15). The on-off valve operation may be performed by a command from the valve control unit 76, but actually, for example, a command from the system control unit 80 is performed.

これにより、減圧側搬送室26内と第1のロードロック室28a内の圧力は略同圧の減圧雰囲気になっており、両室間の差圧は略ゼロに近いはずであるが、実際には、圧力計40a、42の誤差等により、ある程度の差圧が発生している場合が多く、この状態でゲートバルブG5を開くと、その差圧に起因するガスの移動でパーティクルを巻き上げる恐れや汚染の拡散を生ずる恐れ等が存在する。   As a result, the pressure in the decompression side transfer chamber 26 and the first load lock chamber 28a are in a reduced pressure atmosphere of substantially the same pressure, and the differential pressure between the two chambers should be close to zero. In many cases, a certain amount of differential pressure is generated due to an error in the pressure gauges 40a and 42. When the gate valve G5 is opened in this state, there is a risk that particles are wound up due to gas movement caused by the differential pressure. There is a risk of causing diffusion of contamination.

そこで、本発明では、上述のように降圧を停止したならば、次に、上記第1及び第2の開閉弁68、70を同時に開き(S16)、これにより、上記連通路66やガス開閉弁74よりも下流側部分のガス供給通路72に貯め込んでいた清浄ガスである高い圧力のN ガスを開放して減圧側搬送室26内と第1のロードロック室28a内とに同時に供給する。両室26、28a内の圧力が同じになって平衡状態となり、ガスの流れが安定化するまで第1及び第2の開閉弁68、70を開いた状態で所定の時間経過させる(S17のNO)。 Therefore, in the present invention, if the pressure reduction is stopped as described above, then the first and second on-off valves 68 and 70 are simultaneously opened (S16), whereby the communication passage 66 and the gas on-off valve are opened. The high-pressure N 2 gas, which is a clean gas stored in the gas supply passage 72 in the downstream portion of the cylinder 74, is opened and supplied simultaneously into the decompression-side transfer chamber 26 and the first load lock chamber 28a. . The pressures in the two chambers 26 and 28a become the same and become an equilibrium state, and a predetermined time elapses with the first and second on-off valves 68 and 70 opened until the gas flow is stabilized (NO in S17). ).

この際、上記貯め込まれていたN ガスの圧力は、第1及び第2の開閉弁68、70を開く直前の減圧側搬送室26内の圧力や第1のロードロック室28a内の圧力よりも十分に高く、且つ連通路66内の体積やガス開閉弁74よりも下流側部分のガス供給通路72の体積も十分に大きく設定されているので、いずれか一方の室内の雰囲気ガスが連通路66を通って他方の室内へ流入することはない。この点は、図2を参照して説明した場合と略同じである。 At this time, the pressure of the stored N 2 gas is the pressure in the decompression-side transfer chamber 26 just before opening the first and second on-off valves 68 and 70 or the pressure in the first load lock chamber 28a. And the volume of the communication passage 66 and the volume of the gas supply passage 72 at the downstream side of the gas on-off valve 74 are set sufficiently large. It does not flow into the other room through the passage 66. This point is substantially the same as the case described with reference to FIG.

ここで上記各室等の容積と圧力関係について説明する。この点は、図2を参照して説明した場合と略同じである。すなわち、図3中において、圧力調整前、すなわち第1及び第2の開閉弁68、70を開く直前の減圧側搬送室26内の圧力及び体積をそれぞれP1、V1とし、第1のロードロック室28a内の圧力及び体積をP2、V2とし、清浄ガスであるN ガスの圧力をP3とし、第1及び第2の開閉弁68、70間の連通路66の体積とガス開閉弁74よりも下流側部分のガス供給通路72の体積との総和をV3とする。 Here, the relationship between the volume of each chamber and the like and the pressure will be described. This point is substantially the same as the case described with reference to FIG. That is, in FIG. 3, the pressure and volume in the decompression-side transfer chamber 26 before pressure adjustment, that is, immediately before opening the first and second on-off valves 68 and 70 are P1 and V1, respectively. The pressure and volume in 28a are P2 and V2, the pressure of N 2 gas, which is a clean gas, is P3, and the volume of the communication passage 66 between the first and second on-off valves 68 and 70 is larger than the gas on-off valve 74. The sum total with the volume of the gas supply passage 72 in the downstream portion is V3.

そして、第1及び第2の開閉弁68、70を同時に開いて調圧して平衡状態になった時の圧力をPとすると、以下の式が成立する。尚、厳密には、V1には第1の開閉弁68よりも下流側部分の連通路66の体積が含まれ、V2には第2の開閉弁70よりも下流側部分の連通路66の体積が含まれる。   Then, when the pressure when the first and second on-off valves 68 and 70 are simultaneously opened and adjusted to be in an equilibrium state is P, the following equation is established. Strictly speaking, V1 includes the volume of the communication passage 66 in the downstream portion of the first opening / closing valve 68, and V2 includes the volume of the communication passage 66 in the downstream portion of the second opening / closing valve 70. Is included.

P1・V1+P2・V2+P3・V3=P(V1+V2+V3)
(但し、P>P1,P>P2、好ましくはP1>P2)
P=(P1・V1+P2・V2+P3・V3)/(V1+V2+V3)
従って、システムの設計段階で、上記V1、V2は定まっているので、この圧力調整装置の設計時に上記圧力Pや体積V3を、上記関係式を満たすように決定することになる。
P1 · V1 + P2 · V2 + P3 · V3 = P (V1 + V2 + V3)
(However, P> P1, P> P2, preferably P1> P2)
P = (P1 · V1 + P2 · V2 + P3 · V3) / (V1 + V2 + V3)
Therefore, since V1 and V2 are determined at the design stage of the system, the pressure P and the volume V3 are determined so as to satisfy the relational expression when the pressure regulator is designed.

また、上記した第1及び第2の開閉弁68、70を開状態にした時以降の圧力変化の一例は図8に示されており、この図8に示すように減圧側搬送室26内と第1のロードロック室28a内の圧力は弁の開動作と同時に平衡状態の圧力Pに向かって上昇して行くことになる。この場合、連通路66の体積にもよるが、上昇する圧力は非常に僅かである。この場合、第1のロードロック室28a内の雰囲気が連通路66を介して減圧側搬送室26内へ流れ込むことを防止するために、圧力Pと圧力P1、P2との差は必要以上に大きく設定しないようにする。   An example of the pressure change after the first and second on-off valves 68 and 70 are opened is shown in FIG. 8, and as shown in FIG. The pressure in the first load lock chamber 28a increases toward the equilibrium pressure P simultaneously with the opening of the valve. In this case, although it depends on the volume of the communication path 66, the rising pressure is very small. In this case, in order to prevent the atmosphere in the first load lock chamber 28a from flowing into the decompression-side transfer chamber 26 via the communication path 66, the difference between the pressure P and the pressures P1 and P2 is larger than necessary. Do not set.

また、第1及び第2の開閉弁68、70を開状態にしてから上記圧力Pに平衡状態になるまでの時間T1は連通路66の内径にもよるが、例えば数秒程度であり、ステップS17ではこの時間T1だけ経過するのを待つことになる。   Further, the time T1 from when the first and second on-off valves 68 and 70 are opened to when the pressure P is brought into an equilibrium state depends on the inner diameter of the communication path 66, but is, for example, about several seconds, step S17. Then, it will wait until this time T1 passes.

また、ステップS16では、第1及び第2の開閉弁68、70を同時に開くように設定したが、先に説明したと同様に、この”同時”とは時間的に厳密な意味で同時性を要求するものではなく、両開閉弁68、70の開動作に僅かな時間差があってもその同時性は確保されているものであり、例えば両開閉弁68、70の開動作に上記平衡までの時間T1の1/2程度の時間差内であれば同時性が確保されている。   In step S16, the first and second on-off valves 68 and 70 are set to open simultaneously. As described above, this “simultaneous” means simultaneity in terms of time. This is not a requirement, and even if there is a slight time difference between the opening operations of the two on-off valves 68, 70, the synchronism is ensured. As long as the time difference is about ½ of the time T1, simultaneity is ensured.

以上のように、減圧側搬送室26内と第1のロードロック室28a内の圧力とが平衡状態になったならば、開閉ドアであるゲートバルブG5を開き、両室内を連通することになる(S18)。これ以降は、減圧側搬送室26側から第1のロードロック室28a内に向けて、或いはその逆方向に向けて半導体ウエハWを搬送することになる。また、この時に、第1及び第2の開閉弁68、70も閉状態にする。以上のようにして、一連の圧力調整方法が完了することになる。この場合にも、先に図2及び図5を参照して説明した場合と同様な作用効果を発揮することができる。   As described above, when the pressure in the decompression side transfer chamber 26 and the pressure in the first load lock chamber 28a are in an equilibrium state, the gate valve G5 which is an open / close door is opened, and both chambers are communicated. (S18). Thereafter, the semiconductor wafer W is transferred from the decompression side transfer chamber 26 side into the first load lock chamber 28a or in the opposite direction. At this time, the first and second on-off valves 68 and 70 are also closed. As described above, a series of pressure adjustment methods is completed. Also in this case, the same effects as those described with reference to FIGS. 2 and 5 can be exhibited.

<処理室と減圧側搬送室との間の圧力調整>
次に、図4及び図7を参照して低圧雰囲気下の第1の処理室24aと低圧雰囲気下の減圧側搬送室26との間のゲートバルブG1を開く際の圧力調整方法について説明する。尚、各弁の弁操作は、前述したように弁制御部76からの指令によって行われる。また、ここでの基本的な動作は、図6において説明した方法と同じである。また、ここでは圧力調整装置A1が用いられることになる。
<Pressure adjustment between the processing chamber and the decompression side transfer chamber>
Next, a pressure adjustment method when opening the gate valve G1 between the first processing chamber 24a under a low-pressure atmosphere and the decompression-side transfer chamber 26 under a low-pressure atmosphere will be described with reference to FIGS. In addition, valve operation of each valve is performed by the command from the valve control part 76 as mentioned above. The basic operation here is the same as the method described in FIG. In addition, the pressure adjusting device A1 is used here.

また、図4中においては、第1の処理室(他の処理室も同じ)24aには、内部雰囲気を排気する排気系94と、内部に処理に必要なガスを供給するガス供給系96(一般的にはシャワーヘッドが用いられる)が設けられており、ここより不活性ガス、例えばN ガスを供給できるようになっている。 Further, in FIG. 4, an exhaust system 94 for exhausting the internal atmosphere and a gas supply system 96 (for supplying gas necessary for processing) are provided in the first processing chamber (the same applies to other processing chambers) 24a. In general, a shower head is used) from which an inert gas, for example, N 2 gas can be supplied.

まず、通常の待機時には、圧力調整装置A1の連通路66の途中に介設されている第1及び第2の開閉弁68、70は共に閉状態になされており、また、ガス供給通路72の途中に介設されているガス開閉弁74は開状態になされている。従って、高い圧力に設定されている清浄ガスであるN ガスは上記ガス供給通路72内に充填されているのみならず、上記連通路66内においても第1及び第2の開閉弁68、70まではN ガスが充填された状態となっている。 First, at the time of normal standby, both the first and second on-off valves 68 and 70 interposed in the middle of the communication passage 66 of the pressure adjusting device A1 are closed, and the gas supply passage 72 The gas on-off valve 74 provided in the middle is opened. Therefore, the N 2 gas, which is a clean gas set at a high pressure, is not only filled in the gas supply passage 72 but also in the communication passage 66, the first and second on-off valves 68, 70. Up to this, it is in a state filled with N 2 gas.

さて、このような状態で、ゲートバルブG1を開く場合には、その前に、まず、ステップS21にて、上記第1及び第2の開閉弁68、70の閉状態を確認すると共に、ガス供給通路72のガス開閉弁74の開状態を確認し、上述したように連通路66まで清浄ガスであるN ガスが到達してこの連通路66内に充填されていることを確認する。 Before opening the gate valve G1 in such a state, first, in step S21, the closed state of the first and second on-off valves 68 and 70 is confirmed and the gas supply is performed. The open state of the gas on-off valve 74 in the passage 72 is confirmed, and it is confirmed that the N 2 gas, which is a clean gas, reaches the communication passage 66 and is filled in the communication passage 66 as described above.

次に、連通路66までN ガスが充填されていることを確認したならば、上記ガス開閉弁74を閉じる(S22)。これにより、第1及び第2の開閉弁68、70及びガス開閉弁74間に上記高い圧力のN ガスが貯め込まれることになる。具体的には、このN ガスは第1及び第2の開閉弁68、70よりも上流側部分の連通路66内及びガス開閉弁74よりも下流側部分のガス供給通路72内に孤立化されて貯め込まれることになる。 Next, if it is confirmed that the communication passage 66 is filled with N 2 gas, the gas on-off valve 74 is closed (S22). As a result, the high pressure N 2 gas is stored between the first and second on-off valves 68 and 70 and the gas on-off valve 74. Specifically, the N 2 gas is isolated in the communication passage 66 in the upstream portion of the first and second on-off valves 68 and 70 and in the gas supply passage 72 in the downstream portion of the gas on-off valve 74. Will be saved.

次に、処理室側、すなわちここでは第1の処理室24a内の雰囲気を、排気系94の開閉弁94aを開いて徐々に真空排気して内部圧力を降圧するか、或いはガス供給系96を用いてN ガスを徐々に供給して昇圧するかして、減圧側搬送室26内の圧力に近付ける(S23)。尚、上記ガス供給系96のN ガス源と上記ガス供給通路72のN ガス源とは同じガス源を用いてもよい。 Next, the atmosphere in the processing chamber side, that is, the first processing chamber 24a in this case, is gradually evacuated by opening the on-off valve 94a of the exhaust system 94 to reduce the internal pressure, or the gas supply system 96 is turned on. The N 2 gas is gradually supplied to increase the pressure to approach the pressure in the decompression side transfer chamber 26 (S23). It is also possible to use the same gas source and N 2 gas source of the N 2 gas source and the gas supply passage 72 of the gas supply system 96.

上記した内部圧力の降下又は上昇は、第1の処理室24a内に設けた圧力計38aによりリアルタイムで検出されており、これと同時に、減圧側搬送室26内に設けた圧力計42によりこの内部の圧力もリアルタイムで検出されている。これらの検出値はシステム制御部80(図1参照)に入力される一方、弁制御部76にも入力されており、両圧力計38a、42の検出値が略同じになったか否かがチェックされている(S24)。従って、両検出値が略同じになるまでは、第1の処理室24a内の降圧又は昇圧が継続して行われる(S24のNO)。尚、前述したように、減圧側搬送室26内は、他の室と比較して容量が大きいので圧力の昇降に時間を要すことになり、そのため、一連の処理中ではこの減圧側搬送室26内は一定の圧力の減圧雰囲気下に維持されている。   The above-described drop or rise in the internal pressure is detected in real time by a pressure gauge 38a provided in the first processing chamber 24a, and at the same time, the internal pressure is detected by a pressure gauge 42 provided in the decompression side transfer chamber 26. The pressure is also detected in real time. While these detected values are input to the system control unit 80 (see FIG. 1), they are also input to the valve control unit 76 to check whether the detected values of both pressure gauges 38a and 42 are substantially the same. (S24). Therefore, the pressure reduction or pressure increase in the first processing chamber 24a is continuously performed until both detection values are substantially the same (NO in S24). As described above, since the capacity of the decompression side transfer chamber 26 is larger than that of the other chambers, it takes time to increase and decrease the pressure. The inside 26 is maintained in a reduced pressure atmosphere at a constant pressure.

そして、上記両圧力計38a、42の検出値が略同じになったならば(S24のYES)、次に、降圧又は昇圧を停止する(S25)。この開閉弁の操作は、弁制御部76の指令で行ってもよいが、実際には例えばシステム制御部80の指令で行う。   If the detected values of the two pressure gauges 38a and 42 are substantially the same (YES in S24), then the step-down or pressure increase is stopped (S25). The on-off valve operation may be performed by a command from the valve control unit 76, but actually, for example, a command from the system control unit 80 is performed.

これにより、減圧側搬送室26内と第1の処理室24a内の圧力は略同圧の減圧雰囲気になっており、両室間の差圧は略ゼロに近いはずであるが、実際には、圧力計38a、42の誤差等により、ある程度の差圧が発生している場合が多く、この状態でゲートバルブG1を開くと、その差圧に起因するガスの移動でパーティクルを巻き上げる恐れや汚染の拡散を生ずる恐れ等が存在する。   As a result, the pressure in the decompression-side transfer chamber 26 and the first processing chamber 24a is a reduced-pressure atmosphere of substantially the same pressure, and the differential pressure between the two chambers should be nearly zero, In many cases, a certain amount of differential pressure is generated due to errors in the pressure gauges 38a and 42. If the gate valve G1 is opened in this state, there is a risk of rolling up particles due to gas movement due to the differential pressure or contamination. There is a risk of causing diffusion.

そこで、本発明では、上述のように昇圧を停止したならば、次に、上記第1及び第2の開閉弁68、70を同時に開き(S26)、これにより、上記連通路66やガス開閉弁74よりも下流側部分のガス供給通路72に貯め込んでいた清浄ガスである高い圧力のN ガスを開放して減圧側搬送室26内と第1の処理室24a内とに同時に供給する。両室26、24a内の圧力が同じになって平衡状態となり、ガスの流れが安定化するまで第1及び第2の開閉弁68、70を開いた状態で所定の時間経過させる(S27のNO)。 Therefore, in the present invention, if the pressure increase is stopped as described above, then the first and second on-off valves 68 and 70 are simultaneously opened (S26), whereby the communication passage 66 and the gas on-off valve are opened. The high-pressure N 2 gas, which is a clean gas stored in the gas supply passage 72 at the downstream side of 74, is released and simultaneously supplied into the decompression-side transfer chamber 26 and the first processing chamber 24a. The pressures in the two chambers 26 and 24a become the same and become an equilibrium state, and a predetermined time elapses with the first and second on-off valves 68 and 70 opened until the gas flow is stabilized (NO in S27). ).

この際、上記貯め込まれていたN ガスの圧力は、第1及び第2の開閉弁68、70を開く直前の減圧側搬送室26内の圧力や第1の処理室24a内の圧力よりも十分に高く、且つ連通路66内の体積やガス開閉弁74よりも下流側部分のガス供給通路72の体積も十分に大きく設定されているので、いずれか一方の室内の雰囲気ガスが連通路66を通って他方の室内へ流入することはない。この点は、図2及び図3を参照して説明した場合と略同じである。 At this time, the pressure of the stored N 2 gas is higher than the pressure in the decompression-side transfer chamber 26 just before opening the first and second on-off valves 68 and 70 or the pressure in the first processing chamber 24a. Is sufficiently high, and the volume of the communication passage 66 and the volume of the gas supply passage 72 at the downstream side of the gas on-off valve 74 are set sufficiently large. 66 does not flow into the other room. This is substantially the same as the case described with reference to FIGS.

ここで上記各室等の容積と圧力関係について説明する。この点は、図2及び図3を参照して説明した場合と略同じである。すなわち、図4中において、圧力調整前、すなわち第1及び第2の開閉弁68、70を開く直前の減圧側搬送室26内の圧力及び体積をそれぞれP1、V1とし、第1の処理室24a内の圧力及び体積をP2、V2とし、清浄ガスであるN ガスの圧力をP3とし、第1及び第2の開閉弁68、70間の連通路66の体積とガス開閉弁74よりも下流側部分のガス供給通路72の体積との総和をV3とする。 Here, the relationship between the volume of each chamber and the like and the pressure will be described. This is substantially the same as the case described with reference to FIGS. That is, in FIG. 4, the pressure and volume in the decompression-side transfer chamber 26 before pressure adjustment, that is, immediately before opening the first and second on-off valves 68 and 70 are P1 and V1, respectively, and the first processing chamber 24a. The internal pressure and volume are P2 and V2, the pressure of the clean gas N 2 gas is P3, and the volume of the communication passage 66 between the first and second on-off valves 68 and 70 is downstream of the gas on-off valve 74. The sum total with the volume of the gas supply passage 72 in the side portion is V3.

そして、第1及び第2の開閉弁68、70を同時に開いて調圧して平衡状態になった時の圧力をPとすると、以下の式が成立する。尚、厳密には、V1には第1の開閉弁68よりも下流側部分の連通路66の体積が含まれ、V2には第2の開閉弁70よりも下流側部分の連通路66の体積が含まれる。   Then, when the pressure when the first and second on-off valves 68 and 70 are simultaneously opened and adjusted to be in an equilibrium state is P, the following equation is established. Strictly speaking, V1 includes the volume of the communication passage 66 in the downstream portion of the first opening / closing valve 68, and V2 includes the volume of the communication passage 66 in the downstream portion of the second opening / closing valve 70. Is included.

P1・V1+P2・V2+P3・V3=P(V1+V2+V3)
(但し、P>P1,P>P2、好ましくはP1>P2)
P=(P1・V1+P2・V2+P3・V3)/(V1+V2+V3)
従って、システムの設計段階で、上記V1、V2は定まっているので、この圧力調整装置の設計時に上記圧力Pや体積V3を、上記関係式を満たすように決定することになる。
P1 · V1 + P2 · V2 + P3 · V3 = P (V1 + V2 + V3)
(However, P> P1, P> P2, preferably P1> P2)
P = (P1 · V1 + P2 · V2 + P3 · V3) / (V1 + V2 + V3)
Therefore, since V1 and V2 are determined at the design stage of the system, the pressure P and the volume V3 are determined so as to satisfy the relational expression when the pressure regulator is designed.

また、上記した第1及び第2の開閉弁68、70を開状態にした時以降の圧力変化の一例は図8に示されており、この図8に示すように減圧側搬送室26内と第1の処理室24a内の圧力は弁の開動作と同時に平衡状態の圧力Pに向かって上昇して行くことになる。この場合、連通路66の体積にもよるが、上昇する圧力は非常に僅かである。この場合、第1の処理室24a内の雰囲気が連通路66を介して減圧側搬送室26内へ流れ込むことを防止するために、圧力Pと圧力P1、P2との差は必要以上に大きく設定しないようにする。   An example of the pressure change after the first and second on-off valves 68 and 70 are opened is shown in FIG. 8, and as shown in FIG. The pressure in the first processing chamber 24a increases toward the pressure P in the equilibrium state simultaneously with the opening operation of the valve. In this case, although it depends on the volume of the communication path 66, the rising pressure is very small. In this case, in order to prevent the atmosphere in the first processing chamber 24a from flowing into the decompression-side transfer chamber 26 through the communication path 66, the difference between the pressure P and the pressures P1 and P2 is set larger than necessary. Do not.

また、第1及び第2の開閉弁68、70を開状態にしてから上記圧力Pに平衡状態になるまでの時間T1は連通路66の内径にもよるが、例えば数秒程度であり、ステップS27ではこの時間T1だけ経過するのを待つことになる。   Further, the time T1 from when the first and second on-off valves 68 and 70 are opened to when the pressure P is balanced is a few seconds, for example, depending on the inner diameter of the communication path 66, and step S27. Then, it will wait until this time T1 passes.

また、ステップS26では、第1及び第2の開閉弁68、70を同時に開くように設定したが、先に説明したと同様に、この”同時”とは時間的に厳密な意味で同時性を要求するものではなく、両開閉弁68、70の開動作に僅かな時間差があってもその同時性は確保されているものであり、例えば両開閉弁68、70の開動作に上記平衡までの時間T1の1/2程度の時間差内であれば同時性が確保されている。   In step S26, the first and second on-off valves 68 and 70 are set to open at the same time. As described above, this "simultaneous" means simultaneity in terms of time. This is not a requirement, and even if there is a slight time difference between the opening operations of the two on-off valves 68, 70, the synchronism is ensured. As long as the time difference is about ½ of the time T1, simultaneity is ensured.

以上のように、減圧側搬送室26内と第1の処理室24a内の圧力とが平衡状態になったならば、開閉ドアであるゲートバルブG1を開き、両室内を連通することになる(S28)。これ以降は、減圧側搬送室26側から第1の処理室24a内に向けて、或いはその逆方向に向けて半導体ウエハWを搬送することになる。また、この時に、第1及び第2の開閉弁68、70も閉状態にする。以上のようにして、一連の圧力調整方法が完了することになる。この場合にも、先に図2、図3、図5及び図6を参照して説明した場合と同様な作用効果を発揮することができる。   As described above, when the pressure in the decompression-side transfer chamber 26 and the pressure in the first processing chamber 24a are in an equilibrium state, the gate valve G1, which is an open / close door, is opened, and the two chambers communicate with each other ( S28). Thereafter, the semiconductor wafer W is transferred from the decompression side transfer chamber 26 side into the first processing chamber 24a or in the opposite direction. At this time, the first and second on-off valves 68 and 70 are also closed. As described above, a series of pressure adjustment methods is completed. Also in this case, the same effects as those described above with reference to FIGS. 2, 3, 5, and 6 can be exhibited.

尚、以上の各実施形態において、連通路66やガス供給通路72に貯め込むN ガスの容積が少ない場合には、図9に示すように、上記第1の開閉弁68と第2の開閉弁70との間において容積増加タンク100を設けるようにしてもよい。また、この容積増加タンク100を、ガス開閉弁74よりも下流側のガス供給通路72に設けるようにしてもよい。これによれば、前記式中の体積”V3”が増加した分だけ、N ガスの供給圧力”P”を低くすることができる。 In each of the above embodiments, when the volume of the N 2 gas stored in the communication passage 66 or the gas supply passage 72 is small, the first on-off valve 68 and the second on-off valve are opened as shown in FIG. A volume increasing tank 100 may be provided between the valve 70 and the valve 70. The volume increasing tank 100 may be provided in the gas supply passage 72 on the downstream side of the gas opening / closing valve 74. According to this, the supply pressure “P” of the N 2 gas can be lowered by the increase of the volume “V3” in the above formula.

また、上記実施形態では、清浄ガスとしてN ガスを用いたが、これに限定されず、上記清浄ガスは、清浄空気、N ガス及び希ガスの内の1以上ガスを用いることができる。更に、上記した処理システムの構造は、単に一例を示したに過ぎず、ゲートバルブ等を用いた全ての処理システム、或いは処理装置に本発明を適用することができる。 Further, in the above embodiment, the N 2 gas as a clean gas is not limited thereto, the cleaning gas may be one or more gases of the clean air, N 2 gas and a rare gas. Furthermore, the structure of the processing system described above is merely an example, and the present invention can be applied to all processing systems or processing apparatuses using a gate valve or the like.

また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やGaAs、SiC、GaNなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。   Although the semiconductor wafer is described as an example of the object to be processed here, the semiconductor wafer includes a silicon substrate and a compound semiconductor substrate such as GaAs, SiC, GaN, and the like, and is not limited to these substrates. The present invention can also be applied to glass substrates, ceramic substrates, and the like used in display devices.

本発明に係る処理システムの一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the processing system which concerns on this invention. 大気側搬送室とロードロック室との間に設けた圧力調整装置で示す図である。It is a figure shown with the pressure regulator provided between the atmosphere side conveyance chamber and the load lock chamber. 減圧側搬送室とロードロック室との間に設けた圧力調整装置を示す図である。It is a figure which shows the pressure regulator provided between the pressure reduction side conveyance chamber and the load lock chamber. 減圧側搬送室と処理室の間に設けた圧力調整装置を示す図である。It is a figure which shows the pressure regulator provided between the pressure reduction side conveyance chamber and the process chamber. 大気側搬送室とロードロック室との間のゲートバルブを開くときの圧力調整方法の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the pressure adjustment method when opening the gate valve between an atmosphere side conveyance chamber and a load lock chamber. 減圧側搬送室とロードロック室との間のゲートバルブを開くときの圧力調整方法の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the pressure adjustment method when opening the gate valve between a pressure reduction side conveyance chamber and a load lock chamber. 減圧側搬送室と処理室との間のゲートバルブを開くときの圧力調整方法の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the pressure adjustment method when opening the gate valve between the pressure reduction side conveyance chamber and a process chamber. 圧力調整装置の第1及び第2の開閉弁を開いた時の第1及び第2の各部屋の圧力変化の一例を模式的に示すグラフである。It is a graph which shows typically an example of pressure change of the 1st and 2nd room when the 1st and 2nd on-off valve of a pressure regulator is opened. 容積増加タンクを設けるようにした圧力調整装置の変形実施形態を示す図である。It is a figure which shows the deformation | transformation embodiment of the pressure regulator which provided the volume increase tank. 従来の圧力調整装置の一例を示す構成図である。It is a block diagram which shows an example of the conventional pressure regulator.

符号の説明Explanation of symbols

22 処理システム
24a〜24d 処理室
26a,26b ロードロック室
30 大気側搬送室
50 第1の搬送機構
58 第2の搬送機構
66 連通路
68 第1の開閉弁
70 第2の開閉弁
72 ガス供給通路
74 ガス開閉弁
76 弁制御部
80 システム制御部
82 記憶媒体
100 容積増加タンク
A1〜A8 圧力調整装置
G1〜G8 ゲートバルブ(開閉ドア)
W 半導体ウエハ(被処理体)
22 processing system 24a-24d processing chamber 26a, 26b load lock chamber 30 atmosphere side transfer chamber 50 first transfer mechanism 58 second transfer mechanism 66 communication path 68 first on-off valve 70 second on-off valve 72 gas supply path 74 Gas On / Off Valve 76 Valve Control Unit 80 System Control Unit 82 Storage Medium 100 Volume Increasing Tank A1-A8 Pressure Regulator G1-G8 Gate Valve (Open / Close Door)
W Semiconductor wafer (object to be processed)

Claims (15)

開閉可能になされた開閉ドアを介して連通された、圧力差が生ずることのある第1の部屋と第2の部屋の圧力調整装置において、
前記第1の部屋と前記第2の部屋とを連通する連通路と、
前記連通路の途中に介設された第1及び第2の開閉弁と、
前記連通路の前記第1及び前記第2の開閉弁との間に接続されて、前記連通路に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路と、
前記ガス供給通路の途中に介設されたガス開閉弁と、
前記開閉ドアを開く直前に、前記第1及び第2の開閉弁を閉じた状態で前記連通路内に前記清浄ガスを貯め込み、次に、前記貯め込んだ前記清浄ガスを前記第1及び第2の部屋へ供給するために前記第1及び第2の開閉弁を開くように制御する弁制御部と、
を備えるように構成したことを特徴とする圧力調整装置。
In the pressure regulators of the first chamber and the second chamber, which are communicated via an openable / closable door, and in which a pressure difference may occur,
A communication path communicating the first room and the second room;
First and second on-off valves interposed in the middle of the communication path;
A gas supply passage that is connected between the first and second on-off valves of the communication passage and supplies clean gas having a predetermined pressure to the communication passage;
A gas on-off valve interposed in the middle of the gas supply passage;
Immediately before opening the open / close door, the clean gas is stored in the communication passage with the first and second open / close valves closed, and then the stored clean gas is stored in the first and second open doors. A valve controller for controlling the first and second on-off valves to open to supply to the second room;
A pressure adjusting device comprising: a pressure adjusting device.
前記弁制御部は、前記第1及び第2の開閉弁を開いた後、所定の時間経過した時に前記開閉ドアを開くように制御することを特徴とする請求項1記載の圧力調整装置。 2. The pressure regulator according to claim 1, wherein the valve control unit performs control to open the opening / closing door when a predetermined time has elapsed after opening the first and second opening / closing valves. 前記弁制御部は、前記第1及び第2の開閉弁を開いた後は、前記開閉ドアを開くまでは前記第1及び第2の開閉弁の開状態を維持するように制御することを特徴とする請求項1又は2記載の圧力調整装置。 The valve control unit controls the first and second on-off valves to remain open after the first and second on-off valves are opened until the on-off door is opened. The pressure adjusting device according to claim 1 or 2. 前記弁制御部は、前記第1の開閉弁と前記第2の開閉弁とを同時に開くように制御することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の圧力調整装置。 The pressure control device according to any one of claims 1 to 3, wherein the valve control unit controls the first on-off valve and the second on-off valve to open simultaneously. 前記第1の部屋と前記第2の部屋の内、少なくともいずれか一方の部屋に圧力計が設けられており、前記弁制御部は前気圧力計の検出値に基づいて開弁の制御を行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の圧力調整装置。 A pressure gauge is provided in at least one of the first room and the second room, and the valve control unit controls the valve opening based on the detected value of the front air pressure gauge. The pressure regulator according to any one of claims 1 to 4, wherein 前記清浄ガスの所定の圧力は、前記第1及び第2の開閉弁を開く前の前記第1及び第2の部屋の各圧力よりも高く設定されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の圧力調整装置。 6. The predetermined pressure of the clean gas is set higher than each pressure in the first and second chambers before the first and second on-off valves are opened. The pressure adjusting device according to any one of the above. 前記連通路には、前記第1の開閉弁と前記第2の開閉弁との間において容積増加タンクが接続されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の圧力調整装置。 The pressure according to any one of claims 1 to 6, wherein a volume increasing tank is connected to the communication path between the first on-off valve and the second on-off valve. Adjustment device. 前記ガス供給通路の前記ガス開閉弁よりも下流側には、容積増加タンクが接続されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の圧力調整装置。 The pressure regulator according to any one of claims 1 to 7, wherein a volume increasing tank is connected to the gas supply passage downstream of the gas on-off valve. 前記第1の部屋と前記第2の部屋は、被処理体に対して減圧雰囲気で処理を行うための処理システムにおける大気側搬送室と、該大気側搬送室に連設されて大気圧雰囲気と減圧雰囲気とを繰り返すロードロック室であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の圧力調整装置。 The first chamber and the second chamber include an atmosphere-side transfer chamber in a processing system for performing processing in a reduced-pressure atmosphere on an object to be processed, and an atmospheric pressure atmosphere connected to the atmosphere-side transfer chamber. The pressure adjusting device according to claim 1, wherein the pressure adjusting device is a load lock chamber that repeats a reduced-pressure atmosphere. 前記第1の部屋と前記第2の部屋は、被処理体に対して減圧雰囲気で処理を行うための処理システムにおける減圧側搬送室と、該減圧側搬送室に連設されて大気圧雰囲気と減圧雰囲気とを繰り返すロードロック室であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の圧力調整装置。 The first chamber and the second chamber are a decompression-side transfer chamber in a processing system for performing processing in a reduced-pressure atmosphere on an object to be processed, and an atmospheric pressure atmosphere connected to the reduced-pressure-side transfer chamber. The pressure adjusting device according to claim 1, wherein the pressure adjusting device is a load lock chamber that repeats a reduced-pressure atmosphere. 前記第1の部屋と前記第2の部屋は、被処理体に対して減圧雰囲気で処理を行うための処理システムにおける減圧側搬送室と、該減圧側搬送室に連設されて減圧雰囲気下で前記被処理体に対して実際に処理を施す処理室であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の圧力調整装置。 The first chamber and the second chamber are connected to the decompression-side transfer chamber in the processing system for processing the object to be processed in a decompressed atmosphere, and are connected to the decompression-side transport chamber and are in a decompressed atmosphere. The pressure adjusting device according to claim 1, wherein the pressure adjusting device is a processing chamber that actually performs processing on the object to be processed. 前記開閉ドアは、ゲートバルブであることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の圧力調整装置。 The pressure regulator according to claim 1, wherein the opening / closing door is a gate valve. 前記清浄ガスは、清浄空気、N ガス及び希ガスの内の1以上ガスであることを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載の圧力調整装置。 The pressure regulator according to any one of claims 1 to 12, wherein the clean gas is at least one of clean air, N 2 gas, and rare gas. 被処理体に処理を施すための処理システムにおいて、
前記被処理体に処理を実際に施す1又は複数の処理室と、
前記処理室に、開閉可能になされた開閉ドアを設けた開口を介して共通に連結される減圧側搬送室と、
前記減圧側搬送室に、開閉可能になされた開閉ドアを設けた開口を介して連結されて大気圧雰囲気と減圧雰囲気とが繰り返されるロードロック室と、
前記ロードロック室に、開閉可能になされた開閉ドアを設けた開口を介して連結される大気側搬送室と、
前記減圧側搬送室に設けられて前記被処理体を搬送する第1の搬送機構と、
前記大気側搬送室に設けられて前記被処理体を搬送する第2の搬送機構と、
請求項1乃至13のいずれか一項に記載の圧力調整装置と、
システム全体の動作を制御するシステム制御部と、
を備えたことを特徴とする処理システム。
In a processing system for processing a workpiece,
One or a plurality of processing chambers for actually processing the object to be processed;
A decompression-side transfer chamber that is commonly connected to the processing chamber via an opening provided with an openable / closable door;
A load-lock chamber connected to the decompression-side transfer chamber through an opening provided with an openable / closable door, wherein an atmospheric pressure atmosphere and a decompression atmosphere are repeated;
An atmosphere-side transfer chamber connected to the load lock chamber via an opening provided with an openable / closable door;
A first transport mechanism that is provided in the decompression-side transport chamber and transports the workpiece;
A second transfer mechanism provided in the atmosphere-side transfer chamber for transferring the object to be processed;
A pressure regulator according to any one of claims 1 to 13,
A system controller that controls the operation of the entire system;
A processing system comprising:
開閉可能になされた開閉ドアを介して連通された、圧力差が生ずることのある第1の部屋と第2の部屋の圧力調整装置であって、
前記第1の部屋と前記第2の部屋とを連通する連通路と、
前記連通路の途中に介設された第1及び第2の開閉弁と、
前記連通路の前記第1及び前記第2の開閉弁との間に接続されて、前記連通路に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路と、
前記ガス供給通路の途中に介設されたガス開閉弁と、
を有する圧力調整装置を用いて行われる圧力調整方法において、
前記第1及び第2の開閉弁を閉じた状態で前記連通路内に前記清浄ガスを貯め込む工程と、
前記第1及び第2の開閉弁を開いて前記貯め込んだ前記清浄ガスを前記第1及び第2の部屋へ供給する工程と、
を備えるようにしたことを特徴とする圧力調整方法。
A pressure regulating device for a first chamber and a second chamber, which are communicated via an opening / closing door that can be opened and closed, and in which a pressure difference is generated,
A communication path communicating the first room and the second room;
First and second on-off valves interposed in the middle of the communication path;
A gas supply passage that is connected between the first and second on-off valves of the communication passage and supplies clean gas having a predetermined pressure to the communication passage;
A gas on-off valve interposed in the middle of the gas supply passage;
In a pressure adjusting method performed using a pressure adjusting device having
Storing the clean gas in the communication path with the first and second on-off valves closed;
Supplying the clean gas stored by opening the first and second on-off valves to the first and second chambers;
A pressure adjusting method characterized by comprising:
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