JP4979250B2 - 磁気抵抗ヘッドのための低インピーダンスリード増幅器 - Google Patents

磁気抵抗ヘッドのための低インピーダンスリード増幅器 Download PDF

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Description

本発明はディスクドライブ等の磁気記録装置のためのリード増幅器に関し、特に、磁気抵抗(MR(magnetoresistive))ヘッドのための低インピーダンスリード増幅器に関する。
磁気抵抗(MR)ヘッドは磁気データ記憶装置の情報検出に使用されている。MRヘッドは通常、隣接する磁気ディスク表面上のデータのパターンからの磁束または磁場の変化に応じて抵抗が変化するMR部材を含む。MR部材の抵抗の変化の測定は磁気ディスクに記憶された2進データを検出するために使用される。
超高密度磁気ディスクドライブは、所望の性能または特性を達成するために、対応する高感度で安定性のあるヘッドを必要とする。そのような特性を達成するために、現在、トンネル磁気抵抗(TMR(tunneling magnetoresistive))が使用されている。
トンネル磁気抵抗(TMR)ヘッドは一般に、薄い絶縁体で分離された2つの強磁性レイヤーを利用する。2つの磁性レイヤーの磁気の相対的な方向の変化は薄い絶縁体を通るトンネル電流に対する抵抗の変化を生ずる。これはまた、トンネル磁気抵抗(TMR)効果として知られている。TMRヘッドにおいて、通常、一定の値を有するバイアス電圧またはバイアス電流がTMRヘッドの両側に適用され、出力電流または出力電圧の変化を検出することによってTMRヘッドの抵抗の変化が測定される。この出力の変化は通常、リード増幅器回路によって増幅される。
高性能ディスクドライブにおいては、リード増幅器を備えたTMRヘッドを使用することが望まれると考えられている。しかしながら、TMRヘッドのインピーダンスは一般に、300オームから1000オームまで変化し、そして、例えば、特許文献1に開示されているリード増幅器等のように、従来技術のリード増幅器は通常、比較的高いインピーダンスを有する。一般に、従来技術のリード増幅器の入力容量及びTMRヘッドの高いインピーダンスは高周波数で比較的大きい時定数及び比較的低いカットオフを有するRC積分回路を形成する。結果として、現在のディスクドライブに対して少なくとも1GHzの帯域幅が必要とされるにもかかわらず、それのリード帯域幅は100MHz程度の低い値となってしまう。
これに対する解決策として、TMRヘッドに対して、特許文献2に開示されている種類の低インピーダンス増幅器を使用することができる。しかしながら、この解決策は、特に、入力トランジスタのコレクタとベースの間のフィードバック回路の減結合コンデンサのために増幅器が直流結合されない、垂直記録を備えたディスクドライブに対して実行可能ではない。結果として、垂直記録にとって重要である、記録された信号の直流成分はリード処理中に失われてしまう。
米国特許出願公開第2002/0176191号明細書 米国特許第6667842号明細書
したがって、高周波数で、高インピーダンスTMRヘッドとともに動作することが可能な、低インピーダンスリード増幅器に対する必要性が存在する。
本発明は直流接続及びMR(磁気抵抗)インピーダンス測定回路を備えた低インピーダンスMR(磁気抵抗)ヘッドリード増幅器を提供する。
1つの好まれる実施例に従うと、増幅器及び測定回路は各々が第1端子、第2端子、及びベース端子を含む、第1及び第2のトランジスタを含む。トランジスタは電界効果型トランジスタであってもよいし、またはバイポーラ接合型トランジスタであってもよい。電界効果型トランジスタが使用される場合、第1端子、第2端子、及びベース端子はそれぞれ、電界効果型トランジスタのドレイン、ソース、及びゲートであり、バイポーラ接合型トランジスタが使用される場合、第1端子、第2端子、及びベース端子はそれぞれ、バイポーラ接合型トランジスタのコレクタ、エミッタ、及びベースである。本発明の以下の例としての実施例においては、電界効果型トランジスタが使用されているが、電界効果型トランジスタの代わりにバイポーラ接合型トランジスタが使用されてもよいことは当業者によって理解されなければならない。
第1及び第2トランジスタの各々はそれのドレインとゲートの間に接続されたフィードバック抵抗を有する。トランジスタのインピーダンスはフィードバック抵抗によって減少させられる。従来技術の増幅器とは異なり、好まれる形式において、フィードバック回路のドレインとゲートの間にはコンデンサが存在しないので、垂直記録にとって重要な信号の直流成分は消失されない。MRヘッドは相互接続及び抵抗(または、抵抗器)を介して第1及び第2トランジスタのゲートにそれぞれ接続される2つの端子を含む。
リード増幅器システムはまた、第3及び第4の電界効果型トランジスタを含んでもよい。第3トランジスタのソースは第1トランジスタのソースに接続され、バイパスコンデンサは共通のソースをグランドに接続する。第2及び第4トランジスタのソースは互いに接続され、バイパスコンデンサは共通のソースをグランドに接続する。バイパスコンデンサは第3及び第4バイアストランジスタから発生するノイズを減少させ、第1及び第2トランジスタのドレインにおける出力の高周波数特性を改善する。第3及び第4トランジスタのドレインはそれぞれ、正の電源+Vに接続される。第1及び第2トランジスタのドレインはそれぞれ、プルアップ抵抗を介して正の電源+Vに接続される。トランジスタの共通のソースはプルダウン抵抗を介して負の電源−Vに接続される。
1つの好まれる形式において、リード増幅器はさらに、デジタル−アナログ変換器を含むバイアス電圧制御回路を含む。デジタル−アナログ変換器はバイアス電圧を生成するためにコントローラーに接続される。バイアス電圧は増幅器を介して差動バイアス電圧+BIAS及び−BIASに変換される。差動バイアス電圧+BIAS及び−BIASはそれぞれ、第3及び第4トランジスタのゲートに印加される。トランジスタの共通ソースを介して、バイアス電圧は第1及び第2トランジスタのゲートに印加され、そして、それによってMRヘッドの2つの端子に適用される。
リード増幅器はさらに、第1及び第2トランジスタのドレインにおける出力共通モード電圧を制御するためにドレインからゲートへのフィードバックを与える共通モード電圧制御回路を含む。共通モード電圧制御回路は直流電圧V−DCに接続された正の入力及び抵抗器を介して第1及び第2トランジスタのドレインに接続された負の入力を有する第1オペアンプを含む。第1及び第2トランジスタの出力(すなわち、ドレイン)における共通モード電圧がV−DCからはずれた場合、第1オペアンプの出力に誤差信号が現れる。第1オペアンプの出力には2つの特別な増幅器が接続される。第1オペアンプの出力における誤差信号は2つの特別な増幅器を介して増幅され、第1及び第2トランジスタの入力を調節するために第1及び第2トランジスタのゲートに適用され、それによって出力共通モード電圧がV−DCになるように調節する。2つの特別な増幅器は共通モード電圧制御回路の時定数及び増幅率を調節するために、入力と出力との間に接続された抵抗とコンデンサを含むフィードバック回路を含んでもよい。
共通モード電圧制御回路はリード増幅器の出力における共通モード電圧を測定し、オペアンプを介して第1及び第2トランジスタのゲートにおける電流の調節を行う。第1及び第2トランジスタのゲートのバイアス電圧はMRヘッドにおける差動電圧であるので、この調節は第1及び第2トランジスタのゲートのバイアス電圧を変化させない。
もう1つの好まれる実施例において、リード増幅器はさらに、2つのアナログ−デジタル変換器、コントローラー、補正用デジタル−アナログ変換器、及び増幅器を含む補正回路を含む。2つのアナログ−デジタル変換器はそれぞれ、リード増幅器システムの出力信号を測定するためにリード増幅器システムの出力に接続される。アナログ−デジタル変換器の出力はコントローラーに接続され、コントローラーはさらに補正用デジタル−アナログ変換器に接続される。コントローラーはアナログ−デジタル変換器から送信された出力電圧に基づいて調節信号を生成する。調節信号はデジタル−アナログ変換器に送信され、デジタル−アナログ変換器は調節信号を補正電圧信号に変換する。補正電圧信号はデジタル−アナログ変換器に接続された増幅器によって増幅される。補正電圧となる増幅された電圧は第1及び第2トランジスタのゲートに適用される。
補正回路はリード増幅器システムの出力から入力へのフィードバックを与える。補正電圧は第1及び第2トランジスタのドレインにおける電圧を調節するために第1及び第2トランジスタのゲートにおける電流を調節する。補正電圧の値はアナログ−デジタル変換器を介して送信されるリード増幅器システムの出力における電圧に基づいてコントローラーによって計算される。
リード増幅器はさらに、それぞれ第1及び第2トランジスタのドレインに接続された2つのオペアンプを含む低周波数補正回路を含んでもよい。オペアンプの正の入力はそれぞれ、抵抗器を介して第1及び第2トランジスタのドレインに接続され、またコンデンサを介してグランドに接続される。オペアンプの出力はそれぞれ、リードヘッド増幅器システムの出力に接続される。オペアンプは濾波された低周波数成分を増幅し、それらを出力信号に加える。
バイアス電圧制御回路によって生成されたバイアス電圧はMRヘッドの2つの端子に適用される。磁束が変化する記憶媒体の表面上の領域をMRヘッドが通過するとき、MRヘッドの抵抗は変化し、MRヘッドの電流の変化を生ずる。MRヘッドの電流の変化はリード増幅器システムを介して増幅され、記憶媒体上に記憶された情報を表すアナログ信号に変換される。
本発明は、例えば、磁気記憶システムの磁気抵抗(MR)リードヘッド、またはトンネル磁気抵抗(TMR)リードヘッド等の、リードヘッドへの相互接続を介した接続のための低インピーダンスリード増幅器システムを提供する。本発明の1つの側面に従うと、リードヘッド増幅器システムは電線相互接続(flex interconnection)を介してリードヘッドに結合された4つのトランジスタを利用する。以下に説明され、図面で示される例としての実施例においては、電界効果型トランジスタが使用されているが、電界効果型トランジスタの代わりにバイポーラ接合型トランジスタが使用されてもよいことは当業者によって理解されなければならない。
本発明の1つの好まれる実施例に従ったリード増幅器システムの回路図が図1に示されている。図1に示されているように、低インピーダンスリード増幅器システム10は第1及び第2の電界効果型トランジスタQ1及びQ4を含む。各トランジスタはドレイン、ソース、及びゲートを含む。抵抗R3及びR4はそれぞれ、2つのトランジスタQ1及びQ4に対するドレインからゲートへの負のフィードバックを与えるために各トランジスタのドレインとゲートの間に接続されている。負のフィードバックを備えたトランジスタQ1及びQ4は低い入力インピーダンスを有する。リード増幅器システム10はさらに、各々がドレイン、ソース、及びゲートを有する第3及び第4の電界効果型トランジスタQ2及びQ3を含む。トランジスタQ2のソースはトランジスタQ1のソースに接続されており、バイパスコンデンサC1はトランジスタQ1及びQ2の共通ソースをグランドに接続している。トランジスタQ3のソースはトランジスタQ4のソースに接続されており、バイパスコンデンサC2はトランジスタQ3及びQ4の共通ソースをグランドに接続している。コンデンサC1及びC2はバイアストランジスタQ2及びQ3から発生するノイズを減少させ、入力トランジスタQ1及びQ4の高周波数特性を改善する。トランジスタQ2及びQ3のドレインはそれぞれ、正の電源+Vに接続されている。トランジスタQ1及びQ4のドレインはそれぞれ、プルアップ抵抗R5及びR6を介して正の電源+Vに接続されている。トランジスタQ1及びQ2の共通ソースは抵抗R7を介して負の電源−Vに接続されている。トランジスタQ3及びQ4の共通ソースは抵抗R8を介して負の電源−Vに接続されている。
リード増幅器システム10はトンネル磁気抵抗(TMR)ヘッドとともに使用されてもよいし、または、巨大磁気抵抗(GMR)ヘッドとともに使用されてもよい。図1に示されているように、TMRヘッド12の一方の端子は電線(flex)及び抵抗R1を介して、トランジスタQ1のゲートに接続され、TMRヘッド12のもう一方の端子は電線及び抵抗R2を介して、トランジスタQ4のゲートに接続されている。抵抗R1及びR2の抵抗は比較的小さいので、これらの抵抗はリード増幅器システム10のノイズ特性に大きな影響を与えない。2つのバイアス電圧+BIAS及び−BIASはそれぞれ、Q2及びQ3のゲートに印加される。バイアス電圧はさらに、トランジスタの共通ソースを介して、トランジスタQ1及びQ4のゲートに適用され、そして、それによってTMRヘッドの2つの端子に適用される。
出力共通モード電圧制御回路は出力共通モード電圧を制御するためにトランジスタQ1及びQ4のドレインに接続されている。抵抗R9及びR10はそれぞれ、トランジスタQ1及びQ4のドレインに接続されている。抵抗R9及びR10のもう一方の端はオペアンプU4の負の入力に接続されている。オペアンプU4の正の入力は直流電圧V−DCに接続されている。直流電圧V−DCは図1に示されている回路によって達成されてもよい。この回路は正の電源+Vに接続された一方の端子を有する抵抗R11を含む。抵抗R11のもう一方の端子はもう1つの抵抗R12に接続されている。さらに、抵抗R12のもう一方の端子はグランドに接続されている。V−DC電圧は抵抗R11とR12の間の点で測定される電圧である。トランジスタQ1及びQ4の出力における共通モード電圧がV−DCから外れた場合、オペアンプU4の出力には誤差信号が発生する。
オペアンプU4の出力は抵抗R13及びR14を介して、それぞれオペアンプU5及びU6の負の入力に接続されている。オペアンプU5の正の入力はグランドに接続されている。オペアンプU6の正の入力は抵抗R19を介してグランドに接続されている。オペアンプU5の出力は抵抗R32を介してトランジスタQ1のゲートに接続されており、オペアンプU6の出力は抵抗R33を介してトランジスタQ4のゲートに接続されている。抵抗R16及びコンデンサC3はオペアンプU5の負の入力と出力との間で並列に接続されている。抵抗R15及びコンデンサC4はオペアンプU6の負の入力と出力との間で並列に接続されている。オペアンプU4、U5、U6及びこれらのオペアンプに接続された抵抗及びコンデンサはトランジスタQ1及びQ4のドレインからトランジスタQ1及びQ4のゲートへの負のフィードバック回路を形成する。この負のフィードバックループの時定数及び増幅率はコンデンサC3、C4及び抵抗R14、R16の値を選択または調節することによって達成することができる。
共通モード電圧制御回路はリード増幅器10の出力における共通モード電圧を測定し、リード増幅器の出力共通モード電圧を必要なレベル(例えば、V−DC)に維持するために、オペアンプを介してトランジスタQ1及びQ4のゲートにおける電流の調節を行う。
開始モードにおいて、バイアス電圧は+BIAS=−BIAS=0ボルトであり、TMRヘッド及びトランジスタQ1及びQ4のゲートの両端のバイアス電圧もまた0ボルトである。トランジスタQ1及びQ4のドレインの電圧は正であり、それぞれ約+1ボルトである(これは+Vの値を調節することによって達成することができる)。フィードバック抵抗R3、R4を流れる電流はそれぞれ、抵抗R32及びR33を通過してオペアンプU5及びU6の出力に流れる。これらの電流は、トランジスタQ1及びQ4のドレインにおける共通モード電圧がオペアンプU4の正の入力に適用される電圧であるV−DCに等しくなるように、オペアンプU4、U5、U6を含む共通モード電圧制御回路を介して調節される。差動増幅器U1はトランジスタQ1及びQ4のドレインに接続されている。差動増幅器U1は、出力RDX−Out及びRDY−Outにおける直流電圧が0ボルトに等しくなるように、トランジスタQ1及びQ4のドレインにおける共通モード電圧V−DCを抑制する。
リード増幅器システム10はさらに、1つの好まれる形式において、コントローラーU13に接続されたデジタル−アナログ変換器(DAC)U9を含むバイアス電圧制御回路を含む。1つの好まれる実施例において、コントローラーU13は2つのアナログ−デジタル変換器ADC−1及びADC−2を介して出力RDX−Out及びRDY−Outに接続している。コントローラーU13はDACU9に信号を送信し、DACU9はバイアス電圧信号を生成する。バイアス電圧信号はスイッチSW1を介してオペアンプU7の正の入力に適用され、また、抵抗R28を介してオペアンプU8の負の入力に適用される。フィードバック抵抗R29はオペアンプU8の出力と負の入力の間に接続されている。オペアンプU7は好まれるものとして増幅率+Kを有し、(接続された抵抗R28及びR29を含む)オペアンプU8は好まれるものとして増幅率−Kを有し、それによって、オペアンプU7及びU8はDACU9から送信されたバイアス電圧を差動バイアス電圧+BIAS及び−BIASに変換する。差動バイアス電圧+BIAS及び−BIASはそれぞれ、トランジスタQ2及びQ3のゲートに適用される。スイッチSW1は、DACU9によって生成されたバイアス電圧がスイッチSW1に適用されたときに、「バイアス許可(BIAS ENABLE)」信号によって閉じられる。バイアス電圧−BIAS及び+BIASは好まれるものとして、同一の絶対値を有する(すなわち、|−BIAS|=|+BIAS|)。バイアス電圧−BIAS及び+BIASはトランジスタQ2及びQ3のゲートに接続され、そして、トランジスタQ1及びQ2の間及びトランジスタQ3及びQ4の間の共通ソース接続を介して、トランジスタQ1及びQ4のゲートに適用され、さらにTMRヘッド12に適用される。図1において、トランジスタQ2及びQ3に印加されたバイアス電圧+BIAS及び−BIASによって生ずる、トランジスタQ1及びQ4のゲートのバイアス電圧はVBIASとして示されている。
TMRヘッド12は2つの相互接続電線の間に接続されている。TMRヘッド12にバイアス電圧VBIASが印加された後、電線の2つの端子14、16の間の差動電圧はトランジスタQ1及びQ4のドレインにおいて増幅された状態で現れる。差動電圧は、上述された出力共通電圧制御回路によって制御されるトランジスタQ1及びQ4のドレインの共通モード電圧に影響を与えない。トランジスタQ1及びQ4のドレインの差動電圧は差動増幅器U1によって増幅される。差動増幅器U1の出力はそれぞれ、リード増幅器システム10のRDX−Out及びRDY−Outに接続されている。
1つの好まれる実施例において、リードヘッド増幅器システム10はさらに、図1の例としての実施例に示されているような、2つのアナログ−デジタル変換器ADC−1及びADC−2、コントローラーU13、デジタル−アナログ変換器(DAC)U10、及びオペアンプを含む補正回路を含む。2つのアナログ−デジタル変換器ADC−1及びADC−2はそれぞれ、出力信号を測定するために抵抗R30及びR31を介してリード増幅器システム10の出力に接続されている。アナログ−デジタル変換器ADC−1及びADC−2の出力はコントローラーU13に接続されている。コントローラーU13はさらに、補正用デジタル−アナログ変換器(DAC)U10に接続されており、補正用デジタル−アナログ変換器はスイッチSW2を介して、そして、それぞれ、抵抗R17及びR18を介してオペアンプU5の負の入力及びオペアンプU6の正の入力に接続されている。アナログ−デジタル変換器ADC−1及びADC−2はRDX−Out及びRDY−Outにおける出力電圧を測定する。RDX−Out及びRDY−Outにおける共通モード出力電圧が0ボルトに等しくない場合、μ−コントローラーU13は補正用DACU10への制御信号を生成し、DACU10は制御信号を補正電圧信号に変換する。DACU10の出力電圧はオペアンプU5及びU6に適用される。オペアンプU5及びU6の出力はトランジスタQ1及びQ4のゲートの両端に補正電圧VCOMPを与える。補正電圧VCOMPは出力RDX−Out及びRDY−Outにおいて0ボルトを達成するためにトランジスタQ1及びQ4の入力を調節する。
補正回路はリード増幅器システム10の出力から入力へのフィードバックを与える。フィードバック(すなわち、補正電圧)はトランジスタQ1及びQ4のドレインにおける電圧を補正するためにトランジスタQ1及びQ4のゲートにおける電流を調節する。補正電圧の値はアナログ−デジタル変換器ADC−1及びADC−2を介して送信される、出力RDX−Out及びRDY−Outの電圧に基づいてコントローラーU13によって計算される。
上述したように、トランジスタQ1及びQ4のドレインの直流電圧は互いに等しく、かつV−DCに等しい値に維持される。トランジスタQ1及びQ4のドレインとゲートとの間にはフィードバック回路が存在するので、トランジスタQ1及びQ4のドレインからの出力インピーダンスは低い。上述の理由により、そして計算を簡単にするために、リード増幅器システム10のバイアス回路は図2に示されているような等価回路に簡略化することができる。
図1の回路及び図2の簡略化された回路に基づく以下の等式はバイアス電圧VBIAS、+BIAS、−BIAS、TMRヘッドのインピーダンス、及びオペアンプU5及びU6の出力の電圧VCOMPの関係を説明する。
以下の等式において:
BIASはトランジスタQ1及びQ4のゲートの間のバイアス電圧であり;
BIAS=|+BIAS|+|−BIAS|;
TMRはTMRヘッドの抵抗値であり;
COMPはオペアンプU5及びU6の出力の間の補正電圧であり;
R1=R2,R3=R4,及びR32=R33;
TMRはTMRヘッドを流れる電流である。
図2に示されている簡略化された回路から以下の等式が導かれる。
Figure 0004979250
数式(1)、(2)、及び(3)から:
Figure 0004979250
補正回路によってRDX−Out及びRDY−Outの出力からトランジスタQ1及びQ4への補正処理が実施された後、等式(4)の右辺の変数の値は周知の値となり、TMRヘッドの抵抗値RTMRを決定することができる。
リード増幅器システム10は上述の補正回路を介して、出力RDX−Out及びRDY−Outを0ボルトに維持するので、増幅器システム10の回路は図2に示されているような回路に簡略化することができ、TMRヘッド12のインピーダンスRTMRを高い精度で測定することができる。
トランジスタQ1及びQ4における出力インピーダンス及び関連するコンデンサC1またはC2はトランジスタQ1に対する時定数RSC1(または、トランジスタQ4に対する時定数RSC2)を有する抵抗−容量回路を形成する(ここで、RSはトランジスタQ1またはQ4のソースにおける出力インピーダンスである)。この抵抗−容量回路は回路の低周波数ロールオフ(または、低周波数減衰)の結果となる。この低周波数ロールオフを補正するために、オペアンプU2及びU3を含む低周波数補正回路がトランジスタQ1及びQ4のドレインに接続されている。オペアンプU2の正の入力は抵抗R20を介してトランジスタQ4のドレインに接続され、またコンデンサC5を介してグランドに接続されている。オペアンプU3の正の入力は抵抗R21を介してトランジスタQ1のドレインに接続され、またコンデンサC6を介してグランドに接続されている。オペアンプU2の負の入力は抵抗R23を介してグランドに接続され、また抵抗R22を介してオペアンプU2の出力に接続されている。オペアンプU3の負の入力は抵抗R25を介してグランドに接続され、また抵抗R24を介してオペアンプU3の出力に接続されている。各RC回路の時定数はトランジスタQ1(または、Q4)のソースにおける抵抗−容量回路の時定数RSC1(または、RSC2)にほぼ等しい。単極積分回路はリードバック信号を濾波し、オペアンプU2及びU3は濾波された低周波数成分を増幅し、それぞれオペアンプU2及びU3の出力と出力RDX−Out及びRDY−Outの間に接続された抵抗R26及びR27を介して増幅された低周波数成分を出力信号に加える。
トランジスタQ1及びQ4のゲートとTMRヘッド12の電線の間の抵抗R1及びR2の抵抗値は好まれるものとして、リード増幅器システム10の入力インピーダンスが電線のインピーダンスと整合するように選択される。1つの好まれる形式において、抵抗R1及びR2の値は約20オームであり、リード増幅器システム10のノイズ特性に大きな影響を与えないように選択される。
ここまで特定の実施例への参照とともに本発明が詳細に説明されてきたが、本発明の意図及び範囲から外れることなく本発明に対して多用な変更及び改良を加えることができることは当業者にとって明白であるだろう。例えば、当業者にとって一般的な実験を使用して、上述の特定の部材及び処理と等価な多様なシステムを実施することができるだろう。そして、そのような等価なシステム及び方法も付随する請求の範囲によって規定される本発明の範囲に含まれる。
本発明の好まれる実施例に従ったリード増幅器システムの回路図である。 図1のリード増幅器システムの簡略化された回路図である。
符号の説明
10 リードヘッド増幅器システム
12 ヘッド
Q1 第1トランジスタ
Q2 第3トランジスタ
Q3 第4トランジスタ
Q4 第2トランジスタ
TMR TMRヘッドの電流
TMR MRヘッドの抵抗値
RDX−Out 増幅器システムの出力
RDY−Out 増幅器システムの出力
V−DC 共通モード電圧
BIAS バイアス電圧
COMP 補正電圧
+BIAS 差動バイアス電圧
−BIAS 差動バイアス電圧
+V 正の電源
−V 負の電源

Claims (29)

  1. リードヘッドへの相互接続を介して接続するための増幅器システムであって:
    各々が第1端子、第2端子、及びベース端子を有する第1及び第2トランジスタであって、前記2つのベース端子がそれぞれ、前記相互接続に接続されており、前記相互接続を介して前記リードヘッドから前記トランジスタに入力信号が送信され、前記第1端子が前記増幅器システムの出力に接続されている第1及び第2トランジスタ;
    前記第1及び第2トランジスタに接続されたバイアス電圧制御回路であって、前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の両端にバイアス電圧を与えるように構成されているバイアス電圧制御回路;及び、
    前記第1及び第2トランジスタの前記第1端子から前記ベース端子へのフィードバックを与えるために、前記第1及び第2トランジスタの前記第1端子と前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の間に接続されている共通モード電圧制御回路を備える増幅器システム。
  2. 各トランジスタが前記第1端子と前記ベース端子の間にフィードバック回路を有する、請求項1に記載の増幅器システム。
  3. 前記第1及び第2トランジスタの各々の前記第2端子がバイパスコンデンサを介して接地されている、請求項1に記載の増幅器システム。
  4. 前記第1及び第2トランジスタが電界効果型トランジスタであり、前記第1、第2、及びベース端子がそれぞれ、前記電界効果型トランジスタのドレイン、ソース、及びゲートである、請求項1に記載の増幅器システム。
  5. 前記第1及び第2トランジスタがバイポーラ接合型トランジスタであり、前記第1、第2、及びベース端子がそれぞれ、前記バイポーラ接合型トランジスタのコレクタ、エミッタ、及びベースである、請求項1に記載の増幅器システム。
  6. 前記第1及び第2トランジスタの前記第1端子に接続されている入力を有するオペアンプをさらに備え、前記オペアンプが前記第1端子の共通モード電圧を前記増幅器システムの出力において予め決められた値に減少させる、請求項1に記載の増幅器システム。
  7. 前記バイアス電圧制御回路が、各々が第1端子、第2端子、及びベース端子を有する第3及び第4トランジスタを備え、前記第1及び第3トランジスタの前記第2端子が接続されており、前記第2及び第4トランジスタの前記第2端子が接続されており、前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の両端に前記バイアス電圧を与えるためにバイアス電圧がそれぞれ、前記第3及び第4トランジスタの前記ベース端子に、そして前記第3及び第4トランジスタを介して前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子に適用される、請求項1に記載の増幅器システム。
  8. 前記バイアス電圧制御回路が前記第及び第トランジスタの前記第2端子に接続されている、請求項に記載の増幅器システム。
  9. 前記バイアス電圧制御回路がさらに、バイアス電圧を生成するための電圧生成回路を備え、前記電圧生成回路が増幅率+Kを有する増幅回路及び増幅率−Kを有する増幅回路に接続された出力を備え、そして、前記増幅回路の出力が前記第3及び第4トランジスタの前記ベース端子に接続されており、前記ベース端子に+BIAS及び−BIASを与える、請求項に記載の増幅器システム。
  10. 前記バイアス電圧制御回路が前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の両端に適用される前記バイアス電圧を制御するためのコントローラーを備える、請求項1に記載の増幅器システム。
  11. 前記バイアス電圧制御回路がさらに、前記増幅器システムの前記出力における出力電圧を測定するためにそれぞれ、前記増幅器システムの前記出力と前記コントローラーの間に接続された2つのアナログ−デジタル変換器を備える、請求項10に記載の増幅器システム。
  12. 前記バイアス電圧制御回路がさらに、前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子にバイアス電圧を与えるために前記コントローラーに接続されたデジタル−アナログ変換器を備える、請求項11に記載の増幅器システム。
  13. 前記デジタル−アナログ変換器の出力が増幅率+Kを有する増幅回路及び増幅率−Kを有する増幅回路に接続されており、そして、前記増幅回路の出力が前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子に適用され、前記ベース端子の両端に前記バイアス電圧を与える、請求項12に記載の増幅器システム。
  14. 前記バイアス電圧制御回路がさらに、各々が第1端子、第2端子、及びベース端子を有する第3及び第4トランジスタを備え、前記第1及び第3トランジスタの前記第2端子が接続されており、前記第2及び第4トランジスタの前記第2端子が接続されており、前記増幅回路の前記出力がそれぞれ、前記第3及び第4トランジスタの前記ベース端子に接続されている、請求項13に記載の増幅器システム。
  15. 前記共通モード電圧制御回路が前記第1及び第2トランジスタの前記第1端子に接続されている一方の入力及び基準電圧に接続されているもう一方の入力を有する第1オペアンプを含み、前記第1オペアンプが前記第1及び第2トランジスタの前記第1端子の共通モード電圧を前記基準電圧と実質的に等しい値に維持するために、前記第1及び第2トランジスタの前記第1端子における前記共通モード電圧を前記基準電圧と比較し、前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子にフィードバックを与える、請求項1に記載の増幅器システム。
  16. 前記共通モード電圧制御回路が前記第1トランジスタの前記第1端子と前記第1オペアンプの前記入力の間に接続された抵抗と、前記第2トランジスタの前記第1端子と前記第1オペアンプの前記入力の間に接続された抵抗との2つの抵抗を含む、請求項15に記載の増幅器システム。
  17. 前記共通モード電圧制御回路がさらに、前記第1オペアンプの出力に接続された第2及び第3オペアンプを備え、前記第2及び第3オペアンプの出力が前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子に接続されている、請求項16に記載の増幅器システム。
  18. 前記第2及び第3オペアンプが前記共通モード電圧制御回路の時定数及び増幅率を調節するために、各々、前記オペアンプの負の入力と出力の間に並列に接続された少なくとも1つの抵抗及び少なくとも1つのコンデンサを含む、請求項17に記載の増幅器システム。
  19. 前記第1及び第2トランジスタの各々のベース端子が抵抗を介して前記相互接続に接続されており、前記増幅器システムの入力インピーダンスが前記相互接続のインピーダンスと整合するように前記抵抗の抵抗値が選択されている、請求項1に記載の増幅器システム。
  20. 前記増幅器システムの前記出力から前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子へのフィードバックを与えるために、前記増幅器システムの前記出力と前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の間に接続されている補正回路をさらに備え、前記フィードバックが前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の両端の補正電圧を含む、請求項1に記載の増幅器システム。
  21. 前記補正回路が前記増幅器システムの前記出力における電圧に基づいて前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の両端に適用された前記補正電圧を制御するためのコントローラーを備える、請求項20に記載の増幅器システム。
  22. 前記補正回路がさらに、前記増幅器システムの前記出力における出力電圧を測定するために、それぞれ、前記増幅器システムの前記出力と前記コントローラーの間に接続された2つのアナログ−デジタル変換器を備える、請求項21に記載の増幅器システム。
  23. 前記補正回路がさらに、前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子にバイアス電圧を与えるために前記コントローラーに接続されたデジタル−アナログ変換器を備える、請求項22に記載の増幅器システム。
  24. 前記デジタル−アナログ変換器の出力が一方のオペアンプの正の入力、及びもう一方のオペアンプの負の入力に接続されており、そして、前記オペアンプの出力が前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子に接続されており、前記ベース端子に前記補正電圧を与える、請求項23に記載の増幅器システム。
  25. 低周波数補正回路をさらに備え、前記低周波数補正回路が、前記第1及び第2トランジスタの前記第1端子にそれぞれ接続された2つの抵抗−容量(RC)回路を備え、各RC回路が前記RC回路に接続された入力及び前記増幅器システムの前記出力に接続された出力を有するオペアンプを備える、請求項1に記載の増幅器システム。
  26. リードヘッドへの相互接続を介して接続するための増幅器システムであって:
    各々が第1端子、第2端子、及びベース端子を有する第1及び第2トランジスタであって、前記2つのベース端子がそれぞれ、前記相互接続に接続されており、前記相互接続を介して前記リードヘッドから前記トランジスタに入力信号が送信され、前記第1端子が前記増幅器システムの出力に接続されている第1及び第2トランジスタ;
    前記第1及び第2トランジスタに接続されたバイアス電圧制御回路であって、前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の両端にバイアス電圧を与えるように構成されているバイアス電圧制御回路;
    前記第1及び第2トランジスタの前記第1端子から前記ベース端子へのフィードバックを与えるために、前記第1及び第2トランジスタの前記第1端子と前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の間に接続されている共通モード電圧制御回路;及び、
    前記増幅器システムの前記出力から前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子へのフィードバックを与えるために、前記増幅器システムの前記出力と前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の間に接続されている補正回路であって、前記フィードバックが前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の両端の補正電圧を含む補正回路を備える増幅器システム。
  27. 前記増幅器システムの前記出力に接続された低周波数回路をさらに備え、前記低周波数回路が低周波数信号を濾波し、前記低周波数信号を前記増幅器システムの前記出力に加えるために、少なくとも1つの抵抗−容量(RC)回路を備える、請求項26に記載の増幅器システム。
  28. リードヘッドへの相互接続を介して接続するための増幅器システムであって:
    各々が第1端子、第2端子、及びベース端子を有する第1及び第2トランジスタであって、前記2つのベース端子がそれぞれ、前記相互接続に接続されており、前記相互接続を介して前記リードヘッドから前記トランジスタに入力信号が送信され、前記第1端子が前記増幅器システムの出力に接続されている第1及び第2トランジスタ;
    各々が第1端子、第2端子、及びベース端子を有する第3及び第4トランジスタであって、前記第1及び第3トランジスタの前記第2端子が接続されており、前記第2及び第4トランジスタの前記第2端子が接続されている第3及び第4トランジスタ;
    前記第3及び第4トランジスタの前記ベース端子にバイアス電圧を与えるために前記第3及び第4トランジスタの前記ベース端子に、そして前記第3及び第4トランジスタを介して前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子に接続されているバイアス電圧制御回路;
    前記第1及び第2トランジスタの前記第1端子から前記ベース端子へのフィードバックを与えるために、前記第1及び第2トランジスタの前記第1端子と前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の間に接続されている共通モード電圧制御回路;及び、
    前記増幅器システムの前記出力から前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子へのフィードバックを与えるために、前記増幅器システムの前記出力と前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の間に接続されている補正回路であって、前記フィードバックが前記第1及び第2トランジスタの前記ベース端子の両端の補正電圧を含む補正回路を備える増幅器システム。
  29. 前記増幅器システムの前記出力に接続された低周波数回路をさらに備え、前記低周波数回路が低周波数信号を濾波し、前記低周波数信号を前記増幅器システムの前記出力に加えるために、少なくとも1つの抵抗−容量(RC)回路を備える、請求項28に記載の増幅器システム。
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