JP4974996B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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この発明は、例えば半導体ウエハやFPD等の被処理基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus including a transfer unit that transfers a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or an FPD while being held vertically by a plurality of holding bodies.

一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板としての半導体ウエハやFPD等(以下にウエハ等という)にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、その後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処理が施されている。   In general, in a semiconductor device manufacturing process, a photoresist is applied to a semiconductor wafer or FPD (hereinafter referred to as a wafer) as a substrate to be processed, and a circuit pattern is reduced using a photolithography technique and transferred to the photoresist. Then, a development process is performed, and then a series of processes for removing the photoresist from the wafer or the like is performed.

また、上記処理の過程において、ウエハ等を複数の保持体で垂直に保持する搬送手段によって、ウエハ等を垂直状態のまま処理液例えば薬液を貯留する処理槽内に浸漬した後、ウエハ等の表面に向かってリンス液を吐出して処理する基板処理装置が知られている。   Further, in the course of the above processing, the wafer or the like is immersed in a processing tank for storing a processing liquid, for example, a chemical solution in a vertical state by a transfer unit that holds the wafer or the like vertically with a plurality of holding bodies, and then the surface of the wafer or the like There is known a substrate processing apparatus that discharges and processes a rinsing liquid.

従来のこの種の基板処理装置においては、搬送手段は、ウエハ等の下端部を支持する例えば下側保持体と、ウエハ等の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体とを具備しており、下側保持体及び上側保持体には、V字状あるいは略Y字状の保持溝が設けられている。   In this type of conventional substrate processing apparatus, the transport means includes, for example, a lower holding body that supports a lower end portion of a wafer or the like and a pair of left and right upper holding bodies that hold a lower end portion of the wafer or the like. The lower holding body and the upper holding body are provided with V-shaped or substantially Y-shaped holding grooves.

また、上記Y字状保持溝における問題すなわちウエハ等の両側の主面との面接触することによるパーティクル等の汚染物質の発生の問題と、上記V字状保持溝における問題すなわちウエハ等の倒れによる隣接するウエハ等同士の接触の問題を解決するために、下側保持体及び上側保持体の保持溝を、開き角度2°以上28°以下となる断面V字形状とし、ウエハ等と接触する面が防塵性を有する材料としたものが知られている(例えば、特許文献1参照)。   In addition, the problem in the Y-shaped holding groove, that is, the problem of generation of contaminants such as particles due to surface contact with the main surfaces on both sides of the wafer, and the problem in the V-shaped holding groove, that is, due to the falling of the wafer etc. In order to solve the problem of contact between adjacent wafers or the like, the holding groove of the lower holding body and the upper holding body has a V-shaped cross section with an opening angle of 2 ° or more and 28 ° or less, and a surface that comes into contact with the wafer or the like Is known as a material having a dustproof property (see, for example, Patent Document 1).

また、処理液の除去効率を向上させるために、各保持体を構成する支持棒に一定間隔を置いて多数配設され、ウエハ等側へ延出して各ウエハ等の縁部に当接する支持爪を設け、隣り合う保持体に配設された隣り合う2つの支持爪は、ウエハ等の縁部にその両側面から個別に当接してその縁部を挟持することで、ウエハ等を倒れないように支持するものが知られている(例えば、特許文献2参照)。
特開2000−124297号公報(特許請求の範囲、図4) 特開平11−145270号公報(特許請求の範囲、図2〜図5)
Also, in order to improve the removal efficiency of the processing liquid, a large number of support rods constituting each holder are arranged at regular intervals, and support claws that extend toward the wafer or the like and abut against the edge of each wafer or the like The two adjacent support claws disposed on the adjacent holding body are brought into contact with the edge of the wafer or the like individually from both side surfaces so as to prevent the wafer or the like from falling down. (See, for example, Patent Document 2).
JP 2000-124297 A (Claims, FIG. 4) Japanese Patent Laid-Open No. 11-145270 (Claims, FIGS. 2 to 5)

しかしながら、特許文献1記載のものにおいては、V字状保持溝によって保持されるウエハ等は、接触断面においてウエハ等の端部両面が接触するため、処理に供された処理液例えば薬液の液残りが生じ、液処理後の乾燥処理に時間を要しスループットの低下をきたすと共に、乾燥処理後にウォーターマーク等のしみが生じる懸念がある。   However, in the one described in Patent Document 1, since the wafer or the like held by the V-shaped holding groove is in contact with both ends of the wafer or the like in the contact cross section, the remaining liquid of the processing liquid used for processing, for example, chemical liquid As a result, it takes time for the drying process after the liquid process to reduce the throughput, and there is a concern that a stain such as a watermark may occur after the drying process.

また、特許文献2記載のものにおいては、隣り合う2つの支持爪は、ウエハ等の縁部にその両側面から個別に当接してその縁部を挟持する構造であるため、同一断面でウエハ等の両側面を挟持するものに比べて処理液の液残りを少なくすることができる。しかし、特許文献2記載のものにおいては、支持棒に頭部を除去した四角錐状に形成される支持爪を設ける構造であるため、支持棒と支持爪の接合部に液溜まりが生じる虞があり、液処理後の乾燥処理に時間を要しスループットの低下をきたすと共に、乾燥処理後にウォーターマーク等のしみが生じる懸念がある。また、特許文献2記載の構造のものは、寸法精度に注意を要する上、加工が面倒であるという問題がある。   Moreover, in the thing of patent document 2, since two adjacent support claws are the structures which contact | abut to the edge part of a wafer etc. separately from the both sides | surfaces, and hold | grip the edge part, a wafer etc. in the same cross section The remaining amount of the processing liquid can be reduced as compared with the case of sandwiching both side surfaces. However, in the thing of patent document 2, since it is a structure which provides the support nail | claw formed in the shape of the quadrangular pyramid which removed the head in the support rod, there exists a possibility that a liquid pool may arise in the junction part of a support rod and a support nail | claw. In addition, it takes time for the drying process after the liquid process to reduce the throughput, and there is a concern that a stain such as a watermark may occur after the drying process. In addition, the structure described in Patent Document 2 has problems that it requires attention to dimensional accuracy and is troublesome to process.

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、簡単な加工で高い寸法精度が得られると共に、液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができ、かつウエハ等を安定した状態で保持することができ、スループットの向上を図れるようにした基板処理装置を提供することを目的とする。   This invention has been made in view of the above circumstances, can achieve high dimensional accuracy with simple processing, and can reduce the occurrence of stains such as watermarks by reducing liquid residue after liquid treatment, In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of holding a wafer or the like in a stable state and improving throughput.

上記課題を解決するために、この発明の基板処理装置は、被処理基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段と、処理液を貯留する処理槽と、を具備し、被処理基板を上記搬送手段の保持体によって保持した状態で上記処理槽内の処理液に浸漬させて被処理基板に処理を施す基板処理装置において、 上記搬送手段は、被処理基板の下端部を支持する親水性を有する部材にて形成される下側保持体と、被処理基板の下部側端部を保持する左右一対の疎水性を有する部材にて形成される上側保持体とを具備し、 少なくとも一つの上記保持体は、該保持体の長手方向に対して所定角度に傾斜する略V字状の保持溝を形成してなり、 上記保持溝を構成する第1の傾斜面で被処理基板の一方の面を保持すると共に、保持溝を構成する第2の傾斜面で被処理基板の他方の面を保持する溝傾斜保持体であることを特徴とする(請求項1)。 In order to solve the above-described problems, a substrate processing apparatus of the present invention includes a transport unit that transports a substrate to be processed while being vertically held by a plurality of holding bodies, and a processing tank that stores a processing liquid. In the substrate processing apparatus for processing the substrate to be processed by immersing the substrate to be processed in the processing liquid in the processing tank in a state where the substrate is held by the holding body of the transport unit, the transport unit has a lower end portion of the substrate to be processed. A lower holding body formed of a hydrophilic member to support, and an upper holding body formed of a pair of left and right hydrophobic members holding the lower side end of the substrate to be processed; The at least one holding body is formed with a substantially V-shaped holding groove that is inclined at a predetermined angle with respect to the longitudinal direction of the holding body, and a substrate to be processed is formed by a first inclined surface that constitutes the holding groove. Holding one side of the second and forming a holding groove The groove inclined holding body holds the other surface of the substrate to be processed by the two inclined surfaces (claim 1).

また、この発明において、上記下側保持体が溝傾斜保持体にて形成される(請求項)か、あるいは、上記下側保持体及び上側保持体が溝傾斜保持体にて形成される方が好ましい(請求項)。 In the present invention, the lower holding body is formed of a groove inclined holding body (Claim 2 ), or the lower holding body and the upper holding body are formed of a groove inclined holding body. (Claim 3 ).

また、この発明において、隣り合う保持体を溝傾斜保持体にて形成し、上記隣り合う溝傾斜保持体に形成される保持溝の傾斜角度を両溝傾斜保持体間の中心点に対して対称としてもよい(請求項)。 In the present invention, adjacent holding bodies are formed by groove inclined holding bodies, and the inclination angles of the holding grooves formed in the adjacent groove inclined holding bodies are symmetric with respect to the center point between both groove inclined holding bodies. (Claim 4 ).

また、この発明において、上記溝傾斜保持体における該保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にある方が好ましい(請求項)。 In the present invention, it is preferable that the holding portion of the substrate to be processed held in the holding groove of the holding body in the groove inclined holding body is in a symmetrical position with respect to the center point along the longitudinal direction of the holding body ( Claim 5 ).

また、この発明において、上記下側保持体及び上側保持体における各溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、平面視における被処理基板の面中心点に対して対称位置にある方が好ましい(請求項)。 Further, in the present invention, the holding portion of the substrate to be processed held in the holding groove of each groove inclined holding body in the lower holding body and the upper holding body is symmetrical with respect to the center point of the surface of the substrate to be processed in plan view. It is preferable to be in the position (Claim 6 ).

また、この発明において、上記下側保持体及び上側保持体における保持溝を有する保持面を、上記下側保持体及び上側保持体によって保持される被処理基板の面中心に対向して設ける方が好ましい(請求項)。 In the present invention, the holding surface having the holding grooves in the lower holding body and the upper holding body is preferably provided to face the center of the surface of the substrate to be processed held by the lower holding body and the upper holding body. Preferred (Claim 7 ).

また、この発明において、上記保持体は、複数枚の被処理基板を互いに並行に保持すべく複数の保持溝を適宜間隔に列設する構成とすることができる(請求項)。 In the present invention, the holding body may have a configuration in which a plurality of holding grooves are arranged at appropriate intervals so as to hold a plurality of substrates to be processed in parallel with each other (claim 8 ).

請求項記載の発明によれば、少なくとも一つの溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略V字状の保持溝の第1及び第2の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる位置を保持することができる。 According to the first aspect of the invention, holding both sides of different positions of the substrate to be processed by the first and second inclined surfaces of the substantially V-shaped holding groove which inclines provided on at least one groove inclined retainer can do.

また、請求項記載の発明によれば、被処理基板の下端部を下側保持体によって保持すると共に、被処理基板の下部側端部を左右一対の上側保持体によって保持することができ、下側保持体及び上側保持体のうちの少なくとも一つの保持体を溝傾斜保持体によって形成することにより、溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略V字状の保持溝の第1及び第2の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる位置を保持することができる。 According to the invention of claim 1 , the lower end of the substrate to be processed can be held by the lower holding body, and the lower side end of the substrate to be processed can be held by the pair of left and right upper holding bodies, By forming at least one of the lower holding body and the upper holding body by the groove inclined holding body, the first and second inclined substantially V-shaped holding grooves provided in the groove inclined holding body are provided. Different positions on both surfaces of the substrate to be processed can be held by the inclined surfaces.

また、請求項記載の発明によれば、下側保持体を形成する溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略V字状の保持溝の第1及び第2の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる位置を保持することができる。 According to the second aspect of the present invention, the first and second inclined surfaces of the inclined substantially V-shaped holding groove provided on the groove inclined holding body forming the lower holding body are used to form the substrate to be processed. Different positions on both sides can be held.

また、請求項記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体を形成する溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略V字状の保持溝の第1及び第2の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる位置を保持することができる。 According to the third aspect of the present invention, the first and second inclined surfaces of the inclined substantially V-shaped holding grooves provided on the inclined groove holding bodies forming the lower holding body and the upper holding body are provided. Different positions on both sides of the substrate to be processed can be held.

また、請求項記載の発明によれば、隣り合う溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、隣り合う保持体間の中心点に対して対称位置にあるので、各保持体において被処理基板は安定した状態で保持される。 According to the invention of claim 4 , since the holding portion of the substrate to be processed held in the holding groove of the adjacent groove inclined holding body is in a symmetrical position with respect to the center point between the adjacent holding bodies, In each holder, the substrate to be processed is held in a stable state.

また、請求項記載の発明によれば、溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にあるので、保持体において被処理基板は安定した状態で保持される。 According to the fifth aspect of the present invention, the holding portion of the substrate to be processed held in the holding groove of the groove inclined holding body is in a symmetrical position with respect to the center point along the longitudinal direction of the holding body. The substrate to be processed is held in a stable state in the body.

また、請求項記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、平面視における被処理基板の面中心点に対して対称位置にあるので、下側保持体及び上側保持体によって被処理基板は安定した状態で保持される。 According to the invention described in claim 6, the holding portion of the substrate to be processed held in the holding grooves of the lower holding body and the upper holding body is symmetrical with respect to the center point of the surface of the substrate to be processed in plan view. Therefore, the substrate to be processed is held in a stable state by the lower holding body and the upper holding body.

また、請求項記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体における保持溝を有する保持面を上記下側保持体及び上側保持体によって保持される被処理基板の面中心方向に対向して設けることで、搬送手段への下側保持体及び上側保持体の組み付けを容易にすることができると共に、被処理基板を安定した状態に保持することができる。 According to the invention of claim 7, the holding surface having the holding groove in the lower holding body and the upper holding body is opposed to the surface center direction of the substrate to be processed held by the lower holding body and the upper holding body. Accordingly, the lower holding body and the upper holding body can be easily assembled to the transfer means, and the substrate to be processed can be held in a stable state.

また、請求項記載の発明によれば、複数枚の被処理基板を安定させた状態で保持することができ、同時に例えば液処理することができる。 According to the eighth aspect of the present invention, a plurality of substrates to be processed can be held in a stable state, and for example, liquid processing can be performed at the same time.

また、請求項記載の発明によれば、被処理基板の下端部を保持する下側保持体の保持溝は処理液を吸着して被処理基板への処理液の液残りを抑制することができ、被処理基板の下部両側端部を保持する上側保持体の保持溝は、処理液を弾いて、処理後の液残りを抑制することができる。 Further, according to the first aspect of the invention, it is possible to suppress the liquid remaining processing liquid retaining groove of the lower holding member that holds the lower end portion of the substrate to be processed by adsorbing the processing solution to the substrate to be processed In addition, the holding grooves of the upper holding body that holds the lower both side edges of the substrate to be processed can repel the processing liquid and suppress the remaining liquid after processing.

この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような顕著な効果が得られる。   According to this invention, since it is configured as described above, the following remarkable effects can be obtained.

(1)請求項記載の発明によれば、少なくとも一つの溝傾斜保持体に設けられた傾斜する略V字状の保持溝の第1及び第2の傾斜面によって被処理基板の両面の異なる部位を保持することができるので、液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができると共に、スループットの向上が図れ、かつ被処理基板を安定した状態に保持することができる。 (1) According to the first aspect of the present invention, different surfaces of the substrate to be processed by the first and second inclined surfaces of the substantially V-shaped holding groove which inclines provided on at least one groove inclined retainer Since the portion can be held, it is possible to reduce the remaining liquid after the liquid processing and suppress the occurrence of stains such as watermarks, improve throughput, and hold the substrate to be processed in a stable state. can do.

(2)請求項1〜3記載の発明によれば、被処理基板の下端部を下側保持体によって保持すると共に、被処理基板の下部側端部を左右一対の上側保持体によって保持することができるので、上記(1)に加えて、更に被処理基板を安定した状態で保持することができる。 (2) According to the first to third aspects of the invention, the lower end of the substrate to be processed is held by the lower holding body, and the lower side end of the substrate to be processed is held by the pair of left and right upper holding bodies. Therefore, in addition to the above (1), the substrate to be processed can be held in a stable state.

(3)請求項記載の発明によれば、隣り合う溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、隣り合う保持体間の中心点に対して対称位置にあるので、上記(1)に加えて、更に被処理基板を安定した状態で保持することができる。 (3) According to the invention described in claim 4, since the holding portion of the substrate to be processed held in the holding groove of the adjacent groove inclined holding body is in a symmetrical position with respect to the center point between the adjacent holding bodies. In addition to the above (1), the substrate to be processed can be held in a stable state.

(4)請求項記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、各保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にあり、各保持体において被処理基板は安定した状態で保持されるので、上記(1)〜(3)に加えて、更に被処理基板を安定した状態で保持することができる。 (4) According to invention of Claim 5 , the holding | maintenance part of the to-be-processed substrate hold | maintained at the holding groove | channel of a lower holding body and an upper holding body is symmetrical with respect to the center point along the longitudinal direction of each holding body. Since the substrate to be processed is held in a stable state in each holding body, in addition to the above (1) to (3), the substrate to be processed can be held in a more stable state.

(5)請求項記載の発明によれば、下側保持体及び上側保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、平面視における被処理基板の面中心点に対して対称部位にあり、下側保持体及び上側保持体によって被処理基板は安定した状態で保持されるので、上記(2)に加えて、更に被処理基板を安定した状態で保持することができる。 (5) According to the invention described in claim 6 , the holding portions of the substrate to be processed held in the holding grooves of the lower holding body and the upper holding body are symmetrical with respect to the center point of the surface of the substrate to be processed in plan view. Since the substrate to be processed is held in a stable state by the lower holding body and the upper holding body, in addition to the above (2), the substrate to be processed can be further held in a stable state.

(6)請求項記載の発明によれば、上記(1),(2),(4),(5)に加えて、更に搬送手段への下側保持体及び上側保持体の組み付けを容易にすることができると共に、被処理基板を安定した状態に保持することができる。 (6) According to the invention described in claim 7 , in addition to the above (1), (2), (4), (5), the lower holding body and the upper holding body can be easily assembled to the conveying means. And the substrate to be processed can be held in a stable state.

(7)請求項記載の発明によれば、上記(1)〜(6)に加えて、更に複数枚の被処理基板を安定させた状態で保持することができると共に、同時に例えば液処理を行うことができる。 (7) According to the invention described in claim 8 , in addition to the above (1) to (6), it is possible to hold a plurality of substrates to be processed in a stabilized state, and at the same time, for example, liquid processing. It can be carried out.

(8)請求項記載の発明によれば、被処理基板の下端部を保持する下側保持体の保持溝は処理液を吸着して被処理基板への処理液の液残りを抑制することができ、被処理基板の下部両側端部を保持する上側保持体の保持溝は、処理液を弾いて、処理後の液残りを抑制することができる。したがって、更に液処理後の液残りを確実に少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができる。 (8) According to the first aspect of the present invention, to suppress the liquid remaining processing liquid retaining groove of the lower holding body adsorbs the processing liquid to the target substrate that holds the lower end portion of the substrate The holding groove of the upper holding body that holds the lower side ends of the substrate to be processed can repel the processing liquid and suppress the liquid residue after processing. Therefore, the remaining liquid after the liquid treatment can be surely reduced, and the occurrence of stains such as watermarks can be suppressed.

以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板処理装置を半導体ウエハの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について説明する。   DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the best embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, a case where the substrate processing apparatus according to the present invention is applied to a semiconductor wafer cleaning / drying processing apparatus will be described.

<第1実施形態>
上記洗浄・乾燥処理装置は、図1に示すように、被処理基板である半導体ウエハW(以下にウエハWという)を収容する処理室である処理槽1と、この処理槽1の上方に位置するウエハWを収容する乾燥室2と、処理槽1内のウエハWに処理液である酸化膜除去用の薬液例えば希フッ酸水(DHF)を供給する薬液供給手段3と、処理槽1内のウエハWに別の処理液である洗浄用のリンス液を供給するリンス液供給手段4と、乾燥室2内に例えば窒素ガス(N2ガス)や清浄空気等の乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段6と、薬液供給手段3、リンス液供給手段4及び乾燥気体供給手段6やこの発明における後述する搬送手段であるウエハボート5、容器カバー昇降機構8、シャッタ9等に制御(作動)信号を伝達する制御手段例えば中央演算処理装置10(以下にCPU10という)と、を具備している。
<First Embodiment>
As shown in FIG. 1, the cleaning / drying processing apparatus includes a processing tank 1 that is a processing chamber that accommodates a semiconductor wafer W (hereinafter referred to as a wafer W) that is a substrate to be processed, and a position above the processing tank 1. A drying chamber 2 for storing a wafer W to be processed, a chemical solution supply means 3 for supplying a chemical solution for removing an oxide film as a processing solution, such as dilute hydrofluoric acid (DHF), to the wafer W in the processing bath 1, and the inside of the processing bath 1 A rinsing liquid supply means 4 for supplying a cleaning rinsing liquid as another processing liquid to the wafer W and a dry gas supply for supplying a dry gas such as nitrogen gas (N2 gas) or clean air into the drying chamber 2 Control (actuation) signals are sent to the means 6, the chemical liquid supply means 3, the rinse liquid supply means 4, the dry gas supply means 6, and the wafer boat 5, the container cover elevating mechanism 8, the shutter 9, etc., which will be described later in the present invention. Control means to communicate eg central performance And an arithmetic processing unit 10 (hereinafter referred to as CPU 10).

この場合、上記処理槽1は、ウエハWを収容する内槽1aと、この内槽1aの上端開口の外周部を包囲する外槽1bとで構成されている。また、内槽1aの底部には、ドレイン口1cが設けられており、このドレイン口1cにドレイン弁1dを介設したドレイン管1eが接続されている。また、外槽1bの底部には、排水口1fが設けられており、この排水口1fに開閉弁1gを介設した排水管1hが接続されている。   In this case, the processing tank 1 is composed of an inner tank 1a for storing the wafer W and an outer tank 1b for enclosing the outer peripheral portion of the upper end opening of the inner tank 1a. A drain port 1c is provided at the bottom of the inner tank 1a, and a drain pipe 1e having a drain valve 1d interposed therebetween is connected to the drain port 1c. Further, a drain port 1f is provided at the bottom of the outer tub 1b, and a drain pipe 1h having an open / close valve 1g connected to the drain port 1f.

また、処理槽1の内槽1a内の下部側には供給ノズル11が配設されている。この供給ノズル11は、主供給管12を介してリンス液である純水(DIW)の供給源4aに接続されている。主供給管12における純水供給源4a側には第1の開閉弁V1が介設されており、これら純水供給源4a、主供給管12、第1の開閉弁V1及び供給ノズル11によってリンス液供給手段4が形成されている。   A supply nozzle 11 is disposed on the lower side of the inner tank 1 a of the processing tank 1. The supply nozzle 11 is connected to a supply source 4 a of pure water (DIW) that is a rinsing liquid via a main supply pipe 12. A first on-off valve V 1 is provided on the main supply pipe 12 on the pure water supply source 4 a side, and rinsing is performed by the pure water supply source 4 a, the main supply pipe 12, the first on-off valve V 1 and the supply nozzle 11. A liquid supply means 4 is formed.

また、主供給管12の途中には切換開閉弁V0が介設されており、この切換開閉弁V0に接続する薬液供給管13を介して薬液例えばフッ酸水(HF)の供給タンク3aが接続されている。なお、薬液供給管13にはポンプ3bが介設されている。これら供給タンク3a、薬液供給管13、ポンプ3b、切換開閉弁V0、主供給管12及び供給ノズル11によって薬液供給手段3が形成されている。この場合、主供給管12内を流れる純水と供給タンク3aから供給されるHFとが混合されて所定濃度の薬液(DHF)が供給ノズル11から処理槽1内に供給されるように構成されている。   Further, a switching on / off valve V0 is provided in the middle of the main supply pipe 12, and a chemical tank, for example, hydrofluoric acid (HF) supply tank 3a is connected through a chemical supply pipe 13 connected to the switching on / off valve V0. Has been. A pump 3b is interposed in the chemical solution supply pipe 13. These supply tank 3 a, chemical solution supply pipe 13, pump 3 b, switching on / off valve V 0, main supply pipe 12 and supply nozzle 11 form a chemical solution supply means 3. In this case, pure water flowing through the main supply pipe 12 and HF supplied from the supply tank 3a are mixed and a chemical solution (DHF) having a predetermined concentration is supplied from the supply nozzle 11 into the processing tank 1. ing.

一方、乾燥室2は、複数例えば50枚のウエハWを収容可能な大きさを有すると共に、上端部に搬入・搬出口15を有する容器本体16aと、この容器本体16aの上端に形成された搬入・搬出口15を開放又は閉鎖する容器カバー16bとで主に構成されている。この場合、容器カバー16bは、例えば断面逆U字状に形成され、昇降機構8によって昇降可能に形成されている。昇降機構8は、CPU10に電気的に接続されており、CPU10からの制御(作動)信号により、昇降機構8が作動して、容器カバー16bが開放又は閉鎖されるように構成されている。そして、容器カバー16bが上昇した際には、搬入・搬出口15は開放され、容器本体16aに対してウエハWを搬入できる状態となる。容器本体16aにウエハWを搬入して収容した後、容器カバー16bが下降することで、搬入・搬出口15が塞がれる。この場合、容器本体16aと容器カバー16bの間の隙間は、例えばリップ式のOリング17aによって密封されるように構成されている。   On the other hand, the drying chamber 2 has a size capable of accommodating a plurality of, for example, 50 wafers W, and has a container body 16a having a loading / unloading port 15 at the upper end and a loading formed at the upper end of the container body 16a. -It is mainly comprised by the container cover 16b which opens or closes the carrying-out port 15. In this case, the container cover 16 b is formed, for example, in an inverted U-shaped cross section, and is formed so as to be movable up and down by the lifting mechanism 8. The elevating mechanism 8 is electrically connected to the CPU 10, and is configured such that the elevating mechanism 8 is operated by the control (operation) signal from the CPU 10 and the container cover 16 b is opened or closed. When the container cover 16b is raised, the loading / unloading port 15 is opened, and the wafer W can be loaded into the container body 16a. After the wafer W is loaded into the container main body 16a and stored, the container cover 16b is lowered to close the loading / unloading port 15. In this case, the gap between the container main body 16a and the container cover 16b is configured to be sealed by, for example, a lip type O-ring 17a.

また、上記ウエハボート5は、図1及び図2に示すように、ガイド部7と、このガイド部7に水平状態に固着され、ウエハWの周縁の下端部を支持する1本の下側保持体20と、ウエハWの周縁の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体30とで主に構成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the wafer boat 5 is fixed to the guide portion 7 and the guide portion 7 in a horizontal state so as to support the lower end of the peripheral edge of the wafer W. The body 20 is mainly composed of a pair of left and right upper holding bodies 30 that hold the lower side end of the periphery of the wafer W.

上記下側保持体20は、該下側保持体20の長手方向に対して所定角度(図面では同一角度を示す)に傾斜する略V字状の保持溝21を適宜間隔に50箇所列設してなる。各保持溝21は、下側保持体20の基端部側の第1の傾斜面41と、下側保持体20の先端側の第2の傾斜面42とで構成されている。このように構成される下側保持体20は溝傾斜保持体にて形成される。この場合、下側保持体20は、親水性を有する部材、例えばポリエーテルエーテルケトン(PEEK)にて断面矩形状に形成されている。このように、下側保持体20を親水性の部材にて形成することにより、下側保持体20の保持溝21は処理液を吸着してウエハWへの処理液の液残りを抑制することができる。   The lower holding body 20 is provided with 50 substantially V-shaped holding grooves 21 that are inclined at a predetermined angle (showing the same angle in the drawing) with respect to the longitudinal direction of the lower holding body 20 at appropriate intervals. It becomes. Each holding groove 21 includes a first inclined surface 41 on the base end portion side of the lower holding body 20 and a second inclined surface 42 on the distal end side of the lower holding body 20. The lower holding body 20 configured as described above is formed of a groove inclined holding body. In this case, the lower holding body 20 is formed in a rectangular cross section with a hydrophilic member, for example, polyetheretherketone (PEEK). Thus, by forming the lower holding body 20 with a hydrophilic member, the holding groove 21 of the lower holding body 20 adsorbs the processing liquid and suppresses the remaining of the processing liquid on the wafer W. Can do.

上記上側保持体30は、それぞれ各上側保持体30の長手方向に対して同一角度かつ下側保持体20の保持溝21と同一角度に傾斜する略V字状の保持溝31を適宜間隔に50箇所列設してなる。各保持溝31は、上側保持体30の基端部側の第1の傾斜面41と、上側保持体30の先端側の第2の傾斜面42とで構成されている。このように構成される上側保持体30も溝傾斜保持体にて形成されている。この場合、上側保持体30は、疎水性を有する部材、例えばポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE),ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)又はペルフルオロアルコキシフッ素樹脂(PFA)にて断面矩形状に形成されている。このように、上側保持体30を疎水性の部材にて形成することにより、ウエハWの下部両側端部を保持する上側保持体30の保持溝31は処理液を弾いて、処理後の液残りを抑制することができる。   Each of the upper holding bodies 30 has a substantially V-shaped holding groove 31 inclined at the same angle with respect to the longitudinal direction of each upper holding body 30 and at the same angle as the holding groove 21 of the lower holding body 20. It is arranged in places. Each holding groove 31 includes a first inclined surface 41 on the proximal end side of the upper holding body 30 and a second inclined surface 42 on the distal end side of the upper holding body 30. The upper holding body 30 configured in this way is also formed of a groove inclined holding body. In this case, the upper holding body 30 is formed in a rectangular cross section with a hydrophobic member, for example, polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), polytetrafluoroethylene (PTFE), or perfluoroalkoxy fluororesin (PFA). . In this way, by forming the upper holding body 30 with a hydrophobic member, the holding grooves 31 of the upper holding body 30 holding the lower side ends of the wafer W repel the processing liquid, and the remaining liquid after the processing. Can be suppressed.

上記のように構成されるウエハボート5によれば、ウエハWの下端部を下側保持体20の保持溝21で保持し、ウエハWの下部両側端部を一対の上側保持体30の保持溝31で保持することができる(図2ないし図4参照)。   According to the wafer boat 5 configured as described above, the lower end portion of the wafer W is held by the holding grooves 21 of the lower holding body 20, and the lower side ends of the wafer W are held by the holding grooves of the pair of upper holding bodies 30. 31 (see FIGS. 2 to 4).

下側保持体20及び上側保持体30によるウエハWの保持の形態は、下側保持体20を代表して説明すると、保持溝21を構成する第1の傾斜面41でウエハWの一方の面例えば表面Waを保持すると共に、保持溝21を構成する第2の傾斜面42でウエハWの他方の面例えば裏面Wbを保持する(図4ないし図7参照)。この場合、図5に示すように、下側保持体20の保持溝21に保持されるウエハWの保持部すなわち表面側保持部43aと裏面側保持部43bは、下側保持体20の長手方向に沿う中心点C1に対して対称位置にある。ここでは、下側保持体20の保持溝21について説明したが、上側保持体30の保持溝31においても同様に、保持溝31に保持されるウエハWの保持部すなわち表面側保持部43aと裏面側保持部43bは、上側保持体30の長手方向に沿う中心点(図示せず)に対して対称位置にある。   The form of holding the wafer W by the lower holding body 20 and the upper holding body 30 will be described by taking the lower holding body 20 as a representative. One surface of the wafer W is formed by the first inclined surface 41 constituting the holding groove 21. For example, the front surface Wa is held, and the other surface, for example, the back surface Wb of the wafer W is held by the second inclined surface 42 constituting the holding groove 21 (see FIGS. 4 to 7). In this case, as shown in FIG. 5, the holding portion of the wafer W held in the holding groove 21 of the lower holding body 20, that is, the front-side holding portion 43 a and the back-side holding portion 43 b are arranged in the longitudinal direction of the lower holding body 20. Is symmetric with respect to the center point C1. Here, the holding groove 21 of the lower holding body 20 has been described. Similarly, in the holding groove 31 of the upper holding body 30, the holding portion of the wafer W held in the holding groove 31, that is, the front-side holding portion 43a and the back surface. The side holding part 43b is in a symmetrical position with respect to a center point (not shown) along the longitudinal direction of the upper holding body 30.

また、下側保持体20及び上側保持体30において、これら下側及び上側保持体20,30の保持溝21,31に保持されるウエハWの保持部すなわち表面側保持部43aと裏面側保持部43bは、平面視におけるウエハWの面中心点C0(図3参照)に対して対称位置にある(図4参照)。 Further, in the lower holding body 20 and the upper holding body 30, the holding portion of the wafer W held in the holding grooves 21 and 31 of the lower and upper holding bodies 20 and 30, that is, the front side holding portion 43 a and the back side holding portion. 43b is in a symmetrical position with respect to the plane center point C0 (see FIG. 3) of the wafer W in plan view (see FIG. 4).

更に、下側保持体20及び上側保持体30における保持溝21,31を有する保持面22,32は、下側保持体20及び上側保持体30によって保持されるウエハWの面中心に対向している(図3参照)。この場合、図3では上側保持体30がウエハWの面中心点C0から半径方向に延びる軸線Lに沿って配設されているが、図8に示すように、上側保持体30の保持面32のみをウエハWの面中心に対向して設け、上側保持体30自体を下側保持体20と平行に垂直状に配設してもよい。このように、上側保持体30自体を垂直状に配設することにより、上側保持体30に付着する処理液の液切れを良好にすることができる。 Further, the holding surfaces 22 and 32 having the holding grooves 21 and 31 in the lower holding body 20 and the upper holding body 30 face the center of the surface of the wafer W held by the lower holding body 20 and the upper holding body 30. (See FIG. 3). In this case, in FIG. 3, the upper holding body 30 is disposed along the axis L extending in the radial direction from the surface center point C0 of the wafer W. However, as shown in FIG. only opposed to the surface center of the wafer W, may be disposed upper holding member 30 itself parallel to the vertical form the lower retaining member 20. In this way, by arranging the upper holding body 30 itself vertically, the treatment liquid adhering to the upper holding body 30 can be satisfactorily discharged.

上記のように構成されるウエハボート5によれば、下側保持体20及び上側保持体30に設けられた傾斜する略V字状の保持溝21,31の第1及び第2の傾斜面41,42によってウエハWの両面の異なる位置を保持することができる。また、下側保持体20及び上側保持体30の各保持溝21,31を同一の傾斜する略V字状に形成することができ、簡単な加工で高い寸法精度の保持溝21,31が得られるので、複数のウエハWを安定した状態で保持することができる。   According to the wafer boat 5 configured as described above, the first and second inclined surfaces 41 of the inclined substantially V-shaped holding grooves 21 and 31 provided in the lower holding body 20 and the upper holding body 30. , 42 can hold different positions on both sides of the wafer W. In addition, the holding grooves 21 and 31 of the lower holding body 20 and the upper holding body 30 can be formed in the same inclined substantially V shape, and the holding grooves 21 and 31 with high dimensional accuracy can be obtained by simple processing. Therefore, the plurality of wafers W can be held in a stable state.

また、下側保持体20及び上側保持体30の保持溝21,31に保持されるウエハWの保持部(表面側保持部43a,裏面側保持部43b)は、下側保持体20及び上側保持体30の長手方向に沿う中心点C1に対して対称位置にあるので、下側保持体20及び上側保持体30によってウエハWは安定した状態で保持される。また、下側保持体20及び上側保持体30の保持溝21,31に保持されるウエハWの保持部(表面側保持部43a,裏面側保持部43b)は、平面視におけるウエハWの面中心点C0に対して対称位置にあるので、下側保持体20及び上側保持体30によってウエハWは安定した状態で保持される。したがって、ウエハWを安定した状態で保持することができる。 Further, the holding parts (front side holding part 43a and back side holding part 43b) of the wafer W held in the holding grooves 21 and 31 of the lower holding body 20 and the upper holding body 30 are the lower holding body 20 and the upper holding body. Since it is in a symmetrical position with respect to the center point C1 along the longitudinal direction of the body 30, the wafer W is held in a stable state by the lower holding body 20 and the upper holding body 30. Further, the holding portions (front side holding portion 43a and back side holding portion 43b) of the wafer W held in the holding grooves 21 and 31 of the lower holding body 20 and the upper holding body 30 are the center of the surface of the wafer W in plan view. Since it is in a symmetrical position with respect to the point C0, the wafer W is held in a stable state by the lower holding body 20 and the upper holding body 30. Therefore, the wafer W can be held in a stable state.

また、下側保持体20及び上側保持体30における保持溝21,31を有する保持面22,32を、下側保持体20及び上側保持体30によって保持されるウエハWの面中心に対向して配設することにより、ウエハボート5への下側保持体20及び上側保持体30の組み付けを容易にすることができる。 Further, the holding surfaces 22 and 32 having the holding grooves 21 and 31 in the lower holding body 20 and the upper holding body 30 are opposed to the surface center of the wafer W held by the lower holding body 20 and the upper holding body 30. By disposing, the lower holding body 20 and the upper holding body 30 can be easily assembled to the wafer boat 5.

なお、ウエハボート5は、ガイド部7に連なるシャフト14が容器カバー16bの頂部に設けられた透孔16c内に摺動可能に貫通されており、透孔16cとシャフト14との間には、伸縮式のOリング17bが介在されて、乾燥室2内の気水密が維持できるように構成されている。なお、ウエハボート5の昇降機構(図示せず)はCPU10に接続されており、CPU10からの制御(作動)信号によって作動し得るように構成されている。   In the wafer boat 5, a shaft 14 connected to the guide portion 7 is slidably inserted into a through hole 16c provided at the top of the container cover 16b, and between the through hole 16c and the shaft 14, The telescopic O-ring 17b is interposed so that the air-water tightness in the drying chamber 2 can be maintained. A lifting mechanism (not shown) of the wafer boat 5 is connected to the CPU 10 and is configured to be operated by a control (operation) signal from the CPU 10.

また、処理槽1と乾燥室2とは連通口15aを介して連設されており、連通口15aに開閉手段であるシャッタ9が開閉可能に配設されており、このシャッタ9によって処理槽1と乾燥室2が遮断されるように構成されている。この場合、シャッタ9の駆動部9aはCPU10に電気的に接続されており、CPU10からの制御(作動)信号によって連通口15aを開閉し得るように構成されている。   Further, the processing tank 1 and the drying chamber 2 are connected to each other through a communication port 15a, and a shutter 9 serving as an opening / closing means is disposed at the communication port 15a so as to be openable and closable. The drying chamber 2 is shut off. In this case, the drive unit 9a of the shutter 9 is electrically connected to the CPU 10, and is configured to be able to open and close the communication port 15a by a control (operation) signal from the CPU 10.

上記乾燥気体供給手段6は、乾燥室2内の中央部両側に配設されるガス供給ノズル11Aと、このガス供給ノズル11Aにガス供給管18を介して接続する乾燥気体例えばN2ガスの供給源6aと、ガス供給管18に介設される第2の開閉弁V2とで主要部が構成されている。この場合、ガス供給管18には、温度調整器6bが介設されており、この温度調整器6bによってホットN2ガスが生成されるようになっている。この温度調整器6bと第2の開閉弁V2は、CPU10からの制御(作動)信号によって作動し得るように構成されている。   The dry gas supply means 6 includes a gas supply nozzle 11A disposed on both sides of the central portion in the drying chamber 2, and a supply source of a dry gas such as N2 gas connected to the gas supply nozzle 11A via a gas supply pipe 18. 6a and the second opening / closing valve V2 interposed in the gas supply pipe 18 constitute a main part. In this case, a temperature regulator 6b is interposed in the gas supply pipe 18, and hot N2 gas is generated by the temperature regulator 6b. The temperature regulator 6b and the second on-off valve V2 are configured to be operable by a control (operation) signal from the CPU 10.

なお、上記薬液供給手段3、リンス液供給手段4及び乾燥気体供給手段6やウエハボート5、容器カバー昇降機構8、シャッタ9等は、CPU10に予めプログラムされた記憶情報に基いて制御されるようになっている。   The chemical solution supply means 3, the rinse liquid supply means 4, the dry gas supply means 6, the wafer boat 5, the container cover elevating mechanism 8, the shutter 9 and the like are controlled based on stored information programmed in advance in the CPU 10. It has become.

次に、上記洗浄・乾燥処理装置を用いたウエハWの処理の手順の一例を簡単に説明する。まず、図示しないウエハ搬送手段によって搬送された複数例えば50枚のウエハWを、洗浄・乾燥処理装置の上方に上昇するウエハボート5に受け渡し、次いで、ウエハボート5が下降した後、容器カバー16bが閉鎖してウエハWを処理槽1内に収容する。処理槽1内にウエハWを収容した状態において、最初に、ポンプ3bを作動させると共に、第1の開閉弁V1を開放し、切換開閉弁V0を薬液供給タンク3a側に切り換えて処理槽1内に収容されるウエハWに薬液(DHF)を供給(浸漬)し、DHFによりエッチング処理を施して、ウエハW表面の酸化膜を除去する。次に、ポンプ3bを停止すると共に、切換開閉弁V0を純水供給源4a側のみに切り換えて処理槽1内に収容されるウエハWにリンス液(DIW)を供給すると共に、外槽1bにオーバーフローさせながらウエハW表面を洗浄する。上記エッチング処理又はリンス処理中に、ウエハWが保持溝21から浮き上った場合は、ウエハWは転倒防止溝23によって転倒が防止される。   Next, an example of a processing procedure for the wafer W using the cleaning / drying processing apparatus will be briefly described. First, a plurality of, for example, 50 wafers W transferred by a wafer transfer means (not shown) are transferred to the wafer boat 5 rising above the cleaning / drying processing apparatus, and then the container cover 16b is moved after the wafer boat 5 is lowered. The wafer W is closed and the wafer W is accommodated in the processing tank 1. In the state in which the wafer W is accommodated in the processing tank 1, first, the pump 3b is operated, the first on-off valve V1 is opened, and the switching on-off valve V0 is switched to the chemical solution supply tank 3a side. A chemical solution (DHF) is supplied (immersed) into the wafer W accommodated in the wafer, and an etching process is performed with DHF to remove the oxide film on the surface of the wafer W. Next, the pump 3b is stopped, the switching on-off valve V0 is switched only to the pure water supply source 4a side to supply the rinsing liquid (DIW) to the wafer W accommodated in the processing tank 1, and to the outer tank 1b. The surface of the wafer W is cleaned while overflowing. When the wafer W is lifted from the holding groove 21 during the etching process or the rinsing process, the wafer W is prevented from being overturned by the overturn prevention groove 23.

上記のようにして、ウエハW表面の酸化膜を除去するエッチング処理及びウエハW表面を洗浄するリンス処理を行った後、ウエハボート5を上昇させてウエハWを処理槽1の上方の乾燥室2内に移動する。このとき、シャッタ9が閉鎖位置に移動して乾燥室2と処理槽1とが遮断されると共に、乾燥室2内が密閉される。この状態で、第2の開閉弁V2が開放すると共に、温度調整器6bが作動してN2ガス供給源6aから乾燥室2内にホットN2ガスが供給されて、ウエハWの乾燥が行われる。この乾燥工程では、ウエハWと保持溝21の接触面積が小さく、ウエハWに付着する液が少ないので、ウエハW表面にウォーターマークが生じる虞がない。   After performing the etching process for removing the oxide film on the surface of the wafer W and the rinsing process for cleaning the surface of the wafer W as described above, the wafer boat 5 is raised and the wafer W is moved to the drying chamber 2 above the processing tank 1. Move in. At this time, the shutter 9 moves to the closed position, the drying chamber 2 and the processing tank 1 are shut off, and the inside of the drying chamber 2 is sealed. In this state, the second on-off valve V2 is opened, the temperature regulator 6b is operated, hot N2 gas is supplied from the N2 gas supply source 6a into the drying chamber 2, and the wafer W is dried. In this drying process, since the contact area between the wafer W and the holding groove 21 is small and the amount of liquid adhering to the wafer W is small, there is no possibility that a watermark is generated on the surface of the wafer W.

上記のようにして乾燥処理を行った後、昇降機構8を作動させて、容器カバー16bを上昇して、容器本体16aの搬入・搬出口15を開放した後、ウエハボート5を上昇して、ウエハWを乾燥室2の上方に搬出する。そして、図示しないウエハ搬送手段にウエハWを受け渡して、次の処理部に搬送する。   After performing the drying process as described above, the lifting mechanism 8 is operated, the container cover 16b is lifted, the loading / unloading port 15 of the container body 16a is opened, the wafer boat 5 is lifted, The wafer W is carried out above the drying chamber 2. Then, the wafer W is transferred to a wafer transfer means (not shown) and transferred to the next processing unit.

<第2実施形態>
上記第1実施形態では、下側保持体20が1本の場合について説明したが、下側保持体20Aを2本にしてもよい。すなわち、第2実施形態のウエハボート5Aは、図9ないし図11に示すように、ガイド部7と、このガイド部7に水平状態に固着された互いに平行な、ウエハWの周縁の下端部を支持する2本の下側保持体20A,20Bと、ウエハWの周縁の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体30とで主に構成されている。
Second Embodiment
In the first embodiment, the case where the number of the lower holding bodies 20 is one has been described. However, the number of the lower holding bodies 20A may be two. That is, in the wafer boat 5A of the second embodiment, as shown in FIGS. 9 to 11, the guide portion 7 and the lower end portion of the peripheral edge of the wafer W fixed in parallel to the guide portion 7 are parallel to each other. The two lower holding bodies 20A and 20B to be supported and a pair of left and right upper holding bodies 30 that hold the lower end of the periphery of the wafer W are mainly configured.

この場合、2本の下側保持体20A,20Bは、それぞれ各下側保持体20A,20Bの長手方向に対して同一角度に傾斜する略V字状の保持溝21を適宜間隔に50箇所列設してなる。各保持溝21は、下側保持体20A,20Bの基端部側の第1の傾斜面41と、下側保持体20A,20Bの先端側の第2の傾斜面42とで構成されている。   In this case, the two lower holding bodies 20A and 20B are arranged in 50 rows with appropriate V-shaped holding grooves 21 inclined at the same angle with respect to the longitudinal direction of the lower holding bodies 20A and 20B, respectively. Set up. Each holding groove 21 includes a first inclined surface 41 on the base end side of the lower holding bodies 20A and 20B and a second inclined surface 42 on the distal end side of the lower holding bodies 20A and 20B. .

また、各下側保持体20A,20Bの保持溝21を構成する第1の傾斜面41でウエハWの一方の面例えば表面Waを保持すると共に、保持溝21を構成する第2の傾斜面42でウエハWの他方の面例えば裏面Wbを保持している(図11ないし図13参照)。この場合、図12に示すように、下側保持体20A,20Bの保持溝21に保持されるウエハWの保持部すなわち表面側保持部43aと裏面側保持部43bは、下側保持体20の長手方向に沿う中心点C1に対して対称位置にある。   Further, the first inclined surface 41 constituting the holding groove 21 of each of the lower holding bodies 20A and 20B holds one surface, for example, the surface Wa of the wafer W, and the second inclined surface 42 constituting the holding groove 21. The other surface of the wafer W, for example, the back surface Wb is held (see FIGS. 11 to 13). In this case, as shown in FIG. 12, the holding portion of the wafer W held in the holding grooves 21 of the lower holding bodies 20 </ b> A and 20 </ b> B, that is, the front-side holding section 43 a and the back-side holding section 43 b It is in a symmetrical position with respect to the center point C1 along the longitudinal direction.

また、下側保持体20A,20B及び上側保持体30において、これら下側及び上側保持体20A,20B,30の保持溝21,31に保持されるウエハWの保持部すなわち表面側保持部43aと裏面側保持部43bは、平面視におけるウエハWの面中心点C0(図10参照)に対して対称位置にある(図11参照)。 Further, in the lower holding bodies 20A and 20B and the upper holding body 30, a holding portion of the wafer W held in the holding grooves 21 and 31 of the lower and upper holding bodies 20A, 20B and 30, that is, the front side holding portion 43a The back side holding part 43b is in a symmetrical position with respect to the plane center point C0 (see FIG. 10) of the wafer W in plan view (see FIG. 11).

更に、下側保持体20A,20B及び上側保持体30における保持溝21,31を有する保持面22,32は、下側保持体20A,20B及び上側保持体30によって保持されるウエハWの面中心に対向している(図10参照)。この場合、図10では下側保持体20A,20B及び上側保持体30がウエハWの面中心点C0から半径方向に延びる軸線Lに沿って配設されているが、図10に二点鎖線で示すように、下側保持体20A,20B及び上側保持体30の保持面32のみをウエハWの面中心に対向して設け、下側保持体20A,20B及び上側保持体30自体を垂直状に配設してもよい。このように、下側保持体20A,20B及び上側保持体30自体を垂直状に配設することにより、下側保持体20A,20B及び上側保持体30に付着する処理液の液切れを良好にすることができる。 Further, the holding surfaces 22 and 32 having the holding grooves 21 and 31 in the lower holding bodies 20A and 20B and the upper holding body 30 are the center of the surface of the wafer W held by the lower holding bodies 20A and 20B and the upper holding body 30. (See FIG. 10). In this case, in FIG. 10, the lower holding bodies 20A and 20B and the upper holding body 30 are disposed along the axis L extending in the radial direction from the surface center point C0 of the wafer W, but in FIG. As shown, only the holding surfaces 32 of the lower holding bodies 20A and 20B and the upper holding body 30 are provided to face the center of the surface of the wafer W, and the lower holding bodies 20A and 20B and the upper holding body 30 themselves are vertically arranged. It may be arranged. Thus, by arranging the lower holding bodies 20A and 20B and the upper holding body 30 themselves in a vertical manner, the treatment liquid adhering to the lower holding bodies 20A and 20B and the upper holding body 30 can be satisfactorily removed. can do.

また、第1実施形態と同様に、下側保持体20Aは、親水性を有する部材、例えばポリエーテルエーテルケトン(PEEK)にて断面矩形状に形成されている。   Similarly to the first embodiment, the lower holding body 20A is formed in a rectangular cross section with a hydrophilic member, for example, polyetheretherketone (PEEK).

なお、第2実施形態において、その他のウエハボート5A以外の部分は第1実施形態と同じであるので、説明は省略する。   In the second embodiment, since the other parts other than the wafer boat 5A are the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted.

第2実施形態によれば、第1実施形態に比べてウエハWの下端部を2本の下側保持体20によって保持することができるので、更にウエハWの保持の安定化を図ることができる。   According to the second embodiment, since the lower end portion of the wafer W can be held by the two lower holding bodies 20 as compared with the first embodiment, the holding of the wafer W can be further stabilized. .

<その他の実施形態>
(1)上記実施形態では、下側保持体20及び上側傾斜保持体30がウエハWの表面を保持する第1の傾斜面41と第2の傾斜面42を有する溝傾斜保持体にて形成される場合について説明したが、下側保持体20及び上側傾斜保持体30のうちの少なくとも一つを溝傾斜保持体にて形成してもよい。この場合、好ましくは少なくとも下側保持体20を溝傾斜保持体にて形成する方がよい。
<Other embodiments>
(1) In the above embodiment, the lower holding body 20 and the upper inclined holding body 30 are formed by the groove inclined holding body having the first inclined surface 41 and the second inclined surface 42 that hold the surface of the wafer W. However, at least one of the lower holding body 20 and the upper inclined holding body 30 may be formed of a groove inclined holding body. In this case, it is preferable to form at least the lower holding body 20 with a groove inclined holding body.

なお、下側保持体20を溝傾斜保持体にて形成した場合、上側保持体の保持溝は、通常のV字状保持溝としてもよい。このように上側保持体の保持溝をV字状溝とすることにより、ウエハWの下部側端部をV字状溝で保持するので、ウエハWの保持の安定性が高まる。   In addition, when the lower holding body 20 is formed of a groove inclined holding body, the holding groove of the upper holding body may be a normal V-shaped holding groove. Thus, by making the holding groove of the upper holding body a V-shaped groove, the lower end portion of the wafer W is held by the V-shaped groove, so that the stability of holding the wafer W is improved.

また、上側保持体の保持溝を上記V字状溝に代えてY字状溝にしてもよい。このように上側保持体の保持溝をY字状溝とすることにより、ウエハWの保持の安定性が高まると共に、非接触であるため、液残りの影響を少なくすることができる。   The holding groove of the upper holding body may be a Y-shaped groove instead of the V-shaped groove. Thus, by making the holding groove of the upper holding body a Y-shaped groove, the holding stability of the wafer W is increased and the non-contacting effect can be reduced.

(2)上記第1,第2実施形態では、下側保持体20及び上側保持体30において、各保持体20,30の保持溝21,31に保持されるウエハWの保持部が、平面視におけるウエハWの面中心点に対して対称位置にある場合について説明したが、図14(a)〜(d)に示すように隣り合う保持体すなわち下側保持体20A,20B同士又は下側保持体20,20A,20Bと上側保持体30において両保持体20,20A,20B,30に形成される保持溝21,31の傾斜角度を、隣り合う両保持体20,20A,20B,30間の中心点C2に対して対称に形成してもよい。なお、この実施形態において、その他の部分は上記第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
(2) In the first and second embodiments, in the lower holding body 20 and the upper holding body 30, the holding portions of the wafer W held in the holding grooves 21 and 31 of the holding bodies 20 and 30 are viewed in plan view. has been described in positions symmetrical with respect to the surface center point of the wafer W in FIG. 14 (a) ~ (d) adjacent as shown in the holding body or lower retaining member 20A, 20B to each other or lower retaining In the body 20, 20A, 20B and the upper holding body 30, the inclination angle of the holding grooves 21, 31 formed in the holding bodies 20, 20A, 20B, 30 is set between the adjacent holding bodies 20, 20A, 20B, 30. You may form symmetrically with respect to the center point C2. In this embodiment, since the other parts are the same as those in the first embodiment, the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

(3)上記実施形態では、下側保持体20,20A,20Bが親水性を有する部材、例えばポリエーテルエーテルケトン(PEEK)にて形成され、上側保持体30が疎水性を有する部材、例えばポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE),ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)又はペルフルオロアルコキシフッ素樹脂(PFA)にて形成される場合について説明したが、下側保持体20,20A,20B及び上側保持体30を同じ材質の部材、例えば石英製部材にて形成してもよい。このように、下側保持体20,20A,20B及び上側保持体30を同じ石英製部材にて形成することにより、下側保持体20,20A,20B及び上側保持体30を同時に加工して保持溝21,31を形成することができるので、更に加工を容易にすることができると共に、下側保持体20,20A,20B及び上側保持体30を共通化して部材の削減を図ることができる。   (3) In the above embodiment, the lower holding body 20, 20A, 20B is formed of a hydrophilic member such as polyether ether ketone (PEEK), and the upper holding member 30 is a hydrophobic member such as poly Although the case where formed with chlorotrifluoroethylene (PCTFE), polytetrafluoroethylene (PTFE) or perfluoroalkoxy fluororesin (PFA) has been described, the lower holding body 20, 20A, 20B and the upper holding body 30 are the same. You may form with the member of a material, for example, the member made from quartz. Thus, by forming the lower holding body 20, 20A, 20B and the upper holding body 30 with the same quartz member, the lower holding body 20, 20A, 20B and the upper holding body 30 are simultaneously processed and held. Since the grooves 21 and 31 can be formed, the processing can be further facilitated, and the lower holding bodies 20, 20A and 20B and the upper holding body 30 can be made common to reduce the number of members.

(4)また、上記実施形態では、この発明に係る液処理装置をウエハWの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について説明したが、この発明に係る液処理装置は、ウエハWを垂直状態に保持する搬送手段によって処理槽内の処理液に浸漬させてウエハWに処理を施す液処理装置の全てに適用可能である。   (4) In the above embodiment, the case where the liquid processing apparatus according to the present invention is applied to the cleaning / drying processing apparatus for the wafer W has been described. However, the liquid processing apparatus according to the present invention places the wafer W in a vertical state. The present invention can be applied to all liquid processing apparatuses that process the wafer W by immersing it in the processing liquid in the processing tank by the holding transport means.

(5)また、この発明に係る液処理装置は、被処理基板がウエハ以外の例えばFPD基板等についても同様に適用することができる。   (5) The liquid processing apparatus according to the present invention can be similarly applied to a substrate to be processed other than a wafer, for example, an FPD substrate.

この発明に係る液処理装置を適用した洗浄・乾燥処理装置の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the washing | cleaning / drying processing apparatus to which the liquid processing apparatus which concerns on this invention is applied. この発明におけるウエハボートの第1実施形態を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a first embodiment of a wafer boat in the present invention. 第1実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the holding | maintenance state of the wafer by the wafer boat of 1st Embodiment. 第1実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す平面図である。It is a top view which shows the holding state of the wafer by the wafer boat of 1st Embodiment. 図4のI部拡大平面図である。It is the I section enlarged plan view of FIG. 図5の要部側面図である。It is a principal part side view of FIG. 図5のII−II線に沿う断面図(a)及びIII−III線に沿う断面図(b)である。It is sectional drawing (a) in alignment with the II-II line of FIG. 5, and sectional drawing (b) in alignment with the III-III line. この発明における上側保持体の変形例を示す要部正面図である。It is a principal part front view which shows the modification of the upper side holding body in this invention. この発明におけるウエハボートの第2実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows 2nd Embodiment of the wafer boat in this invention. 第2実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す要部正面図である。It is a principal part front view which shows the holding state of the wafer by the wafer boat of 2nd Embodiment. 第2実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す平面図である。It is a top view which shows the holding state of the wafer by the wafer boat of 2nd Embodiment. 図11のIV部拡大平面図である。It is the IV section enlarged plan view of FIG. 図12のVa−Va,Vb−Vb線に沿う断面図(a)及びVIa−VIa,VIb−VIb線に沿う断面図(b)である。It is sectional drawing (a) in alignment with the Va-Va and Vb-Vb line | wire of FIG. 12, and sectional drawing (b) in alignment with VIa-VIa and VIb-VIb line. この発明における下側保持体と上側保持体の保持溝の別の形態を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows another form of the holding groove | channel of the lower side holding body and upper side holding body in this invention.

符号の説明Explanation of symbols

W 半導体ウエハ(被処理基板)
1 処理槽
2 乾燥室
3 薬液供給手段
4 リンス液供給手段
5,5A ウエハボート(搬送手段)
6 乾燥気体供給手段
9 シャッタ
10 CPU(制御手段)
20,20A,20B 下側保持体
21 保持溝
22 保持面
30 上側保持体
31 保持溝
32 保持面
41 第1の傾斜面
42 第2の傾斜面
43a 表面側保持部
43b 裏面側保持部
W Semiconductor wafer (substrate to be processed)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing tank 2 Drying chamber 3 Chemical solution supply means 4 Rinse solution supply means 5, 5A Wafer boat (conveyance means)
6 Drying gas supply means 9 Shutter 10 CPU (control means)
20, 20A, 20B Lower holding body 21 Holding groove 22 Holding surface 30 Upper holding body 31 Holding groove 32 Holding surface 41 First inclined surface 42 Second inclined surface 43a Front side holding portion 43b Back side holding portion

Claims (8)

被処理基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段と、処理液を貯留する処理槽と、を具備し、被処理基板を上記搬送手段の保持体によって保持した状態で上記処理槽内の処理液に浸漬させて被処理基板に処理を施す基板処理装置において、
上記搬送手段は、被処理基板の下端部を支持する親水性を有する部材にて形成される下側保持体と、被処理基板の下部側端部を保持する左右一対の疎水性を有する部材にて形成される上側保持体とを具備し、
少なくとも一つの上記保持体は、該保持体の長手方向に対して所定角度に傾斜する略V字状の保持溝を形成してなり、
上記保持溝を構成する第1の傾斜面で被処理基板の一方の面を保持すると共に、保持溝を構成する第2の傾斜面で被処理基板の他方の面を保持する溝傾斜保持体である、
ことを特徴とする基板処理装置。
A transport unit that transports the substrate to be processed in a state of being vertically held by a plurality of holders, and a processing tank that stores the processing liquid, and the substrate to be processed is held by the holder of the transport unit. In a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed by immersing it in a processing solution in a processing tank ,
The conveying means includes a lower holding body formed of a hydrophilic member that supports the lower end portion of the substrate to be processed and a pair of left and right hydrophobic members that hold the lower end portion of the substrate to be processed. An upper holding body formed by
The at least one holding body is formed with a substantially V-shaped holding groove inclined at a predetermined angle with respect to the longitudinal direction of the holding body,
A groove inclined holder that holds one surface of the substrate to be processed by the first inclined surface constituting the holding groove and holds the other surface of the substrate to be processed by the second inclined surface constituting the holding groove. is there,
A substrate processing apparatus.
請求項記載の基板処理装置において、
上記下側保持体が溝傾斜保持体にて形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
The substrate processing apparatus, wherein the lower holding body is formed of a groove inclined holding body.
請求項記載の基板処理装置において、
上記下側保持体及び上側保持体が溝傾斜保持体にて形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
The substrate processing apparatus, wherein the lower holding body and the upper holding body are formed of a groove inclined holding body.
請求項記載に基板処理装置において、
隣り合う保持体が溝傾斜保持体にて形成され、
上記隣り合う溝傾斜保持体に形成される保持溝の傾斜角度が両溝傾斜保持体間の中心点に対して対称である、ことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
Adjacent holding bodies are formed of groove inclined holding bodies,
A substrate processing apparatus, wherein an inclination angle of holding grooves formed in the adjacent groove inclined holding bodies is symmetrical with respect to a center point between both groove inclined holding bodies.
請求項1ないしのいずれかに記載の基板処理装置において、
上記溝傾斜保持体において、該保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にある、ことを特徴とする基板処理装置。
The apparatus according to any one of claims 1 to 4,
In the groove inclined holding body, the holding portion of the substrate to be processed held in the holding groove of the holding body is in a symmetrical position with respect to the center point along the longitudinal direction of the holding body. .
請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記下側保持体及び上側保持体において、各溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、平面視における被処理基板の面中心点に対して対称位置にある、ことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5 ,
In the lower holding body and the upper holding body, the holding portion of the substrate to be processed that is held in the holding groove of each groove inclined holding body is in a symmetrical position with respect to the center point of the surface of the substrate to be processed in plan view. A substrate processing apparatus.
請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記下側保持体及び上側保持体における保持溝を有する保持面は、上記下側保持体及び上側保持体によって保持される被処理基板の面中心に対向してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
The substrate processing characterized in that a holding surface having a holding groove in the lower holding body and the upper holding body is opposed to the surface center of the substrate to be processed held by the lower holding body and the upper holding body. apparatus.
請求項1ないしのいずれかに記載の基板処理装置において、
上記保持体は、複数枚の被処理基板を互いに並行に保持すべく複数の保持溝を適宜間隔に列設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7 ,
The substrate processing apparatus is characterized in that the holding body has a plurality of holding grooves arranged at appropriate intervals so as to hold a plurality of substrates to be processed in parallel with each other.
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