JP4963912B2 - Integrated electrical array connector - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an integrated arrangement electrical connector which comprises an insulating region and conducting regions disposed at a narrow pitch, is small in size, has a high resistance to changes in the environmental temperature, and is capable of displaying its performance stably and where the boundaries between the insulating region and conducting regions are properly adjusted, by forming the isolated conducting regions present in the insulating region, through a method where the desired parts of the insulating region, which is, at least partially formed of a porous insulating material, are selectively impregnated with a conductive material. <P>SOLUTION: The integrated arrangement electrical connector is equipped with an insulating region, formed of insulating material and the isolated conducting regions which are positioned in the insulating region; and at a part of the insulating region is a porous insulating region, formed of a porous insulating material, and the conducting regions are formed by making the porous insulating region selectively impregnated with a conductive material. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、集積電気配列コネクタに関するものである。   The present invention relates to an integrated electrical array connector.

近年、デジタル通信システム、特に、無線デジタル通信システムの発展に伴い、デジタル通信システムにおいて使用される電気素子及び電子素子は、性能が向上するとともに、構造が複雑化している。その結果、帯域幅が広く、サイズが小さい電気素子及び電子素子が製造されている。そして、このような小型の電気素子又は電子素子同士を接続するために、サイズが小さく、信頼性の高い電気コネクタが必要とされている。   In recent years, along with the development of digital communication systems, particularly wireless digital communication systems, the electrical elements and electronic elements used in digital communication systems have improved performance and complicated structures. As a result, electrical and electronic devices with wide bandwidth and small size are manufactured. And in order to connect such a small electric element or electronic element, the electrical connector with a small size and high reliability is required.

従来、電気コネクタは、2個の電気素子又は電子素子を接続するために、多数の電気配線を利用する。この場合、電気コネクタの電極は、通常、2つのグループから成り、各グループの幾何学的パターンが画一的に繰返されている。このような電極のグループは電極配列又は電極アレイと呼ばれ、該電極アレイが含まれている電気コネクタが電気配列コネクタ又は電気アレイコネクタと呼ばれる。また、電極アレイにおける電極と電極との間の幅が電極ピッチと呼ばれる。   Conventionally, an electrical connector utilizes a number of electrical wirings to connect two electrical or electronic elements. In this case, the electrodes of the electrical connector usually consist of two groups, and the geometric pattern of each group is repeated uniformly. Such a group of electrodes is referred to as an electrode array or an electrode array, and an electrical connector including the electrode array is referred to as an electrical array connector or an electrical array connector. The width between the electrodes in the electrode array is called an electrode pitch.

電気配列コネクタが正しく2個の電気素子又は電子素子を接続するためには、電気配列コネクタの一方の電極グループと他方の電極グループとの境界を調整し、対応する電極同士を接触させる必要がある。すなわち、短絡あるいはオープンといったコネクタの機能不全を起こさないため、一方の電極グループの電極の配列、形状及び大きさ等を調整するとともに、他方の電極グループもそれに合せ調整する必要がある(以下、このような電極の配列、形状及び大きさ等を調整することを境界調整という)。この条件が満足されると、電気信号は、一方の電極グループの電極から他方の電極グループの電極へ流れることができる。   In order for the electrical array connector to correctly connect two electrical elements or electronic elements, it is necessary to adjust the boundary between one electrode group and the other electrode group of the electrical array connector and bring the corresponding electrodes into contact with each other. . That is, in order not to cause a malfunction of the connector such as short circuit or open, it is necessary to adjust the electrode arrangement, shape, size, etc. of one electrode group and adjust the other electrode group accordingly (hereinafter, this Adjusting the arrangement, shape and size of the electrodes is called boundary adjustment). If this condition is satisfied, an electrical signal can flow from the electrode of one electrode group to the electrode of the other electrode group.

従来の電気配列コネクタにおいて、電極及びハウジングは、それぞれ、金属及び電気的絶縁性を備えるプラスチックによって形成される。このように、材料が相違するので、電極の温度膨張係数とハウジングの温度膨張係数とは同一ではない。そのため、電気配列コネクタの環境温度が変化すると、電極グループの境界に影響があり、その結果、電気配列コネクタの機能が不全になる可能性がある。さらに、電極とハウジングとが物理的に異なる部分であるため、電気配列コネクタの接続及び分離の繰返しが電極グループの境界に影響を及ぼし、その結果、電気配列コネクタの機能が不全になる可能性がある。   In a conventional electrical array connector, the electrodes and the housing are formed of metal and plastic with electrical insulation, respectively. Thus, since the materials are different, the temperature expansion coefficient of the electrode and the temperature expansion coefficient of the housing are not the same. Therefore, when the environmental temperature of the electrical array connector changes, the boundary between the electrode groups is affected, and as a result, the function of the electrical array connector may be impaired. Furthermore, since the electrodes and the housing are physically different parts, repeated connection and disconnection of the electrical array connector affects the boundary of the electrode group, and as a result, the function of the electrical array connector may fail. is there.

電気配列コネクタの基本的な幾何学的フォームを維持しながら、電気配列コネクタの全体的なサイズを減少するためには、電極ピッチを狭くすることが1つの方法である。しかし、電極ピッチを狭くすると、電極グループの境界調整の公差が付随的に小さくなるという問題があった。   One way to reduce the overall size of the electrical array connector while maintaining the basic geometric form of the electrical array connector is to reduce the electrode pitch. However, when the electrode pitch is narrowed, there is a problem that the tolerance for adjusting the boundary of the electrode group is incidentally reduced.

ところで、半導体装置において、ウェハ上に形成されたモジュールの連結層を接続するために、連結層間の絶縁層に導電性を有するイオンを注入してコネクタを形成する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。   By the way, in a semiconductor device, in order to connect a connection layer of a module formed on a wafer, a technique for forming a connector by injecting conductive ions into an insulating layer between connection layers has been proposed (for example, (See Patent Document 1).

図6は従来のウェハ上にコネクタを形成する方法を示す図である。なお、図6において、(a)〜(c)は各製造工程を示している。   FIG. 6 is a view showing a conventional method of forming a connector on a wafer. In addition, in FIG. 6, (a)-(c) has shown each manufacturing process.

図6(a)において、801はシリコンのウェハであり、該ウェハ801の上には互いに独立して形成された複数の連結層802が配設され、さらに、ウェハ801の連結層802を覆うようにして絶縁層803が形成されている。該絶縁層803は、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁体から成る。   In FIG. 6A, reference numeral 801 denotes a silicon wafer, and a plurality of connection layers 802 formed independently of each other are disposed on the wafer 801 and further cover the connection layer 802 of the wafer 801. Thus, an insulating layer 803 is formed. The insulating layer 803 is made of an insulator such as a silicon oxide film, for example.

そして、図6(b)に示されるように、絶縁層803上にフォトレジスト804を塗布した後、露光及び現像を行い、互いに連結されるべき連結層802間の絶縁層803が露出するように、フォトレジスト804の一部をパターニングする。そして、パターニングされたフォトレジスト804をマスクとして使用し、矢印805で示されるようにイオンビームを照射して、N型又はP型のイオンを注入する。   Then, as shown in FIG. 6B, after applying a photoresist 804 on the insulating layer 803, exposure and development are performed so that the insulating layer 803 between the connecting layers 802 to be connected to each other is exposed. Then, a part of the photoresist 804 is patterned. Then, using the patterned photoresist 804 as a mask, an ion beam is irradiated as indicated by an arrow 805 to implant N-type or P-type ions.

これにより、図6(c)に示されるように、絶縁層803においてイオンが注入された箇所に導電性のコネクタ806が形成され、該コネクタ806が隣接する連結層802同士を電気的に接続する。
特開平11−330258号公報
As a result, as shown in FIG. 6C, a conductive connector 806 is formed at a location where ions are implanted in the insulating layer 803, and the connector 806 electrically connects adjacent connection layers 802. .
JP 11-330258 A

しかしながら、前記特許文献1においては、ウェハ801上の連結層802同士を接続するコネクタ806を形成する技術は開示されていても、電気配列コネクタを製造する技術は何ら開示されていない。   However, in Patent Document 1, although a technique for forming the connector 806 for connecting the coupling layers 802 on the wafer 801 is disclosed, no technique for manufacturing an electrical array connector is disclosed.

本発明は、前記従来の問題点を解決して、少なくとも一部が多孔(こう)質性の絶縁性材料から成る絶縁領域の所望の箇所に選択的に導電性物質を含浸させて、前記絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域を形成することによって、絶縁領域と導電領域とが境界調整され、導電領域のピッチが狭く、サイズが小さく、環境温度の変化に強く、安定した性能を発揮することができる集積電気配列コネクタを提供することを目的とする。   The present invention solves the above-mentioned conventional problems by selectively impregnating a conductive substance into a desired portion of an insulating region made of at least a part of a porous insulating material, and thereby insulating the insulating material. By forming a plurality of isolated conductive regions existing in the region, the boundary between the insulating region and the conductive region is adjusted, the pitch of the conductive region is narrow, the size is small, and it is resistant to changes in environmental temperature, and has stable performance. An object of the present invention is to provide an integrated electrical array connector that can be exerted.

そのために、本発明の集積電気配列コネクタにおいては、絶縁性材料から成る絶縁領域と、該絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域とを有する集積電気配列コネクタであって、前記絶縁領域は、Si、Ge、SiC、GaP、GaAs、InP又はAl 2 3 から成り、前記絶縁領域の少なくとも一部は、多孔質性の絶縁性材料から成る多孔質絶縁領域であり、前記導電領域は、前記多孔質絶縁領域に選択的に導電性物質を含浸させて形成される。 Therefore, in the integrated electrical array connector of the present invention, an integrated electrical array connector having an insulating region made of an insulating material and a plurality of isolated conductive regions existing in the insulating region , wherein the insulating region is consists Si, Ge, SiC, GaP, GaAs, an InP or Al 2 O 3, wherein at least part of the insulating region is a porous insulating region made of a porous insulating material, said conductive region, The porous insulating region is selectively impregnated with a conductive material.

本発明の他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記多孔質絶縁領域に前記導電性物質を堆(たい)積させることによって、該導電性物質を前記多孔質絶縁領域に含浸させる。   In another integrated electrical array connector of the present invention, the porous insulating region is further impregnated with the conductive material by depositing the conductive material in the porous insulating region.

本発明の更に他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記多孔質絶縁領域を前記導電性物質を含むガスに曝(さら)すことによって、前記導電性物質を前記多孔質絶縁領域に含浸させる。   In yet another integrated electrical array connector of the present invention, the porous insulating region is further impregnated into the porous insulating region by exposing the porous insulating region to a gas containing the conductive material. .

本発明の更に他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記多孔質絶縁領域に前記導電性物質を押圧することによって、該導電性物質を前記多孔質絶縁領域に含浸させる。   In still another integrated electrical array connector of the present invention, the porous insulating region is further impregnated with the conductive material by pressing the conductive material against the porous insulating region.

本発明の更に他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記絶縁領域は、相手側コネクタと当接する当接面を備える板状の領域であり、前記導電領域は、前記絶縁領域の厚さ方向に延在する柱状の領域であり、少なくとも一方の端面が前記当接面に露出する。   In still another integrated electrical array connector of the present invention, the insulating region is a plate-like region having a contact surface that contacts the mating connector, and the conductive region is in the thickness direction of the insulating region. And at least one end face is exposed to the contact surface.

本発明の更に他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記絶縁領域は板状の領域であり、前記導電領域は、前記絶縁領域の一方の面に沿って延在する帯状の領域である。   In still another integrated electrical array connector of the present invention, the insulating region is a plate-like region, and the conductive region is a strip-like region extending along one surface of the insulating region.

本発明の更に他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記導電領域の上には、導電性金属層が更に形成される。   In still another integrated electrical array connector of the present invention, a conductive metal layer is further formed on the conductive region.

本発明の更に他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記導電領域は、一方の端面が前記当接面に露出するとともに、他方の端面が前記当接面と対向する背面に露出し、前記他方の端面に電極が接続されている。   In yet another integrated electrical array connector of the present invention, the conductive region further has one end surface exposed at the contact surface and the other end surface exposed at the back surface facing the contact surface, An electrode is connected to the other end face.

本発明によれば、集積電気配列コネクタは、少なくとも一部が多孔質性の絶縁性材料から成る絶縁領域の所望の箇所に選択的に導電性物質を含浸させて形成された前記絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域を有する。これにより、絶縁領域と導電領域とが精度よく境界調整され、導電領域のピッチが狭く、サイズが小さく、環境温度の変化に強く、安定した性能を発揮する集積電気配列コネクタを得ることができる。   According to the present invention, the integrated electrical array connector is formed in the insulating region formed by selectively impregnating a conductive material in a desired portion of the insulating region at least partially made of a porous insulating material. It has a plurality of isolated conductive regions present. As a result, it is possible to obtain an integrated electrical array connector in which the boundary between the insulating region and the conductive region is accurately adjusted, the pitch of the conductive region is narrow, the size is small, the device is resistant to changes in environmental temperature, and exhibits stable performance.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は本発明の第1の実施の形態における集積電気配列コネクタを示す斜視図である。   FIG. 1 is a perspective view showing an integrated electrical array connector according to a first embodiment of the present invention.

図において、1A及び1Bは本実施の形態における集積電気配列コネクタとしての第1コネクタ及び第2コネクタであり、例えば、図示されない電気素子又は電子素子同士を電気的に接続するために使用されるものであるが、電気素子又は電子素子と電気ケーブルとを電気的に接続するために使用されてもよく、電気素子又は電子素子と回路基板等の基板とを電気的に接続するために使用されてもよく、電気ケーブル同士を電気的に接続するために使用されてもよく、いかなる用途に使用されるものであってもよい。そして、前記第1コネクタ1Aと第2コネクタ1Bとは互いに双方の相手側コネクタとして機能する。   In the figure, reference numerals 1A and 1B denote a first connector and a second connector as integrated electrical array connectors according to the present embodiment, which are used to electrically connect electric elements or electronic elements (not shown), for example. However, it may be used to electrically connect an electric element or electronic element and an electric cable, and is used to electrically connect an electric element or electronic element and a substrate such as a circuit board. It may be used to electrically connect electrical cables, and may be used for any purpose. The first connector 1A and the second connector 1B function as both mating connectors.

なお、本実施の形態において、第1コネクタ1Aと第2コネクタ1Bとは互いに同様の構造を有し、第1コネクタ1Aに付随するものと第2コネクタ1Bに付随するものとも互いに同様の構造を有するので、第1コネクタ1A及びそれに付随するものに「第1」の呼称を付すとともに符号の末尾に「A」の文字を追加し、第2コネクタ1B及びそれに付随するものに「第2」の呼称を付すとともに符号の末尾に「B」の文字を追加することによって識別を行うこととする。また、第1コネクタ1A及びそれに付随するものと第2コネクタ1B及びそれに付随するものとを識別することなく説明する場合には、「第1」及び「第2」の呼称並びに「A」及び「B」の文字を省略することとする。   In the present embodiment, the first connector 1A and the second connector 1B have the same structure as each other, and those attached to the first connector 1A and those attached to the second connector 1B have the same structure. Therefore, the first connector 1A and its accompanying items are given a "first" designation, and the letter "A" is added to the end of the reference, and the second connector 1B and its accompanying items are given a "second" Identification is performed by adding a name and adding the letter “B” to the end of the code. In the case where the first connector 1A and the one accompanying it are described without distinguishing the second connector 1B and the one accompanying it, the designations “first” and “second” and “A” and “ The letter “B” will be omitted.

さらに、本実施の形態において、コネクタ1の各部の構成及び動作を説明するために使用される上、下、左、右、前、後等の方向を示す表現は、絶対的なものでなく相対的なものであり、コネクタ1が図に示される姿勢である場合に適切であるが、コネクタ1の姿勢が変化した場合には姿勢の変化に応じて変更して解釈されるべきものである。   Further, in the present embodiment, expressions indicating directions such as upper, lower, left, right, front, rear, etc. used for explaining the configuration and operation of each part of the connector 1 are not absolute but relative. This is appropriate when the connector 1 is in the posture shown in the figure, but when the posture of the connector 1 is changed, it should be interpreted according to the change in the posture.

ここで、11は絶縁性材料から成る絶縁領域としてのハウジング部であり、61はハウジング部11中に形成された導電領域としてのコンタクト部であり、62は金属等の導電性材料から成る電極であり、コンタクト部61に接続されている。そして、各電極62には電気素子、電子素子、電気ケーブル、基板等の備える導電線の各々が接続される。   Here, 11 is a housing portion as an insulating region made of an insulating material, 61 is a contact portion as a conductive region formed in the housing portion 11, and 62 is an electrode made of a conductive material such as metal. Yes, and connected to the contact portion 61. Each electrode 62 is connected to each of conductive wires such as an electric element, an electronic element, an electric cable, and a substrate.

図示される例において、ハウジング部11は、矩(く)形の板状部材であるが、いかなる形状の部材であってもよい。ここでは、ハウジング部11が、厚さが約5〔mm〕以下、好ましくは、1〔mm〕程度の板状部材であるものとする。また、ハウジング部11において、互いに対向する面は当接面66であり、反対側の面は背面67である。そして、コンタクト部61は、ハウジング部11を厚さ方向に延在して貫通するように形成された円柱状の領域であり、その一方の端面が当接面66に露出して該当接面66と面一となり、他方の端面が背面67に露出して該背面67と面一となっている。そして、コンタクト部61の背面67側の端面に電極62が接続されている。このコンタクト部61は柱状で円柱はその一例であり、その形状は適宜決定する。   In the illustrated example, the housing portion 11 is a rectangular plate-shaped member, but may be any shape member. Here, it is assumed that the housing part 11 is a plate-like member having a thickness of about 5 [mm] or less, preferably about 1 [mm]. In the housing portion 11, the surfaces facing each other are contact surfaces 66, and the opposite surface is a back surface 67. The contact portion 61 is a cylindrical region formed so as to extend through the housing portion 11 in the thickness direction, and one end surface thereof is exposed to the contact surface 66 and the corresponding contact surface 66. And the other end surface is exposed to the back surface 67 and is flush with the back surface 67. An electrode 62 is connected to the end surface of the contact portion 61 on the back surface 67 side. The contact portion 61 is columnar and a cylinder is an example, and the shape is determined as appropriate.

これにより、第1コネクタ1Aと第2コネクタ1Bとを相互に接近させ、第1コネクタ1Aの第1当接面66Aと第2コネクタ1Bの第2当接面66Bとを互いに当接させることによって、第1電極62Aに導電線が接続された電気素子、電子素子、電気ケーブル、基板等と、第2電極62Bに導電線が接続された電気素子、電子素子、電気ケーブル、基板等とを電気的に接続することができる。この場合、第1コネクタ1Aの第1コンタクト部61Aと第2コネクタ1Bの第2コンタクト部61Bとが互いに当接して電気的に接続される。   Thereby, the first connector 1A and the second connector 1B are brought close to each other, and the first contact surface 66A of the first connector 1A and the second contact surface 66B of the second connector 1B are brought into contact with each other. The electric element, electronic element, electric cable, substrate, etc. connected to the first electrode 62A are electrically connected to the electric element, electronic element, electric cable, substrate, etc. connected to the second electrode 62B. Can be connected. In this case, the first contact portion 61A of the first connector 1A and the second contact portion 61B of the second connector 1B are in contact with each other and are electrically connected.

本実施の形態において、前記ハウジング部11は、絶縁性の多孔質シリコン(Si)、すなわち、ポーラスシリコン(Porous Silicon)から成る多孔質絶縁領域である。ポーラスシリコンは、例えば、シリコンウェハをフッ化水素酸に浸し、シリコンウェハを陽極とし、白金等の対向電極を陰極として電流を流すこと、すなわち、陽極化成を行うことによって作製することができる。また、コンタクト部61は、スパッタリング等の金属堆積法によって、導電性金属をポーラスシリコン上に選択的に堆積させて含浸させた領域であり、導電性を示している。なお、前記導電性金属は、いかなる種類の金属であってもよいが、導電性の高い銅又はその合金であることが望ましい。また、前記ハウジング部11の材料は、多孔質な物質であれば、シリコン以外の物質であってもよく、例えば、Ge、SiC、GaP、GaAs、InP等の半導体であってもよいし、アルミナ(Al2 3 )であってもよい。 In the present embodiment, the housing portion 11 is a porous insulating region made of insulating porous silicon (Si), that is, porous silicon. Porous silicon can be produced, for example, by immersing a silicon wafer in hydrofluoric acid, passing a current using the silicon wafer as an anode and a counter electrode such as platinum as a cathode, that is, anodizing. The contact portion 61 is a region in which a conductive metal is selectively deposited and impregnated on porous silicon by a metal deposition method such as sputtering, and exhibits conductivity. The conductive metal may be any kind of metal, but is preferably copper having high conductivity or an alloy thereof. Further, the material of the housing part 11 may be a substance other than silicon as long as it is a porous substance. For example, it may be a semiconductor such as Ge, SiC, GaP, GaAs, InP, or alumina. (Al 2 O 3 ) may also be used.

次に、前記コネクタ1を製造する方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the connector 1 will be described.

図2は本発明の第1の実施の形態における集積電気配列コネクタを製造する方法を示す図である。なお、図2おいて、(a)〜(c)は各製造工程を示している。   FIG. 2 is a diagram showing a method for manufacturing an integrated electrical array connector according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 2, (a) to (c) show each manufacturing process.

図2(a)において、12は、絶縁性材料から成る絶縁領域としてのハウジング基礎部であり、具体的にはシリコンウェハから成る。そして、絶縁性のポーラスシリコンから成る多孔質絶縁領域としてのハウジング部11は、ハウジング基礎部12の上に形成されている。   In FIG. 2A, reference numeral 12 denotes a housing base portion as an insulating region made of an insulating material, specifically made of a silicon wafer. The housing portion 11 as a porous insulating region made of insulating porous silicon is formed on the housing base portion 12.

続いて、図2(b)に示されるように、ハウジング部11上にフォトレジスト等から成るマスク91を載置する。該マスク91は、コンタクト部61となる領域が露出するようにパターニングされ、一部が除去されて開口部91aが形成されている。そして、スパッタリング等の金属堆積法によって金属、具体的には、銅をマスク91の上から堆積させる。すると、銅は、ハウジング部11における開口部91aに対応する部位のみに堆積し、コンタクト部61となる領域に含浸する。   Subsequently, as shown in FIG. 2B, a mask 91 made of a photoresist or the like is placed on the housing portion 11. The mask 91 is patterned so that a region to be the contact portion 61 is exposed, and a part of the mask 91 is removed to form an opening 91a. Then, a metal, specifically, copper is deposited on the mask 91 by a metal deposition method such as sputtering. Then, copper is deposited only on the portion corresponding to the opening 91 a in the housing portion 11 and is impregnated in the region that becomes the contact portion 61.

そして、前記マスク91を除去すると、図2(c)に示されるように、複数の孤立した導電領域としてのコンタクト部61を有するハウジング部11を得ることができる。最後に、ハウジング基礎部12を除去し、コンタクト部61の背面67側の端面に電極62を接続することによって、図1に示されるようなコネクタ1を得ることができる。   Then, when the mask 91 is removed, as shown in FIG. 2C, the housing portion 11 having the contact portions 61 as a plurality of isolated conductive regions can be obtained. Finally, the housing base portion 12 is removed, and the electrode 62 is connected to the end surface of the contact portion 61 on the back surface 67 side, whereby the connector 1 as shown in FIG. 1 can be obtained.

なお、コンタクト部61は、各々がハウジング部11中において孤立し、隣接するもの同士が互いに離間した状態となるのであれば、いかなる形状を有するものであってもよいが、図1に示される例においては、前述のように、ハウジング部11を厚さ方向に貫通するように形成された円柱状の形状を有している。また、コンタクト部61の数や配列も任意に設定することができるが、図1に示される例においては、9個であり、当接面66及び背面67において正方格子を形成するように配列されている。さらに、コンタクト部61の寸法は、任意に設定することができるが、例えば、半径が100〔μm〕であり、長さはハウジング部11の厚さと同一、すなわち、1〔mm〕程度となっている。さらに、隣接するコンタクト部61間の距離、すなわち、コンタクト部61のピッチは約200〔μm〕となっている。   The contact portions 61 may have any shape as long as each contact portion 61 is isolated in the housing portion 11 and adjacent ones are separated from each other, but the example shown in FIG. As described above, has a cylindrical shape formed so as to penetrate the housing portion 11 in the thickness direction. Further, the number and arrangement of the contact portions 61 can be arbitrarily set, but in the example shown in FIG. 1, there are nine, and the contact portions 61 and the rear surface 67 are arranged so as to form a square lattice. ing. Further, the dimensions of the contact portion 61 can be arbitrarily set. For example, the radius is 100 [μm], and the length is the same as the thickness of the housing portion 11, that is, about 1 [mm]. Yes. Further, the distance between adjacent contact portions 61, that is, the pitch of the contact portions 61 is about 200 [μm].

また、ハウジング部11がシリコン以外の物質、例えば、Ge、SiC、GaP、GaAs、InP、アルミナ等である場合も、また、堆積させる金属が銅以外の金属である場合も、図2に示される方法と同様の方法でコネクタ1を製造することができる。   Moreover, the case where the housing part 11 is a substance other than silicon, for example, Ge, SiC, GaP, GaAs, InP, alumina or the like, and the case where the metal to be deposited is a metal other than copper are also shown in FIG. The connector 1 can be manufactured by a method similar to the method.

これにより、図1に示されるように、絶縁性材料から成るハウジング部11、すなわち、多孔質絶縁領域中に存在する複数、例えば、9個の孤立した導電領域としてのコンタクト部61を形成することができる。なお、コンタクト部61の背面67側の端面には、電極62が任意の接続手段によって接続される。   As a result, as shown in FIG. 1, the housing portion 11 made of an insulating material, that is, a plurality of, for example, nine contact portions 61 as isolated conductive regions existing in the porous insulating region is formed. Can do. The electrode 62 is connected to the end face on the back surface 67 side of the contact portion 61 by an arbitrary connecting means.

次に、前記コネクタ1の抵抗について説明する。   Next, the resistance of the connector 1 will be described.

電気コネクタのフイギュア・オブ・メリット(Figure of Merit)として最も広く使用されている数値は、端子の動作抵抗Rd である。電気コネクタの目的は、電気素子又は電子素子を電気的に接続するため、つまり、接続された電気素子又は電子素子の間に電力を伝導するためであるから、理想的には、前記動作抵抗Rd は零である。もっとも、実際の場合、前記動作抵抗Rd の値は、電気コネクタの構造や用途に応じて様々に変化しているが、ほとんどの電気コネクタにおいては、前記動作抵抗Rd の値が数ミリ〔Ω〕から、大きくても約1〔Ω〕となっている。したがって、実用的な電気コネクタにおいて、前記動作抵抗Rd の最大値は、約1〔Ω〕であると言える。 The most widely used numerical value as the figure of merit of an electrical connector is the operating resistance R d of the terminal. Since the purpose of the electrical connector is to electrically connect the electrical element or electronic element, that is, to conduct power between the connected electrical element or electronic element, ideally, the operating resistance R d is zero. In practice, the value of the operating resistance Rd varies depending on the structure and application of the electrical connector. However, in most electrical connectors, the value of the operating resistance Rd is several millimeters [ Ω] to about 1 [Ω] at most. Therefore, in a practical electrical connector, the maximum value of the operating resistance R d can be said to be about 1 [Ω].

本実施の形態において、コネクタ1の端子としてのコンタクト部61は断面が円形の円柱状の形状を有する。そこで、コンタクト部61の半径、長さ及び電気伝導率を、各々、r、L、及びσとすると、コンタクト部61の動作抵抗Rd は、次の式(1)のように表される。 In the present embodiment, the contact portion 61 as a terminal of the connector 1 has a cylindrical shape with a circular cross section. Therefore, if the radius, length, and electrical conductivity of the contact portion 61 are r, L, and σ, respectively, the operating resistance R d of the contact portion 61 is expressed as the following equation (1).

Figure 0004963912

そして、コンタクト部61が前述のように銅が含浸されたポーラスシリコンから成るものであるところ、銅が含浸されたポーラスシリコンの電気伝導率σが約100000〔Ω-1-1〕であり、コンタクト部61の半径及び長さは100〔μm〕及び1〔mm〕であるから、コンタクト部61の動作抵抗Rd は、約0.6〔Ω〕となる。このことから、本実施の形態におけるコネクタ1は、実際的な電気コネクタであることが分かる。
Figure 0004963912

The contact portion 61 is made of porous silicon impregnated with copper as described above, and the electrical conductivity σ of the porous silicon impregnated with copper is about 100,000 [Ω −1 m −1 ], Since the radius and length of the contact portion 61 are 100 [μm] and 1 [mm], the operating resistance R d of the contact portion 61 is about 0.6 [Ω]. From this, it can be seen that the connector 1 in the present embodiment is a practical electrical connector.

このように、本実施の形態において、コネクタ1のハウジング部11は多孔質性の絶縁性材料から成る多孔質絶縁領域であり、前記ハウジング部11の所望の箇所に選択的に導電性物質を含浸させて、絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域としてのコンタクト部61が形成される。これにより、ハウジング部11とコンタクト部61とが境界調整され、コンタクト部61のピッチが狭く、全体としてのサイズが小さいコネクタ1を得ることができる。すなわち、集積度の高い集積電気配列コネクタを得ることができる。   As described above, in the present embodiment, the housing portion 11 of the connector 1 is a porous insulating region made of a porous insulating material, and a desired portion of the housing portion 11 is selectively impregnated with a conductive substance. Thus, a plurality of contact portions 61 as isolated conductive regions existing in the insulating region are formed. As a result, the boundary between the housing portion 11 and the contact portion 61 is adjusted, and the connector 1 having a narrow pitch and a small overall size can be obtained. That is, an integrated electrical array connector with a high degree of integration can be obtained.

また、導電性物質が多孔質性の絶縁性材料の微小なナノ細孔に入込んで一体化することによってコンタクト部61を形成するので、ハウジング部11とコンタクト部61とが強固に結合される。さらに、ハウジング部11とコンタクト部61とが同一の材料から一体的に形成されているので、コネクタ1の環境温度が変化しても、ハウジング部11とコンタクト部61との境界に熱応力が加えられることがなく、ハウジング部11とコンタクト部61との境界が安定する。したがって、コネクタ1は、環境温度の変化に対して高い耐性を有し、安定した性能を発揮することができる。   In addition, since the conductive portion enters the fine nanopores of the porous insulating material and integrates to form the contact portion 61, the housing portion 11 and the contact portion 61 are firmly bonded. . Furthermore, since the housing part 11 and the contact part 61 are integrally formed from the same material, thermal stress is applied to the boundary between the housing part 11 and the contact part 61 even if the environmental temperature of the connector 1 changes. The boundary between the housing part 11 and the contact part 61 is stabilized. Therefore, the connector 1 has high resistance to changes in the environmental temperature and can exhibit stable performance.

さらに、ハウジング部11の所望の箇所に選択的に導電性物質を含浸させるだけでコンタクト部61を形成することができるので、容易に、かつ、正確にコネクタ1を製造することができる。   Further, since the contact portion 61 can be formed simply by selectively impregnating a desired portion of the housing portion 11 with a conductive material, the connector 1 can be manufactured easily and accurately.

次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。なお、第1の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第1の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。   Next, a second embodiment of the present invention will be described. In addition, about the thing which has the same structure as 1st Embodiment, the description is abbreviate | omitted by providing the same code | symbol. The description of the same operation and the same effect as those of the first embodiment is also omitted.

図3は本発明の第2の実施の形態における集積電気配列コネクタを示す斜視図である。   FIG. 3 is a perspective view showing an integrated electrical array connector according to the second embodiment of the present invention.

図示されるように、本実施の形態におけるコネクタ1は、製造工程でハウジング基礎部12を除去することなく、ハウジング部11と一体化されたハウジング基礎部12をそのまま有するものである。また、コンタクト部61は、当接面66に沿って延在し、隣接するもの同士が平行な帯状ないし棒状の形状を有する。なお、前記コンタクト部61の当接面66側の端面は、当接面66に露出して該当接面66と面一となっている。そして、コンタクト部61の任意の箇所には、図示されない電極が任意の接続手段によって接続されている。   As illustrated, the connector 1 according to the present embodiment has the housing base portion 12 integrated with the housing portion 11 without removing the housing base portion 12 in the manufacturing process. The contact portion 61 extends along the contact surface 66 and has a strip-like or rod-like shape in which adjacent members are parallel to each other. Note that the end surface of the contact portion 61 on the contact surface 66 side is exposed to the contact surface 66 and is flush with the corresponding contact surface 66. An electrode (not shown) is connected to an arbitrary portion of the contact portion 61 by an arbitrary connection means.

その他の点の構成については、前記第1の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。   Since the configuration of other points is the same as that of the first embodiment, description thereof is omitted.

このように、本実施の形態においては、ハウジング基礎部12を除去する必要がないので、コネクタ1を容易に製造することができる。また、ハウジング部11における当接面66の反対側の面にハウジング基礎部12が一体的に接続されているので、ハウジング部11の強度が増加する。そのため、ハウジング部11を薄肉化することができる。   Thus, in this embodiment, since it is not necessary to remove the housing base portion 12, the connector 1 can be easily manufactured. Moreover, since the housing base part 12 is integrally connected to the surface of the housing part 11 opposite to the contact surface 66, the strength of the housing part 11 increases. Therefore, the housing part 11 can be thinned.

次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。なお、第1及び第2の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第1及び第2の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。   Next, a third embodiment of the present invention will be described. In addition, about the thing which has the same structure as 1st and 2nd embodiment, the description is abbreviate | omitted by providing the same code | symbol. Also, the description of the same operations and effects as those of the first and second embodiments is omitted.

図4は本発明の第3の実施の形態における集積電気配列コネクタを製造する方法を示す図である。なお、図4おいて、(a)〜(c)は各製造工程を示している。   FIG. 4 is a diagram showing a method of manufacturing an integrated electrical array connector according to the third embodiment of the present invention. In addition, in FIG. 4, (a)-(c) has shown each manufacturing process.

本実施の形態においては、コネクタ1の構造は、前記第1及び第2の実施の形態と同様であるので、コネクタ1を製造する方法についてのみ説明する。   In the present embodiment, since the structure of the connector 1 is the same as that of the first and second embodiments, only the method for manufacturing the connector 1 will be described.

図4(a)に示されるように、本実施の形態において、絶縁性のポーラスシリコンから成るハウジング部11は、ハウジング基礎部12上の選択された領域に形成されている。この場合、マスク91を載置したハウジング基礎部12をフッ化水素酸に浸して陽極化成を行うことによって、マスク91の開口部91aに対応する部位のみが多孔質となり、ポーラスシリコンから成るハウジング部11が選択的に形成される。該ハウジング部11は、各々がハウジング基礎部12中において孤立し、隣接するもの同士が互いに離間した状態となっている。   As shown in FIG. 4A, in the present embodiment, the housing portion 11 made of insulating porous silicon is formed in a selected region on the housing base portion 12. In this case, the housing base portion 12 on which the mask 91 is placed is immersed in hydrofluoric acid to perform anodization, so that only the portion corresponding to the opening 91a of the mask 91 becomes porous, and the housing portion made of porous silicon. 11 is selectively formed. Each of the housing parts 11 is isolated in the housing base part 12, and adjacent ones are separated from each other.

続いて、図4(b)に示されるように、ハウジング部11が形成されたハウジング基礎部12をタングステンフッ化物(WF6 )ガス92に曝すと、次の式(2)に従った反応が生じ、ハウジング部11にタングステン(W)が含浸し、ポーラスシリコンとタングステンとが分子レベルで接合され、導電領域としてのコンタクト部61が形成される。
2WF6 +3Si→2W+3SiF4 ・・・式(2)
続いて、マスク91を除去した後に、図4(c)に示されるように、前記コンタクト部61の上面に導電性金属層としてのコンタクト上部611が形成される。該コンタクト上部611は、導電性の高い金、銅等の金属から成る導電領域であり、電解めっき、蒸着、スパッタリング等の方法によって形成され、前記コンタクト部61の上面に付着させられる。したがって、前記コンタクト上部611も、コンタクト部61と同様に、各々がハウジング基礎部12中において孤立し、隣接するもの同士が互いに離間した状態となり、図示される例においては、図面に垂直な方向に延在するように形成された帯状の形状を有している。
Subsequently, as shown in FIG. 4B, when the housing base portion 12 on which the housing portion 11 is formed is exposed to a tungsten fluoride (WF 6 ) gas 92, a reaction according to the following equation (2) is performed. As a result, the housing portion 11 is impregnated with tungsten (W), and the porous silicon and tungsten are bonded at the molecular level to form a contact portion 61 as a conductive region.
2WF 6 + 3Si → 2W + 3SiF 4 Formula (2)
Subsequently, after removing the mask 91, as shown in FIG. 4C, a contact upper portion 611 as a conductive metal layer is formed on the upper surface of the contact portion 61. The contact upper portion 611 is a conductive region made of a highly conductive metal such as gold or copper, and is formed by a method such as electrolytic plating, vapor deposition, or sputtering, and is attached to the upper surface of the contact portion 61. Therefore, like the contact portion 61, the contact upper portion 611 is also isolated in the housing base portion 12, and adjacent ones are separated from each other. In the illustrated example, in the direction perpendicular to the drawing. It has a band-like shape formed so as to extend.

なお、前記コンタクト上部611は、いかなる種類の金属であってもよいが、導電性の高い金若しくは銅又はそれらの合金であることが望ましい。また、コンタクト上部611を形成する方法は、電解めっき、蒸着、スパッタリング等の方法に限定されるものではなく、いかなる方法であってもよい。   The contact upper portion 611 may be any kind of metal, but is preferably gold, copper, or an alloy thereof having high conductivity. The method for forming the contact upper portion 611 is not limited to a method such as electrolytic plating, vapor deposition, or sputtering, and any method may be used.

そして、コンタクト上部611の任意の箇所に、図示されない電極が任意の接続手段によって接続される。これにより、コネクタ1を得ることができる。そして、前記電極を介して、電気素子、電子素子、電気ケーブル、基板等の導電線をコンタクト上部611に接続することができる。   An electrode (not shown) is connected to an arbitrary portion of the contact upper portion 611 by an arbitrary connection means. Thereby, the connector 1 can be obtained. Then, conductive wires such as an electric element, an electronic element, an electric cable, and a substrate can be connected to the contact upper portion 611 via the electrode.

このように、本実施の形態において、多孔質絶縁領域としてのハウジング部11は、絶縁領域としてのハウジング基礎部12の所望の箇所に選択的に形成され、前記ハウジング基礎部12中に存在する複数の孤立した領域となっている。そして、前記ハウジング部11に導電性物質を含浸させて、前記ハウジング基礎部12中に存在する複数の孤立した導電領域としてのコンタクト部61が形成される。これにより、ハウジング基礎部12とコンタクト部61とが境界調整され、コンタクト部61及びその上に形成されるコンタクト上部611のピッチが狭く、全体としてのサイズが小さいコネクタ1を得ることができる。すなわち、集積度の高い集積電気配列コネクタを得ることができる。   As described above, in the present embodiment, the housing portion 11 as the porous insulating region is selectively formed at a desired location of the housing base portion 12 as the insulating region, and a plurality of portions existing in the housing base portion 12 are present. It is an isolated area. Then, the housing portion 11 is impregnated with a conductive material, and a plurality of contact portions 61 as isolated conductive regions existing in the housing base portion 12 are formed. Accordingly, the boundary between the housing base portion 12 and the contact portion 61 is adjusted, and the connector 1 having a small overall size can be obtained with a narrow pitch between the contact portion 61 and the contact upper portion 611 formed thereon. That is, an integrated electrical array connector with a high degree of integration can be obtained.

また、導電性物質が多孔質性の絶縁性材料の微小なナノ細孔に入込んで一体化することによってコンタクト部61を形成するので、ハウジング部11とコンタクト部61とが強固に結合される。さらに、ハウジング基礎部12とコンタクト部61とが同一の材料から一体的に形成されているので、コネクタ1の環境温度が変化しても、ハウジング基礎部12とコンタクト部61との境界に熱応力が加えられることがなく、ハウジング基礎部12とコンタクト部61との境界が安定する。したがって、コネクタ1は、環境温度の変化に対して高い耐性を有し、安定した性能を発揮することができる。   In addition, since the conductive portion enters the fine nanopores of the porous insulating material and integrates to form the contact portion 61, the housing portion 11 and the contact portion 61 are firmly bonded. . Furthermore, since the housing base portion 12 and the contact portion 61 are integrally formed from the same material, even if the environmental temperature of the connector 1 changes, thermal stress is applied to the boundary between the housing base portion 12 and the contact portion 61. The boundary between the housing base portion 12 and the contact portion 61 is stabilized. Therefore, the connector 1 has high resistance to changes in the environmental temperature and can exhibit stable performance.

次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。なお、第1〜第3の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第1〜第3の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。   Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. In addition, about the thing which has the same structure as the 1st-3rd embodiment, the description is abbreviate | omitted by providing the same code | symbol. Explanation of the same operations and effects as those of the first to third embodiments is also omitted.

図5は本発明の第4の実施の形態における集積電気配列コネクタを製造する方法を示す図である。なお、図5おいて、(a)〜(c)は各製造工程を示している。   FIG. 5 is a diagram showing a method of manufacturing an integrated electrical array connector according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 5, (a) to (c) show each manufacturing process.

本実施の形態においては、コネクタ1の構造は、前記第1及び第2の実施の形態と同様であるので、コネクタ1を製造する方法についてのみ説明する。   In the present embodiment, since the structure of the connector 1 is the same as that of the first and second embodiments, only the method for manufacturing the connector 1 will be described.

図5(a)において、12は、絶縁性材料から成る絶縁領域としてのハウジング基礎部であり、具体的にはアルミナから成る。そして、絶縁性のポーラスアルミナから成るハウジング部11は、ハウジング基礎部12の上に形成されている。本実施の形態においては、突起部95の先端部(図における下端部)に含浸用金属93として導電性金属である金を付着したスタンプ用具94が使用される。   In FIG. 5 (a), reference numeral 12 denotes a housing base as an insulating region made of an insulating material, specifically made of alumina. The housing portion 11 made of insulating porous alumina is formed on the housing base portion 12. In the present embodiment, a stamp tool 94 is used in which gold, which is a conductive metal, is attached as the impregnating metal 93 to the tip portion (lower end portion in the figure) of the protrusion 95.

そして、ハウジング部11にスタンプ用具94の突起部95を押付けることによって、含浸用金属93である金がポーラスアルミナから成るハウジング部11に押圧されて含浸し、図5(b)に示されるように、導電領域としてのコンタクト部61が形成される。なお、前記スタンプ用具94及びその突起部95は、例えば、エラストマから成るが、いかなる材料から成るものであってもよい。これにより、複数の孤立した導電領域としてのコンタクト部61を有するハウジング部11を得ることができる。   Then, by pressing the projection 95 of the stamp tool 94 against the housing 11, gold as the impregnating metal 93 is pressed and impregnated into the housing 11 made of porous alumina, as shown in FIG. 5B. Then, a contact portion 61 as a conductive region is formed. The stamp tool 94 and the protrusion 95 thereof are made of, for example, an elastomer, but may be made of any material. Thereby, the housing part 11 having the contact part 61 as a plurality of isolated conductive regions can be obtained.

続いて、図5(c)に示されるように、前記コンタクト部61の上面に導電性金属層としてのコンタクト上部611が形成される。該コンタクト上部611は、導電性の高い銅等の金属から成る導電領域であり、電解めっき、蒸着、スパッタリング等の方法によって形成され、前記コンタクト部61の上面に付着させられる。したがって、前記コンタクト上部611も、コンタクト部61と同様に、各々がハウジング部11中において孤立し、隣接するもの同士が互いに離間した状態となり、図示される例においては、図面に垂直な方向に延在するように形成された帯状の形状を有している。   Subsequently, as shown in FIG. 5C, a contact upper portion 611 as a conductive metal layer is formed on the upper surface of the contact portion 61. The contact upper portion 611 is a conductive region made of a highly conductive metal such as copper and is formed by a method such as electrolytic plating, vapor deposition, or sputtering, and is attached to the upper surface of the contact portion 61. Therefore, similarly to the contact portion 61, the contact upper portion 611 is isolated in the housing portion 11 and adjacent ones are separated from each other. In the illustrated example, the contact upper portion 611 extends in a direction perpendicular to the drawing. It has a belt-like shape formed to exist.

なお、本実施の形態においては、ハウジング基礎部12がアルミナから成り、ハウジング部11がポーラスアルミナから成る場合について説明したが、ハウジング基礎部12は、シリコン、Ge、SiC、GaP、GaAs、InP等であってもよいし、ハウジング部11も、多孔質な物質であれば、シリコン、Ge、SiC、GaP、GaAs、InP等であってもよい。また、含浸用金属93も、必ずしも金である必要はなく、導電性の高い金属であればよく、銅等であってもよい。   In the present embodiment, the case where the housing base portion 12 is made of alumina and the housing portion 11 is made of porous alumina has been described. However, the housing base portion 12 is made of silicon, Ge, SiC, GaP, GaAs, InP, or the like. The housing portion 11 may also be made of silicon, Ge, SiC, GaP, GaAs, InP or the like as long as it is a porous substance. Further, the impregnating metal 93 is not necessarily gold, but may be any metal having high conductivity, such as copper.

このように、本実施の形態において、コネクタ1のハウジング部11は、多孔質性の絶縁性材料から成る多孔質絶縁領域であり、前記ハウジング部11の所望の箇所に選択的に導電性物質を押圧して含浸させ、絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域としてのコンタクト部61が形成される。これにより、ハウジング基礎部12とコンタクト部61とが境界調整され、コンタクト部61及びその上に形成されるコンタクト上部611のピッチが狭く、全体としてのサイズが小さいコネクタ1を得ることができる。すなわち、集積度の高い集積電気配列コネクタを得ることができる。   As described above, in the present embodiment, the housing portion 11 of the connector 1 is a porous insulating region made of a porous insulating material, and a conductive substance is selectively applied to a desired portion of the housing portion 11. The contact portions 61 are formed as a plurality of isolated conductive regions existing in the insulating region by pressing and impregnating. Accordingly, the boundary between the housing base portion 12 and the contact portion 61 is adjusted, and the connector 1 having a small overall size can be obtained with a narrow pitch between the contact portion 61 and the contact upper portion 611 formed thereon. That is, an integrated electrical array connector with a high degree of integration can be obtained.

また、導電性物質が多孔質性の絶縁性材料の微小なナノ細孔に入込んで一体化することによってコンタクト部61を形成するので、ハウジング部11とコンタクト部61とが強固に結合される。さらに、ハウジング基礎部12とコンタクト部61とが同一の材料から一体的に形成されているので、コネクタ1の環境温度が変化しても、ハウジング基礎部12とコンタクト部61との境界に熱応力が加えられることがなく、ハウジング基礎部12とコンタクト部61との境界が安定する。したがって、コネクタ1は、環境温度の変化に対して高い耐性を有し、安定した性能を発揮することができる。   In addition, since the conductive portion enters the fine nanopores of the porous insulating material and integrates to form the contact portion 61, the housing portion 11 and the contact portion 61 are firmly bonded. . Furthermore, since the housing base portion 12 and the contact portion 61 are integrally formed from the same material, even if the environmental temperature of the connector 1 changes, thermal stress is applied to the boundary between the housing base portion 12 and the contact portion 61. The boundary between the housing base portion 12 and the contact portion 61 is stabilized. Therefore, the connector 1 has high resistance to changes in the environmental temperature and can exhibit stable performance.

さらに、スタンプ用具94を使用してその突起部95を押付けるだけでハウジング部11の所望の箇所にコンタクト部61を形成することができるので、容易に、かつ、正確にコネクタ1を製造することができる。   Furthermore, since the contact portion 61 can be formed at a desired location of the housing portion 11 simply by pressing the protruding portion 95 using the stamp tool 94, the connector 1 can be manufactured easily and accurately. Can do.

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change variously based on the meaning of this invention, and does not exclude them from the scope of the present invention.

本発明の第1の実施の形態における集積電気配列コネクタを示す斜視図である。1 is a perspective view showing an integrated electrical array connector according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態における集積電気配列コネクタを製造する方法を示す図である。It is a figure which shows the method of manufacturing the integrated electrical array connector in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態における集積電気配列コネクタを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the integrated electrical array connector in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態における集積電気配列コネクタを製造する方法を示す図である。It is a figure which shows the method of manufacturing the integrated electrical array connector in the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施の形態における集積電気配列コネクタを製造する方法を示す図である。It is a figure which shows the method of manufacturing the integrated electrical array connector in the 4th Embodiment of this invention. 従来のウェハ上にコネクタを形成する方法を示す図である。It is a figure which shows the method of forming a connector on the conventional wafer.

符号の説明Explanation of symbols

1A 第1コネクタ
1B 第2コネクタ
11 ハウジング部
11A 第1ハウジング部
11B 第2ハウジング部
12 ハウジング基礎部
12A 第1ハウジング基礎部
12B 第2ハウジング基礎部
61 コンタクト部
61A 第1コンタクト部
61B 第2コンタクト部
62A 第1電極
62B 第2電極
66A 第1当接面
66B 第2当接面
67A 第1背面
67B 第2背面
91 マスク
91a 開口部
92 タングステンフッ化物(WF6 )ガス
93 含浸用金属
94 スタンプ用具
95 突起部
611 コンタクト上部
801 ウェハ
802 連結層
803 絶縁層
804 フォトレジスト
805 矢印
806 コネクタ
1A 1st connector 1B 2nd connector 11 Housing part 11A 1st housing part 11B 2nd housing part 12 Housing foundation part 12A 1st housing foundation part 12B 2nd housing foundation part 61 Contact part 61A 1st contact part 61B 2nd contact part 62A first electrode 62B second electrode 66A first contact surface 66B second contact surface 67A first rear 67B second rear 91 mask 91a opening 92 of tungsten fluoride (WF 6) gas 93 impregnated metal 94 stamp tool 95 Protrusion 611 Contact top 801 Wafer 802 Connection layer 803 Insulating layer 804 Photoresist 805 Arrow 806 Connector

Claims (8)

(a)絶縁性材料から成る絶縁領域と
(b)該絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域とを有する集積電気配列コネクタであって、
(c)前記絶縁領域は、Si、Ge、SiC、GaP、GaAs、InP又はAl 2 3 から成り、
)前記絶縁領域の少なくとも一部は、多孔質性の絶縁性材料から成る多孔質絶縁領域であり、
)前記導電領域は、前記多孔質絶縁領域に選択的に導電性物質を含浸させて形成されることを特徴とする集積電気配列コネクタ。
(A) an insulating area formed of an insulating material,
(B) an integrated electric array connector having a plurality of isolated conductive area present in the insulating area,
(C) the insulating region is made of Si, Ge, SiC, GaP, GaAs, InP or Al 2 O 3 ;
; (D) at least part of the insulating area, a porous insulation area made of a porous insulating material,
(E) the conductive area, the porous insulating area selectively impregnated with conductive material, characterized in that it is formed by an integrated electric array connector.
前記多孔質絶縁領域に前記導電性物質を堆積させることによって、該導電性物質を前記多孔質絶縁領域に含浸させる請求項1に記載の集積電気配列コネクタ。 It said porous by depositing the conductive material on the insulating area, integrated electro array connector according to claim 1 impregnated with a conductive material in the porous insulating area. 前記多孔質絶縁領域を前記導電性物質を含むガスに曝すことによって、前記導電性物質を前記多孔質絶縁領域に含浸させる請求項1に記載の集積電気配列コネクタ。 Wherein by a porous insulating area exposed to the gas containing the conductive material, integrated electro array connector according to claim 1 for impregnating the conductive material to said porous insulating area. 前記多孔質絶縁領域に前記導電性物質を押圧することによって、該導電性物質を前記多孔質絶縁領域に含浸させる請求項1に記載の集積電気配列コネクタ。 It said porous by pressing the conductive material in the insulating area, integrated electro array connector according to claim 1 impregnated with a conductive material in the porous insulating area. (a)前記絶縁領域は、相手側コネクタと当接する当接面を備える板状の領域であり、
(b)前記導電領域は、前記絶縁領域の厚さ方向に延在する柱状の領域であり、少なくとも一方の端面が前記当接面に露出する請求項1に記載の集積電気配列コネクタ。
(A) the insulating area is a plate-shaped region with a mating connector that contacts abutment surface,
(B) said conductive area, said a columnar region extending in the thickness direction of the insulating area, at least integrated electro array connector according to claim 1 in which one end face is exposed to the abutment surface .
(a)前記絶縁領域は板状の領域であり、
(b)前記導電領域は、前記絶縁領域の一方の面に沿って延在する帯状の領域である請求項1に記載の集積電気配列コネクタ。
(A) the insulating area is a plate-shaped area,
(B) the conductive area is integrated electro array connector according to claim 1 which is strip-shaped area extending along one surface of the insulating area.
前記導電領域の上には、導電性金属層が更に形成される請求項1に記載の集積電気配列コネクタ。 On the conductive area, the integrated electro array connector according to claim 1 in which the conductive metal layer is further formed. (a)前記導電領域は、一方の端面が前記当接面に露出するとともに、他方の端面が前記当接面と対向する背面に露出し、
(b)前記他方の端面に電極が接続されている請求項に記載の集積電気配列コネクタ。
(A) The conductive area, together with the one end face is exposed to the abutment surface, exposed on the back surface of the other end face opposite to the abutment surface,
(B) integrated electro sequences connector according to claim 5, electrode on the other end face is connected.
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