JP4962392B2 - Suspension substrate manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、ハードディスクドライブ(HDD)等に用いられるサスペンション用基板の製造方法に関し、詳しくは、低剛性のサスペンション用基板を得ることができるサスペンション用基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a suspension substrate used in a hard disk drive (HDD) or the like, and more particularly to a method for manufacturing a suspension substrate that can provide a suspension substrate with low rigidity.

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ(HDD)も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そして、このHDDに用いられる磁気ヘッドを支持している磁気ヘッドサスペンションと呼ばれる部品も、従来の金ワイヤ等の信号線を接続するタイプから、ステンレスのばねに直接銅配線等の信号線が形成されている、いわゆるワイヤレスサスペンションと呼ばれる配線一体型のもの(フレキシャー)に移行している。   In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed, and along with this, the capacity of hard disk drives (HDD) incorporated in personal computers has increased. Increasing information transmission speed is required. In addition, a component called a magnetic head suspension that supports the magnetic head used in the HDD also has a signal line such as a copper wiring directly formed on a stainless steel spring from a conventional type in which a signal line such as a gold wire is connected. The so-called wireless suspension is now integrated into a wiring integrated type (flexure).

最近では、携帯用途を始めとする各種の小型機器に搭載するHDDへの要求が増加してきており、これに伴って情報を記録するためのディスクはサイズが小さくなると共に記録密度が高くなっている。この径の小さくなったディスク上のトラックに対するデータの読取りと書込みを行うには、ディスクをゆっくりと回転させる必要があり、磁気ヘッドに対するディスクの相対速度(周速)は低速となり、このためサスペンション用基板は弱い力でディスクに接近する必要があることから、サスペンション用基板の低剛性化を図る必要がある。   Recently, the demand for HDDs installed in various small devices such as portable applications has increased, and along with this, disks for recording information have become smaller in size and higher in recording density. . In order to read and write data to tracks on this disk with a reduced diameter, it is necessary to rotate the disk slowly, and the relative speed (circumferential speed) of the disk to the magnetic head is low, so that Since the substrate needs to approach the disk with a weak force, it is necessary to reduce the rigidity of the suspension substrate.

低剛性のサスペンション用基板を形成する方法として、金属基板、絶縁層、シード層および金属めっき層がこの順に配置された積層体(例えば特許文献1および2参照)を用いて、この積層体を順次エッチングする方法が知られている。しかしながら、上記の積層体を用いてエッチングを行う場合、搬送時に、加工途中の積層体が変形するという問題が起こる。すなわち、従来は、早い段階で金属基板のエッチングを行い、金属基板の外形加工を行ってしまうが、この外形加工により加工途中の積層体の剛性は著しく低下し、続く絶縁層のエッチング工程へと移動する間に変形しやすくなる。また、配線パターン層を保護する保護めっき部形成工程、およびカバー層形成工程等の後加工においても同様の影響を受け、加工途中の積層体の変形発生率がさらに高くなる。このように、サスペンション部材の低剛性化を図ろうとすると製品の歩留りが悪くなるという問題が生じる。   As a method of forming a low-rigidity suspension substrate, a laminated body in which a metal substrate, an insulating layer, a seed layer, and a metal plating layer are arranged in this order (see, for example, Patent Documents 1 and 2) is used. Etching methods are known. However, when etching is performed using the above laminate, there is a problem that the laminate during processing is deformed during conveyance. That is, conventionally, the metal substrate is etched at an early stage and the outer shape of the metal substrate is processed, but this outer shape processing significantly reduces the rigidity of the laminated body in the middle of processing, leading to the subsequent insulating layer etching process. It becomes easy to deform while moving. In addition, the post-processing such as the protective plating portion forming step for protecting the wiring pattern layer and the cover layer forming step is affected in the same manner, and the deformation rate of the laminate during processing is further increased. As described above, when the rigidity of the suspension member is reduced, there arises a problem that the yield of the product is deteriorated.

なお、特許文献3においては、ばね性金属層/絶縁層/導電層からなる積層体を用い、ばね性金属層に治具孔を形成する工程と、ばね性金属層の外形加工を行う工程とを別工程にした磁気ヘッドサスペンションの製造方法が開示されている。しかしながら、用いられる積層体については具体的な記載がされておらず、サスペンション用基板の低剛性化を充分に図ることができない場合があった。また、特許文献4においては、いわゆるアディティブ法によるハードディスクヘッド用サスペンションの製造方法が開示されている。   In Patent Document 3, using a laminate composed of a spring metal layer / insulating layer / conductive layer, a step of forming a jig hole in the spring metal layer, and a step of processing the outer shape of the spring metal layer A method of manufacturing a magnetic head suspension is disclosed in which is a separate process. However, the laminated body used is not specifically described, and the suspension substrate may not be sufficiently reduced in rigidity. Patent Document 4 discloses a method for manufacturing a suspension for a hard disk head by a so-called additive method.

特開2006−248142号公報JP 2006-248142 A 特開2005−285178号公報JP 2005-285178 A 特開2006−209853号公報JP 2006-209853 A 特開2000−48510号公報JP 2000-48510 A

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、低剛性なサスペンション用基板を歩留まり良く製造することができるサスペンション用基板の製造方法を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main object of the present invention is to provide a method for manufacturing a suspension substrate that can manufacture a suspension substrate having a low rigidity with a high yield.

上記課題を解決するために、本発明においては、金属基板、絶縁層、シード層、および配線パターン層がこの順で積層された積層体に、カバー材を用いて、上記配線パターン層の表面の一部が露出する配線パターン層露出開口部を有するカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記カバー層を形成した後に、上記絶縁層のエッチングを行う絶縁層エッチング工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   In order to solve the above-described problem, in the present invention, a cover material is used for a laminate in which a metal substrate, an insulating layer, a seed layer, and a wiring pattern layer are laminated in this order, and the surface of the wiring pattern layer is formed. A cover layer forming step for forming a cover layer having a wiring pattern layer exposed opening partly exposed, and an insulating layer etching step for etching the insulating layer after the cover layer is formed. A method for manufacturing a suspension substrate is provided.

本発明によれば、上記サスペンション用基板内におけるカバー層の膜厚を均一なものとすることができる。また、その結果、上記カバー層の薄膜化を容易なものとし、本発明の製造方法により製造されるサスペンション用基板を軽量なものとすることができる。   According to the present invention, the thickness of the cover layer in the suspension substrate can be made uniform. As a result, the cover layer can be easily thinned, and the suspension substrate manufactured by the manufacturing method of the present invention can be reduced in weight.

上記発明においては、さらに、金属基板、絶縁層、シード層および金属めっき層がこの順に配置された積層体を準備する積層体準備工程と、上記金属基板の表面および上記金属めっき層の表面に、パターン状のレジストを形成し、エッチングを行うことにより、上記金属基板に治具孔を形成し、かつ、上記金属めっき層を配線パターン層に加工する第一のメタルエッチング工程と、を有することが好ましい。
上記の積層体を用いることにより、低剛性のサスペンション用基板を得ることができるからである。さらに、第一のメタルエッチング工程で、金属基板に治具孔や抜き孔等を形成するが、金属基板の大部分はエッチングしない。そのため、積層体の剛性を高く維持した状態で絶縁層のエッチング等を行うことができ、各工程間の搬送時に、加工途中の積層体が変形することを抑制することができるからである。
In the above invention, further, a laminate preparation step of preparing a laminate in which a metal substrate, an insulating layer, a seed layer, and a metal plating layer are arranged in this order; and a surface of the metal substrate and a surface of the metal plating layer, Forming a hole in the metal substrate by forming a patterned resist and performing etching, and processing the metal plating layer into a wiring pattern layer; preferable.
This is because a low-rigidity suspension substrate can be obtained by using the above laminate. Further, in the first metal etching step, jig holes and punch holes are formed in the metal substrate, but most of the metal substrate is not etched. For this reason, it is possible to perform etching or the like of the insulating layer in a state where the rigidity of the laminated body is maintained high, and it is possible to suppress deformation of the laminated body in the middle of processing during conveyance between processes.

上記発明においては、上記カバー材が、液状カバー材であることが好ましい。上記サスペンション用基板内におけるカバー層の膜厚をより均一なものとすることができるからである。また、上記カバー層の膜厚を薄いものとすることができるため、上記サスペンション用基板を軽量なものとすることができるからである。   In the said invention, it is preferable that the said cover material is a liquid cover material. This is because the film thickness of the cover layer in the suspension substrate can be made more uniform. In addition, since the cover layer can be made thin, the suspension substrate can be made lightweight.

上記発明においては、上記金属めっき層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、2μm以下であることが好ましい。金属めっき層をエッチングすることにより、均一な膜厚を有する配線パターン層を得ることができるからである。なお、アディティブ法により配線パターン層を形成した場合、配線パターン層の膜厚のバラつきが大きくなり、所望の剛性を有するパターン形成体を得ることが困難になる。   In the said invention, it is preferable that the difference of the maximum film thickness part and minimum film thickness part of the said metal plating layer is 2 micrometers or less. This is because a wiring pattern layer having a uniform film thickness can be obtained by etching the metal plating layer. When the wiring pattern layer is formed by the additive method, the thickness of the wiring pattern layer varies greatly, and it becomes difficult to obtain a pattern forming body having a desired rigidity.

上記カバー層の配線パターン層上の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、1μm以下であることが好ましい。上記カバー層の配線パターン層上の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、1μm以下であることにより、上記カバー層の薄膜化を容易なものとし、上記サスペンション用基板を軽量なものとすることができるからである。   The difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion on the wiring pattern layer of the cover layer is preferably 1 μm or less. Since the difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion on the wiring pattern layer of the cover layer is 1 μm or less, the cover layer can be easily thinned, and the suspension substrate can be reduced in weight. Because it can be done.

本発明は、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたシード層と、上記シード層上にパターン状に形成された金属めっき層からなる配線パターン層と、を少なくとも有し、上記配線パターン層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、2μm以下であることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   The present invention relates to a wiring pattern comprising a metal substrate, an insulating layer formed on the metal substrate, a seed layer formed on the insulating layer, and a metal plating layer formed in a pattern on the seed layer. And a difference between a maximum film thickness portion and a minimum film thickness portion of the wiring pattern layer is 2 μm or less.

本発明によれば、上記配線パターン層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、2μm以下であることにより、上記配線パターン層の薄膜化を容易なものとし、軽量なものとすることができる。   According to the present invention, since the difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion of the wiring pattern layer is 2 μm or less, the wiring pattern layer can be easily thinned and lightweight. Can do.

上記発明においては、カバー材を用いて上記配線パターン層上に形成され、上記配線パターン層の表面の一部が露出する配線パターン層露出開口部を有するカバー層を有し、上記カバー層の配線パターン層上の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、1μm以下であることが好ましい。
上記カバー層の配線パターン層上の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、1μm以下であることにより、上記カバー層の薄膜化を容易なものとし、軽量なものとすることができるからである。
In the above invention, the cover layer has a cover layer formed on the wiring pattern layer using a cover material and having a wiring pattern layer exposed opening in which a part of the surface of the wiring pattern layer is exposed. The difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion on the pattern layer is preferably 1 μm or less.
Since the difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion on the wiring pattern layer of the cover layer is 1 μm or less, the cover layer can be easily thinned and lightweight. It is.

本発明は、上記サスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。   The present invention provides a suspension including the suspension substrate.

本発明によれば、上記サスペンション用基板を含むものであるため、低剛性で軽量なものとすることができる。   According to the present invention, since the suspension substrate is included, the rigidity and weight can be reduced.

本発明は、上記サスペンションと、上記サスペンション上に搭載された磁気ヘッドスライダーとを有することを特徴とするヘッド付サスペンションを提供する。   The present invention provides a suspension with a head comprising the suspension and a magnetic head slider mounted on the suspension.

本発明によれば、上記サスペンションを含むものであるため、低剛性で軽量なものとすることができる。   According to the present invention, since the suspension is included, it is possible to achieve low rigidity and light weight.

本発明は、上記ヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。   The present invention provides a hard disk drive including the suspension with a head.

本発明によれば、上記ヘッド付サスペンションを含むものであるため、消費電力の少ないものとすることができる。   According to the present invention, since the suspension with a head is included, the power consumption can be reduced.

本発明においては、低剛性なサスペンション用基板を歩留まり良く製造することができるという効果を奏する。   In the present invention, there is an effect that a low-rigidity suspension substrate can be manufactured with a high yield.

本発明は、サスペンション用基板の製造方法、サスペンション用基板、これを用いたサスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブに関するものである。
以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法、サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブについて詳細に説明する。
The present invention relates to a method for manufacturing a suspension substrate, a suspension substrate, a suspension using the suspension substrate, a suspension with a head, and a hard disk drive.
Hereinafter, a method for manufacturing a suspension substrate, a suspension substrate, a suspension, a suspension with a head, and a hard disk drive according to the present invention will be described in detail.

A.サスペンション用基板の製造方法
まず、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属基板、絶縁層、シード層および金属めっき層がこの順に配置された積層体を準備する積層体準備工程と、上記金属基板の表面および上記金属めっき層の表面に、パターン状のレジストを形成し、エッチングを行うことにより、上記金属基板に治具孔を形成し、かつ、上記金属めっき層を配線パターン層に加工する第一のメタルエッチング工程と、を有することを特徴とするものである。
A. First, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention includes a laminate preparation step of preparing a laminate in which a metal substrate, an insulating layer, a seed layer, and a metal plating layer are arranged in this order, and a surface of the metal substrate and the metal plating layer. Forming a pattern resist on the surface and performing etching to form a jig hole in the metal substrate, and processing the metal plating layer into a wiring pattern layer; and It is characterized by having.

本発明によれば、上記の積層体を用いることにより、低剛性のサスペンション用基板を得ることができる。また、第一のメタルエッチング工程では、金属基板に治具孔や抜き孔等を形成するが、金属基板の大部分はエッチングしない。そのため、積層体の剛性を高く維持した状態で絶縁層のエッチング等を行うことができ、各工程間の搬送時に、加工途中の積層体が変形することを抑制することができる。なお、本発明により得られるサスペンション用基板は、例えばハードディスクドライブ(HDD)の磁気ヘッドサスペンション等に用いることができる。   According to the present invention, a suspension substrate having a low rigidity can be obtained by using the above laminate. In the first metal etching step, jig holes and punch holes are formed in the metal substrate, but most of the metal substrate is not etched. Therefore, the insulating layer can be etched in a state where the rigidity of the laminated body is maintained high, and deformation of the laminated body during processing can be suppressed during conveyance between the processes. The suspension substrate obtained by the present invention can be used for a magnetic head suspension of a hard disk drive (HDD), for example.

次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について図面を用いて説明する。図1および図2は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する説明図である。本発明においては、まず、図1(a)に示すように、金属基板1、絶縁層2、シード層3および金属めっき層4がこの順に配置された積層体10を準備する(積層体準備工程)。ここでは、金属基板1としてのSUSと、絶縁層2としてのポリイミドと、シード層3としてのNi−Cr−Cuスパッタリング層と、金属めっき層4としてのCuめっき層と、を有する積層体10を用意する。   Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 are explanatory views for explaining an example of a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention. In the present invention, first, as shown in FIG. 1A, a laminate 10 in which a metal substrate 1, an insulating layer 2, a seed layer 3, and a metal plating layer 4 are arranged in this order is prepared (laminate preparation step). ). Here, a laminate 10 having SUS as the metal substrate 1, polyimide as the insulating layer 2, Ni—Cr—Cu sputtering layer as the seed layer 3, and Cu plating layer as the metal plating layer 4 is provided. prepare.

次に、この積層体10に対してメタルエッチング用レジストを製版する。具体的には、積層体10の両面にメタルエッチング用のレジスト層を設け、フォトリソグラフィー法により図1(b)に示すようなパターニングをしたレジスト11、12を形成する。この場合、配線側には、目的とする配線パターン層に対応するパターンでレジスト11を形成し、基板側には、治具孔の部分を除くようなパターンでレジスト12を形成する。また、レジスト12は、治具孔の他にフライングリード部も除くように形成する。   Next, a resist for metal etching is made on the laminate 10. Specifically, a resist layer for metal etching is provided on both surfaces of the laminate 10, and resists 11 and 12 patterned as shown in FIG. 1B are formed by photolithography. In this case, the resist 11 is formed on the wiring side with a pattern corresponding to the target wiring pattern layer, and the resist 12 is formed on the substrate side with a pattern excluding the jig hole portion. Further, the resist 12 is formed so as to remove the flying lead portion in addition to the jig hole.

そして、図1(c)に示すように、化学エッチング液を用いて、金属基板1および金属めっき層4をエッチングし、レジスト11、12を剥離する。これにより、金属めっき層4から配線パターン層4aが形成され、金属基板1に治具孔1aが形成される(第一のメタルエッチング工程)。図中1bはフライングリード部を形成する抜き孔である。   Then, as shown in FIG. 1C, the metal substrate 1 and the metal plating layer 4 are etched using a chemical etching solution, and the resists 11 and 12 are peeled off. Thereby, the wiring pattern layer 4a is formed from the metal plating layer 4, and the jig hole 1a is formed in the metal substrate 1 (first metal etching step). In the figure, 1b is a hole for forming a flying lead portion.

次に、図1(d)に示すように、配線パターン層4aの上から、液状カバー材を用いてカバー層5を形成する(カバー層形成工程)。このとき、配線パターン層4aの表面の一部が露出するようにカバー層5が形成され、その露出する部分に後述する保護めっき部が形成される。   Next, as shown in FIG. 1D, a cover layer 5 is formed from above the wiring pattern layer 4a using a liquid cover material (cover layer forming step). At this time, the cover layer 5 is formed so that a part of the surface of the wiring pattern layer 4a is exposed, and a protective plating portion described later is formed on the exposed portion.

次に、絶縁層2のエッチング用レジストを製版する。具体的には、積層体10の両面にポリイミドエッチング用のレジスト層を設け、フォトリソグラフィー法により図1(e)に示すようなパターニングをしたレジスト13、14を形成する。この場合、配線側には、配線パターン層4aおよびカバー層5を覆うようにレジスト13を形成し、基板側には、フライングリード部の抜き孔1bの対応部分を除くようにレジスト14を形成する。   Next, a resist for etching the insulating layer 2 is made. Specifically, a resist layer for polyimide etching is provided on both surfaces of the laminate 10, and resists 13 and 14 patterned as shown in FIG. 1E are formed by photolithography. In this case, a resist 13 is formed on the wiring side so as to cover the wiring pattern layer 4a and the cover layer 5, and a resist 14 is formed on the substrate side so as to exclude the corresponding portion of the hole 1b of the flying lead portion. .

そして、図1(f)に示すように、エッチング液に有機アルカリ液を用いて絶縁層2をエッチングし、レジスト13、14を剥離する。これにより、金属基板1の上に配線パターン層4aおよびカバー層5が絶縁層2を介して一体的に形成される(絶縁層エッチング工程)。また、金属基板1は、治具孔1aおよびフライングリード部の抜き孔1bが形成された状態となる。なお、絶縁層2の加工はプラズマエッチングで行っても良い。   Then, as shown in FIG. 1F, the insulating layer 2 is etched using an organic alkaline solution as an etching solution, and the resists 13 and 14 are peeled off. Thereby, the wiring pattern layer 4a and the cover layer 5 are integrally formed on the metal substrate 1 via the insulating layer 2 (insulating layer etching step). Further, the metal substrate 1 is in a state in which the jig hole 1a and the flying hole 1b of the flying lead portion are formed. The processing of the insulating layer 2 may be performed by plasma etching.

次に、図2(g)に示すように、配線パターン層4aが露出する部分に、Auめっき若しくはNi−Auめっきを施すことにより保護めっき部6を形成する(保護めっき部形成工程)。   Next, as shown in FIG. 2G, the protective plating portion 6 is formed by performing Au plating or Ni—Au plating on the portion where the wiring pattern layer 4a is exposed (protective plating portion forming step).

次に、金属基板1の外形加工を行うため、積層体10の両面にメタルエッチング用レジストを製版する。本発明において、「金属基板の外形加工を行う」とは、第一のメタルエッチング工程で加工されていない金属基板の領域を、目的とするサスペンション用基板の形状に応じて加工することをいう。具体的には、積層体10の両面にメタルエッチング用のレジスト層を設け、フォトリソグラフィー法により図2(h)に示すようなパターニングをしたレジスト15、16を形成する。この場合、配線側には、全面を覆うようにレジスト15を形成し、基板側には、目的とする外形形状に合わせてパターニングをしたレジスト16を形成する。   Next, in order to perform the external shape processing of the metal substrate 1, a metal etching resist is made on both surfaces of the laminate 10. In the present invention, “performing the outer shape of the metal substrate” means that the region of the metal substrate that has not been processed in the first metal etching step is processed according to the shape of the target suspension substrate. Specifically, a resist layer for metal etching is provided on both surfaces of the laminate 10, and resists 15 and 16 patterned as shown in FIG. 2H are formed by photolithography. In this case, a resist 15 is formed on the wiring side so as to cover the entire surface, and a resist 16 patterned in accordance with the target outer shape is formed on the substrate side.

そして、図2(i)に示すように、化学エッチング液を用いて金属基板1をエッチングし、レジスト15、16を剥離する。これにより、所望の形状のサスペンション用基板が得られる(第二のメタルエッチング工程)。その後、必要に応じて、図2(j)に示すように、配線パターン層4aの端子部に印刷により、半田バンプ部7を形成する。なお、図中、Aは、バンプを形成する端子部であり、Bはフライングリード部であり、Cは配線部であり、必要に応じて金属基板1を有していても良い。   Then, as shown in FIG. 2I, the metal substrate 1 is etched using a chemical etching solution, and the resists 15 and 16 are peeled off. Thereby, a suspension substrate having a desired shape is obtained (second metal etching step). Thereafter, as shown in FIG. 2 (j), solder bump portions 7 are formed by printing on the terminal portions of the wiring pattern layer 4a as necessary. In the figure, A is a terminal part for forming a bump, B is a flying lead part, C is a wiring part, and may have a metal substrate 1 as required.

本発明のサスペンション用基板の製造方法は、通常、積層体準備工程および第一のメタルエッチング工程を有する。さらに、後述するカバー層形成工程、絶縁層エッチング工程、保護めっき部形成工程、第二のメタルエッチング工程、および半田バンプ形成工程を有することが好ましい。
以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
The manufacturing method of the suspension substrate of the present invention usually includes a laminate preparation step and a first metal etching step. Furthermore, it is preferable to have a cover layer forming step, an insulating layer etching step, a protective plating portion forming step, a second metal etching step, and a solder bump forming step, which will be described later.
Hereinafter, the manufacturing method of the suspension substrate according to the present invention will be described step by step.

1.積層体準備工程
まず、本発明における積層体準備工程について説明する。本発明における積層体準備工程は、金属基板、絶縁層、シード層および金属めっき層がこの順に配置された積層体を準備する工程である。
1. Laminated body preparation process First, the laminated body preparation process in this invention is demonstrated. The laminate preparation step in the present invention is a step of preparing a laminate in which a metal substrate, an insulating layer, a seed layer, and a metal plating layer are arranged in this order.

本発明においては、上記の層構成を有する積層体を用いることにより、低剛性のサスペンション用基板を得ることができる。従来、サスペンション用基板を得るための原材料として、5層の積層体が使用されてきた。具体的には、図3(a)に示すように、金属基板21としてのSUSと、接着層22としての熱可塑性ポリイミド(TPI)と、絶縁層23としてのポリイミドと、接着層24としてのTPIと、配線パターン形成層25としてのCuと、を有する5層の積層体が使用されてきた。   In the present invention, a suspension substrate having a low rigidity can be obtained by using a laminate having the above layer structure. Conventionally, a five-layer laminate has been used as a raw material for obtaining a suspension substrate. Specifically, as shown in FIG. 3A, SUS as the metal substrate 21, thermoplastic polyimide (TPI) as the adhesive layer 22, polyimide as the insulating layer 23, and TPI as the adhesive layer 24. And a five-layer laminate having Cu as the wiring pattern forming layer 25 has been used.

しかしながら、この積層体は、通常、バネ銅である圧延銅等をプレスで接着積層して形成され、圧延銅を用いるために、薄板化および低剛性化を図ることができなかった。さらに、上記の5層の積層体は、各構成部材をプレスして形成するため、絶縁層(例えばポリイミド)に、配線パターン形成層(例えば圧延銅)の粗化表面のパターンが転写されてしまう。その結果、絶縁層の表面が粗化された状態となり、その粗化面が配線微細加工の妨げの一要因となる問題があった。   However, this laminated body is usually formed by bonding and laminating rolled copper or the like, which is spring copper, with a press. Since rolled copper is used, it has not been possible to reduce the thickness and reduce the rigidity. Furthermore, since the above five-layer laminate is formed by pressing each constituent member, the pattern of the roughened surface of the wiring pattern forming layer (for example, rolled copper) is transferred to the insulating layer (for example, polyimide). . As a result, there has been a problem that the surface of the insulating layer is roughened, and the roughened surface is a factor that hinders fine wiring processing.

これに対して、本発明に用いられる積層体は、例えば図3(b)に示すように、通常、金属基板1、絶縁層2、シード層3および金属めっき層4がこの順に配置された4層の積層体である。この4層の積層体の金属めっき層は、電解めっき法等で形成されるものであるため、従来の圧延銅等と比較して、薄板化および低剛性化を図ることができる。また、微細な配線パターン層も形成可能である。さらに、上記の4層の積層体の金属めっき層は、電解めっき法等で形成されるものであるため、上述した5層の積層体の場合のように、絶縁層の表面が粗化されることがない。そのため、異物の残留の問題等が生じないという利点を有する。   On the other hand, in the laminate used in the present invention, as shown in FIG. 3B, for example, the metal substrate 1, the insulating layer 2, the seed layer 3, and the metal plating layer 4 are usually arranged in this order. It is a laminate of layers. Since the metal plating layer of this four-layered laminate is formed by an electrolytic plating method or the like, it can be made thinner and less rigid than conventional rolled copper or the like. A fine wiring pattern layer can also be formed. Furthermore, since the metal plating layer of the four-layer laminate is formed by an electrolytic plating method or the like, the surface of the insulating layer is roughened as in the case of the five-layer laminate described above. There is nothing. Therefore, there is an advantage that the problem of remaining foreign matter does not occur.

次に、本発明に用いられる積層体の構成部材について説明する。本発明に用いられる積層体は、通常、金属基板、絶縁層、シード層および金属めっき層を有する。
上記金属基板の材料としては、導電性を有し、適度なばね性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばSUS等を挙げることができる。上記金属基板の膜厚としては、例えば10μm〜30μmの範囲内、中でも15μm〜25μmの範囲内であることが好ましい。金属基板の膜厚が薄すぎると、機械的強度が低下する可能性があり、金属基板の膜厚が厚すぎると、サスペンション用基板の低剛性化を図ることが困難だからである。
Next, the structural member of the laminated body used for this invention is demonstrated. The laminated body used for this invention has a metal substrate, an insulating layer, a seed layer, and a metal plating layer normally.
The material for the metal substrate is not particularly limited as long as it has electrical conductivity and appropriate springiness, and examples thereof include SUS. The film thickness of the metal substrate is, for example, preferably in the range of 10 μm to 30 μm, and more preferably in the range of 15 μm to 25 μm. If the metal substrate is too thin, the mechanical strength may be reduced, and if the metal substrate is too thick, it is difficult to reduce the rigidity of the suspension substrate.

上記絶縁層の材料としては、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド(PI)等を挙げることができる。上記絶縁層の膜厚としては、例えば5μm〜30μmの範囲内、中でも5μm〜20μmの範囲内、特に5μm〜10μmの範囲内であることが好ましい。絶縁層の膜厚が薄すぎると、充分な絶縁性を発揮できない可能性があり、絶縁層の膜厚が厚すぎると、サスペンション用基板の低剛性化を図ることが困難だからである。   The material of the insulating layer is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include polyimide (PI). The thickness of the insulating layer is, for example, preferably in the range of 5 μm to 30 μm, more preferably in the range of 5 μm to 20 μm, and particularly preferably in the range of 5 μm to 10 μm. This is because if the insulating layer is too thin, sufficient insulation may not be exhibited. If the insulating layer is too thick, it is difficult to reduce the rigidity of the suspension substrate.

上記シード層の材料としては、絶縁層と金属めっき層との密着性を向上できるものであれば特に限定されるものではないが、例えばNi、Cu、Cr及びその合金等を挙げることができる。また、上記シード層は、スパッタリング法により形成された層であることが好ましい。上記シード層の膜厚は、所望の密着性を得ることができれば特に限定されるものではないが、通常10nm〜300nmの範囲内である。   The material of the seed layer is not particularly limited as long as it can improve the adhesion between the insulating layer and the metal plating layer, and examples thereof include Ni, Cu, Cr, and alloys thereof. The seed layer is preferably a layer formed by a sputtering method. The film thickness of the seed layer is not particularly limited as long as desired adhesion can be obtained, but is usually in the range of 10 nm to 300 nm.

上記金属めっき層の材料としては、導電性が良好であるものであれば特に限定されるものではないが、例えば銅(Cu)を挙げることができる。上記金属めっき層の膜厚としては、例えば6μm〜18μmの範囲内、中でも8μm〜12μmの範囲内が好ましい。金属めっき層の膜厚が薄すぎると、機械的強度が低下する可能性があり、金属めっき層の膜厚が厚すぎると、サスペンション用基板の低剛性化を図ることが困難だからである。   The material for the metal plating layer is not particularly limited as long as it has good electrical conductivity, and examples thereof include copper (Cu). The film thickness of the metal plating layer is, for example, preferably in the range of 6 μm to 18 μm, and more preferably in the range of 8 μm to 12 μm. This is because if the metal plating layer is too thin, the mechanical strength may decrease, and if the metal plating layer is too thick, it is difficult to reduce the rigidity of the suspension substrate.

上記金属めっき層は、一般的なめっき法により形成可能である。中でも本発明においては、上記金属めっき層が電解めっき法により形成されたものであることが好ましい。精度良く金属めっき層を形成することができるからである。本発明においては、金属めっき層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、例えば2μm以下、中でも1.6μm以下が好ましい。   The metal plating layer can be formed by a general plating method. In particular, in the present invention, the metal plating layer is preferably formed by an electrolytic plating method. This is because the metal plating layer can be formed with high accuracy. In the present invention, the difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion of the metal plating layer is, for example, 2 μm or less, preferably 1.6 μm or less.

なお、本発明は、金属めっき層のエッチングを行うことにより配線パターン層を形成するサブトラクティブ法と呼ばれる方法により配線パターン層を形成する。これに対して、アディティブ法により配線パターン層を形成する方法が知られており、具体的には、絶縁層上に所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成されていない絶縁層の表面に、電解めっき法等により配線パターン層を形成する方法である。ところで、上記のアディティブ法により配線パターン層を形成する場合は、レジストパターンの粗密により、電場が不均一になり、配線パターン層の膜厚のバラつきが大きくなってしまうという問題があった。これに対して、本発明のように、サブトラクティブ法により配線パターン層を形成する場合は、配線パターン層の膜厚が、原材料である積層体の金属めっき層の膜厚により規定されるため、膜厚のバラつきが小さいという利点を有する。   In the present invention, the wiring pattern layer is formed by a method called a subtractive method in which the wiring pattern layer is formed by etching the metal plating layer. On the other hand, a method of forming a wiring pattern layer by an additive method is known. Specifically, a predetermined resist pattern is formed on the insulating layer, and the surface of the insulating layer on which the resist pattern is not formed is formed. In this method, a wiring pattern layer is formed by an electrolytic plating method or the like. By the way, when the wiring pattern layer is formed by the above-described additive method, there is a problem that the electric field becomes non-uniform due to the density of the resist pattern and the film thickness of the wiring pattern layer becomes large. On the other hand, when the wiring pattern layer is formed by the subtractive method as in the present invention, the film thickness of the wiring pattern layer is defined by the film thickness of the metal plating layer of the laminate that is the raw material. There is an advantage that the variation in film thickness is small.

本発明に用いられる積層体の形成方法としては、上記の積層体を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、金属基板としてのSUSの表面上に、ポリイミド前駆体含有塗工液を塗布し熱処理することによりポリイミドからなる絶縁層を形成し、次に、スパッタリング法によりシード層を形成し、最後に、電解めっき法によりCuめっきからなる金属めっき層を形成する方法等を挙げることができる。   The method for forming the laminate used in the present invention is not particularly limited as long as it is a method capable of obtaining the above laminate. For example, a polyimide precursor is formed on the surface of SUS as a metal substrate. A method of forming an insulating layer made of polyimide by applying and heat-treating the containing coating solution, then forming a seed layer by a sputtering method, and finally forming a metal plating layer made of Cu plating by an electrolytic plating method Etc.

2.第一のメタルエッチング工程
次に、本発明における第一のメタルエッチング工程について説明する。本発明における第一のメタルエッチング工程は、上記金属基板の表面および上記金属めっき層の表面に、パターン状のレジストを形成し、エッチングを行うことにより、上記金属基板に治具孔を形成し、かつ、上記金属めっき層を配線パターン層に加工する工程である。
2. First Metal Etching Step Next, the first metal etching step in the present invention will be described. In the first metal etching step of the present invention, a patterned resist is formed on the surface of the metal substrate and the surface of the metal plating layer, and etching is performed to form a jig hole in the metal substrate. And it is the process of processing the said metal plating layer into a wiring pattern layer.

また、本工程は、上記金属基板に治具孔を形成し、かつ、上記金属めっき層を配線パターン層に加工する工程である。したがって、上記金属基板および上記金属めっき層を同時にエッチングするものであっても良いが、上記金属基板および上記金属めっき層を順にエッチングするものであっても良い。また、上記金属基板および上記金属めっき層を順にエッチングする場合におけるエッチングの順番としては、上記金属基板および上記金属めっき層のいずれを先にエッチングするものであっても良い。
なお、上記金属めっき層がエッチングされる場合、通常、上記シード層も同時にエッチングされるものである。
Further, this step is a step of forming a jig hole in the metal substrate and processing the metal plating layer into a wiring pattern layer. Therefore, the metal substrate and the metal plating layer may be etched simultaneously, but the metal substrate and the metal plating layer may be etched in order. Moreover, as an order of etching in the case of sequentially etching the metal substrate and the metal plating layer, either the metal substrate or the metal plating layer may be etched first.
In addition, when the said metal plating layer is etched, the said seed layer is normally etched simultaneously.

具体的には、上述した図1(b)および図1(c)に示すように、金属基板1の表面および金属めっき層4の表面に、パターン状のレジスト11、12を形成し、金属基板1の表面に治具孔1aを形成し、金属めっき層4を配線パターン層4aに加工する工程である。本発明においては、必要に応じて、フライングリード部を形成する抜き孔1bを、治具孔1aと同時に形成しても良い。なお、フライングリード部のような両面接続を行わず、片面接続で良い場合は、抜き孔1bを形成する必要はない。   Specifically, as shown in FIG. 1B and FIG. 1C described above, patterned resists 11 and 12 are formed on the surface of the metal substrate 1 and the surface of the metal plating layer 4 to form the metal substrate. 1 is a step of forming a jig hole 1a on the surface of 1 and processing the metal plating layer 4 into a wiring pattern layer 4a. In the present invention, if necessary, the hole 1b for forming the flying lead portion may be formed simultaneously with the jig hole 1a. In addition, when the double-sided connection as in the flying lead portion is not performed and the single-sided connection is sufficient, it is not necessary to form the hole 1b.

本発明においては、第一のメタルエッチング工程で、金属基板に治具孔や抜き孔等を形成するが、金属基板の大部分はエッチングしない。そのため、積層体の剛性を高く維持した状態で絶縁層のエッチング等を行うことができ、各工程間の搬送時に、加工途中の積層体が変形することを抑制することができる。本発明において、治具孔以外の金属基板の加工は、通常、後述する第二のメタルエッチング工程で行う。   In the present invention, jig holes and punch holes are formed in the metal substrate in the first metal etching step, but most of the metal substrate is not etched. Therefore, the insulating layer can be etched in a state where the rigidity of the laminated body is maintained high, and deformation of the laminated body during processing can be suppressed during conveyance between the processes. In the present invention, the processing of the metal substrate other than the jig hole is usually performed in a second metal etching step described later.

本発明においては、金属めっき層を配線パターン層に加工する際に、金属基板に治具孔を形成する。これにより、まず、治具孔と配線パターン層との相対的な位置関係を決定することができる。本発明において、「治具孔」とは、積層体を治具で固定するための孔をいい、この治具孔を基準として各種の位置合わせを行う。本発明においては、位置合わせの基準を治具孔に統一することにより、積層体の加工を精度良く行うことができる。治具孔の形状は、用いられる治具の形状により異なるものであるが、通常円形または長孔等である。治具孔の直径は、特に限定されるものではないが、例えば0.5mm〜3mmの範囲内である。   In the present invention, jig holes are formed in the metal substrate when the metal plating layer is processed into the wiring pattern layer. Thereby, first, the relative positional relationship between the jig hole and the wiring pattern layer can be determined. In the present invention, the “jig hole” refers to a hole for fixing the laminated body with a jig, and various alignments are performed based on the jig hole. In the present invention, the laminated body can be processed with high accuracy by unifying the alignment reference to the jig hole. The shape of the jig hole varies depending on the shape of the jig used, but is usually a circle or a long hole. Although the diameter of a jig hole is not specifically limited, For example, it exists in the range of 0.5 mm-3 mm.

第一のメタルエッチング工程においては、金属基板に対して、少なくとも治具孔を形成し、必要に応じてフライングリード部の抜き孔を同時に形成する。一方、第一のメタルエッチング工程終了後の積層体の金属基板が、ある程度の剛性を維持していれば、搬送時に加工途中の積層体が変形することを防止することができる。金属基板の表面において、第一のメタルエッチング工程により加工される領域の面積をSとし、全面積をSとした場合に、S/Sは、例えば0.6以下、中でも0.01〜0.5の範囲内であることが好ましい。 In the first metal etching step, at least a jig hole is formed in the metal substrate, and if necessary, a hole for the flying lead is simultaneously formed. On the other hand, if the metal substrate of the laminated body after completion of the first metal etching step maintains a certain degree of rigidity, it is possible to prevent the laminated body being processed from being deformed during conveyance. The surface of the metal substrate, the area of the region to be processed by the first metal etching step was S A, when the total area was S T, the S A / S T, for example 0.6 or less, preferably 0. It is preferable to be within the range of 01 to 0.5.

一方、配線側では、金属めっき層をエッチングすることにより、配線パターン層を形成する。本発明に用いられる金属めっき層は、通常、従来の圧延銅等よりも膜厚が薄いため、微細な配線パターン層を形成することができる。配線パターンの幅としては、例えば10μm以上、中でも20μm〜30μmの範囲内であることが好ましい。一方、隣接する配線パターンの間隔としては、例えば10μm以上、中でも20μm〜30μmの範囲内であることが好ましい。   On the other hand, on the wiring side, a wiring pattern layer is formed by etching the metal plating layer. Since the metal plating layer used in the present invention is usually thinner than conventional rolled copper or the like, a fine wiring pattern layer can be formed. The width of the wiring pattern is, for example, preferably 10 μm or more, and more preferably in the range of 20 μm to 30 μm. On the other hand, the interval between adjacent wiring patterns is, for example, preferably 10 μm or more, and more preferably in the range of 20 μm to 30 μm.

本発明に用いられるレジストとしては、固体状のレジストであっても良く、液体状のレジストであっても良いが工程が増えるため、固体状のレジストであることが好ましい。具体的には、ドライフィルムレジスト(DFR)を用いることが好ましい。微細な配線パターン層を得ることができるからである。   The resist used in the present invention may be a solid resist or a liquid resist. However, since the number of steps is increased, a solid resist is preferable. Specifically, it is preferable to use a dry film resist (DFR). This is because a fine wiring pattern layer can be obtained.

金属基板の表面および金属めっき層の表面にパターン状のレジストを形成する方法は、特に限定されるものではなく、一般的な方法を用いることができる。具体的には、金属基板の表面および金属めっき層の表面に、それぞれレジストを配置し、所望のパターンに露光した後、現像する方法等を挙げることができる。   The method for forming the patterned resist on the surface of the metal substrate and the surface of the metal plating layer is not particularly limited, and a general method can be used. Specifically, a method may be mentioned in which a resist is arranged on the surface of the metal substrate and the surface of the metal plating layer, developed in a desired pattern, and then developed.

金属基板および金属めっき層をエッチングする方法としては、例えばウェットエッチング等を挙げることができる。さらに、ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、用いられる金属基板および金属めっき層の材料に応じて、適宜選択することが好ましい。例えば、金属基板がSUSである場合は、塩化第二鉄系エッチング液を用いることができる。金属めっき層が銅めっき層である場合は、塩化第二鉄系エッチング液または塩化銅系エッチング液を用いることができる。本発明においては、パターン状のレジストを形成した後、金属基板および金属めっき層を別々にエッチングしても良いが、金属基板および金属めっき層を同時にエッチングすることが好ましい。工程数が少なくなるからである。   Examples of the method for etching the metal substrate and the metal plating layer include wet etching. Furthermore, it is preferable that the etching solution used for wet etching is appropriately selected according to the material of the metal substrate and the metal plating layer to be used. For example, when the metal substrate is SUS, a ferric chloride etching solution can be used. When the metal plating layer is a copper plating layer, a ferric chloride etching solution or a copper chloride etching solution can be used. In the present invention, after the patterned resist is formed, the metal substrate and the metal plating layer may be etched separately, but it is preferable to simultaneously etch the metal substrate and the metal plating layer. This is because the number of processes is reduced.

3.カバー層形成工程
次に、本発明におけるカバー層形成工程について説明する。本発明におけるカバー層形成工程は、液状カバー材を用いて、上記配線パターン層の表面の一部が露出する配線パターン層露出開口部を有するカバー層を形成する工程である。
3. Cover Layer Formation Step Next, the cover layer formation step in the present invention will be described. The cover layer forming step in the present invention is a step of forming a cover layer having a wiring pattern layer exposed opening through which a part of the surface of the wiring pattern layer is exposed using a liquid cover material.

具体的には、上述した図1(d)に示すように、配線パターン層4aの表面の一部が露出する配線パターン層露出開口部(図示せず)を有するカバー層5を形成する工程である。配線パターン層露出開口部により露出する配線パターン層4aの表面には、後述する保護めっき部が形成される。   Specifically, as shown in FIG. 1D described above, in the step of forming the cover layer 5 having a wiring pattern layer exposed opening (not shown) in which a part of the surface of the wiring pattern layer 4a is exposed. is there. A protective plating portion to be described later is formed on the surface of the wiring pattern layer 4a exposed through the wiring pattern layer exposure opening.

本発明においては、絶縁層のエッチングを行う前に、カバー層を形成することにより、液状カバー材が治具孔等に流れ込むことを防止することができる。これにより、均一な膜厚を有するカバー層を形成することができる。ここで図4は、従来のカバー層形成工程を説明する説明図である。なお、便宜上シード層の記載は省略し、図1と重複する一部の符号についても説明を省略する。従来は、図4(a)に示すように、カバー層を形成する前に、既に絶縁層2をエッチングしていたため、治具孔1bが貫通している状態であった。そのため、液状カバー材を用いてカバー層を形成する際には、治具孔1bの下に、流出防止材31を配置する必要があり(図4(b))、流出防止材31を配置した場合であっても、液状カバー材5´が治具孔1bに流れ込む場合があった(図4(c))。その結果、得られるカバー層5の膜厚が不均一になり、カバー層5に覆われていない配線パターン層4aの領域が発生する等の問題があった(図4(d))。また、このようなことから、従来の方法により形成されたサスペンション用基板では、上記治具孔または抜き孔が多く形成されている箇所に形成されたカバー層の膜厚と、上記治具孔または抜き孔が少ない箇所に形成されたカバー層の膜厚との差が大きいものとなるといった問題があった。   In the present invention, by forming the cover layer before etching the insulating layer, the liquid cover material can be prevented from flowing into the jig hole or the like. Thereby, a cover layer having a uniform film thickness can be formed. FIG. 4 is an explanatory view for explaining a conventional cover layer forming step. For the sake of convenience, the description of the seed layer is omitted, and description of some reference numerals overlapping with those in FIG. 1 is also omitted. Conventionally, as shown in FIG. 4A, since the insulating layer 2 has already been etched before the cover layer is formed, the jig hole 1b has penetrated. Therefore, when forming a cover layer using a liquid cover material, it is necessary to arrange the outflow prevention material 31 under the jig hole 1b (FIG. 4B), and the outflow prevention material 31 is arranged. Even in this case, the liquid cover material 5 ′ may flow into the jig hole 1 b (FIG. 4C). As a result, the film thickness of the obtained cover layer 5 becomes non-uniform, and there is a problem that a region of the wiring pattern layer 4a that is not covered by the cover layer 5 is generated (FIG. 4D). In addition, for this reason, in the suspension substrate formed by the conventional method, the film thickness of the cover layer formed at a location where many jig holes or punch holes are formed, the jig hole or There has been a problem that the difference from the film thickness of the cover layer formed in a portion having few punch holes becomes large.

これに対して、本発明においては、絶縁層のエッチングを行う前に、カバー層を形成することにより、液状カバー材の流れ込みを防止することができる。ここで図5は、本発明におけるカバー層形成工程を説明する説明図である。なお、便宜上シード層の記載は省略し、図1と重複する一部の符号についても説明を省略する。本発明においては、図5(a)に示すように、絶縁層2をエッチングする前の段階で、カバー層を形成する。従来の方法と異なり、治具孔1bは貫通していない状態である。そのため、液状カバー材5´が治具孔1bに流れ込むことはなく(図5(b))、均一な膜厚のカバー層5を得ることができ、カバー層5に覆われていない配線パターン層4aの領域が発生することを防止することができる(図5(c))。そして、カバー層5を形成した後に、絶縁層2のエッチングを行う(図5(d))。   On the other hand, in the present invention, the liquid cover material can be prevented from flowing in by forming the cover layer before the insulating layer is etched. Here, FIG. 5 is an explanatory view for explaining the cover layer forming step in the present invention. For the sake of convenience, the description of the seed layer is omitted, and description of some reference numerals overlapping with those in FIG. 1 is also omitted. In the present invention, as shown in FIG. 5A, the cover layer is formed at a stage before the insulating layer 2 is etched. Unlike the conventional method, the jig hole 1b is not penetrating. Therefore, the liquid cover material 5 ′ does not flow into the jig hole 1 b (FIG. 5B), the cover layer 5 having a uniform film thickness can be obtained, and the wiring pattern layer not covered by the cover layer 5 It is possible to prevent the occurrence of the region 4a (FIG. 5C). Then, after forming the cover layer 5, the insulating layer 2 is etched (FIG. 5D).

このため、本工程を行うことにより作製されたサスペンション用基板では、上記治具孔または抜き孔が多く形成されている箇所に形成されたカバー層の膜厚と、上記治具孔または抜き孔が少ない箇所に形成されたカバー層の膜厚との差が小さいものとなる。したがって、上記サスペンション用基板内における配線パターン層上のカバー層の膜厚を均一なものとすることができる。
ここで、上記カバー層の膜厚の差が大きい場合、カバー層の膜厚が薄いために、上記配線パターン層が十分に被覆されない箇所が生じるおそれがある。そこで、このような被覆されない箇所が生じることを防ぐために、上記カバー層の膜厚を全体的に厚いものとする必要がある。
一方、本工程により形成されるカバー層は、上記配線パターン層上の膜厚が均一なものとすることができるため、上記カバー層による上記配線パターン層の被覆を確実なものとすることができる。また、このようなことより、上記カバー層の膜厚を薄いものとすることができるのである。
さらに、上記カバー層の膜厚を薄いものとすることができることにより、本発明の製造方法により製造されるサスペンション用基板の低剛性化および軽量化を図ることができる。また、その結果、上記サスペンション用基板をハードディスクドライブに用いた場合には、消費電力の少ないものとすることができる。
なお、このような上記配線パターン層上のカバー層の最大膜厚部および最小膜厚部の差としては、例えば1.3μm以下、なかでも1.0μm以下が好ましい。
For this reason, in the suspension substrate manufactured by performing this step, the film thickness of the cover layer formed at a location where many jig holes or punch holes are formed, and the jig holes or punch holes are not formed. A difference with the film thickness of the cover layer formed in few places becomes small. Therefore, the film thickness of the cover layer on the wiring pattern layer in the suspension substrate can be made uniform.
Here, when the difference in the film thickness of the cover layer is large, there is a possibility that a portion where the wiring pattern layer is not sufficiently covered occurs due to the thin film thickness of the cover layer. Therefore, in order to prevent such an uncovered portion from occurring, it is necessary to increase the thickness of the cover layer as a whole.
On the other hand, since the cover layer formed in this step can have a uniform film thickness on the wiring pattern layer, the covering of the wiring pattern layer by the cover layer can be ensured. . Moreover, the film thickness of the said cover layer can be made thin from such a thing.
Furthermore, since the film thickness of the cover layer can be made thin, the suspension substrate manufactured by the manufacturing method of the present invention can be reduced in rigidity and weight. As a result, when the suspension board is used in a hard disk drive, the power consumption can be reduced.
The difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion of the cover layer on the wiring pattern layer is, for example, 1.3 μm or less, preferably 1.0 μm or less.

本発明に用いられる液状カバー材は、少なくともカバー層形成用樹脂を含有するものである。さらに、必要に応じて、カバー層形成用樹脂を溶解させる溶媒を含有していても良い。カバー層形成用樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂等を挙げることができる。また、カバー層形成用樹脂は、感光性樹脂であっても良く、非感光性樹脂であっても良いが、中でも非感光性樹脂が好ましい。膜厚の薄いカバー層を形成することができるからである。   The liquid cover material used in the present invention contains at least a cover layer forming resin. Furthermore, you may contain the solvent which dissolves the resin for cover layer formation as needed. Examples of the cover layer forming resin include a polyimide resin and an epoxy resin. The resin for forming the cover layer may be a photosensitive resin or a non-photosensitive resin, but among them, the non-photosensitive resin is preferable. This is because a thin cover layer can be formed.

上記液状カバー材は、粘度が低いものであることが好ましい。膜厚の薄いカバー層を得ることができるからである。液状カバー材の粘度としては、例えば、常温で500cP〜5000cPの範囲内、中でも500cP〜1000cPの範囲内であることが好ましい。
配線パターン層上に形成されるカバー層の膜厚としては、特に限定されるものではないが、例えば3μm〜20μmの範囲内、中でも5μm〜10μmの範囲内であることが好ましい。
また、上記液状カバー材の粘度としては、上記液状カバー材を用いたカバー層の形成が、フープ加工により行なわれる場合、通常500cP〜10,000cPの範囲内である。また、スクリーン印刷法により行なわれる場合、通常10,000cP〜40,000cPの範囲内である。
The liquid cover material preferably has a low viscosity. This is because a thin cover layer can be obtained. The viscosity of the liquid cover material is, for example, preferably in the range of 500 cP to 5000 cP at room temperature, and more preferably in the range of 500 cP to 1000 cP.
The thickness of the cover layer formed on the wiring pattern layer is not particularly limited, but is preferably in the range of 3 μm to 20 μm, and more preferably in the range of 5 μm to 10 μm.
The viscosity of the liquid cover material is usually in the range of 500 cP to 10,000 cP when the cover layer using the liquid cover material is formed by hoop processing. Moreover, when performed by the screen printing method, it is usually in the range of 10,000 cP to 40,000 cP.

カバー層を形成する方法としては、液状カバー材を用いる方法であれば特に限定されるものではない。例えば、液状カバー材が感光性樹脂を含有する場合は、配線パターン層を覆うように液状カバー材を塗布し、乾燥させ、露光現像する方法等を挙げることができる。一方、液状カバー材が非感光性樹脂を含有する場合は、以下の方法を採用することができる。すなわち、まず配線パターン層を覆うように液状カバー材を塗布し、乾燥させることにより非感光性樹脂層を形成する。次に、その非感光性樹脂層の上に、感光性樹脂層を形成し、その感光性樹脂層をパターン状に露光する。次に、露光された感光性樹脂層の現像と同時に、非感光性樹脂層のエッチングを行い、最後に、感光性樹脂層を剥離する。この方法により、膜厚の薄いカバー層を得ることができる。   The method for forming the cover layer is not particularly limited as long as it uses a liquid cover material. For example, when the liquid cover material contains a photosensitive resin, a method of applying the liquid cover material so as to cover the wiring pattern layer, drying, exposing and developing, and the like can be exemplified. On the other hand, when the liquid cover material contains a non-photosensitive resin, the following method can be employed. That is, first, a liquid cover material is applied so as to cover the wiring pattern layer, and dried to form a non-photosensitive resin layer. Next, a photosensitive resin layer is formed on the non-photosensitive resin layer, and the photosensitive resin layer is exposed in a pattern. Next, simultaneously with the development of the exposed photosensitive resin layer, the non-photosensitive resin layer is etched, and finally the photosensitive resin layer is peeled off. By this method, a thin cover layer can be obtained.

4.絶縁層エッチング工程
次に、本発明における絶縁層エッチング工程について説明する。本発明における絶縁層エッチング工程は、上記カバー層を形成した後に、上記絶縁層のエッチングを行う工程である。
4). Insulating Layer Etching Step Next, the insulating layer etching step in the present invention will be described. The insulating layer etching step in the present invention is a step of etching the insulating layer after forming the cover layer.

具体的には、上述した図1(e)および図1(f)に示すように、積層体10の両面に、ポリイミドエッチング用のパターン状のレジスト13、14を形成し、エッチング液を用いて絶縁層2をエッチングする工程である。本工程により、初めて治具孔1aが貫通する。また、必要に応じて、同時にフライングリード部の抜き孔1bを形成しても良い。   Specifically, as shown in FIG. 1E and FIG. 1F described above, patterned resists 13 and 14 for polyimide etching are formed on both surfaces of the laminate 10, and an etching solution is used. This is a step of etching the insulating layer 2. The jig hole 1a penetrates for the first time by this process. Moreover, you may form the hole 1b of a flying lead part simultaneously as needed.

なお、本発明において、絶縁層エッチング工程と、後述する保護めっき部形成工程とは、どちらの工程を先に行っても良いが、例えば、両面で接続可能なフライングリード部を有するサスペンション用基板を形成する時には、通常、最初に絶縁層エッチング工程を行い、次に保護めっき部形成工程を行う。フライングリード部の抜き孔を形成する必要があるからである。一方、フライングリード部のような両面接続を行わず、片面接続で良い場合は、絶縁層エッチング工程および保護めっき部形成工程は、どちらの工程を先に行っても良い。   In the present invention, either the insulating layer etching step or the protective plating portion forming step to be described later may be performed first. For example, a suspension substrate having a flying lead portion that can be connected on both sides is used. When forming, usually, an insulating layer etching step is first performed, and then a protective plating portion forming step is performed. This is because it is necessary to form a hole in the flying lead portion. On the other hand, when the double-sided connection as in the flying lead portion is not performed and the single-sided connection is sufficient, either of the insulating layer etching step and the protective plating portion forming step may be performed first.

本発明において、絶縁層のエッチングパターンは、目的とするサスペンション用基板の形状等に応じて、適宜設定することが好ましい。また、絶縁層をエッチングする方法としては、上述したように、エッチングしない領域にパターン状のレジストを形成し、その後、所定のエッチング液で絶縁層をエッチングする方法等を挙げることができる。本発明においては、ドライフィルムレジストを用いることが好ましい。また、プラズマエッチング等により、絶縁層のエッチングを行っても良い。   In the present invention, the etching pattern of the insulating layer is preferably set as appropriate according to the shape of the target suspension substrate. As a method for etching the insulating layer, as described above, a method of forming a patterned resist in a region not to be etched, and then etching the insulating layer with a predetermined etching solution can be used. In the present invention, it is preferable to use a dry film resist. In addition, the insulating layer may be etched by plasma etching or the like.

5.保護めっき部形成工程
次に、本発明における保護めっき部形成工程について説明する。本発明における保護めっき部形成工程は、上記配線パターン層露出開口部により露出する配線パターン層の表面に、保護めっき部を形成する工程である。
5. Next, the protective plating part forming step in the present invention will be described. The protective plating portion forming step in the present invention is a step of forming a protective plating portion on the surface of the wiring pattern layer exposed through the wiring pattern layer exposure opening.

具体的には、上述した図2(g)に示すように、カバー層形成工程により形成された配線パターン層露出開口部から露出する配線パターン層4aの表面に、保護めっき部6を形成する工程である。   Specifically, as shown in FIG. 2G described above, a step of forming the protective plating portion 6 on the surface of the wiring pattern layer 4a exposed from the wiring pattern layer exposed opening formed by the cover layer forming step. It is.

本発明においては、まずカバー層を形成し、そのカバー層の配線パターン層露出開口部から露出する配線パターン層の表面のみに保護めっき部を形成することで、低剛性のサスペンション用基板を得ることができる。従来は、カバー層を形成する前に保護めっき部を形成しており、例えば図6(a)に示すように、配線パターン層4aの表面および側面に保護めっき部6が形成されていた。そのため、サスペンション用基板の低剛性化を充分に図ることができないという問題があった。   In the present invention, first, a cover layer is formed, and a protective plating portion is formed only on the surface of the wiring pattern layer exposed from the wiring pattern layer exposed opening of the cover layer, thereby obtaining a low-rigidity suspension substrate. Can do. Conventionally, the protective plating portion is formed before the cover layer is formed. For example, as shown in FIG. 6A, the protective plating portion 6 is formed on the surface and side surfaces of the wiring pattern layer 4a. For this reason, there has been a problem that the suspension substrate cannot be sufficiently reduced in rigidity.

これに対して、本発明においては、保護めっき部を形成する前にカバー層を形成することにより、例えば図6(b)に示すように、配線パターン層4aの表面の必要な部分のみに保護めっき部6を形成することができ、サスペンション用基板の低剛性化を充分に図ることができる。なお、図6において、図1と重複する一部の符号については説明を省略する。   On the other hand, in the present invention, by forming the cover layer before forming the protective plating portion, for example, as shown in FIG. 6 (b), only a necessary portion of the surface of the wiring pattern layer 4a is protected. The plating part 6 can be formed, and the rigidity of the suspension substrate can be sufficiently reduced. In FIG. 6, the description of a part of the reference numerals overlapping those in FIG. 1 is omitted.

本発明に用いられる保護めっき部の材料としては、配線パターン層等の腐食を防止することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ニッケル(Ni)、金(Au)等を挙げることができ、中でも金(Au)が好ましい。耐腐食性に優れているからである。   The material of the protective plating portion used in the present invention is not particularly limited as long as it can prevent corrosion of the wiring pattern layer and the like. For example, nickel (Ni), gold (Au), etc. Among them, gold (Au) is preferable. It is because it is excellent in corrosion resistance.

上記保護めっき部の膜厚は、例えば5μm以下、中でも1μm〜2μmの範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、配線パターン層の腐食等を効果的に防止できるからである。
また、上記保護めっき部は、一般的なめっき法により形成可能である。中でも本発明においては、上記保護めっき部が電解めっき法により形成されたものであることが好ましい。精度良く保護めっき部を形成することができるからである。
The film thickness of the protective plating portion is, for example, 5 μm or less, and preferably in the range of 1 μm to 2 μm. It is because corrosion of a wiring pattern layer etc. can be prevented effectively because it is the said range.
The protective plating portion can be formed by a general plating method. Especially in this invention, it is preferable that the said protective plating part is formed by the electroplating method. This is because the protective plating portion can be formed with high accuracy.

6.第二のメタルエッチング工程
次に、本発明における第二のメタルエッチング工程について説明する。本発明における第二のメタルエッチング工程は、上記絶縁層エッチング工程および上記保護めっき部形成工程の後に、上記金属基板の外形加工を行う工程である。
6). Second Metal Etching Step Next, the second metal etching step in the present invention will be described. The 2nd metal etching process in this invention is a process of performing the external shape process of the said metal substrate after the said insulating layer etching process and the said protective plating part formation process.

具体的には、上述した図2(h)および図2(i)に示すように、積層体10の両面にメタルエッチング用のパターン状のレジスト15、16を形成し、エッチング液を用いて金属基板1の外形加工を行う工程である。   Specifically, as shown in FIG. 2 (h) and FIG. 2 (i) described above, patterned resists 15 and 16 for metal etching are formed on both surfaces of the laminate 10, and metal is etched using an etching solution. This is a step of performing the outer shape processing of the substrate 1.

本発明においては、第一のメタルエッチング工程で、金属基板に治具孔や抜き孔等を形成するが、金属基板の大部分はエッチングされない。そのため、積層体の剛性を高く維持した状態で絶縁層のエッチング等を行うことができ、搬送時に、加工途中の積層体が変形することを抑制することができる。その後、絶縁層等のエッチング等が終わった後に、加工されていない金属基板を所定の形状に合わせてエッチングすることにより、低剛性のサスペンション用基板を歩留まり良く製造することができる。   In the present invention, jig holes and punch holes are formed in the metal substrate in the first metal etching step, but most of the metal substrate is not etched. Therefore, the insulating layer can be etched in a state where the rigidity of the laminated body is maintained high, and deformation of the laminated body during processing can be suppressed during conveyance. Thereafter, after the etching of the insulating layer or the like is finished, the unprocessed metal substrate is etched according to a predetermined shape, whereby a low-rigidity suspension substrate can be manufactured with a high yield.

なお、金属基板をエッチングする方法、および用いられるエッチング液の種類等については、上記「1.第一のメタルエッチング工程」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。   The method for etching the metal substrate and the kind of the etching solution used are the same as the contents described in the above “1. First metal etching step”, and thus the description thereof is omitted here.

7.半田バンプ部形成工程
本発明においては、第二のメタルエッチング工程の後に、端子部の保護めっき部上に、半田バンプ部を形成する半田バンプ部形成工程を行っても良い。半田バンプ部形成工程は、上述した図2(j)に示すように、端子部Aの保護めっき部6の表面に、半田バンプ部7を形成する工程である。
7). Solder bump part formation process In this invention, you may perform the solder bump part formation process which forms a solder bump part on the protective plating part of a terminal part after a 2nd metal etching process. The solder bump portion forming step is a step of forming the solder bump portion 7 on the surface of the protective plating portion 6 of the terminal portion A as shown in FIG.

上記半田バンプ部を形成するために用いられるはんだは、鉛含有はんだと、鉛フリーはんだとに大別することができる。中でも、本発明においては、鉛フリーはんだを用いることが好ましい。環境への負荷を低減できるからである。上記鉛フリーはんだとしては、具体的には、Sn−Sb系、Sn−Cu系、Sn−Cu−Ni系、Sn−Ag系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Ag−Cu−Bi系、Sn−Zn系、Sn−Ag−In−Bi系、Sn−Zn系、Sn−Bi系、およびSn−In系、Sn−Sb系のはんだ等を挙げることができる。   The solder used to form the solder bump portion can be roughly classified into lead-containing solder and lead-free solder. Among these, in the present invention, it is preferable to use lead-free solder. This is because the load on the environment can be reduced. Specific examples of the lead-free solder include Sn—Sb, Sn—Cu, Sn—Cu—Ni, Sn—Ag, Sn—Ag—Cu, Sn—Ag—Cu—Bi, Examples thereof include Sn—Zn, Sn—Ag—In—Bi, Sn—Zn, Sn—Bi, Sn—In, and Sn—Sb solders.

上記半田バンプ部を形成する方法としては、所望の半田バンプ部を形成できる方法であえば特に限定されるものではないが、例えばスクリーン印刷法、ディスペンス法、インクジェット法等を挙げることができ、中でもスクリーン印刷法が好ましい。   The method for forming the solder bump portion is not particularly limited as long as it is a method capable of forming a desired solder bump portion, and examples thereof include a screen printing method, a dispensing method, an ink jet method, and the like. Screen printing is preferred.

8.その他
上記「3.カバー層形成工程」に記載したように、本発明においては、絶縁層のエッチングを行う前に、カバー層を形成することにより、液状カバー材が治具孔に流れ込むことを防止することができる。この観点から、本発明においては、積層体準備工程と、第一のメタルエッチング工程と、カバー層形成工程と、絶縁層エッチング工程と、第二のメタルエッチング工程とを有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供することができる。各工程については、上述した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
8). Others As described in the above “3. Cover layer forming step”, in the present invention, the liquid cover material is prevented from flowing into the jig hole by forming the cover layer before etching the insulating layer. can do. From this point of view, in the present invention, the suspension has a laminate preparation step, a first metal etching step, a cover layer forming step, an insulating layer etching step, and a second metal etching step. The manufacturing method of the board | substrate can be provided. Since each process is the same as the content mentioned above, description here is abbreviate | omitted.

また、上記「5.保護めっき部形成工程」に記載したように、本発明においては、まずカバー層を形成し、そのカバー層の配線パターン層露出開口部から露出する配線パターン層の表面のみに保護めっき部を形成することで、低剛性のサスペンション用基板を得ることができる。この観点から、本発明においては、積層体準備工程と、第一のメタルエッチング工程と、カバー層形成工程と、保護めっき部形成工程と、第二のメタルエッチング工程とを有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供することができる。各工程については、上述した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。   Further, as described in the above “5. Protection plating portion forming step”, in the present invention, a cover layer is first formed, and only on the surface of the wiring pattern layer exposed from the wiring pattern layer exposed opening of the cover layer. By forming the protective plating portion, a suspension substrate with low rigidity can be obtained. From this point of view, the present invention is characterized by having a laminate preparation step, a first metal etching step, a cover layer forming step, a protective plating portion forming step, and a second metal etching step. A method of manufacturing a suspension substrate can be provided. Since each process is the same as the above-mentioned content, description here is abbreviate | omitted.

本発明においては、上記カバー層形成工程に替えて、カバー層形成用ドライフィルムを用いてカバー層を形成するドライカバー層形成工程を行なっても良い。絶縁層のエッチングを行う前にカバー層を形成することにより、カバー層形成用ドライフィルムを上記配線パターン層上に積層する際に、上記カバー層形成用ドライフィルムが治具孔等に流れこむことを防止することができるからである。これにより、均一な膜厚を有するカバー層を形成することができるからである。さらに、上記サスペンション用基板内におけるカバー層の膜厚を均一なものとすることができるからである。   In this invention, it may replace with the said cover layer formation process and may perform the dry cover layer formation process which forms a cover layer using the dry film for cover layer formation. By forming a cover layer before etching the insulating layer, when the cover layer forming dry film is laminated on the wiring pattern layer, the cover layer forming dry film flows into a jig hole or the like. It is because it can prevent. This is because a cover layer having a uniform film thickness can be formed. Further, the film thickness of the cover layer in the suspension substrate can be made uniform.

上記ドライカバー層形成工程において、カバー層を形成する方法としては、カバー層形成用ドライフィルムを用いる方法であれば良い。具体的には、上記カバー層形成用ドライフィルムを、上記配線パターン層表面を覆うように配置した後、加熱圧着することにより積層する。次いで、積層されたカバー層形成用ドライフィルムを、露光および現像する方法を挙げることができる。
ここで、露光および現像する方法としては、上記「3.カバー層形成工程」の項に記載した内容と同様とすることができる。また、上記カバー層形成用ドライフィルムとしては、サスペンション用基板の製造に一般的に用いられるものを使用することができる。
In the dry cover layer forming step, the method for forming the cover layer may be a method using a dry film for forming a cover layer. Specifically, after the cover layer forming dry film is disposed so as to cover the surface of the wiring pattern layer, it is laminated by thermocompression bonding. Then, the method of exposing and developing the laminated dry film for cover layer formation can be mentioned.
Here, the exposure and development methods can be the same as those described in the above section “3. Cover layer forming step”. Moreover, as the dry film for forming the cover layer, those generally used for manufacturing a suspension substrate can be used.

B.サスペンション用基板
次に、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンションは、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたシード層と、上記シード層上にパターン状に形成された金属めっき層からなる配線パターン層と、を少なくとも有し、上記配線パターン層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、2μm以下であることを特徴とするものである。
B. Next, the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension of the present invention includes a metal substrate, an insulating layer formed on the metal substrate, a seed layer formed on the insulating layer, and a metal plating layer formed in a pattern on the seed layer. At least a wiring pattern layer, and the difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion of the wiring pattern layer is 2 μm or less.

このようなサスペンション用基板としては、既に説明した図2(j)に示すものとすることができる。
ここで、上記配線パターン層4aの最大膜厚部および最小膜厚部の差が2μm以下のものである。
Such a suspension substrate may be as shown in FIG. 2 (j) already described.
Here, the difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion of the wiring pattern layer 4a is 2 μm or less.

本発明によれば、上記配線パターン層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、2μm以下であることにより、上記配線パターン層の薄膜化を容易なものとし、軽量なものとすることができる。   According to the present invention, since the difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion of the wiring pattern layer is 2 μm or less, the wiring pattern layer can be easily thinned and lightweight. Can do.

本発明のサスペンション用基板は、少なくとも、金属基板、絶縁層、シード層および配線パターン層を有するものである。また、必要に応じて、カバー層を有するものであっても良い。
なお、金属基板、絶縁層、およびシード層としては、上記「A.サスペンション用基板の製造方法」の項に記載したものと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
The suspension substrate of the present invention has at least a metal substrate, an insulating layer, a seed layer, and a wiring pattern layer. Moreover, you may have a cover layer as needed.
The metal substrate, the insulating layer, and the seed layer can be the same as those described in the above section “A. Method for manufacturing suspension substrate”, and thus the description thereof is omitted here.

1.配線パターン層
本発明に用いられる配線パターン層は、上記シード層上にパターン状に形成された金属めっき層からなるものである。また、上記配線パターン層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、2μm以下であるものである。
1. Wiring pattern layer The wiring pattern layer used in the present invention is composed of a metal plating layer formed in a pattern on the seed layer. Further, the difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion of the wiring pattern layer is 2 μm or less.

このような配線パターン層としては、例えば、上記シード層の全面に金属めっき層を形成した後、パターン状のレジストを形成し、エッチングすることにより形成されるものを挙げることができる。
本発明においては、なかでも、上記シード層の全面に形成された金属めっき層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が2μm以下であることが好ましい。上記配線パターン層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が確実に2μm以下となるからである。
Examples of such a wiring pattern layer include those formed by forming a metal plating layer on the entire surface of the seed layer, forming a patterned resist, and etching.
In the present invention, the difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion of the metal plating layer formed on the entire surface of the seed layer is preferably 2 μm or less. This is because the difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion of the wiring pattern layer is surely 2 μm or less.

なお、上記金属めっき、上記金属めっきをエッチングする方法、および配線パターン層としては、具体的には、上記「A.サスペンション用基板の製造方法」の項に記載された内容と同様とすることができる。   The metal plating, the method for etching the metal plating, and the wiring pattern layer may be specifically the same as the contents described in the above section “A. Method for manufacturing suspension substrate”. it can.

2.カバー層
本発明に用いられるカバー層は、上記カバー材を用いて上記配線パターン層上に形成され、上記配線パターン層の表面の一部が露出する配線パターン層露出開口部を有するものであれば良い。
2. Cover Layer The cover layer used in the present invention is formed on the wiring pattern layer using the cover material and has a wiring pattern layer exposure opening that exposes a part of the surface of the wiring pattern layer. good.

このようなカバー層の形成に用いられるカバー材としては、液状カバー材およびカバー層形成用ドライフィルム等を用いることができるが、本発明においては、なかでも、液状カバー材を用いることが好ましい。上記カバー層の膜厚を薄いものとすることができるからである。また、その結果、低剛性化および軽量化を図ることができるからである。さらに、このようなことにより、本発明のサスペンション用基板をハードディスクドライブに用いた場合には、低消費電力化を図ることができるからである。   As a cover material used for forming such a cover layer, a liquid cover material, a dry film for forming a cover layer, and the like can be used. In the present invention, it is particularly preferable to use a liquid cover material. This is because the cover layer can be made thin. As a result, it is possible to reduce the rigidity and weight. Furthermore, this makes it possible to reduce the power consumption when the suspension substrate of the present invention is used in a hard disk drive.

なお、上記カバー材、および、上記カバー層の配線パターン層上における最大膜厚部および最小膜厚部の差等については、上記「A.サスペンション用基板の製造方法」の項に記載した内容と同様とすることができるので、ここでの説明を省略する。   The difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion on the wiring pattern layer of the cover material and the cover layer, etc., is the same as the contents described in the section “A. Method for manufacturing suspension substrate”. Since it can be the same, description here is abbreviate | omitted.

3.サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、少なくとも、金属基板、絶縁層、シード層および配線パターン層を有するものである。また、必要に応じて、カバー層を有するものである。さらに、必要に応じて、保護めっき部、半田バンプ部等を有するものであっても良い。
なお、このような保護めっき部および半田バンプ部については、上記「A.サスペンション用基板の製造方法」の項に記載されたものと同様とすることができる。
3. Suspension Substrate The suspension substrate of the present invention has at least a metal substrate, an insulating layer, a seed layer, and a wiring pattern layer. Moreover, it has a cover layer as needed. Furthermore, you may have a protective plating part, a solder bump part, etc. as needed.
The protective plating portion and the solder bump portion can be the same as those described in the above section “A. Method for manufacturing suspension substrate”.

本発明のサスペンション用基板の製造方法としては、少なくとも、上記金属基板、絶縁層、シード層および配線パターン層を、本発明のサスペンション用基板の用途に応じて、精度良く積層されたものとする方法であれば良く、具体的には、上記「A.サスペンション用基板の製造方法」に記載の方法を用いることができる。   As a manufacturing method of the suspension substrate of the present invention, at least the metal substrate, the insulating layer, the seed layer, and the wiring pattern layer are accurately laminated according to the use of the suspension substrate of the present invention. Specifically, the method described in the above-mentioned “A. Manufacturing method of suspension substrate” can be used.

本発明のサスペンション用基板の用途としては、ハードディスクドライブに用いられるサスペンションを挙げることができ、なかでも、低剛性で軽量であることが要求されるサスペンションに好適に用いられる。   Examples of the use of the suspension substrate of the present invention include suspensions used in hard disk drives. Among them, the suspension substrate is suitably used for suspensions that are required to have low rigidity and light weight.

C.サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上記サスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。
C. Suspension Next, the suspension of the present invention will be described. The suspension of the present invention includes the above-described suspension substrate.

このような本発明のサスペンションを図を参照して説明する。図7は、本発明のサスペンションの一例を示す概略図である。図7に例示するように、本発明のサスペンション40は、上記サスペンション用基板20と、ロードビーム41とを有するものであり、ロードビーム41は上記サスペンション用基板20のうち磁気ヘッドスライダーが設置されるスライダー設置位置30が形成されていない側の表面に接着されている。
ここで、上記サスペンション用基板は、上記「B.サスペンション用基板」の項に記載のサスペンション用基板である。
Such a suspension of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a schematic view showing an example of the suspension of the present invention. As illustrated in FIG. 7, the suspension 40 of the present invention includes the suspension substrate 20 and a load beam 41, and the load beam 41 is provided with a magnetic head slider in the suspension substrate 20. It is adhered to the surface on the side where the slider installation position 30 is not formed.
Here, the suspension substrate is the suspension substrate described in the section “B. Suspension substrate”.

本発明によれば、上記サスペンション用基板を含むものであるため、低剛性で軽量なものとすることができる。   According to the present invention, since the suspension substrate is included, the rigidity and weight can be reduced.

本発明のサスペンションは、上記サスペンション用基板を少なくとも有するものである。
このようなサスペンション用基板としては、上記「B.サスペンション用基板」の項に記載の内容と同様であるため、ここでの説明は省略する。
The suspension of the present invention has at least the suspension substrate.
Such a suspension substrate is the same as the content described in the section “B. Suspension substrate”, and thus the description thereof is omitted here.

本発明のサスペンションは、上記サスペンション用基板を少なくとも有するものであるが、通常、ロードビームを有するものである。このようなロードビームとしては、本発明のサスペンションをハードディスクドライブに用いた際に、上記サスペンションに所望の剛性を付与することができるものであれば良く、ハードディスクドライブに一般的に使用されるものを用いることができる。   The suspension of the present invention has at least the suspension substrate, but usually has a load beam. As such a load beam, any material can be used as long as it can give a desired rigidity to the suspension when the suspension of the present invention is used in the hard disk drive. Can be used.

本発明のサスペンションの用途としては、ハードディスクドライブのヘッド付サスペンションを挙げることができ、なかでも、低剛性で軽量であることが要求されるヘッド付サスペンションに好適に用いられる。   Examples of the use of the suspension of the present invention include a suspension with a head of a hard disk drive. Among them, the suspension with a head that is required to have low rigidity and light weight is preferably used.

D.ヘッド付サスペンション
次に、本発明のヘッド付サスペンションについて説明する。本発明のヘッド付サスペンションは、上記サスペンションと、上記サスペンション上に搭載された磁気ヘッドスライダーとを有することを特徴とするものである。
D. Next, the suspension with a head according to the present invention will be described. A suspension with a head according to the present invention includes the suspension and a magnetic head slider mounted on the suspension.

このような本発明のヘッド付サスペンションを図を参照して説明する。図8は、本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略図である。図8に例示するように、本発明のヘッド付サスペンション50は、上記サスペンション40と、上記サスペンション40上のスライダー設置位置上に搭載された磁気ヘッドスライダー51とを有するものである。
ここで、上記サスペンションは、上記「C.サスペンション」の項に記載のサスペンションである。
なお、図8中の符号については、図7のものと同一のものである。
Such a suspension with a head according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a schematic view showing an example of a suspension with a head according to the present invention. As illustrated in FIG. 8, the suspension 50 with a head according to the present invention includes the suspension 40 and a magnetic head slider 51 mounted on a slider installation position on the suspension 40.
Here, the suspension is the suspension described in the section “C. Suspension”.
Note that the reference numerals in FIG. 8 are the same as those in FIG.

本発明によれば、上記サスペンションを含むものであるため、低剛性で軽量なものとすることができる。   According to the present invention, since the suspension is included, it is possible to achieve low rigidity and light weight.

本発明のヘッド付サスペンションは、上記サスペンションおよび磁気ヘッドスライダーを少なくとも有するものである。
上記サスペンションとしては、上記「C.サスペンション」の項に記載の内容と同様であるため、ここでの説明は省略する。
The suspension with a head of the present invention has at least the suspension and the magnetic head slider.
The suspension is the same as the content described in the section “C. Suspension”, and thus the description thereof is omitted here.

本発明に用いられる磁気ヘッドスライダーとしては、本発明のヘッド付サスペンションをハードディスクドライブに用いた際に、ディスク上へのデータの書き込みおよび読み込みを行なえるものであれば良く、ハードディスクドライブに一般的に使用されるものを用いることができる。   The magnetic head slider used in the present invention is not limited as long as it can write and read data on the disk when the suspension with a head of the present invention is used in a hard disk drive. What is used can be used.

本発明のヘッド付サスペンションの用途としては、ハードディスクドライブを挙げることができ、なかでも、低剛性で軽量であることが要求されるハードディスクドライブに好適に用いられる。   As an application of the suspension with a head of the present invention, a hard disk drive can be cited, and among these, it is preferably used for a hard disk drive that is required to be low rigidity and light weight.

E.ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上記ヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
E. Next, the hard disk drive of the present invention will be described. The hard disk drive of the present invention includes the above suspension with a head.

このような本発明のハードディスクドライブを図を参照して説明する。図9は、本発明のハードディスクドライブの内部構造の一例を示す概略平面図である。図9に例示するように、本発明のハードディスクドライブ60は、上記ヘッド付サスペンション50と、上記ヘッド付サスペンション50にデータの書き込みおよび読み込みがされるディスク61と、上記ディスク61を回転させるスピンドルモータ62と、上記ヘッド付サスペンション50に接続されたアーム63と、上記アーム63を移動することにより上記ヘッド付サスペンション50のスライダーを、上記ディスク61上の所望の位置に移動させるボイスコイルモータ64と、上記各構成を密閉するケース65とを有するものである。
ここで、上記ヘッド付サスペンションは、上記「D.ヘッド付サスペンション」の項に記載のサスペンションである。
Such a hard disk drive of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a schematic plan view showing an example of the internal structure of the hard disk drive of the present invention. As illustrated in FIG. 9, the hard disk drive 60 of the present invention includes a suspension 50 with a head, a disk 61 on which data is written to and read from the suspension 50 with a head, and a spindle motor 62 that rotates the disk 61. An arm 63 connected to the suspension 50 with head, a voice coil motor 64 that moves the slider of the suspension 50 with head to a desired position on the disk 61 by moving the arm 63, and And a case 65 for sealing each component.
Here, the suspension with a head is the suspension described in the section “D. Suspension with a head”.

本発明によれば、上記ヘッド付サスペンションを含むものであるため、消費電力の少ないものとすることができる。   According to the present invention, since the suspension with a head is included, the power consumption can be reduced.

本発明のハードディスクドライブは、上記ヘッド付サスペンションを少なくとも有するものである。
このようなヘッド付サスペンションとしては、上記「D.ヘッド付サスペンション」の項に記載の内容と同様であるため、ここでの説明は省略する。
The hard disk drive of the present invention has at least the above suspension with a head.
Such a suspension with a head is the same as the content described in the above section “D. Suspension with a head”, and thus the description thereof is omitted here.

本発明のハードディスクドライブは、上記ヘッド付サスペンションを少なくとも有するものであるが、通常、ディスク、スピンドルモータ、アーム、およびボイスコイルモータを有するものである。このようなディスク、スピンドルモータ、アーム、およびボイスコイルモータとしては、ハードディスクドライブに一般的に使用されるものを用いることができる。   The hard disk drive of the present invention has at least the above suspension with a head, but usually has a disk, a spindle motor, an arm, and a voice coil motor. As such a disk, a spindle motor, an arm, and a voice coil motor, those generally used for hard disk drives can be used.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
[実施例1]
厚さ20μmのSUS304(金属基板)上に、厚さ10μmのポリイミド(絶縁層)を塗工方法にて形成し、更にその絶縁層上にシード層となるNi−Cr−Cuをスパッタ工法で約300nmコーティングし、それを導通層としCuめっきにて厚さ9μmのCuめっき層(金属めっき層)を形成し、4層の積層体を得た(図1(a)参照)。この4層の積層体を用いて、低剛性で微細配線を有するサスペンション用基板を作製した。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
[Example 1]
A 10 μm-thick polyimide (insulating layer) is formed on a 20 μm-thick SUS304 (metal substrate) by a coating method, and Ni—Cr—Cu serving as a seed layer is further formed on the insulating layer by a sputtering method. Coating was performed with 300 nm, and this was used as a conductive layer to form a 9 μm thick Cu plating layer (metal plating layer) by Cu plating to obtain a four-layer laminate (see FIG. 1A). Using this four-layer laminate, a suspension substrate having low rigidity and fine wiring was produced.

まず、SUS側で位置精度が重要な治具孔と、Cuめっき層側で目的とする配線パターン層とを形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、パターン状のレジストを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った(第一のメタルエッチング工程、図1(b)、(c)参照)。ここでは、ドライフィルムを同時にパターニングすることで、SUS側および配線パターン層側の両面の位置精度を向上させることができる。なお、配線パターン層に形成された銅配線の幅は20μmであり、銅配線の間隔は20μmであった。配線の微細化の実現は、配線パターン層にアンカー形状が無いこと、および高感度なDFRレジストを用いたことが大きく寄与していると考えられる。   First, a patterned resist was obtained by patterning simultaneously using a dry film so that a jig hole whose positional accuracy was important on the SUS side and a desired wiring pattern layer on the Cu plating layer side could be formed. Then, it etched using the ferric chloride liquid, and resist stripping was performed after the etching (refer 1st metal etching process, FIG.1 (b), (c)). Here, by positioning the dry film at the same time, it is possible to improve the positional accuracy of both surfaces on the SUS side and the wiring pattern layer side. In addition, the width | variety of the copper wiring formed in the wiring pattern layer was 20 micrometers, and the space | interval of copper wiring was 20 micrometers. It is considered that the miniaturization of the wiring greatly contributes to the fact that there is no anchor shape in the wiring pattern layer and that a highly sensitive DFR resist is used.

次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー材をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時に液カバー材をエッチングし、その後、硬化させ、カバー層を得た(図1(d)参照)。硬化後のカバー層の膜厚は、配線上で5μmであった。このようなカバー層を形成することにより、反りの制御および低剛性化を図り、且つ配線パターン層の保護を図ることができる。   Next, a non-photosensitive polyimide liquid cover material was coated with a die coater, dried, resist-engraved, the liquid cover material was etched simultaneously with development, and then cured to obtain a cover layer (FIG. 1 (d )reference). The film thickness of the cover layer after curing was 5 μm on the wiring. By forming such a cover layer, it is possible to control warpage and reduce rigidity, and to protect the wiring pattern layer.

次に、厚さ10μmのポリイミド(絶縁層)をレジスト製版し、有機アルカリエッチング液を用いてエッチングし、パターン状の絶縁層を得た(図1(e)、(f)参照)。その後、露出する配線パターン層に対して、厚さ2μmのAuめっきを行い、保護めっき部を形成した(図2(g)参照)。本発明においては、先に配線カバーを実施しており、カバー層で被覆されていない部位のみにAuめっきができ、低剛性化とAu量の削減に大きな効果を得ることができる。   Next, polyimide (insulating layer) having a thickness of 10 μm was engraved with a resist and etched using an organic alkaline etching solution to obtain a patterned insulating layer (see FIGS. 1E and 1F). Then, 2 μm thick Au plating was performed on the exposed wiring pattern layer to form a protective plating portion (see FIG. 2G). In the present invention, the wiring cover is first implemented, and Au plating can be performed only on the portion not covered with the cover layer, and a great effect can be obtained in reducing the rigidity and reducing the amount of Au.

次に、SUSの外形加工を行うため、上述した第一のメタルエッチング工程と同様の手法により、レジスト製版を行い、SUS側のみエッチングを行った(第二のメタルエッチング工程、図2(h)、(i)参照)。最後に、第二のメタルエッチング工程の後に、鉛フリーの半田ペーストを用いてスクリーン印刷にて半田バンプを形成した(図2(j))。こうして得られたサスペンション用基板は、従来製品に比べ、低剛性で且つ微細配線を有するものであった。   Next, in order to perform the outer shape processing of SUS, resist plate making was performed by the same method as the first metal etching step described above, and only the SUS side was etched (second metal etching step, FIG. 2 (h)). (See (i)). Finally, after the second metal etching step, solder bumps were formed by screen printing using a lead-free solder paste (FIG. 2 (j)). The suspension substrate thus obtained had a lower rigidity and finer wiring than conventional products.

[実施例2]
非感光性ポリイミド系の液状カバー材を、ダイコーターでコーティングした以外は、実施例1と同様にしてサスペンション用基板を作製した。
[Example 2]
A suspension substrate was prepared in the same manner as in Example 1 except that a non-photosensitive polyimide liquid cover material was coated with a die coater.

[実施例3]
コーティングする非感光性ポリイミド系の液状カバー材の量を変更した以外は、実施例2と同様にしてサスペンション用基板を作製した。
[Example 3]
A suspension substrate was prepared in the same manner as in Example 2 except that the amount of the non-photosensitive polyimide liquid cover material to be coated was changed.

[比較例1]
パターン状の絶縁層を得た後に、カバー層を形成した以外は、実施例2と同様にしてサスペンション用基板を作製した。
[Comparative Example 1]
A suspension substrate was produced in the same manner as in Example 2 except that the cover layer was formed after obtaining the patterned insulating layer.

[比較例2]
コーティングする非感光性ポリイミド系の液状カバー材の量を変更した以外は、比較例1と同様にしてサスペンション用基板を作製した。
[Comparative Example 2]
A suspension substrate was prepared in the same manner as in Comparative Example 1 except that the amount of the non-photosensitive polyimide liquid cover material to be coated was changed.

[評価]
実施例2〜3および比較例1〜2で作製したサスペンション用基板について、図10のXで示すように、周囲にエッチングされた絶縁層、すなわち、貫通孔が形成されている箇所におけるカバー層の厚みを測定した。結果を下記表1に示す。
また、図10のYで示すように、周囲にエッチングされた絶縁層が形成されていない箇所におけるカバー層の厚みを測定した。結果を下記表2に示す。
なお、測定は、上記サスペンション用基板を8枚作製し、それぞれについてXおよびYにおける膜厚を測定することにより行なった。
さらに、サスペンション用基板におけるカバー層の膜厚差として、各サンプルにおける図10のXおよびYで示される領域における膜厚の差の平均(X−Y膜厚差)を計算した。結果を、下記表3に示す。
[Evaluation]
About the suspension substrates produced in Examples 2-3 and Comparative Examples 1-2, as shown by X in FIG. 10, the insulating layer etched around, that is, the cover layer in the place where the through hole is formed The thickness was measured. The results are shown in Table 1 below.
Further, as indicated by Y in FIG. 10, the thickness of the cover layer at a location where the insulating layer etched around was not formed was measured. The results are shown in Table 2 below.
The measurement was performed by preparing eight suspension substrates and measuring the film thickness at X and Y for each.
Furthermore, as the film thickness difference of the cover layer in the suspension substrate, the average (XY film thickness difference) of the film thickness differences in the regions indicated by X and Y in FIG. 10 in each sample was calculated. The results are shown in Table 3 below.

Figure 0004962392
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表3より、カバー層を形成した後に、パターン状の絶縁層を形成した実施例においては、図10においてXで示される領域と、Yで示される領域とにおける膜厚の差の平均(X-Y膜厚差)を1μm以下とすることができた。一方、パターン状の絶縁層を得た後に、カバー層を形成した比較例においては、X−Y膜厚差が2μm以上となった。   According to Table 3, in the example in which the patterned insulating layer was formed after the cover layer was formed, the average difference in film thickness (X − in the region indicated by X and the region indicated by Y in FIG. 10). Y film thickness difference) could be 1 μm or less. On the other hand, in the comparative example in which the cover layer was formed after obtaining the patterned insulating layer, the XY film thickness difference was 2 μm or more.

本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining an example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining an example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention. 積層体の層構成を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the laminated constitution of a laminated body. 従来のカバー層形成工程を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the conventional cover layer formation process. 本発明におけるカバー層形成工程を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the cover layer formation process in this invention. 保護めっき部を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining a protective plating part. 本発明のサスペンションの一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the suspension of this invention. 本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the suspension with a head of this invention. 本発明のハードディスクドライブの内部構造の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the internal structure of the hard-disk drive of this invention. 実施例で作製したサスペンション用基板を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the board | substrate for suspension produced in the Example.

符号の説明Explanation of symbols

1 … 金属基板
1a … 治具孔
1b … 抜き孔
2 … 絶縁層
3 … シード層
4 … 金属めっき層
4a … 配線パターン層
5 … カバー層
6 … 保護めっき部
7 … 半田部
10 … 積層体
20 … サスペンション用基板
30 … スライダー設置位置
40 … サスペンション
50 … ヘッド付サスペンション
51 … 磁気ヘッドスライダー
60 … ハードディスクドライブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal substrate 1a ... Jig hole 1b ... Extraction hole 2 ... Insulating layer 3 ... Seed layer 4 ... Metal plating layer 4a ... Wiring pattern layer 5 ... Cover layer 6 ... Protection plating part 7 ... Solder part 10 ... Laminate 20 ... Suspension substrate 30 ... Slider installation position 40 ... Suspension 50 ... Suspension with head 51 ... Magnetic head slider 60 ... Hard disk drive

Claims (3)

金属基板、絶縁層、シード層および金属めっき層がこの順に配置された積層体を準備する積層体準備工程と、
前記金属基板の表面および前記金属めっき層の表面に、パターン状のレジストを形成し、エッチングを行うことにより、前記金属基板に治具孔を形成し、かつ、前記金属めっき層を配線パターン層に加工する第一のメタルエッチング工程と、
カバー材を配置し、前記カバー材をエッチングすることにより、前記配線パターン層の表面の一部が露出する配線パターン層露出開口部を有するカバー層を形成するカバー層形成工程と、
前記配線パターン層露出開口部を有するカバー層を形成した後に、前記絶縁層のエッチングを行う絶縁層エッチング工程と、
を有し、
前記カバー材が、ポリイミド系の液状カバー材であり、
前記絶縁層が、ポリイミドからなるものであり、
前記絶縁層エッチング工程が、前記カバー層と、前記絶縁層との開口部の形状が異なるように前記絶縁層のエッチングを行うものであることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A laminate preparation step of preparing a laminate in which a metal substrate, an insulating layer, a seed layer, and a metal plating layer are arranged in this order;
A patterned resist is formed on the surface of the metal substrate and the surface of the metal plating layer, and etching is performed to form jig holes in the metal substrate, and the metal plating layer is used as a wiring pattern layer. A first metal etching step to be processed;
A cover layer forming step of forming a cover layer having a wiring pattern layer exposed opening in which a part of the surface of the wiring pattern layer is exposed by arranging a cover material and etching the cover material;
An insulating layer etching step of etching the insulating layer after forming a cover layer having the wiring pattern layer exposed opening;
I have a,
The cover material is a polyimide liquid cover material,
The insulating layer is made of polyimide,
The method for manufacturing a suspension substrate, wherein the insulating layer etching step etches the insulating layer so that the shape of the opening between the cover layer and the insulating layer is different .
前記金属めっき層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、2μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板の製造方法。 The method for manufacturing a suspension substrate according to claim 1, wherein a difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion of the metal plating layer is 2 μm or less. 前記カバー層の配線パターン層上の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、1μm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサスペンション用基板の製造方法。 The method for manufacturing a suspension substrate according to claim 1 or 2 , wherein a difference between the maximum film thickness portion and the minimum film thickness portion on the wiring pattern layer of the cover layer is 1 µm or less.
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