JP4939149B2 - Multi-element spatial light modulator and video display device having the same - Google Patents

Multi-element spatial light modulator and video display device having the same Download PDF

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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Description

本発明は、光を明暗2状態の中間状態に変調可能な空間光変調器およびこれを備えた映像表示装置に関する。   The present invention relates to a spatial light modulator capable of modulating light into an intermediate state between two states of light and dark, and an image display device including the same.

従来、空間光変調器(SLM:Spatial Light Modulator)では、液晶を画素として用いるのが一般的である。このような一般的な液晶を用いたSLMでは、例えば「1」で示す明状態と「0」で示す暗状態との間の光の階調を印加電圧の大きさにより制御している。このSLMにおいては、画素サイズ(画素ピッチ)を微細化すると共に、応答を高速化することが要望されている。しかし、液晶を用いたSLMでは、画素サイズ(画素ピッチ)を数μm以下とするような微細化が困難であると共に、印加電圧に対する応答時間が数十μs程度と比較的遅いという問題がある。   Conventionally, in a spatial light modulator (SLM), liquid crystal is generally used as a pixel. In the SLM using such a general liquid crystal, for example, the light gradation between the bright state indicated by “1” and the dark state indicated by “0” is controlled by the magnitude of the applied voltage. In this SLM, it is desired to reduce the pixel size (pixel pitch) and increase the response speed. However, in the SLM using liquid crystal, there is a problem that it is difficult to reduce the pixel size (pixel pitch) to several μm or less, and the response time with respect to the applied voltage is relatively slow, about several tens μs.

これに対して、画素サイズの微細化と応答時間の短縮を可能とする磁気光学SLM(MOSLM:Magneto-optic SLM)が知られている(例えば、特許文献1参照)。MOSLMは、磁性薄膜で素子が構成されており、磁気光学効果(ファラデー効果)を利用するものである。MOSLMでは、磁化の向き(所定方向と、その反対方向)に対応した2状態を、印加磁界の向きにより回転させたり、圧電素子により回転させたりする。
特開2006−84871号公報(段落0002−0003、図5)
On the other hand, a magneto-optic SLM (MOSLM) that can reduce the pixel size and shorten the response time is known (see, for example, Patent Document 1). MOSLM is composed of a magnetic thin film and utilizes a magneto-optic effect (Faraday effect). In MOSLM, two states corresponding to the direction of magnetization (predetermined direction and the opposite direction) are rotated by the direction of the applied magnetic field or rotated by a piezoelectric element.
JP 2006-84871 A (paragraphs 0002-0003, FIG. 5)

しかしながら、MOSLMでは、1画素において磁化の向きに対応した2状態をとる構造なので、1画素の光の階調が例えば「1」で示す明状態と「0」で示す暗状態との2階調(オン、オフに相当)となる。仮に、明暗の中間状態の光の階調を生み出したければ、各画素の磁化方向を時間的に変調することで各画素全体として明暗の中間状態の光の階調を生成することとなる。この場合には、MOSLMの高速応答性を犠牲にしなければならなくなってしまう。本来、MOSLMは、このような制御を企図するものではなく、これによって、その他の性能も劣化するなどの不具合が生じる可能性も考えられる。   However, since the MOSLM has a structure that takes two states corresponding to the magnetization direction in one pixel, the light gradation of one pixel is, for example, two gradations, a bright state indicated by “1” and a dark state indicated by “0”. (Corresponding to ON and OFF). If it is desired to produce a light gray level light gray level, the light intensity in the light middle level is generated for each pixel by temporally modulating the magnetization direction of each pixel. In this case, the high speed response of MOSLM must be sacrificed. Originally, the MOSLM is not intended for such control, and this may cause a problem such as deterioration of other performances.

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、高速応答で光を明暗の中間状態に変調できる多素子空間光変調器およびこれを備えた映像表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the problems as described above, and provides a multi-element spatial light modulator capable of modulating light into a bright and dark intermediate state with a high-speed response, and an image display device including the same. Objective.

前記目的を達成するために、本発明の請求項1に記載の多素子空間光変調器は、光が入射する画素のそれぞれに、供給される電流の向きと大きさにより磁化方向が反転する反転層、磁化方向が固定された固定層、前記反転層と前記固定層とを分離する中間層、が積層して構成された光変調素子を備え、前記光変調素子に向きと大きさとを制御した電流を供給して、前記反転層の磁化方向を反転させ、前記画素に入射する光を変調して出射する多素子空間光変調器であって、前記光変調素子は、CPP−GMR素子またはTMR素子から構成されており、前記画素には、第1光変調素子と第2光変調素子とを含む複数の前記光変調素子が配置され、前記第1光変調素子と前記第2光変調素子とは、流れる電流の大きさに対応して前記反転層の磁化方向が反転する外部磁界の大きさが異なるように、前記電流が流れる方向から視た形状が異なっており、前記多素子空間光変調器は、前記画素に配置される前記第1光変調素子又は前記第2光変調素子の前記反転層の磁化方向を反転するように供給する電流の大きさを制御して、前記第1光変調素子又は前記第2光変調素子の反転層の磁化方向を反転させ、光の明状態と暗状態の中間状態を割り当てられることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a multi-element spatial light modulator according to claim 1 of the present invention is a reversal in which the magnetization direction is reversed depending on the direction and magnitude of a current supplied to each pixel on which light is incident. A light modulation element comprising a layer, a fixed layer having a fixed magnetization direction, and an intermediate layer that separates the inversion layer and the fixed layer, and controlling the direction and size of the light modulation element A multi-element spatial light modulator that supplies a current , reverses the magnetization direction of the inversion layer, modulates and emits light incident on the pixel, and the light modulation element is a CPP-GMR element or a TMR A plurality of light modulation elements including a first light modulation element and a second light modulation element are disposed in the pixel, and the first light modulation element, the second light modulation element, Corresponds to the magnitude of the flowing current. The shape viewed from the direction in which the current flows is different so that the magnitudes of external magnetic fields whose directions are reversed are different, and the multi-element spatial light modulator includes the first light modulation element arranged in the pixel or wherein by controlling the magnitude of current supplied to reverse the magnetization direction of the inversion layer of the second light modulator device, inverts the magnetization direction of the inversion layer of the first light modulation element or the second optical modulation element And an intermediate state between a light bright state and a dark state can be assigned.

かかる構成によれば、多素子空間光変調器では、画素中の第1光変調素子と第2光変調素子との磁化反転が生じるときの磁化特性がそれぞれ異なるので、第1光変調素子と第2光変調素子とに流れる電流を変化させることで、磁気光学的カー効果(magneto-optic Kerr effect)によって磁化方向が回転する光変調素子の組合せが変化する。つまり、少なくとも第1光変調素子と第2光変調素子との磁化方向を予め所定方向に揃えた状態を例えば光の明状態に割り当て、磁化方向が反対方向に揃った状態を例えば光の暗状態に割り当てれば、初期状態から少なくとも第1光変調素子または第2光変調素子の磁化方向のみが回転した状態を、光の中間状態に割り当てることができる。したがって、従来のMOSLMのような時間変調の必要がなくなり、高速応答で光を明暗の中間状態に変調することができる。
また、かかる構成によれば、多素子空間光変調器において、光変調素子としてCPP(Current Perpendicular to the Plane)−GMR(Giant Magneto-Resistance)素子を用いた場合には、膜面に垂直に電流を流すことができるので、膜面内に電流を流すCIP(Current In Plane)−GMR素子と比べて構造上、空間光変調器の微細化に適している。また、光変調素子としてTMR(Tunneling Magnetoresistive)素子を用いた場合には、CIP−GMR素子と比べて、磁気抵抗変化が数倍大きくなるので信頼性を高めることができる。
According to this configuration, in the multi-element spatial light modulator, the magnetization characteristics when the magnetization reversal occurs between the first light modulation element and the second light modulation element in the pixel are different from each other . By changing the current flowing through the two light modulation elements, the combination of the light modulation elements whose magnetization direction is rotated by the magneto-optic Kerr effect is changed. That is, a state in which the magnetization directions of at least the first light modulation element and the second light modulation element are previously aligned in a predetermined direction is assigned to, for example, a light bright state, and a state in which the magnetization directions are aligned in the opposite direction is, for example, a light dark state In this case, a state in which only the magnetization direction of at least the first light modulation element or the second light modulation element is rotated from the initial state can be assigned to the intermediate state of light. Therefore, there is no need for time modulation as in the conventional MOSLM, and light can be modulated into an intermediate state between light and dark with high speed response.
Further, according to such a configuration, in a multi-element spatial light modulator, when a CPP (Current Perpendicular to the Plane) -GMR (Giant Magneto-Resistance) element is used as the light modulation element, the current is perpendicular to the film surface. Therefore, it is suitable for miniaturization of the spatial light modulator because of its structure compared with a CIP (Current In Plane) -GMR element in which a current flows in the film surface. In addition, when a TMR (Tunneling Magnetoresistive) element is used as the light modulation element, the change in magnetoresistance is several times larger than that of the CIP-GMR element, so that the reliability can be improved.

また、請求項2に記載の多素子空間光変調器は、請求項1に記載の多素子空間光変調器において、前記第1光変調素子と前記第2光変調素子とは、前記電流の流れる方向に垂直な面の形状が方形に構成され、前記方形の縦横比が互いに異なることを特徴とする。 The multi-element spatial light modulator according to claim 2 is the multi-element spatial light modulator according to claim 1, wherein the current flows between the first light modulation element and the second light modulation element. The shape of the surface perpendicular to the direction is rectangular, and the aspect ratios of the squares are different from each other.

かかる構成によれば、多素子空間光変調器は、第1光変調素子と第2光変調素子との形状が異なるために、形状磁気異方性が生じる。そのため、第1光変調素子と第2光変調素子とは、外部磁界によって磁化が反転するときの外部磁界の大きさがそれぞれ異なることとなる。ここで、光変調素子において電流が流れる方向に垂直な面の面積が例えば同じであれば、磁化反転時の外部磁界の大きさに相当する電流値等を、方形の縦横比を変化させることで容易に定めることが可能となる。この場合、滑らかな階調を実現する光変調素子を製造し易くなる。 According to such a configuration, the multi-element spatial light modulator has shape magnetic anisotropy because the shapes of the first light modulation element and the second light modulation element are different. Therefore, the first light modulation element and the second light modulation element are different in magnitude of the external magnetic field when magnetization is reversed by the external magnetic field. Here, if the area of the surface perpendicular to the direction of current flow in the light modulation element is the same, for example, the current value corresponding to the magnitude of the external magnetic field at the time of magnetization reversal can be changed by changing the rectangular aspect ratio. It can be easily determined. In this case, it becomes easy to manufacture a light modulation element that realizes a smooth gradation.

また、請求項に記載の多素子空間光変調器は、請求項1又は請求項に記載の多素子空間光変調器において、前記光変調素子に流れるパルス電流または直流電流の方向および大きさを制御して、前記光変調素子にスピン注入することによって、前記光変調素子における前記反転層の磁化方向を反転させる電流制御手段をさらに備えることを特徴とする。 Further, the multi-element spatial light modulator according to claim 3 is the multi-element spatial light modulator according to claim 1 or 2 , wherein the direction and the magnitude of the pulse current or the direct current flowing in the light modulation element. And a current control unit that reverses the magnetization direction of the inversion layer in the light modulation element by controlling injection of the light into the light modulation element.

かかる構成によれば、多素子空間光変調器は、状態変化にスピン注入磁化反転を用いることで、状態変化に要する時間を短縮することができる。特に、強磁性層/中間層(非磁性金属層)/強磁性層からなるGMR素子や、強磁性層/中間層(絶縁体層)/強磁性層からなるTMR素子の場合には、中間層の厚さが数nm以下なので、スピン注入磁化反転に要する応答時間を数ps(ピコ秒)程度にまで短縮することが可能となる。なお、これらの素子の動作速度は、例えば10ns程度である。   According to such a configuration, the multi-element spatial light modulator can shorten the time required for the state change by using spin injection magnetization reversal for the state change. In particular, in the case of a GMR element composed of a ferromagnetic layer / intermediate layer (nonmagnetic metal layer) / ferromagnetic layer and a TMR element composed of a ferromagnetic layer / intermediate layer (insulator layer) / ferromagnetic layer, the intermediate layer Therefore, the response time required for the spin injection magnetization reversal can be shortened to about several ps (picoseconds). Note that the operation speed of these elements is, for example, about 10 ns.

また、請求項に記載の映像表示装置は、請求項1ないし請求項のいずれか一項に記載の多素子空間光変調器を備えることを特徴とする。 A video display device according to a fourth aspect includes the multi-element spatial light modulator according to any one of the first to third aspects.

かかる構成によれば、映像表示装置は、光源から入射する光を多素子空間光変調器によって、高速応答で光を明暗の中間状態に変調して出射することができるので、表示される映像の画質を高めることが可能となる。この映像表示装置は、透過型でも反射型でもよく、平面的な映像のみならず立体映像を表示するものでもよい。   According to such a configuration, the video display device can emit the light incident from the light source by modulating the light into a light / dark intermediate state with a high-speed response by the multi-element spatial light modulator. Image quality can be improved. This video display device may be a transmissive type or a reflective type, and may display not only a planar video but also a stereoscopic video.

請求項1に記載の発明によれば、高速応答で光を明暗の中間状態に変調できる。
また、請求項1に記載の発明によれば、微細化の程度や信頼性を高めることができる。
請求項2に記載の発明によれば、所望の性能を有した光変調素子を製造し易くなる。
請求項に記載の発明によれば、応答を高速化できる。
請求項に記載の発明によれば、表示される映像の画質を向上できる。
According to the first aspect of the present invention, it is possible to modulate light into an intermediate state between light and dark with high speed response.
In addition, according to the first aspect of the invention, the degree of miniaturization and the reliability can be increased.
According to the second aspect of the present invention, it becomes easy to manufacture a light modulation element having desired performance.
According to the invention of claim 3 , the response can be speeded up.
According to the invention of claim 4 , the image quality of the displayed video can be improved.

以下、図面を参照して本発明の多素子空間光変調器および映像表示装置を実施するための最良の形態(以下「実施形態」という)について詳細に説明する。   The best mode for carrying out the multi-element spatial light modulator and the video display device of the present invention (hereinafter referred to as “embodiment”) will be described in detail below with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施形態に係る映像表示装置の一例を示した構成図であり、図2は、図1に示した多素子空間光変調器を模式的に示す平面図である。また、図3は、図1に示した多素子空間光変調器の動作原理を示す説明図であり、図4は、図2に示した画素を模式的に示す構成図である。   FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of a video display apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view schematically showing the multi-element spatial light modulator shown in FIG. FIG. 3 is an explanatory diagram showing the operation principle of the multi-element spatial light modulator shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a configuration diagram schematically showing the pixel shown in FIG.

映像表示装置1は、図1に示すように、レーザ光源2と、スクリーン3と、偏光フィルタ4(4a,4b)と、多素子空間光変調器10とを備えている。本実施形態では、映像表示装置1は、反射型の表示装置であり、レーザ光源2から照射された光を、偏光フィルタ4aを介して多素子空間光変調器10に入射し、その反射光を、偏光フィルタ4bを介してスクリーン3に出射することで映像を表示する。なお、映像表示装置を透過型としてもよいことはもちろんである。   As shown in FIG. 1, the video display device 1 includes a laser light source 2, a screen 3, polarizing filters 4 (4 a and 4 b), and a multi-element spatial light modulator 10. In the present embodiment, the video display device 1 is a reflective display device, and the light emitted from the laser light source 2 is incident on the multi-element spatial light modulator 10 via the polarizing filter 4a, and the reflected light is transmitted. The image is displayed by being emitted to the screen 3 through the polarizing filter 4b. Of course, the video display device may be of a transmissive type.

多素子空間光変調器10は、各画素20中において各画素20に流れる電流の方向および大きさに基づいて変化する磁化の強さによって、レーザ光源2から入射する光を変調して出射するものである。この多素子空間光変調器10は、図1および図2に示すように、上部電極11と、下部電極12と、光変調素子13とを備えている。本実施形態では、多素子空間光変調器10は、さらに、上部電極選択部14と、下部電極選択部15と、電流源16と、電流制御手段17とを備える構成としたが、これらの構成は、多素子空間光変調器10と別の構成としてもよい。   The multi-element spatial light modulator 10 modulates and emits light incident from the laser light source 2 by the intensity of magnetization that changes based on the direction and magnitude of the current flowing through each pixel 20 in each pixel 20. It is. As shown in FIGS. 1 and 2, the multi-element spatial light modulator 10 includes an upper electrode 11, a lower electrode 12, and a light modulation element 13. In the present embodiment, the multi-element spatial light modulator 10 is further configured to include the upper electrode selection unit 14, the lower electrode selection unit 15, the current source 16, and the current control unit 17. May be configured differently from the multi-element spatial light modulator 10.

上部電極11と下部電極12とは、光変調素子13を駆動するために光変調素子13上下に配設された金属や合金等からなり、平面視で互いに直交して上下にそれぞれ配設された電極である。このうち上部電極11は、入射光が光変調素子13に効率よく到達できるように、酸化インジウム(Indium Ti Oxide;ITO)等の一般的な透明電極材料を用いて構成されている。また、下部電極12は、例えば、TaやCrなどの一般的な電極用金属材料から構成される。   The upper electrode 11 and the lower electrode 12 are made of metal, alloy, or the like disposed above and below the light modulation element 13 to drive the light modulation element 13, and are disposed above and below at right angles to each other in plan view. Electrode. Among these, the upper electrode 11 is configured using a general transparent electrode material such as indium oxide (ITO) so that incident light can efficiently reach the light modulation element 13. The lower electrode 12 is made of a general electrode metal material such as Ta or Cr.

光変調素子13は、例えば、CPP−GMR素子やTMR素子から構成される。この光変調素子13は、図4に示すように、形状磁気異方性の異なる2種類の光変調素子13a,13bを備えている。図4および図1に示すように、上部電極11と下部電極12の交点にある1組の光変調素子13a,13bから1つの画素20が構成されている。つまり、1画素は、1組(1ペア)の光変調素子13a,13bにより構成される。また、本実施形態の多素子空間光変調器10は、図2に示すように、4×4のマトリクス状に2次元配列された画素20から構成されている。   The light modulation element 13 is composed of, for example, a CPP-GMR element or a TMR element. As shown in FIG. 4, the light modulation element 13 includes two types of light modulation elements 13a and 13b having different shape magnetic anisotropies. As shown in FIGS. 4 and 1, one pixel 20 is composed of a set of light modulation elements 13 a and 13 b at the intersection of the upper electrode 11 and the lower electrode 12. That is, one pixel is composed of one set (one pair) of light modulation elements 13a and 13b. Further, the multi-element spatial light modulator 10 of the present embodiment is composed of pixels 20 two-dimensionally arranged in a 4 × 4 matrix as shown in FIG.

上部電極選択部14は、マトリクス状の複数の画素20の中から図2に示した縦方向に配置した画素を選択し、下部電極選択部15は、横方向に配置した画素を選択する。これら上部電極選択部14および下部電極選択部15によって、1個の画素20が特定されることとなる。
電流源16は、画素20にパルス電流を供給するものである。なお、直流電流を供給するように構成してもよい。
The upper electrode selection unit 14 selects the pixels arranged in the vertical direction shown in FIG. 2 from the plurality of pixels 20 in a matrix form, and the lower electrode selection unit 15 selects the pixels arranged in the horizontal direction. One pixel 20 is specified by the upper electrode selection unit 14 and the lower electrode selection unit 15.
The current source 16 supplies a pulse current to the pixel 20. In addition, you may comprise so that a direct current may be supplied.

電流制御手段17は、上部電極選択部14、下部電極選択部15および電流源16を制御するものである。この電流制御手段17は、各画素20に流れる電流の方向および大きさを制御して、各画素20にスピン注入することによって、光変調素子13a,13bの磁化を反転させる。   The current control unit 17 controls the upper electrode selection unit 14, the lower electrode selection unit 15, and the current source 16. The current control means 17 controls the direction and magnitude of the current flowing through each pixel 20 and spins the pixels 20 to invert the magnetizations of the light modulation elements 13a and 13b.

次に、電流制御手段17の行うスピン注入について図3を参照して説明する。光変調素子13は、図3に示すように、固定層101と、中間層102と、反転層103とを備えている。ここでは、簡便のため、2種類の光変調素子13a,13bを区別することなく1つの光変調素子13と表記している。   Next, spin injection performed by the current control means 17 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the light modulation element 13 includes a fixed layer 101, an intermediate layer 102, and an inversion layer 103. Here, for simplicity, the two types of light modulation elements 13a and 13b are described as one light modulation element 13 without being distinguished.

固定層101は、磁化方向が所定方向(左方向の矢印)に固定された層である。
中間層102は、固定層101と反転層103とに挟まれた中間に位置したトンネルバリヤ層である。
反転層103は、図3(a)に示すように、初期状態では、磁化方向が予め固定層101における向きと反対方向(右方向の矢印)に揃えられた層である。
The fixed layer 101 is a layer whose magnetization direction is fixed in a predetermined direction (left arrow).
The intermediate layer 102 is a tunnel barrier layer located in the middle between the fixed layer 101 and the inversion layer 103.
As shown in FIG. 3A, the inversion layer 103 is a layer in which the magnetization direction is aligned in advance in the direction opposite to the direction in the fixed layer 101 (right arrow) in the initial state.

レーザ光源2から照射された光は、様々な偏光成分を含んでいるが、偏光フィルタ4aによって、ある方向の偏光成分だけを含むようにフィルタリングされる。このフィルタリングされた光が透明な上部電極11を介して光変調素子13に入射し、光変調素子13に反射される。   The light emitted from the laser light source 2 includes various polarization components, but is filtered by the polarization filter 4a so as to include only a polarization component in a certain direction. The filtered light enters the light modulation element 13 through the transparent upper electrode 11 and is reflected by the light modulation element 13.

図3(a)に示す初期状態では、例えば、電流源16から電流が流されていない。あるいは、下部電極12から上部電極11の向きに電流源16から電流が流される。この初期状態では、反射光は、反転層103の磁化方向(右向きの矢印)に従って偏光面を変えることがない。つまり、反射光は入射光と同じ偏光成分を有しており、偏光フィルタ4b(偏光フィルタ4aと同特性)を透過して、スクリーン3に到達して表示される。その結果、スクリーン3には、明るい映像が表示されることとなる。   In the initial state shown in FIG. 3A, for example, no current is flowing from the current source 16. Alternatively, a current flows from the current source 16 in the direction from the lower electrode 12 to the upper electrode 11. In this initial state, the reflected light does not change the plane of polarization in accordance with the magnetization direction of the inversion layer 103 (right arrow). That is, the reflected light has the same polarization component as the incident light, passes through the polarizing filter 4b (same characteristics as the polarizing filter 4a), reaches the screen 3, and is displayed. As a result, a bright image is displayed on the screen 3.

一方、図3(b)に示す反転状態では、例えば、上部電極11から下部電極12の向きに電流源16から電流が流される。この電流によって、固定層101から中間層102を介して反転層103へ電子がスピンを保ったまま注入されるため、反転層103の磁化方向は、固定層101と同じ向き(左向きの矢印)となるように回転(反転)する。この反転状態では、反射光は、反転層103の磁化方向(左向きの矢印)に従って磁気光学的カー効果により偏光面が回転する。つまり、反射光は入射光とは異なる偏光成分を有し、偏光フィルタ4bを透過しないので、スクリーン3に到達できない。その結果、スクリーン3は暗くなることとなる。   On the other hand, in the inverted state shown in FIG. 3B, for example, a current is passed from the current source 16 in the direction from the upper electrode 11 to the lower electrode 12. Due to this current, electrons are injected from the fixed layer 101 to the inversion layer 103 via the intermediate layer 102 while maintaining the spin, so that the magnetization direction of the inversion layer 103 is the same as that of the fixed layer 101 (left arrow). Rotate (reverse) so that In this inverted state, the plane of polarization of the reflected light is rotated by the magneto-optical Kerr effect according to the magnetization direction (left arrow) of the inversion layer 103. That is, the reflected light has a polarization component different from that of the incident light and does not pass through the polarizing filter 4b, and therefore cannot reach the screen 3. As a result, the screen 3 becomes dark.

電流制御手段17は、このように光変調素子13に流す電流の大きさや向きを変化させることで、スピン注入を行い、反転層103の磁化方向の向きや大きさを制御することができる。そして、光変調素子13の光磁気カー効果によって、初期状態と反転状態(スピン注入磁化反転状態)とにそれぞれ、光の明暗2状態を割り当てることが可能である。なお、初期状態を暗状態に割り当てると共に、反転状態に明状態を割り当てるようにしてもよい。   The current control means 17 can control the direction and magnitude of the magnetization direction of the inversion layer 103 by performing spin injection by changing the magnitude and direction of the current flowing through the light modulation element 13 in this way. Then, due to the magneto-optical Kerr effect of the light modulation element 13, it is possible to assign two bright and dark states of light to the initial state and the reversed state (spin injection magnetization reversed state). Note that the initial state may be assigned to the dark state and the bright state may be assigned to the inverted state.

次に、図4を参照して、多素子空間光変調器10を構成する光変調素子13(13a,13b)の構成について説明する。図4は、図2に示した画素を模式的に示す構成図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のB−B線断面図、(c)は(a)のC−C線断面図をそれぞれ示している。なお、図4では、1画素の領域を示しているが多素子空間光変調器10は、一度に各画素20の領域が製造される。   Next, the configuration of the light modulation elements 13 (13a, 13b) constituting the multi-element spatial light modulator 10 will be described with reference to FIG. 4A and 4B are configuration diagrams schematically showing the pixel shown in FIG. 2, where FIG. 4A is a plan view, FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line B-B in FIG. CC sectional view is shown, respectively. Although FIG. 4 shows a region of one pixel, the multi-element spatial light modulator 10 manufactures a region of each pixel 20 at a time.

下部電極12の上には固定層101、中間層102および反転層103が積層されている。下部電極12は、例えば、シリコン(Si)、酸化シリコン(SiO2)、酸化マグネシウム(MgO)、ガラス等の基板上に金属材料を蒸着法、スパッタリング法等により積層した後、フォトリソグラフィ法等によって、金属層を所望の形状にパターニングすることで作成する。この下部電極12の上へ各層を積層する方法は、分子線エピタキシー(MBE:Molecular Beam Epitaxy)法やスパッタリング法を用いることができる。 On the lower electrode 12, a fixed layer 101, an intermediate layer 102, and an inversion layer 103 are stacked. The lower electrode 12 is formed, for example, by laminating a metal material on a substrate such as silicon (Si), silicon oxide (SiO 2 ), magnesium oxide (MgO), or glass by vapor deposition or sputtering, and then by photolithography or the like. The metal layer is formed by patterning into a desired shape. As a method of laminating each layer on the lower electrode 12, a molecular beam epitaxy (MBE) method or a sputtering method can be used.

固定層101は、磁化方向が固定された層であり、例えば、ホイスラー合金等の導電性のある強磁性体から構成される。この固定層101は、IrMnなどのスピン固着層と組み合わせた2〜3層構造として構成してもよい。   The fixed layer 101 is a layer whose magnetization direction is fixed, and is made of, for example, a conductive ferromagnetic material such as a Heusler alloy. The pinned layer 101 may be configured as a two to three layer structure combined with a spin pinned layer such as IrMn.

中間層102の厚さは、スピン偏極電子がトンネルできる程度の厚さ(数nm以下)である。光変調素子13がCPP−GMR素子から構成される場合には、中間層102は、非磁性材料から構成される。非磁性材料としては、Au、Al、Cu、Cu合金等の導電性を有した金属または合金が好ましい。このうちCuは、電気抵抗が小さくバリア効果が高いので特に好ましい。また、光変調素子13がTMR素子から構成される場合には、中間層102は、例えば、酸化物Al23等の絶縁体から構成される。 The intermediate layer 102 has a thickness (several nm or less) that allows spin-polarized electrons to tunnel. When the light modulation element 13 is composed of a CPP-GMR element, the intermediate layer 102 is composed of a nonmagnetic material. As the nonmagnetic material, a conductive metal or alloy such as Au, Al, Cu, or Cu alloy is preferable. Of these, Cu is particularly preferable because of its low electrical resistance and high barrier effect. When the light modulation element 13 is composed of a TMR element, the intermediate layer 102 is composed of an insulator such as oxide Al 2 O 3 , for example.

反転層103は、磁化方向が予め固定層101の磁化方向と反対方向に揃えられた層である。この反転層103の磁化方向は、固定されておらず、スピン注入により容易に回転(反転)することができる。この反転層103は、磁気光学的カー効果が生じ、偏極率が比較的高い強磁性体から構成される。ここで、偏極率が低いほど磁化反転に必要な電流の値が大きくなるので偏極率は50%以上であることが好ましい。   The inversion layer 103 is a layer whose magnetization direction is previously aligned in the opposite direction to the magnetization direction of the fixed layer 101. The magnetization direction of the inversion layer 103 is not fixed and can be easily rotated (inverted) by spin injection. The inversion layer 103 is made of a ferromagnetic material that produces a magneto-optical Kerr effect and has a relatively high polarization rate. Here, since the value of the current required for magnetization reversal increases as the polarization rate decreases, the polarization rate is preferably 50% or more.

なお、本実施形態のように、反射型の映像表示装置1に用いる場合には、反転層103は、光に対する透明性が高い材料で構成されることが好ましく、前記した固定層101および中間層102は、入射光に対する反射率の大きい材料で構成されることが好ましい。また、映像表示装置を透過型とする場合には、固定層101、中間層102および反転層103を、光に対する透明性が高い材料で構成することが好ましい。   When used in the reflective image display device 1 as in the present embodiment, the inversion layer 103 is preferably made of a material having high transparency to light, and the fixed layer 101 and the intermediate layer described above. 102 is preferably made of a material having a high reflectance with respect to incident light. Further, when the video display device is a transmissive type, it is preferable that the fixed layer 101, the intermediate layer 102, and the inversion layer 103 are made of a material having high transparency to light.

下部電極12の上に、固定層101、中間層102および反転層103の3層構造が積層された後、フォトリソグラフィ法等によって、3層を所望の形状にパターニングして、光変調素子13a,13bを形成する。さらに、光変調素子13a,13bの間の空間を例えば、SiO2等の封止材で封止して、上部電極11を積層することで、各画素20(本実施形態では16画素)を形成する。 After the three-layer structure of the fixed layer 101, the intermediate layer 102, and the inversion layer 103 is laminated on the lower electrode 12, the three layers are patterned into a desired shape by a photolithography method or the like, and the light modulation element 13a, 13b is formed. Furthermore, each pixel 20 (16 pixels in this embodiment) is formed by sealing the space between the light modulation elements 13 a and 13 b with a sealing material such as SiO 2 and laminating the upper electrode 11. To do.

光変調素子13a,13bは、電流の流れる方向に垂直な面の形状が方形に構成され、この方形の縦横比が互いに異なっている。光変調素子13a,13bは、図4(a)に示すように、この面の方形の面積が等しく、方形の形状がそれぞれ正方形および長方形である。したがって、光変調素子13aは、光変調素子13bよりも形状磁気異方性が小さい。   The light modulation elements 13a and 13b have a rectangular surface shape perpendicular to the direction of current flow, and the rectangular aspect ratios are different from each other. As shown in FIG. 4A, the light modulation elements 13a and 13b have the same rectangular area, and the square shapes are square and rectangular, respectively. Therefore, the light modulation element 13a has a smaller shape magnetic anisotropy than the light modulation element 13b.

光変調素子13aと光変調素子13bとは、形状磁気異方性が異なるため、外部磁界によって磁化が反転するときに外部磁界の大きさがそれぞれ異なる(外部磁界に対する応答が異なる)。このときのそれぞれの磁化特性を図5に示す。   Since the optical modulation element 13a and the optical modulation element 13b have different shape magnetic anisotropy, the magnitude of the external magnetic field is different when the magnetization is reversed by the external magnetic field (the response to the external magnetic field is different). The respective magnetization characteristics at this time are shown in FIG.

図5は、図4に示した光変調素子の個別の磁化特性の一例を示すグラフであり、(a)は光変調素子の形状が正方形の場合、(b)は長方形の場合をそれぞれ示している。なお、図5では、磁化特性を模式的に直線で示したが実際にはヒステリシスループを形成する曲線であり、例えば、縦軸に平行な直線部分等は、実際には所定の傾きを有している。   FIG. 5 is a graph showing an example of individual magnetization characteristics of the light modulation element shown in FIG. 4, where (a) shows the case where the shape of the light modulation element is square, and (b) shows the case where the shape is rectangular. Yes. In FIG. 5, although the magnetization characteristics are schematically shown as straight lines, they are actually curves that form a hysteresis loop. For example, a straight line portion parallel to the vertical axis actually has a predetermined inclination. ing.

図5(a)に示すように、外部磁界HEXを所定方向(仮に+とする)の大きさが「H1」の状態から徐々に小さくしていき外部磁界HEXの向きを反対方向(仮に−とする)に反転させて大きさを徐々に大きくして大きさが「H2」になるまでの範囲では、光変調素子13aは、磁化Jの大きさが「J1」程度である。そして、外部磁界HEXの大きさが「H2」のときに、磁化Jの大きさが「J2」程度に変化する。その後、外部磁界HEXの大きさを「H3」まで増加させても磁化Jの大きさはほぼ変わらない。つまり、外部磁界HEXの向きを「+」から「−」へ変化させていく場合には、光変調素子13aは、磁化Jが反転するときの外部磁界HEXの大きさが「H2」である。 As shown in FIG. 5A, the external magnetic field H EX is gradually reduced from a state where the magnitude of the external magnetic field H EX is “H 1 ” in the predetermined direction (assumed to be +), and the direction of the external magnetic field H EX is changed to the opposite direction ( In the range until the size is gradually increased and becomes “H 2 ”, the light modulation element 13 a has a magnetization J magnitude of about “J 1 ”. . When the magnitude of the external magnetic field H EX is “H 2 ”, the magnitude of the magnetization J changes to about “J 2 ”. Thereafter, even if the magnitude of the external magnetic field H EX is increased to “H 3 ”, the magnitude of the magnetization J does not change substantially. That is, when the direction of the external magnetic field H EX is changed from “+” to “−”, the light modulation element 13a has the magnitude of the external magnetic field H EX when the magnetization J is reversed as “H 2 ”. It is.

また、外部磁界HEXを「H3」の状態から徐々に小さくしていき外部磁界HEXの向きを「+」に反転させて大きさを徐々に大きくして大きさが「H4」になるまでの範囲では、光変調素子13aは、磁化Jの大きさはほぼ変わらない。そして、外部磁界HEXの大きさが「H4」のときに、磁化Jの大きさが「J1」程度に変化する。その後、外部磁界HEXの大きさを「H1」まで増加させても磁化Jの大きさはほぼ変わらない。つまり、外部磁界HEXの向きを「−」から「+」へ変化させていく場合には、光変調素子13aは、磁化Jが反転するときの外部磁界HEXの大きさが「H4」である。 Further, the external magnetic field H EX is gradually reduced from the state of “H 3 ”, the direction of the external magnetic field H EX is reversed to “+”, and the magnitude is gradually increased to become “H 4 ”. In the range up to this point, the magnitude of the magnetization J of the light modulation element 13a does not change substantially. When the magnitude of the external magnetic field H EX is “H 4 ”, the magnitude of the magnetization J changes to about “J 1 ”. Thereafter, the magnitude of the magnetization J does not change substantially even if the magnitude of the external magnetic field H EX is increased to “H 1 ”. That is, when the direction of the external magnetic field H EX is changed from “−” to “+”, the light modulation element 13 a has the magnitude of the external magnetic field H EX when the magnetization J is reversed as “H 4 ”. It is.

光変調素子13bについて、同様にして外部磁界HEXを変化させると、図5(b)に示すように、外部磁界HEXの向きを「+」から「−」へ変化させていく場合には、磁化Jが反転するときの外部磁界HEXの大きさが「H5」である。また、外部磁界HEXの向きを「−」から「+」へ変化させていく場合には、光変調素子13bは、磁化Jが反転するときの外部磁界HEXの大きさが「H6」である。 When the external magnetic field H EX is similarly changed in the light modulation element 13b, as shown in FIG. 5B, the direction of the external magnetic field H EX is changed from “+” to “−”. The magnitude of the external magnetic field H EX when the magnetization J is reversed is “H 5 ”. Further, when the direction of the external magnetic field H EX is changed from “−” to “+”, the light modulation element 13b has the magnitude of the external magnetic field H EX when the magnetization J is reversed as “H 6 ”. It is.

図5(a)および図5(b)に示すように、光変調素子13aは、光変調素子13bと比較して小さな磁界で磁化の方向が反転する。つまり、形状磁気異方性が小さいことがわかる。なお、光変調素子13a,13bのそれぞれの磁化Jの大きさは、「J1,J2」として説明したが、図5(a)および図5(b)においてその値は必ずしも等しくはない。これら「J1,J2」は、光変調素子13a,13bそれぞれにおいては、磁化の方向が、所定方向である状態と、回転した方向である状態との2状態が存在していることを示すためのものである。 As shown in FIGS. 5A and 5B, the direction of magnetization of the light modulation element 13a is reversed with a smaller magnetic field than the light modulation element 13b. That is, it can be seen that the shape magnetic anisotropy is small. The size of the optical modulator 13a, respectively magnetization J of 13b has been described as "J 1, J 2", the value is not necessarily equal in FIGS. 5 (a) and 5 (b). These “J 1 , J 2 ” indicate that in each of the light modulation elements 13a and 13b, there are two states, a state in which the magnetization direction is a predetermined direction and a state in which the magnetization direction is rotated. Is for.

図6は、2個の光変調素子の磁化特性の一例を示すグラフであり、(a)は光変調素子の形状が両方とも正方形の場合、(b)は長方形と正方形の組合せの場合をそれぞれ示している。   FIG. 6 is a graph showing an example of magnetization characteristics of two light modulation elements, where (a) shows a case where both of the light modulation elements have a square shape, and (b) shows a combination of a rectangle and a square. Show.

図6(a)に示すように、仮に画素中に同じ種類の光変調素子13aが2個存在する場合には、各光変調素子13aは外部磁界HEXに対する磁化反転の応答が同じであるため、各光変調素子13aの磁化方向は一致する。つまり、画素全体として見れば磁化Jの大きさは、図5(a)に示した値を単純に重ね合わせたものとなる。図6(a)では、画素全体で反転前、反転後の磁化の大きさをそれぞれ「J1,J3」とした。これら「J1,J3」は、磁化の方向が、所定方向である状態と、回転した方向である状態との2状態が存在していることを示すためのものであり、その値は特に限定されない。 As shown in FIG. 6A, if there are two light modulation elements 13a of the same type in a pixel, each light modulation element 13a has the same magnetization reversal response to the external magnetic field HEX . The magnetization directions of the light modulation elements 13a are the same. That is, when viewed as the whole pixel, the magnitude of the magnetization J is simply a superposition of the values shown in FIG. In FIG. 6A, the magnitudes of magnetization before and after inversion in the entire pixel are “J 1 and J 3 ”, respectively. These “J 1 , J 3 ” are for indicating that there are two states, ie, a state in which the direction of magnetization is a predetermined direction and a state in which the magnetization is rotated, and the values thereof are particularly It is not limited.

一方、本実施形態のように画素20中に異なる種類の光変調素子13a,13bが存在する場合には、各光変調素子13a,13bが外部磁界HEXに対する磁化反転の応答が異なるため、外部磁界HEXの大きさによっては、光変調素子13aの磁化方向と、光変調素子13bの磁化方向とが一致しない場合が生じる。つまり、画素20全体として見れば磁化Jの大きさは、図5(a)に示した値と図5(b)に示した値とを単純に重ね合わせたものとなる。このときのグラフを図6(b)に示す。図6(b)では、例えば、外部磁界HEXの向きを「+」から「−」へ変化させていく場合に、画素20全体で反転前、反転後の磁化の大きさをそれぞれ「J1,J3」とすると共に、それらの中間状態として、光変調素子13aだけが磁化反転したときの磁化Jの大きさを「J2」とした。ここで、外部磁界HEXを変化させたときに、画素20中の光変調素子13a,13bの磁化方向の変化の様子を図7に示す。 On the other hand, when different types of light modulation elements 13a and 13b exist in the pixel 20 as in the present embodiment, each light modulation element 13a and 13b has a different magnetization reversal response to the external magnetic field H EX, so that the external Depending on the magnitude of the magnetic field H EX , the magnetization direction of the light modulation element 13a may not match the magnetization direction of the light modulation element 13b. That is, when viewed as the entire pixel 20, the magnitude of the magnetization J is simply a superposition of the value shown in FIG. 5A and the value shown in FIG. 5B. The graph at this time is shown in FIG. In FIG. 6B, for example, when the direction of the external magnetic field H EX is changed from “+” to “−”, the magnitude of magnetization before and after inversion in the entire pixel 20 is “J 1 ”. , J 3 ”and, as an intermediate state between them, the magnitude of the magnetization J when only the light modulation element 13 a is reversed in magnetization is set to“ J 2 ”. FIG. 7 shows how the magnetization directions of the light modulation elements 13a and 13b in the pixel 20 change when the external magnetic field HEX is changed.

図7は、図6(b)に対応した2個の光変調素子のそれぞれの磁化の向きを模式的に示す図であり、(a)はH1からH2まで、(b)はH2からH5まで、(c)はH5からH4まで、(d)はH4からH6までの状態をそれぞれ示している。図7(a)および図7(c)に示すように、光変調素子13a,13bの磁化方向が同じになる状態が2回発生し、図7(b)および図7(d)に示すように、光変調素子13a,13bの磁化方向が互いに異なる状態が2回発生する。つまり、各光変調素子13a,13bの磁化方向の組合せは、合計4組存在する。 FIG. 7 is a diagram schematically showing the directions of magnetization of the two light modulation elements corresponding to FIG. 6B, where FIG. 7A is from H 1 to H 2 , and FIG. 7B is H 2. from to H 5, from (c) is H 5 to H 4, shows (d) are respectively a state from H 4 to H 6. As shown in FIGS. 7A and 7C, a state where the magnetization directions of the light modulation elements 13a and 13b are the same occurs twice, as shown in FIGS. 7B and 7D. In addition, a state where the magnetization directions of the light modulation elements 13a and 13b are different from each other occurs twice. That is, there are a total of four combinations of the magnetization directions of the light modulation elements 13a and 13b.

このうち、2回発生する光変調素子13a,13bの磁化方向が互いに異なる状態では、図6(b)に示すように、磁化Jの大きさが同じ(J2)であるため、画素20全体では、磁化の大きさとして3つの値「J1,J2,J3」が存在することとなる。つまり、多素子空間光変調器10では、画素20中で、磁化の方向が、所定方向に揃った状態と、回転した方向に揃った状態と、一部が回転した状態と、の3種類の磁化状態が存在している。多素子空間光変調器10では、この3種類の磁化状態に、光の階調を割り当てた。例えば、所定方向に揃った状態を「明」、回転した方向に揃った状態を「暗」、一部が回転した状態を「明暗の中間状態」としてもよい。なお、図6(b)に示した「J1,J2,J3」は、3種類の磁化状態が存在することを示すためのものであり、その値は特に限定されない。 Among these, in the state where the magnetization directions of the light modulation elements 13a and 13b generated twice are different from each other, the magnitude of the magnetization J is the same (J 2 ) as shown in FIG. Then, three values “J 1 , J 2 , J 3 ” exist as the magnitude of magnetization. In other words, in the multi-element spatial light modulator 10, in the pixel 20, there are three types of states: a state in which the magnetization direction is aligned in a predetermined direction, a state in which the magnetization direction is aligned in the rotated direction, and a state in which a part is rotated. A magnetized state exists. In the multi-element spatial light modulator 10, light gradations are assigned to these three types of magnetization states. For example, the state aligned in a predetermined direction may be “bright”, the state aligned in the rotated direction may be “dark”, and the state partially rotated may be “bright / dark intermediate state”. Note that “J 1 , J 2 , J 3 ” shown in FIG. 6B is for indicating that there are three types of magnetization states, and the values are not particularly limited.

本実施形態によれば、画素20中に形状磁気異方性の異なる2種類の光変調素子13a,13bを含み、スピン注入磁化反転と磁気光学的カー効果を組み合わせることで、入射光を明暗2状態の中間状態に変調することができる。また、本実施形態によれば、光の中間状態を、MOSLMによる時間変調よりも高速応答で実現できる。また、公知の微細加工技術によってサブミクロンの画素サイズを実現することが可能である。   According to the present embodiment, the pixel 20 includes two types of light modulation elements 13a and 13b having different shape magnetic anisotropies, and the incident light is made bright and dark by combining the spin injection magnetization reversal and the magneto-optical Kerr effect. It can be modulated to an intermediate state. Further, according to the present embodiment, the intermediate state of light can be realized with a faster response than time modulation by MOSLM. Further, it is possible to realize a submicron pixel size by a known fine processing technique.

以上、本実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、多素子空間光変調器10は、画素20中に2種類の光変調素子13a,13bを1つずつ、つまり1ペア含むものとして説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図8(a)に示すように、1つの画素20A中に4ペアの光変調素子13a,13bを含むようにしてもよい。また、図8(b)に示すように、1つの画素20A中に16ペアの光変調素子13a,13bを含むようにしてもよい。また、ペア数は、特に限定されない。また、縦横のそれぞれの個数はマトリクス状であれば特に限定されない。   As mentioned above, although this invention was demonstrated based on this embodiment, this invention is not limited to this. For example, the multi-element spatial light modulator 10 has been described as including two types of light modulation elements 13 a and 13 b in the pixel 20, that is, one pair, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 8A, four pairs of light modulation elements 13a and 13b may be included in one pixel 20A. Further, as shown in FIG. 8B, 16 pairs of light modulation elements 13a and 13b may be included in one pixel 20A. Further, the number of pairs is not particularly limited. Also, the number of vertical and horizontal numbers is not particularly limited as long as it is a matrix.

また、本実施形態では、画素20中の光変調素子13a,13bは、電流の流れる方向に垂直な面の形状が方形であるものとしたが、これに限定されるものではない。例えば、図9(a)に示すように、画素20Cにおいて、平面形状が多角形(図では8角形)である光変調素子13c,13dを備えるようにしてもよい。
また、図9(b)に示すように、画素20Dにおいて、平面形状が円および楕円である光変調素子13e,13fを備えるようにしてもよい。
また、図9(c)に示すように、画素20Eにおいて、平面形状が異なる2種類の光変調素子13c,13bを備えるようにしてもよい。
また、本実施形態では、2種類の光変調素子13a,13bは、電流の流れる方向に垂直な面の面積が同じものとしたが、例えば、図9(d)に示すように、画素20Fにおいて、その面の面積が異なる光変調素子13g,13bを備えるようにしてもよい。
In the present embodiment, the light modulation elements 13a and 13b in the pixel 20 have a rectangular shape in the plane perpendicular to the current flow direction. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 9A, the pixel 20C may include light modulation elements 13c and 13d whose planar shape is a polygon (an octagon in the figure).
Further, as illustrated in FIG. 9B, the pixel 20D may include light modulation elements 13e and 13f whose planar shapes are a circle and an ellipse.
Further, as shown in FIG. 9C, the pixel 20E may include two types of light modulation elements 13c and 13b having different planar shapes.
In the present embodiment, the two types of light modulation elements 13a and 13b have the same surface area perpendicular to the direction of current flow. For example, as shown in FIG. The light modulation elements 13g and 13b having different surface areas may be provided.

また、本実施形態では、画素20中に2種類の光変調素子13a,13bを備えるものとしたが、これに限定されるものではない。例えば、図10(a)に示すように、画素20Gにおいて、平面形状の異なる3種類の光変調素子13h,13i,13jを備えるようにしてもよい。この場合、図10(a)に示すように、3種類の光変調素子を一直線上に配置してもよいし、図10(b)に示すように、2種類の光変調素子のみを一直線上に配置してもよい。さらに、1画素20中に4種類以上の光変調素子13を含んでもよい。なお、図8ないし図10は、画素20A〜20Hにおいて、電流の流れる方向に垂直な面を模式的に示している。   In this embodiment, the pixel 20 includes the two types of light modulation elements 13a and 13b. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 10A, the pixel 20G may include three types of light modulation elements 13h, 13i, and 13j having different planar shapes. In this case, as shown in FIG. 10A, three types of light modulation elements may be arranged on a straight line, or as shown in FIG. 10B, only two types of light modulation elements are arranged on a straight line. You may arrange in. Further, four or more types of light modulation elements 13 may be included in one pixel 20. 8 to 10 schematically show surfaces perpendicular to the direction of current flow in the pixels 20A to 20H.

本発明の効果を確認するために本実施形態に係る多素子空間光変調器10を製造した。
本実施例の多素子空間光変調器10は、1画素2素子、すなわち、1つの画素20に2種類1ペアの光変調素子13(13a,13b)を含み、表1に示す材料から成るCPP−GMR素子を用いて製造されたものである。なお、表1のカッコ内の数字は厚さ[nm(ナノメートル)]を示す。
In order to confirm the effect of the present invention, the multi-element spatial light modulator 10 according to the present embodiment was manufactured.
The multi-element spatial light modulator 10 of this embodiment includes two elements per pixel, that is, a CPP made of a material shown in Table 1 and including two pairs of light modulator elements 13 (13a, 13b) in one pixel 20. -Manufactured using a GMR element. The numbers in parentheses in Table 1 indicate the thickness [nm (nanometer)].

Figure 0004939149
Figure 0004939149

この多素子空間光変調器10の物理特性を図11に示す。図11は、光変調素子としてCPP−GMR素子を用いた場合の素子抵抗を示すグラフであり、(a)は外部磁界に対する素子抵抗、(b)は注入電流に対する素子抵抗をそれぞれ示している。   The physical characteristics of the multi-element spatial light modulator 10 are shown in FIG. FIG. 11 is a graph showing element resistance when a CPP-GMR element is used as the light modulation element. FIG. 11A shows element resistance against an external magnetic field, and FIG. 11B shows element resistance against injected current.

図11(a)に示すグラフには、外部磁界Hの変化に対応した素子抵抗Rとして、ほぼ均等な3種類の値(4.11Ω,4.16Ω,4.22Ω)が生じている。つまり、3種類の磁化状態が生成している。このことから、磁気異方性の異なる2種類の光変調素子13a,13bが製造できたことが分かる。   In the graph shown in FIG. 11A, three substantially equal values (4.11Ω, 4.16Ω, and 4.22Ω) are generated as the element resistance R corresponding to the change in the external magnetic field H. That is, three types of magnetization states are generated. From this, it can be seen that two types of light modulation elements 13a and 13b having different magnetic anisotropies could be manufactured.

また、同様に、図11(b)に示すグラフには、パルス幅20msの注入電流Iの変化に対応した素子抵抗dV/dIとして、ほぼ均等な3種類の値(3.86Ω,3.91Ω,3.96Ω)が生じている。このことから、パルス幅20msの注入電流Iにより3段階の磁化状態が制御できることが分かる。その結果、入射光を明、暗、その中間状態に変調できることが分かる。   Similarly, in the graph shown in FIG. 11B, there are three substantially equal values (3.86Ω, 3.91Ω, 3.96) as the element resistance dV / dI corresponding to the change in the injection current I having a pulse width of 20 ms. Ω). From this, it can be seen that the three-stage magnetization state can be controlled by the injection current I having a pulse width of 20 ms. As a result, it can be seen that incident light can be modulated into bright, dark, and intermediate states.

次に、光変調素子13において電流の流れる方向に垂直な面が同面積で縦横比の異なるものを製造して光変調素子13の形状磁気異方性の違いを確認した。
図12は、光変調素子としてCPP−GMR素子を用いた場合の形状磁気異方性の説明図であり、(a)は光変調素子の電流の流れる方向に垂直な面の形状を模式的に示す平面図、(b)は光変調素子の磁化特性を示すグラフ、(c)は光変調素子の横幅の変化に対する磁化反転時の外部磁界を示すグラフをそれぞれ示している。
Next, in the light modulation element 13, the surface perpendicular to the direction of current flow was manufactured with the same area and different aspect ratio, and the difference in shape magnetic anisotropy of the light modulation element 13 was confirmed.
FIG. 12 is an explanatory diagram of the shape magnetic anisotropy when a CPP-GMR element is used as the light modulation element. FIG. 12A schematically shows the shape of the surface perpendicular to the current flow direction of the light modulation element. FIG. 4B is a graph showing the magnetization characteristics of the light modulation element, and FIG. 4C is a graph showing the external magnetic field during magnetization reversal with respect to the change in the lateral width of the light modulation element.

図12(a)に示すように、光変調素子13の平面形状の方形の縦の長さを100[nm]、横の長さを変数X[nm]として、横の長さの異なる(縦横比の異なる)4種類の光変調素子を作成した。図12(b)に示すように、外部磁界HEXを変化させて磁化の値が「J1」から「J4」に変化したときの外部磁界HEXの大きさを「HS」とする。なお、図12(b)に示したグラフでは、磁化の変化を単純化して直線で示している。実際には、外部磁界HEXの大きさ「HS」は、磁化の値が「J1」のときの外部磁界HEXの大きさと、磁化の値が「J4」のときの外部磁界HEXの大きさとを平均して求めた値となる。このことは図12(c)に示すグラフに反映している。 As shown in FIG. 12 (a), the vertical length of the rectangular shape of the planar shape of the light modulation element 13 is 100 [nm], the horizontal length is a variable X [nm], and the horizontal length is different (vertical and horizontal). Four types of light modulation elements (with different ratios) were prepared. As shown in FIG. 12 (b), the magnitude of the external magnetic field H EX when changed to "J 4 'from the value of magnetization by changing the external magnetic field H EX is" J 1 "and" H S " . In the graph shown in FIG. 12B, the change in magnetization is simplified and shown as a straight line. In practice, the magnitude of the external magnetic field H EX "H S" is the magnitude of the external magnetic field H EX when the value of magnetization of the "J 1", the external magnetic field H when the value of magnetization of the "J 4 ' This is the value obtained by averaging the magnitude of EX . This is reflected in the graph shown in FIG.

図12(c)に示すように、光変調素子13の平面形状の方形の横の長さが180[nm]の場合には、磁化反転時の外部磁界HSは、8000[A/m](100[Oe])であった。また、光変調素子の横の長さが350[nm]の場合には、磁化反転時の外部磁界HSは、12000[A/m](150[Oe])であった。その結果、縦横比を、「1.8」から「3.5」に変化させたときに、磁化反転時の外部磁界の大きさ「HS」が「1.5」倍に変化することを確認した。これにより、様々な磁化状態や電流特性を実現する形状磁気異方性を有した光変調素子13を設計可能であることが分かる。 As shown in FIG. 12C, when the horizontal length of the planar square of the light modulation element 13 is 180 [nm], the external magnetic field H S at the time of magnetization reversal is 8000 [A / m]. (100 [Oe]). When the lateral length of the light modulation element was 350 [nm], the external magnetic field H S at the time of magnetization reversal was 12000 [A / m] (150 [Oe]). As a result, when the aspect ratio is changed from “1.8” to “3.5”, the magnitude “H S ” of the external magnetic field at the time of magnetization reversal changes to “1.5” times. confirmed. Thus, it can be seen that the light modulation element 13 having shape magnetic anisotropy that realizes various magnetization states and current characteristics can be designed.

本発明の実施形態に係る映像表示装置の一例を示した構成図である。It is the block diagram which showed an example of the video display apparatus concerning embodiment of this invention. 図1に示した多素子空間光変調器を模式的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing the multi-element spatial light modulator shown in FIG. 1. 図1に示した多素子空間光変調器の動作原理を示す説明図であり、(a)は初期状態、(b)は反転状態をそれぞれ示している。FIGS. 2A and 2B are explanatory diagrams illustrating an operation principle of the multi-element spatial light modulator illustrated in FIG. 1, in which FIG. 1A illustrates an initial state and FIG. 図2に示した画素を模式的に示す構成図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のB−B線断面図、(c)は(a)のC−C線断面図をそれぞれ示している。It is a block diagram which shows typically the pixel shown in FIG. 2, (a) is a top view, (b) is the BB sectional drawing of (a), (c) is CC line of (a). Cross-sectional views are shown respectively. 図4に示した光変調素子の個別の磁化特性の一例を示すグラフであり、(a)は光変調素子の形状が正方形の場合、(b)は長方形の場合をそれぞれ示している。FIG. 5 is a graph showing an example of individual magnetization characteristics of the light modulation element shown in FIG. 4, where (a) shows a case where the shape of the light modulation element is a square, and (b) shows a case where the shape is a rectangle. 2個の光変調素子の磁化特性の一例を示すグラフであり、(a)は光変調素子の形状が両方とも正方形の場合、(b)は長方形と正方形の組合せの場合をそれぞれ示している。It is a graph which shows an example of the magnetization characteristic of two light modulation elements, (a) has shown the case where both the shapes of a light modulation element are square, (b) has shown the case of the combination of a rectangle and a square, respectively. 図6(b)に対応した2個の光変調素子のそれぞれの磁化の向きを模式的に示す図であり、(a)はH1からH2まで、(b)はH2からH5まで、(c)はH5からH4まで、(d)はH4からH6までの状態をそれぞれ示している。FIG. 7 is a diagram schematically illustrating the magnetization directions of two light modulation elements corresponding to FIG. 6B, where FIG. 6A is from H 1 to H 2 , and FIG. 6B is from H 2 to H 5. (C) shows the state from H 5 to H 4 , and (d) shows the state from H 4 to H 6 , respectively. 2種類の光変調素子からなるペアを複数含む画素の構成例を模式的に示す平面図であり、(a)は4ペア、(b)は16ペアの状態をそれぞれ示している。It is a top view which shows typically the example of a structure of the pixel containing two or more pairs which consist of two types of light modulation elements, (a) has shown the state of 4 pairs, (b) has each shown the state of 16 pairs. 2種類の光変調素子の形状を模式的に示す平面図であり、(a)は多角形の場合、(b)は円と楕円の場合、(c)は2種類の多角形を組み合わせた場合、(d)は2種類の光変調素子の面積が異なる場合をそれぞれ示している。It is a top view which shows typically the shape of two types of light modulation elements, (a) is a polygon, (b) is a circle and an ellipse, (c) is a combination of two types of polygons , (D) show cases where the areas of the two types of light modulation elements are different. 3種類の光変調素子を含む画素の構成例を模式的に示す平面図であり、(a)は3種類の光変調素子を一直線上に配置した場合、(b)は2種類の光変調素子を一直線上に配置した場合をそれぞれ示している。It is a top view which shows typically the structural example of the pixel containing 3 types of light modulation elements, (a) is the case where 3 types of light modulation elements are arrange | positioned on a straight line, (b) is 2 types of light modulation elements Are respectively shown in a straight line. 光変調素子としてCPP−GMR素子を用いた場合の素子抵抗を示すグラフであり、(a)は外部磁界に対する素子抵抗、(b)は注入電流に対する素子抵抗をそれぞれ示している。It is a graph which shows element resistance at the time of using a CPP-GMR element as a light modulation element, (a) has shown element resistance with respect to an external magnetic field, (b) has shown element resistance with respect to injection current, respectively. 光変調素子としてCPP−GMR素子を用いた場合の形状磁気異方性の説明図であり、(a)は光変調素子の電流の流れる方向に垂直な面の形状を模式的に示す平面図、(b)は光変調素子の磁化特性を示すグラフ、(c)は光変調素子の横幅の変化に対する磁化反転時の外部磁界を示すグラフをそれぞれ示している。It is explanatory drawing of the shape magnetic anisotropy at the time of using a CPP-GMR element as a light modulation element, (a) is a top view which shows typically the shape of the surface perpendicular | vertical to the current flow direction of a light modulation element, (B) is a graph showing the magnetization characteristics of the light modulation element, and (c) is a graph showing the external magnetic field at the time of magnetization reversal with respect to the change in the lateral width of the light modulation element.

符号の説明Explanation of symbols

1 映像表示装置
2 レーザ光源
3 スクリーン
4(4a,4b) 偏光フィルタ
10 多素子空間光変調器
11 上部電極
12 下部電極
13 光変調素子
14 上部電極選択部
15 下部電極選択部
16 電流源
17 電流制御手段
20 画素
101 固定層
102 中間層
103 反転層
104 封止剤
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Image display apparatus 2 Laser light source 3 Screen 4 (4a, 4b) Polarizing filter 10 Multi-element spatial light modulator 11 Upper electrode 12 Lower electrode 13 Light modulation element 14 Upper electrode selection part 15 Lower electrode selection part 16 Current source 17 Current control Means 20 Pixel 101 Fixed layer 102 Intermediate layer 103 Inversion layer 104 Sealant

Claims (4)

光が入射する画素のそれぞれに、供給される電流の向きと大きさにより磁化方向が反転する反転層、磁化方向が固定された固定層、前記反転層と前記固定層とを分離する中間層、が積層して構成された光変調素子を備え、前記光変調素子に向きと大きさとを制御した電流を供給して、前記反転層の磁化方向を反転させ、前記画素に入射する光を変調して出射する多素子空間光変調器であって、
前記光変調素子は、CPP−GMR素子またはTMR素子から構成されており、
前記画素には、第1光変調素子と第2光変調素子とを含む複数の前記光変調素子が配置され、
前記第1光変調素子と前記第2光変調素子とは、流れる電流の大きさに対応して前記反転層の磁化方向が反転する外部磁界の大きさが異なるように、前記電流が流れる方向から視た形状が異なっており、
前記多素子空間光変調器は、
前記画素に配置される前記第1光変調素子又は前記第2光変調素子の前記反転層の磁化方向を反転するように供給する電流の大きさを制御して、前記第1光変調素子又は前記第2光変調素子の反転層の磁化方向を反転させ、光の明状態と暗状態の中間状態を割り当てられることを特徴とする多素子空間光変調器。
An inversion layer in which the magnetization direction is inverted depending on the direction and magnitude of a current supplied to each pixel on which light is incident, a fixed layer in which the magnetization direction is fixed, an intermediate layer that separates the inversion layer and the fixed layer, A light modulation element configured by stacking , supplying a current whose direction and size are controlled to the light modulation element, reversing the magnetization direction of the inversion layer, and modulating light incident on the pixel A multi-element spatial light modulator that emits
The light modulation element is composed of a CPP-GMR element or a TMR element,
The pixel includes a plurality of the light modulation elements including a first light modulation element and a second light modulation element,
The first light modulation element and the second light modulation element are different from each other in the direction in which the current flows so that the magnitude of the external magnetic field that reverses the magnetization direction of the inversion layer corresponds to the magnitude of the flowing current. The shape looked different,
The multi-element spatial light modulator is
Controlling the magnitude of the current supplied so as to reverse the magnetization direction of the inversion layer of the first light modulation element or the second light modulation element arranged in the pixel; multi-element spatial light modulator inversion layer by reversing the magnetization direction, and wherein the assigned intermediate states of the bright state and the dark state of the light of the second light modulation element.
前記第1光変調素子と前記第2光変調素子とは、前記電流の流れる方向に垂直な面の形状が方形に構成され、前記方形の縦横比が互いに異なることを特徴とする請求項1に記載の多素子空間光変調器。 The said 1st light modulation element and the said 2nd light modulation element are comprised by the shape of a surface perpendicular | vertical to the direction through which the said current flows in a square, The aspect ratio of the said square differs from each other, It is characterized by the above-mentioned. The multi-element spatial light modulator as described. 前記光変調素子に流れるパルス電流または直流電流の方向および大きさを制御して、前記光変調素子にスピン注入することによって、前記光変調素子における前記反転層の磁化方向を反転させる電流制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項1又は請求項に記載の多素子空間光変調器。 By controlling the direction and magnitude of the pulse current or a direct current flowing in the light modulation element, by spin injection to the light modulation device, a current control means for reversing the magnetization direction of the inversion layer in the optical modulator The multi-element spatial light modulator according to claim 1 or 2 , further comprising: 請求項1ないし請求項のいずれか一項に記載の多素子空間光変調器を備えたことを特徴とする映像表示装置。 An image display device comprising the multi-element spatial light modulator according to any one of claims 1 to 3 .
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