JP4936519B2 - ナノ構造及びマイクロ構造を有する構造体の成形用モールドの製造方法及び該モールドを用いる該構造体の製造方法 - Google Patents
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Description
このため、ナノ構造及び/又はマイクロ構造を有する構造体の製造(特に量産)には、繰返し使用に耐え得る金属製モールドが使用されている。金属製モールドは、例えば石英ガラス製原版を基に作製される。
ここで、ナノ構造とマイクロ構造が共存する構造体の成形用原版の作製には、基板(例えば石英ガラス基板)にナノ構造用とマイクロ構造用の少なくとも2回のリソグラフィー及びエッチングの両工程が必要である。
(a)押付け面上に、所望のマイクロ構造に相当する平面パターンを有するマスクが形成され且つ所望のナノ構造が形成された部分的に光遮断性原版を、支持基板上に形成された光硬化性樹脂膜に、その膜が加熱により軟化した状態で押し付け、前記所望のナノ構造の反転構造を転写する工程、
(b)得られた光硬化性樹脂膜を前記原版の押付け面とは反対の裏面側から前記マスクを介して露光する工程、
(c)得られた硬化した樹脂膜を前記原版から離型する工程、
(d)離型した樹脂膜を現像して前記所望のマイクロ構造の反転構造を形成する工程、
(e)得られた樹脂膜を用いて、前記所望のナノ構造及びマイクロ構造が表面に形成されたレプリカを得る工程、
(f)前記レプリカ上に金属材料を堆積させて、前記ナノ構造及びマイクロ構造の反転構造が表面に転写されたモールドを得る工程
を含んでなることを特徴とするナノ構造及びマイクロ構造を有する構造体の成形用モールドの製造方法が提供される。
原版にはマクロ構造は固定的に形成されないので、ナノ構造を有する1つの原版から、当該ナノ構造と種々のマイクロ構造とを有するモールドを製造することができる。例えば、光硬化性樹脂膜の膜厚を調整することにより、マイクロ構造の高さが異なるモールドを製造できる。また、例えばマスクの平面パターンを変えることによっても、異なるマクロ構造を有するモールドを製造できる。
原版の押付け面上へのマスクパターンの作製は、(例えば半導体製造の分野で)微小加工に通常用いられている方法、例えば、リソグラフィー技術、及び/又はエッチング技術、及び/又は電子線直接描画法などを用いて作製することができる。
支持基板は、所望の構造の反転構造が転写され硬化された樹脂膜が破壊したり変形することを防止するための支持体として機能するに十分な強度を有しさえすれば任意の材質であり得る。支持基板の例としては、石英ガラス基板、サファイア基板、金属(銅、ニッケル、ステンレス鋼など)基板、シリコン基板、使用する光硬化性樹脂と混ざらない樹脂基板(例えば、エポキシ基板や高分子量のアクリル基板)が挙げられる。
露光の手段及び方法は、一般に、(例えば半導体製造の分野で)微小加工に通常用いられているリソグラフィー技術における露光の手段及び方法と同様である。
本発明における露光には、リソグラフィー技術に使用できるエネルギー線、例えば可視光、紫外線、又はX線を使用することができる。よって、本発明において、「光」とは、通常の意味での光(すなわち赤外線、可視光、紫外線)に加えて、X線も含むものとする。露光は好ましくは紫外線露光である。
露光線量は、使用する光硬化性樹脂膜に応じて適切に選択される。例えば光硬化性樹脂膜として「SU-8」、「SU-8 200」、「SU-8 3000」シリーズのレジストを、光源として紫外線ランプを使用する場合、露光線量は100mJ/cm2〜1000mJ/cm2であり得る。
使用した光硬化性樹脂膜が化学増幅型レジストである場合、露光から離型の間に、該膜を加熱して露光による開始した架橋反応プロセスを促進させることができる。この露光後の加熱(露光後ベーク)は、一般には十分な架橋反応(90%以上の架橋度)が達成できる温度及び時間以上で行う。ここで、架橋度は、例えば、架橋に関与する官能基(例えばエポキシ基)の特定の波長又は波数(エポキシ基の場合910cm-1)のピーク面積の変化に基づくFT-IRデータから算出することができる。
露光後ベークの加熱温度は、プレベークを行う場合、該プレベーク工程での過熱温度又はそれ以下であることが好ましい。使用する光硬化性樹脂膜が「SU-8 3000」である場合、露光後ベークの条件は95℃にて少なくとも10分間が好ましい。
現像は、使用した光硬化性樹脂膜に適切な現像液(好ましくは光硬化性樹脂の製造業者により推奨される現像液又はその同等品)を用いて、例えば浸漬により行う。例えば光硬化性樹脂膜としてSU-8レジストを使用した場合、現像液はPGMEA(ポリプロピレングリコールメチルエーテルアセテート)を使用できる。
金属材料は、単一元素金属、二種以上の金属からなる合金、又は非金属元素を含有する金属であってもよい。使用し得る金属としては、例えばニッケル、コバルト、銅、ニッケル-コバルト合金が挙げられる。好ましくは金属材料はニッケルである。
金属材料の堆積は、例えば電鋳、真空蒸着、低温CVD(Chemical Vapor Deposition)によって行うことができる。金属材料の堆積を電鋳により行う場合、前記得られた樹脂膜の表面に導体化処理(例えば、金属めっき被膜のような導電膜の形成)を行うことが好ましい。
金属材料は、レプリカ作製時の上記金属材料と同様な金属であり得、上記金属材料と同一であってもよい。好ましくは金属材料はニッケルである。
レプリカが樹脂からなる場合、上記のような導体化処理を行うことが好ましい。
本発明の構造体製造方法は、上記のようにして得られたモールドを用いることを特徴とする。
モールドは、離型性向上のために、離型剤塗布等の表面処理を行ってもよい。
別の態様では、モノマー又はプレポリマーをモールド上に塗布した後に重合又は硬化させてナノ構造及びマイクロ構造が転写された高分子樹脂としてもよい。
高分子樹脂としては、一般に成形に用いられる樹脂、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂を使用することができる。
例えば、マイクロ構造でマイクロリアクター若しくはマイクロ流体デバイス又はマイクロウェルを形成し、ナノ構造上に、特異的結合をする結合パートナー(例えば、抗原と抗体、酵素と基質、レセプターとリガンド、ポリヌクレオチド鎖とその相補鎖)の一方を固定することにより、少量の検体中に存在する他方の結合パートナーを検出することが可能となり、又は結合反応を促進して検出に要する時間を短縮することができる。このようなマイクロデバイスは、例えば免疫分析チップ、DNAチップ、診断・検出キット、化学分析チップ、マイクロセンサとして使用できる。
その他に、円錐状のナノ構造による反射防止構造、直方体のアレイ状のナノ構造によるフォトニック結晶構造としても利用できる。
原版として石英ガラスを用いた。原版の押付け面上のナノ構造は、直径200nm、高さ200nm、繰返しピッチ300nmの円柱列であった。このナノ構造は、電子線露光とプラズマエッチングにより作製した。
押付け面上には、マイクロ構造(線幅30μm、高さ50μm)に相当する平面パターンのマスクをクロム膜で、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて作製した。
得られたレプリカを鋳型として、再びニッケルを電鋳した。この結果、ナノ構造及びマイクロ構造の反転構造を有するモールドが得られた。
その後、モールドから離型して、ナノ構造及びマイクロ構造を有する樹脂構造体が得られた。
本実施例では、本発明の方法における光硬化性樹脂膜としてのSU-8 3000レジスト(化薬マイクロケム株式会社)の使用可能性を検討した。
検討に使用したインプリントプロセスのフロー図を図7に示す。
コーティング:スピンコーティング法
プレベーク:65℃で2分間+95℃で5分間
露光:紫外線(365nm〜436nm)
PEB:125℃で5分間
現像:SU-8現像液中で7分間の浸漬現像
観察された孔状欠陥の原因は、インプリントの間にレジストから発生したアウトガスであると推測された。レジストは原版に押し付けられたままで、露光工程及び露光後ベーク(PEB)工程を経るので、この間に発生したアウトガスは、パターン形成により生じた押付け面上の凹部に溜まり、その結果、孔状欠陥が生じた可能性が高いと考えられた。そこで、露光及びPEBの間にレジストから発生するアウトガスの組成及び量を、ガスクロマトグラフ-質量分析器(GC-MS)を用いて調べた。
図10は、基板温度と、プレベーク時間を5分間から30分間に延長したときに発生するアウトガスの量との関係を示す。30分間のプレベークによりアウトガスが除去され、その後の95℃以下でのPEBではアウトガスはほとんど発生しない。この結果から、適切な時間プレベークを行い確実に残留VOCを事前に除去することが重要であることが理解される。
熱インプリントでは、ガラス転移温度(Tg)より高い温度で軟化させた熱可塑性樹脂膜にインプリントする。このプロセスにおける適切な温度範囲を、SU-8 3000レジストについて調べた。
図11に結果を示す。SU-8 3000レジストは65℃から急激に軟化した。アウトガスの発生が95℃以上で急増することを考慮すれば、熱インプリントの最適温度は、65℃〜95℃に設定できる。
熱インプリントにより転写されたパターンを固定するために、SU-8 3000レジストを露光し、そして露光後ベーク(PEB)を行う必要がある。ベークユニットを備えたフーリエ変換赤外分光(FT-IR)システムを使用してPEBに適切な温度を検討した[A. Sekiguchi, Y. Kono and Y. Sensu, Journal of Photopolymer Science and Technology, 17, 463, June 2004]。このシステムは、サンプルを加熱しながら官能基の変化に関連するIR吸収の変化を測定することができる。図12に、露光線量125mJ/cm2でPEB温度125℃のときの加熱時間に対する吸収スペクトルの変化を示す。エポキシ基の開環反応は、910cm-1の吸収スペクトルの変化として現れるので、これを観察することによってレジスト膜中の架橋反応の進行をモニターすることができる。
下記の条件下でパターンの転写実験を行った。
(1)レジストの基板への塗布:スピンコーティング
(2)プレベーク:65℃で2分間、更に95℃で30分間
(3)インプリント
押付け時間:5分間
加熱温度:65、75、85、95、105、及び125℃
(4)露光:UVランプ照射(300mJ/cm2)
(5)PEB
PEB時間:10分間
加熱温度:65、75、85、95、105、及び125℃
Claims (14)
- (a)押付け面上に、所望のマイクロ構造に相当する平面パターンを有するマスクが形成され且つ所望のナノ構造が形成された部分的光遮断性の原版を、支持基板上に形成された光硬化性樹脂膜に、その膜が加熱により軟化した状態で押し付け、前記所望のナノ構造の反転構造を転写する工程、
(b)得られた光硬化性樹脂膜を前記原版の押付け面とは反対の裏面側から前記マスクを介して露光する工程、
(c)得られた硬化した樹脂膜を前記原版から離型する工程、
(d)離型した樹脂膜を現像して前記所望のマイクロ構造の反転構造を形成する工程、
(e)得られた樹脂膜を用いて、前記所望のナノ構造及びマイクロ構造が表面に形成されたレプリカを得る工程、
(f)前記レプリカ上に金属材料を堆積させて、前記ナノ構造及びマイクロ構造の反転構造が表面に形成されたモールドを得る工程
を含んでなることを特徴とするナノ構造及びマイクロ構造を有する構造体の成形用モールドの製造方法。 - 工程(a)の前に、前記光硬化性樹脂膜を加熱して該光硬化性樹脂膜中に残留する揮発成分を除去する工程(x)を更に含んでなる請求項1に記載の方法。
- 工程(x)における加熱する温度が、工程(a)における加熱温度と等しいか又はそれ以上である請求項2に記載の方法。
- 前記光硬化性樹脂膜が化学増幅型レジストであり、工程(b)と(c)の間に前記得られた光硬化性樹脂膜を更に加熱して該膜の硬化反応を促進する工程(y)を更に含む請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 工程(y)における加熱する温度が、工程(x)における加熱温度と等しいか又はそれ以下である請求項4に記載の方法。
- 工程(x)、(a)及び(y)における加熱する温度が等しい請求項5に記載の方法。
- 前記マスクがクロム膜からなる請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記光硬化性樹脂膜がノボラック型エポキシ樹脂をベースとする請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 金属材料を堆積させる工程が電気鋳造による請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 露光が紫外線による請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法により製造されたモールドを用いることを特徴とするナノ構造及びマイクロ構造を有する構造体の製造方法。
- 前記モールドを高分子樹脂に押し付けて前記ナノ構造及びマイクロ構造を転写する請求項11に記載の方法。
- 前記高分子樹脂が熱硬化性樹脂である請求項11又は12に記載の方法。
- 前記高分子樹脂が光硬化性樹脂である請求項11又は12に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006223545A JP4936519B2 (ja) | 2006-08-18 | 2006-08-18 | ナノ構造及びマイクロ構造を有する構造体の成形用モールドの製造方法及び該モールドを用いる該構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006223545A JP4936519B2 (ja) | 2006-08-18 | 2006-08-18 | ナノ構造及びマイクロ構造を有する構造体の成形用モールドの製造方法及び該モールドを用いる該構造体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008044283A JP2008044283A (ja) | 2008-02-28 |
JP4936519B2 true JP4936519B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=39178466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006223545A Expired - Fee Related JP4936519B2 (ja) | 2006-08-18 | 2006-08-18 | ナノ構造及びマイクロ構造を有する構造体の成形用モールドの製造方法及び該モールドを用いる該構造体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4936519B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5422855B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2014-02-19 | 小川 一文 | 転写ロールとその製造方法およびそれを用いて製造したフィルムまたはシート |
KR101433292B1 (ko) | 2009-02-17 | 2014-08-22 | 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 | 마이크로구조 제조방법 |
WO2011070102A1 (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Fluimedix Aps | Method of producing a structure comprising a nanostructure |
CN107405801A (zh) * | 2014-12-10 | 2017-11-28 | 查尔斯斯塔克布料实验室公司 | 聚合物微小楔形物及其制造方法 |
CN107922183B (zh) | 2015-09-30 | 2022-09-13 | 富士胶片株式会社 | 铸模的制作方法、图案片材的制造方法、电铸模具的制作方法及使用了电铸模具的铸模的制作方法 |
CN107305214B (zh) * | 2016-04-22 | 2019-01-04 | 清华大学 | 一种硬质微流体芯片的制作方法 |
US20220340700A1 (en) | 2019-07-02 | 2022-10-27 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Microwell film for bioassay, photosensitive resin composition for formation of the microwell film for bioassay, and method of manufacturing the microwell film for bioassay |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004304097A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Sharp Corp | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP4466074B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-05-26 | 株式会社日立製作所 | 微細金属構造体とその製造方法、並びに微細金型とデバイス |
US8011916B2 (en) * | 2005-09-06 | 2011-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold, imprint apparatus, and process for producing structure |
JP4717623B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2011-07-06 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成体の製造方法 |
JP4756243B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2011-08-24 | 国立大学法人群馬大学 | 光学素子、成形金型、光学素子の製造方法、マイクロ化学チップおよび分光分析装置 |
-
2006
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008044283A (ja) | 2008-02-28 |
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