JP4934345B2 - Organic electroluminescence device - Google Patents

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Description

本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子(EL素子)に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent element (EL element) capable of emitting light by converting electric energy into light.

有機電界発光(EL)素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。この有機電界発光素子の重要な特性値として、外部量子効率がある。外部量子効率は、「外部量子効率φ=素子から放出されたフォトン数/素子に注入された電子数」で算出され、この値が大きいほど消費電力の点で有利な素子と言える。   An organic electroluminescence (EL) element has attracted attention as a promising display element because it can emit light with high luminance at a low voltage. An important characteristic value of this organic electroluminescence device is external quantum efficiency. The external quantum efficiency is calculated by “external quantum efficiency φ = number of photons emitted from the device / number of electrons injected into the device”, and it can be said that the larger this value, the more advantageous the device in terms of power consumption.

有機電界発光素子の外部量子効率は、「外部量子効率φ=内部量子効率×光取り出し効率」で決まる。有機化合物からの蛍光発光を利用する有機EL素子においては、内部量子効率の限界値が25%であり、光取り出し効率が約20%であることから、外部量子効率の限界値は約5%とされている。   The external quantum efficiency of the organic electroluminescence device is determined by “external quantum efficiency φ = internal quantum efficiency × light extraction efficiency”. In an organic EL device using fluorescence emission from an organic compound, the limit value of the internal quantum efficiency is 25%, and the light extraction efficiency is approximately 20%. Therefore, the limit value of the external quantum efficiency is approximately 5%. Has been.

発光素子の特性をさらに向上する手段として、オルトメタル化イリジウム錯体(Ir(ppy)3:Tris−Ortho−Metalated Complex of Iridium(III) with 2−Phenylpyridine)からの発光を利用した緑色発光素子が報告されている(例えば特許文献1参照)。この特許文献1に記載のりん光発光素子は、従来の一重項発光素子に比べて緑色及び赤色の発光効率が大幅に向上しているが、耐久性の点で改良が望まれている。
米国特許2002/0034656A1号
As a means to further improve the characteristics of the light-emitting element, a green light-emitting element utilizing light emission from an ortho-metalated iridium complex (Ir (ppy) 3 : Tris-Ortho-Metalated Complex of Iridium (III) with 2-Phenylpyridine) has been reported. (For example, refer to Patent Document 1). The phosphorescent light-emitting device described in Patent Document 1 has significantly improved green and red light-emitting efficiency as compared with the conventional singlet light-emitting device, but is desired to be improved in terms of durability.
US 2002/0034656 A1

本発明の目的は、高い発光効率及び高い耐久性の少なくとも1つを示す有機電界発光素子の提供にある。   An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device exhibiting at least one of high luminous efficiency and high durability.

この課題は下記手段によって達成された。
<1>
陽極と陰極とからなる一対の電極間に発光層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、発光層と陰極との間に、少なくとも1種の下記一般式(2)で表される化合物を含む層を少なくとも一層有することを特徴とする有機電界発光素子。

Figure 0004934345

21 は白金イオン又はパラジウムイオンを表す。Q 23 、Q 24 はそれぞれM 21 に炭素原子で配位するフェニル基又はM 21 に炭素原子で配位するトリアゾリル基若しくはピラゾリル基を表す。L 22 はジメチルメチレン基又はジフェニルメチレン基を表す。M 21 −N間の結合(点線部)は、配位結合を示す。M 21 −Q 23 間の結合及びM 21 −Q 24 間の結合は、共有結合である。
<2>
前記発光層が発光材料を含有し、該発光材料がりん光材料であることを特徴とする上記<1>に記載の有機電界発光素子。
なお、本発明は、上記<1>及び<2>に関するものであるが、参考のため、その他の事項(例えば下記項目1〜7に記載の事項等)についても記載した。
1.陽極と陰極とからなる一対の電極間に発光層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、発光層と陰極との間に、3座以上の配位子を有する金属錯体を含む層を少なくとも一層有することを特徴とする有機電界発光素子。
2.前記3座以上の配位子が、4座配位子であることを特徴とする上記1に記載の有機電界発光素子。
3.前記金属錯体の金属イオンが、ロジウムイオン、パラジウムイオン、レニウムイオン、イリジウムイオン、または、白金イオンであることを特徴とする上記1または2に記載の有機電界発光素子。
4.前記金属錯体が、下記一般式(1)で表される化合物であることを特徴とする上記1〜3のいずれかに記載の有機電界発光素子。 This object has been achieved by the following means.
<1>
An organic electroluminescent device having a plurality of organic compound layers including a light emitting layer between a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, wherein at least one of the following general formula (2) is provided between the light emitting layer and the cathode: An organic electroluminescent device comprising at least one layer containing the represented compound.
Figure 0004934345

M 21 represents a platinum ion or a palladium ion. Q 23, Q 24 represents a coordinating triazolyl group or a pyrazolyl group with a carbon atom to the phenyl group or M 21 coordinated with the carbon atom to M 21, respectively. L 22 represents a dimethylmethylene group or a diphenylmethylene group. The bond between M 21 and N (dotted line portion) indicates a coordination bond. The bond between M 21 and Q 23 and the bond between M 21 and Q 24 are covalent bonds.
<2>
The organic electroluminescent element according to <1>, wherein the light emitting layer contains a light emitting material, and the light emitting material is a phosphorescent material.
In addition, although this invention is related to said <1> and <2>, the other matter (For example, the matter of the following items 1-7 etc.) was also described for reference.
1. An organic electroluminescent device having a plurality of organic compound layers including a light emitting layer between a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, wherein the metal complex has a tridentate or more ligand between the light emitting layer and the cathode An organic electroluminescence device comprising at least one layer containing selenium.
2. 2. The organic electroluminescence device according to 1 above, wherein the tridentate or higher ligand is a tetradentate ligand.
3. 3. The organic electroluminescence device as described in 1 or 2 above, wherein the metal ion of the metal complex is rhodium ion, palladium ion, rhenium ion, iridium ion, or platinum ion.
4). 4. The organic electroluminescent element as described in any one of 1 to 3 above, wherein the metal complex is a compound represented by the following general formula (1).

Figure 0004934345
Figure 0004934345

11は金属イオンを表す。Q11、Q12、Q13、Q14はそれぞれM11に配位する原子群を表す。L11、L12、L13、L14はそれぞれ単結合または連結基を表す。n11は0または1を表す。n11が0の時は、Q13とQ14の間のL14を介した結合は存在しない。M11−Q11間の結合、M11−Q12間の結合、M11−Q13間の結合、M11−Q14間の結合は、共有結合であっても良いし、配位結合であっても良いし、イオン結合であっても良い。
5.前記一般式(1)で表される化合物が、下記一般式(2)で表される化合物であることを特徴とする上記4に記載の有機電界発光素子。
M 11 represents a metal ion. Q 11 , Q 12 , Q 13 and Q 14 each represent an atomic group coordinated to M 11 . L 11 , L 12 , L 13 and L 14 each represent a single bond or a linking group. n 11 represents 0 or 1. When n 11 is 0, there is no bond through L 14 between Q 13 and Q 14 . The bond between M 11 and Q 11, the bond between M 11 and Q 12 , the bond between M 11 and Q 13, and the bond between M 11 and Q 14 may be covalent bonds or coordinate bonds. There may be an ionic bond.
5. 5. The organic electroluminescence device as described in 4 above, wherein the compound represented by the general formula (1) is a compound represented by the following general formula (2).

Figure 0004934345
Figure 0004934345

21は金属イオンを表す。Q23、Q24はそれぞれM21に配位する原子群を表す。L22は連結基を表す。R21、R22はそれぞれ置換基を表す。m21、m22はそれぞれ0〜3の整数を表す。M21−N間の結合(点線部)は、配位結合を示す。M21−Q23間の結合及びM21−Q24間の結合は、共有結合であっても良いし、配位結合であっても良いし、イオン結合であっても良い。
6.前記発光層が発光材料を含有し、前記発光材料がりん光材料であることを特徴とする上記1〜5のいずれかに記載の有機電界発光素子。
7.前記発光材料が、4座以上の配位子を有する金属錯体であることを特徴とする上記1〜6に記載の有機電界発光素子。
M 21 represents a metal ion. Q 23 and Q 24 each represent an atomic group coordinated to M 21 . L 22 represents a linking group. R 21 and R 22 each represent a substituent. m 21 and m 22 each represent an integer of 0 to 3. The bond between M 21 and N (dotted line portion) indicates a coordination bond. The bond between M 21 and Q 23 and the bond between M 21 and Q 24 may be a covalent bond, a coordination bond, or an ionic bond.
6). 6. The organic electroluminescent element as described in any one of 1 to 5 above, wherein the light emitting layer contains a light emitting material, and the light emitting material is a phosphorescent material.
7). 7. The organic electroluminescent element as described in 1 to 6 above, wherein the light emitting material is a metal complex having a tetradentate or higher ligand.

本発明によれば、高い発光効率及び高い耐久性の少なくとも1つを示す有機電界発光素子を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic electroluminescent element which shows at least 1 of high luminous efficiency and high durability can be provided.

本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極とからなる一対の電極間に発光層を含む複数の有機化合物層を有し、発光層と陰極の間に、3座以上の配位子を有する金属錯体を含む層を少なくとも一層を有している。
この発光層と陰極の間に存在する3座以上の配位子をする金属錯体を少なくとも含む層は、発光層に隣接していても良いし、陰極に隣接していても良いし、発光層、陰極双方に隣接していなくても良いが、発光層もしくは陰極に隣接していることが好ましく、発光層に隣接していることがより好ましい。
The organic electroluminescent element of the present invention has a plurality of organic compound layers including a light emitting layer between a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, and has a tridentate or more ligand between the light emitting layer and the cathode. It has at least one layer containing a metal complex.
The layer containing at least a metal complex having a tridentate or higher ligand existing between the light emitting layer and the cathode may be adjacent to the light emitting layer, may be adjacent to the cathode, or the light emitting layer. Although not necessarily adjacent to both cathodes, it is preferable to be adjacent to the light emitting layer or the cathode, and more preferably adjacent to the light emitting layer.

3座以上の配位子をする金属錯体の金属イオンは、遷移金属イオンであることが好ましく、ルテニウムイオン、ロジウムイオン、パラジウムイオン、銀イオン、タングステンイオン、レニウムイオン、オスミウムイオン、イリジウムイオン、白金イオン、金イオンが好ましく、ロジウムイオン、パラジウムイオン、レニウムイオン、イリジウムイオン、白金イオンがより好ましく、白金イオン、パラジウムイオンがさらに好ましく、白金イオンが特に好ましい。   The metal ion of the metal complex having a tridentate or higher ligand is preferably a transition metal ion, and is a ruthenium ion, rhodium ion, palladium ion, silver ion, tungsten ion, rhenium ion, osmium ion, iridium ion, platinum. Ions and gold ions are preferable, rhodium ions, palladium ions, rhenium ions, iridium ions, and platinum ions are more preferable, platinum ions and palladium ions are further preferable, and platinum ions are particularly preferable.

金属錯体は、4座の配位子を有することが好ましい。
配位子としては、上記の金属イオンに配位する原子群であれば特に限定されないが、例えば、炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群、硫黄原子で配位する原子群、りん原子で配位する原子群等を挙げることができ、炭素原子で配位する原子群がより好ましい。すなわち、金属錯体は炭素で配位する配位子を有する錯体(有機金属錯体)であることがより好ましい。
配位により形成される金属イオンと配位子との結合としては、配位結合、共有結合、イオン結合が挙げられる。
The metal complex preferably has a tetradentate ligand.
The ligand is not particularly limited as long as it is an atomic group coordinated to the above metal ion. For example, the ligand is coordinated by an atomic group coordinated by a carbon atom, an atomic group coordinated by a nitrogen atom, or an oxygen atom. An atomic group, an atomic group coordinated with a sulfur atom, an atomic group coordinated with a phosphorus atom, and the like can be given, and an atomic group coordinated with a carbon atom is more preferable. That is, the metal complex is more preferably a complex (organometallic complex) having a ligand coordinated with carbon.
Examples of the bond between the metal ion formed by coordination and the ligand include coordination bond, covalent bond, and ionic bond.

本発明に係る金属錯体は低分子化合物であっもて良く、また、オリゴマー化合物、金属錯体を主鎖または側鎖に有するポリマー化合物(重量平均分子量(ポリスチレン換算)は好ましくは1000〜5000000、より好ましくは2000〜1000000、さらに好ましくは3000〜100000である。)であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。   The metal complex according to the present invention may be a low molecular compound, and an oligomer compound or a polymer compound having a metal complex in the main chain or side chain (weight average molecular weight (polystyrene conversion) is preferably 1000 to 5000000, more preferably. May be from 2,000 to 1,000,000, more preferably from 3,000 to 100,000. The compound of the present invention is preferably a low molecular compound.

3座以上の配位子をする金属錯体としては、一般式(1)で表される化合物であることが好ましく、一般式(2)で表される化合物であることがより好ましい。   The metal complex having a tridentate or higher ligand is preferably a compound represented by the general formula (1), and more preferably a compound represented by the general formula (2).

一般式(1)について説明する。M11は金属イオンを表し、遷移金属イオンであることが好ましく、ルテニウムイオン、ロジウムイオン、パラジウムイオン、銀イオン、タングステンイオン、レニウムイオン、オスミウムイオン、イリジウムイオン、白金イオン、金イオンが好ましく、ロジウムイオン、パラジウムイオン、レニウムイオン、イリジウムイオン、白金イオンがより好ましく、白金イオン、パラジウムイオンがさらに好ましく、白金イオンが特に好ましい。 The general formula (1) will be described. M 11 represents a metal ion, preferably a transition metal ion, preferably a ruthenium ion, a rhodium ion, a palladium ion, a silver ion, a tungsten ion, a rhenium ion, an osmium ion, an iridium ion, a platinum ion, or a gold ion. Ions, palladium ions, rhenium ions, iridium ions, and platinum ions are more preferable, platinum ions and palladium ions are further preferable, and platinum ions are particularly preferable.

11、Q12、Q13、Q14はそれぞれM11に配位する(配位により形成される結合としては、例えば配位結合、共有結合、イオン結合 がある)原子群をす。Q11
12、Q13、Q14はM11に配位する原子群であれば、特に限定されないが、炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群、硫黄原子で配位する原子群、りん原子で配位する原子群が好ましく、炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群がより好ましく、炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群がさらに好ましい。
Q 11 , Q 12 , Q 13 , and Q 14 each form an atomic group that coordinates to M 11 (the bond formed by coordination includes, for example, a coordinate bond, a covalent bond, and an ionic bond). Q 11 ,
Q 12 , Q 13 , and Q 14 are not particularly limited as long as they are an atomic group coordinated to M 11 , but are coordinated by an atomic group coordinated by a carbon atom, an atomic group coordinated by a nitrogen atom, or an oxygen atom. An atomic group, an atomic group coordinated with a sulfur atom, an atomic group coordinated with a phosphorus atom are preferred, an atomic group coordinated with a carbon atom, an atomic group coordinated with a nitrogen atom, and an atomic group coordinated with an oxygen atom More preferably, an atomic group coordinated by a carbon atom and an atomic group coordinated by a nitrogen atom are more preferable.

炭素原子で配位する原子群としては、例えばイミノ基、芳香族炭化水素環基(ベンゼン、ナフタレンなど)、ヘテロ環基(チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど)およびこれらを含む縮合環、およびこれらの互変異性体が挙げられる。これらの基は、さらに置換基を有していても良い。置換基の例としては、後述のR21で説明する基が挙げられる。 Examples of an atomic group coordinated by a carbon atom include an imino group, an aromatic hydrocarbon ring group (benzene, naphthalene, etc.), a heterocyclic group (thiophene, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine, thiazole, oxazole, pyrrole, Imidazole, pyrazole, triazole, etc.) and condensed rings containing them, and tautomers thereof. These groups may further have a substituent. Examples of the substituent include groups described for R 21 described later.

窒素原子で配位する原子群としては、例えば含窒素ヘテロ環基(ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど)、アミノ基(アルキルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばメチルアミノ)、アリールアミノ基(例えばフェニルアミノ)などが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、イミノ基などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていても良い。置換基の例としては、後述のR21で説明する基が挙げられる。 Examples of the atomic group coordinated by the nitrogen atom include nitrogen-containing heterocyclic groups (pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine, thiazole, oxazole, pyrrole, imidazole, pyrazole, triazole, etc.), amino groups (preferably alkylamino groups (preferably , Having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, such as methylamino), arylamino groups (for example, phenylamino) and the like), acylamino groups ( Preferably it has 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include acetylamino, benzoylamino and the like, and an alkoxycarbonylamino group (preferably having a carbon number). 2 to 30, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonylamino), aryloxycarbonylamino group (preferably 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms). Such as phenyloxycarbonylamino), sulfonylamino groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, for example, methanesulfonyl Amino, benzenesulfonylamino, etc.), and imino groups. These groups may be further substituted. Examples of the substituent include groups described for R 21 described later.

酸素原子で配位する原子群としては、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる。)、ヘテロ環オキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、シリルオキシ基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。)、カルボニル基(例えばケトン基、エステル基、アミド基など)、エーテル基(例えばジアルキルエーテル基、ジアリールエーテル基、フリル基など)などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていても良い。置換基の例としては、後述のR21で説明する基が挙げられる。 As an atomic group coordinated by an oxygen atom, an alkoxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, butoxy, 2 -Ethylhexyloxy and the like), an aryloxy group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenyloxy, 1-naphthyl). Oxy, 2-naphthyloxy, etc.), a heterocyclic oxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as pyridyloxy, Pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy, etc.), acyloxy group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferred) Has 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms such as acetoxy and benzoyloxy), silyloxy group (preferably 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, Particularly preferred are those having 3 to 24 carbon atoms, such as trimethylsilyloxy, triphenylsilyloxy, etc.), carbonyl groups (for example, ketone groups, ester groups, amide groups, etc.), ether groups (for example, dialkyl ether groups, diaryls). Ether group, furyl group, etc.). These groups may be further substituted. Examples of the substituent include groups described for R 21 described later.

硫黄原子で配位する原子群としては、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロ環チオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、チオカルボニル基(例えばチオケトン基、チオエステル基など)、チオエーテル基(例えばジアルキルチオエーテル基、ジアリールチオエーテル基、チオフリル基など)などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていても良い。置換基の例としては、後述のR21で説明する基が挙げられる。 As an atomic group coordinated by a sulfur atom, an alkylthio group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methylthio and ethylthio. ), An arylthio group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio), a heterocyclic thio group (preferably C1-C30, More preferably, it is C1-C20, Most preferably, it is C1-C12, for example, pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio, etc. ), A thiocarbonyl group (for example, a thioketone group, a thioester group, etc.), a thioether group (for example, a dialkylthioe group). Ether groups, diaryl thioether, etc. thiofuryl group). These groups may be further substituted. Examples of the substituent include groups described for R 21 described later.

りん原子で配位する原子群としては、ジアルキルホスフィノ基、ジアリールホスフィノ基、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、ホスフィニン基等があげられる。これらの基はさらに置換されていても良い。置換基の例としては、後述のR21で説明する基が挙げられる。 Examples of the atomic group coordinated by the phosphorus atom include a dialkylphosphino group, a diarylphosphino group, a trialkylphosphine, a triarylphosphine, and a phosphinin group. These groups may be further substituted. Examples of the substituent include groups described for R 21 described later.

11、Q12は窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群、りん原子で配位する原子群が好ましく、窒素原子で配位する原子群がより好ましく、窒素原子で配位する含窒素へテロ環基がさらに好ましく、窒素原子で配位する単環の含窒素へテロ環基が特に好ましい。 Q 11 and Q 12 are preferably an atom group coordinated by a nitrogen atom, an atom group coordinated by an oxygen atom, or an atom group coordinated by a phosphorus atom, more preferably an atom group coordinated by a nitrogen atom, A nitrogen-containing heterocyclic group that coordinates is more preferable, and a monocyclic nitrogen-containing heterocyclic group that coordinates with a nitrogen atom is particularly preferable.

13、Q14は炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群が好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基、窒素原子で配位するヘテロアリール基、酸素原子で配位するカルボキシル基、酸素原子で配位するアリールオキシ基、酸素原子で配位するヘテロアリールオキシ基がより好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基、窒素原子で配位するヘテロアリール基、酸素原子で配位するカルボキシル基がさらに好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基が特に好ましい。 Q 13 and Q 14 are preferably an atom group coordinated by a carbon atom, an atom group coordinated by a nitrogen atom, or an atom group coordinated by an oxygen atom, and coordinated by an aryl group coordinated by a carbon atom or a carbon atom. More preferred are a heteroaryl group, a heteroaryl group coordinated with a nitrogen atom, a carboxyl group coordinated with an oxygen atom, an aryloxy group coordinated with an oxygen atom, and a heteroaryloxy group coordinated with an oxygen atom. More preferred are an aryl group to be coordinated, a heteroaryl group to be coordinated with a carbon atom, a heteroaryl group to be coordinated with a nitrogen atom, and a carboxyl group to be coordinated with an oxygen atom, an aryl group coordinated with a carbon atom, A coordinating heteroaryl group is particularly preferred.

11、L12、L13、L14はそれぞれ単結合または連結基を表す。連結基としては、特に限定されないが、アルキレン基(例えばメチレン基、ジメチルメチレン基、ジイ
ソプロピルメチレン基、ジフェニルメチレン基、エチレン基、テトラメチルエチレン基など)、アルケニレン基(ビニレン基、ジメチルビニレン基など)、アルキニレン基(エチ
ニレン基など)、アリーレン基(フェニレン基、ナフチレン基など)、ヘテロアリーレン基(ピリジレン基、ピラジレン基、キノリレン基など)、酸素連結基、硫黄連結基、窒素連結基(メチルアミノ連結基、フェニルアミノ連結基、tブチルアミノ連結基など)、ケイ素連結基、及び、これらを組み合わせた連結基(例えばオキシレンメチレン基など)などが挙げられる。
L 11 , L 12 , L 13 and L 14 each represent a single bond or a linking group. The linking group is not particularly limited, but an alkylene group (eg, methylene group, dimethylmethylene group, diisopropylmethylene group, diphenylmethylene group, ethylene group, tetramethylethylene group, etc.), alkenylene group (vinylene group, dimethylvinylene group, etc.) , Alkynylene groups (such as ethynylene groups), arylene groups (such as phenylene groups and naphthylene groups), heteroarylene groups (such as pyridylene groups, pyrazylene groups, and quinolylene groups), oxygen linking groups, sulfur linking groups, nitrogen linking groups (methylamino linking) Group, a phenylamino linking group, a tbutylamino linking group, etc.), a silicon linking group, and a linking group combining these (for example, an oxylenmethylene group).

11、L13は単結合、アルキレン基、酸素連結基が好ましく、単結合、アルキレン基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。 L 11 and L 13 are preferably a single bond, an alkylene group or an oxygen linking group, more preferably a single bond or an alkylene group, and even more preferably a single bond.

12、L14は、単結合、アルキレン基、酸素連結基、窒素連結基が好ましく、アルキレン基、酸素連結基がより好ましく、アルキレン連結基が特に好ましい。 L 12 and L 14 are preferably a single bond, an alkylene group, an oxygen linking group or a nitrogen linking group, more preferably an alkylene group or an oxygen linking group, and particularly preferably an alkylene linking group.

11は0または1を表す。n11が0の時は、Q13とQ14の間のL14を介した結合は存在しない。 n 11 represents 0 or 1. When n 11 is 0, there is no bond through L 14 between Q 13 and Q 14 .

11−Q11間の結合、M11−Q12間の結合、M11−Q13間の結合、M11−Q14間の結合は、共有結合であっても良いし、配位結合であっても良いし、イオン結合であっても良い。 The bond between M 11 and Q 11, the bond between M 11 and Q 12 , the bond between M 11 and Q 13, and the bond between M 11 and Q 14 may be covalent bonds or coordinate bonds. There may be an ionic bond.

11−Q11間の結合、M11−Q12間の結合は、配位結合であることが好ましく、M11−Q13間の結合、M11−Q14間の結合は、共有結合、または、イオン結合であることが好ましく、共有結合であることがより好ましい。 The bond between M 11 and Q 11 and the bond between M 11 and Q 12 are preferably coordination bonds, and the bond between M 11 and Q 13 and the bond between M 11 and Q 14 are covalent bonds, Alternatively, an ionic bond is preferable, and a covalent bond is more preferable.

一般式(2)について説明する。
21は前記M11と同義であり、好ましい範囲も同じである。Q23、Q24はそれぞれM21に配位する原子群を表す。
The general formula (2) will be described.
M 21 has the same meaning as M 11 , and the preferred range is also the same. Q 23 and Q 24 each represent an atomic group coordinated to M 21 .

23、Q24は炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群が好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基、窒素原子で配位するヘテロアリール基、酸素原子で配位するカルボキシル基、酸素原子で配位するアリールオキシ基、酸素原子で配位するヘテロアリールオキシ基がより好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基、窒素原子で配位するヘテロアリール基、酸素原子で配位するカルボキシル基がさらに好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基が特に好ましい。 Q 23 and Q 24 are preferably an atom group coordinated by a carbon atom, an atom group coordinated by a nitrogen atom, or an atom group coordinated by an oxygen atom, and is coordinated by an aryl group coordinated by a carbon atom or a carbon atom. More preferred are a heteroaryl group, a heteroaryl group coordinated with a nitrogen atom, a carboxyl group coordinated with an oxygen atom, an aryloxy group coordinated with an oxygen atom, and a heteroaryloxy group coordinated with an oxygen atom. More preferred are an aryl group to be coordinated, a heteroaryl group to be coordinated with a carbon atom, a heteroaryl group to be coordinated with a nitrogen atom, and a carboxyl group to be coordinated with an oxygen atom, an aryl group coordinated with a carbon atom, and a carbon atom A coordinating heteroaryl group is particularly preferred.

22は連結基を表し、具体例としては前述の連結基が挙げられる。L22としては、アルキレン連結基、酸素連結基、窒素連結基であることが好ましい。 L 22 represents a linking group, and specific examples include the linking groups described above. L 22 is preferably an alkylene linking group, an oxygen linking group, or a nitrogen linking group.

21、R22はそれぞれ置換基を表す。置換基としては、例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。)、アミノ基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜10であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる。)、ヘテロ環オキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロ環チオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。)、シリルオキシ基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。)などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。 R 21 and R 22 each represent a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 10 carbon atoms such as methyl, ethyl, iso-propyl, tert-butyl. , N-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, etc.), an alkenyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and particularly preferably carbon atoms). 2 to 10 such as vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl, etc.), an alkynyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and particularly preferably carbon). 2-10, for example, propargyl, 3-pentynyl, etc.), aryl group (preferably carbon number) To 30, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, anthranyl, and the like, and amino groups (preferably having 0 to 0 carbon atoms). 30, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 10 carbon atoms, and examples thereof include amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, ditolylamino, and the like. (Preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, and examples thereof include methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy and the like), aryloxy Group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably having 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably carbon 6-12, for example, phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, etc.), a heterocyclic oxy group (preferably having 1-30 carbons, more preferably having 1-20 carbons, especially Preferably it is C1-C12, for example, pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy etc.), an acyl group (preferably C1-C30, more preferably C1-C20, especially preferably carbon) 1 to 12, for example, acetyl, benzoyl, formyl, pivaloyl, etc.), an alkoxycarbonyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 2 carbon atoms). 12 and examples thereof include methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl and the like. Xoxycarbonyl group (preferably having 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyloxycarbonyl. ), An acyloxy group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms such as acetoxy and benzoyloxy), an acylamino group (preferably 2-30 carbon atoms, more preferably 2-20 carbon atoms, particularly preferably 2-10 carbon atoms, and examples thereof include acetylamino, benzoylamino, and the like, and an alkoxycarbonylamino group (preferably having 2-2 carbon atoms). 30, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonylamino, etc.), aryloxycarbonylamino group (preferably 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonyl And sulfonylamino groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfonylamino and benzenesulfonylamino). ), A sulfamoyl group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 12 carbon atoms, such as sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl, phenyl Sulfamoyl, etc.), a carbamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, Phenylcarbamoyl etc.), alkylthio group ( Preferably, it has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methylthio, ethylthio and the like, and an arylthio group (preferably 6 to 30 carbon atoms). , More preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio, etc.), a heterocyclic thio group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to carbon atoms). 20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio and the like, and a sulfonyl group (preferably having a carbon number). 1 to 30, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as mesyl and tosyl). Rufinyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methanesulfinyl and benzenesulfinyl. ), A ureido group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as ureido, methylureido, phenylureido, etc.), phosphoric acid. An amide group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as diethyl phosphoric acid amide and phenylphosphoric acid amide), a hydroxy group , Mercapto group, halogen atom (eg fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, sulfo group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, heterocyclic group ( Preferably it is C1-C30, More preferably, it is C1-C12, As a hetero atom, for example, a nitrogen atom, oxygen Children, sulfur atoms, specifically imidazolyl, pyridyl, quinolyl, furyl, thienyl, piperidyl, morpholino, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzthiazolyl, carbazolyl group, azepinyl group, etc.), silyl group (preferably). Has 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, and examples thereof include trimethylsilyl, triphenylsilyl, and the like, and a silyloxy group (preferably 3 to 40 carbon atoms). More preferably, it has 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, and examples thereof include trimethylsilyloxy, triphenylsilyloxy, and the like. These substituents may be further substituted.

21、R22はアルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基が好ましく、アルキル基、置換アミノ基がより好ましく、アルキル基がさらに好ましい。 R 21 and R 22 are preferably an alkyl group, an alkoxy group, or a substituted amino group, more preferably an alkyl group or a substituted amino group, and even more preferably an alkyl group.

21、m22はそれぞれ0〜3の整数を表し、0、1が好ましく、0がより好ましい。m21、m22が複数の場合、複数のR21、R22はそれぞれ同じであっても異なっても良い。 m 21 and m 22 each represent an integer of 0 to 3, preferably 0 or 1, and more preferably 0. When there are a plurality of m 21 and m 22 , the plurality of R 21 and R 22 may be the same or different.

以下に、一般式(1)又は(2)で表される化合物の具体例を示すが、本発明は以下のものに限定されない。   Specific examples of the compound represented by the general formula (1) or (2) are shown below, but the present invention is not limited to the following.

Figure 0004934345
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Figure 0004934345
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Figure 0004934345
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上記具体例に係る金属錯体は公知の方法を参考にして製造することができる。例えば、上記の(1−9)で表される化合物は、例えば、WO2004/108857A2号の111頁に記載の化合物(79)の合成手法と同様の手法で下記合成スキームにより合成することができる。また、Tetrahedron Lett44(2003)2861.に記載のテトラキス(N−オキソピリジル)メタンを臭化ホスホリルによりテトラキス(2−ブロモピリジル)メタンに変換し、これを、フェニルホウ酸とカップリングしてテトラキス(2−フェニルピリジル)メタン(配位子)を調整し、これを塩化白金と反応させることにより、合成することもできる。   The metal complex which concerns on the said specific example can be manufactured with reference to a well-known method. For example, the compound represented by the above (1-9) can be synthesized by the following synthesis scheme by a method similar to the method for synthesizing the compound (79) described on page 111 of WO2004 / 108857A2, for example. Also, Tetrahedron Lett44 (2003) 2861. The tetrakis (N-oxopyridyl) methane described in 1) is converted to tetrakis (2-bromopyridyl) methane by phosphoryl bromide, which is coupled with phenylboric acid to form tetrakis (2-phenylpyridyl) methane (ligand) ) And reacting this with platinum chloride can also be synthesized.

Figure 0004934345
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錯体化の反応は、例えば、配位子と金属源(例えば、塩化白金、塩化パラジウム、塩化白金酸カリウム、塩化パラジウム酸ナトリウム、臭化白金、白金アセチルアセトン錯体など)を溶媒(アセトニトリル、ベンゾニトリル、酢酸、エタノール、メトキシエタノール、グリセロール、水、及び、これらの混合溶媒など)の存在下、もしくは、非存在下混合し、合成することができる。反応を活性化させる添加剤(トリフルオロメタンスルホン酸銀など)を添加させても良いし、不活性ガス(窒素、アルゴンなど)の存在下で反応させても良い。
反応温度は特に限定されないが、−30℃〜400℃が好ましく、0℃〜350℃がより好ましく、25℃〜300℃がさらに好ましい。
The complexing reaction is performed by, for example, ligand and metal source (for example, platinum chloride, palladium chloride, potassium chloroplatinate, sodium chloropalladate, platinum bromide, platinum acetylacetone complex) in a solvent (acetonitrile, benzonitrile, In the presence or absence of acetic acid, ethanol, methoxyethanol, glycerol, water, and mixed solvents thereof). An additive that activates the reaction (such as silver trifluoromethanesulfonate) may be added, or the reaction may be performed in the presence of an inert gas (such as nitrogen or argon).
Although reaction temperature is not specifically limited, -30 degreeC-400 degreeC is preferable, 0 degreeC-350 degreeC is more preferable, and 25 degreeC-300 degreeC is further more preferable.

なお、本発明に係る金属錯体としては、上記具体例に示す化合物の他に、WO2004/108857A1に記載の化合物(1)〜化合物(242)、及び、WO2004/099339A1に記載の化合物(1)〜化合物(154)も好適に用いることができる。   In addition to the compounds shown in the above specific examples, the metal complex according to the present invention includes compound (1) to compound (242) described in WO2004 / 108857A1 and compound (1) to compound (1) to WO2004 / 099339A1. Compound (154) can also be preferably used.

金属錯体のイオン化ポテンシャルは、5eV以上7eV以下であることが好ましく、5.5eV以上6.5eV以下であることがより好ましく、5.8eV以上6.3eV以下であることがさらに好ましい。   The ionization potential of the metal complex is preferably 5 eV or more and 7 eV or less, more preferably 5.5 eV or more and 6.5 eV or less, and further preferably 5.8 eV or more and 6.3 eV or less.

金属錯体の電子移動度は、1×10−7cm/Vs以上1×10cm/Vs以下であることが好ましく、1×10−6cm/Vs以上1×10−1cm/Vs以下であることがより好ましく、1×10−5cm/Vs以上1×10−1cm/Vs以下であることがさらに好ましく、1×10−4cm/Vs以上1×10−1cm/Vs以下であることが特に好ましい。 The electron mobility of the metal complex is preferably 1 × 10 −7 cm 2 / Vs or more and 1 × 10 0 cm 2 / Vs or less, and preferably 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or more and 1 × 10 −1 cm 2. Is more preferably 1 × 10 −5 cm 2 / Vs or more and 1 × 10 −1 cm 2 / Vs or less, more preferably 1 × 10 −4 cm 2 / Vs or more and 1 × 10. It is particularly preferably 1 cm 2 / Vs or less.

金属錯体のホール移動度は、1×10−7cm/Vs以上、1×10cm/Vs以下であることが好ましく、1×10−6cm/Vs以上1×10−1cm/Vs以下であることがより好ましく、1×10−5cm/Vs以上1×10−1cm/Vs以下であることがさらに好ましく、1×10−4cm/Vs以上1×10−1cm/Vs以下であることが特に好ましい。 The hole mobility of the metal complex is preferably 1 × 10 −7 cm 2 / Vs or more and 1 × 10 0 cm 2 / Vs or less, preferably 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or more and 1 × 10 −1 cm. 2 / Vs or less, more preferably 1 × 10 −5 cm 2 / Vs or more and 1 × 10 −1 cm 2 / Vs or less, and further preferably 1 × 10 −4 cm 2 / Vs or more and 1 ×. It is especially preferable that it is 10 < -1 > cm < 2 > / Vs or less.

金属錯体のガラス転移点が測定できる場合は、ガラス転移点は、80℃以上1000℃以下であることが好ましく、90℃以上500℃以下であることがより好ましく、100℃以上500℃以下であることがさらに好ましく、120℃以上500℃以下であることが特に好ましい。   When the glass transition point of the metal complex can be measured, the glass transition point is preferably 80 ° C. or higher and 1000 ° C. or lower, more preferably 90 ° C. or higher and 500 ° C. or lower, and 100 ° C. or higher and 500 ° C. or lower. More preferably, it is 120 degreeC or more and 500 degrees C or less especially.

本発明に係る金属錯体を含有する有機化合物層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法(スプレーコート法、ディップコート法、含浸法、ロールコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ロールブラッシュ法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、スピンコート法、フローコート法、バーコート法、マイクログラビアコート法、エアードクターコート、ブレードコート法、スクイズコート法、トランスファーロールコート法、キスコート法、キャストコート法、エクストルージョンコート法、ワイヤーバーコート法、スクリーンコート法等)、インクジェット法、印刷法、転写法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法が好ましい。   The formation method of the organic compound layer containing the metal complex according to the present invention is not particularly limited, but resistance heating vapor deposition, electron beam, sputtering, molecular lamination method, coating method (spray coating method, dip coating method, Impregnation method, roll coat method, gravure coat method, reverse coat method, roll brush method, air knife coat method, curtain coat method, spin coat method, flow coat method, bar coat method, micro gravure coat method, air doctor coat, blade Coating methods, squeeze coating methods, transfer roll coating methods, kiss coating methods, cast coating methods, extrusion coating methods, wire bar coating methods, screen coating methods, etc.), inkjet methods, printing methods, transfer methods, etc. are used, In terms of characteristics and manufacturing, resistance heating vapor deposition, coating Ingu method, a transfer method is preferable.

前述のように、上記の金属錯体を含有する層は発光層と陰極との間に配置されるが、この金属錯体を含有する層は電子注入層または電子輸送層として機能する層であることが好ましく、発光層に隣接する電子輸送層として機能する層であることが好ましい。
電子注入層又は電子輸送層として機能させるためには、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有する材料を層中に添加すればよい。このような材料の具体例としては、上記金属錯体の他、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、8−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、及び、それらの誘導体等が挙げられ、上記の金属錯体、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、8−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体がより好ましく、上記の金属錯体、8−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体が最も好ましい。
As described above, the layer containing the metal complex is disposed between the light emitting layer and the cathode, and the layer containing the metal complex is a layer that functions as an electron injection layer or an electron transport layer. A layer functioning as an electron transport layer adjacent to the light emitting layer is preferable.
In order to function as an electron injection layer or an electron transport layer, a material having any one of a function of injecting electrons from the cathode, a function of transporting electrons, and a function of blocking holes injected from the anode is added to the layer. That's fine. Specific examples of such materials include the above metal complexes, triazole, oxazole, oxadiazole, imidazole, fluorenone, anthraquinodimethane, anthrone, diphenylquinone, thiopyran dioxide, carbodiimide, fluorenylidenemethane, Various metal complexes represented by metal complexes of aromatic ring tetracarboxylic acid anhydrides such as distyrylpyrazine, naphthalene and perylene, metal complexes of phthalocyanine and 8-quinolinol, metal phthalocyanine, benzoxazole and benzothiazole, And organic silanes and derivatives thereof, and the above metal complexes, triazoles, oxazoles, oxadiazoles, imidazoles, 8-quinolinol metal complexes, metal phthalocyanines, benzoxazoles and benzothiazos. More preferred are various metal complexes typified by metal complexes having a ligand as a ligand, and metal complexes having the above metal complexes, metal complexes of 8-quinolinol, metal phthalocyanine, benzoxazole and benzothiazole as ligands. Most preferred are various metal complexes.

上記の金属錯体を含有する層が電子注入層又は電子輸送層である場合、その膜厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やLB法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
When the layer containing the metal complex is an electron injection layer or an electron transport layer, the film thickness is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm. And more preferably 10 nm to 500 nm. The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
As a method for forming the electron injection layer and the electron transport layer, a vacuum vapor deposition method, an LB method, a method in which the electron injection transport material is dissolved or dispersed in a solvent, a coating method, an ink jet method, a printing method, a transfer method, and the like are used. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. As the resin component, for example, those exemplified in the case of the hole injection transport layer can be applied.

発光層中で用いられる発光材料は、りん光材料(イリジウム錯体、白金錯体、レニウム錯体、オスミウム錯体、ルテニウム錯体などが挙げられる)であることが好ましい。また、発光材料としては、4座以上の配位子を有する金属錯体を用いることが好ましく、4座以上の配位子を有する金属錯体系のりん光材料を用いることがより好ましい。
4座以上の配位子を有する金属錯体系のりん光材料としては、例えば、WO2004/108857A1号の一般式(1)〜(12)、(X1)、(X2)、(X3)、化合物(1)〜(242)、WO2004/099339A1号の一般式(1)〜(18)、化合物(1)〜(159)等が挙げられる。
また4座以上の配位子を有する金属錯体系のりん光材料の中でも、4座配位子を有する白金錯体が好ましく、前記一般式(1)において、M11=Ptで表される白金錯体がより好ましく、前記一般式(2)において、M21=Ptで表される白金錯体が更に好ましい。
前記一般式(2)において、M21=Ptで表される白金錯体の中でも、Q23、Q24は、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基、窒素原子で配位するヘテロアリール基、酸素原子で配位するカルボキシル基が好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位するヘテロアリール基、酸素原子で配位するカルボキシル基がより好ましい。
炭素原子で配位するアリール基を形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環が好ましく、ベンゼン環が更に好ましい。更に縮環を有していても、置換基を有していても良い。
炭素原子で配位するヘテロアリール基を形成する芳香族へテロ環としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チオフェン環、フラン環が好ましく、ピリジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、チオフェン環、フラン環がより好ましく、ピリジン環、ピラゾール環、イミダゾール環が更に好ましい。更に縮環を有していても、置換基を有していても良い。
The light emitting material used in the light emitting layer is preferably a phosphorescent material (an iridium complex, a platinum complex, a rhenium complex, an osmium complex, a ruthenium complex, or the like). As the light-emitting material, a metal complex having a tetradentate or higher ligand is preferably used, and a metal complex phosphorescent material having a tetradentate or higher ligand is more preferably used.
Examples of the metal complex-based phosphorescent material having a tetradentate or higher ligand include, for example, general formulas (1) to (12), (X1), (X2), (X3), and compounds (WO 2004 / 108857A1) 1) to (242), general formulas (1) to (18) of WO2004 / 099339A1, compounds (1) to (159), and the like.
Among metal complex phosphorescent materials having a tetradentate or higher ligand, a platinum complex having a tetradentate ligand is preferable. In the general formula (1), a platinum complex represented by M11 = Pt is More preferably, in the general formula (2), a platinum complex represented by M21 = Pt is more preferable.
In the general formula (2), among platinum complexes represented by M21 = Pt, Q23 and Q24 are coordinated by an aryl group coordinated by a carbon atom, a heteroaryl group coordinated by a carbon atom, or a nitrogen atom. A heteroaryl group and a carboxyl group coordinated with an oxygen atom are preferred, an aryl group coordinated with a carbon atom, a heteroaryl group coordinated with a carbon atom, and a carboxyl group coordinated with an oxygen atom are more preferred.
As the aromatic hydrocarbon ring forming an aryl group coordinated with a carbon atom, a benzene ring and a naphthalene ring are preferable, and a benzene ring is more preferable. Furthermore, it may have a condensed ring or a substituent.
Aromatic heterocycles that form heteroaryl groups coordinated by carbon atoms include pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyrazole ring, imidazole ring, triazole ring, oxazole ring, thiazole ring, oxadiazole ring, thiadiazole A ring, a thiophene ring and a furan ring are preferred, a pyridine ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, a triazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a thiophene ring and a furan ring are more preferred, and a pyridine ring, a pyrazole ring and an imidazole ring are still more preferred. Furthermore, it may have a condensed ring or a substituent.

発光材料の含有量は、発光層の全質量に対して、0.1〜50質量%であることが好ましく、1〜40質量%であることがより好ましく、3〜20質量%であることがさらに好ましい。   The content of the light emitting material is preferably 0.1 to 50% by mass, more preferably 1 to 40% by mass, and 3 to 20% by mass with respect to the total mass of the light emitting layer. Further preferred.

発光材料のTレベル(最低三重項励起状態のエネルギーレベル)は、60Kcal/mol以上(251.4KJ/mol以上)、90Kcal/mol以下(377.1KJ/mol以下)が好ましく、62Kcal/mol以上(259.78KJ/mol以上)、85Kcal/mol以下(356.15KJ/mol以下)がより好ましく、65Kcal/mol以上(272.35KJ/mol以上)、80Kcal/mol以下(335.2KJ/mol以下)がさらに好ましい。 The T 1 level (lowest triplet excited state energy level) of the light emitting material is preferably 60 Kcal / mol or more (251.4 KJ / mol or more), 90 Kcal / mol or less (377.1 KJ / mol or less), and 62 Kcal / mol or more. (259.78 KJ / mol or more), 85 Kcal / mol or less (356.15 KJ / mol or less) is more preferable, 65 Kcal / mol or more (272.35 KJ / mol or more), 80 Kcal / mol or less (335.2 KJ / mol or less) Is more preferable.

また、発光層には上記のような発光材料とともにホスト材料が含まれていてもよい。ホスト材料としては、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであればどのようなものでも用いることができる。例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、8−キノリノールの金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体、及び、白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、及び、それらの誘導体等が挙げられる。   Further, the light emitting layer may contain a host material together with the light emitting material as described above. The host material is capable of injecting holes from the anode or hole injection layer and hole transport layer when an electric field is applied, and can also inject electrons from the cathode or electron injection layer and electron transport layer. Any layer can be used as long as it can form a layer having a function of moving the generated charge and a function of emitting light by providing a recombination field of holes and electrons. For example, benzoxazole, benzimidazole, benzothiazole, styrylbenzene, polyphenyl, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, naphthalimide, coumarin, perylene, perinone, oxadiazole, aldazine, pyralidine, cyclopentadiene, bisstyrylanthracene, quinacridone, pyrrolo Pyridine, thiadiazolopyridine, cyclopentadiene, styrylamine, aromatic dimethylidin compounds, various metal complexes typified by metal complexes and rare earth complexes of 8-quinolinol, polymer compounds such as polythiophene, polyphenylene, polyphenylene vinylene, organic silane, iridium Examples include transition metal complexes represented by trisphenylpyridine complexes and platinum porphyrin complexes, and derivatives thereof. .

発光層に含まれるホスト材料のイオン化ポテンシャルは、5.8eV以上、6.3eV以下であることが好ましく、5.95eV以上、6.25eV以下であることがより好ましく、6.0eV以上6.2eV以下であることがさらに好ましい。   The ionization potential of the host material contained in the light emitting layer is preferably 5.8 eV or more and 6.3 eV or less, more preferably 5.95 eV or more and 6.25 eV or less, and 6.0 eV or more and 6.2 eV. More preferably, it is as follows.

発光層中のホスト材料の電子移動度は、1×10−6cm/Vs以上、1×10−1cm/Vs以下であることが好ましく、5×10−6cm/Vs以上1×10−2cm/Vs以下であることがより好ましく、1×10−5cm/Vs以上1×10−2cm/Vs以下であることがさらに好ましく、5×10−5cm/Vs以上1×10−2cm/Vs以下であることが特に好ましい。 The electron mobility of the host material in the light emitting layer is preferably 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or more and 1 × 10 −1 cm 2 / Vs or less, preferably 5 × 10 −6 cm 2 / Vs or more. It is more preferably 10 × 10 −2 cm 2 / Vs or less, further preferably 1 × 10 −5 cm 2 / Vs or more and 1 × 10 −2 cm 2 / Vs or less, and more preferably 5 × 10 −5 cm 2. It is particularly preferred that it is not less than / Vs and not more than 1 × 10 −2 cm 2 / Vs.

発光層中のホスト材料のホール移動度は、1×10−6cm/Vs以上、1×10−1cm/Vs以下であることが好ましく、5×10−6cm/Vs以上1×10−2cm/Vs以下であることがより好ましく、1×10−5cm/Vs以上1×10−2cm/Vs以下であることがさらに好ましく、5×10−5cm/Vs以上1×10−2cm/Vs以下であることが特に好ましい。 The hole mobility of the host material in the light emitting layer is preferably 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or more and 1 × 10 −1 cm 2 / Vs or less, preferably 5 × 10 −6 cm 2 / Vs or more. It is more preferably 10 × 10 −2 cm 2 / Vs or less, further preferably 1 × 10 −5 cm 2 / Vs or more and 1 × 10 −2 cm 2 / Vs or less, and more preferably 5 × 10 −5 cm 2. It is particularly preferred that it is not less than / Vs and not more than 1 × 10 −2 cm 2 / Vs.

発光層中のホスト材料のTレベル(最低三重項励起状態のエネルギーレベル)は、60Kcal/mol以上(251.4KJ/mol以上)、90Kcal/mol以下(377.1KJ/mol以下)が好ましく、62Kcal/mol以上(259.78KJ/mol以上)、85Kcal/mol以下(356.15KJ/mol以下)がより好ましく、65Kcal/mol以上(272.35J/mol以上)、80 Kcal/mol以下(335.2KJ/mol以下)がさらに好ましい。 The T 1 level (energy level in the lowest triplet excited state) of the host material in the light emitting layer is preferably 60 Kcal / mol or more (251.4 KJ / mol or more), 90 Kcal / mol or less (377.1 KJ / mol or less), 62 Kcal / mol or more (259.78 KJ / mol or more), 85 Kcal / mol or less (356.15 KJ / mol or less) is more preferable, 65 Kcal / mol or more (272.35 J / mol or more), 80 Kcal / mol or less (335. 2 KJ / mol or less) is more preferable.

発光層に含まれるホスト材料のガラス転移点は90℃以上400℃以下であることが好ましく、100℃以上380℃以下であることがより好ましく、120℃以上370℃以下であることがさらに好ましく、140℃以上360℃以下であることが特に好ましい。   The glass transition point of the host material contained in the light emitting layer is preferably 90 ° C. or higher and 400 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or higher and 380 ° C. or lower, and further preferably 120 ° C. or higher and 370 ° C. or lower, It is particularly preferably 140 ° C. or higher and 360 ° C. or lower.

発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法、LB法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。   The method for forming the light emitting layer is not particularly limited, and methods such as resistance heating vapor deposition, electron beam, sputtering, molecular lamination method, coating method, ink jet method, printing method, LB method, and transfer method are used. Of these, resistance heating vapor deposition and coating are preferred.

発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmである。   Although the film thickness of a light emitting layer is not specifically limited, Usually, the thing of the range of 1 nm-5 micrometers is preferable, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm.

発光層は、積層構造を有していてもよい。積層数は2層以上50層以下が好ましく、4層以上30層以下がより好ましく、6層以上20層以下がさらに好ましい。
積層を構成する各層の膜厚は特に限定されないが、0.2nm以上、20nm以下が好ましく、0.4nm以上、15nm以下がより好ましく、0.5nm以上10nm以下がさらに好ましく、1nm以上5nm以下が特に好ましい。
発光層が複数の層からなる場合は、それぞれの層は単一材料で形成されていても良いし、複数の化合物で形成されていても良い。
The light emitting layer may have a laminated structure. The number of stacked layers is preferably 2 or more and 50 or less, more preferably 4 or more and 30 or less, and still more preferably 6 or more and 20 or less.
The thickness of each layer constituting the stack is not particularly limited, but is preferably 0.2 nm or more and 20 nm or less, more preferably 0.4 nm or more and 15 nm or less, further preferably 0.5 nm or more and 10 nm or less, and more preferably 1 nm or more and 5 nm or less. Particularly preferred.
When the light emitting layer is composed of a plurality of layers, each layer may be formed of a single material or may be formed of a plurality of compounds.

また、上記のように発光層が複数の層から構成される場合、それぞれの層が異なる発光色で発光して、例えば、白色を発光してもよい。発光層が単一の層からなる場合は、単一層から白色を発光してもよい。   Moreover, when a light emitting layer is comprised from several layers as mentioned above, each layer may light-emit by the light emission color from which it differs, for example, you may light-emit white. When the light emitting layer is composed of a single layer, white light may be emitted from the single layer.

発光層は、複数のドメイン構造を有していても良い。例えば、発光層が、ホスト材料及び発光材料の混合物からなる領域と、別のホスト材料及び発光材料の混合物からなる領域で構成されていても良い。各領域は約1nmとすることができる。各ドメインのサイズは、0.2nm以上10nm以下が好ましく、0.3nm以上5nm以下がより好ましく、0.5nm以上3nm以下がさらに好ましく、0.7nm以上2nm以下が特に好ましい。 The light emitting layer may have a plurality of domain structures. For example, the light emitting layer may be composed of a region made of a mixture of a host material and a light emitting material and a region made of a mixture of another host material and a light emitting material. Each region can be about 1 nm 3 . The size of each domain is preferably from 0.2 nm to 10 nm, more preferably from 0.3 nm to 5 nm, still more preferably from 0.5 nm to 3 nm, and particularly preferably from 0.7 nm to 2 nm.

発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法(スプレーコート法、ディップコート法、含浸法、ロールコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ロールブラッシュ法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、スピンコート法、フローコート法、バーコート法、マイクログラビアコート法、エアードクターコート、ブレードコート法、スクイズコート法、トランスファーロールコート法、キスコート法、キャストコート法、エクストルージョンコート法、ワイヤーバーコート法、スクリーンコート法等)、インクジェット法、印刷法、LB法、転写法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法を用いることが好ましい。   The formation method of the light emitting layer is not particularly limited, but resistance heating vapor deposition, electron beam, sputtering, molecular lamination method, coating method (spray coating method, dip coating method, impregnation method, roll coating method, gravure coating method) , Reverse coat method, roll brush method, air knife coat method, curtain coat method, spin coat method, flow coat method, bar coat method, micro gravure coat method, air doctor coat, blade coat method, squeeze coat method, transfer roll coat Method, kiss coating method, cast coating method, extrusion coating method, wire bar coating method, screen coating method, etc.), inkjet method, printing method, LB method, transfer method, etc. Use heat evaporation, coating, and transfer methods. It is preferred.

本発明の有機電界発光素子は、陽極及び陰極からなる一対の電極間に、上記発光層を有しており、さらに上記金属錯体を含む有機化合物層を電子注入層又は電子輸送層として有することができるが、さらに他の機能を備えた層を有することができる。他の機能層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、保護層、電荷ブロック層、励起子ブロック層等が挙げられる。本発明の有機電界発光素子は、少なくとも正孔輸送層、発光層、電子輸送層の3層を有することが好ましい。これらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の公知材料を用いることができる。   The organic electroluminescent element of the present invention has the light emitting layer between a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, and further has an organic compound layer containing the metal complex as an electron injection layer or an electron transport layer. Although it can, it can also have a layer with other functions. Examples of other functional layers include a hole injection layer, a hole transport layer, a protective layer, a charge block layer, and an exciton block layer. The organic electroluminescent element of the present invention preferably has at least three layers of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. Each of these layers may have other functions. Various known materials can be used for forming each layer.

陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が4eV以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが好ましい。
陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜500nmである。
The anode supplies holes to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and the like, and a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. A material having a work function of 4 eV or more is preferable. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide and indium tin oxide (ITO), metals such as gold, silver, chromium and nickel, and these metals and conductive metal oxides. Inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole, and laminates of these with ITO, preferably conductive metals It is an oxide, and ITO is particularly preferable from the viewpoint of productivity, high conductivity, transparency, and the like.
Although the film thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material, it is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, still more preferably 100 nm to 500 nm.

陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常0.2mm以上、好ましくは0.7mm以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばITOの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法(ゾルーゲル法など)、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばITOの場合、UV−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
As the anode, a layer formed on a soda-lime glass, non-alkali glass, a transparent resin substrate or the like is usually used. When glass is used, it is preferable to use non-alkali glass as the material in order to reduce ions eluted from the glass. Moreover, when using soda-lime glass, it is preferable to use what gave barrier coatings, such as a silica. The thickness of the substrate is not particularly limited as long as it is sufficient to maintain the mechanical strength, but when glass is used, a thickness of 0.2 mm or more, preferably 0.7 mm or more is usually used.
Various methods are used for producing the anode depending on the material. For example, in the case of ITO, an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a chemical reaction method (sol-gel method, etc.), a coating of a dispersion of indium tin oxide, etc. A film is formed by this method.
The anode can be subjected to cleaning or other treatments to lower the drive voltage of the element or increase the light emission efficiency. For example, in the case of ITO, UV-ozone treatment, plasma treatment, etc. are effective.

陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属(例えばLi、Na、K等)及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属(例えばMg、Ca等)及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が4eV以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えば、アルミニウム/フッ化リチウム、アルミニウム/酸化リチウムの積層構造が好ましい。   The cathode supplies electrons to the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, etc., and the adhesion, ionization potential, and stability between the negative electrode and the adjacent layer such as the electron injection layer, the electron transport layer, and the light emitting layer. It is selected in consideration of etc. As a material for the cathode, a metal, an alloy, a metal halide, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. Specific examples include an alkali metal (for example, Li, Na, K, etc.) and its fluoride. Or oxides, alkaline earth metals (eg Mg, Ca, etc.) and fluorides or oxides thereof, gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys or their mixed metals, lithium-aluminum alloys or their mixtures Examples thereof include metals, magnesium-silver alloys or mixed metals thereof, rare earth metals such as indium and ytterbium, preferably materials having a work function of 4 eV or less, more preferably aluminum, lithium-aluminum alloys or mixed metals thereof. , Magnesium-silver alloys or mixed metals thereof. The cathode can take not only a single layer structure of the compound and the mixture but also a laminated structure including the compound and the mixture. For example, a laminated structure of aluminum / lithium fluoride and aluminum / lithium oxide is preferable.

陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜1μmである。
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法、転写法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω/□以下が好ましい。
The film thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, still more preferably 100 nm to 1 μm.
For production of the cathode, methods such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a coating method, and a transfer method are used, and a metal can be vapor-deposited alone or two or more components can be vapor-deposited simultaneously. Furthermore, a plurality of metals can be vapor-deposited simultaneously to form an alloy electrode, or a previously prepared alloy may be vapor-deposited.
The sheet resistance of the anode and the cathode is preferably low, and is preferably several hundred Ω / □ or less.

陽極の場合と同様に、基材上に上記陰極を設けることができる。この基材としては、特に限定されないが、ジルコニア安定化イットリウム、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)、テフロン(登録商標)、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子量材料であっても良い。   As in the case of the anode, the cathode can be provided on the substrate. The base material is not particularly limited, but inorganic materials such as zirconia-stabilized yttrium and glass, polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, polyethylene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, and allyl diester. High molecular weight materials such as glycol carbonate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, poly (chlorotrifluoroethylene), Teflon (registered trademark), and polytetrafluoroethylene-polyethylene copolymer may be used.

正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、本発明の化合物、及び、それらの誘導体等が挙げられる。   The material of the hole injection layer and the hole transport layer may be any one having a function of injecting holes from the anode, a function of transporting holes, or a function of blocking electrons injected from the cathode. Good. Specific examples include carbazole, triazole, oxazole, oxadiazole, imidazole, polyarylalkane, pyrazoline, pyrazolone, phenylenediamine, arylamine, amino-substituted chalcone, styrylanthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene, silazane, aromatic group Tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole), aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, organic Examples include silane, carbon films, compounds of the present invention, and derivatives thereof.

正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。   The film thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer are not particularly limited, but are usually preferably in the range of 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, and still more preferably 10 nm to 500 nm. . The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やLB法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。   As a method for forming the hole injection layer and the hole transport layer, a vacuum deposition method, an LB method, a method in which the hole injection transport material is dissolved or dispersed in a solvent, a coating method, an ink jet method, a printing method, or a transfer method is used. It is done. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. Examples of the resin component include polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, and poly (N -Vinyl carbazole), hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin, silicone resin, and the like.

保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属、MgO、SiO、SiO2、Al23、G
eO、NiO、CaO、BaO、Fe23、Y23、TiO2等の金属酸化物、MgF2、LiF、AlF3、CaF2等の金属フッ化物、SiN、SiOなどの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
As a material for the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing substances that promote device deterioration such as moisture and oxygen from entering the device. Specific examples thereof include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, Ni, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , G
Metal oxides such as eO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3 , Y 2 O 3 , TiO 2 , metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 , CaF 2 , SiN x , SiO x N y, etc. Nitride, polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene and A copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing at least one comonomer, a fluorinated copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, a water absorption of 0. A moisture-proof substance of 1% or less is included.
There is no particular limitation on the method for forming the protective layer. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency excitation ions) Plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, and transfer method can be applied.

なお、発光層に隣接する層(正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、励起子ブロック層など)のTレベル(最低三重項励起状態のエネルギーレベル)は、60Kcal/mol以上(251.4KJ/mol以上)、90Kcal/mol以下(377.1KJ/mol以下)が好ましく、62Kcal/mol以上(259.78KJ/mol以上)、85Kcal/mol以下(356.15KJ/mol以下)がより好ましく、65Kcal/mol以上(272.35KJ/mol以上)、80Kcal/mol以下(335.2KJ/mol以下)がさらに好ましい。 Note that the T 1 level (energy level of the lowest triplet excited state) of a layer adjacent to the light emitting layer (hole transport layer, electron transport layer, charge block layer, exciton block layer, etc.) is 60 Kcal / mol or more (251 .4 KJ / mol or more), 90 Kcal / mol or less (377.1 KJ / mol or less) is preferable, 62 Kcal / mol or more (259.78 KJ / mol or more), 85 Kcal / mol or less (356.15 KJ / mol or less) is more preferable. 65 Kcal / mol or more (272.35 KJ / mol or more), 80 Kcal / mol or less (335.2 KJ / mol or less).

本発明の有機電界発光素子は、青色蛍光発光化合物を含有しても良いし、また、青色蛍光化合物を含有する青色発光素子と本発明の発光素子を同時に用いて、マルチカラー発光デバイス、フルカラー発光デバイスを作製しても良い。   The organic electroluminescent device of the present invention may contain a blue fluorescent light emitting compound, or a blue light emitting device containing a blue fluorescent compound and the light emitting device of the present invention are used simultaneously to produce a multicolor light emitting device or a full color light emitting device. A device may be manufactured.

本発明の有機電界発光素子は青色色純度の観点から、発光の極大波長は好ましくは390nm以上、495nm以下であり、より好ましくは400nm以上、490nm以下である。また、本発明の発光素子は500nm以上にも発光極大波長を有しても良く、白色発光素子であっても良い。   In the organic electroluminescent element of the present invention, the maximum wavelength of light emission is preferably 390 nm or more and 495 nm or less, more preferably 400 nm or more and 490 nm or less, from the viewpoint of blue color purity. The light emitting device of the present invention may have a light emission maximum wavelength of 500 nm or more, or may be a white light emitting device.

本発明の有機電界発光素子は青色色純度の観点から、発光のCIE色度値のx値は、好ましくは0.22以下であり、より好ましくは0.20以下である。発光のCIE色度値のy値は、好ましくは0.25以下であり、より好ましくは0.20以下であり、さらに好ましくは0.15以下である。
本発明の有機電界発光素子は青色色純度の観点から、発光スペクトルの半値幅は100nm以下が好ましく、90nm以下がより好ましく、80nm以下がさらに好ましく、70nm以下が特に好ましい。
In the organic electroluminescent element of the present invention, from the viewpoint of blue color purity, the x value of the CIE chromaticity value of light emission is preferably 0.22 or less, more preferably 0.20 or less. The y value of the CIE chromaticity value of luminescence is preferably 0.25 or less, more preferably 0.20 or less, and even more preferably 0.15 or less.
In the organic electroluminescent element of the present invention, from the viewpoint of blue color purity, the half-value width of the emission spectrum is preferably 100 nm or less, more preferably 90 nm or less, further preferably 80 nm or less, and particularly preferably 70 nm or less.

本発明の有機電界発光素子の外部量子効率としては、5%以上が好ましく、10%以上がより好ましく、13%以上がさらに好ましい。外部量子効率の数値は20℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、20℃で素子を駆動した時の100〜300cd/m付近での外部量子効率の値を用いることができる。 The external quantum efficiency of the organic electroluminescent element of the present invention is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, and further preferably 13% or more. The value of the external quantum efficiency should be the maximum value of the external quantum efficiency when the device is driven at 20 ° C., or the value of the external quantum efficiency near 100 to 300 cd / m 2 when the device is driven at 20 ° C. Can do.

本発明の有機電界発光素子の内部量子効率としては、30%以上が好ましく、50%以上がさらに好ましく、70%以上がさらに好ましい。素子の内部量子効率は 内部量子効
率=外部量子効率/光取り出し効率で算出される。通常の有機EL素子では光取り出し効率は約20%であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を20%以上にすることが可能で有る。
The internal quantum efficiency of the organic electroluminescence device of the present invention is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and further preferably 70% or more. The internal quantum efficiency of the device is calculated as internal quantum efficiency = external quantum efficiency / light extraction efficiency. In a normal organic EL element, the light extraction efficiency is about 20%. However, the shape of the substrate, the shape of the electrode, the thickness of the organic layer, the thickness of the inorganic layer, the refractive index of the organic layer, the refractive index of the inorganic layer, etc. By devising it, it is possible to increase the light extraction efficiency to 20% or more.

本発明の有機電界発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する(例えば微細な凹凸パターンを形成する)、基板・ITO層・有機層の屈折率を制御する、基板・ITO層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。   The organic electroluminescence device of the present invention can improve the light extraction efficiency by various known devices. For example, by processing the substrate surface shape (for example, forming a fine concavo-convex pattern), controlling the refractive index of the substrate / ITO layer / organic layer, controlling the film thickness of the substrate / ITO layer / organic layer, etc. It is possible to improve light extraction efficiency and external quantum efficiency.

本発明の有機電界発光素子は、陰極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式(特開2003−208109号,2003−248441号,2003−257651号,2003−282261号公報などに記載)であっても良い。   The organic electroluminescent element of the present invention is a so-called top emission method (explained in JP 2003-208109A, 2003-248441, 2003-257651, 2003-282261, etc.) that takes out light emission from the cathode side. May be.

本発明の有機電界発光素子は、システム、駆動方法、利用形態など特に問わない。代表的な有機電界発光素子として有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子を挙げることができる。   The organic electroluminescent element of the present invention is not particularly limited, such as a system, a driving method, and a usage form. An organic EL (electroluminescence) element can be mentioned as a typical organic electroluminescent element.

本発明の有機電界発光素子の用途は特に限定されないが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。   The use of the organic electroluminescence device of the present invention is not particularly limited, but in the fields of display device, display, backlight, electrophotography, illumination light source, recording light source, exposure light source, reading light source, sign, signboard, interior, optical communication, etc. It can be used suitably.

以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。   Specific examples of the present invention will be described below, but the embodiments of the present invention are not limited thereto.

[合成例1] 例示化合物(1−33)の合成
窒素雰囲気下、ナスフラスコに配位子D−1(100mg,0.237mmol)、ビス(アセトニトリル)パラジウム(II)ジクロリド(61mg,0.237mmol)、リン酸トリメチル(5mL)を仕込み、130℃で、4時間加熱、攪拌した。室温まで冷却し、析出した固体を濾過し、メタノールで洗浄後、減圧下で乾燥し、例示化合物(1−33)を淡黄色の固体として74mg得た(収率59%)。
他の化合物についても同様な手法、または国際公開パンフレットWO−108857に記載の方法で合成した。
[Synthesis Example 1] Synthesis of Exemplified Compound (1-33) Under a nitrogen atmosphere, ligand D-1 (100 mg, 0.237 mmol) and bis (acetonitrile) palladium (II) dichloride (61 mg, 0.237 mmol) were placed in an eggplant flask. ), Trimethyl phosphate (5 mL) was added, and the mixture was heated and stirred at 130 ° C. for 4 hours. After cooling to room temperature, the precipitated solid was filtered, washed with methanol, and dried under reduced pressure to obtain 74 mg of Exemplified Compound (1-33) as a pale yellow solid (yield 59%).
Other compounds were synthesized by the same method or the method described in International Publication Pamphlet WO-108857.

Figure 0004934345
Figure 0004934345

1H-NMR(CDCl3):δ(ppm)=8.06(dt, J=1.0, 8.4Hz, 2H), 7.80(t, J=9.0Hz, 2H), 7.55(dd, J=2.4, 8.4Hz), 7.42(d, J=7.6Hz, 2H), 6.62(ddd, J=2.4, 8.6, 12.8Hz, 2H), 2.07(s, 6H) 1 H-NMR (CDCl 3 ): δ (ppm) = 8.06 (dt, J = 1.0, 8.4Hz, 2H), 7.80 (t, J = 9.0Hz, 2H), 7.55 (dd, J = 2.4, 8.4Hz ), 7.42 (d, J = 7.6Hz, 2H), 6.62 (ddd, J = 2.4, 8.6, 12.8Hz, 2H), 2.07 (s, 6H)

[比較例1]
洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを5nm蒸着し、この上に、NPD(N,N’−ジ−α−ナフチル−N,N’−ジフェニル)−ベンジジン)を40nm蒸着した。この上に、Ir(ppy)とCBPを6:94の比率(質量比)で30nm蒸着し、この上に、BAlqを6nm蒸着し、この上に、Alq(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体)を20nm蒸着した。この上に、フッ化リチウムを3nm蒸着した後、アルミニウム60nmを蒸着し、EL素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加して発光させた結果、Ir(ppy)に由来する緑色発光が得られた。
[Comparative Example 1]
The cleaned ITO substrate was put in a vapor deposition apparatus, and copper phthalocyanine was vapor-deposited to 5 nm, and NPD (N, N′-di-α-naphthyl-N, N′-diphenyl) -benzidine) was vapor-deposited thereon to 40 nm. On top of this, Ir (ppy) 3 and CBP were vapor-deposited at a ratio of 6:94 (mass ratio) of 30 nm, and BAlq was vapor-deposited thereon at a thickness of 6 nm, on which Alq (tris (8-hydroxyquinoline) aluminum was deposited. Complex) was deposited by 20 nm. On top of this, 3 nm of lithium fluoride was deposited, and then 60 nm of aluminum was deposited to produce an EL device. As a result of applying a DC constant voltage to the EL element to emit light using a source measure unit type 2400 manufactured by Toyo Technica, green light emission derived from Ir (ppy) 3 was obtained.

Figure 0004934345
Figure 0004934345

[実施例1]
比較例1のBAlqの代わりに、化合物(1−3)を用い、比較例1と同様に素子作製評価した結果、Ir(ppy)に由来する緑色の発光が得られた。1mA(発光面積4mm)で駆動した素子の輝度半減期は、比較例1の素子の2.3倍であった。
[Example 1]
The compound (1-3) was used in place of BAlq of Comparative Example 1, and the device was evaluated in the same manner as in Comparative Example 1. As a result, green light emission derived from Ir (ppy) 3 was obtained. The luminance half-life of the element driven at 1 mA (light emitting area 4 mm 2 ) was 2.3 times that of the element of Comparative Example 1.

[実施例2]
比較例1のAlqの代わりに、化合物(1−1)を用い、比較例1と同様に素子作製評価した結果、Ir(ppy)に由来する緑色の発光が得られた。1mA(発光面積4mm)で駆動した素子の輝度半減期は、比較例1の素子の1.5倍であった。
[Example 2]
The compound (1-1) was used in place of Alq in Comparative Example 1, and the device was evaluated in the same manner as in Comparative Example 1. As a result, green light emission derived from Ir (ppy) 3 was obtained. The luminance half life of the element driven at 1 mA (light emitting area 4 mm 2 ) was 1.5 times that of the element of Comparative Example 1.

[実施例3]
洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを5nm蒸着し、この上に、NPD(N,N’−ジ−α−ナフチル−N,N’−ジフェニル)−ベンジジン)を40nm蒸着した。この上に、Ir(ppy)とCBPを6:94の比率(質量比)で30nm蒸着し、この上に、化合物(1−3)を26nm蒸着した。この上に、フッ化リチウムを3nm蒸着した後、アルミニウム60nmを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加して発光させた結果、Ir(ppy)に由来する緑色の発光が得られた。1mA(発光面積4mm)で駆動した素子の輝度半減期は、比較例1の素子の2.0倍であった。
[Example 3]
The cleaned ITO substrate was put in a vapor deposition apparatus, and copper phthalocyanine was vapor-deposited to 5 nm, and NPD (N, N′-di-α-naphthyl-N, N′-diphenyl) -benzidine) was vapor-deposited thereon to 40 nm. On top of this, Ir (ppy) 3 and CBP were deposited at a ratio (mass ratio) of 6:94 for 30 nm, and the compound (1-3) was deposited thereon at 26 nm. On top of this, 3 nm of lithium fluoride was deposited, and then 60 nm of aluminum was deposited to produce a device. As a result of applying a constant DC voltage to the EL element to emit light using a source measure unit type 2400 manufactured by Toyo Technica, green light emission derived from Ir (ppy) 3 was obtained. The luminance half life of the element driven at 1 mA (light emitting area 4 mm 2 ) was 2.0 times that of the element of Comparative Example 1.

[実施例4]
洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを5nm蒸着し、この上に、NPD(N,N’−ジ−α−ナフチル−N,N’−ジフェニル)−ベンジジン)を40nm蒸着した。この上に、Ir(ppy)とCBPを6:94の比率(質量比)で30nm蒸着し、この上に、化合物(1−19)を26nm蒸着した。この上に、フッ化リチウムを3nm蒸着した後、アルミニウム60nmを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加して発光させた結果、Ir(ppy)に由来する緑色の発光が得られた。1mA(発光面積4mm)で駆動した素子の輝度半減期は、比較例1の素子の2.1倍であった。
[Example 4]
The cleaned ITO substrate was put in a vapor deposition apparatus, and copper phthalocyanine was vapor-deposited to 5 nm, and NPD (N, N′-di-α-naphthyl-N, N′-diphenyl) -benzidine) was vapor-deposited thereon to 40 nm. On top of this, Ir (ppy) 3 and CBP were vapor-deposited at a ratio of 6:94 (mass ratio) of 30 nm, and the compound (1-19) was vapor-deposited thereon at 26 nm. On top of this, 3 nm of lithium fluoride was deposited, and then 60 nm of aluminum was deposited to produce a device. As a result of applying a constant DC voltage to the EL element to emit light using a source measure unit type 2400 manufactured by Toyo Technica, green light emission derived from Ir (ppy) 3 was obtained. The luminance half-life of the element driven at 1 mA (light emitting area 4 mm 2 ) was 2.1 times that of the element of Comparative Example 1.

[比較例2]
洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを5nm蒸着し、この上に、NPD(N,N’−ジ−α−ナフチル−N,N’−ジフェニル)−ベンジジン)を40nm蒸着した。この上に、Ir(ppy)とCBPを6:94の比率(質量比)で30nm蒸着し、この上に、BAlqと化合物Aを50:50の比率(質量比)で6nm蒸着し、この上に、Alqを20nm蒸着した。この上に、フッ化リチウムを3nm蒸着した後、アルミニウム60nmを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加して発光させた結果、Ir(ppy)に由来する緑色の発光が得られた。
[Comparative Example 2]
The cleaned ITO substrate was put in a vapor deposition apparatus, and copper phthalocyanine was vapor-deposited to 5 nm, and NPD (N, N′-di-α-naphthyl-N, N′-diphenyl) -benzidine) was vapor-deposited thereon to 40 nm. On top of this, Ir (ppy) 3 and CBP were vapor-deposited at a ratio of 6:94 (mass ratio) for 30 nm, and BAlq and Compound A were vapor-deposited at a ratio of 50:50 (mass ratio) at 6 nm. On top of this, Alq was deposited by 20 nm. On top of this, 3 nm of lithium fluoride was deposited, and then 60 nm of aluminum was deposited to produce a device. As a result of applying a constant DC voltage to the EL element to emit light using a source measure unit type 2400 manufactured by Toyo Technica, green light emission derived from Ir (ppy) 3 was obtained.

[実施例5]
比較例2のBAlqの代わりに化合物(1−3)を用い、比較例2と同様に素子作成評価した結果、Ir(ppy)に由来する緑色の発光が得られた。1mA(発光面積4mm)で駆動した素子の輝度半減期は、比較例2の素子の2.2倍であった。
[Example 5]
The compound (1-3) was used in place of BAlq of Comparative Example 2, and as a result of device creation evaluation as in Comparative Example 2, green light emission derived from Ir (ppy) 3 was obtained. The luminance half-life of the element driven at 1 mA (light emitting area 4 mm 2 ) was 2.2 times that of the element of Comparative Example 2.

[実施例6]
比較例2のBAlqの代わりに化合物(1−33)を用い、比較例2と同様に素子作成評価した結果、Ir(ppy)に由来する緑色の発光が得られた。1mA(発光面積4mm)で駆動した素子の輝度半減期は、比較例2の素子の1.9倍であった。
[Example 6]
The compound (1-33) was used in place of BAlq in Comparative Example 2 and the device was evaluated in the same manner as in Comparative Example 2. As a result, green light emission derived from Ir (ppy) 3 was obtained. The luminance half-life of the element driven at 1 mA (light emitting area 4 mm 2 ) was 1.9 times that of the element of Comparative Example 2.

[比較例3]
洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを5nm蒸着し、この上に、NPD(N,N’−ジ−α−ナフチル−N,N’−ジフェニル)−ベンジジン)を40nm蒸着した。この上に、白金4座錯体BとmCPを15:85の比率(質量比)で30nm蒸着し、この上に、BAlqを6nm蒸着し、この上に、Alqを20nm蒸着した。この上に、フッ化リチウムを3nm蒸着した後、アルミニウム60nmを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加して発光させた結果、白金4座錯体Bに由来する緑色の発光が得られた。
[Comparative Example 3]
The cleaned ITO substrate was put in a vapor deposition apparatus, and copper phthalocyanine was vapor-deposited to 5 nm, and NPD (N, N′-di-α-naphthyl-N, N′-diphenyl) -benzidine) was vapor-deposited thereon to 40 nm. On this, platinum tetradentate complex B and mCP were vapor-deposited by 30 nm in the ratio (mass ratio) of 15:85, BAlq was vapor-deposited by 6 nm, and Alq was vapor-deposited by 20 nm on this. On top of this, 3 nm of lithium fluoride was deposited, and then 60 nm of aluminum was deposited to produce a device. As a result of emitting light by applying a DC constant voltage to the EL element using a source measure unit 2400 type manufactured by Toyo Technica, green light emission derived from the platinum tetradentate complex B was obtained.

[実施例7]
比較例3のBAlqの代わりに化合物(1−3)を用い、比較例3と同様に素子作成評価した結果、白金4座錯体Bに由来する緑色の発光が得られた。1mA(発光面積4mm)で駆動した素子の輝度半減期は、比較例3の素子の1.8倍であった。
[Example 7]
The compound (1-3) was used in place of BAlq of Comparative Example 3 and the device was evaluated in the same manner as in Comparative Example 3. As a result, green light emission derived from the platinum tetradentate complex B was obtained. The luminance half life of the element driven at 1 mA (light emitting area 4 mm 2 ) was 1.8 times that of the element of Comparative Example 3.

[比較例4]
洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを5nm蒸着し、この上に、NPD(N,N’−ジ−α−ナフチル−N,N’−ジフェニル)−ベンジジン)を40nm蒸着した。この上に、白金4座錯体CとmCPを15:85の比率(質量比)で30nm蒸着し、この上に、BAlqを6nm蒸着し、この上に、Alqを20nm蒸着した。この上に、フッ化リチウムを3nm蒸着した後、アルミニウム60nmを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加して発光させた結果、白金4座錯体Cに由来する緑色の発光が得られた。
[Comparative Example 4]
The cleaned ITO substrate was put in a vapor deposition apparatus, and copper phthalocyanine was vapor-deposited to 5 nm, and NPD (N, N′-di-α-naphthyl-N, N′-diphenyl) -benzidine) was vapor-deposited thereon to 40 nm. On this, platinum tetradentate complex C and mCP were vapor-deposited by 30 nm in the ratio (mass ratio) of 15:85, BAlq was vapor-deposited 6 nm on this, and Alq was vapor-deposited 20 nm on this. On top of this, 3 nm of lithium fluoride was deposited, and then 60 nm of aluminum was deposited to produce a device. As a result of emitting light by applying a DC constant voltage to the EL element using a source measure unit type 2400 manufactured by Toyo Technica, green light emission derived from the platinum tetradentate complex C was obtained.

[実施例8]
比較例4のBAlqの代わりに化合物(1−3)を用い、比較例4と同様に素子作成評価した結果、白金4座錯体Cに由来する緑色の発光が得られた。1mA(発光面積4mm)で駆動した素子の輝度半減期は、比較例4の素子の1.9倍であった。
[Example 8]
The compound (1-3) was used in place of BAlq of Comparative Example 4, and as a result of device creation evaluation as in Comparative Example 4, green light emission derived from the platinum tetradentate complex C was obtained. The luminance half-life of the element driven at 1 mA (light emitting area 4 mm 2 ) was 1.9 times that of the element of Comparative Example 4.

[比較例5]
洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを5nm蒸着し、この上に、NPD(N,N’−ジ−α−ナフチル−N,N’−ジフェニル)−ベンジジン)を40nm蒸着した。この上に、白金4座錯体DとmCPを15:85の比率(質量比)で30nm蒸着し、この上に、BAlqを6nm蒸着し、この上に、Alqを20nm蒸着した。この上に、フッ化リチウムを3nm蒸着した後、アルミニウム60nmを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加して発光させた結果、白金4座錯体Dに由来する青色の発光が得られた。
[Comparative Example 5]
The cleaned ITO substrate was put in a vapor deposition apparatus, and copper phthalocyanine was vapor-deposited to 5 nm, and NPD (N, N′-di-α-naphthyl-N, N′-diphenyl) -benzidine) was vapor-deposited thereon to 40 nm. On this, platinum tetradentate complex D and mCP were vapor-deposited by 30 nm in the ratio (mass ratio) of 15:85, BAlq was vapor-deposited 6 nm on this, and Alq was vapor-deposited 20 nm on this. On top of this, 3 nm of lithium fluoride was deposited, and then 60 nm of aluminum was deposited to produce a device. As a result of emitting light by applying a DC constant voltage to the EL element using a source measure unit type 2400 manufactured by Toyo Technica, blue light emission derived from the platinum tetradentate complex D was obtained.

[実施例9]
比較例5のBAlqの代わりに化合物(1−3)を用い、比較例5と同様に素子作成評価した結果、白金4座錯体Dに由来する青色の発光が得られた。1mA(発光面積4mm)で駆動した素子の輝度半減期は、比較例5の素子の1.6倍であった。
[Example 9]
The compound (1-3) was used in place of BAlq of Comparative Example 5 and the device was evaluated in the same manner as in Comparative Example 5. As a result, blue light emission derived from the platinum tetradentate complex D was obtained. The luminance half-life of the element driven at 1 mA (light emitting area 4 mm 2 ) was 1.6 times that of the element of Comparative Example 5.

他の本発明の化合物を用いた素子でも、耐久性の高いEL素子を作製することができる。   Even with an element using another compound of the present invention, a highly durable EL element can be manufactured.

Claims (2)

陽極と陰極とからなる一対の電極間に発光層を含む複数の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、発光層と陰極との間に、少なくとも1種の下記一般式()で表される化合物を含む層を少なくとも一層有することを特徴とする有機電界発光素子。
Figure 0004934345

21 は白金イオン又はパラジウムイオンを表す。Q 23 、Q 24 はそれぞれM 21 に炭素原子で配位するフェニル基又はM 21 に炭素原子で配位するトリアゾリル基若しくはピラゾリル基を表す。L 22 はジメチルメチレン基又はジフェニルメチレン基を表す。M 21 −N間の結合(点線部)は、配位結合を示す。M 21 −Q 23 間の結合及びM 21 −Q 24 間の結合は、共有結合である。
An organic electroluminescence device having a plurality of organic compound layers including a light emitting layer between a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, wherein at least one of the following general formula ( 2 ) is provided between the light emitting layer and the cathode: An organic electroluminescent device comprising at least one layer containing the represented compound.
Figure 0004934345

M 21 represents a platinum ion or a palladium ion. Q 23, Q 24 represents a coordinating triazolyl group or a pyrazolyl group with a carbon atom to the phenyl group or M 21 coordinated with the carbon atom to M 21, respectively. L 22 represents a dimethylmethylene group or a diphenylmethylene group. The bond between M 21 and N (dotted line portion) indicates a coordination bond. The bond between M 21 and Q 23 and the bond between M 21 and Q 24 are covalent bonds.
前記発光層が発光材料を含有し、該発光材料がりん光材料であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent device of claim 1, wherein the light emitting layer contains a luminescent material, characterized in that the luminescent material is a phosphorescent material.
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