JP4882824B2

JP4882824B2 - Plasma processing apparatus, plasma processing method, and storage medium

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Publication number: JP4882824B2
Application number: JP2007082563A
Authority: JP
Inventors: 利洋東条; 均齊藤; 亮佐藤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2007-03-27
Filing date: 2007-03-27
Publication date: 2012-02-22
Anticipated expiration: 2027-03-27
Also published as: CN101277579B; CN101277579A; TWI512819B; KR20080087738A; KR100995181B1; JP2008244146A; TW200903628A

Description

本発明は、高周波電力により処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより基板に対してエッチング等の処理を施すプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体に関する。 The present invention relates to a plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a storage medium that turn a processing gas into plasma with high-frequency power and perform processing such as etching on the substrate with the plasma.

半導体デバイスや液晶表示装置などのフラットパネルの製造工程においては、半導体ウエハやガラス基板といった被処理基板にエッチング処理や成膜処理等のプロセス処理を施すために、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ成膜装置等のプラズマ処理装置が用いられる。 In the manufacturing process of a flat panel such as a semiconductor device or a liquid crystal display device, a plasma etching apparatus or a plasma CVD film forming apparatus is used to perform a process such as an etching process or a film forming process on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or a glass substrate. Or the like is used.

プラズマ処理装置としては一般的に平行平板型の容量結合プラズマ処理装置が用いられている。図１１はこの種のプラズマ処理装置における等価回路であり、処理容器１１の壁部は高周波に対してインダクタンス成分となる。従って処理容器１１内にプラズマが発生しているときには上部電極１２及び下部電極１３間は、容量結合されるので、高周波電源１４からの高周波電流の経路は、整合回路１５→下部電極１３→プラズマ→上部電極１２→処理容器１１の壁部→マッチングボックス１６→アースとなる。 As the plasma processing apparatus, a parallel plate type capacitively coupled plasma processing apparatus is generally used. FIG. 11 is an equivalent circuit in this type of plasma processing apparatus, and the wall portion of the processing vessel 11 becomes an inductance component with respect to a high frequency. Therefore, when the plasma is generated in the processing vessel 11, the upper electrode 12 and the lower electrode 13 are capacitively coupled, so the path of the high-frequency current from the high-frequency power source 14 is the matching circuit 15 → the lower electrode 13 → the plasma → The upper electrode 12 → the wall of the processing container 11 → the matching box 16 → the ground.

ところで処理対象である基板の中で液晶ディスプレイなどのフラットパネル用のガラス基板は益々大型化する傾向にあり、これに伴い処理容器１１が大型化してくると、処理容器１１のインダクタンス成分が大きくなり、このため上部電極１２及び下部電極１３の間の結合が弱くなり、下部電極１３と処理容器１１の壁部との間にプラズマが発生する（図１１にて容量結合として記載してある）おそれが出てくる。このようなプラズマが発生すると処理容器１１内のプラズマは周辺に偏ったものとなり、この結果基板１０に対して面内均一性の高い処理を行うことができなくなることや、また処理容器１１の内壁や内部部品が損傷し、あるいは消耗が進みやすくなるという不具合がある。 By the way, among substrates to be processed, glass substrates for flat panels such as liquid crystal displays tend to increase in size, and when the processing container 11 becomes larger, the inductance component of the processing container 11 increases. For this reason, the coupling between the upper electrode 12 and the lower electrode 13 is weakened, and plasma may be generated between the lower electrode 13 and the wall of the processing vessel 11 (described as capacitive coupling in FIG. 11). Comes out. When such plasma is generated, the plasma in the processing container 11 is biased toward the periphery, and as a result, it becomes impossible to perform processing with high in-plane uniformity on the substrate 10, and the inner wall of the processing container 11. There is a problem that the internal parts are damaged or the wear out easily proceeds.

そこで本願の出願人は、このような問題を解決するためにインピーダンス調整部を設ける技術を提案している（特許文献１）。図１２は下部電極をカソード電極とした場合において、インダクタ１７ａ及び容量可変コンデンサ１７ｂとを含んだインピーダンス調整部１７を設けたプラズマエッチング装置１を示しており、高周波の経路は、高周波電源１４→導電路１４Ａ→整合回路１５→下部電極１３→プラズマ→上部電極１２→導電路１２Ａ→インピーダンス調整部１７→処理容器１１の壁部→マッチングボックス１６→アースとなる。そして特許文献１では、アノード電極（特許文献１では下部電極）に流れる電流値が最大となるようにインピーダンス調整部１７のインピーダンス値を調整することにより、アノード電極と処理容器との間のインピーダンス値が最大になると捉え、異常放電を抑制している。なお図１２では省略しているが、下部電極１３に高周波バイアスを印加して、プラズマエッチング処理を行う場合もある。 Therefore, the applicant of the present application has proposed a technique of providing an impedance adjustment unit in order to solve such a problem (Patent Document 1). FIG. 12 shows the plasma etching apparatus 1 provided with the impedance adjusting unit 17 including the inductor 17a and the variable capacitance capacitor 17b when the lower electrode is a cathode electrode. The path 14A → the matching circuit 15 → the lower electrode 13 → the plasma → the upper electrode 12 → the conductive path 12A → the impedance adjusting unit 17 → the wall of the processing vessel 11 → the matching box 16 → the ground. And in patent document 1, the impedance value between an anode electrode and a processing container is adjusted by adjusting the impedance value of the impedance adjustment part 17 so that the electric current value which flows into an anode electrode (patent document 1 lower electrode) may become the maximum. Is considered to be maximum, and abnormal discharge is suppressed. Although omitted in FIG. 12, a plasma etching process may be performed by applying a high frequency bias to the lower electrode 13.

ところで実際の電流値の測定は、図１３に示すように上部電極１２及び容量可変コンデンサ１７ｂとインダクタ１７ａとの間に各々高電圧測定用のプローブ１８ａ，１８ａを接続し、これらプローブ１８ａ，１８ａに専用のソフトウエアがインストールされたコンピュータ１８に接続された広帯域オシロスコープ１８ｂを接続した上で、所定の処理条件を設定してプラズマを形成する。そして装置のオペレータが容量可変コンデンサ１７ｂの静電容量を手動で変化させながら、前記プローブ１８ａ，１８ａ、コンピュータ１８及び広帯域オシロスコープ１８ｂを用いて容量可変コンデンサ１７ｂの各位置において、高周波電源１４の周波数に相当する電圧波形データを測定して、このデータに基づき上部電極１２へ流れる電流［Ｉ−ｔｏｔａｌ］を演算し、また形成されたプラズマを目視し、その目視による放電状態と演算された前記電流値とから容量可変コンデンサ１７ｂの静電容量を決定しており、手間がかかっていた。
特開２００５−３４０７６０号公報：段落００２７〜００３０、００５８、００６１） Incidentally, the actual current value is measured by connecting high voltage measuring probes 18a and 18a between the upper electrode 12, the variable capacitance capacitor 17b and the inductor 17a, as shown in FIG. After connecting a broadband oscilloscope 18b connected to a computer 18 in which dedicated software is installed, plasma is formed by setting predetermined processing conditions. Then, the operator of the apparatus manually changes the capacitance of the variable capacitance capacitor 17b while using the probes 18a, 18a, the computer 18 and the broadband oscilloscope 18b to adjust the frequency of the high frequency power supply 14 at each position of the variable capacitance capacitor 17b. The corresponding voltage waveform data is measured, the current [I-total] flowing to the upper electrode 12 is calculated based on this data, the formed plasma is visually observed, and the discharge state by the visual observation is calculated as the current value. Therefore, the capacitance of the variable capacitance capacitor 17b is determined, which is troublesome.
JP 2005-340760 A: Paragraphs 0027 to 0030, 0058, 0061)

本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、アノード電極と処理容器との間にインピーダンス調整部を設けたプラズマ処理装置において、異常放電を抑えるためのインピーダンス調整部のインピーダンス調整を容易に適切に行うことができる技術を提供することである。 The present invention has been made based on such circumstances, and an object thereof is to provide an impedance adjusting unit for suppressing abnormal discharge in a plasma processing apparatus in which an impedance adjusting unit is provided between an anode electrode and a processing vessel. It is to provide a technique capable of easily and appropriately adjusting the impedance.

本発明のプラズマ処理装置は、処理容器内に当該処理容器とは絶縁され、プラズマ発生用の高周波を出力する高周波電源に整合回路を介して接続されたカソード電極と、このカソード電極に対して対向して設けられ、前記処理容器とは絶縁体を介して絶縁されたアノード電極と、を備え、前記カソード電極及びアノード電極のうちの一方の電極上に基板が載置され、高周波電力により処理ガスをプラズマ化してそのプラズマにより基板に対してプラズマ処理がされる平行平板型のプラズマ処理装置において、
プラズマ発生時に、基板が載置される側の電極にプラズマ発生用の高周波の周波数よりも低いバイアス用の高周波を印加するバイアス用の高周波電源と、
その一端側が前記アノード電極に接続されると共に他端側が前記処理容器に接続され、カソード電極からプラズマ、アノード電極及び処理容器の壁部を介して前記整合回路の接地筐体に至るまでのインピーダンス値を制御するためのインピーダンス調整部と、
前記インピーダンス調整部の電圧を測定する電圧測定部と、
前記インピーダンス調整部と電圧測定部との間に介在し、インピーダンス調整部の電圧において、プラズマ発生用の高周波の周波数をｆ１、バイアス用の高周波の周波数をｆ２とすると、ｆ１を通過帯域とし、ｆ１−ｆ２及びｆ１＋ｆ２を減衰帯域とするバンドパスフィルタと、
プラズマ発生時に前記インピーダンス調整部のインピーダンス値を変化させながら前記電圧測定部により測定された電圧値を取り込み、この電圧値に基づいて、前記アノード電極に流れ込む電流の値を演算し、この電流の値が最大値またはその近傍になるように前記インピーダンス調整部のインピーダンス値を設定する制御部と、を備えたことを特徴とする。 The plasma processing apparatus according to the present invention includes a cathode electrode that is insulated from the processing vessel in the processing vessel and connected to a high-frequency power source that outputs a high frequency for plasma generation via a matching circuit, and is opposed to the cathode electrode. An anode electrode that is insulated from the processing vessel via an insulator, and a substrate is placed on one of the cathode electrode and the anode electrode, and a processing gas is generated by high-frequency power. In a parallel plate type plasma processing apparatus in which the plasma processing is performed on the substrate with the plasma.
A high frequency power supply for bias that applies a high frequency for bias lower than the frequency of the high frequency for plasma generation to the electrode on the side on which the substrate is placed at the time of plasma generation;
One end side is connected to the anode electrode and the other end side is connected to the processing vessel, and the impedance value from the cathode electrode to the grounding housing of the matching circuit through the plasma, the anode electrode and the wall of the processing vessel An impedance adjustment unit for controlling
A voltage measuring unit for measuring the voltage of the impedance adjusting unit;
When the high frequency frequency for plasma generation is f1 and the high frequency frequency for bias is f2 in the voltage of the impedance adjustment unit between the impedance adjustment unit and the voltage measurement unit, f1 is a pass band, and f1 A band-pass filter having −f2 and f1 + f2 as attenuation bands;
Taking in the voltage value measured by the voltage measuring unit while changing the impedance value of the impedance adjusting unit at the time of plasma generation, the value of the current flowing into the anode electrode is calculated based on this voltage value, the value of this current And a control unit that sets an impedance value of the impedance adjustment unit so that the value becomes the maximum value or the vicinity thereof.

例えば前記インピーダンス調整部は容量可変コンデンサを含み、前記容量可変コンデンサの静電容量を調整するトリマ機構を駆動する駆動機構が設けられ、前記制御部は前記駆動機構を介して容量可変コンデンサの容量値を設定して、インピーダンス調整部のインピーダンス値を設定するようにしてもよく、また前記制御部は、電圧測定部により測定された電圧値と、前記容量可変コンデンサの静電容量値と、前記容量可変コンデンサ以外のインピーダンス調整部を構成する素子のインピーダンス値と、前記アノード電極を処理容器から絶縁する絶縁体の絶縁容量値と、に基づいて前記アノード電極に流れ込む電流の値を演算するように構成されてもよい。

For example, the impedance adjustment unit includes a variable capacitance capacitor, and a drive mechanism that drives a trimmer mechanism that adjusts the capacitance of the variable capacitance capacitor is provided, and the control unit has a capacitance value of the variable capacitance capacitor via the drive mechanism. The impedance adjustment unit may set the impedance value, and the control unit may measure the voltage value measured by the voltage measurement unit, the capacitance value of the capacitance variable capacitor, and the capacitance. It is configured to calculate the value of the current flowing into the anode electrode based on the impedance value of the element constituting the impedance adjustment unit other than the variable capacitor and the insulation capacitance value of the insulator that insulates the anode electrode from the processing container May be.

前記制御部は、例えば前記容量可変コンデンサの静電容量値が順次大きくなるように前記駆動機構を制御し、前記アノード電極に流れ込む電流値が低くなり始めたときに前記駆動機構を停止することで前記容量可変コンデンサの容量値を設定する。また前記インピーダンス調整部は、前記容量可変コンデンサを含む第１の素子部と、コンデンサまたはインダクタからなる第２の素子部との直列回路からなり、前記電圧測定部は、前記第１の素子部の両端電圧または第２の素子部の両端電圧を測定するようにしてもよく、さらに前記インピーダンス調整部は、アノードの電極の面方向に複数設けられており、前記制御部は、１個のインピーダンス調整部の容量可変コンデンサについて容量値を設定するか、または２個以上のインピーダンス調整部の容量可変コンデンサについて容量値を同時に設定するようにしてもよい。また例えばプラズマ処理を行うときの処理条件と、その処理条件において決定された容量可変コンデンサのトリマ位置とが記憶される記憶部が設けられ、前記制御部は基板にプラズマ処理を行う際にはその処理条件に対応するトリマ位置を記憶部から読み出して駆動機構を制御してもよい。 For example, the control unit controls the drive mechanism so that the capacitance value of the variable capacitance capacitor sequentially increases, and stops the drive mechanism when the current value flowing into the anode electrode starts to decrease. A capacitance value of the variable capacitance capacitor is set. The impedance adjustment unit includes a series circuit of a first element unit including the variable capacitance capacitor and a second element unit including a capacitor or an inductor, and the voltage measurement unit includes the first element unit. The voltage at both ends or the voltage at both ends of the second element unit may be measured. Further, a plurality of impedance adjusting units are provided in the surface direction of the anode electrode, and the control unit has one impedance adjusting unit. The capacitance value may be set for a part of the variable capacitance capacitors, or the capacitance value may be set simultaneously for two or more variable capacitance capacitors of the impedance adjustment unit. In addition, for example, a storage unit is provided for storing the processing conditions when performing plasma processing and the trimmer position of the capacitance variable capacitor determined under the processing conditions, and the control unit performs the processing when performing plasma processing on the substrate. The driving mechanism may be controlled by reading out the trimmer position corresponding to the processing condition from the storage unit.

本発明のプラズマ処理方法は、処理容器内に当該処理容器とは絶縁され、プラズマ発生用の高周波を出力する高周波電源に整合回路を介して接続されたカソード電極と、
このカソード電極に対して対向して設けられ、前記処理容器とは絶縁体を介して絶縁されたアノード電極と、
その一端側が前記アノード電極に接続されると共に他端側が前記処理容器に接続され、カソード電極からプラズマ、アノード電極及び処理容器の壁部を介して前記整合回路の接地筐体に至るまでのインピーダンス値を制御するためのインピーダンス調整部と、
を備えたプラズマ処理装置を用いて、処理容器内にて高周波電力により処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマによりカソード電極及びアノード電極の一方に載置された基板に対して処理を行うためのプラズマ処理方法において
前記カソード電極及びアノード電極間にプラズマ発生用の高周波を印加してプラズマを発生させる工程と、
この工程時に、基板が載置されている電極にプラズマ発生用の高周波の周波数よりも低いバイアス用の高周波を印加する工程と、
プラズマ発生用の高周波の周波数をｆ１、バイアス用の高周波の周波数をｆ２とすると、前記インピーダンス調整部と、当該インピーダンス調整部の電圧を測定するための電圧測定部との間に介在するバンドパスフィルタにより、インピーダンス調整部の電圧のうちｆ１の電圧を通過させ、ｆ１−ｆ２以下の周波数成分の電圧及びｆ１＋ｆ２以上の周波数成分の電圧を抑圧する工程と、
プラズマ発生時に制御部によりインピーダンス調整部のインピーダンス値を変化させながら、前記電圧測定部により測定された電圧値を取り込む工程と、
この工程で取り込まれた電圧値に基づいて、前記アノード電極に流れ込む電流の値を演算する工程と、
この工程で演算された電流の値が最大値またはその近傍になるように前記インピーダンス調整部のインピーダンス値を設定する工程と、を含むことを特徴とする。 The plasma processing method of the present invention includes a cathode electrode that is insulated from the processing vessel in the processing vessel and connected to a high-frequency power source that outputs a high frequency for plasma generation via a matching circuit;
An anode electrode provided facing the cathode electrode and insulated from the processing vessel via an insulator;
One end side is connected to the anode electrode and the other end side is connected to the processing vessel, and the impedance value from the cathode electrode to the grounding housing of the matching circuit through the plasma, the anode electrode and the wall of the processing vessel An impedance adjustment unit for controlling
A plasma processing apparatus for converting a processing gas into a plasma with a high-frequency power in a processing container and performing processing on a substrate placed on one of a cathode electrode and an anode electrode by the plasma. Applying a high frequency for plasma generation between the cathode electrode and the anode electrode in the method to generate plasma;
In this step, a step of applying a high frequency for bias lower than the frequency of the high frequency for plasma generation to the electrode on which the substrate is placed;
A band-pass filter interposed between the impedance adjustment unit and a voltage measurement unit for measuring the voltage of the impedance adjustment unit, where f1 is a high-frequency frequency for plasma generation and f2 is a high-frequency frequency for bias. The step of passing the voltage f1 out of the voltage of the impedance adjusting unit and suppressing the voltage of the frequency component of f1−f2 or less and the voltage of the frequency component of f1 + f2 or more,
Capturing the voltage value measured by the voltage measurement unit while changing the impedance value of the impedance adjustment unit by the control unit when plasma is generated;
A step of calculating a value of a current flowing into the anode electrode based on the voltage value captured in this step;
And setting the impedance value of the impedance adjusting unit so that the current value calculated in this step is at or near the maximum value.

前記インピーダンス調整部は、駆動機構を介してその静電容量が調整される容量可変コンデンサを備え、前記容量可変コンデンサの容量値が順次大きくなるように前記駆動機構を制御する工程を含み、前記容量可変コンデンサの容量値の設定は、前記アノード電極に流れ込む電流値が低くなり始めたときに前記駆動機構を停止して行うようにしてもよく、また前記アノード電極に流れ込む電流の値を演算する工程は、電圧測定部により測定された電圧値と、前記容量可変コンデンサの静電容量値と、前記容量可変コンデンサ以外のインピーダンス調整部を構成する素子のインピーダンス値と、前記アノード電極を処理容器から絶縁する絶縁体の絶縁容量値と、に基づいて行われるようにしてもよい。 The impedance adjustment unit includes a variable capacitance capacitor whose capacitance is adjusted via a drive mechanism, and includes a step of controlling the drive mechanism so that a capacitance value of the variable capacitance capacitor sequentially increases. The setting of the capacitance value of the variable capacitor may be performed by stopping the drive mechanism when the value of the current flowing into the anode electrode starts to decrease, and the step of calculating the value of the current flowing into the anode electrode The voltage value measured by the voltage measurement unit, the capacitance value of the capacitance variable capacitor, the impedance value of the element constituting the impedance adjustment unit other than the capacitance variable capacitor, and the anode electrode are insulated from the processing vessel. It may be performed on the basis of the insulation capacitance value of the insulator.

また本発明の記憶媒体は、基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、上述のプラズマ処理方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。 The storage medium of the present invention is a storage medium that stores a computer program that is used in a plasma processing apparatus that performs plasma processing on a substrate and that operates on a computer. The computer program performs the above-described plasma processing method. It is characterized in that a group of steps is assembled so as to be carried out.

本発明のプラズマ処理装置によれば、制御部によりインピーダンス調整部のインピーダンス値を変化させながら、インピーダンス調整部の電圧をバンドパスフィルタを介して測定し、その測定電圧を取り込み、インピーダンス調整部の適切なインピーダンス値を設定しているので、自動でインピーダンス値の適正ポイントを取得できると共に、基板側に印加する高周波バイアスに影響されずに、適切なインピーダンス調整を行うことができ、良好なプラズマ処理を実現できる。
また、例えば前記インピーダンス調整部を、前記容量可変コンデンサを含む第１の素子部と、コンデンサまたはインダクタからなる第２の素子部との直列回路により構成し、これら素子部の一方の電圧を測定することにより、インピーダンス調整部と絶縁体との並列回路全体の電圧を測定する場合に比べて、並列共振などの影響で電圧が大きく変動することが避けられるので、より適切なインピーダンス調整を行うことができる。 According to the plasma processing apparatus of the present invention, while the impedance value of the impedance adjustment unit is changed by the control unit, the voltage of the impedance adjustment unit is measured through the bandpass filter, the measured voltage is taken in, and the impedance adjustment unit is Since a proper impedance value is set, an appropriate point for the impedance value can be automatically acquired, and an appropriate impedance adjustment can be performed without being affected by the high-frequency bias applied to the substrate side, so that a good plasma treatment can be performed. realizable.
Further, for example, the impedance adjustment unit is configured by a series circuit of a first element unit including the capacitance variable capacitor and a second element unit made of a capacitor or an inductor, and the voltage of one of these element units is measured. Therefore, compared with the case where the voltage of the entire parallel circuit of the impedance adjustment unit and the insulator is measured, it is possible to avoid the voltage from fluctuating greatly due to the influence of parallel resonance, etc. it can.

本発明のプラズマ処理装置を、液晶ディスプレイ用のガラス基板１０をエッチングする装置に適用した実施の形態について図１を参照しながら説明する。このプラズマエッチング装置２は例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる角筒形状の処理容器２０を備えている。この処理容器２０の中央下部には下部電極３１が設けられており、下部電極３１は図示しない搬送手段により処理容器２０内に搬送された基板１０を載置する載置台を兼用している。この下部電極３１の下部には後述するマッチングボックスの開口縁に沿って絶縁体３２が設けられている。この絶縁体３２により下部電極３１は、処理容器２０から電気的に十分浮いた状態になっている。絶縁体３２の下部には支持部３３を介して、処理容器２０の底壁に形成された開口部２１を貫通し、下方に伸びるマッチングボックス３４が設けられている。 An embodiment in which the plasma processing apparatus of the present invention is applied to an apparatus for etching a glass substrate 10 for a liquid crystal display will be described with reference to FIG. The plasma etching apparatus 2 includes a square-tubular processing vessel 20 made of aluminum, for example, whose surface is anodized. A lower electrode 31 is provided at the center lower portion of the processing container 20, and the lower electrode 31 also serves as a mounting table on which the substrate 10 transferred into the processing container 20 by a transfer means (not shown) is mounted. An insulator 32 is provided below the lower electrode 31 along an opening edge of a matching box described later. The lower electrode 31 is sufficiently electrically lifted from the processing container 20 by the insulator 32. A matching box 34 that extends downward through the opening 21 formed in the bottom wall of the processing vessel 20 is provided below the insulator 32 via a support 33.

マッチングボックス３４の上部及び下部は開口しており、またその内部には整合回路３５が設けられている。前記下部電極３１には導電路３６の一端が接続され、導電路３６の他端は分岐し、その一方は整合回路３５を介してマッチングボックス３４の外に設けられた、プラズマ形成用の１３．５６ＭＨｚの高周波電源３７に接続され、その他方は整合回路３８を介してマッチングボックス３４の外に設けられた、バイアス印加用の３．２ＭＨｚの高周波電源３９に接続されている。またマッチングボックス３４の下部は、分岐した導電路３６と共に同軸ケーブル３Ａ,３Ａを構成する外層部３Ｂ,３Ｂとして伸びており、各外層部３Ｂは接地されている。このようにマッチングボックス３４は整合回路３５,３８の接地筐体として構成されている。 An upper portion and a lower portion of the matching box 34 are opened, and a matching circuit 35 is provided therein. One end of a conductive path 36 is connected to the lower electrode 31, the other end of the conductive path 36 is branched, one of which is provided outside the matching box 34 via a matching circuit 35. The other side is connected to a 56 MHz high frequency power source 37, and the other side is connected to a 3.2 MHz high frequency power source 39 for bias application provided outside the matching box 34 via a matching circuit 38. The lower portion of the matching box 34 extends as outer layer portions 3B and 3B constituting the coaxial cables 3A and 3A together with the branched conductive path 36, and each outer layer portion 3B is grounded. As described above, the matching box 34 is configured as a grounding housing for the matching circuits 35 and 38.

また処理容器２０の側壁には排気路２２が接続され、この排気路２２には真空排気手段２３が接続されている。更に処理容器２０の側壁には、基板１０の搬送口２４を開閉するためのゲートバルブ２５が設けられている。 An exhaust path 22 is connected to the side wall of the processing vessel 20, and a vacuum exhaust means 23 is connected to the exhaust path 22. Further, a gate valve 25 for opening and closing the transfer port 24 of the substrate 10 is provided on the side wall of the processing container 20.

下部電極３１の上方には、当該下部電極３１と対向するようにガス供給部であるガスシャワーヘッドを兼用する上部電極４１が設けられており、このプラズマエッチング装置２では下部電極３１、上部電極４１は、夫々カソード電極及びアノード電極に相当する。また上部電極４１は、処理容器２０の上側に設けられた開口部２６の開口縁に沿って設けられた絶縁体４２を介して処理容器２０の天井部に接続されており、この絶縁体４２により上部電極４１は処理容器２０から電気的に十分浮いた状態になっている。ガス供給路４３を介して処理ガス供給部４４に接続されると共にガス供給路４３から供給された処理ガスを多数のガス孔４５から処理容器２０内に供給するように構成されている。 An upper electrode 41 that also serves as a gas shower head as a gas supply unit is provided above the lower electrode 31 so as to face the lower electrode 31. In the plasma etching apparatus 2, the lower electrode 31 and the upper electrode 41 are provided. Corresponds to a cathode electrode and an anode electrode, respectively. The upper electrode 41 is connected to the ceiling portion of the processing container 20 via an insulator 42 provided along the opening edge of the opening 26 provided on the upper side of the processing container 20. The upper electrode 41 is in a state of being sufficiently electrically lifted from the processing container 20. The processing gas is connected to the processing gas supply unit 44 via the gas supply path 43 and is configured to supply the processing gas supplied from the gas supply path 43 into the processing container 20 through a number of gas holes 45.

処理容器２０上には、開口部２６を覆うように、上側が塞がれたカバー部材４６が設けられており、上部電極４１、カバー部材４６には導電路５１の一端、他端が夫々接続されている。導電路５１には互いに直列に接続された第１の素子部である容量可変コンデンサ５３と第２の素子部であるインダクタ５２とにより構成されるインピーダンス調整部５が介設されており、容量可変コンデンサ５３はカバー部材４６側に、インダクタ５２は上部電極４１側に、夫々設けられている。容量可変コンデンサ５３はトリマ機構を備え、そのトリマ位置を調整することでその静電容量が変化する。容量可変コンデンサ５３とインダクタ５２との接続点とアースとの間には導電路５４、バンドパスフィルタ５６及び電圧測定部５７が接続されている。 A cover member 46 whose upper side is closed is provided on the processing container 20 so as to cover the opening 26, and one end and the other end of the conductive path 51 are connected to the upper electrode 41 and the cover member 46, respectively. Has been. The conductive path 51 is provided with an impedance adjustment unit 5 including a variable capacitance capacitor 53 that is a first element unit and an inductor 52 that is a second element unit that are connected in series to each other. The capacitor 53 is provided on the cover member 46 side, and the inductor 52 is provided on the upper electrode 41 side. The variable capacitance capacitor 53 includes a trimmer mechanism, and the capacitance changes by adjusting the trimmer position. A conductive path 54, a band-pass filter 56, and a voltage measuring unit 57 are connected between a connection point between the variable capacitor 53 and the inductor 52 and the ground.

ここで前記インピーダンス調整部５にはプラズマ発生用の１３．５６ＭＨｚのバイアス用の３．２ＭＨｚの高周波が流れるため、容量可変コンデンサ５３の電圧（前記接続点の電位）には、１３．５６ＭＨｚの電圧の他に両者の周波数の和である１６．７６（１３．５６＋３．２）ＭＨｚの電圧と両者の周波数の差である１０．３６（１３．５６＋３．２）ＭＨｚの電圧とが現れる。このため、図２に示すようにバンドパスフィルタ５６は１３．５６ＭＨｚを通過帯域とし、１６．７６ＭＨｚ以上及び１０．３６ＭＨｚ以下を減衰帯域とする。つまり１３．５６ＭＨｚに大きなＱ値を有する構成となっている。 Here, since the high frequency of 3.2 MHz for bias of 13.56 MHz for generating plasma flows in the impedance adjusting unit 5, the voltage of the variable capacitor 53 (potential of the connection point) is a voltage of 13.56 MHz. In addition, a voltage of 16.76 (13.56 + 3.2) MHz, which is the sum of both frequencies, and a voltage of 10.36 (13.56 + 3.2) MHz, which is the difference between the two frequencies, appear. For this reason, as shown in FIG. 2, the band-pass filter 56 uses 13.56 MHz as a pass band, and uses 16.76 MHz or more and 10.36 MHz or less as an attenuation band. That is, it has a configuration having a large Q value at 13.56 MHz.

電圧測定部５７は容量可変コンデンサ５３の電圧を測定し、その電圧測定値を後述の制御部６に出力するように構成されている。また容量可変コンデンサ５３のトリマ機構は駆動機構であるモータ５８により駆動されるようになっており、制御部６がモータ５８を駆動制御することで、容量可変コンデンサ５３のトリマの位置が操作され、その静電容量が調整される。 The voltage measurement unit 57 is configured to measure the voltage of the variable capacitance capacitor 53 and output the voltage measurement value to the control unit 6 described later. Further, the trimmer mechanism of the variable capacitance capacitor 53 is driven by a motor 58 which is a drive mechanism, and the controller 6 controls the drive of the motor 58 so that the position of the trimmer of the variable capacitance capacitor 53 is manipulated. The capacitance is adjusted.

図３はプラズマエッチング装置２を模式的に示したものであり、この図も参照しながら説明する。なお図３には便宜上バイアス用の高周波電源３９は記載していない。高周波電源３７がオンになると、高周波電源３７→整合回路３５→下部電極３１→プラズマ→上部電極４１の経路で高周波電流が流れる。上部電極４１に流れた高周波電流は、主にインピーダンス調整部５→処理容器２０の経路で流れるが、一部は絶縁体４２→処理容器２０の経路で流れる。そして処理容器２０に流れた高周波電流は接地筐体であるマッチングボックス３４→同軸ケーブル３Ａの外層部３Ｂ→接地の経路で高周波電流が流れることになるが、背景技術の欄において記載したように、下部電極３１からプラズマを介して処理容器２０の壁部へと異常な経路で高周波電流が流れるおそれがあるため、上部電極４１から処理容器２０の上部に至るまでの経路（リターン経路）のインピーダンス値をインピーダンス調整部５により調整するようにしている。 FIG. 3 schematically shows the plasma etching apparatus 2 and will be described with reference to this figure. In FIG. 3, the high frequency power supply 39 for bias is not shown for convenience. When the high-frequency power source 37 is turned on, a high-frequency current flows through a path of the high-frequency power source 37 → the matching circuit 35 → the lower electrode 31 → the plasma → the upper electrode 41. The high-frequency current that has flowed through the upper electrode 41 flows mainly through the path of the impedance adjustment unit 5 → the processing container 20, but part of the high-frequency current flows through the path of the insulator 42 → the processing container 20. The high-frequency current that has flowed into the processing container 20 flows through the matching box 34 that is a grounded casing → the outer layer portion 3B of the coaxial cable 3A → the ground, but as described in the background section, Since a high-frequency current may flow from the lower electrode 31 to the wall of the processing vessel 20 via plasma through an abnormal path, the impedance value of the path (return path) from the upper electrode 41 to the upper part of the processing vessel 20 Is adjusted by the impedance adjustment unit 5.

図３において[Ｃ０]で示している容量は処理容器２０と上部電極４１との間に介在する絶縁体４２の絶縁容量に相当する。また図中[ＩＣ０]は絶縁体４２に流れる電流、[Ｃｓ]は容量可変コンデンサ５３の静電容量、[ＩＣｓ]はインピーダンス調整部５に流れる電流、[ＶＣｓ]は電圧測定部５７により測定される容量可変コンデンサ５３の両端電圧、[Ｉ−ｔｏｔａｌ]は下部電極３１から上部電極４１に流れる電流、[Ｌｓ]はインダクタ５２のインダクタンスを夫々示している。 The capacity indicated by [C0] in FIG. 3 corresponds to the insulating capacity of the insulator 42 interposed between the processing container 20 and the upper electrode 41. In the figure, [IC0] is the current flowing through the insulator 42, [Cs] is the capacitance of the variable capacitance capacitor 53, [ICs] is the current flowing through the impedance adjusting unit 5, and [VCs] is measured by the voltage measuring unit 57. The voltage across the capacitor 53, [I-total] indicates the current flowing from the lower electrode 31 to the upper electrode 41, and [Ls] indicates the inductance of the inductor 52.

前記上部電極４１に流れる電流[Ｉ−ｔｏｔａｌ]が最大となるときに上述の下部電極３１→プラズマ→処理容器２０の経路を流れる高周波が最も少なくなるので、後述の処理においては容量可変コンデンサ５３の位置を変更して、その静電容量Ｃｓを変化させることでインピーダンス調整部５のインピーダンス値を変化させ、このように[Ｉ−ｔｏｔａｌ]が最大となる容量可変コンデンサ５３の位置を決定する。 When the current [I-total] flowing through the upper electrode 41 is maximized, the high frequency flowing through the path of the lower electrode 31 → plasma → processing vessel 20 is minimized, so By changing the position and changing the capacitance Cs, the impedance value of the impedance adjustment unit 5 is changed, and thus the position of the variable capacitor 53 where [I-total] is maximized is determined.

続いて制御部６の構成について図４を参照しながら説明する。制御部６は例えばコンピュータにより構成されており、入力画面（不図示）を備えている。この入力画面は、ガス種、処理容器２０内の圧力、高周波電源３７の電力などの処理条件を任意に入力して設定できるように構成されると共にインピーダンス調整部５の容量可変コンデンサ５３のトリマの位置を決定するインピーダンス設定モードあるいは基板にプラズマエッチング処理を行う基板処理モードを選択できるように構成されている。６１はバスである。またバス６１にはプログラム格納部６２に格納された、後述の作用を実行するためのプログラム６３、上部電極４１に流れる電流［Ｉ−ｔｏｔａｌ］を演算するワークメモリ６４が接続されている。さらにバス６１には容量可変コンデンサ５３のトリマ位置とその静電容量［Ｃｓ］とを対応付けたテーブル６５、前記電流［Ｉ−ｔｏｔａｌ］と容量可変コンデンサ５３のトリマ位置との関係を取得したデータ６６及び処理条件と最適トリマ位置とを対応付けたテーブル６７を記憶するメモリが接続されているが、便宜上図４ではテーブル６５、データ６６及びテーブル６７を図示してある。 Next, the configuration of the control unit 6 will be described with reference to FIG. The control unit 6 is configured by a computer, for example, and includes an input screen (not shown). This input screen is configured so that the processing conditions such as the gas type, the pressure in the processing container 20 and the power of the high-frequency power source 37 can be arbitrarily input and set, and the trimmer of the capacitance variable capacitor 53 of the impedance adjustment unit 5 The impedance setting mode for determining the position or the substrate processing mode for performing the plasma etching process on the substrate can be selected. 61 is a bus. The bus 61 is connected to a program 63 stored in the program storage unit 62 for executing an operation described later and a work memory 64 for calculating a current [I-total] flowing through the upper electrode 41. Further, the bus 61 includes a table 65 in which the trimmer position of the variable capacitance capacitor 53 and its electrostatic capacitance [Cs] are associated with each other, and data obtained by acquiring the relationship between the current [I-total] and the trimmer position of the variable capacitance capacitor 53. 66 and a memory for storing a table 67 in which processing conditions are associated with optimum trimmer positions are connected. For convenience, FIG. 4 shows the table 65, the data 66, and the table 67.

プログラム６３は、後述の処理を実行し、［Ｉ−ｔｏｔａｌ］が最大値または最大値付近となる容量可変コンデンサ５３のトリマ位置を決定できるようにステップ群が組まれており、前記プログラム６３は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）などにより構成される記憶媒体から制御部６にインストールされ、プログラム格納部６２に格納される。 The program 63 executes processing described later, and a group of steps is set so that the trimmer position of the variable capacitance capacitor 53 at which [I-total] is at or near the maximum value can be determined. For example, it is installed in the control unit 6 from a storage medium such as a flexible disk, a compact disk, or an MO (magneto-optical disk) and stored in the program storage unit 62.

ワークメモリ６４においては各種の演算が行われ、前記[Ｃ０]及び[Ｌｓ]の値が予め記憶されており、これらの値と電圧測定部５７から出力される[ＶＣｓ]の値と、その[ＶＣｓ]が得られたときの容量可変コンデンサ５３のトリマ位置に対応する[Ｃｓ]の値とから[Ｉ−ｔｏｔａｌ]の値が演算される。 Various calculations are performed in the work memory 64, and the values of [C0] and [Ls] are stored in advance. These values and the value of [VCs] output from the voltage measuring unit 57 The value of [I-total] is calculated from the value of [Cs] corresponding to the trimmer position of the variable capacitance capacitor 53 when VCs] is obtained.

テーブル６５には、予め設定された容量可変コンデンサ５３のトリマの所定の各位置とその各位置における容量可変コンデンサ５３の静電容量[Ｃｓ]の値とが記憶されている。なおトリマ位置とは、詳しくは例えばモータ５８に連結されたエンコーダのパルス数である。データ６６は、容量可変コンデンサ５３の各トリマ位置と、容量可変コンデンサ５３の各トリマ位置において演算された[Ｉ−ｔｏｔａｌ]との関係を示すデータであり、後述するように容量可変コンデンサ５３の各トリマ位置において[Ｉ−ｔｏｔａｌ]が演算されると、その演算結果がトリマ位置に対応付けて記憶される。このデータは実質図４に示されるグラフとして捉えられる。またこのデータ６６、テーブル６５，６７は例えば前記入力画面に表示されるようになっている。テーブル６７は、設定された処理条件とその処理条件において演算された[Ｉ−ｔｏｔａｌ]が最大となる容量可変コンデンサ５３のトリマの最適位置とが書き込まれ、記憶されるようになっている。 The table 65 stores preset predetermined positions of the trimmer of the variable capacitance capacitor 53 and the value of the capacitance [Cs] of the variable capacitance capacitor 53 at each position. The trimmer position is specifically the number of pulses of the encoder connected to the motor 58, for example. Data 66 is data indicating the relationship between each trimmer position of the variable capacitance capacitor 53 and [I-total] calculated at each trimmer position of the variable capacitance capacitor 53. When [I-total] is calculated at the trimmer position, the calculation result is stored in association with the trimmer position. This data is taken as a graph substantially shown in FIG. The data 66 and tables 65 and 67 are displayed on the input screen, for example. In the table 67, the set processing conditions and the optimum position of the trimmer of the variable capacitance capacitor 53 that maximizes [I-total] calculated under the processing conditions are written and stored.

以下に容量可変コンデンサ５３のトリマの最適位置が求められる手順について図５に示すフローを参照しながら説明する。
（ステップＳ１）
オペレータが入力画面からガス種、処理容器２０内の圧力、高周波電源３７の電力などの処理条件を入力画面から入力すると、制御部６がテーブル６５から例えばその静電容量[Ｃｓ]が最小となる容量可変コンデンサ５３のトリマ位置を読み出し、モータ５８を介して容量可変コンデンサ５３の[Ｃｓ]が最小となる位置に調整される A procedure for obtaining the optimum position of the trimmer of the variable capacitance capacitor 53 will be described below with reference to the flow shown in FIG.
(Step S1)
When the operator inputs processing conditions such as the gas type, the pressure in the processing container 20 and the power of the high-frequency power source 37 from the input screen, the control unit 6 minimizes the electrostatic capacity [Cs] from the table 65, for example. The trimmer position of the variable capacitance capacitor 53 is read out and adjusted to a position where [Cs] of the variable capacitance capacitor 53 is minimized via the motor 58.

（ステップＳ２）
続いて設定したガスが上部電極４１から処理容器２０内に供給されると共に処理容器２０内が真空引きされ、設定した圧力になる。然る後、高周波電源３７がオンになり、設定した電力の高周波が下部電極３１に供給され、下部電極３１と上部電極４１との間にプラズマが形成され、高周波電流が既述のようにインピーダンス調整部５を介して処理容器２０へ流れる。 (Step S2)
Subsequently, the set gas is supplied from the upper electrode 41 into the processing container 20 and the inside of the processing container 20 is evacuated to a set pressure. Thereafter, the high frequency power source 37 is turned on, a high frequency of the set power is supplied to the lower electrode 31, plasma is formed between the lower electrode 31 and the upper electrode 41, and the high frequency current has an impedance as described above. It flows to the processing container 20 through the adjustment unit 5.

（ステップＳ３）
電圧測定部５７により容量可変コンデンサ５３を流れる電流の電圧[ＶＣｓ]が測定され、制御部６はその電圧測定値[ＶＣｓ]をワークメモリ６４に書き込むと共にテーブル６５から前記[Ｃｓ]の値を読み出し、これら[ＶＣｓ]及び[Ｃｓ]に基づいてインピーダンス調整部５に流れる電流の値[ＩＣｓ]を演算する。 (Step S3)
The voltage measurement unit 57 measures the voltage [VCs] of the current flowing through the variable capacitance capacitor 53, and the control unit 6 writes the voltage measurement value [VCs] in the work memory 64 and reads the value of [Cs] from the table 65. Based on these [VCs] and [Cs], the value [ICs] of the current flowing through the impedance adjusting unit 5 is calculated.

（ステップＳ４）
然る後、制御部６は演算された[ＩＣｓ]からインピーダンス調整部５が接続された上部電極４１の電位[ＶＣ０]の値を演算し、この[ＶＣ０]と予め入力されている絶縁体４２の絶縁容量[Ｃ０]の値とから、絶縁体４２に流れる電流[ＩＣ０]の値を演算する。 (Step S4)
After that, the control unit 6 calculates the value of the potential [VC0] of the upper electrode 41 to which the impedance adjustment unit 5 is connected from the calculated [ICs], and this [VC0] and the insulator 42 input in advance. The value of the current [IC0] flowing through the insulator 42 is calculated from the value of the insulation capacitance [C0].

（ステップＳ５）
さらに制御部６は[ＩＣｓ]＋[ＩＣ０]を演算して、[Ｉ−ｔｏｔａｌ]の値を算出し、その算出された[Ｉ−ｔｏｔａｌ]とトリマ位置とを対応付けて記憶する。この工程はデータ６６として示すグラフにプロットすることに相当する。 (Step S5)
Further, the control unit 6 calculates [ICs] + [IC0], calculates the value of [I-total], and stores the calculated [I-total] and the trimmer position in association with each other. This step corresponds to plotting on a graph shown as data 66.

（ステップＳ６）
プロット終了後、制御部６は、テーブル６５から今の［Ｃｓ］よりも１段大きい［Ｃｓ］の値、この段階では２番目に大きい[Ｃｓ]の値に対応するトリマ位置を読み出し、その位置に容量可変コンデンサ５３をセットする。以降はステップＳ３からステップＳ６が実施される。なお実際には経験などにより予め［Ｃｓ］の概ねの適正値が把握できるため、［Ｃｓ］の最小値よりは大きい［Ｃｓ］に相当するトリマ位置からスタートされるようにしても良い。 (Step S6)
After plotting, the control unit 6 reads the value of [Cs] that is one step larger than the current [Cs] from the table 65, and the trimmer position corresponding to the second largest [Cs] value at this step, The variable capacitance capacitor 53 is set in Thereafter, steps S3 to S6 are performed. In practice, since an approximate appropriate value of [Cs] can be grasped beforehand by experience or the like, it may be started from a trimmer position corresponding to [Cs] larger than the minimum value of [Cs].

（ステップＳ７）
上記ステップＳ３からステップＳ６が繰り返され、テーブル６５に設定された容量可変コンデンサ５３のトリマ位置について順次[Ｉ−ｔｏｔａｌ]が測定され、両者の関係データであるグラフが描かれる。そして新規に演算された[Ｉ−ｔｏｔａｌ]の値が一つ前のタイミングで演算された[Ｉ−ｔｏｔａｌ]の値よりも低くなると、トリマ位置の変更作業はその時点で中止され、その時点のトリマ位置を最適位置として、その最適位置と最初に入力された処理条件とがテーブル６７に記憶され、例えば入力画面にその旨が表示される。 (Step S7)
The above steps S3 to S6 are repeated, and [I-total] is sequentially measured for the trimmer position of the variable capacitance capacitor 53 set in the table 65, and a graph which is the relational data of both is drawn. When the newly calculated [I-total] value becomes lower than the [I-total] value calculated at the previous timing, the trimmer position changing operation is stopped at that time, With the trimmer position as the optimum position, the optimum position and the first input processing condition are stored in the table 67, and this is displayed, for example, on the input screen.

そしてオペレータが先に入力した処理条件とは異なる処理条件を入力画面に入力すると、同様に上記ステップＳ１〜Ｓ７が進行して、テーブル６７にはその処理条件とその処理条件に対応する容量可変コンデンサ５３の最適位置とがさらに記憶される。 Then, when a processing condition different from the processing condition previously input by the operator is input to the input screen, the above steps S1 to S7 proceed in the same manner, and the table 67 shows the processing condition and the variable capacitance capacitor corresponding to the processing condition. 53 optimum positions are further stored.

続いて基板１０にプラズマエッチング処理を行う手順について説明する。オペレータが入力画面から基板処理モードを選択し、処理条件を設定すると、制御部６はテーブル６７からその処理条件に対応する容量可変コンデンサ５３のトリマの最適位置を読み出し、容量可変コンデンサ５３をその最適位置にセットする。 Next, a procedure for performing a plasma etching process on the substrate 10 will be described. When the operator selects the substrate processing mode from the input screen and sets the processing conditions, the control unit 6 reads the optimum position of the trimmer of the variable capacitance capacitor 53 corresponding to the processing conditions from the table 67, and sets the optimal capacitance of the variable capacitance capacitor 53. Set to position.

続いて処理容器２０内に基板１０が搬入され、下部電極３１に載置され、設定した処理条件に対応するように処理容器内が所定の圧力に真空引きされると共に上部電極４１から処理容器２０内にガスが供給される。然る後高周波電源３７,３９がオンになり、設定された電力値で高周波電源３７から処理容器２０内に高周波が導入されて、下部電極３１と上部電極４１との間にプラズマが形成されると共に基板１０にバイアスが印加されて基板１０がエッチング処理される。例えばプラズマが形成されてから所定の時間経過後に高周波電源３７,３９がオフになると共に処理容器２０内へのガスの供給が停止して、エッチング処理が終了し、処理容器２０内が所定の圧力になる。 Subsequently, the substrate 10 is carried into the processing container 20 and placed on the lower electrode 31, and the processing container is evacuated to a predetermined pressure so as to correspond to the set processing conditions, and from the upper electrode 41 to the processing container 20. Gas is supplied into the interior. Thereafter, the high frequency power sources 37 and 39 are turned on, and a high frequency is introduced into the processing container 20 from the high frequency power source 37 with the set power value, and plasma is formed between the lower electrode 31 and the upper electrode 41. At the same time, a bias is applied to the substrate 10 to etch the substrate 10. For example, the high frequency power supplies 37 and 39 are turned off after a lapse of a predetermined time after the plasma is formed, the supply of gas into the processing container 20 is stopped, the etching process is finished, and the processing container 20 has a predetermined pressure. become.

このプラズマエッチング装置２によれば、上部電極４１と処理容器２０との間に設けられるインピーダンス調整部５に含まれる容量可変コンデンサ５３のトリマ位置を変えながら容量可変コンデンサ５３の電圧を、バンドパスフィルタ５６を介して測定し、その測定電圧に基づいて容量可変コンデンサ５３の適切なトリマ位置を設定しているので、自動でインピーダンス値の適正ポイントを取得できると共に、バイアス用の高周波に影響されずに、適切なインピーダンス調整を行うことができ、このインピーダンス調整に要する手間を抑え、良好なプラズマ処理を実現できる。 According to the plasma etching apparatus 2, the voltage of the variable capacitance capacitor 53 is changed to a band-pass filter while changing the trimmer position of the variable capacitance capacitor 53 included in the impedance adjustment unit 5 provided between the upper electrode 41 and the processing container 20. 56, and an appropriate trimmer position of the variable capacitance capacitor 53 is set based on the measured voltage. Therefore, an appropriate point of the impedance value can be automatically acquired, and it is not affected by the high frequency for bias. Appropriate impedance adjustment can be performed, and the time and effort required for this impedance adjustment can be suppressed, and a favorable plasma treatment can be realized.

また、前記インピーダンス調整部５を、容量可変コンデンサ５３とインダクタ５２とからなる直列回路により構成し、前記容量可変コンデンサ５３の電圧を測定することにより、インピーダンス調整部５と絶縁体４２との並列回路全体の電圧を測定する場合に比べて、並列共振や並列回路のインピーダンス値がゼロになることによる電圧の大きな変動が避けられるので、より適切なインピーダンス調整を行うことができる。 Further, the impedance adjustment unit 5 is configured by a series circuit including a variable capacitance capacitor 53 and an inductor 52, and the voltage of the variable capacitance capacitor 53 is measured, whereby a parallel circuit of the impedance adjustment unit 5 and the insulator 42 is obtained. Compared with the case where the entire voltage is measured, large fluctuations in voltage due to parallel resonance and the impedance value of the parallel circuit becoming zero can be avoided, so that more appropriate impedance adjustment can be performed.

上部電極４１に流れる電流［Ｉ−ｔｏｔａｌ］が最大値を越えて減少していく領域においては異常放電が起こりやすいが、上記の実施形態においては電流［Ｉ−ｔｏｔａｌ］が減少した時点で、その処理条件での静電容量の変更を停止しているので、異常放電による処理容器２０の内壁や内部部品の損傷を防止できる。 Abnormal discharge is likely to occur in a region where the current [I-total] flowing through the upper electrode 41 decreases beyond the maximum value, but in the above embodiment, when the current [I-total] decreases, Since the change of the capacitance under the processing conditions is stopped, damage to the inner wall and internal parts of the processing container 20 due to abnormal discharge can be prevented.

また制御部６のテーブル６７に処理条件と、その処理条件に対応する容量可変コンデンサのトリマ位置とが記憶され、基板のプラズマ処理時にはそのトリマ位置が自動で読み出され、当該位置に容量可変コンデンサ５３がセットされて処理が行われるため、オペレータの手間を省くことができる。 Further, the processing condition and the trimmer position of the variable capacitance capacitor corresponding to the processing condition are stored in the table 67 of the control unit 6, and the trimmer position is automatically read out during the plasma processing of the substrate, and the variable capacitance capacitor is read at the position. Since 53 is set and the process is performed, the labor of the operator can be saved.

図６は、インピーダンス調整部５の変形例であるインピーダンス調整部８を示したものであり、このインピーダンス調整部８においてはインダクタ５２と容量可変コンデンサ５３とが逆に設けられている。そして電圧測定部５７はインダクタ５２の電圧[ＶＣｃ]を測定し、上記演算において［ＶＣｓ］の代わりに［ＶＣｃ］を用いて［Ｉ−ｔｏｔａｌ］が演算されるようになっている。ここでインダクタ５２は特許請求の範囲でいう第２の素子部に相当するが、インダクタというパーツを設けない場合でも、インピーダンス調整部５を接続銅板を介して処理容器に取り付ける場合には、この接続銅板がインダクタをなす第２の素子部に相当することになる。 FIG. 6 shows an impedance adjustment unit 8 which is a modification of the impedance adjustment unit 5. In the impedance adjustment unit 8, an inductor 52 and a variable capacitance capacitor 53 are provided in reverse. The voltage measuring unit 57 measures the voltage [VCc] of the inductor 52, and [I-total] is calculated using [VCc] instead of [VCs] in the above calculation. Here, the inductor 52 corresponds to the second element portion in the claims, but this connection is required when the impedance adjustment portion 5 is attached to the processing container via the connection copper plate even when the part called the inductor is not provided. The copper plate corresponds to the second element portion forming the inductor.

またインピーダンス調整部５は複数設けられていてもよい。この場合、各インピーダンス調整部５の容量可変コンデンサ５３の静電容量［Ｃｓ］が同時に同じ値になるように動かしながら、そのうちの一つの可変容量コンデンサの電圧を先の実施形態と同様に測定し、同様にその測定値に基づいて最適なトリマ位置を求めるようにしてもよい。あるいは１個の容量可変コンデンサ５３の［Ｃｓ］だけを調整し、それ以外の［Ｃｓ］は固定しておき、当該１個の容量可変コンデンサ５３の電圧に基づいて、同様に最適なトリマ位置を設定するようにしてもよい。
また各高周波電源３７,３９とインピーダンス調整部５とは上下逆に設けられていてもよく、つまり処理容器２０と下部電極３１との間にインピーダンス調整部５が設けられ、上部電極４１に高周波電源３７,３９が接続されてもよい。 A plurality of impedance adjusting units 5 may be provided. In this case, while moving the capacitance [Cs] of the variable capacitance capacitors 53 of each impedance adjusting unit 5 to be the same value at the same time, the voltage of one of the variable capacitance capacitors is measured in the same manner as in the previous embodiment. Similarly, an optimum trimmer position may be obtained based on the measured value. Alternatively, only [Cs] of one capacitance variable capacitor 53 is adjusted, and other [Cs] are fixed, and the optimal trimmer position is similarly determined based on the voltage of the one capacitance variable capacitor 53. You may make it set.
The high frequency power sources 37 and 39 and the impedance adjustment unit 5 may be provided upside down, that is, the impedance adjustment unit 5 is provided between the processing vessel 20 and the lower electrode 31, and the upper electrode 41 is connected to the high frequency power source. 37 and 39 may be connected.

（評価試験１−１）
評価試験１−１として、先ず上述のプラズマエッチング装置２を用いて、[Ｉ−ｔｏｔａｌ]と容量可変コンデンサ５３のトリマ位置との関係を調べ、容量可変コンデンサ５３のトリマの最適位置を検出した。上部電極４１から処理容器２０内に供給する処理ガスとしてはＣｌ_２／ＳＦ_６を用いた。ただしこの評価試験１で用いたプラズマエッチング装置２にはバンドパスフィルタ５６を設けておらず、また高周波電源３９からのバイアス用の高周波を印加していない。なお図７（ａ）は予め測定した、容量可変コンデンサ５３のトリマ位置を変更したときの各位置におけるインピーダンス調整部５のインピーダンス値を示している。 (Evaluation Test 1-1)
As the evaluation test 1-1, first, using the plasma etching apparatus 2 described above, the relationship between [I-total] and the trimmer position of the variable capacitance capacitor 53 was examined, and the optimum position of the trimmer of the variable capacitance capacitor 53 was detected. As a processing gas supplied from the upper electrode 41 into the processing container 20, Cl ₂ / SF ₆ was used. However, the bandpass filter 56 is not provided in the plasma etching apparatus 2 used in this evaluation test 1, and a high frequency for bias from the high frequency power supply 39 is not applied. FIG. 7A shows the impedance value of the impedance adjusting unit 5 at each position when the trimmer position of the variable capacitor 53 is measured in advance.

（評価試験１−２）
また評価試験１−２として背景技術の欄で示したプラズマエッチング装置１及びプローブ１８ａ、オシロスコープ１８ｂ及びコンピュータ１８を用いた従来の方法で、[Ｉ−ｔｏｔａｌ]と容量可変コンデンサのトリマ位置との関係を調べると共に形成されたプラズマの状態を目視で確認した。各処理条件は評価試験１−１と同様に設定しており、この評価試験１−２でもバイアス用の高周波は印加していない。 (Evaluation Test 1-2)
Further, in the conventional method using the plasma etching apparatus 1 and the probe 18a, the oscilloscope 18b and the computer 18 shown in the background section as the evaluation test 1-2, the relationship between [I-total] and the trimmer position of the variable capacitance capacitor And the state of the formed plasma was visually confirmed. Each processing condition is set in the same manner as in the evaluation test 1-1, and no high frequency for bias is applied in this evaluation test 1-2.

図７（ｂ）のグラフは評価試験１−１の結果を、図７（ｃ）のグラフは評価試験１−２の結果を夫々示しており、また下記の表１は評価試験１−２において容量可変コンデンサの各位置と目視により確認されたプラズマの状態との関係を示している。図７（ｂ）のグラフからプラズマエッチング装置２において容量可変コンデンサ５３のトリマ位置が７０％付近のときに最も[Ｉ−ｔｏｔａｌ]が高くなったことが分かる。また図７（ｃ）のグラフから、従来の方法においてもトリマ位置が７０％付近のときに最も[Ｉ−ｔｏｔａｌ]が高くなっていることが分かり、そして表１に示したようにプラズマの状態は７０％のときに最も良好であった。このことからプラズマエッチング装置２において、容量可変コンデンサ５３のトリマの最適位置は適切に検出されていることが確認され、本発明によってインピーダンス調整部５のインピーダンス値を最適に設定できることが裏付けられた。 The graph of FIG. 7B shows the result of the evaluation test 1-1, the graph of FIG. 7C shows the result of the evaluation test 1-2, and Table 1 below shows the result of the evaluation test 1-2. The relationship between each position of a capacity variable capacitor and the state of the plasma confirmed visually is shown. From the graph of FIG. 7B, it can be seen that in the plasma etching apparatus 2, [I-total] was the highest when the trimmer position of the variable capacitance capacitor 53 was around 70%. Also, from the graph of FIG. 7 (c), it can be seen that even in the conventional method, the [I-total] is highest when the trimmer position is around 70%. Was the best at 70%. From this, it was confirmed that the optimum position of the trimmer of the variable capacitance capacitor 53 was properly detected in the plasma etching apparatus 2, and it was proved that the impedance value of the impedance adjusting unit 5 can be set optimally by the present invention.

（評価試験２−１）
続いて処理容器２０内に供給するガスをＣｌ_２／ＳＦ_６からＯ_２ガスに変更した他は評価試験１−１と同様にプラズマエッチング装置２を用いて容量可変コンデンサ５３の各トリマ位置における［Ｉ−ｔｏｔａｌ］を測定した。なお各位置におけるインピーダンス調整部５のインピーダンス値は評価試験１−１と同様である。 (Evaluation Test 2-1)
Subsequently the gas supplied into the processing vessel 20 at each trimmer position of Cl 2 _/ the exception that the O ₂ gas from SF ₆ by using the plasma etching apparatus 2 similarly to the evaluation test 1-1 capacitance variable capacitor 53 [ I-total] was measured. In addition, the impedance value of the impedance adjustment part 5 in each position is the same as that of the evaluation test 1-1.

（評価試験２−２）
また評価試験２−２として評価試験１−２と同様に従来の方法で、[Ｉ−ｔｏｔａｌ]と容量可変コンデンサのトリマ位置との関係を調べると共に形成されたプラズマの状態を目視で確認した。各処理条件は評価試験２−１と同様に設定した。 (Evaluation Test 2-2)
Further, as the evaluation test 2-2, the relationship between [I-total] and the trimmer position of the variable capacitance capacitor was examined by the conventional method as in the evaluation test 1-2, and the state of the formed plasma was visually confirmed. Each processing condition was set similarly to the evaluation test 2-1.

図８（ａ）のグラフは評価試験２−１の結果を、図８（ｂ）のグラフは評価試験２−２の結果を夫々示しており、また下記の表２は評価試験２−２において容量可変コンデンサ５３の各位置と目視により確認されたプラズマの状態との関係を示している。図８（ａ）のグラフからトリマ位置が０％及び９０％であるときにピークが観察された。また図８（ｂ）のグラフから、従来の方法においてはトリマ位置が９０％付近のときに最も[Ｉ−ｔｏｔａｌ]が高くなっていることが分かり、そして表２に示したようにプラズマの状態は９０％のときに最も良好であった。図８（ａ）のグラフにてトリマ位置が０％においてもピークが観察されたのは、プラズマ形成用の高周波の１３．５６ＭＨｚの成分のみならず、その高調波である２７．１２ＭＨｚの周波数成分の電圧も測定されたからである。従ってこの実験から、上述の実施形態で説明したようにバンドパスフィルタを設けて、高調波等の影響を除くことが[Ｉ−ｔｏｔａｌ]のピークの誤検出を防ぐ上で有効であることが分かる。 The graph of FIG. 8A shows the result of the evaluation test 2-1, the graph of FIG. 8B shows the result of the evaluation test 2-2, and Table 2 below shows the result of the evaluation test 2-2. The relationship between each position of the variable capacitance capacitor 53 and the state of the plasma visually confirmed is shown. From the graph of FIG. 8A, peaks were observed when the trimmer positions were 0% and 90%. Also, from the graph of FIG. 8B, it can be seen that in the conventional method, the [I-total] is the highest when the trimmer position is near 90%, and as shown in Table 2, the plasma state Was the best at 90%. In the graph of FIG. 8A, the peak was observed even when the trimmer position was 0%, not only the high frequency 13.56 MHz component for plasma formation, but also the 27.12 MHz frequency component that is a harmonic thereof. This is because the voltage was also measured. Therefore, it can be seen from this experiment that it is effective to prevent the erroneous detection of the peak of [I-total] by providing the band-pass filter as described in the above embodiment and removing the influence of the harmonics and the like. .

（評価試験３）
評価試験３としてプラズマエッチング装置２を用いて、評価試験１−１と同様の手順で、容量可変コンデンサのトリマ位置を変化させたときの［Ｉ−ｔｏｔａｌ］を算出した。この評価試験３ではバイアス用の高周波を印加しているが、評価試験１−１と同様にバンドパスフィルタ５６は設けていない。ガスはＣｌ_２／ＳＦ_６ガスを使用しており、各トリマ位置におけるインピーダンス調整部５のインピーダンス値は評価試験１−１と同様である。また上述の従来の測定方法によっても各トリマ位置の［Ｉ−ｔｏｔａｌ］を測定すると共に目視によるプラズマの状態を確認した。この従来の測定方法においてもバイアス用の高周波を印加した。 (Evaluation Test 3)
Using the plasma etching apparatus 2 as the evaluation test 3, [I-total] when the trimmer position of the variable capacitance capacitor was changed in the same procedure as the evaluation test 1-1. In this evaluation test 3, a high frequency for bias is applied, but the band pass filter 56 is not provided as in the evaluation test 1-1. The gas uses Cl ₂ / SF ₆ gas, and the impedance value of the impedance adjusting unit 5 at each trimmer position is the same as in the evaluation test 1-1. Further, the [I-total] at each trimmer position was also measured by the above-described conventional measuring method, and the state of the plasma was visually confirmed. Also in this conventional measurement method, a high frequency for bias was applied.

図９のグラフは評価試験３の結果を示したものであり、このグラフに示されるように［Ｉ−ｔｏｔａｌ］のピークは複数出現している。従来の測定方法による［Ｉ−ｔｏｔａｌ］のピークはトリマ位置が７０％のときに示され、この位置のときに目視によるプラズマの状態も最良であった。従って高周波を重畳すると［Ｉ−ｔｏｔａｌ］のピークを誤検出してしまうことが分かる。 The graph of FIG. 9 shows the result of the evaluation test 3. As shown in this graph, a plurality of [I-total] peaks appear. The peak of [I-total] according to the conventional measuring method is shown when the trimmer position is 70%, and the state of the plasma by visual observation is the best at this position. Therefore, it can be seen that if the high frequency is superimposed, the peak of [I-total] is erroneously detected.

（評価試験４）
評価試験４としてプラズマエッチング装置２において、容量可変コンデンサのトリマ位置を変化させたときの各周波数成分の電圧を調べた。この評価試験４においてもバイアス用の高周波を下部電極３１に印加したが、エッチング装置２にはバンドパスフィルタ７３を設けていない。図１０（ａ）〜（ｃ）はこのときの結果を示したグラフである。このグラフによれば下部電極３１に印加する高周波を重畳すると、可変容量コンデンサ５３のトリマ位置によってはプラズマ形成用の高周波の１３．５６ＭＨｚの成分のみならず、１３．５６＋３．２＝１６．７６ＭＨｚや１３．５６ＭＨｚ＋２×３．２＝１９．９６ＭＨｚ成分の電圧が大きくなる。そして電圧測定部の出力値が不安定となり、正確な［Ｉ−ｔｏｔａｌ］が演算できず、この［Ｉ−ｔｏｔａｌ］が最大または最大付近となるトリマ位置を検出できないおそれがある。評価試験３及び評価試験４の結果から上述の実施形態で示したようにバンドパスフィルタを設けることが有効であることが分かる。 (Evaluation Test 4)
As the evaluation test 4, in the plasma etching apparatus 2, the voltage of each frequency component when the trimmer position of the capacitance variable capacitor was changed was examined. In this evaluation test 4 as well, a high frequency for bias was applied to the lower electrode 31, but the bandpass filter 73 was not provided in the etching apparatus 2. 10A to 10C are graphs showing the results at this time. According to this graph, when the high frequency applied to the lower electrode 31 is superimposed, depending on the trimmer position of the variable capacitor 53, not only the 13.56 MHz component of the plasma forming high frequency but also 13.56 + 3.2 = 16.76 MHz 13.56 MHz + 2 × 3.2 = 19.96 MHz component voltage increases. Then, the output value of the voltage measuring unit becomes unstable, and accurate [I-total] cannot be calculated, and there is a possibility that the trimmer position at which this [I-total] is maximum or near the maximum cannot be detected. From the results of Evaluation Test 3 and Evaluation Test 4, it can be seen that it is effective to provide a bandpass filter as shown in the above-described embodiment.

本発明の実施形態であるプラズマエッチング装置の縦断側面図である。It is a vertical side view of the plasma etching apparatus which is embodiment of this invention. 前記エッチング装置に設けられたバンドパスフィルタの帯域特性を示したグラフである。It is the graph which showed the zone | band characteristic of the band pass filter provided in the said etching apparatus. 前記プラズマエッチング装置において放電が行われた状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state by which discharge was performed in the said plasma etching apparatus. プラズマエッチング装置に設けられた制御部を示す構成図である。It is a block diagram which shows the control part provided in the plasma etching apparatus. 前記プラズマエッチング装置において、容量可変コンデンサのトリマの最適位置を決定する工程を示したフローチャートである。5 is a flowchart showing a process of determining an optimum position of a trimmer of a variable capacitance capacitor in the plasma etching apparatus. プラズマエッチング装置に設けられた他のインピーダンス調整部を示した構成図である。It is the block diagram which showed the other impedance adjustment part provided in the plasma etching apparatus. 評価試験の結果を示すグラフである。It is a graph which shows the result of an evaluation test. 評価試験の結果を示すグラフである。It is a graph which shows the result of an evaluation test. 評価試験の結果を示すグラフである。It is a graph which shows the result of an evaluation test. 評価試験の結果を示すグラフである。It is a graph which shows the result of an evaluation test. 従来のプラズマエッチング装置の等価回路を示した図である。It is the figure which showed the equivalent circuit of the conventional plasma etching apparatus. 従来のプラズマエッチング装置の構成を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows the structure of the conventional plasma etching apparatus. 前記プラズマエッチング装置を用いてインピーダンスを設定する様子を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed a mode that the impedance was set using the said plasma etching apparatus.

Explanation of symbols

２プラズマエッチング装置
２０処理容器
３１下部電極
３５，３８整合回路
３７，３９高周波電源
４１上部電極
５インピーダンス調整部
５３容量可変コンデンサ
５６バンドパスフィルタ
５７電圧測定部
６制御部
６３プログラム 2 Plasma Etching Device 20 Processing Vessel 31 Lower Electrodes 35, 38 Matching Circuits 37, 39 High Frequency Power Supply 41 Upper Electrode 5 Impedance Adjustment Unit 53 Capacitance Variable Capacitor 56 Band Pass Filter 57 Voltage Measurement Unit 6 Control Unit 63 Program

Claims

A cathode electrode that is insulated from the process vessel and connected to a high-frequency power source that outputs a high frequency for plasma generation via a matching circuit, and is provided opposite to the cathode electrode, And an anode electrode insulated through an insulator, and a substrate is placed on one of the cathode electrode and the anode electrode, and a processing gas is turned into plasma by high-frequency power and the substrate is formed by the plasma. In a parallel plate type plasma processing apparatus in which plasma processing is performed,
A high frequency power supply for bias that applies a high frequency for bias lower than the frequency of the high frequency for plasma generation to the electrode on the side on which the substrate is placed at the time of plasma generation;
One end side is connected to the anode electrode and the other end side is connected to the processing vessel, and the impedance value from the cathode electrode to the grounding housing of the matching circuit through the plasma, the anode electrode and the wall of the processing vessel An impedance adjustment unit for controlling
A voltage measuring unit for measuring the voltage of the impedance adjusting unit;
When the high frequency frequency for plasma generation is f1 and the high frequency frequency for bias is f2 in the voltage of the impedance adjustment unit between the impedance adjustment unit and the voltage measurement unit, f1 is a pass band, and f1 A band-pass filter having −f2 and f1 + f2 as attenuation bands;
Taking in the voltage value measured by the voltage measuring unit while changing the impedance value of the impedance adjusting unit at the time of plasma generation, the value of the current flowing into the anode electrode is calculated based on this voltage value, the value of this current And a control unit that sets an impedance value of the impedance adjusting unit so that the value becomes a maximum value or a vicinity thereof.

The impedance adjustment unit includes a variable capacitance capacitor,
A driving mechanism for driving a trimmer mechanism for adjusting the capacitance of the variable capacitance capacitor is provided, and the control unit sets a capacitance value of the variable capacitance capacitor via the driving mechanism, and sets an impedance value of the impedance adjusting unit. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plasma processing apparatus is set.

The control unit processes the voltage value measured by the voltage measurement unit, the capacitance value of the capacitance variable capacitor, the impedance value of an element constituting the impedance adjustment unit other than the capacitance variable capacitor, and the anode electrode The plasma processing apparatus according to claim 2, wherein a value of a current flowing into the anode electrode is calculated based on an insulation capacity value of an insulator insulated from the container.

The control unit controls the driving mechanism so that the capacitance value of the capacitance variable capacitor sequentially increases, and stops the driving mechanism when a current value flowing into the anode electrode starts to decrease. The plasma processing apparatus according to claim 2, wherein a capacitance value of the variable capacitance capacitor is set.

The impedance adjusting unit includes a series circuit of a first element unit including the variable capacitance capacitor and a second element unit including a capacitor or an inductor, and the voltage measuring unit includes both ends of the first element unit. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the voltage or the voltage across the second element portion is measured.

A plurality of the impedance adjustment units are provided in the surface direction of the anode electrode,
The control unit may set a capacitance value for a variable capacitance capacitor of one impedance adjustment unit, or may simultaneously set a capacitance value for a capacitance variable capacitor of two or more impedance adjustment units. The plasma processing apparatus as described in any one of thru | or 5.

A storage unit is provided for storing processing conditions when performing plasma processing and a trimmer position of a variable capacitance capacitor determined under the processing conditions, and the control unit performs processing conditions when performing plasma processing on a substrate. 6. The plasma processing apparatus according to claim 2, wherein the driving mechanism is controlled by reading a trimmer position corresponding to 1 from the storage unit.

A cathode electrode that is insulated from the processing container in the processing container and connected to a high-frequency power source that outputs a high frequency for plasma generation via a matching circuit;
An anode electrode provided facing the cathode electrode and insulated from the processing vessel via an insulator;
One end side is connected to the anode electrode and the other end side is connected to the processing vessel, and the impedance value from the cathode electrode to the grounding housing of the matching circuit through the plasma, the anode electrode and the wall of the processing vessel An impedance adjustment unit for controlling
A plasma processing apparatus for converting a processing gas into a plasma with a high-frequency power in a processing container and performing processing on a substrate placed on one of a cathode electrode and an anode electrode by the plasma. Applying a high frequency for plasma generation between the cathode electrode and the anode electrode in the method to generate plasma;
In this step, a step of applying a high frequency for bias lower than the frequency of the high frequency for plasma generation to the electrode on which the substrate is placed;
A band-pass filter interposed between the impedance adjustment unit and a voltage measurement unit for measuring the voltage of the impedance adjustment unit, where f1 is a high-frequency frequency for plasma generation and f2 is a high-frequency frequency for bias. The step of passing the voltage f1 out of the voltage of the impedance adjusting unit and suppressing the voltage of the frequency component of f1−f2 or less and the voltage of the frequency component of f1 + f2 or more,
Capturing the voltage value measured by the voltage measurement unit while changing the impedance value of the impedance adjustment unit by the control unit when plasma is generated;
A step of calculating a value of a current flowing into the anode electrode based on the voltage value captured in this step;
Setting the impedance value of the impedance adjusting unit so that the value of the current calculated in this step is at or near the maximum value.

The impedance adjustment unit includes a variable capacitance capacitor whose capacitance is adjusted through a drive mechanism,
Controlling the drive mechanism so that the capacitance value of the capacitance variable capacitor sequentially increases,
9. The plasma processing method according to claim 8, wherein the capacitance value of the variable capacitance capacitor is set by stopping the driving mechanism when a current value flowing into the anode electrode starts to decrease.

The step of calculating the value of the current flowing into the anode electrode includes the voltage value measured by the voltage measuring unit, the capacitance value of the capacitance variable capacitor, and the elements constituting the impedance adjustment unit other than the capacitance variable capacitor. The plasma processing method according to claim 9, wherein the plasma processing method is performed based on an impedance value and an insulation capacitance value of an insulator that insulates the anode electrode from a processing vessel.

A storage medium that stores a computer program that is used in a plasma processing apparatus that performs plasma processing on a substrate and operates on a computer,
A storage medium characterized in that the computer program includes a group of steps so as to implement the plasma processing method according to any one of claims 8 to 10.