JP4866460B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
また、2交点セルアレーにおいても、相補のビット線とワード線間の寄生の2つの容量の差が大きくなってノイズを相殺できなくなると、同様のアレーノイズ増加の問題がある。
リアルに入力されるビットを、マルチプレクサMUXにより並列化して一旦レジスタREに書き込むと同時に、シリアルデータをバーストカウンタBCで数える。このときに、“1”の数が25%以下または75%以上の場合にはフラグFLGをたて、符号化回路ENで半数のデータを反転する。このようにすると、1本のワード線WL上の1データの数は必ず25%〜75%の範囲に押さえられ、100%が“1”の場合や、100%が“0”の場合に比較すると、アレーノイズは50%に低減できる。なお、図10において、MCはメモリセル、SAはセンスアンプ、BLはビット線、DECはデコーダ、SELは選択信号である。
図1(a)に本発明に係る半導体記憶装置(以下、半導体メモリと称する)である低ノイズ符号化DRAMの構成を、図2に動作波形を示す。本実施の形態における低ノイズ符号化DRAMチップ10では、データを読み出し(リード)または書き込み(ライト)する際には、まずアクティベートコマンドACTを発行して、メモリセルアレーMCA内においてメモリセルMC内のデータを、センスアンプ列SAB0,SAB1内のセンスアンプSAに読み出して保持する。
最後にプリチャージコマンドPREを発行して、ワード線をリセットし、ビット線のプリチャージを行う。
2個以上のブロックに分けた場合でも本符号化の方法は同様に適用でき、複数のブロックをその中のビット数がほぼ等しくなるように2個のグループに分け、一方のグループに属するブロックにおいては“0”データのビット数が過半数に、もう一方のグループに属するブロックにおいては“1”データのビット数が過半数になるよう符号化する。図1(a)においてENCNTLは符号化制御回路であり、これについては後述する。
すなわち、BN=“0”のとき、RE中の“0”の数 が“1”の数より多い場合は、FRE=“0”で、EN=“F”(非反転)である。
すなわち、BN=“0”のとき、RE中の“0”の数 が“1”の数より少ない場合は、FRE=“1”で、EN=“R”(反転)である。
データをプリフェッチする場合には、先にメモリセルアレーMCA内のフラグ用メモリセルMCFからフラグ用レジスタFREへ、ブロック番号ドライバBNDからブロック番号レジスタBNへ、それぞれフラグの状態とブロック番号を読み込み、その結果により、符号化回路ENの状態を決めた後、メモリセルアレーMCAからデータをデータ用レジスタREに読み込む。
用レジスタFREからクロックドインバータCIV1,CIV3と、列選択スイッチ用NMOSトランジスタを除いた構成である。なお、フラグ用レジスタFRE内のNMOSトランジスタMN6はゲートに入力されるフラグ用列選択線YSFにより、図5に示すFREW端子に接続される。
図7は、本発明をレジスタ内蔵型DRAMへ適用した場合の実施の形態の一例を示す構成図である。はじめに本実施の形態のDRAMの動作を説明する。アドレスバッファADDBUFにアドレス信号ADDが入力される。コマンドデコーダーCOMDECにはチップ選択信号/CS、行アドレスストローブ信号/RAS、列アドレスストローブ信号/CAS、ライトイネーブル信号/WEが入力される。クロック発生回路CLKGENにはクロックCLKおよびクロックイネーブル信号CKEが入力される。コマンドデコーダーCOMDECでは入力された制御信号をデコードし、リード、ライト、プリチャージ等の動作モードを決定する。制御ロジックLOGICでは動作モードに必要なチップ内部の制御信号を発生し、モードレジスタMDREGで現在の動作モードが保持される。
図8は、本発明をマルチチップモジュールMCPへ適用した実施の形態の一例を示す。マルチチップモジュールMCP上にはDRAMチップ80、フラッシュ(FLASH)メモリチップ81、ロジック(LOGIC)チップ82など、単一チップ上へ集積することが難しいチップをシリコン基板83上に複数搭載し、これらのチップ間をシリコンプロセスを用いて配線する。このため、通常のプリント基板への実装よりも配線数を格段に増加させることができる。また、実装サイズを低減できる。
また、SRAMやFLASHメモリをマルチチップモジュールMCP内に設け、プログラムをFLASHメモリに格納し、データ保持をSRAMで行い、DRAMを画像キャッシュやアプリケーションのワークメモリとして用いることにより、大容量で待機時消費電力の小さいメモリシステムが構成できる。これは携帯電話をはじめとする携帯機器において、動作可能時間を長くすることにつながる。
Claims (7)
- 第1ワード線と、前記第1ワード線と交差する複数の第1ビット線と、前記第1ワード線と前記複数の第1ビット線の交点に設けられた複数の第1メモリセルと、を有する第1メモリアレイと、
前記複数の第1ビット線に接続された符号化回路と、
前記符号化回路に接続された複数のデータレジスタと、を具備し、
第1コマンドが入力された際に、前記符号化回路は、前記複数の第1メモリセルに保持された符号化されているデータを復号化するとともに前記複数のデータレジスタに前記復号化したデータを出力し、
前記第1コマンドの後に入力された第2コマンドに従い、前記複数のデータレジスタに格納された前記復号化されたデータを出力することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記複数の第1ビット線と前記符号化回路の間に接続された複数の第1センスアンプをさらに具備し、
前記第1コマンドより前に入力された第3コマンドに従い、前記第1ワード線が活性化されるとともに、前記複数の第1センスアンプは、前記複数の第1メモリセルから読み出されたデータを保持し、
前記第1コマンドが入力された際に、前記複数の第1センスアンプに保持されたデータが前記符号化回路に転送されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2において、
第2ワード線と、前記第2ワード線と交差する複数の第2ビット線と、前記第2ワード線と前記複数の第2ビット線の交点に設けられた複数の第2メモリセルと、を有する第2メモリアレイと、
前記複数の第2ビット線に接続される複数の第2センスアンプと、
前記複数の第1及び第2センスアンプに接続された複数のメインI/O線と、をさらに具備し、
前記第1コマンドが入力された際に、前記複数の第1センスアンプ、又は、前記複数の第2センスアンプのいずれか一方が選択されるとともに前記複数のメインI/O線に保持しているデータを出力することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
第4コマンドが入力された際に、前記複数のデータレジスタは、外部からデータが入力され、
前記第4コマンドの後に入力された第5コマンドに従い、前記符号化回路は、前記複数のデータレジスタに保持されたデータを符号化することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第2コマンドが入力された際に、前記符号化回路は動作しないことを特徴とする半導体装置。 - 第1ワード線と、前記第1ワード線と交差する複数の第1ビット線と、前記第1ワード線と前記複数の第1ビット線の交点に設けられた複数の第1メモリセルと、を有する第1メモリアレイと、
前記複数の第1ビット線に接続された符号化回路と、
前記符号化回路に接続された複数のデータレジスタと、を具備し、
第1コマンドが入力された際に、前記複数のデータレジスタは、外部から入力されたデータを保持し、
前記第1コマンドの後に入力される第2コマンドに従って、前記符号化回路は、前記複数のデータレジスタに格納されたデータを符号化することを特徴とする半導体装置。 - 請求項6において、
前記複数の第1ビット線と前記符号化回路の間に接続された複数の第1センスアンプをさらに具備し、
前記第2コマンドが入力された際に、前記複数のデータレジスタは、保持しているデータを出力するとともに、前記符号化回路により符号化されたデータが前記複数の第1センスアンプに転送されることを特徴とする半導体装置。
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