JP4856730B2

JP4856730B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Info

Publication number: JP4856730B2
Application number: JP2009030661A
Authority: JP
Inventors: リプマ，アルベルト，ピーター; エンペル，ジャーコ，アドリアーン，ルドルフヴァン
Original assignee: エーエスエムエルネザーランズビー．ブイ．
Priority date: 2008-02-20
Filing date: 2009-02-13
Publication date: 2012-01-18
Anticipated expiration: 2029-02-13
Also published as: US8228487B2; JP2009200486A; NL1036460A1; US20090207392A1

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置およびデバイスを製造するための方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。

[0003] リソグラフィは、ＩＣならびに他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型ＩＣあるいは他のデバイスおよび／または構造を製造できるようにするための最も重要な要因になりつつある。

[0004] パターンプリンティングの限界の理論的な推測は、式（１）で示される解像度についてのレイリー基準によって与えられ得る：

上の式で、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡ_ＰＳは、パターンの印刷に使用される投影システムの開口数である。ｋ_１は、レイリー定数とも呼ばれているプロセス依存調整係数であり、ＣＤは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、３つの方法：露光波長λを短くすることによって、開口数ＮＡ_ＰＳを大きくすることによって、あるいはｋ_１の値を小さくすることによって達成することができる、と言える。

[0005] 露光波長を縮小するため、したがって、最小印刷可能サイズを縮小させるためには、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射源は、約１３ｎｍの放射波長を出力するように構成されている。したがって、ＥＵＶ放射源は、小さなフィーチャの印刷を達成するための重大なステップを構成し得る。そのような放射は、極限紫外線または軟Ｘ線と呼ばれ、可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が挙げられる。

[0006] 公知のリソグラフィ装置では、基板は、リソグラフィプロセス中、基板ホルダに保持され得る。基板ホルダの平均温度は、使用中、変化し得る。例えば、ある一定の期間、基板ホルダの平均温度は、露光シーケンス中に入射する露光放射による加熱によって、および／または近くのアクチュエータまたはモータによる加熱によって、上昇し得る。これは、基板と基板ホルダとの間の温度オフセットへと繋がることがあり、温度オフセットは、基板ディストーションおよび／またはオーバーレイエラーという結果になり得る。

[0007] 公知のリソグラフィ装置では、パターニング構造（レチクル）を、リソグラフィプロセス中、各々のパターニング構造ホルダによって保持することができる。パターニング構造ホルダへ移動された直後、公知の装置および方法では、入射する露光放射で照射されることによって、パターニング構造温度は上昇する（例えば、室温から室温より数度上の温度）。この結果生じるパターニング構造とパターニング構造ホルダとの間温度オフセットは、パターニング構造のディストーション、パターニング構造におけるひずみ、およびオーバーレイエラーという結果になり得る。

[0008] 欧州特許出願第１７７０４４５Ａ１号は、パターニング構造から基板上へとパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置であって、基板を保持するように構成された基板ホルダと、基板ホルダの温度と実質的に一致させるための基板ホルダへの基板の移動の前、移動中、または両方において、基板の温度を調節するように構成された基板温度コンディショナとを含むリソグラフィ装置を提案している。公知の装置では、基板温度調節システムは、基板サポートを含むことがあり、基板サポートは、基板ハンドラ上で支持された基板の温度を所望の温度に持ってくるようにサポートを熱制御できる基板ハンドラに配置されている。

[0009] リソグラフィ装置を改良することが望ましい。特に、オブジェクト、例えば基板またはパターニング構造の正確で均一な熱調節を提供することが望ましい。

[0010] 一実施形態によると、パターニング構造ホルダに保持されたパターニング構造から基板ホルダに保持された基板上へとパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置が提供される。装置は、オブジェクトを保持するように構成された第１のオブジェクトホルダと、第１のオブジェクトホルダへのオブジェクトの移動の前および／または移動中にオブジェクトの温度を調節するように構成されたオブジェクト温度コンディショナであって、流体ダクトシステムおよび電気温度コンディショナを有する第２のオブジェクトホルダを含む、オブジェクト温度コンディショナとを備える。

[0011] 一実施形態によると、リソグラフィデバイス製造方法であって、オブジェクトの温度は、第１のオブジェクトホルダへのオブジェクトの移動の前および／または移動中に第２のオブジェクトホルダを利用して調節され、第２のオブジェクトホルダは、流体ダクトシステムおよび電気温度コンディショナを有する、方法が提供される。方法は、第２のオブジェクトホルダを用いてオブジェクトを保持することと、熱調節された流体を流体ダクトシステムを介して供給することによって、および電気温度コンディショナを動作させることによって、第２のホルダに保持されたオブジェクトの温度を調節することとを含む。

[0012] 一実施形態によると、第１のオブジェクトホルダを用いてオブジェクトを保持することと、オブジェクトが第１のオブジェクトホルダに保持されている間、オブジェクトの温度を調節することとを含むリソグラフィデバイス製造方法が提供される。調節することは、熱調節された流体を第１のオブジェクトホルダの流体ダクトシステムを介して供給することと、電気温度コンディショナを動作させることとを含む。方法は、オブジェクトを第２のオブジェクトホルダに移動させることと、パターン形成された放射ビームをオブジェクト上に投影することとをさらに含む。

[0013] 一実施形態によると、第１のオブジェクトホルダを用いてオブジェクトを保持することと、オブジェクトが第１のオブジェクトホルダに保持されている間、オブジェクトの温度を調節することとを含むリソグラフィデバイス製造方法が提供される。調節することは、熱調節された流体を第１のオブジェクトホルダの流体ダクトシステムを介して供給することと、電気温度コンディショナを動作させることとを含む。方法は、オブジェクトを第２のオブジェクトホルダに移動させることと、オブジェクトを用いて放射ビームをパターニングすることと、パターン形成された放射ビームを基板上に投影することとをさらに含む。

[0014] 本発明の実施形態は、一例としてのみ、対応の参照符号が対応部分を示す付属の概略図を参照して説明される。

[0015] リソグラフィ装置の一実施形態を示す。 [0016] 図１の装置の一部の一例を示す。 [0017] オブジェクトホルダの一実施形態の断面を概略的に示す。 [0018] オブジェクトホルダの一実施形態を概略的に示す。 [0019] オブジェクトホルダの一実施形態を概略的に示す。 [0020] オブジェクトホルダの一実施形態の上面図を概略的に示す。 [0021] オブジェクトホルダの一実施形態を概略的に示す。 [0022] オブジェクトホルダの一実施形態を概略的に示す。 [0023] オブジェクトホルダの一実施形態を概略的に示す。

[0024] 図１は、リソグラフィ装置の一例を概略的に示している。装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニング構造またはデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを保持する（特に、支持する）ように構成され、かつ好ましくはパターニング構造を正確に位置付けるように構成された第１のポジショナＰＭに連結されている第１のパターニングホルダＭＴ（例えば、マスクテーブル）と、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ好ましくは基板を正確に位置付けるように構成された第２のポジショナＰＷに連結されている第１の基板ホルダＷＴ（例えば、基板テーブルまたはウェーハテーブル）と、第１のパターニング構造ホルダＭＴに保持されているパターニング構造ＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを第１の基板ホルダＷＴに保持されている基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。

[0025] さらに、装置は、基板を取り扱うように、例えば、基板が第１の基板ホルダに移動される前に１つ以上の基板を一時的に格納するように構成された基板ハンドラ２を含んでもよい。基板ハンドラ２は、例えばプリ・アライメントのために構成されてもよい。例えば、基板交換のために第１の基板ホルダＷＴまたは第１の基板ホルダＷＴの一部は、基板ハンドラ２に向かっておよびそこから移動可能であってもよい。基板ハンドラ２は、本装置の他の部分に対して、別個の構成部品であってもよく、またはモジュール構成部品であってもよい。例えば、基板ハンドラ２は、１つ以上のロードロック(load-locks)（図示せず）が設けられてもよく、または１つ以上のロードロックと接続してもよい。さらに、本装置は、１つ以上のそのような基板ハンドラが設けられてもよい。

[0026] 装置は、パターニング構造を取り扱うように、例えば、それらが第１のパターニング構造ホルダＭＴに移動される前に１つ以上のパターニング構造ＭＡを一時的に格納するように構成されたパターニング構造ハンドラ１０２を含んでもよい。パターニング構造ハンドラ１０２は、本装置の他の部分に対して、別個の構成部品であってもよく、またはモジュール構成部品であってもよい。例えば、パターニング構造ホルダ１０２は、１つ以上のロードロック(load-locks)（図示せず）が設けられてもよく、または１つ以上のロードロックと接続してもよい。さらに、本装置は、１つ以上のそのようなパターニング構造ハンドラ１０２が設けられてもよい。

[0027] 基板ハンドラ２およびパターニング構造ハンドラ１０２の一部の実施形態を以下に説明する。

[0028] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。

[0029] 第１のパターニング構造ホルダＭＴは、パターニング構造の方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニング構造が真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件に依存する形でパターニング構造を保持することができる。サポート構造は、パターニング構造を保持するために、機械、真空、静電気、または他のクランプ技法を使用することができる。サポート構造は、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、必要に応じて固定式または可動式であり得る。サポート構造は、パターニング構造が、例えば投影システムに対して確実に所望位置にあるようにすることができる。

[0030] 「パターニング構造」という用語は、例えば基板の目標部分にパターンを生成するためにビームの断面にパターンを付与するために使用可能な任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路といったような、目標部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。

[0031] パターニング構造は、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニング構造の例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[0032] 「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含することができる。ＥＵＶまたは電子ビーム放射に対しては真空を使用することが望ましい。というのは、他のガスは放射または電子を吸収しすぎてしまう場合があるからである。したがって、真空環境は、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に提供され得る。

[0033] 本明細書に示されているとおり、装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。あるいは、装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。

[0034] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」装置においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[0035] 図１を参照すると、動作中、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受けることができる。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。

[0036] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含んでもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含んでもよい。イルミネータは、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせるように、放射ビームを調整するために使用することができる。

[0037] 放射ビームＢは、各第１のホルダまたはサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニング構造（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニング構造によってパターン形成される。パターニング構造（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、（各ホルダＷＴに保持されている）基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、第１の基板テーブルホルダＷＴ（例えば、基板テーブル）を正確に動かすことができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１は、パターニング構造（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けるために使用され得る。パターニング構造（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１，Ｐ２とを使って、位置合わせされてもよい。

[0038] 例示の装置は、以下のモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。

[0039] １．ステップモードにおいては、レチクル保持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび第１の基板ホルダＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。

[0040] ２．スキャンモードにおいては、マスクホルダ構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび第１の基板ホルダＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクホルダ（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。

[0041] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニング構造を保持した状態で、マスクホルダ（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板ホルダＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニング構造は、基板ホルダＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニング構造を利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0042] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0043] 図２は、リソグラフィ装置の一部の一例を示している。図２では、装置の一部だけが示されている。図２の実施形態は、リソグラフィ装置および／または図１に示した実施形態の上記の特徴のすべてまたはいくつかを含んでもよい。リソグラフィ装置を違うように構築してもよい。

[0044] 図２に示した装置には、基板ハンドラ２および基板ステージ３が設けられている。基板ステージ３は第１の基板ホルダを含み、基板ホルダは、例えば、基板テーブルＷＴを保持するチャック４を備える。基板ホルダ４およびＷＴは異なる構成でもよい。図２では、チャック４およびサポートテーブルＷＴは、１つの部分（基板ホルダ）として概略的に示されている。しかしながら、一般的には、これらは別個の部分であり得る。図２に示されるように、例えば投影ビームによって照らされる基板Ｗを基板テーブルＷＴに保持することができ、これによって、使用中に、パターニング構造からのパターンを基板に転写することができる。そのような投影ビームおよびパターニング構造は、図２には示していないが、当業者には明らかであるように、例えば、図１に関して上記で説明したように構成してもよい。

[0045] 基板ステージおよび／または基板ホルダは、様々な方法で構成されてもよい。例えば、使用中に基板Ｗに対面する基板テーブルＷＴのサポート側は、サポート突起またはバールを備えてもよい。そのような突起体は、使用中に、基板Ｗの表面に機械的に接触することができる。さらに、またはあるいは、基板テーブルＷＴおよび／またはチャック４は、基板テーブルＷＴおよび／またはチャック４に、および／または基板テーブルＷＴおよび／またはチャック４を通して、冷却水を供給するように構成された冷却水システムおよび／または水冷式熱シールドなどの冷却システムを含むこともある。例えば、基板テーブルＷＴは、基板テーブルＷＴを冷却するために使用中に冷却水が供給され得る狭いチャネルを含んでもよい。さらに、またはあるいは、例えば、チャック４は、水冷式熱シールドを含んでもよい。そのような冷却水システムは、図に示していない。

[0046] 基板ステージには、投影システムに対して基板を位置決めするために様々なポジショナが設けられてもよい（図２にそのようなシステムは示されていないが、図１に投影システムの一例が見える）。

[0047] 基板ハンドラ２も様々な方法で構成されてもよい。例えば、基板ハンドラ２は、所望の時間の間、１つ以上の基板を保持または格納するように構成されてもよい。

[0048] 基板ハンドラ２は、１つ以上の基板を装置の周囲から受け取り、１つ以上の基板を一時格納し、１つ以上の基板を基板テーブルＷＴに、および／または基板テーブルＷＴから移動させるように、構成されてもよい。

[0049] 例えば、リソグラフィ装置１が１つ以上の真空区画を含む場合、基板ハンドラ２は、１つ以上のロードロック(図示せず）を含むか、またはロードロックに結合されることがある。基板ハンドラ２は、大気圧の近傍で、真空圧(vacuum pressure)で、および／または異なる圧力で、動作するように構成されてもよい。基板ハンドラ２は、例えば基板ホルダ４，ＷＴ上に基板を位置合わせするために１つ以上のアライナ(図示せず)を含んでもよい。さらに、基板ハンドラ２は、基板ステージ３に移動される１つ以上の基板Ｗをロードするために1つ以上の基板ローディング位置を含んでもよい。図２に、１つのローディング位置Ｐを示す。

[0050] 基板ハンドラ２は、基板をローディング位置Ｐで保持するために第２の基板ホルダ１３（例えば、基板サポート）を含む。第２のホルダ１３は、様々な方法で構成されてもよい。例えば、基板サポート１３は、固定されたサポートテーブルまたはロボットグリッパを含んでもよく、あるいは違うように構成されてもよい。第２のサポートの実施形態を図４〜図８に示し、以下に説明する。

[0051] さらに、基板ハンドラ２は、基板ホルダ４，ＷＴから１つ以上の基板Ｗを取り外すために１つ以上の基板アンローディング位置を含んでもよい。さらに、基板ハンドラ２は、基板が基板ステージ３に移動される前、および／または各リソグラフィ装置によって照らされた後に、基板Ｗを一時的に格納するために１つ以上の基板「バッファ」位置を含んでもよい。

[0052] 装置は、基板ハンドラ２の一部から基板ホルダ４，ＷＴへ、および／またはその反対に１つ以上の基板Ｗを移動するように配置または構成された機構（矢印３０によって概略的に示されている）を含んでもよい。基板ハンドラ２と基板ステージ３とを、互いの間で様々な方法で基板を移動するように配置または構成してもよい。例えば、基板ハンドラ２と基板ステージ３との間に、互いの間で基板および／または基板ホルダ（特に、基板テーブルＷＴ）を運ぶために１つ以上の通路（特に示していない）を設けてもよい。さらに、基板ハンドラ２から基板ステージ３へ、および／またはその反対に、基板Ｗおよび／または基板ホルダＷＴを移動させるために１つ以上のロボット・アーム、コンベヤ、輸送手段またはその他の移動機構を設けてもよい。例えば、基板ハンドラ２および／または基板ステージ３は、１つ以上の適した基板トランスポータ(transporter)を含んでもよい。

[0053] 一実施形態では、第１の基板ホルダ４，ＷＴの少なくとも一部は、基板ハンドラから基板を受け取るために基板ハンドラにより近い位置との間で移動可能であってもよく、その後、基板ホルダ４，ＷＴを、基板を投影ビームで照らすのに適した位置に移動してもよい。その場合、基板ハンドラと基板テーブルＷＴとの間で基板を輸送するためにロボットまたはロボットグリッパ（図示せず）を設けてもよい。例えば、装置に、別個の基板ハンドラ区画と別個の基板ステージ区画とを設けてもよい。例えば、基板ステージ区画は、１つ以上の露光基板ホルダ４，ＷＴを含んでもよい。ロボットは、基板ハンドラの一部、および／または基板ステージ区画の一部であってもよく、あるいは基板ハンドラ２と基板ステージ３または基板ステージ区画との間の別個のロボットユニットに設けてもよい。

[0054] 例えば、基板ステージ３、または基板ステージ３の一部は、基板ハンドラ２の内部１２から、および基板ハンドラ２の内部１２へ移動可能であってもよい。例えば、チャック４および／または基板テーブルＷＴは、基板ハンドラ２のローディング位置Ｐから基板ステージ３にあるプロセシング位置へ移動可能であってもよい。

[0055] さらに、基板ハンドラ２は、１つ以上の基板Ｗを前処理するように構成された熱処理システム１９を含んでもよい。任意選択として、基板ハンドラ２は、１つ以上の熱プレート１９、例えば１つ以上の基板Ｗを前処理温度、例えば、第１の基板ホルダＷＴの瞬間温度より低い温度に急速冷却する水冷冷却プレート１９を含んでもよい（下記参照）。図２に、１つのそのような冷却プレート１９を示している。冷却プレート１９は、基板ローディング位置Ｐから離して配置される。冷却プレート１９から基板ローディング位置Ｐに基板（単数または複数）を輸送する機構は示されていないが、そのような機構をどのように構築することができるかは、当業者には明らかである。図２に、矢印２０を用いて、そのような輸送を概略的に示す。

[0056] 図２の実施形態の装置には、本明細書中では基板温度コンディショナまたは温度安定ユニットとも呼ばれる基板温度調節システムが設けられている。温度調節システムは、例えば、基板温度が基板ホルダ４，ＷＴの瞬間リアルタイム温度に実質的に一致するように、基板Ｗが基板ホルダ４，ＷＴに移動される前に、基板Ｗの温度を能動調節するように構成されてもよい。基板温度調節システムは、基板ホルダ４，ＷＴへの基板Ｗの移動中に、基板Ｗの温度を能動的に調節するように構成されてもよい。

[0057] 基板温度調節システムは、様々な方法で構成されてもよい。これは、例えば、基板ハンドラ中の圧力に依存する。

[0058] 一例として、基板温度調節システムには、例えば、第１の基板ホルダの基板サポート部ＷＴの瞬間および／または平均温度を決定するために基板ホルダ４，ＷＴの少なくとも一部、例えばチャック４および／または基板テーブルＷＴの温度を測定するように構成されたセンサ（図示せず）を設けてもよい。

[0059] 基板温度調節システムの少なくとも一部は、基板ハンドラ２に含まれてもよい。基板温度調節システムの１つ以上の部分は、システム中の他の場所、例えば基板ステージ３の中または周囲の適当な場所に配置されてもよい。

[0060] 基板温度調節システムは、基板が基板ホルダに移動される前、および／またはそのような移動中に、基板を加熱および／または冷却するために１つ以上の加熱および／または冷却装置をさらに含んでもよい。一実施形態では、加熱および／または冷却装置は、ローディング位置Ｐに配置された基板Ｗを熱調節するために基板ハンドラ２内の基板Ｗのローディング位置Ｐの近くに設置されている。そのような加熱および／または冷却装置は、様々な方法で構成されてもよい。

[0061] 例えば、基板温度調節システムは、熱放射、熱伝導および／または熱対流を用いて、（第２のホルダ１３によって）基板ハンドラ２中に保持されている基板を加熱および／または冷却するように構成されてもよい。例えば、基板ハンドラ中の圧力が比較的低い圧力であるとき、または比較的低く保たなければならないとき、熱放射および／または熱伝導は有用であり得る。基板Ｗと第２のホルダ１３との間の熱伝達を高めるために熱伝達流体（例えば、ガスフィルム）が適用されてもよい。

[0062] 一例として、基板温度調節システムは、基板ハンドラ２の上述の第２の基板ホルダ１３を含んでもよく、ホルダ１３を、その上で支持された基板Ｗの温度を所望の温度に持ってくるように温度制御することができる。特に、ホルダ１３は、所定の温度を得るように制御され、かつ基板も同様にその温度を得るように熱調節されるように基板Ｗを保持する。例えば、熱は、放射および対流を介した（基板ホルダ１３と基板Ｗとの間の）熱伝達を無しにまたはほとんど無しに、実質的に熱伝導を介して（ホルダ１３に保持された）基板Ｗとホルダ１３との間に流れることができる（例えば、９０％より多く）。

[0063] 一実施形態によると、熱伝達流体（特に、ガスまたはガス混合物）が、動作中、第２のホルダ１３とホルダに保持された基板Ｗとの間に適用されてもよい。例えば、熱伝達ガスは、ホルダ１３の１つ以上のガス供給口（図示せず）から、または異なる手段によって、動作中に第２のホルダ１３および基板Ｗの向かい合っている面で囲むことができる空間ｈｔｇ（図３を参照）に供給され得る。そのような熱伝達ガスの適用は公知であり、例えば、熱伝達ガスはヘリウムまたは水素、あるいは異なるガスであり得る。当業者に理解されるように、熱伝達ガスは、（基板がホルダに保持されている場合）基板とホルダ１３との間の熱流の少なくとも一部を提供することができる。

[0064] 図３は、温度調節流体（例えば、所定の温度を有する水）をホルダ１３の熱がよく伝導するマス１３ｂを介して伝導させるための１つ以上の流体ダクト１４を含む第２の基板ホルダ１３の一例を示している。当業者に理解されるように、装置には、第２のオブジェクトサポートの流体ダクトシステム１４に流体を供給するように構成された流体サプライヤ（図示せず）が設けられてもよい。一実施形態によると、ホルダ１３を通って流れる流体（例えば、異なる流体の水）の流速は、約１リットル／分より早く、例えば、約５リットル／分、あるいは異なる流速であってもよい。

[0065] 例えば、動作中にダクトシステム１４に供給される流体の温度は、約０〜１００℃の範囲、例えば、約１０〜３０℃の範囲、例えば、およそ室温程度（２２℃）あるいは異なる温度または温度範囲であってもよい。流体の温度は、動作中実質的に一定に保つことができ、または温度は、達成される所望の基板温度に応じて能動制御され得る。好ましくは、流体の温度は、所定の一定の温度（例えば、２２．００℃＋／−０．０５℃）で保たれるように能動制御される。

[0066] 例えば、第２の基板ホルダ１３は、特に、基板Ｗの少なくともいくつかの部分がホルダ１３（の基板サポート面）と良好な熱伝導接触で保持されるように、基板を第２の基板ホルダ１３にクランプさせるように構成されてもよい。例えば、第２の基板ホルダ１３は、基板Ｗを保持するために機械的、真空、静電または他のクランプ技術を使用するように構成されてもよい。

[0067] 第２のホルダ１３は、動作中に基板Ｗを支持する基板サポート面（好ましくは、良好な熱伝達性質を有する、すなわち、高い熱伝達係数を有する材料から成る）を画定してもよい。本明細書中の例では、第２のホルダ１３には、使用中に基板Ｗに面するサポート側が設けられ、サポート側は、サポート突起／バール１３ａの外面または上部を含む（すなわち、で規定される）。そのような突起１３ａは、使用中に基板Ｗの表面と機械的に接触することができる。基板Ｗのクランプ位置は、図３における破線によって示される。さらに、例えば、上述の熱伝達流体（特に、ガスまたはガス混合物）は、基板Ｗとホルダ１３との間に囲まれた空間ｈｔｇ（図３を参照）に供給されることができ、空間ｈｔｇは、熱が少なくともその熱伝達流体を介して／によって基板Ｗとホルダ１３との間で移動できるように、突起（バール）１３ａの側面の周り／間に延在する。当業者に理解されるように、熱伝達流体は、機械的、真空または静電保持技術を使用するように構成された任意の第２のホルダの実施形態、および他のホルダ１３の構成に対して使用されてもよい。

[0068] 例えば、動作中、第２のホルダ１３は、基板Ｗを「任意の」温度で受け入れ、かつ基板Ｗを例えば、第１の基板ホルダＷＴの瞬間温度に、熱調節（所定の熱調節期間中、基板Ｗを保持することによって）することができる。

[0069] 高い基板スループット（すなわち、一時間毎に装置によって処理される基板の数）で高レベルの熱制御（ｍＫの範囲内）を提供することが望ましい。さらに、後のリソグラフィプロセス中のオーバーレイエラーを最小限にするために、第２の基板サポートから第１のサポートＷＴへの基板移動の前および／または移動中に基板Ｗの均質で均一の熱調節を提供することが望ましい。特に、約１０ｍＫより良い基板温度均一性（基板エリア上全体を測定し、基板の上面から見た）が望ましい。図３に示された第２の基板サポート１３の例が流体チャネル１４を介して流れる流体の圧力変動に対して比較的敏感であることがわかった。詳細には、ダクト１３内の流体摩擦によって、ダクト１４内の１バールの圧力低下がホルダ１３に保持された基板を約２５ｍＫ加熱するという結果になり得る。この問題への解決策は、流体の体積流量を減少させることであり得るが、それは流体の熱調節効率を減少させることとなる。流体の熱調節効率は、ダクト１４と基板サポート面との間の距離を最小限にすることによって上げることができるが、それは基板Ｗ上のダクト１４の熱インプリント（すなわち、基板Ｗの熱不均一性）へと繋がることとなる。

[0070] 図４は、第２のオブジェクトホルダ１１３の一実施形態を示し、この第２のオブジェクトホルダ１１３は、それによって保持される基板Ｗの非常に良好で安定した、迅速で均一な熱調節を提供することができる。特に、図４の実施形態は、流体ダクトシステムの動作による熱不安定性または温度変化に対して比較的鈍感であり得る。電気温度コンディショナ１１５とともに流体ダクトシステム１１４をも含むということについて、図４の実施形態は図３に示される例とは異なる。電気温度コンディショナ１１５は、例えば、熱変動または偏差に関係する流体ダクトシステム１１４を補償するために、第２のホルダ１１３の追加の熱調節（流体ダクトシステム１１４を介して提供される温度調節に加えて）を提供することができる。

[0071] 一実施形態によると、電気温度コンディショナは、電気エネルギーから熱を生成するように構成された電気ヒーター１１５を含む。一実施形態では、例えば、電気温度コンディショナ１１５はペルチェ素子を含んでもよく、それにより、電気温度コンディショナは、（ホルダを加熱するための）第２のホルダ１１３へまたは（ホルダを冷却するための）基板ホルダ１１４から熱を移動することができる。さらに、例えば、電気温度コンディショナ１１５は、電気抵抗器、導電性フィルム、およびワイヤーヒーター(wire heater)からなる群から選択されてもよい。第２の基板ホルダ１１３の電気温度コンディショナ１１５が１つ以上のヒーター、１つ以上のペルチェ素子、１つ以上の抵抗器、１つ以上の導電性フィルム、および／または１つ以上のワイヤー型ヒーター(wire-type heater)を含み得ることが当業者に理解される。

[0072] 一実施形態によると（図４を参照）、電気温度コンディショナ１１５は、ホルダ１１３によって規定される基板サポート面に対して実質的に平行に延在する。明細書中の実施形態にあるように、電気温度コンディショナ１１５は、流体ダクトシステム１１４の仮想中心平面ＦＤＣに対して実質的に平行に延在することができる（その上、仮想中心平面ＦＤＣは、基板サポート面に対して平行である）。電気温度コンディショナ１１５は、例えば、それ自体が電気的絶縁性を有することによって、および／またはダクトシステム１１４を含むホルダ部１１３ｂの材料または組成によって、流体ダクトシステム１１４から電気的絶縁されることがある。

[0073] 一実施形態によると（図４を参照）、電気温度コンディショナ１１５は、断面からみた場合、実質的に中断されることがない場合もあるが、これは絶対的な特徴ではない。電気温度コンディショナ１１５は、一体型の電気デバイスであってもよく、または異なる部分を含んでもよい（例えば、図６Ｂを参照）。

[0074] 好ましくは、電気温度コンディショナ１１５は、各二次元電気熱調節フィールド（すなわち、エリア）を画定するように寸法合わせおよび構成されており、フィールドは、少なくともホルダ１１３の流体ダクトシステム１１４と基板サポート側／面との間に延在し、また好ましくは、その表面から固定の距離Ｚ１（その表面に対して垂直である方向Ｑで測定された）まで延在する。例えば、この固定の距離Ｚ１は、比較的大きく、例えば、約１ｃｍまたはそれ以上であってもよい。例えば、電気熱調節フィールドは、それぞれ均一の熱調節を提供できる１つ以上の実質的に二次元で薄い電気調節デバイスを含んでもよい。

[0075] 一実施形態によると、電気温度コンディショナ１１５の最大の厚さＺ２（基板保持面に対して垂直である方向Ｑで測定した）は、約１ｃｍまたはそれ以下、例えば約０．５ｃｍ、あるいは例えば約１ｍｍまたはそれ以下、例えば約０．１ｍｍであってもよい。電気温度コンディショナ１１５は、一定の厚さＺ２を有していてもよい。電気温度コンディショナ１１５は、熱調節フィールドの各ポイントでまたはその近くで熱調節（例えば、熱生成または熱除去）を提供するように構成されてもよい。

[0076] 図４の実施形態では、電気温度コンディショナ１１５（またはその各フィールド）は、基板ホルダ１１３に組み込まれている。電気温度コンディショナ１１５は実質的に、基板ホルダ１１３を、基板サポート側（および突起１１３ａ）を含む上部１１３ｃと、流体ダクトシステム１１４を含む下部１１３ｂとに分ける。上部１１３ｃは、一方では突起１１３ａ間、他方では電気温度コンディショナ１１５と下部１１３ｂとの間の熱伝達を提供するために適した材料からなる大きくて（massive）中断されていない部分であり得る。好ましくは、そのような電気温度コンディショナ１１５は、下部１１３ｂと上部１１３ｃとの間の熱伝達を可能にするように構成されている。

[0077] 例えば、下部１１３ｂと上部１１３ｃの各々は、比較的高い熱伝導性を有する材料または物質から成ってもよい。例えば、基板ホルダ部１１３ｂ，１１３ｃは、金属、合金、炭化ケイ素、シリコン−炭化ケイ素、アルミニウム、ステンレス鋼および窒化アルミニウム、あるいは１つ以上の異なる材料または組成からなってもよい。

[0078] 一実施形態によると、電気温度コンディショナ１１５は、交流（ＡＣ）または直流（ＤＣ）を用いて電気的にパワー（電力）を供給することができる。例えば、適当な電力源を含む温度制御システムＴＣ（概略的に示されている）は、電気温度コンディショナ１１５に電力を供給するために、例えば、適した配線１１８を介して電気温度コンディショナ１１５に接続されてもよい。

[0079] 電気温度コンディショナ１１５は、低電力デバイスであってもよい。例えば、温度調節システムは、約０〜５０Ｖ、または例えば、０〜２４Ｖの範囲内における電圧で電気温度コンディショナ１１５に電力を供給するように構成されてもよい。電気温度コンディショナ１１５に電力を供給するための温度調節電流は、例えば、約０〜１０Ａの範囲、または約０〜２Ａの範囲内であってもよい。

[0080] 電気温度コンディショナ１１５がヒーターであった場合、約１００ワット、または例えば約５０ワット、あるいは例えば最大約２０ワットの最大熱生成容量を有する低電力ヒーターであってもよい。ヒーターの効率は、およそ１００％、または１００％であり得、すなわち、ヒーターは、ヒーターに供給された全ての電気エネルギーを熱に変換する。

[0081] 一実施形態によると（図４を参照）、基板ホルダ１１３は、フィルムヒーター１１５を含む。フィルムヒーター１１５は、第２の基板ホルダ１１３内で熱を均一に生成するために電気的に電力を供給することができる。特に、フィルムヒーターは、ヒーター材料、例えば、所定の電気的耐熱性を有する材料、の均一で均質のフィルムまたは層であってもよい。そのようなフィルムヒーターは、市販されている。フィルムヒーターは、例えば、層構造からなってもよく、例えば構造は、電気的絶縁層の間に置かれた薄い導電層を含み、例えば導電層は、金属または合金からなり、例えば導電層は、クロムまたはアルミニウムであり、絶縁層は、ガラスまたは異なる電気的絶縁材料からなる。さらなる例として、フィルムヒーターの導電層は、１０ミクロンより下の厚さ、例えば約１ミクロン（またはそれより下）の厚さを有してもよい。

[0082] 限定的ではない例によると、基板温度調節システムは、第２の基板ホルダ１１３の少なくとも一部、特に、基板サポート側の近く（例えば、直下）に配置された部分の温度を測定するように構成された光センサ１１６も含んでもよい。センサ１１６は、ホルダ１１３と統合されてもよい。センサ１１６は、様々な方法で構成されてもよく、例えば、１つ以上のサーモカップル、感熱性材料、一体型の温度測定デバイス、サーミスタ、プラチナ温度センサ、または任意の他の方法で構成されてもよい。一実施形態では、センサ１１６は、温度依存電気抵抗を含んでもよい。センサは、例えば、１つ以上のサーモカップル、高温計(pyrometer)、一体型温度測定デバイス、サーミスタ（特に、正温度係数（ＰＴＣ）サーミスタ）、１つ以上の感熱性材料、例えば、温度変動によって収縮または拡大する材料、あるいはそのようなまたは他のタイプの熱検出器の組み合わせを含んでもよい。そのうえ、第２のホルダ１１３には、複数の温度センサ１１６が一体として設けられてもよい。温度制御システム（コントローラＴＣ）は、熱調節を制御するために用いられる、センサ１１６からの温度測定データを受取ることができる（例えば、それぞれの配線を介して）。

[0083] 例えば、コントローラＴＣは、第２の基板ホルダ１１３の温度を第１の基板ホルダ４，ＷＴの温度（示されてはいないが、それぞれのセンサ手段を介して温度を測定することができる）と比較するように構成されてもよい。例えば、コントローラＴＣは、第２のホルダ１１３の温度が所定の温度、例えば第１の基板ホルダ４，ＷＴの瞬間温度を維持するように、電熱調節フィルム１１５を制御する（すなわち、電力を供給する）ように構成されてもよい。この目的のために、例えば、コントローラＴＣは、比較器、電子制御、コンピュータコントローラ、適したコンピュータソフトウェアおよび／または異なるタイプの制御を含み得る。コントローラＴＣは、第２のサポート１１３に保持された基板Ｗを所望の時間内にある所望の温度にするように構成されてもよい。この目的のために、コントローラＴＣは、当業者に明らかになるように、試行錯誤のキャリブレーションランおよび／または標準理論考察および／または計算から得たデータを利用する。

[0084] 動作中、基板Ｗの温度は、基板が基板ステージにロードされる前に、例えば、チャック４および／または基板テーブルＷＴの温度と一致するように基板ハンドラ２の中で操作されてもよい。

[0085] 動作中、例えばリソグラフィデバイス製造方法の一部として、基板Ｗは、（第１のオブジェクトホルダへのオブジェクトの移動の前および／または移動中に）第２のホルダ１１３によって熱調節されるように第２のホルダ１１３に保持（例えば、クランプ）されてもよい。熱調節は少なくとも、熱調節された流体（例えば、水）を流体ダクトシステム１１４を介して供給することと、同時にフィルム型ヒーター１１５を動作させることとを含む。当業者に理解されるように、ヒーター１１５は、例えば、熱負荷、基板および基板ホルダ温度、ならびに他のパラメータのような温度調節パラメータによって、連続的にまたは特定の動作期間中にのみ電力が供給されてもよい。ヒーター１１５の作動および非作動は、コントローラＴＣによって自動的に実行することができる。熱調節は、第２のホルダ１１３を、第１の基板ホルダ４，ＷＴの温度と実質的に同じ瞬間温度に維持することを含んでもよい。

[0086] 一実施形態によると、動作中、基板Ｗは、オブジェクトが第２のホルダ１１３によって調節される前、第１のオブジェクトホルダ４，ＷＴ（および特に、第２のオブジェクトホルダ１１３も）の温度より低い初期温度を有する。その場合、温度調節は、基板が第２のホルダ上に支持されているときの第２のホルダ１１３を介して基板Ｗを加熱することを含む。例えば、熱は、第２のホルダからその突起１１３ａを介して基板Ｗへと移動されてもよい。

[0087] コントローラＴＣは、第２のホルダ１１３の実際の温度（それぞれのセンサ１１６によって検出された温度）によって、フィルムヒーター１１５を作動および非作動し得る。あるいは、またはさらに、基板Ｗの温度を直接的または間接的に測定する１つ以上の検出器（図示せず）が使用されてもよく、その測定結果は、フィルムヒーター１１５のパワリングを制御するためにコントローラ６によって使用されてもよい。

[0088] さらに、コントローラＴＣは、ホルダ１１３の所定の（例えば、一時的な）温度低下（例えば、ホルダ１１３に保持されている基板への熱伝達に関する温度低下）を補償するためにヒーター１１５へと供給される電力（リアルタイム、瞬時）の量を能動調整できる。したがって、さらなる実施形態によると、フィルムヒーター１１５の制御／パワリング（制御システムＴＣによって提供される）は、第２のホルダ１１３の実際の検出された温度および／またはその温度の検出された変動（上昇または下降）に瞬間的に依存することができる。

[0089] 熱調節システムは、ホルダ１１３の検出された上昇温度がフィルムヒーター１１５に供給される加熱電流の減少に自動的に導き得るように、かつ反対に、ホルダ１１３の検出された下降温度がフィルムヒーター１１５に供給される加熱電流の増加に自動的に導き得るように、構成されてもよい。さらに、例えば、熱調節システムは、ホルダ１１３の所定の検出された上昇温度（例えば、それぞれの温度勾配）がヒーター１１５の非作動に自動的に導かれるように、かつ反対に、ホルダ１１３の所定の検出された下降温度（例えば、それぞれの温度勾配）がヒーター１１５の作動に自動的に導かれるように、構成されてもよい。

[0090] 熱調節システムは、（ホルダ１１３の）あらゆる予測または推定された将来的温度変化を回避または削減するために、第２のホルダ１１３の温度の将来的変化を予測または推定し、ヒーター１１５の動作を制御する（例えば、ヒーターを作動または非作動する、あるいはそれぞれの加熱電流を調整する）ように構成されてもよい。

[0091] このようにして、流体ダクトシステム１１４は、第２の基板ホルダ１１３の一次熱調節を提供することができ、電熱コンディショナ１１５は、ホルダ１１３および／またはホルダ１１３に保持された基板Ｗの温度変動に迅速に応答する（およびその変化を補償する）ことができる。

[0092] 図４に示されたシステムの潜在的利点は、流体の流れおよび第２のホルダ１１３の所定のバルクマス（bulk mass）から独立して、フィルムヒーター１１４が基板Ｗの熱負荷を均一に補償できるということである。さらに、熱調節システム４１４の反応は、比較的迅速であり得る。

[0093] 図５は、電気温度コンディショナ２１５が基板サポート面の近くに配置されているということについて図４の実施形態と異なる、第２のホルダ２１３の実施形態を示している。例えば、電気温度コンディショナ２１５（再度、例えば、フィルムヒーターであり得る）は、ホルダ２１３のメイン部２１３ｂ（流体ダクトシステム２１４を含む）の上面の中、上または直下に延在することができ、上面では、突起２１３ａが基板サポート面に向かって突出する。このようにして、コンパクトなホルダが提供され得、電気温度コンディショナ２１５は、あらゆる熱変動に対して瞬時に反応できる。

[0094] 一実施形態によると、第２の基板ホルダは、オブジェクトを静電力によって保持するように構成された電極システムを含んでもよい。これは、上記の構成／実施形態の各々にも適用される。図６Ａは、二極性静電クランプシステム（当業者にはそのように知られている）を含む第２のホルダ１１３，２１３のさらなる実施形態を、突起を示さずに上面図で概略的に示している。二極性クランプシステムは、比較的高い電位差を電極１１Ａ，１１Ｂに付与するために２つの電極１１Ａ，１１Ｂ（その間で短絡することを防ぐためにお互いから電気的に絶縁されている）および電圧源１２を含んでもよい。例えば、電位差は、約０．２〜３ｋＶの範囲内、または異なる範囲内であってもよい。

[0095] 一実施形態によると、電気温度コンディショナは、（静電クランプの）電極システムの一部であり得る。この実施形態の一例は、図６Ａ構成の変形を示す図６Ｂで示されている。図６Ｂは、図５で示される実施形態の上面図であり得（突起２１３ａを図示せず）、ホルダ２１３には、比較的高い電位差を電極２１１Ａ，２１１Ｂに付与するために二つの電極２１１Ａ，２１１Ｂおよび第１の電圧源２１２Ａが設けられる。例えば、上記のように、電位差は、約０．２〜３ｋＶの範囲内、または異なる範囲内であってもよい。この実施形態では、そのような各電極２１１Ａ，２１１Ｂは、（温度調節システムの）加熱電極として作動してもよい。この目的のために、第２の電圧源２１２Ｂ，１１２Ｃ（上記コントローラＴＣの一部であり得る）は、電極に加熱電流を誘導するために電極２１１Ａ，２１１Ｂに結合される。例えば、第２の電圧源２１２Ｂ，２１２Ｃの第１の端子は、第１の電圧源２１２Ａの端子に電気接続された第１の電極端子ｔ１に電気接続されてもよい。第２の電圧源２１２Ｂ，２１２Ｃの第２の端子は、第２の電極端子ｔ２に電気接続されてもよい。第１および第２の電極端子の各対は、電位差がその端子に付与された場合にそれぞれの電極を介して加熱電流の流れを可能にするように構成されている（図６Ｂのように）。特に、電極２１１Ａ，２１１Ｂが同じ電気構成（本実施形態のように）を有する場合、第２の電圧源２１２Ｂ，２１２Ｃは、同じ加熱電圧をそれぞれの電極２１１Ａ，２１１Ｂに提供するように（コントローラＴＣによって）制御されてもよい。

[0096] 動作中、電極２１１Ａ，２１１Ｂの各々は、約０〜２５０Ｖの範囲内、例えば約０〜２０Ｖの範囲内の電圧で第２の電圧源２１２Ｂ，２１２Ｃによって電力が供給され得る。電極２１１Ａ，２１１Ｂに電力を供給するための温度調節電流は、例えば、約０〜１０Ａの範囲内または約０〜２Ａの範囲内であってもよい。

[0097] 図６Ｂのデバイスの動作中、２つの電極２１１Ａ，２１１Ｂが設けられている電気温度コンディショナは、２つの別個の電気加熱電流を伝導することができ、基板をサポート２１３に静電的にクランプするために二極性静電クランプフィールドを同時に生成することができる。

[0098] 当業者に理解されるように、加熱性能も提供するクランプ電極２１１Ａ，２１１Ｂは、多数の方法で構成されてもよい。例えば、クランプは、耐熱ワイヤーが設けられていてもそれで形作られていてもよく、好ましくは、適した静電クランプフィールドを提供するために比較的密集したパターンに置かれている（図６Ｂのように）。一実施形態では、例えば、各電極はフィルムヒーターであってもよい。

[0099] 図６Ｂの構成は、比較的コンパクトなシステムも提供し、静電クランプ機能性および熱調整システム機能性は、エレガントな方法で互いに統合している。

[0100] 図７は、電気温度コンディショナ１１５が流体ダクトシステムから比較的離れて、距離Ｚ３にて（ホルダ１１３’の基板サポート側に対して垂直の方向で測定された）配置されているということについて図４〜図６の実施形態と異なる実施形態１１３’を示している。特に、このようにして、流体（ダクト１１４内）と電気温度コンディショナ１１５との間に比較的大きなマス（第２のホルダ部１１３ｂ’の）が提供される。上記実施形態にあるように、電気温度コンディショナ１１５は、コントローラＴＣおよびそれぞれのセンサ１１６によって能動制御されることができる。例えば、電気温度コンディショナ１１５とダクト１１４との間の離間Ｚ３は、電気温度コンディショナ１１５とホルダ１１３’の基板サポート側／面との間の距離Ｚ１より大きくてもよい。このようにして、ダクトチャネルレイアウトによる温度勾配は、システムの基板サポートレベルで縮小することができる。

[0101] 図８は、第２のホルダ３１３が熱バッファ（すなわち、バリア）３３０を含むということについて任意の図４〜７の実施形態と異なる実施形態を示している。熱バッファ３３０は、電気温度コンディショナ３１５と流体ダクトシステム３１４との間に延在する。特に、熱バッファ３３０は、ホルダ３１３を電気温度コンディショナ３１５を含む上部と流体ダクトシステム３１４を含む下部とに熱分離する。

[0102] 熱バッファ部３３０は、ホルダ熱伝達部３１３ｄによって電気温度コンディショナ３１５から間隔を介して離れている。熱バッファ部３３０は、ホルダ熱伝達部３１３ｂによって流体ダクトシステムから間隔を介して離れている。熱バッファ部３３０は、熱伝達部３１３ｂ，３１３ｄの各々の（材料または組成の）熱伝達係数より低い熱伝達係数を有する熱バッファ材料または組成から作られてもよい。熱バッファ部３３０は、プラスチック、ガラス材料、酸化ケイ素または異なる材料から作られてもよい。熱バッファ部材料（組成）は、異なる熱伝達部材料（組成）であってもよい。

[0103] 一実施形態によると、熱バッファ３３０は、ホルダの基板サポート面に対して垂直の方向にて約２０Ｗ／Ｋまたは約１０Ｗ／Ｋの最大熱伝導性を有してもよい。

[0104] 図８の実施形態は、基板温度調節にダクトチャネル構成のインプリントを比較的少なく提供するか、実質的に全く提供しないことができる。さらに、動作中、例えば、「暖かすぎる」とともに「冷たすぎる」ということをホルダ３１３に届く基板Ｗに対して素早く反応するために、比較的永続的な熱の流れが電気温度コンディショナ３１５からダクトシステムを介して流れる流体へと実現され得る。

[0105] 上記の実施形態では、基板Ｗを熱調節するためのシステムが説明された。代替の実施形態によると、同じ原理が、パターニング構造ハンドラ１０２を介してパターニング構造ＭＡを調節するために適用され得る。その場合、例えば、オブジェクトはパターニング構造であり、第１のオブジェクトホルダはパターニング構造ホルダＭＴである。リソグラフィ装置には、基板Ｗを熱調節するための温度調節システムおよびパターニングデバイスＭＡを熱調節するための温度調節システムのうちの１つまたはその両方が設けられてもよい。

[0106] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。

[0107] 光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはないことを理解されたい。

[0108] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。

[0109] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。

[0110] 上記の説明は、限定ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

[0111] 本明細書中、「備える」および「含む」という用語は、他の要素またはステップを排除しないことが理解されたい。さらに、「ａ」および「ａｎ」という各冠詞は、複数であることを排除しない。特許請求の範囲における任意の参照符号は特許請求の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。

Claims

パターニング構造ホルダに保持されたパターニング構造から基板ホルダに保持された基板上へとパターンを転写するリソグラフィ装置であって、前記装置は、
オブジェクトを保持する第１のオブジェクトホルダと、
前記第１のオブジェクトホルダへの前記オブジェクトの移動の前および／または移動中に前記オブジェクトの温度を調節するオブジェクト温度コンディショナであって、流体ダクトシステムおよび電気温度コンディショナを有する第２のオブジェクトホルダを含む、オブジェクト温度コンディショナと
を備え、
前記第２のオブジェクトホルダは、前記オブジェクトを静電力によって保持する電極システムを含み、前記電気温度コンディショナは、前記電極システムの一部である、装置。
パターニング構造ホルダに保持されたパターニング構造から基板ホルダに保持された基板上へとパターンを転写するリソグラフィ装置であって、前記装置は、
オブジェクトを保持する第１のオブジェクトホルダと、
前記第１のオブジェクトホルダへの前記オブジェクトの移動の前および／または移動中に前記オブジェクトの温度を調節するオブジェクト温度コンディショナであって、流体ダクトシステムおよび電気温度コンディショナを有する第２のオブジェクトホルダを含む、オブジェクト温度コンディショナと
を備え、
前記第２のオブジェクトホルダは、前記電気温度コンディショナと前記第２のオブジェクトホルダのオブジェクトサポート側との間に延在する熱伝達部、および前記電気温度コンディショナと前記流体ダクトシステムとの間に延在する熱バッファ部を含み、前記熱伝達部は、前記熱バッファ部の材料と異なる材料から作られる、装置。
前記電気温度コンディショナは、電気エネルギーから熱を生成する電気ヒーターを含む、請求項１又は２に記載の装置。
前記装置は、前記第２のオブジェクトホルダと前記第２のオブジェクトホルダに保持されたオブジェクトとの間に熱伝達流体を付与するように構成されている、請求項１又は２に記載の装置。
前記電気温度コンディショナは、抵抗器、導電性フィルムおよびワイヤーヒーターからなる群から選択される、請求項１又は２に記載の装置。
前記オブジェクトは前記基板であり、前記第１のオブジェクトホルダは前記基板ホルダである、請求項１〜５のいずれかに記載の装置。
前記オブジェクトは前記パターニング構造であり、前記第１のオブジェクトホルダは前記パターニング構造ホルダである、請求項１〜５のいずれかに記載の装置。
前記電気温度コンディショナは、二次元熱調節フィールドの各ポイントでまたは近くで熱調節を提供するように構成されている、請求項１〜７のいずれかに記載の装置。
前記第２のオブジェクトホルダは、動作中に前記オブジェクトを支持するオブジェクトサポート面を画定し、前記電気温度コンディショナは、前記オブジェクトサポート面に対して平行に延在する、請求項１〜８のいずれかに記載の装置。
前記第２のオブジェクトホルダは、以下の材料：金属、合金、鋼、アルミニウム、シリコン、炭化ケイ素、シリコン−炭化ケイ素、ステンレス鋼および窒化アルミニウムのうちの少なくとも１つを含む、請求項１〜９のいずれかに記載の装置。
リソグラフィデバイス製造方法であって、オブジェクトの温度は、第１のオブジェクトホルダへの前記オブジェクトの移動の前および／または移動中に第２のオブジェクトホルダを利用して調節され、前記第２のオブジェクトホルダは、流体ダクトシステムおよび電気温度コンディショナを有し、前記方法は、
前記第２のオブジェクトホルダを用いて前記オブジェクトを保持することと、
熱調節された流体を前記流体ダクトシステムを介して供給することによって、および前記電気温度コンディショナを動作させることによって、前記第２のホルダに保持された前記オブジェクトの前記温度を調節することと
を含み、
前記電気温度コンディショナは、１つ以上の電気ヒーター電流を伝導し、前記オブジェクトを前記第２のオブジェクトホルダに静電的にクランプするために静電クランプフィールドを生成する、方法。
前記オブジェクトが前記第２のオブジェクトホルダによって調節される前、前記オブジェクトは、前記第１のオブジェクトホルダの温度より低い初期温度を有する、請求項１１に記載の方法。
前記温度調節は、前記オブジェクトを加熱することを含む、請求項１１又は１２に記載の方法。