JP4854573B2

JP4854573B2 - 積層型コンデンサの製造方法

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Publication number: JP4854573B2
Application number: JP2007101651A
Authority: JP
Inventors: 鋭司田尾
Original assignee: Choshu Industry Co Ltd
Current assignee: Choshu Industry Co Ltd
Priority date: 2007-04-09
Filing date: 2007-04-09
Publication date: 2012-01-18
Anticipated expiration: 2027-04-09
Also published as: JP2008258535A

Description

本発明は、積層型コンデンサの製造方法に関する。

従来より、大きな静電容量を得るために導電膜と誘電膜とを交互に積層した積層型コンデンサが知られている。この積層型コンデンサは、例えば、図４に示すように、基板３０上に、例えばＡｇから成る導電膜３１と例えばＳｉＮｘから成る誘電電膜３２とを例えば真空蒸着法などにより交互に積層するなどの方法で製造されている。
特開平０１−２２２４２４号公報

しかしながら、従来の積層型コンデンサにおいては、例えば図４の例で、例えばＡｇから成る導電膜３１と例えばＳｉＮ_２から成る誘電膜３２との間の界面が大気中の酸素と反応して劣化するなどの要因により前記Ａｇ導電膜３１とＳｉＮｘ誘電膜３２との剥離が生じやすいという問題があった。

本発明はこのような従来技術の問題点に着目してなされたものであって、導電膜と誘電膜との間の結合を強くして導電膜と誘電膜との剥離が生じることを防止することができる積層型コンデンサを提供することを目的とする。

以上のような課題を解決するための本発明は、基板の上に導電膜と誘電膜とを交互に積層して成る積層型コンデンサの製造方法であって、導電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタし、このスパッタ粒子を前記各ターゲット間の空間の側方に配置された基板上に付着・堆積させて前記基板上に第１導電膜を形成する工程と、前記第１導電膜の形成の終了時又はその直前であって前記スパッタの継続中に、後の誘電膜の形成のために使用する反応性ガスと同種の反応性ガスを所定の短時間だけ前記基板の近傍に導入し、前記スパッタ粒子を前記反応性ガスと反応させながら前記第１導電膜の上に付着・堆積させて前記第１導電膜上に第１化合物膜を形成する工程と、前記第１化合物膜の形成後、誘電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタし、このスパッタ粒子を所定の反応性ガスと反応させながら前記第１化合物膜の上に付着・堆積させて前記第１化合物膜上に誘電膜を形成する工程と、前記誘電膜の形成後、導電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタしながら前記誘電膜の形成に使用した反応性ガスと同種の反応性ガスを所定の短時間だけ前記基板の近傍に導入し、前記スパッタ粒子を前記反応性ガスと反応させながら前記誘電膜の上に付着・堆積させて前記誘電膜上に第２化合物膜を形成する工程と、前記第２化合物膜の形成後、前記スパッタを継続したまま、前記反応性ガスの導入を停止し、前記スパッタ粒子を前記第２化合物膜の上に付着・堆積させて前記第２化合物膜上に第２導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。

また、本発明は、基板の上に導電膜と誘電膜とを交互に積層して成る積層型コンデンサの製造方法であって、導電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタし、このスパッタ粒子を前記各ターゲット間の空間の側方に配置された基板又はこの基板上に形成されている膜の上に付着・堆積させて前記基板または前記膜上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜の形成の終了時であって前記スパッタの継続中に、後の誘電膜の形成のために使用する反応性ガスと同種の反応性ガスを所定の短時間だけ前記基板の近傍に導入し、前記スパッタ粒子を前記反応性ガスと反応させながら前記導電膜の上に付着・堆積させて前記導電膜上に化合物膜を形成する工程と、前記化合物膜の形成後、誘電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタし、このスパッタ粒子を前記化合物膜の形成に使用した反応性ガスと同種の反応性ガスと反応させながら前記化合物膜の上に付着・堆積させて前記化合物膜上に誘電膜を形成する工程と、を少なくとも含むことを特徴とするものである。

さらに、本発明は、基板の上に導電膜と誘電膜とを交互に積層して成る積層型コンデンサの製造方法であって、誘電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタし、このスパッタ粒子を所定の反応性ガスと反応させながら前記基板上の導電膜又はその上の他の膜の上に付着・堆積させて前記導電膜又は前記他の膜上に誘電膜を形成する工程と、前記誘電膜の形成後、導電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタしながら前記誘電膜の形成に使用した反応性ガスと同種の反応性ガスを所定の短時間だけ前記基板の近傍に導入し、前記スパッタ粒子を前記反応性ガスと反応させながら前記誘電膜の上に付着・堆積させて前記誘電膜上に化合物膜を形成する工程と、前記化合物膜の形成後、前記スパッタを継続したまま、前記反応性ガスの導入を停止し、前記スパッタ粒子を前記化合物膜の上に付着・堆積させて前記化合物膜上に導電膜を形成する工程と、を少なくとも含むことを特徴とするものである。

本発明においては、ミラートロンスパッタ法により導電膜の誘電膜と接する界面を形成するときに、すなわち、（ａ）導電膜の形成を終了する終了時に、又は（ｂ）誘電膜の形成を行った後に導電膜の形成を開始する開始時に、所定の短時間だけ、導電膜を形成するためのスパッタ粒子を誘電膜の形成のために使用する反応性ガスと同種の反応性ガスと反応させる。これにより、前記導電膜の誘電膜と接する界面に、前記スパッタ粒子と前記反応性ガスとが反応してなる化合物膜を形成するようにしている。よって、本発明によれば、前記の導電膜と誘電膜との間に、前記互いに同種の反応性ガスにより形成された化合物膜を介在させるようにしているので、前記の導電膜と誘電膜との間の結合が強固になり、両者間の剥離が生じることを防止できるようになる。

また、本発明では、（ａ）前記導電膜の形成後にこの作業と連続的に（前記の導電膜形成用のスパッタを継続しながら前記反応性ガスを所定時間だけ導入するだけで）前記化合物膜を形成するように、又は、（ｂ）前記スパッタ粒子を反応性ガスと反応させて化合物膜を形成した後にこの作業と連続的に（前記の化合物膜形成用のスパッタは継続しながら前記反応性ガスの導入を停止するだけで）前記導電膜を形成するようにしている。よって、本発明によれば、前記化合物膜を極めて薄く形成することができ、又極めて簡単な作業の追加だけで形成することができるので、極めて少ない材料と極めて短い製膜時間を追加するだけで前記導電膜と誘電膜との密着性を増大させることができる。

本発明を実施するための最良の形態は、以下の実施例１について述べるような形態である。

以下、本発明の実施例１による積層型コンデンサの製造方法を説明する。図１は本実施例１の中で使用するミラートロンスパッタ装置を説明するための図、図２は本実施例１による積層型コンデンサの製造方法を説明するための図である。

図１において、１は例えばＡｇ材料から成り平面が略円板状に形成された一対のターゲットである。前記各ターゲット１は、互いに所定の距離を介して対向配置されている。また、２は前記各ターゲット１の外周部に沿うように断面が略円形に形成されている略リング状の磁石である。前記磁石２は、互いに対向する部分が対極となるように、前記各ターゲット１の背面側にそれぞれ配置されている。また、３は被処理物としての基板で、前記各ターゲット１間の空間Ｈの側方（図示上方）に配置されている。なお、前記のターゲット１、及び基板３などはいずれも図示しない真空容器内に収容されている。

また、図１において、５は前記真空容器側をアノード（陽極）に前記各ターゲット１をカソード（陰極）にしてスパッタ電力を供給するためのスパッタ電源、６は図示しないスパッタガス導入口から前記真空容器内の前記各ターゲット１の側方近傍に導入されるアルゴンなどの不活性ガス（スパッタガス）、７は前記基板３の近傍に向けて必要に応じて酸素ガスや窒素ガスなどの反応性ガスを導入するための反応性ガス導入口、である。

図１に示すミラートロンスパッタ装置においては、前述のように前記各ターゲット１の背面側にそれぞれ略円形リング状の磁石２が配置されているため、前記一対のターゲット１間の空間Ｈは、一方の磁石２から他方の磁石２に向かう方向（前記各ターゲット１のスパッタ面と略垂直な方向）に磁力線が走る磁場空間となる。前記両ターゲット１間の空間Ｈは、その周辺部（前記略円板状のターゲット１の外周に対向する略リング状部分＝前記各磁石２に対向する略リング状部分）が磁束密度が高く、その内側の中央部が磁束密度が低い状態となっている。

本実施例１においては、図１に示すようなミラートロンスパッタ装置を２つ用意し、一方の装置には導電膜を形成するためのＡｇ材料から成る一対のターゲットを収容し、他方の装置には誘電膜を形成するためのＳｉ材料から成る一対のターゲットを収容するようにしている。

図１において、前記一方のミラートロンスパッタ装置の真空容器内を真空排気した後、アルゴンガスを導入し、その後、前記各Ａｇターゲット１を陰極とすべく電圧を印加すると、前記両Ａｇターゲット１間に存在するアルゴンなどのスパッタガスはイオン化してプラズマとなり、またこれによって生じたＡｒ^＋などの陽イオンがＡｇターゲット１に入射してスパッタを起こす。なお、この段階では、前記反応性ガス導入口７からは反応性ガスは導入されていない。このとき、前述のように前記両Ａｇターゲット１間にはスパッタ面と略垂直な磁界が印加されているので、前記各Ａｇターゲット１間の空間Ｈ内では、高エネルギー電子が閉じ込められ、この高エネルギー電子が前記スパッタガスとの衝突を繰り返すことにより前記スパッタガスのイオン化が促進され、その結果、スパッタイオン数の増大化により前記Ａｇターゲット１のスパッタ速度が高められる。前記各Ａｇターゲット１からスパッタされて叩き出された原子又は粒子は、前記基板３の上に付着・堆積して、Ａｇ導電膜１１を形成する（図２参照）。

本実施例１では、前述のようにＡｇ導電膜１１が形成されるとき、その終了時の所定時間だけ（例えば数秒間だけ）、前記反応性ガス導入口７から窒素ガスを導入する。すると、前記Ａｇ導電膜１１の界面（後に形成する誘電膜１２側の界面）に、前記Ａｇターゲット１からのスパッタ粒子が前記窒素ガスと反応してＡｇＮｘ膜１１ａが形成される。

その後、前記基板３を、前記他方のミラートロンスパッタ装置（一対のＳｉターゲットを収容している）の真空容器内に入れて、前記装置により、前記Ｓｉターゲットをスパッタしながら、前記反応性ガス導入口７から窒素ガス（前記ＡｇＮｘ膜１１ａを形成したときと同種の反応性ガス）を導入する。すると、前記スパッタ粒子は前記窒素ガスと反応して、前記ＡｇＮｘ膜１１ａの上にＳｉＮｘ誘電膜１２を形成する（図２参照）。

次に、前記基板３を、前記一方のミラートロンスパッタ装置（一対のＡｇターゲットを収容している）の真空容器内に入れて、前記装置により、前記Ａｇターゲット１をスパッタしながら、前記反応性ガス導入口７から窒素ガス（前記ＳｉＮｘ膜１２を形成したときと同種の反応性ガス）を、所定の短時間だけ（例えば数秒間だけ）、導入する。すると、前記スパッタ粒子は前記窒素ガスと反応して、前記ＳｉＮｘ誘電膜１２の上にＡｇＮｘ膜１３ａを形成する（図２参照）。

前記ＡｇＮｘ膜１３ａを形成した後、前記Ａｇターゲット１のスパッタは継続したまま、前記窒素ガスの導入を停止する。すると、前記スパッタ粒子は前記ＡｇＮｘ膜１３ａの上に付着・堆積し、前記ＡｇＮｘ膜１３ａの上にＡｇ導電膜１３を形成する。

以後、同様の手順で、図２の前記Ａｇ導電膜１３上のＡｇＮｘ化合物膜１３ｂの形成、その上のＳｉＮｘ誘電膜１４の形成、その上のＡｇＮｘ化合物膜１５ａの形成、その上のＡｇ導電膜１５の形成などを行う。これにより、図２に示すような積層型コンデンサが製造される。

以上のように、本実施例１においては、ミラートロンスパッタ法によりＡｇ導電膜１１のＳｉＮｘ誘電膜１２と接する界面を形成するときに、すなわち、前記Ａｇ導電膜１１の形成を終了する終了時に、所定の短時間だけ、それまでのスパッタを継続させたまま窒素ガスを導入して、前記Ａｇ導電膜１１を形成するためのスパッタ粒子を前記窒素ガスと反応させて、前記Ａｇ導電膜１１のＳｉＮｘ誘電膜１２と接する界面にＡｇＮｘ化合物膜１１ａを形成するようにしている。よって、本実施例１によれば、前記のＡｇ導電膜１１とＳｉＮｘ誘電膜１２との間に、両者に共通のＮｘ成分を有するＡｇＮｘ化合物膜１１ａを介在させるようにしたので、前記のＡｇ導電膜１１とＳｉＮｘ誘電膜１２との間の結合が強固になり、両者間の剥離が生じることを防止できるようになる。

また、本実施例１では、前記Ａｇ導電膜１１を形成する作業と連続的に（前記スパッタを継続しながら窒素ガスを所定時間だけ導入するだけで）前記ＡｇＮｘ化合物膜１１ａを形成するようにしているので、前記ＡｇＮｘ化合物膜１１ａは極めて薄く形成するだけでよく、少ない材料と短い製膜時間を付加するだけで前記Ａｇ導電膜１１とＳｉｎｘ誘電膜１２との密着性を増大させることができる（なお、本実施例１において、Ａｇ導電膜１３のＳｉＮｘ誘電膜１４と接する界面にＡｇＮｘ化合物膜１３ｂを形成する場合も、上記と同様である）。

また、本実施例１においては、ミラートロンスパッタ法によりＡｇ導電膜１３のＳｉＮｘ誘電膜１２と接する界面を形成するときに、すなわち、前記ＳｉＮｘ誘電膜１２の形成後に前記Ａｇ導電膜１３の形成を開始する開始時に、前記Ａｇターゲットをスパッタしながら、所定の短時間だけ窒素ガスを導入し、前記スパッタ粒子を前記窒素ガスと反応させて、前記Ａｇ導電膜１３のＳｉＮｘ誘電膜１２と接する界面にＡｇＮｘ化合物膜１３ａを形成するようにしている。よって、本実施例１によれば、前記のＡｇ導電膜１３とＳｉＮｘ誘電膜１２との間に、両者に共通するＮｘ成分を有するＡｇＮｘ化合物膜１３ａを介在させるようにしたので、前記のＡｇ導電膜１３とＳｉＮｘ誘電膜１２との間の結合が強固になり、両者間の剥離が生じることを防止できるようになる。

また、本実施例１では、前記ＡｇＮｘ化合物膜１３ａを形成した後にその作業と連続的に（前記Ａｇターゲットのスパッタは継続しながら前記窒素ガスの導入を停止するだけで）前記Ａｇ導電膜１３を形成するようにしているので、前記ＡｇＮｘ化合物膜１３ａは、極めて薄く形成することができ、又極めて簡単な作業の追加だけで形成することができる。よって、本実施例１によれば、極めて少ない材料と極めて短い製膜時間を付加するだけで前記Ａｇ導電膜１３とＳｉＮｘ誘電膜１２との密着性を増大させることができる（なお、本実施例１において、Ａｇ導電膜１５のＳｉＮｘ誘電膜１４と接する界面にＡｇＮｘ化合物膜１５ａを形成する場合も、上記と同様である）。

次に、本発明の実施例２による積層型コンデンサの製造方法を図３を参照して説明する。本実施例２で使用するミラートロンスパッタ装置（図１参照）とその基本動作は前記実施例１と同様であるので説明を省略し、本実施例２による固有の動作を中心に以下に説明する。

本実施例２においては、２つのミラートロンスパッタ装置を用意し、一方の装置には導電膜を形成するためのＣｕ材料から成る一対のターゲットを収容し、他方の装置には誘電膜を形成するためのＳｉ材料から成る一対のターゲットを収容するようにしている。

図１において、前記一方のミラートロンスパッタ装置の真空容器内を真空排気した後、アルゴンガスを導入し、その後、前記各ターゲット１を陰極とすべく電圧を印加すると、前記両Ｃｕターゲット１間に存在するアルゴンなどのスパッタガスはイオン化してプラズマとなり、またこれによって生じたＡｒ^＋などの陽イオンがＣｕターゲット１に入射してスパッタを起こす。なお、この段階では、前記反応性ガス導入口７からは反応性ガスは導入されていない。このとき、前述のように前記両Ｃｕターゲット１間にはスパッタ面と略垂直な磁界が印加されているので、前記各Ｃｕターゲット１間の空間Ｈ内では、高エネルギー電子が閉じ込められ、この高エネルギー電子が前記スパッタガスとの衝突を繰り返すことにより前記スパッタガスのイオン化が促進され、その結果、スパッタイオン数の増大化により前記Ｃｕターゲット１のスパッタ速度が高められる。前記各Ｃｕターゲット１からスパッタされて叩き出された原子又は粒子は、前記基板３の上に付着・堆積して、Ｃｕ導電膜２１が形成される。

本実施例２では、前述のようにしてＣｕ導電膜２１が形成されるとき、その終了時の所定時間だけ（例えば数秒間だけ）、前記反応性ガス導入口７から酸素ガスが導入される。すると、前記Ｃｕ導電膜２１の界面（後に形成されるＳｉＯｘ誘電膜２２側の界面）に前記Ｃｕターゲット１からのスパッタ粒子が前記窒素ガスと反応してＣｕＯｘ化合物膜２１ａが形成される。

その後、前記基板３を、前記他方のミラートロンスパッタ装置（一対のＳｉターゲットを収容している）の真空容器内に入れて、前記装置により、前記Ｓｉターゲットをスパッタしながら、前記反応性ガス導入口７から酸素ガス（前記ＣｕＮｘ膜２１ａを形成したときと同種の反応性ガス）を導入する。すると、前記スパッタ粒子は前記酸素ガスと反応して、前記ＣｕＯｘ膜２１ａの上にＳｉＯｘ誘電膜２２を形成する。

次に、前記基板３を、前記一方のミラートロンスパッタ装置（一対のＣｕターゲットを収容している）の真空容器内に入れて、前記装置により、前記Ｃｕターゲットをスパッタしながら、前記反応性ガス導入口７から酸素ガス（前記ＣｕＯｘ誘電膜２２を形成したときと同種の反応性ガス）を、所定の短時間だけ（例えば数秒間だけ）導入する。すると、前記スパッタ粒子は前記酸素ガスと反応して、前記ＳｉＯｘ誘電膜２２の上にＣｕＯｘ化合物膜２３ａを形成する。

次に、前記ＣｕＯｘ化合物膜２３ａを形成したら、前記Ｃｕターゲットのスパッタは継続したまま、前記酸素ガスの導入を停止する。すると、前記スパッタ粒子は前記ＣｕＯｘ化合物膜２３ａの上に付着・堆積し、Ｃｕ導電膜２３を形成する。

以後、同様の手順で、図３の前記Ｃｕ導電膜２３上のＣｕＯｘ化合物膜２３ｂの形成、その上のＳｉＯｘ膜２４の形成、その上のＣｕＯｘ化合物膜２５ａの形成、その上のＣｕ導電膜２５の形成などを行う。これにより、図３に示すような積層型コンデンサが製造される。

以上のように、本実施例２においては、ミラートロンスパッタ法により導電膜２１の誘電膜２２と接する界面を形成するときに、すなわち、Ｃｕ導電膜２１の形成を行った終了時に、所定の短時間だけ、それまでのスパッタを継続させたまま、前記Ｃｕ導電膜２１を形成するためのスパッタ粒子を酸素ガスと反応させて、前記Ｃｕ導電膜２１のＳｉＯｘ誘電膜２２と接する界面にＣｕＯｘ化合物膜２１ａを形成するようにしている。よって、本実施例２によれば、前記のＣｕ導電膜２１とＳｉＯｘ誘電膜２２との間に、両者に共通のＯｘ成分を有するＣｕＯｘ化合物膜２１ａを介在させるようにしたので、前記のＣｕ導電膜２１とＳｉＯｘ誘電膜２２との間の結合が強固になり、両者間の剥離が生じることを防止できるようになる（なお、本実施例２において、Ｃｕ導電膜２３のＳｉＯｘ誘電膜２４と接する界面にＣｕＯｘ化合物膜２３ｂを形成する場合も、上記と同様である）。

また、本実施例２においては、ミラートロンスパッタ法によりＣｕ導電膜２３のＳｉＯｘ誘電膜２２と接する界面を形成するときに、すなわち、Ｃｕ導電膜２３の形成の開始時に（ＳｉＯｘ誘電膜２２の形成を行った終了時かその直後に）、所定の短時間だけ、前記Ｃｕターゲットをスパッタしながら、そのスパッタ粒子を酸素ガスと反応させて、前記Ｃｕ導電膜２３のＳｉＯｘ誘電膜２２と接する界面に（すなわちＳｉＯｘ誘電膜２２の上に）ＣｕＯｘ化合物膜２３ａを形成するようにしている。よって、本実施例２によれば、前記のＣｕ導電膜２３とＳｉＯｘ誘電膜２２との間に、両者に共通のＯｘ成分を有するＣｕＯｘ化合物膜２３ａを介在させるようにしたので、前記のＣｕ導電膜２３とＳｉＯｘ誘電膜２２との間の結合が強固になり、両者間の剥離が生じることを防止できるようになる（なお、本実施例２において、Ｃｕ導電膜２５のＳｉＯｘ誘電体２４と接する界面にＣｕＯｘ化合物膜２５ａを形成する場合も、上記と同様である）。なお、本実施例２によるその他の作用効果は、前記実施例１と同様であるので説明を省略する。

以上、本発明の各実施例について説明したが、本発明及び本発明を構成する各構成要件は、それぞれ、前記の各実施例及び前記の各実施例を構成する各要素として述べたものに限定されるものではなく、様々な修正及び変更が可能である。例えば、前記各実施例１，２においては、導電膜形成用の一対のターゲットを収容するミラートロンスパッタ装置と誘電膜形成用の一対のターゲットを収容するミラートロンスパッタ装置との２つの装置を用意しておき、導電膜と誘電膜を交互に形成するときそれに合わせて前記基板３を２つの装置の間で往復移動させるようにしているが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、基板上に導電膜と誘電膜を交互に形成するとき、それに合わせて、一つのミラートロンスパッタ装置の中に収容されているターゲットを導電膜形成用と誘電膜形成用とに交互に切り替えるようにしてもよい。また、本発明では、一つの真空容器の中に導電膜形成用のターゲットと誘電膜形成用のターゲットとを配置しておき、基板上に導電膜と誘電膜を交互に形成するとき、それに合わせて、基板を、それぞれの膜に対応するターゲット間の磁場空間の側方に移動させるようにしてもよい。

本発明の実施例１に使用するミラートロンスパッタ装置の構成を説明するための概略図。本実施例１による積層型コンデンサの製造方法を説明するための図。本発明の実施例２による積層型コンデンサの製造方法を説明するための図。従来の積層型コンデンサの製造方法を説明するための図。

符号の説明

１ターゲット
２磁石
３基板
５スパッタ電源
６不活性ガス
７反応性ガス導入口
８スパッタされて叩き出された原子又は粒子
Ｈ両ターゲット間の磁場空間
１１，１３，１５Ａｇ導電膜
１１ａ，１３ａ，１３ｂ，１５ａＡｇＮｘ化合物膜
２１，２３，２５Ｃｕ導電膜
２１ａ，２３ａ，２３ｂ，２５ａＣｕＯｘ化合物膜
１２，１４ＳｉＮｘ誘電膜
２２，２４ＳｉＯｘ誘電膜

Claims

基板の上に導電膜と誘電膜とを交互に積層して成る積層型コンデンサの製造方法であって、
導電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタし、このスパッタ粒子を前記各ターゲット間の空間の側方に配置された基板上に付着・堆積させて前記基板上に第１導電膜を形成する工程と、
前記第１導電膜の形成の終了時であって前記スパッタの継続中に、後の誘電膜の形成のために使用する反応性ガスと同種の反応性ガスを所定の短時間だけ前記基板の近傍に導入し、前記スパッタ粒子を前記反応性ガスと反応させながら前記第１導電膜の上に付着・堆積させて前記第１導電膜上に第１化合物膜を形成する工程と、
前記第１化合物膜の形成後、誘電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタし、このスパッタ粒子を所定の反応性ガスと反応させながら前記第１化合物膜の上に付着・堆積させて前記第１化合物膜上に誘電膜を形成する工程と、
前記誘電膜の形成後、導電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタしながら前記誘電膜の形成に使用した反応性ガスと同種の反応性ガスを所定の短時間だけ前記基板の近傍に導入し、前記スパッタ粒子を前記反応性ガスと反応させながら前記誘電膜の上に付着・堆積させて前記誘電膜上に第２化合物膜を形成する工程と、
前記第２化合物膜の形成後、前記スパッタを継続したまま、前記反応性ガスの導入を停止し、前記スパッタ粒子を前記第２化合物膜の上に付着・堆積させて前記第２化合物膜上に第２導電膜を形成する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする、積層型コンデンサの製造方法。
基板の上に導電膜と誘電膜とを交互に積層して成る積層型コンデンサの製造方法であって、
導電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタし、このスパッタ粒子を前記各ターゲット間の空間の側方に配置された基板又はこの基板上に形成されている膜の上に付着・堆積させて前記基板または前記膜上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜の形成の終了時であって前記スパッタの継続中に、後の誘電膜の形成のために使用する反応性ガスと同種の反応性ガスを所定の短時間だけ前記基板の近傍に導入し、前記スパッタ粒子を前記反応性ガスと反応させながら前記導電膜の上に付着・堆積させて前記導電膜上に化合物膜を形成する工程と、
前記化合物膜の形成後、誘電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタし、このスパッタ粒子を前記化合物膜の形成に使用した反応性ガスと同種の反応性ガスと反応させながら前記化合物膜の上に付着・堆積させて前記化合物膜上に誘電膜を形成する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする、積層型コンデンサの製造方法。
基板の上に導電膜と誘電膜とを交互に積層して成る積層型コンデンサの製造方法であって、
誘電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタし、このスパッタ粒子を所定の反応性ガスと反応させながら前記基板上の導電膜又はその上の他の膜の上に付着・堆積させて前記導電膜又は前記他の膜上に誘電膜を形成する工程と、
前記誘電膜の形成後、導電膜形成用の一対のターゲットと磁石を含むミラートロンスパッタ装置により、前記各ターゲットをスパッタしながら前記誘電膜の形成に使用した反応性ガスと同種の反応性ガスを所定の短時間だけ前記基板の近傍に導入し、前記スパッタ粒子を前記反応性ガスと反応させながら前記誘電膜の上に付着・堆積させて前記誘電膜上に化合物膜を形成する工程と、
前記化合物膜の形成後、前記スパッタを継続したまま、前記反応性ガスの導入を停止し、前記スパッタ粒子を前記化合物膜の上に付着・堆積させて前記化合物膜上に導電膜を形成する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする、積層型コンデンサの製造方法。