JP4854060B2 - Manufacturing method of laser processed product using protective sheet for laser processing - Google Patents
Manufacturing method of laser processed product using protective sheet for laser processing Download PDFInfo
- Publication number
- JP4854060B2 JP4854060B2 JP2004373853A JP2004373853A JP4854060B2 JP 4854060 B2 JP4854060 B2 JP 4854060B2 JP 2004373853 A JP2004373853 A JP 2004373853A JP 2004373853 A JP2004373853 A JP 2004373853A JP 4854060 B2 JP4854060 B2 JP 4854060B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- protective sheet
- workpiece
- processing
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
Description
本発明は、レーザー光の赤外吸収アブレーションにより被加工物を加工する際に使用するレーザー加工用保護シートに関する。また本発明は、シート材料、回路基板、半導体ウエハ、ガラス基板、セラミック基板、金属基板、半導体レーザー等の発光あるいは受光素子基板、ＭＥＭＳ基板、半導体パッケージ、布、皮、又は紙などの各種被加工物に、レーザー光の赤外吸収アブレーションにより切断、孔あけ、マーキング、溝加工、スクライビング加工、又はトリミング加工などの形状加工を施すことによって得られるレーザー加工品の製造方法に関する。 The present invention relates to a protective sheet for laser processing used when processing a workpiece by infrared absorption ablation of laser light. In addition, the present invention is applicable to various processing such as sheet materials, circuit boards, semiconductor wafers, glass substrates, ceramic substrates, metal substrates, light emitting or receiving element substrates such as semiconductor lasers, MEMS substrates, semiconductor packages, cloth, leather, or paper. The present invention relates to a method for manufacturing a laser processed product obtained by subjecting an object to shape processing such as cutting, drilling, marking, grooving, scribing, or trimming by infrared absorption ablation of laser light.
最近の電気・電子機器の小型化等に伴って部品の小型化・高精細化が進んでいる。そのため、各種材料の外形加工についても、加工精度が±５０μｍあるいはそれ以下の高精細・高精度化が求められてきている。しかしながら、従来のプレス加工等の打ち抜き加工では精度がせいぜい±１００μｍ程度であり、近年の高精度化の要求には対応できなくなってきている。また、各種材料の孔あけについても、高精細・高精度化が求められており、従来のドリルや金型による孔あけでは対応が不可能となってきている。 With the recent miniaturization of electrical and electronic equipment, parts are becoming smaller and higher definition. For this reason, high-definition and high-precision processing with an accuracy of ± 50 μm or less has been demanded for external processing of various materials. However, the conventional punching process such as press working has an accuracy of about ± 100 μm at most, and cannot meet the recent demand for higher precision. Also, high-definition and high-precision are required for drilling various materials, and it has become impossible to perform drilling with conventional drills or dies.
近年、その解決方法としてレーザー光を用いた各種材料の加工方法が注目されている。上記技術としては、例えば、被加工物のダイシング方法として、被加工物をダイシングシートに支持固定して、レーザー光線により被加工物をダイシングする方法が提案されている（特許文献１）。また、ウォーターマイクロジェットとレーザーを組み合わせて半導体ウエハをダイシングする方法も提案されている（特許文献２）。前記特許文献に記載のダイシングシートは、被加工物のレーザー光出射面側に設けられ、ダイシング時及びその後の各工程で被加工物（レーザー加工品）を支持固定するために用いられるものである。 In recent years, various methods for processing various materials using laser light have attracted attention as a solution. As the above technique, for example, as a method for dicing a workpiece, a method is proposed in which the workpiece is supported and fixed on a dicing sheet and the workpiece is diced with a laser beam (Patent Document 1). A method of dicing a semiconductor wafer by combining a water microjet and a laser has also been proposed (Patent Document 2). The dicing sheet described in the patent document is provided on the laser beam emitting surface side of the workpiece, and is used for supporting and fixing the workpiece (laser processed product) during dicing and in each subsequent process. .
ところで、レーザー光を用いた場合には、レーザー加工時に発生するカーボン等の分解物が被加工物の表面に付着するため、それを除去するデスミアといわれる後処理が必要となる。分解物の付着強度は、レーザー光のパワーに比例して強固となるため、レーザー光のパワーを高くすると後処理での分解物の除去が困難になるという問題があった。
本発明は、レーザー光の赤外吸収アブレーションにより被加工物を加工する場合に、分解物による被加工物表面の汚染を効果的に抑制することのできるレーザー加工用保護シートを提供することを目的とする。また本発明は、前記レーザー加工用保護シートを用いたレーザー加工品の製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a protective sheet for laser processing capable of effectively suppressing contamination of the surface of the work piece by a decomposition product when the work piece is processed by infrared absorption ablation of laser light. And It is another object of the present invention to provide a method for producing a laser processed product using the laser processing protective sheet.
本発明者らは前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、下記レーザー加工用保護シート（以下、保護シートともいう）により上記目的を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the above object can be achieved by the following protective sheet for laser processing (hereinafter also referred to as protective sheet), and have completed the present invention.
すなわち、レーザー光の赤外吸収アブレーションにより被加工物を加工する際に使用するレーザー加工用保護シートであって、前記保護シートは、少なくとも基材を有しており、かつ前記基材のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が２×１０−４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ２）〕以上であることを特徴とするレーザー加工用保護シート、に関する。 That is, a protective sheet for laser processing used when processing a workpiece by infrared absorption ablation of laser light, the protective sheet having at least a base material, and an etching rate of the base material The present invention relates to a protective sheet for laser processing, wherein (etching rate / energy fluence) is 2 × 10 −4 [(μm / pulse) / (J / cm 2 )] or more.
前記保護シートは、レーザー光の赤外吸収アブレーションにより被加工物をレーザー加工する前に、被加工物のレーザー光照射面側（レーザー光入射面側）に積層され、アブレーションによって発生する分解物や飛散物から被加工物表面を保護するために用いられるものである。基材のエッチング速度（μｍ／ｐｕｌｓｅ）を、使用するレーザーのエネルギーフルエンス（Ｊ／ｃｍ２）で割った値であるエッチング率は、基材のレーザー加工性の程度を示すものであり、該エッチング率が大きいほどエッチングされやすいことを示す。前記エッチング率の算出方法は詳しくは実施例の記載による。 The protective sheet is laminated on the laser light irradiation surface side (laser light incident surface side) of the work piece before laser processing the work piece by infrared absorption ablation of laser light. It is used to protect the workpiece surface from scattered objects. The etching rate which is a value obtained by dividing the etching rate (μm / pulse) of the substrate by the energy fluence (J / cm 2 ) of the laser used indicates the degree of laser processability of the substrate. It shows that it is easy to etch, so that a rate is large. The calculation method of the etching rate is described in detail in the examples.
本発明においては、基材のエッチング率が２×１０−４以上である保護シートを用いることにより、分解物による被加工物表面の汚染を効果的に抑制することができる。その理由としては、以下のように考えられる。基材のエッチング率が２×１０−４以上の場合には、基材のレーザーエネルギー利用効率が大きいため被加工物よりも先に基材がレーザー光によりエッチングされる。保護シートのレーザー光照射部がエッチングされた後に下層の被加工物がエッチングされるが、被加工物の分解物は保護シートのエッチング部分から外部に効率的に飛散するため、保護シートと被加工物との界面部分に進入しにくくなり、その結果、被加工物表面の汚染を抑制できると考えられる。 In the present invention, by using a protective sheet having a base material etching rate of 2 × 10 −4 or more, contamination of the workpiece surface due to the decomposition product can be effectively suppressed. The reason is considered as follows. When the etching rate of the base material is 2 × 10 −4 or more, the base material is etched by laser light before the workpiece because the laser energy utilization efficiency of the base material is large. The underlying workpiece is etched after the laser irradiation part of the protective sheet is etched, but the decomposed material of the workpiece is efficiently scattered outside from the etched portion of the protective sheet. It becomes difficult to enter the interface with the workpiece, and as a result, contamination of the workpiece surface can be suppressed.
前記基材のエッチング率は、３×１０−４以上であることが好ましく、さらに好ましくは４×１０−４以上である。エッチング率が２×１０−４未満の場合には、光エネルギー吸収体である被加工物へのエネルギー伝達が増加し、基材がレーザー光により十分にエッチングされる前に、保護シートを透過したレーザー光により被加工物のエッチングが進行する。そして、その場合には、被加工物のエッチングにより生じた分解物の飛散経路がないため、保護シートと被加工物との界面部分に分解物が入り込んで被加工物表面を汚染する恐れがある。前記のように被加工物表面が分解物によって汚染されると、被加工物をレーザー加工した後に、保護シートを被加工物から剥離することが困難になったり、後処理での分解物除去が困難になったり、被加工物の加工精度が低下する傾向にある。 The etching rate of the substrate is preferably 3 × 10 −4 or more, and more preferably 4 × 10 −4 or more. When the etching rate is less than 2 × 10 −4 , energy transmission to the workpiece, which is a light energy absorber, increases, and the substrate is transmitted through the protective sheet before being sufficiently etched by the laser light. The workpiece is etched by the laser beam. In such a case, there is no scattering path for the decomposition product generated by etching the workpiece, so that the decomposition product may enter the interface portion between the protective sheet and the workpiece and contaminate the workpiece surface. . If the workpiece surface is contaminated with decomposition products as described above, it becomes difficult to peel off the protective sheet from the workpiece after laser processing the workpiece, or removal of decomposition products in post-processing is difficult. It tends to be difficult and the processing accuracy of the workpiece tends to decrease.
前記保護シートは、基材上に粘着剤層が設けられているものであることが好ましい。保護シートに粘着性を付与することにより、保護シートと被加工物との界面の密着性を向上させることができるため、分解物の界面への侵入を抑制することができ、その結果分解物による被加工物表面の汚染を抑制することが可能となる。 It is preferable that the said protective sheet is what is provided with the adhesive layer on the base material. By imparting adhesiveness to the protective sheet, it is possible to improve the adhesion of the interface between the protective sheet and the workpiece, so that the entry of the decomposed product into the interface can be suppressed, and as a result, It becomes possible to suppress contamination of the workpiece surface.
本発明においては、前記基材が、芳香族系ポリマー又はシリコン系ゴムを含有してなるものであることが好ましい。基材の形成材料として芳香族系ポリマー又はシリコン系ゴムを用いることにより、基材のエッチング率を２×１０−４以上に調整しやすくなる。 In this invention, it is preferable that the said base material contains an aromatic polymer or silicone rubber. By using an aromatic polymer or silicon rubber as the material for forming the base material, it becomes easy to adjust the etching rate of the base material to 2 × 10 −4 or more.
本発明は、レーザー光の赤外吸収アブレーションにより被加工物を加工する際に使用され、少なくとも基材を有し、かつ前記基材の下記式にて表わされるエッチング率が２×１０−４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ２）〕以上であるレーザー加工用保護シートを被加工物のレーザー光入射面側に貼り合わせて設置する工程（１）、レーザー光を照射してレーザー加工用保護シートのレーザー光照射部をエッチングした後に下層の被加工物をエッチングして被加工物を加工する工程（２）、及びレーザー加工用保護シートを加工後の被加工物から剥離する工程（３）を含むレーザー加工品の製造方法、に関する。
エッチング率＝エッチング速度／エネルギーフルエンス
The present invention is used when processing a workpiece by infrared absorption ablation of laser light, has at least a base material, and has an etching rate of 2 × 10 −4 [ (Μm / pulse) / (J / cm 2 )] A step (1) in which a protective sheet for laser processing as described above is attached to the laser beam incident surface side of the workpiece, and laser processing is performed by irradiating the laser beam A step (2) of processing the workpiece by etching the lower layer workpiece after etching the laser light irradiation portion of the protective sheet for the substrate, and a step of peeling the protective sheet for laser processing from the workpiece after the processing ( And 3) a method for manufacturing a laser processed product.
Etching rate = etching rate / energy fluence
前記被加工物は、シート材料、回路基板、半導体ウエハ、ガラス基板、セラミック基板、金属基板、半導体レーザーの発光あるいは受光素子基板、ＭＥＭＳ基板、又は半導体パッケージであることが好ましい。また、前記加工は、被加工物を切断又は孔あけする加工であることが好ましい。 The workpiece is preferably a sheet material, a circuit board, a semiconductor wafer, a glass substrate, a ceramic substrate, a metal substrate, a semiconductor laser light emitting or receiving element substrate, a MEMS substrate, or a semiconductor package. Moreover, it is preferable that the said process is a process which cuts or drills a to-be-processed object.
本発明の保護シートは、特に半導体ウエハをダイシングして半導体チップを製造する場合に好適に用いられる。 The protective sheet of the present invention is preferably used particularly when a semiconductor chip is produced by dicing a semiconductor wafer.
本発明で用いられるレーザーとしては、赤外光吸収によるアブレーション加工が可能なレーザーを用いる。このようなレーザーを用いることにより、ハイパワー出力による高スループットが期待できる。特に、１０００ｎｍ程度の赤外線を放射するレーザーを用いることが好ましい。具体的には、ＹＡＧレーザーの基本波（波長１０６４ｎｍ）が挙げられる。 As the laser used in the present invention, a laser capable of ablation processing by infrared light absorption is used. By using such a laser, high throughput with high power output can be expected. In particular, it is preferable to use a laser that emits infrared rays of about 1000 nm. Specifically, the fundamental wave (wavelength 1064nm) of a YAG laser is mentioned.
被加工物としては、上記レーザーにより出力されたレーザー光の赤外吸収アブレーションにより加工できるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、各種シート材料、回路基板、半導体ウエハ、ガラス基板、セラミック基板、金属基板、半導体レーザー等の発光あるいは受光素子基板、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）基板、半導体パッケージ、布、皮、及び紙などが挙げられる。 The workpiece is not particularly limited as long as it can be processed by infrared absorption ablation of the laser beam output from the laser. For example, various sheet materials, circuit boards, semiconductor wafers, glass substrates, ceramics Examples include a substrate, a metal substrate, a light-emitting or light-receiving element substrate such as a semiconductor laser, a MEMS (Micro Electro Mechanical System) substrate, a semiconductor package, cloth, leather, and paper.
本発明の保護シートは、特にシート材料、回路基板、半導体ウエハ、ガラス基板、セラミック基板、金属基板、半導体レーザーの発光あるいは受光素子基板、ＭＥＭＳ基板、又は半導体パッケージの加工に好適に用いることができる。 The protective sheet of the present invention can be suitably used particularly for processing a sheet material, a circuit board, a semiconductor wafer, a glass substrate, a ceramic substrate, a metal substrate, a semiconductor laser light emitting or receiving element substrate, a MEMS substrate, or a semiconductor package. .
前記各種シ−ト材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂等からなる高分子フィルムや不織布、それらの樹脂を延伸加工、含浸加工等により物理的あるいは光学的な機能を付与したシート、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属シート、又は上記高分子フィルム及び／又は金属シートを直接あるいは接着剤等を介して積層したものなどが挙げられる。 Examples of the various sheet materials include polyimide resins, polyester resins, epoxy resins, urethane resins, polystyrene resins, polyethylene resins, polyamide resins, polycarbonate resins, silicone resins, and fluorine resins. Polymer films and nonwoven fabrics composed of, etc., sheets obtained by stretching or impregnating those resins with physical or optical functions, metal sheets such as copper, aluminum, stainless steel, or the above polymer films and / or Examples include a metal sheet laminated directly or via an adhesive.
前記回路基板としては、片面、両面あるいは多層フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ、セラミック、又は金属コア基板等からなるリジッド基板、ガラスまたはポリマー上に形成された光回路あるいは光−電気混成回路基板などが挙げられる。 Examples of the circuit board include a single-sided, double-sided or multilayer flexible printed board, a rigid board made of glass epoxy, ceramic, or metal core board, an optical circuit formed on glass or polymer, or an opto-electric hybrid circuit board. It is done.
本発明の保護シートは、レーザー光の赤外吸収アブレーションにより被加工物を加工する際に使用するシートである。該保護シートは、少なくとも基材を有しており、かつ基材のエッチング率が２×１０−４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ２）〕以上であることを特徴とする。 The protective sheet of the present invention is a sheet used when processing a workpiece by infrared absorption ablation of laser light. The protective sheet has at least a base material, and the etching rate of the base material is 2 × 10 −4 [(μm / pulse) / (J / cm 2 )] or more.
基材の形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、（メタ）アクリル系ポリマー、シリコン系ゴム、及びポリプロピレン、ポリエチレンオキサイドなどのポリオレフィン系ポリマーなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのうち、芳香族系ポリマーを用いることが好ましく、特にポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、又はポリカーボネートを用いることが好ましい。また、シリコン系ゴムを用いることも好ましい。 Examples of the base material include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyimide, (meth) acrylic polymer, silicon rubber, and polyolefin polymer such as polypropylene and polyethylene oxide. It is not limited to these. Among these, it is preferable to use an aromatic polymer, and it is particularly preferable to use polyimide, polyethylene naphthalate, polystyrene, or polycarbonate. It is also preferable to use silicon rubber.
基材には充填剤を添加することが好ましい。充填剤とは、エッチング率を２×１０−４以上にするために添加する材料であり、例えば、顔料、染料、色素、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ等の金属微粒子、及び金属コロイド、カーボン等の無機微粒子などが挙げられる。 It is preferable to add a filler to the substrate. The filler is a material added to increase the etching rate to 2 × 10 −4 or more, for example, metal fine particles such as pigments, dyes, dyes, Au, Cu, Pt, Ag, metal colloids, carbon, etc. And inorganic fine particles.
色素は、使用するレーザーの特定波長の光を吸収するものであればよく、また染料としては、塩基性染料、酸性染料、直接染料などの各種染料を用いることができる。前記染料又は色素としては、例えば、ニトロ染料、ニトロソ染料、スチルベン染料、ピラゾロン染料、チアゾール染料、アゾ染料、ポリアゾ染料、カルボニウム染料、キノアニル染料、インドフェノール染料、インドアニリン染料、インダミン染料、キノンイミン染料、アジン染料、酸化染料、オキサジン染料、チアジン染料、アクリジン染料、ジフェニルメタン染料、トリフェニルメタン染料、キサンテン染料、チオキサンテン染料、硫化染料、ピリジン染料、ピリドン染料、チアジアゾール染料、チオフェン染料、ベンゾイソチアゾール染料、ジシアノイミダゾール染料、ベンゾピラン染料、ベンゾジフラノン染料、キノリン染料、インジゴ染料、チオインジゴ染料、アントラキノン染料、ベンゾフェノン染料、ベンゾキノン染料、ナフトキノン染料、フタロシアニン染料、シアニン染料、メチン染料、ポリメチン染料、アゾメチン染料、縮合メチン染料、ナフタルイミド染料、ペリノン染料、トリアリールメタン染料、ザンセン染料、アミノケトン染料、オキシケトン染料、及びインジゴイド染料などが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 The dye only needs to absorb light having a specific wavelength of the laser to be used. As the dye, various dyes such as a basic dye, an acid dye, and a direct dye can be used. Examples of the dye or pigment include nitro dye, nitroso dye, stilbene dye, pyrazolone dye, thiazole dye, azo dye, polyazo dye, carbonium dye, quinoanyl dye, indophenol dye, indoaniline dye, indamine dye, quinoneimine dye, Azine dye, oxidation dye, oxazine dye, thiazine dye, acridine dye, diphenylmethane dye, triphenylmethane dye, xanthene dye, thioxanthene dye, sulfur dye, pyridine dye, pyridone dye, thiadiazole dye, thiophene dye, benzoisothiazole dye, Dicyanoimidazole dye, benzopyran dye, benzodifuranone dye, quinoline dye, indigo dye, thioindigo dye, anthraquinone dye, benzophenone dye, benzoquinone dye, naphtho Examples include quinone dyes, phthalocyanine dyes, cyanine dyes, methine dyes, polymethine dyes, azomethine dyes, condensed methine dyes, naphthalimide dyes, perinone dyes, triarylmethane dyes, xanthene dyes, aminoketone dyes, oxyketone dyes, and indigoid dyes. . These may be used alone or in combination of two or more.
また、染料又は色素は、非線形光学色素であってもよい。非線形光学色素としては、特に制限されず、公知の非線形光学色素（例えば、ベンゼン系非線形光学色素、スチルベン系非線形光学色素、シアニン系非線形光学色素、アゾ系非線形光学色素、ローダミン系非線形光学色素、ビフェニル系非線形光学色素、カルコン系非線形光学色素、及びシアノ桂皮酸系非線形光学色素など）が挙げられる。 The dye or pigment may be a nonlinear optical pigment. The nonlinear optical dye is not particularly limited, and is a known nonlinear optical dye (for example, benzene-based nonlinear optical dye, stilbene-based nonlinear optical dye, cyanine-based nonlinear optical dye, azo-based nonlinear optical dye, rhodamine-based nonlinear optical dye, biphenyl). Non-linear optical dyes, chalcone non-linear optical dyes, and cyanocinnamic acid non-linear optical dyes).
さらに、染料又は色素としては、いわゆる「機能性色素」も用いることができる。前記機能性色素は、例えば、キャリアー生成材料とキャリアー移動材料とで構成されている。キャリアー生成材料としては、例えば、ペリレン系顔料、キノン系顔料、スクアリリウム色素、アズレニウム色素、チアピリリウム色素、ビスアゾ系顔料などが挙げられる。キャリアー移動材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン誘導体、及びアリールアミン誘導体などが挙げられる。 Furthermore, as the dye or pigment, a so-called “functional pigment” can also be used. The functional dye is composed of, for example, a carrier generating material and a carrier transfer material. Examples of the carrier generating material include perylene pigments, quinone pigments, squarylium dyes, azurenium dyes, thiapyrylium dyes, bisazo pigments, and the like. Examples of the carrier transfer material include oxadiazole derivatives, oxazole derivatives, pyrazoline derivatives, hydrazone derivatives, and arylamine derivatives.
前記充填剤の添加量は、使用するベースポリマー自体のエッチング率などによって適宜調整することができるが、通常ベースポリマー１００重量部に対して５重量部程度であり、好ましくは３重量部程度である。 The amount of the filler added can be appropriately adjusted depending on the etching rate of the base polymer itself used, but is usually about 5 parts by weight, preferably about 3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer. .
基材は単層であってもよく複層であってもよい。また、膜状やメッシュ状など種々の形状を取り得る。 The substrate may be a single layer or a multilayer. Moreover, various shapes, such as a film | membrane form and a mesh form, can be taken.
基材の厚さは、被加工物上への貼り合わせ、被加工物の切断や孔あけ、及び切断片の剥離や回収などの各工程における操作性や作業性を損なわない範囲で適宜調整することができるが、通常５００μｍ以下であり、好ましくは３〜３００μｍ程度であり、さらに好ましくは５〜２５０μｍである。基材の表面は、粘着剤層との密着性、保持性などを高めるために慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン曝露、火炎曝露、高圧電撃曝露、及びイオン化放射線処理などの化学的又は物理的処理が施されていてもよい。 The thickness of the base material is appropriately adjusted within a range that does not impair the operability and workability in each process such as bonding onto the work piece, cutting and punching of the work piece, and peeling and recovery of the cut piece. However, it is usually 500 μm or less, preferably about 3 to 300 μm, and more preferably 5 to 250 μm. The surface of the substrate is chemically treated with conventional surface treatments such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high piezoelectric impact exposure, and ionizing radiation treatment to enhance adhesion to the adhesive layer, retention, etc. Alternatively, physical treatment may be performed.
粘着剤層の形成材料としては、（メタ）アクリル系ポリマーやゴム系ポリマーなどを含む公知の粘着剤を用いることができる。 As a material for forming the pressure-sensitive adhesive layer, known pressure-sensitive adhesives including (meth) acrylic polymers and rubber-based polymers can be used.
（メタ）アクリル系ポリマーを形成するモノマー成分としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プルピル基、イソプルピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、及びドデシル基などの炭素数３０以下、好ましくは炭素数４〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。これらアルキル（メタ）アクリレートは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 Examples of the monomer component for forming the (meth) acrylic polymer include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, and a hexyl group. Group, heptyl group, cyclohexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, and Examples thereof include alkyl (meth) acrylates having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, preferably 4 to 18 carbon atoms, such as a dodecyl group. These alkyl (meth) acrylates may be used alone or in combination of two or more.
上記以外のモノマー成分としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、及びクロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸や無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、及び（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、及び（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマーなどが挙げられる。これらモノマー成分は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 Other monomer components include, for example, acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid-containing monomers, anhydrous Acid anhydride monomers such as maleic acid and itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6- (meth) acrylic acid Hydroxyl groups such as hydroxyhexyl, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate Contains Nomers, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid Examples thereof include sulfonic acid group-containing monomers and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate. These monomer components may be used alone or in combination of two or more.
また、（メタ）アクリル系ポリマーの架橋処理等を目的に多官能モノマーなども必要に応じて共重合モノマー成分として用いることができる。 Moreover, a polyfunctional monomer etc. can also be used as a copolymerization monomer component as needed for the purpose of a crosslinking treatment of a (meth) acrylic polymer.
多官能モノマーとしては、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これら多官能モノマーは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 Examples of polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, and pentaerythritol di (Meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, Dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate Etc., and the like. These polyfunctional monomers may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
多官能モノマーの使用量は、粘着特性等の観点より全モノマー成分の３０重量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは２０重量％以下である。 The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less, more preferably 20% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.
（メタ）アクリル系ポリマーの調製は、例えば１種又は２種以上のモノマー成分を含む混合物を溶液重合方式、乳化重合方式、塊状重合方式、又は懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。 For the preparation of the (meth) acrylic polymer, an appropriate method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method, or a suspension polymerization method is applied to a mixture containing one or more monomer components. It can be carried out.
重合開始剤としては、過酸化水素、過酸化ベンゾイル、ｔ−ブチルパーオキサイドなどの過酸化物系が挙げられる。これらは単独で用いるのが望ましいが、還元剤と組み合わせてレドックス系重合開始剤として使用することもできる。還元剤としては、例えば、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩、鉄、銅、コバルト塩などのイオン化の塩、トリエタノールアミン等のアミン類、アルドース、ケトース等の還元糖などを挙げることができる。また、アゾ化合物も好ましい重合開始剤であり、２，２’−アゾビス−２−メチルプロピオアミジン酸塩、２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、２，２’−アゾビス−Ｎ，Ｎ’−ジメチレンイソブチルアミジン酸塩、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド等を使用することができる。また、上記重合開始剤を２種以上併用して使用することも可能である。 Examples of the polymerization initiator include peroxides such as hydrogen peroxide, benzoyl peroxide, and t-butyl peroxide. These are preferably used alone, but can also be used as a redox polymerization initiator in combination with a reducing agent. Examples of the reducing agent include ionized salts such as sulfites, hydrogen sulfites, iron, copper, and cobalt salts, amines such as triethanolamine, and reducing sugars such as aldose and ketose. Azo compounds are also preferred polymerization initiators, and are 2,2′-azobis-2-methylpropioamidine, 2,2′-azobis-2,4-dimethylvaleronitrile, 2,2′-azobis- Use N, N'-dimethyleneisobutylaminate, 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis-2-methyl-N- (2-hydroxyethyl) propionamide, etc. Can do. It is also possible to use two or more of the above polymerization initiators in combination.
反応温度は通常５０〜８５℃程度、反応時間は１〜８時間程度とされる。また、前記製造法のなかでも溶液重合法が好ましく、（メタ）アクリル系ポリマーの溶媒としては一般に酢酸エチル、トルエン等の極性溶剤が用いられる。溶液濃度は通常２０〜８０重量％程度とされる。 The reaction temperature is usually about 50 to 85 ° C., and the reaction time is about 1 to 8 hours. Among the production methods, a solution polymerization method is preferable, and a polar solvent such as ethyl acetate or toluene is generally used as a solvent for the (meth) acrylic polymer. The solution concentration is usually about 20 to 80% by weight.
前記粘着剤には、ベースポリマーである（メタ）アクリル系ポリマーの数平均分子量を高めるため、架橋剤を適宜に加えることもできる。架橋剤としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、無水化合物、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマーなどがあげられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は引き剥がし粘着力が下がり過ぎないことを考慮し、一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、０．０１〜５重量部程度配合するのが好ましい。また粘着剤層を形成する粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、老化防止剤、着色剤等の慣用の添加剤を含有させることができる。 In order to increase the number average molecular weight of the (meth) acrylic polymer that is the base polymer, a crosslinking agent can be appropriately added to the pressure-sensitive adhesive. Examples of the crosslinking agent include polyisocyanate compounds, epoxy compounds, aziridine compounds, melamine resins, urea resins, anhydrous compounds, polyamines, and carboxyl group-containing polymers. In the case of using a crosslinking agent, the amount used is considered to be about 0.01 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer, considering that the peeling adhesive strength does not decrease too much. Is preferred. In addition to the above-described components, the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer may include conventional additives such as various conventionally known tackifiers, anti-aging agents, fillers, anti-aging agents, and coloring agents. It can be included.
被加工物からの剥離性を向上させるため、粘着剤は、紫外線、電子線等の放射線により硬化する放射線硬化型粘着剤とすることが好ましい。なお、粘着剤として放射線硬化型粘着剤を用いる場合には、レーザー加工後に粘着剤層に放射線が照射されるため、前記基材は十分な放射線透過性を有するものが好ましい。 In order to improve the peelability from the workpiece, the pressure-sensitive adhesive is preferably a radiation-curable pressure-sensitive adhesive that is cured by radiation such as ultraviolet rays or electron beams. In addition, when using a radiation curing type adhesive as an adhesive, since the radiation is irradiated to an adhesive layer after a laser processing, the said base material has sufficient radiolucency.
放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前述の（メタ）アクリル系ポリマーに放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した放射線硬化性粘着剤が挙げられる。 As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. Examples of the radiation curable pressure-sensitive adhesive include a radiation curable pressure-sensitive adhesive obtained by blending the aforementioned (meth) acrylic polymer with a radiation curable monomer component or oligomer component.
配合する放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、及び１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 Examples of the radiation curable monomer component and oligomer component to be blended include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol. Examples include tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and 1,4-butylene glycol di (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.
放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、特に制限されるものではないが、粘着性を考慮すると、粘着剤を構成する (メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、５〜５００重量部程度であることが好ましく、さらに好ましくは７０〜１５０重量部程度である。 The blending amount of the radiation curable monomer component or oligomer component is not particularly limited, but in consideration of the tackiness, it is based on 100 parts by weight of the base polymer such as a (meth) acrylic polymer constituting the pressure sensitive adhesive. The amount is preferably about 5 to 500 parts by weight, and more preferably about 70 to 150 parts by weight.
また、放射線硬化型粘着剤としては、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いることもできる。このようなベースポリマーとしては、（メタ）アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。この場合においては、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を特に加えなくてもよく、その使用は任意である。 Moreover, as a radiation curable adhesive, what has a carbon-carbon double bond in a polymer side chain or a principal chain, or the principal chain terminal can also be used as a base polymer. As such a base polymer, a polymer having a (meth) acrylic polymer as a basic skeleton is preferable. In this case, it is not necessary to add a radiation curable monomer component or oligomer component, and its use is optional.
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシーα，α−メチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシー２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニゾインメチルエーテルの如きベンゾインエーテル系化合物、２−メチル−２−ヒドロキシプロピルフェノンなどのα−ケトール系化合物、ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物、２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物、１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナートなどが挙げられる。 The radiation curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α-methylacetophenone, methoxyacetophenone, and 2,2-dimethoxy-2-phenyl. Acetophenone compounds such as acetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl Benzoin ether compounds such as ether and anisoin methyl ether, α-ketol compounds such as 2-methyl-2-hydroxypropylphenone, ketal compounds such as benzyldimethyl ketal, 2-naphthalenesulfonyl chloride Aromatic sulfonyl chloride compounds such as Lido, photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone, camphorquinone, halogenated ketone, acyl phosphinoxide and acyl phosphonate.
光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成する (メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、０．１〜１０重量部程度であることが好ましく、さらに好ましくは０．５〜５重量部程度である。 The blending amount of the photopolymerization initiator is preferably about 0.1 to 10 parts by weight, more preferably about 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as (meth) acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive. About 5 to 5 parts by weight.
本発明の保護シートは、例えば、基材の表面に粘着剤溶液を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層を形成することにより製造することができる。また、別途、剥離ライナーに粘着剤層を形成した後、それを基材に貼り合せる方法等を採用することができる。必要に応じて粘着剤層の表面にセパレータを設けてもよい。 The protective sheet of the present invention can be produced, for example, by applying a pressure-sensitive adhesive solution to the surface of a substrate and drying (by heat-crosslinking as necessary) to form a pressure-sensitive adhesive layer. Moreover, after forming an adhesive layer in a release liner separately, the method of bonding it to a base material etc. are employable. If necessary, a separator may be provided on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.
粘着剤層は、被加工物への汚染防止等の点より低分子量物質の含有量が少ないことが好ましい。かかる点より（メタ）アクリル系ポリマーの数平均分子量は３０万以上であることが好ましく、さらに好ましくは４０万〜３００万である。 The pressure-sensitive adhesive layer preferably has a low content of low molecular weight substances from the viewpoint of preventing contamination of the workpiece. From this point, the number average molecular weight of the (meth) acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably 400,000 to 3,000,000.
粘着剤層の厚さは、被加工物から剥離しない範囲で適宜選択できるが、通常５〜３００μｍ程度、好ましくは１０〜１００μｍ程度、さらに好ましくは２０〜５０μｍ程度である。 Although the thickness of an adhesive layer can be suitably selected in the range which does not peel from a workpiece, it is about 5-300 micrometers normally, Preferably it is about 10-100 micrometers, More preferably, it is about 20-50 micrometers.
また粘着剤層の接着力は、ＳＵＳ３０４に対する常温（レーザー照射前）での接着力（９０度ピール値、剥離速度３００ｍｍ／分）に基づいて、２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．００１〜１０Ｎ／２０ｍｍ、特に好ましくは０．０１〜８Ｎ／２０ｍｍである。 Further, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 20 N / 20 mm or less, more preferably based on the adhesive strength (90-degree peel value, peeling speed 300 mm / min) at normal temperature (before laser irradiation) to SUS304. 0.001 to 10 N / 20 mm, particularly preferably 0.01 to 8 N / 20 mm.
前記セパレータは、ラベル加工または粘着剤層を保護するために必要に応じて設けられる。セパレータの構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルム等が挙げられる。セパレータの表面には粘着剤層からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていてもよい。また、必要に応じて、保護シートが環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線透過防止処理等が施されていてもよい。セパレータの厚みは、通常１０〜２００μｍ、好ましくは２５〜１００μｍ程度である。 The said separator is provided as needed in order to protect a label process or an adhesive layer. Examples of constituent materials for the separator include paper, synthetic resin films such as polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate. The surface of the separator may be subjected to release treatment such as silicone treatment, long-chain alkyl treatment, fluorine treatment, etc., as necessary, in order to enhance the peelability from the pressure-sensitive adhesive layer. Further, if necessary, an ultraviolet transmission preventing treatment or the like may be performed so that the protective sheet does not react with environmental ultraviolet rays. The thickness of a separator is 10-200 micrometers normally, Preferably it is about 25-100 micrometers.
以下、本発明の保護シートを用いたレーザー光の赤外吸収アブレーションによるレーザー加工品の製造方法を説明する。例えば、切断加工の場合、図１及び図３に示した如く保護シート２と被加工物１と粘着シート３とをロールラミネーターやプレスといった公知の手段で貼り合わせて得られた保護シート−被加工物−粘着シート積層体４を吸着ステージ５の吸着板６上に配置し、該積層体４上に、所定のレーザー発振器より出力されるレーザー光７をレンズにて保護シート２上に集光・照射するとともに、そのレーザー照射位置を所定の加工ライン上に沿って移動させることにより切断加工を行う。なお、被加工物のレーザー光出射面側に設けられる粘着シート３は、レーザー加工前は被加工物を支持固定する役割を果たし、レーザー加工後は、切断物の落下を防止する役割を果たすものであり、レーザー加工性の低いシートを用いる。粘着シート３としては、基材上に粘着剤層が積層されている一般的なものを特に制限なく使用することができる。
Hereinafter, a method for manufacturing a laser processed product by infrared absorption ablation of laser light using the protective sheet of the present invention will be described. For example, in the case of cutting processing, as shown in FIGS. 1 and 3, the
レーザー光の移動手段としては、ガルバノスキャンあるいはＸ−Ｙステージスキャン、マスクイメージング加工といった公知のレーザー加工方法が用いられる。 As the laser beam moving means, a known laser processing method such as a galvano scan, an XY stage scan, or a mask imaging process is used.
レーザーの加工条件は、保護シート２及び被加工物１が完全に切断される条件であれば特に限定はされないが、粘着シート３まで切断されることを回避するため、被加工物１が切断されるエネルギー条件の２倍以内とすることが好ましい。
The laser processing conditions are not particularly limited as long as the
また、切りしろ（切断溝）はレーザー光の集光部のビーム径を絞ることにより細くできるが、切断端面の精度を出すために、
ビーム径（μｍ）＞２×（レーザー光移動速度（μｍ／ｓｅｃ）／レーザー光の繰り返し周波数（Ｈｚ））を満たしていることが好ましい。
In addition, the cutting margin (cutting groove) can be narrowed by narrowing the beam diameter of the condensing part of the laser beam.
It is preferable that the beam diameter (μm)> 2 × (laser beam moving speed (μm / sec) / laser beam repetition frequency (Hz)) is satisfied.
また、孔あけ加工の場合、図２に示した如く保護シート２と被加工物１と粘着シート３とをロールラミネーターやプレスといった公知の手段で貼り合わせて得られた保護シート−被加工物−粘着シート積層体４を吸着ステージ５の吸着板６上に配置し、該積層体４上に、所定のレーザー発振器より出力されるレーザー光７をレンズにて保護シート２上に集光・照射して孔を形成する。
Further, in the case of drilling, as shown in FIG. 2, a protective sheet obtained by bonding the
孔は、ガルバノスキャンあるいはＸ−Ｙステージスキャン、マスクイメージングによるパンチング加工といった公知のレーザー加工方法により形成する。レーザーの加工条件は、被加工材料のアブレーション閾値を元に最適値を決定すればよい。 The hole is formed by a known laser processing method such as galvano scan, XY stage scan, or punching by mask imaging. The optimum laser processing condition may be determined based on the ablation threshold of the material to be processed.
また、ヘリウム、窒素、酸素等のガスをレーザー加工部に吹き付けることにより、分解物の飛散除去を効率化することもできる。 Further, by blowing a gas such as helium, nitrogen, oxygen, or the like onto the laser processing portion, it is possible to improve the efficiency of removing the decomposition products.
また、半導体ウエハの切断加工は、図４の如く半導体ウエハ８の片面を吸着ステージ５上に設けられた粘着シート３に貼り合わせ、さらに他面側に保護シート２を設置し、所定のレーザー発振器より出力されるレーザー光７をレンズにて保護シート２上に集光・照射するとともに、そのレーザー照射位置を所定の加工ライン上に沿って移動させることにより切断加工を行う。レーザー光の移動手段としては、ガルバノスキャンあるいはＸ−Ｙステージスキャン、マスク、イメージング加工といった公知のレーザー加工方法が用いられる。かかる半導体ウエハの加工条件は、保護シート２及び半導体ウエハ８が切断され、かつ粘着シート３が切断されない条件であれば特に限定されない。
Further, the semiconductor wafer is cut by bonding one surface of the semiconductor wafer 8 to the
このような半導体ウエハの切断加工においては、個々の半導体チップに切断後、従来より知られるダイボンダーなどの装置によりニードルと呼ばれる突き上げピンを用いてピックアップする方法、或いは、特開２００１−１１８８６２号公報に示される方式など公知の方法で個々の半導体チップをピックアップして回収することができる。 In such a semiconductor wafer cutting process, after cutting into individual semiconductor chips, a method of picking up using a push-up pin called a needle by a conventionally known device such as a die bonder, or Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-118862. Individual semiconductor chips can be picked up and collected by a known method such as the method shown.
本発明のレーザー加工品の製造方法においては、レーザー加工終了後に保護シート２をレーザー加工品１０から剥離する。剥離する方法は制限されないが、剥離時にレーザー加工品１０が永久変形するような応力がかからないようにすることが肝要である。例えば、粘着剤層に放射線硬化型粘着剤を用いた場合には、粘着剤の種類に応じて放射線照射により粘着剤層を硬化させ粘着性を低下させる。放射線照射により、粘着剤層の粘着性が硬化により低下して剥離を容易化させることができる。放射線照射の手段は特に制限されないが、例えば、紫外線照射等により行われる。
In the laser processed product manufacturing method of the present invention, the
本発明のレーザー加工品の製造方法では、基材のエッチング率が２×１０−４以上である保護シートを用いているため、被加工物よりも先に保護シートがレーザー光によりエッチングされやすく、保護シートのレーザー光照射部が十分にエッチングされた後に下層の被加工物がエッチングされる。そのため被加工物の分解物は保護シートのエッチング部分から効率的に外部に飛散するため、保護シートと被加工物との界面部分の汚染を抑制できる。したがって、前記製造方法によると保護シートと被加工物（レーザー加工品）との界面部分に分解物が付着することがないため、被加工物をレーザー加工した後に保護シートをレーザー加工品から容易に剥離することができ、また被加工物のレーザー加工精度を向上させることができる。 In the manufacturing method of the laser processed product of the present invention, since the protective sheet having a base material etching rate of 2 × 10 −4 or more is used, the protective sheet is easily etched by laser light before the workpiece, After the laser beam irradiation portion of the protective sheet is sufficiently etched, the lower layer workpiece is etched. Therefore, the decomposition product of the workpiece is efficiently scattered from the etched portion of the protective sheet to the outside, so that contamination of the interface portion between the protective sheet and the workpiece can be suppressed. Therefore, according to the above manufacturing method, the decomposition product does not adhere to the interface portion between the protective sheet and the workpiece (laser processed product), so that the protective sheet can be easily removed from the laser processed product after laser processing the workpiece. It can be peeled off and the laser processing accuracy of the workpiece can be improved.
以下に、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
〔数平均分子量の測定〕
合成した（メタ）アクリル系ポリマーの数平均分子量は以下の方法で測定した。合成した（メタ）アクリル系ポリマーをＴＨＦに０．１ｗｔ％で溶解させて、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用いてポリスチレン換算により数平均分子量を測定した。詳しい測定条件は以下の通りである。
ＧＰＣ装置：東ソー製、ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ
カラム：東ソー製、（ＧＭＨHR−Ｈ）＋（ＧＭＨHR−Ｈ）＋（Ｇ２０００ＨHR）
流量：０．８ｍｌ／ｍｉｎ
濃度：０．１ｗｔ％
注入量：１００μｌ
カラム温度：４０℃
溶離液：ＴＨＦ
〔エッチング率の測定〕
トップハット形状にビーム整形したＹＡＧレーザー（最大出力５０Ｗ、繰り返し周波数３０ｋＨｚ）の基本波（波長１０６４ｎｍ）をｆθレンズにより集光し、パルス数２０（ｐｕｌｓｅ）の条件で基材表面に照射した。照射後、基材に形成された孔の深さ（μｍ）を光学顕微鏡で測定した。エッチング速度は下記式により算出される。
エッチング速度＝孔深さ（μｍ）／パルス数（ｐｕｌｓｅ）
また前記ＹＡＧレーザーのエネルギーフルエンスは５（Ｊ／ｃｍ２）であった。エッチング率は、上記エッチング速度とエネルギーフルエンスとから下記式により算出される。
エッチング率＝エッチング速度（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／エネルギーフルエンス（Ｊ／ｃｍ２）
実施例１
ポリスチレンからなる基材（厚さ２０μｍ、エッチング率：０．０１２）上に、紫外線により硬化可能なアクリル系粘着剤溶液（１）を塗布、乾燥して粘着剤層（厚さ１０μｍ）を形成して保護シートを得た。
(Measurement of number average molecular weight)
The number average molecular weight of the synthesized (meth) acrylic polymer was measured by the following method. The synthesized (meth) acrylic polymer was dissolved in THF at 0.1 wt%, and the number average molecular weight was measured by polystyrene conversion using GPC (gel permeation chromatography). Detailed measurement conditions are as follows.
GPC device: Tosoh HLC-8120GPC
Column: manufactured by Tosoh Corporation, (GMHHR-H) + (GMHHR-H) + (G2000HHR)
Flow rate: 0.8ml / min
Concentration: 0.1 wt%
Injection volume: 100 μl
Column temperature: 40 ° C
Eluent: THF
[Measurement of etching rate]
A fundamental wave (wavelength 1064 nm) of a YAG laser (maximum output 50 W, repetition frequency 30 kHz) shaped into a top hat shape was collected by an fθ lens, and irradiated on the surface of the substrate under the condition of a pulse number 20 (pulse). After irradiation, the depth (μm) of the holes formed in the substrate was measured with an optical microscope. The etching rate is calculated by the following formula.
Etching rate = hole depth (μm) / number of pulses (pulse)
The energy fluence of the YAG laser was 5 (J / cm 2 ). The etching rate is calculated by the following formula from the etching rate and the energy fluence.
Etching rate = etching rate (μm / pulse) / energy fluence (J / cm 2 )
Example 1
On a base material made of polystyrene (thickness 20 μm, etching rate: 0.012), an acrylic pressure-sensitive adhesive solution (1) curable by ultraviolet rays is applied and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer (
なお、アクリル系粘着剤溶液（１）は以下の方法で調製した。ブチルアクリレート／アクリル酸を重量比６０／１で共重合させてなる数平均分子量９０万のアクリル系ポリマー１００重量部、光重合性化合物としてジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート９０重量部、及び光重合開始剤としてベンジルジメチルケタール（イルガキュア６５１）５重量部をトルエン５００重量部に加え、均一に溶解混合してアクリル系粘着剤溶液（１）を調製した。 The acrylic pressure-sensitive adhesive solution (1) was prepared by the following method. 100 parts by weight of an acrylic polymer having a number average molecular weight of 900,000 obtained by copolymerizing butyl acrylate / acrylic acid at a weight ratio of 60/1, 90 parts by weight of dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate as a photopolymerizable compound, and initiation of photopolymerization As an agent, 5 parts by weight of benzyldimethyl ketal (Irgacure 651) was added to 500 parts by weight of toluene, and uniformly dissolved and mixed to prepare an acrylic pressure-sensitive adhesive solution (1).
厚み１００μｍのシリコンウエハの片面に上記作製した保護シートをロールラミネーターにて貼り合わせて保護シート付きシリコンウエハを作製した。そして、ガラスエポキシ樹脂製吸着板をのせたＸＹステージ上に、保護シート面を上にして保護シート付きシリコンウエハを配置した。最大出力５０Ｗ、繰り返し周波数３０ｋＨｚのＹＡＧレーザーの基本波（１０６４ｎｍ）をｆθレンズにより保護シート付きシリコンウエハ表面に２５μｍ径に集光して、ガルバノスキャナーによりレーザー光を２０ｍｍ／秒の速度でスキャンして切断加工した。このとき、保護シート及びシリコンウエハが切断していることを確認した。その後、保護シートを剥離してシリコンウエハの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。 The protective sheet prepared above was bonded to one side of a 100 μm thick silicon wafer with a roll laminator to prepare a silicon wafer with a protective sheet. And the silicon wafer with a protection sheet was arrange | positioned on the XY stage on which the adsorption board made from glass epoxy resin was put. The fundamental wave (1064 nm) of a YAG laser with a maximum output of 50 W and a repetition frequency of 30 kHz is focused on the surface of a silicon wafer with a protective sheet by an fθ lens to a diameter of 25 μm, and the laser beam is scanned at a speed of 20 mm / second by a galvano scanner. Cut and processed. At this time, it was confirmed that the protective sheet and the silicon wafer were cut. Then, when the protective sheet was peeled and the laser processing peripheral part of the protective sheet bonding surface (laser beam incident surface side) of the silicon wafer was observed, no decomposition product (adhered matter) was observed.
比較例１
実施例１において、シリコンウエハの片面に保護シートを設けなかった以外は実施例１と同様の方法でシリコンウエハにレーザー加工を施した。その後、シリコンウエハのレーザー光入射面側の加工周辺部を観察したところ、飛散した分解物残渣が多量に付着していた。
Comparative Example 1
In Example 1, laser processing was performed on the silicon wafer in the same manner as in Example 1 except that the protective sheet was not provided on one side of the silicon wafer. Thereafter, when the processing peripheral portion on the laser light incident surface side of the silicon wafer was observed, a large amount of scattered decomposition residue adhered.
比較例２
実施例１において、保護シートの基材としてポリエチレンシート（厚さ５０μｍ、エッチング率：０）を用いた以外は実施例１と同様の方法でシリコンウエハにレーザー加工を施した。その結果、保護シートは切断されておらず、下層のシリコンウエハがレーザー加工されており、保護シートとシリコンウエハとの間に分解物残渣を含む気泡が発生していた。保護シートを剥離し、シリコンウエハのレーザー光入射面側の開口部周辺を観察すると、シリコンウエハの分解物残渣が多量に付着していた。
Comparative Example 2
In Example 1, laser processing was performed on the silicon wafer in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene sheet (thickness 50 μm, etching rate: 0) was used as the base material of the protective sheet. As a result, the protective sheet was not cut, the lower silicon wafer was laser processed, and bubbles containing decomposition product residues were generated between the protective sheet and the silicon wafer. When the protective sheet was peeled off and the periphery of the opening on the laser light incident surface side of the silicon wafer was observed, a large amount of decomposition residue of the silicon wafer adhered.
比較例３
実施例１において、保護シートの基材としてポリウレタンシート（厚さ５０μｍ、エッチング率：０）を用いた以外は実施例１と同様の方法でシリコンウエハにレーザー加工を施した。その結果、保護シートは切断されておらず、下層のシリコンウエハがレーザー加工されており、保護シートとシリコンウエハとの間に分解物残渣を含む気泡が発生していた。保護シートを剥離し、シリコンウエハのレーザー光入射面側の開口部周辺を観察すると、シリコンウエハの分解物残渣が多量に付着していた。
Comparative Example 3
In Example 1, laser processing was performed on the silicon wafer in the same manner as in Example 1 except that a polyurethane sheet (thickness 50 μm, etching rate: 0) was used as the base material of the protective sheet. As a result, the protective sheet was not cut, the lower silicon wafer was laser processed, and bubbles containing decomposition product residues were generated between the protective sheet and the silicon wafer. When the protective sheet was peeled off and the periphery of the opening on the laser light incident surface side of the silicon wafer was observed, a large amount of decomposition residue of the silicon wafer adhered.
実施例２
シリコンゴムシートからなる基材（厚さ２０μｍ、エッチング率：０．００１２）上に、前記アクリル系粘着剤溶液（１）を塗布、乾燥して粘着剤層（厚さ１０μｍ）を形成して保護シートを得た。
Example 2
The acrylic pressure-sensitive adhesive solution (1) is applied onto a base material (thickness 20 μm, etching rate: 0.0012) made of a silicone rubber sheet, and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer (
厚み２５μｍのポリイミドフィルム上に厚さ１８μｍの銅層を形成した２層基板に、露光・現像・エッチング工程により回路を形成してフレキシブルプリント基板を作製した。作製したフレキシブルプリント基板と上記保護フィルムをロールラミネーターにて貼り合わせて保護シート付きフレキシブルプリント基板を作製した。 A circuit was formed on a two-layer substrate in which a copper layer having a thickness of 18 μm was formed on a polyimide film having a thickness of 25 μm by an exposure / development / etching process, thereby producing a flexible printed circuit board. The produced flexible printed circuit board and the said protective film were bonded together with the roll laminator, and the flexible printed circuit board with a protective sheet was produced.
そして、アルミナ製のセラミック吸着板をのせたＸＹステージ上に、保護シート面を上にして保護シート付きフレキシブルプリント基板を配置した。最大出力５０Ｗ、繰り返し周波数３０ｋＨｚのＹＡＧレーザーの基本波（１０６４ｎｍ）をｆθレンズにより保護シート付きフレキシブルプリント基板表面に２５μｍ径に集光して、ガルバノスキャナーによりレーザー光を２０ｍｍ／秒の速度でスキャンして切断加工した。このとき、保護シート及びフレキシブルプリント基板が切断していることを確認した。その後、保護シートを剥離してフレキシブルプリント基板の保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。 And the flexible printed circuit board with a protective sheet was arrange | positioned on the XY stage on which the ceramic suction plate made from alumina was put, the protective sheet surface facing up. The fundamental wave (1064 nm) of a YAG laser with a maximum output of 50 W and a repetition frequency of 30 kHz is focused on the surface of a flexible printed circuit board with a protective sheet by an fθ lens to a diameter of 25 μm, and the laser beam is scanned at a speed of 20 mm / sec by a galvano scanner. And cut. At this time, it was confirmed that the protective sheet and the flexible printed board were cut. Then, when the protective sheet was peeled and the laser processing peripheral part of the protective sheet bonding surface (laser light incident surface side) of a flexible printed circuit board was observed, the decomposition product (adhered matter) was not observed.
実施例３
実施例２において、保護シートの基材としてポリエチレンナフタレートフィルム（厚さ１３μｍ、エッチング率：０．０１９）を用いた以外は実施例２と同様の方法でフレキシブルプリント基板にレーザー加工を施した。その結果、保護シート及びフレキシブルプリント基板が切断していることを確認した。その後、保護シートを剥離してフレキシブルプリント基板の保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。
Example 3
In Example 2, the flexible printed circuit board was subjected to laser processing in the same manner as in Example 2 except that a polyethylene naphthalate film (thickness 13 μm, etching rate: 0.019) was used as the base material of the protective sheet. As a result, it was confirmed that the protective sheet and the flexible printed board were cut. Then, when the protective sheet was peeled and the laser processing peripheral part of the protective sheet bonding surface (laser light incident surface side) of a flexible printed circuit board was observed, the decomposition product (adhered matter) was not observed.
実施例４
実施例２において、保護シートの基材としてポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ２５μｍ、エッチング率：０．００１１）を用いた以外は実施例２と同様の方法でフレキシブルプリント基板にレーザー加工を施した。その結果、保護シート及びフレキシブルプリント基板が切断していることを確認した。その後、保護シートを剥離してフレキシブルプリント基板の保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。
Example 4
In Example 2, the flexible printed circuit board was laser-processed by the same method as Example 2 except having used the polyethylene terephthalate film (thickness 25 micrometers, etching rate: 0.0011) as a base material of a protection sheet. As a result, it was confirmed that the protective sheet and the flexible printed board were cut. Then, when the protective sheet was peeled and the laser processing peripheral part of the protective sheet bonding surface (laser light incident surface side) of a flexible printed circuit board was observed, the decomposition product (adhered matter) was not observed.
上記実施例及び比較例から明らかなように、基材のエッチング率が２×１０−４以上の保護シートを用いることにより、分解物による被加工物表面の汚染を効果的に抑制することができる。 As is clear from the above examples and comparative examples, the use of a protective sheet having a substrate etching rate of 2 × 10 −4 or more can effectively suppress contamination of the workpiece surface due to the decomposition product. .
１ 被加工物
２ レーザー加工用保護シート
３ 粘着シート
４ 積層体
５ 吸着ステージ
６ 吸着板
７ レーザー光
８ 半導体ウエハ
９ ダイシングフレーム
１０ レーザー加工品
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (6)
エッチング率＝エッチング速度／エネルギーフルエンス It is used when processing a workpiece by infrared absorption ablation of laser light, has at least a base material, and an etching rate represented by the following formula of the base material is 2 × 10 −4 [(μm / pulse ) / (J / cm 2 )] The step (1) of attaching the protective sheet for laser processing to the laser light incident surface side of the work piece and installing the protective sheet for laser processing by irradiating laser light A step (2) of etching the lower-layer workpiece after etching the laser light irradiation portion to process the workpiece, and a step (3) of peeling the protective sheet for laser processing from the processed workpiece Manufacturing method of laser processed products.
Etching rate = etching rate / energy fluence
The method for producing a laser processed product according to claim 1, wherein the processing is cutting or drilling.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004373853A JP4854060B2 (en) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | Manufacturing method of laser processed product using protective sheet for laser processing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004373853A JP4854060B2 (en) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | Manufacturing method of laser processed product using protective sheet for laser processing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006175509A JP2006175509A (en) | 2006-07-06 |
| JP4854060B2 true JP4854060B2 (en) | 2012-01-11 |
Family
ID=36730094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004373853A Expired - Fee Related JP4854060B2 (en) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | Manufacturing method of laser processed product using protective sheet for laser processing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4854060B2 (en) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8497449B1 (en) * | 2006-05-26 | 2013-07-30 | Synchron Laser Service Inc. | Micro-machining of ceramics using an ytterbium fiber-laser |
| JP5006015B2 (en) * | 2006-12-05 | 2012-08-22 | 古河電気工業株式会社 | Semiconductor wafer surface protective tape and semiconductor chip manufacturing method using the same |
| JP4740937B2 (en) * | 2007-12-18 | 2011-08-03 | 株式会社ハッポーライフ彩生 | Laser marker for glass marking and glass marking method |
| JP2013018964A (en) * | 2011-06-17 | 2013-01-31 | Nitto Denko Corp | Adhesive film |
| JP6009812B2 (en) * | 2011-06-17 | 2016-10-19 | 日東電工株式会社 | Adhesive film |
| JP5901178B2 (en) * | 2011-08-23 | 2016-04-06 | 古河電気工業株式会社 | Processing method of ceramic substrate by laser beam |
| KR101795327B1 (en) * | 2013-11-14 | 2017-11-07 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Laser processing method and laser processing apparatus |
| JP6219787B2 (en) * | 2014-06-30 | 2017-10-25 | 京セラ株式会社 | Wiring board manufacturing method |
| KR102178118B1 (en) * | 2017-09-25 | 2020-11-13 | 주식회사 엘지화학 | Manufacturing method of film for liquid crystal alignment |
| US11171385B2 (en) * | 2018-07-12 | 2021-11-09 | GM Global Technology Operations LLC | Method of forming a separator for a lithium-ion battery |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5976688A (en) * | 1982-10-22 | 1984-05-01 | Toshiba Corp | Laser working method |
| JPH06170822A (en) * | 1992-12-02 | 1994-06-21 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Sheet proceed product and production thereof |
| JP4886937B2 (en) * | 2001-05-17 | 2012-02-29 | リンテック株式会社 | Dicing sheet and dicing method |
| JP2002373871A (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Sekisui Chem Co Ltd | Method of manufacturing ic chip |
| JP2003071828A (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-12 | Japan Science & Technology Corp | Laser micro-slitting device and its method |
| JP2003173988A (en) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Method for dicing semiconductor wafer |
| JP2004074211A (en) * | 2002-08-15 | 2004-03-11 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Laser beam machining method |
| JP2004188475A (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser machining method |
| JP2004214359A (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Substrate working method and device thereof |
| JP2004322157A (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Nitto Denko Corp | Working method for work and tacky adhesive sheet used for the same |
-
2004
- 2004-12-24 JP JP2004373853A patent/JP4854060B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006175509A (en) | 2006-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4854061B2 (en) | Manufacturing method of laser processed product and protective sheet for laser processing | |
| JP4873863B2 (en) | Manufacturing method of laser processed product and pressure-sensitive adhesive sheet for laser processing | |
| KR101102728B1 (en) | Laser processing protection sheet and production method for laser processed article | |
| KR101070069B1 (en) | Method of producing laser-processed product and adhesive sheet for laser processing used therefor | |
| JP4781635B2 (en) | Manufacturing method of laser processed product and protective sheet for laser processing | |
| JP5537789B2 (en) | Laser processing adhesive sheet and laser processing method | |
| JP2005186110A (en) | Protecting sheet for laser beam processing and method for producing laser beam processed product using the same | |
| JP2009297734A (en) | Adhesive sheet for laser processing and laser processing method | |
| JP2004322157A (en) | Working method for work and tacky adhesive sheet used for the same | |
| JP4854060B2 (en) | Manufacturing method of laser processed product using protective sheet for laser processing | |
| JP4868708B2 (en) | Laser dicing die-bonding adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device using the same | |
| JP4873843B2 (en) | Manufacturing method of laser processed products | |
| JP4676711B2 (en) | Manufacturing method of laser processed product and laser processing adhesive sheet used therefor | |
| JP4854059B2 (en) | Manufacturing method of laser processed product using protective sheet for laser processing | |
| JP4685346B2 (en) | Manufacturing method of laser processed product using protective sheet for laser processing | |
| JP4781634B2 (en) | Manufacturing method of laser processed product and protective sheet for laser processing | |
| JP2006111659A (en) | Pressure-sensitive adhesive sheet for laser processing and method for producing laser processed product using the same | |
| JP2005279757A (en) | Production method for laser processed article and laser processing protection sheet | |
| JP2006176725A (en) | Pressure-sensitive adhesive sheet for laser processing | |
| JP4780695B2 (en) | Manufacturing method of laser processed product and protective sheet for laser processing | |
| JP2005279758A (en) | Laser processing protection sheet and production method for laser-processed article | |
| JP4301500B2 (en) | Laser processing adhesive sheet and method of manufacturing laser processed product using the same | |
| JP4666569B2 (en) | Manufacturing method of laser processed product and laser processing adhesive sheet used therefor | |
| JP2005279698A (en) | Method of producing laser-processed product and adhesive sheet for laser processing used therefor | |
| JP2006160993A (en) | Protective sheet for laser beam machining |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061106 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090122 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091225 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100702 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110316 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110428 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111020 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111024 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141104 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |