JP4848719B2 - Optical device and optical communication device - Google Patents

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Description

この発明は、光デバイスと光通信装置に関する。詳しくは、発光素子を駆動するための差動信号および/または受光素子で生成された差動信号を伝送する接続パターンに、差動信号の位相差を補正する位相補正手段を設けて、良好な通信特性を得るものである。   The present invention relates to an optical device and an optical communication apparatus. Specifically, a phase correction means for correcting the phase difference of the differential signal is provided in the connection pattern for transmitting the differential signal for driving the light emitting element and / or the differential signal generated by the light receiving element. Communication characteristics are obtained.

近年の通信需要の飛躍的な増大に伴い、光通信を用いることでネットワークの高速大容量化がはかられている。このような光通信では、例えばXFP(10 Gigabit Small Form Factor Pluggable)と呼ばれる規格に対応した光通信モジュールが用いられている。   With the rapid increase in communication demand in recent years, high-speed and large-capacity networks have been achieved by using optical communication. In such optical communication, for example, an optical communication module corresponding to a standard called XFP (10 Gigabit Small Form Factor Pluggable) is used.

光通信モジュールでは、TOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly)やROSA(Receiver Optical Sub-Assembly)と呼ばれる光サブアセンブリが用いられている。光サブアセンブリでは、例えば特許文献1に記載されているように、受発光素子を搭載したキャンパッケージの光デバイスが用いられており、集積回路等を実装した回路基板と光デバイスがフレキシブル基板で接続されて、1つの筐体に格納されている。さらに、キャンパッケージの光デバイスに対して光ファイバを所定の位置で固定したり、固定されている光ファイバを取り外すことができるように、光コネクタが筐体と一体に設けられる。   In the optical communication module, an optical subassembly called TOSA (Transmitter Optical Sub-Assembly) or ROSA (Receiver Optical Sub-Assembly) is used. In the optical subassembly, for example, as described in Patent Document 1, a can packaged optical device having a light emitting / receiving element is used, and a circuit board on which an integrated circuit or the like is mounted and the optical device are connected by a flexible substrate. And stored in one housing. Furthermore, an optical connector is provided integrally with the housing so that the optical fiber can be fixed at a predetermined position with respect to the optical device of the can package, and the fixed optical fiber can be removed.

特開2003−249711号公報JP 2003-249711 A

ところで、発光素子例えば面発光レーザ素子を駆動する場合、ノイズ等の影響を少なくするため差動信号を用いて、面発光レーザ素子を駆動することが行われている。また、差動信号の伝送中に、差動信号の位相差が大きく変動してしまうことが無いように、差動信号の伝送に用いる接続パターンは対称に形成される。   By the way, when driving a light emitting element such as a surface emitting laser element, the surface emitting laser element is driven using a differential signal in order to reduce the influence of noise or the like. Further, the connection pattern used for transmitting the differential signal is formed symmetrically so that the phase difference of the differential signal does not fluctuate greatly during the transmission of the differential signal.

しかし、面発光レーザ素子と接続パターンを接続する場合、図10に示すように、差動信号の一方の信号を伝送するための接続パターンPTb上に、例えば面発光レーザ素子90を載置して面発光レーザ素子90のカソードと接続パターンPTbを接続すると、面発光レーザ素子90のアノードは、ボンディングワイヤBWを用いて差動信号の他方の信号を伝送するための接続パターンPTaと接続することになる。   However, when connecting the surface emitting laser element and the connection pattern, for example, a surface emitting laser element 90 is placed on the connection pattern PTb for transmitting one of the differential signals, as shown in FIG. When the cathode of the surface emitting laser element 90 and the connection pattern PTb are connected, the anode of the surface emitting laser element 90 is connected to the connection pattern PTa for transmitting the other signal of the differential signal using the bonding wire BW. Become.

このため、接続パターンPTa,PTbを対称に形成しても、面発光レーザ素子90のカソードとアノードは、接続パターンとの接続方法が異なることから、差動信号の位相差が変動してしまう。このように位相差が変動してしまうと、通過特性(S21)は、図11Aに示すように、信号レベルが減衰したディップを生じてフラットな特性とならなくなってしまう。なお、図11Bは位相差特性を示している。   For this reason, even if the connection patterns PTa and PTb are formed symmetrically, the cathode and the anode of the surface emitting laser element 90 are different in connection method with the connection pattern, so that the phase difference of the differential signal varies. When the phase difference fluctuates in this way, the pass characteristic (S21) does not become a flat characteristic due to a dip in which the signal level is attenuated as shown in FIG. 11A. FIG. 11B shows the phase difference characteristics.

ここで、例えば高速シリアル伝送のように周波数成分が広い周波数帯に分布するような方式を用いて通信を行う場合、通過特性はフラットな特性が望ましい。しかし、上述のような光デバイスを用いて通信を行うものとすると、通過特性にディップを生じていることから、通信特性が劣化してしまうおそれがある。   Here, for example, when communication is performed using a method in which frequency components are distributed over a wide frequency band, such as high-speed serial transmission, it is desirable that the pass characteristic is a flat characteristic. However, if communication is performed using the optical device as described above, there is a possibility that the communication characteristics may be deteriorated because a dip occurs in the pass characteristics.

そこで、この発明では、良好な通信特性を得ることができる光デバイスと光通信装置を提供するものである。   Accordingly, the present invention provides an optical device and an optical communication apparatus that can obtain good communication characteristics.

この発明に係る光デバイスは、発光素子または受光素子が載置されたマウント基板と、前記マウント基板に形成され、前記載置された発光素子を駆動するための差動信号、または、前記載置された受光素子で生成された差動信号を伝送する第1及び第2の接続パターンと、を有し、前記載置された発光素子または受光素子は、一方の電極が前記第1の接続パターンと電気的に接続され、他方の電極がボンディングワイヤで前記第2の接続パターンと電気的に接続され、前記いずれかの差動信号の信号間の位相差を補正するためのスタブが、前記第2の接続パターンに形成されている。
Light device according to the present invention includes a mount substrate on which a light emitting element or a light receiving element is mounting location, is formed on the mounting board, the differential signal for driving the mounted light emitting element, or It said first and second connection patterns for transmitting placed on the differential signal generated by the light receiving element has a light-emitting device or the light receiving element is the placement has one electrode the first A stub for correcting the phase difference between the signals of any one of the differential signals , and the other electrode is electrically connected to the second connection pattern by a bonding wire. The second connection pattern is formed.

この発明によれば、発光素子を駆動するための差動信号および/または受光素子で生成された差動信号を伝送する接続パターンに、差動信号の位相差を補正する位相補正手段が設けられるので、差動信号の位相差が正しい位相差に保たれて通過特性がフラットとなり、良好な通信特性を得ることができる。   According to the present invention, the phase correction means for correcting the phase difference of the differential signal is provided in the connection pattern for transmitting the differential signal for driving the light emitting element and / or the differential signal generated by the light receiving element. Therefore, the phase difference of the differential signal is kept at the correct phase difference, the passing characteristic becomes flat, and good communication characteristics can be obtained.

以下、図を参照しながら、この発明の実施の一形態について説明する。図1は、光通信装置の概略構成を示している。光通信装置10は、例えばTOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly)と呼ばれている送信用光サブアセンブリ20や、ROSA(Receiver Optical Sub-Assembly)と呼ばれている受信用光サブアセンブリ30、および送受信処理基板40を1つの筐体に格納して構成する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of the optical communication apparatus. The optical communication apparatus 10 includes, for example, a transmission optical subassembly 20 called TOSA (Transmitter Optical Sub-Assembly), a reception optical subassembly 30 called ROSA (Receiver Optical Sub-Assembly), and transmission / reception. The processing substrate 40 is configured to be stored in one housing.

送受信処理基板40には、制御回路42,43が設けられている。制御回路42は、送信用光サブアセンブリ20の動作や送信する信号の処理およびコネクタ端子部41に接続された機器との通信等を制御するためのものである。制御回路43は、受信用光サブアセンブリ30の動作や受信した信号の処理およびコネクタ端子部41に接続された機器との通信等を制御するためのものである。   The transmission / reception processing board 40 is provided with control circuits 42 and 43. The control circuit 42 is for controlling the operation of the transmission optical subassembly 20, processing of signals to be transmitted, communication with devices connected to the connector terminal portion 41, and the like. The control circuit 43 is for controlling the operation of the receiving optical subassembly 30, processing of received signals, communication with devices connected to the connector terminal portion 41, and the like.

送信用光サブアセンブリ20と送受信処理基板40は、接続基板すなわち可撓性を有するフレキシブル基板29で接続する。同様に、受信用光サブアセンブリ30と送受信処理基板40は、フレキシブル基板39で接続する。フレキシブル基板29,39は、送受信処理基板40から送信用光サブアセンブリ20に供給する信号や、受信用光サブアセンブリ30から送受信処理基板40に供給する信号が高い周波数であっても損失が少なくなるように、所定のインピーダンス特性に調整された例えばマイクロストリップライン構造の伝送線路とする。   The transmission optical subassembly 20 and the transmission / reception processing substrate 40 are connected by a connection substrate, that is, a flexible substrate 29 having flexibility. Similarly, the receiving optical subassembly 30 and the transmission / reception processing board 40 are connected by a flexible board 39. The flexible substrates 29 and 39 have less loss even when a signal supplied from the transmission / reception processing substrate 40 to the transmission optical subassembly 20 or a signal supplied from the reception optical subassembly 30 to the transmission / reception processing substrate 40 is at a high frequency. Thus, for example, a transmission line having a microstrip line structure adjusted to a predetermined impedance characteristic is used.

送受信処理基板40は、上述のようにコネクタ端子部41を有しており、このコネクタ端子部41を、他の装置等に設けられたコネクタに装着することで、光通信装置10を他の装置等と電気的に接続することができる。なお、図1では、送受信処理基板40の回路素子とフレキシブル基板29,39を接続する接続パターンや回路素子とコネクタ端子部41を接続する接続パターン等を省略して図示している。   The transmission / reception processing board 40 has the connector terminal portion 41 as described above. By attaching the connector terminal portion 41 to a connector provided in another device or the like, the optical communication device 10 is connected to another device. Etc. can be electrically connected. In FIG. 1, a connection pattern for connecting the circuit elements of the transmission / reception processing board 40 and the flexible boards 29 and 39, a connection pattern for connecting the circuit elements and the connector terminal portion 41, and the like are omitted.

図2は、送信用光サブアセンブリ20の概略構成を説明するための図であり、図2Aは、送信用光サブアセンブリ20の正面図、図2Bは、図2AにおけるI−I'位置の断面概略図である。   2A and 2B are diagrams for explaining a schematic configuration of the transmission optical subassembly 20, FIG. 2A is a front view of the transmission optical subassembly 20, and FIG. 2B is a cross-section taken along the line II ′ in FIG. 2A. FIG.

送信用光サブアセンブリ20は、ホルダ21と、ホルダ21に収納されたキャンパッケージの送信用光デバイス22で構成する。なお、図2Bでは、ホルダ21のみ断面を示している。   The transmission optical subassembly 20 includes a holder 21 and a can package transmission optical device 22 housed in the holder 21. In FIG. 2B, only the holder 21 is shown in cross section.

ホルダ21は、送信用光デバイス22を取り付けるための凹部211を有しており、凹部211の中央には、光ファイバが挿入される光通過孔212が形成されている。   The holder 21 has a recess 211 for attaching the transmission optical device 22, and a light passage hole 212 into which an optical fiber is inserted is formed at the center of the recess 211.

送信用光デバイス22は、キャップ221を円盤状のステム222に封着した構成とされている。キャップ221は、レーザ光を外部に出射するための窓あるいはレンズ221aを有している。このレンズ221aは、送信用光デバイス22の内部に設けられている面発光レーザ素子から出射されたレーザ光を光ファイバのコアに集光させる。なお、送信用光デバイス22の内部構成については後述する。   The transmission optical device 22 has a configuration in which a cap 221 is sealed to a disc-shaped stem 222. The cap 221 has a window or lens 221a for emitting laser light to the outside. The lens 221a condenses the laser light emitted from the surface emitting laser element provided in the transmitting optical device 22 on the core of the optical fiber. The internal configuration of the transmission optical device 22 will be described later.

送信用光デバイス22は、レンズ221aを介して出射されるレーザ光が、ホルダ21の光通過孔212に挿入された光ファイバのコアに、効率よく入射されるよう位置決めしてホルダ21に固定する。このようにホルダ21と送信用光デバイス22を固定することで、ホルダ21に光ファイバを挿入するだけで、送信用光デバイス22から出射されたレーザ光が効率よく光ファイバのコアに入射されるように、光ファイバをホルダ21によって位置決めすることができる。   The transmitting optical device 22 is positioned and fixed to the holder 21 so that the laser light emitted through the lens 221a is efficiently incident on the core of the optical fiber inserted into the light passage hole 212 of the holder 21. . By fixing the holder 21 and the transmission optical device 22 in this way, the laser light emitted from the transmission optical device 22 is efficiently incident on the core of the optical fiber simply by inserting the optical fiber into the holder 21. Thus, the optical fiber can be positioned by the holder 21.

受信用光サブアセンブリ30も、送信用光サブアセンブリ20と同様に、ホルダにパッケージの受信用光デバイスを固定して構成されており、ホルダに光ファイバを挿入するだけで、光ファイバから出射されたレーザ光が、効率よく受信用光デバイス32に入射されるように光ファイバがホルダによって位置決めされる。   Similarly to the transmission optical subassembly 20, the reception optical subassembly 30 is configured by fixing the reception optical device of the package to the holder, and can be emitted from the optical fiber simply by inserting the optical fiber into the holder. The optical fiber is positioned by the holder so that the laser beam is efficiently incident on the receiving optical device 32.

次に、送信用光デバイス22について説明する。図3は、送信用光デバイス22の内部を示す斜視図である。また、図4Aは送信用光デバイス22の内部を示す正面図、図4Bは図4AのII−II'位置の断面概略図である。   Next, the transmission optical device 22 will be described. FIG. 3 is a perspective view showing the inside of the transmission optical device 22. 4A is a front view showing the inside of the transmission optical device 22, and FIG. 4B is a schematic sectional view taken along the line II-II ′ of FIG. 4A.

円盤状のステム222には、端子231a〜231dを挿通するための貫通孔223a〜223dを設ける。ステム222の上面には、マウント基板241を固着する。このマウント基板241は、高誘電体であるセラミック基板等を用いる。   The disc-shaped stem 222 is provided with through holes 223a to 223d through which the terminals 231a to 231d are inserted. A mount substrate 241 is fixed to the upper surface of the stem 222. The mount substrate 241 is a ceramic substrate that is a high dielectric material.

マウント基板241には、レーザ光を出射する面発光レーザ素子242、レーザ光の出射レベルをモニタするための受光素子243を設けておく。さらに、円盤状のステム222には、面発光レーザ素子242や受光素子243を端子と接続するための接続パターンを形成しておく。   The mount substrate 241 is provided with a surface emitting laser element 242 for emitting laser light and a light receiving element 243 for monitoring the emission level of the laser light. Further, a connection pattern for connecting the surface emitting laser element 242 and the light receiving element 243 to the terminals is formed on the disc-shaped stem 222.

接続パターンは、面発光レーザ素子242のアノードが接続される接続パターン244a、面発光レーザ素子242のカソード側が載置される接続パターン244c、端子231aと接続される接続パターン244b、端子231bと接続される接続パターン244d、受光素子243のカソード側が載置される接続パターン244eで構成し、各接続パターンはマイクロストリップライン構造として、損失が少なくなるように、所定のインピーダンス特性に調整されている。   The connection patterns are connected to the connection pattern 244a to which the anode of the surface emitting laser element 242 is connected, the connection pattern 244c on which the cathode side of the surface emitting laser element 242 is mounted, the connection pattern 244b to be connected to the terminal 231a, and the terminal 231b. The connection pattern 244d and the connection pattern 244e on which the cathode side of the light receiving element 243 is placed, and each connection pattern is adjusted to a predetermined impedance characteristic so as to reduce loss as a microstrip line structure.

面発光レーザ素子242のアノードと接続パターン244aは、ボンディングワイヤで接続する。接続パターン244aには、抵抗器245aを介して接続パターン244bを接続し、接続パターン244bと端子231aをボンディングワイヤで接続する。   The anode of the surface emitting laser element 242 and the connection pattern 244a are connected by a bonding wire. A connection pattern 244b is connected to the connection pattern 244a via a resistor 245a, and the connection pattern 244b and the terminal 231a are connected by a bonding wire.

面発光レーザ素子242が載置されて面発光レーザ素子242のカソードと接続される接続パターン244cには、抵抗器245bを介して接続パターン244dを接続し、接続パターン244dと端子231bをボンディングワイヤで接続する。また、受光素子243のアノードは端子231cと接続し、受光素子243のカソード側が載置される接続パターン244eは端子231dと接続する。なお、抵抗器245a,245bは、面発光レーザ素子242をパルス駆動する際の振幅制限等を行うためのものである。   A connection pattern 244d is connected to the connection pattern 244c on which the surface emitting laser element 242 is mounted and connected to the cathode of the surface emitting laser element 242 via a resistor 245b, and the connection pattern 244d and the terminal 231b are connected by a bonding wire. Connecting. The anode of the light receiving element 243 is connected to the terminal 231c, and the connection pattern 244e on which the cathode side of the light receiving element 243 is mounted is connected to the terminal 231d. The resistors 245a and 245b are for limiting the amplitude when the surface emitting laser element 242 is pulse-driven.

端子231a〜231dは、貫通孔223a〜223dに同軸整列させる。その後、例えばガラス材質の封止材を貫通孔223a〜223dに充填することで、端子231a〜231dを固定すると同時に貫通孔223a〜223dを密封する。   The terminals 231a to 231d are coaxially aligned with the through holes 223a to 223d. Thereafter, the through holes 223a to 223d are filled with, for example, a glass sealing material, thereby fixing the terminals 231a to 231d and simultaneously sealing the through holes 223a to 223d.

ここで、マウント基板241として比誘電率の高い基板を用いると、接続パターンを流れる信号の速度は比誘電率が低い基板を用いた場合よりも遅くなる。したがって、比誘電率の高い基板を用いたときの接続パターンの電気長は、物理長よりも短くなる。一方、ボンディングワイヤは、空間に設けられていることから電気長と物理長は等しくなる。このため、接続パターン244a,244cを対称に形成すると、アノードに供給される信号に比べてカソードに供給される信号の位相遅れが大きくなり、差動信号の位相差が変動してしまう。そこで、カソードが接続されている接続パターン244cの物理長を短くしてカソードに供給される信号の位相遅れを少なくする、あるいは、アノードと接続される接続パターン244aの物理長を長くしてアノードに供給される信号の位相遅れを大きくすれば、差動信号の位相差を補正して180度とすることが可能となる。しかし、接続パターン244cの物理長を短くすることは限界がある。また、送信用光デバイス22を小型化するためには、接続パターン244aの物理長を長くすることも限界がある。このため、位相補正手段を例えば接続パターン244aに設けて、アノードに供給される信号の位相を遅延させることで、面発光レーザ素子242に供給される差動信号の位相差が180度となるように補正する。   Here, when a substrate with a high relative dielectric constant is used as the mount substrate 241, the speed of the signal flowing through the connection pattern is slower than when a substrate with a low relative dielectric constant is used. Therefore, the electrical length of the connection pattern when using a substrate having a high relative dielectric constant is shorter than the physical length. On the other hand, since the bonding wire is provided in the space, the electrical length and the physical length are equal. For this reason, if the connection patterns 244a and 244c are formed symmetrically, the phase delay of the signal supplied to the cathode becomes larger than the signal supplied to the anode, and the phase difference of the differential signal fluctuates. Therefore, the physical length of the connection pattern 244c connected to the cathode is shortened to reduce the phase delay of the signal supplied to the cathode, or the physical length of the connection pattern 244a connected to the anode is lengthened to the anode. If the phase delay of the supplied signal is increased, the phase difference of the differential signal can be corrected to 180 degrees. However, there is a limit to shortening the physical length of the connection pattern 244c. In order to reduce the size of the transmission optical device 22, there is a limit to increasing the physical length of the connection pattern 244a. For this reason, phase correction means is provided in the connection pattern 244a, for example, to delay the phase of the signal supplied to the anode so that the phase difference of the differential signal supplied to the surface emitting laser element 242 becomes 180 degrees. To correct.

この位相補正手段としては、接続パターン244aに例えばスタブ244asを設ける。スタブ244asを設けると容量性負荷が増大することになり、アノードに供給される信号の位相遅れが大きくなる。したがって、面発光レーザ素子242に供給される差動信号の位相差を補正できる。ここで、スタブ244asのサイズは、アノードに供給される信号の位相遅れによって、差動信号の位相差が180度となるように設定する。   As this phase correction means, for example, a stub 244as is provided in the connection pattern 244a. Providing the stub 244as increases the capacitive load and increases the phase delay of the signal supplied to the anode. Therefore, the phase difference of the differential signal supplied to the surface emitting laser element 242 can be corrected. Here, the size of the stub 244as is set so that the phase difference of the differential signal becomes 180 degrees due to the phase delay of the signal supplied to the anode.

このように、面発光レーザ素子242を差動駆動する際に、位相補正手段を設けることで、面発光レーザ素子242のカソードとアノードで、接続パターンとの接続方法が異なる場合であっても、面発光レーザ素子242に供給される差動信号の位相差を、最適な位相差に補正してフラットな通過特性を得ることが可能となり、良好な通信特性を得ることができる。   As described above, when the surface emitting laser element 242 is differentially driven, by providing the phase correction means, even if the connection method of the connection pattern is different between the cathode and the anode of the surface emitting laser element 242, By correcting the phase difference of the differential signal supplied to the surface emitting laser element 242 to an optimum phase difference, it is possible to obtain a flat passing characteristic and to obtain a good communication characteristic.

ところで、フレキシブル基板29やマウント基板241の特性バラツキ等によって、差動信号の位相差の変動量が変化する場合、マウント基板241にスタブ244asのパターンを形成して、一方の信号の位相を所定量だけ遅延させるだけでは、差動信号の位相差を良好な状態に補正することができないおそれがある。そこで、フレキシブル基板29やマウント基板241の特性バラツキ等が生じても、位相遅延量を調整可能とすることで、面発光レーザ素子242に供給される差動信号の位相差を、良好な状態に補正できる送信用光デバイスを、図5を用いて説明する。なお、図5では、説明を簡単とするため、抵抗器245a,245bを省略して、接続パターン244aと端子231a、接続パターン244cと端子231bをそれぞれ接続している。   By the way, when the fluctuation amount of the phase difference of the differential signal changes due to the characteristic variation of the flexible substrate 29 or the mount substrate 241, a pattern of the stub 244as is formed on the mount substrate 241, and the phase of one signal is set to a predetermined amount. There is a possibility that the phase difference of the differential signal cannot be corrected to a good state only by delaying only by this amount. Therefore, even if characteristic variations of the flexible substrate 29 and the mount substrate 241 occur, the phase delay amount can be adjusted, so that the phase difference of the differential signal supplied to the surface emitting laser element 242 can be improved. An optical device for transmission that can be corrected will be described with reference to FIG. In FIG. 5, for simplicity of description, the resistors 245a and 245b are omitted, and the connection pattern 244a and the terminal 231a are connected, and the connection pattern 244c and the terminal 231b are connected.

接続パターン244aには、スタブ244asだけでなく、スタブ244atを形成する。また、スタブ244at上には、スタブの容量を可変することで位相遅延量を調整可能とする容量可変手段を設ける。容量可変手段としては、微小電気機械システム(MEMS:Micro Electro Mechanical System)のデバイス、例えばMEMSスイッチ25を用いることで、広い基板面積を使用することなくスタブの容量を調整できる。   In the connection pattern 244a, not only the stub 244as but also the stub 244at is formed. Further, on the stub 244at, a capacity varying means is provided that makes it possible to adjust the phase delay amount by varying the capacity of the stub. By using a micro electro mechanical system (MEMS) device such as the MEMS switch 25 as the capacity varying means, the capacity of the stub can be adjusted without using a large substrate area.

図6は、MEMSスイッチ25の接点部分の概略構成を示している。また、図7は、MEMSスイッチ25の動作を説明するため、図6のIII−III'位置の断面概略図を示している。   FIG. 6 shows a schematic configuration of the contact portion of the MEMS switch 25. FIG. 7 is a schematic sectional view taken along the line III-III ′ of FIG. 6 in order to explain the operation of the MEMS switch 25.

MEMSスイッチ25では、スタブ244atの両サイドに電極支持部250を形成して、この電極支持部250上に変形可能な電極板251を架設して、Shunt型のスイッチ構成とする。また、スタブ244at上には、誘電体層255deを形成する。電極板251は接地しておき、電極板251とスタブ244atとの間隔を制御して、電極板251とスタブ244atで形成されるコンデンサの容量を可変できるようにする。このように、コンデンサの容量を可変できるようにすれば、アノードに供給される信号の位相遅れを調整することが可能となり、差動信号の位相差の変動量が変化しても、差動信号の位相差を精度良く補正することができる。   In the MEMS switch 25, an electrode support portion 250 is formed on both sides of the stub 244at, and a deformable electrode plate 251 is installed on the electrode support portion 250 to form a shunt-type switch configuration. A dielectric layer 255de is formed on the stub 244at. The electrode plate 251 is grounded, and the distance between the electrode plate 251 and the stub 244at is controlled so that the capacitance of the capacitor formed by the electrode plate 251 and the stub 244at can be varied. In this way, if the capacitance of the capacitor can be varied, it is possible to adjust the phase lag of the signal supplied to the anode, and even if the amount of variation in the phase difference of the differential signal changes, the differential signal Can be corrected with high accuracy.

電極板251とスタブ244atとの間隔は、静電引力や熱変形を利用して制御する。すなわち、連続する制御電圧を電極(図示せず)に印加して静電引力により電極板251をスタブ244at側に変形させることで、電極板251とスタブ244atとの間隔を可変できる。また、熱膨張率の異なる2つの素材を積層して電極板251を形成するものとし、制御電流を電極板251に供給して電極板251を加熱することにより、電極板251をスタブ244at側に熱変形させて、電極板251とスタブ244atとの間隔を可変することもできる。   The distance between the electrode plate 251 and the stub 244at is controlled using electrostatic attraction or thermal deformation. That is, by applying a continuous control voltage to an electrode (not shown) and deforming the electrode plate 251 to the stub 244at side by electrostatic attraction, the distance between the electrode plate 251 and the stub 244at can be varied. In addition, the electrode plate 251 is formed by laminating two materials having different thermal expansion coefficients, and the electrode plate 251 is heated to the stub 244at side by supplying a control current to the electrode plate 251 and heating the electrode plate 251. The distance between the electrode plate 251 and the stub 244at can be varied by thermal deformation.

ここで、例えば制御信号(制御電圧や制御電流)を供給していないときには、図7Aに示すように、電極板251とスタブ244atとの間隔が広い状態となる。この場合、静電容量が小さいことから位相の遅れは少ない。制御信号を供給して図7Bに示すように、電極板251とスタブ244atとの間隔を狭めるものとすると、静電容量が大きくなり信号の位相遅れは大きくなる。すなわち、制御信号によって電極板251とスタブ244atとの間隔を制御することで、差動信号の位相差を調整することができる。   Here, for example, when a control signal (control voltage or control current) is not supplied, the gap between the electrode plate 251 and the stub 244at is wide as shown in FIG. 7A. In this case, since the capacitance is small, the phase delay is small. When a control signal is supplied and the distance between the electrode plate 251 and the stub 244at is narrowed as shown in FIG. 7B, the capacitance increases and the phase delay of the signal increases. In other words, the phase difference of the differential signal can be adjusted by controlling the distance between the electrode plate 251 and the stub 244at by the control signal.

MEMSスイッチ25の制御は、例えば送受信処理基板40に設けた制御回路42によって行う。すなわち、レーザ光の出射レベルを受光素子243で検出して、検出結果を制御回路42に供給する。制御回路42には、レーザ光の出射レベルに応じて電気長をどのように制御するか制御情報を記憶させておき、レーザ光の出射レベルに応じた制御情報に基づき制御信号を生成する。さらに、生成した制御信号をフレキシブル基板29や端子231eを介してMEMSスイッチ25の一方の端子に供給する。なお、MEMSスイッチ25の他方の端子は、接地されているステム222に接続する。このようにすれば、差動信号の位相差が良好な状態となるように自動的に制御することができるので、簡単かつ容易にフラットな通過特性を得ることができる。   The MEMS switch 25 is controlled by a control circuit 42 provided on the transmission / reception processing board 40, for example. That is, the laser light emission level is detected by the light receiving element 243 and the detection result is supplied to the control circuit 42. The control circuit 42 stores control information on how to control the electrical length in accordance with the laser light emission level, and generates a control signal based on the control information in accordance with the laser light emission level. Further, the generated control signal is supplied to one terminal of the MEMS switch 25 via the flexible substrate 29 and the terminal 231e. The other terminal of the MEMS switch 25 is connected to the stem 222 that is grounded. In this way, it is possible to automatically control so that the phase difference of the differential signal is in a good state, so that a flat pass characteristic can be obtained easily and easily.

また、上述の形態では、送信用光サブアセンブリ20の送信用光デバイス22について説明したが、受信用光サブアセンブリ30の受信用光デバイスについても、上述のように位相補正手段を設けるものとする。すなわち、面発光レーザ素子242に代えて受光素子を用いるものとして、受光素子とボンディングワイヤで接続される接続パターンに位相補正手段を設ける。また、レーザ光の出力をモニタするための受光素子243を削除する。   In the above-described embodiment, the transmission optical device 22 of the transmission optical subassembly 20 has been described. However, the phase correction means is also provided for the reception optical device of the reception optical subassembly 30 as described above. . That is, assuming that a light receiving element is used instead of the surface emitting laser element 242, a phase correction means is provided in a connection pattern connected to the light receiving element by a bonding wire. Further, the light receiving element 243 for monitoring the output of the laser light is deleted.

このようにすれば、受光素子のアノード側とカソード側で、接続パターンとの接続方法が異なる場合であっても、制御回路43に供給される差動信号の位相差を最適な状態に補正してフラットな通過特性を得ることが可能となり、良好な通信特性を得ることができる。   In this way, even if the connection method of the connection pattern is different between the anode side and the cathode side of the light receiving element, the phase difference of the differential signal supplied to the control circuit 43 is corrected to an optimum state. Therefore, it is possible to obtain a flat passing characteristic and a good communication characteristic.

次に、スタブ244asを設ける場合の実施例について説明する。マウント基板241は、図8Aに示すように、3つの導体層244,247,249の間にセラミック基板246,248を設けた多層基板として構成する。第1導体層244には、図8Bに示すように、接続パターン244a〜244eを形成する。また、接続パターン244aには、スタブ244asを形成する。   Next, an example in which the stub 244as is provided will be described. As shown in FIG. 8A, the mount substrate 241 is configured as a multilayer substrate in which ceramic substrates 246 and 248 are provided between three conductor layers 244, 247 and 249. As shown in FIG. 8B, connection patterns 244a to 244e are formed on the first conductor layer 244. A stub 244as is formed in the connection pattern 244a.

第2導体層247には、図8Cに示すように接地層247aを形成する。第1導体層244と第2導体層247の間には、誘電体層246としてセラミック基板(アルミナ)を設け、第1導体層244の接続パターン244a,244b,244dと第2導体層247の接地層247aとでマイクロストリップラインを構成する。誘電体層246の厚さは0.15mmであり、比誘電率は9.2である。   A ground layer 247a is formed on the second conductor layer 247 as shown in FIG. 8C. A ceramic substrate (alumina) is provided as a dielectric layer 246 between the first conductor layer 244 and the second conductor layer 247, and the connection patterns 244 a, 244 b and 244 d of the first conductor layer 244 and the second conductor layer 247 are in contact with each other. A microstrip line is formed with the formation 247a. The thickness of the dielectric layer 246 is 0.15 mm, and the relative dielectric constant is 9.2.

第3導体層249には、図8Dに示すように接地層249aを形成する。第2導体層247と第3導体層249の間には、誘電体層248としてセラミック基板(アルミナ)を設ける。第2導体層247の接地層247aと第3導体層249の接地層249aはビアやスルーホール等で電気的に接続して、第1導体層244の接続パターン244cと第3導体層249の接地層249aとでマイクロストリップラインを構成する。誘電体層248の厚さは0.2mmであり、比誘電率は9.2である。このように、接続パターン244cは、接地層249aとでマイクロストリップラインが構成されるので、接地層247aとでマイクロストリップラインを構成する場合に比べて誘電体層が厚くなり、接続パターン244cのパターン幅が一定であるときには実効比誘電率が小さくなる。したがって、カソードに供給される信号の位相遅れを小さくできる。   On the third conductor layer 249, a ground layer 249a is formed as shown in FIG. 8D. A ceramic substrate (alumina) is provided as the dielectric layer 248 between the second conductor layer 247 and the third conductor layer 249. The ground layer 247a of the second conductor layer 247 and the ground layer 249a of the third conductor layer 249 are electrically connected by vias, through holes, or the like, so that the connection pattern 244c of the first conductor layer 244 and the third conductor layer 249 are in contact with each other. A microstrip line is formed with the formation 249a. The thickness of the dielectric layer 248 is 0.2 mm, and the relative dielectric constant is 9.2. Thus, since the connection pattern 244c forms a microstrip line with the ground layer 249a, the dielectric layer becomes thicker than when the ground layer 247a forms a microstrip line, and the pattern of the connection pattern 244c. When the width is constant, the effective relative dielectric constant becomes small. Therefore, the phase delay of the signal supplied to the cathode can be reduced.

図9は、マウント基板241を図8のように構成したときの特性を示している。マウント基板241の接続パターン244aにスタブ244asを形成して差動信号の位相差を補正することで、通過特性(S21)は、図9Aに示すようにディップの発生が軽減されて、広い周波数範囲でフラットな特性となった。また、位相差特性は図9Bに示すものとなり、図11Bに比べて少なくできた。   FIG. 9 shows characteristics when the mount substrate 241 is configured as shown in FIG. By forming the stub 244as in the connection pattern 244a of the mount substrate 241 and correcting the phase difference of the differential signal, the pass characteristic (S21) reduces the occurrence of dip as shown in FIG. It became flat characteristics. Further, the phase difference characteristic is as shown in FIG. 9B, which can be reduced as compared with FIG. 11B.

光通信装置の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of an optical communication apparatus. 送信用光サブアセンブリの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the optical subassembly for transmission. 送信用光デバイスの内部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the inside of the optical device for transmission. 送信用光デバイスの内部を示す図である。It is a figure which shows the inside of the optical device for transmission. 送信用光デバイスの他の構成を示す図である。It is a figure which shows the other structure of the optical device for transmission. MEMSスイッチの接点部分の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the contact part of a MEMS switch. MEMSスイッチの動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of a MEMS switch. 実施例の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of an Example. 実施例の特性を示す図である。It is a figure which shows the characteristic of an Example. 従来の構成を示す図である。It is a figure which shows the conventional structure. 従来の特性を示す図である。It is a figure which shows the conventional characteristic.

符号の説明Explanation of symbols

10・・・光通信装置、20・・・送信用光サブアセンブリ、21・・・ホルダ、22・・・送信用光デバイス、25・・・MEMSスイッチ、29,39・・・フレキシブル基板、30・・・受信用光サブアセンブリ、32・・・受信用光デバイス、40・・・送受信処理基板、41・・・コネクタ端子部、42,43・・・制御回路、90,242・・・面発光レーザ素子、211・・・凹部、212・・・光通過孔、221・・・キャップ、221a・・・レンズ、222・・・ステム、223a〜223d・・・貫通孔、231a〜231e・・・端子、241・・・マウント基板、243・・・受光素子、244・・・第1導体層、244a〜244e・・・接続パターン、244as,244at・・・スタブ、246,248,255de・・・誘電体層、247・・・第2導体層、247a,249a・・・接地層、249・・・第3導体層、250・・・電極支持部、251・・・電極板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Optical communication apparatus, 20 ... Optical subassembly for transmission, 21 ... Holder, 22 ... Optical device for transmission, 25 ... MEMS switch, 29, 39 ... Flexible substrate, 30 ... Receiving optical subassembly, 32 ... Receiving optical device, 40 ... Transmission / reception processing board, 41 ... Connector terminal section, 42,43 ... Control circuit, 90,242 ... Light emitting laser element, 211... Recess, 212... Light passage hole, 221... Cap, 221 a .. lens, 222 .. stem, 223 a to 223 d .. through hole, 231 a to 231 e. Terminals, 241 ... mount substrate, 243 ... light receiving element, 244 ... first conductor layer, 244a to 244e ... connection pattern, 244as, 244at ... stub, 246, 248, 255de・Dielectric layer, 247 ... second conductor layer, 247a, 249a ... ground layer, 249 ... third conductor layer, 250 ... electrode support, 251 ... electrode plate

Claims (7)

発光素子または受光素子が載置されたマウント基板と、
前記マウント基板に形成され、載置された前記発光素子を駆動するための差動信号、または、載置された前記受光素子で生成された差動信号を伝送する第1及び第2の接続パターンと、
を有し、
前記載置された発光素子または受光素子は、一方の電極が前記第1の接続パターンと電気的に接続され、他方の電極がボンディングワイヤで前記第2の接続パターンと電気的に接続され、
いずれかの前記差動信号の信号間の位相差を補正するためのスタブが、前記第2の接続パターンに形成されている
光デバイス。
A mounting substrate on which a light emitting element or a light receiving element is mounting location,
Wherein formed on the mounting board, placed on said differential signal for driving the light emitting element or the first and second connection for transmitting a differential signal generated by the placed light receiving element, With patterns,
Have
In the light emitting element or the light receiving element placed above, one electrode is electrically connected to the first connection pattern, and the other electrode is electrically connected to the second connection pattern by a bonding wire,
An optical device in which a stub for correcting a phase difference between signals of any one of the differential signals is formed in the second connection pattern .
前記スタブ上に、当該スタブの容量を可変する容量可変手段を設け、当該容量可変手段によって前記いずれかの差動信号の信号間の位相を調整可能とした
請求項に記載の光デバイス。
On the stub optical device according to claim 1 in which the capacity of the stub provided capacity varying means for varying and adjustable phase between the signals of the one of the differential signal by the variable capacity means.
前記容量可変手段は、微小電気機械システムのデバイスを用いて構成した
請求項に記載の光デバイス。
The optical device according to claim 2 , wherein the capacity varying unit is configured using a device of a micro electro mechanical system.
回路が実装された送受信処理基板と、
前記送受信処理基板に接続される光デバイスと、
を備え、
前記光デバイスは、
発光素子または受光素子が載置されたマウント基板と、
前記送受信処理基板と電気的な接続がとられた複数の端子と、
前記複数の端子のうちの2つに対し、前記マウント基板に載置された前記発光素子または受光素子の2つの電極を接続するために当該マウント基板に形成され、載置された前記発光素子を駆動するための差動信号または、載置された前記受光素子で生成された差動信号を伝送する第1及び第2の接続パターンと、
を有し、
前記載置された発光素子または受光素子は、一方の電極が前記第1の接続パターンと電気的に接続され、他方の電極がボンディングワイヤで前記第2の接続パターンと電気的に接続され、
いずれかの前記差動信号の信号間の位相差を補正するためのスタブが、前記第2の接続パターンに形成されている
光通信装置。
A transmission / reception processing board on which a circuit is mounted;
An optical device connected to the transmission / reception processing board;
With
The optical device is:
A mounting substrate on which a light emitting element or a light receiving element is mounted;
A plurality of terminals electrically connected to the transmission / reception processing board;
The light emitting element formed and placed on the mount substrate for connecting two electrodes of the light emitting element or light receiving element placed on the mount substrate to two of the plurality of terminals. differential signal for driving, or the first and second connection patterns for transmitting the differential signal generated by the placed light receiving element,
Have
In the light emitting element or the light receiving element placed above, one electrode is electrically connected to the first connection pattern, and the other electrode is electrically connected to the second connection pattern by a bonding wire,
An optical communication apparatus , wherein a stub for correcting a phase difference between any of the differential signals is formed in the second connection pattern .
前記スタブ上に、当該スタブの容量を可変する容量可変手段を設け、当該容量可変手段によって前記いずれかの差動信号の信号間の位相を調整可能とした
請求項に記載の光通信装置。
The optical communication apparatus according to claim 4 , wherein a capacitance variable unit that varies a capacitance of the stub is provided on the stub, and the phase between any of the differential signals can be adjusted by the capacitance variable unit.
前記マウント基板に、前記第1及び第2の接続パターンと電気的に接続された前記発光素子と、当該発光素子からの光の出射レベルを検出する受光素子とが載置され、
前記発光素子からの光の出射レベルを検出する受光素子の検出結果に応じて、前記容量可変手段を、前記送受信処理基板に実装された回路が制御することにより、前記発光素子に供給される差動信号の信号間の位相差を補正する
請求項に記載の光通信装置。
The light emitting element that is electrically connected to the first and second connection patterns and a light receiving element that detects an emission level of light from the light emitting element are mounted on the mount substrate,
In accordance with a detection result of a light receiving element that detects an emission level of light from the light emitting element , the capacitance variable means is controlled by a circuit mounted on the transmission / reception processing board, whereby the difference supplied to the light emitting element The optical communication device according to claim 5 , wherein a phase difference between the signals of the motion signal is corrected.
前記検出結果が示す前記発光素子からの光の出射レベルに応じて、周波数に対するフラットな通過特性を得るには前記第1及び第2の接続パターンに対応する電気長をどのように制御するかの制御情報を、前記送受信処理基板に実装された制御回路内に記憶しておき、
前記制御回路は、前記制御情報に基づいて、前記容量可変手段の制御信号を制御することによって、前記発光素子に供給される差動信号の信号間の位相差を補正する
請求項に記載の光通信装置。
Depending on the emission level of the light from the light emitting element indicated by the detection result, to obtain a flat pass characteristic with respect to the frequency of how to control the electrical length corresponding to the first and second connection patterns Control information is stored in a control circuit mounted on the transmission / reception processing board,
Wherein the control circuit, based on the control information, by controlling the control signal of the variable volume means, according to claim 6 for correcting the phase difference between the signals of the differential signal supplied to the light emitting element Optical communication device.
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