JP4844206B2 - CVD equipment - Google Patents

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本発明は、サセプタに配した基板上にエピタキシャル膜を製造できるＣＶＤ装置に関し、特に複数の基板上に同時にエピタキシャル膜を製造できるマルチウェハ型のＣＶＤ装置に関する。   The present invention relates to a CVD apparatus capable of manufacturing an epitaxial film on a substrate disposed on a susceptor, and more particularly to a multi-wafer type CVD apparatus capable of simultaneously manufacturing an epitaxial film on a plurality of substrates.

本出願人は、サセプタに配した基板上に均一な膜厚のエピタキシャル膜を製造するＣＶＤ装置を提案している（特許文献１参照）。このようなＣＶＤ装置において、複数の基板上に同時にエピタキシャル膜を成長させることができるマルチウェハＣＶＤ装置の構成を図５に示す。図５（ａ）はＣＶＤ装置の概略断面構成を示し、図５（ｂ）は図５（ａ）のガス流通経路Ｊ８からＡ方向に見た構成を示している。   The present applicant has proposed a CVD apparatus for manufacturing an epitaxial film having a uniform film thickness on a substrate disposed on a susceptor (see Patent Document 1). FIG. 5 shows a configuration of a multi-wafer CVD apparatus capable of simultaneously growing an epitaxial film on a plurality of substrates in such a CVD apparatus. FIG. 5A shows a schematic cross-sectional configuration of the CVD apparatus, and FIG. 5B shows a configuration viewed from the gas flow path J8 in FIG. 5A in the A direction.

このＣＶＤ装置では、成長容器Ｊ１内に断熱材Ｊ２、Ｊ３を介してサセプタＪ４と加熱体Ｊ５が配置されると共に、そのサセプタＪ４の表面に基板Ｊ７が配置されている。ＣＶＤ装置の中央部には、ガス流通経路Ｊ８に原料ガスを導入するガス導入管Ｊ９が配置され、原料ガスが各基板Ｊ７に向かって流れる様に先端ノズルが開口している。そして、ＲＦコイルＪ６によって加熱体Ｊ５を誘導加熱され、加熱体Ｊ５の輻射熱によりサセプタＪ４および基板Ｊ７を加熱しながら、ガス導入管Ｊ９からガス流通経路Ｊ８に原料ガスを導入することで、基板Ｊ７の表面にＳｉＣエピタキシャル膜を成長させる。
特開２００４−３１５９３０号公報 In this CVD apparatus, a susceptor J4 and a heating body J5 are disposed in a growth vessel J1 via heat insulating materials J2 and J3, and a substrate J7 is disposed on the surface of the susceptor J4. In the center of the CVD apparatus, a gas introduction pipe J9 for introducing a source gas into the gas flow path J8 is arranged, and a tip nozzle is opened so that the source gas flows toward each substrate J7. Then, the heating element J5 is induction-heated by the RF coil J6, and the substrate gas J7 is introduced into the gas flow path J8 from the gas introduction pipe J9 while heating the susceptor J4 and the substrate J7 by the radiant heat of the heating element J5. A SiC epitaxial film is grown on the surface.
JP 2004-315930 A

しかしながら、上記従来技術の構成では、原料ガスがガス導入管Ｊ９から各基板Ｊ７に向かって供給されるめ、ガス流通経路Ｊ８における基板Ｊ７が存在しない領域には、ガス導入管Ｊ９から供給される原料ガスが行き渡らず、ガス流れ方向下流側から原料ガスが逆流して供給されることがある。このとき、原料ガスが成長容器Ｊ１などに付着していた付着物を巻き上げ、基板Ｊ７上に形成されるエピタキシャル膜にパーティクルを付着させてしまうという問題がある。   However, in the configuration of the above prior art, since the source gas is supplied from the gas introduction pipe J9 toward each substrate J7, the gas distribution path J8 is supplied from the gas introduction pipe J9 to the region where the substrate J7 does not exist. In some cases, the raw material gas does not spread, and the raw material gas flows backward from the downstream side in the gas flow direction. At this time, there is a problem in that the source gas rolls up the deposit that has adhered to the growth vessel J1 and the like, causing particles to adhere to the epitaxial film formed on the substrate J7.

本発明は上記点に鑑みて、基板上に形成されるエピタキシャル膜にパーティクルが付着することを防止することを目的とする。   In view of the above points, an object of the present invention is to prevent particles from adhering to an epitaxial film formed on a substrate.

上記目的を達成するため、本発明は、成長容器（１）内のサセプタ（４）上に配置された複数の基板（７）の表面に結晶を成長させるＣＶＤ装置であって、複数の基板のそれぞれに向かって開口している第１開口部（９ａ）を有し、第１開口部から複数の基板のそれぞれに向かって少なくとも原料ガスを供給し、複数の基板のそれぞれに対向するように配置された第１ガス供給手段（９ａ、９ｅ）と、複数の基板における隣り合う基板の間に向かって開口している第２開口部（９ｂ）を有し、第２開口部から複数の基板における隣り合う基板の間に向かってキャリアガスを供給し、複数の基板のそれぞれに対向するように配置された第２ガス供給手段（９ｂ、９ｆ）とを備えることを特徴としている。 To achieve the above object, the present invention provides a CVD apparatus for growing a crystal on the surface of a plurality of substrates disposed on the susceptor of the growth vessel (1) in (4) (7), a plurality of substrates It has the 1st opening part (9a) opened toward each, and supplies at least raw material gas toward each of several board | substrates from a 1st opening part, and it arrange | positions so that it may each oppose to each of several board | substrates first gas supply means (9a, 9e) which is a second opening which is open towards between the substrate adjacent the plurality of substrates having a (9b), the plurality of substrates from the second opening A carrier gas is supplied between adjacent substrates, and second gas supply means (9b, 9f) arranged to face each of the plurality of substrates are provided.

このように、各基板の間にキャリアガスを供給することで、基板が存在しない領域で原料ガスが逆流することを防止できる。これにより、原料ガスが付着物を巻き上げることがなく、基板上にパーティクルが付着することを防止できる。   In this way, by supplying the carrier gas between the substrates, the source gas can be prevented from flowing backward in the region where the substrate does not exist. Thereby, it can prevent that source gas does not roll up a deposit | attachment, but a particle adheres on a board | substrate.

また、本発明は、成長容器（１）内のサセプタ（４）上に配置された複数の基板（７）の表面に結晶を成長させるＣＶＤ装置であって、原料ガスが通過する第１ガス経路（９ｅ）と、キャリアガスが通過する第２ガス経路（９ｆ）とを有し、複数の基板のそれぞれに対向するように配置されたガス導入管（９）を備え、第１ガス経路には、複数の基板のそれぞれに向かって開口している第１開口部（９ａ）が設けられ、第２ガス経路には、複数の基板における隣り合う基板の間に向かって開口している第２開口部（９ｂ）が設けられていることを特徴としている。 The present invention is also a CVD apparatus for growing crystals on the surfaces of a plurality of substrates (7) disposed on a susceptor (4 ) in a growth vessel (1), wherein a first gas path through which a source gas passes. and (9e) have a second gas path which carrier gas passes (9f), a gas inlet tube disposed so as to face each of the plurality of substrates provided with (9), the first gas path A first opening (9a) that opens toward each of the plurality of substrates is provided, and a second opening that opens toward the space between adjacent substrates in the plurality of substrates is provided in the second gas path. A part (9b) is provided.

これにより、第１開口部（９ａ）から複数の基板のそれぞれに向かって原料ガスを供給することができ、第２開口部（９ｂ）から複数の基板における隣り合う基板の間に向かってキャリアガスを供給することができる。   Accordingly, the source gas can be supplied from the first opening (9a) toward each of the plurality of substrates, and the carrier gas is directed from the second opening (9b) to between adjacent substrates in the plurality of substrates. Can be supplied.

また、第１開口部から流出する原料ガスの流速を、第２開口部から流出するキャリアガスの流速より大きくすることで、原料ガスの逆流を防止できる。第１開口部の面積を、第２の開口部の面積より小さくなっているようにすることで、第１開口部から流出する原料ガスの流速を、第２開口部から流出するキャリアガスの流速より大きくできる。   Further, by making the flow rate of the source gas flowing out from the first opening larger than the flow rate of the carrier gas flowing out from the second opening, the back flow of the source gas can be prevented. By making the area of the first opening smaller than the area of the second opening, the flow rate of the source gas flowing out from the first opening is set to the flow rate of the carrier gas flowing out from the second opening. Can be bigger.

また、第１開口部から原料ガスに加えてキャリアガスが供給されるように構成されている場合に、第１開口部から流出する原料ガスおよびキャリアガスの合計流量を、第２開口部から流出するキャリアガスの流量より大きくすることによっても、原料ガスの逆流を防止できる。   Further, when the carrier gas is supplied from the first opening in addition to the source gas, the total flow rate of the source gas and the carrier gas flowing out from the first opening is discharged from the second opening. The backflow of the source gas can also be prevented by increasing the flow rate of the carrier gas.

また、第２開口部は、隣り合う基板の間における中心位置に向かって開口しているようにすることで、キャリアガスが基板が存在していない領域の一部に偏らずまんべんなく供給されるので、原料ガスの逆流を確実に防止できる。   In addition, since the second opening is opened toward the center position between adjacent substrates, the carrier gas is supplied evenly to a part of the region where the substrate does not exist. , The back flow of the raw material gas can be surely prevented.

また、キャリアガスとして水素を用いることができ、原料ガスとしてシランとプロパンを用いることができる。   Further, hydrogen can be used as the carrier gas, and silane and propane can be used as the source gas.

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図１、図２に基づいて説明する。本実施形態のＣＶＤ装置は、同時に複数の基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成することができるマルチウェハＣＶＤ装置として構成されている。 (First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. The CVD apparatus according to the present embodiment is configured as a multi-wafer CVD apparatus that can simultaneously form SiC epitaxial films on a plurality of substrates.

図１（ａ）は本実施形態のホットウォールＣＶＤ装置の概略断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のガス流通経路８からＡ方向に見た構成を示している。   FIG. 1A is a schematic cross-sectional view of the hot wall CVD apparatus of the present embodiment, and FIG. 1B shows a configuration viewed in the A direction from the gas flow path 8 of FIG.

図１に示すように、両端が塞がった筒状の成長容器１内の上部に第１断熱材２が配置され、下部に第２断熱材３が配置されている。断熱材２、３の内側において、第１断熱材２と隣接するようにカーボンで構成されたサセプタ４が配置され、第２断熱材３と隣接するようにカーボンで構成された加熱体５が配置されている。 As shown in FIG. 1, the 1st heat insulating material 2 is arrange | positioned at the upper part in the cylindrical growth container 1 with which both ends were closed, and the 2nd heat insulating material 3 is arrange | positioned at the lower part. Inside the heat insulating material 2, 3, Sa septum 4 composed of a carbon adjacent to the first heat insulating material 2 is arranged, the heating body 5 constituted by carbon adjacent to the second heat insulator 3 Has been placed .

サセプタ４は、円盤状に構成され、その中心部の周囲の複数箇所にザグリ（凹部）４ａが設けられ、ザグリ４ａの中央部において貫通孔４ｂが形成された構成となっている。そして、ザグリ４ａ内に、円盤状のホルダー４ｃが配置され、貫通孔４ｂを通じてホルダー４ｃの中心に回転軸４ｄが接続された構成となっている。これにより、図示しない回転機構にて回転軸４ｄが回転され、回転軸４ｄを中心としてホルダー４ｃが回転させられるようになっている。 Sa septa 4 is formed in a disk shape, the plurality of locations around the central counterbore (recess) 4a is provided, has a configuration in which the through-hole 4b at the center of the pocket 4a is formed. A disc-shaped holder 4c is arranged in the counterbore 4a, and the rotary shaft 4d is connected to the center of the holder 4c through the through hole 4b. Thereby, the rotating shaft 4d is rotated by a rotating mechanism (not shown), and the holder 4c is rotated around the rotating shaft 4d.

また、成長容器１の外壁面の近傍には、加熱体５が配置される部位と対向する部位において、高周波での加熱を可能とする加熱手段（誘導加熱手段）としてのＲＦコイル６が備えられている。このＲＦコイル６への通電により、加熱体５を高周波加熱できるようになっている。サセプタ４は、加熱体５の輻射熱により加熱される。   Further, in the vicinity of the outer wall surface of the growth vessel 1, an RF coil 6 is provided as a heating means (induction heating means) that enables heating at a high frequency in a portion facing the portion where the heating body 5 is disposed. ing. By heating the RF coil 6, the heating body 5 can be heated at a high frequency. The susceptor 4 is heated by the radiant heat of the heating body 5.

各ホルダー４ｃの内壁面にはそれぞれ、ＳｉＣ単結晶で構成された基板７が配置される。サセプタ４および加熱体５は、互いに所定間隔離間、例えば室温において１０ｍｍ〜４０ｍｍ離れるように配置され、これらによって形成される間隙が原料ガスが流れるガス流通経路８になる。 Each of the inner wall surface of each e Ruda 4c, the substrate 7 composed of a SiC single crystal is disposed. The susceptor 4 and the heating element 5 are arranged so as to be spaced apart from each other by a predetermined interval, for example, 10 mm to 40 mm at room temperature, and a gap formed by these becomes a gas flow path 8 through which the source gas flows.

ＣＶＤ装置の中央部には原料ガスおよびキャリアガスを噴出するガス導入管９が配置されている。ガス導入管９から噴出されたガスは、図中矢印に示されるように基板７の表面に略平行な方向に流動し、サセプタ４と加熱体５の間のガス流通経路８に供給され、成長容器１の壁面に形成されたガス排出用の孔から排出される。本実施形態では、原料ガスとしてプロパン（Ｃ3Ｈ8）およびシラン（ＳｉＨ4）を用い、キャリアガスとして水素（Ｈ2）を用いている。 A gas introduction pipe 9 for ejecting a source gas and a carrier gas is disposed at the center of the CVD apparatus. The gas ejected from the gas introduction pipe 9 flows in a direction substantially parallel to the surface of the substrate 7 as indicated by an arrow in the figure, and is supplied to the gas flow path 8 between the susceptor 4 and the heating body 5 for growth. The gas is discharged from a gas discharge hole formed in the wall surface of the container 1. In this embodiment, propane (C 3 H 8 ) and silane (SiH 4 ) are used as the source gas, and hydrogen (H 2 ) is used as the carrier gas.

図２（ａ）はガス導入管９の先端部の斜視図であり、図２（ｂ）はガス導入管９の先端部の断面図である。ガス導入管９は、原料ガスおよびキャリアガスを噴出する第１開口部９ａとキャリアガスを噴出する第２開口部９ｂが設けられている。本実施形態のガス導入管９は、径が異なる２つの円筒形の管状部材９ｃ、９ｄを重ね合わせた同心円状の二重管構造に構成されている。内側に配置される第１管状部材９ｃの内部には第１ガス経路９ｅが形成され、第１管状部材９ｃと外側に配置される第２管状部材９ｄとの間には第２ガス経路９ｆが形成される。第１ガス経路９ｅには原料ガスが通過し、第２ガス経路９ｆにはキャリアガスが通過する。第１ガス経路９ｅには図示しない原料ガス供給用ボンベから原料ガスが供給され、第２ガス経路９ｆには図示しないキャリアガス供給用ボンベからキャリアガスが供給される。それぞれのガス供給ボンベには流量調整弁が設けられ、ガスの流量調整が可能となっている。   FIG. 2A is a perspective view of the distal end portion of the gas introduction tube 9, and FIG. 2B is a cross-sectional view of the distal end portion of the gas introduction tube 9. The gas introduction pipe 9 is provided with a first opening 9a for ejecting the source gas and the carrier gas and a second opening 9b for ejecting the carrier gas. The gas introduction pipe 9 of this embodiment is configured in a concentric double pipe structure in which two cylindrical tubular members 9c and 9d having different diameters are overlapped. A first gas passage 9e is formed inside the first tubular member 9c arranged on the inner side, and a second gas passage 9f is formed between the first tubular member 9c and the second tubular member 9d arranged on the outer side. It is formed. The source gas passes through the first gas path 9e, and the carrier gas passes through the second gas path 9f. A source gas is supplied to the first gas path 9e from a source gas supply cylinder (not shown), and a carrier gas is supplied to the second gas path 9f from a carrier gas supply cylinder (not shown). Each gas supply cylinder is provided with a flow rate adjusting valve so that the gas flow rate can be adjusted.

第１管状部材９ｃの先端には、第１開口部９ａが形成されており、第２管状部材９ｄの先端には、第２開口部９ｂが形成されている。本実施形態では、第１開口部９ａは各基板３に対応して３つ形成されており、第２開口部９ｂは隣り合う基板３の間の空間に対応して３つ形成されている。図１（ｂ）に示すように、第１開口部９ａは各基板７に向かって開口しており、本実施形態では、第１開口部９ａは各基板７の略中心に向かって開口している。また、第２開口部９ｂは、各基板７の間の空間に向かって開口しており、本実施形態では、第２開口部９ｂは、隣り合う基板７の間における中心位置（隣り合う基板７の間の空間を二等分した位置）に向かって開口している。なお、第１開口部９ａと第１ガス経路９ｅが本発明の第１ガス供給手段に相当し、第２開口部９ｂと第２ガス経路９ｆが本発明の第２ガス供給手段に相当している。   A first opening 9a is formed at the tip of the first tubular member 9c, and a second opening 9b is formed at the tip of the second tubular member 9d. In the present embodiment, three first openings 9 a are formed corresponding to each substrate 3, and three second openings 9 b are formed corresponding to the space between adjacent substrates 3. As shown in FIG. 1B, the first opening 9a opens toward each substrate 7. In this embodiment, the first opening 9a opens toward the approximate center of each substrate 7. Yes. Further, the second opening 9b opens toward the space between the substrates 7. In the present embodiment, the second opening 9b is located at the center position between the adjacent substrates 7 (adjacent substrates 7). The space between the two is divided into two equal parts). The first opening 9a and the first gas path 9e correspond to the first gas supply means of the present invention, and the second opening 9b and the second gas path 9f correspond to the second gas supply means of the present invention. Yes.

また、第１管状部材９ｃの先端は、第２管状部材９ｄの先端より長くなっており、第１開口部９ａは第２開口部９ｂより下方に位置する。つまり、第１開口部９ａの方が第２開口部９ｂより基板７から離れている。   The tip of the first tubular member 9c is longer than the tip of the second tubular member 9d, and the first opening 9a is positioned below the second opening 9b. That is, the first opening 9a is farther from the substrate 7 than the second opening 9b.

以上の構成を有するホットウォールＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＣエピタキシャル膜を成長させる。具体的には、まず、各ホルダー４ｃの内壁面にＳｉＣ単結晶で構成された基板７を配置する。これにより、基板７の表面が下方向を向けられた状態となる。そして、ガス導入管９の第２開口部９ｂからキャリアガスとしての水素をガス流通経路８における各基板７の間に供給し、ＲＦコイル６に対して１０ｋＨｚ以下、例えば８ｋＨｚ程度の周波数で通電を行い、加熱体５を高温となるように加熱する。 The SiC epitaxial film is grown using the hot wall CVD apparatus having the above configuration. Specifically, first, placing the substrate 7, which is configured on the inner wall surface of each e Ruda 4c in SiC single crystal. As a result, the surface of the substrate 7 is directed downward. Then, hydrogen as a carrier gas is supplied between the substrates 7 in the gas flow path 8 from the second opening 9b of the gas introduction pipe 9, and the RF coil 6 is energized at a frequency of 10 kHz or less, for example, about 8 kHz. It heats so that the heating body 5 may become high temperature.

この後、サセプタ４のホルダー４ｃを回転軸４ｄを中心として回転させながら、第１開口部９ａから原料ガスとしてのシランとプロパンを適宜供給する。これにより、原料ガスがホルダー４ｃに保持された基板７に向けて供給される。そして、加熱体５の輻射熱によって基板７およびサセプタ４が充分に加熱されるため、原料ガスが充分に熱分解され、基板７の表面にＳｉＣ単結晶がエピタキシャル成長していく。   Thereafter, silane and propane as raw material gases are appropriately supplied from the first opening 9a while rotating the holder 4c of the susceptor 4 about the rotation shaft 4d. Thereby, source gas is supplied toward the board | substrate 7 hold | maintained at the holder 4c. Then, since the substrate 7 and the susceptor 4 are sufficiently heated by the radiant heat of the heating body 5, the source gas is sufficiently pyrolyzed, and the SiC single crystal grows epitaxially on the surface of the substrate 7.

以上説明した本実施形態の構成によれば、各基板７上にエピタキシャル膜を成長させる際に、各基板７の間にキャリアガスを供給しているので、基板７が存在しない領域で原料ガスが逆流することを防止できる。これにより、原料ガスが付着物を巻き上げることがなく、基板７上にパーティクルが付着することを防止できる。   According to the configuration of the present embodiment described above, since the carrier gas is supplied between the substrates 7 when the epitaxial film is grown on each substrate 7, the source gas is generated in the region where the substrate 7 does not exist. Backflow can be prevented. Thereby, it can prevent that source gas does not wind up a deposit | attachment, but a particle adheres on the board | substrate 7. FIG.

また、本実施形態では、原料ガスおよびキャリアガスを供給するガス導入管９を、同心円状の二重管として構成しているので、原料ガスとキャリアガスをそれぞれ複数の開口部９ａ、９ｂから対称的に噴出することができる。   In this embodiment, since the gas introduction pipe 9 for supplying the source gas and the carrier gas is configured as a concentric double pipe, the source gas and the carrier gas are symmetrical from the plurality of openings 9a and 9b, respectively. Can be ejected.

また、第２開口部９ｂが隣り合う基板７の間における中心位置に向かって開口しているようにすることで、キャリアガスが基板７が存在していない領域の一部に偏らずまんべんなく供給されるので、原料ガスの逆流を確実に防止できる。   Further, by making the second opening 9b open toward the center position between the adjacent substrates 7, the carrier gas is evenly supplied to a part of the region where the substrate 7 does not exist. Therefore, the back flow of the source gas can be reliably prevented.

また、第１開口部９ａが第２開口部９ｂより基板７から離れた位置に形成されているので、原料ガスが拡散しながら基板７上に堆積する。このため、基板７上にエピタキシャル膜を良好に成長させることができる。   Further, since the first opening 9a is formed at a position farther from the substrate 7 than the second opening 9b, the source gas is deposited on the substrate 7 while diffusing. For this reason, the epitaxial film can be favorably grown on the substrate 7.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を図３、図４に基づいて説明する。本第２実施形態は、上記第１実施形態と比較して、ガス導入管９の構成が異なっている。上記第１実施形態の部分は同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The second embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the gas introduction pipe 9. The parts of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and only different parts will be described.

図３は、本第２実施形態のＣＶＤ装置を図１（ａ）のガス流通経路９からＡ方向に見た構成を示しており、上記第１実施形態の図１（ｂ）に対応している。図４（ａ）はガス導入管９の先端部の斜視図であり、図４（ｂ）はガス導入管９の先端部の断面図であり、それぞれ上記第１実施形態の図２（ａ）と図２（ｂ）に対応している。   FIG. 3 shows a configuration in which the CVD apparatus of the second embodiment is viewed in the A direction from the gas flow path 9 of FIG. 1A, and corresponds to FIG. 1B of the first embodiment. Yes. 4A is a perspective view of the distal end portion of the gas introduction tube 9, and FIG. 4B is a cross-sectional view of the distal end portion of the gas introduction tube 9. FIG. 2A of the first embodiment is shown in FIG. 2 corresponds to FIG.

本第２実施形態では、ガス導入管９に第２開口部９ｂが６つ形成されている。具体的には、第２開口部９ｂは、各基板７の間の空間に向かって開口する３箇所に加え、第１開口部９ａと同様、各基板７に向かって開口する３箇所が設けられている。このため、第２開口部９ｂからキャリアガスが各基板７の間の空間と各基板７に対して供給される。   In the second embodiment, six second opening portions 9 b are formed in the gas introduction pipe 9. Specifically, the second opening 9b is provided with three locations that open toward the respective substrates 7 in addition to the three locations that open toward the space between the respective substrates 7 as well as the first opening 9a. ing. For this reason, the carrier gas is supplied to the space between the substrates 7 and the substrates 7 from the second opening 9b.

以上の本第２実施形態の構成によっても、上記第１実施形態と同様、基板７が存在しない領域で原料ガスが逆流することを防止できる。これにより、原料ガスが付着物を巻き上げることがなく、基板７上にパーティクルが付着することを防止できる。   Also according to the configuration of the second embodiment described above, the source gas can be prevented from flowing backward in the region where the substrate 7 does not exist, as in the first embodiment. Thereby, it can prevent that source gas does not wind up a deposit | attachment, but a particle adheres on the board | substrate 7. FIG.

（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、基板７としてＳｉＣ単結晶で構成されたものを用い、基板７の上にＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる例を挙げて説明しているが、他の結晶成長に本発明のＣＶＤ装置を使用することもできる。 (Other embodiments)
In each of the above-described embodiments, an example in which a SiC single crystal is used as the substrate 7 and an SiC single crystal is epitaxially grown on the substrate 7 is described. However, the present invention is applicable to other crystal growth methods. It is also possible to use a CVD apparatus.

また、第１開口部９ａから供給される原料ガスの流速を第２開口部９ｂから供給されるキャリアガスの流速より大きくしてもよい。これにより、原料ガスの逆流をより確実に防止できる。この場合、第１開口部９ａの開口面積を第２開口部９ｂの開口面積より小さくすることで、第１開口部９ａから供給される原料ガスの流速を第２開口部９ｂから供給されるキャリアガスの流速より大きくすることができる。   Further, the flow rate of the source gas supplied from the first opening 9a may be larger than the flow rate of the carrier gas supplied from the second opening 9b. Thereby, the backflow of source gas can be prevented more reliably. In this case, by making the opening area of the first opening 9a smaller than the opening area of the second opening 9b, the flow rate of the source gas supplied from the first opening 9a is increased by the carrier supplied from the second opening 9b. It can be greater than the gas flow rate.

同様に、第１開口部９ａから供給される原料ガスにキャリアガスを加えた合計流量を第２開口部９ｂから供給されるキャリアガスの流量より大きくしてもよい。これにより、原料ガスの逆流をより確実に防止できる。   Similarly, the total flow rate obtained by adding the carrier gas to the source gas supplied from the first opening 9a may be larger than the flow rate of the carrier gas supplied from the second opening 9b. Thereby, the backflow of source gas can be prevented more reliably.

また、上記実施形態では、第１開口部９ａを基板７の数に対応して設けたが、これに限らず、第１開口部９ａを１つの基板７に対して複数設けてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the 1st opening part 9a was provided corresponding to the number of the board | substrates 7, you may provide two or more 1st opening parts 9a with respect to the one board | substrate 7 not only in this.

また、上記実施形態では、第２開口部９ｂを基板７間の空間の数に対応して設けたが、これに限らず、第２開口部９ｂを１つの基板７間の空間に対して複数設けてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the 2nd opening part 9b was provided corresponding to the number of the space between the board | substrates 7, not only this but two or more 2nd opening part 9b with respect to the space between the one board | substrates 7 is provided. It may be provided.

また、上記実施形態では、キャリアガスとして水素を用いたが、キャリアガスとして例えばヘリウムのような水素以外のガスを用いてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although hydrogen was used as carrier gas, gas other than hydrogen, such as helium, may be used as carrier gas, for example.

また、上記実施形態では、ガス導入管９を同心円状の二重管として構成し、第１ガス経路９ｅを内側に設け、第２ガス経路９ｆを外側に設けたが、これに限らず、第１ガス経路９ｅを外側に設け、第２ガス経路９ｆを内側に設けてもよい。   In the above embodiment, the gas introduction pipe 9 is configured as a concentric double pipe, the first gas path 9e is provided on the inner side, and the second gas path 9f is provided on the outer side. The first gas path 9e may be provided on the outer side, and the second gas path 9f may be provided on the inner side.

また、ガス導入管９は、同心円状の二重管とは異なる構成としてもよい。さらに、第１管状部材９ｃと第２管状部材９ｄを別部材とし、本発明の第１ガス供給手段と第２ガス供給手段を別部材として構成してもよい。   Further, the gas introduction pipe 9 may be configured differently from the concentric double pipe. Furthermore, the first tubular member 9c and the second tubular member 9d may be separate members, and the first gas supply unit and the second gas supply unit of the present invention may be configured as separate members.

（ａ）は第１実施形態のＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は図１（ａ）のガス流通経路からＡ方向に見た構成を示す図である。(A) is sectional drawing which shows schematic structure of the CVD apparatus of 1st Embodiment, (b) is a figure which shows the structure seen to the A direction from the gas distribution path | route of Fig.1 (a). （ａ）はガス導入管の先端部の斜視図であり、（ｂ）はガス導入管の先端部の断面図である。(A) is a perspective view of the front-end | tip part of a gas introduction pipe, (b) is sectional drawing of the front-end | tip part of a gas introduction pipe. 第２実施形態のＣＶＤ装置を図１（ａ）におけるガス流通経路からＡ方向に見た構成を示す図である。It is a figure which shows the structure which looked at the CVD apparatus of 2nd Embodiment to the A direction from the gas distribution path | route in Fig.1 (a). （ａ）は第２実施形態のガス導入管の先端部の斜視図であり、（ｂ）はガス導入管の先端部の断面図である。(A) is a perspective view of the front-end | tip part of the gas introduction pipe of 2nd Embodiment, (b) is sectional drawing of the front-end | tip part of a gas introduction pipe. （ａ）は従来のＣＶＤ装置のの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のガス流通経路からＡ方向に見た構成を示す図である。(A) is sectional drawing which shows schematic structure of the conventional CVD apparatus, (b) is a figure which shows the structure seen to the A direction from the gas distribution path of (a).

符号の説明Explanation of symbols

１…成長容器、２、３…断熱材、４…サセプタ、５…加熱体、６…ＲＦコイル、７…基板、８…ガス流通経路、９…ガス導入管、９ａ…第１開口部、９ｂ…第２開口部、９ｃ…第１管状部材、９ｄ…第２管状部材、９ｅ…第１ガス経路、９ｆ…第２ガス経路。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Growth container, 2, 3 ... Heat insulating material, 4 ... Susceptor, 5 ... Heating body, 6 ... RF coil, 7 ... Substrate, 8 ... Gas distribution path, 9 ... Gas introduction pipe, 9a ... 1st opening part, 9b 2nd opening, 9c ... 1st tubular member, 9d ... 2nd tubular member, 9e ... 1st gas path, 9f ... 2nd gas path.

Claims (8)

成長容器（１）内のサセプタ（４）上に配置された複数の基板（７）の表面に結晶を成長させるＣＶＤ装置であって、
前記複数の基板のそれぞれに向かって開口している第１開口部（９ａ）を有し、前記第１開口部から前記複数の基板のそれぞれに向かって少なくとも原料ガスを供給し、前記複数の基板のそれぞれに対向するように配置された第１ガス供給手段（９ａ、９ｅ）と、
前記複数の基板における隣り合う基板の間に向かって開口している第２開口部（９ｂ）を有し、前記第２開口部から前記複数の基板における隣り合う基板の間に向かってキャリアガスを供給し、前記複数の基板のそれぞれに対向するように配置された第２ガス供給手段（９ｂ、９ｆ）とを備えることを特徴とするＣＶＤ装置。 A CVD apparatus for growing crystals on the surfaces of a plurality of substrates (7) disposed on a susceptor (4 ) in a growth vessel (1),
A first opening (9a) that opens toward each of the plurality of substrates; at least a source gas is supplied from the first opening toward each of the plurality of substrates; First gas supply means (9a, 9e) arranged to face each of the
A second opening (9b) that opens between adjacent substrates in the plurality of substrates, and a carrier gas is supplied from the second opening to the adjacent substrates in the plurality of substrates. A CVD apparatus comprising: a second gas supply means (9b, 9f) that is supplied and arranged to face each of the plurality of substrates . 成長容器（１）内のサセプタ（４）上に配置された複数の基板（７）の表面に結晶を成長させるＣＶＤ装置であって、
原料ガスが通過する第１ガス経路（９ｅ）と、キャリアガスが通過する第２ガス経路（９ｆ）とを有し、前記複数の基板のそれぞれに対向するように配置されたガス導入管（９）を備え、
前記第１ガス経路には、前記複数の基板のそれぞれに向かって開口している第１開口部（９ａ）が設けられ、前記第２ガス経路には、前記複数の基板における隣り合う基板の間に向かって開口している第２開口部（９ｂ）が設けられていることを特徴とするＣＶＤ装置。 A CVD apparatus for growing crystals on the surfaces of a plurality of substrates (7) disposed on a susceptor (4 ) in a growth vessel (1),
A first gas path feed gas passes (9e), have a second gas path which carrier gas passes (9f), a gas inlet tube disposed so as to face each of the plurality of substrates (9 )
The first gas path is provided with a first opening (9a) opening toward each of the plurality of substrates, and the second gas path is provided between adjacent substrates in the plurality of substrates. A CVD apparatus, characterized in that a second opening (9b) that opens toward the surface is provided. 前記第１開口部から流出する原料ガスの流速を、前記第２開口部から流出するキャリアガスの流速より大きくすることを特徴とする請求項２に記載のＣＶＤ装置。 3. The CVD apparatus according to claim 2, wherein a flow velocity of the source gas flowing out from the first opening is made larger than a flow velocity of the carrier gas flowing out from the second opening. 前記第１開口部の面積は、前記第２の開口部の面積より小さくなっていることを特徴とする請求項３に記載のＣＶＤ装置。 The CVD apparatus according to claim 3, wherein an area of the first opening is smaller than an area of the second opening. 前記第１開口部から原料ガスに加えてキャリアガスが供給されるように構成されており、前記第１開口部から流出する原料ガスおよびキャリアガスの合計流量を、前記第２開口部から流出するキャリアガスの流量より大きくすることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１つに記載のＣＶＤ装置。 In addition to the source gas, the carrier gas is supplied from the first opening, and the total flow rate of the source gas and the carrier gas flowing out from the first opening flows out from the second opening. 5. The CVD apparatus according to claim 2, wherein the flow rate is larger than the flow rate of the carrier gas. 前記第２開口部は、前記隣り合う基板の間における中心位置に向かって開口していることを特徴とする請求項２ないし５のいずれか１つに記載のＣＶＤ装置。 6. The CVD apparatus according to claim 2, wherein the second opening is opened toward a center position between the adjacent substrates. 前記キャリアガスとして水素を用いることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載のＣＶＤ装置。 The CVD apparatus according to claim 1, wherein hydrogen is used as the carrier gas. 前記原料ガスとしてシランとプロパンを用いることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載のＣＶＤ装置。
Silane and propane are used as said source gas, The CVD apparatus as described in any one of Claim 1 thru | or 7 characterized by the above-mentioned.
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