JP4830107B2 - スピン記録方法および装置 - Google Patents
スピン記録方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4830107B2 JP4830107B2 JP2005380347A JP2005380347A JP4830107B2 JP 4830107 B2 JP4830107 B2 JP 4830107B2 JP 2005380347 A JP2005380347 A JP 2005380347A JP 2005380347 A JP2005380347 A JP 2005380347A JP 4830107 B2 JP4830107 B2 JP 4830107B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spin
- isolated
- magnetic
- probe
- recording method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
竹野入俊司、酒井泰志、榎本一雄、及川忠明、渡辺貞幸、上住洋之、島津武仁、村岡裕明、中村慶及、「CoPtCr-SiO2グラニュラー垂直磁気記録媒体」、日本応用磁気学会誌 Vol. 27, No. 9, 2003
原子番号Zの自由原子は、中心にある原子核が+Zeの電荷を持ち、原子核の周囲をZ個の電子(電荷−e)が運動する多電子力学系として記述される。Z個の電子の運動は、原子の中心を原点とする位置ベクトルri(直交座標(x,y,z)または極座標(r,θ,φ))を用いて、式(1)に示す系のハミルトニアンHにより表される。
H=Σi(h2/2m)Δi+ΣiV(ri) …(1)
但し、ΣiV(ri)=Σi[(−Ze2)/ri+Σj≠ie2/rij] …(2)
遷移元素の原子(イオン)の不完全殻では、1つの電子配置に多くの状態がある。例えば、2個の電子があるd殻には10C2(=45)個の可能な状態がある。これらの状態は、ポテンシャルV(r)の近似では同じエネルギーを持つが、電子間のクーロン相互作用VHを考慮すると、いくつかのエネルギー準位に分かれる。
(第1則)パウリの原理が許す範囲で最大のSを持つ。
(第2則)最大のSを持つ配置の中で、最大のLを持つ。
1つのLS多重項はLとSの間に働くスピン−軌道相互作用によりさらに分裂し、L+S=Jで定義される全角運動量Jの大きさJで指定されるJ多重項に分かれる。Jは、J=L+S、L+S−1、…、|L+S|−1、|L+S|の値を1つずつとる。
Hls=ζΣili・si …(3)
(Hls)LS=HLS=λLS …(4)
但し、λは、スピン軌道結合定数であり、異なるLS多重項では異なる値を持つ。
3dn殻では、n<5(less than half)でλ>0、n>5(more than half)でλ<0、
4fn殻では、n<7(less than half)でλ>0、n>7(more than half)でλ<0、
である。
EJ=(λLS)J
=(λ/2)[J(J+1)−L(L+1)−S(S+1)] …(5)
となり、一定値となる。J多重項のエネルギーは等差級数的で、間隔は、次の式(6)で表される(ランデの間隔)。
ΔEJ=EJ−EJ−1=λJ …(6)
h(dL/dt)=λ[S×L]=λ[J×L] …(7)
h(dL/dt)=λ[L×S]=λ[J×S] …(8)
LとSは、磁場λJ/μBの下で歳差運動をしていることになる。LとSのJに平行な成分は、1つのJ多重項に属する状態間の行列要素であり、J行列要素に比例している。
〈J,Mj|L|J,Mj’〉=a〈J,Mj|J|J,Mj’〉 …(9)
〈J,Mj|S|J,Mj’〉=(1−a)〈J,Mj|J|J,Mj’〉 …(10)
ここで、比例定数aは、
a={J(J+1)+L(L+1)−S(S+1)}/2J(J+1) …(11)
である。
最低エネルギーのJ多重項において、原子磁気モーメントm=−(L+2S)μBの行列要素は、式(9)〜式(11)から、
m=−μB(L+2S)=−μB(2−a)J=−gJμBJ …(12)
で表される。但し、μBはボーア(Bohr)磁子、gJ(=3/2+{S(S+1)−L(L+1)}/2J(J+1))はランデのg因子である。
3d遷移元素の原子(イオン)の不完全殻の電子は、結晶中の周囲のイオンが作る電場(結晶場)の中を運動している。この結晶場Vcrは、周囲のイオンの空間配置による対称性を持つ。電子の軌道運動は、このような結晶場の対称性を反映する。
Vcr=A{x4+y4+z4−3r4/5} …(13)
一般に結晶格子と直接結合しているのは電子の軌道角運動量で、電子スピンは直接結晶場と結合しない。しかし、d電子やf電子のスピン状態は、次のように結晶場の対称性を反映する。
上記のように、d電子はスピン−軌道相互作用HLSを受けている。通常、Vcr>HLSであるため、結晶場が十分に低対称であれば、基底状態の軌道の縮退がなくなって軌道角運動量が消失(〈L〉AV=0)し、Lによる異方性はない。しかし、全スピンSはMSの異なる2S+1重の縮退を持つため、スピン−軌道相互作用HLSのこのスピン縮退した状態について摂動計算をすれば、HLSはスピンSの結晶方位依存性(磁気異方性)を示すエネルギー、つまり、スピンハミルトニアンを与える。
−ΣMs″<gMs′|HLS|eMs″><eMs″|HLS|gMs>/(Ee−Eg) …(14)
の行列要素を持つ行列である。ここで、Egは基底状態のエネルギーであり、Ee、|eMs″>は、励起状態のエネルギーと波動関数をそれぞれ表す。Eg、Eeは、いずれもMs、Ms″によらない。
<gMs′|HLS|eMs″>=Σμλ<g|Lμ|e><Ms′|Sμ|Ms″>、
ΣMs″<Ms′|Sμ|Ms″><Ms″|Sμ|Ms′>=ΣMs″<Ms′|SμSμ|Ms′>、
に注意すると、基底状態で定義される次の行列要素、
−λ2ΣμνΛμνSμSν …(15)
と同じである(effective Hamiltonian)。但し、Λμν=Σe<g|Lμ|e><e|Lν|g>/(Ee−Eg)であり、μ,νはx,y,zのいずれかである。結局、スピンハミルトニアンは、式(15)の行列要素を持つ行列で表され、S≧1である。
Heff=−λ2ΣμνΛμνSμSν
+2μBSH−2μBλΣμνΛμνSμHν−μB 2ΣμνΛμνHμHν …(16)
となる。
Hzeff=μBSgH …(17)
で表される。ここで、行列要素gμν=2(δμν−λΛμν)を持つテンソルは、gテンソルと呼ばれる。
−λ2(ΛxxS2 x+ΛyyS2 y+ΛzzS2 z) …(18)
で表される。これは、通常、次の式(19)に書き換えられる。
DSz 2+E(Sx 2−Sy 2) …(19)
但し、D=−λ2{Λzz−(Λxx+Λyy)/2}、E=−λ2(Λxx−Λyy)/2である。正方対称の結晶場では、E=0である。
希土類イオンの場合は、HLS>Vcrであるため、HLSを対角化してJ多重項に分類し、1つのJ多重項の結晶場による分裂を検討する。有効ハミルトニアンの考えは、d電子と同じように適用することができる。一般に、Vcrは、Jの偶数次のべき乗で表される。
スピンメモリの動作温度kTで、スピン準位間のエネルギー差がkTに比べて十分大きい場合、原子(イオン)のスピンを利用してメモリを作製することができる。この目的に適した記録媒体としては、例えば、以下の常磁性物質がある。
容易軸方向(z軸)に磁場Hを印加し、同時に垂直面内に角速度ωの回転磁場を印加する。磁気角運動量比をγとして、Hまたはωをゆっくりとスピン−格子緩和時間T1よりも遅い速さで変化させると、H+ω/γ>0では磁気モーメントがz軸の正方向を向いていても、H+ω/γ=0で回転を始めて、H+ω/γ<0では反転してz軸の負方向を向く。すなわち、いわゆる磁気モーメントmの磁場による反転(adiabatic rapid passage)が起こる。
1a 計測対象のビットまたは孤立スピン
1b 読み出し/書き込み対象の孤立スピン
3、23 探針
11 磁気プローブ
21 スピンプローブ
31 基板
33、35 ナノワイヤ
37 合成磁場の方向
39 電流検出回路
Claims (12)
- 奇数個の電子を持つ原子またはイオンを有するとともに、物質表面の隣接するスピンと相互作用を持たない孤立スピンがクラマースの二重項により形成された断熱消磁作業物質に対して、外部磁場により前記クラマースの二重項の縮退を解いて前記孤立スピンが磁気モーメントを持つようにし、前記孤立スピンの磁気モーメントを利用して情報を書き込みまたは読み出す、スピン記録方法。
- 前記断熱消磁作業物質は、ミョウバン類またはタットン塩である、請求項1記載のスピン記録方法。
- 前記断熱消磁作業物質は、FeNH4(SO4)2・12H2O、CrK(SO4)2・12H2O、CrRb(SO4)2・12H2O、Cr(NH3CH3)(SO4)2・12H2O、Gd2(SO4)3・8H2O、Mn(NH4)2(SO4)2・6H2O、Co(NH4)2(SO4)2・6H2O、CuK2(SO4)2・6H2O、CoSiF6・6H2O、CuSiF6・6H2O、MnSiF6・6H2O、Ce2Mg3(NO3)・24H2Oからなる群から選ばれる、請求項1記載のスピン記録方法。
- 前記断熱消磁作業物質は、微細構造定数が負である一軸異方性の結晶物質である、請求項1記載のスピン記録方法。
- 前記断熱消磁作業物質は、K2Ni(SO4)2・6H2O、(NH4)2Ni(SO4)2・6H2Oからなる群から選ばれる、請求項4記載のスピン記録方法。
- 前記孤立スピンの磁気モーメントと相互作用を行うプローブを用いて、前記孤立スピンを反転させない程度の相互作用を検出することにより、情報の読み出しを行う、請求項1記載のスピン記録方法。
- 基板上に配列された読み出し対象の孤立スピンに対して磁気プローブを所定の位置に接近させたときの、前記磁気プローブと前記読み出し対象の孤立スピンの磁気モーメントとの相互作用を測定し、測定した相互作用に基づいて前記孤立スピンの磁気モーメントの向きを検出することにより、情報の読み出しを行う、請求項1記載のスピン記録方法。
- 前記孤立スピンの磁気モーメントと相互作用を行うプローブを用いて、前記孤立スピンの磁気モーメントを反転させることにより、情報の書き込みを行う、請求項1記載のスピン記録方法。
- 基板上に配列された書き込み対象の孤立スピンに対して磁気プローブを所定の読み出し位置よりもさらに前記基板に近い所定の書き込み位置に接近させ、前記磁気プローブと前記書き込み対象の孤立スピンの磁気モーメントとの相互作用により前記書き込み対象の孤立スピンの磁気モーメントの向きを反転させることにより、情報の書き込みを行う、請求項1記載のスピン記録方法。
- 前記孤立スピンの近傍に電流を流して外部磁場を形成することにより、前記孤立スピンを反転させる、請求項1記載のスピン記録方法。
- メモリ本体を構成する基板上の各孤立スピンを互いに交差するナノワイヤの交差部分に配置し、前記基板上の書き込み対象の孤立スピンに対応するナノワイヤに電流を流して前記書き込み対象の孤立スピンの近傍に外部磁場を形成して前記書き込み対象の孤立スピンを反転させることにより、情報の書き込みを行う、請求項1記載のスピン記録方法。
- 奇数個の電子を持つ原子またはイオンを有するとともに、物質表面の隣接するスピンと相互作用を持たない孤立スピンがクラマースの二重項により形成された断熱消磁作業物質と、
前記断熱消磁作業物質に対して、外部磁場により前記クラマースの二重項の縮退を解いて前記孤立スピンが磁気モーメントを持つようにし、情報を前記孤立スピンの磁気モーメントを利用して書き込みまたは読み出す手段と、
を有するスピン記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005380347A JP4830107B2 (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | スピン記録方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005380347A JP4830107B2 (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | スピン記録方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007179710A JP2007179710A (ja) | 2007-07-12 |
JP4830107B2 true JP4830107B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=38304728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005380347A Active JP4830107B2 (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | スピン記録方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4830107B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8724376B2 (en) | 2011-09-15 | 2014-05-13 | International Business Machines Corporation | Antiferromagnetic storage device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH046352A (ja) * | 1990-04-24 | 1992-01-10 | Takakuni Hashimoto | 冷凍方法、蓄冷器および液化機 |
JP3571756B2 (ja) * | 1994-06-08 | 2004-09-29 | 株式会社東芝 | スピン偏極stm装置 |
JPH09218213A (ja) * | 1995-12-07 | 1997-08-19 | Sony Corp | 極微小磁区観察方法と極微小磁区観察装置 |
JP3461114B2 (ja) * | 1998-02-24 | 2003-10-27 | 日立金属株式会社 | 磁気冷却用磁性材料およびそれを用いた磁気冷却装置 |
JP3848119B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2006-11-22 | キヤノン株式会社 | 磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ |
JPWO2006001332A1 (ja) * | 2004-06-25 | 2008-04-17 | 独立行政法人科学技術振興機構 | スピン記録方法および装置 |
-
2005
- 2005-12-28 JP JP2005380347A patent/JP4830107B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007179710A (ja) | 2007-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Skomski et al. | Permanent magnetism | |
US9478729B2 (en) | Spin transfer torque magnetic memory device using magnetic resonance precession and the spin filtering effect | |
Boulle et al. | Current-induced domain wall motion in nanoscale ferromagnetic elements | |
Bader | Colloquium: Opportunities in nanomagnetism | |
JP5514059B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ | |
US6791868B2 (en) | Ferromagnetic resonance switching for magnetic random access memory | |
JP2006196708A (ja) | 磁気情報記録素子、磁気情報記録媒体および磁気情報記録素子の磁壁生成方法 | |
US9773837B2 (en) | Scalable orthogonal spin transfer magnetic random access memory devices with reduced write error rates | |
JPWO2007105358A1 (ja) | 強磁性ドットのコア回転素子及び強磁性ドットのコア利用情報記憶素子 | |
US20110261602A1 (en) | Magnetic memory devices and systems | |
CN109075252A (zh) | 磁存储元件 | |
JP4830107B2 (ja) | スピン記録方法および装置 | |
Gautam | Spintronics-A new hope for the digital world | |
Natali et al. | Correlated vortex chiralities in interacting permalloy dot patterns | |
JPWO2006001332A1 (ja) | スピン記録方法および装置 | |
KR101375871B1 (ko) | 자기 공명과 이중 스핀필터 효과를 이용한 스핀전달토크 자기 메모리 소자 | |
Cambel et al. | The influence of shape anisotropy on vortex nucleation in Pacman-like nanomagnets | |
Coey | History of magnetism and basic concepts | |
Iglesias-Freire | Advances in magnetic force microscopy | |
Krishnia | Current-driven domain wall dynamics in coupled ferromagnetic structures | |
STAŇO | Characterization of magnetic nanostructures by magnetic force microscopy | |
Kukreja et al. | Nanoscale Magnetism | |
Staggers | Micromagnetic Investigation of the Dynamics of Domain Walls and Substructures in Non-Uniform Magnetic Thin Films | |
Değer | Current-driven generation and stabilization of magnetic skyrmions | |
Guimarães et al. | Magnetic Recording |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110823 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |