JP4828149B2 - エレクトレットコンデンサマイクロホン - Google Patents

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本発明は、ファントム電源で動作し、かつ、その感度を調整することができるエレクトレットコンデンサマイクロホンに関する技術である。
静電型マイクロホンのひとつであるエレクトレットコンデンサマイクロホンは、振動板と固定極とをスペーサを介して対向させた状態で組み合わせてなるマイクロホンユニット(電気音響変換器)を備えている。この場合、マイクロホンユニットは、インピーダンスが非常に高いので、インピーダンス変換器として電界効果トランジスタ(以下、「FET」と略称する。)を内蔵させることで、出力インピーダンスを数百〜数千オーム程度とすることができるようになっている。
また、コンデンサマイクロホンは、過大な音圧が加えられるとFETで歪みを発生させることから、該FETに入力される電気信号を減衰させるようにしている。
この場合における入力電気信号の減衰は、通常、コンデンサユニットに並列に減衰用コンデンサを接続して行われる。その際の減衰量は、減衰用コンデンサの静電容量を目標とする減衰量に応じてスイッチを断続することで行われているものの、減衰用コンデンサが音質を劣化させるともいわれていることから、音質を劣化させることの少ない高品質な減衰用コンデンサを選択して使用されることになる。
しかも、この場合、減衰用コンデンサは、コンデンサユニットに負荷として接続されることになるので、FET内では信号の歪みを生じさせないものの、マイクロホンユニットからFETに音声信号が入力される時点で歪みを発生させることがある。
一方、ファントム電源で動作するエレクトレットコンデンサマイクロホンのなかには、例えば下記特許文献1に開示されているように、FETに代えて真空管を用いているタイプのものもある。
特開2004−221919号公報
上記特許文献1の開示技術によれば、ファントム電源からの供給電圧の一部をスイッチト・キャパシタ型電圧コンバータにて所定の電圧に変換して真空管のヒータ電圧を得るようにしているので、専用の電源を必要とせずに、通常のファントム電源で動作し得る雑音発生の少ないエレクトレットコンデンサマイクロホンを提供することができることになる。
ところで、感度を上げる手法としては、一般に増幅器が用いられているものの、マイクロホンの分野においては、ノイズを増加させるという問題が伴うことからその使用を避け、結局のところコンデンサユニットが有する静電容量に対して並列に減衰用コンデンサを接続することにより感度調整を行うことで対処しているというのが実情である。
また、PADと称される減衰用コンデンサには、基板内に組み込でまれてスイッチにより選択される場合と、交換可能なカートリッジ状として構成され、マイクロホンユニットとマイクロホン本体のインピーダンス変換器を含むパワーモジュール部との間に介装される場合とがある。
しかしながら、減衰用コンデンサは、マイクロホンユニットの負荷として接続されるため、音質を劣化させない比較的高価な音響用コンデンサを選定しなければならない不都合がある。また、減衰用コンデンサは、これを用いてもインピーダンス変換器内での信号の歪みは生じさせないものの、マイクロホンユニットからインピーダンス変換器に音声信号が入力される時点では、やはり歪みを発生させる不具合がある。なお、感度を上げようとして増幅器を用いる場合には、ノイズも増幅されてしまうために好ましくない。
本発明は、従来技術の上記課題に鑑み、ファントム電源で動作し、かつ、減衰用コンデンサや増幅器によることなく、感度を調整できるようにしたエレクトレットコンデンサマイクロホンを提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成すべくなされたものであり、スペーサを介して対向配置された振動板と固定極とを有し、そのいずれか一方に分極処理されたエレクトレット誘電体膜を有するマイクロホンユニットと、ゲートが前記固定極に接続されてソースフォロワーで動作するインピーダンス変換器としてのFETとを備え、ファントム電源に接続して使用されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、前記FETのゲートと前記固定極との間には、第1コンデンサ素子を介在させるとともに、前記振動板もしくは前記固定極のいずれか一方を接地させた状態のもとで、他方には、前記ファントム電源より給電される所定の電圧を印加する感度調整手段を具備させて、高い電圧が必要なバイアス電圧は主として前記エレクトレット誘電体膜から得る一方で、感度を昇降させるための低い電圧は前記ファントム電源から得るようにすることで、感度を上昇させる際には、前記エレクトレット誘電体膜によるエレクトレット電圧と前記ファントム電源から得られる電圧が直流的に加算された電圧をバイアス電圧として動作させ、感度を下降させる際には、前記エレクトレット誘電体膜によるエレクトレット電圧と前記ファントム電源から得られる電圧との差の電圧をバイアス電圧として動作させるようにして他の電圧源を不要としたことを最も主要な特徴とする。
また、前記マイクロホンユニットは、前記固定極に前記エレクトレット誘電体膜を有するバックエレクトレットタイプであり、前記振動板側は、第2コンデンサ素子を介して交流的に接地され、前記感度調整手段は、前記ファントム電源の電圧を高抵抗素子を介して前記固定極に印加する感度低下手段と、前記ファントム電源の電圧を前記振動板に印加する感度上昇手段とを備えるものであるのが望ましい。
この場合における前記感度調整手段は、前記感度低下手段により前記ファントム電源の電圧を高抵抗素子を介して前記固定極に印加する場合に前記振動板側を接地する第1スイッチと、前記感度上昇手段により前記ファントム電源の電圧を前記振動板に印加する場合に前記固定極側を前記高抵抗素子を介して接地する第2スイッチとを備えるのが好ましい。
さらには、感度を連続的に調整できるようにするため、前記第1スイッチおよび前記第2スイッチは、接地側端子を有する電圧可変の可変抵抗素子を用いることができる。
本発明によれば、振動板もしくは固定極のいずれか一方を接地した状態で、他方にファントム電源より給電される所定の電圧を印加することにより、マイクロホンユニットに実効的に加えられるバイアス電圧が変化し、それに応じた感度が得られる。しかも、減衰用コンデンサを用いないため音質の劣化がない。また、高い電圧が必要なバイアス電圧は主として前記エレクトレット誘電体膜から得る一方で、ファントム電源からは感度を昇降させるための低い電圧を感度調整用の電圧として得ることができるので、別途に電圧源であるDC/DCコンバータなどの電流を消費する回路も必要としない。
また、ファントム電源の電圧を高抵抗素子を介して固定極に印加する感度低下手段と、ファントム電源の電圧を振動板に印加する感度上昇手段とを備える場合には、収音環境に応じて低感度,高感度を適宜選ぶことができる。さらには、感度低下手段および感度上昇手段に可変抵抗素子を含ませることにより、感度を低感度から高感度までリニアに調整することができる。
図1は、本発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンの一例のついての回路説明図である。図2ないし図5は、本発明の説明に先立ち、エレクトレットコンデンサマイクロホンの基本的な構成およびバイアス電圧と感度との関係について説明するために示す回路説明図である。
このうち、図2は、マイクロホンユニットとFET(インピーダンス変換器)とを接続した回路例を示す説明図である。同図によれば、マイクロホンユニット10は、支持リング(ダイアフラムリング)11aに所定の張力をもって張設された振動板11と、固定極12とを図示しないスペーサリングを介して対向させた状態のもとで組み合わされて構成されている。
この場合、マイクロホンユニット10は、バックエレクトレット型であり、固定極12側に分極処理されたエレクトレット誘電体膜12aが貼着されている。これに対して、振動板11側にエレクトレット誘電体膜を適用したものがバックエレクトレット型とまったく逆の動作をする膜エレクトレット型であり、該膜エレクトレット型も本発明に含まれる。
振動板11は、ポリエチレンテレフタレートなどの合成樹脂薄膜からなり、固定極12との対向面側に金属蒸着膜を備えた構成のものであってもよい。固定極12は、アルミニウムや黄銅合金などの金属材からなり、エレクトレット誘電体膜12aには、FEP(Fluorinated Ethylene Propylene)などのエレクトレット材が用いられる。エレクトレット材は、例えばコロナ放電などにより直流の高電圧が印加されると分極化し、その電圧除去後においても分極化が残存する特性を有している。
固定極12には、FET20のゲートGが接続される。ソースフォロワーで動作させる場合、ゲートGの電圧は、FET20が大きな信号でも歪みを起こすことなく動作させるため、ドレインDに印加される電源電圧VCCのほぼ半分となるように設定されている。これを一例として示せば、電源電圧VCCが30Vである場合には、ソースS側の分圧抵抗R1,R2で分圧してゲート抵抗Rgを介してゲートGに15Vが加えられることになる。
また、図2に示すようにゲートGを固定極12に直接に接続した場合には、振動板11側を接地に接続して0Vにすると、エレクトレット誘電体膜12aが有するエレクトレット電圧が15V減じられたことと等価となり感度は低下することになる。
また、図3に示すようにFET20のゲートGと固定極12との間に第1コンデンサ素子C1を接続する場合には、固定極12には例えば3GΩ程度の高抵抗素子Raを介して接地の0Vが加わるようにすると、エレクトレット電圧により与えられるバイアスに応じた感度とすることができる。
一方、図4に示すように振動板11側を接地に接続して0Vにした状態のもとで、固定極12に高抵抗素子Raを介して例えば40Vを加えることで固定極12側の電圧を上昇させると、図2で説明したと同じ理由により感度は低下することになる。
これとは逆に、図5に示すように固定極12を高抵抗素子Raを介して接地してその電圧を0Vとして、振動板11を第2コンデンサ素子C2で交流的に接地した状態で、振動板12側の電圧を上昇させると感度は上昇することになる。
図1に示す本発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンは、図4および図5に示すそれぞれのエレクトレットコンデンサマイクロホンの上記各感度調整機能を併せ持つように構成されている。
すなわち、本発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンは、出力コネクタ40およびマイクケーブル50を介してファントム電源30と接続して使用される。出力コネクタ40には、EIAJ RC−5236「音響機器用ラッチロック式丸形コネクタ」に規定されているコネクタを好適に用いることができる。該出力コネクタ40は、接地用の1番ピン41,信号のホット側の2番ピン42および信号のコールド側の3番ピン43の3ピンを備えた構成となっている。
マイクケーブル50には、平衡2芯シールド被覆線が用いられ、該シールド被覆線は接地用の1番ピン41と接続されている。ファントム電源30については、EIAJ RC−8162Aに規定されている電源供給方式のうちのいずれを用いるものであってもよい。
本発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンでは、ファントム電源30より出力コネクタ40を介してマイクロホンを動作させる直流電流を取り込むことになる。ここで、ファントム電源30が48Vファントム電源で、マイクロホンの回路で消費される消費電流が約2.3mAであるとすると、2番ピン42に現れる端子電圧は約40Vとなる。
2番ピン42に現れる端子電圧40Vは、感度調整用の電圧として使用するものであるが、この場合におけるエレクトレット誘電体膜12aのエレクトレット電圧は、60Vとして設計されているものとする。なお、FET20の電源電圧VCC(この例では30V)も図示しないトランスなどを介してファントム電源30から得ることができるようになっている。
既に述べたように、FET20のゲートGは、第1コンデンサ素子C1を介して固定極12に接続されている。該固定極12は、感度調整可能とするために高抵抗素子Raを介して電圧40Vの2番ピン42に接続されているが、もっとも好ましい態様においては、その間に感度低下用の第1可変抵抗素子VRが接続されている。
すなわち、固定極12を高抵抗素子Raおよび交流接地用のコンデンサ素子C3を介して接地に接続するとともに、電圧40Vの2番ピン42と接地との間に可変抵抗素子VRを接続し、その可変抵抗素子VRのスライドスイッチSWの基端部を高抵抗素子Raとコンデンサ素子C3との間に第1スイッチとして接続する。この場合、可変抵抗素子VRの接地側端子をTa1,非接地側端子をTa2とする。
また、振動板11側は、図5にも示したように第2コンデンサ素子C2で交流的に接地するとともに、それと並列的に感度上昇用の可変抵抗素子VRを介して電圧40Vの2番ピン42に接続する。可変抵抗素子VRは、その一端を接地し、その接地側端子をTb1,非接地側端子をTb2とする。この例においては、高抵抗素子Raが3GΩで、コンデンサ素子C1〜C3が1000pF,可変抵抗素子VR,VRの最大抵抗値がともに1MΩである。
上記した回路構成において、感度を低下させる際には、感度調整手段のうち感度上昇手段として用いられる可変抵抗素子VRのスライドスイッチSWを接地側端子Tb1に第2スイッチとして接続して振動板11の電圧を0Vとし、感度調整手段のうち感度低下手段として用いられる可変抵抗素子VRのスライドスイッチSWを非接地側端子Ta2に第1スイッチとして接続して、高抵抗素子Raを介して固定極12に40Vを印加する。これにより、マイクロホンユニット10に実効的に加わるバイアス電圧は、20V(=60V−40V)となり、感度が10dB低下することになる。
一方、感度を上昇させる際には、感度調整手段のうち感度低下手段として用いられる可変抵抗素子VRのスライドスイッチSWを接地側端子Ta1に第1スイッチとして接続して、固定極12を高抵抗素子Raを接地電位の0Vにするとともに、感度調整手段のうち感度上昇手段として用いられる可変抵抗素子VRのスライドスイッチSWを非接地側端子Tb2に第2スイッチとして接続して、振動板11に40Vを印加する。これにより、マイクロホンユニット10に加わる実効的な電圧は、100V(=60V+40V)になり、感度は4.4dB上昇することになる。
本発明は、このようにして構成されているので、可変抵抗素子VR,VRの抵抗値を適宜選択することにより、所望に応じた感度を得ることができる。上述した実施形態によれば、感度調整用の電圧を0〜40Vにまで可変としたことにより、感度を14.4dBの範囲内で適宜選択することができることになる。
なお、エレクトレット誘電体膜のエレクトレット電圧を低く設計する場合には、感度の可変範囲を大きくすることができるものの、エレクトレット電圧を低くしすぎると、全体の感度が低下するおそれがあるため、好ましくない。また、感度を最大に上昇させたとき、マイクロホンユニット10のバイアス電圧は、実効的に100Vとなるため、振動板11が固定極12側に吸着固定されないように、振動板11の張力を設計しておく必要がある。
以上、バックエレクトレット型の場合について本発明を説明したが、本発明は、膜エレクトレット型にも適用することができ、その場合には、可変抵抗素子VRが感度上昇用として,可変抵抗素子VRが感度低下用としてそれぞれが用いられることになる。
本発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンの一例を示す回路説明図。 エレクトレットコンデンサマイクロホンユニットの基本的な構成を示す回路説明図。 エレクトレットコンデンサマイクロホンユニットのバイアス電圧と感度との関係を説明するための回路説明図。 エレクトレットコンデンサマイクロホンユニットのバイアス電圧と感度との関係を説明するための回路説明図。 エレクトレットコンデンサマイクロホンユニットのバイアス電圧と感度との関係を説明するための回路説明図。
10 マイクロホンユニット
11 振動板
12 固定極
12a エレクトレット誘電体膜
20 FET
30 ファントム電源
40 出力コネクタ
41 1番ピン
42 2番ピン
43 3番ピン
50 マイクケーブル
C1 第1コンデンサ素子
C2 第2コンデンサ素子
C3 コンデンサ素子
Ra 高抵抗素子
VR 第1可変抵抗素子
VR 第2可変抵抗素子
SW,SW スライドスイッチ
Ta1,Tb1 接地側端子
Ta2,Tb2 非接地側端子

Claims (4)

  1. スペーサを介して対向配置された振動板と固定極とを有し、そのいずれか一方に分極処理されたエレクトレット誘電体膜を有するマイクロホンユニットと、ゲートが前記固定極に接続されてソースフォロワーで動作するインピーダンス変換器としてのFETとを備え、ファントム電源に接続して使用されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
    前記FETのゲートと前記固定極との間には、第1コンデンサ素子を介在させるとともに、前記振動板もしくは前記固定極のいずれか一方を接地させた状態のもとで、他方には、前記ファントム電源より給電される所定の電圧を印加する感度調整手段を具備させて、高い電圧が必要なバイアス電圧は主として前記エレクトレット誘電体膜から得る一方で、感度を昇降させるための低い電圧は前記ファントム電源から得るようにすることで、
    感度を上昇させる際には、前記エレクトレット誘電体膜によるエレクトレット電圧と前記ファントム電源から得られる電圧が直流的に加算された電圧をバイアス電圧として動作させ、感度を下降させる際には、前記エレクトレット誘電体膜によるエレクトレット電圧と前記ファントム電源から得られる電圧との差の電圧をバイアス電圧として動作させるようにして他の電圧源を不要としたことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホン。
  2. 前記マイクロホンユニットは、前記固定極に前記エレクトレット誘電体膜を有するバックエレクトレット型であり、前記振動板側は、第2コンデンサ素子を介して交流的に接地され、前記感度調整手段は、前記ファントム電源の電圧を高抵抗素子を介して前記固定極に印加する感度低下手段と、前記ファントム電源の電圧を前記振動板に印加する感度上昇手段とを備えている請求項1に記載のエレクトレットコンデンサマイクロホン。
  3. 前記感度調整手段は、前記感度低下手段により前記ファントム電源の電圧を高抵抗素子を介して前記固定極に印加する場合に前記振動板側を接地する第1スイッチと、前記感度上昇手段により前記ファントム電源の電圧を前記振動板に印加する場合に前記固定極側を前記高抵抗素子を介して接地する第2スイッチとを備えている請求項2に記載のエレクトレットコンデンサマイクロホン。
  4. 前記第1スイッチおよび前記第2スイッチは、接地側端子を有する電圧可変の可変抵抗素子からなる請求項3に記載のエレクトレットコンデンサマイクロホン。
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