JP4822606B2

JP4822606B2 - セラミックチップヒータ及びそれを用いた素子加熱型センサ

Info

Publication number: JP4822606B2
Application number: JP2001132732A
Authority: JP
Inventors: 智田中; 幸三浜畑
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-04-27
Filing date: 2001-04-27
Publication date: 2011-11-24
Anticipated expiration: 2021-04-27
Also published as: JP2002328107A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガスセンサや感湿センサ等のセンサ素子の加熱に使用するセラミックチップヒータ及び素子加熱型センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、素子加熱型センサの一種であるガス漏れ検知器等に用いられるガスセンサは、一般的に図２に示すように、アルミナ等のセラミック基板１２の上面１２ａに一対のセンサ素子用電極１３を形成し、該センサ素子用電極１３を介してガスを検知するためのセンサ素子１７を載置するとともに、セラミック基板１２の下面１２ｂもしくはセラミック基板１２の内部に発熱抵抗体１４を備え、この発熱抵抗体１４の両端をセラミック基板１２に形成されたスルーホール１６を経由してセラミック基板１２の上面１２ａに一対の発熱抵抗体用電極１５を形成してなる。
【０００３】
このガスセンサを使用する場合は、一対の発熱抵抗体用電極１５間に電圧を印加して発熱抵抗体１４を発熱させ、セラミック基板１２を通じてその上面１２ａに形成されたセンサ素子１７を所定の温度に加熱し、この状態で空気中に存在するガスがセンサ素子１７に侵入すると抵抗値が変化してセンサ素子１７の抵抗値の変化をセンサ素子用電極１３で検出することによって、ガスの濃度を検知する仕組みである（特開平８−１５１９６号公報参照）。
【０００４】
また、上述のセラミックチップヒータでは、セラミック基板１２への密着強度、耐久性を向上させるために、センサ素子用電極１３、発熱抵抗体１４及び発熱抵抗体用電極１５は、白金等を主成分としセラミック基板１２と同質のセラミック粒子を分散させてなり、セラミック基板１２にプリントした後に、セラミック基板１２と同時焼成し、外部の回路と接続するためにセンサ素子用電極１３及び発熱抵抗体用電極１５に金線や白金線等をワイヤーボンドによって接続して形成されていた。
【０００５】
さらに、前記ワイヤーボンドの強度を向上させるために焼成後のセラミック基板１２のセンサ素子用電極１３及び発熱抵抗体用電極１５の上面にさらに金を主成分とするペーストパターンをプリントし７００〜８００℃で焼付けることにより形成していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
近年、ガスセンサ等の素子加熱型センサに搭載するセラミックチップヒータは、さらなる小型化が進み、低消費電力で作動させることによって、素子加熱型センサを携帯可能にする動きがある。そのためには、センサ素子を搭載するセラミック基板の大きさを２ｍｍ角、１．５ｍｍ角、さらには１ｍｍ角の非常に小型なものとして省電力化することが要求されている。
【０００７】
しかしながら、従来のセラミックチップヒータは、外部回路とセンサ素子用電極１３及び発熱抵抗体用電極１５をワイヤーボンドによって接続されていたため、センサ素子用電極１３及び発熱抵抗体用電極１５に添加されているセラミック粒子に金線や白金等から成るワイヤーが接触した場合、金属とセラミック粒子の接合のため、密着強度が低下しワイヤーが剥離しやすく、また接合面積が小さくなり強度低下を招くという欠点を有していた。
【０００８】
これを防止するために、センサ素子用電極１３及び発熱抵抗体用電極１５上に金を主成分とするペーストをプリントし焼付けることが行われているが、２ｍｍ角以下の非常に小型なセラミックチップヒータを作製する場合、セラミック基板と金との焼成収縮のバラツキにより、セラミック基板上に形成されたセンサ素子用電極１３及び発熱抵抗体用電極１５と、その上面にプリントする金との位置にズレが生じてしまうという欠点を有していた。
【０００９】
本発明は上述の欠点に鑑みて案出されたものであり、その目的は小型化に対応可能な高精度で、且つ耐久性の高いセラミックチップヒータ及び素子加熱型センサを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、セラミック基板の上面にセンサ素子用電極を形成するとともに、前記セラミック基板の下面に発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の両端に接続する発熱抵抗体用電極とを形成してなるセラミックチップヒータであって、前記セラミック基板の上面の表面粗さ（Ｒａ）は０．２μｍ以下であり、前記センサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極は、セラミック基板側の第１電極層及びその上面に形成される第２電極層とからなり、各第１電極層は白金族金属を主成分として前記セラミック基板と同質で、平均粒径が０．４〜２．０μｍのセラミック粒子が分散され、各第２電極層は白金族金属からなるか、もしくは白金族金属を主成分として前記第１電極層より含有量の少ない前記セラミック粒子が分散されており、前記第１電極層及び前記第２電極層は前記セラミック基板と同時に焼成されて一体的に形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明は、前記センサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極の各第１電極層に分散する前記セラミック粒子の含有量を２０〜４５体積％とするとともに、各第２電極層に分散する前記セラミック粒子の含有量を１５体積％未満とすることを特徴とするものである。
【００１２】
さらに、本発明のセラミックチップヒータにおけるセンサ素子用電極を介してセンサ素子を搭載してなる素子加熱型センサを特徴とするものである。
【００１３】
なお、本発明においては、セラミック基板におけるセンサ素子を形成する面を便宜上上面といい、もう一方の面を下面という。
【００１４】
本発明のセラミックチップヒータによれば、センサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極を、セラミック基板側の第１電極層及びその上面に形成される第２電極層とから形成し、各第１電極層は白金族金属を主成分とし、前記セラミック基板と同質のセラミック粒子が分散されており、各第２電極層は白金族金属からなるか、もしくは前記第１電極層より含有量の少ないセラミック粒子が分散されており、さらには各第１電極層のセラミック粒子の含有量を２０〜４５体積％とするとともに、各第２電極層のセラミック粒子の含有量を１５体積％未満とすることから、セラミック基板に対する密着強度を向上させるとともに、センサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極と外部回路とをワイヤーボンドによって接続する際、ワイヤーとの接続強度を高いものとすることができる。
【００１５】
また、前記センサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極の各第１電極層及び第２電極層は一体的に形成されているため、セラミックチップヒータの小型化が進んでも、それぞれの位置にズレが発生することはなく、高精度なセラミックチップヒータを提供することができる。
【００１６】
さらに、本発明の素子加熱型センサによれば、前記セラミックチップヒータに直接センサ素子用電極を介してセンサ素子を形成してなることから、加熱効率に優れ、消費電力を小さくできる安定した性能の素子加熱型センサとすることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のセラミックチップヒータ及び素子加熱型センサの実施形態を図に基づいて説明する。
【００１８】
図１（ａ）は本発明のセラミックチップヒータの一実施形態を示す断面図、（ｂ）は同図（ａ）のＸ方向から見た平面図、（ｃ）は同図（ａ）のＹ方向から見た平面図である。
【００１９】
本発明のセラミックチップヒータ１は、図１に示すように、セラミック基板２の上面２ａにセンサ素子用電極３を形成するとともに、該セラミック基板２の下面２ｂに形成された発熱抵抗体４と、該発熱抵抗体４の両端に接続する発熱抵抗体用電極５とから成る。
【００２０】
前記セラミック基板２は、耐熱性、機械的強度の高いアルミナ質セラミックス、ムライト質セラミックス等からなり、その上面２ａには、後述のセンサ素子を搭載するためのセンサ素子用電極３が形成されており、その下面２ｂには発熱抵抗体４及び発熱抵抗体４の両端に接続する発熱抵抗体用電極５及び前記センサ素子用電極３の両端をセラミック基板２の上面２ａよりスルーホール６を介してセラミック基板２の下面２ｂに備えたセンサ素子用電極３が形成されている。
【００２１】
前記センサ素子用電極３及び発熱抵抗体用電極５は、それぞれ第１電極層３ａ、５ａ及びその上面に分散している第２電極層３ｂ、５ｂとからなり、前記センサ素子用電極３及び発熱抵抗体用電極５の各第1電極層３ａ、５ａは、白金族金属を主成分とし、前記セラミック基板２と同質のセラミック粒子が分散しており、セラミック基板２との密着強度を向上させることができる。これは、各第1電極層３ａ、５ａに分散したセラミック粒子が焼結時にセラミック基板２と反応してアンカー効果を発揮することによって、セラミック基板２との密着強度を向上させるためである。
【００２２】
なお、前記センサ素子用電極３及び発熱抵抗体用電極５の各第１電極層３ａ、５ａ及び各第２電極層３ｂ、５ｂに形成されるセラミック粒子は、セラミック基板２の主成分からなるか、もしくはセラミック基板２を形成する原料粉末と同一の組成を有するものである。
【００２３】
また、前記各第1電極層３ａ、５ａに分散するセラミック粒子は、その含有量を２０〜４５体積％としておくことが好ましく、該含有量が２０体積％未満となると、セラミック粒子の分散が偏って第1電極層３ａ、５ａの厚みにバラツキが生じやすく、またセラミック基板２との密着強度が低下しやすくなる。一方、前記含有量が４５体積％を超えると、セラミック粒子が主成分である白金族金属の組織を分断しやすく、各第１電極層３ａ、５ａが断線するおそれがあるためである。
【００２４】
さらに、前記各第１電極層３ａ、５ａに分散するセラミック粒子の平均粒径は、０．４〜２．０μｍ、さらには０．５〜１．０μｍとすることが好ましく、主成分である白金族金属にセラミック粒子を分散させてもペースト化しやすく、セラミック基板２との密着強度を向上させることができる。
【００２５】
またさらに、前記各第１電極層３ａ、５ａは、その厚みを５〜２０μｍとしておくことが好ましく、各第１電極層３ａ、５ａを形成する白金族金属がセラミック粒子を十分に覆い、部分的に断線することを防止することができる。
【００２６】
前記各第1電極層３ａ、５ａの上面には、第２電極層３ｂ、５ｂが形成されており、外部回路の金線や白金線等のワイヤーと接続する作用をなす。
【００２７】
各第２電極層３ｂ、５ｂは、白金族金属からなるか、もしくはセラミック基板２と同質のセラミック粒子が分散されており、各第２電極層３ｂ、５ｂにセラミック粒子を分散させる場合は、その含有量を第１電極層３ａ、５ａに分散するセラミック粒子の含有量より少なくすることが重要であり、第２電極層３ｂ、５ｂに接続する外部回路のワイヤーとの接続を強固なものとし、セラミックチップヒータ１がその作動時に高温となってもワイヤーが剥離するのを有効に防止することができる。
【００２８】
また、前記各第２電極層３ｂ、５ｂに分散するセラミック粒子の含有量は、１５体積％未満とすることが好ましい。該含有量が１５体積％を超えると、第２電極層３ｂ、５ｂの上面にワイヤーボンド等によって接続されるワイヤーとの接続強度が低下するおそれがあるためである。
【００２９】
さらに、前記各第２電極層３ｂ、５ｂは、その厚みを２〜１１μｍとしておくことが好ましく、各第２電極層３ｂ、５ｂの厚みを均一に形成することができる。
【００３０】
前記各第１電極層３ａ、５ａ及び各第２電極層３ｂ、５ｂは、ともにその主成分を導電材料である白金族金属としておくと、セラミックチップヒータ１及びこれを用いた素子加熱型センサの使用温度が２００〜６００℃と高温となっても、センサ素子用電極３及び発熱抵抗体用電極５が酸化するのを防止することができ、耐久性の優れたセラミックチップヒータ１を提供することができる。なお、前記白金のほか、ルテニウム、ロジウム等の白金族金属を用いることが可能である。
【００３１】
また、前記セラミック基板２の下面２ｂには、図１（ｃ）に示すように発熱抵抗体４が形成されており、その中央部に２つの梯子状等の抵抗調整部を有している。
【００３２】
前記発熱抵抗体４は、梯子状のパターンを有することから、４ヶ所の短絡部８をレーザートリミング等の手法で切断することにより、発熱抵抗体４の抵抗値を上昇させることができ、短絡部８の大きさを調節することで、発熱抵抗体４の抵抗値を所望の値に調整することができる。
【００３３】
また、前記発熱抵抗体４は、梯子状のパターンの短絡部８を切断する前の初期の抵抗値に対し、トリミングパターンの短絡部８を全て切断した場合の抵抗値の増加率を抵抗値調整幅とした場合、この抵抗値調整幅を３０〜１２０％とすることができ、セラミックチップヒータ１を多数個取りの手法で作製する場合、個々のセラミックチップヒータ１の抵抗値のバラツキを調整することができる。
【００３４】
なお、この梯子状のパターンは、セラミック基板２の中央部に形成することが好ましく、レーザートリミングによって発熱抵抗体４のパターンの一部を切断する際、切断しろを設けることによってセンサ素子用電極３及び発熱抵抗体用電極５を切断するのを防止することができる。
【００３５】
なお、前記発熱抵抗体４は、梯子状のパターンとしたが、発熱抵抗体４のパターン中に幅の広い部分を形成しておき、レーザートリミングで幅を切断して抵抗調整部を設けても良い。
【００３６】
ここで、本発明のセラミックチップヒータ１の製造方法を説明する。
【００３７】
本発明のセラミックチップヒータ１は多数個取りの手法によって作製され、先ず、平均粒径が０．６〜１．０μｍ、９９〜９９．８９重量％のアルミナ、０．０１〜０．７０重量％のシリカ、０．１〜０．５重量％のマグネシアを添加、混合し、脱水、乾燥して混合粉末を得る。
【００３８】
なお、前記セラミック基板２を形成するセラミックスは、前記アルミナの他に、ムライト、コージェライト等の酸化物セラミックスや、窒化アルミニウムセラミックス等を用途に応じて用いることができる。
【００３９】
そして、得られた混合粉末に所定の分散剤、バインダを添加、混合した後、テープ成形、ロールコンパクション等の成形方法によってシート状に成形し、１００〜１５０ｍｍ角程度の大きさのセラミックグリーンシートを作製し、パンチングにてスルーホール６となる直径０．１〜０．３ｍｍ程度の穴を形成し、スルーホール６となる穴に９２重量％の白金に８重量％のアルミナを混合した白金ペーストを充填する。
【００４０】
次いで、前記セラミックグリーンシートの上面及び下面にセンサ素子用電極３の第１電極層３ａとなる９５重量％の白金に５重量％のアルミナを混合した白金ペーストをプリントして形成するとともに、セラミックグリーンシートの下面に発熱抵抗体４及び発熱抵抗体用電極５の第１電極層５ａをプリント形成し、さらに、前記各第１電極層３ａ、５ａの上面に、第２電極層３ｂ、５ｂとなる白金をプリントして形成する。
【００４１】
しかる後、個々のセラミックチップヒータ１に分割するためのスナップラインを形成した後、１５００〜１６５０℃の温度で１〜４時間焼成する。
【００４２】
最後に、得られたセラミックチップヒータ１の発熱抵抗体４にレーザートリミングを施して所定の抵抗値に調整して作製することができる。
【００４３】
なお、セラミック基板２の上面２ａは、その表面粗さ（Ｒａ）を０．２μｍ以下としておくことが好ましく、上面に搭載するセンサ素子の特性のばらつきを抑制することができ、前記セラミック基板２を平均粒径の小さい高純度の原料を用いてセラミックグリーンシートを形成し、低温かつ短時間で焼成することにより、セラミックスの粒成長を抑制して、焼成後のセラミック基板２の表面粗さ（Ｒａ）を０．２μｍ以下とすることが可能になる。
【００４４】
このようにして得られたセラミックチップヒータ１は、センサ素子用電極３及び発熱抵抗体用電極５の各第１電極層３ａ、５ａと各第２電極層３ｂ、５ｂとをセラミック基板２となるセラミックグリーンシートと同時焼成するため、センサ素子用電極３及び発熱抵抗体用電極５とセラミック基板２との焼成収縮の差によって各電極層の位置がずれることがなく一体的に形成されるため、精度の高いセラミックチップヒータ１とすることができる。
【００４５】
本発明のセラミックチップヒータ１は、前記発熱抵抗体４にレーザートリミングを施して所定の抵抗値に調節した後、セラミック基板２の上面２ａに形成されたセンサ素子用電極３を介して、酸化鉄、酸化スズ、ジルコニア等の金属酸化物の半導体からなるセンサ素子７をスクリーン印刷やスパッタリング等によって形成するとともに、センサ素子用電極３及び発熱抵抗体用電極５にワイヤーボンド等によって金線や白金線等のワイヤーを接続することによって素子加熱型センサを得ることができ、前記セラミック基板２の上面２ａに形成されたセンサ素子用電極３の両端をスルーホール６を介してセラミック基板２の下面２ｂに形成したことから、セラミックチップヒータ１にワイヤーを接続する場合、セラミック基板２の下面２ｂにのみワイヤーボンドすることによって得ることができる。
【００４６】
前記素子加熱型センサは、例えばガスセンサとして好適に使用でき、セラミックチップヒータ１の発熱抵抗体用電極５間に電圧を印加して発熱抵抗体４を発熱させ、セラミック基板２を通じてその上面２ａに形成されたセンサ素子７を３００℃程度に加熱し、この状態で空気中に存在するガス等がセンサ素子７に侵入すると、抵抗値が変化してセンサ素子７の抵抗値の変化をセンサ素子用電極３で検出することによってガスの濃度を検知する仕組みである。
【００４７】
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内であれば、種々の変更は可能であり、上述の実施形態では、セラミック基板２の上面２ａに形成されたセンサ素子用電極３の両端をスルーホール６を介してセラミック基板２の下面２ｂに形成したが、セラミック基板２の上面２ａにセンサ素子用電極３を設け、その下面２ｂに発熱抵抗体４及びその両端に接続する発熱抵抗体用電極５を形成してもよく、また、セラミック基板２の下面２ｂに形成された発熱抵抗体４の両端をスルーホール６を介してセラミック基板２の上面に接続して発熱抵抗体用電極５を形成してもよい。
【００４８】
【実施例】
ここで本発明の実施例を説明する。
【００４９】
（実施例１）
図１に示すようなセラミックチップヒータを以下のように作製した。
【００５０】
先ず、平均粒径が０．６μｍのアルミナを９９．４重量％、シリカを０．１重量％、マグネシアを０．５重量％添加、混合して得られた混合粉末に、バインダ及び溶剤を添加、混合し、ドクターブレード法によって厚み０．３ｍｍのセラミックグリーンシートを得た。そして、このセラミックグリーンシートにスルーホールとなる穴を形成し、９２重量％の白金に８重量％のアルミナを分散させたペーストを充填した。
【００５１】
次いで、表1に示す如く組成のペーストをプリントし、セラミックグリーンシートの上面にセンサ素子用電極の第1電極層を形成するとともに、該センサ素子用電極の両端をスルーホールを介してセラミックグリーンシートの下面に形成されるセンサ素子用電極の第1電極層、発熱抵抗体及びその両端に接続してなる発熱抵抗体用電極の第1電極層を形成した。
【００５２】
その後、各第1電極層の上面に、表1に示すごとく組成のぺーストをプリントし、各第２電極層を形成し、１５５０℃で２時間焼成してセラミックチップヒータ試料を得た。
【００５３】
また、比較例として、上述と同様なセラミックグリーンシートの上面にセンサ素子用電極及びスルーホールを介してセラミックグリーンシートの下面に形成されるセンサ素子用電極、発熱抵抗体及び発熱抵抗体用電極を表1に示すごとく組成で形成し、１５５０℃×２時間焼成してセラミックチップヒータ試料を得た。
【００５４】
得られた各セラミックチップヒータ試料のセラミック基板とセンサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極との接続強度を測定するため、セラミック基板の下面に対して平行に荷重を加え、その引張強度を測定した。
【００５５】
また、各セラミックチップヒータ試料のセンサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極に直径３０μｍの金線を溶接部の径が８０〜９０μｍとなるようにセラミックチップヒータを１４０℃に保持し、荷重５０ｇで押し当て、周波数１２０ｋＨｚ、出力８０ｍＷの超音波を５ｍｓｅｃ印加してワイヤーボンドした。そして、ワイヤーボンドの接続強度（シェア強度）を測定するため、ワイヤーボンドした溶接部にセラミック基板の主面に平行な方向に引張りワイヤーの引張強度を測定した。
【００５６】
なお、各セラミックチップヒータ試料には同条件で１０個ずつテストし、その平均値を算出した。
【００５７】
結果を表１に示す。
【００５８】
【表１】

【００５９】
表１から明らかなように、本発明の試料（Ｎｏ.１〜９）は、セラミック基板とセンサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極との密着強度が４５Ｎ以上と大きく、ワイヤーボンドによるワイヤーとの接続強度も１８ｇ以上と高いことが判った。
【００６０】
特に、センサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極の各第１電極層に分散するアルミナの含有量が２０〜４５体積％、且つ各第２電極層に分散するアルミナの含有量が１５体積％未満の試料（Ｎｏ.２〜４、７〜９）は、セラミック基板との接続強度が４８Ｎ以上、ワイヤーとの接続強度が２２ｇ以上と高くなっていることが判った。
【００６１】
これに対し、比較例である試料（Ｎｏ.１０、１１）はセラミック基板との接続強度、ワイヤーとの接続強度ともに低いことが判った。
【００６２】
【発明の効果】
本発明のセラミックチップヒータによれば、センサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極を、セラミック基板側の第１電極層及びその上面に形成される第２電極層とから形成し、各第１電極層は白金族金属を主成分とし、前記セラミック基板と同質のセラミック粒子が分散されており、さらには各第１電極層に分散するセラミック粒子の含有量を２０〜４５体積％とするとともに、各第２電極層に分散するセラミック粒子の含有量を１５体積％未満とすることから、セラミック基板に対する密着強度を向上させるとともに、各第1電極層の上面に、白金族金属からなるか、もしくは第１電極層のセラミック粒子の含有量より少ないセラミック粒子を分散されており、前記第１電極層及び前記第２電極層は前記セラミック基板と同時に焼成されて一体的に形成されていることから、センサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極と外部回路とを接続するためにワイヤーボンドする際、ワイヤーとの接続強度を高いものとすることができる。
【００６３】
また、前記センサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極の各第１電極層及び第２電極層は一体的に形成されているため、セラミックチップヒータの小型化が進んでも、それぞれの位置にズレが発生することはなく、高精度なセラミックチップヒータを提供することができる。
【００６４】
さらに、本発明の素子加熱型センサによれば、前記セラミックチップヒータに直接センサ素子用電極を介してセンサ素子を形成してなることから、加熱効率に優れ、消費電力を小さくできる安定した性能の素子加熱型センサとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明のセラミックチップヒータの一実施形態を示す断面図、（ｂ）は同図（ａ）のＸ方向から見た平面図、（ｃ）は同図（ａ）のＹ方向から見た平面図である。
【図２】従来のセラミックチップヒータを示す断面図である。
【符号の説明】
１：セラミックチップヒータ
２：セラミック基板
３：センサ素子用電極
４：発熱抵抗体
５：発熱抵抗体用電極
６：スルーホール
７：センサ素子
８：短絡部

Claims

セラミック基板の上面にセンサ素子用電極を形成するとともに、前記セラミック基板の下面に発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の両端に接続する発熱抵抗体用電極とを形成してなるセラミックチップヒータであって、前記セラミック基板の上面の表面粗さ（Ｒａ）は０．２μｍ以下であり、前記センサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極は、セラミック基板側の第１電極層及びその上面に形成される第２電極層とからなり、各第１電極層は白金族金属を主成分として前記セラミック基板と同質で、平均粒径が０．４〜２．０μｍのセラミック粒子が分散され、各第２電極層は白金族金属からなるか、もしくは白金族金属を主成分として前記第１電極層より含有量の少ない前記セラミック粒子が分散されており、前記第１電極層及び前記第２電極層は前記セラミック基板と同時に焼成されて一体的に形成されていることを特徴とするセラミックチップヒータ。
前記センサ素子用電極及び発熱抵抗体用電極の各第１電極層に分散する前記セラミック粒子の含有量を２０〜４５体積％とするとともに、各第２電極層に分散する前記セラミック粒子の含有量を１５体積％未満とすることを特徴とする請求項１に記載のセラミックチップヒータ。
請求項１または２に記載のセラミックチップヒータにおけるセンサ素子用電極を介してセンサ素子を搭載したことを特徴とする素子加熱型センサ。