JP4817931B2 - Light emitting device and light emitting module - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device and a light emitting module capable of inhibiting deterioration by light emitted from a light emitting element even if the light emitting element with a short wavelength of emitted light is used, so that the deterioration in light emission brightness is hard to occur after a long-term use. <P>SOLUTION: The light emitting device X includes the light emitting element 1 consisting of a first conductivity type layer 11, a light emitting layer 12 and a second conductivity type layer 13 formed on a substrate 10 and an optical members 2 for tightly covering at least part of a region of the element 1 where the light is emitted. The optical member 2 is formed of glass. Preferably, the optical member 2 is brought into tight contact with the light emitting element 1 via a glass joining material 21. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、発光素子を有する発光装置、およびこの発光装置を備えた照明装置や表示装置などの発光モジュールに関するものである。   The present invention relates to a light emitting device having a light emitting element, and a light emitting module such as a lighting device or a display device including the light emitting device.

図12に示したように、発光装置9としては、絶縁基板90および枠体91により形成される空間92に、発光素子93を収容したものがある(たとえば特許文献1参照)。   As shown in FIG. 12, there is a light emitting device 9 in which a light emitting element 93 is accommodated in a space 92 formed by an insulating substrate 90 and a frame body 91 (see, for example, Patent Document 1).

絶縁基板90は、発光素子93を搭載するための凹部94を有するものであり、表面に導体層95,96が形成されている。導体層95は、発光素子93の下面電極(図示略)と導通接続されるものであり、凹部94の底面94Aから絶縁基板90の下面90Aにまで連続して設けられている。導体層96は、ワイヤ97を介して発光素子93の上面電極(図示略)と導通接続されるものであり、絶縁基板90の上面90Bから下面90Aに連続して設けられている。   The insulating substrate 90 has a concave portion 94 for mounting the light emitting element 93, and conductor layers 95 and 96 are formed on the surface. The conductor layer 95 is electrically connected to the lower surface electrode (not shown) of the light emitting element 93 and is continuously provided from the bottom surface 94A of the recess 94 to the lower surface 90A of the insulating substrate 90. The conductor layer 96 is electrically connected to the upper surface electrode (not shown) of the light emitting element 93 through the wire 97, and is provided continuously from the upper surface 90B to the lower surface 90A of the insulating substrate 90.

枠体91は、貫通空間98を有するものであるとともに、絶縁基板90の上面90Bに接合されている。絶縁基板90に枠体91を接合した状態では、絶縁基板90の凹部94と枠体91の貫通空間98によって発光素子93を搭載するための空間92が形成されている。この空間92には、発光素子93を保護するために、透光部99が設けられている。この透光部99は、空間92に透明樹脂を充填することにより形成されている。   The frame body 91 has a through space 98 and is joined to the upper surface 90 </ b> B of the insulating substrate 90. In a state where the frame body 91 is bonded to the insulating substrate 90, a space 92 for mounting the light emitting element 93 is formed by the concave portion 94 of the insulating substrate 90 and the through space 98 of the frame body 91. In this space 92, a light transmitting part 99 is provided to protect the light emitting element 93. The translucent part 99 is formed by filling the space 92 with a transparent resin.

発光素子93としては、種々のものが使用されるが、たとえば発光装置9においては白色光を出射させる場合などには、青色の光を放出する発光ダイオードが使用される。この場合、透光部99あるいは発光素子93の表面に、青色光を黄色光に変換するための波長変換層が設けられ、あるいは透光部99の内部に黄色の蛍光を発する蛍光体を含有させられる。   Various light-emitting elements 93 are used. For example, in the light-emitting device 9, when white light is emitted, a light-emitting diode that emits blue light is used. In this case, a wavelength conversion layer for converting blue light into yellow light is provided on the surface of the light transmitting portion 99 or the light emitting element 93, or a phosphor that emits yellow fluorescence is contained inside the light transmitting portion 99. It is done.

その一方で、近年においては、より短波長の光(近紫外光から青色光)を放出する発光素子が開発されており(たとえば特許文献2参照)、このような短波長の発光素子もまた、発光装置9から白色光を出射させる場合に使用することができる。   On the other hand, in recent years, light emitting elements that emit shorter wavelength light (near ultraviolet light to blue light) have been developed (see, for example, Patent Document 2). It can be used when white light is emitted from the light emitting device 9.

特開平5−175553号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-175553 特開2004−342732号公報JP 2004-342732 A

しかしながら、発光装置9では、発光素子93から出射された光は、透光部99が樹脂により形成されているために、その一部が透光部99において吸収される。そのため、透光部99は、吸収した光のエネルギによって経時的に劣化する。その結果、発光装置9を長期間使用する場合においては、透光部99の劣化に起因して発光装置9の発光輝度の低下等の問題が生じ得る。とくに、疑似白色光を出射する発光装置9のように、発光素子93として、青色発光ダイオードなどの波長の短い光を放出するものを使用する場合には、透光部99の劣化が生じる可能性が高く、近年において開発されている、より短波長な光を放出する発光素子を使用する場合には、透光部99の劣化が生じる可能性がより高くなる。   However, in the light emitting device 9, a part of the light emitted from the light emitting element 93 is absorbed by the light transmitting portion 99 because the light transmitting portion 99 is made of resin. Therefore, the translucent part 99 deteriorates with time due to absorbed light energy. As a result, when the light emitting device 9 is used for a long period of time, problems such as a decrease in the light emission luminance of the light emitting device 9 may occur due to the deterioration of the light transmitting portion 99. In particular, when a light emitting element 93 that emits light having a short wavelength, such as a blue light emitting diode, is used as the light emitting device 93 such as the light emitting device 9 that emits pseudo white light, the light transmitting portion 99 may be deteriorated. In the case of using a light emitting element that has been developed in recent years and emits light having a shorter wavelength, there is a higher possibility that the translucent part 99 will be deteriorated.

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、出射光の波長が短い発光素子を使用する場合であっても、発光素子から出射される光による劣化を抑制でき、長期間の使用によっても発光輝度などの劣化が生じにくい発光装置および発光モジュールを提供することを課題としている。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and even when a light-emitting element having a short wavelength of emitted light is used, deterioration due to light emitted from the light-emitting element can be suppressed and used for a long time. It is an object of the present invention to provide a light emitting device and a light emitting module that are less likely to cause deterioration in light emission luminance.

本発明の第1の側面においては、基板上に、第1の導電型層、発光層および第2の導電型層が形成され、該第1の導電型層、該発光層および該第2の導電型層に電圧を印加するための第1および第2電極を有する発光素子と、ガラス材料からなるガラス接合材を介して前記各層の周囲を囲むように前記発光素子の側面に設けられており、無機材料からなる透光性を有する光学部材と、を備え、前記第1および第2電極は、少なくとも表面が前記光学素子に覆われることなく露出し、前記第1および第2電極のうちの少なくとも一方が透明電極であることを特徴とする、発光装置が提供される。
In the first aspect of the present invention, a first conductive type layer, a light emitting layer, and a second conductive type layer are formed on a substrate, and the first conductive type layer, the light emitting layer, and the second conductive type layer are formed . A light emitting element having first and second electrodes for applying a voltage to the conductive type layer and a glass bonding material made of a glass material are provided on the side of the light emitting element so as to surround each of the layers. A translucent optical member made of an inorganic material , wherein the first and second electrodes are exposed without at least the surface being covered by the optical element, and the first and second electrodes are There is provided a light emitting device characterized in that at least one is a transparent electrode .

本発明の第2の側面においては、絶縁基板に対して1または複数の発光装置が搭載された発光モジュールであって、前記発光装置は、本発明の第1の側面に係るものであることを特徴とする、発光モジュールが提供される。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a light emitting module in which one or a plurality of light emitting devices are mounted on an insulating substrate, the light emitting device according to the first aspect of the present invention. A featured light emitting module is provided.

絶縁基板は、たとえば単一の発光装置が搭載されるものであり、かつ発光装置に導通接続される第1および第2接続導体を有している。第1および第2接続導体は、たとえば発光装置に導通接続される部分と、外部の配線に接続される部分と、を有している。   The insulating substrate is mounted with, for example, a single light emitting device, and has first and second connection conductors that are conductively connected to the light emitting device. The first and second connection conductors have, for example, a portion that is conductively connected to the light emitting device and a portion that is connected to external wiring.

絶縁基板は、複数の発光装置を収容するための複数の凹部を有するものであってもよい。この場合、各発光装置は、複数の凹部のうちの対応する凹部に嵌め込まれる。   The insulating substrate may have a plurality of recesses for accommodating a plurality of light emitting devices. In this case, each light emitting device is fitted into a corresponding recess among the plurality of recesses.

本発明の発光モジュールは、たとえば照明装置あるいは表示装置として使用できるように構成される。   The light emitting module of the present invention is configured to be used as, for example, a lighting device or a display device.

本発明に係る発光装置は、ガラスにより形成された光学部材により、発光素子における光が出射される部分の少なくとも一部が覆われている。そのため、発光素子は、光学部材により保護される。また、光学部材は、ガラスにより形成されているが、230nm〜400nmの波長の光に対して透過率が高く、光吸収によって分子構造が破断され難く、透過率や機械的強度が劣化しにくい素材である。また発光素子は、ゾル−ゲルガラスや低融点ガラス等の液状から固体に変質されるガラスによって被覆されるのではなく、固体状のガラスがガラス接合材を介して発光素子の周辺に配置されることにより、発光素子からの光が効率よく光学部材に入射されるとともに、光学部材と外部気体との界面で反射を繰り返しながら、その光エネルギが低損失かつ即座に光学部材より外部に拡散されるため、発光素子の周りを樹脂により保護する従来の発光装置(図12参照)に比べ、光エネルギに起因して発光装置の光出力が劣化する可能性は極めて小さい。その結果、発光素子からの光によって発光素子を保護する要素(光学部材)が光エネルギによって劣化する可能性が低減され、発光装置の発光輝度が低下するのが抑制される。これにより、本発明に係る発光装置は、長期間にわたって安定した光を出力させることが可能となる。   In the light-emitting device according to the present invention, at least a part of a portion of the light-emitting element from which light is emitted is covered with an optical member formed of glass. Therefore, the light emitting element is protected by the optical member. The optical member is made of glass, but has a high transmittance with respect to light having a wavelength of 230 nm to 400 nm, the molecular structure is not easily broken by light absorption, and the transmittance and mechanical strength are not easily deteriorated. It is. In addition, the light-emitting element is not covered with glass that is transformed from liquid to solid, such as sol-gel glass or low-melting glass, but solid glass is disposed around the light-emitting element through a glass bonding material. As a result, the light from the light emitting element is efficiently incident on the optical member, and the light energy is quickly diffused to the outside from the optical member while being repeatedly reflected at the interface between the optical member and the external gas. Compared to a conventional light emitting device (see FIG. 12) in which the periphery of the light emitting element is protected by resin, the light output of the light emitting device is very unlikely to deteriorate due to light energy. As a result, the possibility that the element (optical member) that protects the light emitting element with the light from the light emitting element is deteriorated by the light energy is reduced, and the light emission luminance of the light emitting device is suppressed from decreasing. Thereby, the light-emitting device according to the present invention can output stable light over a long period of time.

また、本発明に係る発光モジュール、たとえば照明装置や表示装置では、先の発光装置が使用されているため、長期間にわたって安定した照明・表示を行なうことが可能となる。   Further, in the light emitting module according to the present invention, for example, the lighting device or the display device, since the previous light emitting device is used, it is possible to perform stable illumination and display over a long period of time.

さらに、光学部材を発光素子に対してガラス接合材を介して密着させた場合には、ガラス接合材が存在することによって発光素子と光学部材の間に気体が残存する可能性が低減される。そのため、発光素子と光学部材との間に気体が残存する場合に比べて、発光素子からの光が、発光素子と光学部材との間において反射される可能性が低減される。これにより、本発明の発光装置では、発光素子からの光を、光学部材に対して効率良く導入させることができるようになる。とくに、ガラス接合材の屈折率を、発光素子の屈折率より小さく、かつ光学部材の屈折率よりも大きく設定した場合には、発光素子とガラス接合材との界面、およびガラス接合材と光学部材との界面における反射損失をも抑制できるため、発光素子からの光を、光学部材に対してさらに効率良く導入させることができる。さらに、発光素子の周囲には、光学部材が透明なガラス接合材を介して配置されることにより、発光装置の製造工程におけるガラスの体積収縮は、発光素子や光学部材と比べて体積を小さくできるガラス接合材のみに制限される。その結果、光学部材は、ガラス接合材にクラックを発生させることなく発光素子の周辺に取着される。   Furthermore, when the optical member is closely attached to the light emitting element via the glass bonding material, the possibility of gas remaining between the light emitting element and the optical member due to the presence of the glass bonding material is reduced. Therefore, compared with the case where gas remains between a light emitting element and an optical member, possibility that the light from a light emitting element will be reflected between a light emitting element and an optical member will be reduced. Thereby, in the light emitting device of the present invention, light from the light emitting element can be efficiently introduced into the optical member. In particular, when the refractive index of the glass bonding material is set smaller than the refractive index of the light emitting element and larger than the refractive index of the optical member, the interface between the light emitting element and the glass bonding material, and the glass bonding material and the optical member. Therefore, it is possible to suppress the reflection loss at the interface between the light emitting element and the light from the light emitting element more efficiently. Furthermore, by arranging an optical member around the light emitting element through a transparent glass bonding material, volume shrinkage of the glass in the manufacturing process of the light emitting device can be reduced in volume compared to the light emitting element and the optical member. Limited to glass bonding materials only. As a result, the optical member is attached to the periphery of the light emitting element without generating a crack in the glass bonding material.

また、第1および第2電極の表面が露出するように光学部材を配置すれば、所定の配線などが形成された配線基板や回路基板などの実装基板と発光装置との間を、種々の接続手段を適用して適切に導通接続することができる。すなわち、実装基板の構成、あるいは発光装置における光の出射方向に応じて、半田、ワイヤボンディングなどの手法を用いて、目的とする状態で発光装置を実装基板に搭載することができる。さらに、発光モジュールにおいて、実装基板に凹部を設けるとともに、その凹部の内面に露出するように端子を設けておけば、凹部に発光装置を嵌め込むだけで、発光装置を実装基板の配線などの導通接続することもできる。   Further, if the optical member is arranged so that the surfaces of the first and second electrodes are exposed, various connections can be made between the mounting substrate such as a wiring board or circuit board on which predetermined wirings are formed and the light emitting device. Appropriate conductive connection can be made by applying the means. That is, the light emitting device can be mounted on the mounting substrate in a target state by using a method such as soldering or wire bonding in accordance with the configuration of the mounting substrate or the light emitting direction of the light emitting device. Furthermore, in the light emitting module, if the mounting substrate is provided with a recess and a terminal is provided so as to be exposed on the inner surface of the recess, the light emitting device can be connected to the mounting substrate by simply inserting the light emitting device into the recess. It can also be connected.

光学部材から第1および第2電極の表面が露出する発光装置は、光学部材として発光素子を収容するための貫通空間を有する筒状体を使用することにより、あるいは光学部材として複数の板状要素を発光素子の側面に密着させることによって容易に形成することができる。   The light emitting device in which the surfaces of the first and second electrodes are exposed from the optical member uses a cylindrical body having a through space for accommodating the light emitting element as the optical member, or a plurality of plate-like elements as the optical member Can be easily formed by adhering to the side surface of the light emitting element.

また、光学部材を、発光素子から出射された光の波長を変換するための1または複数種の蛍光体を含有したものとすれば、発光装置から目的とする波長の光を出射させることができる。たとえば、発光素子としては、たとえば230〜400nmの波長範囲に発光強度のピークを少なくとも1つ有する光を出射するものが使用する一方で、複数種の蛍光体として、前記発光素子から出射された光を、400〜500nmの波長範囲に発光強度のピークを有する光、500〜600nmの波長範囲に発光強度のピークを有する光、および600〜700nmの波長範囲に発光強度のピークを有する光にそれぞれ変換する第1から第3の蛍光体を使用する場合には、発光装置からは白色光を出射させることができる。   Further, if the optical member includes one or more kinds of phosphors for converting the wavelength of light emitted from the light emitting element, light having a target wavelength can be emitted from the light emitting device. . For example, as the light emitting element, one that emits light having at least one emission intensity peak in the wavelength range of 230 to 400 nm, for example, is used, while light emitted from the light emitting element is used as a plurality of types of phosphors. Is converted into light having an emission intensity peak in the wavelength range of 400 to 500 nm, light having an emission intensity peak in the wavelength range of 500 to 600 nm, and light having an emission intensity peak in the wavelength range of 600 to 700 nm. In the case where the first to third phosphors are used, white light can be emitted from the light emitting device.

もちろん、本発明の発光装置は、使用する蛍光体の種類に応じて、白色光以外の光を出射するように構成することができ、たとえば赤色光、緑色光、青色光、黄色、マゼンダ、シアンなどを出射させることができる。   Of course, the light emitting device of the present invention can be configured to emit light other than white light depending on the type of phosphor used, for example, red light, green light, blue light, yellow, magenta, cyan. Etc. can be emitted.

さらに、蛍光体を光学部材の外表面部に偏在させた場合には、蛍光体を含有する部分の厚みが小さくなるために、この部分を垂直に透過する光と斜めに透過する光の光路差が小さくなる。その結果、垂直に透過する光と斜めに透過する光の間の波長変換量の差が小さくなるために、発光素子からの光の一部の光をそのまま透過させる一方で、他の光の波長を変換し、それらの混合色を出射させる場合には、色ムラを抑制して全体から同様な色の光を出射させることが可能となる。   Furthermore, when the phosphor is unevenly distributed on the outer surface portion of the optical member, the thickness of the portion containing the phosphor is reduced, so that the optical path difference between the light transmitted perpendicularly and the light transmitted obliquely through this portion is reduced. Becomes smaller. As a result, the difference in wavelength conversion amount between vertically transmitted light and obliquely transmitted light is reduced, so that a part of the light from the light emitting element is transmitted as it is, while the wavelength of the other light is transmitted. Is converted and the mixed colors thereof are emitted, it is possible to emit light of the same color from the whole while suppressing color unevenness.

また、本発明の発光装置では、光学部材がガラスにより形成され、また必要に応じてガラス接合材が使用されているために、発光素子として波長の短い光を出射するもの、たとえば青色光や近紫外光を出射する酸化亜鉛系化合物半導体を使用する場合であっても、光学部材が劣化するのを効果的に抑制できるために、発光装置における発光輝度の低下を効果的に抑制することができる。   In the light emitting device of the present invention, since the optical member is made of glass and a glass bonding material is used as necessary, the light emitting device emits light having a short wavelength, for example, blue light or near Even when using a zinc oxide-based compound semiconductor that emits ultraviolet light, it is possible to effectively suppress deterioration of the optical member, and thus it is possible to effectively suppress a decrease in light emission luminance in the light emitting device. .

以下においては、本発明の第1ないし第4の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。   Hereinafter, first to fourth embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

まず、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置ついて、図1ないし図3を参照して説明する。   First, a light emitting device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図1および図2に示した発光装置Xは、発光素子1および光学部材2を備えたものであり、少なくとも光学部材2の外表面から光を出射するように構成されている。   The light-emitting device X shown in FIGS. 1 and 2 includes a light-emitting element 1 and an optical member 2, and is configured to emit light from at least the outer surface of the optical member 2.

発光素子1は、基板10上に、n型半導体層11、発光層12およびp型半導体層13を積層形成したものであり、少なくとも側方に向けて光を出射するように構成されている。この発光素子1は、たとえばZnO系の酸化物半導体発光ダイオードがあり、230nm〜400nmの波長の光を放射するように構成されている。もちろん、発光素子1としては、ZnO系の酸化物半導体発光ダイオード以外のシリコンカーバイド(SiC)系化合物半導体、ダイヤモンド系化合物半導体、窒化ホウ素系化合物半導体等を使用することができ、発光装置Xにおいて出射させる光の波長に応じて、使用すべき発光素子1の種類を適宜選択すればよい。   The light emitting element 1 is formed by stacking an n-type semiconductor layer 11, a light emitting layer 12, and a p-type semiconductor layer 13 on a substrate 10, and is configured to emit light at least laterally. The light emitting element 1 includes, for example, a ZnO-based oxide semiconductor light emitting diode, and is configured to emit light having a wavelength of 230 nm to 400 nm. Of course, as the light-emitting element 1, a silicon carbide (SiC) -based compound semiconductor, a diamond-based compound semiconductor, a boron nitride-based compound semiconductor, or the like other than the ZnO-based oxide semiconductor light-emitting diode can be used. What is necessary is just to select suitably the kind of light emitting element 1 which should be used according to the wavelength of the light to make.

基板10の下面10Aおよびp型半導体層13の上面13Aには、電極14,15が形成されている。これらの電極14,15は、発光層12から光を放出させるために、n型半導体層11、発光層12およびp型半導体層13の間に電圧を印加するためのものである。電極14,15は、光を透過させる必要がある場合には透明に形成され、光を反射させる必要がある場合には反射率の高い材料により形成される。電極14,15を形成するための材料としては、電極14,15を透明に形成する場合にはITO(Indium Tin Oxide)ガラスや酸化亜鉛系透明導電膜、インジウム(In)と錫(Sn)との酸化物であるSnO、Inなどが使用される。また、電極14,15を反射率の高いものとして形成する場合にはアルミニウム、ロジウム、銀等の230nm〜400nmの波長の光に対して反射率が高い金属および合金などが使用される。 Electrodes 14 and 15 are formed on the lower surface 10 </ b> A of the substrate 10 and the upper surface 13 </ b> A of the p-type semiconductor layer 13. These electrodes 14 and 15 are for applying a voltage between the n-type semiconductor layer 11, the light-emitting layer 12 and the p-type semiconductor layer 13 in order to emit light from the light-emitting layer 12. The electrodes 14 and 15 are formed of a transparent material when it is necessary to transmit light, and are formed of a highly reflective material when it is necessary to reflect light. As a material for forming the electrodes 14 and 15, when the electrodes 14 and 15 are formed transparently, ITO (Indium Tin Oxide) glass, a zinc oxide based transparent conductive film, indium (In) and tin (Sn), An oxide of SnO 2 , In 2 O 3 or the like is used. Further, when the electrodes 14 and 15 are formed with high reflectivity, metals and alloys having high reflectivity with respect to light having a wavelength of 230 nm to 400 nm, such as aluminum, rhodium, and silver, are used.

光学部材2は、ガラス接合材21を介して発光素子1の側面1Bに設けられている。光学部材2は、発光素子1を保護する機能を果たすとともに、発光素子1において放出された光を外部に導く役割をも果たすものである。この光学部材2は、発光素子1を収容するための貫通空間20を有するものであり、ガラスにより全体が透光性を有する筒状に形成されている。光学部材2を形成するためのガラス材料としては、たとえば石英ガラス、硼酸と珪酸とを含む光学ガラス、水晶、サファイアあるいは螢石を使用することができる。   The optical member 2 is provided on the side surface 1 </ b> B of the light emitting element 1 through the glass bonding material 21. The optical member 2 functions to protect the light emitting element 1 and also plays a role of guiding light emitted from the light emitting element 1 to the outside. The optical member 2 has a through space 20 for accommodating the light emitting element 1 and is formed of a glass having a translucent shape as a whole. As a glass material for forming the optical member 2, for example, quartz glass, optical glass containing boric acid and silicic acid, crystal, sapphire, or meteorite can be used.

貫通空間20は、発光素子1の外観形状に対応させて直方体形状に形成されており、その内面と発光素子1の側面との間にガラス接合材21を介在させた状態で、発光素子2を収容している。貫通空間20に発光素子1を収容させた状態では、基板10、n型半導体層11、発光層12およびp型半導体層13の周囲が光学部材2によって囲まれ、発光装置Xの全体としては略直体形状を呈している。   The through space 20 is formed in a rectangular parallelepiped shape corresponding to the external shape of the light emitting element 1, and the light emitting element 2 is placed in a state where the glass bonding material 21 is interposed between the inner surface and the side surface of the light emitting element 1. Contained. In a state where the light emitting element 1 is accommodated in the through space 20, the periphery of the substrate 10, the n-type semiconductor layer 11, the light emitting layer 12, and the p type semiconductor layer 13 is surrounded by the optical member 2, and the light emitting device X as a whole is substantially omitted. It has a solid shape.

ただし、光学部材2は、発光素子1の側面における光が出射される部分を覆っていればよく、必ずしも発光素子1の側面の全体を覆う必要はない。たとえば、基板10から光が出射されない場合には、光学部材2は、たとえばn型半導体層11、発光層12およびp型半導体層13の周囲を選択的に囲むような形態に形成してもよい。   However, the optical member 2 only needs to cover a portion where light is emitted from the side surface of the light emitting element 1, and does not necessarily need to cover the entire side surface of the light emitting element 1. For example, when no light is emitted from the substrate 10, the optical member 2 may be formed to selectively surround, for example, the n-type semiconductor layer 11, the light emitting layer 12, and the p-type semiconductor layer 13. .

また、光学部材2は、その外表面における反射損失を低減するため、外表面に円錐状や円柱状、四角柱状等の回折格子を設けたり、外表面をブラスト加工や化学研磨等の表面加工によって粗化したりすることにより、より反射損失を抑制しながら効率よく光学部材2から外部気体に光を導き出すことができる。なお、外表面の算術平均粗さは、0.1〜100μmが好ましく、算術平均粗さが0.1μmより小さい場合、および算術平均粗さが100μmより大きい場合、外表面における反射損失が抑制されず、光学部材2から外部気体に効率よく光を導き出すことができない。   Further, in order to reduce reflection loss on the outer surface of the optical member 2, the outer surface is provided with a diffraction grating having a conical shape, a cylindrical shape, a quadrangular prism shape, or the outer surface is subjected to surface processing such as blasting or chemical polishing. By roughening, light can be efficiently led from the optical member 2 to the external gas while further suppressing reflection loss. The arithmetic average roughness of the outer surface is preferably 0.1 to 100 μm. When the arithmetic average roughness is smaller than 0.1 μm and when the arithmetic average roughness is larger than 100 μm, reflection loss on the outer surface is suppressed. Therefore, light cannot be efficiently led out from the optical member 2 to the external gas.

ガラス接合材21は、透光性を有するものであり、たとえば発光素子1よりも屈折率が小さく、光学部材2よりも屈折率が大きい材料により構成されている。このようなガラス接合材としては、たとえばゾル−ゲルガラスあるいは低融点ガラス、水ガラス接着剤を使用することができる。   The glass bonding material 21 has translucency, and is made of, for example, a material having a refractive index smaller than that of the light emitting element 1 and larger than that of the optical member 2. As such a glass bonding material, for example, sol-gel glass, low-melting glass, or water glass adhesive can be used.

図3に示したように、発光装置Xは、回路基板3などに実装して使用される。同図においては、電極14が回路基板3の配線30に対して半田などの導電性接合材を介して導通接続され、電極15が回路基板3の配線31に対してワイヤ32を介して導通接続された例を示した。   As shown in FIG. 3, the light-emitting device X is used by being mounted on a circuit board 3 or the like. In the figure, the electrode 14 is conductively connected to the wiring 30 of the circuit board 3 via a conductive bonding material such as solder, and the electrode 15 is conductively connected to the wiring 31 of the circuit board 3 via the wire 32. An example was given.

発光装置Xでは、ガラスにより形成された光学部材2によって、発光素子1における光が出射される部分の少なくとも一部が囲まれている。その一方で、ガラスは、樹脂に比べ230nm〜400nmの波長の光に対して透過率が高く、光吸収によって分子構造が破断され難く、透過率や機械的強度が劣化しにくい素材である。そのため、発光装置Xは、発光素子1から出射された光が発光素子1の周り(光学部材2)において吸収されたとしても、発光素子1の周りを樹脂により保護する従来の発光装置9(図12参照)に比べて、光エネルギに起因して透過率や機械的強度が劣化する可能性は極めて小さい。その結果、発光素子1からの光によって発光素子1を保護する要素(光学部材2)が劣化する可能性が低減され、発光装置Xの発光輝度が低下するのが抑制される。これにより、発光装置Xは、長期間にわたって安定した光を出力させることが可能となる。さらに、発光装置Xにおいて光が出射される面積が光学部材2の外表面によって増加することから、光学部材2に入射した発光素子1の光が外表面で反射されながら外部気体に導き出される確率が増加する。その結果、発光素子1の光は、効率よく光学部材2から外部気体に導き出され、発光装置Xより放射される光量は増加する。   In the light emitting device X, the optical member 2 made of glass surrounds at least a part of the light emitting element 1 where light is emitted. On the other hand, glass is a material that has a higher transmittance with respect to light having a wavelength of 230 nm to 400 nm than that of a resin, a molecular structure is not easily broken by light absorption, and a transmittance and mechanical strength are not easily deteriorated. Therefore, even if the light emitted from the light emitting element 1 is absorbed around the light emitting element 1 (the optical member 2), the light emitting apparatus X protects the surroundings of the light emitting element 1 with a resin (see FIG. 12), the possibility of deterioration in transmittance and mechanical strength due to light energy is extremely small. As a result, the possibility that the element (optical member 2) that protects the light emitting element 1 by the light from the light emitting element 1 deteriorates is reduced, and the light emission luminance of the light emitting device X is suppressed from decreasing. Thereby, the light emitting device X can output stable light over a long period of time. Furthermore, since the light emitting area in the light emitting device X is increased by the outer surface of the optical member 2, there is a probability that the light of the light emitting element 1 incident on the optical member 2 is led to the external gas while being reflected by the outer surface. To increase. As a result, the light of the light emitting element 1 is efficiently guided from the optical member 2 to the external gas, and the amount of light emitted from the light emitting device X increases.

また、ガラス接合材21を介して、発光素子1に対して光学部材2を密着させた構成を採用することにより、発光素子1と光学部材2の間に気体が残存する可能性が、ガラス接合材21が存在することによって低減される。そのため、発光素子1と光学部材2との間に気体が残存する場合に比べて、発光素子1からの光が、発光素子1と光学部材2との間において反射される可能性が低減される。これにより、発光装置Xでは、発光素子1からの光を、光学部材2に対して効率良く導入させることができるようになる。さらに、発光装置Xの製造工程や回路基板3への実装工程や作動環境において負荷される熱および各部材の熱膨張係数差により、光学部材2やガラス接合材21にクラックが発生することが抑制されるため、発光装置Xにおいては、長期間にわたって安定した光を出力させることが可能となる。とくに、ガラス接合材21の屈折率を発光素子の屈折率より小さく、かつ光学部材2の屈折率よりも大きく設定した場合には、発光素子1とガラス接合材21との界面、およびガラス接合材21と光学部材2との界面における反射損失を抑制できるため、発光素子1からの光を、光学部材2に対してさらに効率良く導入させることができる。   Further, by adopting a configuration in which the optical member 2 is in close contact with the light emitting element 1 through the glass bonding material 21, there is a possibility that gas remains between the light emitting element 1 and the optical member 2. It is reduced by the presence of the material 21. Therefore, compared with the case where gas remains between the light emitting element 1 and the optical member 2, the possibility that the light from the light emitting element 1 is reflected between the light emitting element 1 and the optical member 2 is reduced. . Thereby, in the light emitting device X, the light from the light emitting element 1 can be efficiently introduced into the optical member 2. Further, the occurrence of cracks in the optical member 2 and the glass bonding material 21 due to the heat applied in the manufacturing process of the light-emitting device X, the mounting process on the circuit board 3 and the operating environment and the difference in thermal expansion coefficient of each member is suppressed. Therefore, the light emitting device X can output stable light over a long period of time. In particular, when the refractive index of the glass bonding material 21 is set smaller than the refractive index of the light emitting element and larger than the refractive index of the optical member 2, the interface between the light emitting element 1 and the glass bonding material 21, and the glass bonding material. Since the reflection loss at the interface between the optical member 21 and the optical member 2 can be suppressed, the light from the light emitting element 1 can be introduced into the optical member 2 more efficiently.

次に、本発明の第2の実施の形態に係る発光モジュールについて、図4を参照して説明する。   Next, a light emitting module according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図4に示した発光モジュール4は、面実装可能に構成されたものであり、発光装置40および配線基板41を備えている。   The light emitting module 4 shown in FIG. 4 is configured to be surface-mountable, and includes a light emitting device 40 and a wiring board 41.

発光装置40は、先に説明した本発明の第1の実施の形態に係る発光装置X(図1および図2参照)と同様なものであり、発光素子42および光学部材43を備えている。   The light emitting device 40 is the same as the light emitting device X (see FIGS. 1 and 2) according to the first embodiment of the present invention described above, and includes a light emitting element 42 and an optical member 43.

発光装置40は、光学部材43の貫通空間44に発光素子42を収容させることにより、発光素子42の周囲を光学部材43によって囲んだものである。貫通空間44の内面と発光素子42の側面との間には、ガラス接合材45が介在させられており、発光素子42は、光学部材43の内面に対して密着した状態とされている。   In the light emitting device 40, the light emitting element 42 is accommodated in the through space 44 of the optical member 43 so that the periphery of the light emitting element 42 is surrounded by the optical member 43. A glass bonding material 45 is interposed between the inner surface of the through space 44 and the side surface of the light emitting element 42, and the light emitting element 42 is in close contact with the inner surface of the optical member 43.

発光素子42は、電極46A,46Bをさらに備えており、これらの電極46A,46Bは、貫通空間44の上方および下方において露出している。   The light emitting element 42 further includes electrodes 46 </ b> A and 46 </ b> B, and these electrodes 46 </ b> A and 46 </ b> B are exposed above and below the through space 44.

光学部材43は、ガラスにより形成されており、屈折率がガラス接合材45よりも小さくされている。一方、ガラス接合材45は、屈折率が発光素子42よりも小さくされている。なお、光学部材43およびガラス接合材45を形成するための材料としては、先に説明した発光装置X(図1および図2参照)と同様なものを使用することができる。   The optical member 43 is made of glass and has a refractive index smaller than that of the glass bonding material 45. On the other hand, the glass bonding material 45 has a refractive index smaller than that of the light emitting element 42. In addition, as a material for forming the optical member 43 and the glass bonding material 45, the same material as the light-emitting device X described above (see FIGS. 1 and 2) can be used.

一方、配線基板41は、絶縁基材47の表面に外部接続用導体48A,48Bが形成されたものである。外部接続用導体48A,48Bは、発光装置40の電極46A,46Bに導通接続される上面導体部48Aa,48Baと、回路基板などの実装対象物の配線に導通接続される下面導体部48Ab,48Bbと、上面導体部48Aa,48Baと下面導体部48Ab,48Bbとの間を接続する側面導体部48Ac,48Bcを有している。   On the other hand, the wiring board 41 is formed by forming external connection conductors 48 </ b> A and 48 </ b> B on the surface of the insulating base 47. The external connection conductors 48A and 48B include upper surface conductor portions 48Aa and 48Ba that are conductively connected to the electrodes 46A and 46B of the light emitting device 40, and lower surface conductor portions 48Ab and 48Bb that are conductively connected to wiring of a mounting object such as a circuit board. And side conductor portions 48Ac, 48Bc that connect the upper conductor portions 48Aa, 48Ba and the lower conductor portions 48Ab, 48Bb.

上面導体部48Aaは、半田や導電性樹脂などの導電性接合材49Aを介して発光素子42の電極46Aに導通接続されている。一方、上面導体部48Baは、ワイヤ49Bを介して発光素子42の電極46Bに導通接続されている。   The upper conductor portion 48Aa is conductively connected to the electrode 46A of the light emitting element 42 through a conductive bonding material 49A such as solder or conductive resin. On the other hand, the upper surface conductor portion 48Ba is electrically connected to the electrode 46B of the light emitting element 42 through the wire 49B.

発光モジュール4では、ガラスにより形成された光学部材43によって発光素子42が囲まれており、光学部材43(貫通空間44)の内面と発光素子42の側面との間にガラス接合材45が介在させられている。そのため、先に説明した発光装置X(図1および図2参照)と同様に、発光素子42から放出される光を、光学部材43に対して効率良く導くことができる。また、ガラス接合材45の屈折率が発光素子42よりも小さく、光学部材43の屈折率がガラス接合材45よりも小さいために、発光素子42から例えば屈折率が1である空気に亘り、段階的に屈折率を低下させることにより、発光素子42やガラス接合材45および光学部材43や空気の各界面における反射損失が抑制され、より効率良く発光素子42からの光を外部に出射でき、発光装置40の光出力を向上できる。   In the light emitting module 4, the light emitting element 42 is surrounded by the optical member 43 formed of glass, and the glass bonding material 45 is interposed between the inner surface of the optical member 43 (through space 44) and the side surface of the light emitting element 42. It has been. Therefore, similarly to the light-emitting device X described above (see FIGS. 1 and 2), the light emitted from the light-emitting element 42 can be efficiently guided to the optical member 43. Further, since the refractive index of the glass bonding material 45 is smaller than that of the light emitting element 42 and the refractive index of the optical member 43 is smaller than that of the glass bonding material 45, the step extends from the light emitting element 42 to air having a refractive index of 1, for example. By reducing the refractive index, the reflection loss at each interface of the light emitting element 42, the glass bonding material 45, the optical member 43 and the air is suppressed, and the light from the light emitting element 42 can be emitted to the outside more efficiently. The light output of the device 40 can be improved.

次に、本発明の第3の実施の形態に係る発光モジュールについて、図5を参照して説明する。ただし、図5においては、図4を参照して説明した発光モジュール4と同様な部材または要素については同一の符号を付してあり、重複説明は省略する。   Next, a light emitting module according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. However, in FIG. 5, the same code | symbol is attached | subjected about the member or element similar to the light emitting module 4 demonstrated with reference to FIG. 4, and duplication description is abbreviate | omitted.

図5に示した発光モジュール4′は、発光装置40′および配線基板41を備えているとともに、面実装可能とされている点において、先に説明した発光モジュール4(図4参照)と同様である。その一方で、発光モジュール4′は、発光装置40′が配線基板41に対して光学部材43の外表面43Aが対面するように搭載されている点において異なっている。   The light emitting module 4 ′ shown in FIG. 5 includes the light emitting device 40 ′ and the wiring board 41, and is similar to the light emitting module 4 (see FIG. 4) described above in that it can be surface-mounted. is there. On the other hand, the light emitting module 4 ′ is different in that the light emitting device 40 ′ is mounted so that the outer surface 43 A of the optical member 43 faces the wiring board 41.

また、発光装置40′は、先に説明した発光装置X,40(図1および図2、図4参照)と基本的な構成が同様であるが、これらの発光装置X,40とは、電極46A′,46B′の構成が異なっている。すなわち、電極46A′,46B′は、配線基板41における外部接続用導体48A,48Bの上面導体部48Aa,48Baに確実に導通接続できるように、光学部材43の表面43Bにまで延出して設けられている。そして、発光装置40′は、電極46A′,46B′が発光素子42から下方に向けて延びる格好で、配線基板41に搭載されており、電極46A′,46B′と上面導体部48Aa,48Baとの間が導電性接合材49A′,49B′を介して導通接続されている。   The light emitting device 40 ′ has the same basic configuration as the light emitting devices X and 40 (see FIGS. 1, 2, and 4) described above, but the light emitting devices X and 40 are electrodes. The configurations of 46A ′ and 46B ′ are different. That is, the electrodes 46A ′ and 46B ′ are provided to extend to the surface 43B of the optical member 43 so as to be surely conductively connected to the upper surface conductors 48Aa and 48Ba of the external connection conductors 48A and 48B on the wiring board 41. ing. The light emitting device 40 'is mounted on the wiring board 41 with the electrodes 46A' and 46B 'extending downward from the light emitting element 42, and the electrodes 46A' and 46B 'and the upper surface conductor portions 48Aa and 48Ba. Are electrically connected through conductive bonding materials 49A 'and 49B'.

発光モジュール4′の発光装置40′では、先の発光装置X,40(図1および図2、図4参照)と同様に、発光素子42から放出される光が、ガラス接合材を透過して光学部材43に効率良く導かれるとともに、図4の発光装置40におけるワイヤ49Bによる光吸収が無くなる。その結果、発光装置40′を照明装置として使用した際の照射面においては、ワイヤ49Bの影が無くなるとともに光学部材43の外表面から上方に出射される光が増加するため、発光装置40′、ひいては発光モジュール4′における輝度を向上することができるようになる。   In the light emitting device 40 ′ of the light emitting module 4 ′, light emitted from the light emitting element 42 is transmitted through the glass bonding material in the same manner as the light emitting devices X and 40 (see FIGS. 1, 2, and 4). While being efficiently guided to the optical member 43, light absorption by the wire 49B in the light emitting device 40 of FIG. 4 is eliminated. As a result, since the shadow of the wire 49B disappears and the light emitted upward from the outer surface of the optical member 43 increases on the irradiation surface when the light emitting device 40 ′ is used as an illumination device, the light emitting device 40 ′, As a result, the brightness of the light emitting module 4 'can be improved.

本発明に係る発光装置、および発光モジュールにおいて採用される発光装置は、図1ないし図5を参照して説明したものには限定されず、種々に変更可能である。たとえば、発光装置は、図6ないし図9に示した構成とすることができ、その場合にも、先の発光装置X(図1および図2参照)と同様な作用効果を奏することができる。   The light-emitting device employed in the light-emitting device and the light-emitting module according to the present invention is not limited to those described with reference to FIGS. 1 to 5 and can be variously changed. For example, the light emitting device can be configured as shown in FIGS. 6 to 9, and in this case as well, the same operational effects as those of the previous light emitting device X (see FIGS. 1 and 2) can be achieved.

図7に示した発光装置X2は、光学部材2Aが4つの板状要素22A,23Aによって構成されたものであり、全体として略直方体形状に形成されている。この発光装置X2は、光学部材2Aが4つの板状要素22A,23Aからなるものの、その機能は、筒状に形成された光学部材2(図1および図2参照)と同様である。   In the light emitting device X2 shown in FIG. 7, the optical member 2A is composed of four plate-like elements 22A and 23A, and is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape as a whole. In the light emitting device X2, the optical member 2A includes four plate-like elements 22A and 23A, but the function is the same as that of the optical member 2 (see FIGS. 1 and 2) formed in a cylindrical shape.

図8に示した発光装置X3は、光学部材2Bが円筒状に形成されたものである。このような発光装置X3では、光学部材2Bの外表面24Bが曲面とされているために、発光素子1から放出された光を、光学部材2Bの外表面24Bから略均一に出射させることができる。   In the light emitting device X3 shown in FIG. 8, the optical member 2B is formed in a cylindrical shape. In such a light emitting device X3, since the outer surface 24B of the optical member 2B is a curved surface, the light emitted from the light emitting element 1 can be emitted substantially uniformly from the outer surface 24B of the optical member 2B. .

図9(a)および図9(b)に示した発光装置X4,X5は、光学部材2C,2Dに蛍光体25を分散させたものである。図9(a)に示した発光装置X4は、蛍光体25を光学部材2Cの全体に分散させたものであり、図9(b)に示した発光装置X5は、蛍光体25を光学部材2Dの外表面部に選択的に分散させたものである。   The light emitting devices X4 and X5 shown in FIGS. 9A and 9B are obtained by dispersing the phosphor 25 in the optical members 2C and 2D. The light emitting device X4 shown in FIG. 9A is obtained by dispersing the phosphor 25 over the entire optical member 2C, and the light emitting device X5 shown in FIG. In the outer surface portion.

光学部材2C,2Dに含有させる蛍光体25は、発光装置X4,X5から出射させるべき光の波長(色)に応じて選択される。たとえば、発光装置X4,X5から白色光を出射させる場合には、蛍光体25としては、発光素子1から出射された光を、400〜500nmの波長範囲に発光強度のピークを有する光に変換する第1蛍光体、500〜600nmの波長範囲に発光強度のピークを有する光に変換する第2蛍光体、および600〜700nmの波長範囲に発光強度のピークを有する光に変換する第3蛍光体が使用される。第1蛍光体としては、たとえば(Sr,Ca,Ba,Mg)10(POCl:EuあるいはBaMgAl1017:Euを挙げることができ、第2蛍光体としては、たとえばSrAl:EuやZnS:Cu,AlあるいはSrGa:Euを挙げることができ、第3蛍光体としては、たとえばSrCaS:EuあるいはLaS:Eu,LiEuWを挙げることができる。 The phosphor 25 contained in the optical members 2C and 2D is selected according to the wavelength (color) of light to be emitted from the light emitting devices X4 and X5. For example, when white light is emitted from the light emitting devices X4 and X5, the phosphor 25 converts the light emitted from the light emitting element 1 into light having a light emission intensity peak in the wavelength range of 400 to 500 nm. A first phosphor, a second phosphor that converts light having an emission intensity peak in a wavelength range of 500 to 600 nm, and a third phosphor that converts light having an emission intensity peak in a wavelength range of 600 to 700 nm. used. Examples of the first phosphor include (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu or BaMgAl 10 O 17 : Eu. Examples of the second phosphor include SrAl 2. Examples include O 4 : Eu, ZnS: Cu, Al, or SrGa 2 S 4 : Eu. Examples of the third phosphor include SrCaS: Eu or La 2 O 2 S: Eu, LiEuW 2 O 8. Can do.

一方、第1から第3蛍光体を使用して発光装置X4,X5から白色光を出射させる場合には、発光素子1としては、たとえば230〜400nmの波長範囲に発光強度のピークを少なくとも1つ有する光を出射するものが使用される。このような発光素子1としては、ZnO系の酸化物半導体発光ダイオードを挙げることができる。   On the other hand, when white light is emitted from the light emitting devices X4 and X5 using the first to third phosphors, the light emitting element 1 has, for example, at least one emission intensity peak in the wavelength range of 230 to 400 nm. What emits the light which it has is used. Examples of such a light emitting element 1 include a ZnO-based oxide semiconductor light emitting diode.

また、発光素子1として青色光を出射するものを使用するとともに、蛍光体25として青色光を黄色光に変換するもの、たとえばセリウム(Ce)で付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG)あるいは、2価のユーロピウム(Eu)で活性化されたアルカリ土類金属オルト珪酸塩蛍光体を使用することによって、発光装置X4,X5から白色光を出射させるようにしてもよい。   Further, a light emitting element 1 that emits blue light is used, and a phosphor 25 that converts blue light into yellow light, such as an yttrium aluminum garnet phosphor activated with cerium (Ce) ( YAG) or alkaline earth metal orthosilicate phosphor activated with divalent europium (Eu) may be used to emit white light from the light emitting devices X4 and X5.

図9(a)に示した発光装置X4は、蛍光体25を光学部材2Cの全体に分散させたものであるから、蛍光体25が分散された光学部材2Cを簡易に形成することができる。すなわち、発光装置X4では、光学部材2Cの製造が容易であるといった利点がある。一方、図9(b)に示した発光装置X5は、蛍光体25を光学部材2Dの外表面部に選択的に分散させたものであるから、光学部材2Dを水平に進行する光と、水平方向から傾斜した方向に進行する光との間において、光路差が小さくなる。その結果、水平方向に透過する光と斜めに透過する光の間の波長変換量の差が小さくなるために、発光素子1からの光の一部をそのまま透過させる一方で、一部の光の波長を変換してそれらの混合色を出射させる場合には、色ムラを抑制して全体から同様な色の光を出射させることが可能となる。さらに、発光素子1から出射される光は、蛍光体25によって阻害されることなく光学部材2Dに効率よく入射されることから、発光素子1の光によって励起される蛍光体25が増加し、発光装置X5の光出力は増加する。   Since the light emitting device X4 shown in FIG. 9A is obtained by dispersing the phosphor 25 over the entire optical member 2C, the optical member 2C in which the phosphor 25 is dispersed can be easily formed. That is, the light emitting device X4 has an advantage that the optical member 2C can be easily manufactured. On the other hand, since the light emitting device X5 shown in FIG. 9B is obtained by selectively dispersing the phosphor 25 on the outer surface portion of the optical member 2D, the light that travels horizontally through the optical member 2D and the horizontal The optical path difference becomes small between the light traveling in the direction inclined from the direction. As a result, since the difference in wavelength conversion between the light transmitted in the horizontal direction and the light transmitted obliquely becomes small, a part of the light from the light emitting element 1 is transmitted as it is, When the mixed colors are emitted by converting the wavelengths, it is possible to emit light of the same color from the whole while suppressing color unevenness. Furthermore, since the light emitted from the light emitting element 1 is efficiently incident on the optical member 2D without being inhibited by the phosphor 25, the phosphor 25 excited by the light of the light emitting element 1 increases and emits light. The light output of device X5 increases.

もちろん、発光装置X4,X5は、使用する蛍光体25の種類を適宜選択することにより、白色以外の光を出射するように構成することもでき、また光学部材2C,2Dに蛍光体25を分散させる代わりに、光学部材2C,2Dの外表面に、蛍光体を含む波長変換層を設けてもよい。   Of course, the light emitting devices X4 and X5 can be configured to emit light other than white by appropriately selecting the type of phosphor 25 to be used, and the phosphor 25 is dispersed in the optical members 2C and 2D. Instead of this, a wavelength conversion layer containing a phosphor may be provided on the outer surfaces of the optical members 2C and 2D.

次に、本発明の第4の実施の形態に係る発光モジュールについて、図10および図11を参照しつつ説明する。   Next, a light emitting module according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図10および図11に示した発光モジュール5は、照明装置あるいは表示装置として使用可能なものであり、複数の発光装置6および絶縁基板7を備えている。   The light emitting module 5 shown in FIGS. 10 and 11 can be used as a lighting device or a display device, and includes a plurality of light emitting devices 6 and an insulating substrate 7.

複数の発光装置6は、先に説明した発光装置X,X2(図1および図2、図7参照)と同様に、発光素子60の周囲を光学部材61で囲んだものであるとともに、全体として直方体形状に形成されている。発光装置6は、目的に応じて、光学部材61に蛍光体を含有させたものが使用される(図9(a)および図9(b)の発光装置X4,X5参照)。   The plurality of light emitting devices 6 are configured by surrounding the light emitting element 60 with an optical member 61 as in the light emitting devices X and X2 (see FIGS. 1, 2, and 7) described above, and as a whole. It is formed in a rectangular parallelepiped shape. As the light-emitting device 6, the optical member 61 containing a phosphor is used according to the purpose (see the light-emitting devices X4 and X5 in FIGS. 9A and 9B).

絶縁基板7は、複数の発光装置6を位置決め固定するとともに、各発光装置6に駆動電力を供給するためのものである。この絶縁基板7は、複数の貫通孔70が形成された第1基板71と、配線(図示略)がパターン形成された第2基板72と、を有している。   The insulating substrate 7 is for positioning and fixing the plurality of light emitting devices 6 and for supplying driving power to each light emitting device 6. The insulating substrate 7 has a first substrate 71 in which a plurality of through holes 70 are formed, and a second substrate 72 in which wiring (not shown) is patterned.

第1基板71の複数の貫通孔70は、発光装置6を収容するためのものであり、マトリックス状に配置されている。各貫通孔70の内面には、発光装置6の電極62,63に接触させるための一対の端子73,74が、互いに対面して設けられている。すなわち、各貫通孔70に発光装置6を収容させた状態では、複数の発光装置6がマトリックス状に配置されるとともに、各発光装置6の電極62,63と貫通孔70の一対の端子73,74とが導通接続された状態とされる。   The plurality of through holes 70 of the first substrate 71 are for housing the light emitting device 6 and are arranged in a matrix. A pair of terminals 73 and 74 for contacting the electrodes 62 and 63 of the light emitting device 6 are provided on the inner surface of each through hole 70 so as to face each other. That is, in a state where the light emitting device 6 is accommodated in each through hole 70, the plurality of light emitting devices 6 are arranged in a matrix, and the electrodes 62 and 63 of each light emitting device 6 and the pair of terminals 73 of the through hole 70, 74 is in a conductive connection state.

第2基板72の配線(図示略)は、第1基板71の一対の端子73,74に導通接続されている。この配線はさらに、第2基板72の側面に設けられた端子75に導通接続されている。配線のパターンは、たとえば発光モジュール5における複数の発光装置6の駆動態様に応じて設計される。   The wiring (not shown) of the second substrate 72 is conductively connected to the pair of terminals 73 and 74 of the first substrate 71. This wiring is further conductively connected to a terminal 75 provided on the side surface of the second substrate 72. The wiring pattern is designed according to the driving mode of the plurality of light emitting devices 6 in the light emitting module 5, for example.

たとえば発光モジュール5を表示装置として構成する場合には、各発光素装置6が個別に駆動可能とされるため、配線は各発光装置6を個別に駆動可能なようにパターン形成される。一方、発光モジュール5を照明装置として構成する場合には、各発光装置6は必ずしも個別に駆動可能に構成する必要はなく、たとえば全部を同時に駆動可能とし、または複数の発光装置6を複数のグループに分け、グループ毎に駆動可能とされ、そのような駆動が可能なように配線がパターン形成される。   For example, when the light emitting module 5 is configured as a display device, each light emitting element device 6 can be individually driven, and thus the wiring is patterned so that each light emitting device 6 can be individually driven. On the other hand, when the light emitting module 5 is configured as a lighting device, each light emitting device 6 is not necessarily configured to be individually drivable. For example, all of the light emitting devices 6 can be driven simultaneously, or a plurality of light emitting devices 6 are grouped into a plurality of groups. In other words, each group can be driven, and the wiring is patterned so that such driving is possible.

発光モジュール5では、発光装置6として、先に説明した発光装置X,X2,X4,X5(図1および図2、図7、図9(a)および図9(b)参照)と同様なものが使用される。すなわち、発光装置6は、発光素子60からの光によって光学部材61が劣化することが抑制されるとともに、発光装置6の製造工程における各部材の体積収縮は、発光素子60や光学部材61と比べて体積を小さくできるガラス接合材21のみに制限されることから、光学部材61はガラス接合材21にクラックを発生させることなく発光素子の周辺に取着される。その結果、このような発光装置6を使用した発光モジュール5では、長期間にわたって安定した光を出力させることが可能となる。   In the light emitting module 5, the light emitting device 6 is the same as the light emitting devices X, X2, X4, and X5 described above (see FIGS. 1, 2, 7, 9A, and 9B). Is used. That is, in the light emitting device 6, the optical member 61 is suppressed from being deteriorated by the light from the light emitting element 60, and the volume shrinkage of each member in the manufacturing process of the light emitting device 6 is smaller than that of the light emitting element 60 and the optical member 61. Therefore, the optical member 61 is attached to the periphery of the light emitting element without generating a crack in the glass bonding material 21. As a result, the light emitting module 5 using such a light emitting device 6 can output stable light over a long period of time.

なお、発光モジュール5においては、第1基板71に複数の貫通孔70を設け、それらの貫通孔70に発光装置6を収容させていたが、発光装置6は、絶縁基板の表面に対して、単に実装した形態であってもよい。   In the light emitting module 5, a plurality of through holes 70 are provided in the first substrate 71, and the light emitting device 6 is accommodated in the through holes 70. It may be simply implemented.

本発明の第1の実施の形態に係る発光装置を示す全体斜視図である。1 is an overall perspective view showing a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 図1に示した発光装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the light-emitting device shown in FIG. 図1および図2に示した発光装置の使用例を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the usage example of the light-emitting device shown to FIG. 1 and FIG. 本発明の第2の実施の形態に係る発光モジュールを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the light emitting module which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態に係る発光モジュールを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the light emitting module which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 発光装置の他の例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the other example of a light-emitting device. 発光装置の他の例を示す全体斜視図である。It is a whole perspective view which shows the other example of a light-emitting device. 発光装置の他の例を示す全体斜視図である。It is a whole perspective view which shows the other example of a light-emitting device. 発光装置の他の例を示す縦斜視図である。It is a longitudinal perspective view which shows the other example of a light-emitting device. 本発明の第4の実施の形態に係る発光モジュールを示す全体斜視図である。It is a whole perspective view which shows the light emitting module which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 図10に示した発光モジュールの要部を示す一部を分解して示した斜視図である。It is the perspective view which exploded and showed a part which shows the principal part of the light emitting module shown in FIG. 従来の発光装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the conventional light-emitting device.

符号の説明Explanation of symbols

X,X1〜X5,40,40′,6 発光装置
1,42,60 発光素子
10 (発光素子の)基板
11 (発光素子の)n型半導体層(第1の導電型層)
12 (発光素子の)発光層
13 (発光素子の)p型半導体層(第2の導電型層)
14,15,46A,46B,46A′,46B′,62,63 (発光素子の)電極
2,2A〜2D,43 光学部材
20,44 (光学部材の)貫通空間
21,45 ガラス接合材
22A,23A (光学部材の)板状要素
25 (光学部材の)蛍光体
4,4′,5 発光モジュール
41 (発光モジュールの)配線基板
48A,48B (発光モジュールの)外部接続用導体
7 (発光モジュールの)絶縁基板
70 (絶縁基板の)凹部
X, X1 to X5, 40, 40 ', 6 Light-emitting device 1, 42, 60 Light-emitting element 10 (light-emitting element) substrate 11 (light-emitting element) n-type semiconductor layer (first conductive type layer)
12 (light emitting element) light emitting layer 13 (light emitting element) p-type semiconductor layer (second conductivity type layer)
14, 15, 46A, 46B, 46A ', 46B', 62, 63 (light emitting element) electrode 2, 2A to 2D, 43 optical member 20, 44 (optical member) penetration space 21, 45 glass bonding material 22A, 23A (optical member) plate-like element 25 (optical member) phosphor 4, 4 ', 5 light emitting module 41 (light emitting module) wiring board 48A, 48B (light emitting module) external connection conductor 7 (light emitting module) ) Insulating substrate 70 Recessed part (of insulating substrate)

Claims (14)

基板上に、第1の導電型層、発光層および第2の導電型層が形成され、該第1の導電型層、該発光層および該第2の導電型層に電圧を印加するための第1および第2電極を有する発光素子と、
ガラス材料からなるガラス接合材を介して前記各層の周囲を囲むように前記発光素子の側面に設けられており、無機材料からなる透光性を有する光学部材と、を備え、
前記第1および第2電極は、少なくとも表面が前記光学素子に覆われることなく露出し、
前記第1および第2電極のうちの少なくとも一方が透明電極である発光装置。
A first conductive type layer, a light emitting layer, and a second conductive type layer are formed on a substrate, and a voltage is applied to the first conductive type layer, the light emitting layer, and the second conductive type layer. A light emitting device having first and second electrodes ;
Provided on the side surface of the light emitting element so as to surround the periphery of each layer through a glass bonding material made of a glass material, and having a light-transmitting optical member made of an inorganic material ,
The first and second electrodes are exposed without at least the surface being covered by the optical element,
A light emitting device wherein at least one of the first and second electrodes is a transparent electrode .
前記ガラス接合材の屈折率は、前記発光素子の屈折率より小さく設定され、
前記光学部材の屈折率は、前記ガラス接合材の屈折率より高く設定されている、請求項1に記載の発光装置。
The refractive index of the glass bonding material is set smaller than the refractive index of the light emitting element,
The light emitting device according to claim 1, wherein a refractive index of the optical member is set higher than a refractive index of the glass bonding material.
前記光学部材は、前記発光素子を収容するための貫通空間を有する筒状体である、請求項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1 , wherein the optical member is a cylindrical body having a through space for accommodating the light emitting element. 前記光学部材は、外表面が曲面形状である、請求項3に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 3 , wherein the optical member has a curved outer surface . 前記光学部材は、複数の板状要素を備えてなり、該板状要素がそれぞれ前記発光素子の各側面の側方に位置することによって前記発光素子を収容するための貫通空間を形成している、請求項に記載の発光装置。 The optical member includes a plurality of plate-like elements, and the plate-like elements are positioned on the sides of the side surfaces of the light-emitting elements, thereby forming a through space for accommodating the light-emitting elements. The light-emitting device according to claim 1 . 前記光学部材は、外表面に回折格子が設けられている、請求項1ないし5のいずれかに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the optical member is provided with a diffraction grating on an outer surface . 前記光学部材は、前記発光素子から出射された光の波長を変換するための1または複数種の蛍光体を含有している、請求項1ないしのいずれかに記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 6 , wherein the optical member contains one or more kinds of phosphors for converting the wavelength of light emitted from the light emitting element. 前記蛍光体は、前記光学部材の外表面部に偏在させられている、請求項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 7 , wherein the phosphor is unevenly distributed on an outer surface portion of the optical member. 前記発光素子は、230〜400nmの波長範囲に発光強度のピークを少なくとも1つ有する光を出射するものであり、
前記複数種の蛍光体は、前記発光素子から出射された光を、400〜500nmの波長範囲に発光強度のピークを有する光、500〜600nmの波長範囲に発光強度のピークを有する光、および600〜700nmの波長範囲に発光強度のピークを有する光にそれぞれ変換する第1から第3の蛍光体を含んでいる、請求項またはに記載の発光装置
The light emitting element emits light having at least one peak of emission intensity in a wavelength range of 230 to 400 nm,
The plurality of types of phosphors emit light emitted from the light emitting element, light having a peak of emission intensity in a wavelength range of 400 to 500 nm, light having a peak of emission intensity in a wavelength range of 500 to 600 nm, and 600 The light-emitting device according to claim 7 or 8 , comprising first to third phosphors that respectively convert light having an emission intensity peak in a wavelength range of ˜700 nm .
前記第1の導電型層、前記第2の導電型層および前記発光層は、酸化亜鉛系化合物である、請求項1ないしのいずれかに記載の発光装置。 It said first conductivity type layer, the second conductivity type layer and the light emitting layer is a zinc oxide-based compound, the light emitting device according to any one of claims 1 to 9. 絶縁基板に対して1または複数の発光装置を搭載させた発光モジュールであって、
前記発光装置は、請求項1ないし10のいずれかに記載したものであることを特徴とする、発光モジュール。
A light emitting module in which one or more light emitting devices are mounted on an insulating substrate,
The light emitting device is characterized in that as claimed in any one of claims 1 to 10, the light emitting module.
前記絶縁基板は、単一の発光装置が搭載されるものであり、かつ前記発光装置に導通接続される第1および第2接続導体を有している、請求項11に記載の発光モジュール。 The light emitting module according to claim 11 , wherein the insulating substrate includes a single light emitting device and includes first and second connection conductors that are conductively connected to the light emitting device. 前記第1および第2接続導体は、前記発光装置に導通接続される部分と、外部の配線に接続される部分と、を有している、請求項12に記載の発光モジュール。 The light emitting module according to claim 12 , wherein the first and second connection conductors have a portion that is conductively connected to the light emitting device and a portion that is connected to an external wiring. 前記絶縁基板は、前記複数の発光装置を収容するための複数の凹部を有しており、
前記各発光装置は、前記複数の凹部のうちの対応する凹部に嵌め込まれている、請求項11に記載の発光モジュール。
The insulating substrate has a plurality of recesses for accommodating the plurality of light emitting devices,
The light-emitting module according to claim 11 , wherein each of the light-emitting devices is fitted into a corresponding recess among the plurality of recesses.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100992778B1 (en) 2008-05-23 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package and method for manufacturing the same
JP2014192502A (en) 2013-03-28 2014-10-06 Toyoda Gosei Co Ltd Method of manufacturing light-emitting device
KR101902249B1 (en) * 2016-12-26 2018-09-28 엘지전자 주식회사 Car lamp using semiconductor light emitting device
JP7361257B2 (en) * 2019-09-27 2023-10-16 日亜化学工業株式会社 light emitting device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11177129A (en) * 1997-12-16 1999-07-02 Rohm Co Ltd Chip type led, led lamp and led display
EP1413618A1 (en) * 2002-09-24 2004-04-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Luminescent material, especially for LED application
JP2004186173A (en) * 2002-11-29 2004-07-02 Stanley Electric Co Ltd Surface mounting led element
JP2005175039A (en) * 2003-12-09 2005-06-30 Kenichiro Miyahara Light emitting element and substrate for mounting the same
JP4504056B2 (en) * 2004-03-22 2010-07-14 スタンレー電気株式会社 Manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP2005294733A (en) * 2004-04-05 2005-10-20 Nitto Denko Corp Sheet for sealing optical semiconductor element, and manufacturing method for optical semiconductor device using the sheet

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