JP4803614B2 - 薄板製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1の薄板製造方法に用いられる、薄板製造装置の模式図である。図1に示すように、薄板製造装置1000は、坩堝1001、坩堝1001を加熱して原料となるシリコンを融解するための加熱機構1003、坩堝1001の高さを調整する昇降機構1004を備える。坩堝1001の内部には、加熱機構1003によって加熱され融解されたシリコン融液1002が貯留される。また、シリコン融液1002に下地板10の表層部を浸漬させる浸漬機構1100、および浸漬機構への下地板の装着、取外しを行う脱着機構(図示せず)が配置されている。
H1=R1×cos(A1)
距離H1を算出することができれば、浸漬機構1100の回転中心の位置の座標と、距離H1とによって、シリコン融液1002の液面の位置を算出することができる(工程(S134))。
D=R12−H1
なお、上記の説明では、下地板10の表面の中心部が最下点に到達したときに下地板10は水平になるものとし、そのときのシリコン融液1002の液面から下地板10表面の中心部までの距離を、浸漬深さDとして定義しているが、浸漬高さの定義として他の定義を用いても構わない。たとえば、下地板10の表面の中心部が最下点に到達したときに、下地板10は水平になる必要はない。また、上記のようにして算出した浸漬深さDと、目標浸漬深さとの差をもとに、次の浸漬深さを決定することができる(工程(S160))。
図7は、実施の形態2の薄板製造装置の模式図である。実施の形態2では、浸漬機構2100の構成が図7に示すような構成となっている点で実施の形態1とは異なっている。図7には図示していないが、図1と同様に、浸漬機構2100と坩堝2001とはリレー、電源を介して配線がなされている。実施の形態2においても、坩堝2001の中にシリコン融液2002が保持されており、浸漬機構2100によって下地板10がシリコン融液2002に浸漬され、その後取り出されることで、下地板10の表面に材料を凝固させて薄板を作成することができる。その後下地板10を浸漬機構2100から取り外し、新しい下地板を取り付けることで、次々と薄板を作成することが可能である。
H21=R2×sin(A2)+H22
図9は、下地板がシリコン融液中で水平になった状態の説明図である。図9に示す、下地板10の固定台座2108に対する回転中心から下地板10の表面までの距離(R23とする)も、薄板製造装置2000に固有の定数である。下地板10がシリコン融液2002中で水平になったとき(下地板10表面の中心部が最下点に到達したとき)の昇降軸高さをH23とし、下地板10の表面が液面からシリコン融液2002中に浸漬している深さを浸漬深さDとすると、次の式によって浸漬深さを算出できる。
D=R23+H23−H21
実施の形態1と同様に、この浸漬深さDが、目標の浸漬深さとずれている場合は、次の浸漬までにその差だけ浸漬軌道の高さを修正する。これを続けることで、常に1つ前の浸漬時の下地板10の浸漬深さをフィードバックすることが可能となる。
Claims (6)
- 金属材料および半導体材料のうち少なくとも一方を含む物質の融液中に、下地板の平面状の表層部を浸漬し、前記表層部に前記物質を凝固させて薄板を製造する薄板製造方法であって、
前記融液と前記下地板とは電気回路に含まれており、前記融液と前記下地板とが接触する際、前記下地板と前記融液との間の電気信号変化が生じ、
前記電気信号変化を検出することで、前記下地板が前記融液の液面に接触したときの前記下地板の位置を検出する、薄板製造方法。 - 前記電気回路は、直流電源を含み、
前記融液と前記下地板とが接触する際の前記下地板と前記融液との間の電圧を検出することで、前記電気信号変化を検出する、請求項1に記載の薄板製造方法。 - 前記電気信号変化を検出するための検出器と前記直流電源との少なくともいずれか一方に、ノイズ除去機器を設置する、請求項2に記載の薄板製造方法。
- 前記下地板が前記融液の液面に接触したときの前記下地板の位置から、前記液面の高さを算出する、請求項1から3のいずれかに記載の薄板製造方法。
- 前記液面の高さから、下地板が前記融液に浸漬した深さである浸漬深さを算出する、請求項4に記載の薄板製造方法。
- 前記浸漬深さと、目標浸漬深さとの差をもとに、次の浸漬深さを決定する、請求項5に記載の薄板製造方法。
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