JP4794573B2 - 光学プローブ並びにその製造装置及び方法 - Google Patents

Description

本発明は、表面プローブに関する。

位置が求められるべき表面に端部が接触する既に公知の機械的プローブが存在する。プローブの遠位端部は、プローブが向けられた表面に接触すると、プローブは、機械的歪センサを介してプローブが表面に当接したことを示す信号を送る。物差しに対するプローブの位置を読み取ることにより、その位置が分かり、このことからその表面の位置が推定される。

また、特に米国特許第６，７１３，７１８号明細書及び英国特許第２，３３７，８１５号明細書から無接触式光学プローブが知られており、かかる無接触式光学プローブは、光ビームを放出し、表面により反射されたビームに従って、プローブが表面から所定の距離を置いたところに位置しているか否かを検出する。

本発明は、単純であり、便利であり、しかも効果的な同一形式の光学プローブを提供することを目的としている。

米国特許第６，７１３，７１８号明細書 英国特許第２，３３７，８１５号明細書

この目的のため、本発明は、光学プローブであって、このプローブが少なくとも部分的に反射性の表面からあらかじめ設定された標的距離のところに位置する場合及びその場合にのみ、所定の電気状態を取るようになった光電手段を有し、プローブが、
−光源と、
−光源により放出されたビームを標的距離のところに位置する焦点に向かって収斂する入射ビームの状態に整形したり、表面が標的距離の付近に存在しているとき、入射ビームの反射により表面から来たビームを光源から離れていて、表面が標的距離のところに存在しているときに所定の場所を占める焦点に向かって収斂する検出されるべきビームの状態に整形したりする整形手段と、
所定の場所のところに設けられたピンホールを含む絞り及び表面が標的距離のところに存在しているときに電圧ピークを生じさせる光電センサを含む光学検出システムとを有するプローブにおいて、
−整形手段は又、表面から来たビームを、光源及び検出されるべきビームの焦点から離れていて、表面が標的距離のところに存在しているときに別の所定の場所を占める焦点に向かって収斂する識別ビームの状態に整形するようになっており、
−プローブは、ピンホールよりも大きなホールを含み、少なくとも他の所定の場所の付近に配置された絞り及び表面が標的距離のところに位置している場合を除き、検出センサにより発生する電圧よりも高い電圧を発生させる光電センサを含む光学識別システムを更に有し、所定の電気状態は、検出センサにより発生した電圧が識別センサにより発生した電圧よりも高い状態であることを特徴とするプローブを提案する。

位置が知られる必要がある表面とは接触せず、従って、その表面を傷付ける恐れがないようになっているこの種の光学プローブは、これを安価な単純な光学部品から製造できるという利点をもたらす。

さらに、例えば、以下に説明する特徴を利用することにより、機械的プローブに取って代わることができる程度まで特にコンパクトな光学プローブを製造することが可能である。

多くは例えば製作及び使用の簡単さ及び便利さの理由で好ましい特徴によれば、
−整形手段は、検出されるべきビームを検出システムの方へ差し向けるようになった検出半反射性スプリッタブロックと、識別ビームを識別システムの方へ差し向けるようになった識別半反射性スプリッタブロックと、レンズ組立体とを有し、
−検出スプリッタブロックは、光源と、識別スプリッタブロックとの間に設けられ、識別スプリッタブロックは、検出スプリッタブロックと、レンズ組立体との間に設けられ、
−検出スプリッタブロックと識別スプリッタブロックは、互いに接触状態にあり、
−検出システムは、プローブの光軸に対して横断方向に検出スプリッタブロックに向いた状態で設けられ、識別システムは、プローブの光軸に対して横断方向に識別スプリッタブロックに向いた状態で設けられ、
−検出スプリッタブロック及び識別スプリッタブロックは各々、プローブの光軸に対して４５°に傾けられた半反射性ミラーを有し、
−ミラーは、５０／５０の反射／透過比を有し、
−検出スプリッタブロックのミラーは、５０／５０の反射／透過比を有し、識別スプリッタブロックのミラーは、１０／９０の反射／透過比を有し、
−ピンホールは、１０〜３０マイクロメートルの直径を有し、
−レンズ組立体は、平凸レンズと非球面レンズの連携により形成される。

上述したのと同じ理由で好ましい他の特徴によれば、
−光源は、一体形増幅器を備えたレーザダイオードであり、
−レーザダイオードの放出波長は、６３５〜１６００ナノメートルであり、
−光は、レーザダイオードから検出スプリッタブロックまで直接放出される。

この解決策は、プローブをコンパクトに製造するのに寄与し、かかる解決策は、上述した特徴とは無関係に利用できる。

上述したのと同じ理由で好ましい他の特徴によれば、
−光源、整形手段、検出システム、及び識別システムは、これらを互いに対して定位置に保持する樹脂を注型してこれらを包封することによって互いに締結される。

この解決策は、種々の光学部品が、時間が経っても安定した互いに対する位置に保持されるようにし、それにより、プローブがその光学的特性の全てを保持することができる。この解決策を上述した特徴とは無関係に利用できる。

本発明の第２の特徴は、少なくとも部分的に反射性の表面相互間の厚さが測定されるべき物体の厚さを測定する装置であって、
−物体の互いに反対側の側部にそれぞれ設けられていて、各々請求項１〜１４のうちいずれか一に記載のプローブ及びプローブのための変位手段を有する２つのプローブアームと、
−各プローブアームに関し、物差しに対するアームの位置を測定する読み取りヘッドと、
−変位手段を制御したり、プローブの位置を読み取ったり、プローブがあらかじめ設定された標的距離のところに位置しているときに、物体の厚さを計算したりする電子ユニットとを有することを特徴とする装置に関する。

本発明の第３の特徴は、光学レンズの厚さを測定する方法であって、上述の厚さ測定装置の各プローブアームのプローブをプローブが向けられている表面に対して標的距離のところに位置決めするステップと、プローブの位置の比較により厚さを測定するステップとを有することを特徴とする方法に関する。

本発明の特徴及び利点は、添付の図面を参照して、非限定的であるが好ましい例により与えられる以下の説明から明らかになろう。

図１は、オフサルミックレンズ２、例えば眼鏡用レンズの厚さの測定に利用された本発明の測定装置１の略図である。レンズ２の各主フェース２Ａ，２Ｂの位置は、光学プローブ３の遠位端部４をそれぞれ、位置が求められるべき表面２Ａ，２Ｂの各々に向くように配置することにより求められる。各光学プローブが、表面２Ａ，２Ｂの各々の位置をそれぞれ測定する。

各プローブ３は、入射光ビーム５（図２）を放出する。以下に説明するように、プローブ３が向けられている表面２Ａ又は２Ｂにより反射された光の分析をプローブ３によって行なうことにより、プローブの遠位端部がその表面から所定の標的距離のところに位置しているか否かが分かる。

図３及び図４では、プローブ３は、表面２Ａに向いた状態で示されているが、以下の説明は、他方のプローブ３についても同じように当てはまる。

各プローブ３は、電子ユニット７を介して中央プロセッサ及び制御ユニット８に接続されており、このユニットは、ディスプレイ手段９を有するが、このようにするかどうかは任意である。
プローブ３は、プローブアームを形成するために位置が求められるべき表面に対して変位する手段１０と関連している。

これら変位手段は、プローブ３に連結された連結ロッド１１と、駆動モータ１２と、駆動ロッド１３と、取り付けラグ（突出部）１４とを有している。
ロッド１１，１３は、取り付けラグ１４により互いに連結されている。
ロッド１１は、物差し１６上でこれに沿って動く読み取りヘッド１５に連結されている。
変位手段１０は、連結ロッド１１の周りに設けられた案内手段１７により構成が完成状態になっている。
モータ１２、可動読み取りヘッド１５、及びプローブ３は、２つのプローブに共通な中央ユニット８のインターフェイスとなる電子ユニット７に連結されている（図１）。

本発明によれば、光学プローブ３は、図４に示すように、光源２０と、検出システム２２と、識別システム２３と、整形手段とを有している。
これら整形手段は、光源２０と、位置が求められるべき表面２Ａ（それぞれ２Ｂ）との間に配置され、かかる整形手段は、検出スプリッタブロック２４と、識別スプリッタブロック２５と、レンズ組立体２１とを有している。

検出ブロック２４は、光源２０と識別ブロック２５との間に配置され、かかる検出ブロックは、プローブの光軸に対して横断方向の軸線に沿って検出システム２２に向いている。

識別ブロック２５は、検出ブロック２４とレンズ組立体２１との間に配置され、かかる識別ブロックは、プローブの光軸に対して横断方向の軸線に沿って識別システム２３に向いている。

図示の例では、プローブのコンパクトさを最適にするために、２つのブロック２４，２５が互いに接触状態にある。

スプリッタブロック２４，２５は各々、立方体形状の包囲体２４′又は２５′内に半反射性ダイクロイックミラー２４″又は２５″を有している。半反射性ミラー２４″，２５″は、光源２０及び対応のシステム２２又は２３の最も近くに位置する立方体の縁から対角線方向反対側の縁まで延びる立方体の対角平面内でプローブの光軸と４５°の角度をなした状態で差し向けられている。
半反射性ミラーは、５０／５０の反射／透過比を有している。

図示の例のレンズ組立体２１は、互いに接触状態にあるレンズ２１′，２１″のシステム、例えば、整形非球面レンズ２１″と関連した平凸レンズ２１′から成っている。

検出システム２２は、例えば一体形前置増幅器を備えたフォトダイオードの光電センサ２８に当てて配置されたピンホール付きの絞り２６で形成されている。
絞り２６のホールの直径は、１０〜３０マイクロメートルのオーダーである。

識別システム２３も又、一体形の前置増幅器を備えたフォトダイオードの光電センサ２９に当てて配置された絞り２７で形成されているが、識別システム２３の絞り２７は、広い空間感度を有する目的で、絞り２７のピンホールよりも大きな直径のホールを有している。

図示の例では、光源２０としてレーザダイオードが用いられている。レーザダイオードの発光ゾーンは、入力絞りかレンズかのいずれをもレーザダイオードの下流側に追加する必要がないほど小さく且つ発散性が十分に弱い。したがって、光の経路は、光源２０と検出ブロック２４との間の直接的な経路であり、これは、プローブを一層コンパクトに製造するのを助ける。
６３５〜１，６００ナノメートルの放出波長が、ダイオード２０にとって適している。

次に、レーザダイオード２０により放出された光ビームが検出システム２２及び識別システム２３に至る光経路について説明する。

源２０により放出された光束の一部分は、逸らされることなく、２つの半反射性ミラー２４″，２５″を通過する。この透過ビームは、レンズ組立体２１を通過した後に、あらかじめ設定された標的距離のところに位置する構造体の焦点Ｆ１に向かって収斂する入射ビーム５の状態に整形される。

表面が標的距離の付近に位置しているときに位置が求められるべき表面による入射ビームの反射により生じたビームは、再びレンズ組立体２１を通過し、その後、光束の一部分が、半反射性ミラー２４″のところでの反射により構造体の光軸に対して横断方向の軸線に沿って検出システム２２の方へ差し向けられる。その目的は、光源から離れていて、表面２Ａ（それぞれ２Ｂ）が標的距離のところに位置しているときに絞り２６の中心を占める焦点Ｆ２に向かって収斂する検出されるべきビーム５′を形成することにある。

ピンホール付きの絞り２６の後ろに配置された光電センサ２８は、受け取った光の関数として、表面がこのあらかじめ設定された標的距離のところに位置しているときに、この表面の存在を検出する。というのは、この表面が焦点Ｆ１のところに位置しているとき、検出されるべきビーム５′は、この時点では絞りの中心を占めている焦点Ｆ２に向かって収斂するからである。したがって、ピンホール付きの絞り２６により、光が最大限この絞りを通過することができる。これとは逆に、焦点Ｆ１と位置が求められるべき表面との間に距離が存在している場合、反射ビームは、もはや絞りの中心に向かって収斂せず、構造体の光軸に沿って軸方向にオフセットした点に向かって収斂し、即ち、この場合、反射光は、絞りのピンホール周りの不透明な材料により事実上完全に遮断される。

かくして、脱焦平面により放出される反射光は、検出システム２２の絞り２６により制限され、即ち、焦点Ｆ１のところで反射した光だけが、この絞りを通過して検出センサ２８の光電性ゾーンを励起することができる。

光束の別の部分は、半反射性ミラー２５″のところでの反射により、構造体の光軸に対して横断方向の軸線に沿って識別システム２３の方へ差し向けられる。その目的は、光源２０及び検出されるべきビーム５′の焦点Ｆ２から離れていて、表面２Ａ（それぞれ２Ｂ）が標的距離のところに位置しているときに識別システム２３が付近に位置する別の焦点に向かって収斂する識別ビーム５″を形成することにある。
センサ２８，２９は各々、受け取った光強度に比例した電圧を発生させる。

次に、図５の助けを借りて光学プローブの作用について説明する。
このグラフには、焦点Ｆ１に対する位置が求められるべき表面の相対距離（横軸Ｘ上）の関数として、検出センサ２８及び識別センサ２９により発生した電圧の値が（縦軸Ｙ上に）表示されている。

物体の表面の位置を測定するために、ユニット８は、プローブが標的距離の周りの検出範囲Ｉ₂内の表面からの距離に達するまで変位手段１０に指令を出し、以下において、これをどのようにして得るかについて説明する。

位置が求められるべき表面に対するプローブの変位中、検出システム２２及び識別システム２３により受け取られる光強度は、様々であり、即ち、検出センサ２８は、曲線３０により示された検出信号を送り、識別センサ２９は、曲線４０により示された識別信号を送る。

位置が求められるべき物体の表面２Ａ（それぞれ２Ｂ）がプローブの焦点Ｆ１と一致している場合、ビーム５′の光は、絞り２６を通過し、検出システム２２のセンサ２８を照明する。これとは逆に、プローブの焦点Ｆ１が表面２Ａ（それぞれ２Ｂ）から遠ざけられている場合、又は表面２Ａ（それぞれ２Ｂ）が焦点Ｆ１から遠ざけられている場合、反射光の殆どの部分は、絞り２６を通過せず、センサ２８により受け取られる光強度は、著しく減少する。

絞り２６のサイズが非常に小さいことにより、高い空間感度が得られ、このことは、非常に幅の狭い電圧スパイク３１に反映されている。
このサイズが小さいことにより、回折現象が生じ、かかる回折現象は、曲線３０の二乗基本的正弦形の一般形状の原因であり、このことは、２次ピーク３１′，３１″等の存在の説明となっている。

２次ピークは、ピーク３１の検出を容易にしない。特に、センサ２８により得られる電圧信号の導関数をゼロにしても、種々のピークが識別されることはない。しきい検出が可能であるが、しきい値は、反射比、即ち、眼鏡用レンズの場合、ガラスの屈折率又は表面処理の性状で決まる。したがって、しきい値を表面の各タイプ及び材料の各タイプについて調節しなければならない。

識別システム２３は、自動的に調節される基準、この場合、図５に曲線４０により示されているセンサ２９により発生する電圧を導入する。

絞り２７の寸法及び位置は、かかる絞りにより、ビーム５″の光の全てを位置が求められるべき表面が範囲Ｉ₁（図５）内に位置している場合に通過させることができるようなものであり、即ち、この場合に放出される信号は、プラトー４１に対応している。
この範囲Ｉ₁の外においては、光束の一部分は、絞り２７によって止められる。

したがって、プラトー４１の外では、ビームの一部分は、絞り２７により遮られ、すると、信号は、表面２Ａ（それぞれ２Ｂ）からの距離の二乗に反比例してプラトー４１の値に対して低下する。

曲線４０により示された識別信号がプラトー４１の値に達すると共に曲線３０により示された検出信号が識別信号のプラトー４１を超えてピーク３１の頂上に達すると、プローブと表面との間の距離は、標的距離（即ち、焦点Ｆ１からゼロの距離）に一致する。これとは逆に、回折現象に関連した２次ピークは、識別センサからの電圧信号の値よりも低い。

実際には、センサ２９の中心とその縁との間のセンサ２９の感度のばらつきにより、識別信号のプラトー形状４１の改変が生じる場合があり、これは、この場合、丸形凸形状４２（図６）を取ることになる。

検出信号の値が識別信号の値よりも大きな範囲は、表面がプローブの焦点Ｆ１と一致すると考えられる検出範囲Ｉ₂に一致している。これは、図７に表わされた曲線５０により示される論理信号に反映されており、かかる論理信号は、比較器６０（図４）を用いて検出システム２２及び識別システム２３により送られた電圧値を互いに比較することにより得られ、焦点Ｆ１と表面との間の距離が範囲Ｉ₂にある場合には第１の論理状態５１を取り、その他の場合は、第２の論理状態５２を取る。

したがって、論理信号が状態５１を取るＩ₂に等しい空間幅は、表面の位置を測定するのに許容可能であると考えられる公差しきい値に一致しており、眼鏡用レンズの場合、範囲Ｉ₂は、例えば１０マイクロメートルの幅を有するのが良く、この幅は、位置が求められるべき各表面についてせいぜい±５マイクロメートルに等しい測定誤差値に相当している。
ＴＴＬ論理を用いると、例えばこの信号を生じさせることができる。

プローブが検出範囲Ｉ₂に入ると、中央ユニット８は、指令を出してプローブの変位を停止させ、プローブの位置を読み取り、これを読み取りヘッド１５により電子ユニット７に送る。プローブと位置が求められるべきフェースとの間の距離は、既知であり且つ標的距離に等しいので、表面の位置を求めることができる。

この検出モードは、差動的であると説明できる。というのは、この検出モードは、２つの別々の検出器により得られる２つの別々の信号の値を比較することにより得られるからである。

かくして、この種の検出モードは、信号の振幅、２次ピーク、ガラスの屈折率、又はガラスを覆う種々の層がプローブにより放出された選択波長で光を部分的に反射することを条件とした場合のかかる種々の層の性状とは無関係になる。

範囲Ｉ₂よりも広い範囲Ｉ₁を選択することにより、この種の検出モードは、範囲Ｉ₂を「前もって」検出することができる。識別信号がプラトー４１に近づいている場合、このことは、プローブが、範囲Ｉ₂に近づき、従って標的距離に近づいており、プローブの迅速な移動を例えば標的距離に近づいた際に遅くすることができるようになっていることを意味している。

標的距離の実際の値は、光学センサを厚さが既知の較正レンズの表面から標的距離を置いたところに配置した予備較正段階の間に計算によって推定され、次に、プローブと位置が求められるべきレンズの表面との間の距離は、プローブが標的距離のところに位置しているときのプローブと較正レンズの表面との間の基準距離との単純な比較により得ることができる。

同じ位置決め方法を、同様に（又はそうでなくても良い）、レンズの第２の主フェースに向けて配置されると共にプローブの位置の変位及び読み取りのための同一の手段を備えた第２のプローブにより、レンズの第２の主フェースに利用することができる。

レンズの厚さは、厚さが測定されるべきレンズの主フェースの位置の単純な比較により中央ユニット８によって推定される。

できるだけコンパクトな光学プローブを得るために、センサの前に配置された絞りは、黒い材料のシートに穴を設けることにより作られる。各シートは、光源２０により放出された光に対して透明であり、それ自体センサと接触状態にあるブロックと接触状態にある。これら透明なブロック（図示されていない）は、光学プローブの剛性を増大させるようになっている。

プローブを組み立てる場合、光学プローブのコンポーネントの全てをいったん定位置に配置し、これらコンポーネントを硬化性樹脂中に埋め込む。その目的は、種々のコンポーネントの互いに対する位置及び距離を永続的に固定してプローブの光学品質がコンポーネントの変位により経時的に劣化することがないようにすることにある。

図示されていない変形例では、検出スプリッタブロックと識別スプリッタブロックは、識別信号のプラトー４１を例えば検出信号のピーク３１に対して空間的にシフトさせて範囲Ｉ₂への接近を前もってどれほど遠くから検出できるかという距離を増大させるために、互いに接触状態にはない。

別の変形例では、識別ブロック２５のミラー２５″は、検出信号のための最大光束を送るよう１０／９０の反射／透過比を有し、絞り２７の穴の大きな直径により、識別信号を少量の光から得ることができる。

別の変形例では、スプリッタブロックに代えて、単純なスプリッタミラーが用いられる。

別の変形例では、光学読み取りヘッド１５及び位置を読み取る物差し１６に代えて、ＬＶＤＴ線形変位センサ（線形可変差動変圧器）が用いられる。

本発明は、図示されると共に説明された実施形態には限定されず、任意の変形実施形態を含む。

本発明の厚さ測定装置の略図である。 厚さ測定装置のプローブの遠位端部の拡大詳細図であり、測定中のオフサルミックレンズ及び厚さ測定装置に含まれるレンズ支持体を示す図である。 図１に類似した図であるが、本発明の２つの光学プローブのうちの一方及びこれと関連した処理手段、制御手段、及び変位手段を詳細に且つ独立して示す図である。 各プローブの光学且つ光電部分の略図である。 光学プローブの焦点と位置が求められるべき表面との間の相対距離の関数として光学プローブの検出器により放出される電気信号の理論的形状を示すグラフ図である。 図５のグラフ図上に理論的識別信号並びに実際に得られる検出信号及び識別信号を示す図である。 光プローブの焦点と位置が求められるべき表面との間の相対距離の関数として光学プローブの検出器により送られる検出信号と識別信号の比較後に得られる論理信号を表わすグラフ図である。

Claims (16)

1. 光学プローブであって、前記プローブ（３）が少なくとも部分的に反射性の表面（２Ａ，２Ｂ）からあらかじめ設定された標的距離のところに位置する場合及びその場合にのみ、所定の電気状態を取るようになった光電手段を有し、前記プローブが、
   −光源（２０）と、
   −前記光源により放出されたビームを前記標的距離のところに位置する焦点（Ｆ１）に向かって収斂する入射ビーム（５）の状態に整形したり、前記表面が前記標的距離の付近に存在しているとき、前記入射ビーム（５）の反射により前記表面から来たビームを前記光源から離れていて、前記表面が前記標的距離のところに存在しているときに所定の場所を占める焦点（Ｆ２）に向かって収斂する検出されるべきビーム（５′）の状態に整形したりする整形手段（２４，２５，２１）と、
   前記所定の場所のところに設けられたピンホールを含む絞り（２６）及び前記表面が前記標的距離のところに存在しているときに電圧ピーク（３１）を生じさせる光電センサ（２８）を含む光学検出システム（２２）とを有するプローブにおいて、
   −前記整形手段（２４，２５，２１）は又、前記表面から来た前記ビームを、前記光源及び前記検出されるべきビームの前記焦点から離れていて、前記表面が前記標的距離のところに存在しているときに別の所定の場所を占める焦点に向かって収斂する識別ビーム（５″）の状態に整形するようになっており、
   −前記プローブは、前記ピンホールよりも大きなホールを含み、少なくとも前記他の所定の場所の付近に配置された絞り（２７）及び前記表面（２Ａ，２Ｂ）が前記標的距離のところに位置している場合を除き、前記検出センサ（２８）により発生する前記電圧よりも高い電圧を発生させる光電センサ（２９）を含む光学識別システム（２３）を更に有し、前記所定の電気状態は、前記検出センサ（２８）により発生した前記電圧が前記識別センサ（２９）により発生した電圧よりも高い状態である、プローブ。
2. 前記整形手段は、検出されるべき前記ビーム（５′）を前記検出システム（２２）の方へ差し向けるようになった検出半反射性スプリッタブロック（２４）と、前記識別ビーム（５″）を前記識別システム（２３）の方へ差し向けるようになった識別半反射性スプリッタブロック（２５）と、レンズ組立体（２１）とを有する、請求項１記載のプローブ。
3. 前記検出スプリッタブロック（２４）は、前記光源（２０）と、前記識別スプリッタブロック（２５）との間に設けられ、前記識別スプリッタブロック（２５）は、前記検出スプリッタブロック（２４）と、前記レンズ組立体（２１）との間に設けられている、請求項２記載のプローブ。
4. 前記検出スプリッタブロック（２４）と前記識別スプリッタブロック（２５）は、互いに接触状態にある、請求項３記載のプローブ。
5. 前記検出システム（２２）は、前記プローブの光軸に対して横断方向に前記検出スプリッタブロック（２４）に向いた状態で設けられ、前記識別システム（２３）は、前記プローブの前記光軸に対して横断方向に前記識別スプリッタブロック（２５）に向いた状態で設けられている、請求項２〜４のうちいずれか一に記載のプローブ。
6. 前記検出スプリッタブロック（２４）及び前記識別スプリッタブロック（２５）は各々、前記プローブの前記光軸に対して４５°に傾けられた半反射性ミラー（２４″，２５″）を有する、請求項２〜５のうちいずれか一に記載のプローブ。
7. 前記ミラー（２４″，２５″）は、５０／５０の反射／透過比を有する、請求項６記載のプローブ。
8. 前記検出スプリッタブロックの前記ミラー（２４″）は、５０／５０の反射／透過比を有し、前記識別スプリッタブロックの前記ミラー（２５″）は、１０／９０の反射／透過比を有する、請求項６記載のプローブ。
9. 前記ピンホールは、１０〜３０マイクロメートルの直径を有する、請求項１〜８のうちいずれか一に記載のプローブ。
10. 前記レンズ組立体（２１）は、平凸レンズ（２１′）と非球面レンズ（２１″）の連携により形成されている、請求項２〜９のうちいずれか一に記載のプローブ。
11. 前記光源（２０）は、一体形増幅器を備えたレーザダイオードである、請求項１〜１０のうちいずれか一に記載のプローブ。
12. 前記レーザダイオードの放出波長は、６３５〜１６００ナノメートルである、請求項１１記載のプローブ。
13. 前記光は、前記レーザダイオードから前記検出スプリッタブロック（２４）まで直接放出される、請求項１１又は１２記載のプローブ。
14. 前記光源（２０）、前記整形手段（２４，２５，２１）、前記検出システム（２２）、及び前記識別システム（２３）は、これらを互いに対して定位置に保持する樹脂を注型してこれらを包封することによって互いに締結される、請求項１〜１３のうちいずれか一に記載のプローブ。
15. 少なくとも部分的に反射性の表面（２Ａ，２Ｂ）相互間の厚さが測定されるべき物体（２）の厚さを測定する装置であって、
    −前記物体（２）の互いに反対側の側部にそれぞれ設けられていて、各々請求項１〜１４のうちいずれか一に記載のプローブ（３）及び前記プローブのための変位手段（１０）を有する２つのプローブアームと、
    −各プローブアームに関し、物差し（１６）に対する前記アームの位置を測定する読み取りヘッド（１５）と、
    −前記変位手段（１０）を制御したり、前記プローブの前記位置を読み取ったり、前記プローブが前記あらかじめ設定された標的距離のところに位置しているときに、前記物体の前記厚さを計算したりする電子ユニット（７，８）とを有する、装置。
16. 光学レンズの厚さを測定する方法であって、請求項１５記載の厚さ測定装置の各プローブアームの前記プローブを前記プローブが向けられている前記表面に対して前記標的距離のところに位置決めするステップと、前記プローブの前記位置の比較により前記厚さを測定するステップとを有する、方法。

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