JP4785905B2 - Substrate transfer processing equipment - Google Patents
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Description
この発明は、例えば半導体ウエハやフラット・パネル・ディスプレー基板(FPD基板)等の基板を搬送して処理する基板搬送処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate transfer processing apparatus for transferring and processing a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display substrate (FPD substrate).
一般に、フォトリソグラフィ技術においては、基板にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に所望の回路パターンを形成する、一連の工程によって行われている。 In general, in photolithography technology, a photoresist is applied to a substrate, a resist film formed thereby is exposed according to a predetermined circuit pattern, and a desired circuit pattern is formed on the resist film by developing this exposure pattern. It is performed by a series of steps to form.
このような処理は、一般に基板にレジスト液を塗布して処理するレジスト塗布処理ユニット、レジスト塗布処理終了後の基板や露光処理後の基板を加熱処理する加熱処理ユニット、加熱処理後の基板を所定温度にまで冷却処理する冷却処理ユニット、基板に現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット等が個別に複数段に積み重ねられた状態で備えられており、これらの各処理ユニット間における基板の搬送、並びに基板の搬入出は、基板搬送手段によって行われている。 Such processing is generally performed by applying a resist coating processing unit for applying a resist solution to a substrate, processing a substrate after completion of resist coating processing or a substrate after exposure processing, and a substrate after heating processing. A cooling processing unit for cooling processing to a temperature, a developing processing unit for supplying a developing solution to the substrate and developing the substrate, etc. are provided in a state where they are individually stacked in a plurality of stages. The conveyance and the loading / unloading of the substrate are performed by the substrate conveying means.
従来のこの種の基板搬送処理装置として、複数の基板を収容可能なキャリアを配置するキャリアブロックと、上記キャリアから取り出された基板にレジスト塗布・現像処理等を施す上記処理ユニットを具備する処理ブロックと、上記キャリアブロック及び処理ブロック内にそれぞれ配設され、基板を鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板搬送手段と、上記キャリアブロックと処理ブロックの間に配置され、複数の基板が載置可能であって、かつ基板を所定温度にまで冷却する前に、基板を待機して予備冷却する冷却プレートを有する基板収納部と、を具備する基板搬送処理装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。 As a conventional substrate transfer processing apparatus of this type, a processing block including a carrier block in which a carrier capable of accommodating a plurality of substrates is disposed, and a processing unit that performs resist coating / development processing on the substrate taken out of the carrier. And a substrate transfer means arranged in the carrier block and the processing block, respectively, and capable of moving the substrate in the vertical and horizontal directions, and arranged between the carrier block and the processing block so that a plurality of substrates can be placed. In addition, there is known a substrate transfer processing apparatus including a substrate storage unit having a cooling plate that waits for a substrate and cools the substrate in advance before cooling the substrate to a predetermined temperature (for example, Patent Documents). 1).
特許文献1記載の基板搬送処理装置によれば、各処理ユニットにおける基板の処理時間の時間差に対応して基板を効率よく搬送し、スループットの向上を図るようにするために、複数の処理ユニットを備えた処理ブロックとインターフェイスブロックとの間又はインターフェイスブロック内に、複数の基板を収容可能な複数段状の基板収納部を設けて、該基板収納部の2方向から基板収納部に対して異なる基板搬送手段によって基板の受渡しを行うことができる。
According to the substrate transfer processing apparatus described in
また、目的とするレジスト膜の種類により、レジスト膜の上下側に反射防止膜を形成する場合や、レジスト膜の上下の一方に反射防止膜を形成する場合、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合等、塗布の形態が異なり、このためロットにより必要となる塗布処理ユニットや、加熱処理ユニット、冷却処理ユニット、プレ冷却処理ユニット等の塗布膜形成のためのユニットにおける処理条件が異なる場合がある。この場合、これらの塗布処理ユニットや、加熱処理ユニット、冷却処理ユニットが同じ処理ブロック内に設けられている構成では、目的とするレジスト膜の種類により使用するユニットが異なるために基板の搬送の流れが異なってくる。このため、基板の搬送スケジュールが更に複雑となるので、上述した基板収納部における基板の収納枚数を多くして次の処理に供される前の複数の基板の待機を可能にしている。
しかしながら、特許文献1記載の装置においては、基板収納部に配設される冷却プレートに複数(例えば3本)の支持ピンを昇降可能に立設し、これら支持ピンによって基板を支持するようにして、基板搬送手段との間で基板の受渡しを行っている。そのため、基板の受渡しに時間を要する懸念があった。また、冷却プレートと支持ピンの昇降駆動機構分の高さが必要となるので、装置全体の高さにより冷却プレートの数を多くすることができず、高生産に対応できないという問題があった。更には、支持ピンの昇降駆動機構の保守・点検に注意を払う必要がある。
However, in the apparatus described in
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板収納部における冷却プレートの配設スペースを可能な限り小さくして、装置の小型化、基板の収納数の増大を図れるようにし、かつ、スループットの向上及びメンテナンスの向上を図れるようにした基板搬送処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to reduce the arrangement space of the cooling plate in the substrate storage portion as much as possible so as to reduce the size of the apparatus and increase the number of substrates stored, and It is an object of the present invention to provide a substrate transfer processing apparatus that can improve throughput and maintenance.
上記課題を解決するために、この発明の第1の基板搬送処理装置は、複数の基板を収容可能なキャリアを配置するキャリアブロックと、上記キャリアから取り出された基板に加熱処理を含む適宜処理を施す処理ユニットを具備する処理ブロックと、上記処理ブロック内において上記キャリアブロックから搬送された基板を上記処理ユニットに受け渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板搬送手段と、上記キャリアブロックと処理ブロックの間に配置され、複数の基板を収納可能な基板収納部と、上記キャリアブロックとの間で基板が受け渡し可能であって、上記基板収納部に基板を受渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板受渡し手段と、を具備し、 上記基板収納部は、上記基板搬送手段又は基板受渡し手段から受け取った基板を載置して冷却する冷却プレートと、基板の受渡しに供される受渡しプレートとを具備し、 上記基板搬送手段及び基板受渡し手段は、2つの湾曲アーム片により略馬蹄形状に形成されると共に、上記湾曲アーム片の先端側下部及び基端側下部に夫々基板を支持する複数の支持爪が設けられ、 上記冷却プレートは、冷媒流体の供給流路及び排出流路を有するベースブロックと、該ベースブロックの上部に積層されると共に供給流路及び排出流路に夫々連通する供給流路と排出流路が設けられた取付基部と、上記供給流路及び排出流路に連通する冷媒流路を有すると共に、上記基板搬送手段及び基板受渡し手段の2つの湾曲アーム片間より小径に形成され、かつ、外周に上記支持爪の昇降移動の干渉を回避するための切欠きが設けられた円板部とを有する1又は複数の冷却プレート本体と、上記ベースブロックの上面に積層される上記取付基部の上面に被着されて上記供給流路及び排出流路を塞ぐと共に、上記冷却プレート本体を上記ベースブロックと協働して挟持する封止プレートと、を具備してなる、ことを特徴とする(請求項1)。 In order to solve the above-described problems, a first substrate transport processing apparatus according to the present invention includes a carrier block in which a carrier capable of accommodating a plurality of substrates is arranged, and an appropriate process including heat treatment on the substrate taken out from the carrier. A processing block including a processing unit to be applied, a substrate transporting means capable of moving at least in a vertical direction and a horizontal direction for transferring a substrate transported from the carrier block in the processing block to the processing unit, and the carrier block and the processing The substrate can be transferred between the substrate storage unit disposed between the blocks and capable of storing a plurality of substrates and the carrier block, and at least in a vertical direction and a horizontal direction for transferring the substrate to the substrate storage unit. Movable substrate delivery means, and the substrate storage section is configured to transfer the substrate transfer means or the substrate delivery means. A cooling plate for placing and cooling the substrate received from the transfer means, and a transfer plate for transferring the substrate , wherein the substrate transfer means and the substrate transfer means are substantially horseshoe-shaped by two curved arm pieces. And a plurality of support claws for supporting the substrate are provided on the lower end of the curved arm piece and the lower portion on the base end side, respectively, and the cooling plate has a supply channel and a discharge channel for the refrigerant fluid. A base block, a mounting base provided with a supply flow path and a discharge flow path that are stacked on top of the base block and communicated with the supply flow path and the discharge flow path, respectively, and communicated with the supply flow path and the discharge flow path And a coolant passage that is formed to have a smaller diameter than between the two curved arm pieces of the substrate transport means and the substrate transfer means, and is provided on the outer periphery to avoid interference of the lifting and lowering movement of the support claw. One or a plurality of cooling plate bodies having a disc portion provided with a hole, and the upper surface of the mounting base layer laminated on the upper surface of the base block to block the supply channel and the discharge channel. And a sealing plate for sandwiching the cooling plate main body in cooperation with the base block (Claim 1).
また、この発明の第2の基板搬送処理装置は、上記第1の基板搬送処理装置に加えて、基板に適宜処理を施す第2の処理ブロックを更に具備すると共に、上記基板収納部を上記キャリアブロックと処理ブロックの間、及び上記処理ブロックと上記第2の処理ブロックとの間に配置してなり、上記第1の基板搬送処理装置と同様に、上記基板収納部は、上記基板搬送手段又は基板受渡し手段から受け取った基板を載置して冷却する冷却プレートと、基板の受渡しに供される受渡しプレートとを具備し、 上記基板搬送手段及び基板受渡し手段は、2つの湾曲アーム片により略馬蹄形状に形成されると共に、上記湾曲アーム片の先端側下部及び基端側下部に夫々基板を支持する複数の支持爪が設けられ、 上記冷却プレートは、冷媒流体の供給流路及び排出流路を有するベースブロックと、該ベースブロックの上部に積層されると共に供給流路及び排出流路に夫々連通する供給流路と排出流路が設けられた取付基部と、上記供給流路及び排出流路に連通する冷媒流路を有すると共に、上記基板搬送手段及び基板受渡し手段の2つの湾曲アーム片間より小径に形成され、かつ、外周に上記支持爪の昇降移動の干渉を回避するための切欠きが設けられた円板部とを有する1又は複数の冷却プレート本体と、上記ベースブロックの上面に積層される上記取付基部の上面に被着されて上記供給流路及び排出流路を塞ぐと共に、上記冷却プレート本体を上記ベースブロックと協働して挟持する封止プレートと、を具備してなる、ことを特徴とする(請求項2)。 In addition to the first substrate transport processing apparatus, the second substrate transport processing apparatus of the present invention further includes a second processing block for appropriately processing the substrate, and the substrate storage portion is mounted on the carrier. Between the processing block and the processing block and the second processing block, similarly to the first substrate transport processing apparatus, the substrate storage unit is provided with the substrate transport means or A cooling plate for placing and cooling the substrate received from the substrate delivery means; and a delivery plate for delivering the substrate . The substrate transfer means and the substrate delivery means are substantially horseshoe-shaped by two curved arm pieces. is formed in a shape, a plurality of supporting pawls to support the respective substrate distally lower and the proximal side lower portion of the curved arm piece is provided, the cooling plate, the coolant fluid supply passage及A base block having a discharge flow path, and a mounting base supply passage and the discharge passage respectively communicating is provided in the supply passage and the discharge passage while being stacked on top of the base block, the supply passage and In order to have a refrigerant flow path communicating with the discharge flow path, to have a smaller diameter than between the two curved arm pieces of the substrate transport means and the substrate transfer means, and to avoid interference of the lifting and lowering movement of the support claws on the outer periphery One or a plurality of cooling plate bodies having a disc portion provided with a notch and a top surface of the mounting base layer stacked on the top surface of the base block are attached to the supply channel and the discharge channel. And a sealing plate that clamps the cooling plate body in cooperation with the base block (Claim 2).
上記のように構成することにより、基板の受渡し用の昇降する支持ピンが不要となり、基板搬送手段又は基板受渡し手段によって搬送された基板を直接冷却プレートに受渡し、冷却プレートにおいて受け渡された基板を載置して冷却することができる(請求項1,2)。また、基板の受渡しのみに使用される受渡しプレートを具備することで、キャリアブロックと処理ブロックの間、処理ブロックと第2の処理ブロック間における基板の搬送を円滑にすることができる。 By configuring as described above, the support pins for raising and lowering the substrate are not required, and the substrate transferred by the substrate transfer means or the substrate transfer means is directly transferred to the cooling plate, and the substrate transferred by the cooling plate is transferred. It can be mounted and cooled (claims 1 and 2). In addition, by providing a delivery plate that is used only for delivery of the substrate, it is possible to smoothly carry the substrate between the carrier block and the processing block and between the processing block and the second processing block.
この発明において、上記ベースブロック、冷却プレート本体の取付基部及び封止プレートを連結部材によって着脱可能に連結する方が好ましい(請求項3)。この場合、上記ベースブロックと冷却プレート本体の取付基部間における供給流路部及び排出流路部と、上記冷却プレート本体の取付基部と封止プレート間における供給流路部及び排出流路部に、夫々シール部材を介在する方が好ましい(請求項4)。 In the present invention, it is preferable that the base block, the mounting base of the cooling plate main body , and the sealing plate are detachably connected by a connecting member. In this case, the supply channel section and the discharge flow path portion between the mounting base of the base block and the cooling plate body, the supply channel section and the discharge flow path portion between the mounting base and the sealing plate of the cooling plate body, It is preferable to interpose a seal member (claim 4).
このように構成することにより、ベースブロックを基準として、該ベースブロック、冷却プレート本体及び封止プレートを容易に組み付けて冷却プレートを構成することができる。また、必要に応じて冷却プレート本体の数を増減することができる。 With this configuration, the cooling plate can be configured by easily assembling the base block, the cooling plate body, and the sealing plate with the base block as a reference. Moreover, the number of cooling plate main bodies can be increased / decreased as needed.
また、この発明において、上記基板収納部は、上記冷却プレート本体の裏面に着脱可能に装着される基板吸着プレートを更に具備してもよく、この際、上記基板吸着プレートは、上記ベースブロックに設けられた供給流路及び排出流路と上記冷却プレート本体の冷媒流路とを連通する貫通孔を設けると共に、上記冷却プレート本体に設けられた吸着用孔に連通する吸引流路を設ける構造とすることができる(請求項5)。この場合、上記基板吸着プレートの貫通孔に貫装される筒状の接続部材と、上記ベースブロック及び冷却プレート本体の取付基部との間に、夫々シール部材を介在して供給流路部及び排出流路部を気水密に形成する方が好ましい(請求項6)。また、上記基板吸着プレートの吸引流路を、基板吸着プレートの上面に設けられた流路溝と、該流路溝の開口端に形成された拡開段部内に敷設される閉塞蓋とで構成し、上記閉塞蓋に設けられた吸引孔にシール部材を介して冷却プレート本体の吸着用孔に連通する構造とすることができる(請求項7)。 In the present invention, the substrate storage unit may further include a substrate suction plate that is detachably mounted on the back surface of the cooling plate body. In this case, the substrate suction plate is provided on the base block. A through-hole that communicates the supplied supply and discharge channels and the coolant channel of the cooling plate body, and a suction channel that communicates with the suction holes provided in the cooling plate body. (Claim 5). In this case, the supply flow path section and the discharge section are respectively interposed between the cylindrical connection member inserted into the through hole of the substrate suction plate and the mounting base of the base block and the cooling plate body. It is preferable to form the flow path part in a gas-tight manner (claim 6). Further, the suction channel of the substrate suction plate is composed of a channel groove provided on the upper surface of the substrate suction plate, and a closing lid laid in an expanding step portion formed at the opening end of the channel groove. And it can be set as the structure connected to the suction hole of the cooling plate main body via the sealing member with the suction hole provided in the said obstruction | occlusion lid (Claim 7).
このように構成することにより、冷却プレートすなわち冷却プレート本体上に載置された基板を吸着保持することができ、冷媒流体の冷却熱を効率良く基板に伝熱することができる。 By comprising in this way, the board | substrate mounted on the cooling plate, ie, a cooling plate main body, can be adsorbed-held, and the cooling heat of a refrigerant | coolant fluid can be efficiently transferred to a board | substrate.
また、この発明において、上記冷却プレートのベースブロックと、該ベースブロックに設けられた供給流路及び排出流路に接続する配管部をベースプレートに固定して一体に形成し、上記冷却プレートを一体化した上記ベースプレートを、基板収納部を構成する枠体に対して引出可能に装着する方が好ましい(請求項8)。 Further, in the present invention, the cooling plate base block and the piping portion connected to the supply flow path and the discharge flow path provided in the base block are fixed to the base plate and integrally formed, and the cooling plate is integrated. It is preferable to attach the base plate so that it can be pulled out with respect to the frame constituting the substrate storage portion.
このように構成することにより、冷却プレートを基板収納部に対して引出可能に取り付けることができる。 By comprising in this way, a cooling plate can be attached with respect to a board | substrate storage part so that extraction | drawer is possible.
また、この発明において、上記基板収納部は、複数の基板を収納可能な基板収納棚を更に具備する構造としてもよい(請求項9)。このように構成することにより、複数枚の基板を基板収納部に待機させることができる。 In the present invention, the substrate storage unit may further include a substrate storage shelf that can store a plurality of substrates. By comprising in this way, a several board | substrate can be made to wait in a board | substrate storage part.
また、請求項10記載の発明は、請求項1又は3ないし9のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、上記処理ブロックは、基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成する塗布膜形成用処理ユニット,基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成用処理ユニット及び基板を加熱処理する加熱処理ユニットを具備する、ことを特徴とする。
The invention according to claim 10 is the substrate transport processing apparatus according to
また、請求項11記載の発明は、請求項2ないし9のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、上記処理ブロックは、基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成する塗布膜形成用処理ユニット,基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成用処理ユニット及び基板を加熱処理する加熱処理ユニットを具備し、上記第2の処理ブロックは、露光装置を具備する、ことを特徴とする。
The invention according to
加えて、請求項12記載の発明は、請求項10又は11記載の基板搬送処理装置において、 上記処理ブロックは、塗布膜形成用処理ユニットと加熱処理ユニットとを基板搬送手段の水平移動領域によって区画される塗布膜形成用単位ブロックと、塗布膜の下側に反射防止膜を形成する第1の反射防止膜形成用ユニットと加熱処理ユニットとを上記基板搬送手段の水平移動領域によって区画される第1の反射防止膜形成用単位ブロック、及び塗布膜の上側に反射防止膜を形成する第2の反射防止膜形成用ユニットと加熱処理ユニットとを上記基板搬送手段の水平移動領域によって区画される第2の反射防止膜形成用単位ブロックを積層し、 上記基板収納部は、上記塗布膜形成用単位ブロック,第1の反射防止膜形成用単位ブロック及び第2の反射防止膜形成用単位ブロックに対応すべく複数に区画された収納ブロックを具備すると共に、各収納ブロックに複数の載置棚、及び冷却プレートを具備する、ことを特徴とする。 In addition, according to a twelfth aspect of the present invention, in the substrate transfer processing apparatus according to the tenth or eleventh aspect, the processing block divides the coating film forming processing unit and the heat processing unit by a horizontal movement region of the substrate transfer means. A coating film forming unit block, a first antireflection film forming unit for forming an antireflection film below the coating film, and a heat treatment unit, which are partitioned by a horizontal movement region of the substrate transport means. The first antireflection film forming unit block, the second antireflection film forming unit for forming the antireflection film on the upper side of the coating film, and the heat treatment unit are partitioned by a horizontal movement region of the substrate transfer means. Two antireflection film forming unit blocks, and the substrate housing portion includes the coating film forming unit block, the first antireflection film forming unit block, and the second antireflection film forming unit block. A plurality of storage blocks are provided to correspond to the unit blocks for forming the antireflection film, and each storage block includes a plurality of mounting shelves and cooling plates.
上記のように構成することにより、基板に塗布されるレジスト膜の種類及び各処理ユニットにおける処理時間に対応させて、レジスト膜の上下の一方又は双方に反射防止膜を形成するか、あるいは、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合における次の処理前の基板の待機を確保することができると共に、基板収納部において基板を冷却して所定温度に調整することができる(請求項10〜12)。 By configuring as described above, an antireflection film is formed on one or both of the upper and lower sides of the resist film in accordance with the type of resist film applied to the substrate and the processing time in each processing unit, or the resist In the case where the antireflection film is not formed with only the film, it is possible to ensure the standby of the substrate before the next processing, and it is possible to cool the substrate in the substrate storage portion and adjust it to a predetermined temperature. ).
以上に説明したように、この発明の基板搬送処理装置は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。 As described above, since the substrate transfer processing apparatus of the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained.
(1)請求項1,2記載の発明によれば、基板の受渡し用の昇降する支持ピンが不要となり、基板搬送手段又は基板受渡し手段によって搬送された基板を直接冷却プレートに受渡し、冷却プレートにおいて受け渡された基板を載置して冷却することができるので、処理ブロックで加熱処理された基板を搬送過程で効率良く冷却することができると共に、スループットの向上が図れる。また、冷却プレートの高さ方向のスペースを小さくすることができるので、冷却プレートの搭載数を増やすことができ、生産性の向上が図れる。 (1) According to the first and second aspects of the present invention, the support pins for raising and lowering the substrate are not required, and the substrate conveyed by the substrate conveying means or the substrate delivering means is directly transferred to the cooling plate. Since the transferred substrate can be placed and cooled, the substrate heated in the processing block can be efficiently cooled in the transfer process, and the throughput can be improved. Moreover, since the space in the height direction of the cooling plate can be reduced, the number of cooling plates mounted can be increased, and productivity can be improved.
(2)請求項3,4記載の発明によれば、ベースブロックを基準として、該ベースブロック、冷却プレート本体及び封止プレートを容易に組み付けて冷却プレートを構成することができるので、上記(1)に加えて、更に冷却プレートの取付精度を高めることができる。また、必要に応じて冷却プレート本体の数を簡単に増減することができる。 (2) According to the third and fourth aspects of the invention, since the base block, the cooling plate body, and the sealing plate can be easily assembled on the basis of the base block, the cooling plate can be configured. In addition, the mounting accuracy of the cooling plate can be further increased. Moreover, the number of cooling plate bodies can be easily increased or decreased as necessary.
(3)請求項5,6,7記載の発明によれば、冷却プレートすなわち冷却プレート本体上に載置された基板を吸着保持することができ、冷媒流体の冷却熱を効率良く基板に伝熱することができるので、上記(1),(2)に加えて、更に処理精度の向上が図れる。 (3) According to the fifth, sixth, and seventh aspects of the invention, the substrate placed on the cooling plate, that is, the cooling plate main body can be sucked and held, and the cooling heat of the refrigerant fluid is efficiently transferred to the substrate. Therefore, in addition to the above (1) and (2), the processing accuracy can be further improved.
(4)請求項8記載の発明によれば、冷却プレートを基板収納部に対して引出可能に取り付けることができるので、上記(1)〜(3)に加えて、更にメンテナンスの向上が図れる。
(4) According to the invention described in
(5)請求項9記載の発明によれば、複数枚の基板を基板収納部に待機させることができるので、上記(1)〜(4)に加えて、更に生産性の向上が図れる。
(5) According to the invention described in
(6)請求項10〜12記載の発明によれば、基板に塗布されるレジスト膜の種類及び各処理ユニットにおける処理時間に対応させて、レジスト膜の上下の一方又は双方に反射防止膜を形成するか、あるいは、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合における次の処理前の基板の待機を確保することができると共に、加熱処理後の基板を冷却することができる。したがって、上記(1)〜(5)に加えて、更に基板に塗布されるレジスト膜の種類及び各処理ユニットにおける処理時間に対応した複雑な処理を効率よく行うことができる。 (6) According to the invention described in claims 10 to 12, the antireflection film is formed on one or both of the upper and lower sides of the resist film in accordance with the type of the resist film applied to the substrate and the processing time in each processing unit. In addition, when the antireflection film is not formed only with the resist film, it is possible to ensure the standby of the substrate before the next processing and to cool the substrate after the heat treatment. Therefore, in addition to the above (1) to (5), it is possible to efficiently perform complicated processing corresponding to the type of resist film applied to the substrate and the processing time in each processing unit.
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板搬送処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the best embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, a case where the substrate transfer processing apparatus according to the present invention is applied to a semiconductor wafer resist coating / development processing apparatus will be described.
図1は、上記レジスト塗布・現像処理装置の一例を示す概略平面図、図2は、同概略斜視図、図3は、同概略図であって、処理部の単位ブロックのみを平面状態で重ねて示す概略構成図である。 1 is a schematic plan view showing an example of the resist coating / development processing apparatus, FIG. 2 is a schematic perspective view thereof, and FIG. 3 is the same schematic diagram, in which only unit blocks of a processing unit are overlapped in a planar state. FIG.
上記レジスト塗布・現像処理装置は、基板である半導体ウエハW(以下にウエハWという)が例えば13枚密閉収容されたキャリア20を搬入出するためのキャリアブロックS1と、複数個例えば5個の単位ブロックB1〜B5を縦に配列して構成された処理ブロックS2と、インターフェイスブロックS3と、第2の処理ブロックである露光装置S4と、を備えている。
The resist coating / developing apparatus includes a carrier block S1 for loading and unloading a
上記キャリアブロックS1には、複数個(例えば4個)のキャリア20を載置可能な載置台21と、この載置台21から見て前方の壁面に設けられる開閉部22と、開閉部22を介してキャリア20からウエハWを取り出すためのトランスファーアームCとが設けられている。このトランスファーアームCは、後述する基板収納部を構成する棚ユニットU5に設けられた受渡しステージTRS1,TRS2との間でウエハWの受け渡しを行うように、水平のX,Y方向及び鉛直のZ方向に移動自在、並びに鉛直軸回りに回転自在に移動自在に構成されている。
The carrier block S <b> 1 includes a mounting table 21 on which a plurality of (for example, four)
キャリアブロックS1の奥側には筐体24にて周囲を囲まれる処理ブロックS2が接続されている。処理ブロックS2は、この例では、下方側から、下段側の2段が現像処理を行うための第1及び第2の単位ブロック(DEV層)B1,B2、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜(以下「第1の反射防止膜」という)の形成処理を行うための第1の反射防止膜形成用単位ブロックである第3の単位ブロック(BCT層)B3、レジスト液の塗布処理を行うための塗布膜形成用単位ブロックである第4の単位ブロック(COT層)B4、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜(以下「第2の反射防止膜」という)の形成処理を行うための第2の反射防止膜形成用単位ブロックである第5の単位ブロック(TCT層)B5として割り当てられている。ここで上記DEV層B1,B2が現像処理用の単位ブロック、BCT層B3、COT層B4、TCT層B5が塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。 A processing block S2 surrounded by a casing 24 is connected to the back side of the carrier block S1. In this example, the processing block S2 is formed on the lower side of the resist film from the lower side to the first and second unit blocks (DEV layers) B1 and B2 for performing development processing on the lower two stages. Third unit block (BCT layer) B3, which is a unit block for forming a first antireflection film for forming an antireflection film (hereinafter referred to as “first antireflection film”), a coating process of a resist solution Processing for forming a fourth unit block (COT layer) B4, which is a unit block for forming a coating film for performing coating, and an antireflection film (hereinafter referred to as "second antireflection film") formed on the upper layer side of the resist film Is assigned as a fifth unit block (TCT layer) B5, which is a second antireflection film forming unit block for performing the above. Here, the DEV layers B1 and B2 correspond to unit blocks for development processing, and the BCT layer B3, COT layer B4, and TCT layer B5 correspond to unit blocks for coating film formation.
次に、第1〜第5の単位ブロックB(B1〜B5)の構成について説明する。これら各単位ブロックB1〜B5は、前面側に配設され、ウエハWに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、背面側に配設され、上記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱ユニット等の処理ユニットと、前面側に配設される上記液処理ユニットと背面側に配設される加熱ユニット等の処理ユニットとの間でウエハWの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームA1〜A5と、を備えている。 Next, the configuration of the first to fifth unit blocks B (B1 to B5) will be described. Each of these unit blocks B1 to B5 is disposed on the front surface side, and a liquid processing unit for applying a chemical solution to the wafer W, and disposed on the back surface side, before the processing performed in the liquid processing unit. Between the processing units such as various heating units for processing and post-processing, and the liquid processing unit disposed on the front side and the processing units such as the heating unit disposed on the back side, the wafer W Main arms A1 to A5, which are dedicated substrate transfer means for performing delivery.
これら単位ブロックB1〜B5は、この例では、各単位ブロックB1〜B5の間で、上記液処理ユニットと、加熱ユニット等の処理ユニットと、搬送手段との配置レイアウトが同じに形成されている。ここで、配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットにおけるウエハWを載置する中心つまり液処理ユニットにおけるウエハWの保持手段であるスピンチャックの中心や、加熱ユニットにおける加熱プレートや冷却プレートの中心が同じという意味である。 In this example, the unit blocks B1 to B5 are formed in the same arrangement layout of the liquid processing unit, the processing unit such as a heating unit, and the conveying means between the unit blocks B1 to B5. Here, the same arrangement layout means that the center of the wafer W in each processing unit, that is, the center of the spin chuck that is a holding means of the wafer W in the liquid processing unit, the heating plate and the cooling plate in the heating unit, and so on. It means that the center is the same.
上記DEV層B1,B2は同様に構成されており、この場合、共通に形成されている。このDEV層B1,B2は、図1に示すように、DEV層B1,B2のほぼ中央には、DEV層B1,B2の長さ方向(図中Y方向)に、キャリアブロックS1とインターフェイスブロックS3とを接続するためのウエハWの搬送領域R1(メインアームA1の水平移動領域)が形成されている。 The DEV layers B1 and B2 are similarly configured, and in this case, are formed in common. As shown in FIG. 1, the DEV layers B1 and B2 are substantially at the center of the DEV layers B1 and B2, and in the length direction of the DEV layers B1 and B2 (Y direction in the figure), the carrier block S1 and the interface block S3. A transfer area R1 (horizontal movement area of the main arm A1) for the wafer W is formed.
この搬送領域R1のキャリアブロックS1側から見た両側には、手前側(キャリアブロックS1側)から奥側に向かって右側に、上記液処理ユニットとして、現像処理を行うための複数個の現像処理部を備えた現像ユニット31が例えば2段設けられている。各単位ブロックは、手前側から奥側に向かって左側に、順に加熱系のユニットを多段化した例えば4個の棚ユニットU1,U2,U3,U4が設けられており、この図では現像ユニット31にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを複数段、例えば3段ずつに積層した構成とされている。このようにして上記搬送領域R1によって現像ユニット31と棚ユニットU1〜U4が区画されており、搬送領域R1に洗浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。
On both sides of the transport region R1 viewed from the carrier block S1 side, a plurality of development processes for performing the development process as the liquid processing unit on the right side from the front side (carrier block S1 side) to the back side. For example, two stages of developing
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図4に示すように、露光後のウエハWを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット(PEB1)や、現像処理後のウエハWの水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニット等と呼ばれている加熱ユニット(POST1)等が含まれている。これら加熱ユニット(PEB1、POST1)等の各処理ユニットは、それぞれ処理容器51内に収容されており、棚ユニットU1〜U4は、上記処理容器51が3段ずつ積層されて構成され、各処理容器51の搬送領域R1に臨む面にはウエハ搬出入口52が形成されている。
Among the various units for performing the above pre-processing and post-processing, for example, as shown in FIG. 4, a heating unit (PEB1) called a post-exposure baking unit that heat-processes the wafer W after exposure. In addition, a heating unit (POST1) called a post-baking unit or the like for performing heat treatment to remove moisture of the wafer W after development processing is included. Each processing unit such as the heating unit (PEB1, POST1) is accommodated in a
上記搬送領域R1には上記メインアームA1が設けられている。このメインアームA1は、当該DEV層B1内の全てのモジュール(ウエハWが置かれる場所)、例えば棚ユニットU1〜U4の各処理ユニット、現像ユニット31,棚ユニットU5の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために水平のX,Y方向及び鉛直のZ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
The main arm A1 is provided in the transfer region R1. This main arm A1 is used for all modules in the DEV layer B1 (where the wafer W is placed), for example, each processing unit of the shelf units U1 to U4, developing
また、上記塗布膜形成用の単位ブロックB3〜B5は、いずれも同様に構成されており、上述の現像処理用の単位ブロックB1,B2と同様に構成されている。具体的にCOT層B4を例にして図3,図7及び図8を参照して説明すると、液処理ユニットとしてウエハWに対してレジスト液の塗布処理を行うための塗布ユニット32が設けられ、COT層B4の棚ユニットU1〜U4には、レジスト液塗布後のウエハWを加熱処理する加熱ユニット(CLHP4)や、レジスト液とウエハWとの密着性を向上させるための疎水化処理ユニット(ADH)を備えており、DEV層B1,B2と同様に構成されている。すなわち、塗布ユニット32と加熱ユニット(CLHP4)及び疎水化処理ユニット(ADH)とをメインアームA4の搬送領域R4(メインアームA4の水平移動領域)によって区画するように構成されている。そして、このCOT層B4では、メインアームA4により、棚ユニットU5の受渡しステージTRS1と、塗布ユニット32と、棚ユニットU1〜U4の各処理ユニットと、に対してウエハWの受け渡しが行われるようになっている。なお上記疎水化処理ユニット(ADH)は、HMDS雰囲気内でガス処理を行なうものであるが、塗布膜形成用の単位ブロックB3〜B5のいずれかに設けられればよい。
The unit blocks B3 to B5 for forming the coating film are all configured in the same manner, and are configured in the same manner as the unit blocks B1 and B2 for development processing described above. Specifically, the COT layer B4 will be described as an example with reference to FIGS. 3, 7, and 8. As a liquid processing unit, a
また、BCT層B3は、液処理ユニットとして、ウエハWに対して第1の反射防止膜の形成処理を行うための第1の反射防止膜形成ユニット33が設けられ、棚ユニットU1〜U4には、反射防止膜形成処理後のウエハWを加熱処理する加熱ユニット(CLHP3)を備えており、COT層B4と同様に構成されている。すなわち、第1の反射防止膜形成ユニット33と加熱ユニット(CLHP3)とをメインアームA3の搬送領域R3(メインアームA3の水平移動領域)によって区画するように構成されている。そして、この第3の単位ブロックB3では、メインアームA3により、棚ユニットU5の受渡しステージTRS1と、第1の反射防止膜形成ユニット33と、棚ユニットU1〜U4の各処理ユニットと、に対してウエハWの受け渡しが行われるようになっている。
The BCT layer B3 is provided with a first antireflection
また、TCT層B5は、液処理ユニットとして、ウエハWに対して第2の反射防止膜の形成処理を行うための第2の反射防止膜形成ユニット34が設けられ、棚ユニットU1〜U4には、反射防止膜形成処理後のウエハWを加熱処理する加熱ユニット(CLPH5)や、周辺露光装置(WEE)を備えている以外はCOT層B4と同様に構成されている。すなわち、第2の反射防止膜形成ユニット34と加熱ユニット(CLHP5)及び周辺露光装置(WEE)とをメインアームA5の搬送領域R5(メインアームA5の水平移動領域)によって区画するように構成されている。そして、このTCT層B5では、メインアームA5により、棚ユニットU5の受渡しステージTRS1と、第2の反射防止膜形成ユニット34と、棚ユニットU1〜U4の各処理ユニットと、に対してウエハWの受け渡しが行われるようになっている。
The TCT layer B5 is provided with a second antireflection
また、処理ブロックS2には、棚ユニットU5に設けられた受渡しステージTRS2とインターフェイスブロックS3側の棚ユニットU6との間でウエハWの受け渡しを行う基板搬送手段であるシャトルアームAが水平のY方向に移動自在及び鉛直のZ方向に昇降自在に配設されている。 Further, in the processing block S2, a shuttle arm A, which is a substrate transfer means for delivering the wafer W between the delivery stage TRS2 provided in the shelf unit U5 and the shelf unit U6 on the interface block S3 side, has a horizontal Y direction. It can be moved freely and can be moved up and down in the vertical Z direction.
なお、シャトルアームAの搬送領域と上記メインアームA1,A2〜A5の搬送領域R1,R3〜R5は、それぞれ区画されている。 The transfer area of the shuttle arm A and the transfer areas R1, R3 to R5 of the main arms A1, A2 to A5 are partitioned.
また、処理ブロックS2とキャリアブロックS1との間の領域は、ウエハWの受渡し領域R2となっていて、この領域R2には、図1に示すように、トランスファーアームCとメインアームA1,A3〜A5,シャトルアームAがアクセスできる位置に基板収納部である棚ユニットU5が設けられると共に、この棚ユニットU5に対してウエハWの受け渡しを行うための基板受渡し手段をなす受渡しアームDを備えている。この場合、棚ユニットU5は、メインアームA1,A3〜A5,シャトルアームAの水平移動方向(Y方向)の軸線上に配置されており、メインアームA1,A3〜A5,シャトルアームAの進退方向(Y方向)に第1の開口部11を設けると共に、受渡しアームDの進退方向(X方向)に第2の開口部12を設けている。
Further, the area between the processing block S2 and the carrier block S1 is a transfer area R2 for the wafer W. In this area R2, as shown in FIG. 1, the transfer arm C and the main arms A1, A3 to A3. A shelf unit U5, which is a substrate storage unit, is provided at a position accessible by A5 and the shuttle arm A, and a delivery arm D serving as a substrate delivery means for delivering the wafer W to the shelf unit U5 is provided. . In this case, the shelf unit U5 is disposed on the axis of the horizontal movement direction (Y direction) of the main arms A1, A3 to A5 and the shuttle arm A, and the main arms A1, A3 to A5 and the forward and backward movement directions of the shuttle arm A The
また、上記棚ユニットU5は、図3,図5及び図6に示すように、各単位ブロックB1〜B5のメインアームA1,A3〜A5及びシャトルアームAとの間でウエハWの受け渡しを行うように、例えば2個の受渡しステージTRS1,TRS2を備えており、また、単位ブロックB1〜B5に対応すべく複数に区画された収納ブロック10a〜10dを備えると共に、各収納ブロック10a〜10dに、複数の載置棚13、及びレジスト塗布前にウエハWを所定温度に調整するためや、反射防止膜形成処理前にウエハWを所定温度に調整するためや、露光処理後に加熱処理されたウエハWを所定温度に調整するための冷却プレート14(CPL1〜CPL6)を備えている。
Further, as shown in FIGS. 3, 5 and 6, the shelf unit U5 delivers the wafer W between the main arms A1, A3 to A5 and the shuttle arm A of each of the unit blocks B1 to B5. In addition, for example, two delivery stages TRS1 and TRS2 are provided, and
この場合、第1収納ブロック10aは第1及び第2の単位ブロックB1,B2(DEV層)に対応し、第2収納ブロック10bは第3の単位ブロックB3(BCT層)に対応し、第3収納ブロック10cは第4の単位ブロックB4(COT層)に対応し、第4収納ブロック10dは第5の単位ブロックB5(TCT層)に対応している。
In this case, the
第1収納ブロック10aに配設される冷却プレート14A(CPL7,CPL8)は、枠体16に架設された保持板17上に支持柱17aを介して横設されており、この冷却プレート14A(CPL7,CPL8)には3本の支持ピン15が立設されている。この冷却プレート14A(CPL7,CPL8)はメインアームA1又は受渡しアームDとの間でウエハWの受渡しの機能を有している。
The
また、冷却プレート14(CPL1〜CPL6)は、図6,図9,図10及び図12に示すように、冷媒流体例えば恒温の冷却水の供給流路61及び排出流路62を有するベースブロック60と、該ベースブロック60の上部に積層され、供給流路61及び排出流路62に連通する冷媒流路63を有する1又は複数(図では2個の場合を示す)の冷却プレート本体64と、冷却プレート本体64をベースブロックと協働して挟持する封止プレート65と、ベースブロック60,冷却プレート本体64及び封止プレート65を着脱可能に連結する連結部材すなわち連結ボルト66と、を具備している。なお、冷却プレート14は、恒温の冷却水を循環させる水冷方式のものを使用することができるが、水冷方式以外の方式であってもよい。また、冷却プレート14(具体的には冷却プレート本体64)の裏面には、図示しない固定ねじによって基板吸着プレート67が着脱可能に装着されている。
Further, the cooling plate 14 (CPL1 to CPL6) includes a
この場合、上記ベースブロック60は、例えばステンレス製部材にて形成されており、一つの角部がカットされた略立方体にて形成されている。このベースブロック60の一側面には、図示しない冷却水供給源に接続する供給配管71が接続する供給口60aと、排出配管72が接続する排出口60bと、図示しない吸引手段例えば真空ポンプに接続する吸引配管73が接続する吸引口60cが設けられている。また、供給口60aに連通する供給流路61と、排出口60bに連通する排出流路62とが、ベースブロック60の上面に開口するように垂直方向に平行に設けられている。これら供給流路61と排出流路62の開口端部には、シール部材であるOリング(図示せず)を介して筒状の接続部材68が着脱可能に貫装される。この接続部材68の上端開口端にはシール部材であるOリング69を保持する環状保持溝68aが周設されている。
In this case, the
上記のように構成される接続部材68は、冷却プレート本体64の裏面に基板吸着プレート67を装着した場合に使用される。すなわち、接続部材68は、後述する基板吸着プレート67の取付基部67aに設けられた垂直方向に平行な2つの貫通孔74a,74b内に接続部材68が貫装された状態で接続部材68の環状保持溝68aにOリング69を取り付けて、冷却プレート本体64の取付基部64aに設けられた供給流路61aと排出流路62aをベースブロック60の供給流路61と排出流路62に夫々連通するために使用される。
The
上記冷却プレート本体64は、例えばアルミニウム製部材にて形成されており、図10及び図12に示すように、ベースブロック60の上面の形状と同じ形状の略矩形状の取付基部64aと、取付基部64aの角部から外方に突出する腕部64bの先端に形成される円板部64cとで構成されている。この冷却プレート本体64の取付基部64aには、ベースブロック60の供給流路61と排出流路62に夫々連通する供給流路61aと排出流路62aが貫通して設けられ、供給流路61aと排出流路62aに連通する冷媒流路63が腕部64bを介して円板部64cに設けられている。なお図10では、説明の都合上、冷媒流路63を冷却プレート本体64中に表示しているが、実際には冷却プレート本体64の裏面に管状の冷媒流路63を埋設する構造とする。なお、冷却プレート本体64の円板部64cの上面の複数箇所例えば5箇所には、円板部64c表面との間に僅かに隙間例えば50μm〜100μmをおいてウエハWを支持するプロキシミティピン64eが突設されている。また、円板部64cにおける冷媒流路63を回避した位置の4箇所には、吸着用孔64fが穿設されている。また、取付基部64aの辺部側の4箇所には連結ボルト66を貫挿する取付孔75が設けられている。
The
また、冷却プレート本体64の円板部64cの外周の6箇所には、棚ユニットU5の第1の開口部11から進入するメインアームメインアームA1,A3〜A5(以下、符号A1で代表する)、及び棚ユニットU5の第2の開口部12から進入する受渡しアームDが、冷却プレート14にウエハWを受け渡す際の昇降移動の干渉を回避するための切欠き64gが設けられている(図11参照)。この場合、受渡しアームDのアーム本体90は、一方の湾曲アーム片91が他方の湾曲アーム片92より先端側に延在する変形馬蹄形状に形成されると共に、両アーム片91,92の先端側下部及びアーム本体90の基部側下部の3箇所にウエハWを支持する支持爪93を設けている。また、メインアームA1のアーム本体80は、馬蹄形状に突出する一対の湾曲アーム片81,82の先端側下部及びアーム本体80の基部側下部の4箇所にウエハWを支持する支持爪83を設けている。なお、冷却プレート本体64の円板部64cの外周に設けられる6箇所の切欠き64gは、メインアームA1の支持爪83及び受渡しアームDの支持爪93に対応して設けられている。
Further, main arm main arms A1, A3 to A5 (hereinafter, represented by reference numeral A1) entering from the
このように冷却プレート本体64の円板部64cの外周に切欠き64gを設けることにより、支持ピンを要することなく、冷却プレート14に対するメインアームA1及び受渡しアームDのウエハWの受渡しを行うことができる。
Thus, by providing the
上記基板吸着プレート67は、例えばアルミニウム製部材にて形成されており、図10及び図12に示すように、ベースブロック60の上面の形状と同じ形状の略矩形状の取付基部67aと、取付基部67aの角部から外方に突出する腕部67bの先端に形成される略円形の吸着部67cとで構成されている。取付基部67aには、ベースブロック60の供給流路61及び排出流路62と冷却プレート本体64の冷媒流路とを連通する貫通孔74a,74bが設けられている。この貫通孔74a,74b内に接続部材68が貫装され、接続部材68の環状保持溝68aにOリング69を取り付けて、冷却プレート本体64の取付基部64aに設けられた供給流路61aと排出流路62aとベースブロック60の供給流路61と排出流路62が夫々連通される。
The
なお、基板吸着プレート67の取付基部67aの辺部側の4箇所には連結ボルト66を貫挿する取付孔75が設けられている。また、基板吸着プレート67には、ベースブロック60に設けられた吸引口60cと連通し、かつ冷却プレート本体64に設けられた吸着用孔64fに連通する吸引流路67dが設けられている。この場合、吸引流路67dは、基板吸着プレート67の上面に設けられた流路溝67eと、流路溝67eの開口端に形成された拡開段部67f内に敷設される閉塞蓋67gとで構成され、閉塞蓋67gに設けられた吸引孔67hにシール部材例えばドーナツ状パッキン67iを介して冷却プレート本体64の吸着用孔64fに連通されている(図12参照)。
Note that mounting
一方、上記封止プレート65は、例えばアルミニウム製部材にて形成されており、図12に示すように、ベースブロック60の上面の形状と同じ形状の略矩形状に形成されており、辺部側の4箇所には連結ボルト66を貫挿する取付孔75が設けられている。
On the other hand, the sealing
このように形成される封止プレート65は、ベースブロック60の上面に基板吸着プレート67を介して積層される冷却プレート本体64の取付基部64aの上面における供給流路61aと排出流路62a部にシール部材であるOリング69を介して被着され、冷却プレート本体64及び基板吸着プレート67に設けられた取付孔75に連結ボルト66を挿入してベースブロック60の取付孔75にねじ結合して、ベースブロック60と協働して冷却プレート本体64及び基板吸着プレート67を挟持する。
The sealing
なお、冷却プレート14を複数段積層する場合は、図9及び図12に示すように、下段の冷却プレート本体64の取付基部64aの上面にスペーサ76を介在して上段の冷却プレート14すなわち裏面に基板吸着プレート67を装着した冷却プレート本体64を積層することができる。この場合、スペーサ76は、ベースブロック60と同様に、一つの角部がカットされた略立方体にて形成されており、直下に位置する冷却プレート本体64の供給流路61a及び排出流路62aと連通する供給流路61b及び排出流路62bが設けられると共に、辺部側の4箇所には連結ボルト66を貫挿する取付孔75が設けられている。また、スペーサ76の供給流路61b及び排出流路62bにおける下段側の冷却プレート本体64との間、及び上段側の基板吸着プレート67との間には夫々シール部材であるOリング69が介在されて、供給流路61及び排出流路62の気水密が維持されている。なお、スペーサ76には基板吸着プレート67の吸引流路67dが連通する吸引口60cが設けられている。
When the cooling
なお、上記説明ではスペーサ76を介して複数の冷却プレート14を積層する場合について説明したが、スペーサ76を冷却プレート本体64の取付基部64a又は基板吸着プレート67の取付基部67aに一体に形成した構造としてもよい。
In the above description, the case where the plurality of cooling
なお、上記実施形態では、冷却プレート本体64の裏面に基板吸着プレート67を装着した場合について説明したが、冷却プレート本体64のみで冷却プレート14を構成してもよい。この場合は、図13及び図14に示すように、ベースブロック60の上面にシール部材であるOリング69を介して冷却プレート本体64の取付基部64aを載置し、取付基部64aの上にOリング69を介して封止プレート65を被着し、連結ボルト66によって連結すなわちベースブロック60と封止プレート65とで冷却プレート本体64を挟持する。なお、図13及び図14において、その他の部分は上記第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
In the above embodiment, the case where the
上記のように構成される冷却プレート14のベースブロック60と、ベースブロック60に設けられた供給流路61及び排出流路62に接続する供給配管71及び排出配管72と、ベースブロック60に設けられた吸引口60cに接続する吸引配管73は、ベースプレートに一体に固定されている。なお、ベースプレート77の一側端下部にはベースプレート77を枠体16に固定するための取付ブラケット78が設けられており、取付ボルト79によってベースプレート77が枠体16に固定されるようになっている。
The
このようにして冷却プレート14を一体化したベースプレート77は、基板収納部である棚ユニットU5を構成する枠体16に対して引出可能に装着されている。したがって、冷却プレート14を棚ユニットU5に対して引出可能に取り付けることができるので、冷却プレート14の交換や保守・点検等のメンテナンスの向上が図れる。
The
なお、載置棚13は、図6に示すように、棚ユニットU5の一側から該棚ユニットU5内に突入する複数の板状アーム13aにて形成されている。この場合、板状アーム13aは、例えば先端に約120°の角度で分岐される二又部13bを具備しており、この二又部13bを含む板状アーム13aの先端部における同心円状の等分された3箇所に、ウエハWを板状アーム13aの表面より僅かに隙間例えば約0.5mmをおいて支持するプロキシミティピン18a,18b,18cを突設すると共に、その一つの第1ピン18aを受渡しアームDが棚ユニットU5内に進入する方向に平行に配置している。
As shown in FIG. 6, the mounting
なお、上記説明では、載置棚13の板状アーム13aは二又部13bを具備する場合について説明したが、第1の開口部11から進入するメインアームのアーム本体80と第2の開口部12から進入する受渡しアームDのアーム本体90が干渉しなければ任意の形状でよく、例えば円形状に形成してもよい。
In the above description, the plate-
また、板状アーム13aは、棚ユニットU5の枠体16の一部に一端が取り付けられて棚ユニットU5の一側から該棚ユニットU5内に突入するように設けられており、各板状アーム13aの基端部同士はスペーサ19を介して連結部材例えば連結ボルト(図示せず)によって着脱可能に積層状に連結固定されている。このように、載置棚13を構成する板状アーム13aを連結ボルトによって着脱可能に積層状に連結固定することにより、処理スケジュールや処理時間に対応させて載置棚13の段数すなわち板状アーム13aの数の増減を容易にすることができる。
The plate-
なお、図5に示すように、棚ユニットUのキャリアブロックS1側から所定流量の清浄気体を棚ユニットU5内に供給するように構成されている。 In addition, as shown in FIG. 5, it is comprised so that the clean gas of predetermined flow volume may be supplied in the shelf unit U5 from the carrier block S1 side of the shelf unit U.
なお、受渡しアームDは、図11に示すように、上記湾曲アーム片91,92と支持爪93を有するアーム本体90が棚ユニットU5に対して進退自在に構成されると共に、移動機構(図示せず)により、鉛直のZ方向に昇降自在に構成されている。このようにしてアーム本体90は、X方向に進退自在及び昇降自在に構成され、棚ユニットU5の各収納ブロック10a〜10d、受渡しステージTRS1との間でウエハWの受け渡しを行うことができるようになっている。このような受渡しアームDは、後述する制御部100からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。
As shown in FIG. 11, the delivery arm D is configured such that the arm
上記メインアームA1,A3〜A5及びシャトルアームAは基本的には同様に構成されており、シャトルアームAを代表して説明すると、冷却プレート本体64の円板部64c及び載置棚13の板状アーム13aに設けられたプロキシミティピン18a,18b,18cと干渉しない一対の湾曲アーム片81,82を有する馬蹄形状のアーム本体80を具備すると共に、各湾曲アーム片81,82の先端部及び基端部側下部の4箇所にウエハWを支持する支持爪83を設けている。
The main arms A1, A3 to A5 and the shuttle arm A are basically configured in the same manner. The shuttle arm A will be described as a representative example. The
したがって、受渡しアームDの場合と同様に、載置棚13同士間のスペースをシャトルアームAのアーム本体80が鉛直方向に移動して載置棚13のプロキシミティピン18a,18b,18cとの間でウエハWの受け渡しが可能な最低限のスペースとすることができるので、限られたスペース内に多くの載置棚13を設けることができる。また、シャトルアームAは、馬蹄形状のアーム本体80の3箇所に支持爪83を設けるので、ウエハWを安定した状態で支持して搬送することができる。
Accordingly, as in the case of the delivery arm D, the arm
なお、上記複数の載置棚13の間隔は、受渡しアームDのアーム本体90の厚み及びメインアームAのアーム本体80の厚みよりも狭く形成されている。これにより、棚ユニットU5の収納スペースを可能な限り小さくすることができ、棚ユニットU5内へのウエハWの収納枚数の増大、あるいは、ウエハWの収納枚数が少ない場合には装置の小型化が図れる。
The intervals between the plurality of mounting
なお、メインアームA1(A3〜A5)は、同様に構成されており、図4に示すように、回転駆動機構84、水平ガイドレール86及び垂直ガイドレール87に沿って移動するための移動機構85によって、X方向に進退自在,Y方向に移動自在,昇降自在及び鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットU1〜U6の各ユニットや受渡しステージTRS1、液処理ユニットとの間でウエハWの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームA1は、制御部100からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。また、メインアームA1(A3〜A5)の加熱ユニットでの蓄熱を防止するために、ウエハWの受け取り順番をプログラムで任意に制御できるようになっている。
The main arm A1 (A3 to A5) is configured in the same manner, and as shown in FIG. 4, a moving
また、上記処理ブロックS2とインターフェイスブロックS3の隣接する領域には、図1及び図3に示すように、メインアームA1,シャトルアームAがアクセスできる位置に棚ユニットU6が設けられている。この棚ユニットU6は、図3に示すように、各DEV層B1,B2のメインアームA1との間でウエハWの受け渡しを行うように、この例では各DEV層B1,B2は、2個の受渡しステージTRS3を備えている。 Further, in the area adjacent to the processing block S2 and the interface block S3, as shown in FIGS. 1 and 3, a shelf unit U6 is provided at a position where the main arm A1 and the shuttle arm A can access. As shown in FIG. 3, the shelf unit U6 transfers two wafers W to and from the main arm A1 of each DEV layer B1, B2. In this example, each DEV layer B1, B2 has two DEV layers B1, B2. A delivery stage TRS3 is provided.
また、棚ユニットU6の上部には上記棚ユニットU5と同様に、各単位ブロックB1〜B5のメインアームA1,A3〜A5及びシャトルアームAとの間でウエハWの受け渡しを行うように、例えば2個の受渡しステージTRS4,TRS5を備えており、また、単位ブロックB1〜B5に対応すべく複数に区画された収納ブロック10e〜10hを備えると共に、各収納ブロック10e〜10hに、複数の載置棚13、及び反射防止膜形成処理後にウエハWを所定温度に調整するためや、露光処理後に加熱処理されたウエハWを所定温度に調整するための冷却プレート14(CPL9〜CPL16)と、バッファ用の載置棚13を備えている。
Similarly to the shelf unit U5, the upper portion of the shelf unit U6 is, for example, 2 to transfer the wafer W between the main arms A1, A3 to A5 and the shuttle arm A of the unit blocks B1 to B5. Each of the storage blocks 10e to 10h is provided with a plurality of storage blocks 10e to 10h. The storage blocks 10e to 10h include a plurality of mounting shelves. 13 and a cooling plate 14 (CPL9 to CPL16) for adjusting the wafer W to a predetermined temperature after the antireflection film forming process or adjusting the wafer W heated after the exposure process to a predetermined temperature, and a buffer
この場合、第1収納ブロック10eは第1及び第2の単位ブロックB1,B2(DEV層)に対応し、第2収納ブロック10fは第3の単位ブロックB3(BCT層)に対応し、第3収納ブロック10gは第4の単位ブロックB4(COT層)に対応し、第4収納ブロック10hは第5の単位ブロックB5(TCT層)に対応している。
In this case, the first storage block 10e corresponds to the first and second unit blocks B1, B2 (DEV layer), the
また、棚ユニットU6のX方向の背部側には上記基板受渡しアームDと同様の構造の受渡しアームEが配設されており、この受渡しアームEによって各収納ブロック10e〜10hの冷却プレート14,14A(CPL9〜CPL16)や載置棚13に対してウエハWを受渡しすることができるように構成されている。
A delivery arm E having the same structure as the substrate delivery arm D is disposed on the back side in the X direction of the shelf unit U6. The delivery arm E allows the cooling
なお、図8はこれら処理ユニットのレイアウトの一例を示すものであって、このレイアウトは便宜上のものであり、処理ユニットは加熱ユニット(CLHP、PEB、POST),疎水化処理装置(ADH),周縁露光装置(WEE)に限らず、他の処理ユニットを設けるようにしてもよいし、実際の装置では各処理ユニットの処理時間などを考慮してユニットの設置数が決められる。 FIG. 8 shows an example of the layout of these processing units. This layout is for convenience, and the processing units are a heating unit (CLHP, PEB, POST), a hydrophobizing apparatus (ADH), a peripheral edge. In addition to the exposure apparatus (WEE), other processing units may be provided. In an actual apparatus, the number of units installed is determined in consideration of the processing time of each processing unit.
一方、処理ブロックS2における棚ユニットU6の奥側には、インターフェイスブロックS3を介して第2の処理ブロックである露光装置S4が接続されている。インターフェイスブロックS3には、処理ブロックS2のDEV層B1,B2の棚ユニットU6の各部と露光装置S4とに対してウエハWの受け渡しを行うためのインターフェイスアームFを備えている。このインターフェイスアームFは、処理ブロックS2と露光装置S4との間に介在するウエハWの搬送手段をなすものであり、この例では、上記DEV層B1,B2の受渡しステージTRS3に対してウエハWの受け渡しを行うように、水平のX,Y方向及び鉛直のZ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。 On the other hand, an exposure apparatus S4, which is a second processing block, is connected to the back side of the shelf unit U6 in the processing block S2 via an interface block S3. The interface block S3 includes an interface arm F for delivering the wafer W to each part of the shelf unit U6 of the DEV layers B1 and B2 of the processing block S2 and the exposure apparatus S4. The interface arm F serves as a means for transporting the wafer W interposed between the processing block S2 and the exposure apparatus S4. In this example, the interface arm F moves the wafer W to the delivery stage TRS3 of the DEV layers B1 and B2. It is configured to be movable in the horizontal X and Y directions and the vertical Z direction, and to be rotatable about the vertical axis so as to perform delivery.
上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理装置では、5段に積層された各単位ブロックB1〜B5の間で、上述の受渡しアームD,Eにより、それぞれ受渡しステージTRS1〜TRS5を介して、自由にウエハWの受け渡しを行なうことができると共に、上述のインターフェイスアームFにより、現像処理用の単位ブロックB1,B2を介して処理ブロックS2と露光装置S4との間でウエハWの受け渡しを行うことができるように構成されている。 In the resist coating / development processing apparatus configured as described above, between the unit blocks B1 to B5 stacked in five stages, the transfer arms D and E described above pass through the transfer stages TRS1 to TRS5, respectively. The wafer W can be freely transferred and the wafer W can be transferred between the processing block S2 and the exposure apparatus S4 via the development processing unit blocks B1 and B2 by the interface arm F described above. It is configured to be able to.
次に、上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理装置におけるウエハWの搬送処理態様について、図1〜図4、図7及び図8を参照して説明する。なお、ここでは、棚ユニットU5の収納ブロック10a〜10dの最下段の第1収納ブロック10aには、2段の冷却プレートCPL7,CPL8が配置され、その上段の第2収納ブロック10bには、2段の冷却プレートCPL1,CPL2と複数の載置棚13(BUF1)が配置され、その上段の第3収納ブロック10cには、2段の冷却プレートCPL3,CPL4と複数の載置棚13(BUF2)が配置され、そして、その上段すなわち最上段の第4収納ブロック10dには、2段の冷却プレートCPL5,CPL6と複数の載置棚13(BUF3)が配置される場合について説明する。また、棚ユニットU6の収納ブロック10e〜10hの最下段の第1収納ブロック10eには、2段の冷却プレートCPL9,CPL10が配置され、その上段の第2収納ブロック10fには、2段の冷却プレートCPL11,CPL12と複数の載置棚13(BUF1)が配置され、その上段の第3収納ブロック10cには、2段の冷却プレートCPL13,CPL14と複数の載置棚13(BUF2)が配置され、そして、その上段すなわち最上段の第4収納ブロック10dには、2段の冷却プレートCPL15,CPL16と複数の載置棚13(BUF3)が配置される場合について説明する。
Next, the transfer processing mode of the wafer W in the resist coating / developing apparatus configured as described above will be described with reference to FIGS. 1 to 4, 7 and 8. Here, in the lowermost
<レジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理形態>
まず、外部からキャリア20がキャリアブロック21に搬入され、トランスファーアームCによりこのキャリア20内からウエハWが取り出される。ウエハWは、トランスファーアームCから受渡しアームDに受け渡された後、受渡しアームDにより棚ユニットU5の第2収納ブロック10bの冷却プレート14(CPL1)まで搬送され、この冷却プレートCPL1上に載置されて所定の冷却温度例えば室温に温度調整される。その後、BCT層B3のメインアームA3に受け渡される。
<Conveying treatment form in which an antireflection film is formed under the resist film>
First, the
そしてBCT層B3では、メインアームA3により、第1の反射防止膜形成ユニット33→加熱ユニット(CLHP3)→棚ユニットU5の第2収納ブロック10bの載置棚BUF1の順序で搬送されて、第1の反射防止膜が形成される。第2収納ブロック10b内の載置棚BUF1に載置されたウエハWは、受渡しアームDによって第3収納ブロック10cの冷却プレートCPL3(CPL4)に搬送され、この冷却プレートCPL3(CPL4)上に載置されて所定温度(例えば室温)に温度調整される。
In the BCT layer B3, the first antireflection
続いて第3収納ブロック10cのウエハWはメインアームA3により、塗布ユニット32→加熱ユニットCLHP4→棚ユニットU5の第3収納ブロック10cの載置棚BUF2の順序で搬送されて、第1の反射防止膜の上層にレジスト膜が形成される。第3収納ブロック10cの載置棚BUF2に載置されたウエハWは、受渡しアームDによって第3収納ブロック10cの冷却プレートCPL3(CPL4)に搬送され、この冷却プレートCPL3(CPL4)上に載置されて所定温度(例えば室温)に温度調整される。
Subsequently, the wafer W of the
その後、受渡しアームDが棚ユニットU5の第3収納ブロック10cの冷却プレートCPL3(CPL4)に進入してウエハWを受け取り、棚ユニットU5の受渡しステージTRS2に受け渡す。続いてシャトルアームAにより棚ユニットU6の受渡しステージTRS5に搬送される。続いて受渡しステージTRS5のウエハWは、インターフェイスアームFにより露光装置S4に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
Thereafter, the delivery arm D enters the cooling plate CPL3 (CPL4) of the
露光処理後のウエハWは、インターフェイスアームFにより、棚ユニットU6の受渡しステージTRS3→加熱ユニット(PEB1)→棚ユニットU6の冷却プレートCPL9(CPL10)→現像ユニット31→加熱ユニット(POST1)に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハWは、トランスファーアームCにウエハWを受け渡すために、棚ユニットU5の第1収納ブロック10aの冷却プレートCPL7(CPL8)に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームCにより、キャリアブロックS1に載置されている元のキャリア20に戻される。
The wafer W after the exposure processing is transferred by the interface arm F to the delivery stage TRS3 of the shelf unit U6 → the heating unit (PEB1) → the cooling plate CPL9 (CPL10) of the shelf unit U6 → the developing
<レジスト膜の上側に反射防止膜を形成する搬送処理形態>
まず、外部からキャリア20がキャリアブロック21に搬入され、トランスファーアームCによりこのキャリア20内からウエハWが取り出される。ウエハWは、トランスファーアームCにより、棚ユニットU5の受渡しステージTRS1に搬送された後、受渡しアームDにより、棚ユニットU5の第3収納ブロック10cの冷却プレートCPL3まで搬送され、この冷却プレートCPL3上に載置されて所定の冷却温度例えば室温に温度調整される。その後、COT層B4のメインアームA4に受け渡される。そして、ウエハWは、メインアームA4により、疎水化処理ユニット(ADH)→棚ユニットU5の第3収納ブロック10cの冷却プレートCPL4に搬送され、冷却プレートCPL4上に載置されて所定温度(室温)に温度調整される。次に、メインアームA4によって棚ユニットU5から取り出されたウエハWは、塗布ユニット32に搬送されて、塗布ユニット32においてレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハWは、メインアームA4によって加熱ユニット(CLHP4)に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるためのプリベークが施される。その後、ウエハWは、メインアームA4によって棚ユニットU5の第3収納ブロック10cの載置棚BUF2上に収納されて一時待機する。
<Conveying treatment mode in which an antireflection film is formed on the upper side of the resist film>
First, the
続いて第3収納ブロック10cのウエハWは、受渡しアームDによって棚ユニットU5の第4収納ブロック10dの冷却プレートCPL5(CPL6)に搬送され、冷却プレートCPL5(CPL6)上に載置されて所定温度(室温)に温度調整された後、メインアームA5によりTCT層B5のメインアームA5に受け渡される。そして、TCT層B5では、メインアームA5により、第2の反射防止膜形成ユニット34→加熱ユニット(CLHP5)→棚ユニットU5の第4収納ブロック10cの載置棚BUF3の順序で搬送されて、第2の反射防止膜が形成される。なお、この場合、加熱ユニット(CLHP5)による加熱処理後に周辺露光装置(WEE)に搬送して、周辺露光処理を行った後に、棚ユニットU5の第4収納ブロック10cの載置棚BUF3に搬送してもよい。
Subsequently, the wafer W of the
その後、受渡しアームDが棚ユニットU5の第4収納ブロック10dの載置棚BUF3に進入してウエハWを受け取り、棚ユニットU5の受渡しステージTRS2に受け渡す。続いてシャトルアームAにより棚ユニットU6の受渡しステージTRS5に搬送される。続いて受渡しステージTRS5のウエハWは、インターフェイスアームFにより露光装置S4に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
Thereafter, the delivery arm D enters the mounting shelf BUF3 of the
露光処理後のウエハWは、インターフェイスアームFにより、棚ユニットU6の受渡しステージTRS3→加熱ユニット(PEB1)→棚ユニットU6の冷却プレートCPL9(CPL10)→現像ユニット31→加熱ユニット(POST1)に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハWは、トランスファーアームCにウエハWを受け渡すために、棚ユニットU5の第1収納ブロック10aの冷却プレートCPL7(CPL8)に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームCにより、キャリアブロックS1に載置されている元のキャリア20に戻される。
The wafer W after the exposure processing is transferred by the interface arm F to the delivery stage TRS3 of the shelf unit U6 → the heating unit (PEB1) → the cooling plate CPL9 (CPL10) of the shelf unit U6 → the developing
上記説明では、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理形態と、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理形態について説明したが、その他の搬送処理形態例えば、レジスト膜の下側及び上側に反射防止膜を形成する搬送処理形態や反射防止膜無しの搬送処理形態についても上記の搬送処理形態の各工程を組み合わせてウエハWに処理を施すことができる。 In the above description, the conveyance processing mode in which the antireflection film is formed below the resist film and the conveyance processing mode in which the antireflection film is formed below the resist film have been described. With respect to the transfer processing mode in which the antireflection film is formed on the lower side and the upper side and the transfer processing mode without the antireflection film, the wafer W can be processed by combining the steps of the transfer processing mode.
以上において、上述の塗布・現像処理装置は、各処理ユニットのレシピの管理や、ウエハWの搬送フロー(搬送経路)のスケジュール管理や、各処理ユニットにおける処理や、メインアームA1,A3〜A5、トランスファーアームC、受渡しアームD,E、インターフェイスアームFの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部100を備えており、この制御部100にて、単位ブロックB1〜B5を使用してウエハWを搬送させ、処理が行われるようになっている。
In the above, the coating / development processing apparatus described above manages the recipe of each processing unit, schedule management of the transfer flow (transfer path) of the wafer W, processing in each processing unit, main arms A1, A3 to A5, A
上記搬送フローのスケジュールは単位ブロック内のウエハWの搬送経路(搬送の順番)を指定したものであり、単位ブロックB1〜B5毎に、形成する塗布膜の種類に応じて作成され、これにより単位ブロックB1〜B5毎に複数個の搬送フローのスケジュールが制御部100に格納されている。
The transfer flow schedule designates the transfer path (transfer order) of the wafers W in the unit block, and is created for each of the unit blocks B1 to B5 according to the type of coating film to be formed. A plurality of transport flow schedules are stored in the
また、形成する塗布膜によって、全ての単位ブロックB1〜B5にウエハWを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック(DEV層B1,B2)とレジスト液の塗布を行なう単位ブロック(COT層B4)と第1の反射防止膜を形成するための単位ブロック(BCT層B3)とにウエハWを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック(DEV層B1,B2)とレジスト液の塗布を行なう単位ブロック(COT層B4)と第2の反射防止膜を形成するための単位ブロック(TCT層B5)とにウエハWを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック(DEV層B1,B2)のみにウエハWを搬送するモードとがあり、制御部100のモード選択手段により、形成しようとする塗布膜の種類に応じてウエハWを搬送する単位ブロックを選択すると共に、かつ選択された単位ブロック毎に用意された複数の搬送フローのスケジュールから最適なレシピを選択することにより、形成する塗布膜に応じて使用する単位ブロックが選択されて、当該単位ブロックでは、各処理ユニットやアームの駆動が制御され、一連の処理が行われるようになっている。
Further, depending on the coating film to be formed, a mode in which the wafer W is transferred to all the unit blocks B1 to B5, a unit block (DEV layer B1, B2) for performing development processing, and a unit block (COT layer B4) for applying a resist solution. ) And a unit block (BCT layer B3) for forming the first antireflection film, a mode in which the wafer W is conveyed, and a unit block (DEV layers B1 and B2) for performing development processing and a resist solution are applied. Only the mode for transporting the wafer W to the unit block (COT layer B4) and the unit block (TCT layer B5) for forming the second antireflection film, and the unit blocks (DEV layers B1, B2) for performing development processing There is a mode in which the wafer W is transferred, and the mode selection unit of the
このような塗布・現像処理装置では、キャリアブロックS1と処理ブロックS2との間、及び処理ブロックS2と第2の処理ブロックS4(露光装置)との間に、夫々メインアームA1〜A5又は受渡しアームD,Eから受け取ったウエハWを載置して冷却する、支持ピンを不要とする冷却プレート14を具備する棚ユニットU5,U6(基板収納部)を設けるので、支持ピンの昇降時間を省くことができると共に、冷却プレート14による冷却時間を延ばすことができる。したがって、スループットの向上及び処理精度の向上が図れる。また、支持ピンの駆動機構の削減ができるため、冷却プレート14の故障リスクが減り、メンテナンスを容易にすることができ、かつ冷却プレート14の高さ方向のスペースを小さくすることができ、装置の小型化が図れる。
In such a coating / development processing apparatus, main arms A1 to A5 or delivery arms are provided between the carrier block S1 and the processing block S2 and between the processing block S2 and the second processing block S4 (exposure apparatus), respectively. Since the shelf units U5 and U6 (substrate storage units) including the
更にまた、冷却プレート14は、冷媒流体の供給流路61及び排出流路62を有するベースブロック60の上部に、供給流路61及び排出流路62に連通する冷媒流路63を有する冷却プレート本体64の必要数を積層固定してなるので、冷却プレート14の搭載数を増やすことができ、生産性の向上を図ることができる。
Furthermore, the cooling
また、上記実施形態では、この発明に係る基板搬送処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムに適用した場合について説明したが、この発明に係る基板搬送処理装置は、FPD基板のレジスト塗布・現像処理システムにも適用できることは勿論である。 In the above embodiment, the case where the substrate transfer processing apparatus according to the present invention is applied to a resist coating / development processing system for a semiconductor wafer has been described. Of course, the present invention can also be applied to a development processing system.
W 半導体ウエハ(基板)
A シャトルアーム(基板搬送手段)
A1,A3〜A5 メインアーム(基板搬送手段)
B1,B2 第1,第2の単位ブロック(DEV層)
B3 第3の単位ブロック(BCT層)
B4 第4の単位ブロック(COT層)
B5 第5の単位ブロック(TCT層)
C トランスファーアーム
D,E 受渡しアーム(基板受渡し手段)
S1 キャリアブロック
S2 処理ブロック
R1,R3〜R5 搬送領域
R2 受渡し領域
U1〜U4 棚ユニット(処理ユニット)
U5,U6 棚ユニット(基板収納部)
10a〜10d 収納ブロック
11,12 開口部
13 載置棚
14 冷却プレート(CPL1〜CPL6,CPL11〜CPL16)
14A 冷却プレート(受渡しプレート)(CPL7,CPL8,CPL9,CPL10)
20 キャリア
31 現像ユニット(処理ユニット)
32 塗布ユニット(処理ユニット)
33 第1の反射防止膜形成ユニット(処理ユニット)
34 第2の反射防止膜形成ユニット(処理ユニット)
60 ベースブロック
61,61a 供給流路
62,62a 排出流路
63 冷媒流路
64 冷却プレート本体
64f 吸着用孔
65 封止プレート
66 連結ボルト(連結部材)
67 基板吸着プレート
67d 吸引流路
67e 流路溝
67f 拡開段部
67g 閉塞蓋
67h 吸引孔
67i ドーナツ状パッキン
68 筒状接続部材
69 Oリング(シール部材)
71 供給配管
72 排出配管
73 吸引配管
74a,74b 貫通孔
75 取付孔
77 ベースプレート
W Semiconductor wafer (substrate)
A Shuttle arm (substrate transfer means)
A1, A3 to A5 main arm (substrate transfer means)
B1, B2 First and second unit blocks (DEV layer)
B3 Third unit block (BCT layer)
B4 Fourth unit block (COT layer)
B5 Fifth unit block (TCT layer)
C Transfer arm D, E Delivery arm (substrate delivery means)
S1 Carrier block S2 Processing blocks R1, R3 to R5 Transport area R2 Delivery area U1 to U4 Shelf unit (processing unit)
U5, U6 shelf unit (board storage)
10a-
14A Cooling plate (delivery plate) (CPL7, CPL8, CPL9, CPL10)
20
32 Coating unit (processing unit)
33 First antireflection film forming unit (processing unit)
34 Second antireflection film forming unit (processing unit)
67
71 Supply piping 72 Discharge piping 73 Suction piping 74a, 74b Through
Claims (12)
上記キャリアから取り出された基板に加熱処理を含む適宜処理を施す処理ユニットを具備する処理ブロックと、
上記処理ブロック内において上記キャリアブロックから搬送された基板を上記処理ユニットに受け渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板搬送手段と、
上記キャリアブロックと処理ブロックの間に配置され、複数の基板を収納可能な基板収納部と、
上記キャリアブロックとの間で基板が受け渡し可能であって、上記基板収納部に基板を受渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板受渡し手段と、を具備し、
上記基板収納部は、上記基板搬送手段又は基板受渡し手段から受け取った基板を載置して冷却する冷却プレートと、基板の受渡しに供される受渡しプレートとを具備し、
上記基板搬送手段及び基板受渡し手段は、2つの湾曲アーム片により略馬蹄形状に形成されると共に、上記湾曲アーム片の先端側下部及び基端側下部に夫々基板を支持する複数の支持爪が設けられ、
上記冷却プレートは、冷媒流体の供給流路及び排出流路を有するベースブロックと、該ベースブロックの上部に積層されると共に供給流路及び排出流路に夫々連通する供給流路と排出流路が設けられた取付基部と、上記供給流路及び排出流路に連通する冷媒流路を有すると共に、上記基板搬送手段及び基板受渡し手段の2つの湾曲アーム片間より小径に形成され、かつ、外周に上記支持爪の昇降移動の干渉を回避するための切欠きが設けられた円板部とを有する1又は複数の冷却プレート本体と、上記ベースブロックの上面に積層される上記取付基部の上面に被着されて上記供給流路及び排出流路を塞ぐと共に、上記冷却プレート本体を上記ベースブロックと協働して挟持する封止プレートと、を具備してなる、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 A carrier block for arranging a carrier capable of accommodating a plurality of substrates;
A processing block including a processing unit that performs an appropriate process including a heating process on the substrate taken out of the carrier;
Substrate transporting means capable of moving at least in the vertical and horizontal directions for transferring the substrate transported from the carrier block to the processing unit in the processing block;
A substrate storage unit disposed between the carrier block and the processing block and capable of storing a plurality of substrates;
Substrate delivery means capable of delivering a substrate to and from the carrier block, and delivering the substrate to the substrate storage unit, which is movable at least in a vertical direction and a horizontal direction, and
The substrate storage unit includes a cooling plate for placing and cooling the substrate received from the substrate transport unit or the substrate delivery unit, and a delivery plate used for delivering the substrate,
The substrate transfer means and the substrate transfer means are formed in a substantially horseshoe shape by two curved arm pieces, and a plurality of support claws for supporting the substrate are provided at the lower end side and the lower base side of the curved arm piece, respectively. And
The cooling plate includes a base block having a refrigerant fluid supply channel and a discharge channel, and a supply channel and a discharge channel that are stacked on the base block and communicate with the supply channel and the discharge channel, respectively. It has a mounting base portion provided, a refrigerant flow path communicating with the supply flow path and the discharge flow path, is formed to have a smaller diameter than between the two curved arm pieces of the substrate transport means and the substrate transfer means, and on the outer periphery. One or a plurality of cooling plate bodies having a disc portion provided with a notch for avoiding interference of the support claw's up-and-down movement, and an upper surface of the mounting base portion stacked on the upper surface of the base block. A sealing plate that is attached and closes the supply flow path and the discharge flow path, and sandwiches the cooling plate body in cooperation with the base block;
A substrate transfer processing apparatus.
上記キャリアから取り出された基板に加熱処理を含む適宜処理を施す処理ユニットを具備する処理ブロックと、
基板に適宜処理を施す第2の処理ブロックと、
上記処理ブロック内において上記キャリアブロックから搬送された基板を上記処理ユニットに受け渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板搬送手段と、
上記キャリアブロックと処理ブロックの間、及び上記処理ブロックと上記第2の処理ブロックとの間に配置され、複数の基板を収納可能な基板収納部と、
上記キャリアブロックとの間で基板が受け渡し可能であって、上記基板収納部に基板を受渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板受渡し手段と、を具備し、
上記基板収納部は、上記基板搬送手段又は基板受渡し手段から受け取った基板を載置して冷却する冷却プレートと、基板の受渡しに供される受渡しプレートとを具備し、
上記基板搬送手段及び基板受渡し手段は、2つの湾曲アーム片により略馬蹄形状に形成されると共に、上記湾曲アーム片の先端側下部及び基端側下部に夫々基板を支持する複数の支持爪が設けられ、
上記冷却プレートは、冷媒流体の供給流路及び排出流路を有するベースブロックと、該ベースブロックの上部に積層されると共に供給流路及び排出流路に夫々連通する供給流路と排出流路が設けられた取付基部と、上記供給流路及び排出流路に連通する冷媒流路を有すると共に、上記基板搬送手段及び基板受渡し手段の2つの湾曲アーム片間より小径に形成され、かつ、外周に上記支持爪の昇降移動の干渉を回避するための切欠きが設けられた円板部とを有する1又は複数の冷却プレート本体と、上記ベースブロックの上面に積層される上記取付基部の上面に被着されて上記供給流路及び排出流路を塞ぐと共に、上記冷却プレート本体を上記ベースブロックと協働して挟持する封止プレートと、を具備してなる、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 A carrier block for arranging a carrier capable of accommodating a plurality of substrates;
A processing block including a processing unit that performs an appropriate process including a heating process on the substrate taken out of the carrier;
A second processing block for appropriately processing the substrate;
Substrate transporting means capable of moving at least in the vertical and horizontal directions for transferring the substrate transported from the carrier block to the processing unit in the processing block;
A substrate storage unit disposed between the carrier block and the processing block, and between the processing block and the second processing block, and capable of storing a plurality of substrates;
Substrate delivery means capable of delivering a substrate to and from the carrier block, and delivering the substrate to the substrate storage unit, which is movable at least in a vertical direction and a horizontal direction, and
The substrate storage unit includes a cooling plate for placing and cooling the substrate received from the substrate transport unit or the substrate delivery unit, and a delivery plate used for delivering the substrate,
The substrate transfer means and the substrate transfer means are formed in a substantially horseshoe shape by two curved arm pieces, and a plurality of support claws for supporting the substrate are provided at the lower end side and the lower base side of the curved arm piece, respectively. And
The cooling plate includes a base block having a refrigerant fluid supply channel and a discharge channel, and a supply channel and a discharge channel that are stacked on the base block and communicate with the supply channel and the discharge channel, respectively. It has a mounting base portion provided, a refrigerant flow path communicating with the supply flow path and the discharge flow path, is formed to have a smaller diameter than between the two curved arm pieces of the substrate transport means and the substrate transfer means, and on the outer periphery. One or a plurality of cooling plate bodies having a disc portion provided with a notch for avoiding interference of the support claw's up-and-down movement, and an upper surface of the mounting base portion stacked on the upper surface of the base block. A sealing plate that is attached and closes the supply flow path and the discharge flow path, and sandwiches the cooling plate body in cooperation with the base block;
A substrate transfer processing apparatus.
上記ベースブロック、冷却プレート本体の取付基部及び封止プレートを連結部材によって着脱可能に連結してなる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。 In the substrate transfer processing apparatus according to claim 1 or 2,
A substrate transfer processing apparatus, wherein the base block, the mounting base of the cooling plate main body , and the sealing plate are detachably connected by a connecting member.
上記ベースブロックと冷却プレート本体の取付基部間における供給流路部及び排出流路部と、上記冷却プレート本体の取付基部と封止プレート間における供給流路部及び排出流路部に、夫々シール部材を介在してなる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。 In the board | substrate conveyance processing apparatus in any one of Claim 1 thru | or 3,
A supply channel portion and the discharge flow path portion between the mounting base of the base block and the cooling plate body, the supply channel section and the discharge flow path portion between the mounting base and the sealing plate of the cooling plate body, respectively seal member A substrate transfer processing apparatus characterized by comprising an intervening material.
上記基板収納部は、上記冷却プレート本体の裏面に着脱可能に装着される基板吸着プレートを更に具備し、
上記基板吸着プレートは、上記ベースブロックに設けられた供給流路及び排出流路と上記冷却プレート本体の冷媒流路とを連通する貫通孔を設けると共に、上記冷却プレート本体に設けられた吸着用孔に連通する吸引流路を設けてなる、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 The substrate transfer processing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The substrate storage unit further includes a substrate suction plate that is detachably mounted on the back surface of the cooling plate body,
The substrate suction plate has a through-hole that communicates the supply flow path and the discharge flow path provided in the base block with the coolant flow path of the cooling plate body, and the suction hole provided in the cooling plate body. A suction flow path communicating with the
A substrate transfer processing apparatus.
上記基板吸着プレートの貫通孔に貫装される筒状の接続部材と、上記ベースブロック及び冷却プレート本体の取付基部との間に、夫々シール部材を介在して供給流路部及び排出流路部を気水密に形成してなる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。 The substrate transfer processing apparatus according to claim 5, wherein
A supply flow path section and a discharge flow path section with a sealing member interposed between the cylindrical connection member inserted into the through hole of the substrate suction plate and the mounting base of the base block and the cooling plate main body , respectively. Is formed in a gas-tight manner.
上記基板吸着プレートの吸引流路は、基板吸着プレートの上面に設けられた流路溝と、該流路溝の開口端に形成された拡開段部内に敷設される閉塞蓋とで構成され、上記閉塞蓋に設けられた吸引孔にシール部材を介して冷却プレート本体の吸着用孔に連通してなる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。 The substrate transfer processing apparatus according to claim 5, wherein
The suction channel of the substrate suction plate is composed of a channel groove provided on the upper surface of the substrate suction plate, and a closing lid laid in an expansion step formed at the opening end of the channel groove, A substrate transfer processing apparatus, wherein the suction hole provided in the closing lid communicates with the suction hole of the cooling plate body through a seal member.
上記冷却プレートのベースブロックと、該ベースブロックに設けられた供給流路及び排出流路に接続する配管部をベースプレートに固定して一体に形成し、
上記冷却プレートを一体化した上記ベースプレートを、基板収納部を構成する枠体に対して引出可能に装着してなる、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 In the board | substrate conveyance processing apparatus in any one of Claim 1 thru | or 7,
A base block of the cooling plate and a pipe portion connected to a supply flow path and a discharge flow path provided in the base block are fixed to the base plate and integrally formed,
The base plate integrated with the cooling plate is mounted so as to be able to be pulled out with respect to a frame constituting the substrate storage unit.
A substrate transfer processing apparatus.
上記基板収納部は、複数の基板を収納可能な基板収納棚を更に具備してなる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。 The substrate transfer processing apparatus according to any one of claims 1 to 8,
The substrate storage processing apparatus, wherein the substrate storage unit further includes a substrate storage shelf capable of storing a plurality of substrates.
上記処理ブロックは、基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成する塗布膜形成用処理ユニット,基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成用処理ユニット及び基板を加熱処理する加熱処理ユニットを具備する、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 In the substrate transfer processing apparatus according to claim 1 or 3 to 9,
The processing block includes a coating film forming processing unit for forming a coating film including a resist film on a substrate, an antireflection film forming processing unit for applying a chemical solution for the antireflection film to the substrate, and heating for heating the substrate. Comprising a processing unit,
A substrate transfer processing apparatus.
上記処理ブロックは、基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成する塗布膜形成用処理ユニット,基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成用処理ユニット及び基板を加熱処理する加熱処理ユニットを具備し、
上記第2の処理ブロックは、露光装置を具備する、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 The substrate transfer processing apparatus according to any one of claims 2 to 9,
The processing block includes a coating film forming processing unit for forming a coating film including a resist film on a substrate, an antireflection film forming processing unit for applying a chemical solution for the antireflection film to the substrate, and heating for heating the substrate. A processing unit;
The second processing block includes an exposure apparatus.
A substrate transfer processing apparatus.
上記処理ブロックは、塗布膜形成用処理ユニットと加熱処理ユニットとを基板搬送手段の水平移動領域によって区画される塗布膜形成用単位ブロックと、塗布膜の下側に反射防止膜を形成する第1の反射防止膜形成用ユニットと加熱処理ユニットとを上記基板搬送手段の水平移動領域によって区画される第1の反射防止膜形成用単位ブロック、及び塗布膜の上側に反射防止膜を形成する第2の反射防止膜形成用ユニットと加熱処理ユニットとを上記基板搬送手段の水平移動領域によって区画される第2の反射防止膜形成用単位ブロックを積層し、
上記基板収納部は、上記塗布膜形成用単位ブロック,第1の反射防止膜形成用単位ブロック及び第2の反射防止膜形成用単位ブロックに対応すべく複数に区画された収納ブロックを具備すると共に、各収納ブロックに複数の載置棚、及び冷却プレートを具備する、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。 The substrate transfer processing apparatus according to claim 10 or 11,
The processing block includes a coating film forming unit block in which the coating film forming processing unit and the heat processing unit are partitioned by a horizontal movement region of the substrate transfer means, and a first antireflection film is formed below the coating film. A first antireflection film forming unit block defined by a horizontal movement region of the substrate transport means and a second antireflection film formed on the upper side of the coating film. The antireflection film forming unit and the heat treatment unit are laminated with a second antireflection film forming unit block defined by a horizontal movement region of the substrate transfer means,
The substrate storage unit includes a storage block that is divided into a plurality of sections so as to correspond to the coating film forming unit block, the first antireflection film forming unit block, and the second antireflection film forming unit block. , Each storage block comprises a plurality of mounting shelves and cooling plates;
A substrate transfer processing apparatus.
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