JP4774201B2 - Package molded body and semiconductor device - Google Patents

Package molded body and semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP4774201B2
JP4774201B2 JP2004207950A JP2004207950A JP4774201B2 JP 4774201 B2 JP4774201 B2 JP 4774201B2 JP 2004207950 A JP2004207950 A JP 2004207950A JP 2004207950 A JP2004207950 A JP 2004207950A JP 4774201 B2 JP4774201 B2 JP 4774201B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
component
molded body
package molded
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2004207950A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005136378A (en
Inventor
雅史 蔵本
智也 月岡
倫英 三木
信太郎 中島
学 津村
正仁 井手
克哉 大内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Kaneka Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Kaneka Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp, Kaneka Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2004207950A priority Critical patent/JP4774201B2/en
Publication of JP2005136378A publication Critical patent/JP2005136378A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4774201B2 publication Critical patent/JP4774201B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

本発明は、パッケージ成形体及び半導体装置に関し、より詳細には、半導体素子として発光素子を載置した際の樹脂の劣化等を抑えることができるパッケージ成形体及びこれを用いた半導体装置に関する。   The present invention relates to a package molded body and a semiconductor device, and more particularly to a package molded body capable of suppressing deterioration of a resin when a light emitting element is mounted as a semiconductor element, and a semiconductor device using the package molded body.

従来から、半導体素子である表面実装型発光ダイオードとして、酸化チタン等の顔料にて高反射化された熱可塑性樹脂が、ハウジング材料として用いられており、このハウジング材料が、リードフレーム材と一体型に射出成形されてパッケージ成形体が形成されている。また、熱可塑性樹脂からなるパッケージ成形体を、リードパターンを有するガラスエポキシ基板等と張り合わせたもの等も使用されている(特許文献1及び2)。   Conventionally, as a surface-mounted light-emitting diode, which is a semiconductor element, a thermoplastic resin highly reflected by a pigment such as titanium oxide has been used as a housing material. This housing material is integrated with a lead frame material. The package molded body is formed by injection molding. In addition, a package molded body made of a thermoplastic resin, which is bonded to a glass epoxy substrate having a lead pattern or the like is used (Patent Documents 1 and 2).

このような発光ダイオードは、高反射熱可塑性樹脂によるリフレクター部を有し、かつリードフレーム材の表面を銀メッキ等の可視領域部反射率の高い材料で覆うことにより、効率よく発光をダイス正面へ取り出すことができる。
また、熱可塑性樹脂という安価な材料を用い、射出成形という生産性に優れた工程を経るため、パッケージにかかるコストを低減することができるとともに、熱可塑性樹脂はリサイクルが可能なため、環境面での優位性をも有している。
特開2000−150966号公報 特開2001−168398号公報
Such a light emitting diode has a reflector portion made of a highly reflective thermoplastic resin, and covers the surface of the lead frame material with a material having a high visible region reflectance such as silver plating, thereby efficiently emitting light to the front of the die. It can be taken out.
In addition, since an inexpensive material called thermoplastic resin is used and an excellent process called injection molding is performed, the cost of the package can be reduced, and the thermoplastic resin can be recycled. It also has the advantage of.
JP 2000-150966 A JP 2001-168398 A

一般に、パッケージ成形体に使用される熱可塑性樹脂は、液晶ポリマー、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリフタルアミド(PPA)等の耐熱性ポリマーとして知られている材料である。
しかし、発光ダイオードが高出力化して、発生する熱や光が増大するとともに、チップをパッケージにダイボンド実装する際の加熱等、製造工程中の熱履歴影響と発光ダイオードを回路基板へ実装する際に鉛フリー半田を用いることに起因して、その工程が高温化するため、何れの耐熱性ポリマーを用いても、その耐光性、耐熱黄変性が十分ではない。
In general, the thermoplastic resin used for the package molded body is a material known as a heat-resistant polymer such as liquid crystal polymer, polyphenylene sulfide (PPS), polyphthalamide (PPA).
However, as the output of the light emitting diode increases, the generated heat and light increase, and the influence of heat history during the manufacturing process, such as heating when the chip is die-bonded to the package, and when the light emitting diode is mounted on the circuit board Due to the use of lead-free solder, the temperature of the process increases, so that any heat-resistant polymer is not sufficient in light resistance and heat yellowing.

特に、500nm以下の発光ピークを有する発光ダイオードチップをパッケージする場合、パッケージ成形体に使用される樹脂は、白色顔料を添加しているにもかかわらず、基材樹脂本来の色相の影響もあり、この波長領域では反射率が低下しており、光吸収が増大することに起因して、その光によって、容易にその表面が劣化する。
また、これら熱可塑性樹脂の表面の光劣化が進行すると、他材料と剥離しやすくなる傾向にあり、素子の信頼性に致命的な欠陥を招く。
In particular, when a light emitting diode chip having an emission peak of 500 nm or less is packaged, the resin used for the package molded body also has an influence on the original hue of the base resin, although a white pigment is added, In this wavelength region, the reflectance is lowered, and the surface is easily deteriorated by the light due to the increased light absorption.
Further, as the photodegradation of the surface of these thermoplastic resins progresses, it tends to peel off from other materials, leading to a fatal defect in device reliability.

本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、発光ダイオードの光出力の低下を招くことなく、パッケージ成形体の耐光性、耐熱黄変性を向上させることができるパッケージ成形体及び半導体装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a package molded body and a semiconductor device capable of improving the light resistance and heat yellowing of the package molded body without causing a decrease in light output of the light emitting diode. For the purpose.

本発明のパッケージ成形体は、半導体素子を載置するための底部と該底部を囲う側部とを備えるパッケージ成形体であって、前記底部における前記半導体素子の載置領域の外縁から離れた位置に壁部を有し、該壁部の外側における底部と側部とが、コーティング部材によって被覆されていることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記パッケージ成形体と、該パッケージ成形体の載置領域に載置された半導体素子とからなり、半導体素子とコーティング部材とが離間されてなることを特徴とする。
The package molded body of the present invention is a package molded body having a bottom part for mounting a semiconductor element and a side part surrounding the bottom part, and a position away from the outer edge of the mounting area of the semiconductor element in the bottom part And a bottom portion and a side portion outside the wall portion are covered with a coating member.
According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising the package molded body and a semiconductor element mounted on a mounting region of the package molded body, wherein the semiconductor element and the coating member are separated from each other. .

本発明のパッケージ成形体によれば、底部に壁部が形成され、この壁部の外側における底部と側部とがコーティング部材によって被覆されていることにより、半導体素子から照射される光によるパッケージ成形体自体の黄変、劣化を防止することができる。また、底部に壁部を有していることにより、コーティング部材が半導体素子の側面及び上面に接触することを確実に防止することができ、コーティング部材の半導体素子側面及び上面の被覆に起因する光出力の低下を防止することが可能となる。   According to the package molded body of the present invention, the wall portion is formed at the bottom portion, and the bottom portion and the side portion outside the wall portion are covered with the coating member, so that the package is formed by the light irradiated from the semiconductor element. It can prevent yellowing and deterioration of the body itself. In addition, since the wall portion is provided at the bottom, the coating member can be reliably prevented from coming into contact with the side surface and the top surface of the semiconductor element. It is possible to prevent a decrease in output.

また、本発明の半導体装置によれば、半導体素子をパッケージ成形体に搭載した際に、半導体素子の側面や上面を、コーティング部材と離間させ、接触しないように配置することができるために、半導体素子の側面及び上面から照射される光を有効に取り出すことが可能となる。さらに、コーティング部材によって、パッケージ成形体の黄変、劣化を防止することができ、高信頼性及び高性能の半導体装置を提供することができる。   In addition, according to the semiconductor device of the present invention, when the semiconductor element is mounted on the package molded body, the side surface and the upper surface of the semiconductor element can be separated from the coating member and disposed so as not to contact the semiconductor element. Light emitted from the side surface and the upper surface of the element can be effectively extracted. Furthermore, the coating member can prevent yellowing and deterioration of the molded package, and can provide a highly reliable and high performance semiconductor device.

本発明のパッケージ成形体は、半導体素子を載置するための底部と、この底部を囲う側部とを備え、さらに、底部における半導体素子の載置領域の外縁から離れた位置の外側と側部とがコーティング部材によって被覆されて構成される。
ここで、半導体素子としては、主として発光素子を意味するが、その他、発光素子を過電圧による破壊から保護するための保護素子等の半導体を用いて作製された素子のいずれが含まれていてもよい。
The package molded body of the present invention includes a bottom portion for mounting a semiconductor element and a side portion surrounding the bottom portion, and further, an outer side and a side portion at a position away from the outer edge of the semiconductor element mounting region at the bottom portion. Are covered with a coating member.
Here, the semiconductor element mainly means a light-emitting element, but may include any element manufactured using a semiconductor such as a protective element for protecting the light-emitting element from destruction due to overvoltage. .

パッケージ成形体は、通常、有底状又は部分的な有底状であって、底部を囲うように底部から側部が延設されており、底部に対向する領域が開放された容器として形成されている。パッケージ成形体は、公知の材料、通常、耐熱性樹脂である熱可塑性エンジニアリングポリマー、熱硬化性樹脂等の1種又は2種以上を組み合わせて形成することができる。例えば、液晶ポリマー(LCP)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、芳香族ナイロン(PPA)、エポキシ樹脂、硬質シリコーンレジン等が挙げられる。なかでも、熱可塑性エンジニアリングポリマーがコスト面で適当である。また、これらの樹脂には、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、シリカ、チタン酸バリウム、リン酸カルシウム、炭酸カルシウム、ホワイトカーボン、タルク、炭酸マグネシウム、窒化ホウ素、グラスファイバー等の無機フィラー等の1種又は2種以上が組み合わせられて添加されていてもよい。さらに、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤等の添加剤が適宜添加されていてもよい。例えば、樹脂100重量部に対して、無機フィラー等が10〜80重量部、好ましくは40〜80重量部添加されていることが適当である。   The package molded body is usually formed as a container having a bottomed shape or a partial bottomed shape, with side portions extending from the bottom so as to surround the bottom, and a region facing the bottom being opened. ing. The package molded body can be formed by combining one kind or two or more kinds of known materials, usually thermoplastic engineering polymers which are heat-resistant resins, thermosetting resins and the like. Examples thereof include liquid crystal polymer (LCP), polyphenylene sulfide (PPS), aromatic nylon (PPA), epoxy resin, and hard silicone resin. Among these, a thermoplastic engineering polymer is appropriate in terms of cost. These resins include one or two of inorganic fillers such as titanium oxide, zinc oxide, alumina, silica, barium titanate, calcium phosphate, calcium carbonate, white carbon, talc, magnesium carbonate, boron nitride, and glass fiber. More than one species may be added in combination. Furthermore, additives such as an antioxidant, a heat stabilizer, and a light stabilizer may be appropriately added. For example, it is appropriate that 10 to 80 parts by weight, preferably 40 to 80 parts by weight of an inorganic filler is added to 100 parts by weight of the resin.

パッケージ成形体は、例えば、材料の種類等に応じて、射出成形、押し出し成形、圧縮成形、注型成形、トランスファー成形、真空成形、積層成形等の当該分野で公知の方法により形成することができる。
パッケージ成形体の形状は、特に限定されるものではなく、底部の投影形状が、円、楕円、四角形、多角形又は略これらに対応する形状等、種々のものが挙げられる。また、その大きさは特に限定されるものではなく、例えば、0.05mm2〜100mm2が挙げられる。底部を囲うように底部から延設される側部は、必ずしも明確に底部と区別できるように形成されていなくてもよく、底部から傾斜を有して(例えば、5〜90°程度)立ち上がりがあればよい。側部の高さは、例えば、100μm〜10mm程度が挙げられる。
The package molded body can be formed by a method known in the art such as injection molding, extrusion molding, compression molding, cast molding, transfer molding, vacuum molding, and lamination molding depending on the type of material. .
The shape of the package molded body is not particularly limited, and various shapes such as a circle, an ellipse, a quadrangle, a polygon, or a shape substantially corresponding to these may be used as the projected shape of the bottom. Moreover, the magnitude | size is not specifically limited, For example, 0.05 mm2-100 mm2 is mentioned. The side portion extending from the bottom portion so as to surround the bottom portion does not necessarily have to be formed so as to be clearly distinguishable from the bottom portion, and has an inclination from the bottom portion (for example, about 5 to 90 °) and rises. I just need it. As for the height of a side part, about 100 micrometers-about 10 mm are mentioned, for example.

また、パッケージ成形体は、その底部において、半導体素子の載置領域の外縁から離れた位置に壁部が形成されている。壁部は、外縁の全周に設けることが適当であるが、その一部に設けてもよい。壁部と外縁との距離は、特に限定されるものではなく、半導体素子がパッケージ成形体に載置された際に、半導体素子と壁部とが接触しない範囲で、できる限り近接していることが好ましい。壁部の形状及び高さは、後述するようにコーティング部材が、半導体素子に接触しない状態を確保することができるのであれば、特に限定されるものではない。例えば、(i)壁部として略平坦な底部に凸部が形成されていてもよいし、(ii)略平坦な底部に凹部が形成され、この凹部の側面が壁部として形成されていてもよいし、(iii)略平坦な底部に凹部が形成され、この凹部の側面に連続して凸部が配置することにより壁部が形成されていてもよい。壁部の構成材料は、パッケージ成形体を構成する材料、つまり上述した耐熱性樹脂であってもよいし、他の材料、例えば、後述する金属基体の一部等であってもよい。なお、凹部が形成される場合には、凹部の大きさ及び形状が、半導体素子、特に発光素子を凹部内に収納することができる形状、大きさであることが好ましい。また、凹部の高さは特に限定されるものではなく、半導体素子の厚さよりも大きくても小さくてもよい。   Further, the package molded body has a wall portion formed at a position away from the outer edge of the semiconductor element mounting region at the bottom. The wall is suitably provided on the entire periphery of the outer edge, but may be provided on a part thereof. The distance between the wall portion and the outer edge is not particularly limited, and when the semiconductor element is placed on the package molded body, the distance between the semiconductor element and the wall portion is as close as possible. Is preferred. The shape and height of the wall are not particularly limited as long as the coating member can ensure that the coating member does not contact the semiconductor element, as will be described later. For example, (i) a convex portion may be formed on the substantially flat bottom portion as the wall portion, or (ii) a concave portion may be formed on the substantially flat bottom portion, and a side surface of the concave portion may be formed as the wall portion. Alternatively, (iii) a concave portion may be formed on the substantially flat bottom portion, and the wall portion may be formed by disposing the convex portion continuously on the side surface of the concave portion. The constituent material of the wall portion may be a material constituting the package molded body, that is, the above-described heat-resistant resin, or another material, for example, a part of a metal substrate described later. In addition, when a recessed part is formed, it is preferable that the magnitude | size and shape of a recessed part are a shape and a magnitude | size which can accommodate a semiconductor element, especially a light emitting element in a recessed part. Further, the height of the recess is not particularly limited, and may be larger or smaller than the thickness of the semiconductor element.

本発明のパッケージ成形体は、半導体素子をパッケージ成形体上に載置した際に、半導体素子、特に発光素子に接触しないように、底部の一部と側部の全面が、コーティング部材によって被覆されている。このようにコーティング部材によって被覆するためには、例えば、コーティング部材の表面張力、粘度等を利用するか、パッケージ成形体等とコーティング部材との濡れ性を利用するか、あるいは、上述したように壁部を利用することが適当である。なお、コーティング部材は、半導体素子、特に発光素子から照射される光を吸収するのみでなく、反射、散乱、拡散等させることにより、光を外部に効率よく取り出させる機能を有するものである。言い換えると、コーティング部材を備えていないパッケージ成形体の壁部の外側における底部と側部等に対して、このコーティング部材を備えることにより、半導体素子から照射される光の反射を高める機能を有する。例えば、コーティング部材の反射率は、85%以上、つまり85〜100%程度であることが適当である。   In the package molded body of the present invention, when the semiconductor element is placed on the package molded body, a part of the bottom and the entire side are covered with the coating member so as not to contact the semiconductor element, particularly the light emitting element. ing. In order to cover with the coating member in this way, for example, the surface tension and viscosity of the coating member are used, the wettability between the package molded body and the coating member is used, or the wall as described above is used. It is appropriate to use parts. The coating member not only absorbs light emitted from a semiconductor element, particularly a light emitting element, but also has a function of efficiently extracting light to the outside by reflection, scattering, diffusion, and the like. In other words, the provision of this coating member on the bottom and side portions of the outside of the wall portion of the package molded body that does not include the coating member has a function of increasing the reflection of light emitted from the semiconductor element. For example, the reflectance of the coating member is suitably 85% or more, that is, about 85 to 100%.

コーティング部材は、透光性であり、かつ耐熱性を有する樹脂を基材とするものであれば特に限定されるものではなく、例えば、熱硬化性樹脂、具体的には、エポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリノルボルネン樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の1種又は2種以上が基材として挙げられる。
コーティング部材は、基材に、以下の成分(F)として示す無機部材及び/又は充填剤の1種又は2種以上を組み合わせて含有していてもよく、さらに、以下のその他の成分(a)〜(h)として示す添加剤等を含有していてもよい。なかでも、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、シリカ、チタン酸バリウム、リン酸カルシウム、炭酸カルシウム、沈降性シリカ、タルク、炭酸マグネシウム、窒化ホウ素等が適当である。なお、コーティング部材の全重量に対して、無機部材及び/又は充填剤は、5〜90%程度で含有されていることが適当であり、好ましくは20〜50%程度が挙げられる。添加剤としては、染料、顔料、酸化防止剤、熱安定剤等の1種以上が適当である。これらの添加剤等は、コーティング部材の全重量に対して、0.1〜10%程度で含有されていることが適当である。
The coating member is not particularly limited as long as it is translucent and has a heat-resistant resin as a base material. For example, the coating member is a thermosetting resin, specifically, an epoxy resin or an acrylate resin. , Urethane resin, polyimide resin, acrylic resin, polynorbornene resin, silicone resin, modified silicone resin and the like may be used as the substrate.
The coating member may contain, in the base material, one or more of inorganic members and / or fillers shown as the following component (F), and the following other components (a): The additive etc. which are shown as ~ (h) may be contained. Of these, titanium oxide, zinc oxide, alumina, silica, barium titanate, calcium phosphate, calcium carbonate, precipitated silica, talc, magnesium carbonate, boron nitride and the like are suitable. In addition, it is appropriate that the inorganic member and / or filler is contained in an amount of about 5 to 90% with respect to the total weight of the coating member, and preferably about 20 to 50%. As the additive, one or more of dyes, pigments, antioxidants, heat stabilizers and the like are suitable. These additives and the like are suitably contained in an amount of about 0.1 to 10% with respect to the total weight of the coating member.

また、コーティング部材は、耐光性及び耐熱性の点から、
(A)SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、
(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有するケイ素化合物、
(C)ヒドロシリル化触媒、
(D)シランカップリング剤及び/又はエポキシ基含有化合物、
(E)シラノール縮合触媒及び
を必須成分として含む硬化性組成物により形成してもよい。この硬化性組成物は、さらに(F)無機部材を含むことが好ましい。
In addition, the coating member, from the point of light resistance and heat resistance,
(A) an organic compound containing at least two carbon-carbon double bonds having reactivity with SiH groups in one molecule;
(B) a silicon compound containing at least two SiH groups in one molecule;
(C) a hydrosilylation catalyst,
(D) a silane coupling agent and / or an epoxy group-containing compound,
(E) You may form with the curable composition containing a silanol condensation catalyst and an essential component. The curable composition preferably further includes (F) an inorganic member.

成分(A)
成分(A)の有機化合物は、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有するものであれば特に限定されず、構成元素としてC、H、N、O、S及びハロゲンのみを含むものであることが好ましい。なお、有機化合物として、ポリシロキサン−有機ブロックコポリマー、ポリシロキサン−有機グラフトコポリマー等のシロキサン単位(Si−O−Si)を含むものはガス透過性及びはじきの問題がある。
Ingredient (A)
The organic compound of component (A) is not particularly limited as long as it contains at least two carbon-carbon double bonds having reactivity with SiH groups in one molecule, and C, H, N, It preferably contains only O, S and halogen. Note that organic compounds containing siloxane units (Si—O—Si) such as polysiloxane-organic block copolymers and polysiloxane-organic graft copolymers have problems of gas permeability and repellency.

成分(A)の有機化合物は、有機重合体系の化合物と有機単量体系化合物とに分類できる。
有機重合体系化合物としては、例えば、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリアリレート系、ポリカーボネート系、飽和炭化水素系、不飽和炭化水素系、ポリアクリル酸エステル系、ポリアミド系、フェノール−ホルムアルデヒド系(フェノール樹脂系)、ポリイミド系の化合物が挙げられる。
The organic compound of component (A) can be classified into an organic polymer compound and an organic monomer compound.
Examples of organic polymer compounds include polyether-based, polyester-based, polyarylate-based, polycarbonate-based, saturated hydrocarbon-based, unsaturated hydrocarbon-based, polyacrylate ester-based, polyamide-based, phenol-formaldehyde-based (phenolic resin). Type) and polyimide type compounds.

有機単量体系化合物としては、例えば、フェノール系、ビスフェノール系、ベンゼン、ナフタレン等の芳香族炭化水素系:直鎖系、脂環系等の脂肪族炭化水素系:複素環系の化合物およびこれらの混合物等が挙げられる。
成分(A)の有機化合物においては、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合の種類は特に限定されず、例えば、下記一般式(II)
Examples of organic monomer compounds include aromatic hydrocarbons such as phenols, bisphenols, benzene, and naphthalene: aliphatic hydrocarbons such as straight-chain and alicyclics: heterocyclic compounds, and these A mixture etc. are mentioned.
In the organic compound of component (A), the type of carbon-carbon double bond having reactivity with the SiH group is not particularly limited. For example, the following general formula (II)

Figure 0004774201
(式中、R2は水素原子又はメチル基を表す。)
で示される基が反応性の点から好適である。なかでも、原料の入手の容易さから、下記式(IIa)
Figure 0004774201
(In the formula, R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group.)
Is preferable from the viewpoint of reactivity. Among these, the following formula (IIa)

Figure 0004774201
で示される基が特に好ましい。
さらに、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合として、下記一般式(III)
Figure 0004774201
Is particularly preferred.
Further, as a carbon-carbon double bond having reactivity with the SiH group, the following general formula (III)

Figure 0004774201
(式中、R3は水素原子又はメチル基を表す。)
で表される部分構造を環内に有する脂環式の基が、コーティング部材の耐熱性が高いという点から好適である。特に、原料の入手の容易さから、下記式(IIIa)で表される部分構造を環内に有する脂環式の基が好適である。
Figure 0004774201
(In the formula, R 3 represents a hydrogen atom or a methyl group.)
An alicyclic group having a partial structure represented by the formula is preferable from the viewpoint that the heat resistance of the coating member is high. In particular, an alicyclic group having a partial structure represented by the following formula (IIIa) in the ring is preferable because of easy availability of raw materials.

Figure 0004774201
なお、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合の位置は特に限定されず、分子内のどこに存在してもよい。つまり、この二重結合は、成分(A)の有機化合物の骨格部分に直接結合していてもよく、2価以上の置換基を介して共有結合していてもよい。
Figure 0004774201
In addition, the position of the carbon-carbon double bond having reactivity with the SiH group is not particularly limited, and may be present anywhere in the molecule. That is, this double bond may be directly bonded to the skeleton portion of the organic compound of component (A), or may be covalently bonded via a divalent or higher substituent.

2価以上の置換基としては、炭素数0〜10の置換基であれば特に限定されず、構成元素としてC、H、N、O、S及びハロゲンのみを含むものが好ましい。これらの置換基の例としては、   The divalent or higher valent substituent is not particularly limited as long as it is a substituent having 0 to 10 carbon atoms, and preferably includes only C, H, N, O, S and halogen as constituent elements. Examples of these substituents include

Figure 0004774201
等が挙げられる。また、これらの2価以上の置換基の2つ以上が共有結合によりつながって1つの2価以上の置換基を構成していてもよい。
骨格部分に共有結合する基(以下、「共有結合基」と記することがある)の例としては、ビニル基、アリル基、メタリル基、アクリル基、メタクリル基、2−ヒドロキシ−3−(アリルオキシ)プロピル基、2−アリルフェニル基、3−アリルフェニル基、4−アリルフェニル基、2−(アリルオキシ)フェニル基、3−(アリルオキシ)フェニル基、4−(アリルオキシ)フェニル基、2−(アリルオキシ)エチル基、2、2−ビス(アリルオキシメチル)ブチル基、3−アリルオキシ−2、2−ビス(アリルオキシメチル)プロピル基、
Figure 0004774201
Etc. Moreover, two or more of these divalent or higher valent substituents may be connected by a covalent bond to constitute one divalent or higher valent substituent.
Examples of the group covalently bonded to the skeleton (hereinafter sometimes referred to as “covalent bond group”) include vinyl group, allyl group, methallyl group, acrylic group, methacryl group, 2-hydroxy-3- (allyloxy ) Propyl group, 2-allylphenyl group, 3-allylphenyl group, 4-allylphenyl group, 2- (allyloxy) phenyl group, 3- (allyloxy) phenyl group, 4- (allyloxy) phenyl group, 2- (allyloxy) ) Ethyl group, 2,2-bis (allyloxymethyl) butyl group, 3-allyloxy-2, 2-bis (allyloxymethyl) propyl group,

Figure 0004774201
等が挙げられる。
成分(A)の有機化合物の具体的な例としては、ジアリルフタレート、トリアリルトリメリテート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、ペンタエリスリトールトリアリルエーテル、1,1,2,2−テトラアリロキシエタン、ジアリリデンペンタエリスリット、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、1,2,4−トリビニルシクロヘキサン、ジビニルベンゼン類(純度50〜100%のもの、好ましくは純度80〜100%のもの)、ジビニルビフェニル、1,3−ジイソプロペニルベンゼン、1,4−ジイソプロペニルベンゼン、およびそれらのオリゴマー、1,2−ポリブタジエン(1、2比率10〜100%のもの、好ましくは1、2比率50〜100%のもの)、ノボラックフェノールのアリルエーテル、アリル化ポリフェニレンオキサイド、
Figure 0004774201
Etc.
Specific examples of the organic compound of component (A) include diallyl phthalate, triallyl trimellitate, diethylene glycol bisallyl carbonate, trimethylolpropane diallyl ether, pentaerythritol triallyl ether, 1,1,2,2-tetra Allyloxyethane, diarylidenepentaerythritol, triallyl cyanurate, triallyl isocyanurate, 1,2,4-trivinylcyclohexane, divinylbenzenes (having a purity of 50 to 100%, preferably a purity of 80 to 100% ), Divinylbiphenyl, 1,3-diisopropenylbenzene, 1,4-diisopropenylbenzene, and oligomers thereof, 1,2-polybutadiene (1,2 ratio of 10 to 100%, preferably 1) 2 ratio 50-100% Of), allyl ether of novolak phenol, allylated polyphenylene oxide,

Figure 0004774201
Figure 0004774201

Figure 0004774201

等、さらに、従来公知のエポキシ樹脂のグルシジル基の一部又は全部をアリル基に置き換えたもの等が挙げられる。
Figure 0004774201

Furthermore, those in which a part or all of the glycidyl group of a conventionally known epoxy resin is replaced with an allyl group are exemplified.

成分(A)の有機化合物は、上記のように骨格部分とアルケニル基とに分けて表現しがたい、低分子量化合物であってもよい。これらの低分子量化合物の具体例としては、ブタジエン、イソプレン、オクタジエン、デカジエン等の脂肪族鎖状ポリエン化合物系、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、ジシクロペンタジエン、トリシクロペンタジエン、ノルボルナジエン等の脂肪族環状ポリエン化合物系、ビニルシクロペンテン、ビニルシクロヘキセン等の置換脂肪族環状オレフィン化合物系等が挙げられる。   The organic compound of component (A) may be a low molecular weight compound that is difficult to express by dividing into a skeleton portion and an alkenyl group as described above. Specific examples of these low molecular weight compounds include aliphatic chain polyene compound systems such as butadiene, isoprene, octadiene and decadiene, fats such as cyclopentadiene, cyclohexadiene, cyclooctadiene, dicyclopentadiene, tricyclopentadiene and norbornadiene. Examples thereof include aromatic cyclic polyene compound systems and substituted aliphatic cyclic olefin compound systems such as vinylcyclopentene and vinylcyclohexene.

成分(A)の有機化合物は、耐熱性をより向上し得るという観点からは、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を成分(A)の有機化合物1gあたり0.001mol以上含有するものが好ましく、1gあたり0.005mol以上含有するものがより好ましく、0.008mol以上含有するものがさらに好ましい。
成分(A)の有機化合物のSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合の数は、平均して1分子当たり少なくとも2個あればよいが、力学強度をより向上したい場合には2を越えることが好ましく、3個以上であることがより好ましい。成分(A)のSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合の数が1分子内当たり1個以下の場合は、成分(B)と反応してもグラフト構造となるのみで架橋構造となりにくい。
From the viewpoint that the heat resistance can be further improved, the organic compound of component (A) contains 0.001 mol or more of carbon-carbon double bond having reactivity with SiH group per 1 g of organic compound of component (A). Those containing 0.005 mol or more per 1 g are more preferable, and those containing 0.008 mol or more are more preferable.
The number of carbon-carbon double bonds having reactivity with the SiH group of the organic compound of component (A) should be at least 2 on average per molecule, but 2 if the mechanical strength is to be improved. It is preferable that the number exceeds 3, and more preferably 3 or more. When the number of carbon-carbon double bonds that are reactive with the SiH group of component (A) is 1 or less per molecule, it becomes a cross-linked structure only by the graft structure even if it reacts with component (B). Hateful.

成分(A)の有機化合物は、反応性が良好であるという観点から、1分子中にビニル基を1個以上含有していることが好ましく、1分子中にビニル基を2個以上含有していることがより好ましい。
また、貯蔵安定性が良好となりやすいという観点から、1分子中にビニル基を6個以下含有していることが好ましく、1分子中にビニル基を4個以下含有していることがより好ましい。
The organic compound of component (A) preferably contains one or more vinyl groups in one molecule from the viewpoint of good reactivity, and contains two or more vinyl groups in one molecule. More preferably.
Further, from the viewpoint that the storage stability tends to be good, it is preferable that 6 or less vinyl groups are contained in one molecule, and it is more preferable that 4 or less vinyl groups are contained in one molecule.

さらに、力学的耐熱性が高いという観点及び原料液の糸引き性が少なく成形性、取扱い性、塗布性が良好であるという観点から、分子量が900未満のものが好ましく、700未満のものがより好ましく、500未満のものがさらに好ましい。
成分(A)の有機化合物は、他の成分との均一な混合及び良好な作業性を得るために、23℃において1000ポイズ未満の粘度ものが好ましく、300ポイズ未満のものがより好ましく、30ポイズ未満のものがさらに好ましい。粘度はE型粘度計によって測定することができる。
Furthermore, those having a molecular weight of less than 900 are preferred, and those having a molecular weight of less than 700 are more preferred from the viewpoints of high mechanical heat resistance and less stringiness of the raw material liquid and good moldability, handleability, and coatability. Preferably less than 500 are more preferred.
In order to obtain uniform mixing with other components and good workability, the organic compound of component (A) preferably has a viscosity of less than 1000 poise at 23 ° C., more preferably less than 300 poise, more preferably 30 poise. Even less is more preferred. The viscosity can be measured with an E-type viscometer.

また、着色、特に黄変の抑制の観点から、フェノール性水酸基及び/又はフェノール性水酸基の誘導体を有する化合物の含有量が少ないものが好ましく、フェノール性水酸基及び/又はフェノール性水酸基の誘導体を有する化合物を含まないものが好ましい。ここで、フェノール性水酸基とは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等に例示される芳香族炭化水素に直接結合した水酸基を示し、フェノール性水酸基の誘導体とは、上述のフェノール性水酸基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基、アセトキシル基等のアシル基等により置換された基を示す。   Further, from the viewpoint of suppression of coloring, particularly yellowing, those having a low content of a compound having a phenolic hydroxyl group and / or a phenolic hydroxyl group derivative are preferable, and a compound having a phenolic hydroxyl group and / or a phenolic hydroxyl group derivative The thing which does not contain is preferable. Here, the phenolic hydroxyl group means a hydroxyl group directly bonded to an aromatic hydrocarbon exemplified by a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, etc., and the phenolic hydroxyl group derivative means a hydrogen atom of the above-mentioned phenolic hydroxyl group. Represents a group substituted by an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group, an alkenyl group such as a vinyl group or an allyl group, an acyl group such as an acetoxyl group, or the like.

さらに、成分(A)の有機化合物は、得られるコーティング部材の着色が少なく、耐光性が高いという観点から、ビニルシクロヘキセン、ジシクロペンタジエン、トリアリルイソシアヌレート、2,2−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパンのジアリルエーテル、1,2,4−トリビニルシクロヘキサンが好ましく、なかでも、トリアリルイソシアヌレート、2,2−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパンのジアリルエーテル、1,2,4−トリビニルシクロヘキサンがより好ましい。
また、硬化性組成物の粘度を低減させる観点からは、ビニルシクロヘキセン、ジビニルベンゼン、1,2,4−トリビニルシクロヘキサン、トリアリルイソシアヌレートが特に好ましい。
成分(A)の有機化合物は、他の反応性基を有していてもよい。この場合の反応性基としては、エポキシ基、アミノ基、ラジカル重合性不飽和基、カルボキシル基、イソシアネート基、ヒドロキシル基、アルコキシシリル基等が挙げられる。これらの官能基を有している場合には得られる硬化性組成物の接着性が高くなりやすく、得られるコーティング部材の強度が高くなりやすい。接着性がより高くなり得るという点からは、エポキシ基が好ましい。また、得られるコーティング部材の耐熱性が高くなりやすいという点においては、反応性基を平均して1分子中に1個以上有していることが好ましい。
特に、成分(A)の有機化合物は、耐熱性・耐光性が高いという観点から、下記一般式(I)
Furthermore, the organic compound of component (A) is vinylcyclohexene, dicyclopentadiene, triallyl isocyanurate, 2,2-bis (4-hydroxycyclohexyl) from the viewpoint that the resulting coating member is less colored and has high light resistance. ) Diallyl ether of propane and 1,2,4-trivinylcyclohexane are preferred, and among them, triallyl isocyanurate, diallyl ether of 2,2-bis (4-hydroxycyclohexyl) propane, 1,2,4-trivinyl More preferred is cyclohexane.
From the viewpoint of reducing the viscosity of the curable composition, vinylcyclohexene, divinylbenzene, 1,2,4-trivinylcyclohexane, and triallyl isocyanurate are particularly preferable.
The organic compound of component (A) may have other reactive groups. Examples of the reactive group in this case include an epoxy group, an amino group, a radical polymerizable unsaturated group, a carboxyl group, an isocyanate group, a hydroxyl group, and an alkoxysilyl group. When these functional groups are included, the adhesive property of the resulting curable composition tends to be high, and the strength of the resulting coating member tends to be high. An epoxy group is preferable from the viewpoint that the adhesiveness can be higher. Moreover, it is preferable to have 1 or more reactive groups in one molecule on average from the point that the heat resistance of the resulting coating member tends to be high.
In particular, the organic compound of component (A) has the following general formula (I) from the viewpoint of high heat resistance and light resistance.

Figure 0004774201
(式中、R1は炭素数1〜50の一価の有機基を表し、それぞれのR1は異なっていても同一であってもよい。)
で表されるトリアリルイソシアヌレート及びその誘導体であるか、これを含むものであることが特に好ましい。
Figure 0004774201
(In the formula, R 1 represents a monovalent organic group having 1 to 50 carbon atoms, and each R 1 may be different or the same.)
It is particularly preferable that it is a triallyl isocyanurate represented by the following formula or a derivative thereof.

一般式(I)のR1としては、得られるコーティング部材の耐熱性がより高くなり得るという観点からは、炭素数1〜20の一価の有機基であることが好ましく、炭素数1〜10の一価の有機基であることがより好ましく、炭素数1〜4の一価の有機基であることがさらに好ましい。
また、化学的な熱安定性が良好になりうるという観点からは、2個以下の酸素原子を含みかつ構成元素としてC、H及びOのみを含む炭素数1〜50の一価の有機基であることが好ましく、炭素数1〜50の一価の炭化水素基であることがより好ましい。
As R < 1 > of general formula (I), it is preferable that it is a C1-C20 monovalent organic group from a viewpoint that the heat resistance of the coating member obtained may become higher, and C1-C10 It is more preferable that it is a monovalent organic group, and it is further more preferable that it is a C1-C4 monovalent organic group.
In addition, from the viewpoint that chemical thermal stability can be improved, it is a monovalent organic group having 1 to 50 carbon atoms containing 2 or less oxygen atoms and containing only C, H and O as constituent elements. It is preferable that it is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 50 carbon atoms.

これらの好ましいR1の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、ベンジル基、フェネチル基、ビニル基、アリル基、グリシジル基、 Examples of these preferable R 1 are methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, phenyl group, benzyl group, phenethyl group, vinyl group, allyl group, glycidyl group,

Figure 0004774201
等が挙げられる。
さらに、一般式(I)のR1として、得られるコーティング部材の各種材料との接着性が良好になり得るという観点からは、3つのR1のうち少なくとも1つがエポキシ基を1つ以上含む炭素数1〜50の一価の有機基であることが好ましく、
Figure 0004774201
Etc.
Furthermore, as R 1 of the general formula (I), at least one of the three R 1 s contains one or more epoxy groups from the viewpoint that the adhesion of the obtained coating member to various materials can be improved. A monovalent organic group of 1 to 50 is preferable,

Figure 0004774201
で表されるエポキシ基を1個以上含む炭素数1〜50の一価の有機基であることがより好ましい。これらの好ましいR1の例としては、グリシジル基、
Figure 0004774201
It is more preferable that it is a C1-C50 monovalent organic group containing 1 or more of epoxy groups represented by these. Examples of these preferable R 1 include a glycidyl group,

Figure 0004774201
等が挙げられる。
また、一般式(I)のR1として、反応性が良好になるという観点からは、3つのR1のうち少なくとも1つが
Figure 0004774201
Etc.
In addition, as R 1 in the general formula (I), at least one of the three R 1 is from the viewpoint of improving the reactivity.

Figure 0004774201
で表される基を1個以上含む炭素数1〜50の一価の有機基であることが好ましく、下記一般式(IV)
Figure 0004774201
It is preferable that it is a C1-C50 monovalent organic group containing 1 or more groups represented by general formula (IV) below.

Figure 0004774201
(式中、R4は水素原子又はメチル基を表す。)
で表される基を1個以上含む炭素数1〜50の一価の有機基であることがより好ましく、3つのR1のうち少なくとも2つが下記一般式(V)
Figure 0004774201
(In the formula, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group.)
More preferably a group represented by the one or more containing monovalent organic group having 1 to 50 carbon atoms, at least two of the three R 1 following general formula (V)

Figure 0004774201
(式中、R5は結合手又は炭素数1〜48の二価の有機基であり、R6は水素原子又はメチル基を表す。)
で表される有機化合物(複数のR5及びR6はそれぞれ異なっていても同一であってもよい。)がさらに好ましい。
Figure 0004774201
(In the formula, R 5 represents a bond or a divalent organic group having 1 to 48 carbon atoms, and R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group.)
(The plurality of R 5 and R 6 may be the same or different from each other).

一般式(V)のR5は、得られるコーティング部材の耐熱性がより高くなり得るという観点からは、結合手又は炭素数1〜20の二価の有機基であることが好ましく、結合手又は炭素数1〜10の二価の有機基であることがより好ましく、結合手又は炭素数1〜4の二価の有機基であることがさらに好ましい。これらの好ましいR5の例としては、 R 5 in the general formula (V) is preferably a bond or a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms from the viewpoint that the resulting coating member can have higher heat resistance. A divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms is more preferable, and a bond or a divalent organic group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable. Examples of these preferred R 5 include

Figure 0004774201
等が挙げられる。
一般式(V)のR5は、得られるコーティング部材の化学的な熱安定性が良好になり得るという観点からは、結合手又は2つ以下の酸素原子を含み、かつ構成元素としてC、H及びOのみを含む炭素数1〜48の二価の有機基であることが好ましく、結合手又は炭素数1〜48の二価の炭化水素基であることがより好ましい。これらの好ましいR5の例としては、
Figure 0004774201
Etc.
From the viewpoint that the chemical thermal stability of the resulting coating member can be improved, R 5 in the general formula (V) contains a bond or two or less oxygen atoms, and C, H as constituent elements And a divalent organic group having 1 to 48 carbon atoms containing only O and more preferably a bond or a divalent hydrocarbon group having 1 to 48 carbon atoms. Examples of these preferred R 5 include

Figure 0004774201
等が挙げられる。
一般式(V)のR6は、水素原子又はメチル基であるが、反応性が良好であるという観点からは、水素原子が好ましい。
Figure 0004774201
Etc.
R 6 in the general formula (V) is a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom from the viewpoint of good reactivity.

なお、一般式(I)で表される有機化合物においては、その分子中に、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を2個以上含有していることが好ましく、耐熱性をより向上し得るという観点からは、1分子中に3個以上含有するものがより好ましい。
一般式(I)で表される有機化合物の好ましい具体例としては、トリアリルイソシアヌレート、
In addition, in the organic compound represented by general formula (I), it is preferable that the molecule | numerator contains two or more carbon-carbon double bonds which have reactivity with SiH group, and heat resistance is more From the viewpoint that it can be improved, those containing 3 or more per molecule are more preferred.
Preferred specific examples of the organic compound represented by the general formula (I) include triallyl isocyanurate,

Figure 0004774201
等が挙げられる。
硬化性組成物の粘度を低減する観点からは、トリアリルイソシアヌレートが好ましい。
コーティング部材の接着性向上のためには、成分(A)としてはジアリルモノグリシジルイソシアヌレートが好ましい。
Figure 0004774201
Etc.
From the viewpoint of reducing the viscosity of the curable composition, triallyl isocyanurate is preferable.
In order to improve the adhesion of the coating member, the component (A) is preferably diallyl monoglycidyl isocyanurate.

また、コーティング部材の接着性向上と耐光性を両立させるためには、成分(A)として、トリアリルイソシアヌレートとジアリルモノグリシジルイソシアヌレートとの混合物であることが好ましい。この混合物はイソシアヌル環骨格を有するため耐熱性の点からも有効である。混合比は任意に選択することができ、上記目的達成のためにはトリアリルイソシアヌレート/アリルモノグリシジルイソシアヌレート=9/1〜1/9(モル比)が好ましく、8/2〜2/8がさらに好ましく、7/3〜3/7が特に好ましい。
なお、成分(A)は、単独又は2種以上のものを混合して用いることが可能である。
In order to achieve both improved adhesion and light resistance of the coating member, the component (A) is preferably a mixture of triallyl isocyanurate and diallyl monoglycidyl isocyanurate. Since this mixture has an isocyanuric ring skeleton, it is also effective from the viewpoint of heat resistance. The mixing ratio can be selected arbitrarily, for the purpose achieved triallyl isocyanurate / diallyl monoglycidyl isocyanurate = 9 / 1-1 / 9 (molar ratio), more preferably 8 / 2-2 / 8 is more preferable, and 7/3 to 3/7 is particularly preferable.
In addition, a component (A) can be used individually or in mixture of 2 or more types.

成分(B)
成分(B)のケイ素化合物は、1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物であれば特に限定されるものではなく、例えば、国際公開WO96/15194号に記載された化合物等が挙げられる。
これらのうち、入手の容易さから、1分子中に少なくとも2個のSiH基を有する鎖状及び/又は環状オルガノポリシロキサンが好ましく、成分(A)との相溶性が良いという観点からは、下記一般式(VI)
Ingredient (B)
The silicon compound of component (B) is not particularly limited as long as it is a compound containing at least two SiH groups in one molecule, and examples thereof include compounds described in International Publication WO96 / 15194. It is done.
Among these, from the viewpoint of availability, a chain and / or cyclic organopolysiloxane having at least two SiH groups in one molecule is preferable, and from the viewpoint of good compatibility with the component (A), Formula (VI)

Figure 0004774201
(式中、R7は炭素数1〜6の有機基を表し、nは3〜10の数を表す。)
で表される、1分子中に少なくとも2個のSiH基を有する環状オルガノポリシロキサンがさらに好ましい。
Figure 0004774201
(In the formula, R 7 represents an organic group having 1 to 6 carbon atoms, and n represents a number of 3 to 10).
A cyclic organopolysiloxane having at least two SiH groups in one molecule represented by the formula is more preferred.

一般式(VI)で表される化合物中の置換基R7は、C、H及びOから構成されるものが好ましく、炭化水素基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
一般式(VI)で表される化合物としては、入手容易性の観点から、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンが好ましい。
成分(B)のケイ素化合物の分子量は特に限定されるものではなく、任意のものが好適に使用できる。コーティング部材の流動性をより発現しやすいという観点からは低分子量のものが好ましい。例えば、分子量が50以上であり、100,000以下、より好ましくは1,000以下、さらに好ましくは700以下である。
The substituent R 7 in the compound represented by the general formula (VI) is preferably composed of C, H and O, more preferably a hydrocarbon group, and further preferably a methyl group.
As the compound represented by the general formula (VI), 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane is preferable from the viewpoint of availability.
The molecular weight of the silicon compound of component (B) is not particularly limited, and any compound can be suitably used. From the standpoint that the fluidity of the coating member is more easily expressed, those having a low molecular weight are preferred. For example, the molecular weight is 50 or more, 100,000 or less, more preferably 1,000 or less, and still more preferably 700 or less.

成分(A)の有機化合物と良好な相溶性を有するという観点及び成分(B)のケイ素化合物の揮発性が低くなり、得られる硬化性組成物からのアウトガスの問題が生じ難いという観点からは、成分(B)のケイ素化合物は、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に1個以上含有する有機化合物(α)と、1分子中に少なくとも2個のSiH基を有する鎖状及び/又は環状のポリオルガノシロキサン(β)とを、ヒドロシリル化反応に付して得ることができる化合物であることが好ましい。
(成分α)
SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に1個以上含有する有機化合物である成分αは、この二重結合を1分子中に2個以上含有する有機化合物(成分α1)と、この二重結合を1分子中に1個含有する有機化合物(成分α2)とを含む。
From the viewpoint that it has good compatibility with the organic compound of component (A) and the volatility of the silicon compound of component (B), the problem of outgas from the resulting curable composition is less likely to occur. The silicon compound of component (B) comprises an organic compound (α) containing at least one carbon-carbon double bond reactive with SiH group in one molecule and at least two SiH groups in one molecule. The chain and / or cyclic polyorganosiloxane (β) is preferably a compound that can be obtained by subjecting it to a hydrosilylation reaction.
(Component α)
Component α, which is an organic compound containing one or more carbon-carbon double bonds having reactivity with SiH groups in one molecule, is an organic compound (component α1) containing two or more double bonds in one molecule. And an organic compound (component α2) containing one double bond in one molecule.

成分α1としては、上記した成分(A)である、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物と同じものを用いることができる。成分α1を用いると得られるコーティング部材の架橋密度が高くなり、力学強度が高いコーティング部材となりやすい。
また、成分α2は、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に1個含有する有機化合物であれば特に限定されないが、成分(B)が成分(A)と相溶性がよくなるという点において、ポリシロキサン−有機ブロックコポリマー、ポリシロキサン−有機グラフトコポリマーのようなシロキサン単位(Si−O−Si)を含むものではなく、構成元素としてC、H、N、O、S及びハロゲンのみを含むものであることが好ましい。)成分α2を用いることにより、得られるコーティング部材が低弾性となりやすい。
As the component α1, the same component (A) as the organic compound containing at least two carbon-carbon double bonds reactive with the SiH group in one molecule can be used. When the component α1 is used, the resulting coating member has a high crosslink density and tends to be a coating member having high mechanical strength.
The component α2 is not particularly limited as long as it is an organic compound containing one carbon-carbon double bond having reactivity with the SiH group in one molecule, but the component (B) is compatible with the component (A). In that it does not contain siloxane units (Si—O—Si) like polysiloxane-organic block copolymers, polysiloxane-organic graft copolymers, and C, H, N, O, S and It is preferable that it contains only halogen. ) By using the component α2, the resulting coating member tends to have low elasticity.

成分α2におけるSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合の結合位置は特に限定されず、分子内のどこに存在してもよい。
成分α2の化合物は、重合体系化合物と単量体系化合物に分類できる。
重合体系化合物としては、例えば、ポリシロキサン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリアリレート系、ポリカーボネート系、飽和炭化水素系、不飽和炭化水素系、ポリアクリル酸エステル系、ポリアミド系、フェノール−ホルムアルデヒド系(フェノール樹脂系)、ポリイミド系の化合物が挙げられる。
The bonding position of the carbon-carbon double bond having reactivity with the SiH group in the component α2 is not particularly limited, and may be present anywhere in the molecule.
The compound of component α2 can be classified into a polymer compound and a monomer compound.
Examples of the polymer compound include polysiloxane, polyether, polyester, polyarylate, polycarbonate, saturated hydrocarbon, unsaturated hydrocarbon, polyacrylate ester, polyamide, phenol-formaldehyde (Phenolic resin type) and polyimide type compounds are mentioned.

また、単量体系化合物としては、例えば、フェノール系、ビスフェノール系、ベンゼン、ナフタレン等の芳香族炭化水素系:直鎖系、脂環系等の脂肪族炭化水素系:複素環系の化合物、シリコン系の化合物およびこれらの混合物等が挙げられる。
成分α2のSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合としては特に限定されず、上述した一般式(II)で示される基が反応性の点から好適である。また、原料の入手の容易さからは、上述した式(IIa)で示される基が特に好ましい。
Examples of monomeric compounds include, for example, aromatic hydrocarbons such as phenols, bisphenols, benzene, and naphthalene: aliphatic hydrocarbons such as linear and alicyclic: heterocyclic compounds, silicon And compounds of these systems and mixtures thereof.
The carbon-carbon double bond having reactivity with the SiH group of component α2 is not particularly limited, and the group represented by the general formula (II) described above is preferable from the viewpoint of reactivity. Moreover, the group represented by the formula (IIa) described above is particularly preferable from the viewpoint of easy availability of raw materials.

さらに、コーティング部材の耐熱性が高いという観点から、上述した一般式(III)で表される部分構造を環内に有する脂環式の基が好適である。また、原料の入手の容易さからは、上述した式(IIIa)で表される部分構造を環内に有する脂環式の基が好適である。
SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合は成分α2の骨格部分に直接結合していてもよく、2価以上の置換基を介して共有結合していてもよい。2価以上の置換基としては炭素数0〜10の置換基であれば特に限定されないが、成分(B)が成分(A)と相溶性がよくなりやすいという点においては、構成元素としてC、H、N、O、S、およびハロゲンのみを含むものが好ましい。これらの置換基の例としては、上述の「化5」で例示したものと同様のものが挙げられる。また、これらの2価以上の置換基の2つ以上が共有結合によりつながって1つの2価以上の置換基を構成していてもよい。
Furthermore, from the viewpoint of high heat resistance of the coating member, an alicyclic group having the partial structure represented by the general formula (III) described above in the ring is preferable. From the viewpoint of easy availability of the raw material, an alicyclic group having a partial structure represented by the above formula (IIIa) in the ring is preferable.
The carbon-carbon double bond having reactivity with the SiH group may be directly bonded to the skeleton portion of the component α2, or may be covalently bonded via a divalent or higher substituent. The divalent or higher valent substituent is not particularly limited as long as it is a substituent having 0 to 10 carbon atoms. However, in terms of easy compatibility of the component (B) with the component (A), C, Those containing only H, N, O, S and halogen are preferred. Examples of these substituents are the same as those exemplified in the above “Chemical Formula 5”. Moreover, two or more of these divalent or higher valent substituents may be connected by a covalent bond to constitute one divalent or higher valent substituent.

骨格部分に共有結合する基の例としては、成分(A)のところで例示した共有結合基と同様のものが挙げられる。
成分α2の具体例としては、プロペン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノネン、1−デセン、1−ドデセン、1−ウンデセン、出光石油化学社製リニアレン、4,4−ジメチル−1−ペンテン、2−メチル−1−ヘキセン、2,3,3−トリメチル−1−ブテン、2,4,4−トリメチル−1−ペンテン等のような鎖状脂肪族炭化水素系化合物類、シクロヘキセン、メチルシクロヘキセン、メチレンシクロヘキサン、ノルボルニレン、エチリデンシクロヘキサン、ビニルシクロヘキサン、カンフェン、カレン、αピネン、βピネン等のような環状脂肪族炭化水素系化合物類、スチレン、αメチルスチレン、インデン、フェニルアセチレン、4−エチニルトルエン、アリルベンゼン、4−フェニル−1−ブテン等のような芳香族炭化水素系化合物、アルキルアリルエーテル、アリルフェニルエーテル等のアリルエーテル類、グリセリンモノアリルエーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、4−ビニル−1,3−ジオキソラン−2−オン等の脂肪族系化合物類、1,2−ジメトキシ−4−アリルベンゼン、o−アリルフェノール等の芳香族系化合物類、モノアリルジベンジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等の置換イソシアヌレート類、ビニルトリメチルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリフェニルシラン等のシリコン化合物等が挙げられる。さらに、片末端アリル化ポリエチレンオキサイド、片末端アリル化ポリプロピレンオキサイド等のポリエーテル系樹脂、片末端アリル化ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、片末端アリル化ポリブチルアクリレート、片末端アリル化ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、等の片末端にビニル基を有するポリマーあるいはオリゴマー類等を挙げることができる。
Examples of the group covalently bonded to the skeleton portion include the same covalent bond groups as exemplified in the component (A).
Specific examples of the component α2 include propene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 1-heptene, 1-octene, 1-nonene, 1-decene, 1-dodecene, 1-undecene, Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Chains such as linearene, 4,4-dimethyl-1-pentene, 2-methyl-1-hexene, 2,3,3-trimethyl-1-butene, 2,4,4-trimethyl-1-pentene, etc. Aliphatic hydrocarbon compounds, cyclohexene, methylcyclohexene, methylenecyclohexane, norbornylene, ethylidenecyclohexane, vinylcyclohexane, camphene, carene, α pinene, β pinene, etc., cyclic aliphatic hydrocarbon compounds, styrene, α methyl Styrene, indene, phenylacetylene, 4-ethynyltoluene, allylbenzene, 4-phenyl Aromatic hydrocarbon compounds such as 1-butene, allyl ethers such as alkyl allyl ether and allyl phenyl ether, glycerin monoallyl ether, ethylene glycol monoallyl ether, 4-vinyl-1,3-dioxolane-2- Aliphatic compounds such as ON, aromatic compounds such as 1,2-dimethoxy-4-allylbenzene and o-allylphenol, substituted isocyanurates such as monoallyl dibenzyl isocyanurate and monoallyl diglycidyl isocyanurate And silicon compounds such as vinyltrimethylsilane, vinyltrimethoxysilane, and vinyltriphenylsilane. Furthermore, polyether resins such as one-end allylated polyethylene oxide and one-end allylated polypropylene oxide, hydrocarbon resins such as one-end allylated polyisobutylene, one-end allylated polybutyl acrylate, one-end allylated polymethyl methacrylate Examples thereof include acrylic resins such as polymers or polymers having a vinyl group at one end, such as acrylic resins.

成分α2の構造は、線状でも枝分かれ状でもよく、分子量は特に限定されることなく、種々のものを用いることができる。分子量分布も、特に制限ないが、混合物の粘度が低くなり成形性が良好となりやすいという点においては、分子量分布が3以下であることが好ましく、2以下であることがより好ましく、1.5以下であることがさらに好ましい。
成分α2に、ガラス転位温度が存在する場合は、特に限定はなく種々のものが用いられるが、得られるコーティング部材が強靭となりやすいという点から、ガラス点移転温度が100℃以下であることが好ましく、50℃以下であることがより好ましく、0℃以下であることがさらに好ましい。成分α2としては、ポリブチルアクリレート等が挙げられる。
The structure of the component α2 may be linear or branched, and the molecular weight is not particularly limited, and various structures can be used. The molecular weight distribution is not particularly limited, but the molecular weight distribution is preferably 3 or less, more preferably 2 or less, and 1.5 or less in that the viscosity of the mixture tends to be low and the moldability tends to be good. More preferably.
In the case where a glass transition temperature is present in the component α2, there are no particular limitations and various materials can be used, but the glass point transition temperature is preferably 100 ° C. or less from the viewpoint that the resulting coating member tends to be tough. 50 ° C. or lower is more preferable, and 0 ° C. or lower is further preferable. Examples of the component α2 include polybutyl acrylate.

一方、得られるコーティング部材の耐熱性が高くなるという点から、ガラス転位温度は100℃以上であることが好ましく、120℃以上であることがより好ましく、150℃以上であることがさらに好ましく、170℃以上であることが最も好ましい。ガラス転位温度は動的粘弾性測定においてtanδが極大を示す温度として求めることができる。
成分α2としては、得られるコーティング部材の耐熱性が高くなるという点から、炭化水素化合物であることが好ましい。この場合の好ましい炭素数の下限は7であり、上限は10である。
成分α2は、その他の反応性基を有していてもよい。この場合の反応性基としては、エポキシ基、アミノ基、ラジカル重合性不飽和基、カルボキシル基、イソシアネート基、ヒドロキシル基、アルコキシシリル基等が挙げられる。これらの官能基を有している場合には得られる硬化性組成物の接着性が高くなりやすく、得られるコーティング部材の強度が高くなりやすい。接着性がより高くなりうるという点からは、これらの官能基のうちエポキシ基が好ましい。また、得られるコーティング部材の耐熱性が高くなりやすいという点においては、反応性基を平均して1分子中に1個以上有していることが好ましい。具体的には、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、アリルグリシジルエーテル、アリロキシエチルメタクリレート、アリロキシエチルアクリレート、ビニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
成分α2は、単一のものを用いてもよいし、複数のものを組み合わせて用いてもよい。
On the other hand, the glass transition temperature is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher, further preferably 150 ° C. or higher, from the viewpoint that the resulting coating member has high heat resistance. Most preferably, it is not lower than ° C. The glass transition temperature can be determined as a temperature at which tan δ exhibits a maximum in the dynamic viscoelasticity measurement.
The component α2 is preferably a hydrocarbon compound from the viewpoint that the resulting coating member has high heat resistance. In this case, the lower limit of the preferred carbon number is 7, and the upper limit is 10.
Component α2 may have other reactive groups. Examples of the reactive group in this case include an epoxy group, an amino group, a radical polymerizable unsaturated group, a carboxyl group, an isocyanate group, a hydroxyl group, and an alkoxysilyl group. When these functional groups are included, the adhesive property of the resulting curable composition tends to be high, and the strength of the resulting coating member tends to be high. Of these functional groups, an epoxy group is preferable from the viewpoint that the adhesiveness can be further increased. Moreover, it is preferable to have 1 or more reactive groups in one molecule on average from the point that the heat resistance of the resulting coating member tends to be high. Specific examples include monoallyl diglycidyl isocyanurate, allyl glycidyl ether, allyloxyethyl methacrylate, allyloxyethyl acrylate, and vinyltrimethoxysilane.
A single component α2 may be used, or a plurality of components α2 may be used in combination.

(成分β)
成分βは、1分子中に少なくとも2個のSiH基を有する鎖状及び/又は環状のポリオルガノシロキサンを含む限り、その種類は特に限定されない。例えば、
(Component β)
The type of the component β is not particularly limited as long as it includes a linear and / or cyclic polyorganosiloxane having at least two SiH groups in one molecule. For example,

Figure 0004774201
Figure 0004774201

Figure 0004774201
等が挙げられる。
ここで、成分αとの相溶性が良くなりやすいという観点からは、上述した一般式(VI)の化合物が好ましい。
なお、成分βは、単独又は2種以上のものを混合して用いることができる。
Figure 0004774201
Etc.
Here, from the viewpoint that compatibility with the component α is likely to be improved, the compound of the general formula (VI) described above is preferable.
In addition, component (beta) can be used individually or in mixture of 2 or more types.

(成分αと成分βとの反応)
成分αと成分βとをヒドロシリル化反応に付する場合、これらの混合比率は、特に限定されないが、得られる成分(B)と成分(A)とのヒドロシリル化によるコーティング部材の強度を考えた場合、成分(B)のSiH基が多い方が好ましいため、一般に混合する成分α中のSiH基との反応性を有する炭素−炭素二重結合の総数(X)と、混合する成分β中のSiH基の総数(Y)との比が、Y/X≧2となるように設定することが好ましく、Y/X≧3であることがより好ましい。
(Reaction between component α and component β)
When the component α and the component β are subjected to a hydrosilylation reaction, the mixing ratio thereof is not particularly limited, but the strength of the coating member due to the hydrosilylation of the obtained component (B) and the component (A) is considered. In general, since it is preferable that the component (B) has more SiH groups, the total number (X) of carbon-carbon double bonds having reactivity with SiH groups in the component α to be mixed and the SiH in the component β to be mixed The ratio to the total number of groups (Y) is preferably set so that Y / X ≧ 2, and more preferably Y / X ≧ 3.

また、成分(B)の成分(A)との相溶性がよくなりやすいという点からは、5≧Y/Xであることが好ましく、10≧Y/Xであることがより好ましい。
成分αと成分βとをヒドロシリル化反応させる場合には適当な触媒を用いてもよい。
触媒としては、例えば、白金の単体;アルミナ、シリカ、カーボンブラック等の担体に固体白金を担持させたもの;塩化白金酸;塩化白金酸とアルコール、アルデヒド、ケトン等との錯体;白金−オレフィン錯体(例えば、Pt(CH2=CH22(PPh32、Pt(CH2=CH22Cl2);白金−ビニルシロキサン錯体(例えば、Pt(ViMe2SiOSiMe2Vi)n、Pt[(MeViSiO)4m);白金−ホスフィン錯体(例えば、Pt(PPh34、Pt(PBu34);白金−ホスファイト錯体(例えば、Pt[P(OPh)34、Pt[P(OBu)34);ジカルボニルジクロロ白金;カールシュテト(Karstedt)触媒;アシュビー(Ashby)の米国特許第3159601号及び3159662号明細書中に記載された白金−炭化水素複合体;ラモロー(Lamoreaux)の米国特許第3220972号明細書中に記載された白金アルコラート触媒;モディック(Modic)の米国特許第3516946号明細書中に記載された塩化白金−オレフィン複合体等が挙げられる。なお、上記の式中、Meはメチル基、Buはブチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を表し、n、mは、整数を示す。また、RhCl(PPh)3、RhCl3、RhAl23、RuCl3、IrCl3、FeCl3、AlCl3、PdCl2・2H2O、NiCl2、TiCl4等の白金化合物以外の触媒を用いてもよい。これらの触媒は単独で使用してもよいし、2種以上併用してもよい。なかでも、触媒活性の点から、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−ビニルシロキサン錯体等が好ましい。
Moreover, it is preferable that it is 5> = Y / X from the point that compatibility with the component (A) of a component (B) becomes easy, and it is more preferable that it is 10> = Y / X.
When the component α and the component β are subjected to a hydrosilylation reaction, an appropriate catalyst may be used.
As the catalyst, for example, platinum alone; a support in which solid platinum is supported on a support such as alumina, silica, carbon black; chloroplatinic acid; a complex of chloroplatinic acid and alcohol, aldehyde, ketone, etc .; platinum-olefin complex (e.g., Pt (CH 2 = CH 2 ) 2 (PPh 3) 2, Pt (CH 2 = CH 2) 2 Cl 2); platinum - vinylsiloxane complex (e.g., Pt (ViMe 2 SiOSiMe 2 Vi ) n, Pt [(MeViSiO) 4 ] m ); platinum-phosphine complexes (eg, Pt (PPh 3 ) 4 , Pt (PBu 3 ) 4 ); platinum-phosphite complexes (eg, Pt [P (OPh) 3 ] 4 , Pt [P (OBu) 3] 4 ); dicarbonyl dichloroplatinum; Karushuteto (Karstedt) catalyst; U.S. Pat. No. 3,159,601 Ashby (Ashby) and In US Pat. No. 1,596,946; a platinum-hydrocarbon complex described in US Pat. No. 1,596,62; a platinum alcoholate catalyst described in US Pat. No. 3,220,972 to Lamoreaux; in US Pat. No. 3,516,946 to Modic. And platinum chloride-olefin composites described in 1). In the above formulae, Me represents a methyl group, Bu represents a butyl group, Vi represents a vinyl group, Ph represents a phenyl group, and n and m represent integers. In addition, a catalyst other than a platinum compound such as RhCl (PPh) 3 , RhCl 3 , RhAl 2 O 3 , RuCl 3 , IrCl 3 , FeCl 3 , AlCl 3 , PdCl 2 .2H 2 O, NiCl 2 , TiCl 4 is used. Also good. These catalysts may be used alone or in combination of two or more. Of these, chloroplatinic acid, platinum-olefin complexes, platinum-vinylsiloxane complexes and the like are preferable from the viewpoint of catalytic activity.

触媒の添加量は特に限定されないが、十分な硬化性を有し、かつ硬化性組成物のコストを比較的低く抑えるため、成分βのSiH基1モルに対して10-8モル以上、より好ましくは10-6モル以上であり、10-1モル以下、より好ましくは10-2モル以下である。
また、上記触媒には助触媒を併用してもよい。助触媒としては、トリフェニルホスフィン等のリン系化合物、マレイン酸ジメチル等の1、2−ジエステル系化合物、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−ブチン等のアセチレンアルコール系化合物、単体の硫黄等の硫黄系化合物、トリエチルアミン等のアミン系化合物等が挙げられる。
The addition amount of the catalyst is not particularly limited, but is preferably 10 −8 mol or more with respect to 1 mol of SiH group of component β in order to have sufficient curability and keep the cost of the curable composition relatively low. Is 10 −6 mol or more, 10 −1 mol or less, more preferably 10 −2 mol or less.
Further, a cocatalyst may be used in combination with the above catalyst. Examples of promoters include phosphorus compounds such as triphenylphosphine, 1,2-diester compounds such as dimethyl maleate, acetylene alcohol compounds such as 2-hydroxy-2-methyl-1-butyne, and simple sulfur. Examples thereof include sulfur compounds and amine compounds such as triethylamine.

助触媒の添加量は特に限定されないが、ヒドロシリル化触媒1モルに対して10-2モル以上、より好ましくは10-1モル以上であり、102モル以下、より好ましくは10モル以下である。
成分α、成分β及び触媒を混合する方法としては、各種方法をとることができるが、成分αに触媒を混合したものを、成分βに混合する方法が好ましい。成分α、成分βの混合物に触媒を混合する方法の場合、反応の制御が困難である。成分βに触媒を混合したものに成分αを混合する方法の場合、触媒の存在下、成分βが、混入している水分と反応性を有するため、変質することがある。
The amount of the cocatalyst added is not particularly limited, but is 10 −2 mol or more, more preferably 10 −1 mol or more, and 10 2 mol or less, more preferably 10 mol or less, per mol of the hydrosilylation catalyst.
Various methods can be used as a method of mixing the component α, the component β, and the catalyst, and a method of mixing the component α with the catalyst into the component β is preferable. In the case of a method in which a catalyst is mixed with a mixture of component α and component β, it is difficult to control the reaction. In the case of mixing the component α with the component β mixed with the catalyst, the component β may be altered in the presence of the catalyst because the component β has reactivity with the mixed water.

反応温度としては種々設定できるが、30℃以上、より好ましくは50℃以上であり、200℃以下、より好ましくは150℃以下である。反応温度が低いと十分に反応させるための反応時間が長くなり、反応温度が高いと実用的でない。反応は一定の温度で行ってもよいし、必要に応じて多段階又は連続的に温度を変化させてもよい。
反応時間、反応時の圧力は、必要に応じ種々設定できる。
The reaction temperature can be variously set, but is 30 ° C or higher, more preferably 50 ° C or higher, 200 ° C or lower, more preferably 150 ° C or lower. If the reaction temperature is low, the reaction time for sufficiently reacting becomes long, and if the reaction temperature is high, it is not practical. The reaction may be carried out at a constant temperature, or the temperature may be changed in multiple steps or continuously as required.
The reaction time and the pressure during the reaction can be variously set as necessary.

ヒドロシリル化反応の際、溶媒を使用してもよい。
溶媒としては、ヒドロシリル化反応を阻害しない限り特に限定されるものではなく、例えば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、1, 4−ジオキサン、1,3−ジオキソラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、クロロホルム、塩化メチレン、1, 2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒を好適に用いることができる。使用する溶媒量は適宜調整することができる。溶媒は2種類以上の混合溶媒として用いてもよい。
A solvent may be used in the hydrosilylation reaction.
The solvent is not particularly limited as long as it does not inhibit the hydrosilylation reaction. For example, hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, hexane, heptane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, 1,3-dioxolane, diethyl Ether solvents such as ether, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and halogen solvents such as chloroform, methylene chloride and 1,2-dichloroethane can be preferably used. The amount of solvent used can be adjusted as appropriate. You may use a solvent as a 2 or more types of mixed solvent.

また、ヒドロキシル化反応の際には、反応性を制御する目的等のために種々の添加剤を用いてもよい。
成分αと成分βを反応させて成分(B)を得た際、得られた成分(B)を単離することなく混合物のままで用いてもよいし、未反応の成分及び/又は溶媒を除去してもよい。揮発分を除去する場合には、得られる成分(B)が揮発分を有さないため、成分(A)とともに硬化させる際に、揮発分の揮発によるボイド、クラックの問題が生じにくい。揮発分を除去する方法としては、例えば、減圧脱揮;活性炭、ケイ酸アルミニウム、シリカゲル等による処理等が挙げられる。減圧脱揮する場合には低温(例えば、100℃以下、好ましくは60℃以下)で処理することが好ましい。高温で処理すると増粘等の変質を伴いやすい。
In the hydroxylation reaction, various additives may be used for the purpose of controlling the reactivity.
When component (B) is obtained by reacting component α and component β, the resulting component (B) may be used as a mixture without isolation, or unreacted components and / or solvents may be used. It may be removed. When removing the volatile matter, the resulting component (B) does not have a volatile matter, and therefore, when cured together with the component (A), the problem of voids and cracks due to the volatilization of the volatile matter hardly occurs. Examples of the method for removing volatile components include vacuum devolatilization; treatment with activated carbon, aluminum silicate, silica gel, and the like. When devolatilizing under reduced pressure, it is preferable to treat at a low temperature (for example, 100 ° C. or lower, preferably 60 ° C. or lower). When treated at high temperatures, it tends to be accompanied by alterations such as thickening.

成分αと成分βとの反応物である成分(B)の例としては、ジビニルベンゼンと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物、ビスフェノールAジアリルエーテルと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物、ビニルシクロヘキセンと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物、ジシクロペンタジエンと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物、トリアリルイソシアヌレートと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレートと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物、アリルグリシジルエーテルと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物、αメチルスチレンと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物、モノアリルジグリシジルイソシアヌレートと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物等を挙げることができる。   Examples of component (B) which is a reaction product of component α and component β include a reaction product of divinylbenzene and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, bisphenol A diallyl ether and 1,3,3. Reaction product of 5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, reaction product of vinylcyclohexene and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, dicyclopentadiene and 1,3,5,7-tetramethylcyclo Reaction product of tetrasiloxane, reaction product of triallyl isocyanurate and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, diallyl monoglycidyl isocyanurate and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane Reaction product of allyl glycidyl ether and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane Reaction product of α-methylstyrene and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, reaction product of monoallyl diglycidyl isocyanurate and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane Etc.

得られる硬化性組成物が低粘度になる点から、ジビニルベンゼンと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物、αメチルスチレンと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物が好ましい。
コーティング部材の耐熱性・耐光性の点から、ジビニルベンゼンと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物、トリアリルイソシアヌレートと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物が好ましい。
Since the resulting curable composition has low viscosity, a reaction product of divinylbenzene and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, α-methylstyrene and 1,3,5,7-tetramethylcyclo A reaction product with tetrasiloxane is preferred.
From the viewpoint of heat resistance and light resistance of the coating member, a reaction product of divinylbenzene and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, triallyl isocyanurate and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetra A reaction product with siloxane is preferred.

また、耐熱性・耐光性・接着性の点から、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレートと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物、モノアリルジグリシジルイソシアヌレートと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物が好ましい。
成分(B)のケイ素化合物は、単独又は2種以上のものを混合して用いることができる。
成分(C)
成分(C)のヒドロシリル化触媒としては、ヒドロシリル化反応の触媒活性があれば、特に限定されず、成分αと成分βとのヒドロシリル化反応に使用することができる触媒と同様のものが挙げられる。また、好ましい触媒の例、添加量、助触媒についても、上記と同様のものが挙げられる。
From the viewpoint of heat resistance, light resistance and adhesiveness, a reaction product of diallyl monoglycidyl isocyanurate and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, monoallyl diglycidyl isocyanurate and 1,3,5 , 7-tetramethylcyclotetrasiloxane and its reaction product are preferred.
The silicon compound of component (B) can be used alone or in combination of two or more.
Ingredient (C)
The hydrosilylation catalyst of component (C) is not particularly limited as long as it has catalytic activity for hydrosilylation reaction, and examples thereof include the same catalysts as those that can be used for the hydrosilylation reaction of component α and component β. . Examples of preferred catalysts, addition amounts, and promoters are the same as described above.

なお、成分(C)のヒドロシリル化触媒に、硬化性組成物の保存安定性を改良する目的又は製造過程でのヒドロシリル化反応の反応性を調整する目的で、硬化遅延剤を併用して使用してもよい。
硬化遅延剤としては、脂肪族不飽和結合を含有する化合物、有機リン化合物、有機イオウ化合物、窒素含有化合物、スズ系化合物、有機過酸化物等の1種又は2種以上が挙げられる。
In addition, a curing retarder is used in combination with the hydrosilylation catalyst of component (C) for the purpose of improving the storage stability of the curable composition or adjusting the reactivity of the hydrosilylation reaction in the production process. May be.
Examples of the curing retarder include one or more compounds such as a compound containing an aliphatic unsaturated bond, an organic phosphorus compound, an organic sulfur compound, a nitrogen-containing compound, a tin-based compound, and an organic peroxide.

脂肪族不飽和結合を含有する化合物としては、プロパギルアルコール類、エン−イン化合物類、マレイン酸エステル類等が例示される。有機リン化合物としては、トリオルガノフォスフィン類、ジオルガノフォスフィン類、オルガノフォスフィン類、トリオルガノフォスファイト類等が例示される。有機イオウ化合物としては、オルガノメルカプタン類、ジオルガノスルフィド類、硫化水素、ベンゾチアゾール、ベンゾチアゾールジサルファイド等が例示される。窒素含有化合物としては、アンモニア、1〜3級アルキルアミン類、アリールアミン類、尿素、ヒドラジン等が例示される。スズ系化合物としては、ハロゲン化第一スズ2水和物、カルボン酸第一スズ等が例示される。有機過酸化物としては、ジ−t−ブチルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、過安息香酸t−ブチル等が例示される。   Examples of the compound containing an aliphatic unsaturated bond include propargyl alcohols, ene-yne compounds, maleate esters and the like. Examples of the organic phosphorus compound include triorganophosphine, diorganophosphine, organophosphine, and triorganophosphite. Examples of the organic sulfur compound include organomercaptans, diorganosulfides, hydrogen sulfide, benzothiazole, benzothiazole disulfide and the like. Examples of the nitrogen-containing compound include ammonia, primary to tertiary alkylamines, arylamines, urea, hydrazine and the like. Examples of tin compounds include stannous halide dihydrate and stannous carboxylate. Examples of the organic peroxide include di-t-butyl peroxide, dicumyl peroxide, benzoyl peroxide, and t-butyl perbenzoate.

これらの硬化遅延剤のうち、遅延活性が良好で原料入手性がよいという観点からは、ベンゾチアゾール、チアゾール、マレイン酸ジメチル、3−ヒドロキシ−3−メチル−1−ブチンが好ましい。
硬化遅延剤の添加量は種々設定できるが、使用するヒドロシリル化触媒1molに対して10-1モル以上、より好ましくは1モル以上であり、103モル以下、より好ましくは50モル以下である。
Of these curing retarders, benzothiazole, thiazole, dimethyl maleate, and 3-hydroxy-3-methyl-1-butyne are preferable from the viewpoint of good delay activity and good raw material availability.
Although the addition amount of the curing retarder can be variously set, it is 10 −1 mol or more, more preferably 1 mol or more, and 10 3 mol or less, more preferably 50 mol or less with respect to 1 mol of the hydrosilylation catalyst to be used.

成分(D)
成分(D)のシランカップリング剤としては、分子中に有機基と反応性のある官能基と、加水分解性のケイ素基とを各々少なくとも1個有する化合物が挙げられる。
例えば、有機基と反応性のある官能基としては、取扱い性の点からエポキシ基、メタクリル基、アクリル基、イソシアネート基、イソシアヌレート基、ビニル基及びカルバメート基から選ばれる少なくとも1個の官能基が好ましく、硬化性及び接着性の点から、エポキシ基、メタクリル基、アクリル基が、特に好ましい。
Ingredient (D)
Examples of the silane coupling agent of component (D) include compounds each having at least one functional group reactive with an organic group and one hydrolyzable silicon group in the molecule.
For example, the functional group reactive with the organic group includes at least one functional group selected from an epoxy group, a methacryl group, an acrylic group, an isocyanate group, an isocyanurate group, a vinyl group, and a carbamate group from the viewpoint of handleability. From the viewpoint of curability and adhesiveness, an epoxy group, a methacryl group, and an acrylic group are particularly preferable.

加水分解性のケイ素基としては、取扱い性の点からアルコキシシリル基が好ましく、反応性の点からメトキシシリル基、エトキシシリル基が、特に好ましい。
シランカップリング剤としては、例えば、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン等のエポキシ官能基を有するアルコキシシラン類:3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシメチルトリメトキシシラン、メタクリロキシメチルトリエトキシシラン、アクリロキシメチルトリメトキシシラン、アクリロキシメチルトリエトキシシラン等のメタクリル基あるいはアクリル基を有するアルコキシシラン類等が挙げられる。
As the hydrolyzable silicon group, an alkoxysilyl group is preferable from the viewpoint of handleability, and a methoxysilyl group and an ethoxysilyl group are particularly preferable from the viewpoint of reactivity.
Examples of the silane coupling agent include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4 -Epoxycyclohexyl) alkoxysilanes having an epoxy functional group such as ethyltriethoxysilane: 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxy Methacrylic or acrylic groups such as propyltriethoxysilane, methacryloxymethyltrimethoxysilane, methacryloxymethyltriethoxysilane, acryloxymethyltrimethoxysilane, acryloxymethyltriethoxysilane Alkoxysilanes or the like for like.

成分(D)のエポキシ基含有化合物としては、種々のエポキシ樹脂が例示される。例えば、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、2,2’−ビス(4−グリシジルオキシシクロヘキシル)プロパン、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカーボキシレート、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)−5,5−スピロ−(3,4−エポキシシクロヘキサン)−1,3−ジオキサン、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル)アジペート、1,2−シクロプロパンジカルボン酸ビスグリシジルエステル、トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート等のエポキシ樹脂を、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、水素化メチルナジック酸無水物等の脂肪族酸無水物で硬化させたもの等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても、複数のものを組み合わせてもよい。   Examples of the epoxy group-containing compound of component (D) include various epoxy resins. For example, novolak phenol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, bisphenol F diglycidyl ether, bisphenol A diglycidyl ether, 2,2′-bis (4-glycidyloxycyclohexyl) propane, 3,4 -Epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, vinyl cyclohexylene dioxide, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) -5,5-spiro- (3,4-epoxycyclohexane) -1,3- Dioxane, bis (3,4-epoxycyclohexyl) adipate, 1,2-cyclopropanedicarboxylic acid bisglycidyl ester, triglycidyl isocyanurate, monoallyl diglycidyl isocyanurate, diallyl Examples include those obtained by curing epoxy resins such as glycidyl isocyanurate with aliphatic acid anhydrides such as hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, and hydrogenated methylnadic anhydride. It is done. These may be used alone or in combination.

成分(D)のシランカップリング剤及び/又はエポキシ基含有化合物の添加量は種々設定できるが、[成分(A)+成分(B)]100重量部に対して0.1重量部以上、より好ましくは0.5重量部以上であり、50重量部以下、より好ましくは25重量部以下である。添加量が少ないと接着性改良効果が表れず、添加量が多いとコーティング部材の物性に悪影響を及ぼす場合がある。   Although the addition amount of the silane coupling agent and / or epoxy group-containing compound of component (D) can be variously set, 0.1 part by weight or more with respect to 100 parts by weight of [component (A) + component (B)] Preferably it is 0.5 weight part or more, 50 weight part or less, More preferably, it is 25 weight part or less. If the addition amount is small, the effect of improving the adhesiveness does not appear, and if the addition amount is large, the physical properties of the coating member may be adversely affected.

また、成分(D)のシランカップリング剤及び/又はエポキシ基含有化合物には、接着性改良効果をさらに高めるために、シラノール源化合物を併用してもよい。
シラノール源としては、例えば、トリフェニルシラノール、ジフェニルジヒドロキシシラン等のシラノール化合物、ジフェニルジメトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン等のアルコキシシラン類等を挙げることができる。シラノール源化合物は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。
In addition, a silanol source compound may be used in combination with the silane coupling agent and / or epoxy group-containing compound of component (D) in order to further enhance the effect of improving adhesiveness.
Examples of the silanol source include silanol compounds such as triphenylsilanol and diphenyldihydroxysilane, and alkoxysilanes such as diphenyldimethoxysilane, tetramethoxysilane, and methyltrimethoxysilane. A silanol source compound may be used independently and may be used together 2 or more types.

シラノール源化合物を用いる場合の使用量は種々設定できるが、シランカップリング剤及び/又はエポキシ基含有化合物100重量部に対して、0.1重量部以上、より好ましくは1重量部以上であり、50重量部以下、より好ましくは30重量部以下である。添加量が少ないと接着性改良効果が表れず、添加量が多いとコーティング部材の物性に悪影響を及ぼす場合がある。   The amount used in the case of using a silanol source compound can be variously set, but is 0.1 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, with respect to 100 parts by weight of the silane coupling agent and / or the epoxy group-containing compound, 50 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less. If the addition amount is small, the effect of improving the adhesiveness does not appear, and if the addition amount is large, the physical properties of the coating member may be adversely affected.

さらに、成分(D)のシランカップリング剤及び/又はエポキシ基含有化合物は、これらの効果を高めるために、カルボン酸類及び/又は酸無水物類を併用してもよい。
カルボン酸類、酸無水物類としては特に限定されないが、例えば、
Furthermore, the silane coupling agent and / or epoxy group-containing compound of component (D) may be used in combination with carboxylic acids and / or acid anhydrides in order to enhance these effects.
Carboxylic acids and acid anhydrides are not particularly limited.

Figure 0004774201
等の化合物、2−エチルヘキサン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、メチルシクロヘキサンジカルボン酸、テトラヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、メチルハイミック酸、ノルボルネンジカルボン酸、水素化メチルナジック酸、マレイン酸、アセチレンジカルボン酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、桂皮酸、フタル酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ナフタレンカルボン酸、ナフタレンジカルボン酸、およびそれらの単独あるいは複合酸無水物等が挙げられる。
Figure 0004774201
Such as 2-ethylhexanoic acid, cyclohexanecarboxylic acid, cyclohexanedicarboxylic acid, methylcyclohexanedicarboxylic acid, tetrahydrophthalic acid, methyltetrahydrophthalic acid, methylheimic acid, norbornene dicarboxylic acid, hydrogenated methylnadic acid, maleic acid, Acetylenedicarboxylic acid, lactic acid, malic acid, citric acid, tartaric acid, benzoic acid, hydroxybenzoic acid, cinnamic acid, phthalic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, naphthalenecarboxylic acid, naphthalenedicarboxylic acid, and single or complex acids thereof An anhydride etc. are mentioned.

これらのカルボン酸類及び/又は酸無水物類のうち、ヒドロシリル化反応性を有し、コーティング部材からの染み出しの可能性が少なく、得られるコーティング部材の物性を損ない難いという点において、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を含有するものが好ましい。このようなカルボン酸類及び/又は酸無水物類としては、例えば、   Among these carboxylic acids and / or acid anhydrides, in terms of having hydrosilylation reactivity, there is little possibility of seeping out from the coating member, and it is difficult to impair the physical properties of the resulting coating member. Those containing reactive carbon-carbon double bonds are preferred. Examples of such carboxylic acids and / or acid anhydrides include:

Figure 0004774201
テトラヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸およびそれらの単独あるいは複合酸無水物等が挙げられる。これらのカルボン酸類及び/又は酸無水物類は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。
Figure 0004774201
Examples thereof include tetrahydrophthalic acid, methyltetrahydrophthalic acid, and single or complex acid anhydrides thereof. These carboxylic acids and / or acid anhydrides may be used alone or in combination of two or more.

カルボン酸類及び/又は酸無水物類を用いる場合の使用量は種々設定できるが、シランカップリング剤及び/又はエポキシ基含有化合物100重量部に対して、0.1重量部以上、より好ましくは1重量部以上であり、50重量部以下、より好ましくは10重量部以下である。添加量が少ないと接着性改良効果が表れず、添加量が多いとコーティング部材の物性に悪影響を及ぼす場合がある。   The amount used in the case of using carboxylic acids and / or acid anhydrides can be variously set, but is 0.1 parts by weight or more, more preferably 1 with respect to 100 parts by weight of the silane coupling agent and / or epoxy group-containing compound. It is not less than 50 parts by weight, more preferably not more than 10 parts by weight. If the addition amount is small, the effect of improving the adhesiveness does not appear, and if the addition amount is large, the physical properties of the coating member may be adversely affected.

なお、この成分(D)のシランカップリング剤及び/又はエポキシ基含有化合物は、以下の成分(E)であるシラノール縮合触媒と組み合わせることにより、コーティング部材にパッケージ樹脂との接着性を与える成分として有効に作用する。
成分(E)
成分(E)のシラノール縮合触媒としては特に限定されず、有機アルミニウム化合物、ほう酸エステル、チタン系化合物等が挙げられる。なかでも、硬化時及び高温下での着色性が低い点から、ほう酸エステルが好ましい。また、接着性の向上及び/又は安定化が可能である点から、チタン系化合物を用いることもできる。
In addition, the silane coupling agent and / or the epoxy group-containing compound of this component (D) are combined with a silanol condensation catalyst which is the following component (E), thereby providing the coating member with adhesiveness to the package resin. It works effectively.
Ingredient (E)
It does not specifically limit as a silanol condensation catalyst of a component (E), An organoaluminum compound, a boric acid ester, a titanium type compound, etc. are mentioned. Of these, boric acid esters are preferred from the viewpoint of low colorability during curing and at high temperatures. In addition, a titanium-based compound can also be used from the viewpoint that adhesion can be improved and / or stabilized.

有機アルミニウム化合物としては、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、トリノルマルプロポキシアルミニウム等のアルミニウムアルコラート化合物;ナフテン酸、ステアリン酸、オクチル酸、安息香酸等のアルミニウム有機酸塩;アルミニウムエチルアセトアセトアセテートジイソプロピレート、アルミニウムエチルアセトアセトアセテートジイソブチレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)、アルミニウムビスエチルアセトアセテートモノアセチルアセトネート、アルミニウムトリス(アセチルアセトネート)等のアルミニウムキレート化合物等が挙げられる。なかでも、反応性、基材との接着性・密着性の観点から、アルミニウムキレート及びアルミニウムアルコラートが好ましく、さらにヒドロシリル化硬化反応との相性からアルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)が好ましい。   Examples of organoaluminum compounds include aluminum alcoholate compounds such as trimethoxyaluminum, triethoxyaluminum, triisopropoxyaluminum and trinormalpropoxyaluminum; aluminum organic acid salts such as naphthenic acid, stearic acid, octylic acid and benzoic acid; aluminum ethylacetate Examples thereof include aluminum chelate compounds such as acetoacetate diisopropylate, aluminum ethyl acetoacetoacetate diisobutyrate, aluminum tris (ethyl acetoacetate), aluminum bisethyl acetoacetate monoacetylacetonate, and aluminum tris (acetylacetonate). Of these, aluminum chelate and aluminum alcoholate are preferable from the viewpoints of reactivity, adhesion to the substrate and adhesion, and aluminum tris (ethyl acetoacetate) is preferable from the viewpoint of compatibility with the hydrosilylation curing reaction.

ほう酸エステルとしては、下記一般式(VII)及び一般式(VIII)
B(OR83 (VII)
B(OCOR83 (VIII)
(式中、R8は炭素数1〜48の有機基を表す。)
で示されるものを好適に用いることができる。
As borate ester, the following general formula (VII) and general formula (VIII)
B (OR 8 ) 3 (VII)
B (OCOR 8 ) 3 (VIII)
(In the formula, R 8 represents an organic group having 1 to 48 carbon atoms.)
What is shown by can be used suitably.

具体的には、ほう酸トリ−2−エチルヘキシル、ほう酸ノルマルトリオクタデシル、ほう酸トリノルマルオクチル、ほう酸トリフェニル、トリメチレンボレート、トリス(トリメチルシリル)ボレート、ほう酸トリノルマルブチル、ほう酸トリ−sec−ブチル、ほう酸トリ−tert−ブチル、ほう酸トリイソプロピル、ほう酸トリノルマルプロピル、ほう酸トリアリル、ほう酸トリエチル、ほう酸トリメチル、ほう素メトキシエトキサイドが挙げられる。   Specifically, tri-2-ethylhexyl borate, normal trioctadecyl borate, tri-octal borate, triphenyl borate, trimethylene borate, tris (trimethylsilyl) borate, tri-butyl borate, tri-sec-butyl borate, tri-borate triborate -Tert-butyl, triisopropyl borate, trinormalpropyl borate, triallyl borate, triethyl borate, trimethyl borate, boron methoxyethoxide.

入手性の点から、ほう酸トリメチル、ほう酸トリエチル、ほう酸トリノルマルブチルが好ましく、ほう酸トリメチルがさらに好ましい。
また、硬化時の揮発性を抑制できる点から、ほう酸ノルマルトリオクタデシル、ほう酸トリノルマルオクチル、ほう酸トリフェニル、トリメチレンボレート、トリス(トリメチルシリル)ボレート、ほう酸トリノルマルブチル、ほう酸トリ−sec−ブチル、ほう酸トリ−tert−ブチル、ほう酸トリイソプロピル、ほう酸トリノルマルプロピル、ほう酸トリアリル、ほう素メトキシエトキサイドが好ましく、ほう酸ノルマルトリオクタデシル、ほう酸トリ−tert−ブチル、ほう酸トリフェニル、ほう酸トリノルマルブチルがさらに好ましい。
From the viewpoint of availability, trimethyl borate, triethyl borate and trinormal butyl borate are preferable, and trimethyl borate is more preferable.
Moreover, from the point which can suppress the volatility at the time of hardening, normal trioctadecyl borate, tri-normal octyl borate, triphenyl borate, trimethylene borate, tris (trimethylsilyl) borate, tri-normal butyl borate, tri-sec-butyl borate, boric acid Tri-tert-butyl, triisopropyl borate, trinormal propyl borate, triallyl borate, and boron methoxyethoxide are preferable, and normal trioctadecyl borate, tri-tert-butyl borate, triphenyl borate, and trinormal butyl borate are more preferable.

さらに、揮発性の抑制、作業性の点から、ほう酸トリノルマルブチル、ほう酸トリイソプロピル、ほう酸トリノルマルプロピルが好ましく、ほう酸トリノルマルブチルがさらに好ましい。
また、高温下での着色性が低い点から、ほう酸トリエチルが好ましく、ほう酸トリメチルがさらに好ましい。
Furthermore, from the viewpoint of suppression of volatility and workability, trinormal butyl borate, triisopropyl borate and trinormal propyl borate are preferable, and trinormal butyl borate is more preferable.
In addition, triethyl borate is preferable and trimethyl borate is more preferable from the viewpoint of low colorability at high temperatures.

チタン系化合物としては、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタン等のテトラアルコキシチタン類:チタンテトラアセチルアセトナート等のチタンキレート類:オキシ酢酸やエチレングリコール等の残基を有する一般的なチタネートカップリング剤が例示できる。
シラノール縮合触媒を用いる場合の使用量は種々設定できるが、シランカップリング剤及び/又はエポキシ基含有化合物100重量部に対して0.1重量部以上、より好ましくは1重量部以上であり、50重量部以下、より好ましくは30重量部以下である。添加量が少ないと接着性改良効果が表れず、添加量が多いとコーティング部材の物性に悪影響を及ぼす場合がある。
なお、シラノール縮合触媒は、1種類のみを用いてもよく、2種類以上を混合して用いてもよい。混合は事前に行なってもよいし、コーティング部材の作成時に行ってもよい。
Examples of titanium compounds include tetraalkoxy titaniums such as tetraisopropoxy titanium and tetrabutoxy titanium: titanium chelates such as titanium tetraacetylacetonate: general titanate coupling agents having residues such as oxyacetic acid and ethylene glycol Can be illustrated.
The amount used in the case of using a silanol condensation catalyst can be variously set, but it is 0.1 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more with respect to 100 parts by weight of the silane coupling agent and / or epoxy group-containing compound. It is 30 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less. If the addition amount is small, the effect of improving the adhesiveness does not appear, and if the addition amount is large, the physical properties of the coating member may be adversely affected.
In addition, only 1 type may be used for a silanol condensation catalyst, and 2 or more types may be mixed and used for it. Mixing may be performed in advance or may be performed when the coating member is formed.

成分(F)
成分(F)である無機部材は、硬化性組成物中に分散することにより、外部から照射された光を反射、散乱及び/又は拡散等させることができる材料であることが好ましい。
例えば、アルミナ、シリカ(ヒュームシリカ、沈降性シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、超微粉無定形シリカ、無水珪酸等)、石英、酸化チタン、酸化錫、酸化亜鉛、一酸化錫、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム等の酸化物、窒化硼素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物、SiC等の金属炭化物、炭酸カルシウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム等の金属炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、ほう酸アルミニウム、チタン酸バリウム、リン酸カルシウム、珪酸カルシウム、クレー、石膏、硫酸バリウム、マイカ、ケイソウ土、白土、無機バルーン、タルク、蛍光物質、金属片(銀粉等)等からなる群から選択される少なくとも1種が挙げられる。
コーティング部材中の無機部材の配合量は特に限定されないが、コーティング部材全体量の0.1〜90重量%である。塗布性の点から、80重量%以下、より好ましくは70重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下、特に好ましくは40重量%以下、より特に好ましくは30重量以下である。配合量が多いと塗布性が低下し、塗布不良のため反射性が低下する。反射性の点から、5重量%以上、より好ましくは10重量%以上、さらに好ましくは30重量%以上、特に好ましくは40重量%以上、より特に好ましくは50重量%以上である。塗布性と反射性の両立のためには、10重量%以上80重量%以下、さらに好ましくは20重量%以上70重量%以下、特に好ましくは30重量%以上60重量%以下である。
無機部材は、分散性や反射性等を考慮して球状、針状、フレーク状等種々の形状をとることができる。
Ingredient (F)
It is preferable that the inorganic member which is a component (F) is a material which can reflect, scatter, and / or diffuse the light irradiated from the outside by disperse | distributing in a curable composition.
For example, alumina, silica (fume silica, precipitated silica, fused silica, crystalline silica, ultrafine powder amorphous silica, anhydrous silicic acid, etc.), quartz, titanium oxide, tin oxide, zinc oxide, tin monoxide, calcium oxide, magnesium oxide Oxides such as beryllium oxide, metal nitrides such as boron nitride, silicon nitride and aluminum nitride, metal carbides such as SiC, metal carbonates such as calcium carbonate, potassium carbonate, sodium carbonate, magnesium carbonate and barium carbonate, hydroxide Metal hydroxide such as aluminum and magnesium hydroxide, aluminum borate, barium titanate, calcium phosphate, calcium silicate, clay, gypsum, barium sulfate, mica, diatomaceous earth, white clay, inorganic balloon, talc, fluorescent substance, metal piece (silver powder And at least one selected from the group consisting of That.
Although the compounding quantity of the inorganic member in a coating member is not specifically limited, It is 0.1 to 90 weight% of the coating member whole quantity. From the viewpoint of applicability, it is 80% by weight or less, more preferably 70% by weight or less, further preferably 50% by weight or less, particularly preferably 40% by weight or less, and particularly preferably 30% by weight or less. When the blending amount is large, the coating property is lowered, and the reflectance is lowered due to poor coating. From the viewpoint of reflectivity, it is 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, further preferably 30% by weight or more, particularly preferably 40% by weight or more, and more particularly preferably 50% by weight or more. In order to achieve both coatability and reflectivity, the content is 10% by weight to 80% by weight, more preferably 20% by weight to 70% by weight, and particularly preferably 30% by weight to 60% by weight.
The inorganic member can take various shapes such as a spherical shape, a needle shape, and a flake shape in consideration of dispersibility and reflectivity.

特に、酸化チタンは、高い白色度、隠ぺい力、優れた耐久性の観点からコーティング部材の無機部材として好ましい。耐久性の観点から、その結晶形はルチル型が好ましい。また、粒子径は分散性の点から1.0μm以下が好ましく、0.8μm以下がより好ましく、0.4μm以下がさらに好ましい。また、隠ぺい力の点からは、0.1μm以上が好ましく、0.2μm以上がさらに好ましい。なお、酸化チタンの平均粒子径は、電子顕微鏡写真をもとに画像解析装置(ルーゼックスIIIU)にて測定することができる。酸化チタンは硫酸法及び塩素法のいずれで製造されたものも好適に用いることができる。   In particular, titanium oxide is preferable as an inorganic member of the coating member from the viewpoint of high whiteness, hiding power, and excellent durability. From the viewpoint of durability, the crystal form is preferably a rutile type. The particle diameter is preferably 1.0 μm or less, more preferably 0.8 μm or less, and further preferably 0.4 μm or less from the viewpoint of dispersibility. Moreover, from the point of the hiding power, 0.1 μm or more is preferable, and 0.2 μm or more is more preferable. In addition, the average particle diameter of titanium oxide can be measured with an image analyzer (Luzex IIIU) based on an electron micrograph. As the titanium oxide, those produced by either the sulfuric acid method or the chlorine method can be suitably used.

また、樹脂との親和性をよくするためにAlやSiなどの含水酸化物でその表面を処理したものも好適に用いることができる。例えば、石原産業株式会社製 タイペークR−820、R−680、CR−50−2、CR−97、CR−60、CR−60−2等が挙げられる。
また、アルミナ、シリカ、窒化硼素、窒化アルミニウム等は、耐侯性に強く、高反射率を維持させることができる。
Moreover, in order to improve affinity with resin, what processed the surface by hydrous oxides, such as Al and Si, can also be used suitably. Examples include Ishihara Sangyo Co., Ltd., Taipei R-820, R-680, CR-50-2, CR-97, CR-60, CR-60-2 and the like.
Alumina, silica, boron nitride, aluminum nitride, etc. are strong in weather resistance and can maintain a high reflectance.

さらに、硬化性組成物にチクソ性を付与し、増粘効果を付与できる点から、酸化チタンとシリカとを併用することが好ましい。シリカは、一次粒子の平均粒子径が3〜20nmであることが好ましく、5〜10nmであることが特に好ましい。シリカの平均粒子径は電子顕微鏡写真をもとに計測することができる。
なお、シリカは、チクソ性付与の点からは表面処理をしていないことが好ましい。例えば、日本アエロジル株式会社製のAEROSIL 300、130、200等を好適に用いることができる。一方、増粘効果の点からは表面処理をしていることが好ましい。例えば、日本アエロジル株式会社製のAEROSIL R812、R972、R974、R976、RX200、RX300等を好適に用いることができる。
Furthermore, it is preferable to use titanium oxide and silica in combination in terms of imparting thixotropy to the curable composition and imparting a thickening effect. Silica has an average primary particle diameter of preferably 3 to 20 nm, particularly preferably 5 to 10 nm. The average particle diameter of silica can be measured based on an electron micrograph.
Silica is preferably not surface-treated from the viewpoint of imparting thixotropy. For example, AEROSIL 300, 130, 200 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd. can be suitably used. On the other hand, it is preferable that surface treatment is performed from the point of the thickening effect. For example, AEROSIL R812, R972, R974, R976, RX200, RX300 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd. can be suitably used.

また、蛍光物質は、遮蔽効果を有しており、さらに窒化物系化合物半導体から放出された可視光、紫外光を他の発光波長に変換するためのものである。したがって、LEDチップが発光した光と、LEDチップからの光によって励起され発光する蛍光物質からの光が補色関係にあるとき白色系光を発光させることができ、発光ダイオードの特性をより向上させることができる。   Further, the fluorescent material has a shielding effect, and further converts visible light and ultraviolet light emitted from the nitride compound semiconductor into other emission wavelengths. Therefore, white light can be emitted when the light emitted from the LED chip and the light from the fluorescent material excited and emitted by the light from the LED chip are in a complementary color relationship, and the characteristics of the light emitting diode are further improved. Can do.

蛍光物質は、LEDチップに用いられる発光層から発光される発光波長、発光ダイオードから放出される所望の発光波長等に応じて種々ものが用いられる。例えば、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系(いわゆるYAG)蛍光物質、ペリレン系誘導体、銅、アルミニウムで付活された硫化亜鉛カドミウム、マンガンで付活された酸化マグネシウム・チタンなど種々のものが挙げられる。これらの蛍光物質は、1種類で用いてもよいし、2種類以上混合して用いてもよい。特に、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光物質(Re3Re’512:Ce、但し、Reは、Y、Gd、Lu、Sc、Laから選択される少なくとも一種、Re’は、Al、In、B、Tlから選択される少なくとも一種である。)は、ガーネット構造であるため、熱、光及び水に強く、励起スペクトルのピークが450nm付近にさせることができる。また、発光ピークも530nm付近などにあり、700nmまで裾を引くブロードな発光スペクトルを持たせることができる。しかも、組成のAlの一部をGaで置換することで発光波長が短波長側にシフトし、また組成のYの一部をGdで置換することで、発光波長が長波長側へシフトさせることができる。このように組成を変化させることで連続的に種々の発光波長とすることができる。 Various fluorescent materials are used depending on the emission wavelength emitted from the light emitting layer used in the LED chip, the desired emission wavelength emitted from the light emitting diode, and the like. Examples include yttrium, aluminum, garnet (so-called YAG) phosphors activated by cerium, perylene derivatives, copper, zinc cadmium sulfide activated by aluminum, magnesium oxide / titanium activated by manganese, etc. Things. These fluorescent materials may be used alone or in combination of two or more. In particular, yttrium-aluminum-garnet fluorescent material activated by cerium (Re 3 Re ′ 5 O 12 : Ce, where Re is at least one selected from Y, Gd, Lu, Sc and La, Re ′ Is at least one selected from Al, In, B, and Tl.) Has a garnet structure and is strong against heat, light, and water, and can have an excitation spectrum peak around 450 nm. In addition, the emission peak is in the vicinity of 530 nm and the like, and a broad emission spectrum that extends to 700 nm can be provided. Moreover, the emission wavelength is shifted to the short wavelength side by substituting part of Al of the composition with Ga, and the emission wavelength is shifted to the long wavelength side by substituting part of Y of the composition with Gd. Can do. By changing the composition in this way, various emission wavelengths can be obtained continuously.

なお、所望に応じて発光波長を長波長や短波長側に調節させるため、イットリウムの一部をLu、Sc、Laに置換させることもできるし、アルミニウムの一部をIn、B、Tlに置換させることもできる。さらに、セリウムに加えて、TbやCrを微量含有させ、吸収波長を調整させることもできる。
特に、蛍光物質の使用量は、変換性が良好である点から、コーティング部材の全体量の5重量%以上、より好ましくは10重量%以上、さらに好ましくは30重量%以上、特に好ましくは40重量%以上、より特に好ましくは50重量%以上である。
蛍光物質に加えて、拡散剤を含有させることによって、より指向性を増すことができる。拡散剤としては、無機系であるチタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等、有機系であるグアナミン樹脂等が挙げられる。
In addition, in order to adjust the emission wavelength to the long wavelength or short wavelength side as desired, part of yttrium can be replaced with Lu, Sc, La, or part of aluminum can be replaced with In, B, Tl. It can also be made. Furthermore, in addition to cerium, a small amount of Tb or Cr can be contained to adjust the absorption wavelength.
In particular, the amount of the fluorescent substance used is 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, still more preferably 30% by weight or more, and particularly preferably 40% by weight of the total amount of the coating member in terms of good conversion. % Or more, more preferably 50% by weight or more.
Directivity can be further increased by including a diffusing agent in addition to the fluorescent substance. Examples of the diffusing agent include inorganic barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, and organic guanamine resins.

硬化性組成物の調製
硬化性組成物は、上述した成分(A)〜(E)、任意に(F)を混合し、組成物中のSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合と、SiH基の一部または全部とを反応させることによって調製することができる。
Preparation of curable composition The curable composition comprises the above-described components (A) to (E), optionally (F), and a carbon-carbon double bond reactive with SiH groups in the composition. , And can be prepared by reacting part or all of SiH groups.

成分(A)〜(E)、任意に(F)の混合は、特に限定されるものではなく、成分(A)〜(E)を一度に混合して反応させた後、成分(F)を混合してもよいし、成分(A)〜(E)の一部を混合して反応させた後、成分(F)を加え、残りの成分を混合してさらに反応させてもよい。また、例えば、反応性を制御するため及び/又は貯蔵中の変質を防ぐために、成分(A)、成分(C)及び成分(E)を混合したものと、成分(B)、成分(D)を混合したものとを混合し、その後成分(F)を混合するのが好ましい。さらに、任意の成分を混合した後、反応条件の制御や置換基の反応性の差を利用することにより、硬化性組成物中の官能基の一部のみを反応(Bステージ化)させてから成形などの処理を行い、さらに硬化させる方法を採ってもよい。この方法によれば成形時の粘度調整が容易となる。   The mixing of the components (A) to (E) and optionally (F) is not particularly limited. After the components (A) to (E) are mixed and reacted at once, the component (F) is added. You may mix, after mixing and reacting a part of component (A)-(E), a component (F) may be added and the remaining component may be mixed and it may be made to react further. Further, for example, in order to control reactivity and / or prevent deterioration during storage, a mixture of component (A), component (C) and component (E), component (B), component (D) It is preferable to mix the component (F) and then the component (F). Furthermore, after mixing arbitrary components, by reacting only a part of the functional groups in the curable composition (B-stage) by utilizing the difference in the reactivity of the control of the reaction conditions and substituents. You may take the process of shaping | molding etc. and taking the further hardening method. According to this method, viscosity adjustment at the time of molding becomes easy.

成分(A)〜(E)と成分(F)とは、例えば、3本ロール、ペイントミル、ボールミル等を用いて混練し、混練後、真空脱泡することにより、分散性に優れたコーティング部材を得ることができる。また、10g以下の少量であれば、遊星式攪拌脱泡機で攪拌することも可能である。
成分(A)〜(E)は、室温で反応させてもよいし、加熱して反応させてもよい。反応が速く、一般に耐熱性の高い材料が得られやすいという観点から加熱して反応させる方法が好ましい。反応温度としては種々設定できるが、例えば30〜300℃の温度が適用でき、50〜250℃がより好ましく、100〜200℃がさらに好ましい。反応温度が低いと十分に反応させるための反応時間が長くなり、反応温度が高いと成形加工が困難となりやすい。
反応は一定の温度で行ってもよいが、必要に応じて多段階又は連続的に温度を変化させてもよい。また、反応時間も種々設定できる。例えば、60℃/1〜10分間で予備硬化させ、100℃/1〜60分間で硬化させる方法をとることができる。反応時の圧力も必要に応じ種々設定でき、常圧、高圧又は減圧状態とすることができる。
The components (A) to (E) and the component (F) are, for example, a coating member having excellent dispersibility by kneading using a three-roll, paint mill, ball mill or the like, followed by vacuum defoaming after kneading. Can be obtained. Moreover, if it is a small quantity of 10 g or less, it is also possible to stir with a planetary stirring deaerator.
Components (A) to (E) may be reacted at room temperature or may be reacted by heating. A method of heating and reacting is preferable from the viewpoint that the reaction is fast and generally a material having high heat resistance is easily obtained. Although various reaction temperatures can be set, for example, a temperature of 30 to 300 ° C can be applied, 50 to 250 ° C is more preferable, and 100 to 200 ° C is more preferable. If the reaction temperature is low, the reaction time for sufficient reaction will be long, and if the reaction temperature is high, molding will tend to be difficult.
The reaction may be carried out at a constant temperature, but the temperature may be changed in multiple steps or continuously as required. Various reaction times can also be set. For example, a method of precuring at 60 ° C./1 to 10 minutes and curing at 100 ° C./1 to 60 minutes can be employed. The pressure at the time of reaction can also be set variously as needed, and can be a normal pressure, a high pressure or a reduced pressure state.

その他の成分(a)〜(h)
硬化性組成物には、上記成分(A)〜(F)の他に、さらに、(a)熱硬化性樹脂、(b)熱可塑性樹脂、(c)充填材、(d)老化防止剤、(e)ラジカル禁止剤、(f)紫外線吸収剤、(g)着色剤、離型剤、難燃剤、難燃助剤、界面活性剤、消泡剤、乳化剤、レベリング剤、はじき防止剤、イオントラップ剤、チクソ性付与剤、粘着性付与剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、反応性希釈剤、酸化防止剤、熱安定化剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、染料、顔料、金属不活性化剤、熱伝導性付与剤、物性調整剤等の1種以上を本発明の目的および効果を損なわない範囲において添加することができる。また、硬化性組成物は、(h)溶剤に溶解して用いてもよい。これらの各種物質は、それぞれ単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
Other components (a) to (h)
In addition to the components (A) to (F), the curable composition further includes (a) a thermosetting resin, (b) a thermoplastic resin, (c) a filler, (d) an anti-aging agent, (E) radical inhibitor, (f) UV absorber, (g) colorant, mold release agent, flame retardant, flame retardant aid, surfactant, antifoaming agent, emulsifier, leveling agent, anti-fogging agent, ion Trapping agent, thixotropic agent, tackifier, storage stability improver, ozone degradation inhibitor, light stabilizer, thickener, plasticizer, reactive diluent, antioxidant, heat stabilizer, conductivity One or more of an imparting agent, an antistatic agent, a radiation shielding agent, a nucleating agent, a phosphorus peroxide decomposing agent, a lubricant, a dye, a pigment, a metal deactivator, a thermal conductivity imparting agent, a physical property modifier, etc. It can add in the range which does not impair the objective and effect of invention. Further, the curable composition may be used after being dissolved in (h) a solvent. These various substances may be used alone or in combination of two or more.

(a)熱硬化性樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、ビスマレイミド樹脂等が例示される。 これらの熱硬化性樹脂は単独で用いても、複数のものを組み合わせてもよい。なかでも、接着性等の実用特性に優れるという観点から、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、成分(D)のエポキシ基含有化合物で例示したものと同様のものが挙げられる。  (A) The thermosetting resin is not particularly limited, and examples thereof include an epoxy resin, a cyanate ester resin, a phenol resin, a polyimide resin, a urethane resin, and a bismaleimide resin. These thermosetting resins may be used alone or in combination. Among these, an epoxy resin is preferable from the viewpoint of excellent practical properties such as adhesiveness. As an epoxy resin, the thing similar to what was illustrated with the epoxy group containing compound of the component (D) is mentioned.

熱硬化性樹脂の添加量は、特に限定されないが、硬化性組成物全体の5重量%以上、より好ましくは10重量%以上であり、50重量%以下、より好ましくは30重量%以下である。添加量が少ないと、接着性等目的とする効果が得られにくいし、添加量が多いと脆くなりやすい。
熱硬化樹脂は、樹脂原料及び/又は硬化させたものを、成分(A)及び/又は成分(B)に溶解させて均一な状態として混合してもよいし、粉砕して粒子状態で混合してもよいし、溶媒に溶解させて混合する等して分散状態としてもよい。得られるコーティング部材がより均一になりやすいという点においては、成分(A)及び/又は成分(B)に溶かして均一な状態として混合することが好ましい。この場合も、熱硬化性樹脂を成分(A)及び/又は成分(B)に直接溶解させてもよいし、溶媒等を用いて均一に混合してもよいし、その後溶媒を除いて均一な分散状態及び/又は混合状態としてもよい。
熱硬化性樹脂を分散させて用いる場合は、平均粒子径は種々設定できるが、10nm以上、10μm以下が好ましい。粒子系の分布はあってもよく、単一分散であっても複数のピーク粒径を有していてもよいが、コーティング部材の粘度が低く塗布性が良好となりやすいという観点からは粒子径の変動係数が10%以下であることが好ましい。
The addition amount of the thermosetting resin is not particularly limited, but is 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, and 50% by weight or less, more preferably 30% by weight or less of the entire curable composition. If the addition amount is small, it is difficult to obtain the intended effects such as adhesiveness, and if the addition amount is large, the addition tends to be brittle.
The thermosetting resin may be obtained by dissolving a resin raw material and / or a cured product in the component (A) and / or the component (B) and mixing them in a uniform state, or pulverizing them and mixing them in a particle state. Alternatively, it may be dispersed by dissolving in a solvent and mixing. In the point that the obtained coating member tends to become more uniform, it is preferable to melt | dissolve in a component (A) and / or a component (B), and to mix as a uniform state. Also in this case, the thermosetting resin may be directly dissolved in the component (A) and / or the component (B), or may be uniformly mixed using a solvent or the like. It is good also as a dispersed state and / or a mixed state.
When the thermosetting resin is dispersed and used, the average particle diameter can be variously set, but is preferably 10 nm or more and 10 μm or less. There may be a distribution of the particle system, which may be monodispersed or have a plurality of peak particle sizes, but from the viewpoint that the viscosity of the coating member is low and the applicability is likely to be good, The coefficient of variation is preferably 10% or less.

(b)熱可塑性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、メチルメタクリレートの単独重合体あるいはメチルメタクリレートと他モノマーとのランダム、ブロック、あるいはグラフト重合体等のポリメチルメタクリレート系樹脂(例えば、日立化成社製オプトレッツ等)、ブチルアクリレートの単独重合体あるいはブチルアクリレートと他モノマーとのランダム、ブロック、あるいはグラフト重合体等のポリブチルアクリレート系樹脂等に代表されるアクリル系樹脂、ビスフェノールA、3,3,5−トリメチルシクロヘキシリデンビスフェノール等をモノマー構造として含有するポリカーボネート樹脂等のポリカーボネート系樹脂(例えば、帝人社製APEC等)、ノルボルネン誘導体、ビニルモノマー等を単独あるいは共重合した樹脂、ノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂、あるいはその水素添加物等のシクロオレフィン系樹脂(例えば、三井化学社製APEL、日本ゼオン社製ZEONOR、ZEONEX、JSR社製ARTON等)、エチレンとマレイミドの共重合体等のオレフィン−マレイミド系樹脂(例えば、東ソー社製TI−PAS等)、ビスフェノールA、ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル)フルオレン等のビスフェノール類やジエチレングリコール等のジオール類とテレフタル酸、イソフタル酸、等のフタル酸類や脂肪族ジカルボン酸類を重縮合させたポリエステル等のポリエステル系樹脂(例えば、鐘紡社製O−PET等)、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等の他、天然ゴム、EPDM等のゴム状樹脂が例示される。  (B) The thermoplastic resin is not particularly limited. For example, a methyl methacrylate homopolymer or a polymethyl methacrylate resin such as a random, block or graft polymer of methyl methacrylate and another monomer (for example, Hitachi Chemical) Optretz, etc.), acrylic resins represented by polybutyl acrylate resins such as butyl acrylate homopolymers or random, block or graft polymers of butyl acrylate and other monomers, bisphenol A, 3, A tree obtained by singly or copolymerizing a polycarbonate resin such as a polycarbonate resin containing 3,5-trimethylcyclohexylidenebisphenol or the like as a monomer structure (for example, APEC manufactured by Teijin Limited), a norbornene derivative, a vinyl monomer, or the like. A cycloolefin resin such as a resin obtained by ring-opening metathesis polymerization of a norbornene derivative, or a hydrogenated product thereof (for example, APEL manufactured by Mitsui Chemicals, ZEONOR, ZEONEX manufactured by Nippon Zeon, ARTON manufactured by JSR, etc.), ethylene and maleimide Olefin-maleimide resins such as copolymers of TI-PAS manufactured by Tosoh Corporation, bisphenols such as bisphenol A and bis (4- (2-hydroxyethoxy) phenyl) fluorene, and diols such as diethylene glycol Polyester resins such as polyester obtained by polycondensation of phthalic acids such as terephthalic acid and isophthalic acid and aliphatic dicarboxylic acids (for example, O-PET manufactured by Kanebo Co., Ltd.), polyethersulfone resins, polyarylate resins, polyvinyl acetal resins , Polyethylene tree , Polypropylene resins, polystyrene resins, polyamide resins, silicone resins, other like fluorine resin, natural rubber, rubber-like resins such as EPDM can be exemplified.

熱可塑性樹脂は、分子中にSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合及び/又はSiH基を有していてもよい。得られるコーティング部材がより強靭となりやすいという点から、分子中にSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合及び/又はSiH基を平均して1分子中に1個以上有していることが好ましい。
熱可塑性樹脂は、その他の架橋性基を有していてもよい。この場合の架橋性基としては、エポキシ基、アミノ基、ラジカル重合性不飽和基、カルボキシル基、イソシアネート基、ヒドロキシル基、アルコキシシリル基等が挙げられる。得られるコーティング部材の耐熱性が高くなりやすいという点から、架橋性基を平均して1分子中に1個以上有していることが好ましい。
The thermoplastic resin may have a carbon-carbon double bond and / or SiH group having reactivity with the SiH group in the molecule. From the point that the resulting coating member is likely to be tougher, it has at least one carbon-carbon double bond and / or SiH group having reactivity with SiH groups in the molecule on average in one molecule. Is preferred.
The thermoplastic resin may have other crosslinkable groups. Examples of the crosslinkable group in this case include an epoxy group, an amino group, a radical polymerizable unsaturated group, a carboxyl group, an isocyanate group, a hydroxyl group, and an alkoxysilyl group. From the viewpoint that the heat resistance of the resulting coating member tends to be high, it is preferable to have one or more crosslinkable groups per molecule on average.

熱可塑性樹脂の分子量は、特に限定されないが、成分(A)や成分(B)との相溶性が良好となりやすいという点から、数平均分子量が10000以下であることが好ましく、5000以下であることがより好ましい。逆に、得られるコーティング部材が強靭となりやすいという点から、数平均分子量が10000以上であることが好ましく、100000以上であることがより好ましい。分子量分布は特に限定されないが、硬化性組成物の粘度が低くなりコーティング性が良好となりやすいという点から、分子量分布が3以下であることが好ましく、2以下であることがより好ましく、1.5以下であることがさらに好ましい。   The molecular weight of the thermoplastic resin is not particularly limited, but the number average molecular weight is preferably 10,000 or less, and preferably 5000 or less from the viewpoint that compatibility with the component (A) or the component (B) tends to be good. Is more preferable. On the contrary, the number average molecular weight is preferably 10,000 or more, more preferably 100,000 or more from the viewpoint that the resulting coating member tends to be tough. The molecular weight distribution is not particularly limited, but the molecular weight distribution is preferably 3 or less, more preferably 2 or less, from the viewpoint that the viscosity of the curable composition tends to be low and the coating property tends to be good. More preferably, it is as follows.

熱可塑性樹脂の配合量は特に限定はないが、硬化性組成物全体に対して5重量%以上、より好ましくは10重量%以上であり、50重量%以下、より好ましくは30重量%以下である。添加量が少ないと得られるコーティング部材が脆くなりやすく、多いと耐熱性(高温での弾性率)が低くなりやすい。
熱可塑性樹脂は、成分(A)及び/又は成分(B)に溶かして均一な状態として混合してもよいし、粉砕して粒子状態で混合してもよいし、溶媒に溶かして混合する等して分散状態としてもよい。得られるコーティング部材がより均一になりやすいという点から、成分(A)及び/又は成分(B)に溶かして均一な状態として混合することが好ましい。この場合も、熱可塑性樹脂を成分(A)及び/又は成分(B)に直接溶解させてもよいし、溶媒等を用いて均一に混合してもよいし、その後溶媒を除いて均一な分散状態及び/又は混合状態としてもよい。
The blending amount of the thermoplastic resin is not particularly limited, but is 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, and 50% by weight or less, more preferably 30% by weight or less based on the entire curable composition. . When the addition amount is small, the resulting coating member tends to be brittle, and when it is large, the heat resistance (elastic modulus at high temperature) tends to be low.
The thermoplastic resin may be dissolved in the component (A) and / or the component (B) and mixed in a uniform state, pulverized and mixed in a particle state, or dissolved in a solvent and mixed. Then, it may be in a dispersed state. From the viewpoint that the resulting coating member tends to be more uniform, it is preferable to dissolve in component (A) and / or component (B) and mix in a uniform state. Also in this case, the thermoplastic resin may be directly dissolved in component (A) and / or component (B), or may be mixed uniformly using a solvent or the like, and then the solvent is removed and uniform dispersion is performed. It is good also as a state and / or a mixed state.

熱可塑性樹脂を分散させて用いる場合は、平均粒子径は種々設定できるが、好ましい平均粒子径の下限は10nmであり、好ましい平均粒子径の上限は10μmである。粒子径の分布はあってもよく、単一分散であっても複数のピーク粒径を有していてもよいが、得られた硬化性組成物の粘度が低くコーティング性が良好となりやすいという観点からは粒子径の変動係数が10%以下であることが好ましい。   When the thermoplastic resin is dispersed and used, the average particle diameter can be variously set, but the lower limit of the preferable average particle diameter is 10 nm, and the upper limit of the preferable average particle diameter is 10 μm. There may be a distribution of particle diameters, which may be monodispersed or have a plurality of peak particle diameters, but the viewpoint that the viscosity of the obtained curable composition is low and the coating properties are likely to be good Therefore, it is preferable that the coefficient of variation of the particle diameter is 10% or less.

(c)充填材としては、種々のものが挙げられる。例えば、ガラス繊維、炭素繊維、カーボンブラック、グラファイト等の無機充填材、上述した成分(F)の無機部材、エポキシ系樹脂等の従来の封止材の充填材として一般に使用及び/又は提案されている充填材等が挙げられる。
充填材及び/又は無機部材(以下、単に「充填剤等」と記すことがある)は適宜表面処理してもよい。表面処理としては、アルキル化処理、トリメチルシリル化処理、シリコーン処理、カップリング剤による処理等が挙げられる。なお、カップリング剤は、成分(D)において例示したシランカップリング剤と同様のものが挙げられる。
(C) As a filler, various things are mentioned. For example, it is generally used and / or proposed as a filler for conventional sealing materials such as inorganic fillers such as glass fiber, carbon fiber, carbon black, and graphite, inorganic members of component (F) described above, and epoxy resins. And fillers.
The filler and / or the inorganic member (hereinafter sometimes simply referred to as “filler or the like”) may be appropriately surface-treated. Examples of the surface treatment include alkylation treatment, trimethylsilylation treatment, silicone treatment, treatment with a coupling agent, and the like. Examples of the coupling agent include the same silane coupling agents as those exemplified in the component (D).

また、例えば、アルコキシシラン、アシロキシシラン、ハロゲン化シラン等の加水分解性シランモノマー又はオリゴマー;チタン、アルミニウム等の金属のアルコキシド、アシロキシド又はハロゲン化物等を硬化性組成物に添加して、硬化性組成物中又は硬化性組成物の部分反応物中で反応させることにより、硬化性組成物中で充填材を生成させてもよい。   Further, for example, hydrolyzable silane monomers or oligomers such as alkoxysilanes, acyloxysilanes, halogenated silanes; alkoxides, acyloxides, halides, etc. of metals such as titanium and aluminum are added to the curable composition to be curable. The filler may be produced in the curable composition by reacting in the composition or in a partial reactant of the curable composition.

以上のような充填材等のうち、硬化反応を阻害し難く、線膨張係数の低減化効果が大きいという観点からは、シリカが好ましい。
充填材等の平均粒径としては、浸透性が良好となりやすいという点から、10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましい。
充填材等の粒径50μm以上の粒子の割合としては、浸透性が良好となりやすいという点から、1重量%以下であることが好ましく、0.1重量%以下であることがより好ましい。
Of the fillers as described above, silica is preferable from the viewpoint that the curing reaction is hardly inhibited and the effect of reducing the linear expansion coefficient is large.
The average particle size of the filler or the like is preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less, from the viewpoint that the permeability is likely to be good.
The ratio of particles having a particle size of 50 μm or more such as a filler is preferably 1% by weight or less, and more preferably 0.1% by weight or less from the viewpoint that the permeability tends to be good.

充填材等の粒径分布は、エポキシ系樹脂等の従来の封止材の充填材として使用及び/又は提案されているものをはじめ、各種設定できる。例えば、24μm以上の粒子が15重量%以上かつ1μm以下の粒子が3重量%以上となるようにしてもよい。
充填材等の平均粒子径、充填材等の粒径50μm以上の粒子の割合はレーザー法マイクロトラック粒度分析計を用いて測定することができる。
The particle size distribution of the filler and the like can be variously set, including those used and / or proposed as fillers of conventional sealing materials such as epoxy resins. For example, particles of 24 μm or more may be 15% by weight or more and particles of 1 μm or less may be 3% by weight or more.
The average particle diameter of the filler and the proportion of particles having a particle diameter of 50 μm or more such as the filler can be measured using a laser microtrack particle size analyzer.

充填材等の比表面積は、エポキシ系樹脂等の従来の封止材の充填材として使用及び/又は提案されているものをはじめとして、各種設定できる。例えば、少量の添加でチクソ性を付与できる点から、50m2/g以上、500m2/g以下、あるいは多量に添加しても流動性を確保できる観点から、1m2/g以上、10m2/g以下等、任意に設定できる。
比表面積はBET法モノソーブ比表面積測定装置によって測定することができる。
The specific surface area of the filler and the like can be variously set including those used and / or proposed as fillers for conventional sealing materials such as epoxy resins. For example, the viewpoint of imparting thixotropy with a small amount of addition, 50 m 2 / g or more, 500 meters 2 / g or less, or a large amount be added from the viewpoint of securing the fluidity, 1 m 2 / g or more, 10 m 2 / It can be arbitrarily set such as g or less.
The specific surface area can be measured by a BET monosorb specific surface area measuring device.

充填材等のガラス化率は、エポキシ系等の従来の封止材の充填材として使用及び/又は提案されているものをはじめ、各種設定できる。例えば、97%以上等が挙げられる。
充填材等の形状としては、硬化性組成物の粘度が低くなりやすい観点からは、球状の充填材であることが好ましい。
充填材等の添加量は特に限定されないが、線膨張係数の低減化効果が高く、かつ硬化性組成物の流動性が良好であるという観点から、全組成物中30重量%以上、より好ましくは50重量%以上であり、80重量%以下、より好ましくは70重量%以下である。
The vitrification rate of the filler or the like can be set in various ways including those used and / or proposed as fillers for conventional sealing materials such as epoxy. For example, 97% or more.
The shape of the filler or the like is preferably a spherical filler from the viewpoint that the viscosity of the curable composition tends to be low.
The addition amount of the filler and the like is not particularly limited, but from the viewpoint that the effect of reducing the linear expansion coefficient is high and the fluidity of the curable composition is good, 30% by weight or more in the total composition, more preferably It is 50% by weight or more, 80% by weight or less, more preferably 70% by weight or less.

充填材等は、成分(F)の混合と同様に混合することができる。また、硬化性組成物の中間原料の貯蔵安定性が良好になりやすいという点から、成分(A)及び成分(C)に充填材等を混合したものと、成分(B)とを混合する方法が好ましい。成分(B)に成分(C)及び/又は充填材を混合したものに成分(A)を混合する方法をとる場合は、成分(C)存在下及び/又は非存在下において成分(B)が環境中の水分及び/又は充填材と反応性を有するため、貯蔵中等に変質することもある。
(d)老化防止剤としては、一般に用いられている老化防止剤、例えば、クエン酸やリン酸、硫黄系老化防止剤等が挙げられる。硫黄系老化防止剤としては、メルカプタン類、メルカプタンの塩類、スルフィドカルボン酸エステル類や、ヒンダードフェノール系スルフィド類を含むスルフィド類、ポリスルフィド類、ジチオカルボン酸塩類、チオウレア類、チオホスフェイト類、スルホニウム化合物、チオアルデヒド類、チオケトン類、メルカプタール類、メルカプトール類、モノチオ酸類、ポリチオ酸類、チオアミド類、スルホキシド類等が挙げられる。
(e)ラジカル禁止剤としては、例えば、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール(BHT)、2,2’−メチレン−ビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、テトラキス(メチレン−3(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)メタン等のフェノール系ラジカル禁止剤や、フェニル−β−ナフチルアミン、α−ナフチルアミン、N,N’−第二ブチル−p−フェニレンジアミン、フェノチアジン、N,N’−ジフェニル−p−フェニレンジアミン等のアミン系ラジカル禁止剤等が挙げられる。
(f)紫外線吸収剤としては、例えば2(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート等が挙げられる。
(g)着色剤、離型剤、難燃剤、難燃助剤、界面活性剤、消泡剤、乳化剤、レベリング剤、はじき防止剤、イオントラップ剤、チクソ性付与剤、粘着性付与剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、反応性希釈剤、酸化防止剤、熱安定化剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、染料、顔料、金属不活性化剤、熱伝導性付与剤、物性調整剤、金属片、蛍光物質(例えば、YAG蛍光物質等)等は、当該分野で公知のもののいずれをも用いることができる。
(h)溶剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、1, 4−ジオキサン、1,3−ジオキソラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、クロロホルム、塩化メチレン、1, 2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒を好適に用いることができる。なかでも、トルエン、テトラヒドロフラン、1,3−ジオキソラン、クロロホルムが好ましい。
A filler etc. can be mixed similarly to mixing of a component (F). In addition, since the storage stability of the intermediate raw material of the curable composition tends to be good, a method of mixing the component (A) and the component (C) with a filler and the component (B) Is preferred. When the component (A) is mixed with the component (B) mixed with the component (C) and / or filler, the component (B) is added in the presence and / or absence of the component (C). Since it is reactive with moisture and / or fillers in the environment, it may be altered during storage.
(D) As an anti-aging agent, the anti-aging agent generally used, for example, a citric acid, phosphoric acid, a sulfur type anti-aging agent, etc. are mentioned. Sulfur-based antioxidants include mercaptans, mercaptan salts, sulfide carboxylates, sulfides including hindered phenol sulfides, polysulfides, dithiocarboxylates, thioureas, thiophosphates, sulfonium Examples thereof include compounds, thioaldehydes, thioketones, mercaptals, mercaptols, monothioacids, polythioacids, thioamides, and sulfoxides.
(E) Examples of radical inhibitors include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol (BHT), 2,2′-methylene-bis (4-methyl-6-t-butylphenol), tetrakis (Methylene-3 (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate) phenolic radical inhibitors such as methane, phenyl-β-naphthylamine, α-naphthylamine, N, N′-secondary butyl Examples thereof include amine radical inhibitors such as -p-phenylenediamine, phenothiazine, N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine.
(F) As an ultraviolet absorber, for example, 2 (2′-hydroxy-3 ′, 5′-di-t-butylphenyl) benzotriazole, bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) Sebacate etc. are mentioned.
(G) Colorant, mold release agent, flame retardant, flame retardant aid, surfactant, antifoaming agent, emulsifier, leveling agent, anti-fogging agent, ion trap agent, thixotropic agent, tackifier, storage Stabilizer, ozone degradation inhibitor, light stabilizer, thickener, plasticizer, reactive diluent, antioxidant, thermal stabilizer, conductivity enhancer, antistatic agent, radiation blocker, nucleating agent, Phosphorus peroxide decomposers, lubricants, dyes, pigments, metal deactivators, thermal conductivity-imparting agents, physical property modifiers, metal pieces, fluorescent materials (eg, YAG fluorescent materials), etc. are known in the art. Any of these can be used.
(H) The solvent is not particularly limited, and examples thereof include hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, hexane and heptane, ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, 1,3-dioxolane and diethyl ether. Suitable solvents are ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, and halogen solvents such as chloroform, methylene chloride and 1,2-dichloroethane. Of these, toluene, tetrahydrofuran, 1,3-dioxolane, and chloroform are preferable.

使用する溶媒量は適宜設定でき、例えば、用いる硬化性組成物1gに対して0.1mL以上、10mL以下である。使用量が少ないと、低粘度化等の溶媒を用いることの効果が得られにくく、また、使用量が多いと、得られるコーティング部材に溶剤が残留して熱クラック等の問題となり易く、またコスト的にも不利になり工業的利用価値が低下する。
特に、コーティング部材は、白色であることが好ましい。ここで白色とは、「JIS Z8110−1995 参考図1の系統色名の一般的な色度区分」に記載された白色領域の色を意味する。
The amount of solvent to be used can be appropriately set, and is, for example, 0.1 mL or more and 10 mL or less with respect to 1 g of the curable composition to be used. If the amount used is small, it is difficult to obtain the effect of using a solvent such as a viscosity reduction. If the amount used is large, the solvent remains in the resulting coating member, which is likely to cause problems such as thermal cracks. This is disadvantageous and the industrial utility value decreases.
In particular, the coating member is preferably white. Here, white means the color of the white region described in “General chromaticity classification of system color names in JIS Z8110-1995 Reference FIG. 1”.

コーティング部材の膜厚は特に限定されるものではなく、例えば、底部から側部に渡って均一な膜厚であってもよいし、段階的に厚膜化又は薄膜化するように変化してもよいが、テーパー形状となるような膜厚であることが好ましい。つまり、コーティング部材を、パッケージ成形体の側部の上端部近傍において薄く、底部に近づくにつれて徐々に厚膜となるように配置することが好ましい。コーティング部材を設けることにより、発光素子から側方又は斜め方向に照射された光を、反射、散乱、拡散させることができ、外部への光の取り出し効率を高めることができる。また、コーティング部材をテーパー状に設けることにより、発光素子により近い部分において光の散乱、拡散、反射をより高めることができる。よって、より多くの光を効率よく外部に取り出すことが可能となり、より高輝度に発光させることができる。さらに、コーティング部材が半導体素子に接触しないことにより、発光素子の側面や上面から照射される光が、コーティング部材により吸収されることがなくなり、光出力を高めることができる。   The film thickness of the coating member is not particularly limited. For example, the coating member may have a uniform film thickness from the bottom to the side, or may be changed so as to be thickened or thinned in stages. The film thickness is preferably a taper shape. That is, it is preferable to arrange the coating member so that it is thin in the vicinity of the upper end portion of the side portion of the package molded body and gradually becomes a thick film as it approaches the bottom portion. By providing the coating member, it is possible to reflect, scatter, and diffuse the light irradiated from the light emitting element in the lateral direction or in the oblique direction, and it is possible to increase the light extraction efficiency to the outside. Further, by providing the coating member in a tapered shape, light scattering, diffusion, and reflection can be further enhanced in a portion closer to the light emitting element. Therefore, more light can be efficiently extracted outside, and light can be emitted with higher luminance. Furthermore, since the coating member does not come into contact with the semiconductor element, light irradiated from the side surface or the upper surface of the light emitting element is not absorbed by the coating member, and the light output can be increased.

本発明のパッケージ成形体は、その底部側に金属基体を有していることが好ましい。金属基体は、1つでもよいが、少なくとも2つ、さらに3つ配置されていることが好ましい。金属基体は、いわゆるリード、リードフレーム、リード電極等と呼ばれ、半導体素子に電力を供給する一対の導電体や、ヒートシンクとして機能するものである。金属基体は、パッケージ成形体の底部に載置される半導体素子と電気的に接続するか、直接半導体素子に接触することが可能な状態で備えられていれば、どのように配置されていてもよい。例えば、一端部がパッケージ成形体に挿入されてパッケージ成形体内の底部において露出され、他端部がパッケージ成形体外に延設されるように設けられていることが好ましく、これを実現するためには、パッケージ成形体と金属基体とが一体成形により形成されていることが適当である。   The package molded body of the present invention preferably has a metal substrate on the bottom side. Although the number of metal substrates may be one, it is preferable to arrange at least two and three more. The metal substrate is called a so-called lead, lead frame, lead electrode or the like, and functions as a pair of conductors for supplying power to the semiconductor element or a heat sink. The metal substrate may be arranged in any manner as long as it is provided in a state where it can be electrically connected to a semiconductor element placed on the bottom of the package molded body or can be in direct contact with the semiconductor element. Good. For example, it is preferable that one end is inserted into the package molded body and exposed at the bottom of the package molded body, and the other end is provided to extend outside the package molded body. It is appropriate that the package molded body and the metal substrate are formed by integral molding.

リード電極として機能する金属基体は、銅、鉄等の合金による高熱伝導体により形成することができる。また、これら合金の表面に銀、アルミ、金等のメッキが施こされていてもよい。特に、銀メッキが好ましい。例えば、リード電極としての熱伝導率は、10〜100W/m・Kの範囲、15〜80W/m・Kの範囲、さらに15〜50W/m・Kの範囲であることが好ましい。このような構成により、大電流を長時間投下しても信頼性の高い半導体装置を得ることができる。なお、リード電極のアウター・リード部、つまり、パッケージ成形体の外側の部分は、背面、つまりパッケージ成形体の半導体素子載置領域の裏側に対応する面が、パッケージ成形体の半導体素子載置領域の裏側、任意にヒートシンクとして機能する金属基体の背面と面一となるようにガルウィング型、J−ベンド(Bend)型等に加工され、正負の接続端子を構成することが適当である。   The metal substrate that functions as a lead electrode can be formed of a high thermal conductor made of an alloy such as copper or iron. The surface of these alloys may be plated with silver, aluminum, gold or the like. In particular, silver plating is preferable. For example, the thermal conductivity as the lead electrode is preferably in the range of 10 to 100 W / m · K, in the range of 15 to 80 W / m · K, and more preferably in the range of 15 to 50 W / m · K. With such a structure, a highly reliable semiconductor device can be obtained even when a large current is dropped for a long time. The outer lead portion of the lead electrode, that is, the outer portion of the package molded body, the back surface, that is, the surface corresponding to the back side of the semiconductor element mounting region of the package molded body is the semiconductor element mounting region of the package molded body It is appropriate to form a positive and negative connection terminal by processing it into a gull wing type, a J-bend type or the like so as to be flush with the back side of the metal substrate and optionally the back side of the metal base.

ヒートシンクとして機能する金属基体は、リード電極と同様の材料により形成することが好ましい。さらに、金属基体の背面は、パッケージ成形体の裏側、さらにリード電極の背面と面一となるように形成されていることが好ましい。このような構成により、発光素子からの発熱を直接実装基板へと放熱することができ、発光素子への電流投下量を増大させ、出力向上を図ることができる。   The metal substrate that functions as a heat sink is preferably formed of the same material as the lead electrode. Furthermore, it is preferable that the back surface of the metal base is formed to be flush with the back side of the package molded body and the back surface of the lead electrode. With such a configuration, the heat generated from the light emitting element can be directly radiated to the mounting substrate, the amount of current dropped on the light emitting element can be increased, and the output can be improved.

なお、金属基体上には、パッケージ成形体の底部の露出面において、半導体素子が載置されていてもよい。そのために、露出面が、半導体素子が載置しやすいように、好ましくはパッケージ成形体の中央部において凹部を有するように加工されていてもよい。また、ヒートシンク機能を高めるために、半導体素子の載置される部分が厚膜に形成されていてもよい。これにより、発光素子の四方側面から発光される光を凹部内壁にて良好に正面方向へ反射させて取り出すことができる。また、このように、金属基体を設けることにより、半導体素子、特に発光素子の放熱性が良好となり、大電流投下によるパッケージ成形体、コーティング部材、封止部材等の劣化を抑制することができ、良好な光学特性が得られる。   A semiconductor element may be placed on the metal base on the exposed surface of the bottom of the package molded body. Therefore, the exposed surface may be processed so as to have a recess at the center of the package molded body so that the semiconductor element can be easily placed. Further, in order to enhance the heat sink function, the portion on which the semiconductor element is placed may be formed in a thick film. Thereby, the light emitted from the four side surfaces of the light emitting element can be favorably reflected by the inner wall of the concave portion in the front direction and extracted. In addition, by providing the metal base in this way, the heat dissipation of the semiconductor element, particularly the light emitting element is improved, and deterioration of the package molded body, coating member, sealing member, etc. due to large current drop can be suppressed, Good optical properties can be obtained.

また、上述したように、金属基体によってパッケージ成形体の底部における壁部が形成されていてもよい。その場合には、通常、パッケージ成形体の底部に金属基体が露出しており、その露出した金属基体上に半導体素子が載置されている。したがって、金属基体上であって、半導体素子の外縁から離れた位置に、金属基体裏面側からの押圧、ポンチ加工等によって半導体素子の外縁全周囲又は一部に、あるいは裏面側からのパンチ孔の形成等によって半導体素子の外縁の周囲の一部に、壁部を形成することができる。   Moreover, as described above, the wall portion at the bottom of the package molded body may be formed by the metal base. In that case, the metal substrate is usually exposed at the bottom of the package molded body, and the semiconductor element is placed on the exposed metal substrate. Therefore, on the metal substrate, at a position away from the outer edge of the semiconductor element, the entire periphery or part of the outer edge of the semiconductor element by pressing, punching, or the like from the metal substrate, or punch holes from the back surface side. A wall portion can be formed in a part of the periphery of the outer edge of the semiconductor element by forming or the like.

本発明における半導体素子である発光素子は、その構成、特性等特に限定されるものではないが、上述したように、一対のリード電極と任意に金属基体とがパッケージ成形体とともにインサート成形されている場合、正負一対の電極が同一面側に形成された発光素子が好ましい。また、発光素子の表面に蛍光体層が形成されていてもよく、その場合には、用いた蛍光物質を励起可能な発光波長を発光できる発光層を有する発光素子が好ましい。このような発光素子としては、ZnSeやGaNなど種々の半導体を用いたものが挙げられる。なかでも、蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いたものが好ましい。また、この窒化物半導体には、任意に、ボロンやリンを含有させてもよい。なお、半導体の材料やその混晶度によって発光波長を適宜調整することができる。発光素子を構成する半導体は、MIS接合、PIN接合やpn接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものでもよい。また、発光層を量子効果が生ずる薄膜に形成した単一量子井戸構造や多重量子井戸構造としてもよい。   The light emitting element, which is a semiconductor element in the present invention, is not particularly limited in its configuration, characteristics, etc. As described above, a pair of lead electrodes and optionally a metal substrate are insert-molded together with a package molded body. In this case, a light emitting element in which a pair of positive and negative electrodes is formed on the same surface side is preferable. In addition, a phosphor layer may be formed on the surface of the light-emitting element. In that case, a light-emitting element having a light-emitting layer capable of emitting a light emission wavelength capable of exciting the used fluorescent substance is preferable. Examples of such light emitting elements include those using various semiconductors such as ZnSe and GaN. Among these, a nitride semiconductor (InXAlYGa1-X-YN, 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) that can emit a short wavelength and can efficiently excite a fluorescent material is preferable. Further, this nitride semiconductor may optionally contain boron or phosphorus. Note that the emission wavelength can be appropriately adjusted depending on the semiconductor material and the degree of mixed crystal thereof. The semiconductor constituting the light emitting element may have a homo structure, a hetero structure, or a double hetero structure having a MIS junction, a PIN junction, a pn junction, or the like. Moreover, it is good also as a single quantum well structure or multiple quantum well structure which formed the light emitting layer in the thin film which produces a quantum effect.

窒化物半導体を使用する場合、発光素子を形成するための基板にはサファイヤ、スピネル、SiC、Si、ZnO及びGaN等の材料が挙げられる。結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるためにはサファイヤ基板を用いることが好ましい。なお、サファイア基板上には、GaN、AlN、GaAIN等のバッファ層が形成されていてもよい。このサファイヤ基板上にMOCVD法などを用いて窒化物半導体を形成させることができる。   In the case of using a nitride semiconductor, materials for forming a light emitting element include materials such as sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, and GaN. In order to form a nitride semiconductor with good crystallinity with high productivity, it is preferable to use a sapphire substrate. Note that a buffer layer of GaN, AlN, GaAIN, or the like may be formed on the sapphire substrate. A nitride semiconductor can be formed on the sapphire substrate by MOCVD or the like.

特に、窒化物半導体を使用したpn接合を有する発光素子の一例として、バッファ層上に、n型窒化ガリウムで形成した第1のコンタクト層、n型窒化アルミニウム・ガリウムで形成させた第1のクラッド層、窒化インジウム・ガリウムで形成した活性層、p型窒化アルミニウム・ガリウムで形成した第2のクラッド層、p型窒化ガリウムで形成した第2のコンタクト層を順に積層させたダブルへテロ構成等が挙げられる。p型層上に金属層を積層した後、半導体用基板を除去してもよい。   In particular, as an example of a light emitting device having a pn junction using a nitride semiconductor, a first contact layer formed of n-type gallium nitride and a first clad formed of n-type aluminum gallium nitride on a buffer layer A double hetero structure in which a layer, an active layer formed of indium gallium nitride, a second cladding layer formed of p-type aluminum nitride / gallium, and a second contact layer formed of p-type gallium nitride are sequentially stacked. Can be mentioned. After laminating the metal layer on the p-type layer, the semiconductor substrate may be removed.

本発明の発光素子は、特に白色系を発光させることが好ましく、そのためには、発光波長は、365〜530nm程度、420〜490nm程度、さらに450〜475nm程度が好ましい。
保護素子としては、例えば、ツェナーダイオード、コンデンサ等が挙げられる。
ツェナーダイオードは、正電極を有するp型半導体領域と、負電極を有するn型半導体領域とを有し、保護素子の負電極および正電極が発光素子のp側電極とn側電極に対して逆並列となるように接続される。このように、保護素子をツェナーダイオードとすることにより、正負電極間に過大な電圧が印加されても、発光素子の正負両電極間はツェナー電圧に保持されることとなり、過大な電圧から発光素子を保護し、素子破壊や性能劣化の発生を防止することができる。
The light emitting device of the present invention preferably emits white light, and for that purpose, the emission wavelength is preferably about 365 to 530 nm, about 420 to 490 nm, and more preferably about 450 to 475 nm.
Examples of the protective element include a Zener diode and a capacitor.
The Zener diode has a p-type semiconductor region having a positive electrode and an n-type semiconductor region having a negative electrode, and the negative electrode and the positive electrode of the protective element are opposite to the p-side electrode and the n-side electrode of the light emitting element. They are connected in parallel. Thus, by using a Zener diode as the protective element, even if an excessive voltage is applied between the positive and negative electrodes, the positive and negative electrodes of the light emitting element are held at the Zener voltage. Can be prevented and the occurrence of element destruction and performance deterioration can be prevented.

コンデンサは、表面実装用のチップ部品を用いることができる。このような構造のコンデンサは、両側に帯状の電極が設けられており、この電極が発光素子の正電極および負電極に並列接続される。正負電極間に過電圧が印加された場合、この過電圧によって充電電流がコンデンサに流れ、コンデンサの端子電圧を瞬時に下げ、発光素子に対する印加電圧が上がらないようにすることにより、発光素子を過電圧から保護することができる。また、高周波成分を含むノイズが印加された場合も、コンデンサがバイパスコンデンサとして機能するので、外来ノイズを排除することができる。   As the capacitor, a chip component for surface mounting can be used. The capacitor having such a structure is provided with strip-shaped electrodes on both sides, and these electrodes are connected in parallel to the positive electrode and the negative electrode of the light emitting element. When an overvoltage is applied between the positive and negative electrodes, the charging current flows to the capacitor due to this overvoltage, and the terminal voltage of the capacitor is instantaneously reduced, so that the applied voltage to the light emitting element does not increase, thereby protecting the light emitting element from overvoltage. can do. Further, even when noise including a high frequency component is applied, the capacitor functions as a bypass capacitor, so that external noise can be eliminated.

また、本発明の半導体装置は、上述したパッケージ成形体の底部に半導体素子が載置されて構成されるが、上述した発光素子と保護素子等の半導体素子とが別個にパッケージ成
形体に搭載してもよいし、一体化した複合素子として搭載されていてもよい。また、発光素子がコーティング部材と接触していなければよく、その他の半導体素子がコーティング部材に接触していてもよい。
In addition, the semiconductor device of the present invention is configured by mounting a semiconductor element on the bottom of the above-described package molded body, but the above-described light emitting element and a semiconductor element such as a protective element are separately mounted on the package molded body. Alternatively, it may be mounted as an integrated composite element. In addition, the light emitting element may not be in contact with the coating member, and other semiconductor elements may be in contact with the coating member.

パッケージ成形体への半導体素子の搭載は、当該分野で公知の方法、例えば、半導体素子をアップフェイスで直接載置する方法でもよいし、ダウンフェイスでサブマウント基板(シリコン、窒化アルミニウム等)等を介して適当な接着剤(上述した樹脂又は銀ペースト等)を用いる方法でもよい。
また、本発明の半導体装置においては、半導体素子の上面が、封止部材で封止されてなる。封止部材としては、耐熱性、耐光性、透明性を有する樹脂であることが適当であり、上述した樹脂又は硬化性組成物を単独で又は2種以上組み合わせて、単層構造で又は積層構造で用いることができる。ここで、硬化性組成物とは、上述したように、成分(A)〜(E)を必須成分として含むものを意味する。
The mounting of the semiconductor element on the package molded body may be a method known in the art, for example, a method of directly mounting the semiconductor element on the up face, or a submount substrate (silicon, aluminum nitride, etc.) on the down face. Alternatively, a method using an appropriate adhesive (such as the above-described resin or silver paste) may be used.
In the semiconductor device of the present invention, the upper surface of the semiconductor element is sealed with a sealing member. The sealing member is suitably a resin having heat resistance, light resistance, and transparency, and the above-described resin or curable composition may be used alone or in combination of two or more to form a single layer structure or a laminated structure. Can be used. Here, as described above, the curable composition means one containing components (A) to (E) as essential components.

また、封止部材には、成分(F)及びその他の成分(a)〜(h)として挙げた添加剤等を含有させてもよい。なかでも、蛍光物質、拡散剤、フィラーを含有させることが適当であり、発光素子からの光に対して特定のフィルター効果等を発揮させるために、染料や顔料等を添加させることが適当である。封止部材は、その上面、つまり、外気側において、中央部が突出した曲面を有していることが好ましい。これにより、発光素子から照射された光を正面方向に効率良く収束させることができ、正面方向の光度を高めることができる。   Moreover, you may make the sealing member contain the additive etc. which were mentioned as a component (F) and other components (a)-(h). Among them, it is appropriate to contain a fluorescent substance, a diffusing agent, and a filler, and it is appropriate to add a dye or a pigment in order to exert a specific filter effect on the light from the light emitting element. . It is preferable that the sealing member has a curved surface with a central portion protruding on the upper surface thereof, that is, on the outside air side. Thereby, the light irradiated from the light emitting element can be efficiently converged in the front direction, and the luminous intensity in the front direction can be increased.

以下に、本発明のパッケージ成形体及び半導体装置の実施例を、図面に基づいて詳細に説明する。
(実施例1及び比較例1、2)
まず、半導体素子として、サファイア基板上にn型層、活性層及びp型層を含む窒化物半導体層を順次形成し、活性層及びp型層の一部を除去してn型層の一部を露出させる。この露出させたn型層の上にn電極、p型層の上にp電極をそれぞれ形成し、単色性発光ピークが可視光である475nmの青色の発光が可能な窒化ガリウム系化合物半導体のLEDを形成した。
Embodiments of a package molded body and a semiconductor device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
(Example 1 and Comparative Examples 1 and 2)
First, as a semiconductor element, a nitride semiconductor layer including an n-type layer, an active layer, and a p-type layer is sequentially formed on a sapphire substrate, and a part of the active layer and the p-type layer are removed to remove a part of the n-type layer. To expose. A gallium nitride compound semiconductor LED capable of emitting 475 nm blue light with a monochromatic emission peak of visible light by forming an n-electrode on the exposed n-type layer and a p-electrode on the p-type layer. Formed.

また、酸化チタン等の顔料にて高反射化された熱可塑性樹脂(ポリフェニレンスルフィド)をハウジング材料として用い、3種類のパッケージ成形体を作製した。
つまり、樹脂100重量部に、強化材としてグラスファイバーを40重量部、顔料として酸化チタン20重量部に微量の熱安定剤を添加して混練し、銀メッキされたリードフレーム材と一体型に射出成形した。
In addition, three types of package molded bodies were prepared using a thermoplastic resin (polyphenylene sulfide) highly reflected by a pigment such as titanium oxide as a housing material.
In other words, 100 parts by weight of resin, 40 parts by weight of glass fiber as a reinforcing material, and 20 parts by weight of titanium oxide as a pigment are kneaded with a slight amount of heat stabilizer, and injected into a silver-plated lead frame material in an integrated manner. Molded.

得られたパッケージ成形体10は、図1に示すように、一端部がパッケージ成形体10に挿入され、他端部がパッケージ成形体10の外壁面から突出するように形成された一対のリード電極11、12を有する。パッケージ成形体10は、第1の凹部13と、その内側に第2の凹部14とを有する二段構造であり、第2の凹部14の側面が、壁部として形成されている。また、リード電極11、12の主面の一部がそれぞれ第2の凹部14の底面にて露出している。   As shown in FIG. 1, the obtained package molded body 10 has a pair of lead electrodes formed such that one end is inserted into the package molded body 10 and the other end projects from the outer wall surface of the package molded body 10. 11 and 12. The package molded body 10 has a two-stage structure having a first recess 13 and a second recess 14 inside thereof, and a side surface of the second recess 14 is formed as a wall portion. A part of the main surface of the lead electrodes 11 and 12 is exposed at the bottom surface of the second recess 14.

また、得られたパッケージ成形体20は、図2に示すように、第1の凹部23と第2の凹部24との段差部分に、壁部29をダム状に設けた以外、図1のパッケージ成形体10と同様である。
さらに、得られたパッケージ成形体30は、図3に示すように、第1の凹部33の内側に第2の凹部を設けず、リード電極31において、ポンチ加工によって発光素子15の載置領域の外周に壁部39を設けた以外、図1のパッケージ成形体10と同様である。
Further, as shown in FIG. 2, the obtained molded package 20 has the same structure as the package shown in FIG. 1 except that a wall portion 29 is provided in a step shape between the first recess 23 and the second recess 24. This is the same as the molded body 10.
Further, as shown in FIG. 3, the obtained package molded body 30 does not have the second concave portion provided inside the first concave portion 33, and the lead electrode 31 has a region in which the light emitting element 15 is placed by punching. 1 is the same as the package molded body 10 of FIG. 1 except that a wall 39 is provided on the outer periphery.

これらのパッケージ成形体10、20、30内に、発光素子15を、エポキシ樹脂を用いてダイボンドして固定した。
導電性ワイヤーであるAu線16を、発光素子15の各電極と各リード電極11、12、31とに、それぞれワイヤーボンディングにより電気的に接続した。
続いて、コーティング部材17として、以下に示したコーティング樹脂A〜Cを、発光素子15に接触しないように、パッケージ成形体10、20、30の二段構造の第1の凹部13にのみ、あるいは壁部29、39の外側にのみ、それぞれ塗布、乾燥し、以下の条件で硬化させた。
・コーティング樹脂A(白色エポキシ樹脂)
一液カチオン硬化型エポキシ樹脂 100重量部
石原産業製 タイベークR−820 100重量部
日本アエロジル製 アエロジル#380 5重量部
PGMEA* 25重量部
90℃で3時間、その後150℃で4時間硬化させた。
・コーティング樹脂B(白色シリコーン樹脂)
シリコーン樹脂 100重量部
石原産業製 タイベークR-820 100重量部
日本アエロジル製 アエロジル#380 1重量部
ヘキサン 12重量部
デカン 28重量部
40℃で1時間、その後150℃で4時間硬化させた。
・コーティング樹脂C(白色変成シリコーン樹脂)
変成シリコーン樹脂 100重量部
石原産業製 タイベークR-820 100重量部
日本アエロジル製 アエロジル#380 1重量部
PGMEA* 2重量部
60℃で3時間、その後100℃で1時間硬化させた。
The light emitting element 15 was fixed by die bonding using epoxy resin in these package molded bodies 10, 20, 30.
An Au wire 16 as a conductive wire was electrically connected to each electrode of the light emitting element 15 and each lead electrode 11, 12, 31 by wire bonding.
Subsequently, as the coating member 17, the coating resins A to C shown below are applied only to the first concave portion 13 of the two-stage structure of the package molded bodies 10, 20, and 30 so as not to contact the light emitting element 15, or Only the outside of the walls 29 and 39 was applied, dried and cured under the following conditions.
・ Coating resin A (white epoxy resin)
One-part cation curable epoxy resin 100 parts by weight Ishihara Sangyo Tybak R-820 100 parts by weight Nippon Aerosil manufactured by Aerosil # 380 5 parts by weight PGMEA * 25 parts by weight Cured at 90 ° C. for 3 hours and then at 150 ° C. for 4 hours.
・ Coating resin B (white silicone resin)
Silicone resin 100 parts by weight Ishihara Sangyo Tybak R-820 100 parts by weight Nippon Aerosil manufactured by Aerosil # 380 1 part by weight Hexane 12 parts by weight Decane 28 parts by weight Cured at 40 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 4 hours.
・ Coating resin C (white modified silicone resin)
Modified silicone resin 100 parts by weight Ishihara Sangyo Tybak R-820 100 parts by weight Aerosil # 380 made by Nippon Aerosil 1 part by weight PGMEA * 2 parts by weight Cured at 60 ° C. for 3 hours and then at 100 ° C. for 1 hour.

PGMEAは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(1−メトキシ‐2‐アセトキシプロパン)を示す。
さらに、パッケージ成形体10、20、30の上から、封止部材として、以下に示す組み合わせにて、封止樹脂を注入、硬化させ、半導体装置18、28、38として発光ダイオードをそれぞれ作製した。
PGMEA refers to propylene glycol monomethyl ether acetate (1-methoxy-2-acetoxypropane).
Further, a sealing resin was injected and cured as a sealing member in the following combinations from above the package molded bodies 10, 20, and 30, and light emitting diodes were produced as the semiconductor devices 18, 28, and 38, respectively.

・封止樹脂A(白色エポキシ樹脂)
一液カチオン硬化型エポキシ樹脂 100重量部
90℃で3時間、その後150℃で4時間硬化させた。
なお、封止樹脂Aは、コーティング樹脂Aを用いたものに適用した。
・封止樹脂B(白色シリコーン樹脂)
シリコーン樹脂 100重量部
40℃で1時間、その後150℃で4時間硬化させた。
なお、封止樹脂Bは、コーティング樹脂Bを用いたものに適用した。
・封止樹脂C(白色変成シリコーン樹脂)
変成シリコーン樹脂 100重量部
60℃で3時間、その後100℃で1時間、さらに150℃で1時間硬化させた。
-Sealing resin A (white epoxy resin)
One-part cation curable epoxy resin 100 parts by weight Cured at 90 ° C. for 3 hours and then at 150 ° C. for 4 hours.
The sealing resin A was applied to the one using the coating resin A.
-Sealing resin B (white silicone resin)
100 parts by weight of silicone resin Cured at 40 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 4 hours.
The sealing resin B was applied to the one using the coating resin B.
・ Sealing resin C (white modified silicone resin)
Modified silicone resin 100 parts by weight Cured at 60 ° C. for 3 hours, then at 100 ° C. for 1 hour, and further at 150 ° C. for 1 hour.

なお、封止樹脂Cは、コーティング樹脂Cを用いたものに適用した。
また、比較例1として、上記の実施例の内、パッケージ成形体40として、図4に示すように、その底部41が平坦で、壁部を有さないものを用い、さらにコーティング部材を形成しない以外、上記の実施例と同様の発光ダイオード42を作製した。
さらに、比較例2として、図5に示すように、比較例1の発光ダイオード42において、パッケージ成形体40に搭載された発光素子15の全面を覆うようにコーティング部材17を形成した以外、上記の実施例と同様の発光ダイオード45を作製した。
The sealing resin C was applied to the one using the coating resin C.
Further, as Comparative Example 1, among the above-described examples, as the package molded body 40, as shown in FIG. 4, the bottom 41 is flat and does not have a wall, and no coating member is formed. A light emitting diode 42 similar to that of the above example was manufactured.
Further, as Comparative Example 2, as shown in FIG. 5, in the light emitting diode 42 of Comparative Example 1, the coating member 17 is formed so as to cover the entire surface of the light emitting element 15 mounted on the package molded body 40. A light emitting diode 45 similar to the example was manufactured.

得られた発光ダイオードの光出力を測定したところ、図1の実施例1(コーティング樹脂A)については、100mAの通電時、ほぼ45mW程度の光出力が得られたが、比較例2の発光ダイオードにおいては、実施例1の発光ダイオードに比較して、初期の光出力が半減することが確認された。また、図1〜3の発光ダイオードにおいて、コーティング樹脂B、Cのいずれを用いても、実施例1の結果と略同様の結果が得られた。
(実施例2及び比較例3)
実施例1と同様の二段構造のパッケージ成形体に、実施例1と同様に発光素子をダイボンドし、ワイヤーボンディングした。
When the light output of the obtained light emitting diode was measured, the light output of about 45 mW was obtained when energizing 100 mA for Example 1 (Coating Resin A) in FIG. It was confirmed that the initial light output was halved in comparison with the light emitting diode of Example 1. In addition, in the light emitting diodes of FIGS. 1 to 3, the same results as in Example 1 were obtained when any of the coating resins B and C was used.
(Example 2 and Comparative Example 3)
The light emitting element was die-bonded and wire-bonded to the package molded body having the same two-stage structure as in Example 1 in the same manner as in Example 1.

続いて、コーティング部材として、酸化チタンを100phr混合した白色シリコーン樹脂(高反射ペースト/コーティング樹脂B)を、発光素子を覆わないようパッケージ成形体の二段構造の上段にのみ塗布し、乾燥、硬化(40℃で1時間、その後150℃で4時間)させた。
さらに、パッケージ成形体の上から、封止部材としてシリコーン樹脂を注入し、硬化させ(40℃で1時間、その後150℃で4時間)、発光ダイオードを作製した。
Subsequently, as a coating member, a white silicone resin (high reflection paste / coating resin B) mixed with 100 phr of titanium oxide is applied only to the upper stage of the two-stage structure of the package molded body so as not to cover the light emitting element, and then dried and cured. (1 hour at 40 ° C., then 4 hours at 150 ° C.).
Further, a silicone resin was injected as a sealing member from above the packaged body and cured (1 hour at 40 ° C., then 4 hours at 150 ° C.) to produce a light emitting diode.

また、比較例として、上記の実施例の内、コーティング部材を形成しない以外、同様の発光ダイオードを作製した。
得られた発光ダイオードの100mA通電時における光出力を測定した。その結果を以下に示す。
Further, as a comparative example, a similar light emitting diode was produced except that the coating member was not formed in the above-described examples.
The light output of the obtained light emitting diode at the time of 100 mA energization was measured. The results are shown below.

Figure 0004774201
表1から、実施例2では、コーティング部材の形成により、リフレクター部における高反射が実現され、光出力の向上が確認された。
(実施例3及び比較例4)
実施例2及び比較例3で作製した発光ダイオードを、260℃でリフロー実装を繰り返し、初期の光出力を100としたときの光出力の低下をそれぞれ測定した。その結果を以下に示す。
Figure 0004774201
From Table 1, in Example 2, the high reflection in a reflector part was implement | achieved by formation of the coating member, and the improvement of the light output was confirmed.
(Example 3 and Comparative Example 4)
The light emitting diodes manufactured in Example 2 and Comparative Example 3 were repeatedly subjected to reflow mounting at 260 ° C., and the decrease in light output when the initial light output was set to 100 was measured. The results are shown below.

Figure 0004774201
表2から、実施例3においては、コーティング部材の形成により、リフロー時の熱によるリフレクター部の黄変が抑制され、出力低下が抑制されたことが確認された。
(実施例4及び比較例5)
実施例2及び比較例3で作製した発光ダイオードについて、85℃、85%RH条件下で320時間、200mA通電し、素子寿命を測定した。その結果を以下に示す。
Figure 0004774201
From Table 2, in Example 3, it was confirmed that the yellowing of the reflector part due to heat during reflowing was suppressed and the output reduction was suppressed by forming the coating member.
(Example 4 and Comparative Example 5)
The light emitting diodes manufactured in Example 2 and Comparative Example 3 were energized at 200 mA for 320 hours under the conditions of 85 ° C. and 85% RH, and the element lifetime was measured. The results are shown below.

Figure 0004774201
表3から、実施例4においては、コーティング部材の形成により、素子寿命が格段に向上していることが確認された。
(実施例5)
合成例1:トリアリルイソシアヌレートと1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとの反応物B1(成分(B))の合成
5Lのセパラブルフラスコに、トルエン1.8kg、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン1.44kgを加えて、内温が104℃になるように加熱した。そこに、トリアリルイソシアヌレート200g、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)1.44mL、トルエン200gの混合物を滴下した。120℃のオイルバス中で7時間加熱還流させた。さらに、1−エチニル−1−シクロヘキサノール1.7gを加えた。
Figure 0004774201
From Table 3, in Example 4, it was confirmed that the element lifetime was remarkably improved by forming the coating member.
(Example 5)
Synthesis Example 1: Synthesis of reaction product B1 (component (B)) of triallyl isocyanurate and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane Into a 5 L separable flask, 1.8 kg of toluene, 1,3 , 5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane 1.44 kg was added, and the internal temperature was heated to 104 ° C. A mixture of 200 g of triallyl isocyanurate, 1.44 mL of a platinum vinylsiloxane complex xylene solution (containing 3 wt% as platinum) and 200 g of toluene was added dropwise. The mixture was heated to reflux in an oil bath at 120 ° C. for 7 hours. Furthermore, 1.7 g of 1-ethynyl-1-cyclohexanol was added.

未反応の1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン及びトルエンを減圧留去した。
得られた生成物の1H−NMRを測定したところ、以下の構造式に示す1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンのSiH基の一部がトリアリルイソシアヌレートと反応した反応物B1(SiH価:8.2mmol/g、アリル価:0.12mmol/g)を主成分として含有していることが確認された。なお、この生成物には、ヒドロシリル化触媒(成分(C))である白金ビニルシロキサン錯体が含有されている。
Unreacted 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and toluene were distilled off under reduced pressure.
When 1 H-NMR of the obtained product was measured, a reaction product in which a part of the SiH group of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane represented by the following structural formula reacted with triallyl isocyanurate. It was confirmed that B1 (SiH value: 8.2 mmol / g, allyl value: 0.12 mmol / g) was contained as a main component. In addition, this product contains a platinum vinylsiloxane complex which is a hydrosilylation catalyst (component (C)).

Figure 0004774201
コーティング組成物Dの製造
成分(A)としてトリアリルイソシアヌレート54.51gとジアリルモノグリシジルイソシアヌレート87.03gとの混合物、成分(B)として合成例1の反応物B1を162.64g、成分(C)として白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)913mg、成分(D)としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン7.60g、成分(E)としてほう酸トリメチル1.52gを用いる。
成分(A)、成分(C)及び成分(E)をあらかじめ混合、攪拌し、混合物A液を調製した。
また、(B)成分、(D)成分及び1−エチニル−1−シクロヘキサノール913mgをあらかじめ混合、攪拌し、混合物B液を調製した。
混合物A液と混合物B液とを混合し、攪拌・脱泡を行い、一液混合物とした。
この一液混合物2.5gに成分(F)である酸化チタン(石原産業(株)、タイペークR−820)2.5gを混合し、攪拌・脱泡を行い、コーティング組成物Dを得た。
コーティング組成物Eの製造
コーティング組成物Dのために調製した成分(A)〜(E)の一液混合物2.5gに、成分(F)である酸化チタン(石原産業(株)、タイペークR−820)2.5gを混合し、さらにシリカ(日本アエロジル(株)、アエロジル300)75mgを混合し、攪拌・脱泡を行い、コーティング組成物Eを得た。
コーティング組成物Fの製造
成分(A)としてトリアリルイソシアヌレート12.04g、成分(B)として合成例1で得られた反応物B1を17.96g、成分(C)として白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)90mg、成分(D)としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン750mg、成分(E)としてほう酸トリメチル150mgを用いる。
Figure 0004774201
As a production component (A) of coating composition D, a mixture of 54.51 g of triallyl isocyanurate and 87.03 g of diallyl monoglycidyl isocyanurate, as component (B), 162.64 g of reactant B1 of Synthesis Example 1 As C), a xylene solution of platinum vinylsiloxane complex (containing 3 wt% as platinum) 913 mg, 7.60 g of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane as component (D), and 1.52 g of trimethyl borate as component (E) are used.
Component (A), component (C) and component (E) were mixed and stirred in advance to prepare a mixture A solution.
In addition, (B) component, (D) component and 913 mg of 1-ethynyl-1-cyclohexanol were mixed and stirred in advance to prepare a mixture B solution.
The mixture A and the mixture B were mixed, stirred and degassed to obtain a one-component mixture.
To 2.5 g of this one-part mixture, 2.5 g of titanium oxide (Ishihara Sangyo Co., Ltd., Tyco R-820) as component (F) was mixed, stirred and degassed to obtain a coating composition D.
Manufacture of coating composition E To 2.5 g of one-component mixture of components (A) to (E) prepared for coating composition D, titanium oxide (Ishihara Sangyo Co., Ltd., Type R) was added to component (F). 820) 2.5 g was mixed, and further 75 mg of silica (Nippon Aerosil Co., Ltd., Aerosil 300) was mixed, stirred and degassed to obtain a coating composition E.
Production component (A) of coating composition F: 12.04 g of triallyl isocyanurate, 17.96 g of reaction product B1 obtained in Synthesis Example 1 as component (B), and xylene of a platinum vinylsiloxane complex as component (C) 90 mg of a solution (containing 3 wt% as platinum), 750 mg of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane as component (D), and 150 mg of trimethyl borate as component (E) are used.

成分(A)、成分(C)及び成分(E)をあらかじめ混合、攪拌し、混合物C液を調製した。
また、成分(B)、成分(D)及び1−エチニル−1−シクロヘキサノール90mgをあらかじめ混合、攪拌し、混合物D液を調製した。
混合物C液と混合物D液を混合し攪拌・脱泡を行い、一液混合物とした。
Component (A), component (C), and component (E) were mixed and stirred in advance to prepare a mixture C solution.
Further, component (B), component (D) and 90 mg of 1-ethynyl-1-cyclohexanol were mixed and stirred in advance to prepare a mixture D solution.
The mixture C liquid and the mixture D liquid were mixed, stirred and degassed to obtain a one-liquid mixture.

この一液混合物2.5gに成分(F)である酸化チタン(石原産業(株)、タイペークR−820)2.5gを混合し、さらにシリカ(日本アエロジル(株)、アエロジル300)125mgを混合し、攪拌・脱泡を行い、コーティング組成物Fを得た。
(コーティング組成物の評価)
接着剤の作製
トリアリルイソシアヌレート12.04g、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)90mg及びほう酸トリメチル150mgをあらかじめ混合、攪拌し混合物E液を調製する。
2.5 g of this one-component mixture is mixed with 2.5 g of titanium oxide (Ishihara Sangyo Co., Ltd., Typaque R-820) as component (F), and 125 mg of silica (Nippon Aerosil Co., Ltd., Aerosil 300) is further mixed. Then, stirring and defoaming were performed to obtain a coating composition F.
(Evaluation of coating composition)
Preparation of Adhesive 12.04 g of triallyl isocyanurate, 90 mg of a platinum vinylsiloxane complex xylene solution (containing 3 wt% as platinum) and 150 mg of trimethyl borate are previously mixed and stirred to prepare a mixture E solution.

また、合成例1の反応物B1を17.96g、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン750mg及び1−エチニル−1−シクロヘキサノール90mgをあらかじめ混合、攪拌し、混合物F液を調製する。
得られた混合物E液と混合物F液とを混合し攪拌・脱泡を行い、接着剤とした。
ダイシェア試験用のダイの作製
上記で得られた混合物E液と混合物F液とを混合し攪拌・脱泡を行い、一液混合物とした。
Further, 17.96 g of the reactant B1 of Synthesis Example 1, 750 mg of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and 90 mg of 1-ethynyl-1-cyclohexanol are mixed and stirred in advance to prepare a mixture F solution.
The obtained mixture E liquid and mixture F liquid were mixed, stirred and degassed to obtain an adhesive.
Preparation of die for die shear test The mixture E solution and the mixture F solution obtained above were mixed, stirred and degassed to obtain a one-component mixture.

この一液混合物を、2枚のガラス板に3mm厚みのシリコーンゴムシートをスペーサーとしてはさみこんで作製したセルに流し、熱風乾燥機中で60℃/6時間、70℃/1時間、80℃/1時間、120℃/1時間、150℃/1時間加熱し、180℃/30分間加熱し、硬化させ、透明な成形体を形成した。
得られた透明な成形体を、3mm(縦)×3mm(横)×1mm(厚)にダイヤモンドカッターを用いて切削し、ダイとした。
試験片の作製
コーティング組成物D〜Fを、それぞれ、ポリフタルアミド樹脂成形体の上に、テープをスペーサーとして、膜厚制御しながら塗布し、100℃/1時間硬化させ、コーティング層を形成した。
This one-part mixture was poured into a cell prepared by sandwiching a 3 mm-thick silicone rubber sheet between two glass plates as a spacer, and was heated in a hot air dryer at 60 ° C./6 hours, 70 ° C./1 hour, 80 ° C. / Heating was performed for 1 hour, 120 ° C./1 hour, 150 ° C./1 hour, 180 ° C./30 minutes, and cured to form a transparent molded body.
The obtained transparent molded body was cut to 3 mm (length) × 3 mm (width) × 1 mm (thickness) using a diamond cutter to obtain a die.
Preparation of Test Pieces Coating compositions D to F were respectively applied onto a polyphthalamide resin molded article while controlling the film thickness using a tape as a spacer, and cured at 100 ° C./1 hour to form a coating layer. .

その上に、接着剤によりダイシェア試験用のダイを接着させた。接着剤は60℃/6時間、70℃/1時間、80℃/1時間、120℃/1時間、150℃/1時間加熱し、180℃/30分間加熱し、硬化させ、試験片を得た。
また、これとは別に、比較例として、ポリフタルアミド樹脂成形体の上に接着剤によりダイシェア試験用のダイを接着させた。接着剤は60℃/6時間、70℃/1時間、80℃/1時間、120℃/1時間、150℃/1時間加熱し、180℃/30分間加熱し、硬化させ、試験片を得た。
ダイシェア試験及び耐光性試験
上記で得られた各試験片について、ダイシェア試験により接着性を評価した。
On top of that, a die for die shear test was adhered with an adhesive. The adhesive was heated at 60 ° C./6 hours, 70 ° C./1 hour, 80 ° C./1 hour, 120 ° C./1 hour, 150 ° C./1 hour, heated at 180 ° C./30 minutes and cured to obtain a test piece. It was.
Separately from this, as a comparative example, a die for die shear test was bonded to the polyphthalamide resin molded body with an adhesive. The adhesive was heated at 60 ° C./6 hours, 70 ° C./1 hour, 80 ° C./1 hour, 120 ° C./1 hour, 150 ° C./1 hour, heated at 180 ° C./30 minutes and cured to obtain a test piece. It was.
Die shear test and light resistance test About each test piece obtained above, adhesiveness was evaluated by the die shear test.

ダイシェア試験機は、デイジ社製、万能型ボンドテスター2400を用いた。50kgfのロードセルを用い、試験スピードは83μm/秒で実施した。
また、上記で得られた各試験片について、ダイを通して接着面に光が照射されるようにした状態で耐光性試験を実施し、耐光性試験後に、上記と同様にダイシェア試験を行った。なお、耐光性試験はスガ試験機製スーパーキセノンウエザーメーターを用い、放射照度0.18kW/m2、1時間42分照射に引き続き18分降雨のサイクル試験、ブラックパネル温度63℃、湿度50%の試験条件で330時間実施した。
The die shear tester used was a universal bond tester 2400 manufactured by Daisy Corporation. A 50 kgf load cell was used, and the test speed was 83 μm / sec.
Moreover, about each test piece obtained above, the light resistance test was implemented in the state which irradiated the light to the adhesion surface through die | dye, and the die share test was done similarly to the above after the light resistance test. In addition, the light resistance test is a super xenon weather meter manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd., with an irradiance of 0.18 kW / m 2 , irradiation for 1 hour and 42 minutes, followed by 18 minutes rainfall cycle test, black panel temperature 63 ° C, humidity 50% test The conditions were 330 hours.

これらの結果を表4に示す。なお、試験はn=5で行い、表4においては、最大及び最小値をカットしてn=3の平均値を示した。   These results are shown in Table 4. The test was performed with n = 5. In Table 4, the maximum and minimum values were cut and the average value of n = 3 was shown.

Figure 0004774201
表4の結果から、耐光性試験の前後において、接着性の低下は見られず、反射能を有していることが明らかとなった。また、耐光性試験後も着色がなく高耐光性を有していた。
半導体装置の作製
図1〜図3に示したパッケージ成形体10、20、30に、コーティング組成物D〜Fを、それぞれ塗布し、乾燥させて、半導体装置18、28、38として発光ダイオードをそれぞれ作製し、実施例1と同様に光出力を測定した。
Figure 0004774201
From the results in Table 4, it was clarified that the adhesiveness was not deteriorated before and after the light resistance test, and that it had reflectivity. Moreover, there was no coloring after the light resistance test, and it had high light resistance.
Manufacturing of Semiconductor Device Coating compositions D to F are respectively applied to package molded bodies 10, 20, and 30 shown in FIGS. 1 to 3 and dried to form light emitting diodes as semiconductor devices 18, 28, and 38, respectively. The light output was prepared and measured in the same manner as in Example 1.

いずれの半導体装置においても、コーティング組成物D〜Fは反射性に優れ、高い耐光性を有し、実施例1と同様に、高い光出力が得られた。   In any of the semiconductor devices, the coating compositions D to F were excellent in reflectivity and had high light resistance, and a high light output was obtained as in Example 1.

本発明のパッケージ成形体及び半導体装置は、信号、照明、ディスプレイ、インジケーター、携帯電話のバックライトなどの各種光源に利用することができる。   The package molded body and the semiconductor device of the present invention can be used for various light sources such as signals, illumination, displays, indicators, and backlights of mobile phones.

本発明のパッケージ成形体及び半導体装置の実施の形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows embodiment of the package molded object and semiconductor device of this invention. 本発明のパッケージ成形体及び半導体装置の別の実施の形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another embodiment of the package molded object and semiconductor device of this invention. 本発明のパッケージ成形体及び半導体装置のさらに別の実施の形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another embodiment of the package molded object and semiconductor device of this invention. 本発明のパッケージ成形体及び半導体装置に対する比較例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the comparative example with respect to the package molded object and semiconductor device of this invention. 本発明のパッケージ成形体及び半導体装置に対する別の比較例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another comparative example with respect to the package molded object and semiconductor device of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10、20、30 パッケージ成形体
11、12、31 リード電極
13、23、33 第1の凹部
14、24 第2の凹部
15 発光素子
16 Au線
17 コーティング部材
18、28、38 半導体装置
29、39 壁部

10, 20, 30 Package molded body 11, 12, 31 Lead electrode 13, 23, 33 First concave portion 14, 24 Second concave portion 15 Light emitting element 16 Au wire 17 Coating member 18, 28, 38 Semiconductor device 29, 39 Wall

Claims (32)

半導体発光素子を載置するための載置領域を含む第1の底部と該第1の底部上に配置され、前記載置領域を囲う側部とを備えるパッケージ成形体であって、
前記第1の底部において、前記半導体発光素子の載置領域の外縁から離れた位置に壁部を有し、かつ、前記壁部の外側において第2の底部を配置し、
前記壁部は、第1の底部及び第2の底部に対して凸状であり、
該壁部の外側における第2の底部と側部とが、コーティング部材によって被覆されており、かつ
該コーティング部材が、前記側部において、前記第2の底部に近づくにつれて厚くなることを特徴とするパッケージ成形体。
Disposed on the first base and said first bottom on including mounting region for mounting the semiconductor light emitting element, a molded package and a side surrounding the pre-described depositing area,
In the first bottom, said has a wall portion at a position apart from the outer edge of the mounting area of the semiconductor light-emitting device, and place the second bottom Oite outside of the wall portion,
The wall is convex with respect to the first bottom and the second bottom;
The second bottom portion and the side portion outside the wall portion are covered with a coating member, and the coating member becomes thicker toward the second bottom portion at the side portion. Package molded body.
一端部が前記パッケージ成形体に挿入されて該パッケージ成形体内の第1の底部において露出され、他端部が前記パッケージ成形体外に延設される金属基体を少なくとも2つ備える請求項1に記載のパッケージ成形体。 2. The metal substrate according to claim 1, wherein one end portion is inserted into the package molded body and exposed at a first bottom portion in the package molded body, and the other end portion includes at least two metal bases extending outside the package molded body. Package molded body. 前記壁部が、前記パッケージ成形体内の第1の底部に露出した前記金属基体によって形成されてなる請求項2に記載のパッケージ成形体。 The package molded body according to claim 2, wherein the wall portion is formed by the metal base exposed at a first bottom portion in the package molded body. 前記壁部が、前記パッケージ成形体内の第1の底部上に形成された凹部における側面である請求項1又は2に記載のパッケージ成形体。 The package molded body according to claim 1 or 2, wherein the wall portion is a side surface of a recess formed on a first bottom portion in the package molded body. 前記コーティング部材は、前記パッケージ成形体の壁部の外側における第2の底部と側部とにおいて、前記半導体発光素子から照射される光の反射を高める機能を有する請求項1〜4のいずれか1つに記載のパッケージ成形体。 The said coating member has a function which raises the reflection of the light irradiated from the said semiconductor light-emitting element in the 2nd bottom part and side part in the outer side of the wall part of the said package molded object. Package molded body as described in 1. 前記コーティング部材は、前記半導体発光素子から照射される光に対して85%以上の反射率を有する請求項5に記載のパッケージ成形体。   The package molded body according to claim 5, wherein the coating member has a reflectance of 85% or more with respect to light irradiated from the semiconductor light emitting element. 前記コーティング部材が、エポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリノルボルネン樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により形成されてなる請求項1〜6のいずれか1つに記載のパッケージ成形体。   The said coating member is formed by at least 1 sort (s) selected from the group which consists of an epoxy resin, an acrylate resin, a urethane resin, a polyimide resin, an acrylic resin, a polynorbornene resin, a silicone resin, and a modified silicone resin. The package molding as described in any one of these. 前記コーティング部材が、(A)SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有するケイ素化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、(D)シランカップリング剤及び/又はエポキシ基含有化合物、ならびに(E)シラノール縮合触媒を必須成分として含む硬化性組成物により形成されてなる請求項1〜6のいずれか1つに記載のパッケージ成形体。   The coating member contains (A) an organic compound containing at least two carbon-carbon double bonds reactive with SiH groups in one molecule, and (B) containing at least two SiH groups in one molecule. A silicon compound, (C) a hydrosilylation catalyst, (D) a silane coupling agent and / or an epoxy group-containing compound, and (E) a curable composition containing a silanol condensation catalyst as essential components. The package molded body according to any one of 6. 前記硬化性組成物が、さらに(F)無機部材を含有してなる請求項8に記載のパッケージ成形体。   The package molded body according to claim 8, wherein the curable composition further contains (F) an inorganic member. 前記成分(A)が、下記一般式(I)
Figure 0004774201
(式中、R1は炭素数1〜50の一価の有機基を表し、それぞれのR1は異なっていても同一であってもよい。)で表される有機化合物を含むことを特徴とする請求項8又は9に記載のパッケージ成形体。
The component (A) is represented by the following general formula (I)
Figure 0004774201
(Wherein R 1 represents a monovalent organic group having 1 to 50 carbon atoms, and each R 1 may be different or the same), and includes an organic compound represented by The package molded body according to claim 8 or 9.
前記成分(A)が、トリアリルイソシアヌレート又はトリアリルイソシアヌレートとジアリルモノグリシジルイソシアヌレートとの混合物であり、
前記成分(B)が、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンとトリアリルイソシアヌレートとの反応物である請求項8〜10のいずれか1つに記載のパッケージ成形体。
The component (A) is triallyl isocyanurate or a mixture of triallyl isocyanurate and diallyl monoglycidyl isocyanurate,
The package molded body according to any one of claims 8 to 10, wherein the component (B) is a reaction product of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane and triallyl isocyanurate.
前記成分(D)が、分子中にエポキシ基、メタクリル基、アクリル基、イソシアネート基、イソシアヌレート基、ビニル基及びカルバメート基からなる群より選ばれる少なくとも1個の官能基と加水分解性のケイ素基とを有するシランカップリング剤である請求項8〜11のいずれか1つに記載のパッケージ成形体。   The component (D) has at least one functional group selected from the group consisting of an epoxy group, a methacryl group, an acrylic group, an isocyanate group, an isocyanurate group, a vinyl group and a carbamate group in the molecule and a hydrolyzable silicon group. The package molded article according to any one of claims 8 to 11, which is a silane coupling agent having 前記成分(D)が、分子中にエポキシ基と加水分解性のケイ素基とを有するシランカップリング剤である請求項12に記載のパッケージ成形体。   The package molded article according to claim 12, wherein the component (D) is a silane coupling agent having an epoxy group and a hydrolyzable silicon group in the molecule. 前記成分(E)が、有機アルミニウム化合物及び/又はほう酸エステルである請求項8〜13のいずれか1つに記載のパッケージ成形体。   The package molded body according to any one of claims 8 to 13, wherein the component (E) is an organoaluminum compound and / or a borate ester. 前記成分(E)が、アルミニウムキレート化合物又はアルミニウムアルコラート化合物である請求項14に記載のパッケージ成形体。   The package molded body according to claim 14, wherein the component (E) is an aluminum chelate compound or an aluminum alcoholate compound. 前記成分(E)が、アルミニウムエチルアセトアセテートジイソプロピレート、アルミニウムエチルアセトアセテートジイソブチレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)、アルミニウムビスエチルアセトアセテートモノアセチルアセトネート及びアルミニウムトリス(アセチルアセトネート)からなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項14に記載のパッケージ成形体。   The component (E) comprises aluminum ethyl acetoacetate diisopropylate, aluminum ethyl acetoacetate diisobutyrate, aluminum tris (ethyl acetoacetate), aluminum bisethyl acetoacetate monoacetylacetonate and aluminum tris (acetylacetonate). The package molded article according to claim 14, which is at least one selected from the group. 前記成分(E)が、ほう酸トリノルマルオクタデシル、ほう酸トリノルマルオクチル、ほう酸トリノルマルブチル、ほう酸トリイソプロピル、ほう酸トリノルマルプロピル、ほう酸トリエチル及びほう酸トリメチルからなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項14に記載のパッケージ成形体。   The component (E) is at least one selected from the group consisting of tri-normal octadecyl borate, tri-normal octyl borate, tri-normal butyl borate, triisopropyl borate, tri-normal borate, triethyl borate and trimethyl borate. The package molding as described in 1. 前記成分(F)が、酸化チタンである請求項9〜17のいずれか1つに記載のパッケージ成形体。   The package formed body according to any one of claims 9 to 17, wherein the component (F) is titanium oxide. 前記酸化チタンがルチル型であり、その平均粒子径が0.1〜1.0μmである請求項18に記載のパッケージ成形体。   The package molded body according to claim 18, wherein the titanium oxide is of a rutile type and has an average particle diameter of 0.1 to 1.0 µm. 前記コーティング部材が酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、シリカ、チタン酸バリウム、リン酸カルシウム、炭酸カルシウム、ホワイトカーボン、タルク、炭酸マグネシウム、窒化ホウ素からなる群から選択される少なくとも1種を含有してなる請求項1〜8及び10〜19のいずれか1つに記載のパッケージ成形体。 The coating member contains at least one selected from the group consisting of titanium oxide, zinc oxide, alumina, silica, barium titanate, calcium phosphate, calcium carbonate, white carbon, talc, magnesium carbonate, and boron nitride. The package molded body according to any one of 1 to 8 and 10 to 19 . 請求項1〜20のいずれか1つに記載のパッケージ成形体と、該パッケージ成形体の載置領域に記載された半導体発光素子とからなり、
前記半導体発光素子と前記コーティング部材とが離間されてなることを特徴とする半導体装置。
The package molded body according to any one of claims 1 to 20 , and a semiconductor light emitting device described in a mounting region of the package molded body,
The semiconductor device, wherein the semiconductor light emitting element and the coating member are separated from each other.
前記半導体発光素子の上面が、エポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリノルボルネン樹脂、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、非晶質ポリアミド樹脂、フッ素樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により封止されてなる請求項21に記載の半導体装置。 The upper surface of the semiconductor light emitting device is selected from the group consisting of epoxy resin, acrylate resin, urethane resin, polyimide resin, acrylic resin, polycarbonate resin, polynorbornene resin, silicone resin, modified silicone resin, amorphous polyamide resin, and fluorine resin The semiconductor device according to claim 21 , wherein the semiconductor device is sealed with at least one kind. 前記半導体発光素子の上面が、(A)SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有するケイ素化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、(D)シランカップリング剤及び/又はエポキシ基含有化合物、(E)シラノール縮合触媒を必須成分として含む硬化性組成物を硬化させてなる硬化物により封止されてなる請求項21に記載の半導体装置。 The top surface of the semiconductor light emitting device is (A) an organic compound containing at least two carbon-carbon double bonds reactive with SiH groups in one molecule, and (B) at least two SiH groups in one molecule. A cured product obtained by curing a curable composition containing, as essential components, a silicon compound containing (C) a hydrosilylation catalyst, (D) a silane coupling agent and / or an epoxy group-containing compound, and (E) a silanol condensation catalyst The semiconductor device according to claim 21 , wherein the semiconductor device is sealed. 前記成分(A)が、下記一般式(I)
Figure 0004774201
(式中、R1は炭素数1〜50の一価の有機基を表し、それぞれのR1は異なっていても同一であってもよい。)で表される有機化合物を含むことを特徴とする請求項23に記載の半導体装置。
The component (A) is represented by the following general formula (I)
Figure 0004774201
(Wherein R 1 represents a monovalent organic group having 1 to 50 carbon atoms, and each R 1 may be different or the same), and includes an organic compound represented by The semiconductor device according to claim 23 .
前記成分(A)が、トリアリルイソシアヌレート又はトリアリルイソシアヌレートとモノグリシジルジアリルイソシアヌレートとの混合物であり、
成分(B)が、1,3,5,7−テトラメチルテトラシクロシロキサンとトリアリルイソシアヌレートとの反応物である請求項23又は24に記載の半導体装置。
The component (A) is triallyl isocyanurate or a mixture of triallyl isocyanurate and monoglycidyl diallyl isocyanurate,
The semiconductor device according to claim 23 or 24 , wherein the component (B) is a reaction product of 1,3,5,7-tetramethyltetracyclosiloxane and triallyl isocyanurate.
前記成分(D)が、分子中にエポキシ基、メタクリル基、アクリル基、イソシアネート基、イソシアヌレート基、ビニル基及びカルバメート基からなる群より選ばれる少なくとも1個の官能基と加水分解性のケイ素基とを有するシランカップリング剤である請求項23〜25のいずれか1つに記載の半導体装置。 The component (D) has at least one functional group selected from the group consisting of an epoxy group, a methacryl group, an acrylic group, an isocyanate group, an isocyanurate group, a vinyl group and a carbamate group in the molecule and a hydrolyzable silicon group. The semiconductor device according to claim 23 , wherein the semiconductor device is a silane coupling agent having 前記成分(D)が、分子中にエポキシ基と加水分解性のケイ素基とを有するシランカップリング剤である請求項26に記載の半導体装置。 27. The semiconductor device according to claim 26 , wherein the component (D) is a silane coupling agent having an epoxy group and a hydrolyzable silicon group in the molecule. 前記成分(E)が、有機アルミニウム化合物及び/又はほう酸エステルである請求項23〜27のいずれか1つに記載の半導体装置。 The semiconductor device according to any one of claims 23 to 27 , wherein the component (E) is an organoaluminum compound and / or a borate ester. 前記成分(E)が、アルミニウムキレート化合物又はアルミニウムアルコラート化合物である請求項28に記載の半導体装置。 29. The semiconductor device according to claim 28 , wherein the component (E) is an aluminum chelate compound or an aluminum alcoholate compound. 前記成分(E)が、アルミニウムエチルアセトアセテートジイソプロピレート、アルミニウムエチルアセトアセテートジイソブチレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)、アルミニウムビスエチルアセトアセテートモノアセチルアセトネート及びアルミニウムトリス(アセチルアセトネート)からなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項28に記載の半導体装置。 The component (E) comprises aluminum ethyl acetoacetate diisopropylate, aluminum ethyl acetoacetate diisobutyrate, aluminum tris (ethyl acetoacetate), aluminum bisethyl acetoacetate monoacetylacetonate and aluminum tris (acetylacetonate). 29. The semiconductor device according to claim 28 , wherein the semiconductor device is at least one selected from the group. 前記成分(E)が、ほう酸トリノルマルオクタデシル、ほう酸トリノルマルオクチル、ほう酸トリノルマルブチル、ほう酸トリイソプロピル、ほう酸トリノルマルプロピル、ほう酸トリエチル及びほう酸トリメチルからなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項28に記載の半導体装置。 The ingredients (E), boric acid tri-n-octadecyl borate tri-n-octyl borate, tri-n-butyl borate, triisopropyl borate tri-n-propyl, at least one kind of claim 28 selected from the group consisting of boric acid, triethyl and trimethyl borate A semiconductor device according to 1. 一端部がパッケージ成形体に挿入されてパッケージ成形体内の第1の底部において露出され、他端部が前記パッケージ成形体外に延設される金属基体を少なくとも2つ備え、かつ、半導体発光素子が、パッケージ成形体内の第1の底部に露出された金属基体上に載置されなる請求項21〜31に記載の半導体装置。 One end portion is inserted into the package molded body and exposed at the first bottom portion in the package molded body, and the other end portion includes at least two metal bases extending outside the package molded body, and the semiconductor light emitting device includes: the semiconductor device according to claim 21 to 31, which is placed on the first bottom exposed to the metal substrate on the molded package body comprising.
JP2004207950A 2003-10-08 2004-07-15 Package molded body and semiconductor device Active JP4774201B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004207950A JP4774201B2 (en) 2003-10-08 2004-07-15 Package molded body and semiconductor device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003349612 2003-10-08
JP2003349612 2003-10-08
JP2004207950A JP4774201B2 (en) 2003-10-08 2004-07-15 Package molded body and semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005136378A JP2005136378A (en) 2005-05-26
JP4774201B2 true JP4774201B2 (en) 2011-09-14

Family

ID=34656008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004207950A Active JP4774201B2 (en) 2003-10-08 2004-07-15 Package molded body and semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4774201B2 (en)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007042668A (en) * 2005-07-29 2007-02-15 Toyoda Gosei Co Ltd Led light emitting device
JP4996096B2 (en) * 2006-01-06 2012-08-08 新光電気工業株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2008144127A (en) * 2006-11-15 2008-06-26 Hitachi Chem Co Ltd Thermosetting resin composition for light reflection, photosemiconductor element-loading substrate using the same, photosemiconductor device, and manufacturing process for the articles
KR101308349B1 (en) 2006-11-15 2013-09-17 히타치가세이가부시끼가이샤 Process for producing heat curable resin composition for light reflection
JP2009021394A (en) * 2007-07-12 2009-01-29 Nitto Denko Corp Resin composition for mount-packaging for containing optical semiconductor element, and optical semiconductor light emitting device using the same
KR101283282B1 (en) 2007-07-25 2013-07-11 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package and method for manufacturing the same
JP5289835B2 (en) * 2008-06-25 2013-09-11 シャープ株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
CN102232250A (en) * 2008-10-01 2011-11-02 三星Led株式会社 Light-emitting diode package using a liquid crystal polymer
KR101580657B1 (en) * 2008-12-29 2015-12-30 서울반도체 주식회사 High reliability LED package
TWI403006B (en) * 2009-01-15 2013-07-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode and method for fabricating the same
JP6133004B2 (en) * 2009-03-31 2017-05-24 日立化成株式会社 Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device
JP2010278411A (en) * 2009-04-28 2010-12-09 Hitachi Chem Co Ltd White coating agent, substrate for mounting optical semiconductor element using the same, and optical semiconductor device
US8704258B2 (en) 2009-06-26 2014-04-22 Asahi Rubber Inc. White color reflecting material and process for production thereof
JP2011105869A (en) * 2009-11-18 2011-06-02 Kaneka Corp White curable composition and reflective coating material
KR101720822B1 (en) * 2009-12-22 2017-03-28 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 Material for a molded resin body for use in a semiconductor light-emitting device
KR101853598B1 (en) * 2010-03-23 2018-04-30 가부시키가이샤 아사히 러버 Silicone resin reflective substrate, manufacturing method for same, and base material composition used in reflective substrate
JP5299366B2 (en) * 2010-07-07 2013-09-25 信越化学工業株式会社 Die-bonding agent composition for optical semiconductor element and optical semiconductor device using the composition
JP5710915B2 (en) * 2010-09-09 2015-04-30 シチズンホールディングス株式会社 Semiconductor light emitting device
JP2013115271A (en) * 2011-11-29 2013-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
JP5848114B2 (en) * 2011-12-20 2016-01-27 スタンレー電気株式会社 Light emitting device
CN103531490B (en) * 2012-07-03 2016-06-01 上海微电子装备有限公司 The encapsulation structure of a kind of concave structure with controlled curvature and manufacture method thereof
JP2013033976A (en) * 2012-09-14 2013-02-14 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor light-emitting device and vehicle headlight
JP6523597B2 (en) 2013-09-30 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP2014221915A (en) * 2014-07-31 2014-11-27 株式会社カネカ Heat-conductive curable resin composition and curable resin molded article
JP2016100385A (en) * 2014-11-19 2016-05-30 パイオニア株式会社 Optical semiconductor device and optical semiconductor device manufacturing method
US9859480B2 (en) 2015-08-20 2018-01-02 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
US9966515B2 (en) 2015-12-26 2018-05-08 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
JP6341261B2 (en) * 2015-12-26 2018-06-13 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
JP6213582B2 (en) * 2016-01-22 2017-10-18 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP6815119B2 (en) * 2016-07-27 2021-01-20 株式会社ディスコ Wafer processing method and light emitting device
JP6555243B2 (en) * 2016-12-16 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
JP6555242B2 (en) 2016-12-16 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
US10411169B2 (en) 2017-02-03 2019-09-10 Nichia Corporation Light emitting device having leads in resin package
JP6947964B2 (en) * 2017-02-20 2021-10-13 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
DE102017123175B4 (en) * 2017-10-05 2024-02-22 Infineon Technologies Ag Semiconductor component and method for its production
US10615319B2 (en) 2017-10-20 2020-04-07 Nichia Corporation Light emitting device
CN108864711A (en) * 2018-06-15 2018-11-23 王娟娟 A kind of organic silica gel material and preparation method thereof for chip package
WO2020050490A1 (en) * 2018-09-07 2020-03-12 서울반도체주식회사 Light emitting diode package
CN109887906A (en) * 2019-02-22 2019-06-14 福建天电光电有限公司 A kind of high reflection LED package support
JP2019087763A (en) * 2019-03-01 2019-06-06 パイオニア株式会社 Optical semiconductor device and optical semiconductor device manufacturing method
JP7227478B2 (en) * 2019-03-20 2023-02-22 日亜化学工業株式会社 Resin package and light emitting device
JP7417031B2 (en) 2019-03-27 2024-01-18 日亜化学工業株式会社 light emitting device
JP7057513B2 (en) * 2019-09-12 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
US11855244B1 (en) 2020-11-25 2023-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10041686A1 (en) * 2000-08-24 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Component with a large number of LED chips
JP2002124705A (en) * 2000-10-17 2002-04-26 Citizen Electronics Co Ltd Light emitting diode and its manufacturing method
JP3423304B1 (en) * 2001-11-09 2003-07-07 シーシーエス株式会社 Light irradiation device and light irradiation unit

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005136378A (en) 2005-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4774201B2 (en) Package molded body and semiconductor device
JP4493013B2 (en) Semiconductor device
JP4694371B2 (en) Curable composition and method for preparing the same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for forming the same, light-emitting diode package, and semiconductor device
EP1505121B1 (en) Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product
JP4611617B2 (en) Light emitting diode
JP4685690B2 (en) Curable composition, cured product and method for producing the same
JP5021151B2 (en) Curable resin composition for semiconductor package and semiconductor
JP2006241462A (en) Composition for optical material, optical material, manufacturing method thereof, and liquid crystal display device using the same
JP2003313438A (en) Method for producing cured product for optical material, cured product, and light-emitting diode sealed therewith
JP5000072B2 (en) Light emitting diode
JP2004002784A (en) Composition for electronic material, electronic material and electronic product produced by using the same
JP2004266134A (en) Resin paste for die bonding and light emitting diode using it
JP5749543B2 (en) Thermosetting resin composition tablet and semiconductor package using the same
JP2006183061A (en) Composition for electronic material, and electronic material
JP2013225573A (en) Resin molding for surface mounted light emitting device and light emitting device using the same
JP5767550B2 (en) Resin molded body for LED module
JP2013080822A (en) Package mold, method of manufacturing the same, and light-emitting device
JP2013080820A (en) Resin molding and light emitting device
JP2013080821A (en) Resin molding and side surface light emitting type semiconductor light emitting device
JP2018044067A (en) Optical semiconductor device using curable composition containing inorganic filler as sealing agent
JP2012224863A (en) Curable resin composition for packaging semiconductor, and the semiconductor
JP2006219678A (en) Hardening composition for optical material, optical material and process for production of optical material
JP2006206920A (en) Curable composition for optical material, optical material and manufacturing method of optical material
JP2013080819A (en) Resin molding for light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100810

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101007

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110311

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110411

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110414

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110531

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110531

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110621

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110627

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140701

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4774201

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140701

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250