JP4762045B2 - 半導体集積回路の検証装置及び検証方法 - Google Patents
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Description
抽出した前記ネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記回路の有限インピーダンスの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記フローティングエラー端子判定部によって、フローティングエラー端子があると判定された前記回路の端子に前記回路に用いるトランジスタのチャネル幅よりも小さいチャネル幅を有するPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第1の変化する電位を印加し前記端子の電位の変化を計算し、前記端子の電位の変化が前記第1の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定し、且つ、前記端子に前記Pチャネル型トランジスタ及び前記Nチャネル型トランジスタの他方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第2の変化する電位を印加し前記端子の電位の変化を計算し、前記端子の電位の変化が前記第2の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定する真性フローティングエラー端子判定部と、
前記フローティングエラー端子判定部の判定結果と前記真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置が提供される。
また、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置によると、回路のネットリストを抽出する回路ネットリスト抽出部と、
抽出した前記ネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記回路の有限インピーダンスの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記フローティングエラー端子判定部によって、フローティングエラー端子があると判定された前記回路の端子に前記回路に用いるトランジスタのチャネル幅よりも小さいチャネル幅を有するPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第1の変化する電位を印加し前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算し、前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化が前記第1の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定し、且つ、前記端子に前記Pチャネル型トランジスタ及び前記Nチャネル型トランジスタの他方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第2の変化する電位を印加し前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算し、前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化が前記第2の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定する真性フローティングエラー端子判定部と、
前記フローティングエラー端子判定部の判定結果と前記真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置が提供される。
ここで、一般的なフローティングチェックのフローチャートを図1に示す。
図5Aは、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の構成例を示すブロック図である。本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置は、図5Aに示すとおり、半導体集積回路の回路図の情報500から固定電位に接続された回路のネットリストを抽出する回路ネットリスト抽出部501、抽出した前記ネットリストに基づいて前記回路の回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部502、前記ネットリストに基づいて前記全ての回路の有限インピーダンスの有無を判定する有限インピーダンス判定部503、有限インピーダンスの有無を測定し、フローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部504、フローティングエラー判定部504により接続エラーと判定された端子が、真性フローティングエラーであるか否かを判定する真性フローティングエラー端子判定部505、そして、フローティングエラー端子判定部504の判定結果及び真性フローティングエラー端子判定部505の判定結果を出力する出力部506とを備える。
上述の実施形態1においては、付加したPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタが接続された端子N2における電位の変化を計算し、端子N2が真性フローティングエラーであるか、擬似的フローティングエラーであるかを判断するようにしているが、本実施形態2においては、付加したPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタと端子N2との間の電流の変化を計算し、端子N2が真性フローティングエラーであるか、擬似的フローティングエラーであるかを判断する。
本実施形態3に係る半導体集積回路検証装置は、フローティングエラー端子に、Pチャネル型トランジスタを付加してPチャネル型トランジスタが接続された場合の端子N2における電位の変化を計算した後、Nチャネル型トランジスタを付加してNチャネル型トランジスタが接続された場合の端子N2における電位の変化を計算し、その計算結果に基づいて、フローティングエラーとされた端子が真性フローティングエラーであるか、擬似的フローティングエラーであるかを判断するという処理を、全てのフローティングエラー端子ごとに行う例である。
上述の実施形態3においては、付加したPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタが接続された端子N2における電位の変化を計算し、端子N2が真性フローティングエラーであるか、擬似的フローティングエラーであるかを判断するようにしているが、本実施形態4においては、Pチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタと端子N2との間の電流の変化を計算し、端子N2が真性フローティングエラーであるか、擬似的フローティングエラーであるかを判断する。
抽出したネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
回路の有限インピーダンの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
フローティングエラー判定部によって全ての回路のうちフローティングエラー端子があると判定された第1の回路において、第1の回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、端子の電位の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、端子の電位の変化を計算する真性フローティングエラー端子判定部と、
フローティングエラー端子判定部の判定結果と真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
抽出したネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
回路の有限インピーダンスの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
フローティングエラー端子判定部によって、フローティングエラー端子があると判定された回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、端子の電位の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、端子の電位の変化を計算する真性フローティングエラー端子判定部と、
フローティングエラー端子判定部の判定結果と真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
抽出したネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
回路の有限インピーダンの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
フローティングエラー判定部によって全ての回路のうちフローティングエラー端子があると判定された第1の回路において、第1の回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、端子の電流の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、端子の電流の変化を計算する真性フローティングエラー端子判定部と、
フローティングエラー端子判定部の判定結果と真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
回路において、有限インピーダンスが無いと判定された場合、回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、端子の電位の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、端子の電位の変化を計算することを特徴とする半導体集積回路の検証方法が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
抽出したネットリストに基づいて全ての回路の有限インピーダンスの有無を判定した後、
全ての回路のうち有限インピーダンスが無いと判定された第1の回路において、第1の回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、端子の電位の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、端子の電位の変化を計算することを特徴とする半導体集積回路の検証方法が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
抽出したネットリストに基づいて回路の有限インピーダンスの有無を判定し、
回路において、有限インピーダンスが無いと判定された場合、回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、Pチャネル型トランジスタ又はNチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、Pチャネル型トランジスタ又はNチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算することを特徴とする半導体集積回路の検証方法が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
抽出したネットリストに基づいて全ての回路の有限インピーダンスの有無を判定した後、
全ての回路のうち有限インピーダンスが無いと判定された第1の回路において、第1の回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、Pチャネル型トランジスタ又はNチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、Pチャネル型トランジスタ又はNチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算することを特徴とする半導体集積回路の検証方法が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
302 Pチャネル型トランジスタ
303 Nチャネル型トランジスタ
304 Nチャネル型トランジスタ
500 回路図の情報
501 回路ネットリスト抽出部
502 回路シミュレーション実行部
503 有限インピーダンス判定部
504 フローティングエラー端子判定部
505 真性フローティングエラー端子判定部
506 出力部
901 Pチャネル型トランジスタ
1101 Pチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラー端子であった場合の前記端子の電位の変化
1102 Pチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラー端子でなかった場合の前記端子の電位の変化
1201 Nチャネル型トランジスタ
1401 Pチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラー端子であった場合の前記端子の電位の変化を計算した例
1502 Pチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラーでなかった場合の前記端子の電位の変化を計算した例
1701 Pチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラーであった場合の前記端子の電流の変化を計算した例
1702 Pチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラーでなかった場合の前記端子の電流の変化を計算した例
1801 Nチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラーであった場合の前記端子の電流の変化を計算した例
1802 Nチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラーでなかった場合の前記端子の電流の変化を計算した例
Claims (3)
- 回路のネットリストを抽出する回路ネットリスト抽出部と、
抽出した前記ネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記回路の有限インピーダンスの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記フローティングエラー端子判定部によって、フローティングエラー端子があると判定された前記回路の端子に前記回路に用いるトランジスタのチャネル幅よりも小さいチャネル幅を有するPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第1の変化する電位を印加し前記端子の電位の変化を計算し、前記端子の電位の変化が前記第1の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定し、且つ、前記端子に前記Pチャネル型トランジスタ及び前記Nチャネル型トランジスタの他方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第2の変化する電位を印加し前記端子の電位の変化を計算し、前記端子の電位の変化が前記第2の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定する真性フローティングエラー端子判定部と、
前記フローティングエラー端子判定部の判定結果と前記真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置。 - 回路のネットリストを抽出する回路ネットリスト抽出部と、
抽出した前記ネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記回路の有限インピーダンスの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記フローティングエラー端子判定部によって、フローティングエラー端子があると判定された前記回路の端子に前記回路に用いるトランジスタのチャネル幅よりも小さいチャネル幅を有するPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第1の変化する電位を印加し前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算し、前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化が前記第1の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定し、且つ、前記端子に前記Pチャネル型トランジスタ及び前記Nチャネル型トランジスタの他方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第2の変化する電位を印加し前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算し、前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化が前記第2の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定する真性フローティングエラー端子判定部と、
前記フローティングエラー端子判定部の判定結果と前記真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置。 - 前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのチャネル幅は、前記回路に用いる前記トランジスタのチャネル幅の100分の1以上、10分の1以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路の検証装置。
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