JP4762045B2 - 半導体集積回路の検証装置及び検証方法 - Google Patents

半導体集積回路の検証装置及び検証方法 Download PDF

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Description

本発明は、半導体集積回路の接続検証を行う際の検証装置及び検証方法に関する。
半導体集積回路の設計段階では、全ての端子が固定電位、すなわち電源電位VDD、接地電位VSS、または内部で複数発生する内部電位に確実に接続されているかの検証(以下「フローティングチェック」と言う。)が行なわれる。
フローティングチェックにおいては、通常、CADツールによって作成された論理回路図から論理回路の接続状態を示したネットリストを抽出した後、EDA(Electronic Design Automation)ツールを用いて回路シミュレーションが実行される。その際、トランジスタは完全にオンの状態にしておき、電流がこのトランジスタを介して固定電位に導通するか否かが判定されている。フローティングエラー端子を検出する基準はEDAツールによって異なるものの、ほとんどの回路シミュレーターでは、固定電位に導通するパスが存在するか否かで、フローティングエラー端子の有無を判定している。
特開平5−74948号公報 特開2000−293555号公報
本発明は、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるエラーデータの中から、真性なフローティングエラー端子のみを自動的に検出する半導体集積回路の検証装置及び検証方法に提供することを目的とする。
本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置によると、回路のネットリストを抽出する回路ネットリスト抽出部と、
抽出した前記ネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記回路の有限インピーダンスの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記フローティングエラー端子判定部によって、フローティングエラー端子があると判定された前記回路の端子に前記回路に用いるトランジスタのチャネル幅よりも小さいチャネル幅を有するPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第1の変化する電位を印加し前記端子の電位の変化を計算し、前記端子の電位の変化が前記第1の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定し、且つ、前記端子に前記Pチャネル型トランジスタ及び前記Nチャネル型トランジスタの他方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第2の変化する電位を印加し前記端子の電位の変化を計算し、前記端子の電位の変化が前記第2の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定する真性フローティングエラー端子判定部と、
前記フローティングエラー端子判定部の判定結果と前記真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置が提供される。
また、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置によると、回路のネットリストを抽出する回路ネットリスト抽出部と、
抽出した前記ネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記回路の有限インピーダンスの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
前記回路シミュレーションにおいて、前記フローティングエラー端子判定部によって、フローティングエラー端子があると判定された前記回路の端子に前記回路に用いるトランジスタのチャネル幅よりも小さいチャネル幅を有するPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第1の変化する電位を印加し前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算し、前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化が前記第1の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定し、且つ、前記端子に前記Pチャネル型トランジスタ及び前記Nチャネル型トランジスタの他方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第2の変化する電位を印加し前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算し、前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化が前記第2の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定する真性フローティングエラー端子判定部と、
前記フローティングエラー端子判定部の判定結果と前記真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置が提供される。
本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置によると、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。フローティングチェックにより検出されたフローティングエラーは、プログラムの修正という簡易な手段で解決することができる。これにより、フローティングエラー端子に対する修正作業が効率化することとなり、したがって製品開発期間の短縮化および製品開発コストの低減を実現でき、半導体集積回路の製品化を円滑に進めることができるという効果が得られる。
(本件発明に至る経緯)
ここで、一般的なフローティングチェックのフローチャートを図1に示す。
まず、回路全体のネットリストを抽出する(ステップS101)。次に、回路シミュレーションを実行する(ステップS102)。回路シミュレーションにおいては、ある端子における、一定時間内の有限インピーダンスの有無を判断する。そして、全ての端子において、一定時間内の有限インピーダンスの有無を判断し(ステップS103)、全ての端子において、一定時間内に有限インピーダンスが存在する場合は、フローティングエラー端子無しとしてレポートし(ステップS104)、特定の端子において一定時間内に有限インピーダンスが存在しない場合は、その特定の端子をフローティングエラー端子としてレポートする(ステップS106)。
このような一般的なフローティングチェックにおいては、フローティングエラー端子であると判定されたものの中に、真性フローティングエラー端子のほかに、固定電位に接続されているにもかかわらず接続されていないとレポートされた端子、すなわち擬似的フローティングエラー端子が含まれることがある。
図2は、端子N1が真性フローティングエラー端子である場合の回路図例である。図2に示す回路図例においては、端子N1はトランジスタTr1、Tr2を介して、固定電位VSS又はVDDに接続される。しかし、論理回路図作成段階での設計ミス等により、待機状態においてトランジスタTr1、Tr2が共に非導通状態となるように回路が構成されている場合は、端子N1はフローティングエラー端子となる。従って、端子N1を入力とするゲート回路G1がある場合、ゲートレベルが不定となるため、ここで貫通電流が生じる可能性が高くなる。
これをNANDゲート回路G1の回路図例を示した図3(B)を用いて説明すると、例えば、NANDゲート回路G1の一方の入力N2にHiが入力されている場合、Pチャネル型トランジスタ301がオフ、Nチャネル型トランジスタ303がオンする。この場合、他方の入力N1に入力される電位が不定であると、Pチャネル型トランジスタ302及びNチャネル型トランジスタ304がVDDとGNDの中間電位となり、Nチャネル型トランジスタ303、Nチャネル型トランジスタ304、Pチャネル型トランジスタ302が弱くオンした状態となる。このため、直列をなすPチャネル型トランジスタ302、Nチャネル型トランジスタ303及びNチャネル型トランジスタ304の間でVDDからGNDへ貫通電流が生じる可能性がある。
これに対し、図4は、端子N1が擬似的フローティングエラー端子である場合の回路図例である。トランジスタTr2の入力が内部電位VXとなっている点で図2と図4とは異なっている。図4に示す回路例においては、トランジスタTr2を介して固定電位VSSに接続されており、端子N1はフローティングエラー端子とはならない。しかしながら、トランジスタTr2に入力される内部電位VXがCMOS動作レベル、すなわち固定電位VDD又はVSSでない場合には、EDAツールによって端子N1はフローティングエラー端子であると判定されることがある。
近時プロセスの微細化が進む半導体集積回路においては、回路シミュレーションの結果、検出・レポートされるフローティングエラー端子は、時に1万個を超える数になることも稀ではない。しかしながら、回路シミュレーションによってレポートされるフローティングエラー端子が真性フローティングエラー端子であるか擬似的フローティングエラー端子であるかの判定は、逐一回路図を参照しながら目視確認をするという人的作業に頼らざるを得ない。そのため、作業に多大な時間と労力を費やしたにもかかわらず、人為的なミスにより真性フローティングエラーが見逃されることがある。これに加えて、検証者において内部電位の生成回路に対する理解が不十分な場合には、確認を誤り真性フローティングエラー端子が見逃される可能性はさらに高まることとなる。
上記確認作業において、見逃された真性フローティングエラー端子は、製品の試作後等において、スタンバイ電流の増加や信頼性の劣化等の不具合として現れる。真性フローティングエラー端子が発見された段階によっては、多額の損失が生ずることもある。
このように、半導体集積回路のフローティングチェックにおいて検出するエラーデータの中から、真にフローティングエラーとなっている端子を見つけ出して修正するのに多大な時間と労力を要しており、このことが、製品開発期間の長期化及び製品開発コストの増大を招き、半導体集積回路の製品化を円滑に進める上での阻害要因となっている。
このように、一般的なフローティングチェックにおいては、有限インピーダンスの有無によってのみフローティングエラーの検出を行っていたので、真性な接続エラーであるか擬似的な接続エラーであるかの確認は、逐一回路図を参照しながら目視確認をするという人的作業に頼らざるを得なかった。そこで、本発明においては、後述するように、擬似的なフローティングエラーの検出を排除し、真性なフローティングエラーのみを自動的に検出することを可能にした。
以下、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の検証装置及び検証方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の実施形態においては、本発明の半導体集積回路の検証装置及び検証方法の例を示しており、本発明の半導体集積回路の検証装置及び検証方法は、それら実施形態に限定されるわけではない。
(実施形態1)
図5Aは、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の構成例を示すブロック図である。本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置は、図5Aに示すとおり、半導体集積回路の回路図の情報500から固定電位に接続された回路のネットリストを抽出する回路ネットリスト抽出部501、抽出した前記ネットリストに基づいて前記回路の回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部502、前記ネットリストに基づいて前記全ての回路の有限インピーダンスの有無を判定する有限インピーダンス判定部503、有限インピーダンスの有無を測定し、フローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部504、フローティングエラー判定部504により接続エラーと判定された端子が、真性フローティングエラーであるか否かを判定する真性フローティングエラー端子判定部505、そして、フローティングエラー端子判定部504の判定結果及び真性フローティングエラー端子判定部505の判定結果を出力する出力部506とを備える。
本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置において、回路ネットリスト抽出部501、回路シミュレーション実行部502、有限インピーダンス判定部503、フローティングエラー端子判定部504、真性フローティングエラー端子判定部505及び出力部506におけるデータの流れを図5Aに示している。なお、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置におけるデータの流れは、図5Aに示すものに限定されるわけではなく、図5B及び図5Cに示すように、回路ネットリスト抽出部501、回路シミュレーション部502、有限インピーダンス判定部503、フローティングエラー端子判定部504、真性フローティングエラー端子判定部505及び出力部506において互いにデータのやり取りを行うようにしてもよい。
次に、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の動作フローについて、図面を参照して詳細に説明する。図6は、フローティングチェックを行いフローティングエラー端子が有るとされた場合の回路図例、図7及び図8は、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法の処理の一例を示すフローチャートである。
図7に示すように、まず、回路ネット抽出部501が、半導体集積回路の回路図の情報から固定電位に接続された回路のネットリストを抽出する(ステップS701)。
次に、抽出した前記ネットリストに基づいて、回路シミュレーション実行部502が、EDAツールを用いて全ての回路の全ての端子について回路シミュレーションを実行する(ステップS702)。
回路シミュレーションにおいては、有限インピーダンス判定部503が、前記ネットリストに基づいて全ての回路の全ての端子において一定時間内の有限インピーダンスの有無を判定する(ステップS703)。
そして、全ての端子において、一定時間内の有限インピーダンスの有無を判断し(ステップS703)、全ての端子において、一定時間内に有限インピーダンスが存在する場合は、フローティングエラー端子判定部504が、前記回路にフローティングエラー端子が無いと判定し、この判定結果を出力部506に与える。この出力部506は、表示装置又はプリンタで構成され、フローティングエラー判定部504からの判定結果を表示装置に表示し又はプリントアウトして、前記判定結果を出力する(ステップS704)。
一方、有限インピーダンス判定部503により特定の端子において有限インピーダンスが存在しないと判定されれば、フローティングエラー端子判定部504は、前記回路にフローティングエラー端子が有ると判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS705)。
次に、有限インピーダンス判定部503が、全ての回路の全ての端子において、一定時間内の有限インピーダンスの有無が判定されたか否かを判断し、全ての回路の全ての端子について、有限インピーダンスの有無が判定されたと判断した場合には、後記ステップS707の検証処理が実行される(ステップS706)。
一方、有限インピーダンス判定部503が、全ての回路の全ての端子について、有限インピーダンスの有無が判定されていないと判断した場合には、有限インピーダンス判定部503が、有限インピーダンスの有無が判定されていないと判断した端子について、ステップS703乃至ステップS705の検証処理が実行される(ステップS706)。
次に、フローティングエラー端子判定部504が特定の回路にフローティングエラー端子が存在すると判定した場合(ステップS705)には、後記ステップS801以降の検証処理が実行される(ステップS707)。
一方、フローティングエラー端子判定部504が、全ての回路の全ての端子についてフローティングエラー端子が存在しないと判定した場合(ステップS707)には、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法は終了する(ステップS708)。
次に、特定の回路にフローティングエラー端子が存在すると判定された場合(ステップS707)、真性フローティングエラー判定部505が、フローティングエラーとされた端子N2に、図9に示すとおりソース又はドレインを端子N2に接続したPチャネル型トランジスタ901を付加し(ステップS801)、端子N2における予め定めた時間内の端子N2の電位の変化を計算する(ステップS802)。なお、Pチャネル型トランジスタ901のチャネル幅は、端子N1が接続される回路に用いるトランジスタTr3及びTr4のチャネル幅よりも小さい。Pチャネル型トランジスタ901のチャネル幅は、端子N2が接続される回路に用いるトランジスタTr3及びTr4のチャネル幅の100分の1以上、10分の1以下であるようにしてもよい。
ここで、ステップS802において、Pチャネル型トランジスタ901のゲートに図10に示すような電位IN(例えば、VDD→VSS)を印加し、Pチャネル型トランジスタ901を駆動させる。なお、ここで、Pチャネル型トランジスタ901に電位IN(例えば、VDD→VSS)を印加するのは、Pチャネル型トランジスタ901にスパイク電流が流れるのを防止するためである。なお、本実施形態1においては、Pチャネル型トランジスタ901のゲートに図10に示すような電位IN(例えば、VDD→VSS)を印加し、Pチャネル型トランジスタ901を駆動させているが、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置においては、このような電位の印加の仕方に限定されるわけではなく、任意の電位の印加をもってPチャネル型トランジスタ901を駆動させればよい。
ステップS802において、端子N2が真性フローティングエラー端子である場合、Pチャネル型トランジスタ901が付加された図9の端子N2の電位の変化を計算すると図11の特性曲線1101で示すとおりとなる。すなわち、端子N2の電位は初め不定の状態にあるが、Pチャネル型トランジスタ901のゲート電位を順次オンの状態とし、一定時間経過すると、端子N2の電位は、特性曲線1101で示すようにGNDからVDDまで上昇する。端子N2においてこのような電位の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は、端子N2を真性フローティングエラー端子であると判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS804)。
一方、ステップS802において、端子N2がフローティングエラー端子でない場合には、必ず固定電位へのパスが存在する。Pチャネル型トランジスタ901のチャネル幅は、端子N2が接続される回路に用いるトランジスタTr3及びTr4のチャネル幅よりも小さいので、Pチャネル型トランジスタ901の駆動能力が不足するため、Pチャネル型トランジスタ901に電流が殆ど流れず、図11の特性曲線1102で示すとおり、端子N2の電位は一定値以上変化しない。このような電位の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は端子N2を真性フローティングエラー端子でないと判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS803)。
次に、真性フローティングエラー端子判定部505が、ステップS705においてフローティングエラーと判定された全ての端子について、Pチャネル型トランジスタ901が接続され、端子の電位の変化が計算されたか否かを判断する(ステップS805)。真性フローティングエラー端子判定部505が、全てのフローティングエラー端子について、Pチャネル型トランジスタ901が接続され、端子の電位の変化が計算されたと判断した場合には、後記ステップS806以降の検証方法が実行される。
一方、真性フローティングエラー端子判定部505が、ステップS705においてフローティングエラーと判定された全ての端子について、Pチャネル型トランジスタ901が接続され、端子の電位の変化が計算されていないと判断した場合には、真性フローティングエラー端子判定部505が、電位の変化が判定されていない全てのフローティングエラー端子について、ステップS801乃至ステップS804の検証方法を実行する(ステップS805)。
次に、ステップS802においてPチャネル型トランジスタ901が付加された端子N2に、真性フローティングエラー判定部505が、図12のとおりソース又はドレインを端子N2に接続したNチャネル型トランジスタ1201を付加し(ステップS806)、端子N2における予め定めた時間内の端子N2の電位の変化を計算する(ステップS807)。なお、Nチャネル型トランジスタ1201のチャネル幅は、端子N2が接続される回路に用いるトランジスタTr3及びTr4のチャネル幅よりも小さい。Nチャネル型トランジスタ1201のチャネル幅は、端子N2が接続される回路に用いるトランジスタTr3及びTr4のチャネル幅の100分の1以上、10分の1以下であるようにしてもよい。
ここで、ステップS807において、Nチャネル型トランジスタ1201のゲートに図13に示すような電位IN(例えば、GND→VDD)を印加し、Nチャネル型トランジスタ1201を駆動させる。なお、ここで、Nチャネル型トランジスタ1201に電位IN(例えば、GND→VDD)を印加するのは、Nチャネル型トランジスタ1201にスパイク電流が流れるのを防止するためである。なお、本実施形態1においては、Nチャネル型トランジスタ1201のゲートに図13に示すような電位IN(例えば、GND→VDD)を印加し、Nチャネル型トランジスタ1201を駆動させているが、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置においては、このような電位の印加の仕方に限定されるわけではなく、任意の電位の印加をもってNチャネル型トランジスタ1201を駆動させればよい。
ステップS807において、端子N2が真性フローティングエラー端子である場合、Nチャネル型トランジスタ1201が付加された図12の端子N2の電位の変化を計算すると図14の特性曲線1401で示すとおりとなる。すなわち、端子N2の電位は初め不定の状態にあるが、Nチャネル型トランジスタ1201のゲート電位を順次オンの状態とし、一定時間経過すると、端子N2の電位は、特性曲線1401で示すようにGNDからVSSまで下降する。端子N2においてこのような電位の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は、端子N2を真性フローティングエラー端子であると判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS809)。
一方、ステップS807において、端子N2がフローティングエラー端子でない場合には、必ず固定電位へのパスが存在する。Nチャネル型トランジスタ1201のチャネル幅は、端子N2が接続される回路に用いるトランジスタTr3及びTr4のチャネル幅よりも小さいので、Nチャネル型トランジスタ1201の駆動能力が不足するため、Nチャネル型トランジスタ1201に電流が殆ど流れず、図14の特性曲線1402で示すとおり、端子N2の電位は一定値以上変化しない。このような電位の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は端子N2を真性フローティングエラー端子でないと判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS808)。
次に、真性フローティングエラー端子判定部505が、ステップS705においてフローティングエラーと判定された全ての端子について、Nチャネル型トランジスタ1201が接続され、端子の電位の変化が計算されたか否かを判断する(ステップS810)。真性フローティングエラー端子判定部505が、全てのフローティングエラー端子について、Nチャネル型トランジスタ1201が接続され、端子の電位の変化が計算されたと判断した場合には、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法は終了する(ステップS811)。
一方、真性フローティングエラー端子判定部505が、ステップS705においてフローティングエラーと判定された全ての端子について、Nチャネル型トランジスタ1201が接続され、端子の電位の変化が計算されていないと判断した場合には、真性フローティングエラー端子判定部505が、電位の変化が判定されていない全てのフローティングエラー端子について、ステップS806乃至ステップS809の検証方法を実行する(ステップS810)。
以上に説明したとおり、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置によれば、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
なお、上述の説明では、ステップS801においてはPチャネル型トランジスタがフローティングエラー端子に付加され、ステップS806においてはNチャネル型トランジスタがフローティングエラー端子に付加されるとしたが、ステップS801においてNチャネル型トランジスタがフローティングエラー端子に付加され、ステップS806においてPチャネル型トランジスタがフローティングエラー端子に付加されるとしても、動作は同様である。
そのため、前記半導体集積回路検証装置の構成を、予めPチャネル型トランジスタとNチャネル型トランジスタ双方につき別々のネットリストを作成した上で、同時にフローティングチェックを行うとすることも可能である。
(実施形態2)
上述の実施形態1においては、付加したPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタが接続された端子N2における電位の変化を計算し、端子N2が真性フローティングエラーであるか、擬似的フローティングエラーであるかを判断するようにしているが、本実施形態2においては、付加したPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタと端子N2との間の電流の変化を計算し、端子N2が真性フローティングエラーであるか、擬似的フローティングエラーであるかを判断する。
本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の構成例を示すブロック図である図5A、図5B及び図5Cについての説明は、実施形態1と同様である。
また、図15及び図16は、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法の処理の一例を示すフローチャートである。
また、本実施形態2においても、図6、図9及び図12を用いて説明を行う。
本実施形態2と実施形態1とは、本実施形態2に係るステップS1602乃至ステップS1604の動作と実施形態1のステップS802乃至ステップS804の動作、及び本実施形態2に係るステップS1607乃至ステップS1609の動作と実施形態1のステップS807乃至ステップS809の動作とが相違するのみで、その余の動作が同様である。そのため、以下では、ステップS1602乃至ステップS1604の動作及びステップS1607乃至ステップS1609の動作を説明する。
まず、ステップS1602乃至ステップS1604の動作を説明する。
ステップS1602において、端子N2がフローティングエラー端子である場合、端子N2とPチャネル型トランジスタ901との間に流れる電流の変化を測定すると、図17の特性曲線1701で示すとおり、端子N2とPチャネル型トランジスタ901との間に流れる電流は一旦最大電流IDDまで上昇した後下降する。このような電流の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は、端子N2を真性フローティングエラー端子であると判定し、この判定結果を出力部506に与える。(ステップS1604)。
一方、ステップS1602において、端子N2がフローティングエラー端子でない場合、端子N2の電流の変化を測定すると、図17の特性曲線1702で示すとおり、端子N2の電流は一定値以上変化しない。このような電流の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は端子N2をフローティングエラー端子でないと判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS1603)。
次に、ステップS1607乃至ステップS1609の動作を説明する。
ステップS1607において、端子N2がフローティングエラー端子である場合、端子N2とNチャネル型トランジスタ1201との間に流れる電流の変化を測定すると、図18の特性曲線1801で示すとおり、端子N2とNチャネル型トランジスタ1201との間に流れる電流は一旦最大電流ISSまで上昇した後下降する。このような電流の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は、端子N2をフローティングエラー端子であると判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS1609)。
一方、ステップS1607において、端子N2がフローティングエラー端子でない場合、端子N2の電流の変化を測定すると、図18の特性曲線1802で示すとおり、端子N2の電流は一定値以上変化しない。このような電流の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は端子N2をフローティングエラー端子でないと判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS1608)。
このようにして、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置によれば、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
(実施形態3)
本実施形態3に係る半導体集積回路検証装置は、フローティングエラー端子に、Pチャネル型トランジスタを付加してPチャネル型トランジスタが接続された場合の端子N2における電位の変化を計算した後、Nチャネル型トランジスタを付加してNチャネル型トランジスタが接続された場合の端子N2における電位の変化を計算し、その計算結果に基づいて、フローティングエラーとされた端子が真性フローティングエラーであるか、擬似的フローティングエラーであるかを判断するという処理を、全てのフローティングエラー端子ごとに行う例である。
本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の構成例を示すブロック図である図5A、図5B及び図5Cについての説明は、本実施形態3と実施形態1及び実施形態2とで同様である。
図19及び図20は、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法の処理の一例を示すフローチャートである。
本実施形態3においても、図6、図9乃至図14を用いて説明を行う。
本実施形態3と実施形態1及び実施形態2とは、本実施形態3にかかるステップS1900乃至ステップS1908の動作と、実施形態1のステップS700乃至ステップS708の動作及び実施形態2のステップS1500乃至ステップS1508の動作とが同様である。そのため、以下では、ステップS2001以降の動作について説明する。
ステップS1907において、特定の回路にフローティングエラー端子が存在すると判定された場合、真性フローティングエラー判定部505が、フローティングエラーとされた端子N2に、図9に示すとおりソース又はドレインを端子N2に接続したPチャネル型トランジスタ901を付加し(ステップS2001)、端子N2における予め定めた時間内の端子N2の電位の変化を計算する(ステップS2002)。なお、Pチャネル型トランジスタ901のチャネル幅は、端子N1が接続される回路に用いるトランジスタTr3及びTr4のチャネル幅よりも小さい。Pチャネル型トランジスタ901のチャネル幅は、端子N2が接続される回路に用いるトランジスタTr3及びTr4のチャネル幅の100分の1以上、10分の1以下であるようにしてもよい。
ここで、ステップS2002において、Pチャネル型トランジスタ901のゲートに図10に示すような電位IN(例えば、VDD→VSS)を印加し、Pチャネル型トランジスタ901を駆動させる。なお、ここで、Pチャネル型トランジスタ901に電位IN(例えば、VDD→VSS)を印加するのは、Pチャネル型トランジスタ901にスパイク電流が流れるのを防止するためである。なお、本実施形態3においては、Pチャネル型トランジスタ901のゲートに図10に示すような電位IN(例えば、VDD→VSS)を印加し、Pチャネル型トランジスタ901を駆動させているが、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置においては、このような電位の印加の仕方に限定されるわけではなく、任意の電位の印加をもってPチャネル型トランジスタ901を駆動させればよい。
ステップS2002において、端子N2が真性フローティングエラー端子である場合、Pチャネル型トランジスタ901が付加された図9の端子N2の電位の変化を計算すると図11の特性曲線1101で示すとおりとなる。すなわち、端子N2の電位は初め不定の状態にあるが、Pチャネル型トランジスタ901のゲート電位を順次オンの状態とし、一定時間経過すると、端子N2の電位は、特性曲線1101で示すようにGNDからVDDまで上昇する。端子N2においてこのような電位の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は、端子N2を真性フローティングエラー端子であると判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS2004)。
一方、ステップS2002において、端子N2がフローティングエラー端子でない場合には、必ず固定電位へのパスが存在する。Pチャネル型トランジスタ901のチャネル幅は、端子N2が接続される回路に用いるトランジスタTr3及びTr4のチャネル幅よりも小さいので、Pチャネル型トランジスタ901の駆動能力が不足するため、Pチャネル型トランジスタ901に電流が殆ど流れず、図11の特性曲線1102で示すとおり、端子N2の電位は一定値以上変化しない。このような電位の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は端子N2を真性フローティングエラー端子でないと判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS2003)。
次に、ステップS2001において、Pチャネル型トランジスタ901が付加された端子N2に、真性フローティングエラー判定部505が、図12のとおりソース又はドレインを端子N2に接続したNチャネル型トランジスタ1201を付加し(ステップS2005)、端子N2における予め定めた時間内の端子N2の電位の変化を計算する(ステップS2006)。なお、Nチャネル型トランジスタ1201のチャネル幅は、端子N2が接続される回路に用いるトランジスタTr3及びTr4のチャネル幅よりも小さい。Nチャネル型トランジスタ1201のチャネル幅は、端子N2が接続される回路に用いるトランジスタTr3及びTr4のチャネル幅の100分の1以上、10分の1以下であるようにしてもよい。
ここで、ステップS2006において、Nチャネル型トランジスタ1201のゲートに図13に示すような電位IN(例えば、GND→VDD)を印加し、Nチャネル型トランジスタ1201を駆動させる。なお、ここで、Nチャネル型トランジスタ1201に電位IN(例えば、GND→VDD)を印加するのは、Nチャネル型トランジスタ1201にスパイク電流が流れるのを防止するためである。なお、本実施形態3においては、Nチャネル型トランジスタ1201のゲートに図13に示すような電位IN(例えば、GND→VDD)を印加し、Nチャネル型トランジスタ1201を駆動させているが、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置においては、このような電位の印加の仕方に限定されるわけではなく、任意の電位の印加をもってNチャネル型トランジスタ1201を駆動させればよい。
ステップS2006において、端子N2が真性フローティングエラー端子である場合、Nチャネル型トランジスタ1201が付加された図12の端子N2の電位の変化を計算すると図14の特性曲線1401で示すとおりとなる。すなわち、端子N2の電位は初め不定の状態にあるが、Nチャネル型トランジスタ1201のゲート電位を順次オンの状態とし、一定時間経過すると、端子N2の電位は、特性曲線1401で示すようにGNDからVSSまで下降する。端子N2においてこのような電位の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は、端子N2を真性フローティングエラー端子であると判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS2008)。
一方、ステップS2006において、端子N2がフローティングエラー端子でない場合には、必ず固定電位へのパスが存在する。Nチャネル型トランジスタ1201のチャネル幅は、端子N2が接続される回路に用いるトランジスタTr3及びTr4のチャネル幅よりも小さいので、Nチャネル型トランジスタ1201の駆動能力が不足するため、Nチャネル型トランジスタ1201に電流が殆ど流れず、図14の特性曲線1402で示すとおり、端子N2の電位は一定値以上変化しない。このような電位の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は端子N2を真性フローティングエラー端子でないと判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS2007)。
次に、真性フローティングエラー端子判定部505が、ステップS1907においてフローティングエラーと判定された全ての端子について、Pチャネル型トランジスタ901及びNチャネル型トランジスタ1201が付加され、端子の電位の変化が計算されたか否かを判断する(ステップS2009)。真性フローティングエラー端子判定部505により、全ての端子について、Pチャネル型トランジスタ901及びNチャネル型トランジスタ1201が付加され、端子の電位の変化が計算されたと判断された場合には、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法は終了する(ステップS2010)。
一方、真性フローティングエラー端子判定部505により、ステップS1907においてフローティングエラーと判定された全ての端子について、Pチャネル型トランジスタ901及びNチャネル型トランジスタ1201が付加され、その端子の電位の変化が計算されていないと判断された場合には、真性フローティングエラー端子判定部505により、フローティングエラーと判定された別の端子について、前記ステップS2001乃至ステップS2008の検証方法を行う(ステップS2009)。
このようにして、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の検証装置によれば、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
(実施形態4)
上述の実施形態3においては、付加したPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタが接続された端子N2における電位の変化を計算し、端子N2が真性フローティングエラーであるか、擬似的フローティングエラーであるかを判断するようにしているが、本実施形態4においては、Pチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタと端子N2との間の電流の変化を計算し、端子N2が真性フローティングエラーであるか、擬似的フローティングエラーであるかを判断する。
本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の構成例を示すブロック図である図5A、図5B及び図5Cについての説明は、実施形態1乃至実施形態3と同様である。
また、図21及び図22は、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の検証方法の処理の一例を示すフローチャートである。
また、本実施形態4においても、図6、図9、図12、図17及び図18を用いて説明を行う。
本実施形態4と実施形態3とは、本実施形態4に係るステップS2202乃至ステップS2204の動作と実施形態3のステップS2002乃至ステップS2004の動作及び本実施形態4に係るステップS2206乃至ステップS2209の動作と実施形態3のステップS2006乃至ステップS2009の動作とが相違するのみで、その余の動作が同様である。そのため、以下では、ステップS2202乃至ステップS2204の動作及びステップS2206乃至ステップS2209の動作を説明する。
まず、ステップS2202乃至ステップS2204の動作を説明する。
ステップS2202において、端子N2がフローティングエラー端子である場合、端子N2とPチャネル型トランジスタ901との間に流れる電流の変化を測定すると、図17の特性曲線1701で示すとおり、端子N2とPチャネル型トランジスタ901との間に流れる電流は一旦最大電流IDDまで上昇した後下降する。このような電流の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は、端子N2を真性フローティングエラー端子であると判定し、この判定結果を出力部506に与える。(ステップS2204)。
一方、ステップS2202において、端子N2がフローティングエラー端子でない場合、端子N2の電流の変化を測定すると、図17の特性曲線1702で示すとおり、端子N2の電流は一定値以上変化しない。このような電流の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は端子N2をフローティングエラー端子でないと判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS2203)。
次に、ステップS2206乃至ステップS2209の動作を説明する。
ステップS2206において、端子N2がフローティングエラー端子である場合、端子N2とNチャネル型トランジスタ1201との間に流れる電流の変化を測定すると、図18の特性曲線1801で示すとおり、端子N2とNチャネル型トランジスタ1201との間に流れる電流は一旦最大電流ISSまで上昇した後下降する。このような電流の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は、端子N2をフローティングエラー端子であると判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS2208)。
一方、ステップS2206において、端子N2がフローティングエラー端子でない場合、端子N2の電流の変化を測定すると、図18の特性曲線1802で示すとおり、端子N2の電流は一定値以上変化しない。このような電流の変化が計算された場合に、真性フローティングエラー端子判定部505は端子N2をフローティングエラー端子でないと判定し、この判定結果を出力部506に与える(ステップS2207)。
このようにして、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置によれば、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
なお、本発明の一実施形態として、固定電位に接続された回路のネットリストを抽出する回路ネットリスト抽出部と、
抽出したネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
回路の有限インピーダンの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
フローティングエラー判定部によって全ての回路のうちフローティングエラー端子があると判定された第1の回路において、第1の回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、端子の電位の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、端子の電位の変化を計算する真性フローティングエラー端子判定部と、
フローティングエラー端子判定部の判定結果と真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
また、本発明の一実施形態として、固定電位に接続された回路のネットリストを抽出する回路ネットリスト抽出部と、
抽出したネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
回路の有限インピーダンスの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
フローティングエラー端子判定部によって、フローティングエラー端子があると判定された回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、端子の電位の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、端子の電位の変化を計算する真性フローティングエラー端子判定部と、
フローティングエラー端子判定部の判定結果と真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
また、本発明の一実施形態として、固定電位に接続された回路のネットリストを抽出する回路ネットリスト抽出部と、
抽出したネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
回路の有限インピーダンの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
フローティングエラー判定部によって全ての回路のうちフローティングエラー端子があると判定された第1の回路において、第1の回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、端子の電流の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、端子の電流の変化を計算する真性フローティングエラー端子判定部と、
フローティングエラー端子判定部の判定結果と真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
また、本発明の一実施形態として、回路のネットリストを抽出し、抽出したネットリストに基づいて回路の有限インピーダンスの有無を判定し、
回路において、有限インピーダンスが無いと判定された場合、回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、端子の電位の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、端子の電位の変化を計算することを特徴とする半導体集積回路の検証方法が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
また、本発明の一実施形態として、固定電位に接続された回路のネットリストを抽出し、
抽出したネットリストに基づいて全ての回路の有限インピーダンスの有無を判定した後、
全ての回路のうち有限インピーダンスが無いと判定された第1の回路において、第1の回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、端子の電位の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、端子の電位の変化を計算することを特徴とする半導体集積回路の検証方法が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
また、本発明の一実施形態として、端子の電位が一定値以上変化する場合は、端子に接続された配線がフローティングであると判定することを特徴とする半導体集積回路の検証方法が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
また、本発明の一実施形態として、固定電位に接続された回路のネットリストを抽出し、
抽出したネットリストに基づいて回路の有限インピーダンスの有無を判定し、
回路において、有限インピーダンスが無いと判定された場合、回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、Pチャネル型トランジスタ又はNチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、Pチャネル型トランジスタ又はNチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算することを特徴とする半導体集積回路の検証方法が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
また、本発明の一実施形態として、固定電位に接続された回路のネットリストを抽出し、
抽出したネットリストに基づいて全ての回路の有限インピーダンスの有無を判定した後、
全ての回路のうち有限インピーダンスが無いと判定された第1の回路において、第1の回路の端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加し、Pチャネル型トランジスタ又はNチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算し、且つ、端子にPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの他方を付加し、Pチャネル型トランジスタ又はNチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算することを特徴とする半導体集積回路の検証方法が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
また、本発明の一実施形態として、Pチャネル型トランジスタ又はNチャネル型トランジスタに流れる電流が一定値以上変化する場合は、端子に接続された配線がフローティングであると判定することを特徴とする半導体集積回路の検証方法が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
また、本発明の一実施形態として、固定電位が、電源電位、接地電位、又は半導体集積回路の内部で複数発生する内部電位であることを特徴とする半導体集積回路の検証方法が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
また、本発明の一実施形態として、Pチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタのチャネル幅は、回路に用いるトランジスタのチャネル幅の100分の1以上、10分の1以下であることを特徴とする半導体集積回路の検証方法が提供される。これにより、半導体集積回路のフローティングエラー端子を解析する際に検出されるフローティングエラーデータの中から、擬似的フローティングエラー端子を取り除き、真性フローティングエラー端子のみを自動的に検出することが可能となる。
一般的な半導体集積回路検証方法における処理例を示すフローチャート。 真性なフローティングエラーの場合の回路図例。 (A)はNANDゲート回路G1の図記号例。(B)はNANDゲート回路G1の回路図例。 擬似的なフローティングエラーの場合の回路図例。 本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の構成例を示すブロック図。 本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の構成例を示すブロック図。 本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の構成例を示すブロック図。 フローティングチェックを行いフローティングエラーが有るとされた場合の回路図例。 本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法の処理の一例を示すフローチャート。 本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法の処理の一例を示すフローチャート。 Pチャネル型トランジスタをフローティングエラー端子に接続した場合の回路図例。 Pチャネル型トランジスタのゲートに電位IN(例えば、VDD→VSS)を印加した場合の電位IN(例えば、VDD→VSS)の変化。 Pチャネル型トランジスタをフローティングエラー端子に接続した場合の前記端子における電位の変化。 Nチャネル型トランジスタをフローティングエラー端子に接続した場合の回路図例。 Nチャネル型トランジスタのゲートに電位IN(例えば、GND→VDD)を印加した場合の電位IN(例えば、GND→VDD)の変化。 Nチャネル型トランジスタをフローティングエラー端子に接続した場合の前記端子における電位の変化。 本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法の処理の一例を示すフローチャート。 本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法の処理の一例を示すフローチャート。 Pチャネル型トランジスタをフローティングエラー端子に接続した場合の前記端子における電流の変化を計算した例。 Nチャネル型トランジスタをフローティングエラー端子に接続した場合の前記端子における電流の変化。 本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法の処理の一例を示すフローチャート。 本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法の処理の一例を示すフローチャート。 本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法の処理の一例を示すフローチャート。 本発明の一実施形態に係る半導体集積回路検証装置の検証方法の処理の一例を示すフローチャート。
符号の説明
301 Pチャネル型トランジスタ
302 Pチャネル型トランジスタ
303 Nチャネル型トランジスタ
304 Nチャネル型トランジスタ
500 回路図の情報
501 回路ネットリスト抽出部
502 回路シミュレーション実行部
503 有限インピーダンス判定部
504 フローティングエラー端子判定部
505 真性フローティングエラー端子判定部
506 出力部
901 Pチャネル型トランジスタ
1101 Pチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラー端子であった場合の前記端子の電位の変化
1102 Pチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラー端子でなかった場合の前記端子の電位の変化
1201 Nチャネル型トランジスタ
1401 Pチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラー端子であった場合の前記端子の電位の変化を計算した例
1502 Pチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラーでなかった場合の前記端子の電位の変化を計算した例
1701 Pチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラーであった場合の前記端子の電流の変化を計算した例
1702 Pチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラーでなかった場合の前記端子の電流の変化を計算した例
1801 Nチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラーであった場合の前記端子の電流の変化を計算した例
1802 Nチャネル型トランジスタを接続された端子が、フローティングエラーでなかった場合の前記端子の電流の変化を計算した例

Claims (3)

  1. 回路のネットリストを抽出する回路ネットリスト抽出部と、
    抽出した前記ネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
    前記回路シミュレーションにおいて、前記回路の有限インピーダンスの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
    前記回路シミュレーションにおいて、前記有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
    前記回路シミュレーションにおいて、前記フローティングエラー端子判定部によって、フローティングエラー端子があると判定された前記回路の端子に前記回路に用いるトランジスタのチャネル幅よりも小さいチャネル幅を有するPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第1の変化する電位を印加し前記端子の電位の変化を計算し、前記端子の電位の変化が前記第1の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定し、且つ、前記端子に前記Pチャネル型トランジスタ及び前記Nチャネル型トランジスタの他方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第2の変化する電位を印加し前記端子の電位の変化を計算し、前記端子の電位の変化が前記第2の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定する真性フローティングエラー端子判定部と、
    前記フローティングエラー端子判定部の判定結果と前記真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置。
  2. 回路のネットリストを抽出する回路ネットリスト抽出部と、
    抽出した前記ネットリストに基づいて回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、
    前記回路シミュレーションにおいて、前記回路の有限インピーダンスの有無を判定する有限インピーダンス判定部と、
    前記回路シミュレーションにおいて、前記有限インピーダンスの有無を測定しフローティングエラー端子の有無を判定するフローティングエラー端子判定部と、
    前記回路シミュレーションにおいて、前記フローティングエラー端子判定部によって、フローティングエラー端子があると判定された前記回路の端子に前記回路に用いるトランジスタのチャネル幅よりも小さいチャネル幅を有するPチャネル型トランジスタ及びNチャネル型トランジスタの何れか一方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第1の変化する電位を印加し前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算し、前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化が前記第1の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定し、且つ、前記端子に前記Pチャネル型トランジスタ及び前記Nチャネル型トランジスタの他方を付加した後、付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのゲートに第2の変化する電位を印加し前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化を計算し、前記付加した前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタに流れる電流の変化が前記第2の変化する電位に対応して一定値以上変化する場合は、前記端子がフローティングエラー端子であると判定する真性フローティングエラー端子判定部と、
    前記フローティングエラー端子判定部の判定結果と前記真性フローティングエラー端子判定部の判定結果を出力する出力部とを備えた半導体集積回路の検証装置。
  3. 前記Pチャネル型トランジスタ又は前記Nチャネル型トランジスタのチャネル幅は、前記回路に用いる前記トランジスタのチャネル幅の100分の1以上、10分の1以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路の検証装置。
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