JP4749975B2 - 発光ダイオードのパッケージ構造 - Google Patents

発光ダイオードのパッケージ構造 Download PDF

Info

Publication number
JP4749975B2
JP4749975B2 JP2006232706A JP2006232706A JP4749975B2 JP 4749975 B2 JP4749975 B2 JP 4749975B2 JP 2006232706 A JP2006232706 A JP 2006232706A JP 2006232706 A JP2006232706 A JP 2006232706A JP 4749975 B2 JP4749975 B2 JP 4749975B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
die
light emitting
emitting diode
package structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006232706A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007067411A (ja
Inventor
林峰立
Original Assignee
啓萌科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 啓萌科技有限公司 filed Critical 啓萌科技有限公司
Publication of JP2007067411A publication Critical patent/JP2007067411A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4749975B2 publication Critical patent/JP4749975B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0756Stacked arrangements of devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、ダイオードのパッケージ構造に関し、特に発光ダイオードのパッケージ構造に関する。
発光ダイオードは半導体材料から成る発光素子であり、この発光素子は1対の電極端子を備え、これらの端子間に僅かな電圧が印加されると、電子とホールの結合によって、電気エネルギーを光の形式に変換して励起し放出する。
一般的な白熱電球と異なり、発光ダイオードは蛍光発光の特性を有するため、消費する電量が低い、素子の寿命が長い、点灯と同時に光が得られる、応答が速い等のメリットがある。また、発光ダイオードは、体積が小さく、震動に強くて、大量生産に適しているため、極小や、アレイ式の素子の製造に応用しやすいという特徴がある。現在、発光ダイオードは、すでに情報、通信、消費性電子製品のインジケーターやディスプレーに広く使用されていて、日常生活においてなくてはならない重要な素子となっている。近年、発光ダイオードは、液晶ディスプレー(Liquid crystal Display:LCD)のバックライトにも利用されていて、従来の冷陰極蛍光ランプに取って代わろうとしている。
従来の技術において、発光ダイオードのパッケージ構造のダイ(Die)は、通常半導体の生産工程におけるエピタキシー(Epitaxy)過程を利用して製造される。そのうち、ダイ発光の波長は、エピタキシー層の材料によって決まるため、エピタキシー生産工程は発光ダイオード生産工程において、コストが最も高いものとなっている。
図1に示されるように、半導体ウェハ1には複数個の発光ダイオードのダイDがあり、ウェハ1は切断後、適当なダイDを選んでパッケージされて、発光ダイオードパッケージ構造が各種製品に利用される。
発光ダイオードパッケージの製造の過程において、ウェハに設けられる複数の発光ダイオードのダイは、夫々同じ工程を経て、全てのダイが予め決められた光を発するようにコントロールされる。しかし、通常は、同一ロットにおいて、生産される複数のダイは、時として同一ウェハ上の複数のダイでさえも、かなり大きな波長のばらつき(wavelength length variation)がある。例えば、同一ロットのダイの予め決められた色はグリーンであるが、そのうちの一個のダイが発する光の波長は約500nmとなり、別の一個のダイが発する光の波長は506nmとなることがある。
しかしながら、例えば、液晶ディスプレーのバックライトモジュール又は自動車の高級ヘッドライトといった、ある応用分野においては、通常、複数の波長がほとんど一致している発光ダイオードのパッケージ構造が必要とされる。つまり、同一ロットで生産された複数ダイであれ、同一ウェハ上の複数のダイであれ、極めて狭い範囲の波長の条件に適うものだけが、パッケージ業者等の品質管理基準に適合し、質の良いダイとして製品に応用される。その他、狭い範囲の条件に適合しない波長のダイは不良とされ、使用されない。
そのため、ウェハ上の全てのダイが完全に使用されないと、ダイの利用率が低くなり、発光ダイオードのパッケージ構造の生産コストが高くなるうえ、原材料も無駄になってしまう。従って、同一ウェハ上の複数のダイが発する光の波長は厳格な同一性が要求されることになる。
本発明は、上記課題を解決するものであり、二個以上の発光ダイオードが予め決められた波長を発することによって、ダイの利用率を高めると共に、生産コストを低減した発光ダイオードのパッケージ構造を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の発光ダイオードのパッケージ構造は、予め決められた波長を出すようになっていて、キャリア、第1ダイ、第2ダイから成る。そのうち、第1ダイは、キャリアに置かれている。第1ダイは第1波長を持ち、第1ダイの波長は予め決められた波長よりも大きい。また、第2ダイもキャリアに置かれていて、第2ダイは第2波長を持ち、第2波長は予め決められた波長より小さい。第1波長と第2波長は同一色系統である。また、前記第1ダイから出る第1波長と、前記第2ダイから出る第2波長が組み合わさって、予め決められた波長の光を出すように構成され、前記第1ダイ及び前記第2ダイは、前記第1波長と前記予め決められた波長との差及び前記第2波長と前記予め決められた波長との差に応じて夫々発光強度が異なっている。
このように、本発明の発光ダイオードのパッケージ構造は、複数のダイを持ち、第1波長と第2波長が同一色系統であることにより、従来技術に比べ、本発明の発光ダイオードのパッケージ構造は、適切な波長の複数ダイを選ぶことにより、予め決められた波長の複数ダイを組み合わせて、二個以上の複数ダイを一緒にパッケージすることができる。
従って、本発明の発光ダイオードのパッケージ構造は、人が目視したとき、予め決められた波長の位置において、二個の予め決められた波長を持つ発光ダイオードの発光強度を持つかのような感じを受ける。
また、適切なダイを選ぶ過程において、パッケージ業者は、検査に合格するダイの波長の範囲を緩やかにすることが可能なので、同一ウェハ又は同一ロットのウェハのダイの利用率が高くなり、生産コストを低く抑えると同時に、原材料の無駄を少なくすることが可能であるという特徴を持つ。
本発明の発光ダイオードのパッケージ構造は、二個以上の発光ダイオードが予め決められた波長を発することによって、適切なダイを選ぶ過程において、パッケージ業者は、検査に合格するダイの波長の範囲を緩やかにすることが可能なので、同一ウェハ又は同一ロットのウェハのダイの利用率が高くなり、生産コストを低く抑えると同時に、原材料の無駄を少なくするという効果がある。
以下、本発明の第1の実施形態に係る発光ダイオードのパッケージ構造及びその実施例について図2乃至図5を参照して説明する。
まず、図2に示されるように、発光ダイオードのパッケージ構造2は、キャリア21、第1ダイ22及び第2ダイ23を備える。また、発光ダイオードのパッケージ構造2は、予め決められた波長λt(target peakwave length)の光を発し、予め決められた波長は、例えば、615nmから650nmの間のレッドライト、515nmから555nmの間のグリーンライト又は455nmから485nmの間のブルーライトである。つまり、予め決められた波長は、業者によって規格が決められ、発光ダイオードのパッケージ構造2によって、最後に人の視覚によって認識される光色の波長となる。そして、発光ダイオードのパッケージ構造2は、人の視覚に暫時留まる現象を利用して、第1ダイ22及び第2ダイ23が、同時に発光するかどうかに拘わらず、いずれの場合も予め決められた波長が得られるようにするものである。
発光ダイオードのパッケージ構造2の予め決められた波長は、夫々波長が620.5nmから645.0nmの間の第1レッドライト(R1)、波長が612.5nmから620.5nmの間の第2レッドライト(R2)、波長が520nmから550nmの間の第1グリーンライト(G1)、波長が490nmから520nmの間の第2グリーンライト(G2)、波長が460nmから490nmの間の第1ブルーライト(B1)、波長が440nmから460nmの間の第2ブルーライト(B2)として規定される。
第1ダイ22及び第2ダイ23は、夫々キャリア21に置かれている。キャリア21は基板又はリードフレームが使用される。本実施例においては、発光ダイオードのパッケージ形態及び基板の材質には特に制限はない。例えば、キャリア21に基板が用いられる場合、透明基板でもあっても不透明基板であってもよい。また、パッケージの形式は、図2に示されるような、表面実装部品(Surface Mounting Device:SMD)の形態が採用される。第1ダイ22及び第2ダイ23は、複数のワイヤリング25によってキャリア21と電気的に連結され、更にカプセリング材料26により保護されている。
図3に示されるように、発光ダイオードのパッケージ構造2は、第1ダイ22及び第2ダイ23が、基板上の内部配線(interconnection)27によって外界と電気的信号の交信を行うように構成されてもよい。この場合、ワイヤリングの必要がない。第1ダイ22及び第2ダイ23は、フリップチップ(flip chip)形式によりキャリア21に取り付けられてもよい。
図4に示されるように、キャリア21’にリードフレームが用いられた場合、パッケージの形式はリードフレーム・パッケージ(leadframe package)の形態が採用される。また、図5に示される例においては、第1ダイ22及び第2ダイ23が重ねられた形式で取り付けられ、更に基板及びリードフレームを組み合わせたキャリア21、21’が用いられている。
また、図6に示されるように、第1ダイ22は第1波長λ1を持ち、第1波長λ1は予め決められた波長λtより大きい。第2ダイ23は第2波長λ2を持ち、第2波長λ2は予め決められた波長λtより小さい。第1ダイ22及び第2ダイ23は同一色系統の光である。例えば、第1ダイ22及び第2ダイ23はいずれも、緑、青緑のようなグリーン系統の光を出す。さらに、第1ダイ22及び第2ダイ23は、同一ウェハ上において生産されるダイである。当然、第1ダイ22及び第2ダイ23も、異なるウェハからでもよいが、同一ロットにおいて生産されたダイでなければならない。本実施例においては、第1ダイ22及び第2ダイ23は、同一ウェハから生産されたダイを例としている。
ダイを選ぶ場合、先に各ダイの波長を測定し、適合するものを選んで一緒にパッケージする。波長は互いに組み合わせの可能な複数のダイでも可能である。第1ダイ22の第1波長λ1と第2ダイ23の第2波長λ2の差(Δλ)が50nmより小さければ、組み合わせが可能であり、同一パッケージ構造の中に置くことができる。
本実施例においては、発せられる予め決められた波長λtが530nmである発光ダイオードのパッケージ構造2を例として挙げている。第1ダイ22と予め決められた波長の差は、第2ダイ23と予め決められた波長λtとの差に等しい。例えば、第1波長λ1は約535nm、第2波長λ2は約525nmであり、仮に、第1ダイ22と第2ダイ23の発光効率が同じであるとすれば、同じ電流を第1ダイ22及び第2ダイ23に提供した時、第1ダイ22及び第2ダイ23が同時に発光するか、素早い速度で交替に発光するかに拘わらず、人の目が感じる予め決められた波長の値530nmによって現れる発光強度は、第1ダイ22及び第2ダイ23が予め決められた波長の値530nmの位置での光の強度の合計である(点線の波長スペクトルが示す通り)。つまり、波長をうまく組み合わせることにより、第1ダイ22及び第2ダイ23が一緒にパッケージでき、第1ダイ22と第2ダイ23が組み合わさって予め決められた波長λtを出し、人の目では複数のダイの間に波長の差があることは認識されず、あたかも二個の予め決められた波長λtを出すダイが一緒にパッケージされているように見えるのである。
また、図7に示されるように、本実施例においては、発せられる予め決められた波長λtが530nmである発光ダイオードのパッケージ構造2を例としている。第1ダイ22と予め決められた波長の差が、第2ダイ23と予め決められた波長の差の半分である時、例えば、第1波長λ1が約535nm、第2波長λ2が約520nmであり、仮に、第1ダイ22と第2ダイ23の発光効率が同じであるとすれば、第1ダイ22の電流又は電圧を二倍に上げることができ、第1ダイ22の発光強度は第2ダイ23の二倍にすることができる。図7に示すように、第1ダイ22及び第2ダイ23は同時に発光、又は、すばやい速度で交互に発光する時、人の目が感じる予め決められた波長の値λtの位置で現れる光の強度は、第1ダイ22及び第2ダイ23が、予め決められた波長λtの位置での光の強度の合計である(点線の波長スペクトルの通り)。
好ましくは、第1波長λ1と第2波長λ2の差が30nmより小さい場合に、組み合わせられた予め決められた波長の発光強度は比較的強く、メインピーク(main peak)を形成する。また、第1ダイ22と第2ダイ23の波長を合計しても、単一でメインピークを形成することはできない。しかしながら、発光ダイオードの発光純度がより高くなれば、人の目では色彩飽和度(Color Saturation)の減少はやはり識別できない。
次に、本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードのパッケージ構造について、図8を参照して説明する。本実施形態の発光ダイオードのパッケージ構造2’は、第3波長λ3を持つ第3ダイ24を更に備えた点が上記第1の実施形態の発光ダイオードのパッケージ構造と相違する。また、第3ダイ24と第1ダイ22及び第2ダイ23は、同一系統の色を発する。例えば、第1ダイ22及び第2ダイ23がいずれもピンクの光を発する時、第3ダイ24は深い赤の光を発し、いずれも赤系統の色の光を発する。
発光ダイオードのパッケージ構造2’が三つのダイを備えるとき、ダイの最大波長と最小波長の差は50nmより小さくなるようにする。つまり、第3波長λ3が第1波長λ1より大きい時、第3波長λ3と第2波長λ2の差は50nmより小さい。そして、第3波長λ3が第2波長λ2時より小さい時、第3波長λ3と第1波長λ1の差は50nmより小さい。
好ましくは、発光ダイオードのパッケージ構造2’の複数ダイのうち、最大波長及び最小波長の差は30nmより小さくなるようにする。なお、本発明の発光ダイオードのパッケージ構造において、パッケージ構造のダイの数量には制限がなく、複数ダイであればよい。
このように、本発明の発光ダイオードのパッケージ構造は、複数のダイを備え、第1波長と第2波長が同一系統の色である。従って、従来の技術に比べ、本発明の発光ダイオードのパッケージ構造は、組み合わせが適合する複数のダイを選ぶこと、つまり、予め決められた波長の複数ダイを組み合わせることにより、二個以上の複数ダイを一緒にパッケージすることができる。このようにして、発光ダイオードのパッケージ構造は、人が目視により、予め決められた波長の位置にあって、あたかも二個の予め決められた波長を持つ発光ダイオードの発光強度を感じることができる。また、適合するダイを選ぶ過程で、パッケージ業者が検査に合格したダイの波長の範囲を緩やかにすることができるので、同一ウェハ又は同一ロットのウェハのダイの利用率を高め、生産コストを低く抑えると同時に、原材料の無駄をなくすことが可能である。
また、本出願は、台湾特許出願094129557号に基づいており、その特許出願の内容は、参照によって本出願に組み込まれる。なお、本発明は、上記構成に限られることなく種々の変形が可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更などがあっても、全て本出願の請求項に記載された事項の範囲に含まれる。
従来のウェハを切断することによって形成された複数のダイを示した図。 本発明の第1の実施形態に係る発光ダイオードのパッケージ構造の一実施例を示す図。 上記パッケージ構造の他の実施例を示す図。 上記パッケージ構造の他の実施例を示す図。 上記パッケージ構造の他の実施例を示す図。 上記のパッケージ構造において、第1ダイ及び第2ダイが出す波長のスペクトルであって、第1ダイと予め決められた波長の差が、第2ダイと予め決められた波長の差が等しいことを示す図。 上記のパッケージ構造において、第1ダイ及び第2ダイが出す波長のスペクトルであって、第1ダイと予め決められた波長の差が、第2ダイと予め決められた波長の差が等しくないことを示す図。 本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードのパッケージ構造を示す図。
符号の説明
1 ウェハ
2、2' 発光ダイオードのパッケージ構造
21、21' キャリア
22 第1ダイ
23 第2ダイ
24 第3ダイ
25 ワイヤリング
26 カプセリング材料
27 内部配線
D ダイ
λt 予め決められた波長
λ1 第1波長
λ2 第2波長
λ3 第3波長

Claims (11)

  1. 予め決められた波長の光を発光する発光ダイオードのパッケージ構造であって、
    キャリアと、前記キャリアに置かれ、その発光が第1波長を持ち、前記第1波長が前記予め決められた波長より大きい第1ダイと、前記キャリアに置かれ、その発光が第2波長を持ち、前記第2波長が前記予め決められた波長より小さく、前記第1波長と前記第2波長が同一色系統である第2ダイと、を備え、
    前記第1ダイから出る第1波長と、前記第2ダイから出る第2波長が組み合わさって、予め決められた波長の光を出すように構成され
    前記第1ダイ及び前記第2ダイは、前記第1波長と前記予め決められた波長との差及び前記第2波長と前記予め決められた波長との差に応じて夫々発光強度が異なることを特徴とする発光ダイオードのパッケージ構造。
  2. 前記キャリアは基板又はリードフレームであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
  3. 前記第1ダイ及び前記第2ダイの発光が同時である又は同時ではないことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
  4. 前記第1波長と前記第2波長との差は50nmより小さいことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
  5. 前記第1波長と前記第2波長との差は30nmより小さいことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
  6. 前記予め決められた波長は615nmから650nmの間であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
  7. 前記予め決められた波長は515nmから555nmの間であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
  8. 前記予め決められた波長は455nmから485nmの間であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
  9. 第3ダイを更に備え、前記第3ダイが第3波長を持ち、前記第1波長、前記第2波長及び前記第3波長が同一色系統であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
  10. 前記第3波長は前記第1波長より大きく、前記第3波長と前記第2波長との差が50nmより小さいことを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
  11. 前記第3波長は前記第2波長より小さく、前記第1波長と前記第3波長との差が50nmより小さいことを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
JP2006232706A 2005-08-29 2006-08-29 発光ダイオードのパッケージ構造 Expired - Fee Related JP4749975B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW094129557 2005-08-29
TW094129557A TWI285442B (en) 2005-08-29 2005-08-29 Package structure of light emitting diode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007067411A JP2007067411A (ja) 2007-03-15
JP4749975B2 true JP4749975B2 (ja) 2011-08-17

Family

ID=37802816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006232706A Expired - Fee Related JP4749975B2 (ja) 2005-08-29 2006-08-29 発光ダイオードのパッケージ構造

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20070045648A1 (ja)
JP (1) JP4749975B2 (ja)
TW (1) TWI285442B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080040876A (ko) * 2006-11-06 2008-05-09 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
DE102008049188A1 (de) * 2008-09-26 2010-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat und einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen und Verfahren zu dessen Herstellung
US9178107B2 (en) 2010-08-03 2015-11-03 Industrial Technology Research Institute Wafer-level light emitting diode structure, light emitting diode chip, and method for forming the same
WO2012016377A1 (en) 2010-08-03 2012-02-09 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode chip, light emitting diode package structure, and method for forming the same
TWI683455B (zh) * 2017-12-21 2020-01-21 億光電子工業股份有限公司 螢光材料、光電子裝置以及製造光電子裝置的方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07154536A (ja) * 1993-11-26 1995-06-16 Canon Inc カラー画像読み取り装置
JPH10136159A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Citizen Electron Co Ltd カラーイメージスキャナ用光源
JPH11149262A (ja) * 1997-11-17 1999-06-02 Copal Co Ltd 白色発光素子及び電光表示ユニット
JP2000348290A (ja) * 1999-06-03 2000-12-15 Matsushita Electronics Industry Corp 信号灯
JP2005142311A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Tzu-Chi Cheng 発光装置
KR100658700B1 (ko) * 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Rgb 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007067411A (ja) 2007-03-15
TW200709470A (en) 2007-03-01
TWI285442B (en) 2007-08-11
US20070045648A1 (en) 2007-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100586731B1 (ko) 발광 다이오드와 전류구동형 집적회로를 구비하며 패키지화된 발광 반도체소자
JP4767243B2 (ja) 白色光源、バックライトユニットおよびlcdディスプレイ
EP2672532B1 (en) Led module and illumination device
US20070001188A1 (en) Semiconductor device for emitting light and method for fabricating the same
US6577073B2 (en) Led lamp
US8503500B2 (en) Alternating current light emitting device
KR100746783B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8282238B2 (en) Light emitting apparatus including independently driven light emitting portions
US20080315217A1 (en) Semiconductor Light Source and Method of Producing Light of a Desired Color Point
US20060067073A1 (en) White led device
JP5152714B2 (ja) 発光装置および灯具
KR20050000456A (ko) 백색 발광소자 및 그 제조방법
JP2007066969A (ja) 白色発光ダイオード装置とその製造方法
US11315908B2 (en) LED package structure having improved brightness
US20130015461A1 (en) Light-emitting Device Capable of Producing White Light And Light Mixing Method For Producing White Light With Same
JP6230392B2 (ja) 発光装置
JP4749975B2 (ja) 発光ダイオードのパッケージ構造
KR100606550B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
US20070246726A1 (en) Package structure of light emitting device
JP2000349345A (ja) 半導体発光装置
US8476653B2 (en) Light-emitting diode package
CN100481449C (zh) 发光二极管封装结构
KR20100098463A (ko) 발광모듈
KR102530835B1 (ko) 발광 소자 패키지
US20130001636A1 (en) Light-emitting diode and method for forming the same

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100224

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100921

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110120

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110301

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110426

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110518

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees