JP4743193B2 - Plating method - Google Patents
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Description
本発明は、たとえばチップ部品の端子電極を形成するためのめっき方法に係り、さらに詳しくは、めっき不良などを生じることなく、一度に多量の被めっき物に対して均一なめっき膜を形成することができ、しかも生産効率に優れためっき方法に関する。 The present invention relates to a plating method for forming, for example, a terminal electrode of a chip component. More specifically, the present invention forms a uniform plating film on a large number of objects to be plated at a time without causing defective plating. In addition, the present invention relates to a plating method having excellent production efficiency.
従来のバレルめっき方法においては、被めっき物が小さくなればなるほど、めっきが不完全に施される被めっき物が増加する傾向にある。また、ドラムの内壁には、被めっき物を効果的に攪拌するための凹凸が設けられる場合があり、被めっき物が、この凹凸に入り込んでしまう場合もある。また、回転するドラムの内壁によって被めっき物が掻き上げられるため、被めっき物に必要以上の外力が加わる場合も想定される。 In the conventional barrel plating method, the smaller the object to be plated, the more objects to be plated that are plated incompletely. Further, the inner wall of the drum may be provided with unevenness for effectively stirring the object to be plated, and the object to be plated may enter the unevenness. In addition, since the object to be plated is scraped up by the inner wall of the rotating drum, it may be assumed that an excessive external force is applied to the object to be plated.
そこで、被めっき物に発生する不具合を効果的に低減できるめっき方法として、下記の特許文献1に示すめっき方法が提案されている。このめっき方法によれば、バレル内に配された被めっき物周辺に気泡が残留することはなくなり、それが原因となる不完全めっきなどの不具合を解消できる。 Then, the plating method shown in the following patent document 1 is proposed as a plating method which can reduce the malfunction which generate | occur | produces in a to-be-plated object effectively. According to this plating method, air bubbles do not remain around the object to be plated arranged in the barrel, and problems such as incomplete plating caused by it can be solved.
しかしながら、この方法では、シリンジをポッドに対して上方向に移動させる際に、ポッド内の被めっき物がめっき液中に舞い上がり、カソード電極との接触が無くなり、めっきができない。このため、めっき処理は、シリンジをポッドに対して下方向に移動させる時のみであり、めっき処理の時間短縮、すなわち効率向上が求められていた。
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、めっき不良などを生じることなく、一度に多量の被めっき物に対して均一なめっき膜を形成することができ、しかも生産効率に優れためっき方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such a situation, and an object thereof is to form a uniform plating film on a large amount of an object to be plated at a time without causing defective plating, and to improve production efficiency. It is to provide an excellent plating method.
上記目的を達成するために、本発明に係るめっき法は、
めっき槽の内部に貯留してあるめっき液に浸された被めっき物が収容されたポッドに対して移動自在に配置されたシリンジを前記ポッドに対して下降移動させ、前記シリンジの内部において、前記ポッドの内部で下方向に向かうめっき液の流れを作り、前記被めっき物へのめっき処理を行う第1めっき工程と、
前記シリンジを前記ポッドに対して上方向に移動させると共に、前記シリンジの内部に形成してあるめっき液供給通路からめっき液を供給して前記ポッドの内部で下方向に向かうめっき液の流れを作り、前記被めっき物へのめっき処理を行う第2めっき工程と、を有し、
前記第2めっき工程では、前記ポッドを振動させながら前記被めっき物のめっき処理を行う。
In order to achieve the above object, the plating method according to the present invention comprises:
A syringe that is movably arranged with respect to a pod containing an object to be plated immersed in a plating solution stored inside the plating tank is moved downward with respect to the pod, and inside the syringe, A first plating step for creating a flow of a plating solution in a downward direction inside the pod and performing a plating process on the object to be plated;
The syringe is moved upward with respect to the pod, and a plating solution is supplied from a plating solution supply passage formed inside the syringe to create a flow of the plating solution downward in the pod. And a second plating step for performing a plating process on the object to be plated,
In the second plating step, the object to be plated is plated while vibrating the pod.
本発明に係るめっき方法では、シリンジをポッドに対して上方向に移動させる際に、シリンジの内部に形成してあるめっき液供給通路からポッドに向けてめっき液を供給する。そのため、ポッドの内部で下方向に向かうめっき液の流れを作ることが可能になり、シリンジをポッドに対して上方向に移動させる際に発生する被めっき物の舞い上がりが抑制され、被めっき物に対する電極の導通が確保され、めっきが可能になる。 In the plating method according to the present invention, when the syringe is moved upward with respect to the pod, the plating solution is supplied from the plating solution supply passage formed in the syringe toward the pod. Therefore, it becomes possible to create a downward plating solution flow inside the pod, which suppresses the rising of the object to be plated that occurs when the syringe is moved upward with respect to the pod. Electrode conduction is ensured and plating becomes possible.
また第2めっき工程では、前記ポッドが振動させられているため、ポッド内部の被めっき物も適度に撹拌されながらめっき処理される。したがって、本発明の方法では、第1めっき工程のみでなく、第2めっき工程でもめっき処理が成され、めっき処理時間の短縮を図ることができると共に、所定時間では、めっき膜厚を厚く形成することが可能になり、生産効率が向上する。 In the second plating step, since the pod is vibrated, the object to be plated inside the pod is plated while being appropriately stirred. Therefore, in the method of the present invention, the plating process is performed not only in the first plating process but also in the second plating process, so that the plating process time can be shortened, and the plating film thickness is increased in a predetermined time. Production efficiency is improved.
しかも、第1めっき工程および第2めっき工程の双方において、ポッドの内部には、下向きのめっき液の流れが形成され、めっき処理に際しては、被めっき物の周囲には、常に新鮮なめっき液が供給される。そのため、めっき処理に必要なイオン濃度が被めっき物の周囲において低下することはない。その結果、めっき膜の品質が向上すると共に、めっきの効率も向上する。 Moreover, in both the first plating step and the second plating step, a downward plating solution flow is formed inside the pod, and a fresh plating solution is always present around the object to be plated during the plating process. Supplied. Therefore, the ion concentration required for the plating process does not decrease around the object to be plated. As a result, the quality of the plating film is improved and the plating efficiency is also improved.
特に、第1めっき工程では、シリンジをポッドに対して下降移動させる際に発生するめっき液の下向きの流れが強く、そのめっき液の流れによりポッド内の被めっき物が相互に押し付けられるので、被めっき物間の通電効率が向上する。その点でもめっき効率が向上する。 In particular, in the first plating step, the downward flow of the plating solution generated when the syringe is moved downward with respect to the pod is strong, and the objects to be plated in the pod are pressed against each other by the flow of the plating solution. The energization efficiency between the plated objects is improved. In this respect, the plating efficiency is improved.
以上の理由により、本発明の方法では、めっき不良などを生じることなく、一度に多量の被めっき物に対して均一なめっき膜を形成することができる。 For the above reasons, in the method of the present invention, a uniform plating film can be formed on a large amount of objects to be plated at a time without causing defective plating.
本発明のめっき方法は、前記第1めっき工程の前に、前記めっき液供給通路を閉塞して前記シリンジを前記ポッドに対して上方向に移動させ、前記ポッドの上部であって前記シリンジの内部に向けて、前記ポッドの内部に存在していた気泡を吸い上げる気泡除去工程をさらに有することが好ましい。 In the plating method of the present invention, before the first plating step, the plating solution supply passage is closed, and the syringe is moved upward with respect to the pod. It is preferable to further have a bubble removing step of sucking up the bubbles existing inside the pod.
ポッドの上下端には、内部に収容してある被めっき物がポッドから流出させないと共に、めっき液は流通させるためのメッシュが装着してあるが、このメッシュの編み目が細かくなったとしても、本発明の方法によれば、気泡を除去することができる。そのため気泡によるめっき物の浮きや、気泡付着部分がめっきされないことなどを効果的に防止することができる。 At the upper and lower ends of the pod, the object to be plated is not allowed to flow out of the pod, and a mesh is installed to circulate the plating solution. According to the method of the invention, bubbles can be removed. Therefore, it is possible to effectively prevent floating of the plated product due to air bubbles and the fact that the air bubble adhering portion is not plated.
なお、気泡除去工程は、第1めっき工程の前に必ず行われるのではなく、第1めっき工程および第2めっき工程が交互に複数回行われた後に、間欠的に行われることが好ましい。たとえば5〜10分に一回の割合で行われることが好ましい。 The bubble removing step is not necessarily performed before the first plating step, but is preferably performed intermittently after the first plating step and the second plating step are alternately performed a plurality of times. For example, it is preferably performed once every 5 to 10 minutes.
好ましくは、前記ポッドの内部に収容してある被めっき物に接触可能なように、カソード電極が配置してあり、前記めっき槽に収容してあるめっき液にはアノード電極が接触し、
前記第1めっき工程および第2めっき工程では、前記アノード電極と前記カソード電極との間に電圧を印加し、
前記気泡除去工程では、前記アノード電極と前記カソード電極との間に電圧を印加しない。この場合には、カソード電極にめっき膜が形成されることを防止して、被めっき物との好ましい接触状態を保つことができる。
Preferably, a cathode electrode is disposed so as to be in contact with an object to be plated accommodated in the pod, and the anode electrode is in contact with the plating solution accommodated in the plating tank,
In the first plating step and the second plating step, a voltage is applied between the anode electrode and the cathode electrode,
In the bubble removal step, no voltage is applied between the anode electrode and the cathode electrode. In this case, it is possible to prevent the plating film from being formed on the cathode electrode and maintain a preferable contact state with the object to be plated.
好ましくは、前記第1めっき工程では、前記めっき液供給通路を閉塞して前記シリンジを前記ポッドに対して下方向に移動させる。めっき液供給通路を閉塞してシリンジをポッドに対して下方向に移動させることで、ポッドに対するめっき液の下向きの流れが形成される。この場合には、シリンジ内のめっき液がシリンジと一緒に下降するので、ポッド内には断面において一様な分布の下向きの流れを形成でき、被めっき物が偏りなく分布して良好な導通を得ることができる。 Preferably, in the first plating step, the plating solution supply passage is closed and the syringe is moved downward with respect to the pod. By closing the plating solution supply passage and moving the syringe downward with respect to the pod, a downward flow of the plating solution with respect to the pod is formed. In this case, since the plating solution in the syringe descends together with the syringe, a downward flow with a uniform distribution in the cross section can be formed in the pod, and the object to be plated is distributed evenly and has good conduction. Obtainable.
なお、本発明において、上方向とは、鉛直方向の上方向に完全に一致する必要はなく、上方向のベクトルがあれば傾斜しても良い趣旨である。また、下方向とは、鉛直方向の下方向に完全に一致する必要はなく、下方向のベクトルがあれば傾斜しても良い趣旨である。 In the present invention, the upward direction does not need to completely coincide with the upward direction in the vertical direction, and may be inclined if there is a vector in the upward direction. Further, the downward direction does not need to completely coincide with the downward direction in the vertical direction, and is intended to be inclined if there is a downward vector.
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図1は本発明の一実施形態に係るめっき装置の全体概略図、
図2は図1に示すポッドの分解斜視図、
図3〜図8は図1に示すめっき装置の動きを示す概略図である。
めっき装置
Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings.
FIG. 1 is an overall schematic view of a plating apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view of the pod shown in FIG.
3 to 8 are schematic views showing the movement of the plating apparatus shown in FIG.
Plating equipment
図1に示すように、本発明の一実施形態に係るめっき装置2は、めっき槽4を有する。めっき槽4の内部には、仕切り壁4aが形成してあり、めっき槽4の内部を、めっき液6が貯留される槽本体4bと、槽本体4bから溢れためっき液6を外部に流出させるオーバーフロー流路4cとに区分けしてある。槽本体4bの底部には、めっき液共給口4dが形成してあり、そこから槽本体4bの内部にめっき液が供給されて槽本体4bの内部がめっき処理に必要なイオン濃度に保たれる。
As shown in FIG. 1, a
槽本体4bの内部には、シリンジ8の下端部が上下方向に移動自在に配置される。シリンジ8を上下方向に移動させるには、シリンジ保持部材10をアクチュエータなどで上下方向に駆動すればよい。シリンジ8の下端部内部には、収容空間8aが形成してある。その収容空間8aの下端は槽本体4bの内部に対して開口している。
Inside the
シリンジ8の上内部には、その長手方向に沿って供給通路8bが形成してある。供給通路8bは、収容空間8aに連絡してあるが、収容空間8aよりも流路断面積が小さい。収容空間8aと供給通路8bとの境界部には、テーパ部8cが形成してあり、流路断面を、収容空間8aから供給通路8bに向けて徐々に狭くしてある。めっき液のスムーズな流れを実現するためである。
A
供給通路8bには、供給パイプ8dが接続してあり、供給パイプ8dには、バルブ12およびポンプ14が装着してあり、図示省略してある供給タンクから供給通路8bへ向けてめっき液を供給可能になっている。バルブ12は、たとえば制御信号により制御されるコントロールバルブであり、供給通路8bと供給タンクとの連絡を確保および遮断可能になっている。
A
なお、ポンプ14の種類によっては、バルブを兼ねることも可能であり、バルブ12は必ずしも無くても良い。すなわち、ポンプ14を駆動するときには、供給通路8bへ向けて供給タンクからめっき液を供給し、ポンプ14の駆動を停止すれば、自動的に、供給通路8bと供給タンクとの連絡を遮断するようになっていても良い。
Note that, depending on the type of the
収容空間8aには、ポッド20が、収容空間8aの長手方向に沿って相対移動自在に配置してある。ポッド20は、図2に示すように、円筒状の本体22と、この本体22における軸方向の両端開口部に装着されるメッシュ23,24と、各メッシュ23,24を本体22に着脱自在に取り付ける取付リング25,26と、を有する。これらの本体20、メッシュ23,24および取付リング25,26は、少なくとも外表面が絶縁性部材で構成してあることが好ましい。
In the
本体22の下端開口部に取り付けられるメッシュ24の中央部には、カソード電極30が取り付けられ、その頭部30aは、メッシュ24に対して、本体22の内側に位置するようになっている。カソード電極30は、導電性部材で構成してあり、その頭部30aは、導電性部材の表面が露出している。メッシュ24の外側(本体22の外部)では、カソード電極30の外周を絶縁性の保持筒34が覆っている。
A
保持筒34は、取付リング26における内側開口部26aの円周方向略等間隔に配置してある複数の棒状連結部材(図示省略)により取付リング26に一体化してある。取付リング26における内側開口部26aには、メッシュ24が張り巡らされ、取付リング25における内側開口部25aには、メッシュ23が張り巡らされる。そのため、図1に示すように、ポッド20の内部は、その上下に取り付けられたメッシュ23および24を通して、めっき液6の流通が可能になっている。
The holding
メッシュ23,24の目の粗さは、ポッド20の内部に取り出し自在に収容されるワーク50をポッド20の外部に漏出させず、しかもめっき液の流通がスムーズに行えるように決定される。なお、ポッド20の内部には、被めっき物としてのワーク50と共に、ワーク50とカソード電極30との電気的導通を確保するための多数の導電性メディアを収容しても良い。
The roughness of the
ポッド20における取付リング25および26の外周は、シリンジ8に形成してある収容空間8aの内壁に対して摺動可能になっており、シリンジ8が、ポッド20に対して上下方向に相対移動することが容易になっている。従って、取付リング25および26の外周と収容空間8aの内壁との間が離れていても構わない。
The outer circumferences of the mounting rings 25 and 26 in the
図1に示すように、棒状のカソード電極30および保持筒34は、シャフト32の上端に着脱自在に固定される。シャフト32には、昇降手段36と、シャフト32を通してポッド20の内部を振動させるための加振手段38が連結してある。
As shown in FIG. 1, the rod-shaped
昇降手段36としては、特に限定されないが、たとえばモータアクチュエータ、流体駆動アクチュエータなどが例示される。加振手段38としては、特に限定されないが、超音波振動印加装置、圧電素子、カム機構付モータアクチュエータなどが例示される。 The elevating means 36 is not particularly limited, and examples thereof include a motor actuator and a fluid drive actuator. The vibration means 38 is not particularly limited, and examples thereof include an ultrasonic vibration application device, a piezoelectric element, and a motor actuator with a cam mechanism.
昇降手段36を駆動することで、シャフト32は、たとえば図3に示すように、ポッド20と共に上下方向に移動可能になっている。なお、図3に示すポッド20の上方位置は、ポッド20の内部へワーク50を収容する位置、あるいは、ポッド20の内部からワーク50を取り出す位置である。
By driving the elevating
図1に示すように、槽本体4bの内底部には、円盤状のアノード電極40が配置してあり、アノード電極40に形成してある中央開口部40aを貫通して、シャフト32が上下方向に延びている。アノード電極40は、アノード支持部42で槽本体4bの内底部に保持され、導線42aを通して電力供給が可能になっている。
めっき方法
As shown in FIG. 1, a disc-shaped
Plating method
次に、図1に示すめっき装置2を用いる本実施形態のめっき方法について説明する。まず、図1に示す昇降手段36が駆動されて、図3に示すように、シャフト32がポッド20と共に上方に移動させ、ポッド20を、槽本体4bのめっき液6の液面よりも高くする。
Next, the plating method of this embodiment using the
シリンジ8は、シリンジ保持部材10により、ポッド20よりもさらに上方に持ち上げられており、ポッド20は、シリンジ8の収容空間8aの下端開口からさらに下方に位置する。その位置で、ポッド20の内部に、ワーク50をメディアと共に収容する。ポッド20の内部に、ワーク50をメディアと共に収容するには、たとえば取付リング25およびメッシュ23を、本体22から取り外せばよい。
The
その後に、取付リング25およびメッシュ23を、本体22に取り付ければ、ポッド20の内部は、ワーク50を収容した状態で、メッシュ23,24を介してポッドの外部と連通する。その後に、図4に示すように、ポッド20がシリンジ8の収容空間8aの内部に収容された状態で、シリンジ8の下端部を、ポッド20と共に下方に移動させ、めっき槽4のめっき液6の内部に完全に浸す。
After that, if the
めっき液6は、シリンジ8の収容空間8aにも入り込む。なお、シリンジ8の下降移動に際しては、バルブ12を開けておくことが好ましい。また、シリンジ8の下降移動に際しては、バルブ12を開け、しかもポンプ14により供給通路8bを通してめっき液6を収容空間8aに向けて流し込みながら下降移動を行っても良い。
The
その後に、図4に示すバルブ12を閉じて供給通路8bを閉塞し、その状態で、図5に示すように、シリンジ8をポッド20に対して上方向に移動させ、ポッド20の内部に存在していた気泡6aを、シリンジ8の収容空間8aの上部に向けて吸い上げる。
Thereafter, the
ポッド20の上下端には、メッシュ23,24が装着してあるが、このメッシュ23,24の編み目が細かい場合に、ポッド20の内部に気泡が残りやすい。この方法によれば、ポッド20の内部に存在していた気泡6aを、シリンジ8の収容空間8aの上部に向けて吸い上げることが容易である。その際に、シリンジ8の上方移動による吸い上げ圧力のために、ワーク50は、ポッド20の内部で舞い上がり撹拌される。その時には、めっき液6中に浸されたアノード電極40とカソード電極10との間には、電力は供給せずに、めっき処理は行わない。そのため、カソード電極にめっき膜が形成されることを防止して、被めっき物との好ましい接触状態を保つことができる。
次に、図1に示すバルブ12を閉じて、図5に示す状態から図6に示すように、ポッド20に対してシリンジ8を下降移動させ、シリンジ8の収容空間8aにおいて、ポッド20の内部で下方向に向かうめっき液の流れを作る。その時には、めっき液6中に浸されたアノード電極40とカソード電極10との間に、電圧を印加して第1めっき処理を行う。
Next, the
図6に示すように、ポッド20に対してシリンジ8が最下限位置まで下降移動した後、次に、図1に示すバルブ12を開けてポンプ14を起動し、タンクからめっき液を供給通路8bを通して収容空間8aに流し込む。その状態で、図6に示す位置から図7に示すように、シリンジ8をポッド20に対して上方向に移動させる。また、その際には、カソード電極30とアノード電極40との間に電圧を印加する。
As shown in FIG. 6, after the
すなわち、シリンジ8の内部に形成してある供給通路8aからめっき液を供給してポッド20の内部で下方向に向かうめっき液6の流れを作りつつ、ワーク50への第2めっき処理を行う。また、同時に、この第2めっき工程では、図1に示す加振手段38を用いて、ポッド20を振動させながらワーク50のめっき処理を行う。
That is, the second plating process is performed on the
図7に示すように、シリンジ8をポッド20に対して、めっき途中の上限位置まで移動させた場合には、次に、図1に示すバルブ12を閉じて、図7から図8および図6に示すように、前述した第1めっき処理を行い、その後に、上述した第2めっき処理を行う。これらの第1めっき処理と第2めっき処理を所定時間交互に繰り返した後毎に所定のタイミングで、図5に示す気泡除去処理を行っても良い。
As shown in FIG. 7, when the
本実施形態に係る第2めっき工程では、シリンジ8をポッド20に対して上方向に移動させる際に、シリンジ8の内部に形成してある供給通路8bからポッド20に向けてめっき液を供給する。そのため、ポッド20の内部で下方向に向かうめっき液の流れを作ることが可能になり、シリンジ8をポッド20に対して上方向に移動させる際に発生するワーク50の舞い上がり(図5参照)が抑制され、ワーク50に対するカソード電極30との電気的導通が確保され、めっきが可能になる。
In the second plating step according to this embodiment, when the
また第2めっき工程では、ポッド20が振動させられているため、ポッド20内部のワーク50も適度に撹拌されながらめっき処理される。したがって、本実施形態の方法では、第1めっき工程のみでなく、第2めっき工程でもめっき処理が成され、めっき処理時間の短縮を図ることができると共に、所定時間では、めっき膜厚を厚く形成することが可能になり、生産効率が向上する。
In the second plating step, since the
しかも、第2めっき工程では、ワーク50が撹拌されながらめっき処理される。また、第1めっき工程および第2めっき工程の双方において、ポッド20の内部には、下向きのめっき液の流れが形成され、めっき処理に際しては、ワーク50の周囲には、常に新鮮なめっき液が供給される。そのため、めっき処理に必要なイオン濃度がワーク50の周囲において低下することはない。その結果、めっき膜の品質が向上すると共に、めっきの効率も向上する。
Moreover, in the second plating step, the
特に、第1めっき工程では、シリンジ8をポッド20に対して下降移動させる際に発生するめっき液の下向きの流れが強く、そのめっき液の流れによりポッド20内のワーク50が相互に押し付けられるので、ワーク50間の通電効率が向上する。その点でもめっき効率が向上する。
In particular, in the first plating step, the downward flow of the plating solution generated when the
以上の理由により、本実施形態の方法では、めっき不良などを生じることなく、一度に多量のワーク50に対して均一なめっき膜を形成することができる。
For the above reasons, in the method of this embodiment, a uniform plating film can be formed on a large amount of
また、本実施形態のめっき方法では、第1めっき工程の前に、気泡除去工程を行うため、気泡によるめっき物の浮きや、気泡付着部分がめっきされないことなどを効果的に防止することができる。 Moreover, in the plating method of this embodiment, since a bubble removal process is performed before a 1st plating process, it can prevent effectively that the plating thing floats by a bubble, a bubble adhesion part is not plated, etc. .
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。たとえば、本発明の方法を実現するためのめっき装置は、図1〜図8に示す装置には限定されない。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified within the scope of the present invention. For example, the plating apparatus for realizing the method of the present invention is not limited to the apparatuses shown in FIGS.
2… めっき装置
4… めっき槽
6… めっき液
8… シリンジ
8a… 収容空間
8b… 供給通路
12… バルブ
14… ポンプ
20… ポッド
30… カソード電極
40… アノード電極
50… ワーク(被めっき物)
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記シリンジを前記ポッドに対して上方向に移動させると共に、前記シリンジの内部に形成してあるめっき液供給通路からめっき液を供給して前記ポッドの内部で下方向に向かうめっき液の流れを作り、前記被めっき物へのめっき処理を行う第2めっき工程と、を有し、
前記第2めっき工程では、前記ポッドを振動させながら前記被めっき物のめっき処理を行うめっき方法。 A syringe that is movably arranged with respect to a pod containing an object to be plated immersed in a plating solution stored inside the plating tank is moved downward with respect to the pod, and inside the syringe, A first plating step for creating a flow of a plating solution in a downward direction inside the pod and performing a plating process on the object to be plated;
The syringe is moved upward with respect to the pod, and a plating solution is supplied from a plating solution supply passage formed inside the syringe to create a flow of the plating solution downward in the pod. And a second plating step for performing a plating process on the object to be plated,
In the second plating step, a plating method for plating the object to be plated while vibrating the pod.
前記第1めっき工程および第2めっき工程では、前記アノード電極と前記カソード電極との間に電圧を印加し、
前記気泡除去工程では、前記アノード電極と前記カソード電極との間に電圧を印加しない請求項2に記載のめっき方法。 A cathode electrode is arranged so that the object to be plated accommodated in the pod can be contacted, and the anode electrode is in contact with the plating solution accommodated in the plating tank,
In the first plating step and the second plating step, a voltage is applied between the anode electrode and the cathode electrode,
The plating method according to claim 2, wherein no voltage is applied between the anode electrode and the cathode electrode in the bubble removing step.
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