JP4735324B2 - Chip type thermistor - Google Patents

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Description

本発明は、チップ型サーミスタに関し、より詳細には、サーミスタ素体の外表面に、異なる電位に接続される第1,第2の電極が形成されているチップ型サーミスタに関する。   The present invention relates to a chip thermistor, and more particularly to a chip thermistor in which first and second electrodes connected to different potentials are formed on the outer surface of a thermistor body.

電子機器の小型化に伴って、使用されるサーミスタにおいても、小型化が要求されている。また、電子機器の小型化及び高密度化を図るために、回路基板に表面実装され得るチップ型のサーミスタが広く用いられている。   Along with the downsizing of electronic equipment, thermistors used are also required to be downsized. In order to reduce the size and density of electronic devices, chip-type thermistors that can be surface-mounted on circuit boards are widely used.

ところで、チップ型の正特性サーミスタでは、電圧低下に伴う電力損失を低減するために、抵抗値がより低いことが求められている。   By the way, a chip type positive temperature coefficient thermistor is required to have a lower resistance value in order to reduce power loss caused by a voltage drop.

従来、直方体状のサーミスタ素体を用いたチップ型サーミスタでは、低抵抗化を図る場合、異なる電位に接続される電極間の距離を短くする方法が採用されていた。すなわち、サーミスタ素体の外表面に第1の電極及び第2の電極を形成するに際し、第1の電極と第2の電極との間の距離を小さくすることにより、低抵抗化が図られていた。   Conventionally, in a chip type thermistor using a rectangular parallelepiped thermistor body, a method of shortening the distance between electrodes connected to different potentials has been adopted in order to reduce resistance. That is, when forming the first electrode and the second electrode on the outer surface of the thermistor body, the resistance is reduced by reducing the distance between the first electrode and the second electrode. It was.

下記の特許文献1には、図6に示すチップ型サーミスタが開示されている。チップ型サーミスタ101では、直方体状のサーミスタ素体102の外表面に第1,第2の電極103,104が形成されている。ここでは、サーミスタ素体102は、直方体状の形状を有する。すなわち、上面102aと、下面102bと、第1,第2の端面102c,102dと、第1,第2の側面102e,102fとを有する。第1,第2の端面102c,102dを結ぶ方向が長さ方向とされている。   Patent Document 1 below discloses a chip thermistor shown in FIG. In the chip-type thermistor 101, first and second electrodes 103 and 104 are formed on the outer surface of a rectangular parallelepiped thermistor body 102. Here, the thermistor body 102 has a rectangular parallelepiped shape. That is, it has an upper surface 102a, a lower surface 102b, first and second end surfaces 102c and 102d, and first and second side surfaces 102e and 102f. The direction connecting the first and second end faces 102c and 102d is the length direction.

第1の電極103は、側面102eを覆う側面上電極部分103aと、上面102a、下面102b、端面102c,102d上に至る電極周縁部103bとを有する。同様に、第2の電極104もまた、側面上電極部分104aと、上面102a、下面102b、端面102c,102dに至っている電極周縁部104bとを有する。上記電極周縁部103b,104bは、いずれも、上面102aから端面102c,102dを経て下面102bに至るように、サーミスタ素体102の外周を巻回するように形成されている。そして、電極周縁部103bと電極周縁部104bとが、ギャップgを隔てて配置されている。このギャップgの幅を小さくすることにより、低抵抗化を図ることができる。   The first electrode 103 includes an upper side electrode portion 103a that covers the side surface 102e, and an electrode peripheral portion 103b that reaches the upper surface 102a, the lower surface 102b, and the end surfaces 102c and 102d. Similarly, the second electrode 104 also has a side surface upper electrode portion 104a and an electrode peripheral edge portion 104b reaching the upper surface 102a, the lower surface 102b, and the end surfaces 102c and 102d. Each of the electrode peripheral portions 103b and 104b is formed so as to wrap around the outer periphery of the thermistor body 102 so as to reach the lower surface 102b from the upper surface 102a through the end surfaces 102c and 102d. The electrode peripheral portion 103b and the electrode peripheral portion 104b are arranged with a gap g therebetween. The resistance can be reduced by reducing the width of the gap g.

チップ型サーミスタ101では、サーミスタ素体102の寸法を変えずとも、上記電極周縁部103bと電極周縁部104bとのギャップgの幅を小さくすることにより、低抵抗化を図ることができるとされている。
特開2003−297603号公報
In the chip-type thermistor 101, the resistance can be reduced by reducing the width of the gap g between the electrode peripheral portion 103b and the electrode peripheral portion 104b without changing the dimensions of the thermistor body 102. Yes.
JP 2003-297603 A

特許文献1に記載のチップ型サーミスタ101のように、サーミスタ素体の外表面において、第1,第2の電極103,104をギャップgを隔てて形成した構造では、前述したように、ギャップgの幅を小さくすることにより、すなわち電極周縁部103b,104b間の距離を小さくすることにより低抵抗化が図られる。例えば、0.8×0.8×1.6mmの外形寸法を有するサーミスタ素体102を用いた場合、サーミスタ素体の比抵抗が2.5Ω・cmの場合、上記電極間距離を0.1mmとした場合、抵抗値は5.8Ωとなり、電極間距離を0.2mmとした場合には7.9Ωとなる。しかしながら、このように電極間距離を短くすると、実装時のはんだによりブリッジが形成され、第1,第2の電極103,104間が短絡するおそれがあった。また、電極間マイグレーションが発生したり、耐電圧が低下したりする。   As in the chip-type thermistor 101 described in Patent Document 1, in the structure in which the first and second electrodes 103 and 104 are formed on the outer surface of the thermistor body with the gap g therebetween, as described above, the gap g The resistance can be reduced by reducing the width of the electrode, that is, by reducing the distance between the electrode peripheral portions 103b and 104b. For example, when the thermistor body 102 having an outer dimension of 0.8 × 0.8 × 1.6 mm is used, when the specific resistance of the thermistor body is 2.5 Ω · cm, the distance between the electrodes is 0.1 mm. In this case, the resistance value becomes 5.8Ω, and when the distance between the electrodes is 0.2 mm, it becomes 7.9Ω. However, when the distance between the electrodes is shortened in this way, a bridge is formed by the solder at the time of mounting, and the first and second electrodes 103 and 104 may be short-circuited. In addition, migration between electrodes occurs or the withstand voltage decreases.

すなわち、小型であり、より低抵抗を有し、しかも所望でない短絡や電極間マイグレーションが生じ難いサーミスタを提供することは困難であった。特に、上記ギャップgの大きさ、すなわち上記電極間距離を0.1〜0.2mmとした場合には、電極形成精度を高めなければならない。さもないと、上記はんだブリッジによる短絡や電極間マイグレーションが生じるおそれがある。また、耐電圧性も低下する。のみならず、形成精度が低いと、電極間距離にばらつきが生じ、耐電圧特性や抵抗値がばらつくという問題もあった。   That is, it is difficult to provide a thermistor that is small in size, has a lower resistance, and is less likely to cause an undesired short circuit or migration between electrodes. In particular, when the size of the gap g, that is, the distance between the electrodes is set to 0.1 to 0.2 mm, the electrode formation accuracy must be increased. Otherwise, there is a possibility that a short circuit or migration between electrodes may occur due to the solder bridge. In addition, the withstand voltage also decreases. In addition, when the formation accuracy is low, there is a problem that the distance between the electrodes varies and the withstand voltage characteristics and the resistance value vary.

本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、より一層低抵抗化を図ることができ、しかも、低抵抗化を図ったとしても、所望でない第1,第2の電極間の短絡や電極間マイグレーションが生じ難く、耐電圧性の低下が生じ難い、チップ型サーミスタを提供することにある。   The object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art, further reduce the resistance, and even if the resistance is reduced, an undesired short circuit between the first and second electrodes. Another object of the present invention is to provide a chip thermistor in which migration between electrodes is difficult to occur and voltage resistance is not easily lowered.

本発明によれば、上面と、底面と、一対の端面と、一対の側面とを有し、一対の端面を結ぶ方向が長さ方向である直方体状のサーミスタ素体と、前記サーミスタ素体の外表面に形成された第1,第2の電極とを備え、前記第1の電極が、前記サーミスタ素体の底面の一部に位置している第1の底面上電極部分を少なくとも有し、前記第2の電極が前記サーミスタ素体の底面において第1の電極を挟んでサーミスタ素体の幅方向に延びる第1,第2のギャップ部と、前記サーミスタ素体の長さ方向に延びる第3,第4のギャップ部と、前記サーミスタ素体の底面において前記第1の電極とギャップを隔てて配置されている第2の底面上電極部分とを少なくとも有し、前記サーミスタ素体の底面から側面または端面に渡っているギャップを隔てて分離されて形成されており、前記第1の底面上電極部分と、前記第2の底面上電極部分が、実装表面として機能する、チップ型サーミスタが提供される。 According to the present invention, a thermistor element having a rectangular parallelepiped shape having a top surface, a bottom surface, a pair of end surfaces, and a pair of side surfaces, and a direction connecting the pair of end surfaces is a length direction, First and second electrodes formed on the outer surface, wherein the first electrode has at least a first bottom surface electrode portion located at a part of the bottom surface of the thermistor body, The second electrode has first and second gap portions extending in the width direction of the thermistor element body across the first electrode on the bottom surface of the thermistor element body, and a third extending in the length direction of the thermistor element body. , A fourth gap portion , and at least a second bottom surface upper electrode portion that is disposed on the bottom surface of the thermistor body with a gap from the first electrode, and the side surface from the bottom surface of the thermistor body. Or with a gap across the edge Isolated are formed by a first bottom surface on the electrode portion of the second bottom surface on the electrode portion of the functions as mounting surface, the chip-type thermistor is provided.

本発明に係るチップ型サーミスタのある特定の局面では、前記第1の電極が、前記第1の電極の底面上電極部分に連なっており、かつ前記サーミスタ素体の一対の側面に至る側面上電極部分がさらに備えられている。この場合には、第1の電極がサーミスタ素体の一対の側面に至る側面上電極部分を有し、該側面上電極部分もまた、ギャップを隔てて第2の電極と対向されることになり、より一層低抵抗のチップ型サーミスタを容易に提供することが可能となる。 In a specific aspect of the chip-type thermistor according to the present invention, the first electrode is connected to the upper electrode portion of the bottom surface of the first electrode , and the side surface electrode reaches a pair of side surfaces of the thermistor body. A part is further provided. In this case, the first electrode has a side electrode portion that reaches the pair of side surfaces of the thermistor body, and the side electrode portion is also opposed to the second electrode with a gap therebetween. Thus, it is possible to easily provide a chip-type thermistor with even lower resistance.

本発明に係るチップ型サーミスタのさらに別の特定の局面によれば、前記サーミスタ素体の一対の端面を結ぶ方向に貫通孔が形成されており、前記第2の電極が、前記サーミスタ素体の各端面において前記貫通孔の端部が位置している部分に設けられた端面上電極部分を有する。この場合には、上記貫通孔が設けられていることにより、第1,第2の電極間で取り出される抵抗値がより一層低められる。   According to still another specific aspect of the chip thermistor according to the present invention, a through hole is formed in a direction connecting a pair of end faces of the thermistor body, and the second electrode is formed of the thermistor body. Each end surface has an electrode portion on the end surface provided at a portion where the end portion of the through hole is located. In this case, the resistance value taken out between the first and second electrodes can be further reduced by providing the through hole.

本発明に係るチップ型サーミスタでは、直方体状のサーミスタ素体の外表面に第1,第2の電極が形成されているが、第1,第2の電極が、サーミスタ素体の底面の一部に位置している第1,第2の底面上電極部分を少なくとも有し、第2の電極が、前記サーミスタ素体の底面において第1の電極を挟んでサーミスタ素体の幅方向に延びる第1,第2のギャップ部と、前記サーミスタ素体の長さ方向に延びる第3,第4のギャップ部とを少なくとも有するギャップを隔てて配置されているので、後述の実施形態の説明から明らかなように、同じ大きさの直方体状のサーミスタ素体を用いた場合、従来のチップ型サーミスタに比べて低抵抗化を図ることができる。また、前記第2の電極が、前記サーミスタ素体の底面において、前記第1の電極とギャップを隔てて配置されている底面上電極部分を有するので、第2の電極も底面上電極部分を有するため、底面側からチップ型サーミスタをはんだ等を用いて回路基板などに容易に表面実装することができる。 In the chip-type thermistor according to the present invention, the first and second electrodes are formed on the outer surface of the rectangular parallelepiped thermistor body. The first and second electrodes are part of the bottom surface of the thermistor body. At least first and second bottom-surface upper electrode portions positioned at the first, and the second electrode extends in the width direction of the thermistor element body across the first electrode at the bottom surface of the thermistor element body. , And a gap having at least a third gap portion and a fourth gap portion extending in the length direction of the thermistor element body. In addition, when a rectangular parallelepiped thermistor body having the same size is used, the resistance can be reduced as compared with the conventional chip type thermistor. In addition, since the second electrode has a bottom upper electrode portion disposed on the bottom surface of the thermistor body with a gap from the first electrode, the second electrode also has a bottom upper electrode portion. Therefore, the chip thermistor can be easily surface-mounted on the circuit board or the like from the bottom side using solder or the like.

すなわち、サーミスタ素体の大きさ及び第1,第2の電極間のギャップの大きさを一定とした場合、従来のチップ型サーミスタに比べてより一層低抵抗化を図ることができる。そのため、ギャップの大きさをさほど小さくせずともよいため、実装時のはんだブリッジによる短絡のおそれが少なく、電極間マイグレーションが生じ難く、かつ耐電圧性の低下が生じ難い、信頼性に優れたチップ型サーミスタを提供することが可能となる。   That is, when the size of the thermistor body and the size of the gap between the first and second electrodes are constant, the resistance can be further reduced as compared with the conventional chip type thermistor. Therefore, it is not necessary to reduce the size of the gap so much, there is little risk of short circuit due to solder bridge during mounting, migration between electrodes is difficult to occur, and withstand voltage is unlikely to deteriorate, and a chip with excellent reliability A type thermistor can be provided.

以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。   Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.

図1(a)及び(b)は、本発明の第1の実施形態に係るチップ型サーミスタの底面側から見た斜視図及び横断面図である。   1A and 1B are a perspective view and a cross-sectional view, respectively, seen from the bottom side of a chip-type thermistor according to the first embodiment of the present invention.

チップ型サーミスタ1は、直方体状のサーミスタ素体2を有する。サーミスタ素体2は、正の抵抗温度特性を有するセラミックスからなる。従って、チップ型サーミスタ1は、正特性サーミスタである。   The chip-type thermistor 1 has a rectangular parallelepiped thermistor body 2. The thermistor body 2 is made of ceramics having a positive resistance temperature characteristic. Therefore, the chip type thermistor 1 is a positive characteristic thermistor.

サーミスタ素体2は、上面2a、底面2bと、第1,第2の端面2c,2dと、第1,第2の側面2e,2fとを有する。第1の端面2cと、第2の端面2dとを結ぶ方向が長さ方向である。   The thermistor body 2 has an upper surface 2a, a bottom surface 2b, first and second end surfaces 2c and 2d, and first and second side surfaces 2e and 2f. The direction connecting the first end surface 2c and the second end surface 2d is the length direction.

なお、図1(a)では、第1,第2の端面2c,2dは、第2の電極4で被覆されているため露出していないが、破線の引き出し線を用いて、第1,第2の端面2c,2dの位置を示すこととする。   In FIG. 1A, the first and second end faces 2c and 2d are not exposed because they are covered with the second electrode 4, but the first and first end lines are drawn using broken lead lines. 2 indicates the positions of the end faces 2c and 2d.

同様に、サーミスタ素体2の底面2bの位置についても、図1(a)では、破線の引き出し線を用いてその位置を示すこととする。   Similarly, with respect to the position of the bottom surface 2b of the thermistor element body 2, in FIG. 1A, the position is indicated using a broken lead line.

本実施形態のチップ型サーミスタ1では、サーミスタ素体2の外表面に第1の電極3と第2の電極4とが形成されている。第1の電極3と、第2の電極4とは、ギャップGを隔てて対向されている。   In the chip-type thermistor 1 of the present embodiment, the first electrode 3 and the second electrode 4 are formed on the outer surface of the thermistor body 2. The first electrode 3 and the second electrode 4 are opposed to each other with a gap G therebetween.

第1の電極3は、サーミスタ素体2の底面上に位置している底面上電極部分3aと、一対の側面2e,2f上に至っている側面上電極部分3b,3cとを有する。側面上電極部分3b,3cは、底面2bと側面2e,2fとのなす端縁から側面2e,2fと上面2aとのなす端縁側に向かって延ばされているが、上面2aには至っていない。   The first electrode 3 includes a bottom surface upper electrode portion 3a located on the bottom surface of the thermistor body 2, and side surface upper electrode portions 3b and 3c reaching the pair of side surfaces 2e and 2f. The side surface upper electrode portions 3b and 3c extend from the edge formed by the bottom surface 2b and the side surfaces 2e and 2f toward the edge side formed by the side surfaces 2e and 2f and the top surface 2a, but do not reach the top surface 2a. .

すなわち、例えば側面上電極部分3bの上面2a側に位置する端縁3dは、上面2aには至っていない。   That is, for example, the edge 3d located on the upper surface 2a side of the side surface electrode portion 3b does not reach the upper surface 2a.

他方、ギャップGは、上記第1の電極3の周囲を所定の幅で周回するように形成されている。そして、第1の電極3に対して上記ギャップGを隔てて、第2の電極4が形成されている。第2の電極4は、上記ギャップGを隔てて、サーミスタ素体2の残りの外表面部分を被覆するように形成されている。すなわち、第2の電極4は、ギャップGを隔てて底面2b上において第1の電極3に対向されている底面上電極部分4a,4bを有する。底面上電極部分4a,4bに連なるように、側面上電極部分4c,4dが形成されている。また、図1では図示されていないが、第2の電極4は上面2の全面及び端面2c,2dの全面を被覆するように設けられている。   On the other hand, the gap G is formed to circulate around the first electrode 3 with a predetermined width. A second electrode 4 is formed with the gap G being separated from the first electrode 3. The second electrode 4 is formed so as to cover the remaining outer surface portion of the thermistor body 2 with the gap G therebetween. That is, the second electrode 4 has the bottom surface upper electrode portions 4a and 4b facing the first electrode 3 on the bottom surface 2b with the gap G therebetween. Side surface upper electrode portions 4c and 4d are formed so as to be continuous with bottom surface upper electrode portions 4a and 4b. Although not shown in FIG. 1, the second electrode 4 is provided so as to cover the entire upper surface 2 and the entire end surfaces 2c and 2d.

上記ギャップGは、サーミスタ素体2の底面2b上において、第1の電極3の両側においてサーミスタ素体の幅方向に延びる第1,第2のギャップ部G1,G2を有する。ギャップ部G1,G2は、底面2bだけでなく、本実施形態では、第1の電極3が側面上電極部分3cを有するため、一対の側面にも至っている。   The gap G has first and second gap portions G 1 and G 2 extending in the width direction of the thermistor element body on both sides of the first electrode 3 on the bottom surface 2 b of the thermistor element body 2. The gap portions G1 and G2 reach not only the bottom surface 2b but also the pair of side surfaces because the first electrode 3 has the side surface electrode portions 3c in this embodiment.

そして、サーミスタ素体2の長さ方向に延びる第3,第4のギャップ部G3,G4により、第1,第2のギャップ部G1,G2が接続され、環状のギャップGが形成されている。本実施形態では、第1の電極3が、一対の側面上電極部分を有するため、第3,第4のギャップ部G3,G4は、図1(a)及び(b)に示されているように、サーミスタ素体2の一対の側面に配置されている。   And the 1st, 2nd gap parts G1, G2 are connected by the 3rd, 4th gap parts G3, G4 extended in the length direction of the thermistor body 2, and the cyclic | annular gap G is formed. In the present embodiment, since the first electrode 3 has a pair of side surface electrode portions, the third and fourth gap portions G3 and G4 are as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b). The thermistor body 2 is disposed on a pair of side surfaces.

上記第1,第2の電極3,4は、適宜の電極材料により形成される。本実施形態では、スパッタリングにより下地層にCr、中間層にNi−Cuからなる金属膜が形成され、該金属膜上に、Snめっき層を形成することにより、第1,第2の電極3,4が形成されている。より具体的には、サーミスタ素体2の外表面の全面にスパッタリングにより下地層にCr膜、中間層にNi−Cu膜を成膜し、しかる後、Snめっき膜を湿式めっきにより形成する。次に、上記ギャップGが形成されている部分の電極膜を除去することにより、第1,第2の電極3,4が形成される。   The first and second electrodes 3 and 4 are formed of an appropriate electrode material. In the present embodiment, a metal film made of Cr as a base layer and Ni—Cu as an intermediate layer is formed by sputtering, and an Sn plating layer is formed on the metal film, whereby the first and second electrodes 3, 3 are formed. 4 is formed. More specifically, a Cr film is formed on the underlayer and a Ni—Cu film is formed on the intermediate layer by sputtering on the entire outer surface of the thermistor body 2, and then an Sn plating film is formed by wet plating. Next, by removing the part of the electrode film where the gap G is formed, the first and second electrodes 3 and 4 are formed.

なお、第1,第2の電極3,4の形成方法は上記方法に特に限定されず、スパッタリングやめっき膜の形成以外の薄膜形成法を用いてもよい。また、厚膜形成法により電極を形成してもよい。   In addition, the formation method of the 1st, 2nd electrodes 3 and 4 is not specifically limited to the said method, You may use thin film formation methods other than formation of sputtering or a plating film. Further, the electrode may be formed by a thick film forming method.

さらに、ギャップGの形成を最後に行わずに、ギャップGが形成されるように第1,第2の電極3,4をそれぞれ形成してもよい。   Furthermore, the first and second electrodes 3 and 4 may be formed so that the gap G is formed without forming the gap G last.

本実施形態のチップ型サーミスタ1では、図6に示した従来のチップ型サーミスタ101に比べ、同じ寸法のサーミスタ素体を用いた場合、低抵抗化を図ることができる。これを具体的な実験例に基づき説明する。   In the chip type thermistor 1 according to the present embodiment, when a thermistor body having the same dimensions is used as compared with the conventional chip type thermistor 101 shown in FIG. This will be described based on a specific experimental example.

いま、サーミスタ素体2,102として、長さ方向寸法が2.0mm、幅方向寸法が1.2mm及び高さが1.2mmの比抵抗2.5Ω・cmのセラミックスからなるサーミスタ素体を用意した。そして、チップ型サーミスタ101では、第1,第2の103,104間のギャップgの寸法を0.2mmとなるように、第1,第2の電極103,104を形成した。   Now, as the thermistor body 2,102, a thermistor body made of ceramics with a specific resistance of 2.5 Ω · cm having a length direction dimension of 2.0 mm, a width direction dimension of 1.2 mm and a height of 1.2 mm is prepared. did. In the chip-type thermistor 101, the first and second electrodes 103 and 104 are formed so that the gap g between the first and second 103 and 104 is 0.2 mm.

他方、本実施形態のチップ型サーミスタ1では、同じ寸法のサーミスタ素体2の外表面において、上記ギャップGの幅方向寸法は同じく0.2mmとなるように、第1,第2の電極3,4を形成した。より具体的には、図1(a)における寸法A1,A2は0.3mm、Bは1.0mm、Cは0.8mm、ギャップGの幅方向寸法は0.2mmとした。   On the other hand, in the chip-type thermistor 1 of the present embodiment, on the outer surface of the thermistor element body 2 having the same dimensions, the first and second electrodes 3 and 3 are arranged so that the width direction dimension of the gap G is also 0.2 mm. 4 was formed. More specifically, the dimensions A1 and A2 in FIG. 1A are 0.3 mm, B is 1.0 mm, C is 0.8 mm, and the width direction dimension of the gap G is 0.2 mm.

上記のようにして作製した従来のチップ型サーミスタ101の抵抗値を測定したところ、5.47Ωであった。これに対して、本実施形態のチップ型サーミスタ1では、抵抗値は4.39Ωとなった。すなわち、本実施形態によれば、従来のチップ型サーミスタ101と同じ寸法のサーミスタ素体を用い、ギャップの幅
、すなわち異なる電位に接続される第1,第2の電極間の距離を等しくした場合であっても、より一層低抵抗化を図り得ることがわかる。
The resistance value of the conventional chip type thermistor 101 produced as described above was measured and found to be 5.47Ω. On the other hand, in the chip type thermistor 1 of the present embodiment, the resistance value is 4.39Ω. That is, according to the present embodiment, the thermistor body having the same dimensions as the conventional chip type thermistor 101 is used, and the gap width, that is, the distance between the first and second electrodes connected to different potentials is made equal. Even so, it can be seen that the resistance can be further reduced.

本実施形態において、より一層の低抵抗化を図り得るのは、第1の電極3と第2の電極4とが対向している部分の断面積、すなわちギャップGを隔てて対向している部分の長さが長くされていることによる。これは、本実施形態では、第1の電極3が、底面上電極部分3aと、側面上電極部分3b,3cとを有し、ギャップGが、サーミスタ素体2の底面2b上においてサーミスタ素体2の幅方向に延びるギャップ部G1,G2と、サーミスタ素体2の長さ方向に延び、ギャップ部G1,G2を接続しているギャップ部G3,G4とを有する環状のギャップとされていることによる。   In this embodiment, the resistance can be further reduced by the cross-sectional area of the portion where the first electrode 3 and the second electrode 4 are opposed, that is, the portion where the gap G is opposed. Due to the length of the. In the present embodiment, the first electrode 3 has a bottom surface upper electrode portion 3 a and side surface upper electrode portions 3 b and 3 c, and a gap G is formed on the thermistor body 2 on the bottom surface 2 b of the thermistor body 2. 2 and the gap portions G1 and G2 extending in the width direction and the gap portions G3 and G4 extending in the length direction of the thermistor element body 2 and connecting the gap portions G1 and G2. by.

従って、本実施形態のチップ型サーミスタ1では、同じ比抵抗及び同じ寸法のサーミスタ素体を用い、しかも第1,第2の電極間距離を等しくした場合であっても低抵抗化を図ることができる。言い換えれば、電極間距離をさほど小さくせずとも低抵抗のチップ型サーミスタ1を提供することができるので、実装時のはんだブリッジによる短絡が生じ難く、電極間マイグレーションも生じ難い。また、耐電圧性も高められる。しかも、電極間距離をさほど小さくせずともよいため、電極形成精度をさほど高くする必要もない。また、電極形成精度のばらつきによる特性のばらつきも生じ難い。   Therefore, in the chip-type thermistor 1 of the present embodiment, it is possible to reduce the resistance even when the thermistor body having the same specific resistance and the same size is used and the distance between the first and second electrodes is made equal. it can. In other words, since the low resistance chip thermistor 1 can be provided without reducing the distance between the electrodes so much, short-circuiting due to a solder bridge at the time of mounting hardly occurs, and migration between electrodes hardly occurs. In addition, the withstand voltage is improved. In addition, since the distance between the electrodes does not have to be reduced so much, it is not necessary to increase the electrode formation accuracy. Further, variations in characteristics due to variations in electrode formation accuracy hardly occur.

上記チップ型サーミスタ1は、プリント回路基板などに容易に表面実装することができる。すなわち、図2に模式的平面図で示すように、プリント回路基板11上に、電極ランド12〜14が形成されている。この場合、チップ型サーミスタ1は、サーミスタ素体2の底面2bにおいて、第1の電極の底面上電極部分3aと、第2の電極の底面上電極部分4a,4bとが存在するため、各底面上電極部分3a及び底面上電極部分4a,4bを、電極ランド13と電極ランド1214上に接続されるようにプリント回路基板11上に搭載することにより、例えばリフローはんだ法により容易に表面実装することができる。 The chip thermistor 1 can be easily surface-mounted on a printed circuit board or the like. That is, as shown in a schematic plan view in FIG. 2, electrode lands 12 to 14 are formed on the printed circuit board 11. In this case, the chip-type thermistor 1 has the bottom surface upper electrode portion 3a of the first electrode and the bottom surface upper electrode portions 4a and 4b of the second electrode on the bottom surface 2b of the thermistor body 2, so that each bottom surface By mounting the upper electrode portion 3a and the bottom surface upper electrode portions 4a and 4b on the printed circuit board 11 so as to be connected to the electrode land 13 and the electrode lands 12 and 14 , surface mounting can be easily performed by, for example, a reflow soldering method. can do.

図3は、本発明の第2の実施形態のチップ型サーミスタを示すサーミスタ素体の底面側から見た斜視図であり、図4はサーミスタ素体の正面断面図である。   FIG. 3 is a perspective view of the thermistor element body according to the second embodiment of the present invention as seen from the bottom surface side, and FIG. 4 is a front sectional view of the thermistor element body.

第2の実施形態のチップ型サーミスタ21は、第1の実施形態と同様に、直方体状のサーミスタ素体22を有する。サーミスタ素体22は、上面22aと、底面22bと、第1,第2の端面22c,22dと、側面22e,22fとを有する。第1,第2の端面22c,22dを結ぶ方向が長さ方向であり、本実施形態では、サーミスタ素体22内に、長さ方向に延びる貫通孔22gが形成されている。すなわち、貫通孔22gの一方端部は、第1の端面2cに開口しており、反対側の端部が第2の端面22dに開口している。   The chip-type thermistor 21 of the second embodiment has a rectangular parallelepiped thermistor body 22 as in the first embodiment. The thermistor body 22 has an upper surface 22a, a bottom surface 22b, first and second end surfaces 22c and 22d, and side surfaces 22e and 22f. The direction connecting the first and second end faces 22c, 22d is the length direction, and in this embodiment, a through hole 22g extending in the length direction is formed in the thermistor element body 22. That is, one end portion of the through hole 22g opens to the first end surface 2c, and the opposite end portion opens to the second end surface 22d.

本実施形態においてもサーミスタ素体22は、正の温度特性を有するセラミックスにより構成されており、従って正特性サーミスタが構成されている。   Also in this embodiment, the thermistor body 22 is made of ceramics having a positive temperature characteristic, and thus a positive characteristic thermistor is formed.

また、第1の電極23及び第2の電極24,25は、サーミスタ素体22の外表面に形成されている。ここで、第1の電極23は、底面22a上に位置する底面上電極部分23aを有する。   Further, the first electrode 23 and the second electrodes 24 and 25 are formed on the outer surface of the thermistor body 22. Here, the 1st electrode 23 has the bottom face upper electrode part 23a located on the bottom face 22a.

他方、第2の電極24,25は、それぞれ、第1,第2の端面22c,22dの略中央に設けられている端面上電極部分24a,25aを有する。端面上電極部分24a,25aは、それぞれ、上記貫通孔22gの端部を覆うように形成されている。   On the other hand, the second electrodes 24 and 25 have end surface upper electrode portions 24a and 25a provided substantially at the centers of the first and second end surfaces 22c and 22d, respectively. The end surface electrode portions 24a and 25a are formed so as to cover the end portions of the through holes 22g, respectively.

他方、第2の電極24,25は、端面上電極部分24a,25aに連なっており、かつ底面22a上に位置している底面上電極部分24b,25bをさらに有する。   On the other hand, the second electrodes 24 and 25 further include upper surface bottom electrode portions 24b and 25b which are connected to the end surface upper electrode portions 24a and 25a and located on the bottom surface 22a.

そして、第1の電極23は、上記第2の電極24,25と等しい幅のギャップGを隔てて対向するように、サーミスタ素体22の残りの表面に形成されている。すなわち、第1の電極23は、底面上に位置している底面上電極部分23aと、一対の側面22e,22fの全面を被覆している側面上電極部分23b,23c及び上面の全面を被覆している上面上電極部分23dと、端面上に位置している端面上電極部分23e,23fとを有する。そして、ギャップGは、第2の電極24,25の周囲を所定幅で周回するように設けられている。   The first electrode 23 is formed on the remaining surface of the thermistor body 22 so as to face each other with a gap G having the same width as that of the second electrodes 24 and 25. That is, the first electrode 23 covers the entire surface of the upper surface portion 23a on the bottom surface, the upper surface portions 23b and 23c covering the entire surface of the pair of side surfaces 22e and 22f, and the entire upper surface. And upper end electrode portions 23e and 23f located on the end surfaces. The gap G is provided to circulate around the second electrodes 24 and 25 with a predetermined width.

すなわち、ギャップGは、サーミスタ素体22の幅方向に延びるギャップ部G11,G12を有する。ギャップ部G11,G12は、サーミスタ素体22の底面22b上に位置しており、第2の電極24,25は、ギャップ部G11及びG12を介して第1の電極23に隔てられている。さらに、ギャップ部G13,G14がサーミスタ素体22の長さ方向に延ばされて設けられている。すなわち、ギャップ部G13,G14は、サーミスタ素体22の底面22b上においてサーミスタ素体22の長さ方向に延ばされており、一方端がギャップ部G11に連なっている。また、ギャップ部G13,G14は、底面22bから端面22cに至るように延ばされている。端面22c上においてギャップ部G13,G14は、底面22b側から上面22a側に延ばされている。そして、ギャップ部G13,G14の他方端部が、端面22c上に設けられているギャップ部G17により接続されている。ギャップ部G17は、端面22c上において、サーミスタ素体22の幅方向に延ばされている。   That is, the gap G has gap portions G 11 and G 12 extending in the width direction of the thermistor body 22. The gap portions G11 and G12 are located on the bottom surface 22b of the thermistor body 22, and the second electrodes 24 and 25 are separated from the first electrode 23 via the gap portions G11 and G12. Further, gap portions G13 and G14 are provided extending in the length direction of the thermistor element body 22. That is, the gap portions G13 and G14 extend in the length direction of the thermistor element body 22 on the bottom surface 22b of the thermistor element body 22, and one end is connected to the gap portion G11. The gap portions G13 and G14 extend from the bottom surface 22b to the end surface 22c. On the end surface 22c, the gap portions G13 and G14 extend from the bottom surface 22b side to the top surface 22a side. And the other end part of the gap parts G13 and G14 is connected by the gap part G17 provided on the end surface 22c. The gap part G17 extends in the width direction of the thermistor body 22 on the end face 22c.

他方の端面22d側においても、同様に、ギャップ部G12に連なるギャップ部G15,G16が設けられている。そして、ギャップ部G15,G16の他方端部は、端面22d上に設けられており、サーミスタ素体22の幅方向に延びるギャップ部により連結されている。   Similarly, on the other end face 22d side, gap portions G15 and G16 are provided continuously to the gap portion G12. The other end portions of the gap portions G15 and G16 are provided on the end surface 22d and are connected by a gap portion extending in the width direction of the thermistor element body 22.

よって、本実施形態では、上記ギャップGを介して、第2の電極24,25は第1の電極23と隔てられている。しかも、セラミックスからなるさらに素体22内に上記貫通孔22gが形成されている。従って、同じ寸法のサーミスタ素体を用いた場合、ギャップGの幅方向寸法を同値とした場合、従来のチップ型サーミスタ101に比べてより一層の低抵抗化を図ることができる。これを具体的な実験例に基づき説明する。   Therefore, in the present embodiment, the second electrodes 24 and 25 are separated from the first electrode 23 through the gap G. Moreover, the through-hole 22g is formed in the element body 22 made of ceramic. Accordingly, when the thermistor bodies having the same dimensions are used, the resistance can be further reduced as compared with the conventional chip type thermistor 101 when the width direction dimensions of the gap G are set to the same value. This will be described based on a specific experimental example.

前述した比較例として用意したチップ型サーミスタ101及び第1の実施形態のチップ型サーミスタ1の場合と同じサーミスタ素体をサーミスタ素体22として用いた。そして、ギャップGの幅方向寸法を0.2mmとし、但し貫通孔22gの直径は0.4mmとした。この場合、図3における寸法D、すなわちギャップ部G13,G14の外側の第1の電極部分のサーミスタ素体22の幅方向に沿う寸法は0.1mmとなる。また、第2の電極24,25のサーミスタ素体22の幅方向に沿う寸法は0.6mmとなる。また、第2の電極24の端面上電極部分24aの高さ方向寸法は0.9mmとした。   The thermistor body 22 that is the same as the chip thermistor 101 prepared as the comparative example and the chip thermistor 1 of the first embodiment is used as the thermistor body 22. The width direction dimension of the gap G was 0.2 mm, but the diameter of the through hole 22g was 0.4 mm. In this case, the dimension D in FIG. 3, that is, the dimension along the width direction of the thermistor body 22 of the first electrode portion outside the gap portions G13 and G14 is 0.1 mm. The dimension of the second electrodes 24 and 25 along the width direction of the thermistor body 22 is 0.6 mm. The height direction dimension of the electrode portion 24a on the end face of the second electrode 24 was 0.9 mm.

その結果、上記比較例として用意した従来のチップ型サーミスタ101では、抵抗値は5.47Ωであったのに対し、第2の実施形態では、抵抗値は2.10Ωとなった。   As a result, in the conventional chip type thermistor 101 prepared as the comparative example, the resistance value was 5.47Ω, whereas in the second embodiment, the resistance value was 2.10Ω.

従って、第2の実施形態によれば、第1の実施形態よりもさらに低抵抗のチップ型サーミスタを提供し得ることがわかる。   Therefore, according to the second embodiment, it can be seen that a chip-type thermistor having a lower resistance than that of the first embodiment can be provided.

第2の実施形態のチップ型サーミスタ21もまた、図5に平面図で示すように、プリント回路基板11上の電極ランド12〜14に、容易に表面実装することができる。すなわち、サーミスタ素体22の底面22b上に、第1の電極の底面上電極部分23aと、第2の電極24,25の底面上電極部分が位置しているため、電極ランド12〜14を有するプリント回路基板11にリフローはんだ法等により容易に表面実装することができる。   The chip-type thermistor 21 of the second embodiment can also be easily surface-mounted on the electrode lands 12 to 14 on the printed circuit board 11 as shown in a plan view in FIG. That is, since the upper electrode portion 23a of the first electrode and the upper electrode portions of the second electrodes 24 and 25 are located on the bottom surface 22b of the thermistor body 22, the electrode lands 12 to 14 are provided. Surface mounting can be easily performed on the printed circuit board 11 by a reflow soldering method or the like.

(a)及び(b)は、本発明の第1の実施形態に係るチップ型サーミスタの底面側から見た斜視図及び横断面図である。(A) And (b) is the perspective view and cross-sectional view seen from the bottom face side of the chip | tip thermistor which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 第1の実施形態のチップ型サーミスタをプリント回路基板に実装した構造を示す模式的平面図。The typical top view showing the structure where the chip type thermistor of a 1st embodiment was mounted in the printed circuit board. 本発明の第2の実施形態に係るチップ型サーミスタをサーミスタ素体の底面側から見た斜視図。The perspective view which looked at the chip type thermistor which concerns on the 2nd Embodiment of this invention from the bottom face side of the thermistor body. 第2の実施形態のチップ型サーミスタに用いられているサーミスタ素体の縦断面図。The longitudinal section of the thermistor body used for the chip type thermistor of a 2nd embodiment. 第2の実施形態のチップ型サーミスタをプリント回路基板に実装した構造を示す模式的部分切欠平面図。The typical partial notch top view which shows the structure which mounted the chip type thermistor of 2nd Embodiment on the printed circuit board. 従来のチップ型サーミスタを示す斜視図。The perspective view which shows the conventional chip type thermistor.

符号の説明Explanation of symbols

1…チップ型サーミスタ
2…サーミスタ素体
2a…上面
2b…底面
2c,2d…第1,第2の端面
2e,2f…第1,第2の側面
3…第1の電極
3a…底面上電極部分
3b,3c…側面上電極部分
3d…端縁
4…第2の電極
4a,4b…底面上電極部分
4c,4d…側面上電極部分
4e,4f…端面上電極部分
11…プリント回路基板
12〜14…電極ランド
21…チップ型サーミスタ
22…サーミスタ素体
22a…上面
22b…底面
22c,22d…第1,第2の端面
22e,22f…第1,第2の側面
22g…貫通孔
23…第1の電極
23a…底面上電極部分
23b,23c…側面上電極部分
23e,23f…端面上電極部分
24…第2の電極
24a…端面上電極部分
24b…底面上電極部分
25…第2の電極
25a…端面上電極部分
25b…底面上電極部分
G…ギャップ
G1〜G4…ギャップ部
G11〜G17…ギャップ部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Chip-type thermistor 2 ... Thermistor body 2a ... Upper surface 2b ... Bottom surface 2c, 2d ... 1st, 2nd end surface 2e, 2f ... 1st, 2nd side surface 3 ... 1st electrode 3a ... Bottom electrode part 3b, 3c ... Upper side electrode portion 3d ... Edge 4 ... Second electrode 4a, 4b ... Upper electrode portion on bottom surface 4c, 4d ... Upper electrode portion on side surface 4e, 4f ... Upper electrode portion on end surface 11 ... Printed circuit board 12-14 ... Electrode land 21 ... Chip-type thermistor 22 ... Thermistor body 22a ... Top 22b ... Bottom 22c, 22d ... First and second end faces 22e, 22f ... First and second side faces 22g ... Through hole 23 ... First Electrode 23a ... Bottom electrode portion 23b, 23c ... Side electrode portion 23e, 23f ... End face electrode portion 24 ... Second electrode 24a ... End face electrode portion 24b ... Bottom electrode portion 25 ... Second electrode 25 a ... End face upper electrode part 25b ... Bottom face upper electrode part G ... Gap G1-G4 ... Gap part G11-G17 ... Gap part

Claims (3)

上面と、底面と、一対の端面と、一対の側面とを有し、一対の端面を結ぶ方向が長さ方向である直方体状のサーミスタ素体と、
前記サーミスタ素体の外表面に形成された第1,第2の電極とを備え、
前記第1の電極が、前記サーミスタ素体の底面の一部に位置している第1の底面上電極部分を少なくとも有し、前記第2の電極が前記サーミスタ素体の底面において第1の電極を挟んでサーミスタ素体の幅方向に延びる第1,第2のギャップ部と、前記サーミスタ素体の長さ方向に延びる第3,第4のギャップ部と、前記サーミスタ素体の底面において前記第1の電極とギャップを隔てて配置されている第2の底面上電極部分とを少なくとも有し、前記サーミスタ素体の底面から側面または端面に渡っているギャップを隔てて分離されて形成されており、前記第1の底面上電極部分と、前記第2の底面上電極部分が、実装表面として機能する、チップ型サーミスタ。
A rectangular parallelepiped thermistor body having a top surface, a bottom surface, a pair of end surfaces, and a pair of side surfaces, and a direction connecting the pair of end surfaces is a length direction;
First and second electrodes formed on the outer surface of the thermistor body,
The first electrode has at least a first bottom upper electrode portion located at a part of the bottom surface of the thermistor body, and the second electrode is a first electrode on the bottom surface of the thermistor body. First and second gap portions extending in the width direction of the thermistor element body, third and fourth gap portions extending in the length direction of the thermistor element body, and the bottom surface of the thermistor element body. at least a second bottom on the electrode portions are arranged at the first electrode and the gap are formed are separated by a gap that spans from the bottom to the side or end surface of the thermistor body A chip thermistor in which the first bottom surface electrode portion and the second bottom surface electrode portion function as a mounting surface .
前記第1の電極が、前記第1の底面上電極部分に連なっており、かつ前記サーミスタ素体の一対の側面に至る側面上電極部分をさらに備える、請求項1に記載のチップ型サーミスタ。 2. The chip-type thermistor according to claim 1, wherein the first electrode further includes a side upper electrode portion that is continuous with the first bottom upper electrode portion and reaches a pair of side surfaces of the thermistor body. 前記サーミスタ素体の一対の端面を結ぶ方向に貫通孔が形成されており、前記第2の電極が、前記サーミスタ素体の各端面において前記貫通孔の端部が位置している部分に設けられた端面上電極部分を有する、請求項1に記載のチップ型サーミスタ。   A through hole is formed in a direction connecting a pair of end faces of the thermistor body, and the second electrode is provided at a portion where the end of the through hole is located on each end face of the thermistor body. The chip type thermistor according to claim 1, further comprising an electrode portion on the end face.
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