JP4731760B2 - Vacuum processing apparatus and vacuum processing method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板に対して真空処理を行う真空処理装置および真空処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、半導体や液晶表示装置(LCD)の製造工程においては、半導体ウエハやガラス基板等の被処理基板に対して、ドライエッチングやスパッタリング、CVD(化学気相成長)等の種々の真空処理が施される。
【0003】
図6は、半導体ウエハWを被処理基板として真空処理を行う真空処理装置の概略的な断面図である。図6に示すように、真空処理装置は、気密に構成された真空処理室101と、この真空処理室101の底部から立設され、その上に半導体ウエハWが載置される載置台102とを具備しており、また、真空処理室101には排気口103が設けられており、この排気口103には真空処理室101内のガスを排除するために真空ポンプ等の排気機構104が接続されている。このような構成において、装置構造上の都合、フットプリントおよび装置価格の観点から、排気口103は載置台102上に載置された半導体ウエハW中心に対して非対称に、例えば図6に示すように真空処理室101下方の片側一箇所に設けられる。
【0004】
ところが、このように半導体ウエハW中心に対して非対称に排気口103が設けられた真空処理装置では、真空処理室101内の排気口103までの距離が近い部分Bと、排気口103までの距離が遠い部分Cとで、ガスの流れ方が変化してしまう。具体的には、部分Bの方が部分Cよりもガスの流れが速くなり、部分Cの方が部分Bよりもガスの圧力が高くなる。
【0005】
このようなガスの流れや圧力の不均一性は、少なからずプロセスに悪影響を与えているものと考えられ、特にガスを多量に流すプロセスほどその悪影響は顕著になるものと考えられる。
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、真空処理室を排気する際のガスの流れや圧力を均一にすることができ、被処理基板に面内均一性の高い真空処理を施すことができる真空処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第1の観点では、真空中で被処理基板に所定の処理を施す真空処理室と、前記真空処理室内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、前記真空処理室の下部に、その中央から偏った位置に設けられた排気口と、前記排気口に接続され、前記真空処理室の前記載置台上方部分に形成される処理空間を前記載置台と前記真空処理室の側壁とで規定される排気路を通って前記排気口から排気する排気機構と、前記真空処理室の周辺部の少なくとも前記排気口側および前記排気口と反対側との2箇所に設けられた複数の圧力計と、前記排気機構によって前記処理空間を排気する際に、前記複数の圧力計の測定値が略均等になるように前記排気路の開口分布を調整する開口調整部材とを具備し、前記開口調整部材は、前記載置台と前記真空処理室の側壁との間に、前記載置台に形成された溝に嵌め込まれた状態で前記排気路の前記排気口側とその反対側とに水平移動可能に設けられ、その移動により前記排気路の前記排気口側の開口とその反対側の開口とを調整し、それにより前記排気路の開口分布を調整することを特徴とする真空処理装置を提供する。
【0008】
上記本発明の第1の観点によれば、前記処理空間の周辺部に複数の圧力計を設け、前記排気機構によって前記処理空間を排気する際に、これら圧力計の測定値が均等になるように開口調整部材によって前記排気路の開口分布を調整するので、前記真空処理室の下部に偏在した排気口から排気する方式でありながら、前記処理空間の周辺部における圧力が均等な状態を維持しつつ排気を行うことができる。したがって、真空処理室内のガスの流れや圧力を均一にして被処理基板に面内均一性の高い真空処理を施すことが可能となる。
【0009】
さらに、本発明の第2の観点では、真空中で被処理基板に所定の処理を施す真空処理室と、前記真空処理室内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、前記真空処理室の下部にその中央から偏った位置に設けられた排気口と、前記排気口に接続され、前記真空処理室の前記載置台上方部分に形成される処理空間を前記載置台と前記真空処理室の側壁とで規定される排気路を通って前記排気口から排気する排気機構と、前記真空処理室の周辺部の少なくとも前記排気口側および前記排気口と反対側との2箇所に設けられた複数の圧力計と、前記載置台の周辺における前記排気路の開口分布を調整可能な開口調整部材と、前記開口調整部材を駆動する駆動機構と、前記排気機構によって前記処理空間を排気する際に、前記複数の圧力計の測定値に応じて前記駆動機構を制御する制御手段とを具備し、前記開口調整部材は、前記載置台と前記真空処理室の側壁との間に、前記載置台に形成された溝に嵌め込まれた状態で前記排気路の前記排気口側とその反対側とに水平移動可能に設けられ、その移動により前記排気路の前記排気口側の開口とその反対側の開口とを調整し、それにより前記排気路の開口分布を調整することを特徴とする真空処理装置を提供する。
【0010】
上記本発明の第2の観点によれば、前記処理空間の周辺部に複数の圧力計を設け、前記排気機構で前記処理空間を排気する際に、前記複数の圧力計の測定値に応じて、開口調整部材を駆動する駆動機構を制御手段で制御するので、前記圧力計の測定値に応じて前記排気路の開口分布をリアルタイムで制御することができ、これにより真空処理室内のガスの流れや圧力を均一にして被処理基板に面内均一性の高い真空処理を施すことが可能となる。
【0012】
さらに、本発明の第3の観点では、真空処理室と、前記真空処理室内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、前記真空処理室の下部にその中央から偏った位置に設けられた排気口と、前記排気口に接続され、前記真空処理室の前記載置台上方部分に形成される処理空間を前記載置台と前記真空処理室の側壁とで規定される排気路を通って前記排気口から排気して真空処理を行う真空処理装置を用いて被処理基板に真空処理を施す方法であって、前記載置台の周辺における前記排気路の開口分布を調整可能な開口調整部材として、前記載置台と前記真空処理室の側壁との間に前記載置台に形成された溝に嵌め込まれた状態で水平移動可能に設けられ、その移動により前記排気路の開口分布を調整するものを設け、少なくとも前記排気口側および前記排気口と反対側の2箇所に圧力計を設け、前記載置台上に被処理基板を載置し、前記処理空間を排気しつつ、前記圧力計により前記処理空間の少なくとも前記排気口側および前記排気口と反対側で圧力を測定し、少なくとも前記排気口側および前記排気口と反対側での圧力が略均等になるように、前記開口調整部材を前記排気路の前記排気口側とその反対側とで移動させて前記排気路の前記排気口側の開口とその反対側の開口とを調整することにより前記排気路の開口分布を調整して、前記被処理基板に真空処理を施すことを特徴とする真空処理方法を提供する。
【0013】
上記本発明の第3の観点によれば、前記処理空間を排気しつつ前記処理空間の周辺部の複数箇所で圧力を測定し、前記複数箇所での圧力が略均等になるように前記排気路の開口分布を調整するので、真空処理室内のガスの流れや圧力を均一にして被処理基板に面内均一性の高い真空処理を施すことが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る真空処理装置が適用されたプラズマエッチング装置の概略断面図であり、図2は図1のA−A断面矢視図、図3の(a)および(b)はこのプラズマエッチング装置における載置台の断面図である。
【0015】
図1に示すように、このプラズマエッチング装置は、例えば表面がアルマイト処理(陽極酸化処理)されたアルミニウムからなり円筒状をなす真空処理室1と、この真空処理室1の底部から立設され、ウエハWが載置される略円柱状の載置台2とを有している。真空処理室1内の載置台2上方には処理空間20が形成されており、この処理空間20下方の載置台2周辺には、載置台2と真空処理室1の側壁とで規定される排気路21が形成されている。また、真空処理容器1の下部には、その中央から偏った位置に排気口4が設けられており、この排気口4には排気管5を介して真空ポンプ等の排気機構6が接続されている。したがって、排気路21は、その上部で処理空間20と連通しており、その下部で排気口4を介して排気管5と連通している。一方、載置台2には高周波電源10が接続されており、これにより載置台2は下部電極として機能する。
【0016】
図2および図3に示すように、上記載置台2の上部にはその周囲の全周にわたって溝2aが水平に形成されており、この溝2aには、円環状のバッフル板(開口調整部材)3が嵌め込まれている。このバッフル板3は、駆動機構7で駆動することによって、真空処理室1の排気口4側と排気口4の反対側とに水平移動可能となっている。例えば、バッフル板3を排気口4の方向に移動させた場合、載置台2の周辺における排気路21の開口分布は、排気口4側で小さくなるとともに排気口4の反対側で大きくなる。図3の(a)にはバッフル板3を中心位置とした状態を示し、図3の(b)にはバッフル板3を排気口4側に移動させた状態を示す。このようにして排気路21の開口分布を変化させることにより、排気口4側とこれと反対側とのそれぞれの排気コンダクタンスを変化させることができ、これにより処理空間20内の圧力分布を調整することができる。例えば、図3(b)に示すようにバッフル板3を移動させた場合には、排気口4側の排気コンダクタンスを減少させてその部分の圧力を増大させるとともに、排気口4と反対側の排気コンダクタンスを増大させてその部分の圧力を減少させることができる。また、このようなバッフル板3を上下に貫通する孔部を設けてもよい。
【0017】
真空処理室1の上部には、処理空間20を挟んで載置台2と対向するように上部電極としてのシャワーヘッド11が設けられている。このシャワーヘッド11の下部は載置台2と平行に形成されており、その載置台2と対向する部分には複数のガス吐出孔12が設けられている。また、シャワーヘッド11の上部にはガス導入口13が形成されており、このガス導入口13には、エッチングガスとして例えばCF4ガス等のハロゲン含有ガスやH2ガス等を導入するためのガス供給機構14が接続され、これら処理ガスがガス導入口13を経てシャワーヘッド11の内部に至り、ガス吐出孔12から真空処理室1内に吐出される。
【0018】
また、このプラズマエッチング装置は、上述したように載置台2の上方に形成された処理空間20周辺部の排気口4側およびこれと反対側の圧力を測定するための圧力計8および9を有しており、これらにより排気機構6によって処理空間20を減圧する際に、排気口4側およびこれと反対側の圧力を個別に測定可能となっている。
【0019】
以上のような構成のプラズマエッチング装置でウエハWのエッチングを行う際には、まず、図示しないゲートバルブを開にしてウエハWを真空処理室1内に搬入し、載置台2上に載置する。次いで、ガス供給機構14から処理ガスの供給を開始してシャワーヘッド11から真空処理室1内に処理ガスを供給するとともに、排気機構4を駆動して真空処理室1内を減圧する。この減圧時に、圧力計8および9により処理空間20周辺部の排気口4側およびこれと反対側における圧力を測定しつつ、圧力計8および9の測定値が略均等となるように、駆動機構7によりバッフル板3を中央から移動させて排気路21の開口分布を調整する。このようにバッフル板3を所定の位置に移動させて排気路21の開口分布を調整するとともに真空処理室1内を所定の真空度に減圧した後、高周波電源10から載置台2に高周波電力を供給して処理空間20内に処理ガスのプラズマを発生させ、このプラズマによりウエハW上に形成された所定の膜をエッチングする。
【0020】
上記のプロセスにおいて、従来の装置では、真空処理室1内を減圧する際に処理空間20の排気口4側がこれと反対側よりも低圧になるという問題があった。これは、排気口4側の排気コンダクタンスがこれと反対側の排気コンダクタンスよりも大きいためである。これに対して本実施形態では、減圧時に圧力計8および9により処理空間20周辺部の排気口4側およびこれと反対側の圧力を測定し、これらの測定値が略均等となるようにバッフル板3を移動させて排気路21の開口分布を調整してからウエハWの処理を行うので、真空処理室1内のガスの流れや圧力を均一にしてウエハWに面内均一性の高い処理を施すことができる。このような効果は、特に、ガス供給機構14からのガス供給量が多く真空処理室1内を流れるガスの量が多く、排気口4側で圧力が低くなりやすい場合に有効に発揮される。
【0021】
また、ガス供給機構14からのガス供給量等のプロセス条件が同一の場合には、圧力計8および9の測定値を略均等とするバッフル板3の位置は同じであると考えられる。したがって、ある装置で所定のプロセス条件の下で決定されたバッフル板3の位置データに基づいて、同じプロセスを行う他の装置のバッフル板3の位置を決定することも有効である。
【0022】
さらに、上記のプロセスでは、バッフル板3を圧力計8および9の測定値が略均等となる位置に配置してからウエハWの処理を行ったが、例えば図4に示すように、圧力計8および9の測定値に応じて駆動機構7をリアルタイムで制御する制御手段15を設け、排気機構6による減圧時に圧力計8および9の測定値が略均等となるようにバッフル板3の位置をリアルタイムで制御するようにしてもよい。
【0023】
なお、本発明は上記実施の形態に限られず、種々変更が可能である。例えば、上記実施形態ではバッフル板3を水平移動することによって排気路21の開口分布を調節するようにしたが、図5の(a)〜(d)に示すように、孔部23を複数設けたバッフル板3′を用い、このバッフル板3′の下面側に孔部23のそれぞれと連通可能な孔部25が形成された部材24を配置し、この部材24を水平移動させて孔部23および孔部25の位置関係を調節することにより孔部23のそれぞれを開閉又は開度制御するようにしてもよい。図5の(a)および(b)は孔部25と孔部23とを連通させて孔部23を全開にした状態の上面図および縦断面図であり、図5の(c)および(d)は孔部23を孔部25からずれた位置として孔部23を半開にした状態の上面図および縦断面図である。また、孔部ではなくスリットを設けて、孔部の場合と同様に開閉又は開度制御するようにしてもよい。また、上記実施形態では本発明をプラズマエッチング装置に適用した場合を示したが、本発明はスパッタリング、CVD(化学気相成長)等の種々の真空処理装置に適用することができる。さらに、被処理基板はウエハWに限られず、例えばLCD用のガラス基板であってもよい。
【0024】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、前記処理空間の周辺部に複数の圧力計を設け、前記排気機構によって前記処理空間を排気する際に、これら圧力計の測定値が均等になるように開口調整部材によって前記排気路の開口分布を調整するので、前記真空処理室の下部に偏在した排気口から排気する方式でありながら、前記処理空間の周辺部における圧力が均等な状態を維持しつつ排気を行うことができる。したがって、真空処理室内のガスの流れや圧力を均一にして被処理基板に面内均一性の高い真空処理を施すことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るプラズマエッチング装置の断面図。
【図2】図1のA−A断面図。
【図3】図1における載置台およびバッフル板の説明図。
【図4】駆動機構をリアルタイムで制御する制御手段を設けたプラズマエッチング装置の断面図。
【図5】本発明の変形例におけるバッフル板の一部を示す図面。
【図6】従来の真空処理装置の一例を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
1;真空処理室
2;載置台
2a;溝
3;バッフル板
4;排気口
5;排気管
6;排気機構
7;駆動機構
8,9;圧力計
10;高周波電源
11;シャワーヘッド
12;ガス吐出孔
13;ガス導入口
14;ガス供給機構
15;制御手段
20;処理空間
21;排気路
101;真空処理室
102;載置台
103;排気口
104;排気機構
W;半導体ウエハ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a vacuum processing apparatus and a vacuum processing method for performing vacuum processing on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer.
[0002]
[Prior art]
For example, in the manufacturing process of a semiconductor or a liquid crystal display (LCD), various vacuum processes such as dry etching, sputtering, and CVD (chemical vapor deposition) are performed on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or a glass substrate. Is done.
[0003]
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a vacuum processing apparatus that performs vacuum processing using the semiconductor wafer W as a substrate to be processed. As shown in FIG. 6, the vacuum processing apparatus includes an airtight
[0004]
However, in the vacuum processing apparatus in which the
[0005]
Such non-uniformity of gas flow and pressure is considered to have an adverse effect on the process, and the adverse effect is considered to be more prominent in the process of flowing a large amount of gas.
[Problems to be solved by the invention]
[0006]
The present invention has been made in view of such circumstances, and can make the gas flow and pressure uniform when evacuating the vacuum processing chamber, and the substrate to be processed has a high in-plane uniformity. It aims at providing the vacuum processing apparatus which can process.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, according to a first aspect of the present invention, a vacuum processing chamber that performs a predetermined process on a substrate to be processed in a vacuum, and the substrate to be processed are placed in the vacuum processing chamber. A mounting table, an exhaust port provided at a position deviated from the center thereof at a lower portion of the vacuum processing chamber, and a processing space connected to the exhaust port and formed in an upper portion of the mounting table described above. An exhaust mechanism that exhausts air from the exhaust port through an exhaust path defined by the mounting table and the side wall of the vacuum processing chamber, and at least the exhaust port side and the side opposite to the exhaust port in the periphery of the vacuum processing chamber When exhausting the processing space with the plurality of pressure gauges provided at two locations, and the exhaust mechanism, the opening distribution of the exhaust passage is adjusted so that the measured values of the plurality of pressure gauges are substantially uniform An opening adjusting member for adjusting the opening. Wood is between the side wall of the mounting table said vacuum processing chamber, a horizontally movably the exhaust port side and the opposite side of the exhaust passage in a state of being fitted in a groove formed in the mounting table Provided is a vacuum processing apparatus which is provided and adjusts the opening on the exhaust port side of the exhaust passage and the opening on the opposite side by the movement thereof, thereby adjusting the opening distribution of the exhaust passage.
[0008]
According to the first aspect of the present invention, when a plurality of pressure gauges are provided in the peripheral portion of the processing space and the processing space is exhausted by the exhaust mechanism, the measurement values of the pressure gauges are made uniform. Since the opening distribution of the exhaust passage is adjusted by the opening adjusting member, the pressure in the peripheral portion of the processing space is maintained at an even state while exhausting from the exhaust port unevenly distributed in the lower portion of the vacuum processing chamber. Exhaust can be performed. Accordingly, it is possible to perform vacuum processing with high in-plane uniformity on the substrate to be processed by making the gas flow and pressure in the vacuum processing chamber uniform.
[0009]
Furthermore, in the second aspect of the present invention, a vacuum processing chamber that performs a predetermined process on the substrate to be processed in a vacuum, a mounting table that is provided in the vacuum processing chamber and on which the substrate to be processed is mounted, and the vacuum An exhaust port provided in a lower part of the processing chamber at a position deviated from the center thereof, and a processing space connected to the exhaust port and formed in an upper portion of the mounting table above the vacuum processing chamber is defined by the mounting table and the vacuum processing. An exhaust mechanism for exhausting from the exhaust port through an exhaust path defined by the side wall of the chamber, and at least two locations on the periphery of the vacuum processing chamber, on the exhaust port side and on the opposite side of the exhaust port. A plurality of pressure gauges, an opening adjusting member capable of adjusting an opening distribution of the exhaust passage around the mounting table, a driving mechanism for driving the opening adjusting member, and when the processing space is exhausted by the exhaust mechanism. The measurement of the plurality of pressure gauges And a control means for controlling the drive mechanism in accordance with a value, the opening adjusting member is provided between the mounting table and the side wall of the vacuum processing chamber, fitted in a groove formed in the mounting table In the state, the exhaust passage is provided so as to be horizontally movable on the exhaust port side and the opposite side thereof, and by the movement, the opening on the exhaust port side of the exhaust passage and the opening on the opposite side thereof are adjusted. Provided is a vacuum processing apparatus characterized by adjusting an opening distribution of an exhaust passage.
[0010]
According to the second aspect of the present invention, when a plurality of pressure gauges are provided in a peripheral portion of the processing space and the processing space is exhausted by the exhaust mechanism, according to the measured values of the plurality of pressure gauges. Since the drive mechanism for driving the opening adjusting member is controlled by the control means, the opening distribution of the exhaust passage can be controlled in real time according to the measured value of the pressure gauge, and thereby the gas flow in the vacuum processing chamber In addition, it is possible to perform vacuum processing with high in-plane uniformity on the substrate to be processed by making the pressure uniform.
[0012]
Furthermore, in the third aspect of the present invention, a vacuum processing chamber, a mounting table provided in the vacuum processing chamber, on which a substrate to be processed is mounted, and a lower portion of the vacuum processing chamber are offset from the center. An exhaust port provided and a processing space connected to the exhaust port and formed in the upper portion of the mounting table above the vacuum processing chamber passes through an exhaust path defined by the mounting table and the side wall of the vacuum processing chamber. A vacuum processing apparatus for performing vacuum processing on a substrate to be processed using a vacuum processing apparatus that performs vacuum processing by exhausting from the exhaust port, wherein the opening adjusting member is capable of adjusting the distribution of the exhaust path around the mounting table. As described above, it is provided between the mounting table and the side wall of the vacuum processing chamber so as to be horizontally movable in a state of being fitted in a groove formed in the mounting table, and adjusting the opening distribution of the exhaust passage by the movement At least the exhaust port And pressure gauges at two locations opposite to the exhaust port, placing the substrate to be processed on the mounting table, and exhausting the processing space, the pressure gauge allows at least the exhaust port side of the processing space. And the pressure is measured on the side opposite to the exhaust port, and the opening adjusting member is placed on the exhaust port side of the exhaust path so that at least the pressure on the exhaust port side and the side opposite to the exhaust port is substantially equal. The substrate is subjected to vacuum processing by adjusting the opening distribution of the exhaust path by adjusting the opening on the exhaust port side of the exhaust path and the opening on the opposite side thereof by moving on the opposite side. A vacuum processing method is provided.
[0013]
According to the third aspect of the present invention, the exhaust path is configured such that pressure is measured at a plurality of locations around the processing space while exhausting the processing space, and the pressure at the plurality of locations is substantially equal. Therefore, it is possible to make the gas flow and pressure in the vacuum processing chamber uniform and perform vacuum processing with high in-plane uniformity on the substrate to be processed.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a plasma etching apparatus to which a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention is applied. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along a line AA in FIG. (B) is sectional drawing of the mounting base in this plasma etching apparatus.
[0015]
As shown in FIG. 1, this plasma etching apparatus is erected from, for example, a
[0016]
As shown in FIG. 2 and FIG. 3, a
[0017]
A
[0018]
In addition, the plasma etching apparatus includes pressure gauges 8 and 9 for measuring the pressure on the exhaust port 4 side and the opposite side of the periphery of the
[0019]
When etching the wafer W with the plasma etching apparatus having the above configuration, first, a gate valve (not shown) is opened, and the wafer W is loaded into the
[0020]
In the above-described process, the conventional apparatus has a problem that when the pressure in the
[0021]
Further, when the process conditions such as the gas supply amount from the
[0022]
Further, in the above process, the wafer W is processed after the
[0023]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, in the above embodiment, the opening distribution of the
[0024]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when a plurality of pressure gauges are provided in the peripheral portion of the processing space and the processing space is exhausted by the exhaust mechanism, the measured values of the pressure gauges are equalized. Since the opening distribution of the exhaust passage is adjusted by the opening adjusting member, the pressure in the peripheral portion of the processing space is maintained at an even state while exhausting from the exhaust port unevenly distributed in the lower portion of the vacuum processing chamber. Exhaust can be performed. Accordingly, it is possible to perform vacuum processing with high in-plane uniformity on the substrate to be processed by making the gas flow and pressure in the vacuum processing chamber uniform.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a plasma etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
3 is an explanatory view of the mounting table and the baffle plate in FIG. 1. FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a plasma etching apparatus provided with control means for controlling a drive mechanism in real time.
FIG. 5 is a view showing a part of a baffle plate in a modified example of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing an example of a conventional vacuum processing apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記真空処理室内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、
前記真空処理室の下部に、その中央から偏った位置に設けられた排気口と、
前記排気口に接続され、前記真空処理室の前記載置台上方部分に形成される処理空間を前記載置台と前記真空処理室の側壁とで規定される排気路を通って前記排気口から排気する排気機構と、
前記真空処理室の周辺部の少なくとも前記排気口側および前記排気口と反対側との2箇所に設けられた複数の圧力計と、
前記排気機構によって前記処理空間を排気する際に、前記複数の圧力計の測定値が略均等になるように前記排気路の開口分布を調整する開口調整部材と
を具備し、
前記開口調整部材は、前記載置台と前記真空処理室の側壁との間に、前記載置台に形成された溝に嵌め込まれた状態で前記排気路の前記排気口側とその反対側とに水平移動可能に設けられ、その移動により前記排気路の前記排気口側の開口とその反対側の開口とを調整し、それにより前記排気路の開口分布を調整することを特徴とする真空処理装置。A vacuum processing chamber for performing predetermined processing on the substrate to be processed in vacuum;
A mounting table provided in the vacuum processing chamber and on which a substrate to be processed is mounted;
In the lower part of the vacuum processing chamber, an exhaust port provided at a position deviated from the center,
A processing space connected to the exhaust port and formed in the upper part of the mounting table above the vacuum processing chamber is exhausted from the exhaust port through an exhaust path defined by the mounting table and a side wall of the vacuum processing chamber. An exhaust mechanism;
A plurality of pressure gauges provided in at least two locations on the periphery of the vacuum processing chamber, on the exhaust port side and on the opposite side of the exhaust port;
An opening adjusting member that adjusts the opening distribution of the exhaust passage so that the measured values of the plurality of pressure gauges are substantially equal when the processing space is exhausted by the exhaust mechanism;
The opening adjusting member is horizontally placed between the exhaust port side of the exhaust path and the opposite side in a state of being fitted in a groove formed in the mount table between the mounting table and the side wall of the vacuum processing chamber. A vacuum processing apparatus, wherein the vacuum processing apparatus is provided so as to be movable, and adjusts an opening on the exhaust port side of the exhaust passage and an opening on the opposite side by the movement, thereby adjusting an opening distribution of the exhaust passage.
前記真空処理室内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、
前記真空処理室の下部にその中央から偏った位置に設けられた排気口と、
前記排気口に接続され、前記真空処理室の前記載置台上方部分に形成される処理空間を前記載置台と前記真空処理室の側壁とで規定される排気路を通って前記排気口から排気する排気機構と、
前記真空処理室の周辺部の少なくとも前記排気口側および前記排気口と反対側との2箇所に設けられた複数の圧力計と、
前記載置台の周辺における前記排気路の開口分布を調整可能な開口調整部材と、
前記開口調整部材を駆動する駆動機構と、
前記排気機構によって前記処理空間を排気する際に、前記複数の圧力計の測定値に応じて前記駆動機構を制御する制御手段と
を具備し、
前記開口調整部材は、前記載置台と前記真空処理室の側壁との間に、前記載置台に形成された溝に嵌め込まれた状態で前記排気路の前記排気口側とその反対側とに水平移動可能に設けられ、その移動により前記排気路の前記排気口側の開口とその反対側の開口とを調整し、それにより前記排気路の開口分布を調整することを特徴とする真空処理装置。A vacuum processing chamber for performing predetermined processing on the substrate to be processed in vacuum;
A mounting table provided in the vacuum processing chamber and on which a substrate to be processed is mounted;
An exhaust port provided at a position deviated from the center at the lower part of the vacuum processing chamber;
A processing space connected to the exhaust port and formed in the upper part of the mounting table above the vacuum processing chamber is exhausted from the exhaust port through an exhaust path defined by the mounting table and a side wall of the vacuum processing chamber. An exhaust mechanism;
A plurality of pressure gauges provided in at least two locations on the periphery of the vacuum processing chamber, on the exhaust port side and on the opposite side of the exhaust port;
An opening adjusting member capable of adjusting an opening distribution of the exhaust passage around the mounting table;
A drive mechanism for driving the opening adjusting member;
Control means for controlling the drive mechanism according to the measured values of the plurality of pressure gauges when the processing space is exhausted by the exhaust mechanism;
The opening adjusting member is horizontally placed between the exhaust port side of the exhaust path and the opposite side in a state of being fitted in a groove formed in the mount table between the mounting table and the side wall of the vacuum processing chamber. A vacuum processing apparatus, wherein the vacuum processing apparatus is provided so as to be movable, and adjusts an opening on the exhaust port side of the exhaust passage and an opening on the opposite side by the movement, thereby adjusting an opening distribution of the exhaust passage.
前記載置台の周辺における前記排気路の開口分布を調整可能な開口調整部材として、前記載置台と前記真空処理室の側壁との間に前記載置台に形成された溝に嵌め込まれた状態で水平移動可能に設けられ、その移動により前記排気路の開口分布を調整するものを設け、
少なくとも前記排気口側および前記排気口と反対側の2箇所に圧力計を設け、
前記載置台上に被処理基板を載置し、前記処理空間を排気しつつ、前記圧力計により前記処理空間の少なくとも前記排気口側および前記排気口と反対側で圧力を測定し、少なくとも前記排気口側および前記排気口と反対側での圧力が略均等になるように、前記開口調整部材を前記排気路の前記排気口側とその反対側とで移動させて前記排気路の前記排気口側の開口とその反対側の開口とを調整することにより前記排気路の開口分布を調整して、前記被処理基板に真空処理を施すことを特徴とする真空処理方法。A vacuum processing chamber, a mounting table provided in the vacuum processing chamber on which a substrate to be processed is mounted, an exhaust port provided at a position deviated from the center at a lower portion of the vacuum processing chamber, and an exhaust port A vacuum treatment is performed by exhausting the processing space formed in the upper part of the mounting table above the vacuum processing chamber from the exhaust port through an exhaust path defined by the mounting table and the side wall of the vacuum processing chamber. A method of performing vacuum processing on a substrate to be processed using a vacuum processing apparatus to perform,
As an opening adjusting member capable of adjusting the opening distribution of the exhaust passage in the periphery of the mounting table, it is horizontally fitted in a groove formed in the mounting table between the mounting table and the side wall of the vacuum processing chamber. Provided to be movable, and to adjust the opening distribution of the exhaust passage by the movement,
Pressure gauges are provided at least at two locations on the exhaust port side and on the opposite side of the exhaust port,
The substrate to be processed is placed on the mounting table, and the pressure is measured at least on the exhaust port side and the exhaust port side of the processing space by the pressure gauge while exhausting the processing space, and at least the exhaust The opening adjustment member is moved between the exhaust port side of the exhaust passage and the opposite side thereof so that the pressure on the mouth side and the side opposite to the exhaust port becomes substantially equal, and the exhaust port side of the exhaust passage A vacuum processing method comprising: adjusting an opening distribution of the exhaust passage by adjusting an opening of the substrate and an opening on the opposite side, and subjecting the substrate to be processed to vacuum processing.
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